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JPH05102017A - Dislocation checking mehtod of pattern in charged particle beam lithography - Google Patents

Dislocation checking mehtod of pattern in charged particle beam lithography

Info

Publication number
JPH05102017A
JPH05102017A JP26174791A JP26174791A JPH05102017A JP H05102017 A JPH05102017 A JP H05102017A JP 26174791 A JP26174791 A JP 26174791A JP 26174791 A JP26174791 A JP 26174791A JP H05102017 A JPH05102017 A JP H05102017A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
data
register
patterns
drawn
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP26174791A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hitoshi Sato
仁 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jeol Ltd
Original Assignee
Jeol Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jeol Ltd filed Critical Jeol Ltd
Priority to JP26174791A priority Critical patent/JPH05102017A/en
Publication of JPH05102017A publication Critical patent/JPH05102017A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To surely detect whether the dislocation of a drawing pattern has been caused during a lithographic operation by a method wherein, before a graphic processing operation, the position of the pattern is found, the position of the pattern is found from the data of the pattern after the graphic processing operation and the dislocation of the pattern is checked on the basis of the difference between the two kinds of positions which have been found. CONSTITUTION:A subtracter 13 finds the difference between the following: the positional data of patterns (n) which are set in regions 11c, 11d; and the positional data of patterns (m) which are set in regions 12a, 12b. The value which has been found indicates the distance between the patterns (n) and the patterns (m) after a graphic processing operation. The difference in the distance between the patterns (n) and the patterns (m) which have been set in regions 11e, 11f before the graphic processing operation is found by means of a subtracter 14. The value which has been found by using the subtracter 14 is compared with the permissible value of the dislocation of a distance. Thereby, it is possible to detect the dislocation of the patterns at an early stage and surely.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、電子ビームやイオンビ
ームによって被描画材料上にパターンの描画を行うよう
にした荷電粒子ビーム描画における描画データの異常チ
ェック方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a drawing data abnormality checking method in charged particle beam drawing in which a pattern is drawn on a material to be drawn by an electron beam or an ion beam.

【0002】[0002]

【従来の技術】図5は電子ビーム描画システムの概念図
であり、1はコンピュータ、2は図形処理回路、3,4
は偏向増幅器、5,6は電子ビームを偏向する偏向電極
である。このようなシステムにおいて、コンピュータ1
からの描画データは、図形処理回路2において図形分
割,台形処理,歪補正演算などが施され、このような各
種処理の後、パターンに応じた偏向信号が増幅器3,4
を介して偏向電極5,6に供給される。
2. Description of the Related Art FIG. 5 is a conceptual diagram of an electron beam drawing system, in which 1 is a computer, 2 is a graphic processing circuit, and 3 and 4.
Are deflection amplifiers, and 5 and 6 are deflection electrodes for deflecting the electron beam. In such a system, the computer 1
The drawing data from is subjected to graphic division, trapezoidal processing, distortion correction calculation, etc. in the graphic processing circuit 2, and after such various processing, deflection signals corresponding to the pattern are output to the amplifiers 3, 4
It is supplied to the deflection electrodes 5 and 6 via.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】このようなシステム
で、図6に示す,,のパターンデータがコンピュ
ータ1から図形処理回路2に供給されると、所定の各種
処理が行われるが、この図形処理回路2における処理の
過程で、演算エラーやその他のエラーが発生することが
あり、その場合には、偏向増幅器3,4に間違った描画
データが供給される。例えば、図6ののパターンデー
タが′のようにずれたパターンデータとなる。このよ
うなパターンの位置ずれが発生すると、発生時点ではそ
のずれの存在が判らず、全てのパターンの描画が終了
し、描画された材料を現像した後、光学顕微鏡による視
覚的な検査や他の欠陥検査によるチェックを行って初め
てそのずれの発生を知ることになる。この結果、このパ
ターンの位置ずれが発生した材料やチップ部分は、その
時点で使用不可能となるにもかかわらず、ずれの発生か
らその発見時までにはかなりの時間が掛かり、その間行
われる各種処理は全くの無駄となってしまう。
In such a system, when the pattern data of ,, shown in FIG. 6, are supplied from the computer 1 to the graphic processing circuit 2, various predetermined processes are performed. In the course of processing in the circuit 2, a calculation error or other error may occur, in which case incorrect drawing data is supplied to the deflection amplifiers 3 and 4. For example, the pattern data of FIG. 6 becomes the shifted pattern data such as'. When such a positional deviation of the pattern occurs, the existence of the deviation is not known at the time of occurrence, and after the drawing of all the patterns is completed and the drawn material is developed, visual inspection by an optical microscope or other The occurrence of the deviation can be known only after checking by the defect inspection. As a result, although the material and the chip portion in which the positional deviation of this pattern has occurred become unusable at that time, it takes a considerable time from the occurrence of the deviation to the discovery thereof, and The processing is completely wasted.

【0004】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、パターンの位置ずれの発生を早期
に、また、確実に発見することができる荷電粒子ビーム
描画におけるパターンずれチェック方法を実現するにあ
る。
The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to check a pattern deviation in charged particle beam drawing capable of early and surely detecting the occurrence of a pattern position deviation. There is a way to realize.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明に基づく荷電粒子
ビーム描画におけるパターンずれチェック方法は、初期
描画パターンデータを歪補正処理などの図形処理を行
い、処理後のデータに基づいて被描画材料へのパターン
描画を行うようにした荷電粒子ビーム描画方法におい
て、図形処理の前に描画パターンデータから描画パター
ンの位置を求め、次に、図形処理の後の描画パターンデ
ータから描画パターンの位置を求め、求めた2種の差に
基づいてパターンのずれのチェックを行うようにしてお
り、また、初期描画パターンデータから、描画すべきパ
ターンと、その直前に描画した描画パターンとの間の距
離を求め、次に、該距離を求めたパターンデータであっ
て、図形処理後のデータについて、描画すべきパターン
とその直前に描画した描画パターンとの間の距離を求
め、該求めた2種の距離の差に基づいてパターンのずれ
のチェックを行うようにしたことを特徴としている。
A pattern deviation checking method in charged particle beam drawing according to the present invention performs graphic processing such as distortion correction processing on initial drawing pattern data, and based on the processed data, a drawing target material is drawn. In the charged particle beam drawing method adapted to perform the pattern drawing, the position of the drawing pattern is obtained from the drawing pattern data before the figure processing, and then the position of the drawing pattern is obtained from the drawing pattern data after the figure processing, The pattern shift is checked on the basis of the obtained two types of differences, and the distance between the pattern to be drawn and the drawing pattern drawn immediately before it is calculated from the initial drawing pattern data. Next, regarding the pattern data for which the distance is obtained, the pattern processed data is drawn immediately before the pattern to be drawn. Obtains distances between the image pattern is characterized in that so as to check the deviation of the pattern based on the difference of the two distances found the.

【0006】[0006]

【作用】本発明に基づく荷電粒子ビーム描画におけるパ
ターンずれチェック方法は、図形処理の前に描画パター
ンデータから描画パターンの位置を求め、次に、図形処
理の後の描画パターンデータから描画パターンの位置を
求め、求めた2種の差に基づいてパターンのずれのチェ
ックを行い、また、初期描画パターンデータから、描画
すべきパターンと、その直前に描画した描画パターンと
の間の距離を求め、次に、該距離を求めたパターンデー
タであって、図形処理後のデータについて、描画すべき
パターンとその直前に描画した描画パターンとの間の距
離を求め、該求めた2種の距離の差に基づいてパターン
のずれのチェックを行う。
According to the pattern deviation checking method in charged particle beam drawing according to the present invention, the position of the drawing pattern is obtained from the drawing pattern data before the figure processing, and then the drawing pattern position is obtained from the drawing pattern data after the figure processing. Then, the deviation of the pattern is checked based on the calculated difference between the two types, and the distance between the pattern to be drawn and the drawing pattern drawn immediately before that is calculated from the initial drawing pattern data. In the pattern data for which the distance is obtained, the distance between the pattern to be drawn and the drawing pattern drawn immediately before is obtained for the data after the graphic processing, and the calculated difference between the two types of distances is obtained. Based on this, the pattern shift is checked.

【0007】[0007]

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図1は、本発明に基づく方法を実施するた
めの電子ビーム描画システムの一例を示しており、図5
の従来システムと同一部分は同一番号を付してその詳細
な説明を省略する。この実施例において、コンピュータ
1からの描画パターンデータは、レジスター7にセット
されるが、レジスター7は、パターンデータの内、パタ
ーンの各辺の長さ(X2 ,Y2 )がセットされる領域7
a,7b、パターンの位置(X1 ,Y1 )がセットされ
る領域7c,7dを有している。8はレジスターであ
り、レジスター7の領域7c,7dにセットされたパタ
ーンの位置データが供給されてセットされる。9は減算
器であり、レジスター7の領域7c,7dにセットされ
たデータと、レジスター8の領域8a,8bにセットさ
れたデータとの差を求める。10はレジスターであり、
領域10a〜10dには、夫々レジスター7の領域7a
〜7dにセットされているデータがそのままセットさ
れ、領域10e,10fには、減算器9で求められた差
のデータがセットされる。レジスター10のデータは、
図形処理回路2に供給されて歪補正演算などが施され
る。図形処理回路2によって処理された描画データは、
レジスター11にセットされるが、レジスター11の領
域11a,11bには、処理済みのパターンの各辺の長
さ(X2 ′,Y2′)がセットされ、領域11c,11
dには、処理後のパターンの位置(X1 ′,Y1 ′)が
セットされ、領域11e,11fには、レジスター10
e,10fにセットされている差のデータがそのままセ
ットされる。12もレジスターであり、レジスター11
の領域11c,11dにセットされたパターンの位置デ
ータ(X1 ,Y1 )がセットされる。レジスター11の
領域11a,11bのデータは、増幅器3を介して偏向
電極5に供給され、レジスター11の領域11e,11
fのデータは、増幅器4を介して偏向電極6に供給さ
れ、被描画材料に照射される電子ビームは、データに応
じて偏向される。13は減算器であり、レジスター11
の領域11e,11fにセットされたデータと、レジス
ター12の領域12e,12fにセットされたデータと
の差を求める。14も減算器であり、減算器13の減算
結果とレジスター11の領域11e,11fにセットさ
れているデータとの差を求める。15は比較回路であ
り、減算器14の結果とレジスター16にセットされて
いるずれ基準値との差を求める。比較回路15による比
較結果は、レジスター17にセットされる。18,19
は、遅延回路であり、夫々コンピュータ1と図形処理回
路2からのセット信号を遅延させてレジスター10とレ
ジスター17に供給する。このような構成の動作を次に
説明する。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows an example of an electron beam writing system for carrying out the method according to the invention.
The same parts as those of the conventional system are attached with the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted. In this embodiment, the drawing pattern data from the computer 1 is set in the register 7. In the register 7, the area 7 in which the length (X2, Y2) of each side of the pattern is set in the pattern data.
a, 7b and areas 7c, 7d in which the positions (X1, Y1) of the pattern are set. Reference numeral 8 is a register, and the position data of the pattern set in the areas 7c and 7d of the register 7 is supplied and set. Reference numeral 9 denotes a subtracter, which calculates the difference between the data set in the areas 7c and 7d of the register 7 and the data set in the areas 8a and 8b of the register 8. 10 is a register,
Areas 10a to 10d respectively include the area 7a of the register 7.
The data set in .about.7d is set as it is, and the data of the difference obtained by the subtractor 9 is set in the areas 10e and 10f. The data in register 10 is
It is supplied to the graphic processing circuit 2 and subjected to distortion correction calculation and the like. The drawing data processed by the graphic processing circuit 2 is
The lengths (X2 ', Y2') of the sides of the processed pattern are set in the areas 11a, 11b of the register 11 in the areas 11c, 11b.
The position (X1 ', Y1') of the processed pattern is set in d, and the register 10 is set in the areas 11e and 11f.
The difference data set in e and 10f is set as it is. 12 is also a register, and register 11
The position data (X1, Y1) of the pattern set in the areas 11c and 11d of is set. The data in the regions 11a and 11b of the register 11 is supplied to the deflection electrode 5 via the amplifier 3, and the regions 11e and 11 of the register 11 are supplied.
The data of f is supplied to the deflection electrode 6 via the amplifier 4, and the electron beam with which the material to be drawn is irradiated is deflected according to the data. 13 is a subtractor, which is a register 11
The difference between the data set in the areas 11e and 11f of the above and the data set in the areas 12e and 12f of the register 12 is obtained. Reference numeral 14 is also a subtractor, and finds the difference between the subtraction result of the subtractor 13 and the data set in the areas 11e and 11f of the register 11. Reference numeral 15 is a comparison circuit, which calculates the difference between the result of the subtracter 14 and the deviation reference value set in the register 16. The comparison result of the comparison circuit 15 is set in the register 17. 18, 19
Is a delay circuit, which delays the set signals from the computer 1 and the graphic processing circuit 2 and supplies them to the register 10 and the register 17, respectively. The operation of such a configuration will be described below.

【0008】コンピュータ1からの特定パターンのデー
タ、すなわち、パターンの各辺の長さ(X2 ,Y2 )と
パターンの位置(X1 ,Y1 )は、レジスター7の領域
7a〜7dにセットされる。また、初期段階では、レジ
スター8の内部がイニシャルクリアーされる。ここで、
図2に示す任意のパターンnと、nパターンより1つ前
に描画されるパターンmについて説明すると、nのパタ
ーンの描画の際に、nのパターンデータ(X2n,Y2
n),(X1n,Y1n)がコンピュータ1からのセット信
号に基づいてレジスター7にセットされる。この時、レ
ジスター8にはnのパターンの直前に描画されたmのパ
ターンの位置データ(X1m,Y1m)がセットされる。減
算器9は、レジスター7の領域7c,7dにセットされ
たnのパターンの位置データとレジスター8の領域8
a,8bにセットされたmのパターンの位置信号との差
Lx,Lyを求める。この差は、後述するパターンの図
形処理が施される前における両パターンの間の距離であ
る。レジスター7の領域7a〜7dにセットされたデー
タは、遅延回路18によって遅延されたセット信号に基
づき、レジスター10の領域10a〜10dにセットさ
れ、この時、減算器8の演算結果Lx,Lyも領域10
e,10fにセットされる。レジスター10にセットさ
れたデータは、図形処理回路2に供給されて歪補正演算
などの所定の処理が行われる。この処理回路2で処理さ
れたパターンデータは、レジスター11の領域11a〜
11fにセットされる。この時、パターンnのデータ
は、(X2n′,Y2n′),(X1n′,Y1n′)に変化し
ており、また、パターン間の距離Lx,Lyは、レジス
ター10の領域10e,10fにセットされたそのまま
のデータが領域11e,11fにセットされる。ここ
で、レジスター12の領域12a,12bには、直前に
描画されたパターンmの図形処理された後の位置データ
(X1m′,Y1m′)がセットされており、減算器13
は、領域11c,11dにセットされたnのパターンの
位置データと領域12a,12bにセットされたmのパ
ターンの位置データとの差を求める。この求められた値
は、図形処理後におけるnのパターンとmのパターンと
の間の距離Lx′,Ly′を示すことになる。次に、減
算器13の値(Lx′,Ly′)は、減算器14に供給
され、この減算器14において領域11e,11fにセ
ットされた図形処理前のnとmのパターン間距離(L
x,Ly)との差が求められる。この減算器14で求め
られた値は、図形処理前後におけるnとmのパターンの
距離のずれを表している。この減算器14の減算結果
は、比較回路15に供給され、レジスター16にコンピ
ュータ1からセットされている距離のずれの許容値Ls
と比較される。x,y両方向のいずれかのパターン間の
距離のずれが許容値Lsより大きいと、nのパターンの
図形処理結果がエラーとなり、レジスター17に "1"
がセットされる。この場合、レジスター17からコンピ
ュータ1に対し、ずれ検出インターラプト信号が発生さ
れ、コンピュータ1は許容値以上のパターンのずれが発
生したことを知ることになる。このパターンのずれのあ
った材料、あるいは、チップに対しては、その後の各種
処理工程が停止され、無駄な処理が行われない。逆に、
x,y両方向のパターン間の距離のずれが許容値Lsよ
り小さいと、nのパターンの図形処理結果が正しいこと
になり、レジスター17に "0" がセットされる。この
場合、レジスター17からコンピュータ1に対し、ずれ
検出インターラプト信号は発生されない。
Data of a specific pattern from the computer 1, that is, the lengths (X2, Y2) of each side of the pattern and the positions (X1, Y1) of the pattern are set in the areas 7a to 7d of the register 7. Further, in the initial stage, the inside of the register 8 is initially cleared. here,
The arbitrary pattern n shown in FIG. 2 and the pattern m drawn immediately before the n pattern will be described. When the n pattern is drawn, the n pattern data (X2n, Y2
n) and (X1n, Y1n) are set in the register 7 based on the set signal from the computer 1. At this time, the position data (X1m, Y1m) of the m pattern drawn immediately before the n pattern is set in the register 8. The subtractor 9 receives the position data of the n patterns set in the areas 7c and 7d of the register 7 and the area 8 of the register 8.
Differences Lx and Ly from the position signals of the pattern of m set in a and 8b are obtained. This difference is the distance between both patterns before the graphic processing of the patterns described later is performed. The data set in the areas 7a to 7d of the register 7 are set in the areas 10a to 10d of the register 10 based on the set signal delayed by the delay circuit 18, and at this time, the calculation results Lx and Ly of the subtractor 8 are also set. Area 10
e, 10f. The data set in the register 10 is supplied to the graphic processing circuit 2 and subjected to predetermined processing such as distortion correction calculation. The pattern data processed by the processing circuit 2 is stored in the area 11a-
It is set to 11f. At this time, the data of the pattern n has changed to (X2n ', Y2n'), (X1n ', Y1n'), and the distances Lx, Ly between the patterns are set in the areas 10e, 10f of the register 10. The data thus processed is set in the areas 11e and 11f. Here, the position data (X1m ', Y1m') after the graphic processing of the pattern m drawn immediately before is set in the areas 12a and 12b of the register 12, and the subtracter 13
Calculates the difference between the position data of the n patterns set in the areas 11c and 11d and the position data of the m patterns set in the areas 12a and 12b. The obtained values indicate the distances Lx 'and Ly' between the pattern of n and the pattern of m after graphic processing. Next, the values (Lx ', Ly') of the subtractor 13 are supplied to the subtractor 14, and the distances (L) between the patterns n and m before graphic processing set in the regions 11e and 11f in the subtractor 14 are set.
x, Ly) is obtained. The value obtained by the subtracter 14 represents the distance difference between the n and m patterns before and after the graphic processing. The subtraction result of the subtractor 14 is supplied to the comparison circuit 15, and the allowable value Ls of the distance deviation set in the register 16 from the computer 1 is set.
Compared to. If the deviation of the distance between the patterns in both the x and y directions is larger than the allowable value Ls, the graphic processing result of the n pattern becomes an error and "1" is stored in the register 17.
Is set. In this case, a shift detection interrupt signal is generated from the register 17 to the computer 1, and the computer 1 knows that the shift of the pattern exceeding the allowable value has occurred. With respect to the material or the chip having the pattern deviation, various processing steps thereafter are stopped and unnecessary processing is not performed. vice versa,
When the deviation of the distance between the patterns in both the x and y directions is smaller than the allowable value Ls, the graphic processing result of the n pattern is correct, and "0" is set in the register 17. In this case, the shift detection interrupt signal is not generated from the register 17 to the computer 1.

【0009】以上本発明の一実施例を詳述したが、本発
明はこの実施例に限定されない。例えば、レジスター8
に、直前に描画されたパターンの位置データをセット
し、描画パターンと直前に描画されたパターンとの間の
距離を求めるようにしたが、レジスター8に一定位置、
例えば、座標原点である "0" を常にセットし、レジス
ター12の値も同じく "0" として、各描画パターンの
位置の変化を座標原点からの距離で監視するようにして
も良い。しかし、この場合、隣り合ったパターン間の距
離に比し、座標原点からの各パターンまでの距離が長く
なるので、距離データのビット長が著しく長くなり、各
減算器での演算時間が長くなったり、ビットが長いため
に処理回路でのエラーの発生の確率が高くなる。また、
レジスター16にセットされるずれ許容値を一定とせ
ず、描画領域に応じて変化させることは有効である。す
なわち、図3に示すように、描画領域を数ブロックS
a,Sb,Sc,Snに分け、夫々のブロック毎にずれ
の許容値を定めることは有効である。この理由は、材料
の描画位置に応じて図形処理回路2で行う補正演算の補
正値が相違するためである。この場合、描画データの
内、位置データをアドレスとして予め複数の許容値が記
憶されたメモリーから対応する許容値を読みだし、レジ
スター16にセットすれば良い。更に、上記した実施例
では、歪補正演算を行う場合を例に説明したが、図形分
割処理が入る場合に、例えば、図4に示すように、直前
に描画されたパターンmが9個に分割されている場合、
実質的に、パターンmとパターンnとの間に新たなパタ
ーンが挿入されたと同じ形になる。この結果、パターン
nの図形処理後のパターンのずれを求めるには、パター
ンmの分割された最後の細分化パターンm(9)の位置
(Pm9)とパターンnの位置との差を求める必要があ
る。そのためには、図形処理回路2内の図形分割回路の
次段に、図1に示したレジスター7,8,10,減算器
9,遅延回路18より成る構成を付加すれば良い。な
お、上記実施例は電子ビーム描画を例に説明したが、イ
オンビーム描画にも本発明を適用することができる。
Although one embodiment of the present invention has been described in detail above, the present invention is not limited to this embodiment. For example, register 8
, The position data of the pattern drawn immediately before is set, and the distance between the drawing pattern and the pattern drawn immediately before is obtained.
For example, the coordinate origin "0" may always be set, and the value of the register 12 may also be set to "0" so that the change in the position of each drawing pattern is monitored by the distance from the coordinate origin. However, in this case, since the distance from the coordinate origin to each pattern is longer than the distance between adjacent patterns, the bit length of the distance data becomes significantly long, and the calculation time in each subtractor becomes long. In addition, the probability of error occurrence in the processing circuit increases due to the long bits. Also,
It is effective to change the allowable deviation value set in the register 16 in accordance with the drawing area instead of making it constant. That is, as shown in FIG.
It is effective to divide into a, Sb, Sc, and Sn, and to set the deviation allowable value for each block. This is because the correction value of the correction calculation performed by the graphic processing circuit 2 differs depending on the drawing position of the material. In this case, among the drawing data, the corresponding allowable value may be read from the memory in which a plurality of allowable values are stored in advance using the position data as an address and set in the register 16. Furthermore, in the above-described embodiment, the case where the distortion correction calculation is performed has been described as an example. However, when the figure division processing is performed, for example, as shown in FIG. 4, the pattern m drawn immediately before is divided into nine pieces. If yes,
Substantially the same shape as when a new pattern is inserted between the pattern m and the pattern n. As a result, in order to obtain the pattern shift of the pattern n after the graphic processing, it is necessary to obtain the difference between the position (Pm9) of the last subdivided pattern m (9) of the pattern m and the position of the pattern n. is there. For that purpose, the configuration including the registers 7, 8, and 10, the subtractor 9, and the delay circuit 18 shown in FIG. 1 may be added to the next stage of the graphic division circuit in the graphic processing circuit 2. Although the above embodiment has been described by taking the electron beam writing as an example, the present invention can be applied to the ion beam writing.

【0010】[0010]

【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づく荷
電粒子ビーム描画におけるパターンずれチェック方法
は、図形処理の前に描画パターンデータから描画パター
ンの位置を求め、次に、図形処理の後の描画パターンデ
ータから描画パターンの位置を求め、求めた2種の差に
基づいてパターンのずれのチェックを行い、また、初期
描画パターンデータから、描画すべきパターンと、その
直前に描画した描画パターンとの間の距離を求め、次
に、該距離を求めたパターンデータであって、図形処理
後のデータについて、描画すべきパターンとその直前に
描画した描画パターンとの間の距離を求め、該求めた2
種の距離の差に基づいてパターンのずれのチェックを行
うようにしたので、描画中にリアルタイムでパターンの
位置ずれの発生を早期に、また、確実に発見することが
できる。
As described above, the pattern deviation checking method in charged particle beam drawing based on the present invention obtains the position of the drawing pattern from the drawing pattern data before the graphic processing, and then performs the pattern processing after the graphic processing. The position of the drawing pattern is obtained from the drawing pattern data, and the deviation of the pattern is checked based on the obtained two types of difference. Further, from the initial drawing pattern data, the pattern to be drawn and the drawing pattern drawn immediately before that are drawn. Then, the distance between the pattern data to be drawn and the drawing pattern drawn immediately before is calculated for the pattern data for which the distance is calculated. 2
Since the pattern shift is checked based on the difference in the seed distances, it is possible to detect the occurrence of the pattern shift in real time early and surely during drawing.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に基づく方法を実施するための電子ビー
ム描画システムの一例を示す図である。
FIG. 1 shows an example of an electron beam writing system for carrying out the method according to the invention.

【図2】連続して描画される2つのパターンを示す図で
ある。
FIG. 2 is a diagram showing two patterns that are continuously drawn.

【図3】ずれ許容値を変化させる実施例を説明するため
の図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining an example in which a deviation allowable value is changed.

【図4】図形分割処理を行う場合の実施例を説明するた
めの図である。
FIG. 4 is a diagram for explaining an embodiment in the case of performing graphic division processing.

【図5】電子ビーム描画システムの概念図である。FIG. 5 is a conceptual diagram of an electron beam writing system.

【図6】描画パターンを示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a drawing pattern.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…コンピュータ 2…図形処理回路 3,4…増幅器 5,6…偏向電極 7,8,10,11,12,16,17…レジスター 9,13,14…減算器 15…比較回路 18,19…遅延回路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Computer 2 ... Graphic processing circuit 3, 4 ... Amplifier 5,6 ... Deflection electrode 7,8,10,11,12,16,17 ... Register 9,13,14 ... Subtractor 15 ... Comparison circuit 18,19 ... Delay circuit

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 初期描画パターンデータを歪補正処理な
どの図形処理を行い、処理後のデータに基づいて被描画
材料へのパターン描画を行うようにした荷電粒子ビーム
描画方法において、図形処理の前に描画パターンデータ
から描画パターンの位置を求め、次に、図形処理の後の
描画パターンデータから描画パターンの位置を求め、求
めた2種の差に基づいてパターンのずれのチェックを行
うようにした荷電粒子ビーム描画におけるパターンずれ
チェック方法。
1. A charged particle beam drawing method in which initial drawing pattern data is subjected to graphic processing such as distortion correction processing, and a pattern is drawn on a drawing material based on the processed data. Then, the position of the drawing pattern is obtained from the drawing pattern data, then the position of the drawing pattern is obtained from the drawing pattern data after the graphic processing, and the deviation of the pattern is checked based on the obtained difference between the two types. A method for checking pattern deviation in charged particle beam writing.
【請求項2】 初期描画パターンデータを歪補正処理な
どの図形処理を行い、処理後のデータに基づいて被描画
材料へのパターン描画を行うようにした荷電粒子ビーム
描画方法において、初期描画パターンデータから、描画
すべきパターンと、その直前に描画した描画パターンと
の間の距離を求め、次に、該距離を求めたパターンデー
タであって、図形処理後のデータについて、描画すべき
パターンとその直前に描画した描画パターンとの間の距
離を求め、該求めた2種の距離の差に基づいてパターン
のずれのチェックを行うようにした荷電粒子ビーム描画
におけるパターンずれチェック方法。
2. A charged particle beam drawing method, wherein initial drawing pattern data is subjected to graphic processing such as distortion correction processing, and a pattern is drawn on a drawing material based on the processed data. Then, the distance between the pattern to be drawn and the drawing pattern drawn immediately before that is obtained, and then the pattern data for which the distance is obtained, which is the pattern data to be drawn and its A pattern deviation checking method in charged particle beam drawing, wherein a distance from a drawing pattern drawn immediately before is obtained, and the pattern deviation is checked based on the obtained difference between the two types of distances.
JP26174791A 1991-10-09 1991-10-09 Dislocation checking mehtod of pattern in charged particle beam lithography Withdrawn JPH05102017A (en)

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