JP7116303B2 - パッケージ及び発光装置 - Google Patents
パッケージ及び発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7116303B2 JP7116303B2 JP2018120210A JP2018120210A JP7116303B2 JP 7116303 B2 JP7116303 B2 JP 7116303B2 JP 2018120210 A JP2018120210 A JP 2018120210A JP 2018120210 A JP2018120210 A JP 2018120210A JP 7116303 B2 JP7116303 B2 JP 7116303B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- molded body
- terminal
- package
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 24
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- -1 for example Polymers 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 239000012783 reinforcing fiber Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTDCAOYDHVNFCP-UHFFFAOYSA-N chloro(trihydroxy)silane Chemical compound O[Si](O)(O)Cl GTDCAOYDHVNFCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49861—Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49548—Cross section geometry
- H01L23/49551—Cross section geometry characterised by bent parts
- H01L23/49555—Cross section geometry characterised by bent parts the bent parts being the outer leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16237—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Geometry (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
第1実施形態に係るパッケージ1について図1A~図4を参照して説明する。図1Aは、第1実施形態に係るパッケージを模式的に示す平面図である。図1Bは、第1実施形態に係るパッケージを模式的に示す底面図である。図1Cは、第1実施形態に係るパッケージを模式的に平面から示し、第1リード及び第2リードの凹部の構成をドットで模式的に示した説明図である。図2は、第1実施形態に係るパッケージの断面図であり、図1AのII-II線における断面図である。図3は、第1実施形態に係るパッケージの第1リード及び第2リードを裏面側から模式的に示す斜視図である。図4は、第1実施形態に係るパッケージに発光素子を設置した状態を模式的に示す斜視図である。
パッケージ1は、第1リード10と、第2リード20と、第1リード10及び第2リード20を保持する成形体6とを備えている。パッケージ1は、全体として第1辺61、第2辺62、第3辺63、第4辺64を有する矩形の平板状に形成されている。そして、パッケージ1は、発光素子2が載置される側を表面側とし、外部電極と接続される側を裏面側とする。パッケージ1の表面側に発光素子2を実装する素子用端子NP1が、第1リード10及び第2リード20の少なくとも一部により形成されている。さらに、パッケージ1の裏面側に外部からの電気的な接続を行う第1端子G1、第2端子G2を有し、さらに放熱を行う放熱端子H1が配置されている。第1端子G1、放熱端子H1は第1リード10により形成され、第2端子G2は第2リード20により形成されている。第1リード10と第2リード20とは互いに離間するように成形体6に保持して形成されている。そして、パッケージ1は、成形体6の表面側では、第1リード10及び第2リード20の表面を露出させ、露出させている少なくとも一部を素子用端子NP1としている。また、パッケージ1は、成形体6の裏面側では、第1リード10及び第2リード20の所定位置の表面のみを露出させ、露出させている部分の少なくとも一部(ここでは全部)を第1端子G1、第2端子G2及び放熱端子H1としている。第1リード10及び第2リード20の表面及び裏面は、成形体6と同一平面であり、パッケージ1の表面における、素子用端子NP1の面と成形体6とは同一平面である。第1リード10の厚みに対して成形体6の厚みは3%以下、好ましくは1%以下薄くなっているか、更に好ましくは同じ厚みである。また、パッケージ1の裏面における第1端子G1、放熱端子H1、第2端子G2は、成形体6と同一平面である。
第1垂直部11a1は、後記する第2リードの第4部22から離間する位置から成形体6の外縁となる第3辺63の位置まで連続して一定の幅で形成されている。そして、第1垂直部11a1は、表面側では、一端から成形体6の第3辺に接しない内側まで(表側で凹部11bに対向する部分を除く位置まで)の直線部分の範囲を、第1素子接続端子P1としている。第1素子接続端子P1は、発光素子2の素子電極3の1つであるP側電極3aに接続する素子用の端子である。
第3部21の第3垂直部21a1は、成形体6の第4辺64側に平行に離間して配置され、成形体6の第1辺61から第3辺63に亘って一定幅で連続して形成されている。第3垂直部21a1は、成形体6の表面側では、長手方向の一端から他端までが成形体6から露出するように形成されている。また、第3垂直部21a1は、成形体6の裏面側では、両端側に板厚を薄くした凹部21b11及び凹部21b12が形成され、成形体6にその凹部21b11及び凹部21b12が埋設するように形成されている。
第1リード10あるいは第2リード20は、銅、銅合金、鉄、鉄合金、アルミニウム、アルミニウム合金のいずれかで形成されていることが好ましい。
従って、パッケージ1では、表面側の素子用の端子として設定している部分と、裏面側の外部の接続用の端子あるいは放熱用の端子として設定している部分の位置を変えることができる。そのため、パッケージ1は、表面側と裏面側とで第1リード10及び第2リード20の所定の部分を使用して役割を変えて使用することが可能となる。
次に、第2実施形態に係るパッケージ1Aについて図5A~図8を参照して説明する。
図5Aは、第2実施形態に係るパッケージを模式的に示す平面図である。図5Bは、第2実施形態に係るパッケージを模式的に示す底面図である。図5Cは、第2実施形態に係るパッケージを模式的に平面から示し、第1リード及び第2リードの凹部の構成をドットで示した説明図である。図6は、第2実施形態に係るパッケージの断面図であり、図5AのVI-VI線における断面図である。図7は、第2実施形態に係るパッケージの第1リード及び第2リードを裏面側から模式的に示す斜視図である。図8は、第2実施形態に係るパッケージに発光素子を設置した状態を模式的に示す斜視図である。なお、第2実施形態では第1実施形態と第1リード及び第2リードの配線形状が異なるものであり既に説明した同じ部材には同じ符号を付して説明を適宜省略する。
パッケージ1Aは、第1リード30と、第2リード40と、第1リード30及び第2リード40を保持する成形体6とを備えている。パッケージ1Aは、全体として第1辺61、第2辺62、第3辺63、第4辺64を有する矩形の平板状に形成されている。そして、パッケージ1Aは、表面側に発光素子2を実装する素子用端子NP2が第1リード30及び第2リード40の少なくとも一部により形成されている。さらにパッケージ1Aは、裏面側に外部からの電気的な接続を行うように外部用端子G3が、第1リード30により形成され、外部用端子G4及び放熱端子H2が、第2リード40により形成されている。パッケージ1Aは、第1リード30と第2リード40とを離間するように成形体6に保持して形成している。そして、パッケージ1Aは、成形体6の表面側では、第1リード30及び第2リード40の表面を露出させ、その露出させた部分を素子用端子NP2としている。また、パッケージ1Aは、成形体6の裏面側では、第1リード30及び第2リード40の所定位置のみを露出させ、露出させた部分を外部と接続する第1端子G3、第2端子G4及び放熱を行う放熱端子H2としている。
端子G3として機能するようになっている。第1部31は、成形体6の表側では、成形体6から露出し、成形体6の裏面側では、成形体6から露出する部分が、第1端子G3として機能する。なお、第1リード30の第1部31は、後記するように、個片化する前において隣接する次の第1リード30の第1部31に連続するように成形体6の第1辺61から第3辺63まで連続して一定幅で形成されている。
次に、発光装置100について図9A及び図9Bを参照して説明する。図9Aは、第1実施形態に係るパッケージを用いた発光装置の構成を模式的に示す斜視図である。図9Bは、第1実施形態に係るパッケージを用いた発光装置の構成において図9AのIXB-IXB線における断面図である。なお、発光装置100では、パッケージ1を使用する場合を代表して説明する。
発光装置100は、パッケージ1と、発光素子2と、素子電極3と、枠体4と、被覆部材5と、アンダーフィル7と、を有している。発光装置100は、パッケージ1を有することによって、リード間の接合強度を向上させることができる。パッケージ1は第1実施形態で説明したものを使用する。
発光素子2は、素子電極3である、2つのN側電極3a2,3a3と、2つのN側電極3a2,3a3の間に形成された1つのP側電極3a1を有している。そして、発光素子2は、パッケージ1の素子用端子NP1にフリップチップ実装される。
発光素子2は、2つのN側電極3a2,3a3が、それぞれ、第2リード20における第4垂直部21a2の少なくとも一部である第2素子接続端子N1、及び、第5垂直部21a3の少なくとも一部である第3素子接続端子N2に接続される。そして、発光素子2は、1つのP側電極3a1が、第1リード10の第1垂直部11a1の少なくとも一部である第1素子接続端子P1に接続されている。これにより、発光素子2は、パッケージ1の第1リード10及び第2リード20上に実装されている。ここで用いられる発光素子2は、形状や大きさ等が特に限定されない。発光素子2の発光色としては、用途に応じて任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色(波長430~490nmの光)の発光素子2としては、発光層にGaN系やInGaN系を含むものを用いることができる。InGaN系としては、InxAlYGa1-X-YN(0≦X≦1、0≦Y≦1、X+Y≦1)等を用いることができる。
アンダーフィル7は、パッケージ1と、発光素子2との隙間に形成されている。アンダーフィル7は、発光素子2とパッケージ1の熱膨張率の差による応力を吸収したり、放熱性を高めたりする部材である。アンダーフィル7の材料としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂が挙げられる。なお、アンダーフィル7の材料として、白色樹脂のように光反射性の部材を用いることで、発光素子2からパッケージ1方向へ出射される光を反射することができ、光束を高めることができる。
枠体4は、発光素子2を取り囲むようにパッケージ1上に形成されている。枠体4は、発光装置100の壁部を構成する部材である。枠体4は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、これらの変性樹脂又はこれらの樹脂を1種以上含むハイブリッド樹脂等によって形成することができる。熱可塑性樹脂としては、ポリアミド樹脂、ポリフタルアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ABS樹脂、アクリル樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリシクロヘキサンテレフタレート樹脂、液晶ポリマー等が挙げられる。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ユリア樹脂、フェノール樹脂、BTレジン、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂等が挙げられる。また、これらの母材には、当該分野で公知の反射部材、着色剤、充填剤、強化繊維、後述する蛍光物質等を含有させてもよい。特に、反射部材は、反射率の良好な材料が好ましく、酸化チタン、酸化亜鉛等の白色のものが好ましい。充填剤としては、シリカ、アルミナ等が挙げられる。強化繊維としては、ガラス、珪酸カルシウム、チタン酸カリウム等が挙げられる。例えば、枠体4に反射部材を含有させることにより、発光素子2からの光を効率良く上方、主にZ軸方向等に取り出すことができる。
被覆部材5は、発光素子2を覆う部材である。
被覆部材5は、パッケージ1の枠体4内に発光素子2を覆うように設けられている。被覆部材5は、発光素子2を覆う部材である。被覆部材5は、発光素子2を、外力、埃、水分などから保護すると共に、発光素子2の耐熱性、耐候性、耐光性を良好なものとするために設けられている。被覆部材5の材質としては、透光性の部材であり、熱硬化性樹脂、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂等の透明な材料を挙げることができる。このような材料に加えて、所定の機能を持たせるために、蛍光体や光反射率が高い物質等のフィラーを含有させることもできる。
以上説明したように構成される発光装置100は、発光素子2が外部から供給される電力により発光して被覆部材5を介して外部に光を照射する。そして、発光素子2は、発光する動作が連続すると発熱するが、パッケージ1の放熱端子H1が外部に熱を放熱することができ熱による不安定な動作を起こすことを軽減することが可能となる。そして、発光装置100では、パッケージ1の表面側における端子のパターンと、パッケージ1の裏面側における端子のバターンを変えることができる。そのため、発光装置100は、使用される場所や環境に合せて適切な構成を採用することが可能となる。
発光装置100Aは、発光素子2の上面に接着材8を介して透光性部材9を設けている。そして、発光装置100Aでは、透光性部材9が、発光素子2の上面よりも大きな面積を有している。発光装置100Aでは、透光性部材9の周縁と発光素子2の側面とが接着材8により覆われることでフィレットを形成し、そのフィレットが発光素子2からの光を導光して透光性部材9から取り出すようになる。なお、透光性部材9の形状はここでは平板状として表示しているが、凸状に形成する構成としてもよい。また、透光性部材9は、透光性として少なくとも発光素子2からの光を60%以上透過することができるものであれば、ガラス材料や樹脂等のいずれであってもよい。
発光装置100で使用される発光素子2は、矩形の形状として説明したが、例えば、図10A及び図10Bに示すように、六角形の外観形状を有する発光素子2Bを使用してもよい。発光素子2Bとして六角形の外観形状のものを使用する場合には、2つのN側電極3b2,3b3の合計面積に対して、中央のP側電極3b1の面積を近づけるように大きく取り易く、大きな電流を扱いやすくなる。
発光装置100で使用される発光素子2を1個用いて説明したが、発光素子2Cを2つ実装するようにして使用してもよい。そのため、パッケージは、例えば、パッケージ1Aの第4部の水平部分を2つ形成するような構成に形成したものが使用される。なお、その他の構成は、第2実施形態で示すものと同じ構成であるとし、説明を省略する。
すなわち、パッケージ1Cでは、第4部42が第1水平部42a1及び第2水平部42a2を備えるように形成されている。そして、第2リード40の第1水平部42a1及び第2水平部42a2は、第1リード30の第1水平部32a1及び第2水平部32a2の間に、離間して平行に配置されている。発光素子1Cでは、第2リード40の第1水平部42a1及び第2水平部42a2と、第1リード31の第1水平部32a1及び第2水平部32a2との少なくとも一部が2つの発光素子2Cと接続されることになる。
発光素子2Cを配置する場合、1つ目の発光素子2CのN側電極3c2を第1リード30の第1水平部32a1の少なくとも一部である第2素子接続端子N11に接続し、発光素子2CのP側電極3c1を第2リード40の第1水平部42a1の少なくとも一部である第2素子接続端子P11に接続する。そして、2つ目の発光素子2CのN側電極3c2を第1リード30の第2水平部32a2の少なくとも一部である第2素子接続端子N12に接続し、発光素子2CのP側電極3c1を第2リード40の第2水平部42a2の少なくとも一部である第1素子接続端子P12に接続することで、2つの発光素子2Cをパッケージ1Cに設けている。
このように、発光素子2Cの数を増やしてもパッケージ1Cでは、表面側及び裏面側において、第1リード30及び第2リード40の所定の部分を使用して役割を変えて使用することが可能となる。
次に、第1実施形態に係る発光装置100の製造方法について図1A乃至図4、図9A、図9Bを適宜参酌して説明する。各図は1個の発光装置や第1リード、第2リードを用いているが、個片化前においては、これら発光装置、第1リード、第2リードが上下左右に連続して形成されている。
本実施形態に係る発光装置の製造方法は、リードフレーム形成工程と、パッケージ製造工程と、発光素子実装工程と、枠体形成工程と、被覆部材形成工程と、個片化工程と、が含まれている。
なお、本実施形態に係る発光装置の製造方法は、リードフレーム形成工程から被覆部材形成工程までは、複数の第1リード及び複数の第2リードが連続的に形成されるリードフレームの状態で用いられ、各パッケージ1に対応する発光装置100が製造された後に、個片化工程において発光装置100が個片化されるが、1個のみ又は個片化されたパッケージ1を用いて発光装置100を製造するようにしてもよい。第1延伸部13、第2延伸部23、断続部24などは、隣り合う発光装置と連続して形成されており、1枚のリードフレームに各部分の複数が整列して形成される。
パッケージ製造工程では、形成したリードフレームに成形体を設けることで個々のパッケージを製造する工程である。パッケージ製造工程では、リードフレームを上下金型で挟み込み、上下金型で挟み込まれた空間内に樹脂を注入して個々の成形体を形成することができる。リードフレームのうち厚みの薄い部分の凹みには樹脂が配置されるが、厚みの厚い部分には側面のみ樹脂が配置され、上下面には樹脂は配置されない。なお、複数のパッケージは、ここでは樹脂パッケージとして形成される。また、成形体により保持されたリードフレームは、表面のバリをとるバリ取り作業が行われることが好ましい。
以上、第1実施形態に係る発光装置100の製造方法について説明したが、これに限定されるものではなく、説明した各工程の前や後に他の工程が含まれていてもよい。
また、第1実施形態では、裏面側において、第1リード10の第1部を放熱端子として使用したが、第1リードの第1垂直部を外側にして第2リード20の第3部の位置を中央にして放熱端子としてもよい。さらに、第2実施形態では、第1リード30側の第1水平部32a1及び第2水平部32a2を2カ所にして、第2リード40の第4部42を一カ所にして合せて3つの部分としたが、第1リード30側を1つとし、第2リード側を2つの部分としたものでもよい。そして、第1リード30側の1つの部分を放熱端子として用いてもよい。
そして、各実施形態において第1リード10,30及び第2リード20,40では、各凹部を、ハーフエッチングを用いて各凹部を形成する例として説明したが、機械的に切削することや、板厚方向に折曲、又は、板厚方向に湾曲させることで凹部を形成してもよい。
また、第1端子G1、G3、第2端子G2、G4及び素子接続端子N1~N4は鍍金されていてもよい。そして、前記鍍金は、金、銀、銅、白金、ニッケル、パラジウム又はこれらの一種を含む合金としてもよい。
1,1A,1C パッケージ
2 発光素子
3 素子電極
3a1,3b1,3c1 P側電極
3a2,3a3、3b2、3b3、3c2 N側電極
4 枠体
5 被覆部材
6 成形体
10,30 第1リード
11,31 第1部
11a1 第1垂直部
11a2 第2垂直部
11b,12b,13b,21b1,21b2,21ba,21bb,22b1~22b3,23b,31b1,31b2,32b1,32b2,33b,41b1,41b2,42b,43b 凹部
12,22 第2部
13,33 第1延伸部
20,40 第2リード
21,41 第3部
23,43 第2延伸部
22,42 第4部
61 第1辺
62 第2辺
63 第3辺
64 第4辺
N1,N3 第1素子接続端子
N2,N4 第2素子接続端子
H1,H2 放熱端子
G1,G3 第1端子
G2,G4 第2端子
Claims (15)
- 第1リードと、前記第1リードと離間して形成される第2リードと、前記第1リード及び前記第2リードを表面側において素子接続端子として露出させると共に、前記第1リード及び前記第2リードの少なくとも一部を裏面側において第1端子及び第2端子ならびに放熱端子として露出するように保持する平板状の成形体と、を有し、
前記第1リードは、一方向に形成される第1部と、前記第1部に接続して直交する他方向に形成される第2部と、を備え、
前記第2リードは、一方向に形成される第3部と、前記第3部に接続して直交する他方向に形成される第4部と、を備え、
前記第1リードの第1部及び前記第2リードの第3部が、離間して平行に配置されると共に、前記第1リードの第2部及び前記第2リードの第4部が離間して平行に配置され、
前記成形体の裏面側において、前記第1端子として、前記成形体の外周縁に接しない内側に前記第1部の少なくとも一部が露出して形成され、
前記成形体の裏面側において、前記第2端子として、前記成形体の外周縁に接しない内側に前記第3部の少なくとも一部が露出して形成され、
前記第1リードの少なくとも一部、又は、前記第2リードの少なくとも一部が、前記第1端子と前記第2端子との間に離間して配置される放熱端子として形成されるパッケージ。 - 前記放熱端子は、前記第1端子及び前記第2端子と平行である前記第1部又は前記第3部の少なくとも一部である請求項1に記載のパッケージ。
- 前記放熱端子は、前記第1端子及び前記第2端子と直交している前記第2部又は前記第4部の少なくとも一部である請求項1に記載のパッケージ。
- 前記第1部又は前記第3部は、
前記成形体の表面において、平行で交互に合計で5つを備えると共に、前記第1部又は前記第3部の5つの内の中央の3つを素子接続端子とし、
前記成形体の裏面において、前記第1部及び前記第3部の5つの内の両端となる位置の直線部分の少なくとも一部を前記第1端子及び前記第2端子とし、前記第1部及び前記第3部の5つの内の中央の直線部分の少なくとも一部を前記放熱端子とする請求項1に記載のパッケージ。 - 前記成形体の表面において、平行な前記第1部又は前記第3部から直交する方向に交互に配列される3つの前記第2部及び前記第4部を素子接続端子とし、
前記成形体の裏面において、前記第1部又は前記第3部の直線部分の少なくとも一部を前記第1端子及び前記第2端子とし、前記第2部及び前記第4部の3つの内の中央の直線部分の少なくとも一部を前記放熱端子とする請求項1に記載のパッケージ。 - 前記成形体の裏面側において、前記第1リード及び前記第2リードは、板厚方向に凹部を有し前記凹部を有していない部分が前記成形体から露出して前記第1端子、前記第2端子及び前記放熱端子を形成する請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のパッケージ。
- 前記成形体の表面側において素子接続端子以外の第1部から第4部のいずれかで、その少なくとも一部が、前記成形体の裏面側において、凹部を有し、前記凹部を有していない部分が前記成形体から露出して前記第1端子、前記第2端子及び前記放熱端子を形成する請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のパッケージ。
- 前記第1端子、前記第2端子及び前記素子接続端子は鍍金されている請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のパッケージ。
- 前記鍍金は、金、銀、銅、白金、ニッケル、パラジウム又はこれらの一種を含む合金である請求項8に記載のパッケージ。
- 前記第1リード及び前記第2リードは、銅、銅合金、又は鉄合金の何れかににより形成されている請求項1から請求項9のいずれか一項に記載のパッケージ。
- 前記第1リードは、成形体の表面側において、前記第1部に直交するように連続して成形体の外縁まで延びる第1延伸部を有し、
前記第2リードは、成形体の表面側において、前記第3部に直交するように連続して成形体の外縁まで延びる第2延伸部を有する請求項1から請求項10のいずれか一項に記載のパッケージ。 - 前記凹部は、板厚を薄くする、板厚方向に折曲、又は、板厚方向に湾曲させることで形成される請求項6又は請求項7に記載のパッケージ。
- 請求項1から請求項12のいずれか一項に記載のパッケージと、
前記パッケージにフリップチップ実装される発光素子と、を有する発光装置。 - 前記発光素子を取り囲むように前記パッケージに形成される枠体と、前記枠体内に前記発光素子を覆うように形成される被覆部材と、を有する請求項13に記載の発光装置。
- 前記発光素子は、平面視において多角形である請求項13又は請求項14に記載の発光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018120210A JP7116303B2 (ja) | 2018-06-25 | 2018-06-25 | パッケージ及び発光装置 |
US16/449,446 US10964637B2 (en) | 2018-06-25 | 2019-06-24 | Package and light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018120210A JP7116303B2 (ja) | 2018-06-25 | 2018-06-25 | パッケージ及び発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020004777A JP2020004777A (ja) | 2020-01-09 |
JP7116303B2 true JP7116303B2 (ja) | 2022-08-10 |
Family
ID=68982152
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018120210A Active JP7116303B2 (ja) | 2018-06-25 | 2018-06-25 | パッケージ及び発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10964637B2 (ja) |
JP (1) | JP7116303B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101966446B1 (ko) * | 2011-09-26 | 2019-04-05 | 닛신보 브레이크 가부시키가이샤 | 마찰재의 제조 방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007134376A (ja) | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Akita Denshi Systems:Kk | 発光ダイオード装置及びその製造方法 |
JP2007180227A (ja) | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Toshiba Corp | 光半導体装置およびその製造方法 |
JP2007335765A (ja) | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2014146763A (ja) | 2013-01-30 | 2014-08-14 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 |
US20140252402A1 (en) | 2013-03-06 | 2014-09-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diode (led) package having flip-chip bonding structure |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4173751B2 (ja) * | 2003-02-28 | 2008-10-29 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
JP2006049341A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
DE102008024704A1 (de) | 2008-04-17 | 2009-10-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils |
US20100164078A1 (en) * | 2008-12-31 | 2010-07-01 | Ruben Madrid | Package assembly for semiconductor devices |
JP2011108998A (ja) | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Toppan Printing Co Ltd | Led発光素子用リードフレーム |
EP2613372B1 (en) * | 2010-09-03 | 2019-10-23 | Nichia Corporation | Light emitting device, and package array for light emitting device |
JP5921548B2 (ja) | 2010-09-08 | 2016-05-24 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置、euv放射発生装置、およびデバイス製造方法 |
US9165865B2 (en) * | 2011-04-07 | 2015-10-20 | Texas Instruments Incorporated | Ultra-thin power transistor and synchronous buck converter having customized footprint |
JP5813467B2 (ja) | 2011-11-07 | 2015-11-17 | 新光電気工業株式会社 | 基板、発光装置及び基板の製造方法 |
JP5998716B2 (ja) | 2012-07-31 | 2016-09-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2014103365A (ja) | 2012-11-22 | 2014-06-05 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP6107136B2 (ja) | 2012-12-29 | 2017-04-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置 |
US9748164B2 (en) * | 2013-03-05 | 2017-08-29 | Nichia Corporation | Semiconductor device |
US9548261B2 (en) * | 2013-03-05 | 2017-01-17 | Nichia Corporation | Lead frame and semiconductor device |
JP6262578B2 (ja) | 2014-03-18 | 2018-01-17 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
JP6827776B2 (ja) * | 2016-11-15 | 2021-02-10 | ローム株式会社 | 半導体デバイス |
-
2018
- 2018-06-25 JP JP2018120210A patent/JP7116303B2/ja active Active
-
2019
- 2019-06-24 US US16/449,446 patent/US10964637B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007134376A (ja) | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Akita Denshi Systems:Kk | 発光ダイオード装置及びその製造方法 |
JP2007180227A (ja) | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Toshiba Corp | 光半導体装置およびその製造方法 |
JP2007335765A (ja) | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2014146763A (ja) | 2013-01-30 | 2014-08-14 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 |
US20140252402A1 (en) | 2013-03-06 | 2014-09-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diode (led) package having flip-chip bonding structure |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101966446B1 (ko) * | 2011-09-26 | 2019-04-05 | 닛신보 브레이크 가부시키가이샤 | 마찰재의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190393144A1 (en) | 2019-12-26 |
US10964637B2 (en) | 2021-03-30 |
JP2020004777A (ja) | 2020-01-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5766976B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP6260593B2 (ja) | リードフレーム、パッケージ及び発光装置、並びにこれらの製造方法 | |
US9461207B2 (en) | Light emitting device, and package array for light emitting device | |
TWI505519B (zh) | 發光二極體燈條及其製造方法 | |
JP6068175B2 (ja) | 配線基板、発光装置、配線基板の製造方法及び発光装置の製造方法 | |
US10490704B2 (en) | Light emitting device and method of producing the same | |
US9159893B2 (en) | Light emitting device including lead having terminal part and exposed part, and method for manufacturing the same | |
JP2014216622A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP2013143496A (ja) | Ledパッケージ及びその製造方法 | |
JP5888236B2 (ja) | 発光装置、回路基板、発光装置用パッケージアレイ、及び発光装置用パッケージアレイの製造方法 | |
JP6387824B2 (ja) | パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法 | |
JP7116303B2 (ja) | パッケージ及び発光装置 | |
JP6548066B2 (ja) | Led素子搭載用リードフレーム、led素子搭載用樹脂付きリードフレーム及び半導体装置 | |
JP7417150B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6566092B2 (ja) | パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法 | |
JP5796394B2 (ja) | 発光装置 | |
US9978920B2 (en) | Package, light-emitting device, and method for manufacturing the same | |
JP2010129713A (ja) | 発光装置 | |
JP6668742B2 (ja) | 発光装置、並びにパッケージ及びその製造方法 | |
JP6064415B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6819645B2 (ja) | 基板及びそれを用いた発光装置の製造方法 | |
JP6680274B2 (ja) | 発光装置及び樹脂付リードフレーム | |
JP2016119466A (ja) | 発光装置 | |
JP7140956B2 (ja) | 発光装置、パッケージ及びそれらの製造方法 | |
JP6604193B2 (ja) | 発光装置、並びにパッケージ及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210531 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220314 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220405 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220531 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220628 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220711 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7116303 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |