JP7221578B2 - 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法 - Google Patents
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Description
1.(A)エポキシ基及び/又はフェノール性ヒドロキシ基を有するシリコーン樹脂、
(B)下記式(B)で表されるアルキルフェノールノボラック樹脂、及び
(C)光酸発生剤
を含む感光性樹脂組成物。
2.(A)シリコーン樹脂が、下記式(A)で表されるものである1の感光性樹脂組成物。
3.(A)シリコーン樹脂が、下記式(a1)~(a4)及び(b1)~(b4)で表される繰り返し単位を含むものである2の感光性樹脂組成物。
4.(B)成分のアルキルフェノールノボラック樹脂の含有量が、(A)成分100質量部に対し、3~100質量部である1~3のいずれかの感光性樹脂組成物。
5.更に、(D)架橋剤を含む1~4のいずれかの感光性樹脂組成物。
6.(D)架橋剤が、1分子中に平均して2個以上のメチロール基及び/又はアルコキシメチル基を含む、メラミン化合物、グアナミン化合物、グリコールウリル化合物及びウレア化合物から選ばれる含窒素化合物、ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド-アルコールにより変性されたアミノ縮合物、1分子中に平均して2個以上のメチロール基又はアルコキシメチル基を有するフェノール化合物、並びに1分子中に平均して2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれる少なくとも1種である5の感光性樹脂組成物。
7.更に、(E)溶剤を含む1~6のいずれかの感光性樹脂組成物。
8.1~7のいずれかの感光性樹脂組成物から得られる感光性樹脂皮膜。
9.支持フィルムと、該支持フィルム上に8の感光性樹脂皮膜とを備える感光性ドライフィルム。
10.(i)1~7のいずれかの感光性樹脂組成物を用いて基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
(ii)前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、及び
(iii)前記露光した感光性樹脂皮膜を、現像液を用いて現像してパターンを形成する工程
を含むパターン形成方法。
11.(i')9の感光性ドライフィルムを用いて基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
(ii)前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、及び
(iii)前記露光した感光性樹脂皮膜を、現像液を用いて現像してパターンを形成する工程
を含むパターン形成方法。
12.更に、(iv)現像によりパターン形成された感光性樹脂皮膜を、100~250℃の温度で後硬化する工程を含む10又は11のパターン形成方法。
13.電気・電子部品保護用皮膜の材料である1~7のいずれかの感光性樹脂組成物。
14.2つの基板を接着するための基板接着用皮膜の材料である1~7のいずれかの感光性樹脂組成物。
本発明の感光性樹脂組成物は、(A)エポキシ基及び/又はフェノール性ヒドロキシ基を有するシリコーン樹脂、(B)アルキルフェノールノボラック樹脂及び(C)光酸発生剤を含むものである。
(A)成分のシリコーン樹脂は、分子中にエポキシ基、フェノール性ヒドロキシ基又はその両方を含むものである。このようなシリコーン樹脂としては、特に限定されないが、下記式(A)で表されるものが好ましい。
(A)成分のシリコーン樹脂は、下記式(1)で表される化合物と、下記式(2)で表される化合物と、下記式(3)で表される化合物、下記式(4)で表される化合物及び下記式(5)で表される化合物から選ばれる少なくとも1種と、必要に応じて下記式(6)で表される化合物とを、金属触媒存在下、付加重合させることにより製造することができる。
(C)成分の光酸発生剤は、光照射によって分解し、酸を発生するものであれば特に限定されないが、波長190~500nmの光によって分解し、酸を発生するものが好ましい。前記光酸発生剤は、硬化触媒となる。本発明の感光性樹脂組成物は、光酸発生剤の相溶性が優れるため、幅広い光酸発生剤を使用することができる。
本発明の感光性樹脂組成物は、更に、(D)成分として架橋剤を含むことが好ましい。前記架橋剤は、前述した(A)成分中のフェノール性ヒドロキシ基、あるいはR13、R14、R23又はR24で表される飽和ヒドロカルビルオキシ基と縮合反応を起こし、パターンの形成を容易になし得るための成分であるとともに、硬化物の強度を更に上げるものである。
本発明の感光性樹脂組成物は、更に、(E)成分として溶剤を含んでもよい。前記溶剤としては、(A)~(D)成分や、後述する各種添加剤が溶解可能な溶剤であれば特に限定されないが、これら成分の溶解性に優れていることから有機溶剤が好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物は、前述した各成分以外に、その他の添加剤を含んでもよい。その他の添加剤としては、例えば、塗布性を向上させるために慣用されている界面活性剤が挙げられる。
本発明の感光性樹脂組成物を用いるパターン形成方法は、
(i)本発明の感光性樹脂組成物を用いて基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
(ii)前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、及び
(iii)前記露光した感光性樹脂皮膜を、現像液を用いて現像してパターンを形成する工程
を含むものである。
本発明の感光性樹脂組成物は、2つの基板を接着するための接着剤としても使用できる。基板の接着方法としては、熱及び圧力の好適な条件下で、2つの基板間に接着性結合が形成されるように、本発明の組成物で皮膜を形成した基板を第2の基板と接着させる方法が挙げられる。皮膜を形成した基板及び第2の基板のいずれか一方又は両方が、ダイシング加工等によりチップ化されることもある。接着条件として、加熱温度は50~200℃、1~60分間とすることが好ましい。接着装置として、ウエハボンダ装置を使用し、荷重を加えながら減圧下でのウエハ同士の貼り付け、あるいはフリップチップボンダ装置を用いたチップ-ウエハ又はチップ-チップ接着を行うこともできる。基板間に形成された接着層は、後述する後硬化処理により結合力が高まり、永久接着となる。
本発明の感光性ドライフィルムは、支持フィルムと、該支持フィルム上に前記感光性樹脂組成物から得られる感光性樹脂皮膜とを備えるものである。
本発明の感光性ドライフィルムを用いるパターン形成方法は、
(i')本発明の感光性ドライフィルムを用いて基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
(ii)前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、及び
(iii)前記露光した感光性樹脂皮膜を、現像液を用いて現像してパターンを形成する工程
を含むものである。
[合成例1]
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコに、化合物(S-6)215.0g(0.5モル)を加えた後、トルエン2,000gを加え、70℃に加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5質量%)1.0gを投入し、化合物(S-4)67.9g(0.35モル)及び化合物(S-5)(y1=40、信越化学工業(株)製)453.0g(0.15モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計/アルケニル基の合計=1/1(モル比))。滴下終了後、100℃まで加熱し、6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去し、樹脂1を得た。樹脂1は、1H-NMR(Bluker製)により、繰り返し単位a1、a2、b1及びb2を含むものであることを確認した。樹脂1のMwは62,000、シリコーン含有率は61.6質量%であった。
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコに、化合物(S-2)53.00g(0.20モル)及び化合物(S-1)117.6g(0.30モル)を加えた後、トルエン2,000gを加え、70℃に加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5質量%)1.0gを投入し、化合物(S-4)48.5g(0.25モル)及び化合物(S-5)(y1=40、信越化学工業(株)製)755.0g(0.25モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計/アルケニル基の合計=1/1(モル比))。滴下終了後、100℃まで加熱し、6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去し、樹脂2を得た。樹脂2は、1H-NMR(Bluker製)により、繰り返し単位a1、a3、a4、b1、b3及びb4を含むものであることを確認した。樹脂2のMwは83,000、シリコーン含有率は77.5質量%であった。
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコに、化合物(S-3)27.9g(0.15モル)、化合物(S-1)19.6g(0.05モル)及び化合物(S-6)129.0g(0.30モル)を加えた後、トルエン2,000gを加え、70℃に加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5質量%)1.0gを投入し、化合物(S-4)87.3g(0.45モル)及び化合物(S-5)(y1=20、信越化学工業(株)製)79.3g(0.05モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計/アルケニル基の合計=1/1(モル比))。滴下終了後、100℃まで加熱し、6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去し、樹脂3を得た。樹脂3は、1H-NMR(Bluker製)により、繰り返し単位a1、a2、a4、b1、b2及びb4を含むものであることを確認した。樹脂3のMwは24,000、シリコーン含有率は31.2質量%であった。
[実施例1~9及び比較例1~12]
表1及び2に記載の配合量に従って各成分を配合し、その後常温で攪拌して溶解した後、テフロン(登録商標)製1.0μmフィルターで精密濾過を行い、実施例1~9及び比較例1~12の感光性樹脂組成物を調製した。
フィルムコーターとしてダイコーター、支持フィルムとしてポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ38μm)を用いて、表1及び2に記載した感光性樹脂組成物をそれぞれ前記支持フィルム上に塗布した。次いで、100℃に設定された熱風循環オーブン(長さ4m)を5分間で通過させることにより乾燥し、支持フィルム上に感光性樹脂皮膜を形成し、感光性ドライフィルムを得た。前記感光性樹脂皮膜の上から、保護フィルムとしてのポリエチレンフィルム(厚さ50μm)をラミネートロールで圧力1MPaにて貼り合わせ、保護フィルム付き感光性ドライフィルムを作製した。各感光性樹脂皮膜の膜厚は100μmとした(感光性樹脂皮膜の膜厚は光干渉式厚膜測定機により測定した)。
(1)パターン形成及びその評価
前記保護フィルム付き感光性ドライフィルムは、保護フィルムを剥離し、真空ラミネーターTEAM-100RF((株)タカトリ製)を用いて、真空チャンバー内の真空度を80Paに設定し、支持フィルム上の感光性樹脂皮膜をマイグレーション試験用基板(導電材料が銅、導電部間隔及び導電部幅が20μm、導電部厚み4μmの櫛形電極基板)に密着させた。温度条件は110℃とした。常圧に戻した後、前記基板を真空ラミネーターから取り出し、支持フィルムを剥離した。次に、基板との密着性を高めるため、ホットプレートにより130℃で5分間予備加熱を行った。得られた感光性樹脂皮膜に対してラインアンドスペースパターン及びコンタクトホールパターンを形成するためにマスクを介し、405nmの露光条件でコンタクトアライナ型露光装置を使用して露光した。光照射後、ホットプレートにより120℃で5分間PEBを行った後冷却し、前記基板をPGMEAにて300秒間スプレー現像を行い、パターンを形成した。
感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂皮膜の絶縁破壊強さを評価するため、表1及び2に記載した各感光性樹脂組成物を13cm×15cm、厚さ0.7mmの鉄板上にバーコーターにて塗布し、200℃のオーブンで2時間加熱して、感光性樹脂皮膜を得た。感光性樹脂組成物は、得られる皮膜の膜厚が0.2μmとなるよう塗布した。この感光性樹脂皮膜を使用して、絶縁破壊試験機TM-5031AM(多摩電測(株)製)により、昇電圧速度5V/秒で電圧をかけ始め、試験体が破壊したときの電圧を測定し、皮膜の絶縁破壊強さとした。
前述したパターン形成した硬化後の実施例1~9及び比較例1~12の感光性樹脂フィルム付きウエハをダイシングブレードを備えるダイシングソー(DAD685、DISCO社製、スピンドル回転数は40,000rpm、切断速度は20mm/sec)を使用して10mm×10mm角の試験片を得た。得られた試験片(各10片づつ)をヒートサイクル試験(-25℃で10分間保持、125℃で10分間保持を2,000サイクル繰り返した。)に供し、ヒートサイクル試験後の樹脂フィルムのウエハからの剥離状態、クラックの有無を確認した。全く剥離・クラックを生じなかったものを良好、1つでも剥離を生じたものを剥離、1つでもクラックが生じたものをクラックとした。なお、剥離とクラックの有無の確認方法としては、光学顕微鏡によるトップダウン観察および断面SEM観察により実施した。
前述した信頼性評価で作製した試験片の試験前質量を測定し、その後、試験片を200℃に加熱したオーブンに1,000時間放置した後、試験片をオーブンから取り出し、試験後質量を測定した。試験前後の質量変化率が1.0%未満だった場合を良好、試験前後の質量変化率が1.0%以上だった場合を不良として判定した。なお、質量変化率の計算は((試験前のサンプル重量)-(試験後のサンプル重量))/(試験前のサンプル重量)で実施した。
Claims (13)
- (A)下記式(A)で表されるエポキシ基及び/又はフェノール性ヒドロキシ基を有するシリコーン樹脂、
(B)下記式(B)で表されるアルキルフェノールノボラック樹脂、及び
(C)光酸発生剤
を含む感光性樹脂組成物。
- (A)シリコーン樹脂が、下記式(a1)~(a4)及び(b1)~(b4)で表される繰り返し単位を含むものである請求項1記載の感光性樹脂組成物。
- (B)成分のアルキルフェノールノボラック樹脂の含有量が、(A)成分100質量部に対し、3~100質量部である請求項1又は2記載の感光性樹脂組成物。
- 更に、(D)架橋剤を含む請求項1~3のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物。
- (D)架橋剤が、1分子中に平均して2個以上のメチロール基及び/又はアルコキシメチル基を含む、メラミン化合物、グアナミン化合物、グリコールウリル化合物及びウレア化合物から選ばれる含窒素化合物、ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド-アルコールにより変性されたアミノ縮合物、1分子中に平均して2個以上のメチロール基又はアルコキシメチル基を有するフェノール化合物、並びに1分子中に平均して2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれる少なくとも1種である請求項4記載の感光性樹脂組成物。
- 更に、(E)溶剤を含む請求項1~5のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物。
- 請求項1~6のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物から得られる感光性樹脂皮膜。
- 支持フィルムと、該支持フィルム上に請求項7記載の感光性樹脂皮膜とを備える感光性ドライフィルム。
- (i)請求項1~6のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物を用いて基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
(ii)前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、及び
(iii)前記露光した感光性樹脂皮膜を、現像液を用いて現像してパターンを形成する工程
を含むパターン形成方法。 - (i')請求項8記載の感光性ドライフィルムを用いて基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
(ii)前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、及び
(iii)前記露光した感光性樹脂皮膜を、現像液を用いて現像してパターンを形成する工程
を含むパターン形成方法。 - 更に、(iv)現像によりパターン形成された感光性樹脂皮膜を、100~250℃の温度で後硬化する工程を含む請求項9又は10記載のパターン形成方法。
- 電気・電子部品保護用皮膜の材料である請求項1~6のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物。
- 2つの基板を接着するための基板接着用皮膜の材料である請求項1~6のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物。
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Citations (3)
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---|---|---|---|---|
JP2001022055A (ja) | 1999-07-09 | 2001-01-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性平版印刷版 |
JP2007122029A (ja) | 2005-09-28 | 2007-05-17 | Toray Ind Inc | 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US3159601A (en) | 1962-07-02 | 1964-12-01 | Gen Electric | Platinum-olefin complex catalyzed addition of hydrogen- and alkenyl-substituted siloxanes |
US3159662A (en) | 1962-07-02 | 1964-12-01 | Gen Electric | Addition reaction |
US3220972A (en) | 1962-07-02 | 1965-11-30 | Gen Electric | Organosilicon process using a chloroplatinic acid reaction product as the catalyst |
US3775452A (en) | 1971-04-28 | 1973-11-27 | Gen Electric | Platinum complexes of unsaturated siloxanes and platinum containing organopolysiloxanes |
JPS5984238A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性組成物 |
JPH04253059A (ja) * | 1991-01-10 | 1992-09-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 電離放射線感応ネガ型レジスト |
JP3767676B2 (ja) | 2000-09-12 | 2006-04-19 | 信越化学工業株式会社 | オルガノシロキサン系高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板保護用皮膜 |
JP4336999B2 (ja) | 2007-01-31 | 2009-09-30 | 信越化学工業株式会社 | シルフェニレン骨格含有高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板回路保護用皮膜 |
JP5920229B2 (ja) * | 2013-01-23 | 2016-05-18 | 信越化学工業株式会社 | 光硬化性樹脂組成物、光硬化性ドライフィルム、パターン形成方法、及び電気・電子部品保護用皮膜 |
JP6571585B2 (ja) * | 2015-06-08 | 2019-09-04 | 信越化学工業株式会社 | 半導体装置、積層型半導体装置、封止後積層型半導体装置、及びこれらの製造方法 |
JP6502754B2 (ja) * | 2015-06-08 | 2019-04-17 | 信越化学工業株式会社 | 光硬化性樹脂組成物及びこれを用いた光硬化性ドライフィルム |
JP6620714B2 (ja) * | 2016-10-14 | 2019-12-18 | 信越化学工業株式会社 | フィルム材料及びパターン形成方法 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001022055A (ja) | 1999-07-09 | 2001-01-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性平版印刷版 |
JP2007122029A (ja) | 2005-09-28 | 2007-05-17 | Toray Ind Inc | 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子 |
WO2010119647A1 (ja) | 2009-04-14 | 2010-10-21 | 住友ベークライト株式会社 | 感光性樹脂組成物、接着フィルムおよび受光装置 |
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