JPH04127580A - 多接合型アモルファスシリコン系太陽電池 - Google Patents
多接合型アモルファスシリコン系太陽電池Info
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- JPH04127580A JPH04127580A JP2247141A JP24714190A JPH04127580A JP H04127580 A JPH04127580 A JP H04127580A JP 2247141 A JP2247141 A JP 2247141A JP 24714190 A JP24714190 A JP 24714190A JP H04127580 A JPH04127580 A JP H04127580A
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- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 52
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 43
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 13
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 7
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 20
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/545—Microcrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、短絡電流密度と曲線因子の高い光電変換特性
に優れた多接合型アモルファスシリコン系太陽電池に関
する。
に優れた多接合型アモルファスシリコン系太陽電池に関
する。
従来の多接合型アモルファスシリコン系太陽電池は、特
開昭６１−２５１１７号公報に記載のように、複数個の
ｐｉｎ接合セルを単に積層した構造のものである。
開昭６１−２５１１７号公報に記載のように、複数個の
ｐｉｎ接合セルを単に積層した構造のものである。
他方、ｐｉｎ接合セルとｐｉｎ接合セルの間に透光性の
金属薄膜、酸化物、フッ化物、窒化物のいずれかを形成
し、ｎｐ接合のオーミック特性を向上させた多接合型（
多層構造）のアモルファスシリコン系太陽電池が特開昭
６０−１４０４４１号公報において提案されている。
金属薄膜、酸化物、フッ化物、窒化物のいずれかを形成
し、ｎｐ接合のオーミック特性を向上させた多接合型（
多層構造）のアモルファスシリコン系太陽電池が特開昭
６０−１４０４４１号公報において提案されている。
上述した従来の多接合型のアモルファスシリコン系太陽
電池の光電流の分光感度特性を第４図に示す。図におい
て、光入射側から第１接合セル、第２接合セル、第３接
合セルと呼び、各接合セルの分光感度特性を示している
。第４図において。
電池の光電流の分光感度特性を第４図に示す。図におい
て、光入射側から第１接合セル、第２接合セル、第３接
合セルと呼び、各接合セルの分光感度特性を示している
。第４図において。
第１接合セルの分光感度が、長波長側でなだらかに減少
している理由は次のとおりであると考えられる。すなわ
ち、多接合型のアモルファスシリコン系太陽電池では各
接合セルの出力電流が同じになるように、第１接合セル
の１層膜厚は薄く（１０００Å以下）設定されている。
している理由は次のとおりであると考えられる。すなわ
ち、多接合型のアモルファスシリコン系太陽電池では各
接合セルの出力電流が同じになるように、第１接合セル
の１層膜厚は薄く（１０００Å以下）設定されている。
したがって、第１接合セルでは入射光が充分吸収されな
いために、その分光感度は長波長領域において漸減する
。
いために、その分光感度は長波長領域において漸減する
。
この吸収しきれない光が第２接合セルで吸収され光電変
換される。上記の吸収しきれない光は、第１接合セルに
おいても第２接合セルにおいても中途半端に吸収される
ため、この波長領域光に対する光電変換効率は他の波長
領域の光に対する光電変換効率よりも悪くなっている。
換される。上記の吸収しきれない光は、第１接合セルに
おいても第２接合セルにおいても中途半端に吸収される
ため、この波長領域光に対する光電変換効率は他の波長
領域の光に対する光電変換効率よりも悪くなっている。
なお、セル特性としては曲線因子が悪くなる。そして、
第２接合セルの長波長側分光感度も、第１接合セル程で
はないがなだらかに減少し、第２接合セルと第３接合セ
ルの間においても上記第１接合セル／第２接合セル間と
同様の現象が生じる。
第２接合セルの長波長側分光感度も、第１接合セル程で
はないがなだらかに減少し、第２接合セルと第３接合セ
ルの間においても上記第１接合セル／第２接合セル間と
同様の現象が生じる。
また、上記従来技術における多接合型アモルファスシリ
コン系太陽電池に設けられている金属薄膜等は、ｎｐ接
合のオーミック特性を良くするためのもので、単なる導
電性の光透過膜であり、この場合においても上記の分光
感度特性低下の問題は残る。
コン系太陽電池に設けられている金属薄膜等は、ｎｐ接
合のオーミック特性を良くするためのもので、単なる導
電性の光透過膜であり、この場合においても上記の分光
感度特性低下の問題は残る。
本発明の目的は、上記従来技術における問題点を解決し
、短絡電流密度と曲線因子が高く、光電変換効率に優れ
た多接合型アモルファスシリコン系太陽電池を提供する
ことにある。
、短絡電流密度と曲線因子が高く、光電変換効率に優れ
た多接合型アモルファスシリコン系太陽電池を提供する
ことにある。
上記本発明の目的を達成するために、多接合型アモルフ
ァスシリコン系太陽電池を構成する第１接合セルと第２
接合セルとの間に、第１接合セルの分光感度が漸減して
いる長波長側の波長領域内の特定波長より短波長の光の
みを反射する中間層を形成する。また、接合セルの数が
３個以上の時は、第２接合セルと第３接合セルとの間に
も、第２接合セルの分光感度が漸減している長波長側の
波長領域内の特定波長より短波長の光のみを反射する中
間層を形成する。この中間層は金属の酸化膜、窒化膜の
うちの少なくとも１種からなる中間層であることが好ま
しい、また、上記中間層はＰ、ｉ、ｎ各層よりも屈折率
の小さい金属の酸化物、窒化物、フッ化物のうちの少な
くとも１種からなる中間層であってもよい。さらに、上
記中間層は導電性光透過膜と絶縁性膜との積層膜であっ
てもよい。また、本発明の多接合型アモルファスシリコ
ン系太陽電池を構成する各ｐｉｎ接合セルは、アモルフ
ァスシリコンおよびアモルファスシリコンゲルマニウム
からなることが好ましい。
ァスシリコン系太陽電池を構成する第１接合セルと第２
接合セルとの間に、第１接合セルの分光感度が漸減して
いる長波長側の波長領域内の特定波長より短波長の光の
みを反射する中間層を形成する。また、接合セルの数が
３個以上の時は、第２接合セルと第３接合セルとの間に
も、第２接合セルの分光感度が漸減している長波長側の
波長領域内の特定波長より短波長の光のみを反射する中
間層を形成する。この中間層は金属の酸化膜、窒化膜の
うちの少なくとも１種からなる中間層であることが好ま
しい、また、上記中間層はＰ、ｉ、ｎ各層よりも屈折率
の小さい金属の酸化物、窒化物、フッ化物のうちの少な
くとも１種からなる中間層であってもよい。さらに、上
記中間層は導電性光透過膜と絶縁性膜との積層膜であっ
てもよい。また、本発明の多接合型アモルファスシリコ
ン系太陽電池を構成する各ｐｉｎ接合セルは、アモルフ
ァスシリコンおよびアモルファスシリコンゲルマニウム
からなることが好ましい。
本発明の多接合型アモルファスシリコン系太陽電池を構
成する各接合セルの間に設けた中間層により、特定波長
より短波長の光は、第１接合セルにおいて充分に吸収さ
れ、上記波長より長波長の光は第２接合セルで吸収され
て効率よく光電変換される。また、第２接合セルと第３
接合セルの間においても、上記と類似の膜からなる中間
層を形成することにより上記同様の作用が生じる。した
がって、第１接合セルと第２接合セルおよび第２接合セ
ルと第３接合セルの長波長側分光感度特性は、従来の多
接合型アモルファスシリコン系太陽電池の分光感度特性
よりも急峻となると同時に、分光感度がクロスする波長
領域光下のセル特性、特に曲線因子が向上し、光電変換
効率の高い多接合型アモルファスシリコン系太陽電池が
得られる。
成する各接合セルの間に設けた中間層により、特定波長
より短波長の光は、第１接合セルにおいて充分に吸収さ
れ、上記波長より長波長の光は第２接合セルで吸収され
て効率よく光電変換される。また、第２接合セルと第３
接合セルの間においても、上記と類似の膜からなる中間
層を形成することにより上記同様の作用が生じる。した
がって、第１接合セルと第２接合セルおよび第２接合セ
ルと第３接合セルの長波長側分光感度特性は、従来の多
接合型アモルファスシリコン系太陽電池の分光感度特性
よりも急峻となると同時に、分光感度がクロスする波長
領域光下のセル特性、特に曲線因子が向上し、光電変換
効率の高い多接合型アモルファスシリコン系太陽電池が
得られる。
以下、本発明の一実施例を挙げ、図面を用いてさらに詳
細に説明する。
細に説明する。
（実施例 １）
第１図に、本実施例において作製した多接合型アモルフ
ァスシリコン系太陽電池の構成を示す。
ァスシリコン系太陽電池の構成を示す。
図に示すごとく、まず、ガラス基板１上に、８０００人
のＳｎＯ，透明電極２を形成し、この上にプラズマＣＶ
Ｄ法を用い基板温度２５０℃で第１接合セルを形成する
。まずＢ２Ｈ，ガスとＳ ｉ Ｈ，ガスとを混合したガ
スを用いて、Ｂドープ水素化アモルファスシリコンカー
バイドｐ層３、次に、ＳｉＨ，ガスを用いてノンドープ
水素化アモルファスシリコ２１層４、さらに、ＰＨ，ガ
スとＳｉＨ４ガスとを混合したガスを用いて、Ｐドープ
水素化微結晶シリコンｎ層５を形成する。各層の厚さは
、２層１００人、１層６００人、ｎ層ｌＯＱ程度度とす
る。この全面に、基板温度１５０〜２５０℃の範囲内で
真空蒸着法にてｓｂドープＳｎＯ，膜６を１００人の厚
さ形成する。
のＳｎＯ，透明電極２を形成し、この上にプラズマＣＶ
Ｄ法を用い基板温度２５０℃で第１接合セルを形成する
。まずＢ２Ｈ，ガスとＳ ｉ Ｈ，ガスとを混合したガ
スを用いて、Ｂドープ水素化アモルファスシリコンカー
バイドｐ層３、次に、ＳｉＨ，ガスを用いてノンドープ
水素化アモルファスシリコ２１層４、さらに、ＰＨ，ガ
スとＳｉＨ４ガスとを混合したガスを用いて、Ｐドープ
水素化微結晶シリコンｎ層５を形成する。各層の厚さは
、２層１００人、１層６００人、ｎ層ｌＯＱ程度度とす
る。この全面に、基板温度１５０〜２５０℃の範囲内で
真空蒸着法にてｓｂドープＳｎＯ，膜６を１００人の厚
さ形成する。
この上に、５０μｍ間隔のストライプ状のＴａ、Ｏ，膜
７を形成する８次に、第２接合セルとして、第１接合セ
ル同様に、Ｂドープ水素化微結晶シリコンｐ層８．ノン
ドープ水素化アモルファスシリコ２１層４、Ｐドープ水
素化微結晶シリコンｎ層５を形成する。各層の厚さは、
２層１００人、１層１８００人、ｎ層１００程度度とす
る。
７を形成する８次に、第２接合セルとして、第１接合セ
ル同様に、Ｂドープ水素化微結晶シリコンｐ層８．ノン
ドープ水素化アモルファスシリコ２１層４、Ｐドープ水
素化微結晶シリコンｎ層５を形成する。各層の厚さは、
２層１００人、１層１８００人、ｎ層１００程度度とす
る。
この全面に、ｓｂドープＳｎＯ，膜６と膜厚５０人のノ
ンドープ窒化シリコン膜１２を形成する。
ンドープ窒化シリコン膜１２を形成する。
さらに、この上に第３接合セルとしてＢドープ水素化微
結晶シリコンｐ層８、ノンドープ水素化アモルファスシ
リコンゲルマニウム（ａ−８ｉＧｅ：Ｈ）１層１４、Ｐ
ドープ水素化微結晶シリコンｎ層５を順次形成する。ノ
ンドープ水素化アモルファスシリコンゲルマニウムｉ層
１４は、ＳｉＨ４ガスとＧｅＨ，ガスを混合したガスを
用いて形成する。
結晶シリコンｐ層８、ノンドープ水素化アモルファスシ
リコンゲルマニウム（ａ−８ｉＧｅ：Ｈ）１層１４、Ｐ
ドープ水素化微結晶シリコンｎ層５を順次形成する。ノ
ンドープ水素化アモルファスシリコンゲルマニウムｉ層
１４は、ＳｉＨ４ガスとＧｅＨ，ガスを混合したガスを
用いて形成する。
各層の厚さは、２層１００人、１層５０００人、ｎ層１
００λ程度とする。最後に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔ
ｉｎ ０ｘｉｄｅ−Ｉ ｎとＳｎの酸化物）膜１６とＡ
ｇ膜１７を形成する。本実施例において作製した多接合
型アモルファスシリコン系太陽電池の光電変換特性は、
擬似太陽光１００ｍＷ／ａＪ照射下で、曲線因子０．６
８．変換効率１２．７％が得られ、ｎｐ接合間に中間層
を有しない従来の３層構造の太陽電池（曲線因子：０．
６２、変換効率：１１．２％）に比べて優れた特性を示
した。
００λ程度とする。最後に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔ
ｉｎ ０ｘｉｄｅ−Ｉ ｎとＳｎの酸化物）膜１６とＡ
ｇ膜１７を形成する。本実施例において作製した多接合
型アモルファスシリコン系太陽電池の光電変換特性は、
擬似太陽光１００ｍＷ／ａＪ照射下で、曲線因子０．６
８．変換効率１２．７％が得られ、ｎｐ接合間に中間層
を有しない従来の３層構造の太陽電池（曲線因子：０．
６２、変換効率：１１．２％）に比べて優れた特性を示
した。
（実施例 ２）
第２図に、本実施例において作製した多接合型アモルフ
ァスシリコン系太陽電池の構成を示す。
ァスシリコン系太陽電池の構成を示す。
図に示すごとく、まず、ＳＵＳ基板２１上に、まず、Ｔ
ｉ膜２２、Ａｇ膜１７およびＴｉ膜２２よりなる３層電
極を形成する。この３層電極上に。
ｉ膜２２、Ａｇ膜１７およびＴｉ膜２２よりなる３層電
極を形成する。この３層電極上に。
プラズマＣＶＤ法で、基板温度２５０℃にてＰＨ，ガス
とＳｉＨ，ガスとを混合したガスを用いて、Ｐドープ水
素化微結晶シリコンｎ層５を、次に、ＳｉＨ，ガスとＧ
ｅ Ｈ，ガスを混合したガスを用いて、ノンドープ水
素化アモルファスシリコンゲルマニウム（ａ−８ｉＧｅ
：Ｈ）１層１４を、さらにその上に、Ｂ、Ｈ，ガスとＳ
ｉ Ｈ，ガスとを混合したガスを用いて、Ｂドープ水
素化微結晶シリコンｐ層８を順次形成する。各層の膜厚
は１例えば１層３００人、１層５０００人、ｐ層１００
程度度で良い０次に、その全面に、基板温度１５０〜２
５０℃の範囲内で真空蒸着法にてｓｂドープＳｎＯ□膜
６を１００人の厚さに形成する。
とＳｉＨ，ガスとを混合したガスを用いて、Ｐドープ水
素化微結晶シリコンｎ層５を、次に、ＳｉＨ，ガスとＧ
ｅ Ｈ，ガスを混合したガスを用いて、ノンドープ水
素化アモルファスシリコンゲルマニウム（ａ−８ｉＧｅ
：Ｈ）１層１４を、さらにその上に、Ｂ、Ｈ，ガスとＳ
ｉ Ｈ，ガスとを混合したガスを用いて、Ｂドープ水
素化微結晶シリコンｐ層８を順次形成する。各層の膜厚
は１例えば１層３００人、１層５０００人、ｐ層１００
程度度で良い０次に、その全面に、基板温度１５０〜２
５０℃の範囲内で真空蒸着法にてｓｂドープＳｎＯ□膜
６を１００人の厚さに形成する。
この上に、３０μｍ間隔のストライブ状の高抵抗金属酸
化膜であるＴａ、Ｏｓ膜７を形成する。しかる後、さら
に、Ｐドープ水素化微結晶シリコンｎ層５、ノンドープ
水素化アモルファスシリコンｉ層４．Ｂドープ水素化微
結晶シリコンｐ層８の順に形成する。各層の厚さは、ｎ
層７５人、１層４０００人、ｐ層８０程度度とする。こ
の上に、膜厚１００人のｓｂドープＳｎＯ，膜６と膜厚
５０人のＴａ、Ｏ，膜７を形成する。しかる後、さらに
、Ｐドープ水素化微結晶シリコンｎ層５、ノンドープ水
素化アモルファス２９１２１層４．Ｂドープ水素化アモ
ルファスシリコンカーバイドｐ層３の順に形成する。各
層の厚さは、９層７５人、１層１８００人、ｐ層８０程
度度とする。最後に、全面にＩＴＯＴｉｅを１８００人
の厚さ形成する。
化膜であるＴａ、Ｏｓ膜７を形成する。しかる後、さら
に、Ｐドープ水素化微結晶シリコンｎ層５、ノンドープ
水素化アモルファスシリコンｉ層４．Ｂドープ水素化微
結晶シリコンｐ層８の順に形成する。各層の厚さは、ｎ
層７５人、１層４０００人、ｐ層８０程度度とする。こ
の上に、膜厚１００人のｓｂドープＳｎＯ，膜６と膜厚
５０人のＴａ、Ｏ，膜７を形成する。しかる後、さらに
、Ｐドープ水素化微結晶シリコンｎ層５、ノンドープ水
素化アモルファス２９１２１層４．Ｂドープ水素化アモ
ルファスシリコンカーバイドｐ層３の順に形成する。各
層の厚さは、９層７５人、１層１８００人、ｐ層８０程
度度とする。最後に、全面にＩＴＯＴｉｅを１８００人
の厚さ形成する。
本実施例において作製した多接合型アモルファスシリコ
ン系太陽電池の光電変換特性は、擬似太陽光１００ｍＷ
／ａｊ照射下で、曲線因子０．７０、変換効率１３．２
％が得られ、ｎｐ接合間に中間層を有しない従来の３層
構造の太陽電池（曲線因子：０．６２、変換効率：１１
．２％）に比べて優れた特性を示した。
ン系太陽電池の光電変換特性は、擬似太陽光１００ｍＷ
／ａｊ照射下で、曲線因子０．７０、変換効率１３．２
％が得られ、ｎｐ接合間に中間層を有しない従来の３層
構造の太陽電池（曲線因子：０．６２、変換効率：１１
．２％）に比べて優れた特性を示した。
（実施例 ３）
第３図に１本実施例において作製した多接合型アモルフ
ァスシリコン系太陽電池の構成を示す。
ァスシリコン系太陽電池の構成を示す。
実施例２と同様に、ＳＵＳ基板２１上に、まずＴｉ膜２
２、Ａｇ膜１７およびＴｉ膜２２よりなる３層電極を形
成し、該電極上に第１接合セルとして、Ｐドープ水素化
微結晶シリコンｎ層５を。
２、Ａｇ膜１７およびＴｉ膜２２よりなる３層電極を形
成し、該電極上に第１接合セルとして、Ｐドープ水素化
微結晶シリコンｎ層５を。
ａ−８ｉＧｅ：Ｈｉ層１４を、Ｂドープ水素化微結晶シ
リコンｐ層８を順次形成する。次に、その全面に、ｓｂ
ドープＳｎＯ□膜６を１００人の厚さに形成する。この
上に、１００μｍ間隔の１０μｍ幅のストライプ状Ｃｒ
電極２３と、その隙間にＴｉｅ、膜２４を形成する。さ
らに、ｓｂドープＳ ｎ Ｏ，膜６を１００人の厚さ形
成する。しかる後、第２接合セルとして実施例２と同様
に、Ｐドープ水素化微結晶シリコンｎ層５、ノンドープ
水素化アモルファス２９１２１層４、Ｂドープ水素化微
結晶シリコンｐ層８の順に形成する。この上に、膜厚１
００人のｓｂドープＳｎＯ，膜６を、ついで、Ｃｒ電極
２３とＴａ、Ｏ，膜７をストライプ状に形成する。しか
る後、第３接合セルとして実施例２同様に、Ｐドープ水
素化微結晶シリコンｎ層５、ノンドープ水素化アモルフ
ァス２９１２１層４、Ｂドープ水素化アモルファスシリ
コンカーバイドｐ層３の順に形成する。最後に、全面に
ＩＴＯＴｉｅを１８００人の厚さ形成する。本実施例に
おいて作製した多接合型アモルファスシリコン系太陽電
池の光電変換特性は、擬似太陽光１００ｍＷ／ａｉ照射
下で、曲線因子０．６９、変換効率１３．０％が得られ
、ｎｐ接合間に中間層を有しない従来の３層構造太陽電
池（曲線因子：０．６２、変換効率：１１．２％）に比
べて優れた特性を示した。
リコンｐ層８を順次形成する。次に、その全面に、ｓｂ
ドープＳｎＯ□膜６を１００人の厚さに形成する。この
上に、１００μｍ間隔の１０μｍ幅のストライプ状Ｃｒ
電極２３と、その隙間にＴｉｅ、膜２４を形成する。さ
らに、ｓｂドープＳ ｎ Ｏ，膜６を１００人の厚さ形
成する。しかる後、第２接合セルとして実施例２と同様
に、Ｐドープ水素化微結晶シリコンｎ層５、ノンドープ
水素化アモルファス２９１２１層４、Ｂドープ水素化微
結晶シリコンｐ層８の順に形成する。この上に、膜厚１
００人のｓｂドープＳｎＯ，膜６を、ついで、Ｃｒ電極
２３とＴａ、Ｏ，膜７をストライプ状に形成する。しか
る後、第３接合セルとして実施例２同様に、Ｐドープ水
素化微結晶シリコンｎ層５、ノンドープ水素化アモルフ
ァス２９１２１層４、Ｂドープ水素化アモルファスシリ
コンカーバイドｐ層３の順に形成する。最後に、全面に
ＩＴＯＴｉｅを１８００人の厚さ形成する。本実施例に
おいて作製した多接合型アモルファスシリコン系太陽電
池の光電変換特性は、擬似太陽光１００ｍＷ／ａｉ照射
下で、曲線因子０．６９、変換効率１３．０％が得られ
、ｎｐ接合間に中間層を有しない従来の３層構造太陽電
池（曲線因子：０．６２、変換効率：１１．２％）に比
べて優れた特性を示した。
以上詳細に説明したごとく１本発明の多接合型アモルフ
ァスシリコン系太陽電池において、第１接合セルと第２
接合セルの間に中間層を設けることにより、特定波長よ
り短波長の光は第１接合セルにおいて充分に吸収され、
該波長より長波長の光は第２接合セルで吸収され効率よ
く光電変換される。また、第２接合セルと第３接合セル
の間においても上記と同様の中間層を設けることにより
上記と同様の効果が得られる。したがって、光電変換効
率の高い多接合型アモルファスシリコン系太陽電池を実
現することができる。
ァスシリコン系太陽電池において、第１接合セルと第２
接合セルの間に中間層を設けることにより、特定波長よ
り短波長の光は第１接合セルにおいて充分に吸収され、
該波長より長波長の光は第２接合セルで吸収され効率よ
く光電変換される。また、第２接合セルと第３接合セル
の間においても上記と同様の中間層を設けることにより
上記と同様の効果が得られる。したがって、光電変換効
率の高い多接合型アモルファスシリコン系太陽電池を実
現することができる。
第１図は本発明の実施例１において作製した多接合型ア
モルファスシリコン系太陽電池の構成の一例を示す模式
図、第２図は本発明の実施例２において作製した多接合
型アモルファスシリコン系太陽電池の構成の一例を示す
模式図、第３図は本発明の実施例３において作製した多
接合型アモルファスシリコン系太陽電池の構成の一例を
示す模式図、第４図は従来の多接合型のアモルファスシ
リコン系太陽電池の光電流の分光感度特性を示すグラフ
である。 １・・・ガラス基板 ２・・・ＳｎＯ，透明電極
３・・・Ｂドープ水素化アモルファスシリコンカーバイ
ドｐ層 ４・・・ノンドープ水素化アモルファス２９１２１層５
・・・Ｐドープ水素化微結晶シリコンｎ層６・・・ｓｂ
ドープＳｎＯ□膜 ７−Ｔａ２０５膜 ８・・・Ｂドープ水素化微結晶シリコンｐ層１２・・・
ノンドープ窒化シリコン膜 １４・・・ノンドープ水素化アモルファスシリコンゲル
マニウム（ａ−８ｉＧｅ ：Ｈ）ｉ層１６−ＩＴＯ（Ｉ
ｎとＳｎの酸化物）膜１７・・・Ａｇ膜 ２１
・・・ＳＵＳ基板２２・・・Ｔｉ膜 ２３・・
・Ｃｒ電極２４・・・Ｔ ｉ Ｏ，膜 第 ７目 先
モルファスシリコン系太陽電池の構成の一例を示す模式
図、第２図は本発明の実施例２において作製した多接合
型アモルファスシリコン系太陽電池の構成の一例を示す
模式図、第３図は本発明の実施例３において作製した多
接合型アモルファスシリコン系太陽電池の構成の一例を
示す模式図、第４図は従来の多接合型のアモルファスシ
リコン系太陽電池の光電流の分光感度特性を示すグラフ
である。 １・・・ガラス基板 ２・・・ＳｎＯ，透明電極
３・・・Ｂドープ水素化アモルファスシリコンカーバイ
ドｐ層 ４・・・ノンドープ水素化アモルファス２９１２１層５
・・・Ｐドープ水素化微結晶シリコンｎ層６・・・ｓｂ
ドープＳｎＯ□膜 ７−Ｔａ２０５膜 ８・・・Ｂドープ水素化微結晶シリコンｐ層１２・・・
ノンドープ窒化シリコン膜 １４・・・ノンドープ水素化アモルファスシリコンゲル
マニウム（ａ−８ｉＧｅ ：Ｈ）ｉ層１６−ＩＴＯ（Ｉ
ｎとＳｎの酸化物）膜１７・・・Ａｇ膜 ２１
・・・ＳＵＳ基板２２・・・Ｔｉ膜 ２３・・
・Ｃｒ電極２４・・・Ｔ ｉ Ｏ，膜 第 ７目 先
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、複数のｐｉｎ接合セルを積層して構成した多接合型
アモルファスシリコン系太陽電池において、上記ｐｉｎ
接合セルとｐｉｎ接合セルとの間に、特定波長よりも短
い波長の光を反射する中間層を設けたことを特徴とする
多接合型アモルファスシリコン系太陽電池。２、請求の
範囲第１項において、特定波長の光は、光入射側のｐｉ
ｎ接合セルの分光感度特性が漸減する領域の波長の光で
あることを特徴とする多接合型アモルファスシリコン系
太陽電池。 ３、請求の範囲第１項または第２項において、特定波長
よりも短い波長の光を反射する中間層は、金属の酸化膜
、窒化膜のうちから選ばれる少なくとも１種の薄膜から
なることを特徴とする多接合型アモルファスシリコン系
太陽電池。 ４、複数のｐｉｎ接合セルを積層して構成した多接合型
アモルファスシリコン系太陽電池において、上記ｐｉｎ
接合セルとｐｉｎ接合セルとの間に、上記ｐｉｎ接合セ
ルを構成するｐ、ｉ、ｎ各層よりも屈折率の小さい光透
過膜からなる中間層を設けたことを特徴とする多接合型
アモルファスシリコン系太陽電池。 ５、請求の範囲第４項において、ｐｉｎ接合セルを構成
するｐ、ｉ、ｎ各層よりも屈折率の小さい光透過膜から
なる中間層は、金属の酸化物、窒化物、フッ化物のうち
から選ばれる少なくとも１種の薄膜からなることを特徴
とする多接合型アモルファスシリコン系太陽電池。 ６、請求の範囲第１項、第２項または第４項において、
中間層が導電性の光透過膜と絶縁性膜との積層膜からな
ることを特徴とする多接合型アモルファス系太陽電池。 ７、請求の範囲第１項ないし第６項のいずれか１項にお
いて、多接合型アモルファスシリコン系太陽電池を構成
する各ｐｉｎ接合セルが、アモルファスシリコンおよび
アモルファスシリコンゲルマニウムからなることを特徴
とする多接合型アモルファスシリコン系太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2247141A JPH0793451B2 (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 多接合型アモルファスシリコン系太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2247141A JPH0793451B2 (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 多接合型アモルファスシリコン系太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04127580A true JPH04127580A (ja) | 1992-04-28 |
| JPH0793451B2 JPH0793451B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=17159044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2247141A Expired - Fee Related JPH0793451B2 (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 多接合型アモルファスシリコン系太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793451B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2018160657A (ja) * | 2017-03-23 | 2018-10-11 | 株式会社東芝 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
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|---|---|---|---|---|
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-
1990
- 1990-09-19 JP JP2247141A patent/JPH0793451B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH0793451B2 (ja) | 1995-10-09 |
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