JP7372107B2

JP7372107B2 - Wafer polishing head

Info

Publication number: JP7372107B2
Application number: JP2019188954A
Authority: JP
Inventors: 順行持丸; 裕志小林; 保成五十嵐; 幸夫上原; 和宏高岡
Original assignee: Okamoto Machine Tool Works Ltd
Current assignee: Okamoto Machine Tool Works Ltd
Priority date: 2019-10-15
Filing date: 2019-10-15
Publication date: 2023-10-31
Anticipated expiration: 2039-10-15
Also published as: TWI826630B; JP2021062451A; CN112658978A; KR20210044667A; CN112658978B; TW202116477A

Description

本発明は、半導体ウェーハの研磨工程において半導体ウェーハを保持するウェーハ研磨用ヘッドに関する。 The present invention relates to a wafer polishing head that holds a semiconductor wafer in a semiconductor wafer polishing process.

従来、半導体ウェーハの表面、即ち研磨面、を基準として研磨する表面基準研磨用のチャック機構として、弾性体から形成されたラバーチャック等の吸着チャックを有するチャック機構が知られている。 BACKGROUND ART Conventionally, as a chuck mechanism for surface-based polishing that polishes the surface of a semiconductor wafer, that is, the polished surface, a chuck mechanism having a suction chuck such as a rubber chuck formed of an elastic body is known.

例えば、特許文献１には、半導体ウェーハを吸着保持するためのシリコンゴムやシリコン発泡体等の弾性体からなるバッキング部材を有する半導体ウェーハの研磨装置が開示されている。同文献に開示された弾性体からなるバッキング部材は、研磨用定盤の上方に設けられた保持プレートの下面に固着されており、半導体ウェーハは、半導体ウェーハが入る空隙部に純水で濡らして張り付けられて水膜により固着保持される。 For example, Patent Document 1 discloses a semiconductor wafer polishing apparatus having a backing member made of an elastic material such as silicone rubber or silicone foam for adsorbing and holding a semiconductor wafer. The backing member made of an elastic body disclosed in this document is fixed to the lower surface of a holding plate provided above the polishing surface plate, and the semiconductor wafer is placed in a cavity in which the semiconductor wafer is placed by moistening it with pure water. It is stuck and held firmly by a water film.

上記構成により、半導体ウェーハは弾性体からなるバッキング部材に吸着保持されているので、反りが矯正されて半導体ウェーハの表面が研磨用定盤の研磨布に押しつけられることになる。これにより、半導体ウェーハの裏面ではなく、その表面を基準とした研磨が行われる。 With the above configuration, the semiconductor wafer is held by suction on the backing member made of an elastic body, so that the warp is corrected and the surface of the semiconductor wafer is pressed against the polishing cloth of the polishing surface plate. As a result, polishing is performed based on the front surface of the semiconductor wafer, rather than the back surface.

また例えば、特許文献２には、ラバー膜にワークを保持する、いわゆるラバーチャック方式による研磨ヘッドが開示されている。この研磨ヘッドは、末端部がＯリング状となったブーツ状のラバー膜を具備し、ラバー膜で密閉された密閉空間部に圧力調整機構より流体が供給されることにより、該ラバー膜が膨らみ、ワークの裏面に荷重が掛かる構造となっている。 Further, for example, Patent Document 2 discloses a polishing head using a so-called rubber chuck method in which a workpiece is held on a rubber film. This polishing head is equipped with a boot-shaped rubber membrane with an O-ring shaped end, and when fluid is supplied from a pressure adjustment mechanism to a sealed space sealed with the rubber membrane, the rubber membrane swells. , the structure is such that the load is applied to the back side of the workpiece.

また、他の従来技術の例として、半導体ウェーハの研磨装置に関し、加工対象であるウェーハを保持して回転するウェーハ研磨用ヘッドのチャック機構として、剛体から形成された剛体チャック等の吸着チャックを有するチャック機構が知られている。 In addition, as another example of the conventional technology, regarding a semiconductor wafer polishing apparatus, a suction chuck such as a rigid chuck formed of a rigid body is used as a chuck mechanism of a wafer polishing head that rotates while holding a wafer to be processed. A chuck mechanism is known.

例えば、特許文献３には、ウェーハを直接吸着することが可能なポーラスセラミックス板よりなる剛体の吸着パッドを有するチャック機構が開示されている。このチャック機構は、吸着パッドのウェーハを吸着する面に液体を吹き付ける液体供給ノズルを具備し、吸着パッドが取り付けられているヘッドのチャンバを減圧した状態で、液体供給ノズルで吸着パッドに液体を吹き付けた後、吸着パッドの吸着面にウェーハを吸着させる。 For example, Patent Document 3 discloses a chuck mechanism having a rigid suction pad made of a porous ceramic plate that can directly suction a wafer. This chuck mechanism is equipped with a liquid supply nozzle that sprays liquid onto the surface of the suction pad that attracts the wafer, and while the chamber of the head to which the suction pad is attached is depressurized, the liquid supply nozzle sprays the liquid onto the suction pad. After that, the wafer is suctioned to the suction surface of the suction pad.

そして、液体供給ノズルからの液体吹き付けを中止した後、研磨布の上にチャック機構を下降させてウェーハを当接し、ウェーハの回転と研磨布の回転を利用してウェーハの表面を研磨布で研磨する。 After stopping the liquid spray from the liquid supply nozzle, the chuck mechanism is lowered onto the polishing cloth and the wafer is brought into contact with the polishing cloth, and the surface of the wafer is polished with the polishing cloth using the rotation of the wafer and the rotation of the polishing cloth. do.

特開平７－２６３３８６号公報Japanese Patent Application Publication No. 7-263386 特開２００９－１０７０９４号公報Japanese Patent Application Publication No. 2009-107094 特開平１１－３０９６７２号公報Japanese Patent Application Publication No. 11-309672

特許文献１や特許文献２に開示された従来技術のように、ラバーチャック等の吸着チャックを有するラバーチャック方式のウェーハ研磨用ヘッドでは、半導体ウェーハの表面を基準として平坦性の高い高精度な研磨が可能である。 As in the prior art disclosed in Patent Document 1 and Patent Document 2, a rubber chuck type wafer polishing head having a suction chuck such as a rubber chuck is capable of high-precision polishing with high flatness based on the surface of a semiconductor wafer. is possible.

しかしながら、従来技術のラバーチャック方式による表面基準研磨用のウェーハ研磨用ヘッドでは、半導体ウェーハの裏面を基準とした裏面基準研磨を行うことはできない。裏面基準研磨を行うためには、裏面基準研磨が可能なウェーハ研磨用ヘッドに交換して半導体ウェーハを持ち換える工程が必要であった。 However, with the wafer polishing head for surface-based polishing using the conventional rubber chuck method, it is not possible to perform back-side-based polishing using the back surface of the semiconductor wafer as a reference. In order to perform backside reference polishing, it was necessary to change the semiconductor wafer to a wafer polishing head capable of backside reference polishing.

特許文献３に開示された従来技術のように、ポーラスセラミックス板等の剛体から形成された剛体チャックを有するウェーハ研磨用ヘッドによれば、剛性の高い吸着パッドで半導体ウェーハの裏面を平坦として保持し、裏面を基準とした裏面基準研磨を実行することができる。 According to the prior art disclosed in Patent Document 3, a wafer polishing head having a rigid chuck formed from a rigid body such as a porous ceramic plate holds the back surface of a semiconductor wafer flat with a highly rigid suction pad. , back surface reference polishing can be performed using the back surface as a reference.

しかしながら、従来技術の剛体から形成された剛体チャックを有する剛体チャック方式のウェーハ研磨用ヘッドでは、半導体ウェーハの表面を基準とする表面基準研磨を行うことはできない。 However, with a conventional rigid chuck type wafer polishing head having a rigid chuck formed from a rigid body, surface-based polishing using the surface of a semiconductor wafer as a reference cannot be performed.

よって、従来技術によれば、加工対象に応じて要求される好適な加工方法を実現するためには、ラバーチャックを有するラバーチャック方式のウェーハ研磨用ヘッドと、剛体チャックを有する剛体チャック方式のウェーハ研磨用ヘッドと、の両方を準備する必要があった。そして、加工プロセスに対応して、ラバーチャック方式のウェーハ研磨用ヘッドと、剛体チャック方式のウェーハ研磨用ヘッドと、を付け換えて使用しており、その交換工程に時間を要していた。 Therefore, according to the prior art, in order to realize a suitable processing method required depending on the processing object, it is necessary to use a rubber chuck type wafer polishing head having a rubber chuck and a rigid body chuck type wafer polishing head having a rigid body chuck. It was necessary to prepare both a polishing head and a. Then, depending on the processing process, a rubber chuck type wafer polishing head and a rigid chuck type wafer polishing head are replaced and used, and the replacement process takes time.

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウェーハ研磨装置の生産性を向上させると共に、研磨プロセスの効率化を図ることができるウェーハ研磨用ヘッドを提供することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and its purpose is to provide a wafer polishing head that can improve the productivity of a wafer polishing apparatus and improve the efficiency of the polishing process. It's about doing.

本発明のウェーハ研磨用ヘッドは、弾性体からなるラバーチャックと剛体からなる剛体チャックとを備えるチャック機構と、前記ラバーチャック近傍にエア供給可能な第１の圧力調整機構と、前記剛体チャック近傍にエア供給可能な第２の圧力調整機構と、を有し、前記ラバーチャックは、その下面で加工対象のウェーハを押し、前記剛体チャックは、その下面が前記ラバーチャックの上面に当接可能であり、前記剛体チャックの上方には、前記剛体チャックの外周部が保持される支持部を有し前記剛体チャックの上面を覆うチャック保持部材が設けられており、前記第１の圧力調整機構は、前記ラバーチャックの上面と前記剛体チャックの下面との間にエア供給可能であり、前記第２の圧力調整機構は、前記チャック保持部材の下面と前記剛体チャックの上面との間にエア供給可能であり、前記第１の圧力調整機構によるエア供給と前記第２の圧力調整機構によるエア供給を切り換えることにより加工方法の切り換えが可能であることを特徴とする。 The wafer polishing head of the present invention includes a chuck mechanism including a rubber chuck made of an elastic body and a rigid chuck made of a rigid body, a first pressure adjustment mechanism capable of supplying air to the vicinity of the rubber chuck, and a first pressure adjustment mechanism provided to the vicinity of the rigid chuck. a second pressure adjustment mechanism capable of supplying air, the rubber chuck pushes the wafer to be processed with its lower surface, and the rigid chuck has a lower surface that can come into contact with the upper surface of the rubber chuck. , a chuck holding member is provided above the rigid chuck and has a support portion for holding an outer peripheral portion of the rigid chuck and covers an upper surface of the rigid chuck, and the first pressure adjustment mechanism is configured to Air can be supplied between the upper surface of the rubber chuck and the lower surface of the rigid chuck, and the second pressure adjustment mechanism can supply air between the lower surface of the chuck holding member and the upper surface of the rigid chuck. , the processing method can be switched by switching between the air supply by the first pressure adjustment mechanism and the air supply by the second pressure adjustment mechanism.

本発明のウェーハ研磨用ヘッドによれば、チャック機構として弾性体からなるラバーチャックと剛体からなる剛体チャックとを備え、ラバーチャック近傍にエア供給可能な第１の圧力調整機構と、剛体チャック近傍にエア供給可能な第２の圧力調整機構と、を有し、第１の圧力調整機構によるエア供給と第２の圧力調整機構によるエア供給を切り換えることにより加工方法の切り換えが可能である。これにより、１つのウェーハ研磨用ヘッドで、ラバーチャック方式の研磨加工と、剛体チャック方式の研磨加工と、を切り換えて実行することができる。よって、ラバーチャックを有するウェーハ研磨用ヘッドと、剛体チャックを有するウェーハ研磨用ヘッドと、を別々に設ける必要がなくなり、ウェーハ研磨装置の生産性を向上させることができる。また、ラバーチャックを有するウェーハ研磨用ヘッドと、剛体チャックを有する研磨用ヘッドと、を交換するプロセスがなくなるので、研磨プロセスの効率化を図ることができる。 According to the wafer polishing head of the present invention, the chuck mechanism includes a rubber chuck made of an elastic body and a rigid chuck made of a rigid body. A second pressure adjustment mechanism capable of supplying air is provided, and the processing method can be switched by switching between the air supply by the first pressure adjustment mechanism and the air supply by the second pressure adjustment mechanism. Thereby, one wafer polishing head can switch between polishing using a rubber chuck and polishing using a rigid chuck. Therefore, there is no need to separately provide a wafer polishing head with a rubber chuck and a wafer polishing head with a rigid chuck, and the productivity of the wafer polishing apparatus can be improved. Further, since there is no need to replace the wafer polishing head with the rubber chuck and the polishing head with the rigid chuck, the efficiency of the polishing process can be improved.

また、本発明のウェーハ研磨用ヘッドによれば、ラバーチャックは、その下面で加工対象のウェーハを押し、剛体チャックは、その下面がラバーチャックの上面に当接可能であっても良い。これにより、従来技術のラバーチャックのみを有するラバーチャック方式のウェーハ研磨用ヘッドと同様に、ラバーチャックのみでウェーハを押圧して研磨加工を行うことができる。また、剛体チャックをラバーチャックの上面に当接させることにより、従来技術の剛体チャックのみを有する剛体チャック方式のウェーハ研磨用ヘッドと略同等に、ウェーハを吸着保持することができる。 Further, according to the wafer polishing head of the present invention, the rubber chuck may push the wafer to be processed with its lower surface, and the rigid chuck may have its lower surface contactable with the upper surface of the rubber chuck. As a result, the wafer can be pressed and polished using only the rubber chuck, similar to the conventional rubber chuck type wafer polishing head having only a rubber chuck. Further, by bringing the rigid chuck into contact with the upper surface of the rubber chuck, the wafer can be suctioned and held in a manner substantially equivalent to a conventional rigid chuck type wafer polishing head having only a rigid chuck.

また、本発明のウェーハ研磨用ヘッドによれば、第１の圧力調整機構は、ラバーチャックの上面と剛体チャックの下面との間にエア供給可能であり、第２の圧力調整機構は、剛体チャックの上面にエア供給可能であっても良い。これにより、第１の圧力調整機構によりラバーチャックの上面と剛体チャックの下面との間にエア供給し、ラバーチャックの下面でウェーハを保持するラバーチャック方式のチャック機構を構成することができる。また、第２の圧力調整機構によって剛体チャックの上面にエア供給し、剛体チャックの下面をラバーチャックの上面に当接させた状態で、ラバーチャックの下面でウェーハを保持する剛体チャック方式のチャック機構を構成することができる。 Further, according to the wafer polishing head of the present invention, the first pressure adjustment mechanism is capable of supplying air between the upper surface of the rubber chuck and the lower surface of the rigid chuck, and the second pressure adjustment mechanism is capable of supplying air between the upper surface of the rubber chuck and the lower surface of the rigid chuck. It may also be possible to supply air to the top surface. Thereby, it is possible to configure a rubber chuck type chuck mechanism in which air is supplied between the upper surface of the rubber chuck and the lower surface of the rigid chuck by the first pressure adjustment mechanism, and the wafer is held on the lower surface of the rubber chuck. In addition, a rigid chuck type chuck mechanism that supplies air to the top surface of the rigid chuck by a second pressure adjustment mechanism and holds the wafer on the bottom surface of the rubber chuck with the bottom surface of the rigid chuck in contact with the top surface of the rubber chuck. can be configured.

また、本発明のウェーハ研磨用ヘッドによれば、剛体チャックは、ポーラス体から形成されていても良い。これにより、剛体チャックを介する高精度な空気圧調整が可能となり、ラバーチャックの上面を平坦状に硬く支持することができる。よって、剛体チャック方式のウェーハ研磨用ヘッドとしての優れた機能を発揮することができる。 Further, according to the wafer polishing head of the present invention, the rigid chuck may be formed from a porous body. This allows highly accurate air pressure adjustment via the rigid chuck, and allows the upper surface of the rubber chuck to be firmly and flatly supported. Therefore, it is possible to exhibit excellent functionality as a rigid chuck type wafer polishing head.

また、本発明のウェーハ研磨用ヘッドによれば、第１の圧力調整機構によってエア供給した状態で表面基準研磨のチャック機構が構成され、第２の圧力調整機構によってエア供給した状態で裏面基準研磨のチャック機構が構成されても良い。これにより、表面基準研磨用と裏面基準研磨用の２種類のウェーハ研磨用ヘッドを準備することなく、１つのウェーハ研磨用ヘッドで表面基準研磨と裏面基準研磨を実行することができる。よって、ウェーハ研磨用ヘッドの種類を減らすことができるのでウェーハ研磨装置の生産性が向上し、ウェーハ研磨用ヘッドの交換プロセスが不要になるので、研磨加工の効率化を図ることができる。 Further, according to the wafer polishing head of the present invention, the chuck mechanism for surface reference polishing is configured with air supplied by the first pressure adjustment mechanism, and the back surface reference polishing is configured with air supplied by the second pressure adjustment mechanism. A chuck mechanism may be configured. Thereby, front surface reference polishing and back surface reference polishing can be performed with one wafer polishing head without preparing two types of wafer polishing heads, one for front surface reference polishing and one for back surface reference polishing. Therefore, the number of types of wafer polishing heads can be reduced, so the productivity of the wafer polishing apparatus is improved, and the process of replacing wafer polishing heads is no longer necessary, so it is possible to improve the efficiency of the polishing process.

また、本発明のウェーハ研磨用ヘッドによれば、第１の圧力調整機構は、ラバーチャック近傍の大気開放及びラバーチャック近傍からのエア吸引が可能であっても良い。このような構成の第１の圧力調整機構により、ラバーチャック近傍を、エア供給によって加圧して正圧に、大気開放によって大気圧に、及びエア吸引によって減圧して負圧に、調整することができる。これにより、ラバーチャック方式のチャック機構と剛体チャック方式のチャック機構を高精度に切り換えることができる。 Further, according to the wafer polishing head of the present invention, the first pressure adjustment mechanism may be capable of opening the vicinity of the rubber chuck to the atmosphere and sucking air from the vicinity of the rubber chuck. With the first pressure adjustment mechanism configured as described above, it is possible to adjust the vicinity of the rubber chuck to positive pressure by increasing pressure by air supply, to atmospheric pressure by opening to the atmosphere, and to reduce pressure to negative pressure by air suction. can. Thereby, it is possible to switch between the rubber chuck type chuck mechanism and the rigid body chuck type chuck mechanism with high precision.

本発明の実施形態に係るウェーハ研磨用ヘッドを備えたウェーハ研磨装置の概略構成を示す図である。1 is a diagram showing a schematic configuration of a wafer polishing apparatus equipped with a wafer polishing head according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係るウェーハ研磨用ヘッドの概略構成を示す断面略図である。1 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a wafer polishing head according to an embodiment of the present invention.

以下、本発明の実施形態に係るウェーハ研磨用ヘッド１を図面に基づき詳細に説明する。
図１は、本発明の実施形態に係るウェーハ研磨用ヘッド１を備えたウェーハ研磨装置の概略構成を示す図である。 Hereinafter, a wafer polishing head 1 according to an embodiment of the present invention will be described in detail based on the drawings.
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a wafer polishing apparatus including a wafer polishing head 1 according to an embodiment of the present invention.

図１を参照して、ウェーハ研磨用ヘッド１は、ウェーハ研磨装置に設けられて、ウェーハＷを研磨する工程において、ウェーハＷを吸着保持する装置である。ウェーハＷは、例えば、半導体ウェーハである。 Referring to FIG. 1, a wafer polishing head 1 is a device that is provided in a wafer polishing apparatus and holds a wafer W by suction during the process of polishing the wafer W. The wafer W is, for example, a semiconductor wafer.

ウェーハ研磨装置は、ウェーハＷを研磨する装置であり、回転自在な作業テーブル３０と、液体供給ノズル３３と、ウェーハ研磨用ヘッド１と、を有する。
作業テーブル３０は、定盤上に回転自在に設けられており、回転軸３２を介して図示しない駆動装置によって駆動され回転する。 The wafer polishing apparatus is a device for polishing a wafer W, and includes a rotatable work table 30, a liquid supply nozzle 33, and a wafer polishing head 1.
The work table 30 is rotatably provided on a surface plate, and is driven and rotated by a drive device (not shown) via a rotation shaft 32.

作業テーブル３０の上面部には、上載台が設けられており、その上載台の上面に、ウェーハＷを研磨する研磨布３１が載置される。上載台の上面に載置された研磨布３１は、例えば、図示しない減圧装置を利用して、上載台に真空吸着されても良い。 An upper stage is provided on the upper surface of the work table 30, and a polishing cloth 31 for polishing the wafer W is placed on the upper surface of the upper stage. The polishing cloth 31 placed on the upper surface of the upper table may be vacuum-adsorbed onto the upper table using, for example, a pressure reducing device (not shown).

作業テーブル３０の内部、上載台の下面側には、図示しないチャンバが形成されており、そのチャンバを図示しない減圧装置で減圧することにより、上載台の上面に載置された研磨布３１を吸着することができる。 A chamber (not shown) is formed inside the work table 30 and on the lower surface of the upper table, and by reducing the pressure in the chamber with a pressure reducing device (not shown), the polishing cloth 31 placed on the upper surface of the upper table is adsorbed. can do.

上載台としては、例えば、ポーラス酸化アルミナ、ポーラスセラミックス、焼結金属、その他合成樹脂のポーラス素材からなる板材が使用される。
研磨布３１は、ウェーハＷを研磨するための布材料である。研磨布３１としては、例えば、発泡ポリウレタンシート、フェルトが利用されても良い。 As the mounting table, for example, a plate made of a porous material such as porous alumina oxide, porous ceramics, sintered metal, or other synthetic resin is used.
The polishing cloth 31 is a cloth material for polishing the wafer W. As the polishing cloth 31, for example, a foamed polyurethane sheet or felt may be used.

液体供給ノズル３３は、研磨布３１、ウェーハＷ、ラバーチャック１０（図２参照）等に研磨用の液体を供給するためのノズルである。液体供給ノズル３３から吹き付けられる研磨用の液体としては、例えば、純水、アルカリ性水溶液、酸性水溶液が使用される。 The liquid supply nozzle 33 is a nozzle for supplying a polishing liquid to the polishing cloth 31, the wafer W, the rubber chuck 10 (see FIG. 2), and the like. As the polishing liquid sprayed from the liquid supply nozzle 33, for example, pure water, an alkaline aqueous solution, or an acidic aqueous solution is used.

ウェーハ研磨用ヘッド１は、加工対象のウェーハＷを保持して回転駆動する装置である。ウェーハ研磨用ヘッド１は、その下面にウェーハＷを保持した状態で、回転軸２７を介して図示しない駆動装置によって駆動され回転する。ウェーハＷは、その上面がウェーハ研磨用ヘッド１に保持されて回転し、下面が作業テーブル３０上で回転する研磨布３１の上面に押圧されて研磨される。以下、適宜、研磨面となるウェーハＷの下面を表面と、ウェーハＷの上面を裏面と、称する。 The wafer polishing head 1 is a device that holds and rotates a wafer W to be processed. The wafer polishing head 1 is driven and rotated by a drive device (not shown) via a rotating shaft 27 while holding a wafer W on its lower surface. The upper surface of the wafer W is held by the wafer polishing head 1 and rotated, and the lower surface of the wafer W is polished by being pressed against the upper surface of a polishing cloth 31 rotating on a work table 30. Hereinafter, the lower surface of the wafer W, which is the polished surface, will be referred to as the front surface, and the upper surface of the wafer W will be referred to as the back surface.

図２は、ウェーハ研磨用ヘッド１の概略構成を示す断面略図である。
図２を参照して、ウェーハ研磨用ヘッド１は、チャック機構として、ラバーチャック１０と、剛体チャック１１と、を備えている。 FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the general configuration of the wafer polishing head 1. As shown in FIG.
Referring to FIG. 2, the wafer polishing head 1 includes a rubber chuck 10 and a rigid chuck 11 as chuck mechanisms.

ウェーハ研磨用ヘッド１は、ラバーチャック方式のチャック機構としての機能を有すると共に、剛体チャック方式のチャック機構としての機能を有し、ラバーチャック方式と剛体チャック方式を切り換えて利用可能である。 The wafer polishing head 1 has a function as a chuck mechanism of a rubber chuck type and also a chuck mechanism of a rigid chuck type, and can be used by switching between the rubber chuck type and the rigid chuck type.

ラバーチャック１０は、合成ゴム材等の弾性体から形成された略円板状の部材である。ラバーチャック１０の外周部近傍は、チャック保持部材１２の外周部近傍の図示しない支持部に固定されている。 The rubber chuck 10 is a substantially disc-shaped member made of an elastic material such as a synthetic rubber material. The vicinity of the outer periphery of the rubber chuck 10 is fixed to a support portion (not shown) near the outer periphery of the chuck holding member 12 .

剛体チャック１１は、ポーラスセラミックス、ポーラス酸化アルミナ、焼結金属板、アルミニウム、その他合成樹脂等の剛体材料から形成された略円板状の部材である。剛体チャック１１は、ラバーチャック１０の上方に設けられ、剛体チャック１１の外周部近傍は、チャック保持部材１２の外周部近傍の図示しない支持部に保持されている。剛体チャックがポーラス体から形成されることにより、剛体チャック１０を介する高精度な空気圧調整が可能となり、ラバーチャック１０の上面を平坦状に硬く支持することができ、剛体チャック方式のウェーハ研磨用ヘッド１としての優れた機能を発揮することができる。 The rigid chuck 11 is a substantially disk-shaped member made of a rigid material such as porous ceramics, porous alumina oxide, sintered metal plate, aluminum, or other synthetic resin. The rigid chuck 11 is provided above the rubber chuck 10, and the vicinity of the outer periphery of the rigid chuck 11 is held by a support portion (not shown) of the chuck holding member 12 near the outer periphery. Since the rigid chuck is made of a porous body, it is possible to adjust the air pressure with high precision through the rigid chuck 10, and the upper surface of the rubber chuck 10 can be firmly supported in a flat manner. It is possible to demonstrate excellent functions as 1.

ウェーハ研磨用ヘッド１は、ラバーチャック１０近傍、例えば、ラバーチャック１０と剛体チャック１１との間にエア供給可能な第１の圧力調整機構２３を備えている。第１の圧力調整機構２３は、エア配管、エアバルブ等を有し、図示しない真空ポンプ、コンプレッサ等に接続されて、ラバーチャック１０の上面と剛体チャック１１の下面との間に空気を供給し、または、ラバーチャック１０の上面と剛体チャック１１の下面との間から空気を排出し、ラバーチャック１０と剛体チャック１１の間の圧力を調整する。 The wafer polishing head 1 includes a first pressure adjustment mechanism 23 that can supply air near the rubber chuck 10, for example, between the rubber chuck 10 and the rigid chuck 11. The first pressure adjustment mechanism 23 has air piping, an air valve, etc., is connected to a vacuum pump, compressor, etc. (not shown), and supplies air between the upper surface of the rubber chuck 10 and the lower surface of the rigid chuck 11, Alternatively, air is discharged from between the upper surface of the rubber chuck 10 and the lower surface of the rigid chuck 11 to adjust the pressure between the rubber chuck 10 and the rigid chuck 11.

ウェーハ研磨用ヘッド１は、剛体チャック１１近傍にエア供給可能な第２の圧力調整機構２４を備えている。第２の圧力調整機構２４は、例えば、チャック保持部材１２内部の剛体チャック１１の上方にエア供給可能に設けられている。第２の圧力調整機構２４は、剛体チャック１１上方の空気の圧力を調整するための機構である。 The wafer polishing head 1 includes a second pressure adjustment mechanism 24 near the rigid chuck 11 that can supply air. The second pressure adjustment mechanism 24 is provided, for example, above the rigid chuck 11 inside the chuck holding member 12 so as to be able to supply air. The second pressure adjustment mechanism 24 is a mechanism for adjusting the pressure of the air above the rigid chuck 11.

第２の圧力調整機構２４は、エア配管、エアバルブ等を有し、図示しないコンプレッサ等に接続される。第２の圧力調整機構２４は、剛体チャック１１の上面に空気を供給し、または、剛体チャック１１の上面から空気を排出し、剛体チャック１１の上方の圧力を調整する。 The second pressure adjustment mechanism 24 has air piping, an air valve, etc., and is connected to a compressor (not shown) or the like. The second pressure adjustment mechanism 24 supplies air to the upper surface of the rigid chuck 11 or exhausts air from the upper surface of the rigid chuck 11 to adjust the pressure above the rigid chuck 11.

チャック保持部材１２の上方には、チャックベース２６が設けられている。チャックベース２６は、チャック保持部材１２を支持する部材である。ウェーハＷ（図１参照）を研磨する工程において、チャックベース２６は、チャック保持部材１２に対して回転する駆動力を伝達する。また、チャックベース２６は、チャック保持部材１２の上面に当接して、ラバーチャック１０の下面をウェーハＷに接触させるよう、チャック保持部材１２を下方に押圧する。 A chuck base 26 is provided above the chuck holding member 12. The chuck base 26 is a member that supports the chuck holding member 12. In the process of polishing the wafer W (see FIG. 1), the chuck base 26 transmits a rotating driving force to the chuck holding member 12. Furthermore, the chuck base 26 contacts the upper surface of the chuck holding member 12 and presses the chuck holding member 12 downward so that the lower surface of the rubber chuck 10 comes into contact with the wafer W.

チャックベース２６の下部には、略円板状のドライブリング２８が設けられている。ドライブリング２８は、ばね鋼等から形成され、その表面はゴム部材で覆われている。ドライブリング２８の外周部近傍は、チャックベース２６に固定されており、ドライブリング２８の内周部近傍は、チャック保持部材１２の回転軸部に摺動自在に連結されている。 A substantially disc-shaped drive ring 28 is provided at the bottom of the chuck base 26. The drive ring 28 is made of spring steel or the like, and its surface is covered with a rubber member. The vicinity of the outer circumference of the drive ring 28 is fixed to the chuck base 26, and the vicinity of the inner circumference of the drive ring 28 is slidably connected to the rotating shaft of the chuck holding member 12.

チャックベース２６の上部には、回転軸２７が設けられている。ウェーハ研磨用ヘッド１は、図示しない駆動装置から回転軸２７を介して伝達される回転動力によって回転する。回転軸２７には、後述する第３の圧力調整機構２５を構成する中空部が形成されている。 A rotating shaft 27 is provided at the top of the chuck base 26 . The wafer polishing head 1 is rotated by rotational power transmitted via a rotation shaft 27 from a drive device (not shown). The rotary shaft 27 is formed with a hollow portion that constitutes a third pressure adjustment mechanism 25, which will be described later.

チャックベース２６の内部、ドライブリング２８の上方には、チャンバ２２となる空間が形成されている。回転軸２７の中空部は、チャンバ２２に連通しており、チャンバ２２の空気の圧力を調整するための第３の圧力調整機構２５を構成している。 A space serving as a chamber 22 is formed inside the chuck base 26 and above the drive ring 28 . The hollow portion of the rotating shaft 27 communicates with the chamber 22 and constitutes a third pressure adjustment mechanism 25 for adjusting the pressure of the air in the chamber 22.

第３の圧力調整機構２５は、図示しないエア配管、エアバルブ等を有し、コンプレッサ等に接続されて、チャンバ２２に空気を供給し、または、チャンバ２２から空気を排出し、チャンバ２２の圧力を調整する。 The third pressure adjustment mechanism 25 has air piping, an air valve, etc. (not shown), and is connected to a compressor or the like to supply air to the chamber 22 or exhaust air from the chamber 22 to adjust the pressure in the chamber 22. adjust.

次に、図１及び図２を参照して、ウェーハ研磨用ヘッド１の研磨加工に使用する際の態様について詳細に説明する。
先ず、ウェーハ研磨用ヘッド１をラバーチャック方式として機能させる際の態様について説明する。
ウェーハ研磨用ヘッド１をラバーチャック方式とする研磨工程において、ラバーチャック１０と剛体チャック１１の間は第１の圧力調整機構２３によるエア供給によって加圧され正圧に、剛体チャック１１の上方は第２の圧力調整機構２４によって大気開放され大気圧に、チャンバ２２は第３の圧力調整機構２５によるエア供給によって加圧され正圧に、調整される。 Next, with reference to FIGS. 1 and 2, the manner in which the wafer polishing head 1 is used for polishing processing will be described in detail.
First, the manner in which the wafer polishing head 1 functions as a rubber chuck system will be described.
In the polishing process in which the wafer polishing head 1 uses a rubber chuck system, the space between the rubber chuck 10 and the rigid chuck 11 is pressurized to positive pressure by air supply by the first pressure adjustment mechanism 23, and the space above the rigid chuck 11 is pressurized to a positive pressure. The second pressure adjustment mechanism 24 opens the chamber 22 to atmospheric pressure, and the third pressure adjustment mechanism 25 supplies air to pressurize the chamber 22 to positive pressure.

ラバーチャック１０と剛体チャック１１の間が正圧に、剛体チャック１１の上方が大気圧に、調整されることにより、剛体チャック１１によるラバーチャック１０への押圧が制限される。これにより、ラバーチャック１０の下面でウェーハを保持するラバーチャック方式のチャック機構を構成することができる。 By adjusting the pressure between the rubber chuck 10 and the rigid chuck 11 to positive pressure and the pressure above the rigid chuck 11 to atmospheric pressure, the pressure applied by the rigid chuck 11 to the rubber chuck 10 is restricted. Thereby, a rubber chuck type chuck mechanism that holds the wafer on the lower surface of the rubber chuck 10 can be configured.

チャックベース２６が駆動手段によって回転駆動され、上方から下方に向かって押圧されると、その回転駆動力及び押圧力は、正圧に調整されたチャンバ２２及びドライブリング２８を介してチャック保持部材１２の上部に伝達される。そして、回転駆動力及び押圧力は、チャック保持部材１２からラバーチャック１０に伝達される。これにより、ラバーチャック１０の下面でウェーハＷを保持し、ウェーハＷを研磨布３１の上面に押し当てて回転させる研磨加工を実行することができる。 When the chuck base 26 is rotationally driven by the driving means and pressed from above to below, the rotational driving force and pressing force are applied to the chuck holding member 12 via the chamber 22 and the drive ring 28 which are adjusted to positive pressure. transmitted to the top of the The rotational driving force and pressing force are then transmitted from the chuck holding member 12 to the rubber chuck 10. Thereby, the polishing process can be performed by holding the wafer W on the lower surface of the rubber chuck 10, pressing the wafer W against the upper surface of the polishing cloth 31, and rotating the wafer W.

ここで、ラバーチャック１０は弾性体からなり、ラバーチャック１０の弾性変形が剛体チャック１１の押圧によって制限されることはないので、ラバーチャック１０の下面はウェーハＷの上面、即ち裏面、の形状に合わせて変形可能である。これにより、ウェーハＷの下面、即ち表面、を基準とした表面基準研磨を実行可能なチャック機構が構成される。即ち、ウェーハＷの表面を基準として、表面を高精度に平坦化加工する表面基準研磨が実行され、優れた平坦度のウェーハＷが得られる。 Here, the rubber chuck 10 is made of an elastic body, and the elastic deformation of the rubber chuck 10 is not limited by the pressure of the rigid chuck 11, so the bottom surface of the rubber chuck 10 has the shape of the top surface of the wafer W, that is, the back surface. It can be modified accordingly. This constitutes a chuck mechanism that can perform surface-based polishing based on the lower surface, that is, the front surface, of the wafer W. That is, surface-based polishing is performed to planarize the surface with high precision using the surface of the wafer W as a reference, and a wafer W with excellent flatness is obtained.

次に、ウェーハ研磨用ヘッド１を剛体チャック方式として機能させる際の態様について詳細に説明する。
ウェーハ研磨用ヘッド１を剛体チャック方式として機能させる研磨工程においては、ラバーチャック１０と剛体チャック１１の間は第１の圧力調整機構２３によって大気開放され大気圧に、剛体チャック１１の上面は第２の圧力調整機構２４によって加圧され正圧に、チャンバ２２は第３の圧力調整機構２５によって加圧され正圧に、調整される。 Next, the manner in which the wafer polishing head 1 functions as a rigid chuck system will be described in detail.
In the polishing process in which the wafer polishing head 1 functions as a rigid chuck system, the space between the rubber chuck 10 and the rigid chuck 11 is opened to the atmosphere by the first pressure adjustment mechanism 23, and the upper surface of the rigid chuck 11 is exposed to the atmospheric pressure. The chamber 22 is pressurized to positive pressure by the third pressure adjustment mechanism 24, and the chamber 22 is pressurized to positive pressure by the third pressure adjustment mechanism 25.

ラバーチャック１０と剛体チャック１１の間が大気圧に、剛体チャック１１の上方が正圧に、調整されることにより、剛体チャック１１の下面はラバーチャック１０の上面に当接する。即ち、ラバーチャック１０の上面と剛体チャック１１の下面との間には間隙がなくなる。換言すれば、ラバーチャック１０は、その上面に当接する剛体からなる硬い剛体チャック１１によって保持された状態となる。 By adjusting the pressure between the rubber chuck 10 and the rigid chuck 11 to atmospheric pressure and the pressure above the rigid chuck 11 to positive pressure, the lower surface of the rigid chuck 11 comes into contact with the upper surface of the rubber chuck 10. That is, there is no gap between the upper surface of the rubber chuck 10 and the lower surface of the rigid chuck 11. In other words, the rubber chuck 10 is held by the hard rigid chuck 11 made of a rigid body that abuts the upper surface of the rubber chuck 10.

チャックベース２６が駆動手段によって回転駆動され、上方から下方に向かって押圧されると、その回転駆動力及び押圧力は、正圧に調整されたチャンバ２２及びドライブリング２８を介してチャック保持部材１２の上部に伝達される。そして、回転駆動力及び押圧力は、チャック保持部材１２から剛体チャック１１及びラバーチャック１０に伝達される。これにより、ラバーチャック１０の下面でウェーハＷを保持し、ウェーハＷの表面を研磨布３１の上面に押し当てて回転させる研磨加工を実行することができる。 When the chuck base 26 is rotationally driven by the driving means and pressed from above to below, the rotational driving force and pressing force are applied to the chuck holding member 12 via the chamber 22 and the drive ring 28 which are adjusted to positive pressure. transmitted to the top of the The rotational driving force and pressing force are transmitted from the chuck holding member 12 to the rigid chuck 11 and the rubber chuck 10. Thereby, the wafer W can be held on the lower surface of the rubber chuck 10, and the polishing process can be performed by pressing the surface of the wafer W against the upper surface of the polishing cloth 31 and rotating it.

ここで、ラバーチャック１０の上面は、剛体からなる剛体チャック１１の平坦な下面に当接して保持されているので、ラバーチャック１０の下面はウェーハＷの上面、即ち裏面、を押圧して平坦に保持することができる。これにより、ウェーハＷの裏面を基準とした裏面基準研磨を実行可能なチャック機構が構成される。よって、ウェーハＷの裏面を基準として、裏面を平坦に保持した裏面基準研磨が実行され、面粗さが優れたウェーハＷが得られる。 Here, since the upper surface of the rubber chuck 10 is held in contact with the flat lower surface of the rigid chuck 11 made of a rigid body, the lower surface of the rubber chuck 10 presses the upper surface, that is, the back surface, of the wafer W and flattens it. can be retained. This constitutes a chuck mechanism that can perform backside polishing based on the backside of the wafer W. Therefore, with the back surface of the wafer W as a reference, back surface reference polishing is performed in which the back surface is held flat, and a wafer W with excellent surface roughness is obtained.

次に、ウェーハ研磨用ヘッド１のウェーハ搬送工程における状態について詳細に説明する。
ウェーハ搬送工程においては、ラバーチャック１０と剛体チャック１１の間は第１の圧力調整機構２３のエア吸引によって減圧され負圧に、剛体チャック１１の上面は第２の圧力調整機構２４によって加圧され正圧に、チャンバ２２は第３の圧力調整機構２５によって大気開放され大気圧に、調整される。 Next, the state of the wafer polishing head 1 during the wafer transfer process will be described in detail.
In the wafer transfer process, the pressure between the rubber chuck 10 and the rigid chuck 11 is reduced to negative pressure by air suction by the first pressure adjustment mechanism 23, and the upper surface of the rigid chuck 11 is pressurized by the second pressure adjustment mechanism 24. The chamber 22 is opened to the atmosphere by the third pressure adjustment mechanism 25 and adjusted to atmospheric pressure.

ラバーチャック１０と剛体チャック１１の間が負圧に、剛体チャック１１の上面が正圧に、調整されることにより、剛体チャック１１の下面がラバーチャック１０の上面に当接した状態で保持される。即ち、ラバーチャック１０の上面と剛体チャック１１の下面との間には間隙がなくなる。換言すれば、ラバーチャック１０は、その上面に当接する剛体からなる剛体チャック１１に保持される。よって、ラバーチャック１０は、平坦な状態でウェーハＷを吸着することができる。 By adjusting the pressure between the rubber chuck 10 and the rigid chuck 11 to negative pressure and the upper surface of the rigid chuck 11 to positive pressure, the lower surface of the rigid chuck 11 is held in contact with the upper surface of the rubber chuck 10. . That is, there is no gap between the upper surface of the rubber chuck 10 and the lower surface of the rigid chuck 11. In other words, the rubber chuck 10 is held by a rigid chuck 11 made of a rigid body that abuts the upper surface of the rubber chuck 10. Therefore, the rubber chuck 10 can adsorb the wafer W in a flat state.

チャック保持部材１２の図示しない回転軸部の上部周縁近傍には、搬送工程においてチャック保持部材１２を支持するための図示しない支持部が形成されている。その支持部は、例えば、半径方向に突出する略環状の形態をなす。また、チャックベース２６の内部には、チャック保持部材１２の支持部に当接してチャック保持部材１２を支える、例えば、略環状の図示しない支持部材が設けられている。 A support portion (not shown) for supporting the chuck holding member 12 during the conveyance process is formed near the upper periphery of the rotating shaft portion (not shown) of the chuck holding member 12 . The support portion has, for example, a substantially annular shape that projects in the radial direction. Further, inside the chuck base 26, a substantially annular supporting member (not shown), for example, is provided which contacts the support portion of the chuck holding member 12 and supports the chuck holding member 12.

搬送工程において、図示しない駆動装置によってチャックベース２６が持ち上げられると、チャックベース２６の支持部材がチャック保持部材１２の支持部に当接して、チャック保持部材１２が持ち上げられる。これにより、ラバーチャック１０は、下面にウェーハＷを吸着した状態で上昇し、ウェーハＷは、ラバーチャック１０に吸着された状態で研磨布３１から離間して搬送される。 In the conveyance process, when the chuck base 26 is lifted by a drive device (not shown), the support member of the chuck base 26 comes into contact with the support part of the chuck holding member 12, and the chuck holding member 12 is lifted. As a result, the rubber chuck 10 rises with the wafer W adsorbed on its lower surface, and the wafer W is transported away from the polishing cloth 31 while being adsorbed on the rubber chuck 10.

前述のとおり、搬送時において、ラバーチャック１０の上面には剛体からなる剛体チャック１１が当接している。これによりラバーチャック１０は、変形が抑えられて、平坦な状態で薄いウェーハＷを吸着して搬送することができる。 As described above, during transportation, the rigid chuck 11 made of a rigid body is in contact with the upper surface of the rubber chuck 10. As a result, the rubber chuck 10 can suppress deformation and can adsorb and transport the thin wafer W in a flat state.

以上説明の如く、本実施形態に係るウェーハ研磨用ヘッド１によれば、チャック機構として弾性体からなるラバーチャック１０と剛体からなる硬い剛体チャック１１とを備え、ラバーチャック１０の上面と剛体チャック１１の下面との間にエア供給可能な第１の圧力調整機構２３と、剛体チャック１１の上面にエア供給可能な第２の圧力調整機構２４と、を有し、第１の圧力調整機構２３によるエア供給と第２の圧力調整機構２４によるエア供給を切り換えることにより加工方法の切り換えが可能である。 As described above, the wafer polishing head 1 according to the present embodiment includes the rubber chuck 10 made of an elastic body and the hard rigid chuck 11 made of a rigid body as a chuck mechanism, and the upper surface of the rubber chuck 10 and the rigid chuck 11 The first pressure adjustment mechanism 23 is capable of supplying air between the lower surface of the rigid chuck 11 and the second pressure adjustment mechanism 24 that is capable of supplying air to the upper surface of the rigid chuck 11. By switching between the air supply and the air supply by the second pressure adjustment mechanism 24, it is possible to switch the processing method.

このような構成により、ウェーハ研磨用ヘッド１は、ラバーチャック１０によるラバーチャック方式のチャック機構としての機能と、剛体チャック１１による剛体チャック方式のチャック機構としての機能と、を兼ね備え、その２つの機能を調整可能である。 With this configuration, the wafer polishing head 1 has both the function of a rubber chuck type chuck mechanism using the rubber chuck 10 and the function of a rigid body chuck type chuck mechanism using the rigid chuck 11. is adjustable.

これにより、ラバーチャック方式専用のウェーハ研磨用ヘッドと、剛体チャック方式専用のウェーハ研磨用ヘッドと、を別々に設ける必要がなくなり、１つのウェーハ研磨用ヘッド１を設ければ良いので、ウェーハ研磨用ヘッドの種類を減らすことができ、ウェーハ研磨装置の生産性を向上させることができる。また、ラバーチャック方式専用のウェーハ研磨用ヘッドと、剛体チャック方式専用のウェーハ研磨用ヘッドと、を交換するプロセスがなくなるので、研磨プロセスの効率化を図ることができる。 As a result, there is no need to separately provide a wafer polishing head dedicated to the rubber chuck method and a wafer polishing head dedicated to the rigid chuck method, and it is sufficient to provide one wafer polishing head 1. The number of types of heads can be reduced, and the productivity of the wafer polishing apparatus can be improved. Further, since there is no need to replace the wafer polishing head dedicated to the rubber chuck method and the wafer polishing head dedicated to the rigid chuck method, the efficiency of the polishing process can be improved.

例えば、ウェーハ研磨用ヘッド１を交換することなく、ラバーチャック１０の上面と剛体チャック１１の下面との間を正圧、剛体チャック１１の上面を大気圧にした状態で表面基準研磨のチャック機構が構成され、ラバーチャック１０の上面と剛体チャック１１の下面との間を大気圧、剛体チャック１１の上面を正圧にした状態で裏面基準研磨のチャック機構が構成される。また、ラバーチャック１０の上面と剛体チャック１１の下面との間を負圧にし、剛体チャック１１の上面を正圧にした状態でウェーハ搬送機能が構成される。これにより、表面基準研磨用、裏面基準研磨用及びウェーハ搬送用のウェーハ研磨用ヘッドを別々に準備することなく、１つのウェーハ研磨用ヘッド１で表面基準研磨、裏面基準研磨及びウェーハ搬送を実行することができる。 For example, without replacing the wafer polishing head 1, the chuck mechanism for surface-based polishing can be performed with positive pressure applied between the top surface of the rubber chuck 10 and the bottom surface of the rigid chuck 11, and atmospheric pressure applied to the top surface of the rigid chuck 11. A chuck mechanism for back surface reference polishing is constructed in a state where atmospheric pressure is applied between the upper surface of the rubber chuck 10 and the lower surface of the rigid chuck 11, and positive pressure is applied to the upper surface of the rigid chuck 11. Further, the wafer transfer function is configured with a negative pressure applied between the upper surface of the rubber chuck 10 and the lower surface of the rigid chuck 11, and a positive pressure applied to the upper surface of the rigid chuck 11. As a result, front surface reference polishing, back surface reference polishing, and wafer transfer can be performed with one wafer polishing head 1, without separately preparing wafer polishing heads for front surface reference polishing, back surface reference polishing, and wafer transfer. be able to.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更実施が可能である。 Note that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various other modifications can be made without departing from the gist of the present invention.

１ウェーハ研磨用ヘッド
１０ラバーチャック
１１剛体チャック
１２チャック保持部材
２２チャンバ
２３第１の圧力調整機構
２４第２の圧力調整機構
２５第３の圧力調整機構
２６チャックベース
２７回転軸
２８ドライブリング
３０作業テーブル
３１研磨布
３２回転軸
３３液体供給ノズル
Ｗウェーハ 1 Wafer polishing head 10 Rubber chuck 11 Rigid chuck 12 Chuck holding member 22 Chamber 23 First pressure adjustment mechanism 24 Second pressure adjustment mechanism 25 Third pressure adjustment mechanism 26 Chuck base 27 Rotation shaft 28 Drive ring 30 Work table 31 Polishing cloth 32 Rotating shaft 33 Liquid supply nozzle W Wafer

Claims

a chuck mechanism including a rubber chuck made of an elastic body and a rigid chuck made of a rigid body;
a first pressure adjustment mechanism capable of supplying air near the rubber chuck;
a second pressure adjustment mechanism capable of supplying air near the rigid chuck;
The rubber chuck pushes the wafer to be processed with its bottom surface,
The rigid chuck has a lower surface that can come into contact with an upper surface of the rubber chuck,
A chuck holding member is provided above the rigid chuck, and has a support portion for holding an outer peripheral portion of the rigid chuck, and covers an upper surface of the rigid chuck.
The first pressure adjustment mechanism is capable of supplying air between the upper surface of the rubber chuck and the lower surface of the rigid chuck,
The second pressure adjustment mechanism is capable of supplying air between the lower surface of the chuck holding member and the upper surface of the rigid chuck,
A wafer polishing head characterized in that processing methods can be switched by switching between air supply by the first pressure adjustment mechanism and air supply by the second pressure adjustment mechanism.

The wafer polishing head according to claim 1 , wherein the rigid chuck is formed from a porous body.

The chuck mechanism for surface-based polishing is configured with air supplied by the first pressure adjustment mechanism,
3. The wafer polishing head according to claim 1, wherein the chuck mechanism for back surface reference polishing is configured in a state where air is supplied by the second pressure adjustment mechanism.

The wafer according to any one of claims 1 to 3 , wherein the first pressure adjustment mechanism is capable of opening the vicinity of the rubber chuck to the atmosphere and sucking air from the vicinity of the rubber chuck. Polishing head.