JP7119233B2 - Large film-formed substrate and manufacturing method thereof, divided film-formed substrate and manufacturing method thereof, production control method and production control system for divided film-formed substrate - Google Patents
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Description
本発明は、大判成膜基板およびその製造方法、分割成膜基板およびその製造方法、分割成膜基板の生産管理方法および生産管理システムに関する。 The present invention relates to a large film-formed substrate and its manufacturing method, a divided film-formed substrate and its manufacturing method, a production control method and a production control system for the divided film-formed substrate.
例えば半導体基板（ウェハ）を用いた半導体デバイスの生産履歴情報（例えば、製造条件）を管理するために、半導体基板に識別マーク（例えば、ダイシング後の分割基板の固有の識別子）を印字する技術が知られている（例えば、特許文献１，２参照）。特許文献１には、半導体基板を４つに分割する際に、４つの識別マークを回転対称な位置に印字することが記載されている。特許文献２には、半導体基板を４つに分割する際に、４つの識別マークを上下左右対称な位置に印字することが記載されている。 For example, in order to manage the production history information (e.g., manufacturing conditions) of semiconductor devices using semiconductor substrates (wafers), there is a technology for printing identification marks (e.g., unique identifiers of divided substrates after dicing) on semiconductor substrates. known (see, for example, Patent Literatures 1 and 2). Patent Literature 1 describes printing four identification marks at rotationally symmetrical positions when dividing a semiconductor substrate into four. Japanese Patent Laid-Open No. 2002-200001 describes that when a semiconductor substrate is divided into four pieces, four identification marks are printed at vertically and horizontally symmetrical positions.
特許文献２では、搬送中に、２つのマーキング装置を用いて識別マークを２つ同時に２回印字する。なお、特許文献１には識別情報の印字方法について記載されていない。
In
製造コストの観点では、１つのマーキング装置を用いて、全ての識別マークを１度に印字することが好ましい。しかし、識別情報の位置によっては全ての識別情報を含むマーキング範囲が大きくなってしまい、マーキング装置が大型となってしまい、装置導入コストが高くなってしまう。 From the viewpoint of manufacturing cost, it is preferable to print all identification marks at once using one marking device. However, depending on the position of the identification information, the marking range including all of the identification information may become large, resulting in a large marking device and a high installation cost.
また、二次元バーコード等のより複雑な識別マークの採用により、識別マークの読み取り精度を高めることが望まれている。 In addition, it is desired to improve the reading accuracy of identification marks by adopting more complicated identification marks such as two-dimensional barcodes.
本発明は、識別マークを含む大判成膜基板および分割成膜基板の製造コストの低コスト化と、識別マークの読み取り精度の高精度化とが可能な大判成膜基板およびその製造方法、分割成膜基板およびその製造方法、分割成膜基板の生産管理方法および生産管理システムを提供することを目的とする。 The present invention provides a large-sized film-formed substrate that can reduce the manufacturing cost of a large-sized film-formed substrate including an identification mark and a divided film-formed substrate and improve the reading accuracy of the identification mark, a method for manufacturing the same, and a divided film-formed substrate. An object of the present invention is to provide a film substrate and its manufacturing method, and a production control method and production control system for divided film-formed substrates.
本発明に係る大判成膜基板の製造方法は、ダイシング前の大判基板上に成膜してなる大判成膜基板の製造方法であって、前記大判基板の一方主面側における、ダイシング線によって分割される分割領域ごとに、少なくとも１つの識別マークをマーキングするマーキング工程と、前記大判基板上に、前記識別マークの位置を除いて成膜することにより、前記大判成膜基板を生成する成膜工程と、を含み、前記マーキング工程では、ダイシング後に、前記大判成膜基板をダイシングしてなる複数の分割成膜基板を重ねる場合に、前記複数の分割成膜基板における前記識別マークが重なるように、マーキング可能範囲が前記大判基板よりも小さい１つのマーキング装置を用いて、前記大判基板における全ての前記識別マークを同時にマーキングする。 A method for manufacturing a large-sized film-formed substrate according to the present invention is a method for manufacturing a large-sized film-formed substrate by forming a film on a large-sized substrate before dicing. a marking step of marking at least one identification mark for each divided area; and a film forming step of forming the large film-formed substrate by forming a film on the large-sized substrate except for the position of the identification mark. and, in the marking step, when a plurality of divided film formation substrates formed by dicing the large film formation substrate are superimposed after dicing, the identification marks of the plurality of divided film formation substrates overlap, All the identification marks on the large-sized substrate are marked at the same time using one marking device whose markable area is smaller than that of the large-sized substrate.
本発明に係る分割成膜基板の製造方法は、上記の大判成膜基板の製造方法を含み、前記大判成膜基板をダイシングしてなる前記複数の分割成膜基板の製造方法であって、前記ダイシング線に沿って前記大判成膜基板をダイシングすることにより、前記複数の分割成膜基板を生成するダイシング工程を含む。 A method for manufacturing a divided film formation substrate according to the present invention includes the above-described method for manufacturing a large film formation substrate, and is a method for manufacturing the plurality of division film formation substrates by dicing the large film formation substrate, A dicing step of producing the plurality of divided film-formed substrates by dicing the large-sized film-formed substrate along dicing lines.
本発明に係る分割成膜基板の生産管理方法は、上記の分割成膜基板の製造方法を含み、前記複数の分割成膜基板の生産管理方法であって、前記マーキング工程、前記成膜工程および前記ダイシング工程の情報のうち少なくとも１つを生産情報として、前記識別マークが示す情報と関連付けて管理する管理工程と、前記複数の分割成膜基板ごとに前記識別マークを読み取ることにより、前記生産情報を読み取る読取工程と、を含む。 A production control method for divided film formation substrates according to the present invention includes the method for manufacturing divided film formation substrates described above, and is a production control method for a plurality of divided film formation substrates, wherein the marking step, the film formation step, and a management step of managing at least one of the information of the dicing step as production information in association with the information indicated by the identification mark; and a reading step of reading the .
本発明に係る大判成膜基板は、上記の大判成膜基板の製造方法によって製造された大判成膜基板である。 A large film formation substrate according to the present invention is a large film formation substrate manufactured by the method for manufacturing a large film formation substrate described above.
本発明に係る分割成膜基板は、上記の分割成膜基板の製造方法によって製造された分割成膜基板である。 A divided film formation substrate according to the present invention is a divided film formation substrate manufactured by the above method for manufacturing a divided film formation substrate.
本発明に係る分割成膜基板の生産管理システムは、上記の分割成膜基板の生産管理方法のための分割成膜基板の生産管理システムであって、大判基板の一方主面側における、ダイシング線によって分割される分割領域ごとに、少なくとも１つの識別マークをマーキングするマーキング装置と、前記大判基板上に、前記識別マークの位置を除いて成膜することにより、大判成膜基板を生成する成膜装置と、前記ダイシング線に沿って前記大判成膜基板をダイシングすることにより、複数の分割成膜基板を生成するダイシング装置と、前記マーキング装置によるマーキング時の情報、前記成膜装置による成膜時の情報、および前記ダイシング装置によるダイシング時の情報のうち少なくとも１つを生産情報として、前記識別マークが示す情報と関連付けて管理する管理装置と、前記複数の分割成膜基板ごとに前記識別マークを読み取ることにより、前記生産情報を読み取る読取装置と、を備え、前記マーキング装置は、ダイシング後に、前記大判成膜基板をダイシングしてなる複数の分割成膜基板を重ねる場合に、前記複数の分割成膜基板における前記識別マークが重なるように、マーキング可能範囲が前記大判基板よりも小さい１つのマーキング装置を用いて、前記大判基板における全ての前記識別マークを同時にマーキングする。 A production management system for divided film-formed substrates according to the present invention is a production management system for divided film-formed substrates for the above production management method for film-formed substrates, wherein the dicing line on one main surface side of the large-sized substrate is a marking device for marking at least one identification mark for each divided region divided by; a device, a dicing device for generating a plurality of divided film-formed substrates by dicing the large film-formed substrate along the dicing lines, information at the time of marking by the marking device, and information at the time of film formation by the film-formation device and information at the time of dicing by the dicing device as production information, a management device for managing the information indicated by the identification marks in association with each other; and a reading device for reading the production information by reading, the marking device, after dicing, when stacking a plurality of divided film-formed substrates obtained by dicing the large film-formed substrate, the plurality of divided film-formed substrates. All the identification marks on the large-sized substrate are marked at the same time using one marking device whose markable range is smaller than that of the large-sized substrate so that the identification marks on the film substrate overlap.
本発明によれば、識別マークを含む大判成膜基板および分割成膜基板の製造コストの低コスト化と、識別マークの読み取り精度の高精度化とが可能である。 According to the present invention, it is possible to reduce the manufacturing cost of the large-sized film formation substrate including the identification mark and the divided film formation substrate, and to improve the reading accuracy of the identification mark.
以下、添付の図面を参照して本発明の実施形態の一例として、太陽電池の仕掛品（大判成膜基板、分割成膜基板）およびその製造方法、太陽電池の仕掛品（分割成膜基板）の生産管理方法および生産管理システムについて説明する。なお、各図面において同一または相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。また、便宜上、ハッチングや部材符号等を省略する場合もあるが、かかる場合、他の図面を参照するものとする。 Hereinafter, as an example of an embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings, a solar cell in-process product (large-sized film-forming substrate, divided film-forming substrate), a method for manufacturing the same, and a solar cell in-process product (divided film-forming substrate) production control method and production control system. In each drawing, the same reference numerals are given to the same or corresponding parts. Also, for convenience, hatching, member numbers, etc. may be omitted, but in such cases, other drawings shall be referred to.
図１は、本実施形態に係る太陽電池の一例（両面電極型の太陽電池）を示す断面図であり、図２は、本実施形態に係る太陽電池の他の一例（裏面電極型の太陽電池）を示す断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a solar cell (double-sided electrode type solar cell) according to the present embodiment, and FIG. ) is a sectional view of FIG.
（両面電極型の太陽電池）
図１に示すように、両面電極型の太陽電池１は、半導体基板１１と、半導体基板１１の受光面（一方主面）側に順に積層（形成）された第１真性半導体層２３、第１導電型半導体層２５、第１透明電極層２７および第１金属電極層２８とを備える。また、太陽電池１は、半導体基板１１の裏面（他方主面）側に順に積層（形成）された第２真性半導体層３３、第２導電型半導体層３５、第２透明電極層３７および第２金属電極層３８を備える。(Double-sided electrode type solar cell)
As shown in FIG. 1 , the double-sided electrode type solar cell 1 includes a
このような両面電極型の太陽電池１の場合、後述する太陽電池の仕掛品、すなわちダイシング前の成膜済み大判半導体基板（大判成膜基板）２およびダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）３は、例えば、半導体基板１１の受光面側に第１真性半導体層２３、第１導電型半導体層２５および第１透明電極層２７が成膜され、半導体基板１１の裏面側に第２真性半導体層３３、第２導電型半導体層３５および第２透明電極層３７が成膜された基板である。
In the case of such a double-sided electrode type solar cell 1, a work-in-progress of the solar cell to be described later, that is, a large-sized semiconductor substrate with a film formed before dicing (large-sized film-formed substrate) 2 and a divided semiconductor substrate with a film formed after dicing (divided The
（裏面電極型の太陽電池）
図２に示すように、裏面電極型の太陽電池１は、半導体基板１１と、半導体基板１１の受光面（一方主面）側に順に積層（形成）された第３真性半導体層３および反射防止層１５とを備える。また、太陽電池１は、半導体基板１１の裏面（他方主面）側の一部に順に積層された第１真性半導体層２３、第１導電型半導体層２５、第１透明電極層２７および第１金属電極層２８を備える。また、太陽電池１は、半導体基板１１の裏面側の他の一部に順に積層された第２真性半導体層３３、第２導電型半導体層３５、第２透明電極層３７および第２金属電極層３８を備える。(Back electrode type solar cell)
As shown in FIG. 2, the back electrode type solar cell 1 includes a
このような裏面電極型の太陽電池１の場合、後述する太陽電池の仕掛品、すなわちダイシング前の成膜済み大判半導体基板（大判成膜基板）２およびダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）３は、例えば、半導体基板１１の受光面側に第３真性半導体層１３および反射防止層１５が成膜され、半導体基板１１の裏面側に第１真性半導体層２３、第１導電型半導体層２５、第１透明電極層２７、第２真性半導体層３３、第２導電型半導体層３５および第２透明電極層３７が成膜された基板である。
In the case of such a back electrode type solar cell 1, a solar cell work-in-progress described later, that is, a large-sized semiconductor substrate with a film formed before dicing (large-sized film-formed substrate) 2 and a divided semiconductor substrate with a film formed after dicing (divided The
以下では、図１または図２に示す太陽電池１の仕掛品、すなわちダイシング前の成膜済み大判半導体基板（大判成膜基板）２およびダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）３およびその製造方法について説明する。また、太陽電池１の仕掛品、すなわちダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）３の生産管理方法および生産管理システムについて説明する。 In-process products of the solar cell 1 shown in FIG. 1 or FIG. 2, that is, a large-sized semiconductor substrate (large-sized film-formed substrate) 2 before dicing and a divided semiconductor substrate (divided-film-formed substrate) after dicing are described below. 3 and its manufacturing method. Also, a production control method and a production control system for the in-process product of the solar cell 1, that is, the divided semiconductor substrates (divided film-formed substrates) 3 after dicing, will be described.
図３は、本実施形態に係る太陽電池の仕掛品、すなわちダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）の生産管理システムを示す図である。図４Ａは、本実施形態に係る太陽電池の仕掛品、すなわちダイシング前の成膜済み大判半導体基板（大判成膜基板）およびダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）の製造方法を含む、太陽電池の仕掛品、すなわちダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）の生産管理方法におけるマーキング工程および成膜工程を示す図である。図４Ｂは、本実施形態に係る太陽電池の仕掛品、すなわちダイシング前の成膜済み大判半導体基板（大判成膜基板）およびダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）の製造方法を含む、太陽電池の仕掛品、すなわちダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）の生産管理方法におけるダイシング工程を示す図である。図４Ｃは、本実施形態に係る太陽電池の仕掛品、すなわちダイシング前の成膜済み大判半導体基板（大判成膜基板）およびダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）の製造方法を含む、太陽電池の仕掛品、すなわちダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）の生産管理方法における読取工程を示す図である。 FIG. 3 is a diagram showing a production management system for a solar cell in-process product, that is, a divided semiconductor substrate after dicing (divided film-formed substrate) according to the present embodiment. FIG. 4A shows a method for manufacturing a work-in-process product of a solar cell according to the present embodiment, that is, a large-sized semiconductor substrate with film formed before dicing (large film-formed substrate) and a divided semiconductor substrate with film formed after dicing (divided film-formed substrate). FIG. 10 is a diagram showing a marking process and a film forming process in a production control method for a solar cell in-process product, that is, a divided semiconductor substrate after dicing (divided film formed substrate). FIG. 4B shows a method for manufacturing a work-in-process product of a solar cell according to the present embodiment, that is, a large-sized semiconductor substrate with film formed before dicing (large film-formed substrate) and a divided semiconductor substrate with film formed after dicing (divided film-formed substrate). 1 is a diagram showing a dicing step in a production control method for a solar cell in-process product, that is, a divided semiconductor substrate after dicing (divided film-formed substrate). FIG. FIG. 4C shows a method for manufacturing a work-in-progress of a solar cell according to the present embodiment, that is, a large-sized semiconductor substrate with a film formed before dicing (large film-formed substrate) and a divided semiconductor substrate with a film formed after dicing (divided film-formed substrate). FIG. 10 is a diagram showing a reading process in a production control method for a solar cell work-in-progress, that is, a divided semiconductor substrate after dicing (divided film-formed substrate).
（生産管理システム）
図３に示す生産管理システム１００は、例えば太陽電池１の仕掛品、すなわちダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）３の生産履歴情報の管理を行うシステムである。生産管理システム１００は、マーキング装置１１０と、成膜装置１２０と、ダイシング装置１３０と、管理装置１４０と、読取装置１５０とを含む。(production management system)
The
マーキング装置１１０は、例えばレーザを用いたマーキング装置である。マーキング装置１１０は、大判半導体基板（例えば、６インチМ２ウェハ：１５６．７５ｍｍ×１５６．７５ｍｍ）１１に、識別マークをマーキングする。具体的には、マーキング装置１１０は、図４Ａに示すように、大判半導体基板１１の一方主面側（例えば裏面側）における、予めプログラムされたダイシング線Ｌによって分割される分割領域ごとに、少なくとも１つの識別マークＭをマーキングする。
The marking
マーキング装置１１０のマーキング可能範囲Ａ１は、大判半導体基板１１よりも小さい。図４Ａの例では、マーキング可能範囲Ａ１は、３０ｍｍ×３０ｍｍである。マーキング装置１１０は、１台で、大判半導体基板１１における全ての識別マークＭを同時にマーキングする。
A markable range A<b>1 of the marking
また、マーキング装置１１０は、図４Ｃに示すように、後述するダイシング装置１３０によるダイシング後に複数の成膜済み分割半導体基板３を重ねる場合に、複数の成膜済み分割半導体基板３における識別マークＭが重なるように、複数の識別マークＭをマーキングする。換言すれば、マーキング装置１１０は、マーキング可能範囲Ａ１内において、ダイシング線Ｌに対して回転対称に、識別マークＭをマーキングする。
Further, as shown in FIG. 4C, the marking
識別マークＭは、ダイシング線Ｌとの離間距離が１５ｍｍ以下である位置に、かつ、大判半導体基板１１の中央部に配置される。
The identification mark M is arranged at a position spaced apart from the dicing line L by 15 mm or less and in the central portion of the large-
識別マークＭは、英数字、図形、バーコード、二次元バーコード等のうち少なくとも１を含む。識別マークＭは、ダイシング後の分割半導体基板３の固有の識別子、ダイシング前の大判半導体基板２（または１１）の固有の識別子、および大判半導体基板２（または１１）における分割半導体基板３の位置等を含む。
The identification mark M includes at least one of alphanumeric characters, graphics, barcodes, two-dimensional barcodes, and the like. The identification marks M are unique identifiers of the divided
成膜装置１２０は、例えばＣＶＤ（化学気相堆積）装置またはＰＶＤ（物理気相堆積）装置である。成膜装置１２０は、大判半導体基板１１上に、識別マークＭの位置を除いて成膜することにより、成膜済み大判半導体基板２を生成する。
The
例えば図１に示す両面電極型の太陽電池１の場合、成膜装置１２０は、半導体基板１１の受光面側に第１真性半導体層２３、第１導電型半導体層２５および第１透明電極層２７を成膜し、半導体基板１１の裏面側に、識別マークの位置を除いて、第２真性半導体層３３、第２導電型半導体層３５および第２透明電極層３７を成膜する。
For example, in the case of the double-sided electrode type solar cell 1 shown in FIG. , and a second
一方、例えば図２に示す裏面電極型の太陽電池１の場合、成膜装置１２０は、半導体基板１１の受光面側に順に第３真性半導体層３および反射防止層１５を成膜し、半導体基板１１の裏面側の一部に、識別マークの位置を除いて、第１真性半導体層２３、第１導電型半導体層２５および第１透明電極層２７を成膜し、半導体基板１１の裏面側の他の一部に、識別マークの位置を除いて、第２真性半導体層３３、第２導電型半導体層３５および第２透明電極層３７を成膜する。
On the other hand, for example, in the case of the back electrode type solar cell 1 shown in FIG. A first
ダイシング装置１３０は、例えばレーザを用いたダイシング装置である。ダイシング装置１３０は、予めプログラムされたダイシング線Ｌに沿って、成膜済み大判半導体基板２をダイシングすることにより、複数の成膜済み分割半導体基板３を生成する。
The
管理装置１４０は、マーキング装置１１０によるマーキング時の情報、成膜装置１２０による成膜時の情報、およびダイシング装置１３０によるダイシング時の情報のうち少なくとも１つを生産履歴情報として、識別マークが示す情報と関連付けて管理する。
The
マーキング装置１１０によるマーキング時の生産履歴情報としては、レーザ強度、照射時間、大判半導体基板に対するマーキング位置(例えば、109A,109B,109C,109Dのような)等のマーキング条件が挙げられる。成膜装置１２０による成膜時の生産履歴情報としては、各層の成膜条件や製膜日時などが挙げられる。ダイシング装置１３０によるダイシング時の生産履歴情報としては、レーザ強度、照射時間、大判半導体基板における分割半導体基板の位置等のダイシング条件が挙げられる。
Production history information at the time of marking by the marking
読取装置１５０は、例えばレーザを用いた読み取り装置である。読取装置１５０は、複数の成膜済み分割半導体基板３ごとに識別マークを読み取ることにより、管理装置１４０から、識別マークＭが示す情報に関連付けされた生産履歴情報を読み取る。
The
（生産管理方法、製造方法）
次に、図４Ａ～図４Ｃを参照して、本実施形態に係る太陽電池１の仕掛品、すなわちダイシング前の成膜済み大判半導体基板（大判成膜基板）２およびダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）３の製造方法を含む、太陽電池１の仕掛品、すなわちダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）３の生産管理方法について説明する。(Production control method, manufacturing method)
Next, referring to FIGS. 4A to 4C, a work-in-process product of the solar cell 1 according to the present embodiment, that is, a large-sized semiconductor substrate (large-sized film-formed substrate) 2 before dicing and a film-formed division after dicing. A production control method for the in-process product of the solar cell 1, that is, the divided semiconductor substrate (divided film-formed substrate) 3 after dicing, including the manufacturing method of the semiconductor substrate (divided film-formed substrate) 3 will be described.
まず、大判半導体基板（例えば、６インチウェハ）１１を、図３に示すマーキング装置１１０に搬送する。これにより、図４Ａに示すように、大判半導体基板１１の一方主面側（例えば、裏面側）に、予めプログラムされたダイシング線Ｌによって分割される分割領域ごとに、少なくとも１つの識別マークＭをマーキングする（マーキング工程）。
First, a large-sized semiconductor substrate (for example, a 6-inch wafer) 11 is transferred to the marking
このとき、マーキング可能範囲Ａ１が大判半導体基板１１よりも小さい１つのマーキング装置１１０を用いて、大判半導体基板１１における全ての識別マークＭを同時にマーキングする。また、図４Ｃに示すように、後述するダイシング工程後に複数の成膜済み分割半導体基板３を重ねる場合に、複数の成膜済み分割半導体基板３における識別マークＭが重なるように、複数の識別マークＭをマーキングする。換言すれば、１つのマーキング装置１１０のマーキング可能範囲Ａ１内において、ダイシング線Ｌに対して回転対称に、識別マークＭをマーキングする。
At this time, all the identification marks M on the large-
識別マークＭは、ダイシング線Ｌとの離間距離が１５ｍｍ以下である位置に配置される。レーザを用いたダイシングでは、ダイシングされた端部の特性が劣化する。本実施形態によれば、識別マークＭを、ダイシングによって特性劣化する箇所に配置するので、識別マークＭに起因する発電効率低下を低減することができる。 The identification mark M is arranged at a position separated from the dicing line L by 15 mm or less. In dicing using a laser, the characteristics of the diced edges deteriorate. According to the present embodiment, since the identification mark M is arranged at a location where the characteristics are degraded by dicing, a decrease in power generation efficiency caused by the identification mark M can be reduced.
また、識別マークは、大判半導体基板１１の中央部に配置される。これにより、マーキング装置１１０のマーキング可能範囲Ａ１を小さくすることができ、マーキング装置１１０の小型化が可能である。
Also, the identification mark is arranged in the central portion of the large-
次に、大判半導体基板１１を、図３に示す成膜装置１２０に搬送する。これにより、大判半導体基板１１上に、識別マークＭの位置を除いて成膜することにより、成膜済み大判半導体基板２を生成する（成膜工程）。
Next, the large-
例えば図１に示す両面電極型の太陽電池１の場合、半導体基板１１の受光面側に第１真性半導体層２３、第１導電型半導体層２５および第１透明電極層２７を成膜し、半導体基板１１の裏面側に、識別マークの位置を除いて、第２真性半導体層３３、第２導電型半導体層３５および第２透明電極層３７を成膜する。
For example, in the case of the double-sided electrode type solar cell 1 shown in FIG. A second
一方、例えば図２に示す裏面電極型の太陽電池１の場合、半導体基板１１の受光面側に順に第３真性半導体層３および反射防止層１５を成膜し、半導体基板１１の裏面側の一部に、識別マークの位置を除いて、第１真性半導体層２３、第１導電型半導体層２５および第１透明電極層２７を成膜し、半導体基板１１の裏面側の他の一部に、識別マークの位置を除いて、第２真性半導体層３３、第２導電型半導体層３５および第２透明電極層３７を成膜する。
（以上、大判成膜基板の製造方法）On the other hand, for example, in the case of the back electrode type solar cell 1 shown in FIG. A first
(The above is the method for manufacturing a large-sized film-formed substrate)
次に、成膜済み大判半導体基板２を、図３に示すダイシング装置１３０に搬送する。これにより、予めプログラムされたダイシング線Ｌに沿って成膜済み大判半導体基板２をダイシングすることにより、図４Ｂに示すように、複数の成膜済み分割半導体基板３を生成する（ダイシング工程）。
（以上、分割成膜基板の製造方法）Next, the film-formed large-
(The above is the method for manufacturing the divided film-forming substrate)
ここで、上述した各工程では、各工程の情報のうち少なくとも１つを生産履歴情報として、識別マークＭが示す情報と関連付けて管理する（管理工程）。例えば、マーキング工程では、マーキング工程におけるレーザ強度、照射時間、大判半導体基板に対するマーキング位置(例えば、109A,109B,109C,109Dのような)等のマーキング条件を生産履歴情報として、識別マークＭが示す情報と関連付けて管理する。また、成膜工程では、成膜工程における各層の成膜条件や製膜日時などを生産履歴情報として、識別マークＭが示す情報と関連付けて管理する。また、ダイシング工程では、ダイシング工程におけるレーザ強度、照射時間、大判半導体基板における分割半導体基板の位置等のダイシング条件を生産履歴情報として、識別マークＭが示す情報と関連付けて管理する。 Here, in each process described above, at least one of the information of each process is managed as production history information in association with the information indicated by the identification mark M (management process). For example, in the marking process, the identification mark M indicates the marking conditions such as the laser intensity, the irradiation time, and the marking positions (such as 109A, 109B, 109C, and 109D) on the large-sized semiconductor substrate as production history information. Manage in association with information. In the film forming process, the film forming conditions and film forming date and time of each layer in the film forming process are managed as production history information in association with the information indicated by the identification mark M. In the dicing process, dicing conditions such as laser intensity, irradiation time, and positions of the divided semiconductor substrates in the large-sized semiconductor substrate are managed as production history information in association with information indicated by the identification mark M.
次に、成膜済み分割半導体基板３を、図３に示す読取装置１５０に搬送する。これにより、複数の成膜済み分割半導体基板３ごとに識別マークＭを読み取ることにより、管理装置１４０から、識別マークＭが示す情報に関連付けされた生産履歴情報を読み取る（読取工程）。
Next, the divided
以上説明したように、本実施形態の大判成膜基板２の製造方法、分割成膜基板３の製造方法、および分割成膜基板３の生産管理方法によれば、マーキング工程において、１つのマーキング装置１１０を用いて、大判基板１１における全ての識別マークＭを同時にマーキングし、マーキング装置１１０のマーキング可能範囲Ａ１が大判基板１１よりも小さい。これにより、マーキング装置１１０の小型化が可能であり、装置導入コストを低減することができる。そのため、製造コストの低コスト化が可能である。
As described above, according to the method for manufacturing the large film-formed
また、本実施形態の大判成膜基板２の製造方法、分割成膜基板３の製造方法、および分割成膜基板３の生産管理方法によれば、マーキング工程において、ダイシング工程後に複数の分割成膜基板３を重ねる場合に、複数の分割成膜基板３における識別マークＭが重なるように（図４Ｃ）、複数の識別マークＭをマーキングする。これにより、読取工程において複数の分割成膜基板３の識別マークＭを同じ位置で容易に読み取ることができる。更に、読取装置１５０の読み取り範囲Ａ２を小さくすることができるので、識別マークＭの読み取り分解能を高め、読み取り精度を高めることができる。
Further, according to the method for manufacturing the large film-formed
（変形例１）
図５Ａは、本実施形態の変形例に係る太陽電池の仕掛品、すなわちダイシング前の成膜済み大判半導体基板（大判成膜基板）およびダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）の製造方法を含む、太陽電池の仕掛品、すなわちダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）の生産管理方法におけるマーキング工程および成膜工程を示す図である。図５Ｂは、本実施形態の変形例に係る太陽電池の仕掛品、すなわちダイシング前の成膜済み大判半導体基板（大判成膜基板）およびダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）の製造方法を含む、太陽電池の仕掛品、すなわちダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）の生産管理方法におけるダイシング工程を示す図である。(Modification 1)
FIG. 5A shows a work-in-progress of a solar cell according to a modification of the present embodiment, that is, a large-sized semiconductor substrate with film formed before dicing (large film-formed substrate) and a divided semiconductor substrate with film formed after dicing (divided film-formed substrate). 1 is a diagram showing a marking process and a film formation process in a production control method for a solar cell in-process product, that is, a divided semiconductor substrate after dicing (divided film-formed substrate), including the manufacturing method of FIG. FIG. 5B is a work-in-process of a solar cell according to a modification of the present embodiment, that is, a large-sized semiconductor substrate with film formed before dicing (large film-formed substrate) and a divided semiconductor substrate with film formed after dicing (divided film-formed substrate). 1 is a diagram showing a dicing step in a production control method for a solar cell in-process product, that is, a divided semiconductor substrate after dicing (divided film-formed substrate), including the manufacturing method of FIG.
図５Ａおよび図５Ｂに示すように、マーキング工程では、マーキング装置１１０によって、識別マークＭは、大判半導体基板１１の中央部ではなく、大判半導体基板１１の端部に配置されてもよい。大判半導体基板１１の端部の光電変換特性は、大判半導体基板１１の中央部の光電変換特性よりも低いことが多い。本変形例によれば、識別マークＭを、光電変換特性が低い端部に配置するので、識別マークＭに起因する発電効率低下を低減することができる。
As shown in FIGS. 5A and 5B , in the marking process, the marking
なお、本変形例でも、マーキング可能範囲Ａ１が大判半導体基板１１よりも小さい１つのマーキング装置１１０を用いて、大判半導体基板１１における全ての識別マークＭを同時にマーキングする。図５Ａの例では、マーキング可能範囲Ａ１は、３０ｍｍ×１７０ｍｍである。
Also in this modification, all the identification marks M on the large-
また、本変形例でも、ダイシング工程後に複数の成膜済み分割半導体基板３を重ねる場合に、複数の成膜済み分割半導体基板３における識別マークＭが重なるように、複数の識別マークＭをマーキングする。換言すれば、１つのマーキング装置１１０のマーキング可能範囲Ａ１内において、ダイシング線Ｌに対して回転対称に、識別マークＭをマーキングする。
Also in this modification, when a plurality of divided
また、本変形例では、ダイシング工程において、光電変換特性が低い大判半導体基板１１の端部を切り落としてもよい。この場合、大判半導体基板１１の端部の切り落としのためのダイシング線Ｌ０によって分割される端部領域には、本発明の特徴である識別マークのマーキングを考慮する必要がない。
In addition, in this modified example, the end portion of the large-
（変形例２）
図６Ａは、本実施形態の変形例に係る太陽電池の仕掛品、すなわちダイシング前の成膜済み大判半導体基板（大判成膜基板）およびダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）の製造方法を含む、太陽電池の仕掛品、すなわちダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）の生産管理方法におけるマーキング工程および成膜工程を示す図である。図６Ｂは、本実施形態の変形例に係る太陽電池の仕掛品、すなわちダイシング前の成膜済み大判半導体基板（大判成膜基板）およびダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）の製造方法を含む、太陽電池の仕掛品、すなわちダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）の生産管理方法におけるダイシング工程を示す図である。図６Ｃは、本実施形態の変形例に係る太陽電池の仕掛品、すなわちダイシング前の成膜済み大判半導体基板（大判成膜基板）およびダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）の製造方法を含む、太陽電池の仕掛品、すなわちダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）の生産管理方法における読取工程を示す図である。(Modification 2)
FIG. 6A shows a work-in-process of a solar cell according to a modification of the present embodiment, that is, a large-sized semiconductor substrate with film formed before dicing (large film-formed substrate) and a divided semiconductor substrate with film formed after dicing (divided film-formed substrate). 1 is a diagram showing a marking process and a film formation process in a production control method for a solar cell in-process product, that is, a divided semiconductor substrate after dicing (divided film-formed substrate), including the manufacturing method of FIG. FIG. 6B is a work-in-process of a solar cell according to a modification of the present embodiment, that is, a large-sized semiconductor substrate with film formed before dicing (large film-formed substrate) and a divided semiconductor substrate with film formed after dicing (divided film-formed substrate). 1 is a diagram showing a dicing step in a production control method for a solar cell in-process product, that is, a divided semiconductor substrate after dicing (divided film-formed substrate), including the manufacturing method of FIG. FIG. 6C shows a work-in-process of a solar cell according to a modification of the present embodiment, that is, a large-sized semiconductor substrate with film formed before dicing (large film-formed substrate) and a divided semiconductor substrate with film formed after dicing (divided film-formed substrate). 1 is a diagram showing a reading process in a production control method for a solar cell in-process product, that is, a film-formed divided semiconductor substrate after dicing (divided film-formed substrate), including the manufacturing method of FIG.
図６Ａ～図６Ｃに示すように、交差するダイシング線Ｌによって４等分に分割されてもよい。 It may be divided into four equal parts by crossing dicing lines L, as shown in FIGS. 6A-6C.
なお、本変形例でも、マーキング可能範囲Ａ１が大判半導体基板１１よりも小さい１つのマーキング装置１１０を用いて、大判半導体基板１１における全ての識別マークＭを同時にマーキングする。図６Ａの例では、マーキング可能範囲Ａ１は、３０ｍｍ×３０ｍｍである。
Also in this modification, all the identification marks M on the large-
また、本変形例でも、図６Ｃに示すように、ダイシング工程後に複数の成膜済み分割半導体基板３を重ねる場合に、複数の成膜済み分割半導体基板３における識別マークＭが重なるように、複数の識別マークＭをマーキングする。換言すれば、１つのマーキング装置１１０のマーキング可能範囲Ａ１内において、ダイシング線Ｌに対して回転対称に、識別マークＭをマーキングする。
Also, in this modification, as shown in FIG. 6C, when a plurality of divided
（変形例３）
図７Ａは、本実施形態の変形例に係る太陽電池の仕掛品、すなわちダイシング前の成膜済み大判半導体基板（大判成膜基板）およびダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）の製造方法を含む、太陽電池の仕掛品、すなわちダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）の生産管理方法におけるマーキング工程および成膜工程を示す図である。図７Ｂは、本実施形態の変形例に係る太陽電池の仕掛品、すなわちダイシング前の成膜済み大判半導体基板（大判成膜基板）およびダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）の製造方法を含む、太陽電池の仕掛品、すなわちダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）の生産管理方法におけるダイシング工程を示す図である。(Modification 3)
FIG. 7A shows a work-in-process of a solar cell according to a modification of the present embodiment, that is, a large-sized semiconductor substrate with film formed before dicing (large film-formed substrate) and a divided semiconductor substrate with film formed after dicing (divided film-formed substrate). 1 is a diagram showing a marking process and a film formation process in a production control method for a solar cell in-process product, that is, a divided semiconductor substrate after dicing (divided film-formed substrate), including the manufacturing method of FIG. FIG. 7B is a work-in-process of a solar cell according to a modification of the present embodiment, that is, a large-sized semiconductor substrate with film formed before dicing (large film-formed substrate) and a divided semiconductor substrate with film formed after dicing (divided film-formed substrate). 1 is a diagram showing a dicing step in a production control method for a solar cell in-process product, that is, a divided semiconductor substrate after dicing (divided film-formed substrate), including the manufacturing method of FIG.
上述した実施形態では、一方向に２等分に分割する形態を例示したが、図７Ａおよび図７Ｂに示すように、一方向に４、６等分以上（偶数）に分割されてもよい。 In the above-described embodiment, the form of dividing into two equal parts in one direction was exemplified, but as shown in FIGS. 7A and 7B, it may be divided into 4, 6 or more equal parts (an even number) in one direction.
なお、本変形例でも、マーキング可能範囲Ａ１が大判半導体基板１１よりも小さい１つのマーキング装置１１０を用いて、大判半導体基板１１における全ての識別マークＭを同時にマーキングする。図７Ａの例では、マーキング可能範囲Ａ１は、１７０ｍｍ×３０ｍｍである。
Also in this modification, all the identification marks M on the large-
また、本変形例でも、ダイシング工程後に複数の成膜済み分割半導体基板３を重ねる場合に、複数の成膜済み分割半導体基板３における識別マークＭが重なるように、複数の識別マークＭをマーキングする。換言すれば、１つのマーキング装置１１０のマーキング可能範囲Ａ１内において、ダイシング線Ｌに対して回転対称に、識別マークＭをマーキングする。
Also in this modification, when a plurality of divided
（変形例４）
図８Ａは、本実施形態の変形例に係る太陽電池の仕掛品、すなわちダイシング前の成膜済み大判半導体基板（大判成膜基板）およびダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）の製造方法を含む、太陽電池の仕掛品、すなわちダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）の生産管理方法におけるマーキング工程および成膜工程を示す図である。図８Ｂは、本実施形態の変形例に係る太陽電池の仕掛品、すなわちダイシング前の成膜済み大判半導体基板（大判成膜基板）およびダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）の製造方法を含む、太陽電池の仕掛品、すなわちダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）の生産管理方法におけるダイシング工程を示す図である。(Modification 4)
FIG. 8A shows a work-in-process of a solar cell according to a modification of the present embodiment, that is, a large-sized semiconductor substrate with film formed before dicing (large film-formed substrate) and a divided semiconductor substrate with film formed after dicing (divided film-formed substrate). 1 is a diagram showing a marking process and a film formation process in a production control method for a solar cell in-process product, that is, a divided semiconductor substrate after dicing (divided film-formed substrate), including the manufacturing method of FIG. FIG. 8B is a work-in-process of a solar cell according to a modification of the present embodiment, that is, a large-sized semiconductor substrate with film formed before dicing (large film-formed substrate) and a divided semiconductor substrate with film formed after dicing (divided film-formed substrate). 1 is a diagram showing a dicing step in a production control method for a solar cell in-process product, that is, a divided semiconductor substrate after dicing (divided film-formed substrate), including the manufacturing method of FIG.
上述した実施形態では、一方向に２等分に分割する形態を例示したが、図８Ａおよび図８Ｂに示すように、一方向に３等分以上（奇数）に分割されてもよい。 In the above-described embodiment, the form of dividing into two equal parts in one direction was exemplified, but as shown in FIGS. 8A and 8B, it may be divided into three or more equal parts (odd number) in one direction.
なお、本変形例でも、マーキング可能範囲Ａ１が大判半導体基板１１よりも小さい１つのマーキング装置１１０を用いて、大判半導体基板１１における全ての識別マークＭを同時にマーキングする。図８Ａの例では、マーキング可能範囲Ａ１は、１００ｍｍ×１７０ｍｍである。
Also in this modification, all the identification marks M on the large-
また、本変形例でも、ダイシング工程後に複数の成膜済み分割半導体基板３を重ねる場合に、複数の成膜済み分割半導体基板３における識別マークＭが重なるように、複数の識別マークＭをマーキングする。換言すれば、１つのマーキング装置１１０のマーキング可能範囲Ａ１内において、ダイシング線Ｌに対して回転対称に、識別マークＭをマーキングする。なお、本変形例のように、更にダイシング線Ｌに対して回転対称には配置された識別マークＭに加えて更に、識別マークＭ０を配置してもよい。
Also in this modification, when a plurality of divided
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されることなく、種々の変更および変形が可能である。例えば、上述した実施形態では、図１または図２に示す太陽電池１の仕掛品、すなわちダイシング前の成膜済み大判半導体基板（大判成膜基板）２およびダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）３およびその製造方法について説明した。しかし、本発明の大判成膜基板およびその製造方法、および分割成膜基板およびその製造方法はこれに限定されず、種々の大判成膜基板およびその製造方法、および分割成膜基板およびその製造方法に適用可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes and modifications are possible. For example, in the above-described embodiments, the in-process products of the solar cell 1 shown in FIG. 1 or FIG. The divided film formation substrate) 3 and the manufacturing method thereof have been described. However, the large film formation substrate and its manufacturing method, and the divided film formation substrate and its manufacturing method of the present invention are not limited to this, and various large film formation substrates and their manufacturing methods, and the divided film formation substrates and their manufacturing methods. applicable to
また、上述した実施形態では、図１または図２に示す太陽電池１の仕掛品、すなわちダイシング後の成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）３の生産管理方法および生産管理システム１００について説明した。しかし、本発明の分割成膜基板の生産管理方法および生産管理システムはこれに限定されず、種々の分割成膜基板の生産管理方法および生産管理システムに適用可能である。
Further, in the above-described embodiment, the production control method and the
１ 太陽電池
２ 成膜済み大判半導体基板（大判成膜基板）
３ 成膜済み分割半導体基板（分割成膜基板）
１１ 半導体基板
１３ 第３真性半導体層
１５ 反射防止層
２３ 第１真性半導体層
２５ 第１導電型半導体層
２７ 第１透明電極層
２８ 第１金属電極層
３３ 第２真性半導体層
３５ 第２導電型半導体層
３７ 第２透明電極層
３８ 第２金属電極層
１００ 生産管理システム
１１０ マーキング装置
１２０ 成膜装置
１３０ ダイシング装置
１４０ 管理装置
１５０ 読取装置
Ａ１ マーキング可能範囲
Ａ２ 読取範囲
Ｌ，Ｌ０ ダイシング線
Ｍ，Ｍ０ 識別マーク1
3 Film-formed divided semiconductor substrate (divided film-formed substrate)
REFERENCE SIGNS
Claims (13)
前記大判基板の一方主面側における、ダイシング線によって分割される分割領域ごとに、少なくとも１つの識別マークをマーキングするマーキング工程と、
前記大判基板上に、前記識別マークの位置を除いて成膜することにより、前記大判成膜基板を生成する成膜工程と、
を含み、
前記マーキング工程では、
ダイシング後に、前記大判成膜基板をダイシングしてなる複数の分割成膜基板を重ねる場合に、前記複数の分割成膜基板における前記識別マークが重なるように、
マーキング可能範囲が前記大判基板よりも小さい１つのマーキング装置を用いて、前記大判基板における全ての前記識別マークを同時にマーキングする、
大判成膜基板の製造方法。A method for manufacturing a large-sized film-formed substrate formed by forming a film on a large-sized substrate before dicing,
a marking step of marking at least one identification mark for each divided region divided by a dicing line on one main surface side of the large-sized substrate;
a film forming step of forming the large film-formed substrate by forming a film on the large-sized substrate excluding the position of the identification mark;
including
In the marking process,
After dicing, when stacking a plurality of divided film formation substrates obtained by dicing the large film formation substrate, so that the identification marks of the plurality of divided film formation substrates overlap each other,
simultaneously marking all the identification marks on the large-sized substrate using a single marking device having a smaller markable range than the large-sized substrate;
A method for manufacturing a large-sized deposition substrate.
前記ダイシング線に沿って前記大判成膜基板をダイシングすることにより、前記複数の分割成膜基板を生成するダイシング工程を含む、
分割成膜基板の製造方法。A method for manufacturing the plurality of divided film formation substrates, comprising the method for manufacturing a large film formation substrate according to any one of claims 1 to 7, and comprising dicing the large film formation substrate,
A dicing step of generating the plurality of divided film-formed substrates by dicing the large film-formed substrate along the dicing lines,
A method for manufacturing a divided film formation substrate.
前記マーキング工程、前記成膜工程および前記ダイシング工程の情報のうち少なくとも１つを生産情報として、前記識別マークが示す情報と関連付けて管理する管理工程と、
前記複数の分割成膜基板ごとに前記識別マークを読み取ることにより、前記生産情報を読み取る読取工程と、
を含む、分割成膜基板の生産管理方法。A production control method for the plurality of divided film formation substrates, comprising the method for manufacturing the divided film formation substrates according to claim 8,
a management step of managing at least one of the information of the marking step, the film forming step and the dicing step as production information in association with the information indicated by the identification mark;
a reading step of reading the production information by reading the identification mark for each of the plurality of divided film formation substrates;
A production control method for a divided deposition substrate, comprising:
前記成膜工程の生産情報は、成膜条件であり、
前記ダイシング工程の生産情報は、ダイシング条件である、
請求項９に記載の分割成膜基板の生産管理方法。The production information of the marking process is marking conditions,
The production information of the film forming process is film forming conditions,
The production information of the dicing step is dicing conditions,
10. The production control method for divided film-formed substrates according to claim 9.
大判基板の一方主面側における、ダイシング線によって分割される分割領域ごとに、少なくとも１つの識別マークをマーキングするマーキング装置と、
前記大判基板上に、前記識別マークの位置を除いて成膜することにより、大判成膜基板を生成する成膜装置と、
前記ダイシング線に沿って前記大判成膜基板をダイシングすることにより、複数の分割成膜基板を生成するダイシング装置と、
前記マーキング装置によるマーキング時の情報、前記成膜装置による成膜時の情報、および前記ダイシング装置によるダイシング時の情報のうち少なくとも１つを生産情報として、前記識別マークが示す情報と関連付けて管理する管理装置と、
前記複数の分割成膜基板ごとに前記識別マークを読み取ることにより、前記生産情報を読み取る読取装置と、
を備え、
前記マーキング装置は、
ダイシング後に、前記大判成膜基板をダイシングしてなる複数の分割成膜基板を重ねる場合に、前記複数の分割成膜基板における前記識別マークが重なるように、
マーキング可能範囲が前記大判基板よりも小さい１つのマーキング装置を用いて、前記大判基板における全ての前記識別マークを同時にマーキングする、
分割成膜基板の生産管理システム。11. A production control system for divided film-formed substrates for the production control method for divided film-formed substrates according to claim 9 or 10,
a marking device that marks at least one identification mark for each divided area divided by the dicing line on one main surface side of the large-sized substrate;
a film forming apparatus for forming a large-sized film-formed substrate by forming a film on the large-sized substrate except for the position of the identification mark;
a dicing apparatus for generating a plurality of divided film-formed substrates by dicing the large film-formed substrate along the dicing lines;
At least one of information at the time of marking by the marking device, information at the time of film formation by the film formation device, and information at the time of dicing by the dicing device is managed as production information in association with information indicated by the identification mark. a management device;
a reading device for reading the production information by reading the identification mark for each of the plurality of divided film formation substrates;
with
The marking device is
After dicing, when stacking a plurality of divided film formation substrates obtained by dicing the large film formation substrate, so that the identification marks of the plurality of divided film formation substrates overlap each other,
simultaneously marking all the identification marks on the large-sized substrate using a single marking device having a smaller markable range than the large-sized substrate;
A production management system for divided film-formed substrates.
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Citations (6)
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|---|---|---|---|---|
| JP2002313853A (en) | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Seiko Instruments Inc | Wafer marking device for semiconductor device |
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|---|---|---|---|---|
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| WO2014139855A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Asml Netherlands B.V. | Patterning device, method of producing a marker on a substrate and device manufacturing method |
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Patent Citations (6)
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|---|---|---|---|---|
| JP2002313853A (en) | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Seiko Instruments Inc | Wafer marking device for semiconductor device |
| JP2005150496A (en) | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Toppan Printing Co Ltd | Anisotropic transparent solid material, spherical surface acoustic wave element and its manufacturing method |
| JP2009105210A (en) | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Toray Eng Co Ltd | Chip id marking method for semiconductor chip and marking device |
| JP2012104512A (en) | 2010-11-05 | 2012-05-31 | Sharp Corp | Thin film solar cell module and method of manufacturing the same |
| WO2015025674A1 (en) | 2013-08-20 | 2015-02-26 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | Process substrate with crystal orientation mark, crystal orientation detection method, and crystal orientation mark reading device |
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