JPH0481286B2 - - Google Patents
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- JPH0481286B2 JPH0481286B2 JP58247686A JP24768683A JPH0481286B2 JP H0481286 B2 JPH0481286 B2 JP H0481286B2 JP 58247686 A JP58247686 A JP 58247686A JP 24768683 A JP24768683 A JP 24768683A JP H0481286 B2 JPH0481286 B2 JP H0481286B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
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- H10N60/0184—Manufacture or treatment of devices comprising intermetallic compounds of type A-15, e.g. Nb3Sn
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- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、Cu−Nb又はCu−Ｖを主成分とする
超電導部材の製造方法に係り、特に良好な均一性
及び成形性を有する超電導部材の製造方法に関す
る。
超電導部材の製造方法に係り、特に良好な均一性
及び成形性を有する超電導部材の製造方法に関す
る。
Nb3SnあるいはV3Gaなどの化合物からなる超
電導線は、高磁界下で大きな臨界電流密度を有す
るので高磁界を発生する超電導マグネツト用の線
材として用いられている。
電導線は、高磁界下で大きな臨界電流密度を有す
るので高磁界を発生する超電導マグネツト用の線
材として用いられている。
従来、これら超電導線は、主としてブロンズ法
で製造されているが、この製造方法では工程が煩
雑なうえ、歪に対して超電導特性の劣化が著しい
等の欠点がある。近年、これらの欠点を克服する
線材として、Cu基に不連続繊維を形成した超電
導線、いわゆるインサイチユー超電導線が開発さ
れつつある。このインサイチユー超電導線の特徴
は、Cu母材中に極細なNb3SnあるいはV3Gaフイ
ラメントを不連続に分散させていることである。
で製造されているが、この製造方法では工程が煩
雑なうえ、歪に対して超電導特性の劣化が著しい
等の欠点がある。近年、これらの欠点を克服する
線材として、Cu基に不連続繊維を形成した超電
導線、いわゆるインサイチユー超電導線が開発さ
れつつある。このインサイチユー超電導線の特徴
は、Cu母材中に極細なNb3SnあるいはV3Gaフイ
ラメントを不連続に分散させていることである。
Nb3Sn線材を例に、この種の線材の基本的な製
造方法を次に説明する。
造方法を次に説明する。
Nbが重量比で15〜50wt％となるようにCu−
Nb原料を配合し、真空あるいは不活性ガス雰囲
気中で溶解鋳造しCu−Nb超電導部材を作る。こ
のCu−Nb超電導部材はNbがCu基中にほとんど
固溶しないので、NbがCu中に樹枝状に析出した
組織となる。次に、このCu−Nb超電導部材を減
面加工により長尺線化すると、Nb樹枝状析出物
は引伸ばされ、不連続な繊維状としてCu母材中
に分散された構造となる。次いで伸線の表面に
Snメツキを施した後、500〜750℃の温度で拡散
熱処理を行うと、SnはCu基中に拡散して、Nbと
反応してNb3Sn化合物が形成される。
Nb原料を配合し、真空あるいは不活性ガス雰囲
気中で溶解鋳造しCu−Nb超電導部材を作る。こ
のCu−Nb超電導部材はNbがCu基中にほとんど
固溶しないので、NbがCu中に樹枝状に析出した
組織となる。次に、このCu−Nb超電導部材を減
面加工により長尺線化すると、Nb樹枝状析出物
は引伸ばされ、不連続な繊維状としてCu母材中
に分散された構造となる。次いで伸線の表面に
Snメツキを施した後、500〜750℃の温度で拡散
熱処理を行うと、SnはCu基中に拡散して、Nbと
反応してNb3Sn化合物が形成される。
しかし、この方法では、Cu−Nb超電導部材の
Nb樹枝状晶の形状、大きさが溶解鋳造時の冷却
速度に敏感であるため、長さ方向及び径方向で均
一性の良好なインゴツトを製造するのが難かし
い。Cu−Nb超電導部材のNb樹枝状組織が不均
一であると、最終的な超電導線の臨界電流密度特
性が長さ方向で不均一になるので好ましくない。
Nb樹枝状晶の形状、大きさが溶解鋳造時の冷却
速度に敏感であるため、長さ方向及び径方向で均
一性の良好なインゴツトを製造するのが難かし
い。Cu−Nb超電導部材のNb樹枝状組織が不均
一であると、最終的な超電導線の臨界電流密度特
性が長さ方向で不均一になるので好ましくない。
また、一般には、インゴツトは減面加工に先立
つて表面を皮むき、および上下端部を切り捨てる
ため、歩留りが非常に悪くなるという欠点があ
る。
つて表面を皮むき、および上下端部を切り捨てる
ため、歩留りが非常に悪くなるという欠点があ
る。
上述のようなCu−Nb超電導部材の不均一性を
解決する方法として、CuとNbの粉末を使用する
方法がある。
解決する方法として、CuとNbの粉末を使用する
方法がある。
この方法を次に説明する。
まず、Cu粉末とNb粉末を配合し圧縮成形した
後焼成してCu−Nb超電導部材を作る。このCu−
Nb超電導部材を減面加工により長尺線化し、表
面にSnメツキを施した後、拡散熱処理をすると
Nb3Sn超電導線が得られる。
後焼成してCu−Nb超電導部材を作る。このCu−
Nb超電導部材を減面加工により長尺線化し、表
面にSnメツキを施した後、拡散熱処理をすると
Nb3Sn超電導線が得られる。
この方法では、使用する原料粉末の粒径を調整
し、Cu及びNb両粉末を十分に攪拌混合すれば、
ほぼ均一なCu−Nb超電導部材を得ることができ
る。
し、Cu及びNb両粉末を十分に攪拌混合すれば、
ほぼ均一なCu−Nb超電導部材を得ることができ
る。
しかしながら、この従来方法の最大の欠点は、
Nbが活性のため、Nb原料粉末が酸素に汚染され
やすいことに起因する。一般に市販されている
Nb原料粉末では、酸素濃度が0.1〜0.5wt％と高
く、このNb原料粉末をそのままCu粉末に混合
し、成形−焼成してインゴツトを作成し、次いで
このインゴツトを伸線化する際に減面加工性が阻
害され、長尺線化が困難となる。これはCu基に
分散するNb粒子が酸素に汚染されているために
脆化し、インゴツトを伸線化する際に、Nb粒子
が塑性変形を起し難いのでNb粒子を起点として
応力集中が生じて割れ発生の原因となるからであ
る。一方、このように酸素に汚染されたNb粒子
がCu基中に分散したCu−Nb超電導部材では、所
望の超電導特性が得られないという問題点を有し
ていた。
Nbが活性のため、Nb原料粉末が酸素に汚染され
やすいことに起因する。一般に市販されている
Nb原料粉末では、酸素濃度が0.1〜0.5wt％と高
く、このNb原料粉末をそのままCu粉末に混合
し、成形−焼成してインゴツトを作成し、次いで
このインゴツトを伸線化する際に減面加工性が阻
害され、長尺線化が困難となる。これはCu基に
分散するNb粒子が酸素に汚染されているために
脆化し、インゴツトを伸線化する際に、Nb粒子
が塑性変形を起し難いのでNb粒子を起点として
応力集中が生じて割れ発生の原因となるからであ
る。一方、このように酸素に汚染されたNb粒子
がCu基中に分散したCu−Nb超電導部材では、所
望の超電導特性が得られないという問題点を有し
ていた。
したがつて、従来の方法では、原料粉末に還元
処理等の前処理を施す必要があるため、製造工程
が複雑化すると共に、Cu基中にNb粒子を均一に
分散させた焼結体を得るには二種類の原料粉末を
十分に攪拌混合する必要があるため、さらに製造
工程が複雑化するという問題点を有していた。
処理等の前処理を施す必要があるため、製造工程
が複雑化すると共に、Cu基中にNb粒子を均一に
分散させた焼結体を得るには二種類の原料粉末を
十分に攪拌混合する必要があるため、さらに製造
工程が複雑化するという問題点を有していた。
以上、Nb3Sn超電導線を例として従来方法を説
明したが、V3Ga超電導線においても状況は類似
している。
明したが、V3Ga超電導線においても状況は類似
している。
本発明の目的は、Cu基中に分散させるNb粒子
の酸素汚染が防止され且つ均一に分散され、減面
加工性の優れ且つ超電導特性の優れたCu−Nb又
はCu−Ｖを主成分とする超電導部材の製造方法
を提供するにある。
の酸素汚染が防止され且つ均一に分散され、減面
加工性の優れ且つ超電導特性の優れたCu−Nb又
はCu−Ｖを主成分とする超電導部材の製造方法
を提供するにある。
本発明に係る超電導部材の製造方法は、所定の
割合で配合したCu−Nb又はCu−Ｖを主成分とす
る原料を真空などの不活性雰囲気で溶解して溶湯
とする工程と、前記溶湯を回転する円板上に滴下
することにより飛散させて微細化し不活性ガスと
接触させて冷却することにより急速凝固してCu
−Nb又はCu−Ｖを主成分とする一体化粉粒体を
製造する工程と前記一体化粉粒体を所定の形状に
圧縮成形する工程と、前記圧縮成形を焼結する工
程とからなることを特徴としている。
割合で配合したCu−Nb又はCu−Ｖを主成分とす
る原料を真空などの不活性雰囲気で溶解して溶湯
とする工程と、前記溶湯を回転する円板上に滴下
することにより飛散させて微細化し不活性ガスと
接触させて冷却することにより急速凝固してCu
−Nb又はCu−Ｖを主成分とする一体化粉粒体を
製造する工程と前記一体化粉粒体を所定の形状に
圧縮成形する工程と、前記圧縮成形を焼結する工
程とからなることを特徴としている。
特に本発明の要旨とするところは、所定の割合
のCu−Nb又はCu−Ｖを主成分とする原料を真空
などの不活性雰囲気で溶解した溶湯を回転する円
板上に滴下することにより飛散させて微細化し不
活性ガスと接触させて冷却することにより急速凝
固してCu基中にNb又はＶを均一に分散させた一
体粉粒体を酸素に汚染されることなく製造すると
ころにある。このようなCu−Nb又はCu−Ｖの一
体粉粒体を原料粉末として圧縮成形−焼結するこ
とによつて、均一にCu基にNb又はＶを分散させ
た超電導部材を得ることができる。
のCu−Nb又はCu−Ｖを主成分とする原料を真空
などの不活性雰囲気で溶解した溶湯を回転する円
板上に滴下することにより飛散させて微細化し不
活性ガスと接触させて冷却することにより急速凝
固してCu基中にNb又はＶを均一に分散させた一
体粉粒体を酸素に汚染されることなく製造すると
ころにある。このようなCu−Nb又はCu−Ｖの一
体粉粒体を原料粉末として圧縮成形−焼結するこ
とによつて、均一にCu基にNb又はＶを分散させ
た超電導部材を得ることができる。
次に、本発明を各工程順に図に基づいて詳細に
説明する。第１図は本発明の実施例を示す工程ブ
ロツク図である。原料体はCu−Nb又はCu−Ｖを
所定の割合で配合して真空溶解に供される。
説明する。第１図は本発明の実施例を示す工程ブ
ロツク図である。原料体はCu−Nb又はCu−Ｖを
所定の割合で配合して真空溶解に供される。
原料体はその形状に特に限定されるものでな
く、塊状、粉末いずれも可能である。配合の組成
は、従来方法と同様にCuに対してNbあるいはＶ
が重量比で15〜50wt％の範囲が望ましい。また、
超電導特性の向上のためには、原料体中にTi，
Ta，Zr，Hf，Al，Mg等を数％程度の範囲で添
加すると効果があるとされている。
く、塊状、粉末いずれも可能である。配合の組成
は、従来方法と同様にCuに対してNbあるいはＶ
が重量比で15〜50wt％の範囲が望ましい。また、
超電導特性の向上のためには、原料体中にTi，
Ta，Zr，Hf，Al，Mg等を数％程度の範囲で添
加すると効果があるとされている。
原料体の溶解には、配合組成により異なるが
1400〜1800℃の温度を必要とする。特に酸化防止
のためには真空あるいはAr，N2，Heなどの不活
性ガス雰囲気といつた不活性雰囲気の中で溶解す
るのが望ましい。
1400〜1800℃の温度を必要とする。特に酸化防止
のためには真空あるいはAr，N2，Heなどの不活
性ガス雰囲気といつた不活性雰囲気の中で溶解す
るのが望ましい。
急速凝固による一体化粉粒体は例えば次のよう
にして製造される。
にして製造される。
第２図は、本発明を実施するに用いられる製造
装置の一例を示す概略図である。所定の割合で配
合した原料体を溶解用ルツボ１に入れ、高周波加
熱コイル２により溶解し溶湯３とする。次いで、
溶解用ルツボ１を傾けて、溶湯３をノズル４を介
して超高速で回転している超高速回転円板５上に
滴下する。滴下された溶湯は遠心力で飛ばされて
微細粒となる。この時、噴出口６から冷却ガスが
供給され微細粒はこの冷却ガスによつて冷却され
凝固して粉粒体が製造される。なお、７は粉粒体
取出口、８は真空タンク、９は回転モータであ
る。製造される粉粒体は球状を呈しており、その
粒径は溶湯の温度が高いほど、または回転円板５
の回転速度が大きいほど微細なものとなることが
わかつた。例えば、配合組成がCu−30wt％Nb、
溶湯温度が1650℃、回転円板の回転速度が25000
回転／分の時に製造された一体化粉粒体の平均粒
径は75μm、回転速度が10000回転／分の時には
135μmとなる。このようにして得られた粉粒体断
面を光学顕微鏡により観察すると、Cu母材中に
Nbの微細な樹枝状析出物が分散している。また、
一体化粉粒体の酸素濃度を分析したところ、酸素
量は50〜100ppmを示し、市販のNb粉末にくらべ
非常に小さい値であつた。
装置の一例を示す概略図である。所定の割合で配
合した原料体を溶解用ルツボ１に入れ、高周波加
熱コイル２により溶解し溶湯３とする。次いで、
溶解用ルツボ１を傾けて、溶湯３をノズル４を介
して超高速で回転している超高速回転円板５上に
滴下する。滴下された溶湯は遠心力で飛ばされて
微細粒となる。この時、噴出口６から冷却ガスが
供給され微細粒はこの冷却ガスによつて冷却され
凝固して粉粒体が製造される。なお、７は粉粒体
取出口、８は真空タンク、９は回転モータであ
る。製造される粉粒体は球状を呈しており、その
粒径は溶湯の温度が高いほど、または回転円板５
の回転速度が大きいほど微細なものとなることが
わかつた。例えば、配合組成がCu−30wt％Nb、
溶湯温度が1650℃、回転円板の回転速度が25000
回転／分の時に製造された一体化粉粒体の平均粒
径は75μm、回転速度が10000回転／分の時には
135μmとなる。このようにして得られた粉粒体断
面を光学顕微鏡により観察すると、Cu母材中に
Nbの微細な樹枝状析出物が分散している。また、
一体化粉粒体の酸素濃度を分析したところ、酸素
量は50〜100ppmを示し、市販のNb粉末にくらべ
非常に小さい値であつた。
次に、Cu−Nb又はCu−Ｖの一体化粉粒体を所
定の形状に圧縮成形した後、焼結してインゴツト
を製造する。この圧縮成形および焼結法は従来か
ら一般に行われている方法を採用することができ
る。緻密な超電導部材を得るには、高温静圧処理
いわゆるHIP処理を行うのが効果的である。
定の形状に圧縮成形した後、焼結してインゴツト
を製造する。この圧縮成形および焼結法は従来か
ら一般に行われている方法を採用することができ
る。緻密な超電導部材を得るには、高温静圧処理
いわゆるHIP処理を行うのが効果的である。
以下、本発明の実施例を説明する。
＜実施例１＞
塊状の無酸素Cuを700grとNbの薄板300grを、
第２図に示した粉粒体の製造装置のルツボ内にセ
ツトし、真空雰囲気で溶解した。溶湯を1650℃に
保ち、Heガスを導入してHeガス雰囲気とした
後、回転円板を20000回転／分にし、噴出口から
Heガスを噴出させた状態で、ルツボを傾けて溶
湯をノズルから回転円板上に滴下させ、Cu−Nb
の一体化粉粒体を製造した。
第２図に示した粉粒体の製造装置のルツボ内にセ
ツトし、真空雰囲気で溶解した。溶湯を1650℃に
保ち、Heガスを導入してHeガス雰囲気とした
後、回転円板を20000回転／分にし、噴出口から
Heガスを噴出させた状態で、ルツボを傾けて溶
湯をノズルから回転円板上に滴下させ、Cu−Nb
の一体化粉粒体を製造した。
ついで、粉粒体をふるいを用いて75μm〜
125μmの範囲の粒径のものを750gr得た。この一
体化粉粒体をプレスにより直径４cm、長さ６cmの
円柱体に成形した後、真空雰囲気中で900℃の温
度で５時間焼結して、本発明によるCu−Nb超電
導部材を作製した。
125μmの範囲の粒径のものを750gr得た。この一
体化粉粒体をプレスにより直径４cm、長さ６cmの
円柱体に成形した後、真空雰囲気中で900℃の温
度で５時間焼結して、本発明によるCu−Nb超電
導部材を作製した。
ついで、溝ロールにより直径５mmまで加工した
後、ダイスによつて直径0.25mmまで伸線加工を行
つた。この間、一度の断線もなく加工性は非常に
良好であることが確認できた。得られた長尺線の
長さは、約1.4Kmであつた。この長尺線に約10μm
厚さのSnメツキを施し、真空雰囲気中で450℃、
５時間の前熱処理を行つた後、600℃で48時間の
拡散熱処理を行い、Nb3Sn超電導線を得た。得ら
れた超電導線から約100m間隔で約20cm長さの試
料を合計14本切り取り、4.2Kの温度、10テスラ
の磁界中において臨界電流の測定を行つた。その
結果、臨界電流はいずれの試料も53A±5Aの範
囲にあり、非常に均一性の良好なことが確認でき
た。
後、ダイスによつて直径0.25mmまで伸線加工を行
つた。この間、一度の断線もなく加工性は非常に
良好であることが確認できた。得られた長尺線の
長さは、約1.4Kmであつた。この長尺線に約10μm
厚さのSnメツキを施し、真空雰囲気中で450℃、
５時間の前熱処理を行つた後、600℃で48時間の
拡散熱処理を行い、Nb3Sn超電導線を得た。得ら
れた超電導線から約100m間隔で約20cm長さの試
料を合計14本切り取り、4.2Kの温度、10テスラ
の磁界中において臨界電流の測定を行つた。その
結果、臨界電流はいずれの試料も53A±5Aの範
囲にあり、非常に均一性の良好なことが確認でき
た。
＜実施例２＞
塊状の無酸素Cuを700grと塊状のＶを300gとを
用い、実施例１と同様の方法にてCu−30wt％Ｖ
粉粒体を製造した。この時、溶湯の温度を1700
℃、回転円板の回転速度を15000回転／分とした。
得られた粉粒体をふるいわけして、粒径が100〜
150μm直径の一体化粉粒体700grを得た。ついで
この粉粒体をプレスして直径４cm、長さ５cmの円
柱体に成形し、真空雰囲気で900℃、５時間焼結
して、本発明によるCu−Ｖ超電導部材を得た。
用い、実施例１と同様の方法にてCu−30wt％Ｖ
粉粒体を製造した。この時、溶湯の温度を1700
℃、回転円板の回転速度を15000回転／分とした。
得られた粉粒体をふるいわけして、粒径が100〜
150μm直径の一体化粉粒体700grを得た。ついで
この粉粒体をプレスして直径４cm、長さ５cmの円
柱体に成形し、真空雰囲気で900℃、５時間焼結
して、本発明によるCu−Ｖ超電導部材を得た。
ついで、溝ロールにより５cm直径まで加工し、
さらにダイス伸線で2.6mm直径まで伸線加工した。
ついで、圧延ロールにより幅5.1mm、厚み0.1mmの
テープに圧延加工を行つた。いずれの加工性も良
好で、150m長さの長尺テープが得られた。この
長尺テープを450℃の溶融Ga浴を通してGaを付
着させた後、550℃で48時間の拡散熱処理を行つ
てV3Ga超電導テープを作製した。V3Ga超電導
テープから10m間隔で約20cm長さの試料を15本切
り取り、4.2Kの温度、10テスラの磁界中での臨
界電流の測定を行つた結果、臨界電流はいずれの
試料も670A±32Aの範囲にあり、非常に均一性
が良好であることが確認できた。
さらにダイス伸線で2.6mm直径まで伸線加工した。
ついで、圧延ロールにより幅5.1mm、厚み0.1mmの
テープに圧延加工を行つた。いずれの加工性も良
好で、150m長さの長尺テープが得られた。この
長尺テープを450℃の溶融Ga浴を通してGaを付
着させた後、550℃で48時間の拡散熱処理を行つ
てV3Ga超電導テープを作製した。V3Ga超電導
テープから10m間隔で約20cm長さの試料を15本切
り取り、4.2Kの温度、10テスラの磁界中での臨
界電流の測定を行つた結果、臨界電流はいずれの
試料も670A±32Aの範囲にあり、非常に均一性
が良好であることが確認できた。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る
超電導部材の製造方法によれば、所定の割合で配
合したCuとNb等を主成分とする原料を不活性雰
囲気で溶解して溶湯とし、この溶湯を回転する円
板上に滴下することにより飛散させて微細化し不
活性ガスと接触させて冷却することにより急速凝
固してCuとNb等を主成分とする一体化粉粒体を
製造するようにしたので、超電導部材のCu基中
に分散するNb粒子の酸素汚染を完全に防止する
ことができ、しかもCu基中にNb粒子を均一に分
散させることができ、減面加工性の優れ且つ超電
導性の優れたCu−Nb又はCu−Ｖ超電導部材を提
供できるという顕著な効果を有する。さらに、原
料粉末の前処理工程および攪拌混合工程などの複
雑な工程を省略することができると同時に原料粉
末の歩留りが向上し、製造原価を著しく低減でき
るという利点を兼ね備えている。
超電導部材の製造方法によれば、所定の割合で配
合したCuとNb等を主成分とする原料を不活性雰
囲気で溶解して溶湯とし、この溶湯を回転する円
板上に滴下することにより飛散させて微細化し不
活性ガスと接触させて冷却することにより急速凝
固してCuとNb等を主成分とする一体化粉粒体を
製造するようにしたので、超電導部材のCu基中
に分散するNb粒子の酸素汚染を完全に防止する
ことができ、しかもCu基中にNb粒子を均一に分
散させることができ、減面加工性の優れ且つ超電
導性の優れたCu−Nb又はCu−Ｖ超電導部材を提
供できるという顕著な効果を有する。さらに、原
料粉末の前処理工程および攪拌混合工程などの複
雑な工程を省略することができると同時に原料粉
末の歩留りが向上し、製造原価を著しく低減でき
るという利点を兼ね備えている。
第１図は本発明の実施例を示す工程ブロツク
図、第２図はCu−Nb又はCu−Ｖを主成分とする
一体化粉粒体の製造装置の一例を示す概略図であ
る。 １……溶解用ルツボ、２……高周波加熱コイ
ル、３……溶湯、４……ノズル、５……回転円
板、６……噴出口。
図、第２図はCu−Nb又はCu−Ｖを主成分とする
一体化粉粒体の製造装置の一例を示す概略図であ
る。 １……溶解用ルツボ、２……高周波加熱コイ
ル、３……溶湯、４……ノズル、５……回転円
板、６……噴出口。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 相互に固溶しないCuとNb又はCuとＶを主成
分とする超電導部材を製造する方法において、所
定の割合で配合したCuとNb又はCuとＶを主成分
とする原料を不活性雰囲気で溶解して溶湯とする
工程と、前記溶湯を回転する円板上に滴下するこ
とにより飛散させて微細化し不活性ガスと接触さ
せて冷却することにより急速凝固してCuとNb又
はCuとＶを主成分とする一体化粉粒体を製造す
る工程と、前記一体化粉粒体を所定の形状に圧縮
成形する工程と、前記圧縮成形体を焼結する工程
とを含むことを特徴とする超電導部材の製造方
法。 ２ 特許請求の範囲第１項において、圧縮成形体
を焼結した焼結体を伸線し、次いでSnメツキを
施して拡散処理することを特徴とする超電導部材
の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58247686A JPS60143512A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 超電導部材の製造方法 |
| DE8484309132T DE3481490D1 (de) | 1983-12-29 | 1984-12-28 | Verfahren zur herstellung von supraleitermaterial. |
| EP84309132A EP0148032B1 (en) | 1983-12-29 | 1984-12-28 | Method of producing material for a superconductor |
| US06/687,914 US4560404A (en) | 1983-12-29 | 1984-12-31 | Method of producing material for superconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58247686A JPS60143512A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 超電導部材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60143512A JPS60143512A (ja) | 1985-07-29 |
| JPH0481286B2 true JPH0481286B2 (ja) | 1992-12-22 |
Family
ID=17167134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58247686A Granted JPS60143512A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 超電導部材の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4560404A (ja) |
| EP (1) | EP0148032B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60143512A (ja) |
| DE (1) | DE3481490D1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH072978B2 (ja) * | 1985-05-20 | 1995-01-18 | 株式会社神戸製鋼所 | 粉末冶金法による高性能化合物超電導材料の製法 |
| UA85690C2 (ru) * | 2003-11-07 | 2009-02-25 | Басф Акциенгезелльшафт | Смесь для применения в сельском хозяйстве, содержащая стробилурин и модулятор этилена, способ обработки и борьбы с инфекциями в бобовых культурах |
| NZ585882A (en) * | 2007-12-21 | 2012-05-25 | Basf Se | Method of increasing the milk and/or meat quantity of animals fed with silage from strobilurin treated plants |
| NZ619034A (en) | 2013-12-16 | 2015-03-27 | Eddy Current Ltd Partnership | An assembly to control relative speed of movement between parts |
| CN111069617B (zh) * | 2019-12-23 | 2022-10-14 | 安徽恒利增材制造科技有限公司 | 一种制备3d打印用金属粉末的离心雾化机 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB510320A (en) * | 1938-01-26 | 1939-07-26 | Degussa | Process for the granulation of metals, alloys and other fusible materials |
| US3290186A (en) * | 1963-05-20 | 1966-12-06 | Rca Corp | Superconducting materials and method of making them |
| US3407049A (en) * | 1965-05-17 | 1968-10-22 | Union Carbide Corp | Superconducting articles and method of manufacture |
| NL6618394A (ja) * | 1966-12-30 | 1968-07-01 | ||
| US4127158A (en) * | 1973-10-15 | 1978-11-28 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Process for preparing hollow metallic bodies |
| DE2360129A1 (de) * | 1973-12-03 | 1975-06-12 | Battelle Institut E V | Verfahren zur pulvermetallurgischen herstellung duktiler, supraleitender legierungen auf der basis von metallen mit hoher leitfaehigkeit fuer elektrizitaet und waerme |
| DE2516747A1 (de) * | 1975-04-16 | 1976-10-28 | Battelle Institut E V | Verfahren zur herstellung von duktilen und eigenstabilen supraleitenden werkstoffen |
| US4284394A (en) * | 1980-09-19 | 1981-08-18 | United Technologies Corporation | Gas manifold for particle quenching |
-
1983
- 1983-12-29 JP JP58247686A patent/JPS60143512A/ja active Granted
-
1984
- 1984-12-28 EP EP84309132A patent/EP0148032B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-12-28 DE DE8484309132T patent/DE3481490D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1984-12-31 US US06/687,914 patent/US4560404A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4560404A (en) | 1985-12-24 |
| EP0148032B1 (en) | 1990-03-07 |
| DE3481490D1 (de) | 1990-04-12 |
| EP0148032A2 (en) | 1985-07-10 |
| EP0148032A3 (en) | 1987-03-11 |
| JPS60143512A (ja) | 1985-07-29 |
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