JP7110011B2 - 封止用シートおよび電子素子装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、封止用シートおよび電子素子装置の製造方法に関し、詳しくは、電子素子装置の製造方法、および、それに使用される封止用シートに関する。

従来、電子デバイス封止用樹脂シートを用いて、基板に実装された電子デバイスを封止して、封止体を作製して、電子デバイスパッケージを製造する方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。

特開２０１４－１８９７９１号公報

しかるに、電子デバイスパッケージを、個々の電子デバイスに応じたパッケージとするためには、封止体を基板とともにダイシングして、それらを個片化する。

しかし、ダイシング後の封止体および基板の界面には、ダイシング時の衝撃に起因して、欠損部が形成される場合がある。その場合に、欠損部を有する電子デバイスが長期間使用されると、封止体および基板の界面に、欠損部を起点とする剥離を生じ、そのため、電子デバイスパッケージの信頼性が低下するという不具合がある。

本発明は、信頼性に優れる電子素子装置を製造することのできる、封止用シートおよび電子素子装置の製造方法を提供する。

本発明（１）は、基板の厚み方向一方面に対向するように実装される電子素子を、前記基板において前記電子素子と対向しない前記厚み一方面と接触するように、封止する封止層を形成し、前記電子素子の周囲の前記封止層および前記基板をダイシングするように使用される封止用シートであり、前記基板の２５℃のヤング率が、１×１０^１０Ｐａ以上であり、前記封止層の２５℃のヤング率が、１×１０^５Ｐａ以下であり、前記基板において前記厚み方向に対する直交方向端面に連続する厚み方向一方面と、前記封止層において前記厚み方向に対する直交方向端面に連続する厚み方向他方面とが対向しており、前記基板および前記封止層をダイシングした後の前記基板には、前記厚み方向一方面および前記直交方向端面にわたって凹部が形成され、前記基板の前記直交方向端面をその直交方向外側から観察したときに、前記凹部の直交方向における最大長さａが、１μｍ以下であり、前記凹部の前記厚み方向における最大長さｂが、１μｍ以下である、封止用シートを含む。

この封止用シートは、基板の厚み方向一方面に対向するように実装される電子素子を、基板において電子素子と対向しない厚み一方面と接触するように、封止する封止層を形成し、電子素子の周囲の封止層および基板をダイシングするように使用される。そのため、封止層および基板を、電子素子に応じて、個片化でき、それらを備える電子素子装置を得ることができる。

しかるに、電子素子の周囲の封止層および基板をダイシングするときに、封止層および基板の界面には、ダイシングに基づく衝撃に起因して、凹部（後述）を形成し易い。

さらに、基板は、２５℃のヤング率が１×１０^１０Ｐａ以上と高く、つまり、硬く、また、封止層は、２５℃のヤング率が１×１０^５Ｐａ以下と低く、つまり、軟らかい。そのため、電子素子の周囲の封止層および基板をダイシングするときには、硬い基板は、軟らかい封止層に比べて、ダイシングに基づく衝撃の影響をより大きく受ける。そのため、基板には、破損部（凹部）を生じ易い。

さらに、基板の直交方向端面および厚み方向一方面の稜線部には、応力が集中し易い。そのため、基板の厚み方向一方面および直交方向端面にわたって凹部が形成され易い。従って、凹部を有する基板、電子素子および封止層を備える電子素子装置を長期間使用するときには、基板および封止層の界面に、凹部を起点とする剥離を容易に生じる。すると、電子素子装置の信頼性が低下する。

しかしながら、本発明（１）の封止用シートは、電子素子を封止して封止層を形成し、電子素子の周囲の封止層および基板をダイシングしても、凹部の直交方向における最大長さａが、１μｍ以下と短く、凹部の厚み方向における最大長さｂが、１μｍ以下と短いものである。つまり、電子素子装置における凹部を小さくした構成である。

そのため、基板および封止層をダイシングした後の、基板、電子素子および封止層を備える電子素子装置を長期間使用しても、上記したように、凹部が小さいことから、かかる凹部を起点とする剥離の発生を抑制することができる。その結果、電子素子装置の信頼性の低下を抑制することができる。

本発明（２）は、前記封止層は、前記基板の前記厚み方向一方面に接触する第１封止層を備え、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件で動的粘弾性を測定することにより得られる前記第１封止層の２５℃の引張貯蔵弾性率Ｅ’１が、１．０×１０^８Ｐａ以上である、（１）に記載の封止用シートを含む。

この封止用シートでは、基板の厚み方向一方面に接触する第１封止層の２５℃の引張貯蔵弾性率Ｅ’１が、１．０×１０^８Ｐａ以上と高い。そのため、第１封止層が、基板をダイシングするときにおける衝撃を確実に受け止めることができる。その結果、大きな凹部が生じることを確実に抑制することができる。

本発明（３）は、前記封止層は、前記基板の前記厚み方向一方面に接触する第１封止層と、前記第１封止層の前記厚み方向一方面に配置される第２封止層とを備え、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件で動的粘弾性を測定することにより得られる前記第２封止層の２５℃の引張貯蔵弾性率Ｅ’２の、前記条件で動的粘弾性を測定することにより得られる前記第１封止層の２５℃の引張貯蔵弾性率Ｅ’１に対する比（Ｅ’２／Ｅ’１）が、０．１以上、５００以下である、（１）または２に記載の封止用シートを含む。

この封止用シートでは、第２封止層の２５℃の引張貯蔵弾性率Ｅ’２の第１封止層の２５℃の引張貯蔵弾性率Ｅ’１に対する比（Ｅ’２／Ｅ’１）が、０．１以上、５００以下であるので、電子素子への中空封止性を向上することができる。

本発明（４）は、前記封止用シートは、前記基板と前記電子素子との間に間隔が隔てられ、前記間隔が中空となるように、前記電子素子を封止するように使用される中空型封止用シートであり、前記中空型封止用シートは、前記第１封止層となる第１封止前駆体層を備え、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件で動的粘弾性を測定することにより得られる前記第１封止前駆体層の９０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’１が、５．０×１０^５Ｐａ以上である、（２）または（３）に記載の封止用シートを含む。

この封止用シートは、中空型電子素子封止用シートであり、第１封止前駆体層の９０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’１が、５．０×１０^５Ｐａ以上と高いので、９０℃またはそれに近似する温度で電子素子を封止するときに、電子素子において中空に面する電極が、封止層と接触することを防止して、電極の作用を確実に奏することができる。

また、とりわけ、第１封止前駆体層の９０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’１が、５．０×１０^５Ｐａ以上と高いので、電子素子を封止するときに、上記温度における第１封止前駆体層の過度の流動を抑制して、第１封止前駆体層が上記した間隔に進入することを抑制することができる。そのため、信頼性に優れる中空型電子素子装置を得ることができる。

本発明（５）は、前記封止用シートは、前記第１封止層となる第１封止前駆体層を備え、前記第１封止前駆体層は、熱硬化性成分を含有し、前記第１封止前駆体層は、熱硬化して前記第１封止層となった後に、その後、ダイシングされる、（２）～（４）のいずれか一項に記載の封止用シートを含む。

この封止用シートは、第１封止前駆体層が熱硬化性成分を含有するので、熱硬化して第１封止層となった後に、熱硬化した第１封止層が電子素子を封止した状態で、電子素子の周囲の封止層をダイシングされるときには、熱硬化した第１封止層が、確実に電子素子の封止状態を維持している。そのため、第１封止層を確実にダイシングして、信頼性に優れる電子素子装置を得ることができる。

本発明（６）は、（１）～（５）のいずれか一項に記載の封止用シートを使用して前記電子素子を封止して、前記封止層を形成する第１工程、および、前記電子素子の周囲の前記封止層および前記基板をダイシングする第２工程を備える、電子素子装置の製造方法を含む。

しかるに、第２工程において、電子素子の周囲の封止層および基板をダイシングするときに、封止層および基板の界面には、ダイシングに基づく衝撃に起因して、凹部を形成し易い。

さらに、基板は、２５℃のヤング率が１×１０^１０Ｐａ以上と高く、つまり、硬く、また、封止層は、２５℃のヤング率が１×１０^５Ｐａ以下と低く、つまり、軟らかい。そのため、第２工程において、ダイシングに基づく衝撃が、硬い基板に対して、軟らかい封止層によく伝達され、そのため、基板に凹部を生じ易い。

とりわけ、基板は、２５℃のヤング率が１×１０^１０Ｐａ以上と高く、つまり、硬く、また、封止層は、２５℃のヤング率が１×１０^５Ｐａ以下と低く、つまり、軟らかい。そのため、電子素子の周囲の封止層および基板をダイシングするときには、硬い基板は、軟らかい封止層に比べて、ダイシングに基づく衝撃の影響を大きく受ける。そのため、基板には、破損（凹部）を生じ易い。

とりわけ、基板の直交方向端面および厚み方向一方面の稜線部には、応力が集中し易い。そのため、基板の厚み方向一方面および直交方向端面にわたって凹部が形成され易い。従って、凹部を有する基板、電子素子および封止層を備える電子素子装置を長期間使用するときには、基板および封止層の界面に、凹部を起点とする剥離を容易に生じる。すると、電子素子装置の信頼性が低下する。

しかしながら、本発明（６）の電子素子装置の製造方法では、第２工程において、電子素子の周囲の封止層および基板をダイシングしても、凹部の直交方向における最大長さａが、１μｍ以下と短く、凹部の厚み方向における最大長さｂが、１μｍ以下と短いものである。

そのため、電子素子装置を長期間使用しても、上記したように、凹部が小さいことから、かかる凹部を起点とする剥離の発生を抑制することができる。その結果、信頼性の低下が抑制された電子素子装置を製造することができる。

本発明の封止用シートおよび電子素子装置の製造方法によれば、信頼性の低下が抑制された電子素子装置を製造することができる。

図１Ａ～図１Ｄは、本発明の封止用シートの一実施形態である中空型電子素子封止用シートを用いて、中空型電子素子装置を製造する方法を説明する工程図であって、次に説明する図２のＸ－Ｘ線および図２ＢのＹ－Ｙ線に沿う断面図であって、図１Ａが、中空型電子素子封止用シートおよび電子素子を準備する準備工程、図１Ｂが、中空型電子素子封止用シートで電子素子を封止する第１工程、図１Ｃが、基板および封止層をダイシングする第２工程、図１Ｄが、中空型電子素子装置を得る工程を示す。 図２Ａおよび図２Ｂは、封止層を省略して、基板および電子素子を厚み方向一方側から見た平面図であり、図２Ａが、図１Ｂに示す第１工程の平面図、図２Ｂが、図１Ｃに示す第２工程の平面図を示す。 図３Ａ～図３Ｄは、凹部の拡大図であり、図３Ａが、平面図（封止層を省略した図）、図３Ｂが、斜視図（封止層を省略した図）、図３Ｃが、縦方向からみた側面図、図３Ｄが、横方向からみた側面図を示す。 図４Ａおよび図４Ｂは、図１Ｄの拡大図で示す凹部の変形例の断面図であり、図４Ａが、凹面が湾曲面である態様、図４Ｂが、凹面が２つの平面からなる態様を示す。 図５Ａおよび図５Ｂは、図３Ａに示す凹部の変形例の平面図であり、図５Ａが、凹部が平面視略扇形状である態様、図５Ｂが、凹部が平面視略矩形状である態様を示す。

本発明の封止用シートおよび電子素子装置の製造方法の一実施形態である、中空型電子素子封止用シートおよび中空型電子素子装置の製造方法を、図１Ａ～図３Ｃを参照して説明する。

なお、図２Ａ～図２Ｂにおいて、後述する電子素子３２の形状および配置を明確に示すため、後述する中空型電子素子封止用シート１および封止層２０を省略している。図３Ａ～図３Ｂにおいて、後述する凹部２５の形状および配置を明確に示すため、封止層２０を省略するとともに、基板３０の厚み方向一方面３１をハッチングにて描画している。

（中空型電子素子封止用シート）
図１Ａに示す中空型電子素子封止用シート１は、基板３０の厚み方向一方面３１に対向するように実装される電子素子３２を、基板３０において電子素子３２と対向しない厚み方向一方面３１と接触するように、図１Ｂに示すように、封止する封止層２０を形成し、図１Ｃに示すように、電子素子３２の周囲の封止層２０および基板３０をダイシングするように使用される電子素子封止用シートである。具体的には、中空型電子素子封止用シート１は、基板３０と電子素子３２との間に間隔の一例としての隙間４５が隔てられ、その隙間４５が中空となるように、電子素子３２を封止するように使用される。

この中空型電子素子封止用シート１は、電子素子装置の一例である中空型電子素子装置（中空型電子素子パッケージ）４０の製造に使用される。図１Ｄに示すように、中空型電子素子装置４０は、後で説明するが、基板３０と、電子素子３２および封止層２０を備える。

また、図１Ａに示すように、中空型電子素子封止用シート１は、電子素子３２を封止した後の封止層２０（図１Ｂ参照）ではなく、つまり、電子素子３２を封止する前であり、封止層２０を形成するための前駆体シートである。

図１Ａに示すように、中空型電子素子封止用シート１は、厚み方向に直交する方向（面方向）に延びる略板形状（フィルム形状）を有する。中空型電子素子封止用シート１は、互いに平行する平面である厚み方向一方面および厚み方向他方面を有する。

中空型電子素子封止用シート１は、例えば、第１封止前駆体層２と、第２封止前駆体層３とを厚み方向一方側に向かって順に備える。具体的には、中空型電子素子封止用シート１は、第１封止前駆体層２と、第１封止前駆体層２の厚み方向一方面に配置される第２封止前駆体層３とを備える。中空型電子素子封止用シート１は、好ましくは、第１封止前駆体層２と、第２封止前駆体層３とのみからなる。

第１封止前駆体層２は、中空型電子素子封止用シート１の厚み方向他方面を形成する。第１封止前駆体層２は、面方向に延びる略板形状を有する。第１封止前駆体層２は、厚み方向他方面である第１面５１と、厚み方向一方面である第２面５２とを有する。第１面５１および第２面５２は、互いに平行する平面である。

また、第１封止前駆体層２は、後述するが、中空型電子素子封止用シート１が電子素子３２（図１Ｂ参照）を封止するときに、電子素子３２に接触する接触層である。さらに、第１封止前駆体層２は、中空型電子素子封止用シート１が電子素子３２（図１Ｂ参照）を封止するときに、電子素子３２の厚み方向一方面１５と周側面１７とに接触するとともに、基板３０において電子素子３２と対向しない厚み方向一方面３１に接触する接触層である。第１封止前駆体層２は、電子素子３２を封止するときに、その略板形状が、電子素子３２の厚み方向一方面１５および周側面１７に追従する追従層である。具体的には、第１封止前駆体層２の第１面５１が、上記した各面に接触する。

第１封止前駆体層２の材料は、後述する第１封止前駆体層２の９０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’１、後述する第１封止層１１の２５℃の引張貯蔵弾性率Ｅ’１、および／または、封止層２０（硬化後の封止層２０）のヤング率が後述する範囲になるような材料であれば、特に限定されない。第１封止前駆体層２の材料としては、例えば、熱硬化性成分を含有する第１封止組成物が挙げられる。

熱硬化性成分は、電子素子３２を封止するときの加熱により一旦軟化し、さらには、溶融して流動し、さらなる加熱によって、硬化する成分である。

また、熱硬化性成分は、第１封止前駆体層２においてＢステージであって、Ｃステージではない（つまり、完全硬化前の状態である）。なお、Ｂステージは、熱硬化性成分が、液状であるＡステージと、完全硬化したＣステージとの間の状態であって、硬化がわずかに進行し、圧縮弾性率がＣステージの圧縮弾性率よりも小さい状態である。

熱硬化性成分は、例えば、主剤、硬化剤および硬化促進剤を含む。

主剤としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ビニルエステル樹脂、シアノエステル樹脂、マレイミド樹脂、シリコーン樹脂などが挙げられる。主剤としては、耐熱性などの観点から、好ましくは、エポキシ樹脂が挙げられる。主剤がエポキシ樹脂であれば、熱硬化性成分は、後述する硬化剤（エポキシ系硬化剤）および硬化促進剤（エポキシ系硬化促進剤）とともに、エポキシ系熱硬化性成分を構成する。

エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂などの２官能エポキシ樹脂、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂などの３官能以上の多官能エポキシ樹脂などが挙げられる。これらエポキシ樹脂は、単独で使用または２種以上を併用することができる。

好ましくは、２官能エポキシ樹脂の単独使用が挙げられ、具体的には、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の単独使用が挙げられる。

エポキシ樹脂のエポキシ当量は、例えば、１０ｇ／ｅｑ．以上、好ましくは、１００ｇ／ｅｑ．以上であり、また、例えば、３００ｇ／ｅｑ．以下、好ましくは、２５０ｇ／ｅｑ．以下である。

主剤（好ましくは、エポキシ樹脂）の軟化点は、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１１０℃以下、好ましくは、９０℃以下である。

主剤（好ましくは、エポキシ樹脂）の割合は、第１封止組成物において、例えば、１質量％以上、好ましくは、２質量％以上であり、また、例えば、３０質量％以下、好ましくは、１０質量％以下である。また、主剤（好ましくは、エポキシ樹脂）の割合は、熱硬化性成分において、例えば、５０質量％以上、好ましくは、６０質量％以上であり、また、例えば、９０質量％以下、好ましくは、１０質量％以下である。

硬化剤は、加熱によって、上記した主剤を硬化させる成分（好ましくは、エポキシ樹脂硬化剤）である。硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂などのフェノール樹脂が挙げられる。

硬化剤の割合は、主剤がエポキシ樹脂であり、硬化剤がフェノール樹脂であれば、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が、例えば、０．７当量以上、好ましくは、０．９当量以上、例えば、１．５当量以下、好ましくは、１．２当量以下となるように、調整される。具体的には、硬化剤の配合部数は、主剤１００質量部に対して、例えば、３０質量部以上、好ましくは、５０質量部以上であり、また、例えば、７５質量部以下、好ましくは、６０質量部以下である。

硬化促進剤は、加熱によって、主剤の硬化を促進する触媒（熱硬化触媒）（好ましくは、エポキシ樹脂硬化促進剤）であって、例えば、有機リン系化合物、例えば、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール（２ＰＨＺ－ＰＷ）などのイミダゾール化合物などが挙げられる。好ましくは、イミダゾール化合物が挙げられる。硬化促進剤の配合部数は、主剤１００質量部に対して、例えば、０．０５質量部以上であり、また、例えば、５質量部以下である。

また、第１封止組成物は、さらに、無機フィラー、熱可塑性樹脂、顔料、シランカップリング剤などの添加剤を含有することもできる。

無機フィラーは、第１封止層１１（後述）の強度を向上させて、第１封止層１１に優れた靱性を付与する無機粒子である。無機フィラーの材料としては、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素などの無機化合物が挙げられる。これらは、単独使用または２種以上併用することができる。好ましくは、シリカが挙げられる。

無機フィラーの形状は、特に限定されず、例えば、略球形状、略板形状、略針形状、不定形状などが挙げられる。好ましくは、略球形状が挙げられる。

無機フィラーの最大長さの平均値（略球形状であれば、平均粒子径）Ｍは、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下、より好ましくは、１０μｍ以下であり、また、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．５μｍ以上である。なお、平均粒子径Ｍは、例えば、レーザー散乱法における粒度分布測定法によって求められた粒度分布に基づいて、Ｄ５０値（累積５０％メジアン径）として求められる。

また、無機フィラーは、第１フィラーと、第１フィラーの最大長さの平均値Ｍ１より小さい最大長さの平均値Ｍ２を有する第２フィラーとを含むことができる。

第１フィラーの最大長さの平均値（略球形状であれば、平均粒子径）Ｍ１は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。

第２フィラーの最大長さの平均値（略球形状であれば、平均粒子径）Ｍ２は、例えば、１μｍ未満、好ましくは、０．８μｍ以下であり、また、例えば、０．０１μｍ以上、好ましくは、０．１μｍ以上である。

第１フィラーの最大長さの平均値の、第２フィラーの最大長さの平均値に対する比（Ｍ１／Ｍ２）は、例えば、２以上、好ましくは、５以上であり、また、例えば、５０以下、好ましくは、２０以下である。

第１フィラーおよび第２フィラーの材料は、ともに同一あるいは相異っていてもよい。

さらに、無機フィラーは、その表面が、部分的あるは全体的に、シランカップリング剤などで表面処理されていてもよい。

無機フィラーの割合は、第１封止組成物中、例えば、５０質量％以上、好ましくは、５５質量％以上であり、また、例えば、９５質量％以下、好ましくは、９０質量％以下である。

熱可塑性樹脂は、電子素子３２を封止するときの第１封止前駆体層２における柔軟性を向上させる成分である。

熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、エチレン－アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂（６－ナイロンや６，６－ナイロンなど）、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、飽和ポリエステル樹脂（ＰＥＴなど）、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、スチレン－イソブチレン－スチレンブロック共重合体などが挙げられる。これら熱可塑性樹脂は、単独使用または２種以上併用することができる。

熱可塑性樹脂として、好ましくは、主剤（好ましくは、エポキシ樹脂）との分散性を向上させる観点から、アクリル樹脂が挙げられる。

アクリル樹脂としては、例えば、直鎖または分岐のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルと、その他のモノマー（共重合性モノマー）とを含むモノマー成分を重合してなる、カルボキシル基含有（メタ）アクリル酸エステルコポリマー（好ましくは、カルボキシル基含有アクリル酸エステルコポリマー）などが挙げられる。

アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ－ブチル、ｔ－ブチル、イソブチル、ペンチル、ヘキシルなどの炭素数１～６のアルキル基などが挙げられる。

その他のモノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマーなどが挙げられる。

熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、例えば、１０万以上、好ましくは、３０万以上、好ましくは、７０万以上であり、また、例えば、１００万以下、好ましくは、９０万以下である。なお、重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトフラフィー（ＧＰＣ）により、標準ポリスチレン換算値に基づいて測定される。

熱可塑性樹脂の割合（固形分割合）は、第１封止組成物の熱硬化を阻害しないように調整されており、具体的には、第１封止組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、２質量％以上であり、また、例えば、１０質量％以下、好ましくは、５質量％以下である。なお、熱可塑性樹脂は、適宜の溶媒で希釈されて調製されていてもよい。

顔料としては、例えば、カーボンブラックなどの黒色顔料が挙げられる。顔料の平均粒子径は、例えば、０．００１μｍ以上、例えば、１μｍ以下である。顔料の割合は、第１封止組成物に対して、例えば、０．１質量％以上、また、例えば、２質量％以下である。

シランカップリング剤としては、例えば、エポキシ基を含有するシランカップリング剤が挙げられる。エポキシ基を含有するシランカップリング剤としては、例えば、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランなどの３－グリシドキシジアルキルジアルコキシシラン、例えば、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどの３－グリシドキシアルキルトリアルコキシシランが挙げられる。好ましくは、３－グリシドキシアルキルトリアルコキシシランが挙げられる。シランカップリング剤の配合割合は、無機フィラー１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、１質量部以上であり、また、例えば、１０質量部以下、好ましくは、５質量部以下である。

第１封止前駆体層２は、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件で動的粘弾性を測定することにより得られる９０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’１が、例えば、１．０×１０^４Ｐａ以上、好ましくは、１．０×１０^５Ｐａ以上、より好ましくは、５．０×１０^５Ｐａ以上であり、また、例えば、１．０×１０^８Ｐａ以下、好ましくは、１．０×１０^７Ｐａ以下、より好ましくは、５．０×１０^６Ｐａ以下ある。第１封止前駆体層２の剪断貯蔵弾性率Ｇ’１は、周波数１Ｈｚおよび昇温速度１０℃／分の条件で第１封止前駆体層２を剪断モードで動的粘弾性測定して求められる。

第１封止前駆体層２の剪断貯蔵弾性率Ｇ’１を特定する温度９０℃は、後で説明するが、電子素子３２を封止するときにおける中空型電子素子封止用シート１（例えば、Ｂステージの中空型電子素子封止用シート１）の加熱の温度範囲において、最低溶融粘度を取得できる温度である。最低溶融粘度に対応する温度（９０℃）における剪断貯蔵弾性率Ｇ’１は、測定のばらつきを抑制できる。第２封止前駆体層３の剪断貯蔵弾性率Ｇ’２を特定する温度９０℃も、第１封止前駆体層２における上記したそれと同様である。

第１封止前駆体層２の９０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’１が上記した下限以上であれば、電子素子３２を封止するときに、第１封止前駆体層２の過度の流動を抑制して、第１封止前駆体層２が上記した隙間４５に進入することを抑制することができる。つまり、第１封止層１１の中空封止性を向上させることができる。そのため、信頼性に優れる中空型電子素子装置４０を得ることができる。

第１封止前駆体層２の厚みＴ１は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上、より好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下、より好ましくは、５０μｍ以下である。

第２封止前駆体層３は、中空型電子素子封止用シート１の厚み方向他方面を形成する。第２封止前駆体層３は、面方向に延びる略板形状を有する。第２封止前駆体層３は、厚み方向他方面である第３面５３と、厚み方向一方面である第４面５４とを有する。第３面５３および第４面５４は、互いに平行する平面である。

第２封止前駆体層３は、第１封止前駆体層２の第２面５２全面に配置されている。第２封止前駆体層３の第３面５３は、第１封止前駆体層２の第２面５２と接触している。

第２封止前駆体層３は、後述するが、中空型電子素子封止用シート１が電子素子３２を封止するときに、厚み方向他方側に露出する露出層である。第２封止前駆体層３は、好ましくは、電子素子３２に接触しない非接触層である。一方、第２封止前駆体層３は、電子素子３２を封止するときに、その第３面５３が、電子素子３２の厚み方向一方面１５および周側面１７に追従する第１封止前駆体層２を支持しつつ柔軟に拘束（過度の流動を抑制）する。具体的には、第２封止前駆体層３では、電子素子３２を封止するときに、第３面５３は、第１封止前駆体層２の変形に対応して変形する一方、第４面５４は、例えば、その平坦（平面）形状を維持して、第３面５３との厚み方向における間隔を確保する。

第２封止前駆体層３の材料は、後述する第２封止前駆体層３の９０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’、後述する第２封止層１２の２５℃の引張貯蔵弾性率Ｅ’２、および／または、封止層２０（硬化後の封止層２０）のヤング率が後述する範囲になるような材料であれば、特に限定されない。第２封止前駆体層３の材料としては、例えば、第２封止組成物が挙げられる。

第２封止組成物は、例えば、第１封止組成物に含有される成分が挙げられる。各成分の配合割合は、上記範囲と同様である。

ただし、第２封止組成物に含有される無機フィラーとしては、好ましくは、第１フィラーおよび第２フィラーの併用が挙げられる。この場合には、例えば、第１フィラーおよび第２フィラーの材料は、ともに同一であり、好ましくは、ともにシリカである。また、好ましくは、表面処理されていない第１フィラーと、表面処理されている第２フィラーとの併用が挙げられる。

無機フィラーが上記した第１フィラーと第２フィラーとを含む場合には、第１フィラーの割合は、第２封止組成物中、例えば、４０質量％以上、好ましくは、５０質量％超過であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、７０質量％以下である。第２フィラーの配合部数は、第１フィラー１００質量部に対して、例えば、２０質量部以上、好ましくは、４０質量部以上であり、また、例えば、５０質量部以下、好ましくは、４０質量部以下である。

第２封止組成物に含有される熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、好ましくは、第１封止組成物に含有される熱可塑性樹脂の重量平均分子量に比べて、小さく、具体的には、７０万以下、また、５０万以上である。

周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件で動的粘弾性を剪断モードで測定することにより得られる第２封止前駆体層３の９０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’２は、例えば、１．５×１０^５Ｐａ以上、好ましくは、３．０×１０^５Ｐａ以上であり、また、例えば、１．０×１０^７Ｐａ以下、好ましくは、１．０×１０^６Ｐａ以下、好ましくは、７．０×１０^５Ｐａ以下である。

第２封止前駆体層３の９０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’２が上記した下限以上であれば、電子素子３２を封止するときに、第２封止前駆体層３の過度の流動が抑制されることにより、第１封止前駆体層２を確実に支持することができる。第２封止前駆体層３の９０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’２が上記した上限以下であれば、第２封止前駆体層３の第３面５３が、第１封止前駆体層２の変形に柔軟に追従することができる。

第２封止前駆体層３の剪断貯蔵弾性率Ｇ’２は、第１封止前駆体層２の剪断貯蔵弾性率Ｇ’１の測定方法と同様の方法で求められる。

第２封止前駆体層３の剪断貯蔵弾性率Ｇ’２の第１封止前駆体層２の剪断貯蔵弾性率Ｇ’１、に対する比（Ｇ’２／Ｇ’１）は、特に限定されず、例えば、０．１以上、好ましくは、０．５以上、より好ましくは、１超過、さらに好ましくは、１．１以上であり、また、例えば、１０以下、好ましくは、５以下、より好ましくは、１．５以下である。

第２封止前駆体層３の厚みＴ２は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２５μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下、より好ましくは、２５０μｍ以下である。

第２封止前駆体層３の厚みＴ２の、第１封止前駆体層２の厚みＴ１に対する比（Ｔ２／Ｔ１）は、例えば、１．４以上、好ましくは、２．５以上であり、また、例えば、２０以下、好ましくは、１０以下である。

中空型電子素子封止用シート１の厚みＴ０は、第１封止前駆体層２および第２封止前駆体層３の厚みの合計であり、例えば、１００μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下である。

第１封止前駆体層２の厚みＴ１の、中空型電子素子封止用シート１の厚みＴ０に対する比（Ｔ１／Ｔ０）は、例えば、０．０５以上、好ましくは、０．１以上であり、また、例えば、０．５未満以下、好ましくは、０．２５以下である。

中空型電子素子封止用シート１の直交方向（面方向）における形状は、特に限定されず、そのサイズは、複数の電子素子３２を埋設（封止）するとともに、複数の電子素子３２から露出する基板３０の厚み方向一方面３１に接触できるように、設定されている。具体的には、中空型電子素子封止用シート１の面方向における最大長さは、例えば、１ｍｍ以上であり、また、例えば、１００ｍｍ以下である。

中空型電子素子封止用シート１を製造するには、例えば、まず、第１封止前駆体層２および第２第２封止前駆体層３を形成し、それらを貼り合わせる。

第１封止前駆体層２を形成するには、まず、第１封止組成物を調製する。具体的には、上記した成分を配合して、それらを混合して、第１封止組成物を調製する。好ましくは、上記した各成分（および必要により溶媒）を配合および混合して、ワニスを調製する。その後、ワニスを、図示しない第１剥離シートに塗布し、乾燥させて、第１封止前駆体層２を得る。なお、ワニスを調製せず、混練押出によって、第１封止組成物から第１封止前駆体層２を形成することもできる。

第２封止前駆体層３を形成するには、第２封止組成物を調製する。具体的には、上記した成分を配合して、それらを混合して、第２封止組成物を調製する。好ましくは、上記した各成分（および必要により溶媒）を配合および混合して、ワニスを調製する。その後、ワニスを、図示しない第２剥離シートに塗布し、乾燥させて、第２封止前駆体層３を得る。なお、ワニスを調製せず、混練押出によって、第２封止組成物から第２封止前駆体層３を形成することもできる。

なお、第１封止前駆体層２および第２第２封止前駆体層３のうち、一方を、他方に対して直接形成することもできる。

中空型電子素子封止用シート１において、第１封止前駆体層２および／または第２封止前駆体層３は、熱硬化性成分を含有する場合には、例えば、Ｂステージである。

（中空型電子素子装置の製造方法）
次に、中空型電子素子封止用シート１を用いて、中空型電子素子装置４０を製造する方法を説明する。

この方法は、中空型電子素子封止用シート１および電子素子３２（図２Ａ参照）を準備する準備工程（図１Ａ参照）、中空型電子素子封止用シート１を使用して電子素子３２を封止して、封止層２０を形成する第１工程（図１Ｂおよび図２Ａ参照）、および、電子素子３２の周囲の封止層２０および基板３０をダイシングする第２工程（図１Ｃおよび図２Ｂ参照）を備える。

（準備工程）
図１Ａに示すように、準備工程では、中空型電子素子封止用シート１は、中空型電子素子封止用シート１の製造方法に従って、準備する。

図１Ａおよび図２Ａに示すように、準備工程では、別途、電子素子３２を準備する。

電子素子３２は、面方向において互いに間隔を隔てて複数配置されている。複数の電子素子３２のそれぞれは、面方向に延びる略平板形状を有する。具体的には、電子素子３２は、厚み方向一方面１５、厚み方向他方面１６、および、直交方向端面である周側面１７を連続して備える。厚み方向一方面１５および厚み方向他方面１６は、互いに平行する平面である。周側面１７は、厚み方向一方面１５および厚み方向他方面１６の周端縁を厚み方向に連結する。

また、電子素子３２としては、特に限定されず、種々の電子素子が挙げられる。電子素子３２の厚み方向他方面１６には、複数の端子３４が設けられている。

電子素子３２は、基板３０の厚み方向一方面３１に対向するように複数実装されている。複数の電子素子３２は、例えば、基板３０に対してバンプ１４を介してフリップチップ実装されている。複数の電子素子３２は、互いに間隔を隔てて、基板３０の厚み方向一方側に配置されている。複数の電子素子３２のそれぞれは、基板３０の厚み方向一方面３１に対して、バンプ１４の高さに対応する間隔（隙間４５）を隔てて、位置している。

隙間４５は、例えば、１０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下である。

電子素子３２の厚みは、例えば、５０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下である。電子素子３２の面方向における最大長さは、例えば、１０００μｍ以上であり、また、例えば、３０００μｍ以下である。

電子素子３２を準備するには、電子素子３２と、電子素子３２を実装する基板３０とを備える電子素子実装基板３６を準備する。

基板３０は、面方向に延びる略平板形状を有する。基板３０は、平面視において、複数の電子素子３２を囲むサイズを有する。基板３０は、厚み方向一方面３１および厚み方向他方面３７を備える。

厚み方向一方面３１は、厚み方向一方側に露出する平面である。厚み方向一方面３１には、バンプ１４に接続する端子（図示せず）が形成されている。

厚み方向他方面３７は、厚み方向一方面３１に平行する平面である。

基板３０は、常温（２５℃）で硬質であって、具体的には、２５℃のヤング率が、１×１０^１０Ｐａ以上、好ましくは、１×１０^１１Ｐａ以上であり、また、例えば、１×１０^１４Ｐａ以下である。基板３０のヤング率が上記した下限以上であれば、寸法安定性に優れる。

具体的には、基板３０の材料としては、例えば、セラミック、金属などが挙げられ、好ましくは、絶縁性、寸法安定性の観点から、セラミックが挙げられる。

（第１工程）
図１Ａの矢印および図１Ｂに示すように、第１工程では、次いで、中空型電子素子封止用シート１を使用して電子素子３２を封止する。

具体的には、第１工程において、第１封止前駆体層２が、電子素子３２に面するように、中空型電子素子封止用シート１を電子素子実装基板３６に対して配置する。

図１Ｂに示すように、詳しくは、第１封止前駆体層２を複数の電子素子３２の厚み方向一方面１５に接触させる。一方、第２封止前駆体層３は、厚み方向一方側に面（露出）している。続いて、中空型電子素子封止用シート１を厚み方向他方側に向けて、例えば、プレス（図示せず）などを用いて加圧する。必要により、同時に、中空型電子素子封止用シート１を加熱する。このとき、中空型電子素子封止用シート１は、電子素子３２の外形に対応して塑性変形する。

これにより、中空型電子素子封止用シート１が軟化して、複数の電子素子３２を埋設する。換言すれば、複数の電子素子３２が中空型電子素子封止用シート１に埋め込まれる。

詳しくは、第１封止前駆体層２は、電子素子３２の厚み方向一方面１５および周側面１７と、厚み方向に投影したときに、基板３０において電子素子３２と重ならない厚み方向一方面３１とを被覆する。

なお、第１封止前駆体層２は、電子素子３２の厚み方向他方面１６の周端縁と、その厚み方向他方側に位置する基板３０の厚み方向一方面３１とを架設する。これにより、第１封止前駆体層２は、電子素子３２と基板３０との隙間４５を閉塞する。

また、厚み方向に投影したときに、電子素子３２と重複しない基板３０の厚み方向一方面３１は、中空型電子素子封止用シート１（第１封止前駆体層２）と接触している。

一方、基板３０および電子素子３２の間の隙間４５には、電子素子３２の厚み方向他方面１６の周端縁から内部へのごく微小の進入のみが、許容される。

これによって、電子素子３２と基板３０との間の中空が実質的に確保されながら、電子素子３２が封止される。

他方、第２封止前駆体層３は、その第３面５３が、第１封止前駆体層２の変形に対応して変形する一方、第２封止前駆体層３の第４面５４は、平坦形状を維持する。

続いて、中空型電子素子封止用シート１は、第１封止組成物および第２封止組成物が熱硬化性成分を含有する場合には、例えば、依然として、Ｂステージであることから、その後、中空型電子素子封止用シート１を加熱により熱硬化（Ｃステージ化、完全硬化）させて、封止層２０を形成する。封止層２０は、中空型電子素子封止用シート１から調製される。

封止層２０は、厚み方向一方面２１および厚み方向他方面２２を有する。

厚み方向一方面２１は、第２封止前駆体層３の第４面５４（図１Ａ参照）から形成される。

厚み方向他方面２２は、第１封止前駆体層２の第１面５１（図１Ａ参照）から形成される。

また、封止層２０は、中空型電子素子封止用シート１が第１封止前駆体層２および第２封止前駆体層３を備えることから、それら２層に対応する第１封止層１１および第２封止層１２を備える。封止層２０は、第１封止層１１および第２封止層１２を、厚み方向一方側に向かって順に備える。好ましくは、封止層２０は、第１封止層１１および第２封止層１２のみからなる。

第１封止層１１は、封止層２０の厚み方向他方面２２を形成する。第１封止層１１は、平板形状ではなく、電子素子３２に対応して、厚み方向他方側に向かって開く断面略コ字形状（断面略ハット形状）部分を有する。なお、第１封止層１１の厚みは、直交方向にわたって、同一である。第１封止層１１の材料は、例えば、第１封止前駆体層２の硬化物である。

第２封止層１２は、封止層２０の厚み方向一方面２１を形成する。詳しくは、第２封止層１２の厚み方向他方面は、第１封止層１１の形状に追従する形状を有する一方、第２封止層１２の厚み方向一方面は、平面である。第２封止層１２の材料は、例えば、第２封止前駆体層３の硬化物である。

熱硬化後の封止層２０では、第１封止層１１および第２封止層１２は、以下の２５℃における引張貯蔵弾性率Ｅ’を有する。

周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件で動的粘弾性を引張モードで測定することにより得られる第１封止層１１の２５℃の引張貯蔵弾性率Ｅ’１は、例えば、１．０×１０^７Ｐａ以上、好ましくは、５．０×１０^７Ｐａ以上、より好ましくは、１×１０^８Ｐａ以上、さらに好ましくは、１．５×１０^８Ｐａ以上であり、また、例えば、１．０×１０^９Ｐａ以下、好ましくは、５．０×１０^８Ｐａ以上である。

第１封止層１１の２５℃の引張貯蔵弾性率Ｅ’１が上記した下限以上であれば、そのため、第１封止層１１が、第２工程におけるダイシングするときにおける衝撃を確実に受け止めることができる。そのため、大きな凹部２５が生じることを確実に抑制することができる。

周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件で動的粘弾性を引張モードで測定することにより得られる第２封止層１２の２５℃の引張貯蔵弾性率Ｅ’２は、例えば、１．０×１０^７Ｐａ以上、好ましくは、５．０×１０^７Ｐａ以上、より好ましくは、１×１０^８Ｐａ以上、さらに好ましくは、５．０×１０^８Ｐａ以上であり、また、例えば、５．０×１０^９Ｐａ以下、好ましくは、１．０×１０^９Ｐａ以下である。

第２封止層１２の２５℃の引張貯蔵弾性率Ｅ’２が上記した下限以上であれば、基板３０の衝撃を受け止める第１封止層１１をさらに有効に支持することができる。そのため、大きな凹部２５が生じることを確実に抑制することができる。

第２封止層１２の２５℃の引張貯蔵弾性率Ｅ’２の、第１封止層１２の２５℃の引張貯蔵弾性率Ｅ’１に対する比（Ｅ’２／Ｅ’１）は、例えば、０．０１以上、好ましくは、０．１以上、より好ましくは、１以上、さらに好ましくは、２．５以上であり、また、例えば、１０００以下、好ましくは、５００以下、より好ましくは、４００以下、さらに好ましくは、１００以下、とりわけ好ましくは、５０以下、最も好ましくは、１０以下、最も好ましくは、５以下である。

引張貯蔵弾性率Ｅ’の比（Ｅ’２／Ｅ’１）が上記した下限以上、上記した上限以下であれば、信頼性を担保しつつ、基板３０の欠けの発生を抑制することができる。

また、封止層２０の２５℃のヤング率は、１×１０^５Ｐａ以下、好ましくは、１×１０^４Ｐａ以下、より好ましくは、１×１０^３Ｐａ以下であり、また、１×１０^２Ｐａ以上である。なお、封止層２０のヤング率は、第１封止層１１および第２封止層１２の積層体として測定して得られるヤング率である。

封止層２０のヤング率が上記した上限以下であれば、電子素子３２を柔軟に封止して、中空型電子素子装置４０の信頼性に優れる。

（第２工程）
図１Ｃおよび図２Ｂに示すように、第２工程では、その後、電子素子３２の周囲の封止層２０および基板３０をダイシングする。

例えば、複数の電子素子３２を個片化するように、その周囲の封止層２０および基板３０を、ダイシングソー（図示せず）で、切断加工する。

ダイシングソーのサイズおよび種類、さらには、ダイシング条件などは、適宜設定される。具体的には、実施例で詳述する。

ダイシングソー（あるいはダイシングブレード）（図示せず）を回転させながら、複数の電子素子３２の周囲における封止層２０および基板３０において、直交方向（図２Ａにおける縦方向（第１直交方向）および横方向（厚み方向および第１直交方向に直交する第２直交方向））に沿って走行させる。

なお、封止層２０および基板３０のダイシングは、基板３０をダイシングテープ３５で支持しながら、実施することができる。具体的には、ダイシングテープ３５を、基板３０の厚み方向他方面３７に感圧接着（貼着）する。ダイシングテープ３５としては、例えば、感圧接着テープなどが挙げられる。

これによって、１つの電子素子３２と、それを実装する基板３０と、電子素子３２を封止するとともに、その周囲における基板３０の厚み方向一方面３１に接触する封止層２０とを備える中空型電子素子装置（パッケージ）４０が、複数製造される。

この中空型電子素子装置４０は、平面視略矩形板形状を有する。

中空型電子素子装置４０に対応して、基板３０および封止層２０には、それぞれ、ダイシングに基づく切断面として基板側面３８および封止側面２３が新たに形成される。

基板側面３８は、厚み方向一方面３１および厚み方向他方面３７の周端縁を厚み方向に連結する基板３０の周側面である。

封止側面２３は、厚み方向一方面２１および厚み方向他方面２２の周端縁を厚み方向に連結する封止層２０の周側面である。なお、封止側面２３は、第１封止層１１および第２封止層１２に共通して有される。封止側面２３は、厚み方向に投影したときに、基板側面３８と重複している。

なお、中空型電子素子装置４０において、基板３０の基板側面３８に連続する厚み方向一方面３１と、封止層２０の封止側面２３に連続する厚み方向他方面２２とは、厚み方向に対向している。

そして、この基板側面３８には、次に詳述する凹部２５が形成されている。

図１Ｃの破線矢印および図１Ｄに示すように、その後、必要により、中空型電子素子装置４０を、ダイシングテープ３５から剥離する。

そして、図１Ａに示す中空型電子素子封止用シート１は、図１Ｂ、図１Ｃおよび図２Ａに示すように、基板３０の厚み方向一方面３１に対向するように実装される電子素子３２を、基板３０において電子素子と対向しない厚み一方面３１と接触するように、封止する封止層２０を形成し、図１Ｃの１点破線および図２Ｂに示すように、電子素子２０の周囲の封止層２０および基板３０をダイシングするように使用される。そのため、封止層２０および基板３０を、電子素子３２に応じて、個片化でき、図１Ｄに示すように、それらを備える中空型電子素子装置４０を得ることができる。この中空型電子素子装置４０は、凹部２５を有する基板３０と、電子素子３２と、封止層２０とを備える。

しかるに、電子素子３２の周囲の封止層２０および基板３０をダイシングするときに、封止層２０および基板３０の界面には、ダイシングに基づく衝撃に起因して、図１Ｄの拡大図および図３Ａ～図３Ｄに示すように、凹部２５が形成される。

さらに、基板３０は、２５℃のヤング率が１×１０^１０Ｐａ以上と高く、つまり、硬く、また、封止層２０は、２５℃のヤング率が１×１０^５Ｐａ以下と低く、つまり、軟らかい。そのため、電子素子３２の周囲の封止層２０および基板３０をダイシングするときには、硬い基板３０は、軟らかい封止層２０に比べて、ダイシングに基づく衝撃の影響をより大きく受ける。そのため、基板３０には、破損部（欠損部）として、凹部２５が容易に形成される。

さらに、基板３０の基板側面３８および厚み方向一方面３１の稜線部２６（図１Ｃ参照）には、応力が集中し易い。とりわけ、１つの中空型電子素子装置４０において隣り合う２つの基板側面３８（例えば、縦方向に沿う縦面３９と、横方向に沿う横面４１と）の角部４２（図２Ｂ参照）には、ダイシングソーの縦方向および横方向の合計２回の走行によって、２回の応力がかかる。そのため、角部４２では、ダイシングソーが縦方向に１回のみ走行して形成される縦面３９の縦方向中央部、および、ダイシングソーが横方向に１回のみ走行して形成される横面４１の横方向中央部に比べて、応力の集中が顕著となる。

凹部２５は、第２工程におけるダイシングに起因して、基板３０の稜線部２６が欠損した欠損部であって、外部に向かって開放される穴部である。

凹部２５の形状は、特に限定されず、例えば、側面視、断面視、および、平面視において、略三角形状を有する。また、凹部２５は、例えば、略三角錐形状を有する。そのため、例えば、凹部２５の底面（凹面）４３は、厚み方向と、直交方向（第１直交方向および第２直交方向）とのいずれにも傾斜する斜面である。

凹部２５は、基板３０の厚み方向一方面３１および基板側面３８にわたって形成される。とりわけ、凹部２５は、角部４２に容易に形成される。従って、凹部２５を有する基板３０、電子素子３２および封止層２０を備える中空型電子素子装置４０を長期間使用するとき、とくに、高温では、基板３０および封止層２０の界面に、凹部２５を起点とする剥離を容易に生じる。具体的には、封止層２０の基板３０から剥離する。すると、中空型電子素子装置４０の信頼性が大きく低下する。

そして、この中空型電子素子封止用シート１は、電子素子３２を封止して封止層２０を形成し、電子素子３２の周囲の封止層２０および基板３０をダイシングしても、側面視において、凹部２５の直交方向における最大長さａが、１μｍ以下であり、凹部２５の厚み方向における最大長さｂが、１μｍ以下である。

図３Ｃに示すように、凹部２５の直交方向における最大長さａは、基板３０の縦面３９を縦方向から見た（具体的には、光学顕微鏡で観察して測定した）長さａ１と、基板３０の横面４１を横方向から見た（具体的には、光学顕微鏡で観察して測定した）長さａ２のうち、いずれか長い方の長さである。

凹部２５の直交方向における最大長さａは、好ましくは、０．９μｍ以下、より好ましくは、０．７μｍ以下、さらに好ましくは、０．５μｍ以下である。なお、凹部２５の直交方向における最大長さａは、例えば、０μｍ以上であり、また、０．０１μｍ以上が許容される。

凹部２５の厚み方向における最大長さｂは、凹部２５の厚み方向他端縁と、封止層２０の厚み方向他方面２２との厚み方向における最大距離である。

凹部２５の厚み方向における最大長さｂは、好ましくは、０．９μｍ以下、より好ましくは、０．７μｍ以下、さらに好ましくは、０．５μｍ以下、とりわけ好ましくは、０．３μｍ以下、最も好ましくは、０．２μｍ以下である。なお、凹部２５の厚み方向における最大長さｂは、例えば、０μｍ以上であり、また、０．０１μｍ以上が許容される。

凹部２５の直交方向における最大長さａの、凹部２５の厚み方向における最大長さｂに対する比（ａ／ｂ）は、例えば、０．２以上、好ましくは、０．５以上であり、また、例えば、５以下、好ましくは、２以下である。比が上記した下限以上、上限以下であれば、凹部２５のサイズを可及的に小さくでき、そのため、凹部２５を起点とする剥離の発生を有効に抑制することができる。

そして、この中空型電子素子封止用シート１を使用して製造した中空型電子素子装置４０では、凹部２５の直交方向における最大長さａが、１μｍ以下と短く、また、凹部の厚み方向における最大長さｂが、１μｍ以下と短い構成である。

そのため、基板３０および封止層２０をダイシングした後の、基板３０、電子素子３２および封止層２０を備える中空型電子素子装置４０を長期間使用しても、上記したように、凹部２５が十分に小さいことから、かかる凹部２５を起点とする剥離の発生を抑制することができる。その結果、中空型電子素子装置４０の信頼性の低下を抑制することができる。

この中空型電子素子封止用シート１では、基板３０の厚み方向一方面３１に接触する第１封止層１１の２５℃の引張貯蔵弾性率Ｅ’１が、１．０×１０^８Ｐａ以上と高い場合には、第１封止層１１が、基板３０をダイシングするときにおける衝撃を確実に受け止めることができる。そのため、大きな凹部２５が生じることを確実に抑制することができる。

封止層２０は、基板３０の厚み方向一方面に接触する第１封止層１１と、第１封止層１１の第２面５２に配置される第２封止層１２とを備え、第２封止層１２の２５℃の引張貯蔵弾性率Ｅ’２の、第１封止層１１の２５℃の引張貯蔵弾性率Ｅ’１に対する比（Ｅ’２／Ｅ’１）が、０．１以上、５００以下であれば、電子素子３２への中空封止性を向上させることができる。

この中空型電子素子封止用シート１では、第１封止前駆体層２の９０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’１が、５．０×１０^５Ｐａ以上と高ければ、第１工程において電子素子３２を封止するときに、中空型電子素子装置４０において、電子素子３２が中空型電子素子として作用することができる。

また、とりわけ、第１封止前駆体層２の９０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’１が、５．０×１０^５Ｐａ以上と高ければ、上記温度における第１封止前駆体層２の過度の流動を抑制して、第１封止前駆体層２が上記した隙間４５に進入することを抑制することができる。そのため、信頼性に優れる中空型電子素子装置４０を得ることができる。

この中空型電子素子封止用シート１は、第１封止前駆体層２は、熱硬化性成分を含有すれば、熱硬化して第１封止層１１となった後に、熱硬化した第１封止層１１が電子素子３２を封止した状態で、電子素子３２の周囲の封止層２０をダイシングされるときには、熱硬化した第１封止層１１が、確実に電子素子３２の封止状態を維持している。そのため、第２工程における封止層２０（第１封止層１１）を確実にダイシングして、信頼性に優れる電子素子装置４０を得ることができる。

中空型電子素子装置４０の製造方法では、第２工程において、電子素子３２の周囲の封止層２０および基板３０をダイシングするときに、封止層２０および基板３０の界面には、ダイシングに基づく衝撃に起因して、凹部２５を形成し易い。

さらに、基板３０は、２５℃のヤング率が１×１０^１０Ｐａ以上と高く、つまり、硬く、また、封止層は、２５℃のヤング率が１×１０^５Ｐａ以下と低く、つまり、軟らかい。そのため、第２工程において、ダイシングに基づく衝撃が、硬い基板３０に対して、軟らかい封止層によく伝達され、そのため、基板３０に凹部２５を生じ易い。

とりわけ、基板３０は、２５℃のヤング率が１×１０^１０Ｐａ以上と高く、つまり、硬く、また、封止層は、２５℃のヤング率が１×１０^５Ｐａ以下と低く、つまり、軟らかい。そのため、電子素子３２の周囲の封止層２０および基板３０をダイシングするときには、硬い基板３０は、軟らかい封止層に比べて、ダイシングに基づく衝撃の影響を大きく受ける。そのため、基板３０には、破損（凹部２５）を生じ易い。

とりわけ、基板３０の直交方向端面および厚み方向一方面の稜線部には、応力が集中し易い。そのため、凹部２５は、基板３０の厚み方向一方面３１および直交方向端面にわたって形成され易い。従って、凹部２５を有する基板３０、電子素子３２および封止層２０を備える中空型電子素子装置４０を長期間使用するときには、基板３０および封止層の界面に、凹部２５を起点とする剥離を容易に生じる。すると、中空型電子素子装置４０の信頼性が低下する。

しかしながら、この中空型電子素子装置４０の製造方法では、第２工程において、電子素子３２の周囲の封止層２０および基板３０をダイシングしても、凹部２５の直交方向における最大長さａが、１μｍ以下と短く、凹部２５の厚み方向における最大長さｂが、１μｍ以下と短いものである。

そのため、中空型電子素子装置４０を長期間使用しても、上記したように、凹部２５が小さいことから、かかる凹部２５を起点とする剥離の発生を抑制することができる。その結果、信頼性の低下が抑制された中空型電子素子装置４０を製造することができる。

なお、直交方向における最大長さａが１μｍ以下であり、厚み方向における最大長さｂが１μｍ以下である上記した凹部２５を備える中空型電子素子装置４０を良品の製品として選別する選別工程（第３工程）を中空型電子素子装置４０の製造方法にさらに備えることができる。

変形例
以下の各変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。

一実施形態において、本発明の封止用シートを、電子素子の一例として中空型電子素子を封止する中空型電子素子封止用シート１として例示しているが、例えば、これに限定されず、図示しないが、例えば、基板３０の厚み方向一方面３１に隙間４５なく接触する半導体素子を封止するように使用される半導体素子封止用シートであってもよい。この場合には、ダイシング後に、半導体素子装置を得ることができる。

凹部２５の断面視形状は、上記に限定されず、例えば、図４Ａに示すように、凹面４３が湾曲面である断面視略扇形状を有したり、また、図４Ｂに示すように、凹面４３が、互いに交差する２つの平面からなる略矩形状を有することもできる。

また、凹部２５の平面視形状は、上記に限定されず、例えば、図５Ａに示すように、平面視略扇形状を有したり、また、図５Ｂに示すように、図５Ｂに示すように、平面視略矩形状を有することもできる。

図１Ａに示すように、中空型電子素子封止用シート１は、第１封止前駆体層２および第２封止前駆体層３を備えるが、例えば、図示せず、第２封止前駆体層３を備えず、第１封止前駆体層２のみを備えることもできる。この場合には、封止層２０は、第１封止層１１のみからなる。

電子素子実装基板３６は、複数の電子素子３２を備えるが、単数の電子素子３２を備えることもできる。この場合には、第２工程において、単数の電子素子３２の周囲の封止層２０および基板３０をダイシングして、中空型電子素子装置４０における封止層２０および基板３０のサイズ（縦横方向長さ）を調整する。

一実施形態では、中空型電子素子封止用シート１（第１封止組成物および第２封止組成物）は、熱硬化性成分を含有する。しかし、中空型電子素子封止用シート１は、熱硬化性成分を含有しない、熱可塑性封止組成物から形成されてもよい。

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。

実施例１
（中空型電子素子封止用シートの製造）
表１に記載の配合処方に従い、第１封止組成物および第２封止組成物のそれぞれを調製して、第１封止前駆体層２および第２封止前駆体層３のそれぞれを形成し、それらを貼り合わせた。第１封止前駆体層２および第２封止前駆体層３は、いずれもＢステージであった。これにより、図１Ａに示すように、第１封止前駆体層２および第２封止前駆体層３を備える中空型電子素子封止用シート１を製造した。中空型電子素子封止用シート１における第１封止前駆体層２および第２封止前駆体層３の厚み、物性などを表１に記載する。

別途、図１Ａに示すように、基板３０と、複数の電子素子３２とを備える電子素子実装基板３６を準備した。

電子素子３２のサイズは、縦方向長さ３ｍｍ、横方向長さ３ｍｍ、厚み２００μｍであった。基板３０は、セラミックからなり、２５℃におけるヤング率が３００ＧＰａ（３×１０^１１Ｐａ）であった。基板３０のサイズは、縦方向長さ１０ｃｍ、横方向長さ１０ｃｍ、厚み２００μｍであった。なお、基板３０の厚み方向一方面３１と、電子素子３２の厚み方向他方面１６とは、厚み５０μｍのバンプ１４を介して、隙間４５が設けられている。

（第１工程）
図１Ｂに示すように、次いで、中空型電子素子封止用シート１を用いて、電子素子実装基板３６の電子素子３２を封止した。具体的には、中空型電子素子封止用シート１を複数の電子素子３２の厚み方向一方面１５に配置し、続いて、６５℃、０．１ＭＰａ、１分で、プレスして、複数の電子素子３２をまとめて封止し、続いて、１５０℃、１時間加熱して、中空型電子素子封止用シート１を熱硬化（完全硬化）させて、封止層２０を形成した。

（第２工程）
図１Ｃに示すように、第２工程では、その後、電子素子３２の周囲の封止層２０および基板３０をダイシングした。

具体的には、まず、基板３０の厚み方向他方面３７に、ダイシングテープ３５（５１７２Ｋ、日東電工社製）を貼着し、その後、ダイシング後の中空型電子素子装置４０のサイズが、縦方向長さ２．５ｍｍ、横方向長さ１．５ｍｍとなるように、封止層２０および基板３０をダイシングした。

ダイシングの装置および条件は、以下の通りである。
ダイシング装置（ダイサー）：ＤＦＤ６３６１（ＤＩＳＣＯ社製）
ダイシング条件
ダイシングブレード：Ｂ１Ａ８０１
ダイシングブレードの回転数：４５０００ｒｐｍ
ダイシングブレードの周端面の速度：１０ｍｍ／秒
走行速度：１０ｍｍ／秒
これにより、図１Ｃに示すように、中空型電子素子装置４０を複数製造した。続いて、図１Ｃの破線矢印および図１Ｄに示すように、中空型電子素子装置４０をダイシングテープ３５から引き上げた。

実施例２～比較例４
実施例１と同様に処理して、中空型電子素子封止用シート１を製造した。

（評価）
下記の項目を評価した。その結果を表１および表２に示す。

＜凹部の有無およびサイズ＞
凹部２５が、基板３０の厚み方向一方面３１および基板側面３８にわたってあるか否か、さらには、凹部２５があれば、そのサイズを、横方向外側から、光学顕微鏡（ＶＨＸ－２０００、キーエンス社製）で観察して測定した。

＜反り＞
ダイシング前であって、熱硬化後の中空型電子素子装置４０の反り量を、測定し、以下の基準で、反りを評価した。具体的には、評価方法は、特開２０１４－２１６５２６号公報の実施例の記載に準拠する。
〇：反りが３ｍｍ以下、あるいは、反りがない
×：反りが３ｍｍ超過
＜中空封止性＞
第２工程後の基板３０および電子素子３２間の隙間４５に進入する封止層２０の進入長さを測定して、以下の基準で、中空封止性を評価した。
〇：進入長さＺが０μｍ以上、５０μｍ以下
×：進入長さＺが５０μｍ超過
＜信頼性＞
中空型電子素子装置４０を、８５℃、６０％ＲＨの高温高湿器に、１６８時間投入した。その後、さらに、中空型電子素子装置４０を、ＪＥＤＥＣ規格に記載されるリフロープロファイル（３℃／分で１８０秒以内に昇温し、２１７℃以上で１５０秒保持（２１７℃以上のうち２６０±５℃で４０秒保持し、６℃／分で２５℃まで冷却）するプロファイル）を実施した。

その後、封止層２０および基板３０の界面を観察して、以下の基準で、中空型電子素子装置４０の信頼性を評価した。
〇：封止層２０が基板３０から凹部２５を起点とする剥離が確認できなかった。
×：封止層２０が基板３０から凹部２５を起点とする剥離が確認できた。

＜引張貯蔵弾性率Ｅ’および剪断貯蔵弾性率Ｇ’＞
第１封止前駆体層２の９０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’１、および、第２封止前駆体層３の９０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’２を、それぞれ、測定した。

第１封止層１１の２５℃の引張貯蔵弾性率Ｅ’１、および、第２封止層１２の２５℃の引張貯蔵弾性率Ｅ’２を、それぞれ、測定した。

剪断貯蔵弾性率Ｇ’および引張貯蔵弾性率Ｅ’のいずれも、下記の測定装置および測定条件で、動的粘弾性を測定した。

測定装置：固体粘弾性測定装置（形式：ＲＳＡ－Ｇ２、ティー・エイ・インスツルメンツ社製）
モード：引張、または、剪断
走査温度：０～１５０℃
周波数：１Ｈｚ
歪み：０．０５％
昇温速度：１０℃／分

１ 中空型電子素子封止用シート
２ 第１封止前駆体層
１１ 第１封止層
１２ 第２封止層
２０ 封止層
２２ 厚み方向他方面（封止層）
２３ 封止側面
２５ 凹部
３０ 基板
３１ 厚み方向一方面（基板）
３２ 電子素子
３７ 厚み方向他方面（基板）
３８ 基板側面
４０ 中空型電子素子装置
４５ 隙間（間隔）
Ｇ’１ 第１封止前駆体層の９０℃の剪断貯蔵弾性率
Ｅ’１ 第１封止層の２５℃の引張貯蔵弾性率
Ｅ’２ 第２封止層の２５℃の引張貯蔵弾性率

Claims (5)

1. 基板の厚み方向一方面に対向するように実装される電子素子を、前記基板において前記電子素子と対向しない前記厚み一方面と接触するように、封止する封止層を形成し、前記電子素子の周囲の前記封止層および前記基板をダイシングするように使用される封止用シートであり、
   前記基板の２５℃のヤング率が、１×１０^１０Ｐａ以上であり、
   前記封止層は、前記基板の前記厚み方向一方面に接触する第１封止層を備え、
   周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件で動的粘弾性を測定することにより得られる前記第１封止層の２５℃の引張貯蔵弾性率Ｅ’１が、１．０×１０ ^８ Ｐａ以上であり、
   前記基板において前記厚み方向に対する直交方向端面に連続する厚み方向一方面と、前記封止層において前記厚み方向に対する直交方向端面に連続する厚み方向他方面とが対向しており、
   前記基板および前記封止層をダイシングした後の前記基板には、前記厚み方向一方面および前記直交方向端面にわたって凹部が形成され、
   前記基板の前記直交方向端面をその直交方向外側から観察したときに、前記凹部の直交方向における最大長さａが、１μｍ以下であり、前記凹部の前記厚み方向における最大長さｂが、１μｍ以下であることを特徴とする、封止用シート。
2. 前記封止層は、前記基板の前記厚み方向一方面に接触する第１封止層と、前記第１封止層の前記厚み方向一方面に配置される第２封止層とを備え、
   周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件で動的粘弾性を測定することにより得られる前記第２封止層の２５℃の引張貯蔵弾性率Ｅ’２の、前記条件で動的粘弾性を測定することにより得られる前記第１封止層の２５℃の引張貯蔵弾性率Ｅ’１に対する比（Ｅ’２／Ｅ’１）が、０．１以上、５００以下であることを特徴とする、請求項１に記載の封止用シート。
3. 前記封止用シートは、前記基板と前記電子素子との間に間隔が隔てられ、前記間隔が中空となるように、前記電子素子を封止するように使用される中空型電子素子封止用シートであり、
   前記中空型電子素子封止用シートは、前記第１封止層となる第１封止前駆体層を備え、
   周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件で動的粘弾性を測定することにより得られる前記第１封止前駆体層の９０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’１が、５．０×１０^５Ｐａ以上であることを特徴とする、請求項１または２に記載の封止用シート。
4. 前記封止用シートは、前記第１封止層となる第１封止前駆体層を備え、
   前記第１封止前駆体層は、熱硬化性成分を含有し、
   前記第１封止前駆体層は、熱硬化して前記第１封止層となった後に、その後、ダイシングされることを特徴とする、請求項１～３のいずれか一項に記載の封止用シート。
5. 請求項１～４のいずれか一項に記載の封止用シートを使用して前記電子素子を封止して、前記封止層を形成する第１工程、および、
   前記電子素子の周囲の前記封止層および前記基板をダイシングする第２工程
   を備えることを特徴とする、電子素子装置の製造方法。

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