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JP7007589B2 - 発光装置 - Google Patents

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Description

本開示は、発光装置に関する。
第１のリード端子上に、青色発光ダイオードチップと緑色発光ダイオードチップが実装され、青色発光ダイオードチップと緑色発光ダイオードチップがモールド部に封止され、モールド部内に赤色蛍光体が含まれる白色発光ダイオードが知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００７－１５８２９６号公報
発光ピーク波長の異なる複数の発光素子を備える発光装置において、混色性の向上が求められている。
本開示に係る実施形態は、混色性を向上させた発光装置を提供することを目的とする。
本開示の実施形態に係る発光装置は、長手方向と、前記長手方向と直交する短手方向とを有する発光装置であって、第１素子光取り出し面と、前記第１素子光取り出し面の反対側にある第１素子電極形成面と、前記第１素子光取り出し面と前記第１素子電極形成面との間にある第１素子側面と、を含む第１発光素子と、第２素子光取り出し面と、前記第２素子光取り出し面の反対側にある第２素子電極形成面と、前記第２素子光取り出し面と前記第２素子電極形成面との間にある第２素子側面と、を含み、前記第１発光素子の発光ピーク波長と異なる発光ピーク波長を有し、前記長手方向おいて、前記第１発光素子と並んで配置される第２発光素子と、前記第１素子光取り出し面、前記第１素子側面、前記第２素子光取り出し面、及び、前記第２素子側面を被覆する導光部材と、前記導光部材を介して、前記第１素子光取り出し面及び前記第２素子光取り出し面を被覆する透光性部材と、上面視において、前記第１発光素子、前記第２発光素子、及び、前記導光部材を囲む反射部材と、前記長手方向おいて、前記第１発光素子と前記反射部材との間に設けられ、前記透光性部材に対して傾斜した傾斜面を備える第１傾斜部材と、を備え、前記第１傾斜部材は、前記透光性部材から離間する。
本開示の実施形態に係る発光装置によれば、混色性を向上させることができる。
本実施形態に係る発光装置の概略斜視図である。 本実施形態に係る発光装置の概略斜視図である。 本実施形態に係る発光装置の概略上面図である。 本実施形態に係る発光装置の概略底面図である。 図１ＣのIIＡ－IIＡ線における概略断面図である。 図１ＣのIIＡ－IIＡ線における概略断面図である。 図１ＣのIIＢ－IIＢ線における概略断面図である。 本実施形態に係る発光装置の第１変形例の概略断面図である。 本実施形態に係る発光装置の第２変形例の概略断面図である。 本実施形態に係る発光装置の第３変形例の概略断面図である。 本実施形態に係る発光装置の第４変形例の概略断面図である。 本実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。 本実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子実装工程及び反射部材形成工程を示す断面図である。 本実施形態に係る発光装置の製造方法における導光部材形成工程を示す断面図である。 本実施形態に係る発光装置の製造方法における導光部材除去工程を示す断面図である。 本実施形態に係る発光装置の製造方法における透光性部材形成工程を示す断面図である。 本実施形態に係る発光装置の製造方法における凹部形成工程を示す断面図である。 本実施形態に係る発光装置の製造方法における反射部材形成工程を示す断面図である。 本実施形態に係る発光装置の製造方法における反射部材除去工程を示す断面図である。 本実施形態に係る発光装置の製造方法における発光装置個片化工程を示す断面図である。
以下、実施形態に係る発光装置、及びその製造方法について説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、平面図とその断面図において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。また、本明細書において、「上」、「下」などは構成要素間の相対的な位置を示すものであって、絶対的な位置を示すことを意図したものではない。また、一つの実施形態において説明する内容は、他の実施形態及び変形例にも適用可能である。
≪発光装置の構成≫
まず、図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、図２Ａ、及び図２Ｃを参照して、本実施形態に係る発光装置１００の構成について説明する。図１Ａは、本実施形態に係る発光装置１００の概略斜視図であり、図１Ｂは、本実施形態に係る発光装置１００の概略斜視図であり、図１Ｃは、本実施形態に係る発光装置１００の概略上面図である。図２Ａは、図１ＣのIIＡ－IIＡ線における本実施形態に係る発光装置１００の構成を示す断面図であり、図２Ｃは、図１ＣのIIＢ－IIＢ線における本実施形態に係る発光装置１００の構成を示す断面図である。
発光装置１００は、長手方向（図１に示すＸ方向）と、長手方向と直交する短手方向（図１に示すＹ方向）とを有し、第１発光素子２０Ａと、第２発光素子２０Ｂと、第３発光素子２０Ｃと、透光性部材３０と、反射部材４０と、傾斜部材５０（第１傾斜部材５０Ａ、第３傾斜部材５０Ｃ）と、導光部材６０と、を備えている。傾斜部材５０は、第１傾斜部材５０Ａと、第３傾斜部材５０Ｃと、を含む。また、傾斜部材５０は、後述する第２傾斜部材を含む。発光装置１００は、２つ以上の発光素子を備えていればよい。発光装置１００は、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、第３発光素子２０Ｃの３つの発光素子を有している。第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ及び第３発光素子２０Ｃの構成の一例として、第１発光素子２０Ａを説明する。
第１発光素子２０Ａは、第１素子光取り出し面２０１Ａと、第１素子光取り出し面の反対側にある第１素子電極形成面２０３Ａと、第１素子光取り出し面２０１Ａと第１素子電極形成面２０３Ａとの間にある第１素子側面２０２Ａと、を有している。第１素子光取り出し面２０１Ａとは、第１発光素子２０Ａの上面のことである。第１素子電極形成面２０３Ａとは、第１発光素子２０Ａの底面のことであり、一対の第１素子電極２１Ａ、２２Ａが設けられている。第１素子側面２０２Ａは、第１素子光取り出し面２０１Ａに対して、垂直であってもよいし、内側又は外側に傾斜していてもよい。
また、第１発光素子２０Ａは、第１素子基板２４Ａと、第１素子基板２４Ａに接して形成される第１素子半導体積層体２３Ａと、第１素子半導体積層体２３Ａに接して形成される一対の第１素子電極２１Ａ、２２Ａと、を備えている。なお、本実施形態では、第１発光素子２０Ａが第１素子基板２４Ａを備える構成を一例に挙げて説明するが、第１素子基板２４Ａは除去されていてもよい。
第１発光素子２０Ａが、第１素子基板２４Ａを備える場合には、第１素子光取り出し面２０１Ａとは、一対の第１素子電極２１Ａ、２２Ａが設けられている第１素子電極形成面２０３Ａと反対側に位置する第１素子基板２４Ａの上面を指す。第１発光素子２０Ａが、第１素子基板２４Ａを備えていない場合には、第１素子光取り出し面２０１Ａとは、一対の第１素子電極２１Ａ、２２Ａが設けられている第１素子電極形成面２０３Ａと反対側に位置する第１素子半導体積層体２３Ａの上面を指す。
第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、第３発光素子２０Ｃは、長手方向において、直線上に並んで配置されることが好ましい。このようにすることで、Ｙ方向において発光装置１００を薄型化することができる。上面視において、第１発光素子２０Ａの第１素子光取り出し面２０１Ａが長方形形状である場合には、第１素子光取り出し面２０１Ａの一方の短辺２０１１Ａが傾斜部材５０（第１傾斜部材５０Ａ）と対向し、第１素子光取り出し面２０１Ａの他方の短辺２０１２Ａが第２素子光取り出し面２０１Ｂの一方の短辺２０１１Ｂと対向して形成される。そして、第３発光素子２０Ｃは、上面視において、長方形形状である場合には、第３素子光取り出し面２０１Ｃの一方の短辺２０１１Ｃが第２素子光取り出し面２０１Ｂの他方の短辺２０１２Ｂと対向し、第３素子光取り出し面２０１Ｃの他方の短辺２０１２Ｃが傾斜部材５０（第３傾斜部材５０Ｃ）とが対向して形成される。そのため、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、第３発光素子２０Ｃは、Ｘ方向において、揃えて配置され、Ｙ方向において発光装置１００を薄型化することができる。換言すると、第２発光素子２０Ｂは、第１発光素子２０Ａと第３発光素子２０Ｃとの間に位置する。
第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、第３発光素子２０Ｃは、上面視において、形状が、矩形、特に、正方形状又は一方向に長い長方形状であることが好ましいが、その他の形状であってもよい。
第１素子光取り出し面２０１Ａ、第２素子光取り出し面２０１Ｂ、及び／又は、第３素子光取り出し面２０１Ｃは、Ｚ方向において、略同じ高さであってもよいし、異なる高さであってもよい。例えば、第１素子光取り出し面２０１Ａと第３素子光取り出し面２０１Ｃとが、略同じ高さであり、第２素子光取り出し面２０１Ｂが、第１素子光取り出し面２０１Ａ及び第３素子光取り出し面２０１Ｃと異なる高さであってもよい。
第１素子電極２１Ａ、２２Ａ、第２素子電極２１Ｂ、２２Ｂ、第３素子電極２１Ｃ、２２Ｃは、例えば、金、銀、錫、白金、ロジウム、チタン、アルミニウム、タングステン、パラジウム、ニッケル又はこれらの合金、などの材料で構成することができる。
第１素子基板２４Ａ、第２素子基板２４Ｂ、第３素子基板２４Ｃは、主として半導体積層体を構成する半導体の結晶を成長可能な結晶成長用基板であることが好ましいが、結晶成長用基板から分離した半導体素子構造に接合させる接合用基板であってもよい。
また、第１素子基板２４Ａ、第２素子基板２４Ｂ、第３素子基板２４Ｃは、透光性を有することが好ましい。これにより、フリップチップ実装を採用し易く、光の取り出し効率を高め易い発光装置１００を実現できる。
第１素子基板２４Ａ、第２素子基板２４Ｂ、第３素子基板２４Ｃの母材としては、例えば、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、シリコン、炭化珪素、ガリウム砒素、ガリウム燐、インジウム燐、硫化亜鉛、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、ダイヤモンドなどを用いることができる。特に、サファイアを用いることが好ましい。
第１素子基板２４Ａ、第２素子基板２４Ｂ、第３素子基板２４Ｃの厚さは、適宜選択できるが、例えば０．０２ｍｍ以上１ｍｍ以下であることが好ましく、強度及び／若しくは発光装置１００の厚さの観点において、０．０５ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であることがより好ましい。
なお、本実施形態において、発光装置１００が、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、第３発光素子２０Ｃの３つの発光素子を備える構成を一例に挙げて説明しているが、発光素子の個数は、少なくとも２つ以上であれば、特に限定されるものではない。例えば、後記する変形例１に係る発光装置１００Ａのように、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂの２つの発光素子を備える構成としてもよい（図３参照）。
第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、第３発光素子２０Ｃは、電圧が印加されることで、自ら発光する半導体素子であり、窒化物半導体などから構成される既知の半導体素子を適用できる。第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、第３発光素子２０Ｃとしては、例えば、ＬＥＤチップ、などが挙げられる。
この半導体素子に適用される半導体材料としては、波長変換部材を効率良く励起でき、短波長の光を発光可能な材料である、窒化物半導体を用いることが好ましい。窒化物半導体は、主として一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）で表される。このほか、ＩｎＡｌＧａＡｓ系半導体、ＩｎＡｌＧａＰ系半導体、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、炭化珪素、などを用いることもできる。
第１発光素子２０Ａの発光ピーク波長は、４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満の範囲（青色領域の波長範囲）であることが好ましい。
第２発光素子２０Ｂの発光ピーク波長は、第１発光素子２０Ａの発光ピーク波長と異なることが好ましく、４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ未満の範囲（緑色領域の波長範囲）であることが好ましい。また、第２発光素子２０Ｂの半値幅は、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが好ましい。第２発光素子２０Ｂの半値幅を５ｎｍ以上とすることで、第２発光素子２０Ｂの光出力を向上させることができ、第２発光素子２０Ｂの半値幅を４０ｎｍ以上とすることで、緑色光のピークを鋭くすることができる。
第３発光素子２０Ｃの発光ピーク波長は、第１発光素子２０Ａの発光ピーク波長と同じであり、第２発光素子２０Ｂの発光ピーク波長と異なることが好ましい。第３発光素子２０Ｃの発光ピーク波長は、４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満の範囲（青色領域の波長範囲）であることが好ましい。なお、本明細書において、「発光ピーク波長と同じ」とは±１０ｎｍ程度の変動は許容されることを意味する。
第１発光素子２０Ａの発光ピーク波長、第２発光素子２０Ｂの発光ピーク波長、第３発光素子２０Ｃの発光ピーク波長、をそれぞれ上述のように規定することで発光装置１００の色再現性を向上させることができる。また、第１発光素子２０Ａと、第２発光素子２０Ｂと、第３発光素子２０Ｃと、が順に並んでいることにより、第１発光素子２０Ａと、第３発光素子２０Ｃと、第２発光素子２０Ｂと、が順に並んでいる場合よりも、発光装置１００の色ムラを低減させることができる。
なお、第１発光素子２０Ａの発光ピーク波長が、４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ未満の範囲（緑色領域の波長範囲）であり、第２発光素子２０Ｂの発光ピーク波長が、４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満の範囲（青色領域の波長範囲）であり、第３発光素子２０Ｃの発光ピーク波長が、４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ未満の範囲（緑色領域の波長範囲）であってもよい。即ち、第１発光素子２０Ａの発光ピーク波長、第２発光素子２０Ｂの発光ピーク波長、第３発光素子２０Ｃの発光ピーク波長は、半導体材料やその混晶比によって、紫外域から赤外域まで選択することができるが、第１発光素子２０Ａの発光ピーク波長と第３発光素子２０Ｃの発光ピーク波長とが同じであり、第２発光素子２０Ｂの発光ピーク波長が、第１発光素子２０Ａの発光ピーク波長及び第３発光素子２０Ｃの発光ピーク波長と異なることが好ましい。
透光性部材３０は、導光部材６０を介して、第１素子光取り出し面２０１Ａ及び第２素子光取り出し面２０１Ｂを被覆する。発光装置が第３発光素子２０Ｃを備える場合には、透光性部材３０は、導光部材６０を介して、第１素子光取り出し面２０１Ａ、第２素子光取り出し面２０１Ｂ、及び、第３素子光取り出し面２０１Ｃを被覆する。
透光性部材３０は、第１素子光取り出し面２０１Ａ、第２素子光取り出し面２０１Ｂ、第３素子光取り出し面２０１Ｃと対向する第１透光層３１Ａと、第１透光層３１Ａ上に配置される波長変換層３１Ｂと、波長変換層３１Ｂ上に配置される第２透光層３１Ｃと、を備えていてもよい。第１透光層３１Ａと波長変換層３１Ｂと第２透光層３１Ｃとは積層されている。
透光性部材３０の波長変換層３１Ｂは、単層であってもよいし、異なる蛍光体を含む複数の層であってもよい。例えば、図２Ｂに示す発光装置１００のように、透光性部材３０が、第１波長変換層３１１Ｂと、第１波長変換層３１１Ｂを被覆する第２波長変換層３１２Ｂと、を備えていてもよい。
第２波長変換層３１２Ｂは、第１波長変換層３１１Ｂを直接被覆してもよく、透光層（例えば、図２Ｂに示す３１Ｄ）などの別の層を介して第１波長変換層３１１Ｂを被覆してもよい。第１波長変換層３１１Ｂは、第２波長変換層３１２Ｂよりも、第１発光素子２０Ａの上面、第２発光素子２０Ｂの上面、及び、第３発光素子２０Ｃの上面から近い位置に配置される。第１波長変換層３１１Ｂに含有される波長変換部材の発光ピーク波長は、第２波長変換層３１２Ｂに含有される波長変換部材の発光ピーク波長よりも短いことが好ましい。このようにすることで、第１発光素子、第２発光素子、第３発光素子に励起された第１波長変換層３１１Ｂからの光によって、第２波長変換層３１２Ｂの波長変換部材を励起させることができる。これにより、第２波長変換層３１２Ｂの波長変換部材からの光を増加させることができる。
例えば、第１波長変換層３１１Ｂに含有される波長変換部材の発光ピーク波長は、５００ｎｍ以上５７０ｎｍ以下であり、第２波長変換層３１２Ｂに含有される波長変換部材の発光ピーク波長は、６１０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下であることが好ましい。このようにすることで、色再現性の高い発光装置とすることができる。例えば、第１波長変換層３１１Ｂに含有される波長変換部材としてβサイアロン系蛍光体が挙げられ、第２波長変換層３１２Ｂに含有される波長変換部材としてマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体が挙げられる。第２波長変換層３１２Ｂに含有される波長変換部材としてマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体を用いる場合には、特に、透光性部材３０が、第１波長変換層３１１Ｂと、第２波長変換層３１２Ｂと、備えることが好ましい。マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体は輝度飽和を起こしやすいが、第２波長変換層３１２Ｂと発光素子との間に第１波長変換層３１１Ｂが位置することで発光素子からの光が過度にマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体に照射されることを抑制することができる。これにより、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体の劣化を抑制することができる。
第１波長変換層３１１Ｂに含有される波長変換部材としてβサイアロン系蛍光体を用い、第２波長変換層３１２Ｂに含有される波長変換部材としてマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体を用いる場合には、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体の重量は、βサイアロン系蛍光体の重量よりも多くしてもよい。例えば、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体の重量は、βサイアロン系蛍光体の重量の１．５倍から３０倍としてもよい。
第１透光層３１Ａ、波長変換層３１Ｂ、及び第２透光層３１Ｃの母材は、同じ樹脂材料で形成されることが好ましい。第１透光層３１Ａの母材と波長変換層３１Ｂの母材とが、同じ樹脂材料で形成されることで、第１透光層３１Ａと波長変換層３１Ｂとの屈折率差を小さくすることができる。これにより、各発光素子が発する光が第１透光層３１Ａと波長変換層３１Ｂの界面によって反射することを抑制できるので、発光装置の光取り出し効率が向上する。また、波長変換層３１Ｂの母材と第２透光層３１Ｃの母材とが、同じ樹脂材料で形成されることで、発光装置の光取り出し効率が向上する。なお、本明細書において同じ樹脂材料とは、同種類の樹脂材料という意味である。例えば、第１透光層３１Ａ、波長変換層３１Ｂ、及び第２透光層３１Ｃの母材がシリコーン樹脂で形成されている場合には、第１透光層３１Ａ、波長変換層３１Ｂ、及び第２透光層３１Ｃは同じ樹脂材料で形成されていることになる。
透光性部材３０の母材は、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、第３発光素子２０Ｃが発光する光に対して、透光性を有する材料であればよい。なお、本明細書において、「透光性」とは、各発光素子の発光ピーク波長における光透過率が、好ましくは６０％以上であること、より好ましくは７０％以上であること、よりいっそう好ましくは８０％以上であることを意味するものとする。
透光性部材３０の母材は、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂、ガラス、などを用いることができる。特に、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れるため、透光性部材３０の母材として用いることが好ましい。具体的なシリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル－メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂が挙げられる。なお、本明細書において、「変性樹脂」とは、ハイブリッド樹脂を含むものとする。
第１透光層３１Ａは、母材と、第１拡散粒子と、を含有することが好ましい。透光性部材３０が、第１拡散粒子を含有する第１透光層３１Ａを備えることで、第１発光素子２０Ａが発光する光、第２発光素子２０Ｂが発光する光、第３発光素子２０Ｃが発光する光を、第１透光層３１Ａで拡散させ易くすることができる。これにより、発光装置１００の色ムラを低減させることができる。
第２透光層３１Ｃは、母材と、第２拡散粒子と、を含有することが好ましい。透光性部材３０が、第２拡散粒子を含有する第２透光層３１Ｃを備えることで、第１発光素子２０Ａが発光する光、第２発光素子２０Ｂが発光する光、第３発光素子２０Ｃが発光する光と、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、第３発光素子２０Ｃに励起された波長変換部材が発する光とを、第２透光層３１Ｃで効率的に混じり合わせることができる。これにより、発光装置１００の色ムラを低減させることができる。
また、第２透光層３１Ｃは、波長変換層３１Ｂの保護層として機能する。これにより、波長変換層３１Ｂが水分に弱い波長変換部材（例えば、マンガン賦活フッ化物蛍光体）を含んでいても、波長変換層３１Ｂの劣化を抑制することができる。
第１拡散粒子及び／又は第２拡散粒子としては、例えば、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、などを用いることができる。
第１拡散粒子と第２拡散粒子とは、同じ材料であってもよく、異なる材料であってもよい。第２拡散粒子は、第１拡散粒子よりも屈折率の低い材料であることが好ましい。例えば、第１拡散粒子として、酸化チタンを選択し、第２拡散粒子として、酸化ケイ素を選択することができる。これにより、第２拡散粒子によって拡散される光が減少するので、発光装置１００の光取り出し効率を向上させることができる。
波長変換層３１Ｂは、母材と、波長変換部材と、を含有することが好ましい。波長変換部材は、第１発光素子２０Ａが発光する光（一次光）、第２発光素子２０Ｂが発光する光（一次光）、及び／又は、第３発光素子２０Ｃが発光する光（一次光）、の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を発する。波長変換部材としては、以下に示す具体例のうちの１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
緑色発光する波長変換部材としては、例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＬｕ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＴｂ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）系蛍光体、シリケート系蛍光体（例えば（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えばＣａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えばＳｉ６－ｚＡｌｚＯｚＮ８－ｚ：Ｅｕ（０＜ｚ＜４．２））、ＳＧＳ系蛍光体（例えばＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ）、アルカリ土類アルミネート系蛍光体（Ｂａ,Ｓｒ,Ｃａ）ＭｇｘＡｌ１０Ｏ１６＋ｘ:Ｅｕ,Ｍｎ（但し、０≦ｘ≦１）などが挙げられる。
黄色発光の波長変換部材としては、例えば、αサイアロン系蛍光体（例えばＭｚ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６（但し、０＜ｚ≦２であり、ＭはＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ、及びＬａとＣｅを除くランタニド元素）などが挙げられる。このほか、上記緑色発光する波長変換部材の中には黄色発光の波長変換部材もある。また、例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、Ｙの一部をＧｄで置換することで発光ピーク波長を長波長側にシフトさせることができ、黄色発光が可能である。また、これらの中には、橙色発光が可能な波長変換部材もある。
赤色発光する波長変換部材としては、例えば、窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣＡＳＮ又はＳＣＡＳＮ）系蛍光体（例えば（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）などが挙げられる。このほか、マンガン賦活フッ化物系蛍光体（一般式（Ｉ）Ａ２［Ｍ１－ａＭｎａＦ６］で表される蛍光体である（但し、上記一般式（Ｉ）中、Ａは、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｃｓ及びＮＨ４からなる群から選ばれる少なくとも１種であり、Ｍは、第４族元素及び第１４族元素からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素であり、ａは０＜ａ＜０．２を満たす））が挙げられる。このマンガン賦活フッ化物系蛍光体の代表例としては、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体（例えばＫ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）がある。
例えば、第１発光素子２０Ａの発光ピーク波長が、４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満の範囲（青色領域の波長範囲）にあり、第２発光素子２０Ｂの発光ピーク波長が、４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ未満の範囲（緑色領域の波長範囲）にあり、第３発光素子２０Ｃの発光ピーク波長が、４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満の範囲（青色領域の波長範囲）にある場合、波長変換部材の発光ピーク波長は、５８０ｎｍ以上６８０ｎｍ未満の範囲（赤色領域の波長範囲）にあることが好ましい。これにより、発光装置１００の色再現性を向上させることができる。
なお、波長変換層３１Ｂは、更に、拡散粒子を含有していてもよい。透光性部材３０が、拡散粒子を含有する波長変換層３１Ｂを備えることで、各発光素子が発する光、及び／又は、各発光素子によって励起された波長変換部材からの光を拡散させ易くすることができ、波長変換部材の使用量を低減することが可能になる。拡散粒子の粒径は、例えば、０．１μｍ以上３μｍ以下程度であることがこのましい。
なお、透光性部材３０は、第１透光層３１Ａと波長変換層３１Ｂとの間に、実質的に波長変換部材及び拡散粒子を含んでいない第３透光層を備えていてもよい。第１透光層３１Ａと波長変換層３１Ｂとの間に、第３透光層が位置することで、第１透光層３１Ａと波長変換層３１Ｂとの剥がれを抑制することができる。第３透光層は実質的に波長変換部材及び拡散粒子を含んでいないことで接着力の高い層を形成することができる。尚、「実質的に波長変換部材及び拡散粒子を含んでいない」とは、不可避的に混入する波長変換部材及び拡散粒子を排除しないことを意味し、波長変換部材及び拡散部材のそれぞれの含有率が０．０５重量％以下であることが好ましい。また、透光性部材３０は、波長変換層３１Ｂと第２透光層３１Ｃとの間に、第３透光層を備えていてもよい。波長変換層３１Ｂと第２透光層３１Ｃとの間に、第３透光層が位置することで、波長変換層３１Ｂと第２透光層３１Ｃとの剥がれを抑制することができる。
反射部材４０は、上面視において、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、第３発光素子２０Ｃ、及び導光部材６０の周りを囲む（図１Ｃ参照）ように設けられている。
反射部材４０は、第１発光素子２０Ａから第３発光素子２０ＣにおいてＸ方向及び／又はＹ方向に進む光を、反射させて、Ｚ方向に進む光を増加させることができる。
反射部材４０は、第１透光層３１Ａの側面、波長変換層３１Ｂの側面、第２透光層３１Ｃの側面を被覆することが好ましい。これにより、発光領域と非発光領域とのコントラストが高く、見切り性の良好な発光装置１００を実現できる。
反射部材４０は、Ｚ方向への光取り出し効率の観点から、各発光素子の発光ピーク波長における光反射率が、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが更に好ましい。反射部材４０は、例えば、トランスファ成形、射出成形、圧縮成形、ポッティング、印刷などにより形成することができる。
反射部材４０の母材としては、樹脂を用いることが好ましく、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂、などを用いることが好ましい。特に、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れるため用いることが好ましい。シリコーン樹脂としては、例えば、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル－メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂、などが挙げられる。
反射部材４０は、白色であることが好ましく、母材中に白色顔料を含有することが好ましい。白色顔料としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、チタン酸バリウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素、などのうちの１種を単独で、又はこれらのうちの２種以上を組み合わせて用いることができる。
白色顔料の形状は、適宜選択でき、不定形若しくは破砕状でもよいが、流動性の観点からは、球形状であることが好ましい。また、白色顔料の粒径は、例えば、０．１μｍ以上０．５μｍ以下程度であることが好ましいが、光反射性や被覆性の効果を高めるためには、白色顔料の粒径は、小さい程好ましい。
白色顔料の含有量は、適宜選択できるが、光反射性及び液状時における粘度などの観点から、例えば１０ｗｔ％以上８０ｗｔ％以下が好ましく、２０ｗｔ％以上７０ｗｔ％以下がより好ましく、３０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下が更に好ましい。なお、「ｗｔ％」とは、重量パーセントであり、反射部材４０の全重量に対する当該材料の重量の比率を表す。
なお、反射部材４０は、Ｚ＋方向において、実装基板と対向する実装面（後述する背面１１３）側に位置する外側面が、発光装置１００の中心側に傾斜していることが好ましい。これにより、発光装置１００を実装基板に実装する際に、反射部材４０の側面と実装基板との接触を抑えられるため、発光装置１００の実装姿勢を安定し易くすることができる。なお、軸上におけるＺ＋方向は、後述する基材１１の底面１１２から基材１１の上面１１１に向かう方向とし、Ｚ＋方向の反対方向はＺ－方向とする。また、反射部材４０は、Ｚ＋方向において、実装面と反対側の面（後述する上面１１４）に位置する外側面が、発光装置１００の中心側に傾斜していることが好ましい。これにより、反射部材４０の側面と吸着ノズル（コレット）との接触が抑えられるため、発光装置１００の吸着時において、反射部材４０の損傷を抑制することができる。
反射部材４０の傾斜角度は、適宜選択できるが、０．３°以上３°以下であることが好ましく、０．５°以上２°以下であることがより好ましく、０．７°以上１．５°以下であることがよりいっそう好ましい。なお、発光装置１００では、外側面を傾斜させた場合には、光を照射する向きを調整して実装基板に接続される。
傾斜部材５０（第１傾斜部材５０Ａ）は、長手方向において、第１発光素子２０Ａと反射部材４０との間であり、且つ、反射部材４０に接して設けられる。また、傾斜部材５０（第１傾斜部材５０Ａ）は、透光性部材３０に対して傾斜した傾斜面を備える。更に、傾斜部材５０（第１傾斜部材５０Ａ）は、透光性部材３０から離間する位置に設けられる。
同様に、傾斜部材５０（第３傾斜部材５０Ｃ）は、長手方向において、第３発光素子２０Ｃと反射部材４０との間であり、且つ、反射部材４０に接して設けられ、透光性部材３０に対して傾斜した傾斜面を備える。更に、傾斜部材５０（第３傾斜部材５０Ｃ）は、透光性部材３０から離間する位置に設けられる。
傾斜部材５０（第１傾斜部材５０Ａ）は、第１発光素子２０Ａ側に、凸曲面となる傾斜面を備えることが好ましい。傾斜部材５０が、第１発光素子２０Ａ側に、凸曲面となる傾斜面を備えることで、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子、及び／又は、第３発光素子２０Ｃの光の取り出し効率を向上させることができる。同様に、傾斜部材５０（第３傾斜部材５０Ｃ）は、第３発光素子２０Ｃ側に、凸曲面となる傾斜面を備えることが好ましい。
Ｚ方向において、傾斜部材５０（第１傾斜部材５０Ａ）の上端の高さが最大になる箇所は、第１素子光取り出し面２０１Ａと第１素子電極形成面２０３Ａとの間に位置することが好ましい。傾斜部材５０（第１傾斜部材５０Ａ）の上端の高さが最大になる箇所が、第１素子光取り出し面２０１Ａよりも低い場合には、傾斜部材５０（第１傾斜部材５０Ａ）の上端の高さが最大になる箇所が、第１素子光取り出し面２０１Ａより高い場合と比較して、Ｚ方向における傾斜部材５０（第１傾斜部材５０Ａ）の上端と透光性部材３０の下面との距離が増加する。Ｚ方向において、傾斜部材５０（第１傾斜部材５０Ａ）の上端と透光性部材３０の下面との距離が増加することで、傾斜部材５０（第１傾斜部材５０Ａ）の上端と透光性部材３０の下面との間に位置する導光部材６０の体積が増加する。これにより、各発光素子の光が傾斜部材５０（第１傾斜部材５０Ａ）の上端と透光性部材３０の下面に位置する導光部材６０内まで広がりやすくなる。このため、Ｚ方向において、傾斜部材５０（第１傾斜部材５０Ａ）の上端が、第１素子光取り出し面２０１Ａよりも低い場合には、発光装置の混色性を向上させることができる。
Ｚ方向において、傾斜部材５０（第１傾斜部材５０Ａ）の上端の高さが最大となる箇所が、第１素子電極形成面２０３Ａよりも高い場合には、傾斜部材５０の傾斜面によって各発光素子からの光の取り出し効率を向上させることができる。
同様に、傾斜部材５０（第３傾斜部材５０Ｃ）の上端の高さが最大となる箇所は、第３素子光取り出し面２０１Ｃと第３素子電極形成面２０３Ｃとの間に位置することが好ましい。これにより、発光装置の混色性、及び／又は、光の取り出し効率を向上させることができる。
Ｙ方向において、傾斜部材５０は、第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０Ｂと重ならないように位置することが好ましい。このようにすることで、Ｙ方向において発光装置１００を薄型化することでできる。また、上面視において、傾斜部材５０は、矩形形状であることが好ましい。特に、上面視において、傾斜部材５０がＸ方向において短辺を備え、Ｙ方向において長辺を備える長方形形状であることが好ましい。このようにすることでＸ方向において発光装置１００を小型化することでできる。
傾斜部材５０は、Ｚ方向への光取り出し効率の観点から、各発光素子の発光ピーク波長における光反射率が、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが更に好ましい。傾斜部材５０は、例えば、トランスファ成形、射出成形、圧縮成形、ポッティングなどにより形成することができる。
傾斜部材５０の母材としては、反射部材４０と同じ樹脂を用いてもよい。傾斜部材５０には、酸化チタン、酸化ケイ素等の公知の白色顔料を含有させることができる。このようにすることで、発光素子からの光を傾斜部材により反射させやすくなるので、発光装置の光取り出し効率を向上させることができる。また、傾斜部材５０は、反射部材４０と同じ材料、同じ白色顔料を用いて同じ含有量で使用してもよい。
導光部材６０は、第１素子光取り出し面２０１Ａ、第１素子側面２０２Ａ、第２素子光取り出し面２０１Ｂ、第２素子側面２０２Ｂ、第３素子光取り出し面２０１Ｃ、第３素子側面２０２Ｃ、を被覆する。また、導光部材６０は、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、及び第３発光素子２０Ｃと透光性部材３０とを接着し、各発光素子が発光する光を透光性部材３０へと導光する。導光部材６０内で、各発光素子からの光を混ぜることができるため、発光装置１００の色ムラを低減させることができる。
導光部材６０は、母材中に波長変換部材（第２波長変換部材）を含有することが好ましい。第２波長変換部材は、第１発光素子２０Ａが発光する光（一次光）、第２発光素子２０Ｂが発光する光（一次光）、第３発光素子２０Ｃが発光する光（一次光）、の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を発する。第２波長変換部材としては、例えば、上記した波長変換層３１Ｂに用いられる波長変換部材と同様の材料のうちの１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
導光部材６０の母材としては、反射部材４０と同じ樹脂を用いることができる。
第２波長変換部材の発光ピーク波長は、５８０ｎｍ以上６８０ｎｍ未満であることが好ましい。また、第２波長変換部材の発光ピーク波長は、５１５ｎｍ以上５５０ｎｍ未満であることが好ましい。第２波長変換部材として２種以上の波長変換部材を組み合わせて用いる場合には、発光ピーク波長が、５８０ｎｍ以上６８０ｎｍ未満である波長変換部材と、光ピーク波長が、５１５ｎｍ以上５５０ｎｍ未満である波長変換部材と、を用いることが好ましい。このようにすることで、発光装置の色調整が容易になる。
第２波長変換部材の濃度は、第１発光素子２０Ａと第２発光素子２０Ｂとの間より傾斜部材５０（第１傾斜部材５０Ａ）の傾斜面側において高いことが好ましく、第２発光素子２０Ｂと第３発光素子２０Ｃとの間より傾斜部材５０（第３傾斜部材５０Ｃ）の傾斜面側において高いことが好ましい。これにより、第２発光素子の光（例えば緑光）が届かなくても第１発光素子と第２波長変換部材によって緑光を取り出すことができる。例えば、傾斜部材５０（第１傾斜部材５０Ａ）の傾斜面側における第２波長変換部材の濃度は、第１発光素子２０Ａと第２発光素子２０Ｂとの間での第２波長変換部材の濃度の１．５倍以上であってもよい。
導電性接着部材７０は、第１発光素子２０Ａに設けられる一対の第１素子電極２１Ａ、２２Ａと第１配線１２とを電気的に接続する。同様に、導電性接着部材７０は、第２発光素子２０Ｂに設けられる一対の第２素子電極２１Ｂ、２２Ｂと第１配線１２とを電気的に接続する。同様に、導電性接着部材７０は、第３発光素子２０Ｃに設けられる一対の第３素子電極２１Ｃ、２２Ｃと第１配線１２とを電気的に接続する。
導電性接着部材７０の材料としては、例えば、金、銀、銅などのバンプ、銀、金、銅、プラチナ、アルミニウム、パラジウムなどの金属粉末と樹脂バインダを含む金属ペースト、錫－ビスマス系、錫－銅系、錫－銀系、金－錫系などの半田、低融点金属などのろう材のうちの何れか１つを用いることが好ましい。
基板１０は、基材１１と、第１配線１２（ベース配線１２Ａ、接続配線１２Ｂ）と、第２配線１３（ベース配線１３Ａ、接続配線１３Ｂ）と、ビア１５（第４配線１５１、充填部材１５２）と、を備えている。基板１０は、基材１１が窪み１６（中央窪み１６Ａ、端部窪み１６Ｂ）を有する場合、窪み１６の内壁を被覆する第３配線１４を備えていてもよい。
基材１１は、長手方向（図２Ｃに示すＸ方向）と短手方向（図２Ｃに示すＹ方向）とに延長する上面１１１と、上面１１１の反対側に位置する底面１１２と、上面１１１と隣接し上面１１１と直交する背面１１３と、背面１１３の反対側に位置する正面１１４と、を有する。また、基材１１は、上面１１１と底面１１２の間に側面を有する。
基材１１は、特に、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、第３発光素子２０Ｃの線膨張係数に近い物性を有する材料によって形成されることが好ましく、例えば、樹脂若しくは繊維強化樹脂、セラミックス、ガラスなどの絶縁性部材、などが挙げられる。樹脂若しくは繊維強化樹脂としては、例えば、エポキシ、ガラスエポキシ、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）、ポリイミド、などを用いることができ、セラミックスとしては、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、酸化チタン、窒化チタン、若しくはこれらの混合物、などを用いることができる。
基材１１の厚さの下限値は、強度の観点から、０．０５ｍｍ以上であることが好ましく、０．２ｍｍ以上であることがより好ましい。また、基材１１の厚さの上限値は、Ｚ方向における発光装置１００の厚さ（奥行き）の観点から、０．５ｍｍ以下であることが好ましく、０．４ｍｍ以下であることがより好ましい。
第１配線１２は、ベース配線１２Ａと接続配線１２Ｂとを備えており、基材１１の上面１１１に配置され、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、第３発光素子２０Ｃと電気的に接続される。第１配線１２は、第２配線１３と電気的に接続されるベース配線１２Ａと、このベース配線１２Ａに対面し、充填部材１５２の上端において、充填部材１５２を覆うとともに、第１素子電極２１Ａ、２２Ａ、第２素子電極２１Ｂ、２２Ｂ、及び第３素子電極２１Ｃ、２２Ｃと電気的に接続される接続配線１２Ｂと、を備えている。
また、第１配線１２は、上面視において、第１発光素子２０Ａの第１素子電極２１Ａ、２２Ａ、第２発光素子２０Ｂの第２素子電極２１Ｂ、２２Ｂ、第３発光素子２０Ｃの第３素子電極２１Ｃ、２２Ｃ、と重なる位置に、凸部１２１を備えていることが好ましい。これにより、導電性接着部材７０を介して、第１配線１２と第１素子電極２１Ａ、２２Ａとを接続する際、第１配線１２と第２素子電極２１Ｂ、２２Ｂとを接続する際、第１配線１２と第３素子電極２１Ｃ、２２Ｃとを接続する際、セルフアライメント効果により、各発光素子と基板１０との位置合わせを容易に行うことができる。
凸部１２１は、形状、高さ、大きさ、などが、特に限定されるものではなく、基板１０の大きさ、第１配線１２の厚み、第１発光素子２０Ａの大きさ、第２発光素子２０Ｂの大きさ、第３発光素子２０Ｃの大きさ、などによって、適宜調整されることが好ましい。
凸部１２１は、側面が、傾斜していてもよく、垂直でもよい。側面が垂直であることで、凸部１２１上に載置される第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、第３発光素子２０Ｃを固定させ易くなり、各発光素子の実装を安定させることができる。なお、本明細書において、「垂直」とは、±３°程度の傾斜を許容することを意味する。
第２配線１３は、基材１１の底面１１２に配置され、ビア１５を介して第１配線１２と電気的に接続される。第２配線１３は、第１配線１２と電気的に接続されるベース配線１３Ａと、このベース配線１３Ａに対面し、充填部材１５２の下端において、充填部材１５２を覆うとともに、第４配線１５１と電気的に接続される接続配線１３Ｂと、を備えている。
第２配線１３は、第２配線１３の一部を被覆する絶縁膜１８を備えてもよい。絶縁膜１８は、当該分野で使用されるもの、例えば、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂などを用いて形成されることが好ましい。第２配線１３が絶縁膜１８を備えることで、底面１１２における絶縁性の確保及び短絡の防止をより確実に図ることができる。また、第２配線１３が絶縁膜１８を備えることで、基材１１から第２配線１３が剥がれることを防止することができる。
第１配線１２、第２配線１３、及び第３配線１４は、例えば、銅、鉄、ニッケル、タングステン、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン、パラジウム、ロジウム、又はこれらの合金などで形成されることが好ましい。また、第１配線１２、第２配線１３及び第３配線１４は、これらの金属又は合金を単層で形成したものであってもよいし、多層で形成したものであってもよい。第１配線１２、第２配線１３、及び第３配線１４は、放熱性の観点から、銅又は銅合金などで形成されることが好ましい。また、第１配線１２、第２配線１３、及び第３配線１４は、導電性接着部材７０の濡れ性及び／若しくは光反射性などの観点から、表層に、例えば、銀、白金、アルミニウム、ロジウム、金若しくはこれらの合金などの層が設けられることが好ましい。
ビア１５は、基材１１の上面１１１と基材１１の底面１１２とを貫通する貫通孔内に設けられ、第１配線１２と第２配線１３とを電気的に接続する。ビア１５は、Ｚ方向に形成される貫通孔の内周面に設けた円筒形状の第４配線１５１と、この第４配線１５１内に設けた充填部材１５２と、を備えている。
ビア１５は、第１配線１２、第２配線１３、及び第３配線１４と接していることが好ましい。これにより、各発光素子からの熱を、第１配線１２からビア１５を介して、第２配線１３及び／又は第３配線１４へと伝えることができるので、発光装置１００の放熱性を向上させることができる。なお、基板１０にビア１５を設けない構成とすることも可能である。
第４配線１５１は、第１配線１２、第２配線１３、及び第３配線１４と同様の導電性材料によって形成されることが好ましい。例えば、銅、鉄、ニッケル、タングステン、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン、パラジウム、ロジウム、又はこれらの合金などが挙げられる。
充填部材１５２は、Ｚ方向において、基板１０の厚みよりも長くなるように形成してもよい。充填部材１５２は、例えば、銅など公知の導電性材料であってもよく、エポキシ樹脂、などの絶縁性材料であってもよい。
基板１０に設けられている窪み１６は、底面１１２及び背面１１３に開口する中央窪み１６Ａと、底面１１２、背面１１３及び側面に開口する端部窪み１６Ｂと、を備えている。窪み１６は、１つであってもよいし、複数であってもよい。
窪み１６は、底面１１２において、中央窪み１６Ａの開口形状が、略半円形状であることが好ましく、端部窪み１６Ｂの開口形状が、円形状の略４分の１の形状であることが好ましい（図１Ｄ参照）。底面１１２において、窪み１６の開口形状が角部のない形状であることにより、窪み１６に係る応力が集中することを抑制できるので、基材１１が割れることを抑制することができる。
窪み１６は、Ｚ方向において、深さの最大値が、基板１０の厚みの０．４倍から０．９倍であることが好ましい。窪み１６の深さの最大値が、基板１０の厚みの０．４倍よりも深いことで、窪み１６内に形成される接合部材の体積を増加させることができるので発光装置１００と実装基板の接合強度を向上させることができる。窪み１６の深さの最大値が、基板１０の厚みの０．９倍よりも浅いことで、基板１０の強度低下を抑制することができる。
窪み１６は、正面１１４側と背面１１３側とで同じ深さであってもよく、正面１１４側と背面１１３側とで異なる深さであってもよい。例えば、窪み１６が、Ｚ方向において、正面１１４側より背面１１３側で深い場合、正面１１４側に位置する基材１１の厚みを、背面１１３側に位置する基材１１の厚みよりも厚くすることができる。また、例えば、窪み１６が、Ｚ方向において、背面１１３側より正面１１４側で深い場合、背面１１３側に位置する基材１１の厚みを、正面１１４側に位置する基材１１の厚みよりも厚くすることができる。
なお、基板１０に窪み１６を設けない構成とすることも可能であるが、基板１０に窪み１６を設けることで、窪み１６内に形成される半田などの接合部材を介して、発光装置１００を実装基板に固定し易くすることができ、発光装置１００と実装基板との接合強度を向上させることができる。
上述のように、本実施形態に係る発光装置１００によれば、傾斜部材５０が透光性部材３０から離間して配置される。これにより、発光ピーク波長の長い発光素子（例えば、緑色発光素子）が発光する光が、傾斜部材５０によって遮られることがないため、混色性を向上させた発光装置１００を実現できる。
＜変形例＞
次に、図３、図４、図５及び図６を参照して、本実施形態に係る発光装置１００における変形例について説明する。第１変形例では、図１及び図２に示した発光装置１００において、発光素子の個数を変えて、第２反射部材を備えた発光装置１００Ａについて説明する。第２変形例では、図１及び図２に示した発光装置１００において、発光素子の光取り出し面を被覆部材で被覆し、第２反射部材を備えた発光装置１００Ｂについて説明する。第３変形例では、図１及び図２に示した発光装置１００において、基板を備えず、第２反射部材を備えた発光装置１００Ｃについて説明する。第４変形例では、図１に示した発光装置１００において、複数設けた発光素子の高さ変えて配置した発光装置１００Ｄについて説明する。
（第１変形例）
図３は、本実施形態に係る発光装置１００の変形例の構成を示す断面図である。第１変形例に係る発光装置１００Ａについて、図３を参照して説明する。なお、本変形例において、上述の実施形態と、共通する部分については、重複した説明を省略する。
第１変形例に係る発光装置１００Ａが、本実施形態に係る発光装置１００と異なる点は、本実施形態に係る発光装置１００には発光素子が３個搭載されているのに対して、第１変形例に係る発光装置１００Ａには発光素子が２個搭載されている点である。
また、第１変形例に係る発光装置１００Ａが、本実施形態に係る発光装置１００と異なる点は、反射部材４０のみならず、第２反射部材８０を備えている点である。
発光装置１００Ａは、長手方向（図３に示すＸ方向）と、長手方向と直交する短手方向（図３に示すＹ方向）とを有し、第１発光素子２０Ａと、第２発光素子２０Ｂと、透光性部材３０と、反射部材４０と、傾斜部材５０と、導光部材６０と、を備えている。
第１発光素子２０Ａの発光ピーク波長は、４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満の範囲（青色領域の波長範囲）であることが好ましい。第２発光素子２０Ｂの発光ピーク波長は、第１発光素子２０Ａの発光ピーク波長と異なることが好ましく、４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ未満の範囲（緑色領域の波長範囲）であることが好ましい。透光性部材３０は、導光部材６０を介して、第１素子光取り出し面２０１Ａ及び第２素子光取り出し面２０１Ｂを被覆する。反射部材４０は、上面視において、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、及び導光部材６０を囲む。
第２反射部材８０は、第１素子電極形成面２０３Ａと基板１０の上面との間、及び第２素子電極形成面２０３Ｂと基板１０の上面との間、に設けられる。第１素子電極形成面２０３Ａ及び第２素子電極形成面２０３Ｂが、第２反射部材８０で被覆されることで、第１発光素子２０Ａが発光する光及び第２発光素子２０Ｂが発光する光が、基板１０に吸収されることを抑制することができる。これにより、発光装置１００Ａの光取り出し効率を向上させることができる。
Ｚ方向において、第２反射部材と第１発光素子とが接する位置における第２反射部材８０の上面は、第１素子光取り出し面２０１Ａと第１素子電極形成面２０３Ａとの間に位置することが好ましい。第２反射部材８０の上面が、第１素子電極形成面２０３Ａよりも上に位置することで、第１発光素子からの光が第１素子電極２１Ａ、２２Ａに吸収されることを抑制することができる。第２反射部材８０の上面が、第１素子光取り出し面２０１Ａよりも下に位置することで、発光素子の側面からの光を取り出しやすくなるので発光装置の光取り出し効率が向上する。
第２反射部材８０は、Ｚ方向において、第１発光素子２０Ａ及び／又は第２発光素子２０Ｂから離れる程、厚くなる傾斜部を備えることが好ましい。第２反射部材８０が傾斜部を備えることで、第１発光素子２０Ａ及び／又は第２発光素子２０Ｂからの光の取り出し効率を向上させることができる。
第２反射部材８０は、Ｚ方向への光取り出し効率の観点から、各発光素子の発光ピーク波長における光反射率が、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが更に好ましい。第２反射部材８０は、例えば、トランスファ成形、射出成形、圧縮成形、ポッティングなどにより形成することができる。
第２反射部材８０の母材としては、反射部材４０と同じ樹脂を用いてもよい。また、反射部材４０と同じ材料、同じ白色顔料を用いてもよい。反射部材４０と同じ材料、同じ白色顔料を同じ含有量で使用してもよい。反射部材４０に含まれる白色顔料は、基材の上面１１１側に偏在していてもよい。
傾斜部材５０（第１傾斜部材５０Ａ）は、長手方向において、第１発光素子２０Ａと反射部材４０との間であり、且つ、反射部材４０及び第２反射部材８０に接して設けられ、透光性部材３０に対して傾斜した傾斜面を備える。更に、傾斜部材５０（第１傾斜部材５０Ａ）は、透光性部材３０から離間する位置に設けられる。
同様に、傾斜部材５０（第２傾斜部材５０Ｂ）は、長手方向において、第２発光素子２０Ｂと反射部材４０との間であり、且つ、反射部材４０及び第２反射部材８０に接して設けられ、透光性部材３０に対して傾斜した傾斜面を備える。更に、傾斜部材５０（第２傾斜部材５０Ｂ）は、透光性部材３０から離間する位置に設けられる。
傾斜部材５０（第２傾斜部材５０Ｂ）は、第２発光素子２０Ｂ側に、凸曲面となる傾斜面を備えることが好ましい。このようにすることで、発光装置１００Ａの光取り出し効率及び混色性を向上させることができる。
Ｚ方向において、傾斜部材５０（第２傾斜部材５０Ｂ）の上端の高さが最大になる箇所は、第２素子光取り出し面２０１Ｂと第２素子電極形成面２０３Ｂとの間に位置することが好ましい。これにより、傾斜部材５０（第２傾斜部材５０Ｂ）の上端の高さが最大になる箇所が、Ｚ方向において、第２素子光取り出し面２０１Ｂより高い場合と比較して、第２発光素子２０Ｂが発光する光を広がり易くすることができる。つまり、発光ピーク波長の長い発光素子が発光する光が、傾斜部材５０（第２傾斜部材５０Ｂ）で遮られにくくなるので、混色性を向上させた発光装置１００Ａを実現できる。
導光部材６０は、第１素子光取り出し面２０１Ａ、第１素子側面２０２Ａ、第２素子光取り出し面２０１Ｂ、第２素子側面２０２Ｂ、を被覆する。また、導光部材６０は、第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０Ｂと透光性部材３０とを接着し、各発光素子が発光する光を透光性部材３０へと導光する。
変形例１に係る発光装置１００Ａによれば、傾斜部材５０が透光性部材３０から離間して配置される。これにより、第１発光素子及び／又は第２発光素子からの光が、傾斜部材５０によって遮られにくくなるので、混色性を向上させた発光装置１００Ａを実現できる。
（第２変形例）
図４は、本実施形態に係る発光装置１００の変形例の構成を示す断面図である。第２変形例に係る発光装置１００Ｂについて、図４を参照して説明する。なお、本変形例において、上述の実施形態と、共通する部分については、重複した説明を省略する。
第２変形例に係る発光装置１００Ｂが、本実施形態に係る発光装置１００と異なる点は、本実施形態に係る発光装置１００は、発光素子の光取り出し面が被覆部材で被覆されていないのに対して、第２変形例に係る発光装置１００Ｂは、発光素子の光取り出し面が被覆部材で被覆されている点である。
また、第２変形例に係る発光装置１００Ｂが、本実施形態に係る発光装置１００と異なる点は、反射部材４０のみならず、第２反射部材８０を備えている点である。
被覆部材３１Ｄは、第１発光素子２０Ａの第１素子光取り出し面２０１Ａを被覆する。また、被覆部材３１Ｄは、第２発光素子２０Ｂの第２素子光取り出し面２０１Ｂを被覆する。また、被覆部材３１Ｄは、第３発光素子２０Ｃの第３素子光取り出し面２０１Ｃを被覆する。なお、被覆部材３１Ｄは、少なくとも、第１素子光取り出し面２０１Ａ、第２素子光取り出し面２０１Ｂ及び第３素子光取り出し面２０１Ｃの１つを被覆していればよい。
第１発光素子２０Ａの第１素子光取り出し面２０１Ａ、第２発光素子２０Ｂの第２素子光取り出し面２０１Ｂ、第３発光素子２０Ｃの第３素子光取り出し面２０１Ｃのそれぞれの面を単数の被覆部材３１Ｄが被覆してもよい。また、第１発光素子２０Ａの第１素子光取り出し面２０１Ａ、第２発光素子２０Ｂの第２素子光取り出し面２０１Ｂ、第３発光素子２０Ｃの第３素子光取り出し面２０１Ｃのそれぞれの面を複数の被覆部材３１Ｄにより被覆してもよい。各発光素子における光取り出し面の一部を露出させることで、各発光素子の光取り出し効率を向上させることができる。
被覆部材３１Ｄは、第１発光素子２０Ａの第１素子光取り出し面２０１Ａと導光部材６０との間に位置している。また、被覆部材３１Ｄは、第２発光素子２０Ｂの第２素子光取り出し面２０１Ｂと導光部材６０との間に位置している。また、被覆部材３１Ｄは、第３発光素子の第３素子光取り出し面２０１Ｃと導光部材６０との間に位置している。この際、第１素子側面２０２Ａ、第２素子側面２０２Ｂ、第３素子側面２０２Ｃの少なくとも一部を露出させることが好ましい。これにより、第１発光素子２０Ａが発光する光において、Ｘ方向及び/又はＹ方向へと進む光、第２発光素子２０Ｂが発光する光において、Ｘ方向及び/又はＹ方向へと進む光、第３発光素子２０Ｃが発光する光において、Ｘ方向及び/又はＹ方向へと進む光、が低減することを抑制できる。
被覆部材３１Ｄの母材としては、樹脂を用いることが好ましく、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂、などを用いることが好ましい。特に、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れるため用いることが好ましい。シリコーン樹脂としては、例えば、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル－メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂、などが挙げられる。
被覆部材３１Ｄは、母材中に、拡散粒子を含有することが好ましい。被覆部材３１Ｄが、拡散粒子を含有することで、Ｚ方向へと進む第１発光素子２０Ａが発光する光、Ｚ方向へと進む第２発光素子２０Ｂが発光する光、Ｚ方向へと進む第３発光素子２０Ｃが発光する光を低減させて、Ｘ方向及び/又はＹ方向へと進む光を増加させることができる。これにより、導光部材６０内で、第１発光素子２０Ａが発光する光、第２発光素子２０Ｂが発光する光、第３発光素子２０Ｃが発光する光を拡散させることができるので発光装置１００Ｂの色ムラを抑制できる。
被覆部材３１Ｄは、母材中に、波長変換部材を含有していてもよい。被覆部材３１Ｄが波長変換部材を含有することで、発光装置１００Ｂの色調整が容易になる。なお、被覆部材３１Ｄに含まれる波長変換部材は、透光性部材３０に備わる波長変換層３１Ｂに含まれる波長変換部材と同じでもよく、異なっていてもよい。例えば、第２発光素子２０Ｂの発光のピーク波長が、４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下の範囲（緑色領域の波長範囲）である場合、当該波長変換部材は、４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下の範囲の光で励起するＣＡＳＮ系蛍光体及び／又はＳＣＡＳＮ系蛍光体であることが好ましい。他には、波長変換部材として、（Ｓｒ，Ｃａ）ＬｉＡｌ３Ｎ４：Ｅｕ、などの蛍光体を用いてもよい。
変形例２に係る発光装置１００Ｂによれば、傾斜部材５０が透光性部材３０から離間して配置される。これにより、第１発光素子、第２発光素子及び／又は第３発光素子からの光が、傾斜部材５０によって遮られにくくなるので、混色性を向上させた発光装置１００Ｂを実現できる。
（第３変形例）
図５は、本実施形態に係る発光装置１００の変形例の構成を示す断面図である。第３変形例に係る発光装置１００Ｃについて、図５を参照して説明する。なお、本変形例において、上述の実施形態と、共通する部分については、重複した説明を省略する。
第３変形例に係る発光装置１００Ｃが、本実施形態に係る発光装置１００と異なる点は、本実施形態に係る発光装置１００が、基板１０を備えている構成を有するのに対して、第３変形例に係る発光装置１００Ｃは、基板１０を備えていない構成を有する点である。
また、第３変形例に係る発光装置１００Ｃが、本実施形態に係る発光装置１００と異なる点は、反射部材４０のみならず、第２反射部材８０を備えている点である。
図５に示す発光装置１００Ｃのように、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、第３発光素子２０Ｃを載置する基板１０を備えていない場合、Ｚ方向において発光装置１００Ｃを薄型化することでできる。
また、図５に示す発光装置１００Ｃのように、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、第３発光素子２０Ｃを載置する基板１０を備えていない場合、第１素子電極形成面２０３Ａ、第２素子電極形成面２０３Ｂ、第３素子電極形成面２０３Ｃが、第２反射部材８０で被覆されることで、第１発光素子２０Ａが発光する光、第２発光素子２０Ｂが発光する光、第３発光素子２０Ｃが発光する光が、発光装置１００Ｃを実装する実装基板に吸収されることを抑制することができる。これにより、発光装置１００Ｃの光取り出し効率を向上させることができる。
なお、図５に示す発光装置１００Ｃのように、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、第３発光素子２０Ｃを載置する基板１０を備えていない場合、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、第３発光素子２０Ｃは、スパッタ等により形成された金属膜１２２によって接続されていることが好ましい。金属膜１２２を設けることにより、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、第３発光素子２０Ｃを電気的に接続することができる。
変形例３に係る発光装置１００Ｃによれば、傾斜部材５０が透光性部材３０から離間して配置される。これにより、１発光素子、第２発光素子及び／又は第３発光素子からの光が、傾斜部材５０によって遮られることがないため、混色性を向上させた発光装置１００Ｃを実現できる。
図６は、本実施形態に係る発光装置１００の変形例の構成を示す断面図である。第４変形例に係る発光装置１００Ｄについて、図６を参照して説明する。なお、本変形例において、上述の実施形態と、共通する部分については、重複した説明を省略する。
発光装置１００Ｄは、第２発光素子２０Ｂが、他の第１発光素子２０Ａ及び第３発光素子２０Ｃに対して設置高さを変えている点である。
発光装置１００Ｄは、設置された第１発光素子２０Ａ～第３発光素子２０Ｃのいずれかの高さを、例えば、伝導性接着材７０Ｄの使用量を変えることで、他のものと比較して変えて設けられている。
発光装置１００Ｄでは、第１配線１２から第１素子光取り出し面２０１Ａ及び第３素子光取り出し面２０１Ｃまでの高さと、第１配線１２から第２素子光取り出し面２０１Ｂまでの高さとを、伝導性接着材７０Ｄの使用量により変えている。また、発光装置１００Ｄでは、第２素子光取り出し面２０１Ｂの高さに合せて導光部材６０が形成される高さを変え、第１透光層３１Ａまでの高さが図２Ａで示す発光装置１００の構成よりも高くなるように形成されている。
このように、発光装置１００Ｄでは、第１発光素子２０Ａから第３発光素子２０Ｃのいずれかの高さを変えることで、各発光素子２０Ａ～２０Ｃの側面から出る光が傾斜部材５０等により反射され易くなり、光取り出し効率を向上させることができる。
なお、発光装置１００Ｄでは、複数ある発光素子のいずれかの高さを変えればよく、中央の配置された第２発光素子２０ｂに限定されるものではない。また、高さを変える場合、伝導性接着材７０Ｄの他の伝導性接着材７０に対して使用量を多くして高くすることとして説明したが、例えば、基板１０に凸部を設けることや高さの異なる発光素子を設けることで高さを変える構成としてもよい。また、発光素子の高さを変える場合、半導体層積層体の活性層の高さを変えることで、より光取り出し効率を向上することができる。さらに、発光素子の数は２つ以上であれば、高さを異ならせて設けることができ、限定されるものではない。
≪発光装置の製造方法≫
次に、図７及び図８Ａ～図８Ｈを参照して、本実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。なお、本実施形態に係る発光装置の製造方法において、一部の工程は、順序が限定されるものではなく、順序が前後しても良い。
本実施形態に係る発光装置の製造方法は、図７に示すように、発光素子実装工程（Ｓ６０１）と、傾斜部材形成工程（Ｓ６０２）と、導光部材形成工程（Ｓ６０３）と、導光部材除去工程（Ｓ６０４）と、透光性部材形成工程（Ｓ６０５）と、凹部形成工程（Ｓ６０６）と、反射部材形成工程（Ｓ６０７）と、反射部材除去工程（Ｓ６０８）と、発光装置個片化工程（Ｓ６０９）と、を含む。
発光素子実装工程（Ｓ６０１）は、図８Ａに示すように、基板１０に、第１素子光取り出し面２０１Ａと、第１素子光取り出し面の反対側にある第１素子電極形成面２０３Ａと、第１素子光取り出し面２０１Ａと第１素子電極形成面２０３Ａとの間にある第１素子側面２０２Ａと、を含む第１発光素子２０Ａ（例えば、青色発光素子）を実装する工程である。
また、基板１０に、第２素子光取り出し面２０１Ｂと、第２素子光取り出し面の反対側にある第２素子電極形成面２０３Ｂと、第２素子光取り出し面２０１Ｂと第２素子電極形成面２０３Ｂとの間にある第２素子側面２０２Ｂと、を含む第２発光素子２０Ｂ（例えば、緑色発光素子）を実装する工程である。
また、基板１０に、第３素子光取り出し面２０１Ｃと、第３素子光取り出し面の反対側にある第３素子電極形成面２０３Ｃと、第３素子光取り出し面２０１Ｃと第３素子電極形成面２０３Ｃとの間にある第３素子側面２０２Ｃと、を含む第３発光素子２０Ｃ（例えば、青色発光素子）を実装する工程である。
本工程において、発光素子の実装方法は、リフロー法を用いた半田によるフリップチップ実装であることが好ましい。
傾斜部材形成工程（Ｓ６０２）は、図８Ａに示すように、基板１０に、傾斜部材５０（第１傾斜部材５０Ａ、第２傾斜部材５０Ｂ）を形成する工程である。
本工程において、第１傾斜部材５０Ａは、第１発光素子２０Ａと隣接する発光装置における第３発光素子との間に形成され、第２傾斜部材５０Ｂは、第３発光素子２０Ｃと隣接する発光装置における第１発光素子との間に形成される。
また、第１傾斜部材５０Ａは、Ｚ方向において、第１発光素子２０Ａ及び隣接する発光装置における第３発光素子から離れる程厚くなる、所謂、凸形状を有するように形成され、第２傾斜部材５０Ｂは、Ｚ方向において、第３発光素子２０Ｃ及び隣接する発光装置における第１発光素子から離れる程厚くなる、所謂、凸形状を有するように形成される。
第１傾斜部材５０Ａ及び第２傾斜部材５０Ｂは、例えば、トランスファ成形、射出成形、圧縮成形、ポッティングなどにより形成することができる。
本工程において、第１傾斜部材５０Ａの上端は、第１素子光取り出し面２０１Ａと第１素子電極形成面２０３Ａとの間に位置するように形成され、第２傾斜部材５０Ｂの上端は、第３素子光取り出し面２０１Ｃと第３素子電極形成面２０３Ｃとの間に位置するように形成される。
傾斜部材と透光部材とが離間していることにより、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ及び／又は第３発光素子３０Ｃからの光を、Ｘ方向或いはＹ方向において、広がり易くすることができる。これにより、混色性を向上させた発光装置１００を実現できる。
導光部材形成工程（Ｓ６０３）は、図８Ｂに示すように、第１発光素子２０Ａの第１素子光取り出し面２０１Ａ、第１素子側面２０２Ａ、第２発光素子２０Ｂの第２素子光取り出し面２０１Ｂ、第２素子側面２０２Ｂ、第３発光素子２０Ｃの第３素子光取り出し面２０１Ｃ、第３素子側面２０２Ｃを被覆する導光部材６０を形成する工程である。
本工程において、導光部材６０は、例えば、母材と波長変換部材（第２波長変換部材）とを含む液状樹脂材料を、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、第３発光素子２０Ｃ、が実装された実装面の上に滴下することによって、形成される。或いは、導光部材６０は、例えば、波長変換部材（第２波長変換部材）を、噴霧（スプレー）法、電着法、などによって、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、第３発光素子２０Ｃ、が実装された実装面の上に付着させた後、母材を滴下して蛍光体に含浸させ、固化させることで、形成される。なお、波長変換部材（第２波長変換部材）は、導光部材６０の一部分に形成されてもよいし、導光部材６０の全体に形成されてもよい。
導光部材除去工程（Ｓ６０４）は、図８Ｃに示すように、第１発光素子２０Ａの第１素子光取り出し面２０１Ａ、第１素子側面２０２Ａ、第２発光素子２０Ｂの第２素子光取り出し面２０１Ｂ、第２素子側面２０２Ｂ、第３発光素子２０Ｃの第３素子光取り出し面２０１Ｃ、第３素子側面２０２Ｃを被覆する導光部材６０の一部を除去する工程である。導光部材６０の一部を除去することにより、導光部材６０の厚みを所望の厚みに調整することができる。導光部材６０の一部を除去する方法としては、研削等の公知の方法を用いることができる。
透光性部材形成工程（Ｓ６０５）は、図８Ｄに示すように、導光部材６０を介して、第１発光素子２０Ａの第１素子光取り出し面２０１Ａ、第２発光素子２０Ｂの第２素子光取り出し面２０１Ｂ、第３発光素子２０Ｃの第３素子光取り出し面２０１Ｃ、を被覆する透光性部材３０を形成する工程である。
本工程において、まず、導光部材６０上に第１透光層３１Ａが形成され、次に、第１透光層３１Ａ上に波長変換層３１Ｂが形成され、次に、波長変換層３１Ｂ上に第２透光層３１Ｃが形成される。
本工程において、第１透光層３１Ａは、例えば、母材と第１拡散粒子とを含有する液状樹脂材料を、ディスペンサ等を用いて、導光部材６０上に塗布し、その後、液状樹脂材料を加熱等によって硬化させることで、形成される。また、本工程において、波長変換層３１Ｂは、例えば、母材と波長変換部材とを含有する液状樹脂材料を、ディスペンサ等を用いて、第１透光層３１Ａ上に塗布し、その後、液状樹脂材料を加熱等によって硬化させることで、形成される。また、本工程において、第２透光層３１Ｃは、例えば、母材と第２拡散粒子とを含む液状樹脂材料を、ディスペンサ等を用いて、波長変換層３１Ｂ上に塗布し、その後、液状樹脂材料を加熱等によって硬化させることで、形成される。なお、液状樹脂材料の粘度及び塗布量は、透光性部材３０が図８Ｄに示す形状となるように、適宜調整される。
凹部形成工程（Ｓ６０６）は、図８Ｅに示すように、透光性部材３０及び導光部材６０を貫通する凹部Ｒ１及び凹部Ｒ２を形成する工程である。凹部Ｒ１及び／又は凹部Ｒ２は、傾斜部材５０を貫通してもよい。
本工程において、凹部Ｒ１は、第１傾斜部材５０Ａの中間を通る破線Ｓ１に沿って、透光性部材３０、導光部材６０、及び傾斜部材５０が、ブレードダイシング法やレーザダイシング法などによって、切断されることで、形成される。また、凹部Ｒ２は、第２傾斜部材５０Ｂの中間を通る破線Ｓ２に沿って、透光性部材３０、導光部材６０、及び傾斜部材５０が、ブレードダイシング法やレーザダイシング法などによって、切断されることで、形成される。
凹部Ｒ１、凹部Ｒ２を形成することで、上面視において、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、第３発光素子２０Ｃ、及び、導光部材６０を囲む反射部材４０を、次工程において、精度良く製造することができる。なお、凹部Ｒ１、凹部Ｒ２は、凹部形状に限定されるものではなく、例えば、Ｖ字形状、Ｕ字形状、などであってもよい。
反射部材形成工程（Ｓ６０７）は、図８Ｆに示すように、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、第３発光素子２０Ｃ、及び、導光部材６０を囲む反射部材４０を形成する工程である。
本工程において、反射部材４０は、ヒーターやリフロー炉等の加熱装置によって、所定温度で所定時間加熱し、硬化させることにより形成される。
反射部材除去工程（Ｓ６０８）は、図８Ｇに示すように、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、第３発光素子２０Ｃ、及び、導光部材６０を囲む反射部材４０の一部を除去する工程である。本工程は、透光性部材３０上に形成される反射部材４０を除去するために実施される工程である。透光性部材３０上に形成される反射部材４０を除去することで、反射部材４０から透光性部材を露出させる。これにより、導光部材６０を介して、第１発光素子２０Ａの第１素子側面２０２Ａ、第３発光素子２０Ｃの第３素子側面２０２Ｃ被覆し、凹部Ｒ１、凹部Ｒ２に沿った形状を有する反射部材４０を形成することができる。
本工程において、反射部材４０の一部を除去する方法としては、例えば、研削等の公知の方法を用いることができる。
発光装置個片化工程（Ｓ６０９）は、図８Ｈに示すように、破線Ｓ３、破線Ｓ４に沿って、発光装置１００を個片化する工程である。
本工程において、発光装置１００は、ブレードダイシング法やレーザダイシング法などによって、破線Ｓ３に沿って、反射部材４０及び基板１０が切断され、また、破線Ｓ４に沿って、反射部材４０及び基板１０が切断されることで、個片化される。本工程において、発光装置１００は、例えば、ダイシングソーなどで、破線Ｓ３及び破線Ｓ４に沿って、切断される。
以上、説明したように上述の各工程を行うことにより、発光装置１００が製造される。なお、各工程は、必ずしも上述の順序で実施する必要はなく、例えば、傾斜部材形成工程（Ｓ６０２）を実施した後に、発光素子実装工程（Ｓ６０１）を実施しても良い。
以上、発明を実施するための形態により具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。
本開示の一実施形態に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト装置、各種照明器具、車載用発光装置、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、プロジェクタ装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置などに利用することができる。
１０ 基板
２０Ａ 第１発光素子
２０Ｂ 第２発光素子
２０Ｃ 第３発光素子
３０ 透光性部材
４０ 反射部材
５０ 傾斜部材
５０Ａ 第１傾斜部材
５０Ｂ 第２傾斜部材
５０Ｃ 第３傾斜部材
６０ 導光部材
７０ 導電性接着部材
８０ 第２反射部材
１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ 発光装置
２０１Ａ 第１素子光取り出し面
２０１Ｂ 第２素子光取り出し面
２０１Ｃ 第３素子光取り出し面
２０２Ａ 第１素子側面
２０２Ｂ 第２素子側面
２０２Ｃ 第３素子側面
２０３Ａ 第１素子電極形成面
２０３Ｂ 第２素子電極形成面
２０３Ｃ 第３素子電極形成面

Claims (18)

  1. 長手方向と、前記長手方向と直交する短手方向とを有する発光装置であって、
    第１素子光取り出し面と、前記第１素子光取り出し面の反対側にある第１素子電極形成面と、前記第１素子光取り出し面と前記第１素子電極形成面との間にある第１素子側面と、を含む第１発光素子と、
    第２素子光取り出し面と、前記第２素子光取り出し面の反対側にある第２素子電極形成面と、前記第２素子光取り出し面と前記第２素子電極形成面との間にある第２素子側面と、を含み、前記第１発光素子の発光ピーク波長と異なる発光ピーク波長を有し、前記長手方向において、前記第１発光素子と並んで配置される第２発光素子と、
    前記第１素子光取り出し面、前記第１素子側面、前記第２素子光取り出し面、及び、前記第２素子側面を被覆する導光部材と、
    前記導光部材を介して、前記第１素子光取り出し面及び前記第２素子光取り出し面を被覆する透光性部材と、
    上面視において、前記第１発光素子、前記第２発光素子、及び、前記導光部材を囲む反射部材と、
    前記長手方向において、前記第１発光素子と前記反射部材との間に設けられ、前記透光性部材に対して傾斜した傾斜面を備える第１傾斜部材と、
    前記長手方向において、前記第２発光素子と前記反射部材との間に設けられる第２傾斜部材と、を備え、
    前記第１傾斜部材は、前記透光性部材から離間し、
    前記第１傾斜部材及び前記第２傾斜部材は、前記短手方向において前記第１発光素子及び前記第２発光素子と重ならない、発光装置。
  2. 長手方向と、前記長手方向と直交する短手方向とを有する発光装置であって、
    第１素子光取り出し面と、前記第１素子光取り出し面の反対側にある第１素子電極形成面と、前記第１素子光取り出し面と前記第１素子電極形成面との間にある第１素子側面と、を含む第１発光素子と、
    第２素子光取り出し面と、前記第２素子光取り出し面の反対側にある第２素子電極形成面と、前記第２素子光取り出し面と前記第２素子電極形成面との間にある第２素子側面と、を含み、前記第１発光素子の発光ピーク波長と異なる発光ピーク波長を有し、前記長手方向において、前記第１発光素子と並んで配置される第２発光素子と、
    第３素子光取り出し面と、前記第３素子光取り出し面の反対側にある第３素子電極形成面と、前記第３素子光取り出し面と前記第３素子電極形成面との間にある第３素子側面と、を含み、前記第２発光素子の発光ピーク波長と異なる発光ピーク波長を有する第３発光素子と、
    前記第１素子光取り出し面、前記第１素子側面、前記第２素子光取り出し面、及び、前記第２素子側面、前記第３素子光取り出し面、及び、前記第３素子側面を被覆する導光部材と、
    前記導光部材を介して、前記第１素子光取り出し面及び前記第２素子光取り出し面及び前記第３素子光取り出し面を被覆する透光性部材と、
    上面視において、前記第１発光素子、前記第２発光素子、前記第３発光素子、及び、前記導光部材を囲む反射部材と、
    前記長手方向において、前記第１発光素子と前記反射部材との間に設けられ、前記透光性部材に対して傾斜した傾斜面を備える第１傾斜部材と、
    前記長手方向において、前記第３発光素子と前記反射部材との間に設けられる第３傾斜部材と、を備え、
    前記第１傾斜部材は、前記透光性部材から離間し、
    前記第１傾斜部材及び前記第３傾斜部材は、前記短手方向において前記第１発光素子及び前記第３発光素子と重ならない、発光装置。
  3. 前記第１傾斜部材は、前記反射部材と接する、請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
  4. 前記第１傾斜部材の上端が、第１素子光取り出し面と前記第１素子電極形成面との間に位置する、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
  5. 前記第１傾斜部材は、白色顔料を含有する、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の発光装置。
  6. 前記第１傾斜部材の傾斜面が、前記第１発光素子側に凸曲面である、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の発光装置。
  7. 前記透光性部材は、波長変換部材を含有する、請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の発光装置。
  8. 前記第１発光素子の発光ピーク波長は、４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満の範囲であり、
    前記第２発光素子の発光ピーク波長は、４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ未満の範囲であり、
    前記波長変換部材の発光ピーク波長は、５８０ｎｍ以上６８０ｎｍ未満である、請求項７に記載の発光装置。
  9. 前記透光性部材は、
    前記第１素子光取り出し面及び前記第２素子光取り出し面と対向する第１透光層と、
    前記第１透光層上に配置される波長変換層と、
    前記波長変換層上に配置される第２透光層と、を備える、請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の発光装置。
  10. 前記導光部材は、第２波長変換部材を含有する、請求項９に記載の発光装置。
  11. 前記第２波長変換部材の発光ピーク波長は、５８０ｎｍ以上６８０ｎｍ未満である、請求項１０に記載の発光装置。
  12. 前記第２波長変換部材の発光ピーク波長は、５１５ｎｍ以上５５０ｎｍ未満である、請求項１０又は請求項１１に記載の発光装置。
  13. 前記第２波長変換部材の濃度が、前記第１発光素子と前記第２発光素子との間より前記傾斜面側において高い、請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項に記載の発光装置。
  14. 前記第２発光素子は、前記第１発光素子と前記第３発光素子との間に位置する、請求項２に記載の発光装置。
  15. 前記第３発光素子の発光ピーク波長は、前記第１発光素子の発光ピーク波長と同じである、請求項２又は請求項１４に記載の発光装置。
  16. 前記第１発光素子及び前記第２発光素子を載置する基板を更に備え、
    前記第１素子電極形成面と前記基板の上面との間に第２反射部材を更に備える、請求項１乃至請求項１５のいずれか一項に記載の発光装置。
  17. 前記第１発光素子及び前記第２発光素子を載置する基板を更に備え、
    前記基板は絶縁性の基材と配線とを有し、
    前記基材は、前記第１発光素子と対向する面に凹部を含み、
    前記凹部内に前記反射部材が位置する、請求項１乃至請求項１５のいずれか一項に記載の発光装置。
  18. 上面視において、前記凹部が前記第１発光素子及び前記第２発光素子を囲む、請求項１７に記載の発光装置。
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