JP7203959B2 - 両面露光のアライメント装置、方法、及び設備 - Google Patents
両面露光のアライメント装置、方法、及び設備 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7203959B2 JP7203959B2 JP2021513258A JP2021513258A JP7203959B2 JP 7203959 B2 JP7203959 B2 JP 7203959B2 JP 2021513258 A JP2021513258 A JP 2021513258A JP 2021513258 A JP2021513258 A JP 2021513258A JP 7203959 B2 JP7203959 B2 JP 7203959B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- marking
- sample
- exposed
- mark
- marks
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
- G03F7/2032—Simultaneous exposure of the front side and the backside
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2053—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a laser
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/708—Mark formation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
位置決めマークと、マーキングマークと、位置取得手段とを備え、
位置決めマークは、マーキングマークの位置をリアルタイムで決定することによって、マーキングマークの位置に基づいて、被露光試料の露光パターンの位置を決定し、
マーキングマークは、被露光試料にマーキングを施し、
位置取得手段は、位置決めマークの位置情報をリアルタイムで取得する。
被露光試料を載置するための試料載置手段と、マーキングマークによって被露光試料にマーキングを施すためのマーキング手段とをさらに備え、
マーキングマークが試料載置手段に位置する。
被露光試料の一方の面を露光することと、
マーキングマークによって被露光試料の他方の面にマーキングを施すことと、
位置決めマークの位置情報をリアルタイムで取得することと、
リアルタイムで取得された位置決めマークの位置情報に基づいて、マーキングマークの位置情報を決定することと、
マーキングマークの位置情報に基づいて、試料の他方の面をアライメント露光することと、を含む。
被露光試料の一方の面を露光する際の位置決めマークの位置情報をリアルタイムで取得するとともに、取得した位置決めマークの位置情報に基づいて、被露光試料の一方の面に中間マークを露光することであって、中間マークは、その位置する面の露光パターンの位置を決定する、中間マークを露光することをさらに含む。
被露光試料のサイズに応じて少なくとも2つのマーキングマークを選択することと、
選択されたマーキングマークに対応する位置決めマークを覆うことなく、被露光試料でマーキングマークを覆うことと、をさらに含む。
マーキングマークの位置情報に基づいて、被露光試料の他方の面の露光パターンの位置をリアルタイムで決定することと、
リアルタイムで決定した被露光試料の他方の面の露光パターンの位置に基づいて、被露光試料の他方の面を露光することと、を含む。
位置決めマークと、マーキングマークと、位置取得手段とを備え、各被露光試料の露光前に、被露光試料のサイズに応じて適切なマーキングマークを選択し、選択されたマーキングマークに対応する位置決めマークの位置情報を位置取得手段により取得して、マーキングマークの位置情報を取得することによって、該被露光試料の露光時のマーキングマークの位置の所定位置に対する変化量を決定し、該変化量に基づいて、所定の被露光試料の他方の面の露光パターンの位置をリアルタイムで調整する両面露光のアライメント装置を提供することにより、従来技術では、マーキングマークをリアルタイムで位置決めすることができないために、露光時にアライメントずれが生じるという問題を解決し、被露光試料の両面のアライメント精度を向上させる。位置決めマークとマーキングマークとの距離が20mm未満であるか、及び/又は変形防止材を介して接続されることにより、位置決めマークとマーキングマークとの露光中の相対位置の変化量が、被露光試料の露光時に要求されるアライメント精度に応じて設定された所定値よりも小さいことを確保し、被露光試料の両面のアライメント精度を向上させる。各被露光試料の露光前に、位置取得手段により位置決めマークの位置情報を取得して、マーキングマークの位置情報を取得することによって、該被露光試料の露光時のマーキングマークの位置の所定位置に対する変化量を決定し、該変化量に基づいて、所定の被露光試料の他方の面の露光パターンの位置をリアルタイムで調整して、被露光試料の両面のアライメント精度を向上させる。
23×4×0.85=78.2μm(長さ)、23×4×0.65=59.8μm(幅)であり、
即ち、チャック本体は、温度変化が±2℃である場合に、幅方向で59.8μm、長さ方向で78.2μm変化した。温度の変化に伴って表裏両面の位置合わせ精度が変わり、10μmの基準を遥かに超えている。
位置決めマーク11と、マーキングマーク12と、位置取得手段13とを備え、
位置決めマーク11は、マーキングマーク12の位置をリアルタイムで決定することによって、マーキングマーク12の位置に基づいて、被露光試料の露光パターンの位置を決定し、
マーキングマーク12は、被露光試料にマーキングを施し、
位置取得手段13は、位置決めマークの位置情報をリアルタイムで取得する。
位置決めマーク11と、マーキングマーク12と、位置取得手段13と、試料載置手段14と、マーキング手段15とを備え、
位置決めマーク11は、マーキングマーク12の位置をリアルタイムで決定することによって、マーキングマーク12の位置に基づいて、被露光試料の露光パターンの位置を決定し、
マーキングマーク12は、被露光試料にマーキングを施し、
位置取得手段13は、位置決めマークの位置情報をリアルタイムで取得し、
位置決めマーク11とマーキングマーク12との相対位置の変化量が、被露光試料の両面露光を行う際に要求されるアライメント精度に応じて設定された所定値よりも小さく、位置決めマーク11とマーキングマーク12との距離が20mm未満であるか、及び/又は変形防止材を介して接続されており、
試料載置手段14は、被露光試料を載置し、マーキング手段15は、マーキングマーク12によって被露光試料にマーキングを施し、
マーキングマーク12が試料載置手段14に位置する。
例えば、PCBの表裏両面のアライメント精度が10μm以内であるように要求される場合に、該所定値を2μmにし、該位置決めマークが載置用チャックに位置する位置決め孔である場合に、該位置決め孔とマーキング孔との距離を20mm未満にし、PCBの露光に際して、載置用チャックの材質であるアルミニウム合金の熱膨張係数が23μm/℃.mであり、露光中の温度変化の範囲が±2℃であると、該位置決め孔とマーキング孔との相対位置の変化量が23×4×0.02=1.8μm<2μmとなり、そして、アルミニウム合金の局部的な剛性が全体的な剛性よりも大きいため、位置決め孔とマーキング孔との距離が小さい場合に、真空による影響が無視できるほど小さくなり、実際に測定したところ、該位置決め孔とマーキング孔との相対位置の変化量が、所定値の2μm未満である基準を満たす。
例えば、システムに記録されたマーキング孔の初期キャリブレーション位置を
とし、位置決めマークの初期キャリブレーション位置を
とし、あるPCBを露光する際に、位置決めマークのリアルタイム位置を
とし、CCDカメラが取得した位置決めマークのシステムに記録された初期位置に対する位置変化が、
であり、
位置決めマークとマーキング孔との相対位置の変化量を無視することができるので、マーキング孔の位置変化が、
でもあり、
マーキング孔のB面におけるマーキング位置の理論値を
とし、
回路板を上下反転させた場合に、PCBの高さをHとし、PCBの底辺Xの座標を
とし、
上述したマーキング孔のB面におけるマーキング位置の理論値に基づいて、マーキング孔のB面における所望の位置
を得、
反転させた後のB面で実際に捕捉したマーキング孔の位置が
であり、
アライメント結果が
であり、
露光パターンのA面での位置
をY軸ミラー反転させて
を得、
即ちB面でのパターンの位置が
である。
位置決めマーク11と、マーキングマーク12と、位置取得手段13と、試料載置手段14と、マーキング手段15とを備え、
位置決めマーク11は、マーキングマーク12の位置をリアルタイムで決定することによって、マーキングマーク12の位置に基づいて、被露光試料の露光パターンの位置を決定し、
マーキングマーク12は、被露光試料にマーキングを施し、
位置取得手段13は、位置決めマークの位置情報をリアルタイムで取得し、
位置決めマーク11とマーキングマーク12との相対位置の変化量が、被露光試料の両面露光を行う際に要求されるアライメント精度に応じて設定された所定値よりも小さく、位置決めマーク11とマーキングマーク12との距離が20mm未満であるか、及び/又は変形防止材を介して接続されており、
試料載置手段14は、被露光試料を載置し、マーキング手段15は、マーキングマーク12によって被露光試料にマーキングを施し、
マーキングマーク12が試料載置手段14に位置する。
具体的には、PCBが載置用チャックに載置された場合に、405nmレーザー光源がPCBの光源方向に向かう面にマーキングを施すように、マーキング孔を覆うとともに、CCDカメラが位置決めマークの位置情報を取得するように、位置決めマークを覆わないことを確保し、該位置決めマークは、載置用チャックに位置する位置決め孔であってもよいし、該位置決め孔とマーキング孔との距離が20mm未満であり、マーキング孔と変形防止材を介して接続されるマーカであってもよく、作業中の位置決めマークとマーキング孔との相対位置の変化量が、PCBの両面露光を行う際に要求されるアライメント精度に応じて設定された所定値よりも小さいことを満たすだけでよい。
例えば、PCBの表裏両面のアライメント精度が10μm以内であるように要求される場合に、該所定値を2μmにし、該位置決めマークが載置用チャックに位置する位置決め孔である場合に、該位置決め孔とマーキング孔との距離を20mm未満にし、PCBの露光に際して、載置用チャックの材質であるアルミニウム合金の熱膨張係数が23μm/℃.mであり、露光中の温度変化の範囲が±2℃であると、該位置決め孔とマーキング孔との相対位置の変化量が23×4×0.02=1.8μm<2μmとなり、そして、アルミニウム合金の局部的な剛性が全体的な剛性よりも大きいため、位置決め孔とマーキング孔との距離が小さい場合に、真空による影響が無視できるほど小さくなり、実際に測定したところ、該位置決め孔とマーキング孔との相対位置の変化量が、所定値の2μm未満である基準を満たす。
例えば、システムに記録されたマーキング孔の初期キャリブレーション位置を
とし、位置決めマークの初期キャリブレーション位置を
とし、あるPCBを露光する際に、位置決めマークのリアルタイム位置を
とし、CCDカメラが取得した位置決めマークのシステムに記録された初期位置に対する位置変化が、
であり、
位置決めマークとマーキング孔との相対位置の変化量を無視することができるので、マーキング孔の位置変化が、
でもあり、
マーキング孔のB面におけるマーキング位置の理論値を
とし、
回路板を上下反転させた場合に、PCBの高さをHとし、PCBの底辺Xの座標を
とし、
上述したマーキング孔のB面におけるマーキング位置の理論値に基づいて、マーキング孔のB面における所望の位置
を得、
反転させた後のB面で実際に捕捉したマーキング孔の位置が
であり、
アライメント結果が
であり、
露光パターンのA面での位置
をY軸ミラー反転させて
を得、
即ちB面でのパターンの位置が
である。
位置決めマーク11と、マーキングマーク12と、位置取得手段13と、試料載置手段14と、マーキング手段15と、露光設備16とを備え、
位置決めマーク11は、マーキングマーク12の位置をリアルタイムで決定することによって、マーキングマーク12の位置に基づいて、被露光試料の露光パターンの位置を決定し、
マーキングマーク12は、被露光試料にマーキングを施し、
位置取得手段13は、位置決めマークの位置情報をリアルタイムで取得し、
露光設備16は、被露光試料を露光し、
位置決めマーク11とマーキングマーク12との相対位置の変化量が、被露光試料の両面露光を行う際に要求されるアライメント精度に応じて設定された所定値よりも小さく、位置決めマーク11とマーキングマーク12との距離が20mm未満であるか、及び/又は変形防止材を介して接続されており、
試料載置手段14は、被露光試料を載置し、マーキング手段15は、マーキングマーク12によって被露光試料にマーキングを施し、
マーキングマーク12が試料載置手段14に位置する。
例えば、PCBの表裏両面のアライメント精度が10μm以内であるように要求される場合に、該所定値を2μmにし、該位置決めマークが載置用チャックに位置する位置決め孔である場合に、該位置決め孔とマーキング孔との距離を20mm未満にし、PCBの露光に際して、載置用チャックの材質であるアルミニウム合金の熱膨張係数が23μm/℃.mであり、露光中の温度変化の範囲が±2℃であると、該位置決め孔とマーキング孔との相対位置の変化量が23×4×0.02=1.8μm<2μmとなり、そして、アルミニウム合金の局部的な剛性が全体的な剛性よりも大きいため、位置決め孔とマーキング孔との距離が小さい場合に、真空による影響が無視できるほど小さくなり、実際に測定したところ、該位置決め孔とマーキング孔との相対位置の変化量が、所定値の2μm未満である基準を満たす。
例えば、システムに記録されたマーキング孔の初期キャリブレーション位置を
とし、位置決めマークの初期キャリブレーション位置を
とし、あるPCBを露光する際に、位置決めマークのリアルタイム位置を
とし、CCDカメラが取得した位置決めマークのシステムに記録された初期位置に対する位置変化が、
であり、
位置決めマークとマーキング孔との相対位置の変化量を無視することができるので、マーキング孔の位置変化が、
でもあり、
マーキング孔のB面におけるマーキング位置の理論値を
とし、
回路板を上下反転させた場合に、PCBの高さをHとし、PCBの底辺Xの座標を
とし、
上述したマーキング孔のB面におけるマーキング位置の理論値に基づいて、マーキング孔のB面における所望の位置
を得、
反転させた後のB面で実際に捕捉したマーキング孔の位置が
であり、
アライメント結果が
であり、
露光パターンのA面での位置
をY軸ミラー反転させて
を得、
即ちB面でのパターンの位置が
である。
例えば、システムに記録されたマーキング孔の初期キャリブレーション位置を
とし、位置決めマークの初期キャリブレーション位置を
とし、あるPCBを露光する際に、位置決めマークのリアルタイム位置を
とし、CCDカメラが取得した位置決めマークのシステムに記録された初期位置に対する位置変化が、
であり、
位置決めマークとマーキング孔との相対位置の変化量を無視することができるので、マーキング孔の位置変化が、
でもあり、
マーキング孔のB面におけるマーキング位置の理論値を
とし、
露光設備16はA面に、マーキング位置の理論値
を用いて、中間マークである位置決めマーク21を露光し、位置決めマーク21が被露光基板のA面の露光時のパターン位置を決定するためのものであり、
回路板を上下反転させた場合に、PCBの高さをHとし、PCBの底辺Xの座標を
とし、
上述したマーキング孔のB面におけるマーキング位置の理論値に基づいて、マーキング孔のB面における所望の位置
を得、
反転させた後のB面で実際に捕捉したマーキング孔の位置が
であり、
アライメント結果が
であり、
露光パターンのA面での位置
をY軸ミラー反転させて
を得、
即ちB面でのパターンの位置が
である。
Claims (10)
- 両面露光のアライメント装置であって、
位置決めマークと、
マーキングマークと、
位置取得手段と
不透明な被露光試料を載置するための試料載置手段と、
を備え、
前記マーキングマークが前記試料載置手段に位置し、かつ前記被露光試料に覆われる位置にあり、
前記位置決めマークが前記試料載置手段に位置し、かつ前記被露光試料に覆われない位置にあり、
前記位置決めマークと前記マーキングマークとの距離が20mm未満であるか、及び/又は変形防止材を介して接続されており、
前記位置決めマークは、前記マーキングマークの位置をリアルタイムで決定するために使用されるものであり、
前記マーキングマークは、前記被露光試料にマーキングを施すために使用されるものであり、
前記位置取得手段は、前記位置決めマークの位置情報をリアルタイムで取得するためのものであり、
前記位置取得手段が前記位置決めマークの位置情報を取得し、
前記位置決めマークの位置情報に基づいて、前記被露光試料の一方の面をアライメントして露光し、
前記被露光試料の他方の面を露光するとき、前記位置取得手段が前記位置決めマークの位置情報をリアルタイムで取得し、リアルタイムで取得された前記位置決めマークの位置情報に基づいて、前記マーキングマークの位置情報を決定し、
前記マーキングマークの位置情報に基づいて、前記被露光試料の他方の面の露光パターンの位置を決定して、アライメントして露光し、
前記試料載置手段はアルミニウム合金材料である、または前記変形防止材は熱膨張係数の小さい材料である、
ことを特徴とする、両面露光のアライメント装置。 - 前記位置決めマークと前記マーキングマークとの相対位置の変化量が、前記被露光試料の両面露光を行う際に要求されるアライメント精度に応じて設定された所定値よりも小さいことを特徴とする、請求項1に記載の装置。
- 前記マーキングマークを介して前記被露光試料にマーキングを施すためのマーキング手段とをさらに備えることを特徴とする、請求項1に記載の装置。
- 前記マーキングマークが前記試料載置手段の縁辺部に位置することを特徴とする、請求項1~3のいずれか一項に記載の装置。
- 両面露光のアライメント装置に適用される両面露光のアライメントの方法であって、
試料載置手段に位置し、かつ不透明な被露光試料に覆われない位置にある位置決めマークの位置情報を取得することと、
前記位置決めマークの位置情報に基づいて、前記被露光試料の一方の面をアライメントして露光することと、
前記被露光試料の他方の面を露光するとき、前記位置決めマークの位置情報をリアルタイムで取得することと、
リアルタイムで取得された前記位置決めマークの位置情報に基づいて、前記試料載置手段に位置し、かつ前記被露光試料に覆われる位置にあるマーキングマークの位置情報を決定することと、
前記マーキングマークの位置情報に基づいて、前記被露光試料の他方の面をアライメントして露光することと
を含み、
前記位置決めマークと前記マーキングマークとの距離が20mm未満であるか、及び/又は変形防止材を介して接続されており、
前記試料載置手段はアルミニウム合金材料である、または前記変形防止材は熱膨張係数の小さい材料である、
ことを特徴とする、両面露光のアライメントの方法。 - 前記被露光試料の一方の面を露光する前に、
被露光試料の一方の面を露光する際の位置決めマークの位置情報をリアルタイムで取得するとともに、取得した位置決めマークの位置情報に基づいて、被露光試料の一方の面に中間マークを露光することであって、当該中間マークは、その位置する面の露光パターンの位置を決定する、中間マークを露光することをさらに含むことを特徴とする、請求項5に記載の方法。 - 前記マーキングマークを介して前記被露光試料の他方の面にマーキングを施す前に、
前記被露光試料のサイズに応じて少なくとも2つのマーキングマークを選択することと、
選択されたマーキングマークに対応する位置決めマークを覆うことなく、前記被露光試料で前記マーキングマークを覆うことと
をさらに含むことを特徴とする、請求項6に記載の方法。 - 前記マーキングマークの位置情報に基づいて、被露光試料の他方の面をアライメント露光することが、
前記マーキングマークの位置情報に基づいて、前記被露光試料の他方の面の露光パターンの位置をリアルタイムで決定することと、
リアルタイムで決定した前記被露光試料の他方の面の露光パターンの位置に基づいて前記被露光試料の他方の面を露光することと
を含むことを特徴とする、請求項7に記載の方法。 - 前記マーキングマークを介して前記被露光試料の他方の面にマーキングを施すこと、を含むことを特徴とする請求項5から8のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項1から4のいずれか一項に記載の両面露光のアライメント装置を備えることを特徴とする、露光設備。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2018/121967 WO2020124406A1 (zh) | 2018-12-19 | 2018-12-19 | 一种双面曝光的对准装置、方法及设备 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022511304A JP2022511304A (ja) | 2022-01-31 |
JP7203959B2 true JP7203959B2 (ja) | 2023-01-13 |
Family
ID=71102342
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021513258A Active JP7203959B2 (ja) | 2018-12-19 | 2018-12-19 | 両面露光のアライメント装置、方法、及び設備 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7203959B2 (ja) |
KR (1) | KR102667209B1 (ja) |
SG (1) | SG11202106554WA (ja) |
WO (1) | WO2020124406A1 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000250232A (ja) | 1999-02-25 | 2000-09-14 | Ono Sokki Co Ltd | パターン形成装置 |
JP2013213853A (ja) | 2012-03-30 | 2013-10-17 | Fujifilm Corp | 露光描画装置、プログラム及び露光描画方法 |
JP2016048273A (ja) | 2014-08-27 | 2016-04-07 | 株式会社オーク製作所 | 描画装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4053723B2 (ja) * | 2000-09-27 | 2008-02-27 | 株式会社東芝 | 露光用マスクの製造方法 |
JP2003149825A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-05-21 | Hitachi Ltd | 平面型表示装置の製造方法 |
CN102681360A (zh) * | 2012-04-24 | 2012-09-19 | 合肥芯硕半导体有限公司 | 激光成像系统中实现电路板两面曝光图形对准的对位方法 |
CN102890428A (zh) * | 2012-09-18 | 2013-01-23 | 天津芯硕精密机械有限公司 | 一种实现pcb板两面曝光图形对准的方法 |
CN103529660A (zh) * | 2013-10-29 | 2014-01-22 | 天津芯硕精密机械有限公司 | 一种多光路曝光设备的内层对位装置 |
CN206348594U (zh) * | 2016-12-31 | 2017-07-21 | 合肥芯碁微电子装备有限公司 | 一种直写光刻系统中用于内层电路板对位的打标装置 |
CN206557530U (zh) * | 2017-01-24 | 2017-10-13 | 苏州微影激光技术有限公司 | 一种曝光内层板的对位标定装置及应用其的曝光机 |
-
2018
- 2018-12-19 WO PCT/CN2018/121967 patent/WO2020124406A1/zh active Application Filing
- 2018-12-19 SG SG11202106554WA patent/SG11202106554WA/en unknown
- 2018-12-19 JP JP2021513258A patent/JP7203959B2/ja active Active
- 2018-12-19 KR KR1020217014949A patent/KR102667209B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000250232A (ja) | 1999-02-25 | 2000-09-14 | Ono Sokki Co Ltd | パターン形成装置 |
JP2013213853A (ja) | 2012-03-30 | 2013-10-17 | Fujifilm Corp | 露光描画装置、プログラム及び露光描画方法 |
JP2016048273A (ja) | 2014-08-27 | 2016-04-07 | 株式会社オーク製作所 | 描画装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102667209B1 (ko) | 2024-05-17 |
KR20210076114A (ko) | 2021-06-23 |
SG11202106554WA (en) | 2021-07-29 |
JP2022511304A (ja) | 2022-01-31 |
WO2020124406A1 (zh) | 2020-06-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI447536B (zh) | 微影設備及商品之製造方法 | |
TWI379175B (en) | Optical alignment system for photolithography and method of optical aligning substrate therewith | |
TWI645267B (zh) | Optical measuring device and method | |
JP3500124B2 (ja) | 電気的な構成群の製作装置に設けられた保持装置の移動距離及び/又は角度位置を校正するための方法及び装置並びに校正基板 | |
US20170060000A1 (en) | Distortion detection method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
JP2010191162A (ja) | レチクルの製造方法、面形状計測装置、及びコンピュータ。 | |
JPS5814757B2 (ja) | ゾウノセイゴウホウホウ オヨビ ソノソウチ | |
JP7203959B2 (ja) | 両面露光のアライメント装置、方法、及び設備 | |
CN113467194B (zh) | 环境温度补偿方法、对位装置以及直写成像光刻设备 | |
CN109613803B (zh) | 一种双面曝光的对准装置、方法及设备 | |
JP3983278B2 (ja) | 露光方法および露光装置 | |
JP2022007538A5 (ja) | ||
TWI717668B (zh) | 一種雙面曝光的對準裝置、方法及設備 | |
JP2020140069A (ja) | 露光装置およびアライメント方法 | |
TW202234175A (zh) | 檢測裝置、檢測方法、程式、微影裝置、及物品製造方法 | |
JP2006292426A (ja) | 座標測定方法及び寸法測定方法 | |
JPH0829458B2 (ja) | 部品の自動マウント方法 | |
JP2005197338A (ja) | 位置合わせ方法及び処理装置 | |
JP3422602B2 (ja) | 印刷機の見当合せ装置 | |
TW201946790A (zh) | 板處理裝置及板處理方法 | |
CN217360551U (zh) | 一种双面光刻的光刻系统 | |
JP4631497B2 (ja) | 近接露光装置 | |
JP2006267191A (ja) | 露光装置 | |
JPH0478126A (ja) | 自動焦点検出装置 | |
KR102384120B1 (ko) | 실시간 정렬이 가능한 미세패턴 롤 제작시스템, 및 이를 이용한 미세패턴 롤 제작방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220412 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220601 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220830 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221102 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221213 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221227 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7203959 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |