JP7244691B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、表示装置に関する。

湾曲可能な表示パネルが開発されている（特許文献１）。このような表示パネルでは、樹脂基板が使用され、不純物をバリアするために樹脂基板には無機膜が積層されている。また、有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、水分の影響を受けやすいため、表示素子が封止膜で覆われるようになっている（特許文献２）。水分のバリア性を向上させるために、有機膜の上下が一対の無機膜で挟まれた構造の封止膜が知られている。封止膜の周縁では、一対の無機膜が接触している。封止膜には、外光反射を防止するために偏光板が貼り付けられる（特許文献３）。

特開２０１７－２１１４２０号公報 特開２０１３－１０５１４４号公報 特開２０１７－１５２２５２号公報

表示パネルの周縁では、無機膜にクラックが入ると水分が侵入するおそれがある。そのため、表示パネルの周縁では無機膜を除去することが望ましい。無機膜の除去で、周縁には段差が形成される。例えば、表示パネルのサイズより大きい偏光板を貼り付けて、これを最終的にレーザーカットすると、偏光板の下に気泡が発生し、偏光板が剥離しやすくなる。

本発明は、偏光板の剥離を防止することを目的とする。

表示装置は、樹脂基板と、前記樹脂基板上のバリア無機膜と、前記バリア無機膜上の回路層と、前記回路層上の有機層と、前記有機層上の表示素子層と、前記表示素子層を覆う封止層と、前記封止層上に粘着層を介して配置した偏光板と、を備えた表示装置であって、前記表示装置は、平面視で、表示領域と前記表示領域の外側の端部領域とを有し、前記封止層は、前記表示領域において、封止有機膜と前記封止有機膜を上下で挟む一対の封止無機膜を有し、前記バリア無機膜の端部及び前記一対の封止無機膜の端部は前記端部領域を避けて配置され、前記有機層は前記端部領域で樹脂基板と前記粘着層の間に位置することを特徴とする。

表示装置は、樹脂基板と、画像表示のための表示素子層及び前記表示素子層を覆う封止層を含むように前記樹脂基板に積層された複数層と、前記複数層の第１層及び第２層に、粘着層を介して、貼り付けられた偏光板と、を含み、前記複数層は、複数の無機膜及び複数の有機膜を含み、前記複数の無機膜は、全て、前記樹脂基板の周縁部の少なくとも一部である端部領域を避けて設けられ、前記偏光板は、前記樹脂基板の前記端部領域の上方に位置する端部を有し、前記第１層は、前記樹脂基板の前記端部領域を避けて設けられ、前記端部領域に向けて低くなるように傾斜した上面を端部に有し、前記第２層は、前記樹脂基板の前記端部領域で、前記樹脂基板と前記粘着層の間に介在する部分を有していてもよい。

複数の無機膜は、全て、樹脂基板の端部領域を避けて設けられていれば、端部領域で、樹脂基板と粘着層の間に第２層が介在するので、段差を小さくして、偏光板の剥離を防止することができる。

本発明の第１の実施形態に係る表示装置の平面図である。 図１に示す表示装置のII－II線断面図である。 図１に示す表示装置の回路図である。 図１に示す表示装置のIV－IV線断面図である。 図１に示す表示装置のＶ－Ｖ線断面図である。 図１に示す表示装置のVI－VI線断面図である。 第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図である。 本発明の第２の実施形態に係る表示装置の平面図である。 図８に示す表示装置のIX－IX線断面図である。 図８に示す表示装置のＸ－Ｘ線断面図である。 図８に示す表示装置のXI－XI線断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る表示装置の断面図である。 本発明の第４の実施形態に係る表示装置の平面図である。 図１３に示す表示装置のXIV－XIV線断面図である。 図１３に示す表示装置のXV－XV線断面図である。 図１３に示す表示装置のXVI－XVI線断面図である。 図１３に示す表示装置のXVII－XVII線断面図である。 表示装置の使用状態を示す概略図である。 図１８に示す表示装置のXIX－XIX線断面の概略図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。

さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。

［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の平面図である。なお、表示装置は、実際には、折り曲げて使用する。したがって、図１は、表示装置を折り曲げる前の展開図である。図１８は、表示装置の使用状態を示す概略図である。図１９は、図１８に示す表示装置のXIX－XIX線断面の概略図である。表示装置は、ディスプレイ１００を含む。屈曲の内側にはスペーサ１０２が配置されて、ディスプレイ１００の曲がりすぎを防いでいる。ディスプレイ１００は、可撓性を有し、表示領域ＤＡの外側で折り曲げられている。ディスプレイ１００には、表示領域ＤＡの外側で、第１フレキシブルプリント基板ＦＰ１が接続されている。第１フレキシブルプリント基板ＦＰ１には、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップＣＰが搭載されている。さらに、第１フレキシブルプリント基板ＦＰ１には第２フレキシブルプリント基板ＦＰ２が接続されている。

表示装置は、例えば、有機エレクトロルミネセンス表示装置である。表示装置は、画像が表示される表示領域を有する。表示領域では、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像が表示される。

図２は、図１に示す表示装置のII－II線断面図である。樹脂基板１０は、ポリイミドからなる。ただし、シートディスプレイ又はフレキシブルディスプレイを構成するために十分な可撓性を有する基材であれば他の樹脂材料を用いてもよい。樹脂基板１０の裏面には、感圧接着剤１２を介して、補強フィルム１４が貼り付けられている。

樹脂基板１０上に、バリア無機膜１６（アンダーコート層）が積層されている。バリア無機膜１６は、シリコン酸化膜１６ａ、シリコン窒化膜１６ｂ及びシリコン酸化膜１６ｃの三層積層構造である。最下層のシリコン酸化膜１６ａは、樹脂基板１０との密着性向上のため、中層のシリコン窒化膜１６ｂは、外部からの水分及び不純物のブロック膜として、最上層のシリコン酸化膜１６ｃは、シリコン窒化膜１６ｂ中に含有する水素原子が薄膜トランジスタＴＲの半導体層１８側に拡散しないようにするブロック膜として、それぞれ設けられるが、特にこの構造に限定するものではなく、さらに積層があってもよいし、単層あるいは二層積層であってもよい。

薄膜トランジスタＴＲを形成する箇所に合わせて付加膜２０を形成してもよい。付加膜２０は、チャネル裏面からの光の侵入等による薄膜トランジスタＴＲの特性の変化を抑制したり、導電材料で形成して所定の電位を与えることで、薄膜トランジスタＴＲにバックゲート効果を与えたりすることができる。ここでは、シリコン酸化膜１６ａを形成した後、薄膜トランジスタＴＲが形成される箇所に合わせて付加膜２０を島状に形成し、その後シリコン窒化膜１６ｂ及びシリコン酸化膜１６ｃを積層することで、バリア無機膜１６に付加膜２０を封入するように形成しているが、この限りではなく、樹脂基板１０上にまず付加膜２０を形成し、その後にバリア無機膜１６を形成してもよい。

バリア無機膜１６上に薄膜トランジスタＴＲが形成されている。ポリシリコン薄膜トランジスタを例に挙げて、ここではＮｃｈトランジスタのみを示しているが、Ｐｃｈトランジスタを同時に形成してもよい。薄膜トランジスタＴＲの半導体層１８は、チャネル領域とソース・ドレイン領域との間に、低濃度不純物領域を設けた構造を採る。ゲート絶縁膜２２としてはここではシリコン酸化膜を用いる。ゲート電極２４は、ＭｏＷから形成された第１配線層Ｗ１の一部である。第１配線層Ｗ１は、ゲート電極２４に加え、第１保持容量線ＣＬ１を有する。第１保持容量線ＣＬ１と半導体層１８（ソース・ドレイン領域）との間で、ゲート絶縁膜２２を介して、保持容量Ｃｓの一部が形成される。

ゲート電極２４の上に、層間絶縁膜２６（シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜）が積層されている。層間絶縁膜２６の上に、ソース・ドレイン電極２８となる部分を含む第２配線層Ｗ２が形成されている。ここでは、Ｔｉ、Ａｌ及びＴｉの三層積層構造を採用する。層間絶縁膜２６を介して、第１保持容量線ＣＬ１（第１配線層Ｗ１の一部）と第２保持容量線ＣＬ２（第２配線層Ｗ２の一部）とで、保持容量Ｃｓの他の一部が形成される。

ソース・ドレイン電極２８を覆うように平坦化有機膜３２が設けられている。平坦化有機膜３２は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等により形成される無機絶縁材料に比べ、表面の平坦性に優れることから、感光性アクリル等の樹脂が用いられる。樹脂基板１０と平坦化有機膜３２との間にある積層された無機膜は、回路層３４を構成する。回路層３４は、画像を表示するための表示素子層３０に接続される。

平坦化有機膜３２は、画素コンタクト部３６では除去されて、その上に酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）膜３８が形成されている。酸化インジウムスズ膜３８は、相互に分離された第１透明導電膜３８ａ及び第２透明導電膜３８ｂを含む。

平坦化有機膜３２の除去により表面が露出した第２配線層Ｗ２は、第１透明導電膜３８ａにて被覆される。第１透明導電膜３８ａを被覆するように、平坦化有機膜３２の上にシリコン窒化膜４０が設けられている。シリコン窒化膜４０は、画素コンタクト部３６に開口を有し、この開口を介してソース・ドレイン電極２８に導通するように画素電極４２が積層されている。画素電極４２は、反射電極として形成され、酸化インジウム亜鉛膜、Ａｇ膜、酸化インジウム亜鉛膜の三層積層構造になっている。ここで、酸化インジウム亜鉛膜に代わって酸化インジウムスズ膜を用いてもよい。画素電極４２は、画素コンタクト部３６から側方に拡がり、薄膜トランジスタＴＲの上方に至る。

第２透明導電膜３８ｂは、画素コンタクト部３６に隣接して、画素電極４２の下方（さらにシリコン窒化膜４０の下方）に設けられている。第２透明導電膜３８ｂ、シリコン窒化膜４０及び画素電極４２は重なっており、これらによって付加容量Ｃadが形成される。

平坦化有機膜３２の上であって例えば画素コンタクト部３６の上方に、バンク（リブ）と呼ばれて隣同士の画素領域の隔壁となる絶縁有機膜４４が形成されている。絶縁有機膜４４としては平坦化有機膜３２と同じく感光性アクリル等が用いられる。絶縁有機膜４４は、画素電極４２の表面を発光領域として露出するように開口され、その開口端はなだらかなテーパー形状となるのが好ましい。開口端が急峻な形状になっていると、その上に形成される有機エレクトロルミネセンス層４６のカバレッジ不良を生ずる。

平坦化有機膜３２と絶縁有機膜４４は、両者間にあるシリコン窒化膜４０に設けた開口を通じて接触している。これにより、絶縁有機膜４４の形成後の熱処理等を通じて、平坦化有機膜３２から脱離する水分や脱ガスを、絶縁有機膜４４を通じて引き抜くことができる。

画素電極４２の上に、有機材料からなる有機エレクトロルミネセンス層４６が積層されている。有機エレクトロルミネセンス層４６は、単層であってもよいが、画素電極４２側から順に、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層が積層された構造であってもよい。これらの層は、蒸着によって形成してもよいし、溶媒分散の上での塗布によって形成してもよく、画素電極４２（各サブ画素）に対して選択的に形成してもよいし、表示領域ＤＡを覆う全面にベタ形成されてもよい。ベタ形成の場合は、全サブ画素において白色光を得て、カラーフィルタ（図示せず）によって所望の色波長部分を取り出す構成になる。

有機エレクトロルミネセンス層４６の上に、対向電極４８が設けられている。ここでは、トップエミッション構造としているため、対向電極４８は透明である。例えば、Ｍｇ層及びＡｇ層を、有機エレクトロルミネセンス層４６からの出射光が透過する程度の薄膜として形成する。前述の有機エレクトロルミネセンス層４６の形成順序に従うと、画素電極４２が陽極となり、対向電極４８が陰極となる。複数の画素電極４２と、対向電極４８と、複数の画素電極４２のそれぞれの中央部と対向電極４８の間に介在する有機エレクトロルミネセンス層４６と、で表示素子層３０が構成される。

対向電極４８の上に、封止層５０が形成されている。封止層５０は、先に形成した有機エレクトロルミネセンス層４６を、外部からの水分侵入を防止することを機能の一としており、高いガスバリア性が要求される。封止層５０は、封止有機膜５０ｂ及びこれを上下で挟む一対の封止無機膜５０ａ，５０ｃ（例えばシリコン窒化膜）の積層構造になっている。一対の封止無機膜５０ａ，５０ｃは、封止有機膜５０ｂの周囲で、接触して重なる（図４参照）。封止無機膜５０ａ，５０ｃと封止有機膜５０ｂとの間には、密着性向上を目的の一として、シリコン酸化膜やアモルファスシリコン層を設けてもよい。封止層５０には、補強有機膜５２が積層されている。補強有機膜５２には、粘着層５４を介して、偏光板５６が貼り付けられている。偏光板５６は、例えば円偏光板である。

図３は、図１に示す表示装置の回路図である。回路は、走査回路ＧＤに接続される複数の走査線ＧＬと、信号駆動回路ＳＤに接続される複数の信号線ＤＬを有する。図１に示す集積回路チップＣＰ内に信号駆動回路ＳＤが配置されている。隣接する２つの走査線ＧＬと隣接する２つの信号線ＤＬとで囲まれる領域が１つの画素ＰＸである。画素ＰＸは、駆動トランジスタとしての薄膜トランジスタＴＲ及びスイッチとしての薄膜トランジスタＴＲ２と保持容量ＣＳと付加容量Ｃadを含む。走査線ＧＬにゲート電圧が印加されることにより、薄膜トランジスタＴＲ２がＯＮ状態となり、信号線ＤＬから映像信号が供給され、保持容量ＣＳおよび付加容量Ｃadに電荷が蓄積される。保持容量ＣＳに電荷が蓄積されることにより、薄膜トランジスタＴＲがＯＮ状態となり、電源線ＰＷＬから発光素子ＯＤに電流が流れる。この電流により発光素子ＯＤが発光する。

図４は、図１に示す表示装置のIV－IV線断面図である。樹脂基板１０には複数層が積層されている。複数層のそれぞれは、有機膜又は無機膜である。上述した画像表示のための表示素子層３０（図２）は複数層に含まれ、封止層５０も複数層に含まれ、封止有機膜５０ｂ及び封止無機膜５０ａ，５０ｃもそれぞれ複数層の１つである。

複数層に含まれる全ての無機膜は、樹脂基板１０の周縁部の少なくとも一部（図１に示す表示領域ＤＡの外側）である端部領域ＥＡを避けて設けられており、周縁部の全体を避けていてもよい。図４において、バリア無機膜１６は回路層３４に含まれて一体となっている。回路層３４は、図４に示すように、端部領域ＥＡに隣接する端部３４Ｅを有する。

複数層は、第１層Ｌ１を含む。上述した補強有機膜５２が第１層Ｌ１である。第１層Ｌ１（補強有機膜５２）は、樹脂基板１０の端部領域ＥＡを避けて設けられているが、図１に示す表示領域ＤＡの全体を覆う。第１層Ｌ１は、表示領域ＤＡの外側で、図４に示すように、端部領域ＥＡに向けて低くなるように傾斜した上面を端部に有する。第１層Ｌ１は、一対の封止無機膜５０ａ，５０ｃと先端が一致している。これは、第１層Ｌ１（補強有機膜５２）が一対の封止無機膜５０ａ，５０ｃのエッチングマスクとして使用され、その後、除去されずに残されたことによる。絶縁有機膜４４も端部領域ＥＡを避けて設けられている。

複数層は、第２層Ｌ２を含む。上述した平坦化有機膜３２が第２層Ｌ２である。第２層Ｌ２（平坦化有機膜３２）は、図２に示すように回路層３４に積層して、断続的に端部領域ＥＡに至る。第２層Ｌ２は、樹脂基板１０の周縁部の全体を覆っていてもよい。第２層Ｌ２は、樹脂基板１０の端部領域ＥＡと外縁が一致している。第２層Ｌ２は、回路層３４の端部に重なる。第２層Ｌ２は、一対の封止無機膜５０ａ，５０ｃの端部に重なる。形成順序に起因して、一対の封止無機膜５０ａ，５０ｃの端部が第２層Ｌ２の端部の上にある。一対の封止無機膜５０ａ，５０ｃの端部の上には、第１層Ｌ１の端部がある。つまり、第２層Ｌ２は、第１層Ｌ１の端部にも重なる。第２層Ｌ２の一部は、樹脂基板１０の端部領域ＥＡで、樹脂基板１０と粘着層５４の間に介在する。

偏光板５６は、粘着層５４を介して、第１層Ｌ１及び第２層Ｌ２に貼り付けられている。偏光板５６は、樹脂基板１０の端部領域ＥＡの上方に位置する端部を有する。偏光板５６は、樹脂基板１０の端部領域ＥＡと外縁が一致している。

本実施形態によれば、複数の無機膜は、全て、樹脂基板１０の端部領域ＥＡを避けて設けられている。端部領域ＥＡで、樹脂基板１０と粘着層５４の間に第２層Ｌ２が介在するので、段差を小さくして、偏光板５６の剥離を防止することができる。

図５は、図１に示す表示装置のＶ－Ｖ線断面図である。図６は、図１に示す表示装置のVI－VI線断面図である。樹脂基板１０は、屈曲して使用するための屈曲用領域ＢＡを有する。屈曲のために、屈曲用領域ＢＡには無機膜を設けない。回路層３４も屈曲用領域ＢＡを避けている。感圧接着剤１２及び補強フィルム１４も、屈曲用領域ＢＡを避けている。屈曲用領域ＢＡには、絶縁有機膜４４も設けられないが平坦化有機膜３２（第２層Ｌ２）は設けられている。平坦化有機膜３２は、屈曲用領域ＢＡでは樹脂基板１０に接触して積層している。図５に示すように、第１層Ｌ１の先端に隣接して絶縁有機膜４４が設けられているのは、第１層Ｌ１を形成するプロセスでその材料の流動を絶縁有機膜４４で止めるためである。

屈曲用領域ＢＡには、粘着層５４も偏光板５６も設けられず、その代わりに、軟性樹脂５８が設けられている。軟性樹脂５８は、他の有機膜よりも高い柔軟性を有し、曲げられた樹脂基板１０の曲率が大きく（曲率半径が小さく）なり過ぎないようになっている。軟性樹脂５８は平坦化有機膜３２に接触して積層されている。軟性樹脂５８は、屈曲用領域ＢＡを超えて設けられており、第１フレキシブルプリント基板ＦＰ１の一部（図１に破線で示す部分）の上に載るようになっている。また、軟性樹脂５８は、図６に示すように、樹脂基板１０の周縁部に至る。

図７は、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図である。製造プロセスでは、樹脂基板１０及び偏光板５６を、これらよりも大きい樹脂基板材料１０Ａ及び偏光板材料５６Ａから切り出す。このように大きい材料から切り出すので、樹脂基板１０及び偏光板５６の端面が揃うようになり、偏光板５６と表示領域ＤＡの位置精度も向上する。

詳しくは、樹脂基板材料１０Ａに、図２に示す第１層Ｌ１までの層（第１層Ｌ１を含む）を積層する。例えば、樹脂基板材料１０Ａに無機材料をパターニング形成して、バリア無機膜１６を含む回路層３４を形成する。その上には、平坦化有機膜３２を形成する。その上には、画素電極４２、絶縁有機膜４４、有機エレクトロルミネセンス層４６及び対向電極４８を積層する。

さらに、封止層５０を形成する。図４に示すように、封止有機膜５０ｂを形成するための有機材料の流動を堰き止めるためのダムを、絶縁有機膜４４の一部で形成する。一対の封止無機膜５０ａ，５０ｃの形成は、その上に形成される第１層Ｌ１をエッチングマスクとするエッチングを含む。図５に示すように、第１層Ｌ１を形成するための有機材料の流動を堰き止めるためのダムを、絶縁有機膜４４の一部で形成してもよい。

そして、第１層Ｌ１及び第２層Ｌ２に、粘着層５４を介して、図７に示す偏光板材料５６Ａを貼り付ける。図４に示すように、回路層３４の外側に第２層Ｌ２があるので両者間の段差が小さい。言い換えると、回路層３４の端部３４Ｅに隣接して樹脂基板１０と回路層３４の間に段差が形成されるが、その段差は第２層Ｌ２によって緩和される。そのため、粘着層５４の下に気泡ができにくい。そして、図７に示すカットラインＬで、樹脂基板材料１０Ａ及び偏光板材料５６Ａを含む積層体を切断する。切断にはレーザを使用してもよい。

［第２の実施形態］
図８は、本発明の第２の実施形態に係る表示装置の平面図である。図９は、図８に示す表示装置のIX－IX線断面図である。なお、図８は、表示装置を折り曲げる前の展開図である。

本実施形態では、絶縁有機膜２４４が第２層Ｌ２である。絶縁有機膜２４４は、端部領域ＥＡで、樹脂基板２１０と粘着層２５４の間に介在する部分を有し、粘着層２５４を介して偏光板２５６が貼り付けられている。端部領域ＥＡでは、絶縁有機膜２４４の下に平坦化有機膜２３２がある。平坦化有機膜２３２も、回路層３４（図２）に積層して断続的に端部領域ＥＡに至る。

第２層Ｌ２（絶縁有機膜２４４）は一対の封止無機膜２５０ａ，２５０ｃの端部に重ならないが、平坦化有機膜２３２は一対の封止無機膜２５０ａ，２５０ｃの端部に重なっている。一対の封止無機膜２５０ａ，２５０ｃと第２層Ｌ２との間には隙間がある。その隙間で、平坦化有機膜２３２が粘着層２５４に接触している。

図１０は、図８に示す表示装置のＸ－Ｘ線断面図である。図１１は、図８に示す表示装置のXI－XI線断面図である。屈曲用領域ＢＡには、平坦化有機膜２３２に加えて、絶縁有機膜２４４（第２層Ｌ２）も設けられている。軟性樹脂２５８は絶縁有機膜２４４に接触して積層されている。本実施形態のその他の内容は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。回路層３４の端部３４Ｅに隣接して樹脂基板２１０と回路層３４の間に段差が形成されるが、その段差は第２層Ｌ２によって緩和される。

［第３の実施形態］
図１２は、本発明の第３の実施形態に係る表示装置の断面図である。本実施形態は、第２層Ｌ２（絶縁有機膜３４４）が一対の封止無機膜３５０ａ，３５０ｃの端部に重なる点で、第２の実施形態と異なる。また、粘着層３５４は、絶縁有機膜３４４に接触するが、平坦化有機膜３３２には接触しない。本実施形態のその他の内容は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。

［第４の実施形態］
図１３は、本発明の第４の実施形態に係る表示装置の平面図である。図１４は、図１３に示す表示装置のXIV－XIV線断面図である。なお、図１３は、表示装置を折り曲げる前の展開図である。

本実施形態では、第２層Ｌ２は、表示領域ＤＡを避けて、樹脂基板４１０の端部領域ＥＡに設けられている。つまり、第２層Ｌ２は、表示領域ＤＡでの積層構造とは別に設けられた有機膜である。第２層Ｌ２は、例えばインクジェットで設けることができる。第２層Ｌ２は、端部領域ＥＡに隣接して回路層４３４の上に載る。第２層Ｌ２は、回路層４３４の上で平坦化有機膜４３２の上に載り、平坦化有機膜４３２の上で一対の封止無機膜４５０ａ，４５０ｃの上に載る。さらに、第２層Ｌ２は、第１層Ｌ１（補強有機膜４５２）の端部に載る。樹脂基板４１０の周縁部（図１７の左端部）には、平坦化有機膜４３２及び絶縁有機膜４４４のいずれも設けられていない。

図１５は、図１３に示す表示装置のXV－XV線断面図である。図１６は、図１３に示す表示装置のXVI－XVI線断面図である。図１５に示すように、第２層Ｌ２は、樹脂基板４１０の屈曲用領域ＢＡには至らない。一方、軟性樹脂４５８は、屈曲用領域ＢＡから表示領域ＤＡへの方向に拡がり、表示領域ＤＡには至らないが、第２層Ｌ２の上にわずかに重なる。第２層Ｌ２は、軟性樹脂４５８に重なる先端に向けて下降する上面を有する。第２層Ｌ２は、樹脂基板４１０の周縁部に隣接する領域（図１４）及び屈曲用領域ＢＡに隣接する領域（図１５）では、回路層４３４の端部に載っている。一方、図１６に示すように、樹脂基板４１０の周縁部から離れた領域には、第２層Ｌ２が存在しない。第２層Ｌ２は、表示領域ＤＡを囲む四方向のうち、隣同士の角度が直角である三方向側（図１３の上側及び左右側）で表示領域ＤＡを連続的に囲み、残りの一方向側（図１３の下側）で途切れている。

図１７は、図１３に示す表示装置のXVII－XVII線断面図である。樹脂基板４１０の周縁部（図１７の左端部）には、第２層Ｌ２が設けられない領域がある。第２層Ｌ２は、樹脂基板４１０の屈曲用領域ＢＡも避けて設けられている。屈曲用領域ＢＡでは、樹脂基板４１０の周縁部を避けて、平坦化有機膜４３２が設けられている。本実施形態のその他の内容は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。回路層４３４の端部４３４Ｅに隣接して樹脂基板４１０と回路層４３４の間に段差が形成されるが、第２層Ｌ２によって十分な厚さを確保することができるので、より段差が緩和される。

なお、表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置には限定されず、量子ドット発光素子ＯＤ（ＱＬＥＤ：Quantum‐Dot Light Emitting Diode）のような発光素子ＯＤを各画素に備えた表示装置であってもよい。

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。

１０ 樹脂基板、１０Ａ 樹脂基板材料、１２ 感圧接着剤、１４ 補強フィルム、１６ バリア無機膜、１６ａ シリコン酸化膜、１６ｂ シリコン窒化膜、１６ｃ シリコン酸化膜、１８ 半導体層、２０ 付加膜、２２ ゲート絶縁膜、２４ ゲート電極、２６ 層間絶縁膜、２８ ドレイン電極、３０ 表示素子層、３２ 平坦化有機膜、３４ 回路層、３６ 画素コンタクト部、３８ 酸化インジウムスズ膜、３８ａ 第１透明導電膜、３８ｂ 第２透明導電膜、４０ シリコン窒化膜、４２ 画素電極、４４ 絶縁有機膜、４６ 有機エレクトロルミネセンス層、４８ 対向電極、５０ 封止層、５０ａ 封止無機膜、５０ｂ 封止有機膜、５０ｃ 封止無機膜、５２ 補強有機膜、５４ 粘着層、５６ 偏光板、５６Ａ 偏光板材料、５８ 軟性樹脂、２１０ 樹脂基板、２３２ 平坦化有機膜、２４４ 絶縁有機膜、２５０ａ 封止無機膜、２５０ｃ 封止無機膜、２５４ 粘着層、２５６ 偏光板、２５８ 軟性樹脂、３３２ 平坦化有機膜、３４４ 絶縁有機膜、３５０ａ 封止無機膜、３５０ｃ 封止無機膜、３５４ 粘着層、４１０ 樹脂基板、４３２ 平坦化有機膜、４３４ 回路層、３４４４ 絶縁有機膜、４５０ａ 封止無機膜、４５０ｃ 封止無機膜、４５２ 補強有機膜、４５８ 軟性樹脂、ＢＡ 屈曲用領域、Ｃad 付加容量、ＣＬ１ 第１保持容量線、ＣＬ２ 第２保持容量線、ＣＰ 集積回路チップ、Ｃｓ 保持容量、ＤＡ 表示領域、ＤＬ 信号線、ＥＡ 端部領域、ＦＰ１ 第１フレキシブルプリント基板、ＦＰ２ 第２フレキシブルプリント基板、ＧＤ 走査回路、ＧＬ 走査線、Ｌ カットライン、Ｌ１ 第１層、Ｌ２ 第２層、ＯＤ 発光素子、ＰＷＬ 電源線、ＳＤ 信号駆動回路、ＴＲ 薄膜トランジスタ、ＴＲ２ 薄膜トランジスタ、Ｗ１ 第１配線層、Ｗ２ 第２配線層。

Claims (6)

1. 樹脂基板と、
   前記樹脂基板上のバリア無機膜と、
   前記バリア無機膜上の回路層と、
   前記回路層上の有機層と、前記有機層上の表示素子層と、前記表示素子層を覆う封止層と、前記封止層上の補強有機膜と、前記補強有機膜上に粘着層を介して配置した偏光板と、を備えた表示装置であって、
   前記表示装置は、平面視で、表示領域と前記表示領域の外側の端部領域とを有し、
   前記封止層は、前記表示領域において、封止有機膜と前記封止有機膜を上下で挟む一対の封止無機膜を有し、
   前記バリア無機膜の端部及び前記一対の封止無機膜の端部は前記端部領域を避けて配置され、
   前記有機層は前記端部領域で樹脂基板と前記粘着層の間に位置し、
   前記一対の封止無機膜は、前記封止有機膜の周囲で、接触して重なり、
   前記補強有機膜は前記端部領域に向けて低くなるように傾斜した上面を有し、
   前記補強有機膜は、前記一対の封止無機膜と先端が一致していることを特徴とする表示装置。
2. 請求項１に記載された表示装置において、
   前記有機層は、前記バリア無機膜の前記端部に重なることを特徴とする表示装置。
3. 請求項１又は２に記載された表示装置において、
   前記有機層は、前記回路層に積層して断続的に形成されていることを特徴とする表示装置。
4. 請求項１から３のいずれか一項に記載された表示装置において、
   前記表示素子層は、画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に配置された有機エレクトロルミネセンス層と、を含むことを特徴とする表示装置。
5. 請求項１に記載された表示装置において、
   前記有機層は、前記一対の封止無機膜の前記端部に重なることを特徴とする表示装置。
6. 請求項１に記載された表示装置において、
   前記有機層は、前記樹脂基板の前記端部領域と外縁が一致していることを特徴とする表示装置。

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