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JPH04263768A - 超電導磁気シールド容器の冷却方法及びその装置 - Google Patents

超電導磁気シールド容器の冷却方法及びその装置

Info

Publication number
JPH04263768A
JPH04263768A JP3045396A JP4539691A JPH04263768A JP H04263768 A JPH04263768 A JP H04263768A JP 3045396 A JP3045396 A JP 3045396A JP 4539691 A JP4539691 A JP 4539691A JP H04263768 A JPH04263768 A JP H04263768A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
container
temperature
center
cooled
magnetically shielded
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3045396A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Ota
浩 太田
Hirobumi Odaka
小高 博文
Kazutomo Hoshino
和友 星野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Sumitomo Heavy Industries Ltd
RIKEN Institute of Physical and Chemical Research
Original Assignee
Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Sumitomo Heavy Industries Ltd
RIKEN Institute of Physical and Chemical Research
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Mining and Smelting Co Ltd, Sumitomo Heavy Industries Ltd, RIKEN Institute of Physical and Chemical Research filed Critical Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Priority to JP3045396A priority Critical patent/JPH04263768A/ja
Publication of JPH04263768A publication Critical patent/JPH04263768A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は超電導現象(磁束を排除
する)を利用した磁気シールド容器の冷却方法及びその
装置に関し、特に磁気シールド容器をその臨界温度Tc
以下まで冷却する際に、磁気ノイズの原因となる環境磁
場(特に地磁気)のトラップを防止し得る冷却方法及び
そのための装置に係る。
【0002】
【従来の技術およびその問題点】最近、酸化物超電導体
をその磁束を排除する超電導現象を利用し、磁気シール
ド容器に応用する研究が行われている。この場合、酸化
物超電導体からなる磁気シールド容器を冷却して超電導
状態にする場合、超電導体はその置かれている環境磁場
(通常の環境では地磁気)をそのまま保存するように磁
束を捕捉(トラップ)してしまう。このような超電導磁
気シールド容器内でSQUID(超電導量子干渉素子)
磁束計を作動させて極微弱磁場を検出する際、トラップ
した磁束が微動(揺らぎ)したり、SQUID磁束計と
シールド容器の間に位置のズレ(振動)が起きるとSQ
UID磁束計はこれを磁気の変動として検出してしまい
、これが磁気ノイズ源となる。
【0003】従来、超電導体を冷却する場合、地磁気と
逆向きの磁場を発生させる地磁気補償コイルを用いて、
地磁気を打ち消した磁場環境で超電導体を冷却すること
が考案されているが、このような地磁気補償コイルは高
価で、また冷却毎に調整等の手間がかかり、非常に煩雑
であるという問題点を有するものであった。
【0004】本発明は酸化物超電導磁気シールド容器を
冷却する場合の従来におけるような地磁気のトラップの
発生を防止し得る超電導磁気シールド容器の冷却方法及
びそれに用いる装置を提供することを目的とするもので
ある。
【0005】
【問題点を解決するための手段】本発明の超電導磁気シ
ールド容器の冷却方法は、一端閉口/一端開口の筒状の
酸化物超電導磁気シールド容器の閉口端外端面の略中心
を最も低温とし、該中心より外端面周囲、周壁、開口端
先端へと順次温度勾配を付与しつつ、全体を超電導体の
臨界温度Tcよりも低温に冷却することをその要点とす
る。また、そのための冷却装置は、一端閉口/一端開口
の筒状の酸化物超電導磁気シールド容器を収納する内側
真空容器、該内側真空容器を囲繞する外側真空容器、冷
却手段及び該冷却手段から前記外側真空容器を貫通して
内側真空容器壁に当接するコールドヘッドを備え、この
コールドヘッドからさらに内側真空容器内に貫通して設
けられた熱伝導棒の先端が前記磁気シールド容器の外端
面中央部に接触され、内側真空容器内にその熱伝導率が
磁気シールド容器の端面中央部、端面周囲、周壁、開口
端先端へと順次小さくされた複数種の熱伝導物質が充填
されたものとすることにより、前記問題点を解決したも
のである。
【0006】このような本発明により超電導磁気シール
ド容器を冷却する場合、冷却手段のコールドスポットか
らさらに伸びる熱伝導棒を磁気シールド容器の閉口端外
端面の略中心に接触させてこの部分を最も低温とし、次
いで該中心より外端面周囲、周壁、開口端先端へと順次
温度勾配を付与して磁気シールド容器全体を臨界温度T
c以下まで冷却することにより、容器内にトラップされ
た磁束は温度勾配に沿って容器の閉口端外端面の中心よ
り外端面周囲、周壁、開口端先端へと冷却に伴って追い
出される。
【0007】以下に本発明の冷却装置を用いて超電導磁
気シールド容器を冷却する場合の具体例を図面を参照し
て説明する。図1において、1は酸化物超電導磁気シー
ルド容器であり、このシールド容器1は内側真空容器2
内に収納され、この真空容器2はさらに外側真空容器3
に囲繞されている。このように超電導磁気シールド容器
1は2重の真空容器で囲まれ、この内、内側真空容器2
内は真空配管6a、開閉バルブ7a、真空ポンプ8によ
って真空排気できるように構成されている。そして、外
側真空容器3内も同様に真空配管6b、開閉バルブ7b
、前記真空ポンプ8によって真空断熱できるように構成
されている。ここで、真空断熱をするのは、内側真空容
器2及びその内蔵物を冷却中に極低温に冷却、維持する
必要があり、そのため外界からの熱伝達を防止する目的
で行い、また真空排気するのは、装置組立時に内側真空
容器2内部に残留するガス(大気)を排出し、極低温に
冷却された時、ガスの一部、例えば水分子、炭酸ガス分
子等が凝縮、液化して内部の熱伝達に悪影響を及ぼすの
を防ぐ目的で行うものである。
【0008】図1における9は冷却手段としての冷凍機
であり、この冷凍機9からフランジ13aを介して外側
真空容器3内を貫通してコールドヘッド5が内側真空容
器2の下壁に当接され、さらに内側真空容器2にフラン
ジ13bを介してその先端の熱伝導棒4が貫入されてお
り、この熱伝導棒4は内側真空容器2内にその閉口端が
下向きに置かれた磁気シールド容器1の閉口端の下端面
略中心部に超音波ハンダ付け等の手段により熱接触良く
接合されている。冷凍機9はコールドヘッド5が内側真
空容器2と熱伝導棒4とに熱接触良く接合させるため、
図示していないが極薄のインジウムシートを挾み、ネジ
締結されており、フランジ13aも外側真空容器3とネ
ジ締結により、これも図示していないが、o−リングシ
ールされ、外側真空容器3の気密性を保つように接続さ
れている。なお、冷却手段は図1に示した冷凍機9以外
に、例えば図2に示すような液体窒素タンク14を用い
ても良い。また、内側真空容器2内には、複数種の熱伝
導率の異なる熱伝導物質がその熱伝導率が磁気シールド
容器端面中央部、端面周囲、周壁、開口端先端へと順次
小さくなるように充填されている。
【0009】このような装置において、ヘリウムガス循
環式の冷凍機9は高圧ガス配管11を通り、圧縮機10
により圧縮されて高圧となったヘリウムガスの供給を受
け、内部で断熱膨張し、液体窒素レベル温度(77K=
−196℃)以下に冷却される。なお、断熱膨張後のヘ
リウムガスは低圧力となり、低圧ガス配管12を通り、
圧縮機10に戻り、再圧縮され、再び高圧力となって冷
凍機9に供給される。冷却されたコールドヘッド5から
の冷却の伝達は、まずこのコールドヘッド5と熱接触良
く接合されている熱伝導棒4(熱伝導率λfとする)、
内側真空容器2(熱伝導率λeとする)へと伝わる。こ
こで、室温(例えば300K=27℃)前後から液体窒
素レベル温度の前後までの熱伝導率の大きさが、下記の
式1となるように材料を選ぶと、熱伝導棒4の先端に接
合されている磁気シールド容器1の外端面中心部(図中
P)が周囲より先に、且つ優先的に冷却されることにな
る。そして、次にP部よりも多少遅れて内側真空容器2
の冷却が進むと、その内部に充填された熱伝導物質A(
熱伝導率λaとする)、熱伝導物質B(熱伝導率λbと
する)、熱伝導物質C(熱伝導率λcとする)、熱伝導
物質D(熱伝導率λdとする)へと冷却が伝わっていく
が、、内側真空容器2自身の持つ質量が大きいため、熱
伝導棒4に接合している磁気シールド容器1の図中P部
と開放端部の図中O部とでは、数Kの温度差を保ちなが
ら冷却が進行する。その温度差を利用し、且つ前記式1
と同じように室温から液体窒素レベル温度前後までの温
度範囲で、熱伝導物質A〜Dの熱伝導率の大きさを式2
及び式3となるように材料を選ぶと、磁気シールド容器
1はさらに大きい温度差を保ちながら端面部(P部)か
ら順次開放端部(O部)へと冷却されていく。
【0010】
【式1】
【0011】
【式2】
【0012】
【式3】
【0013】このように、熱伝導率の最も大きい熱伝導
棒4に接触している端面中央部、図中Pから優先的に磁
気シールド容器1の冷却が進み、次に二番目に熱伝導率
の大きい内側真空容器2がコールドヘッド5に接合して
いる下方より冷却されていき、熱伝導物質DからAへと
冷却が進むことにより、その中で最も熱伝導率の大きい
(式1〜3の全体では三番目)熱伝導物質Dと接触して
いる部分のしかも最も先に冷却されている図中P部の周
囲から冷却が進行し、最後に最も熱伝導率の小さい熱伝
導物質Aに囲まれ、且つコールゴヘッド5から最も遠い
図中O部が冷却されることになる。
【0014】従って、超電導体からなる磁気シールド容
器1の冷却が温度差数K以上を保ちながら一端から順次
臨界温度以下、すなわち超電導状態にまで冷却して、ト
ラップされた磁束を排除しながら開放端へと冷却し、最
後にすべてを超電導状態とすることができ、その結果、
超電導体、すなわち磁気シールド容器1に磁束がトラッ
プされるのを防止することができる。ここで、一例とし
て、熱伝導物質A〜Dに選定した材料を表1に例示する
【0015】
【表1】
【0016】なお、表1の材料の種類と熱伝導物質の数
は限定されるものではなく、磁気シールド容器の材質と
大きさに応じて変化させることは当然である。また、冷
却手段として、冷凍機10の代わりに図2に示される液
体窒素タンク14を用いても良い。この図2における1
5は内側真空容器2を支持する支持体である。
【0017】さらに、防振のため、熱伝導棒4を同じ材
質の細線の束に、また冷凍機フランジ13と外側真空容
器3の間にベローズを入れるといった防振機構を追加設
置しても冷却性能に何等影響を与えることなく、問題が
無い。
【0018】
【発明の効果】以上のような本発明によれば、酸化物超
電導体磁気シールド容器を磁束のトラップ無しに冷却す
ることが可能となり、SQUID磁束計を用いて生体磁
気等の極微弱磁界を検出する場合のノイズを大幅に低減
することができる。
【0019】
【実施例】Bi系超電導磁気シールド容器(直径15c
m、長さ35cm)を図1に示したクライオスタットに
セットして冷凍機を用いて冷却した。この場合の熱伝導
物質A〜Dは表1のものを使用した。超電導容器の臨界
温度はTc=103Kである。室温(290K)から7
0Kまで約40時間かけて磁気シールド容器を冷却した
。冷却試験を行った環境磁場は約300ミリガウスであ
った。磁界の計測はフラックスゲート型の磁束計を用い
て数ミリガウスの精度まで測定した。冷却前に磁束計を
用いて、磁気シールド容器内部の磁界強度を測定した結
果、環境磁場の強度である290ミリガウスを検出した
。本冷却装置を用いて70Kまで冷却後、磁気シールド
容器内部の磁界強度を測定した結果、磁界強度は10ミ
リガウスであり、磁束のトラップが著しく低減されるこ
とが分かった。
【0020】
【比較例】実施例と同一の容器を、液体窒素を用いて通
常の方法で室温より約2時間かけて冷却した。冷却前の
磁気シールド容器内部の磁界強度は310ミリガウスで
あり、77Kに冷却した後の磁気シールド容器内部の磁
界強度は300ミリガウスであった。この結果より、通
常の方法では環境磁場は磁気シールド容器内部に完全に
トラップされてしまうことが分かる。
【図面の簡単な説明】
【図1】冷凍機を用いる場合の本発明に係る装置の一例
を示す説明図である。
【図2】液体窒素タンクを用いる場合の本発明に係る他
の装置の一例を示す説明図である。
【符号の説明】
1  磁気シールド容器 2  内側真空容器 3  外側真空容器 4  熱伝導棒 5  コールドヘッド 6  真空配管 7  開閉バルブ 8  真空ポンプ 9  冷凍機 10  圧縮機 11  高圧ガス配管 12  低圧ガス配管 13  フランジ 14  液体窒素タンク 15  支持体

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  一端閉口/一端開口の筒状の酸化物超
    電導磁気シールド容器の閉口端外端面の略中心を最も低
    温とし、該中心より外端面周囲、周壁、開口端先端へと
    順次温度勾配を付与しつつ、全体を超電導体の臨界温度
    Tcよりも低温に冷却する超電導磁気シールド容器の冷
    却方法。
  2. 【請求項2】  一端閉口/一端開口の筒状の酸化物超
    電導磁気シールド容器を収納する内側真空容器、該内側
    真空容器を囲繞する外側真空容器、冷却手段及び該冷却
    手段から前記外側真空容器を貫通して内側真空容器壁に
    当接するコールドヘッドを備え、このコールドヘッドか
    らさらに内側真空容器内に貫通して設けられた熱伝導棒
    の先端が前記磁気シールド容器の外端面中央部に接触さ
    れ、内側真空容器内にその熱伝導率が磁気シールド容器
    の端面中央部、端面周囲、周壁、開口端先端へと順次小
    さくされた複数種の熱伝導物質が充填されてなる超電導
    磁気シールド容器の冷却装置。
JP3045396A 1991-02-19 1991-02-19 超電導磁気シールド容器の冷却方法及びその装置 Pending JPH04263768A (ja)

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JP3045396A JPH04263768A (ja) 1991-02-19 1991-02-19 超電導磁気シールド容器の冷却方法及びその装置

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ID=12718102

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JP (1) JPH04263768A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08200864A (ja) * 1995-01-19 1996-08-06 Seiko Epson Corp 小型低温デバイス装置
US7805954B2 (en) 2004-05-19 2010-10-05 Fujitsu Limited High-frequency circuit cooling apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH08200864A (ja) * 1995-01-19 1996-08-06 Seiko Epson Corp 小型低温デバイス装置
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