JPH05158084A - 線形及び非線形光学感受率測定装置 - Google Patents
線形及び非線形光学感受率測定装置Info
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- JPH05158084A JPH05158084A JP1425491A JP1425491A JPH05158084A JP H05158084 A JPH05158084 A JP H05158084A JP 1425491 A JP1425491 A JP 1425491A JP 1425491 A JP1425491 A JP 1425491A JP H05158084 A JPH05158084 A JP H05158084A
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- Japan
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- light
- refractive index
- grating coupler
- linear
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 試料の屈折率、膜厚、SHGあるいはTHG
の光強度分布を測定し、線形及び非線形光学感受率を測
定する。 【構成】 試料3に光を当てる光照射手段2と、グレー
ティングカプラー5と結合した試料3に当たって反射し
た光を測定するイメージセンサ6と、試料3を通過した
光の強度を測定する光強度検出センサ7と、イメージセ
ンサ6および光強度検出センサ7の出力から、屈折率、
膜厚、SHGあるいはTHGの光強度分布を測定すると
ともに、光照射手段2の光出力強度を用いて、線形及び
非線形光学感受率を測定する。
の光強度分布を測定し、線形及び非線形光学感受率を測
定する。 【構成】 試料3に光を当てる光照射手段2と、グレー
ティングカプラー5と結合した試料3に当たって反射し
た光を測定するイメージセンサ6と、試料3を通過した
光の強度を測定する光強度検出センサ7と、イメージセ
ンサ6および光強度検出センサ7の出力から、屈折率、
膜厚、SHGあるいはTHGの光強度分布を測定すると
ともに、光照射手段2の光出力強度を用いて、線形及び
非線形光学感受率を測定する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、試料の線形及び非線形
光学感受率を測定する装置に関するものである。
光学感受率を測定する装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】非線形光学における最初の実験は、フラ
ンケンらによって行われたルビーレーザーの第2高調波
光に関する実験であった。その後、材料の2次、3次の
非線形光学感受率を定量化するための方法が、クルツ、
カジャールらによってそれぞれ提案された。そして、こ
れまで、クルツやカジャールの提案した測定方法によっ
て、非線形光学材料の高調波光強度の入射角依存性だけ
を測定していた。
ンケンらによって行われたルビーレーザーの第2高調波
光に関する実験であった。その後、材料の2次、3次の
非線形光学感受率を定量化するための方法が、クルツ、
カジャールらによってそれぞれ提案された。そして、こ
れまで、クルツやカジャールの提案した測定方法によっ
て、非線形光学材料の高調波光強度の入射角依存性だけ
を測定していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】非線形光学材料の感受
率を測定するためには、入射光強度の他に、単結晶、フ
ィルム又は薄膜試料の膜厚、基本波による試料の屈折
率、高調波による試料の屈折率を知る必要がある。しか
るに、従来では、高調波光強度以外の、フィルム及び薄
膜試料の膜厚、基本波による試料の屈折率、高調波によ
る試料の屈折率を精度よく測定する手法として、干渉式
膜厚測定器、エリプソメトリーによる測定方法、アッベ
屈折計による屈折率測定方法、プルズムカプラーを用い
たモード・ライン法による屈折率測定方法しか無かっ
た。
率を測定するためには、入射光強度の他に、単結晶、フ
ィルム又は薄膜試料の膜厚、基本波による試料の屈折
率、高調波による試料の屈折率を知る必要がある。しか
るに、従来では、高調波光強度以外の、フィルム及び薄
膜試料の膜厚、基本波による試料の屈折率、高調波によ
る試料の屈折率を精度よく測定する手法として、干渉式
膜厚測定器、エリプソメトリーによる測定方法、アッベ
屈折計による屈折率測定方法、プルズムカプラーを用い
たモード・ライン法による屈折率測定方法しか無かっ
た。
【0004】なお、干渉式膜厚測定器は、屈折率を仮定
しなければならないので、正確な膜厚を算出することが
できない。エリプソメトリーによる測定方法は、入射光
に対して測定不可能な膜厚領域が周期的に存在し、膜厚
の増加に伴い測定精度が悪くなる問題点を有していた。
アッベ屈折計による屈折率測定は、屈折率が1.78以
上の試料についての測定が困難であるとともに、測定波
長を自由に選べないという問題点を有していた。モード
・ライン法による屈折率測定は、光導波路として用いら
れ、サブミクロンから数ミクロン程度の薄膜試料では、
屈折率と膜厚とを同時に精度よく測定できる。しかる
に、従来の装置では、試料基板と光検知部を連動させて
数十度回転させなければならないので、屈折率を測定す
るのに時間を要するうえ、試料に光を導くプリズムを用
いるため、プリズムと試料とのカップリングが難しく、
測定結果の再現性がない。また、測定自体が困難で、高
価なプリズム及び試料自身を破損することが多いなどの
問題点を有していた。
しなければならないので、正確な膜厚を算出することが
できない。エリプソメトリーによる測定方法は、入射光
に対して測定不可能な膜厚領域が周期的に存在し、膜厚
の増加に伴い測定精度が悪くなる問題点を有していた。
アッベ屈折計による屈折率測定は、屈折率が1.78以
上の試料についての測定が困難であるとともに、測定波
長を自由に選べないという問題点を有していた。モード
・ライン法による屈折率測定は、光導波路として用いら
れ、サブミクロンから数ミクロン程度の薄膜試料では、
屈折率と膜厚とを同時に精度よく測定できる。しかる
に、従来の装置では、試料基板と光検知部を連動させて
数十度回転させなければならないので、屈折率を測定す
るのに時間を要するうえ、試料に光を導くプリズムを用
いるため、プリズムと試料とのカップリングが難しく、
測定結果の再現性がない。また、測定自体が困難で、高
価なプリズム及び試料自身を破損することが多いなどの
問題点を有していた。
【0005】
【発明の目的】本発明は、上記の事情に鑑みてなされた
もので、その目的は、無機、有機物を問わず、結晶、フ
ィルム、薄膜試料の屈折率、膜厚、入射光強度を測定
し、試料の非線形光学感受率を容易に測定できる線形及
び非線形光学感受率測定装置の提供にある。
もので、その目的は、無機、有機物を問わず、結晶、フ
ィルム、薄膜試料の屈折率、膜厚、入射光強度を測定
し、試料の非線形光学感受率を容易に測定できる線形及
び非線形光学感受率測定装置の提供にある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の線形及び非線形
光学感受率測定装置は、単結晶又は光導波用のグレーテ
ィングカプラーと接して配置されたフィルム又は薄膜状
の試料、あるいは前記グレーティングカプラーの配され
ていないフィルム又は薄膜状試料に、光を当てる光照射
手段と、前記グレーティングカプラーと接した試料に光
を当て、前記グレーティングカプラーによって一度試料
中で導波され、再び前記グレーティングカプラーの外部
へ放射された光又はブリュスターアングルを検出するリ
ニアイメージセンサと、前記グレーティングカプラーの
配されていない試料に光を当て、入射光によって励起さ
れた試料からのセカンドハーモニックゼネレーション、
あるいはサードハーモニックゼネレーションの光強度分
布を検出する光強度検出センサと、前記イメージセンサ
の検出結果から、試料の屈折率を算出する屈折率算出手
段、フィルム又は薄膜試料の膜厚を測定する膜厚算出手
段を備えるとともに、試料の屈折率、膜厚、セカンドハ
ーモニックゼネレーションあるいはサードハーモニック
ゼネレーションの光強度分布、及び前記光照射手段の高
調波光出力強度から、試料の非線形光学感受率を算出す
る非線形光学感受率算出手段を備える信号処理装置とを
具備する技術的手段を採用した。
光学感受率測定装置は、単結晶又は光導波用のグレーテ
ィングカプラーと接して配置されたフィルム又は薄膜状
の試料、あるいは前記グレーティングカプラーの配され
ていないフィルム又は薄膜状試料に、光を当てる光照射
手段と、前記グレーティングカプラーと接した試料に光
を当て、前記グレーティングカプラーによって一度試料
中で導波され、再び前記グレーティングカプラーの外部
へ放射された光又はブリュスターアングルを検出するリ
ニアイメージセンサと、前記グレーティングカプラーの
配されていない試料に光を当て、入射光によって励起さ
れた試料からのセカンドハーモニックゼネレーション、
あるいはサードハーモニックゼネレーションの光強度分
布を検出する光強度検出センサと、前記イメージセンサ
の検出結果から、試料の屈折率を算出する屈折率算出手
段、フィルム又は薄膜試料の膜厚を測定する膜厚算出手
段を備えるとともに、試料の屈折率、膜厚、セカンドハ
ーモニックゼネレーションあるいはサードハーモニック
ゼネレーションの光強度分布、及び前記光照射手段の高
調波光出力強度から、試料の非線形光学感受率を算出す
る非線形光学感受率算出手段を備える信号処理装置とを
具備する技術的手段を採用した。
【0007】
【発明の作用】光照射手段によってグレーティングカプ
ラーの配された膜状試料に光を当てる。グレーティング
カプラーで導波された光は、リニアイメージセンサによ
って検出され、信号処理装置の屈折率算出手段で試料の
屈折率を算出するとともに、信号処理装置の膜厚算出手
段によって試料の膜厚を算出する。また、非線形光学感
受率の得ようとする次数に応じて、次数の異なった波長
の光及び基本波光をグレーティングカプラーの配された
試料に当て、グレーティングカプラーで導波された光を
リニアイメージセンサによって検出し、信号処理装置の
屈折率算出手段で試料の屈折率を算出する。試料の厚み
がわかっているパルク単結晶の場合はブリュスターアン
グルをリニアイメージセンサによって検出し、信号処理
装置の屈折率算出手段で試料の屈折率を算出する。
ラーの配された膜状試料に光を当てる。グレーティング
カプラーで導波された光は、リニアイメージセンサによ
って検出され、信号処理装置の屈折率算出手段で試料の
屈折率を算出するとともに、信号処理装置の膜厚算出手
段によって試料の膜厚を算出する。また、非線形光学感
受率の得ようとする次数に応じて、次数の異なった波長
の光及び基本波光をグレーティングカプラーの配された
試料に当て、グレーティングカプラーで導波された光を
リニアイメージセンサによって検出し、信号処理装置の
屈折率算出手段で試料の屈折率を算出する。試料の厚み
がわかっているパルク単結晶の場合はブリュスターアン
グルをリニアイメージセンサによって検出し、信号処理
装置の屈折率算出手段で試料の屈折率を算出する。
【0008】光照射手段によってグレーティングカプラ
ーの配されていない試料に光を当てる。試料を透過した
SHGあるいはTHGの光強度分布は、光強度検出セン
サによって検出される。
ーの配されていない試料に光を当てる。試料を透過した
SHGあるいはTHGの光強度分布は、光強度検出セン
サによって検出される。
【0009】そして、信号処理装置の非線形光学感受率
算出手段は、上記で得られた試料の屈折率、膜厚、SH
GあるいはTHGの光強度分布、及び光照射手段の光出
力強度から、試料の非線形光学感受率を算出する。
算出手段は、上記で得られた試料の屈折率、膜厚、SH
GあるいはTHGの光強度分布、及び光照射手段の光出
力強度から、試料の非線形光学感受率を算出する。
【0010】
【発明の効果】本発明の線形及び非線形光学感受率測定
装置は、上記の作用で示したように、試料の屈折率、膜
厚、SHGあるいはTHGの光強度分布、及び光照射手
段の光出力強度から、試料の非線形光学感受率を測定す
ることができる。
装置は、上記の作用で示したように、試料の屈折率、膜
厚、SHGあるいはTHGの光強度分布、及び光照射手
段の光出力強度から、試料の非線形光学感受率を測定す
ることができる。
【0011】
【実施例】次に、本発明の線形及び非線形光学感受率測
定装置を、図に示す一実施例に基づき説明する。
定装置を、図に示す一実施例に基づき説明する。
【0012】〔実施例の構成〕図1ないし図4は本発明
の実施例を示すもので、図1及び図2は線形及び非線形
光学感受率測定装置の概略構成図である。線形及び非線
形光学感受率測定装置1は、光照射手段2、試料3を支
持し、その配向を自動的に行うステージ4、グレーティ
ングカプラー5と接する膜状試料3によって導波された
光を検出するリニアイメージセンサ6、あるいは単結晶
のブリュスターアングルを検出するリニアイメージセン
サ6、グレーティングカプラー5の配されていない試料
3を透過したSHG又はTHGの光強度分布を検出する
光強度検出センサ7、電気回路ボックス8、及び光照射
手段2によって放射された光を試料3に導くポラライザ
ー9、試料3を透過した光を光強度検出センサ7に導く
アナライザー10からなる。
の実施例を示すもので、図1及び図2は線形及び非線形
光学感受率測定装置の概略構成図である。線形及び非線
形光学感受率測定装置1は、光照射手段2、試料3を支
持し、その配向を自動的に行うステージ4、グレーティ
ングカプラー5と接する膜状試料3によって導波された
光を検出するリニアイメージセンサ6、あるいは単結晶
のブリュスターアングルを検出するリニアイメージセン
サ6、グレーティングカプラー5の配されていない試料
3を透過したSHG又はTHGの光強度分布を検出する
光強度検出センサ7、電気回路ボックス8、及び光照射
手段2によって放射された光を試料3に導くポラライザ
ー9、試料3を透過した光を光強度検出センサ7に導く
アナライザー10からなる。
【0013】光照射手段2は、He−Neレーザー及び
Nd:YAGレーザーを放射するもので、光放射部分に
倍波結晶を装着することで、光照射手段2の発する光の
波長を1/2にする。なお、本実施例に示すレーザー
は、一例であって、他の光源を用いても良いことは言う
までも無い。
Nd:YAGレーザーを放射するもので、光放射部分に
倍波結晶を装着することで、光照射手段2の発する光の
波長を1/2にする。なお、本実施例に示すレーザー
は、一例であって、他の光源を用いても良いことは言う
までも無い。
【0014】ポラライザー9は、光照射手段2の発した
光を試料3に導くもので、本実施例では2枚のミラー1
1、12、紫外線可視光カットフィルター13、1/2
波長板14、偏光板15、レンズ16からなる。
光を試料3に導くもので、本実施例では2枚のミラー1
1、12、紫外線可視光カットフィルター13、1/2
波長板14、偏光板15、レンズ16からなる。
【0015】アナライザー10は、試料3を通過した光
を光強度検出センサ7に導くもので、本実施例では、レ
ンズ17、SHGあるいはTHGのみを透過させる2枚
のフィルター18、19、偏光板20、フォーカシング
レンズ21からなる。
を光強度検出センサ7に導くもので、本実施例では、レ
ンズ17、SHGあるいはTHGのみを透過させる2枚
のフィルター18、19、偏光板20、フォーカシング
レンズ21からなる。
【0016】ステージ4は、図3の概略図に示すよう
に、試料3を搭載し、搭載した試料3を試料3の平面方
向へ傾ける第1ゴニオステージ22と、この第1ゴニオ
ステージ22を支持し、第1ゴニオステージ22を試料
3の平面方向と直行する方向へ傾ける第2ゴニオステー
ジ23と、この第2ゴニオステージ23を支持し、第2
ゴニオステージ23を回転する回転ステージ24とから
なる。また、回転ステージ24には、第2ゴニオステー
ジ23及び第1ゴニオステージ22を介して搭載される
サンプルをスライドするスライド部25が設けられてい
る。このスライド部25は、ポラライザー9を経て導か
れた光をグレーティングカプラー5の配された試料に当
てる、あるいはグレーティングカプラー5の配されてい
ない試料へ当てるためのものである。なお、第1ゴニオ
ステージ22、第2ゴニオステージ23、回転ステージ
24、及びスライド部25には、それぞれ電動モータ等
の電動アクチュエータ(図示しない)が設けられてお
り、それぞれ電気回路ボックス8によって制御される。
に、試料3を搭載し、搭載した試料3を試料3の平面方
向へ傾ける第1ゴニオステージ22と、この第1ゴニオ
ステージ22を支持し、第1ゴニオステージ22を試料
3の平面方向と直行する方向へ傾ける第2ゴニオステー
ジ23と、この第2ゴニオステージ23を支持し、第2
ゴニオステージ23を回転する回転ステージ24とから
なる。また、回転ステージ24には、第2ゴニオステー
ジ23及び第1ゴニオステージ22を介して搭載される
サンプルをスライドするスライド部25が設けられてい
る。このスライド部25は、ポラライザー9を経て導か
れた光をグレーティングカプラー5の配された試料に当
てる、あるいはグレーティングカプラー5の配されてい
ない試料へ当てるためのものである。なお、第1ゴニオ
ステージ22、第2ゴニオステージ23、回転ステージ
24、及びスライド部25には、それぞれ電動モータ等
の電動アクチュエータ(図示しない)が設けられてお
り、それぞれ電気回路ボックス8によって制御される。
【0017】なお、試料3は、図4に示すように、2枚
の透明基板26、27の間に保持された1μm〜3μm
ほどのフィルム状のもので、一方の基板の一部に深さ
0.5μm程の溝が多数形成されたグレーティングカプ
ラー5を有するもの、あるいは単結晶である。なお、光
が入射する側の透明基板26は、他の透明基板27より
も屈折率が小さく設けられている。また、試料は2枚の
透明基板26、27の間に充填しても良く、また試料が
グレーティングカプラー5とカップリングできるもので
あれば、一方の基板を無くしても良い。グレーティング
カプラー5は、複数の溝を有するものでなくとも、導波
光を得る物であれば他の物でも良い。
の透明基板26、27の間に保持された1μm〜3μm
ほどのフィルム状のもので、一方の基板の一部に深さ
0.5μm程の溝が多数形成されたグレーティングカプ
ラー5を有するもの、あるいは単結晶である。なお、光
が入射する側の透明基板26は、他の透明基板27より
も屈折率が小さく設けられている。また、試料は2枚の
透明基板26、27の間に充填しても良く、また試料が
グレーティングカプラー5とカップリングできるもので
あれば、一方の基板を無くしても良い。グレーティング
カプラー5は、複数の溝を有するものでなくとも、導波
光を得る物であれば他の物でも良い。
【0018】リニアイメージセンサ6は、試料3に導波
された光あるいは試料3に当たって反射した光を直線的
に解析するべく、CCDなどのモニター手段が用いられ
ている。そして、このリニアイメージセンサ6の出力
は、電気回路ボックス8に出力される。
された光あるいは試料3に当たって反射した光を直線的
に解析するべく、CCDなどのモニター手段が用いられ
ている。そして、このリニアイメージセンサ6の出力
は、電気回路ボックス8に出力される。
【0019】光強度検出センサ7は、試料3を通過した
光の強度を検出するので、フォトマルチセンサや、光電
管、フォトダイオードなど、光の強度を検出可能な素子
が用いられている。そして、この光強度検出センサ7の
出力は、電気回路ボックス8に出力される。
光の強度を検出するので、フォトマルチセンサや、光電
管、フォトダイオードなど、光の強度を検出可能な素子
が用いられている。そして、この光強度検出センサ7の
出力は、電気回路ボックス8に出力される。
【0020】電気回路ボックス8は、インターフェイス
8a、信号処理装置8b、使用者に結果をディスプレイ
や印字によって表示する表示手段8c、駆動制御装置8
dからなる。なお、信号処理装置8bは、倍波結晶28
の有無によるリニアイメージセンサ6の出力や光強度検
出センサ7の出力から、試料3の屈折率、膜厚、及び非
線形光学感受率を算出する屈折率算出手段29、膜厚算
出手段30、非線形光学感受率算出手段32を備える。
また、駆動制御装置8dは、ステージ4の第1ゴニオス
テージ22、第2ゴニオステージ23、回転ステージ2
4、及びスライド部25の電動アクチュエータを駆動制
御するものである。
8a、信号処理装置8b、使用者に結果をディスプレイ
や印字によって表示する表示手段8c、駆動制御装置8
dからなる。なお、信号処理装置8bは、倍波結晶28
の有無によるリニアイメージセンサ6の出力や光強度検
出センサ7の出力から、試料3の屈折率、膜厚、及び非
線形光学感受率を算出する屈折率算出手段29、膜厚算
出手段30、非線形光学感受率算出手段32を備える。
また、駆動制御装置8dは、ステージ4の第1ゴニオス
テージ22、第2ゴニオステージ23、回転ステージ2
4、及びスライド部25の電動アクチュエータを駆動制
御するものである。
【0021】〔実施例の作動〕次に、上記実施例の作動
を簡単に説明する。まず、透明基板26、27に挟まれ
た膜状試料3あるいは単結晶試料3のみステージ4にセ
ットする。試料が単結晶の場合、光照射手段2から、光
を試料3に照射する。そして、試料3の後方に置かれた
アナライザー10を透過した光の強度を光強度検出セン
サ7によって検出する。この時、第1ゴニオステージ2
2を左右に傾け、透過光強度が最も弱くなる位置に試料
3を配向させる。
を簡単に説明する。まず、透明基板26、27に挟まれ
た膜状試料3あるいは単結晶試料3のみステージ4にセ
ットする。試料が単結晶の場合、光照射手段2から、光
を試料3に照射する。そして、試料3の後方に置かれた
アナライザー10を透過した光の強度を光強度検出セン
サ7によって検出する。この時、第1ゴニオステージ2
2を左右に傾け、透過光強度が最も弱くなる位置に試料
3を配向させる。
【0022】次に、試料3を90°回転させ、光照射手
段2から、ガイド光を試料3に照射する。そして、試料
3の後方に置かれたアナライザー10を透過した光の強
度を光強度検出センサ7によって検出する。この時、第
2ゴニオステージ23を左右に傾け、再び透過光強度が
最も弱くなる位置に試料3を配向させる。
段2から、ガイド光を試料3に照射する。そして、試料
3の後方に置かれたアナライザー10を透過した光の強
度を光強度検出センサ7によって検出する。この時、第
2ゴニオステージ23を左右に傾け、再び透過光強度が
最も弱くなる位置に試料3を配向させる。
【0023】この結果、単結晶試料3の誘電主軸は、入
射光の偏光方向に対して平行となる。つまり、試料3の
誘電主軸が見出されたことになる。このように、誘電主
軸が結晶成長面内に有る場合は、自動的に誘電主軸を見
出すことができる。なお、誘電主軸が結晶成長面内に無
い場合は、誘電主軸に対して入射光軸が垂直になるよう
に試料3を加工して第1ゴニオステージ22にセット
し、透過光強度の極小値を測定して誘電主軸を決定する
ことができる。次に、単結晶及び膜状試料からの反射光
をリニアイメージセンサで検出し、光軸に対して重要な
面がでるようステージを回転させる。
射光の偏光方向に対して平行となる。つまり、試料3の
誘電主軸が見出されたことになる。このように、誘電主
軸が結晶成長面内に有る場合は、自動的に誘電主軸を見
出すことができる。なお、誘電主軸が結晶成長面内に無
い場合は、誘電主軸に対して入射光軸が垂直になるよう
に試料3を加工して第1ゴニオステージ22にセット
し、透過光強度の極小値を測定して誘電主軸を決定する
ことができる。次に、単結晶及び膜状試料からの反射光
をリニアイメージセンサで検出し、光軸に対して重要な
面がでるようステージを回転させる。
【0024】次に、試料が膜状で透明基板26、27に
はさまれている場合は、試料3からの導波光がリニアイ
メージセンサ6に当たるように試料面を回転させる。
はさまれている場合は、試料3からの導波光がリニアイ
メージセンサ6に当たるように試料面を回転させる。
【0025】光照射手段2の光をグレーティングカプラ
ー5の配された試料3に照射する(図1参照)。そし
て、グレーティングカプラー5で導波した光のモードラ
インをリニアイメージセンサ6を用いて測定する。そし
て、信号処理装置8bは、リニアイメージセンサ6で得
られたモードラインから、屈折率算出手段29及び膜厚
算出手段30によって屈折率と膜厚とを算出する。次い
で、光照射手段2の光出力部分に倍波結晶28を配し、
1/2あるいは1/3波長の光を再びグレーティングカ
プラー5の配された試料3に照射する。そして、グレー
ティングカプラー5で導波した光によって生じたモード
ラインをリニアイメージセンサ6を用いて測定し、信号
処理装置8bの屈折率算出手段29によって、1/2あ
るいは1/3波長の時の屈折率を算出する。試料3の厚
さが既知である単結晶の場合は、まず1/2偏向板14
によってP変更された光照射手段2の光を試料3に照射
する。そして、ステージ24を回転させ、試料表面から
の反射光がなくなる回転角(ブリュスターアングル)を
リニアイメージセンサ6を用いて測定する。そして、信
号処理装置8bは、リニアイメージセンサ6で得られた
ブリュスターアングルから、屈折率算出手段29によっ
て屈折率を算出する。次いで、光照射手段2の光出力部
分に倍波結晶28を配し、1/2あるいは1/3波長の
光を再び試料3に照射する。そして、ブリュスターアン
グルをリニアイメージセンサ6を用いて測定し、信号処
理装置8bの屈折率算出手段29によって1/2あるい
は1/3波長の時の屈折率を算出する。
ー5の配された試料3に照射する(図1参照)。そし
て、グレーティングカプラー5で導波した光のモードラ
インをリニアイメージセンサ6を用いて測定する。そし
て、信号処理装置8bは、リニアイメージセンサ6で得
られたモードラインから、屈折率算出手段29及び膜厚
算出手段30によって屈折率と膜厚とを算出する。次い
で、光照射手段2の光出力部分に倍波結晶28を配し、
1/2あるいは1/3波長の光を再びグレーティングカ
プラー5の配された試料3に照射する。そして、グレー
ティングカプラー5で導波した光によって生じたモード
ラインをリニアイメージセンサ6を用いて測定し、信号
処理装置8bの屈折率算出手段29によって、1/2あ
るいは1/3波長の時の屈折率を算出する。試料3の厚
さが既知である単結晶の場合は、まず1/2偏向板14
によってP変更された光照射手段2の光を試料3に照射
する。そして、ステージ24を回転させ、試料表面から
の反射光がなくなる回転角(ブリュスターアングル)を
リニアイメージセンサ6を用いて測定する。そして、信
号処理装置8bは、リニアイメージセンサ6で得られた
ブリュスターアングルから、屈折率算出手段29によっ
て屈折率を算出する。次いで、光照射手段2の光出力部
分に倍波結晶28を配し、1/2あるいは1/3波長の
光を再び試料3に照射する。そして、ブリュスターアン
グルをリニアイメージセンサ6を用いて測定し、信号処
理装置8bの屈折率算出手段29によって1/2あるい
は1/3波長の時の屈折率を算出する。
【0026】次に、試料が膜状物質の場合、光の照射位
置がグレーティングカプラー5の配されていない部分と
なるように、試料3をスライドする(図2参照)。試料
3がグレーティングと接していない単結晶の場合は、こ
の操作は行わない。そして、光照射手段2の光を、グレ
ーティングカプラー5の配されていない膜状試料あるい
は単結晶試料3に照射する。そして、試料3に入射した
光によって励起された試料からのSHG又はTHGの光
強度分布を光強度検出センサ7によって測定する。
置がグレーティングカプラー5の配されていない部分と
なるように、試料3をスライドする(図2参照)。試料
3がグレーティングと接していない単結晶の場合は、こ
の操作は行わない。そして、光照射手段2の光を、グレ
ーティングカプラー5の配されていない膜状試料あるい
は単結晶試料3に照射する。そして、試料3に入射した
光によって励起された試料からのSHG又はTHGの光
強度分布を光強度検出センサ7によって測定する。
【0027】そして、信号処理装置8bの非線形光学感
受率算出手段32は、上記によって得られた各データ
(屈折率、膜厚、1/2又は1/3波長時の屈折率、S
HG又はTHGの光強度分布)及び光照射手段2の光出
力強度から非線形光学感受率を算出する。なお、非線形
光学感受率算出手段32は、計算によって得られた実験
値フリンジと、理論フリンジとを比較し、理論フリンジ
に最も近い実験値を非線形光学感受率とする演算機能を
有している。そして、信号処理装置8bで算出された屈
折率、1/2又は1/3波長時の屈折率、膜厚、非線形
光学感受率や、SHG又はTHGの光強度分布、光照射
手段2の光出力強度は、表示手段8cによって使用者に
表示される。
受率算出手段32は、上記によって得られた各データ
(屈折率、膜厚、1/2又は1/3波長時の屈折率、S
HG又はTHGの光強度分布)及び光照射手段2の光出
力強度から非線形光学感受率を算出する。なお、非線形
光学感受率算出手段32は、計算によって得られた実験
値フリンジと、理論フリンジとを比較し、理論フリンジ
に最も近い実験値を非線形光学感受率とする演算機能を
有している。そして、信号処理装置8bで算出された屈
折率、1/2又は1/3波長時の屈折率、膜厚、非線形
光学感受率や、SHG又はTHGの光強度分布、光照射
手段2の光出力強度は、表示手段8cによって使用者に
表示される。
【0028】〔実施例の効果〕本実施例の線形及び非線
形光学感受率測定装置1は、試料3を第1ゴニオステー
ジ22に置き、装置を起動させるのみで、試料3を破壊
すること無く、再現性も容易で、試料3の屈折率、膜
厚、SHG又はTHGの光強度分布、非線形光学感受率
などが、自動的に測定できる。つまり、各値が容易に得
られるため、従来知られている光学材料よりもさらに優
れた材料の発見が容易に行われるであろう。また、材料
の非線形感受率、屈折率などは、各デバイスを設計する
ためにも必要不可欠なパラメータであり、本発明の線形
及び非線形光学感受率測定装置1を用いることにより、
今後のオプトエレクトロニクス技術を発展させるために
も、その実用的な効果は大きなものとなる。
形光学感受率測定装置1は、試料3を第1ゴニオステー
ジ22に置き、装置を起動させるのみで、試料3を破壊
すること無く、再現性も容易で、試料3の屈折率、膜
厚、SHG又はTHGの光強度分布、非線形光学感受率
などが、自動的に測定できる。つまり、各値が容易に得
られるため、従来知られている光学材料よりもさらに優
れた材料の発見が容易に行われるであろう。また、材料
の非線形感受率、屈折率などは、各デバイスを設計する
ためにも必要不可欠なパラメータであり、本発明の線形
及び非線形光学感受率測定装置1を用いることにより、
今後のオプトエレクトロニクス技術を発展させるために
も、その実用的な効果は大きなものとなる。
【0029】
【変形例】上記の実施例では、試料3を回転させたが、
試料3を固定して光照射手段2やリニアイメージセンサ
6、光強度検出センサ7など他の光学系を回転させても
良い。
試料3を固定して光照射手段2やリニアイメージセンサ
6、光強度検出センサ7など他の光学系を回転させても
良い。
【0030】また、図5に示すように、光を多分割して
試料3の異なった位置に照射し、試料3から発生したS
HGあるいはTHGを同時測定し、1つの試料3におけ
る複数の高調波光強度分布を測定したり、あるいは複数
の材料の高調波光強度を1度に測定するように設けても
良い。
試料3の異なった位置に照射し、試料3から発生したS
HGあるいはTHGを同時測定し、1つの試料3におけ
る複数の高調波光強度分布を測定したり、あるいは複数
の材料の高調波光強度を1度に測定するように設けても
良い。
【図1】線形及び非線形光学感受率測定装置の概略図で
ある。
ある。
【図2】線形及び非線形光学感受率測定装置の概略図で
ある。
ある。
【図3】ステージの概略斜視図である。
【図4】2枚の透明基板で挟まれた試料の部分断面図で
ある。
ある。
【図5】他の変形例を示す非線形光学感受率測定装置の
概略図である。
概略図である。
1 線形及び非線形光学感受率測定装置 2 光照射手段 3 試料 6 リニアイメージセンサ 7 光強度検出センサ 8b 信号処理装置 29 屈折率算出手段 30 膜厚算出手段 32 非線形光学感受率算出手段
Claims (1)
- 【請求項1】 (a) 単結晶又は光導波用のグレーティン
グカプラーと接して配置されたフィルム又は薄膜状の試
料、あるいは前記グレーティングカプラーの配されてい
ないフィルム又は薄膜状試料に、光を当てる光照射手段
と、 (b) 前記グレーティングカプラーと接した試料に光を当
て、前記グレーティングカプラーによって一度試料中で
導波され、再び前記グレーティングカプラーの外部へ放
射された光又はブリュスターアングルを検出するリニア
イメージセンサと、 (c) 前記グレーティングカプラーの配されていない試料
に光を当て、入射光によって励起された試料からのセカ
ンドハーモニックゼネレーション、あるいはサードハー
モニックゼネレーションの光強度分布を検出する光強度
検出センサと、 (d) 前記イメージセンサの検出結果から、試料の屈折率
を算出する屈折率算出手段、フィルム又は薄膜試料の膜
厚を測定する膜厚算出手段を備えるとともに、試料の屈
折率、膜厚、セカンドハーモニックゼネレーションある
いはサードハーモニックゼネレーションの光強度分布、
及び前記光照射手段の高調波光出力強度から、試料の非
線形光学感受率を算出する非線形光学感受率算出手段を
備える信号処理装置とを具備する線形及び非線形光学感
受率測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1425491A JPH05158084A (ja) | 1991-02-05 | 1991-02-05 | 線形及び非線形光学感受率測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1425491A JPH05158084A (ja) | 1991-02-05 | 1991-02-05 | 線形及び非線形光学感受率測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05158084A true JPH05158084A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=11855956
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1425491A Pending JPH05158084A (ja) | 1991-02-05 | 1991-02-05 | 線形及び非線形光学感受率測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05158084A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011191285A (ja) * | 2010-02-22 | 2011-09-29 | Takaoka Electric Mfg Co Ltd | 光が透過可能な材料の段差構造測定方法 |
JP2013002900A (ja) * | 2011-06-15 | 2013-01-07 | Mitsubishi Electric Corp | エリプソメーター装置および単結晶シリコンに形成された反射防止膜の測定方法 |
JP2014194352A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-09 | Nippon Steel & Sumitomo Metal | 一軸結晶からなる単結晶基板の面方位測定方法、及びこれに用いる面方位測定装置 |
JP2016014563A (ja) * | 2014-07-01 | 2016-01-28 | 大日本印刷株式会社 | 植物体の検査装置及び検査方法 |
-
1991
- 1991-02-05 JP JP1425491A patent/JPH05158084A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011191285A (ja) * | 2010-02-22 | 2011-09-29 | Takaoka Electric Mfg Co Ltd | 光が透過可能な材料の段差構造測定方法 |
JP2013002900A (ja) * | 2011-06-15 | 2013-01-07 | Mitsubishi Electric Corp | エリプソメーター装置および単結晶シリコンに形成された反射防止膜の測定方法 |
JP2014194352A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-09 | Nippon Steel & Sumitomo Metal | 一軸結晶からなる単結晶基板の面方位測定方法、及びこれに用いる面方位測定装置 |
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