JP7005092B2 - 埋め込み型透明電極基板およびその製造方法 - Google Patents
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Description
本出願は、２０１８年３月１４日付で韓国特許庁に提出された韓国特許出願第１０－２０１８－００２９６８６号の出願日の利益を主張し、その内容のすべては本明細書に組み込まれる。
本出願は、埋め込み型透明電極基板およびその製造方法に関する。
本出願は、埋め込み型透明電極基板およびその製造方法に関する。
最近、韓国は先端ＩＣＴ技術とＬＥＤ技術との融合により、華やかな看板だけでなく、公園および都心内に多様な景観照明を演出して都市の人々に情報および見どころを提供している。特に、ＩＴＯ透明電極素材を用いた透明ＬＥＤディスプレイは、ガラスとガラスとの間にＬＥＤを適用するか、ＬＥＤが適用された透明フィルムをガラスの一面に付着させたものであって、電線が見えず高級な演出が可能であるという利点がある。これによって、ホテル、デパートなどの室内インテリアに活用されており、ビル外壁のメディアファサードの実現においてその重要性が増している。
透明でありながらも電気が流れてタッチスクリーンなどに用いられる透明電極は、スマート機器の普及に伴ってその需要が爆発的に伸びており、そのうち最も多く用いる透明電極は、インジウムとスズの酸化物であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）である。しかし、ＩＴＯ透明電極素材の主原料であるインジウムは、全世界的に埋蔵量が多くなく、中国など一部の国でのみ生産されており、生産費用が高価である。また、抵抗値が一定に適用されず、表出されるＬＥＤの明かりが一定でないという欠点を有している。これによって、ＩＴＯを活用した透明ＬＥＤは、高性能低費用の透明電極素材への活用には限界がある。
透明電極素材としてＩＴＯが最も多い比重を占めて用いられてきたのは事実であるが、経済性、制限的性能などの限界によって新たな素材を活用した研究と技術開発が持続的に行われている。次世代新素材として注目されている透明電極素材には、メタルメッシュ（Ｍｅｔａｌ Ｍｅｓｈ）、ナノワイヤ（Ａｇ Ｎａｎｏｗｉｒｅ）、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、導電性高分子、グラフェン（Ｇｒａｐｈｅｎｅ）などがある。そのうち、メタルメッシュは、ＩＴＯを代替した物質の８５％を占める新素材で低費用高導電度を有していて、その活用度の面から市場が広がっている。
メタルメッシュを活用した透明ＬＥＤディスプレイは、既存のＩＴＯ透明ディスプレイより維持補修が容易であり、資源を節約し、環境汚染を防止できるだけでなく、製造コストの節減で経済的である。また、多様な用途に拡大適用が可能で、新たな透明電極素材として多様な製品への適用および活用の可能性を有している。
本出願は、埋め込み型透明電極基板およびその製造方法を提供しようとする。
本出願の一実施態様は、
透明基材、前記透明基材上に備えられた接着層、および前記接着層上に備えられた金属箔（ｍｅｔａｌ ｆｏｉｌ）を含む構造体を形成するステップと、
前記金属箔をパターニングして金属箔パターンを形成するステップと、
前記金属箔パターンを含む構造体を７０℃～１００℃の温度で熱処理するステップと、
前記接着層を完全硬化させるステップと、
を含む埋め込み型透明電極基板の製造方法を提供する。
透明基材、前記透明基材上に備えられた接着層、および前記接着層上に備えられた金属箔（ｍｅｔａｌ ｆｏｉｌ）を含む構造体を形成するステップと、
前記金属箔をパターニングして金属箔パターンを形成するステップと、
前記金属箔パターンを含む構造体を７０℃～１００℃の温度で熱処理するステップと、
前記接着層を完全硬化させるステップと、
を含む埋め込み型透明電極基板の製造方法を提供する。
また、本出願の他の実施態様は、
透明基材；前記透明基材上に備えられた接着層；および前記接着層の内部に埋め込まれた金属箔パターンを含む埋め込み型透明電極基板であり、
前記接着層の一面と前記金属箔パターンの一面とは互いに同一平面上に備えられ、
前記透明基材に対向する前記金属箔パターンの面の十点平均粗さ（Ｒｚ）は０．５μｍ超過であり、
前記埋め込み型透明電極基板の金属箔パターンが備えられていない領域のヘイズが３％以下である埋め込み型透明電極基板を提供する。
透明基材；前記透明基材上に備えられた接着層；および前記接着層の内部に埋め込まれた金属箔パターンを含む埋め込み型透明電極基板であり、
前記接着層の一面と前記金属箔パターンの一面とは互いに同一平面上に備えられ、
前記透明基材に対向する前記金属箔パターンの面の十点平均粗さ（Ｒｚ）は０．５μｍ超過であり、
前記埋め込み型透明電極基板の金属箔パターンが備えられていない領域のヘイズが３％以下である埋め込み型透明電極基板を提供する。
本出願の一実施態様によれば、安価な金属箔を用いて金属箔パターンを形成するので、透明電極基板の製造時、原材料費が節減できる特徴がある。特に、本出願の一実施態様によれば、接着層上に金属箔パターンを形成した後、７０℃～１００℃の温度で熱処理することにより、別途の圧力を印加する工程がなくても、前記接着層の内部に前記金属箔パターンが埋め込まれる埋め込み型透明電極基板を製造することができる。
また、本出願の一実施態様によれば、接着層上に金属箔パターンを形成した後、７０℃～１００℃の温度で熱処理することにより、金属箔の表面粗さによる透明電極基板のヘイズが増加するのを防止することができる。
以下、本出願について詳細に説明する。
本出願において、「透明」とは、可視光線領域（４００ｎｍ～７００ｎｍ）において約８０％以上の透過率特性を有することを意味する。
本出願において、「透明」とは、可視光線領域（４００ｎｍ～７００ｎｍ）において約８０％以上の透過率特性を有することを意味する。
透明基材の上部に金属配線が備えられている透明ＬＥＤディスプレイに適用される透明電極基板の場合には、７０％以上の透過率と０．５ｏｈｍ／ｓｑ以下の面抵抗特性が確保されなければならない。前記透過率および面抵抗特性を確保するためには、比抵抗が低い銅蒸着層が１μｍ以上の厚さを有しなければならない。透明基材の上部に、スパッタリング、エバポレーション、めっき工程などを活用して１μｍ以上の銅蒸着層を形成することができるが、この場合には、高価な蒸着費用が発生し、銅蒸着層の付着力の低下および蒸着工程中の下部透明基材の損傷が発生しうる。
また、安価な銅箔と透明基材とを接着剤を活用して貼り合わせる場合には、製造費用を大きく低減することができ、付着力が改善できるが、銅箔の表面粗さが接着剤の表面に転写されて開口部のヘイズ（ｈａｚｅ）が増加する問題が発生する。
さらに、優れた表面平坦度を有する埋め込み型電極を製造するために、電極パターンが備えられている透明基材上に追加的に樹脂層を塗布した後、電極の上部に存在する残留樹脂層を除去するか、離型基材上に電極パターンを形成した後、その上部に樹脂層を塗布および硬化して電極を樹脂層に転写する方法を利用することができるが、この場合には、工程が複雑で製造費用が上昇する問題点を抱えている。
そこで、本出願では、価格競争力を確保するために、金属層として超低価格の金属箔を用い、透明電極基板のヘイズを改善できる埋め込み型透明電極基板およびその製造方法を提供しようとする。
本出願の一実施態様に係る埋め込み型透明電極基板の製造方法は、透明基材、前記透明基材上に備えられた接着層、および前記接着層上に備えられた金属箔（ｍｅｔａｌ ｆｏｉｌ）を含む構造体を形成するステップと、前記金属箔をパターニングして金属箔パターンを形成するステップと、前記金属箔パターンを含む構造体を７０℃～１００℃の温度で熱処理するステップと、前記接着層を完全硬化させるステップと、を含む。
本出願の一実施態様に係る埋め込み型透明電極基板の製造方法は、透明基材、前記透明基材上に備えられた接着層、および前記接着層上に備えられた金属箔を含む構造体を形成するステップを含む。
前記構造体を形成するステップは、金属箔上に接着層を形成し、前記接着層上に透明基材を形成するステップ、または透明基材上に接着層を形成し、前記接着層上に金属箔を形成するステップを含むことができる。
前記構造体を形成するステップは、金属箔上に接着層を形成し、前記接着層上に透明基材を形成するステップ、または透明基材上に接着層を形成し、前記接着層上に金属箔を形成するステップを含むことができる。
前記透明基材は、透明性、表面平滑性、取扱容易性および防水性に優れたガラス基材または透明プラスチック基材になってもよいが、これに限定されず、電子素子に通常用いられる透明基材であれば制限はない。具体的には、前記透明基材としては、ガラス；ウレタン樹脂；ポリイミド樹脂；ポリエステル樹脂；（メタ）アクリレート系高分子樹脂；ポリエチレンまたはポリプロピレンなどのポリオレフィン系樹脂などからなるもであってもよい。また、前記透明基材は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ；Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ；ｃｙｃｌｉｃ ｏｌｅｆｉｎ ｐｏｌｙｍｅｒ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ；ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ；ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリカーボネート（ＰＣ；ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、アセチルセルロイドなどの、可視光透過率８０％以上のフィルムであってもよい。前記透明基材の厚さは２５μｍ～２５０μｍであってもよいが、これのみに限定されるものではない。
前記金属箔は、当技術分野で知られた材料を用いることができ、より具体的には、銅箔（Ｃｕ Ｆｏｉｌ）またはアルミニウム箔（Ａｌ Ｆｏｉｌ）を含むことができるが、これのみに限定されるものではない。前記金属箔の厚さは２μｍ～２０μｍであってもよい。前記金属箔パターンの高さは、マイクロメータや厚さゲージで測定が可能である。
前記接着層は、屈折率が１．４５～１．５５であってもよく、７０℃以上の温度で流動性を有し得る。また、前記接着層は、熱硬化型接着剤組成物またはＵＶ硬化型接着剤組成物を含むことができる。
より具体的には、前記接着層は、シラン変性エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂、開始剤、およびシランカップリング剤を含むことができるが、これのみに限定されるものではない。
前記接着層は、前述した接着剤組成物を用い、コンマコーティング、スロットダイコーティングなどの方法で５μｍ～３０μｍの厚さ範囲に形成することができるが、これのみに限定されるものではない。
本出願の一実施態様に係る埋め込み型透明電極基板の製造方法は、前記金属箔をパターニングして金属箔パターンを形成するステップを含む。
前記金属箔パターンを形成する方法は、当技術分野で知られた方法を利用することができ、例えば、フォトリソグラフィ工程を利用することができる。より具体的には、前記金属箔パターンを形成する方法は、金属箔上にレジストパターンを形成した後、前記金属箔をエッチングするステップと、前記レジストパターンを剥離するステップとを含むことができるが、これのみに限定されるものではない。
前記金属箔パターンは、十点平均粗さ（Ｒｚ）が相対的に高いマット（ｍａｔｔ）面を少なくとも一面含む金属箔から製造される。この時、前記金属箔のマット面が前記透明基材に対向する。
前記金属箔パターンは、互いに線幅が異なる２種以上の金属箔パターンを含むことができる。また、前記金属箔パターンは、互いに線幅が異なる２種の金属箔パターンを含み、１種の金属箔パターンの線幅は３μｍ～３０μｍであり、他の１種の金属箔パターンの線幅は５０μｍ以上であってもよい。前記線幅が３μｍ～３０μｍの金属箔パターンは、電極パターンの役割を果たすことができ、前記線幅が５０μｍ以上の金属箔パターンは、外部端子を連結するための電極パッド部パターンの役割を果たすことができる。すなわち、前記金属箔パターンは、電極パターンおよび電極パッド部パターンを含むことができる。
前記電極パターンの線幅は３μｍ～３０μｍであってもよく、３μｍ～２０μｍであってもよいし、３μｍ～１０μｍであってもよいが、これのみに限定されるものではない。また、前記電極パッド部パターンの線幅は５０μｍ以上であってもよく、５０μｍ～１，０００μｍであってもよいが、これのみに限定されるものではない。
本出願の一実施態様に係る埋め込み型透明電極基板の製造方法は、前記金属箔パターンを含む構造体を７０℃～１００℃の温度で熱処理するステップを含む。
前記７０℃～１００℃の温度で熱処理するステップにより、前記接着層の内部に前記金属箔パターンが埋め込まれる。特に、本出願の一実施態様によれば、接着層上に金属箔パターンを形成した後、７０℃～１００℃の温度で熱処理することにより、別途の圧力を印加する工程がなくても、前記接着層の内部に前記金属箔パターンが埋め込まれる埋め込み型透明電極基板を製造することができる。
また、前記熱処理するステップの前の前記接着層の表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）は０．５μｍ超過であり、前記熱処理するステップの後の前記接着層の表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）は０．１μｍ以下であってもよい。さらに、前記熱処理するステップの前の前記接着層の表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）は０．５μｍ超過３μｍ未満であってもよい。また、前記熱処理するステップの後の前記接着層の表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）は０～０．１μｍであってもよい。前記熱処理するステップの前の前記接着層の表面のＲｚが０．５μｍ以下の場合には、低い凹凸によって金属箔特有の高い反射率を有する。したがって、これより製造される透明電極基板の反射率を低下させにくいので、高い反射率によってパターンが視認されやすいという欠点がある。また、前記熱処理するステップの前の前記接着層の表面のＲｚが０．５μｍ以下の場合には、金属箔と接着層との間の付着力が低下して金属箔パターンを形成する過程（フォト工程）中に金属箔パターンが接着層から脱離する問題が発生しうる。
すなわち、透明基材上に接着層を備えた後、安価な金属箔を貼り合わせる場合には、金属箔の表面粗さが接着層の表面に転写されて最終製品のヘイズが増加する問題が発生しうる。よって、本出願の一実施態様によれば、接着層上に金属箔パターンを形成した後、７０℃～１００℃の温度で熱処理することにより、金属箔の表面粗さによる透明電極基板のヘイズが増加するのを防止することができる。
本出願の一実施態様に係る埋め込み型透明電極基板の製造方法は、前記接着層を完全硬化させるステップを含む。前記接着層は、熱硬化型接着剤組成物またはＵＶ硬化型接着剤組成物を含み、前記接着層を完全硬化させるステップは、接着層を１２０℃以上の温度で熱硬化させるか、ＵＶ硬化させるステップを含むことができる。
また、本出願の一実施態様に係る埋め込み型透明電極基板の製造方法を下記の図２に概略的に示した。
下記の図２のように、本出願の一実施態様に係る埋め込み型透明電極基板の製造方法は、透明基材１０、前記透明基材１０上に備えられた接着層２０、および前記接着層２０上に備えられた金属箔（ｍｅｔａｌ ｆｏｉｌ）３０を含む構造体を形成するステップと、前記金属箔３０をパターニングして金属箔パターン４０を形成するステップと、前記金属箔パターン４０を含む構造体を７０℃～１００℃の温度で熱処理するステップと、前記接着層２０を完全硬化させるステップと、を含む。
また、本出願の一実施態様は、透明基材；前記透明基材上に備えられた接着層；および前記接着層の内部に埋め込まれた金属箔パターンを含む埋め込み型透明電極基板であり、前記接着層の一面と前記金属箔パターンの一面とは互いに同一平面上に備えられ、前記透明基材に対向する前記金属箔パターンの面の十点平均粗さ（Ｒｚ）は０．５μｍ超過であり、前記埋め込み型透明電極基板の金属箔パターンが備えられていない領域のヘイズが３％以下である埋め込み型透明電極基板を提供する。
本出願の一実施態様に係る埋め込み型透明電極基板において、前記透明基材、接着層、および金属箔パターンに関する内容は、前述したものと同じである。
本出願の一実施態様において、前記同一平面上に備えられる接着層の一面と金属箔パターンの一面との間の段差は０～２０μｍであってもよい。
本出願の一実施態様において、前記接着層の屈折率は１．４５～１．５５であってもよく、前記透明基材に対向する前記金属箔パターンの面の十点平均粗さ（Ｒｚ）は０．５μｍ超過であってもよい。
また、前記埋め込み型透明電極基板の金属箔パターンが備えられていない領域のヘイズが３％以下であってもよい。
さらに、本出願の一実施態様に係る埋め込み型透明電極基板を下記の図１に概略的に示した。
さらに、本出願の一実施態様に係る埋め込み型透明電極基板を下記の図１に概略的に示した。
下記の図１のように、本出願の一実施態様に係る埋め込み型透明電極基板は、透明基材１０；前記透明基材１０上に備えられた接着層２０；および前記接着層２０の内部に埋め込まれた金属箔パターン４０を含み、前記接着層２０の一面と前記金属箔パターン４０の一面とは互いに同一平面上に備えられる。
本出願の一実施態様に係る埋め込み型透明電極基板は、電子素子の透明電極に適用可能である。
前記電子素子は、発熱フィルム、透明ＬＥＤディスプレイ、タッチパネル、太陽電池、またはトランジスタであってもよい。前記発熱フィルム、透明ＬＥＤディスプレイ、タッチパネル、太陽電池、またはトランジスタは、当業界で一般的に知られているものでもよいし、電極を本出願の一実施態様に係る透明電極基板として用いたものでもよい。
前記電子素子は、発熱フィルム、透明ＬＥＤディスプレイ、タッチパネル、太陽電池、またはトランジスタであってもよい。前記発熱フィルム、透明ＬＥＤディスプレイ、タッチパネル、太陽電池、またはトランジスタは、当業界で一般的に知られているものでもよいし、電極を本出願の一実施態様に係る透明電極基板として用いたものでもよい。
以下、実施例を通じて本明細書に記載の実施態様を例示する。しかし、以下の実施例により前記実施態様の範囲が限定されることを意図するものではない。
＜実施例＞
＜実施例１＞
２５０μｍの厚さのＰＥＴフィルム上に、コンマコーターを用いてＵＶ硬化型接着剤を塗布した後、１００℃で５分間熱風乾燥して１５μｍの厚さの接着層を形成した。この時、前記ＵＶ硬化型接着剤は、シラン変性エポキシ樹脂ＫＳＲ－２７７ＨＭＣ７０（Ｋｕｋｄｏ Ｃｈｅｍｉｃａｌ）３３重量％、シラン変性エポキシ樹脂ＫＳＲ－１７７（Ｋｕｋｄｏ Ｃｈｅｍｉｃａｌ）３５重量％、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂ＹＰ－５０Ｅ（Ｋｕｋｄｏ Ｃｈｅｍｉｃａｌ）３０重量％、陽イオン開始剤Ｉｇａｃｕｒｅ２９０（ＢＡＳＦ）１重量％、およびシランカップリング剤ＫＢＭ－４０３（Ｓｈｉｎｅｔｓｕ）１重量％を含んでいる。
＜実施例１＞
２５０μｍの厚さのＰＥＴフィルム上に、コンマコーターを用いてＵＶ硬化型接着剤を塗布した後、１００℃で５分間熱風乾燥して１５μｍの厚さの接着層を形成した。この時、前記ＵＶ硬化型接着剤は、シラン変性エポキシ樹脂ＫＳＲ－２７７ＨＭＣ７０（Ｋｕｋｄｏ Ｃｈｅｍｉｃａｌ）３３重量％、シラン変性エポキシ樹脂ＫＳＲ－１７７（Ｋｕｋｄｏ Ｃｈｅｍｉｃａｌ）３５重量％、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂ＹＰ－５０Ｅ（Ｋｕｋｄｏ Ｃｈｅｍｉｃａｌ）３０重量％、陽イオン開始剤Ｉｇａｃｕｒｅ２９０（ＢＡＳＦ）１重量％、およびシランカップリング剤ＫＢＭ－４０３（Ｓｈｉｎｅｔｓｕ）１重量％を含んでいる。
前記透明接着層が備えられたＰＥＴフィルムと８μｍの厚さの銅箔とを、１００℃、１．３ｍｐｍ（ｍｅｔｅｒ ｐｅｒ ｍｉｎｕｔｅ）の条件でホットロール（Ｈｏｔ Ｒｏｌｌ）によって貼り合わせた。
前記銅箔貼り合わせフィルムの銅箔面にＤＦＲ（ドライフィルムレジスト；Ｄｒｙ Ｆｉｌｍ Ｒｅｓｉｓｔ）を貼り合わせた後、露光および現像工程により２０μｍ線幅の六角形（Ｈｅｘａｇｏｎａｌ）形態のＤＦＲパターンを形成した。
塩化第二鉄系銅エッチング液を用いて露出した銅箔を除去し、ＤＦＲパターンを剥離して六角形（Ｈｅｘａｇｏｎａｌ）形態の銅箔パターンを形成した。この時、銅箔パターンが備えられていない領域のヘイズは１２．１９％であった。
前記銅箔パターンフィルムを１００℃で５分間熱処理して銅箔パターンを接着層の内部に埋め込んだ後、銅箔パターンが備えられている面の反対面から２Ｊ／ｃｍ２の露光量でＵＶ照射して接着層を完全硬化した。この時、銅箔パターンが備えられていない領域のヘイズは２．８６％であった。
本出願の実施例１による埋め込み型透明電極基板を下記の図３～６に示した。より具体的には、下記の図３は、銅箔貼り合わせ原反の上部にＤＦＲパターンを形成したことを示すものであり、下記の図４は、銅箔パターンの形成およびＤＦＲの剥離後を示すものであり、下記の図５は、熱処理工程後を示すものである。また、下記の図６は、最終的に製造された実施例１の埋め込み型透明電極基板を示すものである。
＜比較例１＞
２５０μｍの厚さのＰＥＴフィルム上に、コンマコーターを用いてＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）用接着剤を塗布した後、１００℃で５分間熱風乾燥して１５μｍの厚さの接着層を形成した。
２５０μｍの厚さのＰＥＴフィルム上に、コンマコーターを用いてＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）用接着剤を塗布した後、１００℃で５分間熱風乾燥して１５μｍの厚さの接着層を形成した。
前記透明接着層が備えられたＰＥＴフィルムと８μｍの厚さの銅箔とを、１００℃、１．３ｍｐｍ（ｍｅｔｅｒ ｐｅｒ ｍｉｎｕｔｅ）の条件でホットロール（Ｈｏｔ Ｒｏｌｌ）によって貼り合わせた。
前記銅箔貼り合わせフィルムを８０℃で３日間熟成して前記接着層を完全硬化した。
前記銅箔貼り合わせフィルムの銅箔面にＤＦＲ（Ｄｒｙ Ｆｉｌｍ Ｒｅｓｉｓｔ）を貼り合わせた後、露光および現像工程により２０μｍ線幅の六角形（Ｈｅｘａｇｏｎａｌ）形態のＤＦＲパターンを形成した。
前記銅箔貼り合わせフィルムの銅箔面にＤＦＲ（Ｄｒｙ Ｆｉｌｍ Ｒｅｓｉｓｔ）を貼り合わせた後、露光および現像工程により２０μｍ線幅の六角形（Ｈｅｘａｇｏｎａｌ）形態のＤＦＲパターンを形成した。
塩化第二鉄系銅エッチング液を用いて露出した銅箔を除去し、ＤＦＲパターンを剥離して六角形（Ｈｅｘａｇｏｎａｌ）形態の銅箔パターンを形成した。この時、銅箔パターンが備えられていない領域のヘイズは４８．８５％であった。
本出願の比較例１による電極基板を下記の図７に示した。
前記結果のように、本出願の一実施態様によれば、安価な金属箔を用いて金属箔パターンを形成するので、透明電極基板の製造時、原材料費が節減できる特徴がある。特に、本出願の一実施態様によれば、接着層上に金属箔パターンを形成した後、７０℃～１００℃の温度で熱処理することにより、別途の圧力を印加する工程がなくても、前記接着層の内部に前記金属箔パターンが埋め込まれる埋め込み型透明電極基板を製造することができる。
前記結果のように、本出願の一実施態様によれば、安価な金属箔を用いて金属箔パターンを形成するので、透明電極基板の製造時、原材料費が節減できる特徴がある。特に、本出願の一実施態様によれば、接着層上に金属箔パターンを形成した後、７０℃～１００℃の温度で熱処理することにより、別途の圧力を印加する工程がなくても、前記接着層の内部に前記金属箔パターンが埋め込まれる埋め込み型透明電極基板を製造することができる。
また、本出願の一実施態様によれば、接着層上に金属箔パターンを形成した後、７０℃～１００℃の温度で熱処理することにより、金属箔の表面粗さによる透明電極基板のヘイズが増加するのを防止することができる。
１０：透明基材
２０：接着層
３０：金属箔
４０：金属箔パターン
２０：接着層
３０：金属箔
４０：金属箔パターン
Claims (12)
- 透明基材、前記透明基材上に備えられた接着層、および前記接着層上に備えられた金属箔（ｍｅｔａｌ ｆｏｉｌ）を含む構造体を形成するステップと、
前記金属箔をパターニングして金属箔パターンを形成するステップと、
前記金属箔パターンを含む構造体を７０℃～１００℃の温度で熱処理するステップと、
前記接着層を完全硬化させるステップと、
を含み、
前記熱処理するステップの前の前記接着層の表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）は０．５μｍ超過であり、
前記熱処理するステップの後の前記接着層の表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）は０．１μｍ以下である、埋め込み型透明電極基板の製造方法。 - 前記構造体を形成するステップは、
金属箔上に接着層を形成し、前記接着層上に透明基材を形成するステップ、または
透明基材上に接着層を形成し、前記接着層上に金属箔を形成するステップを含むものである、請求項１に記載の埋め込み型透明電極基板の製造方法。 - 前記７０℃～１００℃の温度で熱処理するステップにより、前記接着層の内部に前記金属箔パターンが埋め込まれるものである、請求項１または２に記載の埋め込み型透明電極基板の製造方法。
- 前記接着層は、７０℃以上の温度で流動性を有するものである、請求項１から３のいずれか一項に記載の埋め込み型透明電極基板の製造方法。
- 前記接着層は、熱硬化型接着剤組成物またはＵＶ硬化型接着剤組成物を含み、
前記接着層を完全硬化させるステップは、接着層を１２０℃以上の温度で熱硬化させるか、ＵＶ硬化させるステップを含むものである、請求項１から４のいずれか一項に記載の埋め込み型透明電極基板の製造方法。 - 前記接着層は、シラン変性エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂、開始剤、およびシランカップリング剤を含むものである、請求項１から５のいずれか一項に記載の埋め込み型透明電極基板の製造方法。
- 前記金属箔の厚さは２μｍ～２０μｍである、請求項１から６のいずれか一項に記載の埋め込み型透明電極基板の製造方法。
- 前記金属箔は、銅箔またはアルミニウム箔を含むものである、請求項１から７のいずれか一項に記載の埋め込み型透明電極基板の製造方法。
- 前記金属箔パターンの形成は、フォトリソグラフィ工程を利用するものである、請求項１から８のいずれか一項に記載の透明電極基板の製造方法。
- 透明基材と、前記透明基材上に備えられた接着層と、前記接着層の内部に埋め込まれた金属箔パターンとを含む埋め込み型透明電極基板であり、
前記接着層の一面と前記金属箔パターンの一面とは互いに同一平面上に備えられ、
前記透明基材に対向する前記金属箔パターンの面の十点平均粗さ（Ｒｚ）は０．５μｍ超過であり、
前記接着層の表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）は０．１μｍ以下であり、
前記埋め込み型透明電極基板の金属箔パターンが備えられていない領域のヘイズが３％以下である埋め込み型透明電極基板。 - 前記同一平面上に備えられる接着層の一面と金属箔パターンの一面との間の段差は０～２０μｍである、請求項１０に記載の埋め込み型透明電極基板。
- 前記接着層の屈折率は１．４５～１．５５である、請求項１０または１１に記載の埋め込み型透明電極基板。
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