JPH05191364A - Tuner circuit - Google Patents
Tuner circuitInfo
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- JPH05191364A JPH05191364A JP4175846A JP17584692A JPH05191364A JP H05191364 A JPH05191364 A JP H05191364A JP 4175846 A JP4175846 A JP 4175846A JP 17584692 A JP17584692 A JP 17584692A JP H05191364 A JPH05191364 A JP H05191364A
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- coil
- switching
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- high band
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- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
- Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)
- Noise Elimination (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、テレビジョン受像機や
ビデオテープレコーダ等の高周波回路装置に使用される
チューナ回路に関するものであり、特にスイッチングダ
イオードを用いて受信バンドの切換を行う入力回路を有
するチューナ回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a tuner circuit used in a high frequency circuit device such as a television receiver or a video tape recorder, and more particularly to an input circuit for switching a receiving band by using a switching diode. A tuner circuit having the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来のチューナ回路を図5及び図6を参
照して説明する。通常VHFチューナの場合、可変容量
ダイオードVD1の容量変化だけではその周波数範囲を
カバーできないため、ホット側、アース側それぞれにつ
いてハイバンド用コイル、ローバンド用コイルを設ける
と共に、バンド切換用のスイッチングダイオードD2、
D3を設け、そのON/OFFによってインダクタンス
を可変することにより対応している。ここで、L3がホ
ット側のロ−バンド用コイル、L4がホット側のハイバ
ンド用コイルであり、一方ア−ス側はL1がロ−バンド
用コイル、L2がハイバンド用コイルである。2. Description of the Related Art A conventional tuner circuit will be described with reference to FIGS. In the case of a normal VHF tuner, since the frequency range cannot be covered only by changing the capacitance of the variable capacitance diode VD1, a high band coil and a low band coil are provided on each of the hot side and the ground side, and a switching diode D2 for band switching,
This is dealt with by providing D3 and varying the inductance by turning it ON / OFF. Here, L3 is a hot side low band coil, L4 is a hot side high band coil, while L1 is a low band coil and L2 is a high band coil on the ground side.
【0003】ローバンド選択時には、ローバンド用電源
端子BLに正電圧を印加すると、スイッチングダイオー
ドD1、D2のカソード側にバイアス抵抗R1、R2で
分圧された電圧が印加され、両スイッチングダイオード
は非導通となり、図6(a)に示すようにホット側、ア
ース側共にハイバンド用コイルとローバンド用コイルの
直列接続となる。しかし、ハイバンド用コイルはローバ
ンド用コイルに対して非常に小さいため、同調回路は図
6(b)に示すようにホット側ローバンド用コイルL3
とアース側ローバンド用コイルL1、可変容量ダイオー
ドVD1の容量VC及びトランジスタQ1の入力容量等
による付加容量Cで構成された単同調回路となる。When a low band is selected, when a positive voltage is applied to the low band power supply terminal BL, a voltage divided by the bias resistors R1 and R2 is applied to the cathode side of the switching diodes D1 and D2, and both switching diodes become non-conductive. As shown in FIG. 6A, the high band coil and the low band coil are connected in series on both the hot side and the ground side. However, since the high band coil is much smaller than the low band coil, the tuning circuit has a hot side low band coil L3 as shown in FIG. 6B.
And a low tuning coil L1 on the ground side, a capacitance VC of the variable capacitance diode VD1 and an additional capacitance C due to the input capacitance of the transistor Q1 and the like, thereby forming a single tuning circuit.
【0004】ハイバンド選択時はローバンド用電源端子
BLをオープンにし、ハイバンド用電源端子BHに正電
圧を印加することにより、スイッチングダイオードD
2、D3には順方向電圧が印加され導通となる。このた
め、図6(c)に示すようにホット側についてはローバ
ンド用コイルL3は結合コンデンサC5及びスイッチン
グダイオードD3によりキャンセルされ、スイッチング
ダイオードD3の直列抵抗分RD3とハイバンド用コイ
ルL4との直列接続となる。アース側についても同様に
ダイオードD2の直列抵抗分RD2とハイバンド用コイ
ルL2の直列接続となる。When the high band is selected, the low band power supply terminal BL is opened and a positive voltage is applied to the high band power supply terminal BH, whereby the switching diode D
A forward voltage is applied to D2 and D3 to make them conductive. Therefore, as shown in FIG. 6C, on the hot side, the low band coil L3 is canceled by the coupling capacitor C5 and the switching diode D3, and the series resistance component RD3 of the switching diode D3 and the high band coil L4 are connected in series. Becomes Similarly, on the ground side, the series resistance component RD2 of the diode D2 and the high band coil L2 are connected in series.
【0005】よってハイバンド選択時には、図6(d)
に示すようにホット側ハイバンド用コイルL4及びそれ
に直列接続される抵抗分Rcと、アース側ハイバンド用
コイルL2及びそれに直列接続されるRbと可変容量ダ
イオードVD1による容量VC及び付加容量Cで構成さ
れた単同調回路となる。Therefore, when the high band is selected, FIG.
As shown in FIG. 5, the hot side high band coil L4 and the resistance component Rc connected in series thereto, the ground side high band coil L2 and Rb connected in series thereto, and the capacitance VC and the additional capacitance C by the variable capacitance diode VD1 are configured. It becomes a single tuning circuit.
【0006】高周波増幅段のトランジスタQ1にFET
(電界効果トランジスタ)を用い、且つハイバンドとロ
ーバンドとを切り換えて信号を選局するように構成した
チューナ回路においては、FETの特性によりローバン
ドの時の利得がハイバンドの時の利得より大きくなる。
そこで利得差を無くすため、ホット側のローバンド用コ
イルL3とハイバンド用コイルL4の接続点とアース側
のローバンド用コイルL1とハイバンド用コイルL2の
接続点との間にダンピング抵抗R3を接続し、ローバン
ド選択時のみ同調回路をダンピングして利得を下げるよ
うにしている。A FET is used as the transistor Q1 of the high frequency amplification stage.
In a tuner circuit using (field effect transistor) and configured to select a signal by switching between high band and low band, the gain in the low band becomes larger than the gain in the high band due to the characteristics of the FET. ..
Therefore, in order to eliminate the gain difference, a damping resistor R3 is connected between the connection point of the hot side low band coil L3 and the high band coil L4 and the connection point of the ground side low band coil L1 and the high band coil L2. , The gain is reduced by damping the tuning circuit only when the low band is selected.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ように構成されたチューナ回路は部品点数及び接続箇所
が非常に多く、一定面積の基板に全部品を実装する際の
実装密度が高いために半田付け作業が難しく歩留まりが
悪いと共に、部品コスト及び作業コストから製品コスト
が相当高くなるという問題があった。また、ハイバンド
選択時にはスイッチングダイオードD2、D3の直列抵
抗分が同調コイルのホット側、アース側のどちらにも直
列接続されるため、同調回路がダンピングされ、利得が
低下し、NF(ノイズ指数)を悪化させるという問題が
あった。However, the tuner circuit configured as described above has an extremely large number of parts and connection points, and since the mounting density is high when all the parts are mounted on a board of a certain area, the solder circuit is There is a problem that the attaching work is difficult and the yield is low, and the product cost is considerably high due to the component cost and the operation cost. Further, when the high band is selected, the series resistance components of the switching diodes D2 and D3 are connected in series to both the hot side and the ground side of the tuning coil, so that the tuning circuit is damped, the gain is lowered, and the NF (noise figure) is decreased. There was a problem of worsening.
【0008】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、部品点数を削減して半田付け作業の歩留まり
を改善すると共に、コストダウンを図り合わせてハイバ
ンド選択時の利得の低下を低減し、NFを改善したチュ
ーナ回路を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above point, and reduces the number of parts to improve the yield of soldering work, and at the same time, to reduce the cost to reduce the gain when the high band is selected. It is an object of the present invention to provide a tuner circuit with reduced NF and improved NF.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】第1の本発明は上記の課
題を解決するため、スイッチングダイオードを用いて受
信バンドの切換を行う入力回路を有するチューナ回路に
おいて、入力回路のホット側のローバンド用コイルとハ
イバンド用コイルの接続点と、バンド切換端子の間に結
合コンデンサを接続し且つ前記バンド切換端子とアース
側のローバンド用コイルの両端にそれぞれスイッチング
ダイオードを接続した構成としている。In order to solve the above problems, the first aspect of the present invention is directed to a tuner circuit having an input circuit for switching a reception band by using a switching diode, for a low band on the hot side of the input circuit. A coupling capacitor is connected between the connection point between the coil and the high band coil and the band switching terminal, and switching diodes are connected to both ends of the band switching terminal and the ground side low band coil.
【0010】第2の本発明は上記の課題を解決するた
め、スイッチングダイオードを用いて受信バンドの切換
を行う入力回路を有するチューナ回路において、入力回
路のホット側のローバンド用コイルとハイバンド用コイ
ルの接続点と、バンド切換端子の間に結合コンデンサを
接続し且つ前記バンド切換端子とアース側のローバンド
用コイルとハイバンド用コイルの接続点にスイッチング
ダイオードを接続した構成としている。In order to solve the above-mentioned problems, the second aspect of the present invention provides a tuner circuit having an input circuit for switching a reception band by using a switching diode, wherein a low band coil and a high band coil on the hot side of the input circuit are provided. A coupling capacitor is connected between the connection point and the band switching terminal, and a switching diode is connected to the connection point between the band switching terminal, the ground side low band coil and the high band coil.
【0011】[0011]
【作用】このような構成によると、第1、第2の発明い
ずれにおいても、ローバンド選択時にはバンド切換端子
に接続されたバイアス抵抗は、結合コンデンサを通して
ホット側のローバンド用コイルとハイバンド用コイルの
接続点に接続され、同調回路をダンピングする。According to this structure, in both the first and second inventions, when the low band is selected, the bias resistor connected to the band switching terminal is connected to the hot low band coil and the high band coil through the coupling capacitor. Connected to the connection point to dampen the tuning circuit.
【0012】また、ハイバンド選択時にはスイッチング
ダイオードが導通することによりローバンド用コイルは
キャンセルされる。またこの時、第1の発明においては
ホット側についてはハイバンド用コイルのみ、アース側
についてはハイバンド用コイル及びそれに直列接続され
るスイッチングダイオードの直列抵抗分で構成され、第
2の発明においてはホット側及びアース側ともにハイバ
ンド用コイルのみで構成される。When the high band is selected, the low band coil is canceled by the conduction of the switching diode. Further, at this time, in the first invention, only the high band coil on the hot side is configured, and the high band coil and the series resistance of the switching diode connected in series to the high band coil on the ground side are configured. Both the hot side and the ground side consist of high band coils only.
【0013】よって、第1の発明においては、入力の同
調回路はスイッチングダイオードによってアース側コイ
ルしかダンピングされないため、NF(ノイズ指数)の
悪化が防止できる。そして、第2の発明においてはホッ
ト側、アース側ともにスイッチングダイオードによるダ
ンピングがないので、さらにNFが改善される。Therefore, according to the first aspect of the invention, since the input tuning circuit only damps the ground side coil by the switching diode, deterioration of NF (noise figure) can be prevented. Further, in the second invention, since there is no damping by the switching diode on both the hot side and the ground side, the NF is further improved.
【0014】[0014]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図1は、第1の本発明の一実施例に係るチ
ューナ回路の回路図である。ローバンド用コイルL3、
L1の入力側端子及びスイッチングダイオードD1のア
ノードは本回路の前段に接続されるフィルター回路(図
示せず)に対し結合コンデンサC1を介して接続され
る。Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram of a tuner circuit according to an embodiment of the first present invention. Low band coil L3,
The input side terminal of L1 and the anode of the switching diode D1 are connected to a filter circuit (not shown) connected to the preceding stage of this circuit via a coupling capacitor C1.
【0015】ホット側、アース側共にローバンド用コイ
ルL3、L1及びハイバンド用コイルL4、L2はそれ
ぞれ直列接続され、アース側のハイバンド用コイルL2
のアース側端子はハイバンド用電源端子BH及びバイパ
スコンデンサC7に接続される。ホット側のハイバンド
用コイルL4の出力側端子は結合コンデンサC2を介し
て可変容量ダイオードVD1及びトラッキング補正用コ
ンデンサC6に接続され、更に結合コンデンサC3を介
して高周波増幅用FETQ1のゲート1に接続される。The low band coils L3 and L1 and the high band coils L4 and L2 are connected in series on both the hot side and the ground side, and the ground side high band coil L2 is connected.
The ground side terminal of is connected to the high-band power supply terminal BH and the bypass capacitor C7. The output side terminal of the hot side high-band coil L4 is connected to the variable capacitance diode VD1 and the tracking correction capacitor C6 via the coupling capacitor C2, and further connected to the gate 1 of the high frequency amplification FET Q1 via the coupling capacitor C3. It
【0016】ホット側のローバンド用コイルL3とハイ
バンド用コイルL4の接続点には結合コンデンサC4が
接続され、この結合コンデンサC4の他端はスイッチン
グダイオードD1、D2のカソード及びバイアス抵抗R
1、R2に接続される。また、バイアス抵抗R1は接地
され、バイアス抵抗R2はローバンド用電源端子BL及
びバイパスコンデンサC8に接続され、スイッチングダ
イオードD2のアノードはアース側のローバンド用コイ
ルL1とハイバンド用コイルL2の接続点に接続されて
いる。A coupling capacitor C4 is connected to a connection point of the hot side low band coil L3 and high band coil L4, and the other end of the coupling capacitor C4 has cathodes of the switching diodes D1 and D2 and a bias resistor R.
1, connected to R2. The bias resistor R1 is grounded, the bias resistor R2 is connected to the low-band power supply terminal BL and the bypass capacitor C8, and the anode of the switching diode D2 is connected to the connection point of the low-band coil L1 and the high-band coil L2 on the ground side. Has been done.
【0017】次に、上記構成のチューナ回路において、
各バンド選択時の状態を説明する。 (イ)ローバンド選択時 ローバンド用電源端子BLに正電圧を印加すると、スイ
ッチングダイオードD1、D2にバイアス抵抗R1、R
2で分圧された電圧が印加され、両スイッチングダイオ
ードD1、D2はいずれも非導通となる。これにより入
力同調回路は、図2(a)に示すようになる。ここで、
CD1、CD2はダイオ−ドD1、D2の容量である。
L2はL1に比し充分小さいので、この入力同調回路は
図2(b)に示すようにバイアス抵抗R1及びR2の合
成抵抗R’によりダンピングされた単同調回路を構成す
る。Next, in the tuner circuit having the above configuration,
The state when each band is selected will be described. (A) When low band is selected When a positive voltage is applied to the low band power supply terminal BL, the bias resistances R1 and R are applied to the switching diodes D1 and D2.
The voltage divided by 2 is applied, and both switching diodes D1 and D2 are rendered non-conductive. As a result, the input tuning circuit becomes as shown in FIG. here,
CD1 and CD2 are the capacities of the diodes D1 and D2.
Since L2 is sufficiently smaller than L1, this input tuning circuit constitutes a single tuning circuit which is damped by the combined resistance R ′ of the bias resistors R1 and R2 as shown in FIG. 2 (b).
【0018】(ロ)ハイバンド選択時 ローバンド用電源端子BLをオープンにし、ハイバンド
用電源端子BHに正電圧を印加することにより、スイッ
チングダイオードD1、D2に順方向電圧が印加され両
スイッチングダイオードD1、D2が導通する。これに
よりホット側のローバンド用コイルL3についてはスイ
ッチングダイオードD1の直列抵抗分RD1と結合コン
デンサC4によりキャンセルされ、アース側のローバン
ド用コイルL3については両スイッチングダイオードD
1、D2の直列抵抗分RD1、RD2によりキャンセル
される。よってハイバンド選択時には図2(c)に示す
ようにアース側ハイバンド用コイルL2及びそれに直列
接続されるスイッチングダイオードD2の直列抵抗分R
D2とホット側ハイバンド用コイルL4と可変容量ダイ
オードVD1による容量VC及び付加容量Cで構成され
た単同調回路となる。従って、この単同調回路はアース
側のみスイッチングダイオードの直列抵抗でダンピング
される。即ち、ホット側についてはダンピングされない
ため、NF(ノイズ指数)の悪化を防止することが可能
となる。(B) When high band is selected By opening the low band power supply terminal BL and applying a positive voltage to the high band power supply terminal BH, a forward voltage is applied to the switching diodes D1 and D2, and both switching diodes D1 are applied. , D2 are conducted. As a result, the hot-side low-band coil L3 is canceled by the series resistance RD1 of the switching diode D1 and the coupling capacitor C4, and the ground-side low-band coil L3 is switched by both switching diodes D3.
It is canceled by the series resistance components RD1 and RD2 of 1 and D2. Therefore, when the high band is selected, the series resistance component R of the earth side high band coil L2 and the switching diode D2 connected in series thereto as shown in FIG.
The single tuning circuit is composed of D2, the hot side high-band coil L4, the capacitance VC by the variable capacitance diode VD1 and the additional capacitance C. Therefore, this single tuning circuit is damped only by the series resistance of the switching diode only on the ground side. That is, since damping is not performed on the hot side, it is possible to prevent deterioration of NF (noise figure).
【0019】第1の本発明の他の実施例を図3に示す。
同図において、ローバンド用コイルL3、L1の入力側
端子及びスイッチングダイオードD1のカソードは結合
コンデンサC1に接続され、スイッチングダイオードD
1、D2のアノードは互いに接続され、結合コンデンサ
C4及びハイバンド用バイアス抵抗R2に接続される。
ハイバンド用バイアス抵抗R2はバイパスコンデンサC
8により接地されたハイバンド用電源端子BHに接続さ
れている。結合コンデンサC4の他端は、ホット側のロ
ーバンド用コイルL3とハイバンド用コイルL4の接続
点に接続され、スイッチングダイオードD2のカソード
はアース側のローバンド用コイルL1とハイバンド用コ
イルL2の接続点に接続され、ハイバンド用コイルL2
のアース側端子はローバンド用電源端子BL、バイパス
コンデンサC7及びバイアス抵抗R1に接続されてい
る。各バンドにおける動作については図1の場合と同様
であり、図4(a)(b)にローバンド時、図4(c)
にハイバンド時の等価回路を示す。Another embodiment of the first invention is shown in FIG.
In the figure, the input terminals of the low band coils L3 and L1 and the cathode of the switching diode D1 are connected to the coupling capacitor C1 and the switching diode D1 is connected.
The anodes of 1 and D2 are connected to each other, and are connected to the coupling capacitor C4 and the high band bias resistor R2.
Bias resistor R2 for high band is bypass capacitor C
It is connected to a high-band power supply terminal BH grounded by 8. The other end of the coupling capacitor C4 is connected to the connection point of the hot side low band coil L3 and the high band coil L4, and the cathode of the switching diode D2 is the connection point of the ground side low band coil L1 and the high band coil L2. Connected to the high band coil L2
The ground side terminal of is connected to the low-band power supply terminal BL, the bypass capacitor C7, and the bias resistor R1. The operation in each band is the same as that in the case of FIG. 1, and FIG. 4A and FIG.
Shows the equivalent circuit at high band.
【0020】続いて、第2の本発明の実施例を説明す
る。図7は本発明の一実施例に係わるチューナ回路の回
路図である。ローバンド用コイルL3,L1の入力側端
子は本回路の前段に接続されるフィルター回路(図示せ
ず)に対し結合コンデンサC1を介して接続される。ホ
ット側、アース側共にローバンド用コイルL3,L1及
びハイバンド用コイルL4,L2はそれぞれ直列接続さ
れアース側のハイバンド用コイルL2のアース側端子は
ハイバンド用電源端子BH及びバイパスコンデンサC7
に接続される。ホット側のハイバンド用コイルL4の出
力側端子は結合コンデンサC2を介して可変容量ダイオ
ードVD1及びトラッキング補正用コンデンサC6に接
続され更に結合コンデンサC3を介して高周波増幅用F
ETQ1のゲートに接続される。Next, the second embodiment of the present invention will be described. FIG. 7 is a circuit diagram of a tuner circuit according to an embodiment of the present invention. The input terminals of the low band coils L3 and L1 are connected to a filter circuit (not shown) connected to the preceding stage of this circuit via a coupling capacitor C1. The low band coils L3 and L1 and the high band coils L4 and L2 are connected in series on both the hot side and the ground side, and the ground side terminals of the ground side high band coil L2 are the high band power supply terminal BH and the bypass capacitor C7.
Connected to. The output terminal of the high-side coil L4 on the hot side is connected to the variable capacitance diode VD1 and the tracking correction capacitor C6 via the coupling capacitor C2 and further to the high frequency amplification F via the coupling capacitor C3.
Connected to the gate of ETQ1.
【0021】ホット側のローバンド用コイルL3とハイ
バンド用コイルL4の接続点には結合コンデンサC4が
接続されこの結合コンデンサC4の他端はスイッチング
ダイオードD1のカソード及びバイアス抵抗R1,R2
に接続される。また、バイアス抵抗R1は接地され、バ
イアス抵抗R2はローバンド用電源端子BL及びバイパ
スコンデンサC8に接続され、スイッチングダイオード
D1のアノードはアース側のローバンド用コイルL1と
ハイバンド用コイルL2の接続点に接続されている。A coupling capacitor C4 is connected to the connection point between the hot side low band coil L3 and the high band coil L4, and the other end of the coupling capacitor C4 is the cathode of the switching diode D1 and the bias resistors R1 and R2.
Connected to. The bias resistor R1 is grounded, the bias resistor R2 is connected to the low-band power supply terminal BL and the bypass capacitor C8, and the anode of the switching diode D1 is connected to the connection point of the low-band coil L1 and the high-band coil L2 on the ground side. Has been done.
【0022】次に、上記構成のチューナ回路において各
バンド選択時の状態を説明する。 (イ)ローバンド選択時 ローバンド用電源端子BLに正電圧を印加するとスイッ
チングダイオードD1にバイアス抵抗R1,R2で分圧
された電圧が印加され、スイッチングダイオードD1は
非導通となる。これにより、入力同期回路は図8(a)
に示すようになる。ここでL2はL1に比べ充分に小さ
いのでこの入力同調回路は図8(b)に示すようにバイ
アス抵抗R1及びR2の合成抵抗R’によりダンピング
された単同調回路を構成する。Next, the state when each band is selected in the tuner circuit having the above configuration will be described. (B) When low band is selected When a positive voltage is applied to the low band power supply terminal BL, the voltage divided by the bias resistors R1 and R2 is applied to the switching diode D1, and the switching diode D1 becomes non-conductive. As a result, the input synchronization circuit is shown in FIG.
As shown in. Since L2 is sufficiently smaller than L1, the input tuning circuit constitutes a single tuning circuit damped by the combined resistance R'of the bias resistors R1 and R2 as shown in FIG. 8B.
【0023】(ロ)ハイバンド選択時 ローバンド用電源電圧端子BLをオープンにし、ハイバ
ンド用電源端子BHに正電圧を印加することにより、ス
イッチングダイオードD1に順方向電圧が印加されスイ
ッチングダイオードD1は導通する。これによりホット
側のローバンド用コイルL3及びアース側のローバンド
用コイルL1はそれぞれ結合コンデンサC4により並列
接続されキャンセルされる。よってハイバンド選択時に
は図8(c)に示すように同調回路外の合成インダクタ
ンスL’となり、同調回路はアース側ハイバンド用コイ
ルL2とホット側ハイバンド用コイルL4及び可変抵抗
ダイオードVD1の容量VCで構成された単同調回路と
なる。(B) When high band is selected By opening the low band power supply voltage terminal BL and applying a positive voltage to the high band power supply terminal BH, a forward voltage is applied to the switching diode D1 and the switching diode D1 becomes conductive. To do. As a result, the low band coil L3 on the hot side and the low band coil L1 on the ground side are connected in parallel by the coupling capacitor C4 and canceled. Therefore, when the high band is selected, the combined inductance L ′ outside the tuning circuit becomes as shown in FIG. 8C, and the tuning circuit has the capacitance VC of the ground side high band coil L2, the hot side high band coil L4 and the variable resistance diode VD1. It becomes a single tuning circuit composed of.
【0024】第2の本発明の他の実施例を図9に示す。
図9においてローバンド用コイルL3、L1の入力側端
子は結合コンデンサC1に接続される。ホット側、アー
ス側共にローバンド用コイルL3,L1及びハイバンド
用コイルL4,L2はそれぞれ直列接続され、アース側
のハイバンド用コイルL2のアース側端子にはローバン
ド用端子BLとバイパスコンデンサC7及びバイアス抵
抗R1が接続される。ホット側のローバンド用コイルL
3とハイバンド用コイルL4の接続点には結合コンデン
サC4が接続されこの結合コンデンサの他端はスイッチ
ングダイオードD1のアノード及びバイアス抵抗R2に
接続される。またバイアス抵抗R2はハイバンド用電源
端子BH及びバイパスコンデンサC8に接続されスイッ
チングダイオードD1のカソードはアース側のローバン
ド用コイルL1とハイバンド用コイルL2の接続点に接
続されている。各バンドにおける動作については図7の
場合と同様であり、図10(a)(b)にローバンド選
択時、図10(c)にハイバンド選択時の等価回路を示
す。Another embodiment of the second invention is shown in FIG.
In FIG. 9, the input terminals of the low band coils L3 and L1 are connected to the coupling capacitor C1. The low band coils L3 and L1 and the high band coils L4 and L2 are connected in series on both the hot side and the ground side, and the low band terminal BL, the bypass capacitor C7 and the bias are connected to the ground side terminal of the ground side high band coil L2. The resistor R1 is connected. Hot side low band coil L
A coupling capacitor C4 is connected to a connection point between the high frequency band coil 3 and the coil for high band L4, and the other end of the coupling capacitor is connected to the anode of the switching diode D1 and the bias resistor R2. The bias resistor R2 is connected to the high band power supply terminal BH and the bypass capacitor C8, and the cathode of the switching diode D1 is connected to the connection point between the low band coil L1 and the high band coil L2 on the ground side. The operation in each band is the same as in the case of FIG. 7, and FIGS. 10A and 10B show an equivalent circuit when the low band is selected and FIG. 10C shows an equivalent circuit when the high band is selected.
【0025】[0025]
【発明の効果】以上説明したように第1、第2の本発明
によればいずれにおいても、ローバンド選択時にはバン
ド切換端子に接続されたバイアス抵抗が結合コンデンサ
を通してホット側のローバンド用コイルとハイバンド用
コイルの接続点に接続され同調回路のダンピング抵抗と
して役割をはたすため、従来のようにダンピング抵抗を
別に設ける必要がなく、部品点数及び接続箇所を減らす
ことができる。従って、一定面積の基板における部品の
実装面積を低くして半田付け作業を容易化し歩留まりを
改善できると共に、部品コスト及び作業コストの低減に
よって製品のコストダウンを図ることができる。また、
第1の発明においてハイバンド選択時には、スイッチン
グダイオードの直列抵抗分がアース側コイルにのみ直列
接続されるため、従来例に比べ同調回路のダンピングは
非常に少なくなる。よって、利得の低下、即ちNF(ノ
イズ指数)の悪化を防止することができる。第2の発明
においては、同じくハイバンド選択時には、ホット側ア
ース側ともにスイッチングダイオードの直列抵抗分との
直列接続が無くなり第1の発明よりさらにNFを改善す
ることができる。As described above, according to the first and second aspects of the present invention, when the low band is selected, the bias resistor connected to the band switching terminal passes through the coupling capacitor to the hot side low band coil and the high band. Since it is connected to the connection point of the coil for use as a damping resistance of the tuning circuit, it is not necessary to separately provide a damping resistance as in the conventional case, and the number of parts and connection points can be reduced. Therefore, it is possible to reduce the mounting area of the component on the board having a constant area, facilitate the soldering work, improve the yield, and reduce the cost of the product by reducing the component cost and the work cost. Also,
In the first aspect, when the high band is selected, the series resistance of the switching diode is connected in series only to the ground side coil, so that the damping of the tuning circuit is much less than that of the conventional example. Therefore, it is possible to prevent a decrease in gain, that is, a deterioration in NF (noise figure). In the second invention, similarly, when the high band is selected, the series connection with the series resistance component of the switching diode is eliminated on both the hot side and the ground side, and the NF can be further improved as compared with the first invention.
【図1】 第1の本発明を実施したチュ−ナ回路の回路
図FIG. 1 is a circuit diagram of a tuner circuit embodying the first invention.
【図2】 そのロ−バンドと、ハイバンド選択時の等価
回路図2 is an equivalent circuit diagram when the low band and the high band are selected.
【図3】 第1の本発明の他の実施例の回路図FIG. 3 is a circuit diagram of another embodiment of the first invention.
【図4】 そのロ−バンドと、ハイバンド選択時の等価
回路図FIG. 4 is an equivalent circuit diagram when the low band and high band are selected.
【図5】 従来例の回路図FIG. 5 is a circuit diagram of a conventional example.
【図6】 そのロ−バンドと、ハイバンド選択時の等価
回路図FIG. 6 is an equivalent circuit diagram when the low band and high band are selected.
【図7】 第2の本発明を実施したチュ−ナ回路の回路
図FIG. 7 is a circuit diagram of a tuner circuit embodying the second invention.
【図8】 そのロ−バンドと、ハイバンド選択時の等価
回路図FIG. 8 is an equivalent circuit diagram when the low band and high band are selected.
【図9】 第2の本発明の他の実施例の回路図FIG. 9 is a circuit diagram of another embodiment of the second invention.
【図10】 そのロ−バンドと、ハイバンド選択時の等
価回路図FIG. 10 is an equivalent circuit diagram when the low band and high band are selected.
C1〜C5 結合コンデンサ C6 同調補正コンデンサ C7〜C9 バイパスコンデンサ L1 アース側ローバンド用コイル L2 アース側ハイバンド用コイル L3 ホット側ローバンド用コイル L4 ホット側ハイバンド用コイル D1〜D3 スイッチングダイオード VD1 可変容量ダイオード Q1 高周波増幅用FET R1、R2 バンド切換用バイアス抵抗 R3 ローバンド用ダンピング抵抗 R4 チューニング電圧印加抵抗 R5〜R7 FET用バイアス抵抗 R’ 合成抵抗(バイアス抵抗R1,R2による) L’ 合成インダクタンス(ローバンドコイルL1,L
3による)C1 to C5 Coupling capacitor C6 Tuning correction capacitor C7 to C9 Bypass capacitor L1 Earth side low band coil L2 Earth side high band coil L3 Hot side low band coil L4 Hot side high band coil D1 to D3 Switching diode VD1 Variable capacitance diode Q1 FETs for high frequency amplification R1, R2 Bias resistance for band switching R3 Damping resistance for low band R4 Tuning voltage applying resistance R5 to R7 Bias resistance for FET R'Synthesis resistance (by bias resistances R1 and R2) L'Synthesis inductance (low band coil L1, L
3)
Claims (2)
ドの切換を行う入力回路を有するチューナ回路におい
て、入力回路のホット側のローバンド用コイルとハイバ
ンド用コイルの接続点と、バンド切換端子の間に結合コ
ンデンサを接続し且つ前記バンド切換端子とアース側の
ローバンド用コイルの両端にそれぞれスイッチングダイ
オードを接続したことを特徴とするチューナ回路。1. A tuner circuit having an input circuit for switching a reception band using a switching diode, wherein a coupling is made between a connection point of a low band coil and a high band coil on the hot side of the input circuit and a band switching terminal. A tuner circuit characterized in that a capacitor is connected and switching diodes are respectively connected to both ends of the band switching terminal and the ground side low band coil.
ドの切換を行う入力回路を有するチューナ回路におい
て、入力回路のホット側のローバンド用コイルとハイバ
ンド用コイルの接続点と、バンド切換端子の間に結合コ
ンデンサを接続し且つ前記バンド切換端子とアース側の
ローバンド用コイルとハイバンド用コイルの接続点にス
イッチングダイオードを接続したことを特徴とするチュ
ーナ回路。2. A tuner circuit having an input circuit for switching a reception band by using a switching diode, wherein a coupling is made between a connection point of a low band coil and a high band coil on the hot side of the input circuit and a band switching terminal. A tuner circuit characterized in that a capacitor is connected and a switching diode is connected to a connection point between the band switching terminal, a low band coil on the ground side and a high band coil.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17584692A JP2930806B2 (en) | 1991-10-30 | 1992-07-03 | Tuner circuit |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31370891 | 1991-10-30 | ||
JP3-313708 | 1991-10-30 | ||
JP17584692A JP2930806B2 (en) | 1991-10-30 | 1992-07-03 | Tuner circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05191364A true JPH05191364A (en) | 1993-07-30 |
JP2930806B2 JP2930806B2 (en) | 1999-08-09 |
Family
ID=26496982
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17584692A Expired - Fee Related JP2930806B2 (en) | 1991-10-30 | 1992-07-03 | Tuner circuit |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2930806B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5463362A (en) * | 1993-08-19 | 1995-10-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Tuner circuit having a switching diode to change receiving bands |
-
1992
- 1992-07-03 JP JP17584692A patent/JP2930806B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5463362A (en) * | 1993-08-19 | 1995-10-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Tuner circuit having a switching diode to change receiving bands |
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Publication number | Publication date |
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JP2930806B2 (en) | 1999-08-09 |
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