JP7592454B2 - 有機発光装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明、および移動体 - Google Patents

Description

本発明は、有機発光装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明、および移動体に関する。

有機発光素子は、陰極および陽極と、その間に配置された有機化合物層とを有する素子であり、陰極から注入された電子と、陽極から注入された正孔とが再結合して光を発生する発光デバイスである。有機発光素子は、軽量で、フレキシブル化が可能なデバイスであるため、近年、有機発光素子を備える表示装置等の有機発光装置が注目されている。

特許文献１に記載されている表示装置は、発光層から白色光が出射され、出射された白色光がカラーフィルタ（ＣＦ）を通過することで赤色光、緑色光、青色光のいずれかが取り出される、いわゆる「白色＋ＣＦ方式」の表示装置である。特許文献１には、発光層の下部に反射層を設け、発光層の発光位置と反射層との間の光学距離をそれぞれの色で最適化する光学干渉構造を備えた表示装置が記載されている。光学干渉構造を設けることで、ＣＦに入射する前の光の色を調整し、それぞれのＣＦを透過した光の色純度を高めることができる。

特許文献２には、画素ごとに設けられた下部電極の周縁部を覆う絶縁層を備え、絶縁層の開口によって発光領域が画定される有機発光素子が記載されており、発光層で発生した光を絶縁層の開口の壁面で反射させて光取り出し効率を向上させている。また、特許文献２には、絶縁層の開口の壁面の下部電極に対する傾斜角を鋭角とすることで、光取り出し効率をさらに向上させることが記載されている。

特開２０２０－１５５３３９号公報 特開２０１３－１２２８３５号公報

特許文献２には、下部電極の周縁部を覆う絶縁層の下部電極に対する傾斜角を小さくし、発光層で発生した光を絶縁層で反射させることが記載されているが、表示装置の画素を構成する発光素子ごとに絶縁層の傾斜角を変えることは記載されていない。しかしながら、すべての発光素子について一律に絶縁層の傾斜角を小さくしてしまうと、画素間の電流リークが生じやすくなるという課題があった。

そこで本発明では、上述の課題に鑑み、画素間の電流リークを抑制することを目的とする。

本発明の一側面としての有機発光装置は、基板上に配置された複数の副画素を有し、前記複数の副画素は第１副画素、第２副画素、および、第３副画素を含み、前記第１副画素、前記第２副画素、および、前記第３副画素は、それぞれ、前記基板側から、下部電極と、前記下部電極の端部を覆う絶縁層と、有機層と、上部電極と、をこの順に有し、前記有機層の少なくとも一部は、前記第１副画素の有する第１下部電極の上から前記第２副画素の有する第２下部電極の上までの間、前記第２下部電極の上から前記第３副画素の有する第３下部電極の上までの間、および、前記第３下部電極の上から前記第１下部電極の上までの間、のうちの少なくとも２つにおいて連続して配置されている有機発光装置であって、前記絶縁層は、前記第１副画素に隣り合う副画素と前記第１副画素との間、前記第２副画素に隣り合う副画素と前記第２副画素との間、および、前記第３副画素に隣り合う副画素前記第３副画素との間、のそれぞれに少なくとも１つの頂上部を有し、前記絶縁層の、前記絶縁層の前記第１下部電極上の端部である第１端部と、当該第１端部から最も近い前記頂上部である第１頂上部と、の間の部分を第１部分とし、前記絶縁層の、前記絶縁層の前記第２下部電極上の端部である第２端部と、当該第２端部から最も近い前記頂上部である第２頂上部と、の間の部分を第２部分とし、前記絶縁層の、前記絶縁層の前記第３下部電極上の端部である第３端部と、当該第３端部から最も近い前記頂上部である第３頂上部と、の間の部分を第３部分としたときに、下記式（１）および式（２）を満たすことを特徴とする。
λ_１＞λ_２＞λ_３・・・式（１）
θ_１＜θ_２＜θ_３・・・式（２）
（ただし、式（１）において、λ_１は前記第１副画素から出射される光の最大強度の波長を表し、λ_２は前記第２副画素から出射される光の最大強度の波長を表し、λ_３は前記第３副画素から出射される光の最大強度の波長を表す。また、式（２）において、θ_１は前記第１部分の前記基板に対する傾斜角を表し、θ_２は前記第２部分の前記基板に対する傾斜角を表し、θ_３は前記第３部分の前記基板に対する傾斜角を表す。）

また、本発明の別の一側面としての有機発光装置は、基板上に配置された複数の副画素を有し、前記複数の副画素は、第１副画素および第２副画素を含み、前記第１副画素および前記第２副画素は、それぞれ、前記基板側から、反射層と、光学調整層と、下部電極と、前記下部電極の端部を覆う絶縁層と、含む有機層と、上部電極と、をこの順に有し、前記有機層の少なくとも一部は、前記第１副画素の有する第１下部電極の上から前記第２副画素の有する第２下部電極の上までの間において連続して配置されている有機発光装置であって、前記第１副画素の有する前記光学調整層の厚さと前記第２副画素の有する前記光学調整層は厚さは互いに異なり、前記絶縁層は、前記第１副画素に隣り合う副画素と前記第１副画素との間、および、前記第２副画素に隣り合う副画素と前記第２副画素との間、のそれぞれに少なくとも１つの頂上部を有し、前記絶縁層の、前記絶縁層の前記第１下部電極上の端部である第１端部と、当該第１端部から最も近い前記頂上部である第１頂上部と、の間の部分を第１部分とし、前記絶縁層の、前記絶縁層の前記第２下部電極上の端部である第２端部と、当該第２端部から最も近い前記頂上部である第２頂上部と、の間の部分を第２部分としたときに、下記式（３）および式（４）を満たすことを特徴とする有機発光装置。
λ_１＞λ_２・・・式（３）
θ_１＜θ_２・・・式（４）
（ただし、式（３）において、λ_１は前記第１副画素から出射される光の最大強度の波長を表し、λ_２は前記第２副画素から出射される光の最大強度の波長を表す。また、式（４）において、θ_１は前記第１部分の前記基板に対する傾斜角を表し、θ_２は前記第２部分の前記基板に対する傾斜角を表す。）

本発明によれば、画素間の電流リークを抑制することができる。

第１の実施形態に係る有機発光装置の構成を示す平面図。 第１の実施形態に係る有機発光装置の構成を示す断面図。 図２の部分拡大図。 第２の実施形態に係る有機発光装置の構成を示す断面図。 第３の実施形態に係る有機発光装置の構成を示す断面図。 第４の実施形態に係る有機発光装置の構成を示す断面図。 図６の部分拡大図。 比較例の有機発光装置の構成を示す断面図。 第５の実施形態に係る有機発光装置の構成を示す断面図。 表示装置の一例を表す模式図。 撮像装置の一例を表す模式図。 表示装置の一例を表す模式図。 照明装置の一例を表す模式図。 表示装置の適用例を表す模式図。

以下、図面を参照しながら本実施の形態にかかる有機発光装置の詳細を説明する。なお、以下の実施の形態は、いずれも本発明の一例を示すのであり、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、本発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

本明細書において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。従って、明細書で説明した語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。また、「上」や「下」の用語は、構成要素の位置関係が直上又は直下で、かつ、直接接していることを限定するものではない。例えば、「絶縁層Ａ上の電極Ｂ」の表現であれば、絶縁層Ａの上に電極Ｂが直接接して形成されている必要はなく、絶縁層Ａと電極Ｂとの間に他の構成要素を含むものを除外しない。

本明細書において、「略平行」とは、二つの直線または平面が－１５°以上１５°以下の角度で配置されている状態をいう。また、本明細書において、「ＡからＢまでの間において連続して配置されている」とは、ＡからＢまでの間において途切れることなく連続して配置されていることを意味する。また、本明細書において、「高さ」とは、基板１の上面（第１の面）からの上方向の距離である。基板１の上面（第１の面）と平行な部分を指定しその指定した基準に基づいて「高さ」を指定してもよい。

［第１の実施形態］
図１～３を参照して、本発明の第１の実施形態に係る有機発光装置について説明する。

（有機発光装置の全体構成）
図１は、第１の実施形態に係る有機発光装置１００の構成を示す平面図である。有機発光装置１００は、基板１上（基板上）に複数の画素ＰＸが二次元アレイ状に配置された表示領域１１０と、周辺回路１２０を有する。周辺回路１２０は、表示領域１１０に画像を表示するための回路であり、画像表示用のドライバである信号線駆動回路１２１（信号出力回路）と信号線駆動回路１２２（垂直走査回路）とを含んでもよい。

複数の画素ＰＸのそれぞれは、複数の副画素ＳＰを有する。本実施形態では、複数の画素ＰＸのそれぞれは、第１色の光を出射する第１副画素ＳＰＲと、第２色の光を出射する第２副画素ＳＰＧと、第３色の光を出射する第３副画素ＳＰＢの３種類の副画素ＳＰを有している。ここでは、第１色、第２色、および第３色は、例えばそれぞれ赤色、緑色、および青色であるものとする。なお、ここで示した画素ＰＸの構成は一例であって、これに限定されるものではない。例えば、複数の画素ＰＸのそれぞれは、第１副画素ＳＰＲ、第２副画素ＳＰＧ、第３副画素ＳＰＢの他に、第４色を出射する第４副画素ＳＰＷを有していてもよい。第４色は、例えば白色や黄色であってもよい。また、本実施形態では副画素ＳＰの配列がデルタ配列である例を示すが、これに限定はされず、ストライプ配列やスクエア配列、ベイヤー配列であってもよい。

（発光素子の構成）
図２は、図１の線分Ａ－Ａ´における断面模式図である。複数の副画素ＳＰは、基板１の上面（第１の面）に配置された発光素子１０をそれぞれ有する。図１には、有機発光装置１００が有する複数の画素ＰＸのうちの１つの画素ＰＸが有する、３つの副画素ＳＰが示されている。第１副画素ＳＰＲは第１発光素子１０Ｒを有し、第２副画素ＳＰＧは第２発光素子１０Ｇを有し、第３副画素ＳＰＢは第３発光素子１０Ｂを有する。第１発光素子１０Ｒは第１色の光を出射する発光素子であり、第２発光素子１０Ｇは第２色の光を出射する発光素子であり、第３発光素子１０Ｂは第３色の光を出射する発光素子である。なお本明細書において、複数の発光素子１０のうちの特定の発光素子に言及する場合は、発光素子１０「Ｒ」のように参照番号の後に添え字を付して示す。また、発光素子の種類を特定せずに発光素子に言及する場合は、単に発光素子「１０」と示す。他の構成要素についても同様である。

複数の発光素子１０は、それぞれ、基板１の上面の側（基板側）から、下部電極２と、下部電極２の端部を覆う絶縁層３と、発光層を含む有機層４と、上部電極５と、をこの順に有する。本実施形態の有機発光装置１００は、上部電極５から光を取り出すトップエミッション型デバイスである。さらに、有機発光装置１００は、上部電極５を覆うように配置された保護層６と、第１平坦化層８と、第２平坦化層９と、カラーフィルタ層７０と、を含む。

カラーフィルタ層７０は、第１カラーフィルタ７Ｒと、第２カラーフィルタ７Ｇと、第３カラーフィルタ７Ｂと、を含む。第１カラーフィルタ７Ｒは第１の色の光を透過するカラーフィルタであり、第２カラーフィルタ７Ｇは第２の色の光を透過するカラーフィルタであり、第３カラーフィルタ７Ｂは第３の色の光を透過するカラーフィルタである。それぞれのカラーフィルタ７は、複数の発光素子１０ごとに配置されており、発光素子１０の発光領域のそれぞれと対応するように配置されている。図１の平面図において、各副画素ＳＰ（発光素子１０）が有するカラーフィルタ７は実線で示されている。また、図１において、各副画素ＳＰが有する下部電極２の外縁は破線で示されており、絶縁層３の開口部は一点鎖線で示されている。後述するように、有機層４は絶縁層３の開口部において下部電極２と接しており、有機層４と下部電極２とが接している領域が、各副画素ＳＰの発光領域となるため、各副画素ＳＰの発光領域は図１の一点鎖線で示される領域である。図１に示すように、それぞれのカラーフィルタ７は、対応する発光素子１０の発光領域の中心と平面視で重なるように配置されている。

本実施形態では、各発光素子１０が有する有機層４は白色発光する。そして、カラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂは、有機層４から発せられる白色光から、ＲＧＢそれぞれの光を選択的に透過することで分離し、外部に出射する。カラーフィルタ層７０の有するカラーフィルタの少なくとも一部は、有機層から発せられた光を吸収して他の色に変換して出射する色変換層であってもよい。色変換層は、量子ドット（ＱＤ）を含んでもよい。また、カラーフィルタ層７０は、４種類以上のカラーフィルタを有していてもよい。さらに、有機層４が発する光は白色光でなくてもよい。

基板１は、第１の面を有する板状部材である。基板１の第１の面の上に各種構成要素が積層され、有機発光装置１００が形成されている。基板１はシリコン基板などの半導体基板であってもよいし、ガラスや石英、樹脂などの絶縁体基板であってもよい。また、基板１は可撓性を有していてもよい。

基板１の上には、下部電極２と電気的に接続されているトランジスタを含む駆動回路層（不図示）が形成されていてもよい。本実施形態では、駆動回路層に形成される駆動回路はアクティブマトリクス型の画素駆動回路である。したがって、有機発光装置１００はアクティブマトリクス型表示装置であるともいえる。駆動回路層は基板１の上に積層されて形成されていてもよいし、半導体プロセスによってその一部が基板１に直接形成されていてもよい。駆動回路層は、トランジスタと、配線層と、配線層の間に配置される絶縁物を含んでいてもよい。絶縁物は例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等の無機物、ポリイミド、ポリアクリル等の有機物で構成される層間絶縁層が挙げられる。層間絶縁層は、その上面に平坦な面を有しており、下部電極２を形成する際の下地となる面の凹凸を軽減する目的から平坦化層と呼ばれることもある。基板１が駆動回路層を有する場合には、駆動回路層も含めて「基板」ととらえてもよい。なお、駆動回路層も含めて「基板」ととらえる場合には、駆動回路層の最上層の層間絶縁層の上面を、第１の面ととらえることができる。本実施形態においては、第１の面の上には下部電極２が形成されるため、下部電極２の下面は第１の面と一致する。そのため、下部電極２の下面を第１の面とみなしてもよい。

下部電極２は、アノード（陽極）であり、絶縁層３によって、それぞれの発光素子１０ごとに電気的に分離して配置される。換言すれば、下部電極２は、副画素ごとに電気して分離して配置される。複数の発光素子１０が、下部電極２をそれぞれ独立に有する、ということもできる。下部電極２は、画素電極や個別電極などとも呼ばれる。本実施形態では、下部電極２はアノードとしての機能の他に、有機層４から発生した光を反射して発光素子１０の発光効率を高める反射層としての機能も兼ねている。下部電極２は、反射層としての機能を高めるために、有機層４の発光波長に対する反射率が８０％以上の金属材料が用いられてもよい。ここで、有機層４の発光波長は、有機層４から発せられる光の最大強度の波長である。下部電極２の材質としては、例えば、Ａｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）などの金属や、これらの金属にＳｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｎｄなどを添加した合金を使用することができる。あるいは、下部電極２は、可視光領域における光の反射率が８０％以上の金属材料が用いられてもよい。下部電極２は、バリア層を含む積層構造としてもよい。バリア層の材料としては、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ａｕなどの金属やその合金を用いてよい。バリア層は、下部電極２の上面に配置される金属層であってよい。

絶縁層３は、下部電極２の端部を覆うように、下部電極２および基板１の上に配置されている。絶縁層３は、下部電極２の上に配置されている部分と、下部電極２と同じ高さに配置されている部分と、を含んでもよい。絶縁層３のうち、下部電極２の上に配置されている部分は、下部電極２と有機層４との間に配置されている。下部電極２は、絶縁層３に覆われている第１領域と、絶縁層３に覆われず、有機層に覆われている第２領域と、を有する。第１領域は有機層４に接しておらず、第２領域は有機層４に接しているといってもよい。第２領域は、絶縁層３の開口部、あるいは単に開口部とも呼ばれる。上面俯瞰図において、第２領域は絶縁層３によって取り囲まれて形成された凹部と見ることができるからである。第２領域は、それぞれの発光素子１０の発光領域である。すなわち、発光領域の上面俯瞰の形状は、絶縁層３による形状であってよい。絶縁層３は、各発光素子１０の下部電極２を電気的に分離する役割があれば、図２に示されるような形状に限られない。絶縁層３は、画素分離膜、隔壁、バンクなどとも呼ばれる。

絶縁層３は、その上部に傾斜部を有する。上部とは、基板１とは反対側、または、有機層４側ということができる。ここで、ある絶縁層３が端部を覆う下部電極２を含む発光素子１０を発光素子Ａとし、発光素子Ａと隣り合う別の発光素子１０を発光素子Ｂとする。このとき、絶縁層３は、発光素子Ａの有する下部電極２と発光素子Ｂの有する下部電極２の間に少なくとも１つの頂上部を有する。頂上部は、発光素子Ａと発光素子Ｂを含む断面において、発光素子Ａの下部電極２から絶縁層３の上面を辿ったときに、絶縁層３の傾斜が、上り斜面から下り斜面に変化する部分をいう。頂上部は平坦部を含んでもよい。絶縁層３は、発光素子１０のそれぞれについて、上述の少なくとも１つの頂上部を有している。すなわち、第１発光素子１０Ｒとそれと隣り合う別の発光素子１０との間、第２発光素子１０Ｇとそれと隣り合う別の発光素子１０との間、第３発光素子１０Ｂとそれと隣り合う別の発光素子１０との間、のそれぞれに少なくとも１つの頂上部を有する。なお、第１発光素子１０Ｒ、第２発光素子１０Ｇ、第３発光素子１０Ｂは、それぞれ、第１副画素ＳＰＲ、第２副画素ＳＰＧ、第３副画素ＳＰＢと読み替えてよい。絶縁層３は、発光素子Ａの有する下部電極２から発光素子Ｂの有する下部電極２まで連続して配置されていてもよいし、発光素子Ａの有する下部電極２と発光素子Ｂの有する下部電極２との間で分離されていてもよい。絶縁層３の有する傾斜部については後述する。

絶縁層３は、例えば、化学気相堆積法（ＣＶＤ法）や物理蒸着法（ＰＶＤ法）などで形成してよい。絶縁層３は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などで構成されてよい。また、絶縁層３は、それらの積層膜でもよい。絶縁層の傾斜部の傾斜角は、異方性エッチングや等方性エッチングの条件によって制御可能である。また、絶縁層３の下に配置される層の傾斜角を制御することで、絶縁層３の傾斜角を制御してもよい。絶縁層３は、エッチングなどによる加工や、層の積み増しなどによって、上面に凹凸を有してもよい。

有機層４は、下部電極２と上部電極５との間に配置されている。有機層４は、下部電極２および絶縁層３の上に、複数の発光素子１０に共通に、連続して配置されている。１つの有機層４を複数の発光素子１０で共有しているともいえる。有機層４は、１つの画素ＰＸを構成する複数の副画素ＳＰにわたって共通に配置されていてもよい。有機層４は、隣り合う画素ＰＸと画素ＰＸとの間では分離されていてもよいし、複数の画素ＰＸにわたって共通に配置されていてもよい。有機層４は、有機発光装置１００の画像を表示する表示領域１１０の全面わたって、一体的に形成されていてもよい。有機層４が複数の層から構成される場合には、その少なくとも一部の層が、複数の発光素子１０にわたって連続して配置されていてもよい。副画素ＳＰのサイズが微細な場合には、特に、有機層４を複数の副画素ＳＰにわたって共通に配置することが有効である。

有機発光装置１００が含む複数の画素ＰＸが、第１下部電極２Ｒを有する第１副画素ＳＰＲと、第２下部電極２Ｇを有する第２副画素ＳＰＧと、をそれぞれ含む場合を考える。このとき、有機層４の少なくとも一部は、第１下部電極２Ｒの上から第２下部電極２Ｇの上までの間において連続して配置されていてもよい。なお、「連続して配置される」とは、途中で途切れることなく配置されることを意味する。また、「第１下部電極２Ｒの上から第２下部電極２Ｇの上までの間において連続して配置される」とは、第１下部電極２Ｒの上から第２下部電極２Ｇの上まで途切れることなく配置されていることを意味する。

有機発光装置１００が含む複数の画素ＰＸが、第１下部電極２Ｒを有する第１副画素ＳＰＲ、第２下部電極２Ｇを有する第２副画素ＳＰＧ、第３下部電極２Ｂを有する第３副画素ＳＰＢと、をそれぞれ含む場合を考える。このとき、有機層４の少なくとも一部は、下記を満たしてもよい。第１下部電極２Ｒの上から第２下部電極２Ｇの上までの間、第２下部電極２Ｇの上から第３下部電極２Ｂの上までの間、および、第３下部電極２Ｂの上から第１下部電極２Ｒの上までの間、のうちの少なくとも２つにおいて連続して配置されていてもよい。また、第１下部電極２Ｒの上から第２下部電極２Ｇの上までの間、第２下部電極２Ｇの上から第３下部電極２Ｂの上までの間、および、第３下部電極２Ｂの上から第１下部電極２Ｒの上までの間、のすべてにおいて連続して配置されていてもよい。

有機層４は、下部電極２から供給された正孔と上部電極２から供給された電子とが再結合して発光する発光層を含む。有機層４は、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を含んでよい。有機層４は、発光効率、駆動寿命、光学干渉といった観点からそれぞれ適切な材料を選択することができる。正孔輸送層は、電子ブロック層や正孔注入層として機能してもよく、正孔注入層や正孔輸送層や電子ブロック層などの積層構造としてもよい。発光層は、異なる色を発光する発光層の積層構造でもよく、異なる色を発光する発光ドーパントを混合した混合層でもよい。発光層は、第１色の光を発光する第１色発光材料、第２色の光を発光する第２色発光材料、第３色を発光する第３色発光材料を含んでいてもよく、各発光色を混合することによって白色光を得られるように構成されていてもよい。第１色、第２色、および第３色は、例えばそれぞれ赤色、緑色、および青色であってもよい。発光層は、青色発光材料と黄色発光材料などの補色の関係の発光材料を含有していてもよい。また、電子輸送層は、正孔ブロック層や電子注入層として機能してもよく、電子注入層や電子輸送層や正孔ブロック層の積層構造としてもよい。

また、有機層４は複数の発光層と、複数の機能層間に配置される中間層と、を有していてもよく、有機発光装置１００は、中間層が電荷発生層であるタンデム構造の発光装置であってもよい。タンデム構造は、電荷発生層と発光層との間に正孔輸送層や電子輸送層などの電荷輸送層を有していてもよい。

電荷発生層は、電子供与性の材料と電子受容性の材料を含み電荷を発生する層である。電子供与性の材料と電子受容性の材料とは、それぞれ、電子を与える材料およびその電子を受け取る材料である。これによって、電荷発生層には正および負の電荷が発生するため、電荷発生層よりも上方および下方の層に、正または負の電荷を供給することができる。電子供与性の材料は、例えば、リチウム、セシウムなどのアルカリ金属であってもよい。また、電子供与性の材料は、例えば、フッ化リチウム、リチウム錯体、炭酸セシウム、セシウム錯体などであってもよい。この場合、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムのような還元性の材料と共に含まれることで、電子供与性を発現してもよい。電子受容性の材料は、例えば、酸化モリブデンのような無機物であってもよく、［ジピラジノ［２，３－ｆ：２’，３’－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル］（ＨＡＴ－ＣＮ）のような有機物であってもよい。電子受容性の材料と電子供与性の材料は混合されていてもよいし、積層されていてもよい。

上部電極５は、カソード（陰極）であり、有機層４の上に配置される。上部電極５は、複数の発光素子１０にわたって連続的に形成され、複数の発光素子１０によって共有されている。有機層４と同様に、上部電極５は、有機発光装置１００の画像を表示する表示領域１１０の全面にわたって、一体的に形成されていてもよい。上部電極５は、上部電極５の下面に到達した光の少なくとも一部を透過する電極であってよい。上部電極は、一部の光を透過するとともに、他の一部を反射する性質（すなわち半透過反射性）を有する半透過反射層として機能してもよい。上部電極５は、例えばマグネシウムや銀などの金属、または、マグネシウムや銀を主成分とする合金、もしくは、アルカリ金属、アルカリ土類金属を含んだ合金材料から形成されうる。また、上部電極５としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＡＺＯ、ＩＧＺＯなどの酸化物導電体などが用いられてもよい。また、上部電極５は、適当な透過率を有するならば、積層構造であってもよい。

保護層６は、上部電極５の上に、複数の発光素子１０にわたって連続的に形成され、複数の発光素子１０によって共有されている。保護層６は、透光性を有し、外部からの酸素や水分の透過性が低い無機材料を含んでいてもよい。保護層６は、防湿層や封止層などとも呼ばれる。保護層６は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（例えば、ＳｉＯＮ）、酸化アルミニウム（例えば、Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）および酸化チタン（例えば、ＴｉＯ_２）などを含んでいてもよい。窒化シリコン、酸窒化シリコンは、例えば、ＣＶＤ法またはスパッタリング法を用いて形成されてよい。一方、酸化アルミニウム、酸化シリコンおよび酸化チタンは、原子層堆積法（ＡＬＤ法）を用いて形成されてよい。保護層６の構成材料と製造方法の組み合わせは、上記の例示に限定されないが、形成する層厚、それに要する時間など、を考慮して製造されてよい。保護層６は、上部電極５を透過した光を透過し、十分な水分遮断性能があれば、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。

カラーフィルタ層７０は、保護層６の上に形成される。上述のように、カラーフィルタ層７０は、第１カラーフィルタ７Ｒと、第２カラーフィルタ７Ｇと、第３カラーフィルタ７Ｂと、を含んでもよい。図２に示される第１カラーフィルタ７Ｒと第２カラーフィルタ７Ｇとのように、カラーフィルタ層７０に含まれるカラーフィルタ７は、隙間なく接してもよい。また、カラーフィルタ７の端部が他の色のカラーフィルタ７の端部の上に重なるように配置されてもよい。

平坦化層８は、保護層６とカラーフィルタ層７０の間に形成され、平坦化層９は、カラーフィルタ層７０の上に形成される。平坦化層８及び９は、例えば樹脂で形成される。

（絶縁層の傾斜部）
次に、絶縁層３の傾斜部について説明する。図２に示すように、本実施形態に係る有機発光装置１００の有する絶縁層３は傾斜部を有しており、その傾斜角は、発光素子１０ごとに異なっている。

上述のように、ある発光素子１０（発光素子Ａ）の下部電極２の端部を覆う絶縁層３は、その発光素子１０（発光素子Ａ）と隣り合う別の発光素子１０（発光素子Ｂ）の下部電極２との間に少なくとも１つの頂上部を有している。

図２に示すように、第１副画素ＳＰＲの有する第１下部電極２Ｒの端部を覆う絶縁層３は、第１下部電極２Ｒ上（第１下部電極上）に絶縁層３の端部である第１端部３１Ｒを有する。また、絶縁層３は、第１副画素ＳＰＲと隣り合う第２副画素ＳＰＧとの間に２つの頂上部を有しており、そのうちの第１副画素ＳＰＲと最も近い頂上部を第１頂上部３２Ｒとする。このとき、第１端部３１Ｒと第１頂上部３２Ｒとの間の部分を第１部分３３Ｒとする。第１部分３３Ｒは、その法線方向が第１下部電極２Ｒと有機層４とが接する領域である第１発光領域の上に向かうように傾斜した傾斜部を含む。

同様に、図２に示すように、第２副画素ＳＰＧの有する第２下部電極２Ｇの端部を覆う絶縁層３は、第２下部電極２Ｇ上（第２下部電極上）に絶縁層３の端部である第２端部３１Ｇを有する。また、絶縁層３は、第２副画素ＳＰＧと隣り合う第１副画素ＳＰＲとの間に２つの頂上部を有しており、そのうちの第２副画素ＳＰＧと最も近い頂上部を第２頂上部３２Ｇとする。このとき、第２端部３１Ｇと第２頂上部３２Ｇとの間の部分を第２部分３３Ｇとする。第２部分３３Ｇは、その法線方向が第２下部電極２Ｇと有機層４とが接する領域である第２発光領域の上に向かうように傾斜した傾斜部を含む。

同様に、図２に示すように、第３副画素ＳＰＢの有する第３下部電極２Ｂの端部を覆う絶縁層３は、第３下部電極２Ｂ上（第３下部電極上）に絶縁層３の端部である第３端部３１Ｂを有する。また、絶縁層３は、第３副画素ＳＰＢと隣り合う第２副画素ＳＰＧとの間に２つの頂上部を有しており、そのうちの第３副画素ＳＰＢと最も近い頂上部を第３頂上部３２Ｂとする。このとき、第３端部３１Ｂと第３頂上部３２Ｂとの間の部分を第３部分３３Ｂとする。第３部分３３Ｂは、その法線方向が第３下部電極２Ｂと有機層４とが接する領域である第３発光領域の上に向かうように傾斜した傾斜部を含む。

（絶縁層の傾斜部による光取り出し効率の向上）
有機層４から出射された光は、上述のように上部電極５やカラーフィルタ７を通って外部へと出射される。ここで、有機層４からは、上方へ進行する光Ｌ１のみならず、基板１の第１の面と平行な方向を含む方向、換言すれば横方向へ進行する光Ｌ２も発せられる。横方向へ進行する光Ｌ２はそのままではその発光素子１０から外部に取り出すことはできないが、絶縁層３の有する傾斜部で全反射させれば、進行方向を上方に変えて、発光素子１０から外部に取り出すことができる。このようにすれば、有機発光装置１００の光取り出し効率を向上させることができると考えられる。

ここで、有機層４から横方向へ進行する光Ｌ２が、絶縁層３の傾斜部で全反射する場合について考える。単純のために、光Ｌ２は、基板１の第１の面と平行に進行するものとする。また、単純のために、絶縁層３の傾斜部は平面状の傾斜面を有するスロープ形状を有するものとする。

このとき、絶縁層３の傾斜部で光を全反射させるためには、傾斜部に入射する光の入射角θ_ｉ［°］を、臨界角θ_ｃ［°］以上とすればよい。このとき、入射角θ_ｉは、傾斜部の有する傾斜面が第１の面となす角を傾斜角θ_ｊ［°］とすると、θ_ｉ＝９０°－θ_ｊが成り立つ。したがって、入射角θ_ｉが臨界角θ_ｃ以上となるように傾斜角θ_ｊを一定以下（（９０°－θ_ｃ）以下）とすることで、有機層４から横方向へ進行する光Ｌ２を全反射させやすくすることができる。傾斜角θ_ｊを小さくするほど、有機発光装置１００の光取り出し効率を高めることができると考えられる。

しかし、全ての発光素子１０について一律に、絶縁層３の有する傾斜部の傾斜角θ_ｊを小さくしすぎてしまうと、下記のような不都合が生じる。絶縁層３は、下部電極２の端部を覆うように配置され、その上に配置される有機層４の層厚を薄くする作用を有している。これにより、隣り合う副画素ＳＰ間での電流リークを抑制するという効果を奏する。しかし、絶縁層３の有する傾斜部の傾斜角θ_ｊを小さくしすぎてしまうとこの効果が小さくなり、隣り合う副画素ＳＰ間での電流リークが生じやすくなってしまう。隣り合う副画素ＳＰ間での電流リークが生じると、意図しない発光を招き、色純度が低下し色域が狭まってしまう。

（電流リークの抑制と光取り出し効率の向上の両立）
そこで本発明者らが鋭意検討した結果、副画素ＳＰごとに絶縁層３の傾斜部の傾斜角θ_ｊを調整することで、隣り合う副画素ＳＰ間での電流リークを抑制しつつ、光取り出し効率を向上させることができることを見いだした。以下、詳述する。

本実施形態に係る有機発光装置１００は、複数の副画素ＳＰまたは複数の発光素子１０を有しており、副画素ＳＰごとに、外部に取り出したい光の色が異なる。本実施形態では有機発光装置１００はカラーフィルタ層７０を有しており、有機層４から発せられた白色光をカラーフィルタ７を透過させて特定の色の光を出射させる。カラーフィルタ７を透過させて外部に取り出される色以外の光はカラーフィルタ７で吸収されてしまうので、取り出される色の光以外はカラーフィルタ７まで到達しなくても光取り出し効率には影響しない。逆に言えば、外部に取り出したい色の光をカラーフィルタ７に多く到達させて外部に出射させることができれば、光取り出し効率は向上する。カラーフィルタ７が色変換層である場合には、所望の色の光に変換される色の光をカラーフィルタ７に多く到達させて外部に出射させることができれば、光取り出し効率を向上させることができる。

物質の屈折率は、光の波長によって異なる。一般に、可視光領域において透明な物質では、可視光領域においては、光の波長が短いほど屈折率が大きくなる、正常分散を示す。以下、絶縁層３の傾斜部での全反射について検討するために、有機層４の屈折率ｎ_１と絶縁層３の屈折率ｎ_２について検討する。ここで、絶縁層３が複数の層で構成される場合には、屈折率ｎ_２は絶縁層３を構成する層のうちの最上層の屈折率を示し、有機層４が複数の層で構成される場合には、屈折率ｎ_１は有機層４を構成する層のうちの最下層の屈折率を示す。屈折率は、薄膜状態の材料を対象とした分光エリプソメトリ法を利用して測定することができる。屈折率の測定サンプルは、Ｓｉ基板上に対象材料の薄膜を成膜することで作成することができる。

有機発光装置１００を構成する有機層４や絶縁層３として一般的に用いられる材料は、一般に、可視光領域において上述の正常分散を示す。したがって、第１色の光の波長をλ_１［ｎｍ］、第２色の光の波長をλ_２［ｎｍ］とし、λ_１＞λ_２とすると、下記の式（５）および式（６）が成り立つ。なお、第１色の光の波長λ_１は、第１色の光の最大強度の波長を意味する。また、第２色の光の波長λ_２は、第２色の光の最大強度の波長を意味し、後述する第３色の光の波長λ_３は、第３色の光の最大強度の波長を意味する。λ_１は５９０ｎｍ以上７７０ｎｍ以下であってもよく、λ_２は５００ｎｍ以上５８０ｎｍ以下であってもよく、λ_３は４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下であってもよい。
ｎ_１＠λ_１＞ｎ_１＠λ_２・・・式（５）
ｎ_２＠λ_１＞ｎ_２＠λ_２・・・式（６）
ただし、式（５）において、ｎ_１＠λ_１は波長λ_１における有機層４の屈折率を表し、ｎ_１＠λ_２は波長λ_２における有機層４の屈折率を表す。また、式（６）において、ｎ_２＠λ_１は波長λ_１における絶縁層３の屈折率を表し、ｎ_２＠λ_２は波長λ_２における絶縁層３の屈折率を表す。以下の説明においても同様である。

臨界角とは、屈折率が大きい領域から小さい領域に光が向かう際の、全反射が起こる最も小さな入射角のことのである。臨界角θ_ｃは、入射元の物質の屈折率と、進行先の物質の屈折率とで決まる。有機層４から絶縁層３へと光が入射するときの臨界角θ_ｃは、下記の式（７）で表される。
θ_ｃ＝ａｒｃｓｉｎ（ｎ_２／ｎ_１）・・・式（７）

式（７）において、ｎ_１＜ｎ_２の場合には、入射角によらず全反射は生じない。本実施形態においては、下記の式（８）および式（９）がさらに成り立つものとする。なお、好ましくは、可視光領域全体（４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下）において、ｎ_１＞ｎ_２を満たすことが好ましい。
ｎ_１＠λ_１＞ｎ_２＠λ_１・・・式（８）
ｎ_１＠λ_２＞ｎ_２＠λ_２・・・式（９）

また、下記の式（１０）がさらに下記が成り立つものとする。式（１０）は、絶縁層３の屈折率の波長依存性は、有機層４の屈折率の波長依存性よりも小さいことを意味する。これは、有機発光装置１００を構成する有機層４や絶縁層３として一般的に用いられる材料における一般的な傾向である。
（ｎ_１＠λ_１）／（ｎ_２＠λ_１）＜（ｎ_１＠λ_２）／（ｎ_２＠λ_２）・・・式（１０）

以上をまとめると、下記のことが言える。式（７）のように、臨界角は有機層４の屈折率ｎ_１と絶縁層３の屈折率ｎ_２とによって決まる。有機層４の屈折率ｎ_１と絶縁層３の屈折率ｎ_２は波長によって異なり、波長が大きいほど、臨界角θ_ｃは大きくなる。すなわち、下記の式（１１）が成り立つ。ただし、式（１１）において、θ_ｃ＠λ_１は波長λ_１における臨界角を表し、θ_ｃ＠λ_２は波長λ_２における臨界角を表す。
θ_ｃ＠λ_１＞θ_ｃ＠λ_２・・・式（１１）

上述のとおり、入射角θ_ｉが臨界角θ_ｃ以上となるように傾斜角θ_ｊを一定以下（（９０°－θ_ｃ）以下）とすることで、有機層４から横方向へ進行する光Ｌ２を全反射させやすくすることができる。式（１１）に示すように、波長λ_１における臨界角θ_ｃは波長λ_２における臨界角θ_ｃよりも大きいので、傾斜角θ_ｊの上限値は、波長λ_１のときのほうが波長λ_２のときよりも小さくなる。すなわち、絶縁層３の傾斜部で光を全反射させて光取り出し効率を向上させるために必要な傾斜角θ_ｊの上限値は、外部に取り出したい光の波長が大きい副画素ＳＰほど小さい。換言すれば、外部に取り出したい光の波長が小さい副画素ＳＰについては、絶縁層３の傾斜部をあまり緩くしなくてもよい、ともいえる。本発明者らは、この着想から、本発明をなすに至った。

（各副画素ＳＰの傾斜角の関係）
以上の技術的思想に基づいて設計された、本実施形態に係る有機発光装置１００の備える各副画素ＳＰの、絶縁層３の傾斜部の傾斜角について説明する。複数の画素ＰＸのそれぞれは、第１色の光を出射する第１副画素ＳＰＲと、第２色の光を出射する第２副画素ＳＰＧと、第３色の光を出射する第３副画素ＳＰＢの３種類の副画素ＳＰを有している。ここで、第１色の光の最大強度の波長をλ_１、第２色の光の最大強度の波長をλ_２、第３色の光の最大強度の波長をλ_３とすると、下記の式（３）および式（１）を満たす。
λ_１＞λ_２・・・式（３）
λ_１＞λ_２＞λ_３・・・式（１）

なお、上述のとおり、第１色、第２色、および第３色は、それぞれ赤色、緑色、および青色であってもよい。したがって、λ_１は６１０ｎｍ、λ_２は５１５ｎｍ、λ_３は４５０ｎｍであってもよい。

上述のとおり、外部に取り出した光の波長が小さい副画素ＳＰについては、絶縁層３の傾斜部をあまり小さくしなくてもよい。そこで、隣り合う副画素ＳＰ間での電流リークを抑制するために、外部に取り出した光の波長が小さい副画素ＳＰについては、外部に取り出した光の波長が大きい副画素ＳＰよりも、絶縁層３の傾斜部を大きく設計している。第１副画素ＳＰＲの絶縁層３の第１部分３３Ｒの傾斜角をθ_１、第２副画素ＳＰＧの絶縁層３の第２部分３３Ｇの傾斜角をθ_２、第３副画素ＳＰＢの絶縁層３の第３部分３３Ｂの傾斜角をθ_３、とすると下記の式（４）および式（２）を満たす。なお、各傾斜角θ_１、θ_２、θ_３は、基板１の上面（第１の面）に対する傾斜角である。
θ_１＜θ_２・・・式（４）
θ_１＜θ_２＜θ_３・・・式（２）

このようにすることで、一律に傾斜角を小さくした場合に比べて、光取り出し効率を向上させつつ、隣り合う副画素ＳＰ間での電流リークを抑制することができる。

（傾斜角の定義）
上述の傾斜角の定義について、第２副画素ＳＰＧを例に説明する。

図１および図２のように、各副画素ＳＰを基板１に対して垂直な面で切断した際の断面について考える。図３は、図２の拡大図である。

図３に示すように、第２副画素ＳＰＧの有する第２下部電極２Ｇの端部を覆う絶縁層３は、第２端部３１Ｇ（３１１Ｇ，３１２Ｇ）および第２頂上部３２Ｇ（３２１Ｇ，３２２Ｇ）を有する。また、絶縁層３は、第２端部３１Ｇと第２頂上部３２Ｇとの間に、第２部分３３Ｇ（３３１Ｇ，３３２Ｇ）を有する。ここで、第２部分３３Ｇ（３３１Ｇ，３３２Ｇ）は、その法線方向が第２下部電極２Ｇと有機層４とが接する領域である第２発光領域の上に向かうように傾斜した傾斜部を含む。なお、以下の説明において、このように法線方向が発光領域の上に向かうように傾斜した傾斜部を有効傾斜部とも呼ぶこともある。本実施形態においては、第２部分３３Ｇの全体が、有効傾斜部である。

本明細書において、第２部分３３Ｇの傾斜角は、下記のように算出する。なお、第１部分３３Ｒ、第３部分３３Ｂの傾斜角についても同様に算出できる。

図３の断面図において、まず、第２端部３１Ｇと第２頂上部３２Ｇとを高さ方向、すなわち、基板１の第１の面と垂直な方向に１０等分する直線を引く。なお、第２頂上部３２Ｇが平坦部を含む場合には、当該平坦部の第２端部３１Ｇと最も近い箇所と、第２端部３１Ｇと、を基板１の第１の面と垂直な方向に１０等分する直線を引く。すなわち、第２頂上部３２Ｇが平坦部を含む場合には、当該平坦部の第２端部３１Ｇと最も近い箇所と、第２端部３１Ｇと、の間の部分を第２部分３３Ｇとする。第１部分３３Ｒ、第３部分３３Ｂについても同様である。そして、これらの１１本の直線のうち、最も上の直線（基板１から最も離れた直線）と最も下の直線（基板１に最も近い直線）を除く、９本の直線と絶縁層３とが交わる９点（図３において白抜き丸で図示）において、絶縁層３と第１の面とがなす角を取得する。なお、絶縁層３と第１の面とがなす角は、絶縁層３と、第１の面と平行な面と、がなす角であってもよい。そして、取得した９つの角度の平均値を算出し、これを絶縁層３の傾斜部の傾斜角とする。

（各副画素ＳＰの傾斜部の形状）
本実施形態に係る有機発光装置１００の備える各副画素ＳＰの、絶縁層３の傾斜部の形状について、図３を参照してさらに説明する。上述の説明においては、各副画素ＳＰの傾斜角の関係について説明したが、それぞれの傾斜部の形状に着目し、下記のように捉えることもできる。

図３に示すように、第１部分３３Ｒの幅をＷ１１、高さをＨ１１とし、第２部分３３Ｇの幅をＷ１２、高さをＨ１２とし、第３部分３３Ｂの幅をＷ１３、高さをＨ１３とする。ここで、第１部分３３Ｒの幅Ｗ１１は、第１の端部３１Ｒと第１頂上部３２Ｒとの間の、基板１の第１の面と平行な方向における距離である。また、第１部分３３Ｒの高さＨ１１は、第１の端部３１Ｒの下端を基準としたときの第１頂上部３２Ｒの高さである。同様に、第２部分３３Ｇの幅Ｗ１２は、第２の端部３１Ｇと第２頂上部３２Ｇとの間の、基板１の第１の面と平行な方向における距離である。また、第２部分３３Ｇの高さＨ１２は、第２の端部３１Ｇの下端を基準としたときの第２頂上部３２Ｇの高さである。また、第３部分３３Ｂの幅Ｗ１３は、第３の端部３１Ｂと第３頂上部３２Ｂとの間の、基板１の第１の面と平行な方向における距離である。また、第３部分３３Ｂの高さＨ１３は、第３の端部３１Ｂの下端を基準としたときの第３頂上部３２Ｂの高さである。

このとき、有機発光装置１００は、下記式（１２）および式（１３）を満たす。
（Ｈ１１／Ｗ１１）＜（Ｈ１２／Ｗ１２）・・・式（１２）
（Ｈ１１／Ｗ１１）＜（Ｈ１２／Ｗ１２）＜（Ｈ１３／Ｗ１３）・・・式（１３）

なお、第１部分３３Ｒの幅Ｗ１１、第２部分３３Ｇの幅Ｗ１２、第３部分３３Ｂの幅Ｗ１３は略等しいことが好ましい。なお、略等しいとは、製造誤差を除いて等しいことを意味する。

第１部分３３Ｒは基板１に対する平面視でカラーフィルタ７Ｒと重なっていることが好ましい。また、第２部分３３Ｇは基板１に対する平面視でカラーフィルタ７Ｒと重なっていることが好ましい。さらに、第３部分３３Ｂは基板１に対する平面視でカラーフィルタ７Ｒと重なっていることが好ましい。このように、有効傾斜部が対応するカラーフィルタ７と平面視で重なっていることで、絶縁層３の傾斜部で全反射した光を対応するカラーフィルタ７に向かいやすくすることができる。この結果、所望の色の発光効率を向上させることができ、発光効率と色域の向上をすることができる。

上記説明では、有機発光装置１００が式（４）および式（２）の両方を満たすものと説明したが、これに限定はされず、式（４）を満たし、式（２）を満たさなくてもよい。例えば、式（４）を満たし、かつ、θ_２＝θ_３である有機発光装置も、本発明に含まれる。同様に、上記説明では、有機発光装置１００が式（１２）および式（１３）の両方を満たすものと説明したが、これに限定はされず式（１２）を満たし、式（１３）を満たさなくてもよい。例えば、式（１２）を満たし、かつ、（Ｈ１２／Ｗ１２）＝（Ｈ１３／Ｗ１３）である有機発光装置も、本発明に含まれる。

［第２の実施形態］
図４を参照して、本発明の第２の実施形態に係る有機発光装置について説明する。以下の説明では、主に第１の実施形態と異なる部分について説明する。

図４は、第２の実施形態に係る有機発光装置２００の構成を示す断面図である。本実施形態に係る有機発光装置２００が第１の実施形態に係る有機発光装置１００と異なる点は、カラーフィルタ層７０において、カラーフィルタ７同士が部分的に重なり合う重なり領域を有する点である。有機発光装置２００は、第２カラーフィルタ７Ｇの端部の上に第１カラーフィルタ７Ｒの端部が乗り上げるように重なり合う重なり領域７１を有している。また、有機発光装置２００は、第２カラーフィルタ７Ｇの端部の上に第３カラーフィルタ７Ｂの端部が乗り上げるように重なり合う重なり領域７２を有している。ある副画素ＳＰの発光素子１０からの発光が隣り合う副画素ＳＰのカラーフィルタ７を通過して外部に取り出されてしまうと、意図しない発光を招き、色域を狭めることにつながる。本実施形態では、ある副画素ＳＰの発光素子１０からの発光が隣り合う副画素ＳＰのカラーフィルタ７に入射し得る場所に、カラーフィルタ７同士の重なり領域を設けておく。これにより、２つのカラーフィルタ７によって光を弱めることができるので、色域の縮小を抑制することができる。

図４に示すように、有機発光装置２００は絶縁層３を有しており、隣り合う副画素間のそれぞれにおいて絶縁層３の山が２つ存在する。例えば、第１下部電極２Ｒの端部と第２下部電極２Ｇの端部を覆う絶縁層３の上面を、第１下部電極２Ｒ上の第１端部３１Ｒから第２下部電極２Ｇ上の第２端部３１Ｇへと辿ると、次の４つの傾斜部がこの順に存在する。第１副画素ＳＰＲの発光領域を向いた傾斜部（有効傾斜部）３３Ｒ、第１副画素ＳＰＲの発光領域を向いていない傾斜部３４Ｒ、第２副画素ＳＰＧの発光領域を向いていない傾斜部３４Ｇ、第２副画素ＳＰＧの発光領域を向いた傾斜部（有効傾斜部）３３Ｇ、である。このうち、傾斜部３４Ｒおよび傾斜部３４Ｇについては、隣の副画素からの発光を反射して別の色のカラーフィルタ７へと入射させる可能性がある。そこで本実施形態では、傾斜部３４Ｒおよび傾斜部３４Ｇと、上述のカラーフィルタの重なり領域７１とが平面視で重なるようにしている。なお、ここでは重なり領域７１が傾斜部３４Ｒおよび傾斜部３４Ｇの両方と重なるようにしているが、これに限定はされず、傾斜部３４Ｒおよび傾斜部３４Ｇの少なくとも一方が重なり領域７１と重なるようにすればよい。

また、本実施形態では、傾斜部（有効傾斜部）３３Ｒと傾斜部（有効傾斜部）３３Ｇは、カラーフィルタの重なり領域７１と、平面視で重ならないことが好ましい。これによって、有効傾斜部で全反射された光が、カラーフィルタの重なり領域７１にて遮られることなく、発光素子の外部へ取り出されるため、発光効率を向上させることができる。

［第３の実施形態］
図５を参照して、本発明の第３の実施形態に係る有機発光装置について説明する。以下の説明では、主に第２の実施形態と異なる部分について説明する。

図５は、第３の実施形態に係る有機発光装置３００の構成を示す断面図である。第３の実施形態に係る有機発光装置３００は、第２の実施形態に係る有機発光装置２００に加えて、平坦化層９の上にマイクロレンズアレイＭＬＡを有する。マイクロレンズアレイＭＬＡは、第１発光素子１０Ｒに対応する第１マイクロレンズ１１Ｒと、第２発光素子１０Ｇに対応する第２マイクロレンズ１１Ｇと、第３発光素子１０Ｂに対応する第３マイクロレンズ１１Ｂと、を含む。各マイクロレンズ１１は、対応する発光素子１０の発光領域の中心と平面視で重なるように配置されている。なお、発光素子１０の発光領域は絶縁層３の開口で規定されるが、発光領域の中心は、その絶縁層３の開口の重心としてもよい。

マイクロレンズアレイＭＬＡの含むマイクロレンズ１１は、集光効果を有している。マイクロレンズ１１は、カラーフィルタ７側から入射する光を集光して、カラーフィルタ７とは反対側の面から出射する機能を有する。そのため、絶縁層３の傾斜部で全反射された光Ｌ２Ｒを、より正面方向に向いた光Ｌ３Ｒとして出射することができ、正面方向の発光効率をより高めることができる。

マイクロレンズアレイＭＬＡを構成するマイクロレンズ１１としては、従来公知ものを用いることができる。マイクロレンズ１１の材質は、樹脂であってよい。マイクロレンズアレイＭＬＡは、例えば、マイクロレンズ１１を形成するための材料による膜（フォトレジスト膜）を形成し、連続的な諧調変化を有するマスクを用いて、フォトレジスト膜を露光および現像することで形成することができる。このようなマスクとしては、グレーマスクや面積階調マスクを用いることが可能である。また、露光および現像プロセスで形成したマイクロレンズ１１に対して、エッチバックを行うことにより、レンズ形状を調整してもよい。マイクロレンズ１１の形状は、放射光を屈折させることができる形状であればよく、球面であっても非球面であってもよく、断面形状が非対称であってもよい。

マイクロレンズ１１の出射面側、換言すればカラーフィルタ７とは反対側は、マイクロレンズ１１よりも屈折率が低い材料、典型的には空気で満たされていることが好ましい。これにより、マイクロレンズ１１の集光効果を大きくすることができる。

また、封止層６は、その上面に基板１から遠ざかる方に突出した凸部６１を有していてもよい。封止層６の凸部６１もマイクロレンズ１１と同様な集光効果を有している。封止層６の凸部６１と絶縁層３の有効傾斜部（３３Ｒ，３３Ｇ，３３Ｂ）は、平面視で重なることが好ましい。これにより、マイクロレンズ１１の集光効果と同様な効果が期待でき、絶縁層３の有効傾斜部で全反射した光を、正面方向に取り出しやすくすることができる。

［第４の実施形態］
図６～８を参照して、本発明の第４の実施形態に係る有機発光装置について説明する。以下の説明では、主に第３の実施形態と異なる部分について説明する。

図６は、第４の実施形態に係る有機発光装置４００の構成を示す断面図である。第４の実施形態に係る有機発光装置４００は、第３の実施形態に係る有機発光装置３００に加えて、基板１と下部電極２との間に、反射層１２および光学調整層１４を有する。

反射層１２は、有機層４で発光し、基板１の方向に進む光を反射する層である。反射層１２は、副画素ＳＰごとに分離されていてもよい。図６には、反射層１２が副画素ＳＰごとに分離されている例が示されており、第１副画素ＳＰＲは第１反射層１２Ｒを有し、第２副画素ＳＰＧは第２反射層１２Ｇを有し、第３副画素ＳＰＢは第３反射層１２Ｂを有している。

有機発光装置４００の発光効率の観点から、反射層１２には、可視光の反射率が５０％以上の材料が用いられてもよい。具体的には、ＡｌやＡｇなどの金属や、それら金属にＳｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｔｉなどを添加した合金が、反射層１２として用いられてもよい。また、反射層１２は、光を反射する表面にバリア層を備えていてもよい。反射層１２のバリア層の材料として、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ａｕなどの金属や、それら金属の合金、また、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明導電酸化物が用いられてもよい。

反射層１２は、反射層１２の周辺領域の上に導電層１３を有してよい。導電層１３は、例えば、ＴｉやＴｉＮなどで構成され、上記のバリア層であってもよい。反射層１２の上に導電層１３を設けておくことによって、反射層１２と下部電極２とを電気的に接続させる際の抵抗を低減することができる。例えば、それぞれの下部電極２は、第１絶縁層３に設けられた開口（コンタクトホール）上まで延在し、開口の下に配置された反射層１２の周辺部の導電層１３と、開口を介して電気的に接続されてよい。

本実施形態では、基板１の第１の面の上に反射層１２が形成されているため、反射層１２の下面は第１の面と一致する。そのため、反射層１２の下面を第１の面とみなしてもよい。

光学調整層１４は、反射層１２と下部電極２との間に配置される、透光性を有する絶縁層である。有機発光装置４００の有する光学調整層１４は、複数の副画素ＳＰにわたって連続して配置されているが、副画素ＳＰごとに、その厚さが異なるように設けられている。これにより、反射層１２と有機層４の発光層の発光位置との間の光学距離をそれぞれの色で最適化する構成（共振構造）となっていてもよい。

光学調整層１４は、単層で構成されていてもよいし、複数層で構成されてよい。光学調整層１４は、複数層で構成されており、副画素ＳＰごとに、積層されている層の数が異なっていてもよい。光学調整層１４を構成する材料は特に限定はされないが、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）を用いることができる。

光学調整層１４の上には、下部電極２が配置される。上述のとおり、下部電極２は副画素ＳＰごとに電気的に分離して配置される。下部電極２は、透明材料、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＡＺＯ、ＩＧＺＯなどの酸化物導電体で構成されうる。光学調整層１４および下部電極２は、光透過性を有する。

本実施形態に係る有機発光装置４００の上部電極５と反射層１２との間の光学距離は、強め合わせの干渉構造となってよい。強め合わせの干渉構造は、共振構造ということもできる。

強め合わせの光学干渉条件を満たすように有機層４や光学調整層１４を形成することで、光学干渉により有機発光装置からの取り出し光を強めることができる。正面方向の取り出し光を強める光学条件とすれば、より高効率に正面方向に光が放射される。また、光学干渉により強められた光は、発光スペクトルの半値幅が、干渉前の発光スペクトルに比べて小さくなることが知られている。すなわち、色純度を高くすることができる。

波長λの光に対して設計した場合、有機層４の発光層の発光位置から反射層１２の反射面までの距離ｄ_０をｄ_０＝ｉλ／４ｎ_０（ｉ＝１，３，５，・・・）に調整することで強め合わせの干渉とすることができる。

その結果、波長λの光の放射分布に正面方向の成分が多くなり、正面輝度が向上する。なお、ｎ_０は、発光位置から反射面までの層の波長λにおける屈折率である。

本実施形態では、有機層４の発光層の発光位置から反射層１２との間の光学距離を各色で最適化するために、有機層４の発光層の発光位置から反射層１２の反射面（例えば、上面）までの間の光学距離Ｌｒは、以下の式（１４）をおおよそ満足するようにする。なお、光学距離Ｌは、有機層の各層の屈折率ｎ_ｊと各層の厚さｄ_ｊの積の総和である。つまり、Ｌは、Σｎ_ｊ×ｄ_ｊと表せ、またｎ_０×ｄ_０とも表せられる。なお、φは負の値である。
Ｌｒ＝（２ｍ－（φｒ／π））×（λ／４）・・・式（１４）

ここで、上記式（１４）において、ｍは０以上の整数（非負整数）であり、φｒは反射面で波長λの光が反射する際の位相シフト量の和［ｒａｄ］である。なお、φ＝－πでｍ＝０ではＬ＝λ／４、ｍ＝１ではＬ＝３λ／４となる。以後、上記式（１４）のｍ＝０の条件をλ／４の干渉条件と記載し、上記式（１４）のｍ＝１の条件を３λ／４干渉条件と記載する。

また、有機層４の発光層の発光位置と上部電極５の反射面（例えば、下面）との間の光学距離Ｌｓは、以下の式（１５）をおおよそ満足するようにする。
Ｌｓ＝（２ｍ’－（φｓ／π））×（λ／４）＝－（φｓ／π）×（λ／４）・・・式（１５）

ここで、上記式（１５）において、ｍ’は０以上の整数（非負整数）であり、φｓは反射面で波長λの光が反射する際の位相シフトの和［ｒａｄ］である。

よって、反射層１２から上部電極５までの全層干渉Ｌは、以下の式（１６）をおおよそ満足するようにする。
Ｌ＝（Ｌｒ＋Ｌｓ）＝（２ｍ－（φ／π））×（λ／４）・・・式（１６）

ここで、上記式（１６において、φは波長λの光が反射層１２と上部電極５で反射する際の位相シフトの和（φｒ＋φｓ）である。

このとき、実際の有機発光装置においては、正面の取り出し効率とトレードオフの関係にある視野角特性等を考慮すると、上記式と厳密に一致させなくてもよい。具体的には、全層干渉Ｌは、式（１６）を満たす値から±λ／８の値の範囲内の誤差があってもよい全層干渉Ｌの値が干渉条件から離れてもよい許容値は、５０ｎｍ以上７５ｎｍ以下であってよい。

よって、本実施形態に係る有機発光装置４００においては、下記式（１７）を満たすことが好ましい。さらに好ましくは、全層干渉Ｌが式（１６）を満たす値から±λ／１６の値の範囲内であればよく、下記式（１７’）を満たすことが好ましい。
（λ／８）×（４ｍ－（２φ／π）－１）＜Ｌ＜（λ／８）×（４ｍ－（２φ／π）＋１）・・・式（１７）
（λ／１６）×（８ｍ－（４φ／π）－１）＜Ｌ＜（λ／１６）×（８ｍ－（４φ／π）＋１）・・・式（１７’）

ここで、発光波長λは、発光強度が最大のピークの発光波長であってよい。有機化合物の発光においては、発光スペクトルに複数のピークが含まれる場合にはそれら複数のピークのうち、波長が最も短いピークが最大発光であることが一般的なので、波長が最も短いピークの波長であってもよい。発光スペクトルは、各発光素子のＣＦ透過後の発光スペクトルを指す。

これにより、有機層４で発せられた光が下部電極２と、光学調整層１４を透過して、反射層１２で反射する。図６の拡大図である図７に示すように、反射層１２で反射した光Ｌ５Ｇが、下部電極２で反射した光Ｌ４Ｇよりも小さな入射角で、絶縁層３の傾斜部に入射する。下部電極２で反射した光Ｌ４Ｇの絶縁層３の傾斜部への入射角をθ_ｋ、反射層１２で反射した光Ｌ５Ｇの絶縁層３の傾斜部への入射角をθ_ｌとすると、θ_ｋ＞θ_ｌが成り立つ。したがって、本実施形態のように反射層１２と光学調整層１４を設けた場合のほうが、実施形態１のように反射層１２と光学調整層１４を設けない場合に比べて、絶縁層３の傾斜部において光を全反射させやすいことがわかる。そのため、本実施形態のように強め合わせの干渉構造を用いることで、発光効率をより一層向上させることができる。

以下、本実施形態に係る有機発光装置４００の好ましい例について説明する。

図６に示すように、第１発光素子１０Ｒの第１反射層１２Ｒの上面から第１下部電極２Ｒの上面までの距離ｄ_１と、第２発光素子１０Ｇの第２反射層１２Ｇ上面から第２下部電極２Ｇの上面までの距離ｄ_２と、は互いに異なっていることが好ましい。なお、距離ｄ_１は、第１発光素子１０Ｒの第１反射層１２Ｒの上面から第１下部電極２Ｒの上面までの最短距離である。また、距離ｄ_２は、第２発光素子１０Ｇの第２反射層１２Ｇ上面から第２下部電極２Ｇの上面までの最短距離である。また、距離ｄ_１と、距離ｄ_２と、第３発光素子１０Ｂの第３反射層１２Ｂの上面から第３下部電極２Ｂの上面までの距離ｄ_３と、は全て互いに異なっていることが好ましい。なお、距離ｄ_３は、第３発光素子１０Ｂの第３反射層１２Ｂの上面から第３下部電極２Ｂの上面までの最短距離である。これによって、全反射による発光効率の効果を大きくすることができる。

また、図６に示すように、距離ｄ_１～ｄ_３は、下記の式（１８）または式（１９）を満たすことが好ましい。
ｄ_１＞ｄ_２・・・式（１８）
ｄ_１＞ｄ_２＞ｄ_３・・・式（１９）

上述の通り、絶縁層３からより離れた位置で反射された光ほど、絶縁層３の傾斜部に入射する際の入射角が大きくなる。そのため、上記式（１８）または式（１９）を満たすことにより、全反射しにくい、すなわち臨界角θ_ｃが大きな発光素子１０ほど、絶縁層３の傾斜部に入射する際の入射角を大きくし、全反射させやすくすることができる。これにより、副画素間での電流リークを抑制しつつ、発光効率を向上させるという効果をより一層発揮できる。

本実施形態に係る有機発光装置４００は、図７に示すように、第２端部３１Ｇと第２頂上部３２Ｇの間に、基板１と略平行な第２平坦部３５Ｇを有する。そして、第２平坦部３５Ｇと第２頂上部３２Ｇとの間に第２上側傾斜部３６Ｇを有し、第２平坦部３６Ｇと第２端部３１Ｇとの間に第２下側傾斜部３７Ｇを有する。換言すれば、第２部分３３Ｇが、第２平坦部３５Ｇと、第２上側傾斜部３６Ｇと、第２下側傾斜部３７Ｇと、で構成されている。なお、ここでは第２副画素ＳＰＧの第２発光素子１０Ｇに着目して説明したが、他の副画素ＳＰについても同様である。すなわち、第１副画素ＳＰＲについていえば、第１部分３３Ｒが、第１平坦部３５Ｒと、第１上側傾斜部３６Ｒと、第１下側傾斜部３７Ｒと、で構成されている。また、第３副画素ＳＰＢについていえば、第３部分３３Ｂが、第３平坦部３５Ｂと、第３上側傾斜部３６Ｂと、第３下側傾斜部３７Ｂと、で構成されている。

下側傾斜部３７は、上側傾斜部３６よりも、最も急な部分の傾斜角が大きい傾斜部である。また、下側傾斜部３７の高さ方向の長さＨ３は、上側傾斜部３８の高さ方向の長さＨ２よりも、短いことが好ましい。

上述したとおり、絶縁層３の傾斜部の傾斜角θ_ｊを小さくするほど、有機発光装置の光取り出し効率を高めることができるが、その一方で、傾斜角θ_ｊを小さくしすぎてしまうと隣り合う副画素ＳＰ間での電流リークが生じやすくなってしまう。そこで本実施形態では、絶縁層３の傾斜部に、光を全反射させやすくして光取り出し効率を高める機能を有する上側傾斜部３８に加えて、急な傾斜部によって副画素ＳＰ間での電流リークを抑制する機能を有する下側傾斜部３７を設けている。これにより、絶縁層３の傾斜部での全反射による発光効率の向上と、副画素ＳＰ間での電流リークの抑制と、の両立させることができる。

下側傾斜部３７は、上側傾斜部３６よりも急な傾斜を有するので、下側傾斜部３７の上に配置される有機層４をより薄くすることができる。特に、有機層４を構成する複数の層のうちの下部電極２側にある電荷輸送層４１を薄くすることで、導電性の高い電荷輸送層４１を介した副画素ＳＰ間の電荷のクロストーク（すなわち、電流リーク）を抑制することができる。このように、下側傾斜部３７は、急な傾斜を有することによって副画素ＳＰ間の電荷のクロストークを抑制するという役割を有する。ただし、急な傾斜を有する下側傾斜部３７の高さ方向の長さが長すぎると、図８に示すように、有機層４の膜厚が薄くなりすぎる場所が発生し、上部電極５と下部電極２との間の電流リークが生じやすくなってしまう。そこで本実施形態では、急な傾斜を有する下側傾斜部３７の高さ方向の長さＨ３を、上側傾斜部３８の高さ方向の長さＨ２よりも短くしている。これにより、副画素ＳＰ間の電荷のクロストークを抑制しつつ、上部電極５と下部電極２間の電流リークを抑制することができる。

一方、上側傾斜部３６の役割は、小さな傾斜角を有することで光を全反射させて光取り出し効率を高めることなので、光を全反射する領域を大きくすることで、この効果をより高めることができる。したがって、上側傾斜部３６の高さ方向の長さＨ２が長く、傾斜角が小さい方が、光取り出し効率と高める効果が大きいため、好ましい。

下側傾斜部３７の高さ方向の長さＨ３は、下部電極２に接する部分の電荷輸送層４１（典型的には正孔輸送層）の高さ方向の長さ（厚さ）Ｔ１より大きいことが好ましい。これによって、電荷輸送層４１が下側傾斜部３７に沿って薄くなりやすい。これにより、副画素ＳＰ間の電荷のクロストークを抑制できる。

さらに、下側傾斜部３７の高さ方向の長さＨ３は、下部電極２に接する部分の有機層４の高さ方向の長さ（厚さ）Ｔ２より短いことが好ましい。これによって、下側傾斜部３７に沿った有機層４が、基板１と平行な部分に形成される有機層４に埋もれるため、有機層４が薄くなりすぎる部分ができにくい。よって、上部電極５と下部電極２間の電流リークを抑制することができる。

また、本発明は、下記のように捉えることもできる。図７に示すように、第１平坦部３５Ｒの上面を基準とした第１頂上部３２Ｒの高さをＨ２１とし、第１平坦部３５Ｒの第１頂上部３２Ｒ側（第１頂上部側）の端部と第１頂上部３２Ｒとの間の、基板１に平行な方向における距離をＷ２１とする。また、第２平坦部３５Ｇの上面を基準とした第２頂上部３２Ｇの高さをＨ２２とし、第２平坦部３５Ｇの第２頂上部３２Ｇ側（第２頂上部側）の端部と第２頂上部３２Ｇとの間の、基板１に平行な方向における距離をＷ２２とする。さらに、第３平坦部３５Ｂの上面を基準とした第３頂上部３２Ｂの高さをＨ２３とし、第３平坦部３５Ｂの第３頂上部３２Ｂ側（第３頂上部側）の端部と第３頂上部３２Ｂとの間の、基板１に平行な方向における距離をＷ２３とする。

このとき、有機発光装置４００は、下記式（２０）および式（２１）を満たす。
（Ｈ２１／Ｗ２１）＜（Ｈ２２／Ｗ２２）・・・式（２０）
（Ｈ２１／Ｗ２１）＜（Ｈ２２／Ｗ２２）＜（Ｈ２３／Ｗ２３）・・・式（２１）

なお、距離Ｗ２１、距離Ｗ２２、距離Ｗ２３は略等しいことが好ましい。なお、略等しいとは、製造誤差を除いて等しいことを意味する。また、第１部分３３Ｒ、第２部分３３Ｇ、第３部分３３Ｂに複数の平坦部が含まれる場合には、頂上部３２から最も近い平坦部を、平坦部３５ととらえればよい。

複数の反射層１２同士の間には、光学調整層１４が配置されている。このとき、複数の反射層１２同士の間に配置される光学調整層１４は、光学調整層１４を構成する物質よりも屈折率が低い物質から構成される空隙１５を有することが好ましい。空隙１５は、真空や空気で構成されてもよい。これによって、空隙１５での全反射の効果によって、発光効率をさらに向上させることができる。換言すれば、複数の反射層１２同士の間に配置される光学調整層１４は、反射層１２の上に配置される光学調整層１４よりも密度の小さな低密度領域を含んでもよい。ここでいう密度は、原子密度［ａｔｏｍ／ｃｍ^３］であってもよいし、重量密度［ｇ／ｃｍ^３］であってもよい。

また、空隙１５は、図７のような基板１の第１の面に垂直な断面において、鋭く尖った突出部１５１を有していてもよい。突出部１５１は、上記断面において２つの直線部から構成され、２つの直線部がなす角が４５°以下である部分であってもよい。そして、空隙１５が有する突出部１５１は、有機発光装置４００の光取り出し方向を示していてもよい。

また、封止層６は、平面視で見て隣接する二つの発光素子１０の下部電極２の間に、低密度領域を有してよい。これによって、低密度領域での全反射の効果によって、発光効率をさらに向上させることができる。

下部電極２の屈折率は、少なくとも可視光のある波長において、光学調整層１４の屈折率よりも高いことが好ましい。これによって、光学調整層１４の傾斜部上面にて、光を全反射をさせることができ、発光効率を向上させることができる。ここで、光学調整層１４が複数の層で構成される場合には、屈折率は光学調整層１４を構成する層のうちの最上層の屈折率を示し、下部電極２が複数の層で構成される場合には、屈折率は下部電極２を構成する層のうちの最下層の屈折率を示す。

［第５の実施形態］
図９を参照して、本発明の第５の実施形態に係る有機発光装置について説明する。以下の説明では、主に第４の実施形態と異なる部分について説明する。

図９は、第５の実施形態に係る有機発光装置５００の断面図である。有機発光装置５００は、第５の実施形態に係る有機発光装置４００の下側傾斜部３７の形状を変え、下側傾斜部３７の上方の角を落とした形状としている。有機発光装置５００の下側傾斜部３７は、角を落とした部分に相当する下側緩傾斜部３７２と、下側急傾斜部３７１と、を有している。下側急傾斜部３７１は、有機発光装置４００の傾斜部３７と同様に傾斜角の大きな部分であり、下側緩傾斜部３７２は、下側急傾斜部３７１よりも傾斜の緩い、すなわち、傾斜角の小さな部分である。

このように、下側傾斜部３７に下側緩傾斜部３７２を設けることによって、反射層１２での反射光Ｌ５Ｇが、下側傾斜部３７に遮られずに上側傾斜部３６に到達しやすくなる。この結果、より多くの光を上側傾斜部３６に導くことができ、光取り出し効率を高めることができる。

下側急傾斜部３７１の高さ方向の長さＨ４は、下部電極２に接する部分の電荷輸送層４１（典型的には正孔輸送層）の高さ方向の長さ（厚さ）Ｔ１より長いことが好ましい。これによって、電荷輸送層４１が下側急傾斜部３７１に沿って薄くなりやすい。これにより、副画素ＳＰ間の電荷のクロストークを抑制できる。

さらに、下側急傾斜部３７１の高さ方向の長さＨ４は、下部電極２に接する部分の有機層４の高さ方向の長さ（厚さ）Ｔ２より短いことが好ましい。これによって、下側急傾斜部３７１に沿った有機層４が、基板１と平行な部分に形成される有機層４に埋もれるため、有機層４が薄くなりすぎる部分ができにくい。よって、上部電極５と下部電極２間の電流リークを抑制することができる。

［その他の実施形態］
以上の実施形態では、副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢがそれぞれカラーフィルタ７Ｒ，７Ｇ，７Ｂを有し、有機層４から発せられた白色光を、それぞれのカラーフィルタ７を透過させることで、第１～第３の光を出射させる構成について説明した。しかし本発明はこれに限定はされず、副画素ＳＰがカラーフィルタ７を有さない構成であってもよい。すなわち、上記各実施形態において、有機層４を構成する複数の層のうちの少なくとも発光層が副画素ごとに分離して形成されている構成も、本発明に含まれる。このとき、第１副画素ＳＰＲは第１の色の光を発光する第１発光層を有し、第２副画素ＳＰＧは第２の色の光を発光する第２発光層を有し、第３副画素ＳＰＢは第３の色の光を発光する第３発光層を有していてもよい。そして、有機層４を構成する複数の層のうちの発光層以外の層の少なくとも一部は、各副画素ＳＰにわたって共通に配置されていてもよい。このような実施形態においても、画素間の電流リークを抑制しつつ、光取り出し効率を向上させるという効果が発揮される。

図１０は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す模式図である。表示装置１０００は、上部カバー１００１と、下部カバー１００９と、の間に、タッチパネル１００３、表示パネル１００５、フレーム１００６、回路基板１００７、バッテリー１００８、を有してよい。タッチパネル１００３および表示パネル１００５は、フレキシブルプリント回路ＦＰＣ１００２、１００４が接続されている。回路基板１００７には、トランジスタがプリントされている。バッテリー１００８は、表示装置が携帯機器でなければ、設けなくてもよいし、携帯機器であっても、別の位置に設けてもよい。

本実施形態に係る表示装置は、赤色、緑色、青色を有するカラーフィルタを有してよい。カラーフィルタは、当該赤色、緑色、青色がデルタ配列で配置されてよい。

本実施形態に係る表示装置は、携帯端末の表示部に用いられてもよい。その際には、表示機能と操作機能との双方を有してもよい。携帯端末としては、スマートフォン等の携帯電話、タブレット、ヘッドマウントディスプレイ等が挙げられる。

本実施形態に係る表示装置は、複数のレンズを有する光学部と、当該光学部を通過した光を受光する撮像素子とを有する撮像装置の表示部に用いられてよい。撮像装置は、撮像素子が取得した情報を表示する表示部を有してよい。また、表示部は、撮像装置の外部に露出した表示部であっても、ファインダ内に配置された表示部であってもよい。撮像装置は、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラであってよい。

図１１（ａ）は、本実施形態に係る撮像装置の一例を表す模式図である。撮像装置１１００は、ビューファインダ１１０１、背面ディスプレイ１１０２、操作部１１０３、筐体１１０４を有してよい。ビューファインダ１１０１は、本実施形態に係る表示装置を有してよい。その場合、表示装置は、撮像する画像のみならず、環境情報、撮像指示等を表示してよい。環境情報には、外光の強度、外光の向き、被写体の動く速度、被写体が遮蔽物に遮蔽される可能性等であってよい。

撮像に好適なタイミングはわずかな時間なので、少しでも早く情報を表示した方がよい。したがって、本発明の有機発光素子を用いた表示装置を用いるのが好ましい。有機発光素子は応答速度が速いからである。有機発光素子を用いた表示装置は、表示速度が求められる、これらの装置、液晶表示装置よりも好適に用いることができる。

撮像装置１１００は、不図示の光学部を有する。光学部は複数のレンズを有し、筐体１１０４内に収容されている撮像素子に結像する。複数のレンズは、その相対位置を調整することで、焦点を調整することができる。この操作を自動で行うこともできる。撮像装置は光電変換装置と呼ばれてもよい。光電変換装置は逐次撮像するのではなく、前画像からの差分を検出する方法、常に記録されている画像から切り出す方法等を撮像の方法として含むことができる。

図１１（ｂ）は、本実施形態に係る電子機器の一例を表す模式図である。電子機器１２００は、表示部１２０１と、操作部１２０２と、筐体１２０３を有する。筐体１２０３には、回路、当該回路を有するプリント基板、バッテリー、通信部、を有してよい。操作部１２０２は、ボタンであってもよいし、タッチパネル方式の反応部であってもよい。操作部は、指紋を認識してロックの解除等を行う、生体認識部であってもよい。通信部を有する電子機器は通信機器ということもできる。電子機器は、レンズと、撮像素子とを備えることでカメラ機能をさらに有してよい。カメラ機能により撮像された画像が表示部に映される。電子機器としては、スマートフォン、ノートパソコン等があげられる。

図１２は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す模式図である。図１２（ａ）は、テレビモニタやＰＣモニタ等の表示装置である。表示装置１３００は、額縁１３０１を有し表示部１３０２を有する。表示部１３０２には、本実施形態に係る発光装置が用いられてよい。

額縁１３０１と、表示部１３０２を支える土台１３０３を有している。土台１３０３は、図１２（ａ）の形態に限られない。額縁１３０１の下辺が土台を兼ねてもよい。

また、額縁１３０１および表示部１３０２は、曲がっていてもよい。その曲率半径は、５０００ｍｍ以上６０００ｍｍ以下であってよい。

図１２（ｂ）は本実施形態に係る表示装置の他の例を表す模式図である。図１２（ｂ）の表示装置１３１０は、折り曲げ可能に構成されており、いわゆるフォルダブルな表示装置である。表示装置１３１０は、第一表示部１３１１、第二表示部１３１２、筐体１３１３、屈曲点１３１４を有する。第一表示部１３１１と第二表示部１３１２とは、本実施形態に係る発光装置を有してよい。第一表示部１３１１と第二表示部１３１２とは、つなぎ目のない１枚の表示装置であってよい。第一表示部１３１１と第二表示部１３１２とは、屈曲点で分けることができる。第一表示部１３１１、第二表示部１３１２は、それぞれ異なる画像を表示してもよいし、第一および第二表示部とで一つの画像を表示してもよい。

図１３（ａ）は、本実施形態に係る照明装置の一例を表す模式図である。照明装置１４００は、筐体１４０１と、光源１４０２と、回路基板１４０３と、光学フィルム１４０４と、光拡散部１４０５と、を有してよい。光源は、本実施形態に係る有機発光素子を有してよい。光学フィルタは光源の演色性を向上させるフィルタであってよい。光拡散部は、ライトアップ等、光源の光を効果的に拡散し、広い範囲に光を届けることができる。光学フィルタ、光拡散部は、照明の光出射側に設けられてよい。必要に応じて、最外部にカバーを設けてもよい。

照明装置は例えば室内を照明する装置である。照明装置は白色、昼白色、その他青から赤のいずれの色を発光するものであってよい。それらを調光する調光回路を有してよい。照明装置は本発明の有機発光素子とそれに接続される電源回路を有してよい。電源回路は、交流電圧を直流電圧に変換する回路である。また、白とは色温度が４２００Ｋで昼白色とは色温度が５０００Ｋである。照明装置はカラーフィルタを有してもよい。

また、本実施形態に係る照明装置は、放熱部を有していてもよい。放熱部は装置内の熱を装置外へ放出するものであり、比熱の高い金属、液体シリコン等が挙げられる。

図１３（ｂ）は、本実施形態に係る移動体の一例である自動車の模式図である。当該自動車は灯具の一例であるテールランプを有する。自動車１５００は、テールランプ１５０１を有し、ブレーキ操作等を行った際に、テールランプを点灯する形態であってよい。

テールランプ１５０１は、本実施形態に係る有機発光素子を有してよい。テールランプは、有機ＥＬ素子を保護する保護部材を有してよい。保護部材はある程度高い強度を有し、透明であれば材料は問わないが、ポリカーボネート等で構成されることが好ましい。ポリカーボネートにフランジカルボン酸誘導体、アクリロニトリル誘導体等を混ぜてよい。

自動車１５００は、車体１５０３、それに取り付けられている窓１５０２を有してよい。窓は、自動車の前後を確認するための窓でなければ、透明なディスプレイであってもよい。当該透明なディスプレイは、本実施形態に係る有機発光素子を有してよい。この場合、有機発光素子が有する電極等の構成材料は透明な部材で構成される。

本実施形態に係る移動体は、船舶、航空機、ドローン等であってよい。移動体は、機体と当該機体に設けられた灯具を有してよい。灯具は、機体の位置を知らせるための発光をしてよい。灯具は本実施形態に係る有機発光素子を有する。

図１４を参照して、上述の各実施形態の表示装置の適用例について説明する。表示装置は、例えばスマートグラス、ＨＭＤ、スマートコンタクトのようなウェアラブルデバイスとして装着可能なシステムに適用できる。このような適用例に使用される撮像表示装置は、可視光を光電変換可能な撮像装置と、可視光を発光可能な表示装置とを有する。

図１４（ａ）は、１つの適用例に係る眼鏡１６００（スマートグラス）を説明する。眼鏡１６００のレンズ１６０１の表面側に、ＣＭＯＳセンサやＳＰＡＤのような撮像装置１６０２が設けられている。また、レンズ１６０１の裏面側には、上述した各実施形態の表示装置が設けられている。

眼鏡１６００は、制御装置１６０３をさらに備える。制御装置１６０３は、撮像装置１６０２と各実施形態に係る表示装置に電力を供給する電源として機能する。また、制御装置１６０３は、撮像装置１６０２と表示装置の動作を制御する。レンズ１６０１には、撮像装置１６０２に光を集光するための光学系が形成されている。

図１４（ｂ）は、１つの適用例に係る眼鏡１６１０（スマートグラス）を説明する。眼鏡１６１０は、制御装置１６１２を有しており、制御装置１６１２に、撮像装置１６０２に相当する撮像装置と、表示装置が搭載される。レンズ１６１１には、制御装置１６１２内の撮像装置と、表示装置からの発光を投影するための光学系が形成されており、レンズ１６１１には画像が投影される。制御装置１６１２は、撮像装置および表示装置に電力を供給する電源として機能するとともに、撮像装置および表示装置の動作を制御する。制御装置は、装着者の視線を検知する視線検知部を有してもよい。視線の検知は赤外線を用いてよい。赤外発光部は、表示画像を注視しているユーザーの眼球に対して、赤外光を発する。発せられた赤外光の眼球からの反射光を、受光素子を有する撮像部が検出することで眼球の撮像画像が得られる。平面視における赤外発光部から表示部への光を低減する低減手段を有することで、画像品位の低下を低減する。

赤外光の撮像により得られた眼球の撮像画像から表示画像に対するユーザーの視線を検出する。眼球の撮像画像を用いた視線検出には任意の公知の手法が適用できる。一例として、角膜での照射光の反射によるプルキニエ像に基づく視線検出方法を用いることができる。

より具体的には、瞳孔角膜反射法に基づく視線検出処理が行われる。瞳孔角膜反射法を用いて、眼球の撮像画像に含まれる瞳孔の像とプルキニエ像とに基づいて、眼球の向き（回転角度）を表す視線ベクトルが算出されることにより、ユーザーの視線が検出される。

本発明の一実施形態に係る表示装置は、受光素子を有する撮像装置を有し、撮像装置から提供されるユーザーの視線情報に基づいて表示装置の表示画像を制御してよい。

具体的には、表示装置は、視線情報に基づいて、ユーザーが注視する第一の視界領域と、第一の視界領域以外の第二の視界領域とを決定される。第一の視界領域、第二の視界領域は、表示装置の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを受信してもよい。表示装置の表示領域において、第一の視界領域の表示解像度を第二の視界領域の表示解像度よりも高く制御してよい。つまり、第二の視界領域の解像度を第一の視界領域よりも低くしてよい。

また、表示領域は、第一の表示領域、第一の表示領域とは異なる第二の表示領域とを有し、視線情報に基づいて、第一の表示領域および第二の表示領域から優先度が高い領域を決定される。第一の視界領域、第二の視界領域は、表示装置の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを受信してもよい。優先度の高い領域の解像度を、優先度が高い領域以外の領域の解像度よりも高く制御してよい。つまり優先度が相対的に低い領域の解像度を低くしてよい。

なお、第一の視界領域や優先度が高い領域の決定には、ＡＩを用いてもよい。ＡＩは、眼球の画像と当該画像の眼球が実際に視ていた方向とを教師データとして、眼球の画像から視線の角度、視線の先の目的物までの距離を推定するよう構成されたモデルであってよい。ＡＩプログラムは、表示装置が有しても、撮像装置が有しても、外部装置が有してもよい。外部装置が有する場合は、通信を介して、表示装置に伝えられる。

視認検知に基づいて表示制御する場合、外部を撮像する撮像装置を更に有するスマートグラスに好ましく適用できる。スマートグラスは、撮像した外部情報をリアルタイムで表示することができる。

以上説明した通り、本実施形態に係る有機発光素子を用いた装置を用いることにより、良好な画質で、長時間表示にも安定な表示が可能になる。

ＳＰＲ 第１副画素
ＳＰＧ 第２副画素
ＳＰＢ 第３副画素
１ 基板
２ 下部電極
３ 絶縁層
４ 有機層
５ 上部電極
１２ 反射層
１４ 光学調整層
３１Ｒ 第１端部
３１Ｇ 第２端部
３１Ｂ 第３端部
３２Ｒ 第１頂上部
３２Ｇ 第２頂上部
３２Ｂ 第３頂上部
３３Ｒ 第１部分
３３Ｇ 第２部分
３３Ｂ 第３部分

Claims (21)

1. 基板上に配置された複数の副画素を有し、
   前記複数の副画素は第１副画素、第２副画素、および、第３副画素を含み、
   前記第１副画素、前記第２副画素、および、前記第３副画素は、それぞれ、前記基板側から、下部電極と、前記下部電極の端部を覆う絶縁層と、有機層と、上部電極と、をこの順に有し、
   前記有機層の少なくとも一部は、前記第１副画素の有する第１下部電極の上から前記第２副画素の有する第２下部電極の上までの間、前記第２下部電極の上から前記第３副画素の有する第３下部電極の上までの間、および、前記第３下部電極の上から前記第１下部電極の上までの間、のうちの少なくとも２つにおいて連続して配置されている有機発光装置であって、
   前記絶縁層は、前記第１副画素に隣り合う副画素と前記第１副画素との間、前記第２副画素に隣り合う副画素と前記第２副画素との間、および、前記第３副画素に隣り合う副画素と前記第３副画素との間、のそれぞれに少なくとも１つの頂上部を有し、
   前記絶縁層の、前記絶縁層の前記第１下部電極上の端部である第１端部と、当該第１端部から最も近い前記頂上部である第１頂上部と、の間の部分を第１部分とし、
   前記絶縁層の、前記絶縁層の前記第２下部電極上の端部である第２端部と、当該第２端部から最も近い前記頂上部である第２頂上部と、の間の部分を第２部分とし、
   前記絶縁層の、前記絶縁層の前記第３下部電極上の端部である第３端部と、当該第３端部から最も近い前記頂上部である第３頂上部と、の間の部分を第３部分としたときに、
   下記式（１）および式（２）を満たす
   ことを特徴とする有機発光装置。
   λ_１＞λ_２＞λ_３・・・式（１）
   θ_１＜θ_２＜θ_３・・・式（２）
   （ただし、式（１）において、λ_１は前記第１副画素から出射される光の最大強度の波長を表し、λ_２は前記第２副画素から出射される光の最大強度の波長を表し、λ_３は前記第３副画素から出射される光の最大強度の波長を表す。また、式（２）において、θ_１は前記第１部分の前記基板に対する傾斜角を表し、θ_２は前記第２部分の前記基板に対する傾斜角を表し、θ_３は前記第３部分の前記基板に対する傾斜角を表す。）
2. 基板上に配置された複数の副画素を有し、
   前記複数の副画素は第１副画素、第２副画素、および、第３副画素を含み、
   前記第１副画素、前記第２副画素、および、前記第３副画素は、それぞれ、前記基板側から、下部電極と、前記下部電極の端部を覆う絶縁層と、有機層と、上部電極と、をこの順に有し、
   前記有機層の少なくとも一部は、前記第１副画素の有する第１下部電極の上から前記第２副画素の有する第２下部電極の上までの間、前記第２下部電極の上から前記第３副画素の有する第３下部電極の上までの間、および、前記第３下部電極の上から前記第１下部電極の上までの間、のうちの少なくとも２つにおいて連続して配置されている有機発光装置であって、
   前記絶縁層は、前記第１副画素に隣り合う副画素と前記第１副画素との間、前記第２副画素に隣り合う副画素と前記第２副画素との間、および、前記第３副画素に隣り合う副画素と前記第３副画素との間、のそれぞれに少なくとも１つの頂上部を有し、
   前記絶縁層の、前記絶縁層の前記第１下部電極上の端部である第１端部と、当該第１端部から最も近い前記頂上部である第１頂上部と、の間の部分を第１部分とし、
   前記絶縁層の、前記絶縁層の前記第２下部電極上の端部である第２端部と、当該第２端部から最も近い前記頂上部である第２頂上部と、の間の部分を第２部分とし、
   前記絶縁層の、前記絶縁層の前記第３下部電極上の端部である第３端部と、当該第３端部から最も近い前記頂上部である第３頂上部と、の間の部分を第３部分としたときに、
   下記式（１）および式（５）を満たす
   ことを特徴とする有機発光装置。
   λ_１＞λ_２＞λ_３・・・式（１）
   （Ｈ１１／Ｗ１１）＜（Ｈ１２／Ｗ１２）＜（Ｈ１３／Ｗ１３）・・・式（５）
   （ただし、式（１）において、λ_１は前記第１副画素から出射される光の最大強度の波長を表し、λ_２は前記第２副画素から出射される光の最大強度の波長を表し、λ_３は前記第３副画素から出射される光の最大強度の波長を表す。また、式（５）において、Ｈ１１は前記第１端部の下端を基準とした前記第１頂上部の高さを表し、Ｈ１２は前記第２端部の下端を基準とした前記第２頂上部の高さを表し、Ｈ１３は前記第３端部の下端を基準とした前記第３頂上部の高さを表す。また、式（５）において、Ｗ１１は前記第１端部と前記第１頂上部との間の前記基板に平行な方向における距離を表し、Ｗ１２は前記第２端部と前記第２頂上部との間の前記基板に平行な方向における距離を表し、Ｗ１３は前記第３端部と前記第３頂上部との間の前記基板に平行な方向における距離を表す。）
3. 基板上に配置された複数の副画素を有し、
   前記複数の副画素は第１副画素、第２副画素、および、第３副画素を含み、
   前記第１副画素、前記第２副画素、および、前記第３副画素は、それぞれ、前記基板側から、下部電極と、前記下部電極の端部を覆う絶縁層と、有機層と、上部電極と、をこの順に有し、
   前記有機層の少なくとも一部は、前記第１副画素の有する第１下部電極の上から前記第２副画素の有する第２下部電極の上までの間、前記第２下部電極の上から前記第３副画素の有する第３下部電極の上までの間、および、前記第３下部電極の上から前記第１下部電極の上までの間、のうちの少なくとも２つにおいて連続して配置されている有機発光装置であって、
   前記絶縁層は、前記第１副画素に隣り合う副画素と前記第１副画素との間、前記第２副画素に隣り合う副画素と前記第２副画素との間、および、前記第３副画素に隣り合う副画素と前記第３副画素との間、のそれぞれに少なくとも１つの頂上部を有し、
   前記絶縁層の、前記絶縁層の前記第１下部電極上の端部である第１端部と、当該第１端部から最も近い前記頂上部である第１頂上部と、の間の部分を第１部分とし、
   前記絶縁層の、前記絶縁層の前記第２下部電極上の端部である第２端部と、当該第２端部から最も近い前記頂上部である第２頂上部と、の間の部分を第２部分とし、
   前記絶縁層の、前記絶縁層の前記第３下部電極上の端部である第３端部と、当該第３端部から最も近い前記頂上部である第３頂上部と、の間の部分を第３部分としたときに、
   前記第１部分、前記第２部分、および、前記第３部分は、それぞれ、少なくとも１つの平坦部を有しており、
   下記式（１）および式（７）を満たす
   ことを特徴とする有機発光装置。
   λ_１＞λ_２＞λ_３・・・式（１）
   （Ｈ２１／Ｗ２１）＜（Ｈ２２／Ｗ２２）＜（Ｈ２３／Ｗ２３）・・・式（７）
   （ただし、式（１）において、λ_１は前記第１副画素から出射される光の最大強度の波長を表し、λ_２は前記第２副画素から出射される光の最大強度の波長を表し、λ_３は前記第３副画素から出射される光の最大強度の波長を表す。また、式（７）において、Ｈ２１は前記第１部分の前記第１頂上部から最も近い前記平坦部である第１平坦部の上面を基準とした前記第１頂上部の高さを表し、Ｈ２２は前記第２部分の前記第２頂上部から最も近い前記平坦部である第２平坦部の上面を基準とした前記第２頂上部の高さを表し、Ｈ２３は前記第３部分の前記第３頂上部から最も近い前記平坦部である第３平坦部の上面を基準とした前記第３頂上部の高さを表す。また、式（７）において、Ｗ２１は前記第１平坦部の前記第１頂上部側の端部と前記第１頂上部との間の前記基板に平行な方向における距離を表し、Ｗ２２は前記第２平坦部の前記第２頂上部側の端部と前記第２頂上部との間の前記基板に平行な方向における距離を表し、Ｗ２３は前記第３平坦部の前記第３頂上部側の端部と前記第３頂上部との間の前記基板に平行な方向における距離を表す。）
4. 前記第１副画素、前記第２副画素、および、前記第３副画素は、それぞれ、前記基板と前記下部電極との間に、前記基板側から、反射層と、光学調整層と、をさらに有し、
   前記第１副画素の有する前記光学調整層の厚さ、前記第２副画素の有する前記光学調整層の厚さ、および前記第３副画素の有する前記光学調整層の厚さは互いに異なる
   ことを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載の有機発光装置。
5. 前記第１副画素から出射される光は赤色の光であり、前記第２副画素から出射される光は緑色の光であり、前記第３副画素から出射される光は青色の光である
   ことを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載の有機発光装置。
6. 前記有機層は発光層を含み、当該発光層は、前記第１副画素の有する第１下部電極の上から前記第２副画素の有する第２下部電極の上までの間、前記第２下部電極の上から前記第３副画素の有する第３下部電極の上までの間、および、前記第３下部電極の上から前記第１下部電極の上までの間、のうちの少なくとも２つにおいて連続して配置されている
   ことを特徴とする請求項１～５のいずれか１項に記載の有機発光装置。
7. 前記第１副画素は前記上部電極の上に第１カラーフィルタを有し、
   前記第２副画素は前記上部電極の上に第２カラーフィルタを有し、
   前記第３副画素は前記上部電極の上に第３カラーフィルタを有する
   ことを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載の有機発光装置。
8. 前記第１副画素、前記第２副画素、および、前記第３副画素のそれぞれは、前記上部電極の上にマイクロレンズをそれぞれ有する
   ことを特徴とする請求項１～７のいずれか１項に記載の有機発光装置。
9. 基板上に配置された複数の副画素を有し、
   前記複数の副画素は、第１副画素および第２副画素を含み、
   前記第１副画素および前記第２副画素は、それぞれ、前記基板側から、反射層と、光学調整層と、下部電極と、前記下部電極の端部を覆う絶縁層と、含む有機層と、上部電極と、をこの順に有し、
   前記有機層の少なくとも一部は、前記第１副画素の有する第１下部電極の上から前記第２副画素の有する第２下部電極の上までの間において連続して配置されている有機発光装置であって、
   前記第１副画素の有する前記光学調整層の厚さと前記第２副画素の有する前記光学調整層は厚さは互いに異なり、
   前記絶縁層は、前記第１副画素に隣り合う副画素と前記第１副画素との間、および、前記第２副画素に隣り合う副画素と前記第２副画素との間、のそれぞれに少なくとも１つの頂上部を有し、
   前記絶縁層の、前記絶縁層の前記第１下部電極上の端部である第１端部と、当該第１端部から最も近い前記頂上部である第１頂上部と、の間の部分を第１部分とし、
   前記絶縁層の、前記絶縁層の前記第２下部電極上の端部である第２端部と、当該第２端部から最も近い前記頂上部である第２頂上部と、の間の部分を第２部分としたときに、
   下記式（３）および式（４）を満たす
   ことを特徴とする有機発光装置。
   λ_１＞λ_２・・・式（３）
   θ_１＜θ_２・・・式（４）
   （ただし、式（３）において、λ_１は前記第１副画素から出射される光の最大強度の波長を表し、λ_２は前記第２副画素から出射される光の最大強度の波長を表す。また、式（４）において、θ_１は前記第１部分の前記基板に対する傾斜角を表し、θ_２は前記第２部分の前記基板に対する傾斜角を表す。）
10. 基板上に配置された複数の副画素を有し、
    前記複数の副画素は、第１副画素および第２副画素を含み、
    前記第１副画素および前記第２副画素は、それぞれ、前記基板側から、反射層と、光学調整層と、下部電極と、前記下部電極の端部を覆う絶縁層と、有機層と、上部電極と、をこの順に有し、
    前記有機層の少なくとも一部は、前記第１副画素の有する第１下部電極の上から前記第２副画素の有する第２下部電極の上までの間において連続して配置されている有機発光装置であって、
    前記第１副画素の有する前記光学調整層の厚さと前記第２副画素の有する前記光学調整層は厚さは互いに異なり、
    前記絶縁層は、前記第１副画素に隣り合う副画素と前記第１副画素との間、および、前記第２副画素に隣り合う副画素と前記第２副画素との間、のそれぞれに少なくとも１つの頂上部を有し、
    前記絶縁層の、前記絶縁層の前記第１下部電極上の端部である第１端部と、当該第１端部から最も近い前記頂上部である第１頂上部と、の間の部分を第１部分とし、
    前記絶縁層の、前記絶縁層の前記第２下部電極上の端部である第２端部と、当該第２端部から最も近い前記頂上部である第２頂上部と、の間の部分を第２部分としたときに、
    下記式（３）および式（６）を満たす
    ことを特徴とする有機発光装置。
    λ_１＞λ_２・・・式（３）
    （Ｈ１１／Ｗ１１）＜（Ｈ１２／Ｗ１２）・・・式（６）
    （ただし、式（３）において、λ_１は前記第１副画素から出射される光の最大強度の波長を表し、λ_２は前記第２副画素から出射される光の最大強度の波長を表す。また、式（６）において、Ｈ１１は前記第１端部の下端を基準とした前記第１頂上部の高さを表し、Ｈ１２は前記第２端部の下端を基準とした前記第２頂上部の高さを表す。また、式（６）において、Ｗ１１は前記第１端部と前記第１頂上部との間の前記基板に平行な方向における距離を表し、Ｗ１２は前記第２端部と前記第２頂上部との間の前記基板に平行な方向における距離を表す。）
11. 基板上に配置された複数の副画素を有し、
    前記複数の副画素は、第１副画素および第２副画素を含み、
    前記第１副画素および前記第２副画素は、それぞれ、前記基板側から、反射層と、光学調整層と、下部電極と、前記下部電極の端部を覆う絶縁層と、有機層と、上部電極と、をこの順に有し、
    前記有機層の少なくとも一部は、前記第１副画素の有する第１下部電極の上から前記第２副画素の有する第２下部電極の上までの間において連続して配置されている有機発光装置であって、
    前記第１副画素の有する前記光学調整層の厚さと前記第２副画素の有する前記光学調整層は厚さは互いに異なり、
    前記絶縁層は、前記第１副画素に隣り合う副画素と前記第１副画素との間、および、前記第２副画素に隣り合う副画素と前記第２副画素との間、のそれぞれに少なくとも１つの頂上部を有し、
    前記絶縁層の、前記絶縁層の前記第１下部電極上の端部である第１端部と、当該第１端部から最も近い前記頂上部である第１頂上部と、の間の部分を第１部分とし、
    前記絶縁層の、前記絶縁層の前記第２下部電極上の端部である第２端部と、当該第２端部から最も近い前記頂上部である第２頂上部と、の間の部分を第２部分としたときに、
    下記式（３）および式（８）を満たす
    ことを特徴とする有機発光装置。
    λ_１＞λ_２・・・式（３）
    （Ｈ２１／Ｗ２１）＜（Ｈ２２／Ｗ２２）・・・式（８）
    （ただし、式（３）において、λ_１は前記第１副画素から出射される光の最大強度の波長を表し、λ_２は前記第２副画素から出射される光の最大強度の波長を表す。また、式（８）において、Ｈ２１は前記第１部分の前記第１頂上部から最も近い平坦部である第１平坦部の上面を基準とした前記第１頂上部の高さを表し、Ｈ２２は前記第２部分の前記第２頂上部から最も近い前記平坦部である第２平坦部の上面を基準とした前記第２頂上部の高さを表す。また、式（８）において、Ｗ２１は前記第１平坦部の前記第１頂上部側の端部と前記第１頂上部との間の前記基板に平行な方向における距離を表し、Ｗ２２は前記第２平坦部の前記第２頂上部側の端部と前記第２頂上部との間の前記基板に平行な方向における距離を表す。）
12. 前記有機層は発光層を含み、当該発光層は、前記第１副画素の有する第１下部電極の上から前記第２副画素の有する第２下部電極の上までの間において連続して配置されている
    ことを特徴とする請求項９～１１のいずれか１項に記載の有機発光装置。
13. 前記第１副画素は前記上部電極の上に第１カラーフィルタを有し、
    前記第２副画素は前記上部電極の上に第２カラーフィルタを有する
    ことを特徴とする請求項９～１２のいずれか１項に記載の有機発光装置。
14. 前記第１副画素および前記第２副画素のそれぞれは、前記上部電極の上にマイクロレンズをそれぞれ有する
    ことを特徴とする請求項９～１３のいずれか１項に記載の有機発光装置。
15. 前記有機層は白色の光を発光する
    ことを特徴とする請求項１～１４のいずれか１項に記載の有機発光装置。
16. 請求項１～１４のいずれか１項に記載の有機発光装置と、
    前記複数の副画素に接続されるトランジスタと、を含む
    ことを特徴とする表示装置。
17. 撮像装置と、
    表示部として請求項１～１４のいずれか１項に記載の有機発光装置と、を備え、
    前記撮像装置から提供されるユーザーの視線情報に基づいて前記表示部の表示画像が制御される表示装置。
18. 複数のレンズを有する光学部と、前記光学部を通過した光を受光する撮像素子と、前記撮像素子が撮像した画像を表示する表示部と、を有し、
    前記表示部は請求項１～１４のいずれか１項に記載の有機発光装置を有する光電変換装置。
19. 請求項１～１４のいずれか１項に記載の有機発光装置を有する表示部と、前記表示部が設けられた筐体と、前記筐体に設けられ、外部と通信する通信部と、を有する電子機器。
20. 請求項１～１４のいずれか１項に記載の有機発光装置を有する光源と、前記光源が発する光を透過する光拡散部または光学フィルムと、を有する照明装置。
21. 請求項１～１４のいずれか１項に記載の有機発光装置を有する灯具と、前記灯具が設けられた機体と、を有する移動体。

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