JP7482900B2 - 表示基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
2 周辺表示領域
3 本体表示領域
4 発光デバイス
4A 陽極
4B 発光層
4C 陰極
5 画素回路
6 透明配線
7 センサ
10 第1表示領域
11 第1発光デバイス
111 第1陽極構造
112 第1発光層
113 第1陰極構造
12、22、32 薄膜トランジスタ
121、221、321 活性層
122、222、322 ゲート
123、223、323 ソース
124、224、324 ドレイン
13、23、33 ストレージキャパシタ
131、231、331 第1キャパシタ極板
132、232、332 第2キャパシタ極板
14 ベース基板
141 第1ゲート絶縁層
142 第2ゲート絶縁層
143 層間絶縁層
144 平坦化層
145 絶縁層
146 画素画定層
147 パッケージ層
148 絶縁層
15 第1接続配線
151 光透過配線材料層
16 金属配線層
161 金属配線材料層
17 酸化防止保護層
171 導電性保護材料層
18 透明支持層
19 センサ
20 第2表示領域
21 第2発光デバイス
211 第2陽極構造
212 第2発光層
213 第2陰極構造
30 第3表示領域
31 第3発光デバイス
Claims (19)
- 表示基板であって、
表示用の第1側と、前記第1側と対向する第2側とを有し、
表示領域であって、前記第1側からの光を少なくとも部分的に前記第2側に透過することを可能にする第1表示領域、及び前記第1表示領域を少なくとも部分的に取り囲む第2表示領域を備える表示領域と、
前記第1表示領域及び前記第2表示領域における少なくとも1つの第1接続配線であって、互いに電気的に接続される、前記第1表示領域に位置する第1部分と前記第2表示領域に位置する第2部分を備え、前記第1部分が第1光透過配線層を備え、前記第2部分が金属配線層を備える少なくとも1つの第1接続配線とを備え、
前記第2部分は前記金属配線層に積層される第2光透過配線層をさらに備え、前記第2光透過配線層は、前記第1光透過配線層と同層に設置され、一体的に接続される、表示基板。 - 前記第1表示領域は、アレイ状に配置される複数の第1サブ画素を備え、各第1サブ画素は第1発光デバイスを備え、前記少なくとも1つの第1接続配線は複数の第1接続配線を備え、
前記第2表示領域は、それぞれ前記複数の第1接続配線を介して前記複数の第1サブ画素の第1発光デバイスに電気的に接続され、前記複数の第1サブ画素の第1発光デバイスを駆動するための複数の第1画素回路を備える、請求項1に記載の表示基板。 - 前記第2部分は前記金属配線層に積層される酸化防止保護層をさらに備え、
前記表示基板はベース基板を備え、前記第2光透過配線層は前記ベース基板上に位置し、前記金属配線層は前記第2光透過配線層の前記ベース基板から離れる側に位置し、前記酸化防止保護層は前記金属配線層の前記ベース基板から離れる側に位置する、請求項1又は2に記載の表示基板。 - 前記金属配線層の材料はAg、Al、Mo又はTiを含み、
前記酸化防止保護層の材料は透明酸化物を含む、請求項3に記載の表示基板。 - 前記第1発光デバイスは、第1陽極構造、第1陰極構造、及び前記第1陽極構造と前記第1陰極構造との間の第1発光層を備え、
前記第1部分はビアを介して前記第1陽極構造に電気的に接続される、請求項2に記載の表示基板。 - 前記第2表示領域は複数の第2サブ画素をさらに備え、各第2サブ画素は、第2発光デバイス、及び前記第2発光デバイスに電気的に接続される第2画素回路を備え、前記第2画素回路は前記第2発光デバイスを駆動するように構成され、
前記第2表示領域において、前記複数の第2画素回路は第1アレイに配置される、請求項2に記載の表示基板。 - 前記第2表示領域において、前記複数の第1画素回路は、前記第1アレイに設置され、前記複数の第2画素回路とともに第2アレイに配置される、請求項6に記載の表示基板。
- 前記第2発光デバイスは、第2陽極構造、第2陰極構造、及び前記第2陽極構造と前記第2陰極構造との間の第2発光層を備え、
前記第2陽極構造はビアを介して前記第2画素回路に電気的に接続される、請求項6又は7に記載の表示基板。 - 前記表示領域は、前記第2表示領域を少なくとも部分的に取り囲む第3表示領域をさらに備え、前記第3表示領域は、アレイ状に配置される複数の第3サブ画素を備え、各第3サブ画素は、第3発光デバイス、及び前記第3発光デバイスに電気的に接続される第3画素回路を備え、前記第3画素回路は前記第3発光デバイスを駆動するように構成され、
前記第3発光デバイスは、第3陽極構造、第3陰極構造、及び前記第3陽極構造と前記第3陰極構造との間の第3発光層を備え、前記第3陽極構造はビアを介して前記第3画素回路に電気的に接続される、請求項1~8のいずれか1項に記載の表示基板。 - 前記表示基板はベース基板を備え、
前記第1表示領域は前記ベース基板上に位置する透明支持層をさらに備え、前記第1発光デバイスは前記透明支持層の前記ベース基板から離れる側に位置する、請求項2に記載の表示基板。 - 前記第1画素回路は、薄膜トランジスタ及びストレージキャパシタを備え、前記薄膜トランジスタは活性層、ゲート及びソース・ドレインを備え、前記ストレージキャパシタは第1キャパシタ極板及び第2キャパシタ極板を備え、
前記活性層は前記ベース基板に設置され、前記活性層の前記ベース基板から離れる側に第1ゲート絶縁層が設置され、
前記ゲートと前記第1キャパシタ極板は、前記第1ゲート絶縁層の前記ベース基板から離れる側に同層に設置され、前記ゲートと前記第1キャパシタ極板の前記ベース基板から離れる側に第2ゲート絶縁層が設置され、
前記第2キャパシタ極板は前記第2ゲート絶縁層の前記ベース基板から離れる側に設置され、前記第2キャパシタ極板の前記ベース基板から離れる側に層間絶縁層が設置され、
前記ソース・ドレインは前記層間絶縁層の前記ベース基板から離れる側に設置され、前記第1ゲート絶縁層、前記第2ゲート絶縁層及び前記層間絶縁層のビアを介して前記活性層に電気的に接続され、前記ソース・ドレインの前記ベース基板から離れる側に平坦化層が設置され、
前記透明支持層は、前記第1ゲート絶縁層、前記第2ゲート絶縁層、前記層間絶縁層及び前記平坦化層のうちの少なくとも1つと同層に設置される、請求項10に記載の表示基板。 - センサをさらに備え、
前記センサは前記表示基板の第2側に設置され、前記センサの前記ベース基板での正投影が前記第1表示領域と少なくとも部分的に重なり、前記第1側からの前記光を受光するように構成される、請求項10に記載の表示基板。 - 表示基板の製造方法であって、
前記表示基板は、表示用の第1側と、前記第1側と対向する第2側とを有し、
前記製造方法は、
表示領域を形成するステップであって、前記表示領域は前記第1側からの光を少なくとも部分的に前記第2側に透過することを可能にする第1表示領域、及び前記第1表示領域を少なくとも部分的に取り囲む第2表示領域を備えるステップと、
少なくとも1つの第1接続配線を前記第1表示領域及び前記第2表示領域内に形成するステップであって、前記第1接続配線は互いに電気的に接続される、前記第1表示領域に位置する第1部分と前記第2表示領域に位置する第2部分を備え、前記第1部分が第1光透過配線層を備え、前記第2部分が金属配線層を備えるステップと、を含み、
前記第1接続配線の第2部分を形成するステップは、
前記金属配線層に積層される第2光透過配線層を形成するステップをさらに含み、
前記第2光透過配線層は、前記第1光透過配線層と同層に形成され、一体的に接続される、表示基板の製造方法。 - 前記表示領域を形成するステップは、
それぞれ第1発光デバイスを備え、アレイ状に配置される複数の第1サブ画素を前記第1表示領域内に形成するステップと、
複数の第1画素回路を前記第2表示領域内に形成するステップと、をさらに含み、
前記少なくとも1つの第1接続配線は複数の第1接続配線を備え、前記複数の第1画素回路は、それぞれ前記複数の第1接続配線を介して前記複数の第1サブ画素の第1発光デバイスに電気的に接続され、前記複数の第1サブ画素の第1発光デバイスを駆動することに用いられる、請求項13に記載の表示基板の製造方法。 - ベース基板を用意するステップをさらに含み、
第1接続配線の第2部分を形成するステップは、
前記金属配線層に積層される酸化防止保護層を形成するステップをさらに含み、
前記第2光透過配線層は前記ベース基板に形成され、前記金属配線層は前記第2光透過配線層の前記ベース基板から離れる側に形成され、前記酸化防止保護層は前記金属配線層の前記ベース基板から離れる側に形成される、請求項14に記載の表示基板の製造方法。 - 前記第1接続配線を形成するステップは、
光透過配線材料層、金属配線材料層及び導電性保護材料層を、マスクを介して前記第1表示領域及び前記第2表示領域に順次堆積させるステップと、
ドライエッチング法により、前記第1表示領域に位置する金属配線材料層及び導電性保護材料層をエッチング除去するステップと、を含む、請求項15に記載の表示基板の製造方法。 - 前記第1接続配線を形成するステップは、
光透過配線材料層、金属配線材料層及び導電性保護材料層を、マスクを介して前記第1表示領域及び前記第2表示領域に順次堆積させるステップと、
ウェットエッチング法により、前記第1表示領域に位置する金属配線材料層及び導電性保護材料層をエッチング除去するステップと、
光透過配線材料層を、前記マスクを介して前記第1表示領域及び前記第2表示領域に再度堆積させるステップと、を含む、請求項15に記載の表示基板の製造方法。 - 前記第1画素回路の形成は、薄膜トランジスタ及びストレージキャパシタの形成を含み、前記薄膜トランジスタは活性層、ゲート及びソース・ドレインを備え、前記ストレージキャパシタは第1キャパシタ極板及び第2キャパシタ極板を備え、
前記活性層は前記ベース基板に形成され、前記活性層の前記ベース基板から離れる側に第1ゲート絶縁層が形成され、
前記ゲートと前記第1キャパシタ極板は、前記第1ゲート絶縁層の前記ベース基板から離れる側に同層に形成され、前記ゲートと前記第1キャパシタ極板の前記ベース基板から離れる側に第2ゲート絶縁層が形成され、
前記第2キャパシタ極板は前記第2ゲート絶縁層の前記ベース基板から離れる側に形成され、前記第2キャパシタ極板の前記ベース基板から離れる側に層間絶縁層が形成され、
前記ソース・ドレインは前記層間絶縁層の前記ベース基板から離れる側に形成され、前記第1ゲート絶縁層、前記第2ゲート絶縁層及び前記層間絶縁層のビアを介して前記活性層に電気的に接続され、前記ソース・ドレインの前記ベース基板から離れる側に平坦化層が形成され、
前記第1表示領域を形成するステップは、
前記ベース基板と前記第1発光デバイスとの間に透明支持層を形成するステップをさらに含み、
前記透明支持層は、前記第1ゲート絶縁層、前記第2ゲート絶縁層、前記層間絶縁層及び前記平坦化層のうちの少なくとも1つと同層に形成される、請求項15に記載の表示基板の製造方法。 - センサを用意し、前記センサを前記表示基板の第2側に結合するステップをさらに含み、
前記センサの前記ベース基板での正投影が前記第1表示領域と少なくとも部分的に重なり、前記第1側からの前記光を受光するように構成される、請求項15に記載の表示基板の製造方法。
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