JP7031955B2 - 回路基板の製造方法 - Google Patents
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Description
硬化済みの第1絶縁性基材と、前記第1絶縁性基材の第1表面にパターン状で形成された金属層とを有する第1積層体における前記第1絶縁性基材の前記第1表面とは反対側の第2表面上に、硬化済みではない第2絶縁性基材と、樹脂フィルムとをこの順で重ねて、熱圧着をして第2積層体を得る工程と、
前記第2積層体の前記樹脂フィルム側から、前記樹脂フィルム、前記第2絶縁性基材、及び前記第1絶縁性基材に、前記金属層に達する穴を形成した後に、前記穴に導電性ペーストを充填し、更に、前記樹脂フィルムを剥離し、第3積層体を得る工程と、
一の前記第3積層体と、他の前記第3積層体とを、一の前記第3積層体の前記金属層と、他の前記第3積層体の前記穴の開口部とが対向するように重ね、熱圧着を行う工程と、
を含む。
硬化済みの第1絶縁性基材と、前記第1絶縁性基材の第1表面にパターン状で形成された金属層と、前記第1絶縁性基材の前記第1表面とは反対側の第2表面に配された硬化済みの第2絶縁性基材と、前記第2絶縁性基材の前記第1絶縁性基材側とは反対側の表面から前記金属層に達するまで形成されたビアとを有する積層体を複数有し、
複数の前記積層体のうち、一の前記積層体と、他の前記積層体とが、一の前記積層体の前記金属層と、他の前記積層体の前記第2絶縁性基材の表面に露出したビアとが対向して位置する。
また、一つの側面では、多層構造を形成するための接着層を有しない多層構造の回路基板を提供できる。
また、一つの側面では、多層構造を形成するための接着層を有しない多層構造の回路基板を用いた電子機器を提供できる。
開示の回路基板の製造方法は、第2積層体を得る工程と、第3積層体を得る工程と、熱圧着を行う工程とを少なくとも含み、更に必要に応じてその他の工程を含む。
第2積層体は、第1積層体における第1絶縁性基材の第1表面とは反対側の第2表面上に、硬化済みではない第2絶縁性基材と、樹脂フィルムとをこの順で重ねて、熱圧着を行うことで得られる。
第1積層体は、硬化済みの第1絶縁性基材と、第1絶縁性基材の第1表面にパターン状で形成された金属層とを有する。
第1絶縁性基材は、硬化済みである。
第1絶縁性基材としては、回路基板で用いられる絶縁性基材であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ガラスクロス等を用いた無機織布、無機不織布等の無機基材、有機織布、有機不織布等の有機基材により硬度強化された基材などが挙げられる。
第1絶縁性基材としては、より具体的には、例えば、ガラスエポキシ基材(エポキシ樹脂を浸み込ませたガラス織布基材、エポキシ樹脂を浸み込ませたガラス不織布基材)、ビスマレイミドトリアジン樹脂を浸み込ませたガラス織布基材、エポキシ樹脂を浸み込ませたアラミド不織布基材、変性ポリフェニレンエーテル樹脂を浸み込ませたガラス織布基材などが挙げられる。
ここで、ガラスエポキシ基材とは、ガラス繊維の布(織布又は不織布)にエポキシ樹脂をしみ込ませて得られる基材である。
第1絶縁性基材の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、10μm以上200μm以下であってもよいし、30μm以上100μm以下であってもよい。
金属層を形成する金属としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ニッケル、銅などが挙げられる。
金属層の構造としては、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。金属層としては、例えば、銅の単層構造、銅とニッケルとの2層構造などが挙げられる。
金属層の表面を粗面にする方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、CZ処理(treatment of copper surface of zigzag)などが挙げられる。粗面の算術平均粗さ(Ra)としては、例えば、1.0μm以上2.0μm以下などが挙げられる。
第2絶縁性基材は、硬化済みではない。
第2絶縁性基材としては、回路基板で用いられる絶縁性基材であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ガラスクロス等を用いた無機織布、無機不織布等の無機基材、有機織布、有機不織布等の有機基材により硬度強化された基材などが挙げられる。
第2絶縁性基材としては、より具体的には、例えば、ガラスエポキシ基材(エポキシ樹脂を浸み込ませたガラス織布基材、エポキシ樹脂を浸み込ませたガラス不織布基材)、ビスマレイミドトリアジン樹脂を浸み込ませたガラス織布基材、エポキシ樹脂を浸み込ませたアラミド不織布基材、変性ポリフェニレンエーテル樹脂を浸み込ませたガラス織布基材などが挙げられる。
ここで、ガラスエポキシ基材とは、ガラス繊維の布(織布又は不織布)にエポキシ樹脂をしみ込ませて得られる基材である。
ここで、同じガラスエポキシ基材であるとは、硬化済み(Cステージ)状態において、同じ特性を示すことを意味する。例えば、第1絶縁性基材であるCステージのガラスエポキシ基材と同じガラスエポキシ基材をBステージの状態で第2絶縁性基材として用いている場合、それらは、同じガラスエポキシ基材である。
第2絶縁性基材の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、10μm以上150μm以下であってもよいし、20μm以上100μm以下であってもよい。
樹脂フィルムとしては、熱圧着の際に溶融しない樹脂フィルムであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリフェニレンサルファイトフィルム、ポリイミドフィルムなどが挙げられる。
樹脂フィルムの表面を粗面にする方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ブラスト加工、エンボス加工、コーティング加工などが挙げられる。粗面の算術平均粗さ(Ra)としては、例えば、1.0μm以上2.0μm以下などが挙げられる。
第2絶縁性基材は、接着層と異なり、常温及び常圧下においては、十分な接着性を有していない。そのため、熱圧着を行わないと、第1積層体と第2絶縁性基材との一時的な接着が不十分となり、他の工程において、第1積層体と第2絶縁性基材とが剥離する恐れがある。また、熱圧着を行わないと、第2絶縁性基材と樹脂フィルムとの一時的な接着が不十分となり、他の工程において、第2絶縁性基材と樹脂フィルムとが剥離する恐れがある。
すなわち、熱圧着は、第1積層体と第2絶縁性基材とが剥離しないよう、かつ第2絶縁性基材と樹脂フィルムとが意図せずに剥離しないようにするために行われることが好ましい。
温度としては、例えば、50℃以上100℃以下が挙げられる。
圧力としては、例えば、0.5MPa以上1.2MPa以下が挙げられる。
時間としては、例えば、60秒以上120秒以下が挙げられる。
第3積層体は、第2積層体の樹脂フィルム側から、樹脂フィルム、第2絶縁性基材、及び第1絶縁性基材に、金属層に達する穴を形成した後に、穴に導電性ペーストを充填し、更に、樹脂フィルムを剥離することで得られる。
穴(ビアホール)を形成する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、レーザーを用いて穴を形成する方法などが挙げられる。
レーザーの出力としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
ここでの穴の大きさ(開口径)は、例えば、第2絶縁性基材の樹脂フィルム側の表面の開口径を指す。
導電性ペーストとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、金属粒子(導電性フィラー)と、バインダー樹脂とを含有する導電性ペーストなどが挙げられる。
金属粒子を構成する金属としては、例えば、銅、金、銀、パラジウム、ニッケル、錫、鉛、ビスマスなどが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
バインダー樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂等といった熱硬化性樹脂などが挙げられる。ただし、バインダー樹脂はこれに限られず、例えば、ポリイミド樹脂等、他の樹脂であってもよい。
バインダー樹脂は、常温で液状であってもよいし、固体であってもよい。バインダー樹脂が常温で固体の場合には、導電性ペーストは、例えば、バインダー樹脂の溶融温度以上の温度に熱して使用される。
導電性ペーストは、例えば、バインダー樹脂、及び金属粒子を混練することで得られる。導電性ペーストは、フラックスなどを含有していてもよい。
圧接タイプとは、積層時の熱では低抵抗金属粉末(導電性フィラー)が溶融せず積層時の圧力だけで導電性フィラー同士が接触することで層間の導通接続を可能とする導電性ペーストである。圧接タイプは、導電性ペーストに含まれる樹脂が熱硬化することで流動性を失う。
溶融タイプとは、積層時の熱で低融点金属粉末(導電性フィラー)が溶融し、高融点金属粉末(導電性フィラー)を取り巻くように硬化して合金層を形成することで層間の導通接続を可能とする導電性ペーストである。
樹脂フィルムを剥離する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、樹脂フィルムの端部を治具によりつかみ、第2絶縁性基材から引き離す方法などが挙げられる。
一の第3積層体と、他の第3積層体とを、一の第3積層体の金属層と、他の第3積層体の穴の開口部とが対向するように重ねて熱圧着が行われる。
温度としては、例えば、200℃以上500℃以下が挙げられる。
圧力としては、例えば、2MPa以上10MPa以下が挙げられる。
時間としては、例えば、3h以上5h以下が挙げられる。
その他の工程としては、導電ペーストの表面を硬化させる工程などが挙げられる。
回路基板の製造方法においては、第3積層体における穴から突出している導電ペーストの表面を硬化させる工程を行うことが好ましい。
穴から突出している導電ペーストの表面を硬化させることで、穴から突出している導電性ペーストの形状を維持することができる。更に、穴から突出している導電ペーストの表面を硬化させることで、一の第3積層体と、他の第3積層体とを重ねて熱圧着を行う際に、導電性ペーストが不必要に流れ広がることを避けることができる。
開示の回路基板は、積層体を複数有する。
回路基板は、複数の積層体のうち、一の積層体と、他の積層体とが、一の積層体の金属層と、他の積層体の第2絶縁性基材の表面に露出したビアとが対向して位置する。
積層体は、第1絶縁性基材と、金属層と、第2絶縁性基材と、ビアとを有する。
第1絶縁性基材は、硬化済みである。すなわち、第1絶縁性基材は、Cステージである。
第1絶縁性基材としては、回路基板で用いられる絶縁性基材であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ガラスクロス等を用いた無機織布、無機不織布等の無機基材、有機織布、有機不織布等の有機基材により硬度強化された基材などが挙げられる。
第1絶縁性基材としては、より具体的には、例えば、ガラスエポキシ基材(エポキシ樹脂を浸み込ませたガラス織布基材、エポキシ樹脂を浸み込ませたガラス不織布基材)、ビスマレイミドトリアジン樹脂を浸み込ませたガラス織布基材、エポキシ樹脂を浸み込ませたアラミド不織布基材、変性ポリフェニレンエーテル樹脂を浸み込ませたガラス織布基材などが挙げられる。
ここで、ガラスエポキシ基材とは、ガラス繊維の布(織布又は不織布)にエポキシ樹脂をしみ込ませて得られる基材である。
第1絶縁性基材の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、10μm以上200μm以下であってもよいし、30μm以上100μm以下であってもよい。
金属層は、第1絶縁性基材の第1表面にパターン状で形成されている。
金属層を形成する金属としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ニッケル、銅などが挙げられる。
金属層の構造としては、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。金属層としては、例えば、銅の単層構造、銅とニッケルとの2層構造などが挙げられる。
回路基板において、第2絶縁性基材は、硬化済みである。すなわち、回路基板において、第2絶縁性基材は、例えば、Cステージである。
第2絶縁性基材としては、より具体的には、例えば、ガラスエポキシ基材(エポキシ樹脂を浸み込ませたガラス織布基材、エポキシ樹脂を浸み込ませたガラス不織布基材)、ビスマレイミドトリアジン樹脂を浸み込ませたガラス織布基材、エポキシ樹脂を浸み込ませたアラミド不織布基材、変性ポリフェニレンエーテル樹脂を浸み込ませたガラス織布基材などが挙げられる。
ここで、ガラスエポキシ基材とは、ガラス繊維の布(織布又は不織布)にエポキシ樹脂をしみ込ませて得られる基材である。
ここで、同じガラスエポキシ基材であるとは、硬化済み(Cステージ)状態において、同じ特性を示すことを意味する。例えば、第1絶縁性基材であるCステージのガラスエポキシ基材と同じガラスエポキシ基材をBステージの状態で第2絶縁性基材として用いている場合、それらは、同じガラスエポキシ基材である。
第2絶縁性基材の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、10μm以上150μm以下であってもよいし、20μm以上100μm以下であってもよい。
ビアは、第2絶縁性基材の第1絶縁性基材側とは反対側の表面から金属層に達するまで形成されている。
ビアとは、回路基板における積層体間の電気的接続のため、形成された穴の内部に導体を形成したものである。導体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、導電性ペーストの硬化物、メッキなどが挙げられる。
導体が導電性ペーストの硬化物である場合、通常、穴の内部全体に導電性ペーストが充填された後、導電性ペーストを硬化させることによりビアが形成される。
導体がメッキである場合、通常、穴の内壁に電解メッキ又は無電解メッキが施されてビアが形成される。
開示の電子機器は、開示の回路基板と、電子部品とを少なくとも有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
電子機器としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、パソコン(ノート型パソコン、デスクトップ型パソコン)、電話機、携帯電話、タブレット型携帯端末、スマートフォン、コピー機、ファクシミリ、各種プリンター、デジタルカメラ、テレビ、ビデオ、CD装置、DVD装置、エアコン、リモコン装置などが挙げられる。
まず、第1絶縁性基材1の両面に銅箔である金属層2、3が貼り合わせられた両面銅貼基板を用意する(図1)。第1絶縁性基材1は、例えば、硬化済みのガラスエポキシ基材であり、その平均厚みは、例えば、60μmである。金属層2、3の平均厚みは、例えば、15μmである。
次に、ラミネーターを用いて、両面銅貼基板の両面にドライフィルムレジスト4、5を貼り合わせる(図2)。
次に、ドライフィルムレジスト4に対して選択的露光及び現像を行うことにより、パターン状の金属層を作成するためのレジストパターンを形成する(図3)。なお、ドライフィルムレジスト5については現像により全面溶解させる。ドライフィルムレジスト4、5としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポジ型ドライフィルムレジスト、ネガ型ドライフィルムレジストなどが挙げられる。選択的露光における露光波長としては、ドライフィルムレジストを感光させることができる限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。現像の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルカリ水溶液による現像などが挙げられる。
次に、パターン化されたドライフィルムレジスト4をマスクとして、金属層2、3のエッチングを行い、パターン化された金属層2を得る(図4)。エッチングの方法としては、ウェットエッチングなどが挙げられる。
以上により、第1積層体が得られる。
次に、第1積層体における第1絶縁性基材1の第1表面1Aとは反対側の第2表面1B上に、硬化済みではない第2絶縁性基材6と、樹脂フィルム7とをこの順で重ねて、熱圧着をして第2積層体を得る(図5)。熱圧着する前の第2絶縁性基材6は、例えば、Bステージのガラスエポキシ基材である。熱圧着では、第2絶縁性基材6を熱硬化させることが好ましい。ただし、熱硬化は、Cステージまでの熱硬化ではなく、Bステージにおいて更に適度に硬化が進む程度の熱硬化が好ましい。
次に、第2積層体の樹脂フィルム7側から、樹脂フィルム7、第2絶縁性基材6、及び第1絶縁性基材1に、金属層3に達する穴8を形成する(図6)。穴8の形成は、例えば、レーザーを照射することにより行うことができる。
次に、穴8に導電性ペースト9を充填する(図7)。導電性ペースト9を穴8に充填する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スキージ治具を使用し大気又は真空下で穴に導電性ペーストを充填する方法などが挙げられる。
次に、樹脂フィルム7を剥離する(図8)。そうすることにより、樹脂フィルム7の厚みの分だけ、導電性ペースト9が第2絶縁性基材6の開口から突出した状態が得られる。
以上により、第3積層体100が得られる。
次に、複数の第3積層体100について、一の第3積層体100と、他の第3積層体100とを、一の第3積層体100の金属層2と、他の第3積層体100の穴8の開口部とが対向するように重ねる(図9)。この際、重ねられた複数の積層体による積層物の上下には、パターン状ではない金属層を設けることが好ましい。例えば、最も上に位置する第3積層体100の上に、パターン状ではない金属層22を重ねる。また、最も下に位置する積層体101としては、第3積層体100においてパターン状の金属層2が配されていない積層体を用いる。そして、その積層体101の下に、金属層12を配する。
次に、重ねた複数の第3積層体100を熱圧着する(図10)。そうすることにより、一の第3積層体100の金属層2が、他の第3積層体100の第2絶縁性基材6に埋め込まれる。加えて、導電性ペースト9が硬化する。加えて、第2絶縁性基材6が完全硬化する。すなわち、第2絶縁性基材6がCステージまで硬化する。
次に、金属層12、及び金属層22をパターン状に加工する(図11)。
そうすることにより、回路基板が完成する。
ここで、開示の回路基板の製造方法により形成される回路基板、及び開示の回路基板は、図12におけるマザーボード500としても使用可能であり、インターポーザ600としても使用可能であり、更には、半導体素子700を構成する回路基板としても使用可能である。
(付記1)
硬化済みの第1絶縁性基材と、前記第1絶縁性基材の第1表面にパターン状で形成された金属層とを有する第1積層体における前記第1絶縁性基材の前記第1表面とは反対側の第2表面上に、硬化済みではない第2絶縁性基材と、樹脂フィルムとをこの順で重ねて、熱圧着をして第2積層体を得る工程と、
前記第2積層体の前記樹脂フィルム側から、前記樹脂フィルム、前記第2絶縁性基材、及び前記第1絶縁性基材に、前記金属層に達する穴を形成した後に、前記穴に導電性ペーストを充填し、更に、前記樹脂フィルムを剥離し、第3積層体を得る工程と、
一の前記第3積層体と、他の前記第3積層体とを、一の前記第3積層体の前記金属層と、他の前記第3積層体の前記穴の開口部とが対向するように重ね、熱圧着を行う工程と、
を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
(付記2)
前記第1絶縁性基材が、ガラスエポキシ基材であり、
前記第2絶縁性基材が、ガラスエポキシ基材である付記1に記載の回路基板の製造方法。
(付記3)
前記第1絶縁性基材としての前記ガラスエポキシ基材と、前記第2絶縁性基材としての前記ガラスエポキシ基材とが、同じガラスエポキシ基材である付記2に記載の回路基板の製造方法。
(付記4)
前記第2絶縁性基材の材質が、ふっ素樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリイミド樹脂、及びビスマレイミドトリアジン樹脂からなる群から選択される熱硬化性樹脂である付記1に記載の回路基板の製造方法。
(付記5)
一の前記第3積層体と、他の前記第3積層体とを、熱圧着する際、一の前記第3積層体の前記金属層が、他の前記第3積層体の前記第2絶縁性基材に埋め込まれる付記1から4のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
(付記6)
更に、前記第3積層体における前記穴から突出している前記導電ペーストの表面を硬化させる工程を含む付記1から5のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
(付記7)
一の前記第3積層体と、他の前記第3積層体とを、一の前記第3積層体の前記金属層と、他の前記第3積層体の前記穴の開口部とが対向するように重ね、熱圧着を行う際に、前記第2絶縁性基材を完全硬化させる、付記1から6のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
(付記8)
硬化済みの第1絶縁性基材と、前記第1絶縁性基材の第1表面にパターン状で形成された金属層と、前記第1絶縁性基材の前記第1表面とは反対側の第2表面に配された硬化済みの第2絶縁性基材と、前記第2絶縁性基材の前記第1絶縁性基材側とは反対側の表面から前記金属層に達するまで形成されたビアとを有する積層体を複数有し、
複数の前記積層体のうち、一の前記積層体と、他の前記積層体とが、一の前記積層体の前記金属層と、他の前記積層体の前記第2絶縁性基材の表面に露出したビアとが対向して位置することを特徴とする回路基板。
(付記9)
前記第1絶縁性基材が、ガラスエポキシ基材であり、
前記第2絶縁性基材が、ガラスエポキシ基材である付記8に記載の回路基板。
(付記10)
前記第1絶縁性基材としての前記ガラスエポキシ基材と、前記第2絶縁性基材としての前記ガラスエポキシ基材とが、同じガラスエポキシ基材である付記9に記載の回路基板。
(付記11)
前記第2絶縁性基材の材質が、ふっ素樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリイミド樹脂、及びビスマレイミドトリアジン樹脂からなる群から選択される熱硬化性樹脂の硬化物である付記8に記載の回路基板の製造方法。
(付記12)
一の前記第3積層体の前記金属層が、他の前記第3積層体の前記第2絶縁性基材に埋め込まれている付記8から11のいずれかに記載の回路基板。
(付記13)
付記1から7のいずれかに記載の回路基板と、電子部品とを有することを特徴とする電子機器。
1A 第1表面
1B 第2表面
2 金属層
3 金属層
4 ドライフィルムレジスト
5 ドライフィルムレジスト
6 第2絶縁性基材
7 樹脂フィルム
8 穴
9 導電性ペースト
12 金属層
22 金属層
100 第3積層体
101 積層体
Claims (7)
- 硬化済みの第1絶縁性基材と、前記第1絶縁性基材の第1表面にパターン状で形成された金属層とを有する第1積層体における前記第1絶縁性基材の前記第1表面とは反対側の第2表面上に、硬化済みではない第2絶縁性基材と、樹脂フィルムとをこの順で重ねて、熱圧着をして第2積層体を得る工程と、
前記第2積層体の前記樹脂フィルム側から、前記樹脂フィルム、前記第2絶縁性基材、及び前記第1絶縁性基材に、前記金属層に達する穴を形成した後に、前記穴に導電性ペーストを充填し、更に、前記樹脂フィルムを剥離し、第3積層体を得る工程と、
一の前記第3積層体と、他の前記第3積層体とを、一の前記第3積層体の前記金属層と、他の前記第3積層体の前記穴の開口部とが対向するように重ね、熱圧着を行う工程と、
を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。 - 前記第1絶縁性基材が、ガラスエポキシ基材であり、
前記第2絶縁性基材が、ガラスエポキシ基材である請求項1に記載の回路基板の製造方法。 - 前記第1絶縁性基材としての前記ガラスエポキシ基材と、前記第2絶縁性基材としての前記ガラスエポキシ基材とが、同じガラスエポキシ基材である請求項2に記載の回路基板の製造方法。
- 前記第2絶縁性基材の材質が、ふっ素樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリイミド樹脂、及びビスマレイミドトリアジン樹脂からなる群から選択される熱硬化性樹脂である請求項1に記載の回路基板の製造方法。
- 一の前記第3積層体と、他の前記第3積層体とを、熱圧着する際、一の前記第3積層体の前記金属層が、他の前記第3積層体の前記第2絶縁性基材に埋め込まれる請求項1から4のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
- 更に、前記第3積層体における前記穴から突出している前記導電ペーストの表面を硬化させる工程を含む請求項1から5のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
- 一の前記第3積層体と、他の前記第3積層体とを、一の前記第3積層体の前記金属層と、他の前記第3積層体の前記穴の開口部とが対向するように重ね、熱圧着を行う際に、前記第2絶縁性基材を完全硬化させる、請求項1から6のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
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