JPH05198033A - Magneto-optical recording system - Google Patents
Magneto-optical recording systemInfo
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- JPH05198033A JPH05198033A JP28887992A JP28887992A JPH05198033A JP H05198033 A JPH05198033 A JP H05198033A JP 28887992 A JP28887992 A JP 28887992A JP 28887992 A JP28887992 A JP 28887992A JP H05198033 A JPH05198033 A JP H05198033A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ等の光により情
報の記録、再生、消去等を行う光磁気記録方式に関す
る。さらに詳細には、光パルスのパワーレベルおよび/
またはパルス幅の変調によりダイレクトオーバーライト
を行う光磁気記録方式に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magneto-optical recording system for recording, reproducing and erasing information by using light from a laser or the like. More specifically, the power level of the optical pulse and / or
Alternatively, the present invention relates to a magneto-optical recording method for performing direct overwrite by modulating the pulse width.
【0002】[0002]
【従来の技術】光記録媒体は、高密度、大容量の情報記
録媒体として種々の研究開発が行われている。特に、情
報の消去可能な光磁気記録媒体は応用分野が広く、種々
の材料、システムが発表されており、すでに実用化が始
まっている。2. Description of the Related Art Various researches and developments have been made on optical recording media as high-density and large-capacity information recording media. In particular, magneto-optical recording media capable of erasing information have a wide range of application fields, various materials and systems have been announced, and they have already been put to practical use.
【0003】ところでフロッピーディスク、ハードディ
スク等と光磁気記録媒体とを特性面で比較したとき、光
磁気記録媒体の大きな欠点は、記録済の古い情報を消去
しつつ新しい情報の書き込み記録を行うダイレクトオー
バーライト(直接重ね書き)が難しいという点である。When comparing a floppy disk, a hard disk, etc., with a magneto-optical recording medium in terms of characteristics, a major drawback of the magneto-optical recording medium is a direct-over in which old recorded information is erased and new information is written and recorded. The point is that writing (direct overwriting) is difficult.
【0004】光磁気記録媒体のダイレクトオーバーライ
ト技術としては、これまでにも種々の方式が提案されて
いる。それらの中でも、特開平1-251357号公報、J. App
l. Phys. Vol.63 No.8 (1988) 3844、IEEE TRANS. Mag
n. Vol.23 No.1 (1987) 171、Appl. Phys. Lett. Vol.4
9 No.8 (1986) 473、IEEE TRANS. Magn. Vol.25 No.5(1
989) 3530 、J. Appl. Phys. Vol.69 No.8 (1991) 4967
等に記載のごとく、レーザ光照射により昇温された磁壁
境界領域の一部において、正味残留磁化の方向を自己反
転できる自己反転可能な光磁気記録層を用い、外部バイ
アス磁界不存在下で、光パルスのパワーレベルおよび/
またはパルス幅を消去レベルと書き込みレベルとに変調
させることにより、ダイレクトオーバーライトを行う方
式は、現在市販が開始されている光磁気ディスクドライ
ブに比べ、光学系、磁石等の構造の大幅な変更がなく、
将来技術として最も注目される方式である。As a direct overwrite technique for a magneto-optical recording medium, various systems have been proposed so far. Among them, JP-A 1-251357, J. App
l. Phys. Vol.63 No.8 (1988) 3844, IEEE TRANS. Mag
n.Vol.23 No.1 (1987) 171, Appl. Phys. Lett. Vol.4
9 No.8 (1986) 473, IEEE TRANS.Magn.Vol.25 No.5 (1
989) 3530, J. Appl. Phys. Vol. 69 No. 8 (1991) 4967
As described above, in a part of the domain wall boundary region heated by laser light irradiation, using a self-reversible magneto-optical recording layer capable of self-reversing the direction of the net remanent magnetization, in the absence of an external bias magnetic field, Optical pulse power level and /
Alternatively, the method of performing direct overwrite by modulating the pulse width between the erasing level and the writing level requires a drastic change in the structure of the optical system, magnets, etc. compared to the magneto-optical disk drive that is currently on the market. Without
This is the method that will receive the most attention as a future technology.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、実際に
前述の従来方式によるダイレクトオーバーライトの確認
試験を行った。その際に用いた媒体は、直径 130mm、
厚さ 1.2mmで、 1.6μmピッチのスパイラル状のグル
ーブを有するポリカーボネート樹脂(PC)基板上に、
前述の自己反転可能な光磁気記録層としてGd13Tb13Fe59
Co15(添数字はatom%による組成を示す)の希土類遷移
金属非晶質合金磁性薄膜(膜厚 150nm)を、透明誘電
体であるAlSiN膜(膜厚80nm)で挟んだ構成のもので
ある。ここでの記録層は、J. Appl. Phys. Vol.63 No.8
(1988) 3844とIEEE TRANS. Magn.Vol.25 No.5 (1989)
3530 に記載のGdTbFeCo膜と、全く同じ組成および磁気
特性を有する。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present inventors actually conducted a confirmation test of direct overwrite by the above-mentioned conventional method. The medium used at that time is 130 mm in diameter,
On a polycarbonate resin (PC) substrate with a spiral groove with a thickness of 1.2 mm and a pitch of 1.6 μm,
Gd 13 Tb 13 Fe 59 is used as the aforementioned self-reversible magneto-optical recording layer.
Rare earth transition metal amorphous alloy magnetic thin film (thickness 150 nm) of Co 15 (subscript indicates composition by atom%) is sandwiched by AlSiN film (thickness 80 nm) which is a transparent dielectric. .. The recording layer here is J. Appl. Phys. Vol. 63 No. 8
(1988) 3844 and IEEE TRANS.Magn.Vol.25 No.5 (1989)
It has exactly the same composition and magnetic properties as the GdTbFeCo film described in 3530.
【0006】前述の文献によれば、外部バイアス磁界不
存在下、もしくはビットの記録方向に最大でも120 Oeの
外部バイアス磁界の存在下で、ダイレクトオーバーライ
ト動作が可能であるとされている。すなわちJ. Appl. P
hys. Vol.63 No.8 (1988) 3844によれば、外部バイアス
磁界が 120Oeより大きくなると、消去パルス幅のマージ
ンがなくなり、消去が不可能となってダイレクトオーバ
ーライトができなくなってしまうことが記載されてい
る。またJ. Appl. Phys. Vol.69 No.8 (1991) 4967にお
いても、外部磁界を大きくすると、消去マージンが狭く
なることが記載されている。According to the above-mentioned document, it is said that the direct overwrite operation is possible in the absence of an external bias magnetic field or in the presence of an external bias magnetic field of 120 Oe at maximum in the bit recording direction. Ie J. Appl. P
According to hys. Vol.63 No.8 (1988) 3844, when the external bias magnetic field is larger than 120 Oe, the margin of the erase pulse width disappears, and the erase becomes impossible and the direct overwrite becomes impossible. Have been described. Also, J. Appl. Phys. Vol.69 No.8 (1991) 4967 describes that the erase margin becomes narrower when the external magnetic field is increased.
【0007】このような点を把握した上で、上述の媒体
のダイレクトオーバーライト動作の試験を行った。評価
用ドライブに設置した媒体の回転速度は、半径30mmの
位置にて線速度5.65m/sec とした。記録と消去は、外
部バイアス磁界不存在下で図3に示す 2MHzのパルス信
号によって行った。その際、波長 830nmのレーザを用
いてのレーザパワーは、記録時には 8.0mW、消去時に
は 5.5mWとした。その後 1.0mWのDC光すなわち連
続光を照射して、再生信号の測定を行った。この時再生
信号のC/Nは約25dBであった。After grasping such a point, a test of the direct overwrite operation of the above-mentioned medium was conducted. The rotation speed of the medium installed in the evaluation drive was set to a linear velocity of 5.65 m / sec at a position with a radius of 30 mm. Recording and erasing were performed with a 2 MHz pulse signal shown in FIG. 3 in the absence of an external bias magnetic field. At that time, the laser power using a laser having a wavelength of 830 nm was 8.0 mW during recording and 5.5 mW during erasing. After that, 1.0 mW of DC light, that is, continuous light was irradiated to measure the reproduction signal. At this time, the C / N of the reproduced signal was about 25 dB.
【0008】続いてこの測定を行った同じトラック上に
て、外部バイアス磁界不存在下で図4に示す1.5 MHzの
パルス信号により記録と消去を行った。すなわち、図3
による元の信号を、図4の信号にてダイレクトオーバー
ライトした。その後 1.0mWのDC光すなわち連続光を
照射して、再生信号の測定を行った。すると初めに記録
されていた2 MHzの信号は完全に消去され、1.5 MHzの
信号のみが記録されていた。この時再生信号のC/Nは
約25dBであった。Subsequently, recording and erasing were performed on the same track on which this measurement was performed with a pulse signal of 1.5 MHz shown in FIG. 4 in the absence of an external bias magnetic field. That is, FIG.
The original signal according to (4) was directly overwritten with the signal in FIG. After that, 1.0 mW of DC light, that is, continuous light was irradiated to measure the reproduction signal. Then, the 2 MHz signal recorded at the beginning was completely erased, and only the 1.5 MHz signal was recorded. At this time, the C / N of the reproduced signal was about 25 dB.
【0009】さらに別のトラックを用いて、ビットの記
録方向に外部バイアス磁界 120Oeを印加する以外は、前
述と全く同様の方法でダイレクトオーバーライト動作の
試験を行った。すると、その結果は外部バイアス磁界不
存在下の場合と大差なく、ダイレクトオーバーライト時
のC/Nは約25dBであった。Using another track, a direct overwrite operation test was conducted in the same manner as described above except that the external bias magnetic field 120 Oe was applied in the bit recording direction. Then, the result is not much different from that in the absence of the external bias magnetic field, and the C / N at direct overwrite was about 25 dB.
【0010】以上のとおり、前述の光変調方式を用いる
ことによる基本的なダイレクトオーバーライト動作の確
認はできた。しかし、再生特性に関しては、C/N=25
dBと極めて低く、実用化レベルに到達させるためには、
大幅なC/Nの改善が課題とされる。As described above, it was possible to confirm the basic direct overwrite operation by using the above-mentioned optical modulation method. However, regarding reproduction characteristics, C / N = 25
It is extremely low as dB, and in order to reach the level of practical use,
A significant improvement in C / N is an issue.
【0011】本発明はかかる課題を解決することによ
り、前述の光パルスのパワーレベルおよび/またはパル
ス幅の変調により、データのダイレクトオーバーライト
を行う光変調の光磁気記録方式において、C/Nの大幅
な改善を目的とする。The present invention solves the above-mentioned problems, and in the magneto-optical recording system of optical modulation for direct overwriting of data by modulating the power level and / or pulse width of the above-mentioned optical pulse, C / N Intended for significant improvement.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録方式
は、透明基板上または透明高分子層を記録層側に形成し
た透明基板上に、レーザ光照射により加熱された磁壁境
界領域の一部において、正味残留磁化の方向を自己反転
できる自己反転可能な希土類遷移金属非晶質合金を含む
垂直磁化膜からなる記録層を形成した光磁気記録媒体を
用い、前記光磁気記録媒体を移送しつつ、ビットの記録
方向にバイアス磁界を印加し、パワーレベルおよび/ま
たはパルス幅が消去レベルと書き込みレベルとの間で変
調されたレーザ光照射によりデータのダイレクトオーバ
ーライトを行う光磁気記録方式において、前記透明基板
の熱伝導率が 0.5〔W/(m・K)〕以下であるか、ま
たは透明基板上に形成した透明高分子層の熱伝導率が
0.5〔W/(m・K)〕以下であり、前記記録層中の希
土類組成比率X(atom%)が20.0≦X≦28.0であり、か
つ前記記録層中の遷移金属がFeもしくはFeおよびCoであ
って、さらに印加する前記バイアス磁界Hex(Oe)が、
Hex≧17×(X−24)2 +100 、およびHex≦30×(X
−24)2 +400 であることを特徴とする。The magneto-optical recording method of the present invention is one of the domain wall boundary regions heated by laser light irradiation on a transparent substrate or a transparent substrate having a transparent polymer layer formed on the recording layer side. In the section, a magneto-optical recording medium having a recording layer formed of a perpendicular magnetization film containing a self-reversible rare earth transition metal amorphous alloy capable of self-reversing the direction of the net remanent magnetization is used, and the magneto-optical recording medium is transferred. Meanwhile, in a magneto-optical recording method in which a bias magnetic field is applied in the bit recording direction and direct overwriting of data is performed by irradiating laser light whose power level and / or pulse width is modulated between an erasing level and a writing level, The thermal conductivity of the transparent substrate is 0.5 [W / (m · K)] or less, or the thermal conductivity of the transparent polymer layer formed on the transparent substrate is
0.5 [W / (m · K)] or less, the rare earth composition ratio X (atom%) in the recording layer is 20.0 ≦ X ≦ 28.0, and the transition metal in the recording layer is Fe or Fe and Co. And the applied bias magnetic field Hex (Oe) is
Hex ≧ 17 × (X−24) 2 +100, and Hex ≦ 30 × (X
-24) It is characterized by being 2 + 400.
【0013】これは本発明者らによる、次のような検討
によって明らかになった。媒体には前述の従来方式の確
認試験の際と同じものを用い、外部固定バイアス磁界を
ビットの記録方向に 250Oe印加する以外は、前述の従来
方式の確認試験と同様の試験を行った。その結果は、再
生信号のC/Nが約31dBとなり、前述の従来方式に比べ
約 6dBの改善が確認された。This has been clarified by the following studies by the present inventors. The same medium as that used in the confirmation test of the conventional method described above was used, and the same test as the confirmation test of the conventional method was performed except that the external fixed bias magnetic field was applied at 250 Oe in the recording direction of the bit. As a result, the C / N of the reproduced signal was about 31 dB, which was confirmed to be improved by about 6 dB compared to the above-mentioned conventional method.
【0014】そこで記録層の希土類組成を変化させた媒
体を作成して、外部固定バイアス磁界の強度を変化させ
てC/Nを測定した。その結果、希土類組成比率X(at
om%)と外部固定バイアス磁界Hex(Oe)との関係が、
20≦X≦28、Hex≧17×(X−24)2 +100 、およびH
ex≦30×(X−24)2 +400 で表される範囲内(図1の
斜線部内)であれば良いことが判明した。すなわちこの
範囲内で光磁気記録を行うことにより、同じ組成の記録
層を用いていても、バイアス磁界が0であった場合など
の範囲外のものに比べて、C/Nを少なくとも6dBは向
上でき、ダイレクトオーバーライトの光磁気記録におい
て好ましい効果を得られることが明らかとなった。Therefore, a medium in which the rare earth composition of the recording layer was changed was prepared, and the C / N was measured by changing the strength of the external fixed bias magnetic field. As a result, the rare earth composition ratio X (at
om%) and the external fixed bias magnetic field Hex (Oe),
20 ≦ X ≦ 28, Hex ≧ 17 × (X-24) 2 +100, and H
It has been found that it may be within the range represented by ex ≦ 30 × (X−24) 2 +400 (in the shaded area in FIG. 1). That is, by performing magneto-optical recording within this range, even if a recording layer having the same composition is used, the C / N is improved by at least 6 dB as compared with the case where the bias magnetic field is 0, etc. It has been clarified that a favorable effect can be obtained in the direct overwrite magneto-optical recording.
【0015】J. Appl. Phys. Vol.63 No.8 (1988) 3844
で示されている条件は、図1上に示すと領域A(X=2
6、 0≦Hex≦120 )に相当する。これに対して本発明
では、希土類組成比率が26atom%における外部固定バイ
アス磁界の範囲は、領域Aよりも高い領域となる。そし
てJ. Appl. Phys. Vol.63 No.8 (1988) 3844に記載のデ
ータおよび内容に、本発明の強度のバイアス磁界をあて
はめると、外部固定バイアス磁界が消去の動作を妨げる
ことになり、消去パルス幅のマージンが完全に消失し、
ダイレクトオーバーライトが不可能になると考えられ
る。にもかかわらず本発明においては 250Oeもの外部固
定バイアス磁界を印加しても、ダイレクトオーバーライ
トが可能である。J. Appl. Phys. Vol. 63 No. 8 (1988) 3844
The condition indicated by is the area A (X = 2
6, 0 ≦ Hex ≦ 120). On the other hand, in the present invention, the range of the external fixed bias magnetic field when the rare earth composition ratio is 26 atom% is a region higher than the region A. And when applying the bias magnetic field of the strength of the present invention to the data and contents described in J. Appl. Phys. Vol. 63 No. 8 (1988) 3844, the external fixed bias magnetic field hinders the erase operation, The erase pulse width margin has completely disappeared,
It is thought that direct overwrite will be impossible. Nevertheless, in the present invention, direct overwriting is possible even when an external fixed bias magnetic field of 250 Oe is applied.
【0016】この違いの原因としては、記録層における
温度プロファイルの違いにより、記録層の磁気特性のプ
ロファイルにも違いが生じ、残留磁化の自己反転機構が
従来の方式とは異なるものになっているためと考えられ
る。The cause of this difference is that the difference in the temperature profile in the recording layer causes a difference in the profile of the magnetic characteristics of the recording layer, and the self-reversal mechanism of the residual magnetization is different from that of the conventional method. It is thought to be because.
【0017】すなわち、特開平1-251357号公報等の検討
では、平坦なガラス基板面上に成膜したサンプルを用い
ている。これに対して本発明にかかわる試験では、グル
ーブを有するPC基板上に成膜したサンプルを用いてい
る。このため両者では、基板材質の違いにより熱の逃げ
方に違いが生じ、これによって記録層における温度プロ
ファイルに違いが生じていると考える。That is, in the study of Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-251357, a sample formed on a flat glass substrate surface is used. On the other hand, in the test according to the present invention, the sample formed on the PC substrate having the groove is used. Therefore, it is considered that the two differ in the way of heat escape due to the difference in the substrate material, which causes the difference in the temperature profile in the recording layer.
【0018】本発明者らの検討においても、実際に直径
130mm、厚さ1.2 mmで1.6 μmピッチのスパイラル
状のグルーブを有するλ= 1.0〔W/(m・K)〕のガ
ラス基板上に、前述の試験と同じ膜組成、同じ多層膜構
成の記録層を形成し、外部バイアス磁界 250Oeをビット
の記録方向に印加した状態で重ね書きの試験を行ったと
ころ、得られた再生信号C/Nは約25dBとなり、λ=約
0.2〔W/(m・K)〕のポリカーボネート基板を用い
た場合よりも 6dBも低下してしまった。In the study conducted by the present inventors, the diameter was actually
A recording layer of the same film composition and the same multilayer film structure as the above-mentioned test was formed on a glass substrate of λ = 1.0 [W / (m · K)] having a spiral groove of 130 mm in thickness, 1.2 mm in thickness and 1.6 μm pitch. Was formed, and an overwriting test was performed with an external bias magnetic field of 250 Oe applied in the bit recording direction, the reproduced signal C / N obtained was approximately 25 dB, and λ = approximately
It was 6 dB lower than when using a polycarbonate substrate of 0.2 [W / (m · K)].
【0019】これは、ガラス基板に比べ熱伝導率の低い
ポリカーボネート基板を用いることにより、レーザ光照
射部分の温度分布がシャープになり、記録層に形成され
たドメインの形状が整って、C/Nが向上したものと考
える。このことから透明基板の材料としては、その熱伝
導率λが 0.5〔W/(m・K)〕以下であることが好ま
しい。This is because by using a polycarbonate substrate having a lower thermal conductivity than that of a glass substrate, the temperature distribution at the laser light irradiation portion becomes sharp, the shape of the domain formed in the recording layer is adjusted, and the C / N ratio is improved. I think that has improved. From this, it is preferable that the material of the transparent substrate has a thermal conductivity λ of 0.5 [W / (m · K)] or less.
【0020】上述のλ≦ 0.5〔W/(m・K)〕とうい
条件を満足する材料としては、有機物樹脂が挙げられ
る。例えば、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エ
ポキシ樹脂、2−メチルペンテン樹脂、ポリオレフィン
樹脂、あるいはそれらの共重合体等が挙げられる。中で
も機械強度、耐候性、耐熱性、透湿性の点で、ポリカー
ボネート樹脂が好ましい。As a material satisfying the above condition of λ ≦ 0.5 [W / (m · K)], an organic resin can be mentioned. Examples thereof include polycarbonate resin, acrylic resin, epoxy resin, 2-methylpentene resin, polyolefin resin, and copolymers thereof. Among them, polycarbonate resin is preferable in terms of mechanical strength, weather resistance, heat resistance, and moisture permeability.
【0021】上述の熱伝導率の条件は、透明誘電体層を
含む記録層と接する材料が満足すれば良い。従って、ガ
ラス基板であってもグルーブ部分がλ≦ 0.5〔W/(m
・K)〕の有機物樹脂で形成されている2Pガラス基板
であれば、上述の条件は満足され、使用可能である。The above-mentioned condition of thermal conductivity may be satisfied if the material in contact with the recording layer including the transparent dielectric layer is satisfied. Therefore, even if it is a glass substrate, the groove portion has λ ≦ 0.5 [W / (m
If the 2P glass substrate formed of the organic resin of (K)] is satisfied, the above conditions are satisfied and the glass substrate can be used.
【0022】さらに温度分布形状は、基板の熱伝導率λ
が低い程、よりシャープになると考えられることから、
λ≦ 0.2〔W/(m・K)〕がより好ましい。Further, the shape of the temperature distribution is the thermal conductivity λ of the substrate.
It is thought that the lower is, the sharper
It is more preferable that λ ≦ 0.2 [W / (m · K)].
【0023】また温度分布形状は、媒体に照射するレー
ザ光の絞り込み方にも影響される。すなわち、レーザ光
を絞り込む光学系の開口数を小さくするなどして、その
光束をより細長くすることで、レーザ光照射部分の温度
分布をよりシャープにすることが可能である。The shape of the temperature distribution is also affected by how to narrow down the laser light with which the medium is irradiated. That is, it is possible to make the temperature distribution of the laser light irradiation portion sharper by making the light flux narrower by reducing the numerical aperture of the optical system that narrows down the laser light.
【0024】さらに本発明では、図1に示したとおり記
録層の組成を変えると、高C/Nが得られる外部固定バ
イアス磁界強度は大きく変化する。しかも本発明におい
ては、特開平1-251357号公報等に記載の外部固定バイア
ス磁界よりも大きな磁界が必要である。その上、本発明
によれば前述の従来方式よりも高C/Nが得られるいと
いう点で、その有意性が理解できる。Further, in the present invention, when the composition of the recording layer is changed as shown in FIG. 1, the external fixed bias magnetic field strength with which a high C / N is obtained changes greatly. Moreover, the present invention requires a magnetic field larger than the external fixed bias magnetic field described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-251357. Moreover, according to the present invention, the significance thereof can be understood in that a higher C / N can be obtained as compared with the above-mentioned conventional method.
【0025】この図1において、希土類組成X<20(at
om%)およびX>28(atom%)の範囲では、ダイレクト
オーバーライトの動作が得られなくなってしまうため、
本発明として用いる範囲から除外してある。In FIG. 1, rare earth composition X <20 (at
om%) and X> 28 (atom%) range, direct overwrite operation cannot be obtained, so
It is excluded from the scope used as the present invention.
【0026】また、従来のダイレクトオーバーライトで
ない光磁気記録媒体では、消去過程によって記録済の古
い情報信号は一度完全に消去する処理が行われ、その後
に新しい信号の書き込みが行われる。このため従来のダ
イレクトオーバーライトでない光磁気記録媒体では、新
しく書き込まれた信号を再生した際に高いC/Nを得や
すい。一方、記録済の古い情報を消去しつつ新しい情報
の直接書き込みを行うダイレクトオーバーライトの光磁
気記録媒体においては、古い信号が完全に消去しきれて
いない場合などに、新しく書き込まれた信号を再生して
も、高いC/Nが得られにくかった。しかし本発明にお
いては、新しく書き換えられた信号を再生した際にも高
いC/Nが得られている。特に、本発明におけるバイア
ス磁界の条件を、X≦28.0、H≧220 、Hex≧ 130×X
−3160、およびHex≦ 100×X−2100で表される範囲内
にすることで、C/Nが31dB以上となるためより好まし
い。In the conventional magneto-optical recording medium which is not direct overwrite, the old information signal which has been recorded is completely erased once in the erasing process, and then a new signal is written. Therefore, in a conventional magneto-optical recording medium that is not direct overwrite, it is easy to obtain a high C / N when a newly written signal is reproduced. On the other hand, in a direct overwrite magneto-optical recording medium that directly writes new information while erasing recorded old information, the newly written signal is reproduced when the old signal is not completely erased. However, it was difficult to obtain a high C / N. However, in the present invention, a high C / N is obtained even when a newly rewritten signal is reproduced. In particular, the condition of the bias magnetic field in the present invention is X ≦ 28.0, H ≧ 220, Hex ≧ 130 × X
C / N of 31 dB or more is more preferable by setting it within the range represented by −3160 and Hex ≦ 100 × X−2100.
【0027】また、外部バイアス磁界強度として 800Oe
より大きな磁場を印加する場合、小型の磁石をドライブ
に搭載したいという要求を満たすためには、永久磁石の
材料としてNdFeB等の高価な材料を用いねばならず、ま
た、フェライト等の安価な材料を用いる場合には、磁石
のサイズが大型化してしまうという難点が生じる。これ
は、ドライブコスト低減、ドライブサイズの縮小化とい
う点で不利である。従ってメディア組成を適切に選択し
て、外部固定バイアス磁界強度は 800Oe以下にて光磁気
記録を行うことが好ましい。The external bias magnetic field strength is 800 Oe.
When a larger magnetic field is applied, expensive materials such as NdFeB must be used as the material of the permanent magnet, and inexpensive materials such as ferrite should be used in order to satisfy the requirement to mount a small magnet in the drive. When used, there is a problem that the size of the magnet becomes large. This is disadvantageous in terms of drive cost reduction and drive size reduction. Therefore, it is preferable to properly select the medium composition and perform magneto-optical recording at an external fixed bias magnetic field strength of 800 Oe or less.
【0028】本発明で用いる記録層としては、レーザ光
照射により加熱された磁壁境界領域の少なくとも一部に
おいて、一定のバイアス磁界の存在下で正味残留磁化の
方向を自己反転することができる垂直磁化膜であればよ
い。例えば、希土類遷移金属非晶質合金系の、TbFe、Gd
Fe、DyFe、TbFeCo、GdFeCo、DyFeCo、DyTbFeCo、GdTbFe
Co、GdDyFeCo、GdDyTbFeCo、NdDyFeCo、NdDyTbFeCo、Nd
Fe、PrFe、CeFe等の希土類と、FeもしくはFeおよびCo等
からなる遷移金属を主成分とする非晶質合金膜があげら
れる。またここでの希土類としては、Gdおよび/または
Tbを用いることで、高いC/Nを安定に得ることができ
好ましい。The recording layer used in the present invention is a perpendicular magnetization capable of self-reversing the direction of the net remanent magnetization in the presence of a constant bias magnetic field in at least a part of the domain wall boundary region heated by laser light irradiation. Any film may be used. For example, TbFe, Gd of rare earth transition metal amorphous alloy system
Fe, DyFe, TbFeCo, GdFeCo, DyFeCo, DyTbFeCo, GdTbFe
Co, GdDyFeCo, GdDyTbFeCo, NdDyFeCo, NdDyTbFeCo, Nd
An amorphous alloy film containing a rare earth element such as Fe, PrFe, or CeFe and a transition metal such as Fe or Fe and Co as the main components can be given. The rare earths here include Gd and / or
The use of Tb is preferable because a high C / N can be stably obtained.
【0029】なお前述の希土類・遷移金属非晶質合金中
には、その垂直磁気異方性が失わない限り、希土類とFe
とCo以外の元素が最大10atom%まで添加されても問題は
ない。そうした元素としては、例えばTi、Zr、Hf、V、
Nb、Ta、Cr、Mo、W、Tc、Re、Ru、Os、Ir、Si、Ge、B
i、Pd、Au、Ag、Cu、Pt等を例示することができる。そ
してこれらの希土類とFeとCo以外の元素が、1種もしく
はそれ以上含まれても良い。特に記録膜自身の酸化によ
る腐食を防止するためには、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、Reを
添加することが好ましい。In the above-mentioned rare earth / transition metal amorphous alloy, as long as its perpendicular magnetic anisotropy is not lost, rare earth and Fe
There is no problem even if elements other than Co and Co are added up to 10 atom%. Examples of such elements include Ti, Zr, Hf, V,
Nb, Ta, Cr, Mo, W, Tc, Re, Ru, Os, Ir, Si, Ge, B
Examples thereof include i, Pd, Au, Ag, Cu and Pt. One or more of these rare earth elements and elements other than Fe and Co may be contained. In particular, it is preferable to add Ti, Zr, Hf, Ta, Cr and Re in order to prevent corrosion of the recording film itself due to oxidation.
【0030】さらにより高い再生C/Nを得るために
は、記録層として、その補償温度Tcompが50〜250 ℃で
あり、かつキュリー温度Tcが 100〜350 ℃であること
が好ましい。さらにはTcompが80〜160 ℃であり、かつ
キュリー温度Tcが 200〜250℃であることがより好ま
しい。In order to obtain a higher reproduction C / N, it is preferable that the recording layer has a compensation temperature Tcomp of 50 to 250 ° C. and a Curie temperature Tc of 100 to 350 ° C. Further, it is more preferable that Tcomp is 80 to 160 ° C and Curie temperature Tc is 200 to 250 ° C.
【0031】これに加えて記録層の垂直磁気異方性定数
Kuを 2〜3 (×106 erg /cc)の範囲におさめること
が好ましい。 2(×106 erg /cc)以下ではC/Nが低
下し、 3(×106 erg /cc)以上では外部固定バイアス
磁界を 800Oe以上の強度にしなければならないためであ
る。In addition to this, it is preferable to keep the perpendicular magnetic anisotropy constant Ku of the recording layer within the range of 2 to 3 (× 10 6 erg / cc). This is because the C / N decreases at 2 (× 10 6 erg / cc) or less, and the external fixed bias magnetic field must be at least 800 Oe at 3 (× 10 6 erg / cc) or more.
【0032】また記録層の膜厚が10nmより薄くなる
と、膜の不連続性、不均一性等の膜構造の点で問題が多
い。一方それが 200nmよりも厚くなると、熱容量が大
きくなるため、記録・消去の際に高いレーザパワーが必
要となる。従って膜厚としては、10〜 200nmの範囲が
好ましい。When the thickness of the recording layer is less than 10 nm, there are many problems in terms of film structure such as film discontinuity and nonuniformity. On the other hand, if it is thicker than 200 nm, the heat capacity becomes large, and thus high laser power is required for recording and erasing. Therefore, the film thickness is preferably in the range of 10 to 200 nm.
【0033】また前述の透明基板と記録層との間に透明
誘電体膜を設ける場合は、前述の温度分布に起因するド
メインの形状を乱さないようにするためには、基板の熱
伝導率λS と透明誘電体層の熱伝導率λd と記録層の熱
伝導率λR との関係が、λS≦λd ≦λR となることが
好ましい。When a transparent dielectric film is provided between the transparent substrate and the recording layer, the thermal conductivity λS of the substrate should be kept in order not to disturb the shape of the domain due to the temperature distribution. It is preferable that the relation between the thermal conductivity λd of the transparent dielectric layer and the thermal conductivity λR of the recording layer is λS ≦ λd ≦ λR.
【0034】希土類遷移金属非晶質合金である記録層の
熱伝導率λR は、およそ20〜50〔W/(m・K)〕であ
るため、透明誘電体層の熱伝導率λd 〔W/(m・
K)〕の範囲は、 0.5≦λd ≦20であることが好まし
い。Since the thermal conductivity λ R of the recording layer made of a rare earth transition metal amorphous alloy is approximately 20 to 50 [W / (m · K)], the thermal conductivity λ d [W / (M ・
The range of K)] is preferably 0.5 ≦ λd ≦ 20.
【0035】またこの透明誘電体としては、カー効果エ
ンハンスメントを高めるという点で、屈折率nの高い材
料、すなわちn≧1.8 である材料、さらに好ましくはn
≧2.0 である材料が好ましい。As the transparent dielectric, a material having a high refractive index n, that is, a material satisfying n ≧ 1.8, and more preferably n is used in order to enhance the Kerr effect enhancement.
Materials with ≧ 2.0 are preferred.
【0036】このような透明誘電体材料としては、Al
N、MgF2 、ZnS、CeF3 、Si3 N4 、AlSiN、SiO、
SiO2 、Zr2 O3 、In2 O3 、SnO2 、Ta2 O5 、AlO
N、SiON、ZrON、InON、SnON、TaONまたはこ
れらの混合体などが適用できる。特に屈折率が2.0 以上
とうい点では、AlSiN、ZnS、Zr2 O3 、Ta2 O5 、Zr
ON、TaONが好ましい。As such a transparent dielectric material, Al
N, MgF 2 , ZnS, CeF 3 , Si 3 N 4 , AlSiN, SiO,
SiO 2, Zr 2 O 3, In 2 O 3, SnO 2, Ta 2 O 5, AlO
N, SiON, ZrON, InON, SnON, TaON or a mixture thereof can be applied. Especially in the point that the refractive index is 2.0 or more, AlSiN, ZnS, Zr 2 O 3 , Ta 2 O 5 , Zr
ON and TaON are preferable.
【0037】また透明誘電体層としては、前述の各材料
の単一材料の単層膜に限ることなく、複数の種類の複層
膜を設けても良い。Further, the transparent dielectric layer is not limited to a single-layer film made of a single material of the above-mentioned materials, but a plurality of types of multi-layer films may be provided.
【0038】さらに再生信号C/Nを高めるためには、
記録層全体の膜厚を15nm以上で100 nm以下、より好
ましくは60nm以下、さらにより好ましくは40nm以下
とし、記録層の基板と反対側に金属反射層を設ける構成
が有効である。To further increase the reproduction signal C / N,
It is effective that the thickness of the entire recording layer is 15 nm or more and 100 nm or less, more preferably 60 nm or less, still more preferably 40 nm or less, and the metal reflection layer is provided on the opposite side of the recording layer from the substrate.
【0039】ここで用いる金属反射層としては、C/N
の評価に用いるドライブヘッドのレーザ光に対し、記録
層よりも反射率の高い材料であることがC/N向上のた
めに好ましい。具体的には、使用レーザ光波長 830nm
における光学定数である屈折率nと消衰係数kが、n≦
3.5 かつk≧3.5 であるような材料を選択することが好
ましい。さらに好ましくはn≦2.5 かつ 4.5≦k≦8.5
であり、この条件で作成した媒体では、金属反射層の反
射率向上によりカー効果エンハンスメントが向上し、C
/Nのより一層の向上が実現できる。The metal reflective layer used here is C / N.
It is preferable to use a material having a higher reflectance than the recording layer with respect to the laser light of the drive head used for the evaluation in order to improve C / N. Specifically, the laser light wavelength used is 830 nm
The refractive index n and the extinction coefficient k which are optical constants at
It is preferred to choose a material such that 3.5 and k ≧ 3.5. More preferably n ≦ 2.5 and 4.5 ≦ k ≦ 8.5
In the medium prepared under these conditions, the Kerr effect enhancement is improved by improving the reflectance of the metal reflection layer, and C
Further improvement of / N can be realized.
【0040】一方レーザ光による加熱で信号を記録する
際、金属反射層の熱伝導率が高過ぎると、熱の拡散が大
きく、強いレーザパワーを必要とする。このため現在多
用されているパワーが10mW以下の半導体レーザで信号
の記録を可能とするためには、金属反射層に用いる材料
の熱伝導率は 100〔W/(m・K)〕以下であることが
好ましく、さらには80〔W/(m・K)〕以下であるこ
とがより好ましい。On the other hand, when a signal is recorded by heating with a laser beam, if the thermal conductivity of the metal reflection layer is too high, the heat is diffused significantly and a strong laser power is required. Therefore, in order to enable signal recording with a semiconductor laser with a power of 10 mW or less, which is widely used at present, the thermal conductivity of the material used for the metal reflective layer is 100 [W / (m · K)] or less. It is preferably 80 [W / (m · K)] or less.
【0041】このような条件を満足する材料として、Al
もしくはAgにAuを添加した合金、すなわちAlAu合金もし
くはAgAu合金が挙げられる。なお、これら合金において
Auの添加量が 0.5atom%より少ないと前述の熱伝導低下
の効果は小さく、逆に20atom%より多いと前述の光反射
率の低下が大きくC/Nの面で不利である。従ってAuの
含有量は 0.5〜20atom%の範囲におさめることが好まし
い。As a material satisfying such conditions, Al
Alternatively, an alloy in which Au is added to Ag, that is, an AlAu alloy or an AgAu alloy can be used. In addition, in these alloys
If the addition amount of Au is less than 0.5 atom%, the above-mentioned effect of lowering the thermal conductivity is small, and if it is more than 20 atom%, the above-mentioned decrease in light reflectance is large, which is disadvantageous in terms of C / N. Therefore, it is preferable to keep the Au content in the range of 0.5 to 20 atom%.
【0042】さらに、反射率の低下をAlもしくはAg単独
膜に比べ 2%以内に抑えC/N低下を防ぐためには、Au
含有量は 0.5〜15atom%、さらには 0.5〜10atom%であ
ることが好ましい。Further, in order to suppress the decrease of the reflectance within 2% as compared with the film of Al or Ag alone, and prevent the decrease of C / N, Au is used.
The content is preferably 0.5 to 15 atom%, more preferably 0.5 to 10 atom%.
【0043】このようにAu含有量を少なくすることは、
ターゲットや媒体のコストを低減する意味からも重要で
ある。In order to reduce the Au content in this way,
It is also important in terms of reducing the cost of targets and media.
【0044】さらにAu含有量を最小限にとどめるという
点からは、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Tc、
Re、Ru、Os、Ir等の1種以上の特定元素を補助的に添加
することが好ましい。特定元素の添加量は 5.0atom%以
内にとどめるべきであり、これより多いと金属反射膜の
反射率が低下し、C/Nも低下してしまう。 5.0atom%
以内では、光磁気記録再生装置で使用される半導体レー
ザの波長である 830nmでの反射率の低下は、 2%以内
の低下幅にとどまる。一方 0.3atom%より少ないと、Au
を節約したことによる熱伝導率の上昇分を補うことがで
きない。従って、特定元素の添加量は 0.3〜5.0 atom%
の範囲に設定する必要がある。この範囲の特定元素の添
加により、Auの添加量は 0.5〜10atom%の範囲であれ
ば、反射膜の反射率はAlもしくはAg単独膜に比べ、 2%
以内の低下に抑えることができ、Auのコストも低減でき
ると同時に、熱伝導率も20〜100 〔W/(m・K)〕の
範囲に設定することができる。Further, from the viewpoint of minimizing the Au content, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Tc,
It is preferable to supplementarily add one or more specific elements such as Re, Ru, Os, and Ir. The addition amount of the specific element should be kept within 5.0 atom%, and if it exceeds this amount, the reflectance of the metal reflection film is lowered and the C / N is also lowered. 5.0 atom%
Within this range, the decrease in reflectance at 830 nm, which is the wavelength of the semiconductor laser used in the magneto-optical recording / reproducing apparatus, is within 2%. On the other hand, if less than 0.3 atom%, Au
It is not possible to compensate for the increase in thermal conductivity due to the saving of. Therefore, the added amount of specific element is 0.3-5.0 atom%
It is necessary to set in the range of. Due to the addition of the specific element in this range, the reflectance of the reflective film is 2% compared with the film of Al or Ag alone when the added amount of Au is in the range of 0.5 to 10 atom%.
Within this range, the Au cost can be reduced, and at the same time, the thermal conductivity can be set in the range of 20 to 100 [W / (m · K)].
【0045】なお、特に金属反射層自身の耐久性を高め
るという点で、上記特定元素群の中ではTi、Zr、Nb、T
a、Cr、Reが好ましい。これら金属反射層の膜厚範囲は1
0〜500 nmであるが、反射率の低下によるC/N低下
を抑え、かつレーザパワーが10mWで記録可能とするた
めには、好ましくは30〜200 nm、特に好ましくは40〜
100 nmである。From the viewpoint of enhancing the durability of the metal reflective layer itself, Ti, Zr, Nb, and T are among the above-mentioned specific element groups.
Preferred are a, Cr and Re. The thickness range of these metal reflective layers is 1
Although it is 0 to 500 nm, it is preferably 30 to 200 nm, particularly preferably 40 to 40 nm in order to suppress the C / N decrease due to the decrease in reflectance and enable recording with a laser power of 10 mW.
It is 100 nm.
【0046】また、Au組成および/または特定元素組成
を上述の組成範囲に設定することにより、前述のとおり
その熱伝導率を 100〔W/(m・K)〕以下にすること
ができ、レーザパワーが10mW以下の信号を記録するこ
とも可能となる。Further, by setting the Au composition and / or the specific element composition in the above composition range, the thermal conductivity thereof can be 100 [W / (m · K)] or less as described above, and the laser It is also possible to record signals with power of 10 mW or less.
【0047】金属反射層を設ける位置としは、光磁気記
録層の光入射面と反対側に掲載される点を除いて、特に
限定されない。すなわち、金属反射層を光磁気記録層上
に直接設けたもの、または透明誘電体層を介したものを
設けたもの、さらには金属反射層上に透明誘電体層等の
無機保護層および/または有機保護層を設けたもの等、
あらゆる構成に適用できる。The position where the metal reflection layer is provided is not particularly limited except that it is provided on the side opposite to the light incident surface of the magneto-optical recording layer. That is, one having a metal reflection layer directly provided on the magneto-optical recording layer, or one provided with a transparent dielectric layer interposed therebetween, and further, an inorganic protective layer such as a transparent dielectric layer and / or the like on the metal reflection layer. Those with an organic protective layer, etc.
Applicable to any configuration.
【0048】上述の透明誘電体層、記録層、金属反射層
の無機薄膜の製造方法としては、公知の真空蒸着法、ス
パッタリング法等のPVD法、あるいはCVD法等、種
々の薄膜形成法が適用できる。しかし、光磁気記録媒体
としては、高温高湿の耐環境試験で生じる剥離を生じさ
せないために、特に高分子基板との密着性が大きい条件
で作製することが好ましい。このためにはスパッタリン
グ法が好ましい。As the method for producing the above-mentioned transparent dielectric layer, recording layer, and inorganic thin film of the metal reflection layer, various thin film forming methods such as the known vacuum deposition method, PVD method such as sputtering method, or CVD method are applied. it can. However, the magneto-optical recording medium is preferably manufactured under the condition that the adhesiveness to the polymer substrate is particularly large in order to prevent the peeling which occurs in the high temperature and high humidity environment resistance test. For this purpose, the sputtering method is preferable.
【0049】有機保護層としは、光および/または熱硬
化型樹脂、あるいは熱可塑性樹脂等が適用でき、コーテ
ィング法等により形成できる。なお、これら記録層の基
板と反対側に設ける裏面保護層は、少なくとも記録層の
側面まで被覆するように設けるのが好ましい。As the organic protective layer, light and / or thermosetting resin, thermoplastic resin or the like can be applied and can be formed by a coating method or the like. The back surface protective layer provided on the opposite side of the recording layer from the substrate is preferably provided so as to cover at least the side surface of the recording layer.
【0050】なお本方式において、記録・消去すなわち
重ね書きの際に照射するレーザーパルスの波形は、図3
のような形には限定されない。すなわち前述の特開平1-
251357号公報開示のように、図3における記録・消去パ
ルスをさらにパルス幅が狭い至近間隔で連なる至近間隔
パルス列を連続的に照射する形てもよい。さらにはこの
至近間隔パルス列からなる光パルスと先に述べた連続照
射パルスとを組み合わせた波形でも良い。In this system, the waveform of the laser pulse irradiated during recording / erasing, that is, overwriting, is shown in FIG.
It is not limited to such a shape. That is, the above-mentioned JP-A-1-
As disclosed in Japanese Patent No. 251357, the recording / erasing pulse in FIG. 3 may be continuously irradiated with a close-in-interval pulse train that is continuous in a close-in interval with a narrower pulse width. Further, it may be a waveform in which the optical pulse composed of the pulse train of the close interval and the continuous irradiation pulse described above are combined.
【0051】但し、以上述べたところの光パルスのパワ
ーは、媒体の記録感度、すなわち記録層のキュリー温
度、および膜構成に応じて適宜設定する必要がある。However, the power of the optical pulse described above needs to be appropriately set according to the recording sensitivity of the medium, that is, the Curie temperature of the recording layer, and the film structure.
【0052】さらに本発明のダイレクトオーバーライト
方式において、媒体の線速度を変化させ、かつ記録ビッ
ト長は同じとなるように記録周波数を変化させてダイレ
クトオーバーライト特性を測定したところ、ディスク回
転数の上昇とともに、C/Nが向上するという結果が得
られた。すなわち、前述の試験で用いた媒体をそのまま
使用し、評価条件として、半径30mmの位置で、11.3m
/sec の線速度で記録を行った。波長 830nmのレーザ
を用い、記録時には15mW、消去時には 9mWのレーザ
パワーで、図5〜6に示された波形のパルスを用い、ビ
ットの記録方向の外部固定バイアス磁界存在下でダイレ
クトオーバーライトを行い、その際のC/Nを測定し
た。その結果、C/Nは約35dBとなり、低線速度で行っ
た場合よりも 4dBものC/N向上を得ることができた。
高線速度での使用は、データ転送速度の向上をはかるこ
とができ、将来技術としては望ましい方向である。Further, in the direct overwrite method of the present invention, the direct overwrite characteristics were measured by changing the linear velocity of the medium and changing the recording frequency so that the recording bit length was the same. The result was that the C / N improved with the increase. That is, the medium used in the above-mentioned test is used as it is, and the evaluation condition is 11.3 m at a radius of 30 mm.
Recording was performed at a linear velocity of / sec. Direct overwriting is performed in the presence of an external fixed bias magnetic field in the bit recording direction, using a laser with a wavelength of 830 nm, a laser power of 15 mW for recording, and a laser power of 9 mW for erasing, and using the waveform pulses shown in FIGS. The C / N at that time was measured. As a result, the C / N was about 35 dB, and it was possible to obtain a C / N improvement of 4 dB as compared with the case of performing at a low linear velocity.
The use at high linear velocity can improve the data transfer rate, which is a desirable direction for future technology.
【0053】[0053]
【実施例1〜30、比較例1〜66】以下のようにして、基
板上に図2に示す構成の光磁気記録媒体を作成し評価し
た。図において1は基板、2は透明誘電体層、3は記録
層、4は無機保護層としての裏面透明誘電体層、5は有
機保護層である。Examples 1 to 30 and Comparative Examples 1 to 66 The magneto-optical recording medium having the structure shown in FIG. 2 was prepared and evaluated on the substrate as follows. In the figure, 1 is a substrate, 2 is a transparent dielectric layer, 3 is a recording layer, 4 is a back transparent dielectric layer as an inorganic protective layer, and 5 is an organic protective layer.
【0054】直径 130mm、厚さ 1.2mmの円盤で、
1.6μmピッチのグルーブを有し、熱伝導率が 0.2〔W
/(m・K)〕のポリカーボネート樹脂(PC)のディ
スク基板1を、3ターゲットの高周波マグネトロンスパ
ッタ装置(アネルバ社製SPF−430H型)の真空槽
内に固定し、 4×10-7Torrになるまで排気する。なお、
膜形成において基板1は15rpm で回転させた。A disk having a diameter of 130 mm and a thickness of 1.2 mm,
Has a groove of 1.6 μm pitch and has a thermal conductivity of 0.2 [W
/ (M · K)] polycarbonate resin (PC) disk substrate 1 is fixed in a vacuum chamber of a three-target high-frequency magnetron sputtering apparatus (SPF-430H type manufactured by Anerva Co.) to 4 × 10 −7 Torr. Exhaust until In addition,
Substrate 1 was rotated at 15 rpm during film formation.
【0055】まず、透明誘電体層2として、ターゲット
としては直径100 mm、厚さ5 mmの円盤でAl50Si
50(添数字は組成atom%を示す)の焼結体を用い、真空
槽内にAr/N2 混合ガス(N2 30 vol%)を導入し、圧
力5 mTorrになるようにAr/N2 混合ガス流量を調整し
た。放電電力100 W、放電周波数13.56 MHzで高周波ス
パッタリングを行い、誘電体層2としてAl23Si23N54の
透明誘電体層80nmを堆積した。First, as the transparent dielectric layer 2, a target having a diameter of 100 mm and a thickness of 5 mm is formed of Al 50 Si.
50 (Appendix numbers indicate composition the atom%) using a sintered body of, by introducing Ar / N 2 mixed gas (N 2 30 vol%) in a vacuum chamber, Ar / N 2 so that the pressure 5 mTorr The mixed gas flow rate was adjusted. High frequency sputtering was performed at a discharge power of 100 W and a discharge frequency of 13.56 MHz to deposit a transparent dielectric layer 80 nm of Al 23 Si 23 N 54 as the dielectric layer 2.
【0056】続いて光磁気記録層3としてターゲットを
GdTbFeCoとTbFeCoの2種の合金ターゲットを用い、その
上にGd、Tbの金属チップ(5 ×5 ×1 mm)を適宜配置
して、スパッタリングガスをAr(純度99.999%)とする
以外は、上述と同様の放電条件で表1〜2中に示す膜組
成の自己反転可能な希土類遷移金属非晶質合金膜を約15
0 nm堆積した。Subsequently, a target was used as the magneto-optical recording layer 3.
Using the alloy targets of GdTbFeCo and TbFeCo, Gd and Tb metal chips (5 × 5 × 1 mm) are appropriately arranged on the target, and the sputtering gas is Ar (purity 99.999%), except the above. About 15 rare-earth transition metal amorphous alloy films capable of self-inversion with the film composition shown in Tables 1 and 2 under the same discharge conditions as
0 nm was deposited.
【0057】さらに、裏面の無機保護層として、ターゲ
ットを前述のAlSiに戻し、スパッタリングガスをAr/N
2 混合ガス(N2 30 vol%)に変え、前述の透明誘電体
層2と同様の放電条件でAl23Si23N54膜からなる裏面透
明誘電体層4を80nm堆積した。Further, as the inorganic protective layer on the back surface, the target was returned to AlSi and the sputtering gas was Ar / N.
The back transparent dielectric layer 4 made of an Al 23 Si 23 N 54 film was deposited to a thickness of 80 nm under the same discharge conditions as the above-mentioned transparent dielectric layer 2 while changing to 2 mixed gas (N 2 30 vol%).
【0058】このサンプルをスパッタリング装置から取
り出し、スピンコータに取り付けた。ディスクを回転さ
せながら、紫外線硬化性のフェノールノボラックエポキ
シポリアクリレート樹脂を塗布した後、紫外線照射装置
を通過させて樹脂を硬化させ、約20μmの有機保護層5
を設けた。This sample was taken out of the sputtering device and attached to a spin coater. While rotating the disk, apply an ultraviolet curable phenol novolac epoxy polyacrylate resin, and then pass through an ultraviolet irradiation device to cure the resin, and an organic protective layer of about 20 μm 5
Was established.
【0059】このサンプルディスクの記録・消去すなわ
ち重ね書き特性および再生特性の測定を行った。測定に
は光磁気記録再生装置(パルステック社製DDU−10
00)を用いた。半径30mmの位置が5.65m/sec の線
速度となるようにディスクを回転させ、図3〜4に示す
ような変調をかけた光パルスを順に照射することによ
り、ダイレクトオーバーライトを行った。すなわち、図
3による信号を図4による信号によってダイレクトオー
バーライトした。このとき、外部固定バイアス磁界Hex
を変化させ、各サンプルに関してC/Nが最大となる磁
界強度を調べた。その時のHexおよびC/N最大値を表
1〜2に示す(実施例1〜30)。Recording / erasing, that is, overwriting characteristics and reproducing characteristics of this sample disk were measured. For the measurement, a magneto-optical recording / reproducing apparatus (DDU-10 manufactured by Pulstec) was used.
00) was used. Direct overwriting was carried out by rotating the disk so that the linear velocity at a position with a radius of 30 mm was 5.65 m / sec, and sequentially irradiating light pulses modulated as shown in FIGS. That is, the signal according to FIG. 3 was directly overwritten by the signal according to FIG. At this time, the external fixed bias magnetic field Hex
Was changed and the magnetic field strength at which the C / N was maximized was examined for each sample. Hex and C / N maximum values at that time are shown in Tables 1 and 2 (Examples 1 to 30).
【0060】これに対して、実施例1〜30で用いたディ
スクを用い、外部固定バイアス磁界を表1〜2に示す値
とする以外は、実施例1〜15と同じ評価条件で重ね書き
の試験を行ったC/N測定結果を表1〜2に示す(比較
例1〜66)。On the other hand, overwriting was performed under the same evaluation conditions as in Examples 1 to 15 except that the disks used in Examples 1 to 30 were used and the external fixed bias magnetic field had the values shown in Tables 1 and 2. The C / N measurement results of the tests are shown in Tables 1-2 (Comparative Examples 1-66).
【0061】[0061]
【実施例31〜40】実施例6〜10および16〜20で作製した
媒体をそのまま使用し、線速度を11.3m/sec 、図3と
図4の光パルスを図5と図6のものに変えてダイレクト
オーバーライトした以外は、実施例1〜30と全く同じ評
価条件でHex、C/Nの値を求めた。その結果を表2に
示す。[Examples 31 to 40] The media produced in Examples 6 to 10 and 16 to 20 were used as they were, the linear velocity was 11.3 m / sec, and the optical pulses in FIGS. 3 and 4 were changed to those in FIGS. 5 and 6. The values of Hex and C / N were obtained under exactly the same evaluation conditions as in Examples 1 to 30 except that direct overwriting was performed instead. The results are shown in Table 2.
【0062】[0062]
【比較例67】比較のため図2に示す実施例19の構成にお
いて、基板を熱伝導率 1.0〔W/(m・K)〕のガラス
基板とする以外は、実施例1と全く同じ構成の光磁気デ
ィスクを作製した。これを実施例19、比較例19、および
比較例49と同じ条件で、外部固定バイアス磁界を変化さ
せて評価した。これに関して得られた結果は再生信号の
C/Nが、外部固定バイアス磁界が 350Oeのときには25
dBであり、外部固定バイアス磁界が 0Oeおよび 100Oeの
ときには19dBというものであった。[Comparative Example 67] For comparison, the structure of Example 19 shown in FIG. 2 was the same as that of Example 1 except that the substrate was a glass substrate having a thermal conductivity of 1.0 [W / (m · K)]. A magneto-optical disk was produced. This was evaluated under the same conditions as in Example 19, Comparative Example 19 and Comparative Example 49, while changing the external fixed bias magnetic field. The result obtained in this regard is that the C / N of the reproduced signal is 25 when the external fixed bias magnetic field is 350 Oe.
dB, which was 19 dB when the external fixed bias magnetic field was 0 Oe and 100 Oe.
【0063】[0063]
【表1】 [Table 1]
【0064】[0064]
【表2】 [Table 2]
【0065】[0065]
【発明の効果】本発明は以上詳述したように、同じ組成
の記録層を用いたダイレクトオーバーライト用の光磁気
記録媒体であっても、本発明による記録方式を用いるこ
とで、再生信号のC/Nを大幅に向上できるという大き
な効果を奏するものである。As described above in detail, according to the present invention, even in a magneto-optical recording medium for direct overwriting using a recording layer having the same composition, by using the recording system according to the present invention, a reproduction signal This has a great effect that the C / N can be greatly improved.
【図1】記録層希土類組成比と外部固定バイアス磁界と
の関係FIG. 1 Relationship between rare earth composition ratio of recording layer and external fixed bias magnetic field
【図2】実施例ならび比較例の積層構成FIG. 2 is a laminated structure of an example and a comparative example.
【図3】実施例1〜30と比較例1〜67の重ね書きに用い
る光パルスFIG. 3 is an optical pulse used for overwriting in Examples 1 to 30 and Comparative Examples 1 to 67.
【図4】実施例1〜30と比較例1〜67の重ね書きに用い
る光パルスFIG. 4 is an optical pulse used for overwriting in Examples 1 to 30 and Comparative Examples 1 to 67.
【図5】実施例31〜35の重ね書きに用いる光パルスFIG. 5: Optical pulse used for overwriting in Examples 31 to 35
【図6】実施例31〜35の重ね書きに用いる光パルスFIG. 6 is an optical pulse used for overwriting in Examples 31 to 35.
1 基板 2 透明誘電体層 3 記録層 4 裏面透明誘電体層 5 有機保護層 1 substrate 2 transparent dielectric layer 3 recording layer 4 back transparent dielectric layer 5 organic protective layer
Claims (10)
に形成した透明基板上に、レーザ光照射により加熱され
た磁壁境界領域の一部において、正味残留磁化の方向を
自己反転できる自己反転可能な希土類遷移金属非晶質合
金を含む垂直磁化膜からなる記録層を形成した光磁気記
録媒体を用い、前記光磁気記録媒体を移送しつつ、ビッ
トの記録方向にバイアス磁界を印加し、パワーレベルお
よび/またはパルス幅が消去レベルと書き込みレベルと
の間で変調されたレーザ光照射によりデータのダイレク
トオーバーライトを行う光磁気記録方式において、前記
透明基板の熱伝導率が 0.5〔W/(m・K)〕以下であ
るか、または透明基板上に形成した透明高分子層の熱伝
導率が 0.5〔W/(m・K)〕以下であり、前記記録層
中の希土類組成比率X(atom%)が20.0≦X≦28.0であ
り、かつ前記記録層中の遷移金属がFeもしくはFeおよび
Coであって、さらに印加する前記バイアス磁界Hex(O
e)が、Hex≧17×(X−24)2 +100 、およびHex≦3
0×(X−24)2 +400 であることを特徴とする光磁気
記録方式。1. On a transparent substrate or a transparent substrate having a transparent polymer layer formed on the recording layer side, in a part of the domain wall boundary region heated by laser light irradiation, the direction of the net remanent magnetization can be self-reversed. Using a magneto-optical recording medium having a recording layer formed of a perpendicular magnetization film containing a reversible rare-earth transition metal amorphous alloy, while transferring the magneto-optical recording medium, a bias magnetic field is applied in the bit recording direction, In a magneto-optical recording method in which direct writing of data is performed by irradiating laser light whose power level and / or pulse width is modulated between an erasing level and a writing level, the transparent substrate has a thermal conductivity of 0.5 [W / ( m · K)] or less, or the thermal conductivity of the transparent polymer layer formed on the transparent substrate is 0.5 [W / (m · K)] or less, and the rare earth composition ratio in the recording layer. (The atom%) is 20.0 ≦ X ≦ 28.0, and the transition metal of the recording layer is Fe or Fe and
Co, and the bias magnetic field Hex (O
e) is Hex ≧ 17 × (X−24) 2 +100, and Hex ≦ 3
A magneto-optical recording method characterized by 0 × (X-24) 2 +400.
あることを特徴とする請求項1記載の光磁気記録方式。2. The magneto-optical recording method according to claim 1, wherein the bias magnetic field Hex (Oe) is Hex ≦ 800.
ex≧ 130×X−3160、およびHex≦ 100×X−2100であ
ることを特徴とする請求項1〜2のいづれかに記載の光
磁気記録方式。3. The bias magnetic field Hex (Oe) is H ≧ 220, H
3. The magneto-optical recording method according to claim 1, wherein ex ≧ 130 × X-3160 and Hex ≦ 100 × X-2100.
であることを特徴とする請求項1〜3のいづれかに記載
の光磁気記録方式。4. The rare earth element in the recording layer is Gd and / or Tb.
The magneto-optical recording method according to any one of claims 1 to 3, wherein
層側に形成した透明高分子層の熱伝導率が、 0.2〔W/
(m・K)〕以下であることを特徴とする請求項1〜4
のいづれかに記載の光磁気記録方式。5. The thermal conductivity of the transparent substrate or the thermal conductivity of the transparent polymer layer formed on the recording layer side of the transparent substrate is 0.2 [W /
(M · K)] or less.
The magneto-optical recording method described in any one of the above.
ることを特徴とする請求項1〜5のいづれかに記載の光
磁気記録方式。6. The magneto-optical recording method according to claim 1, wherein the transparent substrate is made of polycarbonate resin.
基板の記録層側に紫外線硬化型樹脂からなる透明高分子
層を形成することを特徴とする請求項1〜5のいづれか
に記載の光磁気記録方式。7. The light according to claim 1, wherein the transparent substrate is made of a glass material, and a transparent polymer layer made of an ultraviolet curable resin is formed on the recording layer side of the transparent substrate. Magnetic recording method.
囲にあり、かつキュリー温度Tc が 100〜350 ℃である
ことを特徴とする請求項1〜7のいづれかに記載の光磁
気記録方式。8. The magneto-optical recording according to claim 1, wherein the compensation temperature Tcomp of the recording layer is in the range of 50 to 250 ° C. and the Curie temperature Tc is 100 to 350 ° C. method.
囲にあり、かつキュリー温度Tc が 200〜250 ℃である
ことを特徴とする請求項8記載の光磁気記録方式。9. The magneto-optical recording method according to claim 8, wherein the compensation temperature Tcomp of the recording layer is in the range of 80 to 160 ° C. and the Curie temperature Tc is 200 to 250 ° C.
3 (×106 erg /cc)であることを特徴とする請求項1
〜9のいづれかに記載の光磁気記録方式。10. The perpendicular magnetic anisotropy constant Ku of the recording layer is from 2 to.
3. It is 3 (× 10 6 erg / cc).
9. The magneto-optical recording method according to any one of 9 to 9.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28887992A JPH05198033A (en) | 1991-10-31 | 1992-10-27 | Magneto-optical recording system |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31144391 | 1991-10-31 | ||
JP3-311443 | 1991-10-31 | ||
JP28887992A JPH05198033A (en) | 1991-10-31 | 1992-10-27 | Magneto-optical recording system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05198033A true JPH05198033A (en) | 1993-08-06 |
Family
ID=26557362
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28887992A Pending JPH05198033A (en) | 1991-10-31 | 1992-10-27 | Magneto-optical recording system |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05198033A (en) |
-
1992
- 1992-10-27 JP JP28887992A patent/JPH05198033A/en active Pending
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