JP7129786B2 - 構造を改善した太陽電池及びこれを用いた太陽電池モジュール - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 59
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 12
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 132
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 3
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 229910020836 Sn-Ag Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020888 Sn-Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020988 Sn—Ag Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019204 Sn—Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910016334 Bi—In Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/90—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers
- H10F19/902—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers for series or parallel connection of photovoltaic cells
- H10F19/904—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers for series or parallel connection of photovoltaic cells characterised by the shapes of the structures
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/90—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/14—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers
- H10F10/146—Back-junction photovoltaic cells, e.g. having interdigitated base-emitter regions on the back side
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/80—Encapsulations or containers for integrated devices, or assemblies of multiple devices, having photovoltaic cells
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/90—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers
- H10F19/902—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers for series or parallel connection of photovoltaic cells
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/90—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers
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- H10F19/908—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers for series or parallel connection of photovoltaic cells for back-contact photovoltaic cells
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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Description
[関連出願]
本願は、韓国特許出願第10-2017-0019663に基づくパリ条約の優先権主張を伴うものであり、本願発明の内容は、当該韓国特許出願に開示された全てのものを包含するものである。
〔本発明の一の態様〕
〔1〕 太陽電池モジュールであって、
半導体基板と、前記半導体基板上に第1方向に交互に位置し、前記第1方向と交差する第2方向に長く形成された第1電極と第2電極をそれぞれ備えた複数の太陽電池と、
前記複数の太陽電池のそれぞれに前記第1電極及び前記第2電極に交差するように、第1方向に長く位置し、前記第1電極と交差する交差点で第1導電層によって接続され、前記第2電極と交差する交差点で絶縁層によって前記第2電極と絶縁される第1導電性配線と、
前記第1導電性配線と並行するように位置し、前記第2電極と交差する交差点で前記第1導電層によって接続され、前記第1電極と交差する交差点で前記絶縁層によって前記第1電極と絶縁される第2導電性配線とを備えてなり、
前記第1電極及び前記第2電極はそれぞれ、隣接した第1電極同士又は第2電極同士を接続するブリッジ電極を備えてなり、
前記第1導電性配線及び前記第2導電性配線のそれぞれは、第2導電層により前記ブリッジ電極に接合されてなるものである、太陽電池モジュール。
〔2〕 前記ブリッジ電極は、前記半導体基板の第1側面に隣接した少なくとも2以上の第1電極を接続する第1ブリッジ電極と、前記第1側面に対向する第2側面に隣接した少なくとも2以上の第2電極を接続する第2ブリッジ電極を備えてなり、
前記第1ブリッジ電極は、前記第1導電性配線の開始端部が位置するところに形成されてなり、
前記第2ブリッジ電極は、前記第2導電性配線の開始端部が位置するところに形成されてなるものである、〔1〕に記載の太陽電池モジュール。
〔3〕 前記第1ブリッジ電極及び前記第2ブリッジ電極はそれぞれ、前記第2側面に直接隣接した位置において前記第1電極を接続するか、前記第1側面に直接隣接した位置において前記第2電極を接続する第3ブリッジ電極をさらに備えてなり、
前記第1ブリッジ電極及び前記第2ブリッジ電極はそれぞれ、前記第1側面と前記第2側面との間に位置して前記第1電極又は前記第2電極を接続する第4ブリッジ電極をさらに備えてなる、〔2〕に記載の太陽電池モジュール。
〔4〕 前記第1ブリッジ電極の長さは、前記第1電極間の距離と同じであり、
前記第2ブリッジ電極の長さは、前記第2電極間の距離と同じである、〔2〕又は〔3〕に記載の太陽電池モジュール。
〔5〕 前記第1方向での前記第2導電層の幅は、前記第1導電層の幅より大きいものである、〔1〕~〔4〕の何れか一項に記載の太陽電池モジュール。
〔6〕 前記第1導電性配線及び第2導電性配線の各々は、導電性金属と導電性金属を被覆するはんだ層を備えてなり、
前記第1導電層と前記第2導電層はそれぞれ、前記はんだ層の融点より高い融点を有するはんだ物質からなるものである、〔1〕~〔5〕の何れか一項に記載の太陽電池モジュール。
〔7〕 前記第1導電層は、前記第1電極又は前記第2電極に接合された第1層と、
前記第1層より融点が低く、前記第1層上に形成された第2層とを備えてなる、〔6〕に記載の太陽電池モジュール。
〔8〕 前記第2導電層は、前記第1導電層と同様に、前記第1層と前記第2層を備えてなるか、或いは、前記第1層と同一の物質で形成されてなるものである、〔7〕に記載の太陽電池モジュール。
〔9〕 前記第2層は、前記はんだ層と同一の物質で形成されたものである、〔8〕に記載の太陽電池モジュール。
〔10〕 前記複数の太陽電池の各々は、
前記半導体基板の後面上に形成され、前記第1電極と前記第2電極にそれぞれ接続された第1導電型領域と第2導電型領域を備えた半導体層と、
前記半導体層を覆うパッシベーション膜とを備えてなり、
前記ブリッジ電極は、前記パッシベーション膜上に形成されたものである、〔1〕~〔9〕の何れか一項に記載された、太陽電池モジュール。
〔11〕 前記第1電極と前記第2電極はそれぞれ、前記ブリッジ電極の線幅より大きい幅を有してなり、前記ブリッジ電極と交差するように前記第2方向に形成された断線部を備えてなり、
前記第1導電型領域と前記第2導電型領域はそれぞれ、前記断線部にも形成されてなるものである、〔10〕に記載の太陽電池モジュール。
〔12〕 太陽電池であって、
半導体基板と、
前記半導体基板の後面上に形成され、第1導電型領域と第2導電型領域を備えた半導体層と、
前記半導体層上に第1方向に交互に位置し、前記第1方向と交差する第2方向に長く形成された第1電極と第2電極とを備えてなり、
前記第1電極及び前記第2電極はそれぞれ、隣接した第1電極同士又は第2電極同士を接続するブリッジ電極をさらに備えてなり、
前記ブリッジ電極は、前記半導体基板の第1側面に隣接した少なくとも2以上の第1電極を接続する第1ブリッジ電極と、前記第1側面に対向する第2側面に隣接した少なくとも2以上の第2電極を接続する第2ブリッジ電極を備えてなる、太陽電池。
〔13〕 前記第1ブリッジ電極及び第2ブリッジ電極はそれぞれ、前記第2側面に隣接した位置において前記第1電極を接続するか、前記第1側面に隣接した位置において前記第2電極を接続する第3ブリッジ電極をさらに備えてなる、〔12〕に記載の太陽電池(モジュール)。
〔14〕 前記第1電極と前記第2電極はそれぞれ、前記第1ブリッジ電極及び第2ブリッジ電極の線幅より大きい幅を有してなり、前記ブリッジ電極と交差して前記第2方向に形成された断線部を備えてなり、
前記第1導電型領域と第2導電型領域はそれぞれ、前記断線部にも形成されたものである、〔12〕又は〔13〕に記載の太陽電池(モジュール)。
〔15〕 前記半導体層上に形成され、前記第1導電型領域と前記第2導電型領域を露出させて前記第1電極及び前記第2電極とそれぞれ接続させる接触口が形成されたパッシベーション膜さらに備えてなり、
前記ブリッジ電極は、前記パッシベーション膜上に形成されたものである、〔12〕~〔14〕の何れか一項に記載の太陽電池。
Claims (9)
- 太陽電池モジュールであって、
半導体基板と、
前記半導体基板上に第1方向に交互に位置し、前記第1方向と交差する第2方向に長く形成された第1電極及び第2電極の其々を備えた複数の太陽電池と、
前記複数の太陽電池の其々に前記第1電極及び前記第2電極に交差するように、第1方向に長く位置し、前記第1電極と交差する交差点で第1導電層によって接続され、前記第2電極と交差する交差点で絶縁層によって前記第2電極と絶縁される第1導電性配線と、
前記第1導電性配線と並行するように位置し、前記第2電極と交差する交差点で前記第1導電層によって接続され、前記第1電極と交差する交差点で前記絶縁層によって前記第1電極と絶縁される第2導電性配線と、を備えてなり、
前記第1電極及び前記第2電極の其々は、隣接した第1電極同士又は第2電極同士を接続するブリッジ電極を備え、
前記第1導電性配線及び前記第2導電性配線の其々は、第2導電層により前記ブリッジ電極に接合され、
前記太陽電池は、前記第1方向に第1側面と、前記第1側面に対向する第2側面と、を備え、
前記ブリッジ電極は、前記第1電極の内、
前記半導体基板の第1側面に最も近接して配置される2つ以上の第1電極を接続する第1ブリッジ電極と、
前記第2側面に最も近接して配置される2つ以上の第2電極を接続する第2ブリッジ電極と、を備え、
前記第1導電性配線の端部は前記第1ブリッジ電極に接合され、
前記第2導電性配線の端部は前記第2ブリッジ電極に接合され、
第1方向において、第2導電層の幅は、第1導電層の幅より大きい、太陽電池モジュール。 - 前記ブリッジ電極は、前記第2側面に最も近接して配置される2つ以上の第1電極を接続するか、前記第1側面に最も近接して配置される2つ以上の第2電極を接続する、第3ブリッジ電極を更に備え、
前記ブリッジ電極は、前記第1ブリッジ電極と前記第2ブリッジ電極との間に位置して、前記第1電極又は前記第2電極を接続する、第4ブリッジ電極を更に備える、請求項1に記載の太陽電池モジュール。 - 前記第1ブリッジ電極の長さは、前記第1電極間の距離と同じであり、
前記第2ブリッジ電極の長さは、前記第2電極間の距離と同じである、請求項1に記載の太陽電池モジュール。 - 前記第1導電性配線及び第2導電性配線の其々は、導電性金属と導電性金属を被覆するはんだ層を備えてなり、
前記第1導電層及び前記第2導電層の其々は、前記はんだ層の融点より高い融点を有するはんだ物質からなるものである、請求項1に記載の太陽電池モジュール。 - 前記第1導電層は、前記第1電極又は前記第2電極に接合された第1層と、
前記第1層より融点が低く、前記第1層上に形成された第2層と、を備える、請求項4に記載の太陽電池モジュール。 - 前記第2導電層は、前記第1導電層と同様に、前記第1層と前記第2層を備えるか、前記第1層と同一の物質で形成されたものである、請求項5に記載の太陽電池モジュール。
- 前記第2層は、前記はんだ層と同一の物質で形成されたものである、請求項6に記載の太陽電池モジュール。
- 前記複数の太陽電池の其々は、
前記半導体基板の後面上に形成され、前記第1電極と前記第2電極に其々接続された第1導電型領域と第2導電型領域を備えた半導体層と、
前記半導体層を覆うパッシベーション膜と、を備え、
前記ブリッジ電極は、前記パッシベーション膜上に形成されたものである、請求項1に記載された、太陽電池モジュール。 - 前記第1電極及び前記第2電極の其々は、前記ブリッジ電極の線幅より小さい線幅を有してなり、前記ブリッジ電極と交差するように前記第2方向に形成された断線部を備え、
前記第1導電型領域及び前記第2導電型領域の其々は、前記断線部にも形成されたものである、請求項8に記載の太陽電池モジュール。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2017-0019663 | 2017-02-13 | ||
KR1020170019663A KR102622743B1 (ko) | 2017-02-13 | 2017-02-13 | 태양전지 및 태양전지 모듈 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018133567A JP2018133567A (ja) | 2018-08-23 |
JP7129786B2 true JP7129786B2 (ja) | 2022-09-02 |
Family
ID=61189320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018022940A Active JP7129786B2 (ja) | 2017-02-13 | 2018-02-13 | 構造を改善した太陽電池及びこれを用いた太陽電池モジュール |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11177406B2 (ja) |
EP (1) | EP3361513B1 (ja) |
JP (1) | JP7129786B2 (ja) |
KR (1) | KR102622743B1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3094570B1 (fr) * | 2019-04-01 | 2021-09-10 | Commissariat Energie Atomique | Cellule et chaîne photovoltaïques et procédés associés |
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EP4006993A4 (en) | 2019-07-31 | 2023-07-05 | Kaneka Corporation | METHOD OF MANUFACTURING A SOLAR CELL, SOLAR CELL, SOLAR CELL DEVICE AND SOLAR CELL MODULE |
CN110954556A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-04-03 | 无锡市瑞能科技有限公司 | 基于面阵相机的全功能pl检测模块 |
CN114242810B (zh) * | 2022-02-24 | 2022-04-29 | 广东爱旭科技有限公司 | 背接触电池的电极结构、电池、组件以及电池系统 |
JP7592130B1 (ja) * | 2023-05-26 | 2024-11-29 | 晶科能源股分有限公司 | 太陽光発電アセンブリ、太陽光発電アセンブリの製造方法及び加工機器 |
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JP2016021478A (ja) | 2014-07-14 | 2016-02-04 | シャープ株式会社 | 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法 |
JP2017005041A (ja) | 2015-06-08 | 2017-01-05 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3905100B2 (ja) * | 2004-08-13 | 2007-04-18 | 株式会社東芝 | 半導体装置とその製造方法 |
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JP6307131B2 (ja) | 2015-09-08 | 2018-04-04 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
KR101656622B1 (ko) * | 2015-09-08 | 2016-09-22 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법 |
-
2017
- 2017-02-13 KR KR1020170019663A patent/KR102622743B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-02-09 EP EP18156030.1A patent/EP3361513B1/en active Active
- 2018-02-09 US US15/893,221 patent/US11177406B2/en active Active
- 2018-02-13 JP JP2018022940A patent/JP7129786B2/ja active Active
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JP2010129675A (ja) | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Sharp Corp | レーザ接合方法、太陽電池の製造方法および太陽電池製造装置 |
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JP2015159286A (ja) | 2014-02-24 | 2015-09-03 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
JP2016021478A (ja) | 2014-07-14 | 2016-02-04 | シャープ株式会社 | 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法 |
JP2017005041A (ja) | 2015-06-08 | 2017-01-05 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11177406B2 (en) | 2021-11-16 |
KR102622743B1 (ko) | 2024-01-10 |
JP2018133567A (ja) | 2018-08-23 |
EP3361513B1 (en) | 2019-09-18 |
EP3361513A1 (en) | 2018-08-15 |
KR20180093495A (ko) | 2018-08-22 |
US20180233615A1 (en) | 2018-08-16 |
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JP2006278697A (ja) | 太陽電池モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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