JPH04173974A - 反応性連続スパッタ方法、磁気ディスクの製造方法および基板搬送用トレー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、反応性スパッタを用いて複数の基板に連続的
にスパッタ膜を形成する反応性連続スパッタ方法と、こ
の反応性連続スパッタ方法を用いて磁性層を形成する工
程を有する磁気ディスクの製造方法と、この反応性連続
スパッタ方法に用いられる基板搬送用トレーとに関する
。

〈従来の技術〉 計算機等に用いられる磁気ディスク駆動装置には、剛性
基板上に磁性層を設層したハードタイプの磁気ディスク
と浮上型磁気ヘッドとが用いられている。

このような磁気ディスク駆動装置においては従来、塗布
型の磁気ディスクが用いられていたが、磁気ディスクの
大容量化に伴い、磁気特性、記録密度等の点で有利なこ
とがら、スパッタ法等の気相成膜法等により設層される
連続薄膜型の磁性層を有する薄膜型磁気ディスクが用い
られるようになっている。

薄膜型磁気ディスクとしては、Ａρ系のディスク状金属
板にＮ１−Ｐ下地層をめっきにより設層するか、あるい
はこの金属板表面を酸化してアルマイトを形成したもの
を基板とし、この基板上にＣｒ＠、Ｃｏ−Ｎｉ等の金＆
Ｅｌａ性層、さらにＣ等の保護潤滑膜をスパッタ法によ
り順次設層して構成されるものが一般的である。

また、Ｃｏ−Ｎｉ等の金属磁性層の耐食性や硬度を向上
させて信頼性を高めるために、特開昭６２−４３８１９
号公報、同６３−１７５２１９号公報に記載されている
ような酸化鉄を主成分とする連続薄膜型の磁性層も提案
されている。　この磁性層もスパッタ法により形成され
る。

磁気ディスクとしては、磁性層を基板の両生面に設けた
両面記録型のものが主に用いられている。

〈発明が解決しようとする課題〉 γ−Ｆｅ２０ｉを主成分とする連続薄膜型の磁性層は、
直接法または間接法により形成される。

直接法は、まずスパッタ法によりＦｅａｒｓ膜を形成し
、これを酸化してγ−Ｆｅ２Ｏ３膜を得る方法である。

　直接法には、直接酸化法、直接還元法および直接中性
法がある。

これらのうち、直接酸化法では、Ｆｅを主成分とするタ
ーゲットを用い、酸素ガスを含有するＡｒガス雰囲気中
にて反応性スパッタを行なってＦｅ５Ｏａ膜を形成する
。

また、間接法は、酸素ガスを含有するＡｒガス雰囲気中
において、Ｆｅを主成分とするターゲットを用い、反応
性スパッタを行なってα−Ｆｅｚｅｓ膜を形成し、これ
を還元してＦｅ５Ｏ４膜とし、さらに酸化を行なってγ
−Ｆｅｚｅｓ膜を得る方法である。

すなわち、直接酸化法および間接法では、酸化性雰囲気
中での反応性スパッタを用いる。

ところで、スパッタ法により磁性層を基板の両面に形成
する場合、例えば第７図および第８図に示されるような
基板ホルダが用いられる。

第７図は基板ホルダ３に基板２が保持された状態を示す
正面図である。　また、第８図は、第７図の■−■線断
面図である。

これらの図において、板状の基板ホルダ３には装填孔４
が設けられている。　なお、装填孔４は、通常、複数設
けられる。

装填孔４の基板ホルダ３表面における開口部外縁の直径
は、基板２の直径とほぼ同程度かやや大きい程度とされ
る。　また、装填孔４０周面には溝４１が設けられてい
る。

磁気ディスク基板２を基板ホルダ３に装填する際には、
磁気ディスク基板２を装填孔４の開口部から挿入し、装
填孔４の溝４１に遊嵌状態にて保持する。　そして、さ
らに、板状の基板搬送用トレーに、基板の両主面が露出
するように基板ホルダ３を数枚から数十枚程度取り付け
る。

複数の基板が装填された基板搬送用トレーは、不活性ガ
スを含むスパッタ室内に搬送され、基板２はその径方向
に進行しながら両主面にスパッタ膜が形成される。　ス
パッタ室へは次々に基板搬送用トレーが搬入され、多数
の基板に連続してスパッタ膜を形成することができる。

スパッタ室において、スパッタターゲットは基板の両主
面にそれぞれ対向して配置され、高周波スパッタを用い
る場合には、それぞれのターゲットには独立して高周波
電界が印加される。

このとき、基板の両側にはそれぞれの高周波電界に対応
するプラズマが発生する。　しかし、基板２を貫通する
中心孔２１が存在するため、基板近傍でこれらの電界が
相互干渉を起こし、プラズマ放電が不安定となる。　こ
のため、スパッタ速度が不安定となってしまう。

しかも、プラズマ放電の不安定さは基板の両側で異なっ
た様相を示すため、基板の両側のスパッタ速度に差が生
じてしまう。

一方、基板ホルダ３は、スパッタ中、基板２の径方向に
進行しているため、スパッタ速度が不安定となることに
より厚さの不均一なスパッタ膜が形成されてしまうこと
になる。

また、上記した直接酸化法および間接法のように酸化雰
囲気中で反応性スパッタを行なう際には、スパッタ速度
が変動するとスパッタ膜の酸化度が部分的に異なること
になり、磁気特性が不均一となる。

このような問題を軽減するために、基板中心孔２１には
栓５が嵌入され、基板２両側の電界の相互干渉を防いで
いる。

しかし、スパック室において相隣り合う基板搬送用トレ
ー間には間隙が存在するため、基板搬送用トレーの端部
近傍に保持されている基板は、中心孔に栓が嵌入されて
いたとしてもこの間隙による電界の相互干渉の影響を受
けてしまう。

しかも、酸化性雰囲気中における反応性スバッタでは、
さらに下記の問題が生じる。

すなわち、反応性スパッタにより基板両面に同時にスパ
ッタ膜を形成する場合、基板搬送用トレーを挟んでター
ゲットを少なくとも１対配置し、電界、酸素ガス流量等
は基板搬送用トレーの両側で独立して制御するので、基
板両側のスパッタ条件を完全に同一とすることは困難で
ある。

このため、基板近傍の酸素ガス濃度は、基板両側で微妙
に異なるのが一般的である。

基板近傍の酸素ガス濃度が基板両側で異なっていたとし
ても、それぞれが独立して制御し得るものであればよい
が、相隣り合う基板搬送用トレー間に間隙が存在するた
め、この間隙を通して基板両側の異なる雰囲気が交流し
てしまう。

このため、スパッタ膜の酸化度が部分的に変動してしま
い、酸化後に得られるγ−Ｆｅ２ｅｇ磁性層の磁気特性
が磁性層面内でバラついてしまう。

このような問題が生じるのは、反応性スバ、。

夕では基板近傍の反応性ガスの濃度がスバ・ンタ膜組成
に大きな影響を与えるからである。

また、ターゲットの状態やその他の条件により、基板の
両側で意識的にスパッタ条件を変えることもある。　こ
の場合、基板両側の雰囲気が交流してしまう状態である
と、スバ・ンタの正確な制御が不可能になる。

なお、これらの問題は、酸化性雰囲気中での反応性スパ
ッタに限らず、反応性ガスを含有する雰囲気中での連続
スパッタにおいて一般的に発生するものである。

本発明は、このような事情からなされたものであり、欠
陥がなく均質なスパッタ膜を形成できる反応性連続スパ
ッタ方法と、磁気特性が良好かつ均一で、磁性層の厚さ
が均一である磁気ディスクを連続して製造できる方法と
、これらの方法に用いる基板搬送用トレーとソ従供する
ことを目的とする。

く課題を解決するための手段〉 このような目的は、下記（１）〜（５）の本発明により
達成される。

（１）ローディング室と、搬入用バルブを介して前記ロ
ーディング室に連通ずるスパッタ室と、搬出用バルブを
介して前記スパッタ室に連通ずるアンローディング室と
を少なくとも有するスパッタ装置を用い、 基板が保持された複数の板状の基板搬送用トレーをロー
ディング室からスパッタ室に順次搬入し、スパッタ室に
搬入された基板搬送用トレーを移動させながら、基板搬
送用トレーを挟んで対向配置された少なくとも一対のタ
ーゲットを反応性雰囲気中でスパッタすることにより、
基板の両面に同時にスパッタ膜を形成し、次いで、スパ
ッタ膜が形成された基板を保持する基板搬送用トレーを
スパッタ室からアンローディング室に順次搬出すること
により、複数の基板に連続してスパッタ膜を形成する工
程を有し、 この工程において、基板搬送用トレー主面の法線方向か
ら見たときに、スパッタ膜形成中の基板が保持されてい
る基板搬送用トレーと、これと相隣り合う少なくとも一
方の基板搬送用トレーとの間に、間隙が存在しないこと
があるようにスパッタ室内の基板搬送用トレーの移動を
制御することを特徴とする反応性連続スパッタ方法。

（２）ローディング室の圧力をスパッタ室の圧力とほぼ
同等とした後に搬入用バルブを開いて基板搬送用トレー
をスパッタ室に搬入し、アンローディング室の圧力をス
パッタ室の圧力とほぼ同等とした後に搬出用バルブを開
いて基板搬送用トレーをスパッタ室からアンローディン
グ室に搬出する構成を有し、 ローディング室からスパッタ室への基板搬送用トレーの
搬入速度およびスパッタ室からアンローディング室への
基板搬送用トレーの搬出速度が、スパッタ膜形成中の基
板を保持している基板搬送用トレーの移動速度よりも高
（設定されており、 スパッタ室に搬入された基板搬送用トレーと、先にスパ
ッタ室に搬入されて移動中の基板搬送用トレーとの間に
、基板搬送用トレー主面の法線方向から見たとき少なく
とも間隙が存在しなくなったときに前記搬入された基板
搬送用トレーの速度を先に搬入された基板搬送用トレー
の移動速度と等しくする上記（１）に記載の反応性連続
スパッタ方法。

（３）スパッタ室に存在する基板搬送用トレーの主面が
、同一平面内に存在する上記（１）または（２）に記載
の反応性連続スパッタ方法。

（４）前記ターゲットとしてＦｅを主成分とするターゲ
ットを用い、前記基板として磁気ディスク用基板を用い
て、ＦｅＪ４を主成分とするスパッタ膜を上記（１）な
いしく３）のいずれかに記載の反応性連続スパッタ方法
により形成し、 次いで、前記スパッタ膜を酸化することによりγ−Ｆｅ
２０ｓを主成分とする連続薄膜型の磁性層を形成するこ
とを特徴とする磁気ディスクの製造方法。

（５）上記（１）ないしく３）のいずれかに記載の反応
性連続スパッタ方法に用いられる基板搬送用トレーであ
って、 基板またはこれが保持された基板ホルダを保持するため
の孔部を有する板状体であり、一辺に段差、凸条または
斜面を有し、前記一辺と対向する他辺に、前記段差と噛
み合う段差、前記凸条が挿入可能な条溝または前記斜面
と平行な斜面を有することを特徴とする基板搬送用トレ
ー。

〈作用〉 本発明では、基板を基板搬送用トレーに保持し、基板搬
送用トレーを移動させながら反応性雰囲気のスパッタ室
内において基板の両面に同時にスパッタ膜を形成する方
法において、基板搬送用トレー主面の法線方向から見た
ときに、スパッタ膜形成中の基板が保持されている基板
搬送用トレーと、これと相隣り合う少なくとも一方の基
板搬送用トレーとの間に、間隙が存在しないことがある
ようにスパッタ室内の基板搬送用トレーの移動を制御す
る。

基板搬送用トレーには複数の基板が保持されているが、
トレーの端部近傍に保持されている基板にスパッタ膜が
形成されているときに、その端部側に隣り合う他のトレ
ーとの間に間隙がなければよい。

トレー間に間隙を作らないようにするためには、一辺に
段差、凸条または斜面を有し、前記一辺と対向する他辺
に、前記段差と噛み合う段差、前記凸条が挿入可能な条
溝または前記斜面と平行な斜面を有する板状の基板搬送
用トレーを用いることが好ましい。　スパッタ室内にお
いて相隣り合う基板搬送用トレー同士を、前記一辺と前
記他辺とが隣接するように移動させれば、トレー主面の
法線方向から見たときに両トレーの間の間隙をなくすこ
とができる。

本発明ではこのように相隣り合うトレー間に間隙を作ら
ないようにトレーを移動させるので、スパッタ時に基板
の一方の主面近傍の雰囲気と他方の主面近傍の雰囲気と
が常に実質的に遮断された状態となる。

このため、例えば酸化性雰囲気中での反応性スパッタの
場合、基板の一方の主面近傍の雰囲気、特に酸素ガス濃
度が、他方の主面近傍の雰囲気に影響することがな（、
酸化度の部分的なバラつきが殆どないスパッタ膜が得ら
れる。

また、このため、基板の一方の主面側の電界と他方の主
面側の電界とが相互干渉することも抑制されるので、ス
パッタ膜の酸化度のバラつきはさらに減少する。

そして、電界の相互干渉が防止されればスパッタ速度の
変動も防止され、基板をターゲットに対して移動しなが
らスパッタを行なう場合でも、厚さの均一なスパッタ膜
が得られる。

このような反応性連続スパッタ方法を γ−Ｆｅａｒｓ磁性層形成の際の反応性スパッタに適用
すれば、最終的に得られるγ−Ｆｅ＊Ｏｓ磁性層は、良
好かつ均一な磁気特性を有するものとなり、また、厚さ
が不均一となることもない。

なお、本発明において実質的に遮断するとは、このよう
に基板の近傍において基板両側の雰囲気交流を遮断する
ということである。　反応性スパッタにおいては、基板
近傍の反応性ガスの濃度がスパッタ膜組成に大きな影響
を与えるので、本発明では必ずしも真空槽を２分して両
側の雰囲気を完全に遮断する必要はない。

〈具体的構成〉 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明の反応性連続スパッタ方法は、反応性雰囲気中で
複数の基板に連続してスパッタ膜を形成する方法である
。　なお、反応性雰囲気とは、反応性ガスを含有する雰
囲気である。

本発明は、様々な反応性スパッタに適用することができ
るが、特に、γ−Ｆｅａｒｓを主成分とする連続薄膜型
の磁性層形成に好適である。

具体的には、前述した直接酸化法および間接法における
酸化性雰囲気中での反応性スバ・ツタに適用され、特に
、直接酸化法に好適である。

直接酸化法では、Ｆｅを主成分とするターゲットを用い
て、酸化性雰囲気中でＦｅ５０４を主成分とするスパッ
タ膜を形成し、これに酸化性雰囲気で熱処理を施してγ
−Ｆｅａｒｓを主成分とする連続薄膜型の磁性層を形成
する。

スパッタ法は、真空槽中に不活性ガスのプラズマを発生
させ、このプラズマ中の陽イオンを電界で加速してター
ゲットに衝突させ、ターゲットから飛散した原子や分子
をターゲットに対向して配置された基板表面に堆積させ
る方法である。

本発明に好ましく用いられるスパッタ装置の概略構成図
を第１ａ図に示す。　なお、第１ａ図は、磁気ディスク
基板表面にＦｅ５０４を主成分とするスパッタ膜を形成
する際に用いるスバ・ツタ装置を示している。

第１ａ図において、スパッタ装置１１は、ローディング
室１２と、搬入用バルブ１３を介して前記ローディング
室１２に連通ずるスパッタ室１４と、搬出用バルブ１５
を介して前記スパッタ室１４に連通するアンローディン
グ室１６とを有する。　また、ローディング室１２およ
びアンローディング室１６には、それぞれバルブ１２１
およびバルブ１６１が設けられている。

スパッタ膜が形成される磁気ディスク基板２は、板状の
基板搬送用トレー１７に複数個保持されている。　なお
、磁気ディスク基板２は、前述したような基板ホルダに
装填された状態で基板搬送用トレー１７に保持されてい
るが、基板ホルダの図示は省略した。

搬入用バルブ１３、搬出用バルブ１５、バルブ１２１お
よびバルブ１６１は、基板搬送用トレー１７が通過する
ときにだけ開放され、それ以外は閉鎖されていて、各室
の気密を保っている。

スパッタ装置１１では、基板搬送用トレー１７をローデ
ィング室１２からスパッタ室１４に順次搬入し、搬入さ
れた基板搬送用トレー１７を移動させながら、基板搬送
用トレー１７を挟んで対向配置された１対のターゲット
１８を酸化性雰囲気中でスパッタすることにより、磁気
ディスク基板２の両面に同時にスパッタ膜を形成し、次
いで、スパッタ膜が形成された磁気ディスク基板２を保
持している基板搬送用トレー１７をスパッタ室１４から
アンローディング室１６に順次搬出することにより、複
数の磁気ディスク基板２に連続してスパッタ膜を形成す
る。

なお、基板搬送用トレー１７に保持されている磁気ディ
スク基板のうち、スパッタ膜が形成される基板は、ター
ゲット１８にほぼ対向した状態にある基板である。　ま
た、ターゲットは図示されるような１対だけに限らず、
２対以上設けて処理速度を向上させることもできる。

連続スパッタ中におけるスパッタ装置１１の各室の雰囲
気の変化および各室を気密に保っている各バルブの作動
は、下記のようになる。

スパッタ室１４には、酸素ガスと不活性ガスとを含むス
パッタガスがスパッタガス導入口（図示せず）から常に
導入されており、同時にスパッタ室１４内のガスが排気
口（図示せず）から常に排気されており、スパッタ室１
４内を一定の圧力に保っている。

なお、反応性スパッタによりスパッタ膜が形成される際
に、酸素ガスは消費される。　従って、スパッタ室内を
一定の圧力に保つためには、導入されるスパッタガス量
から消費される酸素ガス量を減じた量をスパッタ室１４
がら排気する。

スパッタ室１４内において基板搬送用トレー１７を移動
させながらスパッタ膜を形成しているときに、搬入用バ
ルブ１３を開いてローディング室１２から他の基板搬送
用トレー１７をスパッタ室１４に搬入する。

ローディング室１２がら基板搬送用トレー１７を送り出
した後、搬入用バルブ１３を閉じ、次に、リークバルブ
（図示せず）からローディング室１２に窒素ガスを導入
して室内を１気圧とした後、ローディング室内を外気か
ら遮断しているバルブ１２１を開けて新たに基板搬送用
トレーをローディング室１２内に移送し、バルブ１２１
を閉じる。

次いで、ローディング室１２に侵入した空気を排気口（
図示せず）から排気してローディング室１２内をほぼ真
空にまで減圧した後、調整ガス導入口（図示せず）から
反応性ガスと不活性ガスとを含む調整ガスを導入し、ロ
ーディング室１２内の圧力がスパッタ室１４内の圧力と
同等となったら、搬入用バルブ１３を開けてローディン
グ室１２内の基板搬送用トレー１７をスパッタ室１４内
に搬入する。

なお、調整ガスとは、スパッタ室１４においてスパッタ
膜形成中の基板近傍の雰囲気とほぼ同率の酸素ガスを含
有する不活性ガスである。

ローディング室１２にこのような調整ガスを満たした後
に搬入用バルブ１３を開ければ、スパッタ室１４におい
て形成中のスパッタ膜が影響を受けることがなくなる。

スパッタ膜が形成された磁気ディスク基板２は、基板搬
送用トレー１７に保持されたままアンローディング室１
６に搬出される。

アンローディング室１６の作用は、ローディング室１２
の作用とほぼ同様である。

すなわち、搬出用バルブ１５を開けるときには、アンロ
ーディング室１６内の圧力はスパッタ室１４内の圧力と
ほぼ同じに保たれている。

そして、アンローディング室１６内に基板搬送用トレー
１７を移送した後、搬出用バルブ１５を閉じ、次いで、
リークバルブ（図示せず）からアンローディング室１６
内に窒素ガスを導入して室内を１気圧とした後、アンロ
ーディング室１６内を外気から遮断しているバルブ１６
１を開けて、基板搬送用トレー１７を取り出す。

基板搬送用トレー１７を取り出した後、バルブ１６１を
閉じ、アンローディング室１６内に侵入した空気を排気
口（図示せず）から排気してほぼ真空状態とし、次いで
、調整ガス導入口（図示せず）から前述した調整ガスを
導入する。

これらの工程を繰り返すことにより、複数の基板に連続
してスパッタ膜を形成することができる。　この間、ス
パッタ室へのスパッタガスの導入、スパッタ室からのガ
ス排気およびスパッタの放電は連続して行なわれている
。

なお、ローディング室１２とスパッタ室１４との間に、
これら両室とバルブを介して連通ずるローディング用圧
力調整室を設ける構成としてもよい。

この場合、ローディング室１２内を排気してほぼ真空と
した後、バルブを開いてローディング用圧力調整室内に
基板搬送トレーを移送する。　このとき、ローディング
用圧力調整室内は、はぼ真空となるまで排気されている
。　次いで、前記バルブを閉じて、ローディング用圧力
調整室内に調整ガスを導入する。　この後の工程は、第
１ａ図に示す態様と同様であり、ローディング用圧力調
整室が同図のローディング室１２と同様な作用を有する
ことになる。

このようなローディング用圧力調整室をローディング室
と別個に設ける主たる理由は、スパッタ室の雰囲気制御
を容易にするためである。　すなわち、ローディング室
内にトレーを搬入して同室を減圧しても微量の空気の残
存が避けられず、スパッタ室内へ残存空気が侵入する恐
れがあるが、ローディング室とスパッタ室との間にロー
ディング用圧力調整室を設けることにより、ローディン
グ室内に残存する空気のスパッタ室への侵入は減少し、
スパッタ室の雰囲気の乱れが著滅するからである。

なお、アンローディング室１６とスパッタ室１４との間
にも、前記ローディング用圧力調整室と同様な作用を有
するアンローディング用圧力調整室を設ける構成として
もよい。

本発明では、このような連続スパッタに際して、基板搬
送用トレー１７主面の法線方向から見たときに、スパッ
タ膜形成中の磁気ディスク基板２が保持されている基板
搬送用トレー１７と、これと相隣り合う少なくとも一方
の基板搬送用トレー１７との間に、間隙が存在しないこ
とがあるようにスパッタ室１４内の基板搬送用トレー１
７の移動を制御する。

スパッタ装置１１では、上記したようにローディング室
１２の圧力をスパッタ室１４の圧力とほぼ同等とした後
、搬入用バルブ１３を開いて基板搬送用トレー１７をス
パッタ室１４に搬入し、また、アンローディング室１６
の圧力をスパッタ室の圧力とほぼ同等とした後、搬出用
バルブ１５を開いて基板搬送用トレー１７をアンローデ
ィング室に搬出する。　このため、スパッタ室１４にお
いて隣り合う基板搬送用トレー間に間隙が生じる。

本発明では、このような間隙を下記のようにして制御す
る。

第１ａ図〜第１ｃ図により、その作用を説明する。

各図中において、各基板搬送用トレー１７には識別する
ための番号を付しである。　また、各基板搬送用トレー
１７の上に表示しである矢印の長さは、基板搬送用トレ
ー１７の移動速度を示している。　ただし、これらの矢
印の長さは、速度の相対的な高低を表わしたものである
。

第１ａ図では、保持している磁気ディスク基板に既にス
パッタ膜が形成されている基板搬送用トレーＮｏ、１お
よびＮ０９２が、それぞれアンローディング室１６およ
びスパッタ室１４にある。　そして、スパッタ室１４で
は、基板搬送用トレーＮｏ、３が保持している３列の磁
気ディスク基板のうち、右側の列の磁気ディスク基板に
スパッタ膜を形成中である。　また、ローディング室１
２からは、基板搬送用トレーＮｏ、４がスパッタ室１４
に搬入されようとしている。

第１ａ図に示される基板搬送用トレーＮｏ。

３のように、トレ一端部近傍の磁気ディスク基板にスパ
ッタ膜を形成するときに、その端部側と隣り合う他の基
板搬送用トレー（図示例ではＮｏ、２）との間に間隙が
できないように両トレーを移動させる。　また、前記端
部と対向する端部側については図示するように間隙があ
ってもかまわないが、ターゲットが２対以上設けられて
いてスパッタ室内のスパッタ膜形成可能領域が広い場合
や、基板搬送用トレーの寸法が小さい場合など、必要に
応じて、間隙を設けずに３個以上の基板搬送用トレーを
移動させる構成とすることが好ましい。

第１ｂ図では、各基板搬送用トレーは図中右側に移動し
ていて、基板搬送用トレーＮ０９３の右列の磁気ディス
ク基板には既にスパッタ膜が形成済みであり、同トレー
の中央の列の磁気ディスク基板にスパッタ膜を形成中で
ある。

第１ｃ図では、各基板搬送用トレーはさらに移動し、基
板搬送用トレーＮ０１３の左側の列の磁気ディスク基板
にスパッタ膜を形成中である。

なお、第１ｂ図では、中央の列の磁気ディスク基板にス
パッタ膜を形成する際には、基板搬送用トレーの周囲か
ら回り込む反対側の雰囲気や、トレーの両側の電界の相
互干渉は殆ど問題にならないとして、基板搬送用トレー
Ｎｏ、３と、その両側に存在する基板搬送用トレーＮｏ
、２およびＮｏ、４との間には間隙が存在する構成にな
っている。　ただし、上記した雰囲気や電界の影響は、
スパッタ時のプラズマの状態、基板搬送用トレーの寸法
、ターゲットの寸法や数、ターゲットと磁気ディスク基
板との間に設けられるマスクの形状等の各種条件によっ
て異なるため、間隙を作らずに連続させる基板搬送用ト
レーの数や、間隙をなくすタイミングは、これら各種条
件によって適宜設定すればよい。　すなわち、本発明で
は、少なくとも基板搬送用トレーの主面両側の雰囲気や
電界の影響が問題となるときに、隣り合う基板搬送用ト
レー間に間隙が存在しなければよい。

スパッタ室１４において基板搬送用トレー間の間隙をな
くすためには、ローディング室１２から搬入された基板
搬送用トレーを、スパッタ室において先行する基板搬送
用トレーに追いつかせる必要がる。

また、スパッタ室１４からアンローディング室１６に基
板搬送用トレーを１枚づつ搬出するためには、スパッタ
室１４内において間隙なしに連続して移動している基板
搬送用トレー群から１枚の基板搬送用トレーを離反させ
る必要がある。

このためには、ローディング室１２からスパッタ室１４
への基板搬送用トレーの搬入速度およびスパッタ室１４
からアンローディング室１６への基板搬送用トレーの搬
出速度を、スパッタ膜形成中の磁気ディスク基板を保持
している基板搬送用トレーの移動速度よりも高くする必
要がある。

そして、スパッタ室１４に搬入された基板搬送用トレー
と、先に搬入されてスパッタ室１４内を移動中の基板搬
送用トレーとの間に少なくとも間隙が存在しなくなった
ときに、前記搬入された基板搬送用トレーの速度を先に
搬入された基板搬送用トレーの移動速度と等しくすれば
、両基板搬送用トレーが間隙なしに連続して移動するこ
とになる。

なお、スパッタ室１４内において両基板搬送用トレーの
間の間隙をなくすタイミング、すなわち、そのときの先
行する基板搬送用トレーの位置は、前述したように各種
条件に応じて適宜設定すればよい。

スパッタ装置１１において、基板搬送用トレーの速度を
上記したように制御する手段は特に限定されないが、例
えば第１ａ図〜第１ｃ図に示されるような手段を用いる
ことが好ましい。

これらの図に示されるスパッタ装置１１において、基板
搬送用トレー１７の下面にはラックギアが設けられてい
る。

一方、スパッタ装置１１側には、モータにより駆動され
るビニオンギアが設けられており、基板搬送用トレーの
ラックギアと噛合している。

ローディング室１２には、ビニオンギア１２２が設けら
れており、モータＭＬにより駆動される。

スパッタ室１４には、ビニオンギアが３系統設けられて
おり、ビニオンギア１４２はモータＭＳＩにより、ビニ
オンギア１４３はモータＭＳ２により、ビニオンギア１
４４はモータＭＳ３により、それぞれ駆動される。

アンローディング室１６には、ビニオンギア１６２が設
けられており、モータＭＵにより駆動される。

各モータの駆動状況は、駆動中を「ＯＮ」、停止中をｒ
ｏＦＦＪとして図示しである。

ビニオンギア１２２とビニオンギア１４２の回転速度は
等しく、ビニオンギア１４４とビニオンギア１６２の回
転速度も等しい。　そして、ビニオンギア１４３０回転
速度は、前記各ビニオンギアよりも低く設定されている
。

これらの各ビニオンギアは図中時計回り方向に回転する
ように駆動される。　また、各ビニオンギアは、少なく
とも駆動されていないときに少なくとも時計回り方向に
自由回転可能な構成となっている。

第１ａ図では、モータＭＬ、ＭＳ１およびＭＳ２が駆動
状態にあり、基板搬送用トレーＮｏ、４を高速度でスパ
ッタ室１４に搬入し、また、基板搬送用トレーＮ００３
およびＮｏ。

２を低速度で移動させている。

第１ｂ図および第１ｃ図に示されるように、基板搬送用
トレーＮｏ、４が基板搬送用トレーＮｏ、３に追いつい
て、少なくとも両トレーの間に間隙がなくなると、モー
タＭＳＩの駆動が停止され、基板搬送用トレーＮｏ、４
はモータＭＳ２で駆動されるビニオンギア１４３により
基板搬送用トレーＮｏ、３と等しい速度で低速移動する
。

なお、基板搬送用トレーＮ０１４がビニオンギア１４２
により高速移動しているときに低速駆動中のビニオンギ
ア１４３と噛み合った場合でも、ビニオンギア１４３は
時計回り方向に自由回転可能であるため、基板搬送用ト
レーＮｏ、４の高速移動が妨げられることはない。

また、基板搬送用トレーを先行するトレーに所定のタイ
ミングで追いつかせ、かつそのときにモータＭＳＩを停
止させるためには、先行するトレーと後続のトレーとの
距離、速度差に応じて、後続トレー移動用のモータＭＳ
Ｉの駆動開始タイミング、駆動時間を制御すればよい。

一方、スパッタ室１４からアンローディング室１６に基
板搬送用トレーが搬出される場合を、基板搬送用トレー
Ｎｏ、２について説明する。

第１ａ図では、基板搬送用トレーＮｏ、２はビニオンギ
ア１４３により低速移動しているが、基板搬送用トレー
Ｎｏ、２と基板搬送用トレーＮ００３との間に間隙が生
じてもスパッタ膜形成に関して問題ないところまで基板
搬送用トレーＮＯ１２が進むと、モータＭＳ３が駆動を
開始し、ビニオンギア１４４により基板搬送用トレーＮ
ｏ、２は高速移動を始める。　このとき、基板搬送用ト
レーＮｏ、２はビニオンギア１４３とも噛み合っている
が、ビニオンギア１４３は時計回り方向に自由回転可能
なため、基板搬送用トレーＮ００２の高速移動が妨げら
れることはない。

以上説明したような作用により、ローディング室１２か
ら１枚づつ独立して搬入された基板搬送用トレーは、ス
パッタ室１４において間隙なく連続して移動することが
可能となり、また、アンローディング室１６に１枚づつ
独立して搬出されることが可能となる。

なお、図示例では基板搬送用トレーを１枚づつ搬入およ
び搬出しているが、−回に搬入ないし搬出するトレーの
数は２枚以上であってもよい。

第１ａ図〜第１ｃ図において用いられている基板搬送用
トレー１７を、第２ａ図に示す。

同図に示されるように、板状の基板搬送用トレー１７は
一辺に段差１７１を有し、前記一辺と対向する他辺には
、第２ｂ図に示されるように前記段差１７１と噛み合う
段差１７２が設けられている。　なお、第２ａ図におい
ては、磁気ディスク基板２は基板ホルダ３に装填されて
基板搬送用トレー１７に保持されているが、基板ホルダ
３を用いずに基板搬送用トレー１７が直接磁気ディスク
基板２を保持する構成としてもよい。

第１ａ図に示すスパッタ装置１１のスパッタ室１４では
、基板搬送用トレーＮｏ、２の段差１７１と基板搬送用
トレーＮｏ、３の段差１７２とが噛み合い、両基板搬送
用トレー間には、主面の法線方向から見て間隙はなくな
る。

また、第２ａ図に示されるような段差を有する構成に限
らず、例えば、第３ａ図に示されるように、一辺に斜面
１７３を有し、前記一辺と対向する他辺に、第３ｂ図に
示されるように前記斜面１７３と平行な斜面１７４を設
けた板状の基板搬送用トレー１７や、あるいは第４ａ図
に示されるように、一辺に凸条１７５を有し、前記一辺
と対向する他辺に、第４ｂ図に示されるように前記凸条
１７５が挿入可能な条溝１７６を設けた板状の搬送トレ
ー１７等、基板搬送用トレー間の間隙をな（すことが可
能であればどのような構成であってもよい。

なお、上記した段差同士、あるいは、凸条と条溝は、ト
レー間の間隙がなくなるように接近した状態で噛み合い
ないし挿入されればよ（、密着する必要はない。　逆に
、トレー同士の衝突が避けられるように、また、トレー
同士の接近や離反が容易に行なえるように、噛み合いな
いし挿入には遊びをもたせることが好ましい。

第２ａ図、第３ａ図および第４ａ図に示される構成の基
板搬送用トレー１７は、間隙がな（なるように隣接させ
たときに、各トレーの主面がずれずに同一平面内に存在
することになるので、スパッタ室１４を通過する全ての
基板搬送用トレー１７について、ターゲット１８からの
距離を等しくできる。　このため、磁気ディスク基板２
の両面のスパッタ膜形成条件を全ての基板搬送用トレー
１７について同じとすることができ、連続して多数の磁
気ディスク基板にばらつきのないスパッタ膜を形成する
ことが可能である。

なお、スパッタ室１４において、隣り合う基板搬送用ト
レー同士を密着させることによっても両トレー間の間隙
をほぼな（すことができ、また、この場合も各トレーの
主面が同一平面内に存在することになるが、基板搬送用
トレーの寸法精度を極めて高（しなければならないこと
、また、同時に基板搬送用トレーの駆動手段の遊びを極
めて小さくしなければならないこと等から、第２ａ図、
第３ａ図および第４ａ図に示されるような構成の基板搬
送用トレーを用いることが好ましい。

基板搬送用トレーの材質に特に制限はなく、各種条件に
応じて適宜選択すればよいが、反りの発生が少ない材質
を選択することが好ましく、例えばステンレス鋼、八〇
、各種セラミックス等が好ましい。

また、基板搬送用トレーが保持する基板数にも特に制限
はないが、通常、縦に１〜３Ｏ列程度、横に１〜ｌＯ列
程度で合計１〜３Ｏ０枚程度である。

基板搬送用トレーの寸法は、保持する基板の寸法や数等
に応じて決定されるが、例えば、縦３０〜２００ｃｍ程
度、横３０〜２００　ｃｍ程度である。

基板ホルダ３としては、前述したように第７図および第
８図に示されるような基板ホルダ３を用いてもよいが、
このような基板ホルダでは、基板２と基板ホルダ３との
間に基板一基板ホルダ間隙４２が必然的に生じてしまう
。　基板両側の雰囲気や高周波電界は、この間隙を介し
てやはり相互干渉するため、上記した問題を避けること
は困難である。

従って、基板の両側の雰囲気を実質的に遮断した状態と
するためには、第５図および第６図に示されるような基
板ホルダ３を用いることが好ましい。

第５図は、基板ホルダ３に基板２が装填された状態を示
す正面図である。　また、第６図は、第５図のＶｌ　−
Ｖｌ線断面図である。

第５図に示す基板ホルダ３は板状体であり、装填孔４を
少なくとも一つ有する。

基板ホルダ３は、装填孔４が一つまたは複数形成された
１枚の板状体であってもよ（、このような板状体を複数
連結して構成してもよい。

装填孔４は、基板ホルダ３の表面側および裏面側に、そ
れぞれ表面開口部４３および裏面開口部４４を有する。

　また、装填孔４の周面には、溝４１が設けられている
。

表面開口部４３の外縁および裏面開口部４４の外縁はほ
ぼ円形であり、溝４１の形状もほぼ円形である。

表面開口部４３の外縁の直径は基板２の直径以上とされ
る。　基板２は、表面開口部４３から装填孔４に挿入さ
れるので、基板２を容易に挿入するために、表面開口部
４３の外縁の直径は０．１〜３Ｏｍｍ程度基板２の直径
より大きいことが好ましい。

溝４１の周面の最上部は表面開口部４３の最上部とほぼ
一致する。　表面開口部４３の最下部から測った溝４１
の深さ（溝４１の最深部の深さ）は、基板２が安定して
保持でき、しかもスパッタ膜形成面積が十分に確保でき
る程度であればよく、例えば０．５〜２１１ＩＩ１１と
することが好ましい。　また、溝４１の幅は、基板２の
厚さより大きく、例えば０．０５〜０．５ｍｍ大きい程
度とすることが好ましい。

このような溝４１により、基板２は遊嵌状態にて保持さ
れる。

裏面開口部４４の最下部は表面開口部４３の最下部とほ
ぼ一致する。　そして、基板２を装填孔４に装填したと
き、裏面開口部４４の最上部が基板２の最上部よりも低
い位置となるように裏面開口部４４の直径を設定する。

このような構成により、基板２を装填孔４に装填したと
きに、裏面開口部４４外縁の全周が基板２の外縁より内
側に位置することになり、裏面開口部４４は基板２によ
り完全に遮蔽されることになる。　なお、裏面開口部４
４が基板２により完全に遮蔽されているとは、裏面開口
部４４側から表面開口部４３側が見通せないという意味
である。

基板ホルダ３には、装填孔４近傍に、基板２に向かって
厚さが減少するテーパ部３１が設けられている。

このテーパ部３１を設けることにより、スパッタ時に基
板２表面が基板ホルダ３の陰になることが防止され、均
一なスパッタ膜を形成することができる。　また、基板
２近傍のガス流の乱れが防止され、やはりスパッタ膜の
均一性を向上させることができる。

また、基板２の中心孔２１を通しての雰囲気交流および
電界の相互干渉を防ぐために、中心孔２１は、栓５によ
り塞がれている。　栓５は円盤状であり、その外周部に
は基板に向かって厚さが減少するテーパ部５１が設けら
れる。

このテーパ部５１の作用は、上記したテーパ部３１と同
様である。

第５図および第６図に示されるような基板ホルダ３を用
いた場合、基板主面外周部におけるスパッタ膜の形成さ
れていない領域が、一方の主面と他方の主面とで異なる
形状となる。

すなわち、この領域は、表面開口部４３側の主面では不
連続となり、裏面開口部４４側の主面では連続すること
になる。　具体的には、表面開口部４３側では弧状とな
り、裏面開口部４４側では環状となる。

なお、第５図および第６図に示されるような基板ホルダ
は簡単な構造で本発明の効果をよりいっそう向上させる
ことができるが、このような基板ホルダに限らず、基板
の一方の主面近傍の雰囲気と他方の主面近傍の雰囲気と
を実質的に遮断できる基板ホルダであれば、どのような
ものであっても本発明には好適である。

例えば、第７図および第８図に示されるような基板ホル
ダ３において、装填孔４の一方の開口部に、基板一基板
ホルダ間隙４２を遮蔽するような遮蔽部材を設けた構成
のものであってもよい。

γ−Ｆｅｔｕｓを主成分とする連続薄膜型の磁性層を形
成するに際し直接酸化法を用いる場合、スパッタ室では
、前述したように反応性スパッタにより磁気ディスク基
板２の表面にＦｅｘＯ４を主成分とするスパッタ膜を形
成する。

この場合のスパッタ法には、スパッタ速度が高いことか
ら、マグネトロンスパッタを用いることが好ましい。

スパッタ法では、通常、ターゲットを陰極とし、基板や
真空槽の壁面などを陽極とするか、あるいは陽極を独立
して設け、これらの間に電界を形成する。

本発明では、直流（ＤＣ）スパッタ法を用いてもよ（高
周波（ＲＦ）スパッタ法を用いてもよい。

高周波スパッタ法を用いる場合は、陰極と陽極との間に
交番電界を印加するが、磁気ディスク基板の両面に同時
にスパッタ膜を形成するには、それぞれのターゲットご
とに交番電界を印加する。

このとき、磁気ディスク基板の一方の主面側において行
なわれる高周波スパッタの周波数をｆ　ＡＭＨｚとし、
他方の主面側において行なわれる高周波スパッタの周波
数をｆ、ＭＨｚとしたとき、 ０、　００３≦ｌ　　ｔＡ　−ｔｍ　　＋　≦０．０１
３ｆＡ＝１３．５６０００±０．００６７８ｆａ　＝１
３．５６０００±０．００６７８とすることが好ましく
、 ０．００５≦１ｆ、−ｆ、１≦０．０３Ｏとすることが
より好ましい。

なお、ｆＡおよびｆ、は、高周波スパッタ装置において
通常用いられる範囲に設定した。

１ｆＡ−ｆｉｌが上記範囲未満であると、基板両側の電
界同士の相互干渉の影響をスパッタ膜が受は易（なる。

また、１ｆＡ−ｆ、ｌの上限は、上記したｆＡおよびｆ
ｌｌの範囲から求められたものである。

反応性スパッタ法により成膜されたＦｅｚＯ＜は、γ−
ＦｅＪｉにまで酸化される。

この酸化は、酸素ガス分圧０．０５〜０．８気圧程度、
全圧０．５〜２気圧程度の雰囲気中での熱処理によって
行なわれればよ（、通常、大気中熱処理によって行なわ
れることが好ましい。

熱処理における保持温度は２００〜４００℃、特に２５
０〜３５０℃であることが好ましく、温度保持時間は、
３Ｏ９〜３Ｏ時間、特に１時間〜５時間であることが好
ましい。

なお、γ−Ｆｅｚｅｓを主成分とする磁性層中には、耐
久性を向上させるためにα−Ｆｅａｒｓが含有されるこ
とが好ましい、　α−Ｆｅａｒｓの含有量を耐久性向上
に有効な程度とするためには、上記熱処理に際し、昇温
速度を０．５〜２０’Ｃ／　ｍ　ｉ　ｎ、特に１〜ｌＯ
℃／　ｍ　ｉ　ｎとすることが好ましい。

なお、昇温速度は一定であってもよ（、漸増あるいは漸
減させてもよく、また、複数の昇温速度を組み合わせて
保持温度まで昇温させてもよい。

磁性層中には必要に応じてＣｏ、Ｔｉ、Ｃｕ等を添加さ
せてもよく、また、成膜雰囲気中に含まれるＡｒ等が含
有されていてもよい。

Ｇｏは保磁力を調整するために有効な元素である。　磁
性層中のＣｏの含有量は、Ｆｅを３Ｏｗｔ％以下置換す
る程度とすることが好ましい。　また、磁性層にＣｏを
含有させるためには、Ｃｏを含有するＦｅターゲットを
用いればよい。

磁性層の層厚は、生産性、磁気特性等を考慮して、２０
０〜２０００人程度とすることが好ましい。

このような磁性層が表面に形成される磁気ディスク基板
としては、下地層などを設層する必要がな（製造工程が
簡素になること、また、研磨が容易で表面粗さの制御が
簡単であること、磁性層形成時の熱処理に耐えることな
どから、ガラスを用いることが好ましい。

ガラスとしては、強化ガラス、特に、化学強化法による
表面強化ガラスを用いることが好ましい。

また、磁性層上には、有機化合物を含有する潤滑膜や無
機保護膜などを設けてもよい。

以上では、反応性ガスとして酸素ガスを用いて磁気ディ
スクの磁性層を形成する方法に本発明を適用する場合を
説明したが、本発明の反応性連続スパッタ方法は、基板
両面に同時にスパッタ膜を形成するものであればどのよ
うなスパッタ膜の形成にも適用できる。

例えば、反応性ガスとして酸素ガスを用いるＦｅ５０４
ｓ　Ｆｅｚｅｓ　、Ａｌｔｏｓ　、　５ｉｆ２、ＺｎＯ
、Ｚｒ０−ａ、ＩＴＯ等の成膜に好適であり、また、反
応性ガスとして窒素ガスを用いるＷＮ、　ＦｅＮ　、　
ＡＩＮ、５ｉｓＮ４等の成膜に好適である。　さらに、
反応性ガスとして酸素ガスと窒素ガスとの混合ガスを用
いる５ｉＡｊＯＮやＬａ５ｉＯＮ等の成膜にも好適であ
るＯ そして、このようなスパッタ膜は、磁気ディスクの保護
層をはじめ、各種用途に適用することができる。

〈実施例〉 以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに詳
細に説明する。

磁気ディスク基板として、外径１３０ｍｍ、内径４０ｍ
ｍ、厚さ１．２７ｍｍのアルミノケイ酸ガラス基板を用
いた。

この磁気ディスク基板を第５図に示されるような基板ホ
ルダに装填し、この基板ホルダを第２ａ図に示されるよ
うな基板搬送用トレーに取り付けた。

なお、基板ホルダ３の表面開口部４３外縁の直径は１３
５．０ｍｍ、裏面開口部４４外縁の直径は１２８．０ｍ
ｍ、溝４１の最深部の深さは１．０ｍｍ、幅は１．４ａ
＋ｍとした。　この基板ホルダに磁気ディスク基板を保
持した状態で、裏面開口部４４の上縁は磁気ディスク基
板の最上部より下に位置しており、裏面開口部が磁気デ
ィスク基板により完全に遮蔽された状態となっていた。

また、基板搬送用トレーには、図示のように縦、横とも
に３列、合計９個の磁気ディスク基板を保持させた。　
基板搬送用トレーの寸法は、縦８５０ｍｍ、横３Ｏ００
ｍｍとし、段差からトレ一端部までの距離は５０ｍｍと
した。

なお、磁気ディスク基板の中心孔は、栓により塞いだ。

そして、第１ａ図〜第１Ｃ図に示されるようなスパッタ
装置を用い、これらの図に示される工程に従って、Ｆｅ
Ｊ４膜を複数の基板の両生面に連続して形成した。

ターゲットには、１　ｗｔ％Ｃｏ−Ｆｅ合金を用い、酸
素ガスを含有するＡｒガス雰囲気中で高周波マグネトロ
ンスパッタを行なった。　スパッタ装置の各室内の雰囲
気制御および各バルブの制御は、前述したとおりとした
。

なお、スパッタ室１４において、基板搬送用トレーの左
側の列または右側の列の磁気ディスク基板にスパッタ膜
を形成しているときには、その基板搬送用トレーのそれ
ぞれ左側または右側に存在する他の基板搬送用トレーと
の間に間隙が生じないように各モータを制御した。　ま
た、スパッタ室に搬入された基板搬送用トレーが先行す
る基板搬送用トレーに追いついて両トレーの段差同士が
重なったときにモータＭＳＩの駆動を停止した。

このようにして磁気ディスク基板９００枚にＦｅｍ０４
膜を形成し、さらに各Ｆｅ５０＜膜を空気中で３３Ｏ℃
にて１時間熱処理して、γ−Ｆｅａｒｓ磁性層を有する
磁気ディスクを得た。

これらについて下記測定を行なった。

（γ−ＦｅＪｉ膜の比抵抗ρ） 四端針法により測定した。　測定条件を以下に示す。

探針材質：チタンカーバイド 針間隔：１ｍｍ 針先半径：４０４Ｒ 針　　　圧：３Ｏ０ｇ／本 比抵抗は、半径３０．４０．５０．６０ｍｍの各々で、
角度０”、９０°、１８０°、２７０°の位置で計１６
点測定して平均値と分布幅（最大値−最小値）を算出し
た。　この分布幅が小さいほど、膜の面内方向の均一性
がよい。

（γ−Ｆｅｚｅｓ膜厚さ） 蛍光Ｘ線分析によりディスク上の各点の膜厚を求めた。

蛍光Ｘ線分析におけるＦｅのカウント数と膜厚はほぼ比
例関係にあるので、Ｆｅのカウント数から膜厚を推定で
きる。

測定箇所は、半径３０．４０．５０．６０ｍｍの各々テ
、角度０”、９０°、１８０”、２７０°の位置で計１
６箇所であり、平均値と分布幅（最大値−最小値）を算
出した。　この分布幅が小さいほど、膜厚の面内方向の
均一性がよい。

各磁気ディスクにおけるこれらの測定結果を平均したと
ころ、 ρ平均値　：０．３３ＯΩ”　ａｍ ρ分布幅　：０．００６Ω”　ｃｍ 厚さ平均値：１３２０人 厚さ分布幅：１５人 であった。

また、各磁気ディスクの磁気特性および電磁変換特性を
測定したところ、磁性層面内および各磁気ディスク間の
ばらつきが非常に少ないものであった。

なお、比較のために、スパッタ室内において隣り合う基
板搬送用トレー間に常にｌｏｃｍの間隙が存在するよう
に各基板搬送用トレーを移動させながらＦｅａｒ４膜を
形成し、さらに上記熱処理を行なって磁気ディスクを作
製したところ、 ρ平均値　：０．３８１Ω・ａｍ ρ分布幅　：０．０９８Ω・ｃｍ 厚さ平均値：１３５０人 厚さ分布幅＝８５人 であった。

また、これらの磁気ディスクについて磁気特性および電
磁変換特性を測定したところ、磁気ディスク間のばらつ
きが大きいものであった。

なお、第５図に示される基板ホルダを用いたため、基板
主面外周部における磁性層が形成されていない領域の形
状が基板の両側で異なっていた。

すなわち、一方の主面側では、この領域が弧状であり、
他方の主面側では、この領域が環状であった。

また、第３ａ図に示される基板搬送用トレーを用いた場
合および第４ａ図に示される基板搬送用トレーを用いた
場合でも、第２ａ図に示される基板搬送用トレーを用い
た場合と同様な結果が得られた。

以上の実施例の結果から、本発明の効果が明らかである
。

〈発明の効果〉 本発明によれば、良好かつ均一な磁気特性を有する磁気
ディスクを連続して製造することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１ａ図、第１ｂ図および第１ｃ図は、本発明に用いる
スパッタ装置の動作を説明する概略断面図である。 第２ａ図、第３ａ図および第４ａ図は、本発明の基板搬
送用トレーの斜視図である。 第２ｂ図、第３ｂ図および第４ｂ図は、それぞれ第２ａ
図、第３ａ図および第４ａ図に示される基板搬送用トレ
ーを２枚接近させたときの状態を表わす部分平面図であ
る。 第５図は、本発明に好適な基板ホルダに基板が保持され
た状態を示す正面図である。 第６図は、第５図のＶＴ　−ＶＩ　Ｉ＠断面図である。 第７図は、従来から用いられている基板ホルダに基板が
保持された状態を示す正面図である。 第８図は、第７図の■−■線断面図である。 符号の説明 ２・・・基板 ２１・・・中心孔 ３・・・基板ホルダ ３１・・・テーパ部 ４・・・装填孔 ４１・・・溝 ４２・・・基板一基板ホルダ間隙 ４３・・・表面開口部 ４４・・・裏面開口部 ５・・・栓 ５１・・・テーバ部 １１・・・スパッタ装置 １２・・・ローディング室 １２１・・・バルブ １３・・・搬入用バルブ １４・・・スパッタ室 １５・・・搬出用バルブ １６・・・アンローディング室 １６１・・・バルブ １７・・・基板搬送用トレー １７１．１７２・・・段差 １７３．１７４・・・斜面 １７５・・・凸条 １７６・・・条溝 １８・・・ターゲット 出　願　人　ティーデイ−ケイ株式会社代　　理　　人
　　弁理士　　　石　　井　　陽　　−同　　　　　弁
理士　　　増　　１）　達　　哉Ｆ　　Ｉ　　Ｇ、　　
　５ ■」 ＦＩＧ、６ ＦＩＣ，７ ■」 Ｆ　工　Ｇ−８

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）　ローディング室と、搬入用バルブを介して前記
   ローディング室に連通するスパッタ室と、搬出用バルブ
   を介して前記スパッタ室に連通するアンローディング室
   とを少なくとも有するスパッタ装置を用い、 基板が保持された複数の板状の基板搬送用トレーをロー
   ディング室からスパッタ室に順次搬入し、スパッタ室に
   搬入された基板搬送用トレーを移動させながら、基板搬
   送用トレーを挟んで対向配置された少なくとも一対のタ
   ーゲットを反応性雰囲気中でスパッタすることにより、
   基板の両面に同時にスパッタ膜を形成し、次いで、スパ
   ッタ膜が形成された基板を保持する基板搬送用トレーを
   スパッタ室からアンローディング室に順次搬出すること
   により、複数の基板に連続してスパッタ膜を形成する工
   程を有し、 この工程において、基板搬送用トレー主面の法線方向か
   ら見たときに、スパッタ膜形成中の基板が保持されてい
   る基板搬送用トレーと、これと相隣り合う少なくとも一
   方の基板搬送用トレーとの間に、間隙が存在しないこと
   があるようにスパッタ室内の基板搬送用トレーの移動を
   制御することを特徴とする反応性連続スパッタ方法。
2. （２）　ローディング室の圧力をスパッタ室の圧力とほ
   ぼ同等とした後に搬入用バルブを開いて基板搬送用トレ
   ーをスパッタ室に搬入し、 アンローディング室の圧力をスパッタ室の圧力とほぼ同
   等とした後に搬出用バルブを開いて基板搬送用トレーを
   スパッタ室からアンローディング室に搬出する構成を有
   し、 ローディング室からスパッタ室への基板搬送用トレーの
   搬入速度およびスパッタ室からアンローディング室への
   基板搬送用トレーの搬出速度が、スパッタ膜形成中の基
   板を保持している基板搬送用トレーの移動速度よりも高
   く設定されており、 スパッタ室に搬入された基板搬送用トレー と、先にスパッタ室に搬入されて移動中の基板搬送用ト
   レーとの間に、基板搬送用トレー主面の法線方向から見
   たとき少なくとも間隙が存在しなくなったときに前記搬
   入された基板搬送用トレーの速度を先に搬入された基板
   搬送用トレーの移動速度と等しくする請求項１に記載の
   反応性連続スパッタ方法。
3. （３）　スパッタ室に存在する基板搬送用トレーの主面
   が、同一平面内に存在する請求項１または２に記載の反
   応性連続スパッタ方法。
4. （４）　前記ターゲットとしてＦｅを主成分とするター
   ゲットを用い、前記基板として磁気ディスク用基板を用
   いて、Ｆｅ＿３Ｏ＿４を主成分とするスパッタ膜を請求
   項１ないし３のいずれかに記載の反応性連続スパッタ方
   法により形成し、 次いで、前記スパッタ膜を酸化することによりγ−Ｆｅ
   ＿２Ｏ＿３を主成分とする連続薄膜型の磁性層を形成す
   ることを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
5. （５）　請求項１ないし３のいずれかに記載の反応性連
   続スパッタ方法に用いられる基板搬送用トレーであって
   、 基板またはこれが保持された基板ホルダを保持するため
   の孔部を有する板状体であり、 一辺に段差、凸条または斜面を有し、前記一辺と対向す
   る他辺に、前記段差と噛み合う段差、前記凸条が挿入可
   能な条溝または前記斜面と平行な斜面を有することを特
   徴とする基板搬送用トレー。