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JP7393617B2 - 発光装置、及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、発光装置、及びその製造方法に関する。
発光素子を収納するハウジングを設ける代わりに、反射材を含む封止部材で発光素子の側面及び下面を覆い、さらに、発光素子のバンプ電極の下面と封止部材の下面に接するメッキ電極が備えられた小型の発光装置が知られている（例えば特許文献１）。
また、一対の電極と被覆部材とを連続して覆う金属層を形成して、レーザ光を照射して金属層の一部を除去する発光装置の製造方法が知られている（例えば特許文献２）。
また、複数の配線を有し、配線の幅が異なるＬＥＤモジュールが知られている（例えば、特許文献３及び４）。
さらに、給電部から距離が異なる同一形状の複数の実装面側配線パターンを備え、複数の組の配線抵抗が同じである発光装置が知られている（例えば特許文献５）。
特開２０１２－１２４４４３号公報 特開２０１７－１１８０９８号公報 米国特許出願公開第２０１３／００９９６６６号明細書 特開２０１１－１２９６４６号公報 特開２０１６－０５４２６７号公報
特許文献１において、メッキ電極は、マスクを設けるなどの手間が必要であり、そのための工程が多い。特許文献２において、導電性を有するように金属層の厚みを厚くすることが好ましいが、レーザ光を照射して金属層の一部を除去しなければならないため、金属層の厚みを厚くすることができず、金属層形成の制御が難しい。
そこで、小型の発光装置でありながら、色ムラの少ない発光装置、その製造方法を提供する。
本発明の１の実施形態に係る発光装置は、基台と、前記基台に配置される第１外部端子と、前記基台に配置される第２外部端子と、前記基台に配置され、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを電気的に接続する複数の配線と、前記配線と電気的に接続する複数の発光素子と、を備え、前記複数の発光素子は、抵抗値が揃っており、前記配線は、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が最も短い第１配線と、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が前記第１配線よりも長い第２配線と、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が前記第２配線よりも長い第３配線と、を少なくとも含み、前記第１配線、及び、前記第２配線、前記第３配線のうち少なくとも２つの配線において、それぞれに少なくとも２以上の前記発光素子が配置され、同一配線上の２つの前記発光素子間における配線の平均の幅は、前記２つの前記発光素子間以外の前記発光素子が配置されていない領域における配線の平均の幅よりも細く、前記第１配線と、前記第２配線と、前記第３配線と、の電気抵抗値がほぼ等しい。
また、本発明の他の実施形態に係る発光装置は、基台と、前記基台に配置される第１外部端子と、前記基台に配置される第２外部端子と、前記基台に配置され、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを電気的に接続する複数の配線と、前記配線と電気的に接続する複数の発光素子と、を備え、前記複数の発光素子は、抵抗値が揃っており、前記配線は、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が最も短い第１配線と、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が前記第１配線よりも長い第２配線と、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が前記第２配線よりも長い第３配線と、を少なくとも含み、前記第１配線、及び、前記第２配線、前記第３配線のうち少なくとも２つの配線において、それぞれに少なくとも２以上の前記発光素子が配置され、同一配線上の２つの前記発光素子間の幅は、同じ長さであって前記２つの前記発光素子間の幅以外の前記発光素子が配置されていない領域の幅よりも細く、平面視において、前記第１配線の面積よりも前記第２配線の面積の方が大きく、前記第２配線の面積よりも前記第３配線の面積の方が大きく、前記第１配線の幅よりも前記第２配線の幅の方が大きく、前記第２配線の幅よりも前記第３配線の幅の方が大きい。
また、本発明の他の実施形態に係る発光装置は、基台と、前記基台に配置される第１外部端子と、前記基台に配置される第２外部端子と、前記基台に配置され、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを電気的に接続する複数の配線と、前記配線と電気的に接続する複数の発光素子と、を備え、前記複数の発光素子は、抵抗値が揃っており、前記配線は、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が最も短い第１配線と、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が前記第１配線よりも長い第２配線と、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が前記第２配線よりも長い第３配線と、を少なくとも含み、断面視において、前記第１配線の厚みよりも前記第２配線の厚みの方が厚く、前記第２配線の厚みよりも前記第３配線の厚みの方が厚い。
また、本発明の他の実施形態に係る発光装置の製造方法は、第１面側に一対の電極を備えた発光素子と、前記一対の電極の表面の一部が露出するように前記発光素子を覆う第１被覆部材と、を備えた中間体を準備する工程と、第２被覆部材で覆われ、前記第２被覆部材から一部露出された導光板に前記中間体を配置する工程若しくは導光板に前記中間体を配置した後、第２被覆部材で覆う工程と、前記露出された前記一対の電極と前記第１被覆部材と前記第２被覆部材とを連続して覆う金属ペースト層を形成する工程と、前記一対の電極上の前記金属ペースト層及び前記第１被覆部材上の前記金属ペースト層にレーザ光を照射して、前記一対の電極間の前記金属ペースト層及び前記第１被覆部材上の前記金属ペースト層の一部を除去し、前記一対の電極が短絡しないように一対の配線を形成する工程と、を含み、前記中間体を準備する工程において、前記複数の発光素子は、抵抗値が揃っており、前記金属ペースト層を形成する工程は、第１外部端子と、第２外部端子と、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを電気的に接続する複数の配線と、を備え、前記配線は前記発光素子の前記一対の電極と電気的に接続され、前記配線は、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が最も短い第１配線と、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が前記第１配線よりも長い第２配線と、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が前記第２配線よりも長い第３配線と、を少なくとも含み、平面視において、前記第１配線の面積よりも前記第２配線の面積の方が大きく、前記第２配線の面積よりも前記第３配線の面積の方が大きく、前記第１配線の幅よりも前記第２配線の幅の方が大きく、前記第２配線の幅よりも前記第３配線の幅の方が大きくなるように形成される。
さらに、本発明の他の実施形態に係る発光装置の製造方法は、第１面側に一対の電極を備えた発光素子と、前記一対の電極の表面の一部が露出するように前記発光素子を覆う第１被覆部材と、を備えた中間体を準備する工程と、第２被覆部材で覆われ、前記第２被覆部材から一部露出された導光板に前記中間体を配置する工程若しくは導光板に前記中間体を配置した後、第２被覆部材で覆う工程と、前記露出された前記一対の電極と前記第１被覆部材と前記第２被覆部材とを連続して覆う金属ペースト層を形成する工程と、前記一対の電極上の前記金属ペースト層及び前記第１被覆部材上の前記金属ペースト層にレーザ光を照射して、前記一対の電極間の前記金属ペースト層及び前記第１被覆部材上の前記金属ペースト層の一部を除去し、前記一対の電極が短絡しないように一対の配線を形成する工程と、を含み、前記中間体を準備する工程において、前記複数の発光素子は、抵抗値が揃っており、前記金属ペースト層を形成する工程は、第１外部端子と、第２外部端子と、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを電気的に接続する複数の配線と、を備え、前記配線は前記発光素子の前記一対の電極と電気的に接続され、前記配線は、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が最も短い第１配線と、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が前記第１配線よりも長い第２配線と、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が前記第２配線よりも長い第３配線と、を少なくとも含み、断面視において、前記第１配線の厚みよりも前記第２配線の厚みの方が厚く、前記第２配線の厚みよりも前記第３配線の厚みの方が厚くなるように形成される。
以上により、小型の発光装置でありながら、色ムラの少ない発光装置及びその製造方法を提供することができる。
第１実施形態に係る発光装置の概略平面図である。 第１実施形態に係るパッケージの上斜方からの概略斜視図である。 第１実施形態に係るパッケージの概略底面図である。 第１実施形態に係るパッケージの概略断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する概略底面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する概略底面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する概略底面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する概略底面図である。 第２実施形態に係る発光装置の導光板側からの概略斜視図である。 第２実施形態に係る発光装置の概略断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の概略平面図である。 第３実施形態に係る発光装置の概略平面図である。 第４実施形態に係る発光装置の概略平面図である。 第５実施形態に係る発光装置の概略平面図である。 第５実施形態に係るマスクの概略平面図である。 第６実施形態に係る発光装置の概略平面図である。
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、「右」、「左」および、それらの用語を含む別の用語）を用いる。それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が限定されるものではない。また、複数の図面に表れる同一符号の部分は同一の部分又は部材を示す。また、第１透光性部材、第２透光性部材、被覆部材等の樹脂部材については、成形、固化、硬化、個片化の前後を問わず、同じ名称を用いて説明する。すなわち、成形前は液状であり、成形後に固体となり、更に、成形後の固体を分割して形状を変化させた固体となる場合など、工程の段階によって状態が変化する部材について、同じ名称で説明する。発光装置は、Ｘ軸と、Ｘ軸に直交するＹ軸、及びＸ軸とＹ軸の両方に直交するＺ軸と、を用いて説明する。ここでは第１外部端子２３と第２外部端子２４とを結ぶ直線方向をＸ軸方向とする。また、平面視とは、Ｘ軸とＹ軸が交差している平面を指す。
第１実施形態に係る発光装置について図面を用いて説明する。図１は、第１実施形態に係る発光装置の概略平面図である。
発光装置１００は、少なくとも基台９０と、基台９０に配置される第１外部端子２３と、基台９０に配置される第２外部端子２４と、基台９０に配置され、第１外部端子２３と第２外部端子２４とを電気的に接続する複数の配線２０と、配線２０と電気的に接続する複数の発光素子１と、を備える。配線２０は、第１外部端子２３と第２外部端子２４とを繋ぐ距離が最も短い第１配線２０ａと、第１外部端子２３と第２外部端子２４とを繋ぐ距離が第１配線２０ａよりも長い第２配線２０ｂと、第１外部端子２３と第２外部端子２４とを繋ぐ距離が第２配線２０ｂよりも長い第３配線２０ｃと、を少なくとも含む。第１配線２０ａ、及び、第２配線２０ｂ、第３配線２０ｃのうち少なくとも２つの配線において、それぞれに少なくとも２以上の発光素子１が配置される。
同一配線上の２つの発光素子間２８における配線の平均の幅は、２つの発光素子間以外の発光素子が配置されていない領域２９における配線の平均の幅よりも細い。ここでは同一配線において配線が異なる幅を有しており、その幅同士を比較したものである。対象は２つの発光素子間２８の配線部分と、残りの配線部分と、を比較しており、それぞれの平均値で比較する。ただし、比較する配線の幅については、共通する配線部分を除く。また、「幅」とは、第１外部端子２３と第２外部端子２４とを繋ぐ長手方向に対して、垂直となる短手方向の最短距離を指す。
第１配線２０ａと、第２配線２０ｂと、第３配線２０ｃと、の電気抵抗値がほぼ等しい。「電気抵抗値がほぼ等しい」とは、それぞれの配線の抵抗値の差が１Ω以下であることが好ましく、０．３Ω以下が更に好ましい。
このような構成を採ることにより小型の発光装置でありながら、色ムラの少ない発光装置を提供することができる。つまり複数の発光素子の抵抗値を揃えることにより各発光素子どうしの発光輝度のバラツキを低減することができる。
配線２０の長さは、第１外部端子２３と第２外部端子２４との繋ぐ距離を言い、第１配線２０ａ、第２配線２０ｂ、第３配線２０ｃのそれぞれにおいて共通する配線部分を有していてもよい。ただし、比較する配線の幅については、共通する配線部分を除く。配線２０の数は特に限定されない。ここでは配線２０に第４配線２０ｄも含まれる。
第１実施形態の発光装置は、平面視において、第１配線２０ａの面積よりも第２配線２０ｂの面積の方が大きく、第２配線２０ｂの面積よりも第３配線２０ｃの面積の方が大きく、第１配線２０ａの幅よりも第２配線２０ｂの幅の方が大きく、第２配線２０ｂの幅よりも第３配線２０ｃの幅の方が大きい。このような構成を採ることにより小型の発光装置でありながら、色ムラの少ない発光装置を提供することができる。つまり複数の発光素子の抵抗値を揃えることにより各発光素子どうしの発光輝度のバラツキを低減することができる。特に発光素子が配置されている領域の配線の幅を細くし、発光素子が配置されていない領域の配線の幅を太くすることで、配線の抵抗を同じにしつつ、製造しやすい発光装置を提供することができる。
第１配線２０ａは２つの発光素子１を配置しており、発光装置の第１外部端子２３側の半分又は第２外部端子２４側の半分に配置されている。第２配線２０ｂ、第３配線２０ｃ、第４配線２０ｄも同様である。第１配線２０ａの２つの発光素子１と、第２配線２０ｂの２つの発光素子１と、はＸ軸方向に一直線上になるように配置されている。同様に、第３配線２０ｃの２つの発光素子１と、第４配線２０ｄの２つの発光素子１と、はＸ軸方向に一直線になるように配置されている。また、発光素子はＹ軸方向にも一直線になるように配置されている。そして、１つの発光装置、若しくは、１つのセグメントにおいて、１６個の発光素子が使用される。
第１配線２０ａの厚み、及び、第２配線２０ｂの厚み、第３配線２０ｃの厚みは、同じ厚みであることが好ましい。同じ厚みとは厚み方向において９０％～１１０％以内の範囲内の厚みであることをいう。基台９０に凹凸がある場合や配線の製造工程における製造バラツキがある場合など、配線の厚みも若干変わってくるためである。
第１配線２０ａ、及び、第２配線２０ｂ、第３配線２０ｃにおいて、発光素子１が配置される第１領域２６の厚みより、発光素子１が配置されていない第２領域２７の方の厚みの方が厚いことが好ましい。これにより発光素子１が配置されていない第２領域２７の方の厚みの方の電気抵抗を下げることができ、電気導電性を高めることができる。また、発光素子１が配置されている第１領域２６の厚みを薄くすることで、配線２０を形成する際に低出力、又は、短時間で導電ペースト層の一部をレーザ光で除去することができる。ここで発光素子１が配置される第１領域２７は、発光素子１と第１透光性部材３等で形成されるパッケージ１０が配置される直下のみを指すものでなく、接着剤等を配置する部分も含める。
第１配線２０ａ、及び、第２配線２０ｂ、第３配線２０ｃにおいて、発光素子１が配置される第１領域２６の幅より、発光素子１が配置されていない第２領域２７の方の幅の方が太いことが好ましい。これにより発光素子１が配置されていない第２領域２７の方の幅の太い方の電気抵抗を下げることができ、電気導電性を高めることができる。また、発光素子１が配置されている第１領域２６の幅を細くすることで、配線２０を形成する際に低出力、又は、短時間で導電ペースト層の一部をレーザ光で除去することができる。
第１外部端子２３と、第２外部端子２４と、はＸ軸方向に配置され、第１配線２０ａ、及び、第２配線２０ｂ、第３配線２０ｃの少なくとも２つは、Ｘ軸方向と直交するＹ軸方向にそれぞれ延びる共通部分を有していることが好ましい。このように共通する配線部分を有することで電気抵抗を下げることができるとともに、断線のおそれを低減することができる。
発光装置は、少なくとも第１領域２６を覆う絶縁部材６０が形成されていることが好ましい。これにより短絡や誤作動を防止することができる。
絶縁部材６０は、着色されていることが好ましい。絶縁部材６０は透明、半透明、不透明のいずれであっても良いが、配線２０の接続状態を確認するため、測定器の波長領域又は目視において透明又は半透明が好ましい。測定器は分光光度計を用いることが好ましく、例えば、分光光度計はピーク波長が４８０ｎｍの青色光や、５２０ｎｍの緑色光、６００ｎｍの赤色光等を用いることが好ましいが、この波長に限定されない。また、絶縁部材６０は無色透明であってもよいが、第１被覆部材２等に絶縁部材６０が配置されていることを確認したり、絶縁部材６０を通して配線２０の接続状態を確認したりすることができる程度に着色されていることが特に好ましい。例えば、絶縁部材６０に青色や緑色、赤色等の着色材や色素、顔料、染料が含有されていることが好ましい。絶縁部材６０の光透過率は例えば２０％以上９５％以下とすることができ、３０％以上８０％以下が好ましい。絶縁部材６０の光透過率は透過率測定器を使う。絶縁部材６０は膜状であることが好ましく、絶縁部材６０の厚みは０．５μｍ乃至１００μｍが好ましい。絶縁部材６０の大きさはパッケージ１０の最大径の０．５乃至３倍の最大径を持つ円形、楕円形、矩形等であることが好ましい。
第１実施形態に係るパッケージ１０を図２Ａ～図２Ｃに示す。図２Ａは、第１実施形態に係るパッケージの上斜方からの概略斜視図である。図２Ｂは、第１実施形態に係るパッケージの概略底面図である。図２Ｃは、第１実施形態に係るパッケージの概略断面図であり、図２ＡのＩＩＣ－ＩＩＣでの断面である。中間体の一例としてパッケージ１０を用いて説明するが、発光素子１と第１被覆部材２とを備えていればよく、又は、発光素子１のみでもよく、種々の形態を採ることができる。
パッケージ１０は、発光素子１と、第１被覆部材２と、第１透光性部材３と、第２透光性部材４と、一対の電極５と、を備える。パッケージ１０は直方体であるが任意の形状にしてもよい。平面視において発光素子１は矩形であるが、三角形、五角形、六角形等多角形でもよい。発光素子１は例えば基板上に第１半導体層と活性層と第２半導体層とを備え、活性層及び第２半導体層の一部が除去されている。発光素子１は第１面と、第１面と反対の第２面と、を有し、第１面側に一対の電極５を有する。第１面側とは、発光素子１に直接電極が形成されている場合だけでなく、半導体層や金属など他の部材を介して間接的に電極が形成されている場合を含む意図である。一対の電極５は、極性の異なる第１電極５ａと第２電極５ｂとを有する。第１半導体層に第１電極５ａが電気的に接続され、第２半導体層に第２電極５ｂが電気的に接続されている。発光素子１の第２面側に第１透光性部材３が配置されている。平面視において第１透光性部材３の大きさは発光素子１の第２面よりも大きいか同じ大きさ、若しくは小さくてもよい。第１透光性部材３の大きさが発光素子１の第２面と同じ大きさまたは第２面よりも大きい場合、発光素子１の側面には第２透光性部材４を配置してもよい。平面視において第１透光性部材３は矩形であるが、三角形、五角形、六角形等多角形でもよい。第２透光性部材４は発光素子１と第１透光性部材３とを接着させる役割を果たすものが好ましい。第１被覆部材２は、一対の電極５の表面が露出するように発光素子１の第１面及び側面、第１透光性部材３、第２透光性部材４を覆うように設けられる。第１被覆部材２は、１回の工程で形成することもできるが、２回以上の複数の工程で形成することができる。２回以上の工程で第１被覆部材２を形成する場合は、複数の層にしてもよく、界面なく１層とすることもできる。
上記のパッケージ又は発光素子のみを用いて、以下の工程により発光装置を形成することができる。図３Ａ乃至図３Ｅは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。パッケージは２個を例示として示すが、これに限定されず複数個使用することができる。図４Ａ乃至図４Ｄは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する概略底面図である。図５は、第１実施形態に係る発光装置の概略平面図である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法は、第１面側に一対の電極５を備えた発光素子１と、一対の電極５の表面の一部が露出するように発光素子１を覆う第１被覆部材２と、を備えた中間体を準備する工程と、第２被覆部材５０で覆われ、第２被覆部材５０から一部露出された導光板３０に中間体を配置する工程若しくは導光板３０に中間体を配置した後、第２被覆部材５０で覆う工程と、露出された一対の電極５と第１被覆部材２と第２被覆部材５０とを連続して覆う金属ペースト層２５を形成する工程と、一対の電極５上の金属ペースト層２５及び第１被覆部材２上の金属ペースト層２５にレーザ光を照射して、一対の電極５間の金属ペースト層２５及び第１被覆部材２上の金属ペースト層２５の一部を除去し、一対の電極５が短絡しないように一対の配線２０を形成する工程と、を含む。
金属ペースト層２５を形成する工程は、第１外部端子２３と、第２外部端子２４と、第１外部端子２３と第２外部端子２４とを電気的に接続する複数の配線２０と、を備え、配線２０は発光素子１の一対の電極５と電気的に接続され、配線２０は、第１外部端子２３と第２外部端子２４とを繋ぐ距離が最も短い第１配線２０ａと、第１外部端子２３と第２外部端子２４とを繋ぐ距離が第１配線２０ａよりも長い第２配線２０ｂと、第１外部端子２３と第２外部端子２４とを繋ぐ距離が第２配線２０ｂよりも長い第３配線２０ｃと、を少なくとも含む。平面視において、第１配線２０ａの面積よりも第２配線２０ｂの面積の方が大きく、第２配線２０ｂの面積よりも第３配線２０ｃの面積の方が大きく、第１配線２０ａの幅よりも第２配線２０ｂの幅の方が大きく、第２配線２０ｂの幅よりも第３配線２０ｃの幅の方が大きくなるように形成される。これにより小型の発光装置でありながら、色ムラの少ない発光装置の製造方法を提供することができる。
金属ペースト層２５にレーザ光を照射することで、レーザアブレーションを生じさせ、中間体上の金属ペースト層の一部を除去する。これにより金属ペースト層がパターニングされることになり、金属ペースト層２５を配線２０、若しくは第１外部端子２３、第２外部端子２４とすることができる。レーザアブレーションとは、固体の表面に照射されるレーザ光の照射強度がある大きさ（閾値）以上になると、固体の表面が除去される現象である。レーザアブレーションを利用することで、マスクなどを用いることがなく、金属ペースト層のパターニングをすることができる。
例えば、従来において、配線を形成するのに金属層を用いる場合、金属層を形成するのに、スパッタや蒸着など作業工程が複雑で高度な設備が必要でありコストがかかる。また金属層が薄膜であると断線が生じやすいため、金属層を厚くすることが求められる。一方で短絡しないように金属層にレーザ光を照射してレーザアブレーションを生じさせ、異種電極を形成する場合、金属層が厚いとレーザ出力を高くしなければならなかったり、金属層の溶け出しや除去に手間がかかったりと作業効率の改善が求められる。
それに対し、第１実施形態における金属ペースト層を用いることにより簡易かつ高精度に配線を形成することができる。また、金属ペースト層は複数の金属粉に樹脂を含むものであるため、金属ペースト層にレーザ光を照射することにより樹脂が飛びやすく、レーザ出力を大幅に抑えることができる。また、レーザ照射時間も大幅に短縮することができ、作業効率の大幅な改善を行うことができる。また、レーザアブレーションによる作業効率の大幅な改善を行えるため、金属ペースト層を厚くすることができ、断線を生じにくくすることができる。さらに、レーザアブレーションを用いて金属ペースト層の一部を除去することにより線幅の細い溝を形成することができ、より小型の発光装置を信頼性高く実現することができる。
導光板上に複数のパッケージを配置するが、その個数は特に問わない。例えば、導光板上に多数のパッケージを配置した後、４行４列の合計１６個のパッケージで１セグメントとなるように個片化する。この１セグメントを電気的に接続することで拡張可能な大型のディスプレイとすることができる。ここでは１セグメントを発光装置と表現することもある。
以下、各工程について詳述する。
（中間体を準備する工程）
第１面側に一対の電極５を備えた発光素子１と、一対の電極５の表面の一部が露出するように発光素子１を覆う第１被覆部材２と、を備えた中間体を準備する。
導光板３０上にパッケージ１０を載置する。パッケージ１０は接着性を持つ第３透光性部材４０を介して導光板３０上に配置することが好ましい。パッケージ１０の第１透光性部材３と導光板３０とが接触するように配置することが好ましい。第３透光性部材４０は第１透光性部材３の側面と第１被覆部材２の側面とを覆うことが好ましい。これにより発光素子１から出射された光を側方に拡げることができるからである。導光板３０上に配置されるパッケージ１０は複数であり、縦方向及び横方向と規則的に配列された状態で配置されることが好ましい。導光板３０上に配置されたパッケージ１０の側方を第２被覆部材５０で覆っていることが好ましい。基台９０は導光板３０と第２被覆部材５０とを合わせたものを指す。第２被覆部材５０の厚みはパッケージ１０の厚みより薄いことが好ましいが、同じ又は厚くしてもよい。金属ペースト層２５または配線２０の形成を容易にするためである。一対の電極５はＡｇまたはＣｕを含むことが好ましい。導電性が良いためである。
導光板３０は平板を用いてもよく、平板の一部にパッケージ１０を配置する凹部を設けてもよい。凹部は平面視において矩形であり、パッケージ１０と相似形とすることが好ましいが、三角形、五角形、六角形等多角形としてもよい。凹部の深さはパッケージ１０の高さと同じでもよく、浅くてもよい。凹部の深さをパッケージ１０の高さよりも浅くすることで、断面視においてパッケージ１０が導光板３０よりも一部突出し、パッケージ１０の側面を第２被覆部材５０で覆ってもよい。
隣り合う発光素子１間の距離は、目的とする発光装置１００の大きさ、発光素子１の大きさ等によって適宜選択することができる。ただし、後工程において被覆部材を切断して個片化するため、その切断部分の幅（切断刃の幅）等をも考慮して配置する。
発光素子１の第１面上、かつ、一対の電極５間に第１被覆部材２が配置されている。この一対の電極５の間隔は、１０μｍ以上であることが好ましく、２０μｍ以上であることが特に好ましい。また、この一対の電極５の間隔は、１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下が特に好ましい。これにより後述するレーザ光の照射により一対の配線を形成しやすくすることができ、小型のパッケージ１０を使用することができる。レーザ光のパルス幅に応じて電極５間を設定することが好ましく、短絡を生じない幅であれば狭い方が好ましい。
（中間体を配置する工程）
第２被覆部材５０で覆われ、第２被覆部材５０から一部露出された導光板３０に中間体を配置する、若しくは、導光板３０に中間体を配置した後、第２被覆部材５０で覆う。
第２被覆部材５０で覆われ、第２被覆部材５０から一部露出された導光板３０に中間体を配置する方法では、第２被覆部材５０を予め用意しておくことができるため、第２被覆部材５０の形成が容易である。第２被覆部材５０に樹脂を使用する場合、樹脂の硬化時に導光板３０が反ることがあるが、導光板３０の一部を押さえるなどして反りを対策することもできる。
一方、導光板３０に中間体を配置した後、第２被覆部材５０で導光板３０の一部を覆う。これにより中間体の側面や上面に第２被覆部材５０を配置することができ、第２被覆部材５０側からの光の漏れを低減することができる。
（金属ペースト層を形成する工程）
露出された一対の電極５と第１被覆部材２と第２被覆部材５０とを連続して覆う金属ペースト層２５を形成する。
導光板３０上に複数のパッケージ１０が配置され、それぞれパッケージ１０は第３透光性部材４０を介して配置され、パッケージ１０の側方に第２被覆部材５０が配置されている。一対の電極５、第１被覆部材２及び第２被覆部材５０を連続するように金属ペースト層２５を配置する。金属ペースト層２５を形成する工程は、印刷、又は、噴霧のいずれかの方法で形成することが好ましい。印刷は、グラビア印刷、凸版印刷、平板印刷、スクリーン印刷などのいずれかの方法を用いることができ、スクリーン印刷が好ましい。噴霧は、インクジェット、エアーディスペンス、ジェットディスペンスのいずれかの方法を用いることができる。これによりスパッタや蒸着のような高度な設備を必要とすることなく、簡易に金属ペースト層２５、さらには、配線２０を形成することができる。金属ペースト層２５の厚みは、１μｍ以上に形成することが好ましく、３μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、５μｍ以上２０μｍ以下が特に好ましい。所定の厚み以上にすることで導通を確保し、信頼性を向上させることができる。また、金属ペースト層２５を所定の厚みにすることで電気抵抗を低くすることができる。このように金属ペースト層２５を所定の厚みにした場合でも、レーザアブレーションを利用することで配線２０の形成を容易に行うことができる。金属ペースト層２５の幅は導通を取れればよく、例えば２００μｍ以上１０００μｍ以下が好ましく、特に４００μｍ以上７００μｍ以下が特に好ましい。
中間体を準備する工程において、発光素子１を複数使用し、金属ペースト層２５を形成する工程において、複数の発光素子１をそれぞれ連続して覆い、後述の配線２０を形成する工程において、複数の発光素子１が電気的に接続されることが好ましい。これにより複数の発光素子１を簡易に配線することができる。
ここで使用する金属ペースト層２５は、複数の金属粉中に樹脂が含有されていることが好ましく、さらに有機溶剤が含有されていてもよい。金属粉の大きさは０．０１μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、０．１μｍ以上５μｍが特に好ましい。また、金属粉の形状は概球形状がレーザ加工の観点から好ましい。金属ペースト層２５に使用する金属粉の大きさを制御することにより導電性を向上させることができる。また、金属ペースト層２５を印刷する場合に粘度を調整することができる。金属ペースト層２５を硬化前に必要に応じて仮乾燥することも可能である。
金属粉は、銀粉、銅粉、又は、金属膜で覆われた銀粉若しくは銅粉の少なくともいずれかを含むことが好ましい。これにより導電性を高めることができる。
金属ペースト層２５は、金属粉の濃度が６０重量％以上９５重量％以下であることが好ましい。金属粉の濃度を高くすることで導電性を高くするとともに電気抵抗を低く抑えることができる。また、樹脂の割合を所定の範囲にすることで、印刷等しやすくすることができる。
（一対の配線を形成する工程）
一対の電極５上の金属ペースト層２５及び第１被覆部材２上の金属ペースト層２５にレーザ光を照射して、一対の電極５間の金属ペースト層２５及び第１被覆部材２上の金属ペースト層２５の一部を除去し、一対の電極５が短絡しないように一対の配線２０を形成する。配線２０は金属ペースト層２５の一部を切断することによって形成されるものであり、金属ペースト層２５と異なる材料を用いるものでない。また、レーザ光を照射して金属ペースト層２５の一部を除去することで、１つの発光素子１の一対の電極５間で金属ペースト層２５は分断された状態となり、一対の配線２０となるが、隣接する複数の発光素子１の電極を被覆している金属ペースト層２５と連続している状態である。つまり、一方の発光素子１の電極５間の金属ペースト層２５を分断し、他方の発光素子１の電極５間の金属ペースト層２５が残ったままでは、配線としては機能しない。
金属ペースト層２５を印刷若しくは噴霧等を行い、金属ペースト層２５に含まれる樹脂を硬化する。硬化は加熱またはレーザ照射等の硬化方法を使用することができる。硬化した金属ペースト層２５にレーザ光を照射する。レーザ光はパルス照射することが好ましく、１パスの大きさは適宜調整する。またパルス照射の回数も１回乃至１０回以内が好ましく、２回乃至５回以内が特に好ましい。金属ペースト層２５を厚くすることにより導電性を高くしたり電気抵抗を低くしたりすることができる一方、第１電極５ａ、第２電極５ｂが短絡しないよう金属ペースト層２５を切断するため、パルス照射の回数が増えることになる。パルス照射の回数が増えることにより一対の配線２０を形成する工程時間が長くなるため、パルス照射の回数は少ない方が好ましい。よって、パルス照射の回数を２回乃至５回以内とすることが好ましい。また、同一箇所を複数回連続してパルス照射を行ってもよいが、蓄熱するため、レーザを動かして、同一箇所に連続して照射されないよう所定の時間経過後にパルス照射するようにしてもよい。レーザを用いることにより微細加工ができるとともに、切断箇所の位置精度を高く保持することができる。レーザ光の強度、照射スポットの径及び照射スポットの移動速度は、第１被覆部材２や金属ペースト層２５の熱伝導率及びそれらの熱伝導率差等を考慮して、第１被覆部材２上の金属ペースト層２５にレーザアブレーションが生じるように、設定することができる。
レーザ光の波長は、赤外領域（例えば１０６４ｎｍ付近）、赤色領域（例えば６４０ｎｍ付近）のレーザや、緑色領域（例えば５３２ｎｍ付近）のレーザや、緑色領域より短い青色領域や紫外域領域（例えば３５５ｎｍ付近）の発光波長のレーザを用いてもよい。紫外域領域ではこれにより、アブレーションを効率よく発生させ、量産性を高めることができる。またレーザのパルス幅はナノ秒、ピコ秒、フェムト秒等を使用することができる。例えば、５３２ｎｍ付近の緑色領域でパルス幅がナノ秒のレーザを用いることが出力や作業効率の観点から好ましい。
一対の電極５の距離よりも幅の狭いレーザ光を照射することが好ましい。例えば、第１電極５ａと第２電極５ｂとの距離を３０μｍとし、レーザの加工幅が３０μｍ前後のものを使用することで、第１配線２０ａと第２配線２０ｂとの距離を３０μｍとすることができる。レーザ光は金属ペースト層２５に対して９０度の垂直方向から照射することが好ましいが、金属ペースト層２５に対して４５度から１４５度、好ましくは７０度から１１０度の斜め方向から照射することが好ましい。
レーザ照射により金属ペースト層２５の樹脂や金属粉は飛散するため集塵する。集塵は導光板３０に平行な方向若しくは導光板３０に対して３０度以内の角度をつけて集塵することが好ましい。
発光素子１の第１面上、かつ、一対の電極５間に第１被覆部材２が配置されており、一対の配線２０を形成する工程において、発光素子１の第１面上、かつ、一対の電極５間に配置される第１被覆部材２は、レーザ光により一部除去されることが好ましい。つまり一対の電極５５間に配置される第１被覆部材２は、レーザ光により完全に除去されるわけでなく、一部残存している。第１被覆部材２は絶縁性であるため、第１被覆部材２が残存することにより第１配線２０ａと第２配線２０ｂとの短絡を防止することができる。残存される第１被覆部材２の厚みは電極５の厚みの１／５以上４／５であることが好ましい。
ここで、レーザの照射方法であるが、導光板３０上に複数の発光素子１を行方向及び列方向、つまりＸ軸方向及びＹ軸方向に並べて配置する。その発光素子１上に所定の幅の金属ペースト層２５を配置する。そして発光素子１の一対の電極５間にレーザ光を照射する。発光素子１を所定位置に配置することで発光素子１の一対の電極５を直接視認することができないが一対の電極５間にレーザ照射を行うことができる。このときレーザ照射のずれを考慮し、一対の電極５の間はレーザのパルス幅よりも１．５倍から５倍程度広めに設定しておくことが好ましい。
また異なる方法として、まず中間体を準備する工程において発光素子１の一対の電極５を認識し、一対の配線を形成する工程において、中間体を準備する工程において認識した発光素子１の一対の電極５の間にレーザ光を照射する方法が好ましい。このように予め発光素子１の一対の電極５の位置を認識することで、上下方向（Ｙ軸方向）への発光素子１のずれや発光素子１の回転を考慮して、適切な位置にレーザ光を照射することができるため、一対の電極５間を狭く設定し、小型の発光素子１を使用することができる。
一対の配線を形成する工程後、少なくとも一対の電極５を絶縁部材６０で覆う工程をさらに含んでもよい。一対の電極５がレーザアブレーションにより露出されることもあるため、一対の電極５を絶縁部材６０で覆うことにより短絡を防止することができる。絶縁部材６０は一対の電極５だけでなく、一対の配線２０、第２被覆部材５０等も覆ってもよい。一対の電極５を絶縁部材６０で覆う工程において、絶縁部材６０は半透明に着色されているか、無色透明であることが好ましい。
パッケージ１０
パッケージ１０は、発光素子１と、第１被覆部材２と、を少なくとも備え、さらに、第１透光性部材３、第２透光性部材４なども備えることができる。発光素子１は第１面に一対の電極５を備える。第１被覆部材２は、発光素子１の側面を覆うため、絶縁性であればよい。第１被覆部材２は反射性が好ましいが、透光性であってもよい。反射性の第１被覆部材２は、例えば、シリコーン樹脂にシリカ及び白色の酸化チタンが６０ｗｔ％程度含有する部材等を用いることができ、圧縮成形、トランスファモールド、射出成形、印刷、スプレー等により形成することができる。また、第１被覆部材は板状に成形し、所定の大きさに切断し直方体とすることができる。
板状部材の第１透光性部材３の上に、液状の第２透光性部材４を塗布し、複数の発光素子１をそれぞれ接着する。液状の第２透光性部材４は互いに分離するように形成される。各第２透光性部材４は、発光素子１の形状に対応して、平面視において任意の形状にすることができ、例えば、正方形、長方形、円形、楕円形が挙げられる。なお、隣接する第２透光性部材４の間隔は、パッケージ１０の外形及びパッケージ１０の取り個数に応じて適宜設定できる。また、第２透光性部材４は、板状部材の第１透光性部材３の面積の７０％～１５０％程度を覆うように形成することが好ましい。
発光素子１を液状の第１透光性部材３の上に配置すると、第２透光性部材４は発光素子１の側面を這い上がる。これにより、第１透光性部材３上に発光素子１を載置した状態において、第２透光性部材４の外面が、斜め上方向に向くような形状になる。例えば、第２透光性部材４と発光素子とを合わせた形態は四角錐台となる。発光素子１を第１透光性部材３上に配置した後、必要に応じて、発光素子１を押圧するようにしてもよい。発光素子１を配置後に、液状の第２透光性部材４を加熱することで、硬化された第２透光性部材４が形成される。
尚、発光素子１と第１透光性部材３の間にも第２透光性部材４は存在しているが、第２透光性部材４を用いることなく直接接合することもできる。
次に、導光板３０の上に、第１透光性部材３が接触するように、第３透光性部材４０を介してパッケージ１０を配置する。第２被覆部材５０は、複数のパッケージ１０を一体的に覆うように設ける。第２被覆部材５０は、例えば、シリコーン樹脂にシリカ及び白色の酸化チタンが６０ｗｔ％程度含有する部材等を用いることができ、圧縮成形、トランスファモールド、射出成形、印刷、スプレー等により形成することができる。
なお、導光板３０上に配置されたパッケージ１０を覆うように第２被覆部材５０の全体を覆い、第２被覆部材５０を硬化させた後、発光素子１の一対の電極５が露出するように、公知の加工方法により第２被覆部材５０の厚さを薄くしてもよい。これにより、所定の厚みのパッケージ１０を得ることができる。また、一対の電極５と第２被覆部材５０との高さを揃えることができ、金属ペースト層２５を印刷しやすくすることができる。
尚、ここで「板状部材」とは、発光素子が載置可能な大面積を備えた部材を指すものであり、例えば、シート状、膜状、層状、などの用語で言い換えてもよい。
発光素子１
発光素子１としては、例えば発光ダイオード等の半導体発光素子を用いることができ、青色、緑色、赤色等の可視光を発光可能な発光素子を用いることができる。半導体発光素子は、発光層を含む積層構造体と、電極と、を備える。積層構造体は、電極が形成された側の第１面と、それとは反対側の光取り出し面となる第２面と、を備える。
積層構造体は、発光層を含む半導体層を含む。さらに、サファイア等の透光性基板を備えていてもよい。半導体積層体の一例としては、第１導電型半導体層（例えばｎ型半導体層）、発光層（活性層）および第２導電型半導体層（例えばｐ型半導体層）の３つの半導体層を含むことができる。紫外光や、青色光から緑色光の可視光を発光可能な半導体層としては、例えば、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体等の半導体材料から形成することができる。具体的には、ＩｎＸＡｌＹＧａ１－Ｘ－ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の窒化物系の半導体材料を用いることができる。赤色を発光可能な半導体積層体としては、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等を用いることができる。電極は銅が好ましい。
第１被覆部材２
第１被覆部材２は、例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂を主成分とする樹脂部材が好ましい。
第１被覆部材２は、光反射性の樹脂部材とすることが好ましい。光反射性の樹脂とは、発光素子からの光に対する反射率が７０％以上の樹脂材料を意味する。例えば、白色樹脂などが好ましい。第１被覆部材に達した光が反射されて、発光装置の発光面に向かうことにより、発光装置の光取出し効率を高めることができる。また、第１被覆部材２としては透光性の樹脂部材としてもよい。この場合の第１被覆部材は、後述の第１透光性部材と同様の材料を用いることができる。
光反射性の樹脂としては、例えば透光性樹脂に、光反射性物質を分散させたものを使用することができる。光反射性物質としては、例えば、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライトなどが好適である。光反射性物質は、粒状、繊維状、薄板片状などが利用できるが、特に、繊維状のものは第１被覆部材の熱膨張率を低下させる効果も期待できるので好ましい。
第１被覆部材が、例えば、光反射性物質のようなフィラーを含む樹脂部材により構成される場合、レーザが照射された表面の樹脂成分がアブレーションにより除去されて表面にフィラーが露出する。また、レーザ光の照射スポットを表面上で連続的又は逐次移動させることによって、移動方向にストライプ状の溝が形成される。この溝は、レーザ光の照射スポット径により、例えば、１０～１００μｍ程度、典型的には４０μｍの幅で、０．１～３μｍの深さに形成される。
第１透光性部材３
第１透光性部材３は、発光素子の第２面に配置される。第１透光性部材３の材料は、樹脂、ガラス等が使用できる。樹脂として、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、メチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂などの熱可塑性樹脂を用いることができる。特に、耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂が好適である。
第１透光性部材３は、上記の透光性材料に加え、波長変換部材として蛍光体を含んでもよい。蛍光体は、発光素子からの発光で励起可能なものが使用される。例えば、青色発光素子又は紫外線発光素子で励起可能な蛍光体としては、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＹＡＧ：Ｃｅ）；セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＬＡＧ：Ｃｅ）；ユウロピウムおよび／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体（ＣａＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２）；ユウロピウムで賦活されたシリケート系蛍光体（（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４）；βサイアロン蛍光体、ＣＡＳＮ系蛍光体、ＳＣＡＳＮ系蛍光体等の窒化物系蛍光体；ＫＳＦ系蛍光体（Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）；硫化物系蛍光体、量子ドット蛍光体などが挙げられる。これらの蛍光体と、青色発光素子又は紫外線発光素子と組み合わせることにより、様々な色の発光装置（例えば白色系の発光装置）を製造することができる。
また、第１透光性部材３には、粘度を調整する等の目的で、各種のフィラー等を含有させてもよい。
第２透光性部材４
第２透光性部材４は、発光素子１と第１透光性部材３とを接着する。第２透光性部材に蛍光体やフィラーを含有させてもよい。
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない限り任意のものとすることができることは言うまでもない。
導光板３０
導光板３０は平板状だけでなく、平板の一部に凹部や凸部があってもよい。凹部にパッケージを配置することができる。また凹部や凸部にレンズ等の機能を持たせてもよい。また導光板３０に見切り性を持たせるよう凹みや遮光や反射膜等を形成してもよい。パッケージが配置された導光板の反対側に反射膜や遮光膜を設けることでパッケージからの光を導光板を介して水平方向、つまりＸ軸方向及びＹ軸方向に拡げることができる。
基台９０は、底面と側面とを持つ第１凹部３０ａと、第１凹部３０ａと異なる第２凹部３０ｂと、を持つ導光板３０と、第２凹部３０ｂに配置される第２被覆部材５０と、を備えることが好ましい。
発光素子１は第１凹部３０ａ内に配置され、配線２０は、第２被覆部材５０に配置されることが好ましい。
第２実施形態に係る発光装置について図面を用いて説明する。図５は、第２実施形態に係る発光装置の導光板側からの概略斜視図である。図６は、第２実施形態に係る発光装置の概略断面図である。図７は、第２実施形態に係る発光装置の概略平面図である。第２実施形態に係る発光装置の概略斜視図は縦４セル、横４セルの合計１６セルからなる１セグメントを構成する。このセグメントを複数組み合わせることで任意の大きさの面状光源とすることができる。第２実施形態に係る発光装置の概略断面図は１セルを示す。
発光装置は、断面視において、第１配線２０ａの厚みよりも第２配線２０ｂの厚みの方が厚く、第２配線２０ｂの厚みよりも第３配線２０ｃの厚みの方が厚い。第３配線２０ｃの厚みよりも第４配線２０ｄの厚みの方が厚い。厚みを変えることで各配線の抵抗値を同じにし、これにより小型の発光装置でありながら、色ムラの少ない発光装置を提供することができる。
第１配線２０ａの幅、及び、第２配線２０ｂの幅、第３配線２０ｃの幅は、同じ幅を持つことが好ましい。配線の幅を変えることがないため、同じ形状や見た目とすることができる。この配線の厚みは厚くしたい場所のみ、複数回塗布等することで厚みを厚くすることができる。
基台９０は、底面と側面とを持つ第１凹部３１ａと、第１凹部３１ａと異なる第２凹部３１ｂと、を持つ導光板３１と、第２凹部３１ｂに配置される第２被覆部材５０及び反射部材７０と、を備えることが好ましい。
発光素子１は第１凹部３１ａ内に配置され、配線２０は、第２被覆部材５０に配置されることが好ましい。
基台９０は、シート状であることが好ましい。これによりより薄型の発光装置を提供することができる。特にこの発光装置とレンズ等を組み合わせ、モジュールとする場合に有用である。
第２実施形態に係る発光装置について所定の導光板３１を用いる。導光板３１はパッケージ１０が配置される面側を平面とし、平面と反対側の面側を背面とする。導光板３１の背面側から主にパッケージ１０の光は放出される。導光板３１の１セルにはパッケージ１０が配置される領域に第１凹部３１ａを有する。導光板３１において隣り合う第１凹部３１ａの間には第２凹部３１ｂが配置されており、第２凹部３１ｂは縦横の直線の交差により作られている格子状である。パッケージ１０は第１透光性部材３上に発光素子１が載置され、発光素子１の側面に第２透光性部材４が配置され、第２透光性部材４を覆う第１被覆部材２が配置されている。第１凹部３１ａは平面視において四角錐台形状となっており、断面視において開口上方の方が底面側よりも広口となる台形である。第１凹部３１ａは開口上方の開口面積が底面積よりも大きい。四角錐台形の底部と第１透光性部材３が接するようにパッケージ１０が配置されている。パッケージ１０の側面は第３透光性部材４０が配置されている。導光板３１の第２凹部３１ｂには反射部材７０が配置されている。反射部材７０の上面及び導光板３１の平面は第２被覆部材５０で被覆されている。反射部材７０及び第２被覆部材５０はパッケージ１０からの光を効率よく反射するよう樹脂中に光反射性物質が混合され、パッケージ１０からの光が導光板３１の背面側から出射するようになっている。また、第２凹部３１ｂはパッケージ１０からの光が導光板３１の背面側から出射しやすくなるよう、傾斜が設けられており、好ましくは導光板３１の背面に対して垂直方向に光が取り出せるような傾斜角度が好ましい。第２被覆部材５０上に配線２１が設けられている。第１配線２１ａはパッケージ１０の第１電極５ａと電気的に接続され、第２配線２１ｂはパッケージ１０の第２電極５ｂと電気的に接続され、これら接続部分は絶縁部材６０により被覆されている。このとき、第２凹部３１ｂは隣り合う第１凹部３１ａの間、つまり、セルとセルとのつなぎ目が最も深くなっている。この第２凹部３１ｂ内に反射部材７０を配置するため、反射部材７０に使用されている樹脂の硬化に伴い樹脂のひけが生じ、第２凹部３１ｂの反射部材７０の上面に湾曲した凹みが生じやすくなる。そのため配線２１を印刷等した際に断線しやすくなるおそれがあるため、配線２１の一部に幅広部２１ｃを設けている。配線２１は断線しないまでも、配線２１を印刷する際にかすれが生じたり配線が細くなったりし、電気抵抗が上がるおそれがある。そのため、第２凹部３１ｂの最も凹んでいる部分付近やセルとセルのつなぎ目に配線２１の幅広部２１ｃを設けることが好ましい。また配線２１の幅広部２１ｃは円形、楕円形状に限られず矩形や多角形とすることができ、１個に限らず複数個、さらには複数線にすることもできる。セルとセルのつなぎ目に複数の幅広部２１ｃを設ける場合は、複数の幅広部２１ｃを略直線状に配置することが好ましい。
導光板３１の背面は第１凹部３１ａの反対側に第３凹部３１ｃを設けることが好ましい。この第３凹部３１ｃは例えば円錐状、多角錐状であることが好ましい。第３凹部３１ｃを円錐形状等にすることによりパッケージ１０から出射された光が導光板３１を介して水平方向や斜め方向に広がるからである。第３凹部３１ｃに遮光部材８０を設けてもよい。パッケージ１０から出射された光は直上が最も強く出射されるため、導光板３１全体で見た際に発光ムラが生じやすくなる。そこで第３凹部３１ｃに遮光部材８０を設けることでパッケージ１０から出射された直上の光を抑制し発光ムラを低減することができる。遮光部材８０は第３凹部３１ｃの全体を覆ってもよいが、第３凹部３１ｃの一部だけ、例えば、第３凹部３１ｃの深さ１／４乃至３／４程度であることが好ましい。遮光部材８０は導光板３１の背面視において第１凹部３１ａと同じ乃至２倍程度被覆していることが好ましい。第３凹部３１ｃに遮光部材８０を設けた後の第３凹部３１ｃは背面視において、円錐台形状であることが好ましい。
よって、導光板３１は、発光素子１が配置される複数の第１凹部３１ａと、隣り合う第１凹部３１ａの間に第２凹部３１ｂと、を備え、第２凹部３１ｂは反射部材７０が配置されており、反射部材７０を覆う第２被覆部材５０が配置され、配線２１は第２被覆部材５０上に配置される。第２凹部３１ｂ上に配置された配線２１は、第１凹部３１ａ上に配置された配線２１よりも幅の広い部分、幅広部２１ｃを備えることが好ましい。
第３実施形態に係る発光装置について図面を用いて説明する。図８は、第３実施形態に係る発光装置の概略平面図である。
第３実施形態に係る発光装置は、第２の実施形態に係る配線が異なる以外はほぼ同じ形態を採る。配線２２は横方向に隣り合うパッケージ１０の間、特に隣り合うパッケージ１０の中間の位置に幅広部２２ｃを設けている。配線２２の横方向の中央付近は、隣り合うパッケージ１０の間に屈曲している箇所を設けているが、隣り合うパッケージ１０の中間の位置から外れた箇所に屈曲している箇所を設けている。配線２２が屈曲することにより印刷時のかすれや断線を抑制することができる。また、横方向においてパッケージ１０が配置されている側と異なる側の配線２２に線幅の広い配線部２２ｄを設けている。配線２２の線幅を広げることにより電気抵抗を下げたり、断線を防止したりすることができる。配線部２２ｄの横方向の長さは特に問わないが、上下方向（Ｙ軸方向）の幅広部２２ｃの近傍まで延びていることが好ましい。
第４実施形態に係る発光装置について図面を用いて説明する。図９は、第４実施形態に係る発光装置の概略平面図である。
第４実施形態に係る発光装置は、第１実施形態の基台及び配線と同じ形状を採るが、断面視において、第１配線２０ａの厚みよりも第２配線２０ｂの厚みの方が厚く、第２配線２０ｂの厚みよりも第３配線２０ｃの厚みの方が厚い。これにより小型の発光装置でありながら、色ムラの少ない発光装置を提供することができる。配線の厚みと幅の両方で電気抵抗値を下げることができ、色ムラの少ない発光装置を提供することができる。
第１配線２０ａ、及び、第２配線２０ｂ、第３配線２０ｃのうち少なくとも２つの配線において、それぞれに少なくとも２以上の発光素子１が配置され、同一配線上の２つの発光素子間２８における配線の平均の幅は、２つの発光素子間以外の発光素子が配置されていない領域２９における配線の平均の幅よりも細いことが好ましい。これにより発光素子１が配置されていない第２領域２７の方の厚みの方の電気抵抗を下げることができ、電気導電性を高めることができる。また、発光素子が配置されている第１領域２６の厚みを薄くすることで、配線２０を形成する際に低出力、又は、短時間で導電ペーストの一部をレーザ光で除去することができる。ここで第１領域２６は少なくとも発光素子１を覆っていれば良く、パッケージ１０の全体を覆う様に形成されてもよい。さらにパッケージ１０と５０間は材料が異なるため段差が存在する事もあり第２領域２７はパッケージ１０の一部を覆うことが抵抗値の安定性の観点から望ましい。また第１領域２６の配線層の厚みは１．０μｍから７．５μｍであることが望ましく、第２領域２７の配線層の厚みは１０μｍから２０μｍであることが望ましい。
第５実施形態に係る発光装置について図面を用いて説明する。図１０は、第５実施形態に係る発光装置の概略平面図である。図１１は、第５実施形態に係るマスクの概略平面図である。
絶縁部材６０は、第１外部端子２３と、第２外部端子２４と、を除き、配線の全面を覆うように形成されていることが好ましい。これにより短絡や誤作動を低減することができる。また、絶縁部材６０を平坦化したり、絶縁部材６０を同一厚みで形成したり、絶縁部材６０が配置されている側の高さを揃えたりすることが好ましい。実装安定性や放熱性を高めることができるからである。
第１外部端子２３と第２外部端子２４は、当該箇所８６が空いているマスク８５にて予めレジスト塗布し、マスクを剥がした後、絶縁部材６０を全面に塗布し、その後、レジスト部分をエッチング等により除去することで第１外部端子２３と第２外部端子２４の部分のみ露出させることができる。
第６実施形態に係る発光装置について図面を用いて説明する。図１１は、第６実施形態に係る発光装置の概略平面図である。
第６実施形態に係る発光装置は、第１配線２０ａ、第２配線２０ｂ、第３配線２０ｃの共通部分から内側に延びる箇所において、Ｘ軸方向と異なる角度を持つ凹み８７を設けることが好ましい。これにより配線の共通部分に近い発光素子の短絡を防止することができる。つまり、配線が太くなった場合に、レーザ光で導電ペーストの一部を除去する際に切断する箇所が長くなり、切断がしきれないことをなくすることができる。このＸ軸方向と異なる角度は、２０度以上７０度以下が好ましいが、３０度以上６０度以下がより好ましく、４０度以上５０度以下が特に好ましい。
１ 発光素子
２ 第１被覆部材
３ 第１透光性部材
４ 第２透光性部材
５ 電極
５ａ 第１電極
５ｂ 第２電極
１０ パッケージ
２０、２１、２２ 配線
２０ａ、２１ａ 第１配線
２０ｂ、２１ｂ 第２配線
２０ｃ、２１ｃ 第３配線
２０ｄ、２１ｄ 第４配線
２１ｃ 幅広部
２２ｄ 配線部
２３ 第１外部端子
２４ 第２外部端子
２５ 金属ペースト層
２６ 第１領域
２７ 第２領域
２８ 発光素子間
２９ 発光素子が配置されていない領域
３０、３１ 導光板
３０ａ、３１ａ 第１凹部
３０ｂ、３１ｂ 第２凹部
３１ｃ 第３凹部
４０ 第３透光性部材
５０ 第２被覆部材
６０ 絶縁部材
７０ 反射部材
８０ 遮光部材
９０ 基台
１００ 発光装置

Claims (16)

  1. 基台と、
    前記基台に配置される第１外部端子と、
    前記基台に配置される第２外部端子と、
    前記基台に配置され、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを電気的に接続する配線と、
    前記配線と電気的に接続する発光素子と、を備え、
    前記発光素子は、複数であり、複数の前記発光素子は、抵抗値が揃っており、
    前記配線は、複数であり、複数の前記配線は、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が最も短い第１配線と、
    前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が前記第１配線よりも長い第２配線と、
    前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が前記第２配線よりも長い第３配線と、を少なくとも含み、
    前記第１配線、及び、前記第２配線、前記第３配線のうち少なくとも２つの配線において、それぞれに少なくとも２以上の前記発光素子が配置され、同一配線上の２つの前記発光素子間における配線の平均の幅は、前記２つの前記発光素子間以外の前記発光素子が配置されていない領域における配線の平均の幅よりも細く、
    前記第１配線と、前記第２配線と、前記第３配線と、の電気抵抗値がほぼ等しい発光装置。
  2. 基台と、
    前記基台に配置される第１外部端子と、
    前記基台に配置される第２外部端子と、
    前記基台に配置され、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを電気的に接続する配線と、
    前記配線と電気的に接続する発光素子と、を備え、
    前記発光素子は、複数であり、複数の前記発光素子は、抵抗値が揃っており、
    前記配線は、複数であり、複数の前記配線は、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が最も短い第１配線と、
    前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が前記第１配線よりも長い第２配線と、
    前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が前記第２配線よりも長い第３配線と、を少なくとも含み、
    前記第１配線、及び、前記第２配線、前記第３配線のうち少なくとも２つの配線において、それぞれに少なくとも２以上の前記発光素子が配置され、同一配線上の２つの前記発光素子間の幅は、同じ長さであって前記２つの前記発光素子間の幅以外の前記発光素子が配置されていない領域の幅よりも細く、
    平面視において、前記第１配線の面積よりも前記第２配線の面積の方が大きく、前記第２配線の面積よりも前記第３配線の面積の方が大きく、
    前記第１配線の幅よりも前記第２配線の幅の方が大きく、前記第２配線の幅よりも前記第３配線の幅の方が大きく、
    前記第１配線と、前記第２配線と、前記第３配線と、の電気抵抗値がほぼ等しい発光装置。
  3. 前記第１配線の厚み、及び、前記第２配線の厚み、前記第３配線の厚みは、同じ厚みである請求項２に記載の発光装置。
  4. 基台と、
    前記基台に配置される第１外部端子と、
    前記基台に配置される第２外部端子と、
    前記基台に配置され、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを電気的に接続する配線と、
    前記配線と電気的に接続する発光素子と、を備え、
    前記発光素子は、複数であり、複数の前記発光素子は、抵抗値が揃っており、
    前記配線は、複数であり、複数の前記配線は、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が最も短い第１配線と、
    前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が前記第１配線よりも長い第２配線と、
    前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が前記第２配線よりも長い第３配線と、を少なくとも含み、
    断面視において、前記第１配線の厚みよりも前記第２配線の厚みの方が厚く、前記第２配線の厚みよりも前記第３配線の厚みの方が厚く、
    前記第１配線と、前記第２配線と、前記第３配線と、の電気抵抗値がほぼ等しい発光装置。
  5. 前記第１配線の幅、及び、前記第２配線の幅、前記第３配線の幅は、同じ幅を持つ請求項４に記載の発光装置。
  6. 前記第１配線、及び、前記第２配線、前記第３配線において、前記発光素子が配置される第１領域の厚みより、前記発光素子が配置されていない第２領域の方の厚みの方が厚い請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発光装置。
  7. 前記第１配線、及び、前記第２配線、前記第３配線において、前記発光素子が配置される第１領域の幅より、前記発光素子が配置されていない第２領域の方の幅の方が太い請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光装置。
  8. 前記第１配線、及び、前記第２配線、前記第３配線のうち少なくとも２つの配線において、それぞれに少なくとも２以上の前記発光素子が配置され、同一配線上の２つの前記発光素子間における配線の平均の幅は、前記２つの前記発光素子間以外の前記発光素子が配置されていない領域における配線の平均の幅よりも細い請求項４に記載の発光装置。
  9. 前記第１外部端子と、前記第２外部端子と、はＸ軸方向に配置され、
    前記第１配線、及び、前記第２配線、前記第３配線の少なくとも２つの配線は、前記Ｘ軸方向と直交するＹ軸方向にそれぞれ延びる共通部分を有している請求項１乃至８のいずれか一項に記載の発光装置。
  10. 前記発光装置は、少なくとも前記第１領域を覆う絶縁部材が形成されている請求項６又は請求項７に記載の発光装置。
  11. 前記絶縁部材は、前記第１外部端子と、前記第２外部端子と、を除き、複数の前記配線の全面を覆うように形成されている請求項１０に記載の発光装置。
  12. 前記絶縁部材は、着色されている請求項１０又は１１に記載の発光装置。
  13. 前記基台は、底面と側面とを持つ第１凹部と、前記第１凹部と異なる第２凹部と、を持つ導光板と、前記第２凹部に配置される第２被覆部材と、を備え、
    前記発光素子は前記第１凹部内に配置され、
    前記配線は、第２被覆部材に配置される請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の発光装置。
  14. 前記基台は、シート状である請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の発光装置。
  15. 第１面側に一対の電極を備えた発光素子と、前記一対の電極の表面の一部が露出するように前記発光素子を覆う第１被覆部材と、を複数備えた中間体を準備する工程と、
    第２被覆部材で覆われ、前記第２被覆部材から一部露出された導光板に前記中間体を配置する工程若しくは導光板に前記中間体を配置した後、第２被覆部材で覆う工程と、
    前記露出された前記一対の電極と前記第１被覆部材と前記第２被覆部材とを連続して覆い、異なる幅を持つ金属ペースト層を形成する工程と、
    前記一対の電極上の前記金属ペースト層及び前記第１被覆部材上の前記金属ペースト層にレーザ光を照射して、前記一対の電極間の前記金属ペースト層及び前記第１被覆部材上の前記金属ペースト層の一部を除去し、前記一対の電極が短絡しないように複数の一対の配線を形成する工程と、
    を含み、
    前記中間体を準備する工程において、複数の前記発光素子は、抵抗値が揃っており、
    複数の前記一対の配線を形成する工程後において、第１外部端子と、第２外部端子と、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを電気的に接続する複数の前記一対の配線と、を備え、複数の前記一対の配線は複数の前記発光素子の前記一対の電極と電気的に接続され、複数の前記一対の配線は、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が最も短い第１配線と、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が前記第１配線よりも長い第２配線と、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が前記第２配線よりも長い第３配線と、を少なくとも含み、平面視において、前記第１配線の面積よりも前記第２配線の面積の方が大きく、前記第２配線の面積よりも前記第３配線の面積の方が大きく、前記第１配線の幅よりも前記第２配線の幅の方が大きく、前記第２配線の幅よりも前記第３配線の幅の方が大きくなるように形成され、
    複数の前記一対の配線を形成する工程後において、前記第１配線と、前記第２配線と、前記第３配線と、の電気抵抗値がほぼ等しい、発光装置の製造方法。
  16. 第１面側に一対の電極を備えた発光素子と、前記一対の電極の表面の一部が露出するように前記発光素子を覆う第１被覆部材と、を複数備えた中間体を準備する工程と、
    第２被覆部材で覆われ、前記第２被覆部材から一部露出された導光板に前記中間体を配置する工程若しくは導光板に前記中間体を配置した後、第２被覆部材で覆う工程と、
    前記露出された前記一対の電極と前記第１被覆部材と前記第２被覆部材とを連続して覆い、異なる厚みを持つ金属ペースト層を形成する工程と、
    前記一対の電極上の前記金属ペースト層及び前記第１被覆部材上の前記金属ペースト層にレーザ光を照射して、前記一対の電極間の前記金属ペースト層及び前記第１被覆部材上の前記金属ペースト層の一部を除去し、前記一対の電極が短絡しないように複数の一対の配線を形成する工程と、
    を含み、
    前記中間体を準備する工程において、複数の前記発光素子は、抵抗値が揃っており、
    複数の前記一対の配線を形成する工程後において、第１外部端子と、第２外部端子と、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを電気的に接続する複数の前記一対の配線と、を備え、複数の前記一対の配線は複数の前記発光素子の前記一対の電極と電気的に接続され、複数の前記一対の配線は、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が最も短い第１配線と、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が前記第１配線よりも長い第２配線と、前記第１外部端子と前記第２外部端子とを繋ぐ距離が前記第２配線よりも長い第３配線と、を少なくとも含み、断面視において、前記第１配線の厚みよりも前記第２配線の厚みの方が厚く、前記第２配線の厚みよりも前記第３配線の厚みの方が厚くなるように形成され、
    複数の前記一対の配線を形成する工程後において、前記第１配線と、前記第２配線と、前記第３配線と、の電気抵抗値がほぼ等しい、発光装置の製造方法。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7285439B2 (ja) * 2020-11-30 2023-06-02 日亜化学工業株式会社 面状光源

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006108517A (ja) 2004-10-08 2006-04-20 Citizen Watch Co Ltd Ｌｅｄ接続用基板及びそれを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置
JP2011129646A (ja) 2009-12-16 2011-06-30 Panasonic Corp Ｌｅｄモジュール用配線基板、ｌｅｄモジュール及びｌｅｄモジュール用配線基板の製造方法
CN202564373U (zh) 2012-03-15 2012-11-28 苏州晶品光电科技有限公司 一种拉夹式薄片led贴片结构
JP2013074171A (ja) 2011-09-28 2013-04-22 Oki Data Corp 発光装置、発光素子アレイ、および画像表示装置
US20130099666A1 (en) 2011-10-21 2013-04-25 Almax Rp Corp. Selectively controlling the resistance of resistive traces printed on a substrate to supply equal current to an array of light sources
JP2013115070A (ja) 2011-11-25 2013-06-10 Fuji Mach Mfg Co Ltd 半導体パッケージ及びその製造方法
JP2014027213A (ja) 2012-07-30 2014-02-06 Ushio Inc 光源ユニット
JP2016054267A (ja) 2014-09-04 2016-04-14 日亜化学工業株式会社 回路基板およびこれを用いた発光装置
WO2016136345A1 (ja) 2015-02-26 2016-09-01 シャープ株式会社 光照射用基板
JP2018182309A (ja) 2017-04-12 2018-11-15 Ｚｉｇｅｎライティングソリューション株式会社 発光装置
JP2019012681A (ja) 2017-06-30 2019-01-24 日亜化学工業株式会社 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8272757B1 (en) * 2005-06-03 2012-09-25 Ac Led Lighting, L.L.C. Light emitting diode lamp capable of high AC/DC voltage operation
JP5368277B2 (ja) 2009-11-25 2013-12-18 パナソニック株式会社 発光モジュールおよび光源装置
JP5508244B2 (ja) 2010-11-15 2014-05-28 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置の製造方法
JP6913460B2 (ja) * 2014-09-26 2021-08-04 東芝ホクト電子株式会社 発光モジュール
JP6545981B2 (ja) * 2015-03-12 2019-07-17 アルパッド株式会社 半導体発光装置
JP6384533B2 (ja) 2015-12-21 2018-09-05 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US10199533B2 (en) 2015-12-21 2019-02-05 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006108517A (ja) 2004-10-08 2006-04-20 Citizen Watch Co Ltd Ｌｅｄ接続用基板及びそれを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置
JP2011129646A (ja) 2009-12-16 2011-06-30 Panasonic Corp Ｌｅｄモジュール用配線基板、ｌｅｄモジュール及びｌｅｄモジュール用配線基板の製造方法
JP2013074171A (ja) 2011-09-28 2013-04-22 Oki Data Corp 発光装置、発光素子アレイ、および画像表示装置
US20130099666A1 (en) 2011-10-21 2013-04-25 Almax Rp Corp. Selectively controlling the resistance of resistive traces printed on a substrate to supply equal current to an array of light sources
JP2013115070A (ja) 2011-11-25 2013-06-10 Fuji Mach Mfg Co Ltd 半導体パッケージ及びその製造方法
CN202564373U (zh) 2012-03-15 2012-11-28 苏州晶品光电科技有限公司 一种拉夹式薄片led贴片结构
JP2014027213A (ja) 2012-07-30 2014-02-06 Ushio Inc 光源ユニット
JP2016054267A (ja) 2014-09-04 2016-04-14 日亜化学工業株式会社 回路基板およびこれを用いた発光装置
WO2016136345A1 (ja) 2015-02-26 2016-09-01 シャープ株式会社 光照射用基板
JP2018182309A (ja) 2017-04-12 2018-11-15 Ｚｉｇｅｎライティングソリューション株式会社 発光装置
JP2019012681A (ja) 2017-06-30 2019-01-24 日亜化学工業株式会社 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール

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