JPH04155915A - 被処理基板の現像方法 - Google Patents
被処理基板の現像方法Info
- Publication number
- JPH04155915A JPH04155915A JP28164490A JP28164490A JPH04155915A JP H04155915 A JPH04155915 A JP H04155915A JP 28164490 A JP28164490 A JP 28164490A JP 28164490 A JP28164490 A JP 28164490A JP H04155915 A JPH04155915 A JP H04155915A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- developing
- substrate
- development
- cup
- developer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 238000011161 development Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 15
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 16
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 9
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 abstract description 6
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229940043265 methyl isobutyl ketone Drugs 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 6
- 101100327917 Caenorhabditis elegans chup-1 gene Proteins 0.000 description 4
- 238000009937 brining Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
被処理基板の現像方法に関し、
現像むらと残渣系欠陥を無くすることを目的とし、
現像液を保持して現像を行う現像機の現像カップを現像
液で洗浄した後、改めて現像液を供給して現像を行うか
、あるいは現像カップ内に残存するリンス液の蒸発する
のを待って現像液を供給し、現像を行うことを特徴とし
て被処理基板の現像方法を構成する。
液で洗浄した後、改めて現像液を供給して現像を行うか
、あるいは現像カップ内に残存するリンス液の蒸発する
のを待って現像液を供給し、現像を行うことを特徴とし
て被処理基板の現像方法を構成する。
本発明は半導体デバイスの形成に使用する被処理基板の
現像方法に関する。
現像方法に関する。
半導体デバイスの形成には薄膜形成技術、写真蝕刻技術
（フォトリソグラフィ或いは電子線リソグラフィ）、半
導体層形成技術などが使用されている。
（フォトリソグラフィ或いは電子線リソグラフィ）、半
導体層形成技術などが使用されている。
こ−で、写真蝕刻技術は被処理基板上にスピンコート法
などによりレジストを薄く被覆してレジスト層を形成し
た後、このレジスト層に紫外線あくいは電子線を選択的
に露光した後、この基板を現像液に浸漬してレジストを
選択エツチングしてレジストパターンが作られる。
などによりレジストを薄く被覆してレジスト層を形成し
た後、このレジスト層に紫外線あくいは電子線を選択的
に露光した後、この基板を現像液に浸漬してレジストを
選択エツチングしてレジストパターンが作られる。
ニーで、レジストには照射部か現像液に不溶となる“ネ
ガタイプ”と照射部が現像液に可溶となる“ポジタイプ
“とがある。
ガタイプ”と照射部が現像液に可溶となる“ポジタイプ
“とがある。
そして、現像が終わった後は被処理基板にリンス液を用
いて洗浄し、レジストパターンの膨潤を防いでいる。
いて洗浄し、レジストパターンの膨潤を防いでいる。
こ−で、被処理基板とは、半導体デバイスを形成する半
導体ウェハや、この半導体ウェハに投影露光を行うマス
ク基板やマスク基板を形成するレチクルなどが該当して
いる。
導体ウェハや、この半導体ウェハに投影露光を行うマス
ク基板やマスク基板を形成するレチクルなどが該当して
いる。
被処理基板の現像は現像機を用いて行われている。
こ＼で、現像機には各種のタイプがあり、−概には言え
ないか、第１図は発明者か使用している枚葉式デイツプ
現像機の断面図であり、これを用いて現像方法を説明す
る。
ないか、第１図は発明者か使用している枚葉式デイツプ
現像機の断面図であり、これを用いて現像方法を説明す
る。
現像機はローアカップ１の中央にスピンチャック２かあ
り、モータにより高速回転すると共に真空吸着機能を備
えており、被処理基板３を真空吸着することかでき、上
下にスライド可能で回転軸と接するローアカップ１の上
端には０リング４か設けられており、スピンチャック２
か降下した場合に気密封止か可能である。
り、モータにより高速回転すると共に真空吸着機能を備
えており、被処理基板３を真空吸着することかでき、上
下にスライド可能で回転軸と接するローアカップ１の上
端には０リング４か設けられており、スピンチャック２
か降下した場合に気密封止か可能である。
また、ローアカップｌの上には上下にスライド可能なア
ッパーカップ５かスピンチャック２を中央にしてリング
状に設けられており、この中に第２の排水路（以下略し
て第２ドレイン）６と現像、液導入ロアが備えられてい
る。
ッパーカップ５かスピンチャック２を中央にしてリング
状に設けられており、この中に第２の排水路（以下略し
て第２ドレイン）６と現像、液導入ロアが備えられてい
る。
なお、アッパーカップ５の下面には○リング８かあり、
アッパーカップ５か降下してローアカップ１に接した場
合に気密封止ができ、現像液を溜める現像カップ９か形
成される。
アッパーカップ５か降下してローアカップ１に接した場
合に気密封止ができ、現像液を溜める現像カップ９か形
成される。
（以上第１図ＡおよびＢ対応）
次に、現像液を現像カップ９に溜めた後、現像を行い、
その後にこの現像液を除くにはアッパーカップ５を上げ
ればよく、現像液はローアカップ１との間に形成された
第１の排水路（以下略して第１ドレイン）１０を通って
排出される。
その後にこの現像液を除くにはアッパーカップ５を上げ
ればよく、現像液はローアカップ１との間に形成された
第１の排水路（以下略して第１ドレイン）１０を通って
排出される。
（以上同図Ｃ対応）
ニーで、現像工程としては、第１図（Ａ）に示すように
被処理基板３をスピンチャック２に吸着固定した後、モ
ータによりスピンチャック２を回転させた状態で、スプ
レーノズル１１よりリンス液１２をスプレーして被処理
基板３を洗浄し、被処理基板３の上に付着している塵埃
を除く。
被処理基板３をスピンチャック２に吸着固定した後、モ
ータによりスピンチャック２を回転させた状態で、スプ
レーノズル１１よりリンス液１２をスプレーして被処理
基板３を洗浄し、被処理基板３の上に付着している塵埃
を除く。
この場合、リンス液１２は遠心力により飛散し、アッパ
ーカップ５に備えられている第２ドレイン６より排出さ
れる。（以上同図Ａ） 次に、スピンチャック２とアッパーカップ５を降下させ
てローアカップｌに接触させた状態でアッパーカップ５
の現像液導入ロアより被処理基板３が浸漬するまで現像
カップ９内に現像液を供給し、これにより現像が行われ
る。（以上同図Ｂ） 次に、所定の時間に亙って浸漬し
て現像か終わった後はアッパーカップ５を上げることに
より、現像液は第１のドレイン１０より排出される。
ーカップ５に備えられている第２ドレイン６より排出さ
れる。（以上同図Ａ） 次に、スピンチャック２とアッパーカップ５を降下させ
てローアカップｌに接触させた状態でアッパーカップ５
の現像液導入ロアより被処理基板３が浸漬するまで現像
カップ９内に現像液を供給し、これにより現像が行われ
る。（以上同図Ｂ） 次に、所定の時間に亙って浸漬し
て現像か終わった後はアッパーカップ５を上げることに
より、現像液は第１のドレイン１０より排出される。
（以上同図Ｃ）
次に、スピンチャック２を上げると共にアッパーカップ
５を下げて元に戻し、スピンチャック２をモータで回転
させると共にスプレーノズル１１よりリンス液１２をス
プレーしてリンスし、その後スピンチャック２の回転数
を上げて被処理基板３を乾燥する。
５を下げて元に戻し、スピンチャック２をモータで回転
させると共にスプレーノズル１１よりリンス液１２をス
プレーしてリンスし、その後スピンチャック２の回転数
を上げて被処理基板３を乾燥する。
このような工程で被処理基板３の現像が行われていた。
然し、被処理基板３をスピンチャック２に吸着固定した
後に行うブリリンスおよび現像後に行うリンス工程にお
いて、リンス液１２は完全には排出されておらず、一部
のリンス液は現像カップ９に残存するのが避けられなか
った。
後に行うブリリンスおよび現像後に行うリンス工程にお
いて、リンス液１２は完全には排出されておらず、一部
のリンス液は現像カップ９に残存するのが避けられなか
った。
枚葉式のデイツプ現像は現像機を用いて行われており、
ブリリンス→現像→リンス工程をとるか或いは現像→リ
ンス工程をとって行われている。
ブリリンス→現像→リンス工程をとるか或いは現像→リ
ンス工程をとって行われている。
然し、現像処理を連続して行うために、先に使用したリ
ンス液の一部が現像カップ内に残存していることが多く
、これか原因で現像ムラを生じていることが問題である
。
ンス液の一部が現像カップ内に残存していることが多く
、これか原因で現像ムラを生じていることが問題である
。
上記の課題は被処理基板上にレジストを被覆し、この基
板に紫外線あるいは電子線を選択的に露光した後、この
基板を現像機にセットし、現像液に浸漬して前記レジス
トを選択エツチングした後にリンスし、被処理基板上に
レジストパターンを得る現像方法において、 現像液を保持して現像を行う現像機の現像カップを現像
液で洗浄した後、改めて現像液を供給して現像を行うか
、或いは現像カップ内に残存するリンス液の蒸発するの
を待って現像液を供給し、現像を行うことを特徴として
被処理基板の現像方法を構成することにより解決するこ
とができる。
板に紫外線あるいは電子線を選択的に露光した後、この
基板を現像機にセットし、現像液に浸漬して前記レジス
トを選択エツチングした後にリンスし、被処理基板上に
レジストパターンを得る現像方法において、 現像液を保持して現像を行う現像機の現像カップを現像
液で洗浄した後、改めて現像液を供給して現像を行うか
、或いは現像カップ内に残存するリンス液の蒸発するの
を待って現像液を供給し、現像を行うことを特徴として
被処理基板の現像方法を構成することにより解決するこ
とができる。
枚葉式現像機を用いて連続的に被処理基板の現像を行う
と現像機の現像カップには多少なりとも現像液かリンス
液が残存する。
と現像機の現像カップには多少なりとも現像液かリンス
液が残存する。
こ−で、現像液が残存しており、これに現像液を供給し
て現像する場合は差支えないが、リンス液が残存してお
り、これに現像液を供給して現像する場合にはレジスト
に対する溶解性が被処理基板の面内および面間で異なっ
てくることから、被処理基板に現像ムラを生ずる。
て現像する場合は差支えないが、リンス液が残存してお
り、これに現像液を供給して現像する場合にはレジスト
に対する溶解性が被処理基板の面内および面間で異なっ
てくることから、被処理基板に現像ムラを生ずる。
また、被処理基板間にも現像に有意差が現れて品質が低
下する。
下する。
そこで、本発明はブリリンスを行った後、或いはブリリ
ンスを行わない場合は現像後のリンスを行った後、現像
カップを現像液で洗い、リンス液を第１ドレインを通し
て排水した後、改めて現像液を供給して現像を行うか、
或いはリンス液が蒸発するのを待って現像液を供給し、
現像を行うものである。
ンスを行わない場合は現像後のリンスを行った後、現像
カップを現像液で洗い、リンス液を第１ドレインを通し
て排水した後、改めて現像液を供給して現像を行うか、
或いはリンス液が蒸発するのを待って現像液を供給し、
現像を行うものである。
このように、リンス液を除いた状態で現像を行えば品質
の良い現像を行うことができる。
の良い現像を行うことができる。
石英製の５インチ角のレチクル乾板を被処理基板とし、
この被処理基板にスパッタ法によりクローム（Ｃｒ）と
酸化クローム（ＣｒｚＯｓ）を７００人および３００人
の厚さに形成した後、電子線用ポジ型レジストであるＥ
ＢＲ−９を約５０００人の厚さにスピンコードした。
この被処理基板にスパッタ法によりクローム（Ｃｒ）と
酸化クローム（ＣｒｚＯｓ）を７００人および３００人
の厚さに形成した後、電子線用ポジ型レジストであるＥ
ＢＲ−９を約５０００人の厚さにスピンコードした。
そして、この被処理基板を電子線露光装置にセットし、
ＬＳＩ用のパターンを選択露光した。
ＬＳＩ用のパターンを選択露光した。
次に、この被処理基板３を第１図に示す現像機のスピン
チャック２に吸着固定させた。
チャック２に吸着固定させた。
先ず、ブリリンス液としてイソプロピルアルコール（略
称ＩＰＡ）を用い、スピンチャック２を２０Ｏｒｐｍで
回転させ乍ら、スプレーノズル１１から７０ＣＣ／分の
割りで１０秒ずつ２回スプレィして塵埃を除いた。（以
上第１図Ａ対応） 次に、アッパーカップ５を上げた状態で、現像液として
メチルイソブチルケトン（略称ＭＩＢＫ）を用い、８箇
所設けであるアッパーカップ５の現像液導入ロアより５
００ｃｃ／分の流速で５秒間供給し、第１のドレイン１
０を通してＩＰＡを除いた。
称ＩＰＡ）を用い、スピンチャック２を２０Ｏｒｐｍで
回転させ乍ら、スプレーノズル１１から７０ＣＣ／分の
割りで１０秒ずつ２回スプレィして塵埃を除いた。（以
上第１図Ａ対応） 次に、アッパーカップ５を上げた状態で、現像液として
メチルイソブチルケトン（略称ＭＩＢＫ）を用い、８箇
所設けであるアッパーカップ５の現像液導入ロアより５
００ｃｃ／分の流速で５秒間供給し、第１のドレイン１
０を通してＩＰＡを除いた。
（以上ブリリンス工程が終了）
次に、スピンチャック２とアッパーカップ５を下げた後
、８箇所設けであるアッパーカップ５の現像液導入ロア
よりＭＩＢＫを３００ ｃｃ供給して現像カップ９を満
たすことにより被処理基板３を浸漬し、１５０秒間に亙
って現像した。（以上同図Ｂ対応）次に、アッパーカッ
プ５を上げて第１のドレイン１０を通してＭＩＢＫを排
出させ、現像を終えた。
、８箇所設けであるアッパーカップ５の現像液導入ロア
よりＭＩＢＫを３００ ｃｃ供給して現像カップ９を満
たすことにより被処理基板３を浸漬し、１５０秒間に亙
って現像した。（以上同図Ｂ対応）次に、アッパーカッ
プ５を上げて第１のドレイン１０を通してＭＩＢＫを排
出させ、現像を終えた。
（以上同図Ｃ対応）
次に、スピンチャック２を上げ、リンス液としてＩＰＡ
を用い、スピンチャック２を２０Ｏｒｐｍで回転させた
状態で、スプレーノズル１１よりＩＰＡを７０ＣＣ／分
の流量で３０秒間スプレーしてリンスを行った後、回転
数を１２０Ｏｒｐｍに上げ３０秒間保持することにより
乾燥させた。（以上同図Ａ対応）このようにして形成し
たレチクル乾板の特性を従来の方法で現像したものと比
較した。
を用い、スピンチャック２を２０Ｏｒｐｍで回転させた
状態で、スプレーノズル１１よりＩＰＡを７０ＣＣ／分
の流量で３０秒間スプレーしてリンスを行った後、回転
数を１２０Ｏｒｐｍに上げ３０秒間保持することにより
乾燥させた。（以上同図Ａ対応）このようにして形成し
たレチクル乾板の特性を従来の方法で現像したものと比
較した。
すなわち、５インチ角のレチクル基板の中央の１００
ｍｍ角の面積に２μｍのライン・アンド・スペースのテ
ストパターンを１９Ｘ１９個形成したものを５枚づつ作
り、パターン幅の分布、パターン幅の変動および欠陥数
を比較した。
ｍｍ角の面積に２μｍのライン・アンド・スペースのテ
ストパターンを１９Ｘ１９個形成したものを５枚づつ作
り、パターン幅の分布、パターン幅の変動および欠陥数
を比較した。
第１表
ニーで、３σは各５枚の平均値であって、本発明を適用
して現像カップの現像液洗浄を行った方が０．０３μｍ
改良されている。
して現像カップの現像液洗浄を行った方が０．０３μｍ
改良されている。
また、ＭＡＸ−ＮＩＮはパターン幅について、５枚の平
均値を比較したもので、現像カップの現像液洗浄を行っ
た方が０．０２μｍ改良されている。
均値を比較したもので、現像カップの現像液洗浄を行っ
た方が０．０２μｍ改良されている。
また、欠陥数はエツチングを行った後に残渣系欠陥とな
るもの＼数で、５枚の平均値を示しており、０．６個は
５枚の基板に３個の欠陥か、また１゜８個は９個の欠陥
かあったことを示している。
るもの＼数で、５枚の平均値を示しており、０．６個は
５枚の基板に３個の欠陥か、また１゜８個は９個の欠陥
かあったことを示している。
このように本発明を適用することによりパターン幅の変
動か少なくなり、また欠陥の発生数か減少している。
動か少なくなり、また欠陥の発生数か減少している。
本発明の実施によりレジストの選択露光を行った被処理
基板を現像する際に、現像ムラと欠陥の発生数を減らす
ことができ、これにより半導体デバイスの形成に当たっ
て品質を向上することかできる。
基板を現像する際に、現像ムラと欠陥の発生数を減らす
ことができ、これにより半導体デバイスの形成に当たっ
て品質を向上することかできる。
なお、この方法は類似の構造をとるエツチング装置に対
しても適用することができる。
しても適用することができる。
第１図は現像動作を説明する現像機の断面図、である。
図において、
１はローアカップ、 ２はスピンチャック、３
は被処理基板、 ５はアッパーカップ、６は
第２ドレイン、 ７は現像液導入口、９は現像
カップ、 １０は第１ドレイン、１１はスプ
レーノズル、 １２はリンス液、である。
は被処理基板、 ５はアッパーカップ、６は
第２ドレイン、 ７は現像液導入口、９は現像
カップ、 １０は第１ドレイン、１１はスプ
レーノズル、 １２はリンス液、である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被処理基板上にレジストを被覆し、該基板に投影露光あ
るいは密着露光を施して部分的に露光した後、該基板を
現像機にセットし、現像液に浸漬して前記レジストを選
択エッチングした後にリンスし、被処理基板上にレジス
トパターンを得る現像方法において、 現像液を保持して現像を行う現像機の現像カップを現像
液で洗浄した後、改めて現像液を供給して現像を行うか
、或いは現像カップ内に残存するリンス液の蒸発するの
を待って現像液を供給し、現像を行うことを特徴とする
被処理基板の現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28164490A JPH04155915A (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | 被処理基板の現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28164490A JPH04155915A (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | 被処理基板の現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04155915A true JPH04155915A (ja) | 1992-05-28 |
Family
ID=17641978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28164490A Pending JPH04155915A (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | 被処理基板の現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04155915A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6456377B1 (en) | 1997-01-20 | 2002-09-24 | Nikon Corporation | Method for measuring optical feature of exposure apparatus and exposure apparatus having means for measuring optical feature |
| JP2019071450A (ja) * | 2018-12-21 | 2019-05-09 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法 |
| US10818520B2 (en) | 2015-03-18 | 2020-10-27 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63152123A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-24 | Tokyo Electron Ltd | 浸漬式の液処理装置 |
| JPH0374837A (ja) * | 1989-08-17 | 1991-03-29 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の現像方法 |
-
1990
- 1990-10-19 JP JP28164490A patent/JPH04155915A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63152123A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-24 | Tokyo Electron Ltd | 浸漬式の液処理装置 |
| JPH0374837A (ja) * | 1989-08-17 | 1991-03-29 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の現像方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6456377B1 (en) | 1997-01-20 | 2002-09-24 | Nikon Corporation | Method for measuring optical feature of exposure apparatus and exposure apparatus having means for measuring optical feature |
| US6825932B2 (en) | 1997-01-20 | 2004-11-30 | Nikon Corporation | Method for measuring optical feature of exposure apparatus and exposure apparatus having means for measuring optical feature |
| US10818520B2 (en) | 2015-03-18 | 2020-10-27 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
| JP2019071450A (ja) * | 2018-12-21 | 2019-05-09 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4005879B2 (ja) | 現像方法、基板処理方法、及び基板処理装置 | |
| TWI334161B (en) | A method of processing a semiconductor wafer, immersion lithography and edge-bead removal system | |
| JPH03502255A (ja) | ホトレジストを塗布した基体から望ましくない周辺部の材料（例えばエツジビーズ）を除去するための乳酸エチルとメチルエチルケトンとの特定混合物の使用 | |
| JPH04155915A (ja) | 被処理基板の現像方法 | |
| JPH11288877A (ja) | レジストパターンの形成方法及び微細加工方法 | |
| JPS5898733A (ja) | 現像装置 | |
| JPH03215867A (ja) | ポジレジストの現像処理方法 | |
| EP4095605B1 (en) | Photoresist removal method and photoresist removal system | |
| JP2000150627A (ja) | 液塗布装置 | |
| JPH0246464A (ja) | 現像方法 | |
| KR100591156B1 (ko) | 스핀 코터 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 | |
| CN113376967A (zh) | 一种光刻金属剥离工艺显影工序 | |
| JPH08330211A (ja) | フォトレジスト現像装置、およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造装置、ならびに現像処理方法 | |
| KR100640944B1 (ko) | 반도체 제조용 포토 장치 및 방법 | |
| JPH03231227A (ja) | 電極パターンの形成方法 | |
| JPS6241792B2 (ja) | ||
| JPH021298B2 (ja) | ||
| JPH11186123A (ja) | ウエーハ上に形成された感光膜の現像方法 | |
| CN116946968A (zh) | 具有深槽结构的mems器件的表面图形制备方法 | |
| JPH02161433A (ja) | フォトマスク基板 | |
| KR20010049038A (ko) | 반도체 장치의 감광막 제거 방법 | |
| JPS584144A (ja) | レジスト現像方法 | |
| KR20070013462A (ko) | 포토레지스트 패턴의 형성방법 | |
| KR20050053244A (ko) | 오염 제거용 세정 척 | |
| JPH0575110B2 (ja) |