JP6939761B2 - 弾性波装置、及び電子部品モジュール - Google Patents

Description

本発明は、弾性波装置、及び電子部品モジュールに関し、より詳細には、実装基板に実装される弾性波装置、及び電子部品モジュールに関する。

従来、支持基板上に、圧電薄膜（圧電体層）を含む積層膜が積層されている弾性波装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の弾性波装置は、支持基板と、積層膜と、ＩＤＴ電極と、配線電極と、アンダーバンプメタル層と、金属バンプ（外部接続電極）と、を備える。

特許文献１に記載の弾性波装置では、配線電極のうちアンダーバンプメタル層が接合されている部分が、外部接続端子が接続される電極ランドとなり、この電極ランドは、平面視において積層膜が存在しない領域に設けられている。したがって、外部接続端子としての金属バンプの接合の際の応力が、積層膜の積層部分に直接加わらない。

国際公開第２０１６／２０８４２７号

ところで、特許文献１に記載の弾性波装置を実装基板に実装する場合に、支持基板の線膨張係数と実装基板の線膨張係数とが異なっていると、線膨張係数差によって支持基板の中央部分に応力歪みが発生し、この応力歪みによって弾性波装置の特性が劣化する可能性があった。

本発明の目的は、弾性波装置の特性の劣化を抑制することができる弾性波装置、及び電子部品モジュールを提供することにある。

本発明の一態様に係る弾性波装置は、実装基板に実装される弾性波装置である。前記弾性波装置は、支持基板と、圧電体層と、ＩＤＴ電極と、外部接続電極と、を備える。前記圧電体層は、前記支持基板上に形成されている。前記ＩＤＴ電極は、前記圧電体層上に形成されている。前記外部接続電極は、前記ＩＤＴ電極に電気的に接続されている。前記外部接続電極は、前記支持基板の厚さ方向からの平面視において、前記圧電体層と重なっていない。前記支持基板は、空洞部を有している。前記空洞部は、前記厚さ方向からの平面視において、前記支持基板の少なくとも端部に形成されている。前記空洞部は、前記厚さ方向からの平面視において、前記ＩＤＴ電極と重なる位置には延伸されていない。

本発明の一態様に係る電子部品モジュールは、上述の弾性波装置と、前記弾性波装置が実装される前記実装基板と、を備える。

本発明によれば、弾性波装置の特性の劣化を抑制することができる。

図１は、本発明の実施形態１に係る弾性波装置、及び電子部品モジュールの断面図である。 図２は、同上の弾性波装置の周波数特性図である。 図３は、本発明の実施形態２に係る弾性波装置、及び電子部品モジュールの断面図である。 図４は、本発明の実施形態３に係る弾性波装置、及び電子部品モジュールの断面図である。 図５は、本発明の実施形態４に係る弾性波装置、及び電子部品モジュールの断面図である。

以下、実施形態１〜４に係る弾性波装置、及び電子部品モジュールについて、図面を参照して説明する。

以下の実施形態１〜４等において参照する図１、図３、図４、及び図５は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

（実施形態１）
（１）電子部品モジュールの全体構成
以下、実施形態１に係る電子部品モジュール１００について、図面を参照して説明する。

実施形態１に係る電子部品モジュール１００は、図１に示すように、弾性波装置１と、実装基板２と、保護層３と、を備えている。実装基板２には、弾性波装置１が実装されている。保護層３は、弾性波装置１を保護する。

弾性波装置１は、支持基板１１と、圧電体層１２２と、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極１３と、外部接続電極１４２と、を備えている。圧電体層１２２は、支持基板１１上に直接的又は間接的に形成されている。実施形態１に係る弾性波装置１では、圧電体層１２２は、支持基板１１上に間接的に形成されている。ＩＤＴ電極１３は、圧電体層１２２上に形成されている。ここでいう「圧電体層１２２上に形成されている」とは、圧電体層１２２上に直接的に形成されている場合と、圧電体層１２２上に間接的に形成されている場合と、を含む。外部接続電極１４２は、実装基板２及びＩＤＴ電極１３に電気的に接続されている。

外部接続電極１４２は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、圧電体層１２２と重なっていない。支持基板１１は、空洞部１１４を有している。空洞部１１４は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、支持基板１１の少なくとも端部に形成されている。実施形態１に係る弾性波装置１では、空洞部１１４は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、支持基板１１の端部からスペーサ層１７（後述する）と重なる位置まで延びている。弾性波装置１は、支持基板１１とＩＤＴ電極１３との間において支持基板１１上に形成され、少なくとも圧電体層１２２を含む機能層１２を備えている。ここで、実施形態１に係る弾性波装置１では、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１が第１方向（以下、「第１方向Ｄ１」ともいう）である。

また、弾性波装置１は、絶縁層１６と、配線電極１５と、を更に備えている。絶縁層１６は、支持基板１１上に形成されている。ここでいう「支持基板１１上に形成されている」とは、支持基板１１上に直接的に形成されている場合と、支持基板１１上に間接的に形成されている場合と、を含む。配線電極１５は、少なくとも一部が絶縁層１６上に形成されており、ＩＤＴ電極１３と電気的に接続されている。ここでいう「絶縁層１６上に形成されている」とは、絶縁層１６上に直接的に形成されている場合と、絶縁層１６上に間接的に形成されている場合と、を含む。

また、弾性波装置１は、スペーサ層１７と、カバー部材１８と、を更に備えている。スペーサ層１７は、支持基板１１上に形成されている。ここでいう「支持基板１１上に形成されている」とは、支持基板１１上に直接的に形成されている場合と、支持基板１１上に間接的に形成されている場合と、を含む。カバー部材１８は、スペーサ層１７上に形成されている。ここでいう「スペーサ層１７上に形成されている」とは、スペーサ層１７上に直接的に形成されている場合と、スペーサ層１７上に間接的に形成されている場合と、を含む。外部接続電極１４２は、カバー部材１８上に形成されている。ここでいう「カバー部材１８上に形成されている」とは、カバー部材１８上に直接的に形成されている場合と、カバー部材１８上に間接的に形成されている場合と、を含む。

実施形態１に係る電子部品モジュール１００では、弾性波装置１は、外部接続電極１４２を介して、実装基板２と機械的かつ電気的に接続されている。

（２）弾性波装置の各構成要素
次に、弾性波装置１の各構成要素について、図面を参照して説明する。

（２．１）支持基板
支持基板１１は、図１に示すように、圧電体層１２２とＩＤＴ電極１３とを含む積層体を支持している。支持基板１１は、その厚さ方向Ｄ１において互いに反対側にある第１主面１１１及び第２主面１１２を有する。第１主面１１１及び第２主面１１２は、互いに背向する。支持基板１１の平面視の形状（支持基板１１を厚さ方向Ｄ１から見たときの外周形状）は、長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば正方形状であってもよい。

支持基板１１は、結晶基板である。具体的には、支持基板１１は、立方晶系の結晶構造を有する結晶基板である。一例として、支持基板１１は、シリコン基板である。支持基板１１における圧電体層１２２側の面（第１主面１１１）が（１１１）面である。ここでいう「支持基板１１の第１主面１１１が（１１１）面である」とは、支持基板１１の第１主面１１１が（１１１）面のみに限らず、（１１１）面からのオフ角が０度よりも大きく５度以下の結晶面を含むことを意味する。

支持基板１１は、高音速支持基板を構成している。高音速支持基板では、圧電体層１２２を伝搬する弾性波の音速よりも、高音速支持基板を伝搬するバルク波の音速が高速である。支持基板１１は、結晶構造を有する結晶基板としては、シリコン基板以外に、例えば、ゲルマニウム基板、ダイヤモンド基板等であってもよい。したがって、支持基板１１の材料は、シリコンに限らず、例えば、ゲルマニウム、ダイヤモンド等であってもよい。支持基板１１の線膨張係数は、例えば、４ｐｐｍ／℃程度である。

また、支持基板１１は、複数（図１では２つ）の空洞部１１４を有している。各空洞部１１４は、第１方向Ｄ１と直交する第２方向Ｄ２において、支持基板１１の端部（図１における左端部又は右端部）から支持基板１１の第１主面１１１に沿って形成されている。具体的には、各空洞部１１４は、第１方向Ｄ１からの平面視において、支持基板１１の端部からスペーサ層１７と重なる位置まで延びている。言い換えると、各空洞部１１４は、第１方向Ｄ１からの平面視において、ＩＤＴ電極１３と重なる位置までは形成されていない。さらに言い換えると、各空洞部１１４は、第１方向Ｄ１からの平面視において、ＩＤＴ電極１３の直下には形成されていない。

各空洞部１１４は、第１方向Ｄ１（支持基板１１の厚さ方向Ｄ１）において、第２主面１１２よりも第１主面１１１側に設けられている。第１方向Ｄ１における各空洞部１１４の幅寸法は、例えば、１μｍである。また、第２方向Ｄ２における各空洞部１１４の長さ寸法は、例えば、７０μｍである。各空洞部１１４は、第１方向Ｄ１において、支持基板１１の第１主面１１１から例えば１μｍの深さ位置に形成されている。実施形態１に係る弾性波装置１では、複数の空洞部１１４は、第１方向Ｄ１からの平面視において、支持基板１１の周方向における一部に形成されている。なお、空洞部１１４の成形方法については、「（６）空洞部の成形方法」の欄で説明する。

（２．２）ＩＤＴ電極
ＩＤＴ電極１３は、第１バスバーと、第２バスバーと、複数の第１電極指と、複数の第２電極指と、を含む。ＩＤＴ電極１３は、圧電体層１２２上に形成されている。

第１バスバーは、第２方向Ｄ２を長手方向とする長尺状に形成されており、複数の第１電極指と電気的に接続されている。第２バスバーは、第２方向Ｄ２を長手方向とする長尺状に形成されており、複数の第２電極指と電気的に接続されている。

複数の第１電極指は、第２方向Ｄ２において互いに並んで配置されている。各第１電極指は、第３方向を長手方向とする長尺状に形成されている。複数の第１電極指は、第２方向Ｄ２において互いに対向する状態で平行に配置されている。複数の第２電極指は、第２方向Ｄ２において互いに並んで配置されている。各第２電極指は、第３方向を長手方向とする長尺状に形成されている。複数の第２電極指は、第２方向Ｄ２において互いに対向する状態で平行に配置されている。複数の第１電極指及び複数の第２電極指が１本ずつ交互に並んで配置されている。第３方向は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２の両方と直交する方向である。

第１電極指及び第２電極指の幅をＷ_Ａとし、隣り合う第１電極指と第２電極指とのスペース幅をＳ_Ａとした場合、ＩＤＴ電極１３において、デューティ比は、Ｗ_Ａ／（Ｗ_Ａ＋Ｓ_Ａ）で定義される。ＩＤＴ電極１３のデューティ比は、例えば、０．５である。ＩＤＴ電極１３の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたとき、波長λは、電極指周期と等しい。電極指周期は、複数の第１電極指又は複数の第２電極指の繰り返し周期Ｐ_λＡで定義される。したがって、繰り返し周期Ｐ_λＡとλとは等しい。ＩＤＴ電極１３のデューティ比は、電極指周期の２分の１の値（Ｗ_Ａ＋Ｓ_Ａ）に対する第１電極指及び第２電極指の幅Ｗ_Ａの比である。

ＩＤＴ電極１３の材料は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、若しくはタングステン（Ｗ）、又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金等の適宜の金属材料である。また、ＩＤＴ電極１３は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有してもよい。

（２．３）機能層
機能層１２は、低音速膜１２１と、圧電体層１２２と、を含む。圧電体層１２２は、例えば、圧電膜（以下、「圧電膜１２２」ともいう）である。圧電膜１２２は、低音速膜１２１上に直接的又は間接的に形成されている。したがって、圧電膜１２２は、高音速支持基板を構成する支持基板１１上に間接的に形成されている。低音速膜１２１では、圧電膜１２２を伝搬するバルク波の音速よりも、低音速膜１２１を伝搬するバルク波の音速が低速である。

ここで、低音速膜１２１が、高音速支持基板である支持基板１１と圧電膜１２２との間に形成されていることにより、弾性波の音速が低下する。弾性波は、本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中するという性質を有する。したがって、圧電膜１２２内及び弾性波が励振されているＩＤＴ電極１３内への弾性波のエネルギーの閉じ込め効果を高めることができる。その結果、低音速膜１２１が設けられていない場合に比べて、損失を低減し、Ｑ値を高めることができる。

圧電膜１２２の厚さは、例えば、ＩＤＴ電極１３の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。圧電膜１２２の厚さが３．５λ以下である場合、Ｑ値が高くなる。また、圧電膜１２２の厚さを２．５λ以下とすることで、ＴＣＦ（Temperature Coefficient of Frequency）を小さくすることができる。さらに、圧電膜１２２の厚さを１．５λ以下とすることで、弾性波の音速の調整が容易になる。なお、圧電膜１２２の厚さは、３．５λ以下であることに限定されず、３．５λより大きくてもよい。

圧電膜１２２の材料は、リチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ_３）に限定されず、例えば、リチウムニオベイト（ＬｉＮｂＯ_３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、又はチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）であってもよい。

低音速膜１２１の厚さは、ＩＤＴ電極１３の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとすると、２．０λ以下であることが好ましい。低音速膜１２１の厚さは、例えば、６７０ｎｍである。低音速膜１２１の厚さを２．０λ以下とすることにより、膜応力を低減させることができ、その結果、弾性波装置１の製造時に高音速支持基板の元になるウェハの反りを低減させることができ、良品率の向上及び特性の安定化が可能となる。

低音速膜１２１の材料は、例えば、酸化ケイ素である。なお、低音速膜１２１の材料は、酸化ケイ素に限定されない。低音速膜１２１の材料は、例えば、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素、炭素、若しくはホウ素を加えた化合物、又は、上記各材料を主成分とする材料であってもよい。

（２．４）配線電極
配線電極１５は、外部接続電極１４２とＩＤＴ電極１３とを電気的に接続している。配線電極１５の材料は、例えば、アルミニウム、銅、白金、金、銀、チタン、ニッケル、クロム、モリブデン、若しくはタングステン、又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金等の適宜の金属材料である。また、配線電極１５は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。

配線電極１５は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１において、ＩＤＴ電極１３の一部と圧電膜１２２の一部と絶縁層１６の一部とに重なっている。配線電極１５は、絶縁層１６上に形成されている部分１５１上に外部接続電極１４２が形成されている。配線電極１５は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、絶縁層１６の外周よりも内側に位置している。

（２．５）絶縁層
絶縁層１６は、電気絶縁性を有する。絶縁層１６は、支持基板１１の第１主面１１１上において支持基板１１の外周に沿って形成されている。絶縁層１６は、機能層１２の側面を囲んでいる。絶縁層１６の平面視の形状は、枠形状（例えば、矩形枠状）である。絶縁層１６の一部は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１において機能層１２の外周部に重なっている。つまり、機能層１２の側面は、絶縁層１６により覆われている。

絶縁層１６の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。

（２．６）スペーサ層
スペーサ層１７は、貫通孔１７３を有する。スペーサ層１７は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、ＩＤＴ電極１３の外側に形成され、ＩＤＴ電極１３を囲んでいる。スペーサ層１７は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、支持基板１１の外周に沿って形成されている。スペーサ層１７の平面視の形状は、枠形状である。スペーサ層１７の外周形状及び内周形状は、例えば、長方形状である。スペーサ層１７は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１において絶縁層１６に重なっている。スペーサ層１７の外周端は、絶縁層１６の外周端よりも内側に位置している。スペーサ層１７の内周端は、絶縁層１６の内周端よりも外側に位置している。スペーサ層１７の一部は、絶縁層１６上に形成されている配線電極１５も覆っている。スペーサ層１７は、絶縁層１６の表面上に直接形成されている第１部分と、絶縁層１６の表面上に配線電極１５を介して間接的に形成されている第２部分と、を含む。ここにおいて、第１部分は、絶縁層１６の表面の全周に亘って形成されている。

スペーサ層１７は、電気絶縁性を有する。スペーサ層１７の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。スペーサ層１７の材料は、絶縁層１６の材料と主成分が同じであるのが好ましく、同じ材料であるのがより好ましい。

スペーサ層１７の厚さと絶縁層１６の厚さとの合計厚さは、機能層１２の厚さとＩＤＴ電極１３の厚さとの合計厚さよりも厚い。

（２．７）カバー部材
カバー部材１８は、平板状である。カバー部材１８の平面視の形状（支持基板１１の厚さ方向Ｄ１から見たときの外周形状）は、長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば正方形状であってもよい。カバー部材１８の外周形は、支持基板１１の外周形と略同じ大きさである。カバー部材１８は、スペーサ層１７の貫通孔１７３を塞ぐようにスペーサ層１７上に配置されている。カバー部材１８は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１においてＩＤＴ電極１３から離れている。

カバー部材１８は、電気絶縁性を有する。カバー部材１８の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。カバー部材１８の材料は、スペーサ層１７の材料と主成分が同じであるのが好ましく、同じ材料であるのがより好ましい。

実施形態１に係る弾性波装置１は、空間Ｓ１を有している。空間Ｓ１は、カバー部材１８と、スペーサ層１７と、絶縁層１６と、支持基板１１上の積層体（圧電膜１２２とＩＤＴ電極１３とを含む積層体）と、で囲まれた空間である。空間Ｓ１には、例えば、空気、不活性ガス（例えば、窒素ガス）等の気体が封入される。

（２．８）外部接続電極
実施形態１に係る弾性波装置１は、複数（図１では２つ）の外部接続電極１４２を備えている。各外部接続電極１４２は、弾性波装置１において実装基板２と電気的に接続するための電極である。弾性波装置１では、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、複数の外部接続電極１４２の各々が圧電膜１２２に重なっていない。複数の外部接続電極１４２の各々は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、圧電膜１２２よりも外側に位置している。

弾性波装置１は、貫通電極１４１を更に備えている。貫通電極１４１は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１において、スペーサ層１７及びカバー部材１８を貫通している。貫通電極１４１は、配線電極１５上に形成されており、配線電極１５と電気的に接続されている。貫通電極１４１は、アンダーバンプメタル層を構成する。また、外部接続電極１４２は、貫通電極１４１上に形成されている。外部接続電極１４２は、例えば、バンプである。外部接続電極１４２は、導電性を有する。外部接続電極１４２は、貫通電極１４１と接合されており、貫通電極１４１と電気的に接続されている。

貫通電極１４１の材料は、例えば、銅、若しくはニッケル、又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金等の適宜の金属材料である。外部接続電極１４２の材料は、例えば、はんだ、金、又は銅等である。

（３）実装基板
実装基板２は、外部接続電極１４２を介して、弾性波装置１が実装される基板である。実施形態１に係る電子部品モジュール１００では、１つの弾性波装置１が実装基板２に実装されている。実装基板２は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において弾性波装置１よりも大きい。

実装基板２は、支持体２１と、複数（図１では２つ）の第１導体部２３と、複数（図１では２つ）の第２導体部２５と、複数（図１では２つ）の貫通電極２４と、を有する。複数の第１導体部２３及び複数の第２導体部２５は、それぞれ支持体２１に支持されている。複数の貫通電極２４は、複数の第１導体部２３と複数の第２導体部２５とを一対一で電気的に接続する。複数の第２導体部２５は、電子部品モジュール１００を回路基板等に電気的に接続するために利用される。

支持体２１は、電気絶縁性を有する。支持体２１は、平板状であり、その厚さ方向において互いに反対側にある第１主面２１１及び第２主面２１２を有する。第１主面２１１及び第２主面２１２は、互いに背向する。支持体２１の外周形状は、例えば、長方形状である。

第１導体部２３は、支持体２１の第１主面２１１上に形成されている。第１導体部２３は、弾性波装置１の外部接続電極１４２が電気的に接続される導電層である。第１導体部２３の材料は、例えば、銅等である。第１導体部２３は、弾性波装置１の支持基板１１の厚さ方向Ｄ１において外部接続電極１４２と重なるように配置されている。外部接続電極１４２は、貫通電極１４１と第１導体部２３との間に介在している。

第２導体部２５は、支持体２１の第２主面２１２上に形成されている。第２導体部２５は、第１導体部２３が貫通電極２４を介して電気的に接続される導電層である。第２導体部２５の材料は、例えば、銅等である。

実装基板２は、一例として、プリント配線基板により構成されている。プリント配線基板の線膨張係数は、例えば、１５ｐｐｍ／℃程度である。プリント配線基板は、ガラス布・エポキシ樹脂銅張積層板から形成されている。

支持体２１は、プリント配線基板における絶縁基板により構成されている。絶縁基板は、電気絶縁性を有する。

第１導体部２３及び第２導体部２５は、プリント配線基板における銅箔を含む。

（４）保護層
電子部品モジュール１００では、実装基板２に実装された弾性波装置１は、保護層３により覆われている。電子部品モジュール１００では、弾性波装置１の支持基板１１の第２主面１１２及び各側面１１３が保護層３により覆われている。保護層３の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。保護層３は、実装基板２上の弾性波装置１を封止する封止層としての機能を有する。保護層３は、略直方体状である。保護層３の一部は、弾性波装置１のカバー部材１８と実装基板２との間において外部接続電極１４２の周囲にも形成されている。つまり、保護層３の一部は、アンダーフィル部を構成している。

電子部品モジュール１００は、実装基板２とは別のマザー基板等に表面実装することができる。電子部品モジュール１００では、実装基板２と保護層３とで、弾性波装置１を保護し、かつ外部の電気回路等への接続を可能とするパッケージを構成している。電子部品モジュール１００におけるパッケージは、表面実装型パッケージである。

支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、保護層３の外周形は、実装基板２の外周形と略同じ大きさである。

（５）製造方法
以下では、弾性波装置１、及び電子部品モジュール１００の製造方法の一例について簡単に説明する。

（５．１）弾性波装置の製造方法
まず、複数の弾性波装置１それぞれの支持基板１１の元になるシリコンウェハを準備する。

シリコンウェハの一の主面上に圧電膜１２２を含む機能層１２を形成してから、ＩＤＴ電極１３、絶縁層１６、配線電極１５、スペーサ層１７を順次形成する。その後、スペーサ層１７の貫通孔１７３を塞ぐように、カバー部材１８をスペーサ層１７に接合する。

続いて、カバー部材１８及びスペーサ層１７における貫通電極１４１の形成予定部位に貫通孔を形成し、この貫通孔を埋めるように貫通電極１４１を形成してから、貫通電極１４１上に外部接続電極１４２を形成する。

上述の各工程を経て、シリコンウェハに複数の弾性波装置１が形成されたウェハを得ることができる。シリコンウェハの一の主面は、シリコン基板からなる支持基板１１の第１主面１１１に対応する。

その後、ウェハをダイシングするダイシング工程を行うことにより、１枚のウェハから複数の弾性波装置１を得ることができる。ダイシング工程では、例えば、レーザーソー（Laser Saw）、ダイシングソー（Dicing Saw）等を用いる。

（５．２）電子部品モジュールの製造方法
弾性波装置１を実装基板２に実装し、実装基板２上の弾性波装置１を覆うように保護層３を形成する。これにより、電子部品モジュール１００が形成される。

（６）空洞部の成形方法
次に、空洞部１１４の成形方法の一例について簡単に説明する。

支持基板１１の第１主面１１１側から、第１主面１１１の表層に対してイオン注入装置によりイオン注入を行う。イオン注入装置から支持基板１１に注入されるイオンは、例えば、アルゴンイオンである。そして、アルゴンイオンを支持基板１１に注入した後に、支持基板１１を加熱することによって、支持基板１１に注入されたアルゴンイオンが蒸発し、空洞部１１４が形成される。

この場合において、アルゴンイオンの加速電圧の大きさ、又は支持基板１１の第１主面１１１に対するアルゴンイオンの入射角度等を変えることによって、第１主面１１１からの空洞部１１４の深さ位置を調節することができる。

（７）特性
以下では、弾性波装置１、及び電子部品モジュール１００の特性について説明する。

（７．１）弾性波装置の特性
まず、弾性波装置１の特性について説明する。以下の説明では、圧電膜１２２の材料をリチウムタンタレートとし、圧電膜１２２の厚さを６００ｎｍとする。また、低音速膜１２１の材料を酸化ケイ素とし、低音速膜１２１の厚さを６００ｎｍとする。また、支持基板１１の材料をケイ素とし、支持基板１１の厚さを１００μｍとする。

上述の条件で製造された弾性波装置１を、例えば１００℃の環境下に置く。この場合において、スペーサ層１７及びカバー部材１８の線膨張係数と支持基板１１の線膨張係数とが異なっていることから、線膨張係数差による熱応力が支持基板１１に発生する。実施形態１に係る弾性波装置１では、支持基板１１に空洞部１１４が形成されており、支持基板１１に発生した熱応力は、支持基板１１における空洞部１１４よりも第１主面１１１側の部位に集中することになる。その結果、支持基板１１に空洞部１１４が形成されていない場合に比べて、支持基板１１の中央部分、すなわち圧電膜１２２が積層されている部分にかかる熱応力を低減することができる。具体的には、支持基板１１に空洞部１１４が形成されていない場合の熱応力が、例えば１１ＭＰａであるのに対して、支持基板１１に空洞部１１４が形成されている場合の熱応力は、例えば７ＭＰａである。

このように、支持基板１１に空洞部１１４を形成することによって、圧電膜１２２が積層されている、支持基板１１の中央部分にかかる熱応力を低減することができ、熱応力による支持基板１１の中央部分の応力歪みを低減することができる。その結果、支持基板１１の中央部分に積層されている圧電膜１２２の変形を低減することができ、応力歪みによる弾性波装置１の特性（ここでは圧電特性）の劣化を抑制することができる。

図２は、実施形態１に係る弾性波装置１及び比較例に係る弾性波装置の周波数特性図である。比較例に係る弾性波装置は、実施形態１に係る弾性波装置１と基本的に同じ構成であるが、支持基板に空洞部が形成されていない点で実施形態１に係る弾性波装置１と異なっている。ここで、実施形態１に係る弾性波装置１及び比較例に係る弾性波装置は、１００℃の環境下に一定時間置かれていたと仮定する。

図２における横軸は周波数であり、図２における縦軸はインピーダンスである。図２における実線ａ１は、実施形態１に係る弾性波装置１の周波数特性を示し、図２における破線ｂ１は、比較例に係る弾性波装置の周波数特性を示している。図２では、実施形態１に係る弾性波装置１及び比較例に係る弾性波装置をフィルタとして用いたときの通過帯域がＢａｎｄ２５（１９００ＭＨｚ帯）である場合を示している。

図２から、１８００ＭＨｚ〜２０００ＭＨｚの周波数帯域において、比較例に係る弾性波装置よりも実施形態１に係る弾性波装置１のほうが、通過特性が優れていることが分かる。言い換えると、上記周波数帯域において、比較例に係る弾性波装置の通過特性が劣化している。すなわち、支持基板１１に空洞部１１４を形成することによって、弾性波装置１の特性（ここでは通過特性）の劣化を抑制することができる。

（７．２）電子部品モジュールの特性
次に、電子部品モジュール１００の特性について説明する。

実施形態１に係る電子部品モジュール１００では、弾性波装置１の支持基板１１の線膨張係数は、例えば、４ｐｐｍ／℃程度である。一方、弾性波装置１が実装される実装基板２の線膨張係数は、例えば、１５ｐｐｍ／℃程度である。つまり、実施形態１に係る電子部品モジュール１００では、支持基板１１の線膨張係数と実装基板２の線膨張係数とが異なっており、かつ実装基板２の線膨張係数が支持基板１１の線膨張係数よりも大きい。

ここで、外部接続電極１４２を介して弾性波装置１を実装基板２に接合する場合を想定する。この場合、実装基板２の線膨張係数と支持基板１１の線膨張係数とが異なっていることから、線膨張係数差による熱応力がスペーサ層１７を介して支持基板１１に伝達される。実施形態１に係る弾性波装置１では、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、スペーサ層１７と空洞部１１４とが重なっている。そのため、支持基板１１に伝達された熱応力は、支持基板１１における空洞部１１４よりも第１主面１１１側の部位に集中することになる。その結果、支持基板１１の中央部分、すなわち圧電膜１２２が積層されている部分にかかる熱応力を低減することができ、熱応力による支持基板１１の中央部分の応力歪みを低減することができる。その結果、支持基板１１の中央部分に積層されている圧電膜１２２の変形を低減することができ、応力歪みによる弾性波装置１の特性（ここでは圧電特性）の劣化を抑制することができる。

（８）効果
実施形態１に係る弾性波装置１は、実装基板２に実装される弾性波装置１である。弾性波装置１は、支持基板１１と、圧電体層１２２と、ＩＤＴ電極１３と、外部接続電極１４２と、を備える。圧電体層１２２は、支持基板１１上に直接的又は間接的に形成されている。ＩＤＴ電極１３は、圧電体層１２２上に形成されている。外部接続電極１４２は、実装基板２及びＩＤＴ電極１３に電気的に接続されている。外部接続電極１４２は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、圧電体層１２２と重なっていない。支持基板１１は、空洞部１１４を有している。空洞部１１４は、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、支持基板１１の少なくとも端部に形成されている。

実施形態１に係る弾性波装置１では、支持基板１１の少なくとも端部に空洞部１１４が形成されている。そのため、例えば、支持基板１１の線膨張係数と実装基板２の線膨張係数とが異なっており、支持基板１１に熱応力が発生した場合には、支持基板１１における空洞部１１４よりも第１主面１１側の部位に熱応力が集中することになる。これにより、支持基板１１の中央部分にかかる熱応力を低減することができ、この熱応力による支持基板１１の中央部分の応力歪みを低減することができる。その結果、支持基板１１の中央部分に積層されている圧電膜１２２の変形を低減することができ、応力歪みによる弾性波装置１の特性（ここでは圧電特性）の劣化を抑制することができる。

また、実施形態１に係る弾性波装置１では、外部接続電極１４２と圧電体層１２２は支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において重なっていない。そのため、製造時に外部接続電極１４２を形成する工程において、外部接続電極１４２から圧電体層１２２に力が加わるのを抑制でき、圧電体層１２２に割れや欠けが発生するのを抑制することができる。

（９）変形例
以下、実施形態１の変形例について説明する。

実施形態１では、空洞部１１４が、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において支持基板１１の周方向における一部に形成されているが、空洞部は、支持基板１１の全周に亘って形成されていてもよい。この構成によれば、支持基板１１の周方向における一部に空洞部１１４が形成されている場合に比べて、圧電体層１２２への熱応力の影響をより効果的に低減することができる。

実施形態１では、空洞部１１４が、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、支持基板１１の端部からスペーサ層１７と重なる位置まで延びている。これに対して、空洞部は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、支持基板１１の少なくとも端部に形成されていればよい。より好ましくは、空洞部は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、支持基板１１の端部から、少なくとも外部接続電極１４２と重なる位置まで延びていればよい。さらに好ましくは、空洞部は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、支持基板１１の端部から、外部接続電極１４２とスペーサ層１７との両方と重なる位置まで延びているのがよい。

実施形態１では、支持基板１１の第１主面１１１が（１１１）面であるが、第１主面１１１は（１１１）面に限らず、（１００）面等であってもよい。

実施形態１では、空洞部１１４が、支持基板１１の厚さ方向において、支持基板１１の第２主面１１２よりも第１主面１１１側に設けられているが、空洞部は、厚さ方向Ｄ１において、第１主面１１１よりも第２主面１１２側に設けられていてもよい。

（実施形態２）
実施形態２に係る電子部品モジュール１００ａは、図３に示すように、外部接続電極１４２ａが配線電極１５上に直接的に形成されている点等で、実施形態１に係る電子部品モジュール１００と相違する。実施形態２に係る電子部品モジュール１００ａに関し、実施形態１に係る電子部品モジュール１００と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

実施形態２に係る電子部品モジュール１００ａでは、弾性波装置１ａが、実施形態１に係る電子部品モジュール１００の弾性波装置１におけるスペーサ層１７、カバー部材１８、貫通電極１４１等を備えていない。そして、電子部品モジュール１００ａでは、外部接続電極１４２ａが配線電極１５上に直接的に形成されている。外部接続電極１４２ａは、バンプである。バンプの材料は、例えば、はんだ、Ａｕ等である。

電子部品モジュール１００ａは、レジスト層１５５を更に備えている。レジスト層１５５は、配線電極１５において絶縁層１６上に形成されている部分１５１の周部を覆う。電子部品モジュール１００ａでは、配線電極１５において絶縁層１６上に形成されている部分１５１のうちレジスト層１５５で覆われていない部分が、パッド電極１５２を構成している。外部接続電極１４２ａは、配線電極１５のパッド電極１５２上に形成されている。

実施形態２に係る電子部品モジュール１００ａは、実施形態１に係る電子部品モジュール１００の保護層３と同様に、実装基板２上の弾性波装置１ａを覆う保護層を備えていてもよい。

実施形態２に係る電子部品モジュール１００ａでは、実施形態１に係る電子部品モジュール１００と同様、弾性波装置１ａの支持基板１１に空洞部１１４が形成されている。そのため、例えば、支持基板１１の線膨張係数と実装基板２の線膨張係数とが異なっており、支持基板１１に熱応力が発生した場合には、支持基板１１における空洞部１１４よりも第１主面１１１側の部位に熱応力が集中することになる。これにより、支持基板１１の中央部分にかかる熱応力を低減することができ、この熱応力による支持基板１１の中央部分の応力歪みを低減することができる。その結果、支持基板１１の中央部分に積層されている圧電膜１２２の変形を低減することができ、応力歪みによる弾性波装置１ａの特性（ここでは圧電特性）の劣化を抑制することができる。

なお、実施形態１の変形例に係るいずれかの構成を、実施形態２に係る電子部品モジュール１００ａに組み合わせてもよい。また、機能層１２は、後述する図４に示すように、低音速膜１２１及び圧電膜１２２に加えて、高音速膜１２０を含んでいてもよいし、後述する図５に示すように、機能層１２が圧電膜１２２のみを含んでいてもよい。さらに、支持基板１１と圧電膜１２２とが一体に形成されていてもよい。つまり、支持基板１１が圧電基板であってもよい。

（実施形態３）
実施形態３に係る電子部品モジュール１００ｂでは、図４に示すように、弾性波装置１ｂにおける機能層１２が、高音速膜１２０と、低音速膜１２１と、圧電膜（圧電体層）１２２と、を含む。高音速膜１２０は、支持基板１１上に直接又は間接的に形成されている。高音速膜１２０では、圧電膜１２２を伝搬する弾性波の音速よりも、高音速膜１２０を伝搬するバルク波の音速が高速である。低音速膜１２１は、高音速膜１２０上に直接又は間接的に形成されている。低音速膜１２１では、圧電膜１２２を伝搬するバルク波の音速よりも、低音速膜１２１を伝搬するバルク波の音速が低速である。圧電膜１２２は、低音速膜１２１上に直接又は間接的に設けられている。実施形態３に係る電子部品モジュール１００ｂに関し、実施形態１に係る電子部品モジュール１００（図１参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

実施形態３に係る電子部品モジュール１００ｂの弾性波装置１ｂでは、高音速膜１２０は、メインモードの弾性波のエネルギーが高音速膜１２０より下の構造に漏れないように機能する。

弾性波装置１ｂでは、高音速膜１２０の厚さが十分に厚い場合、メインモードの弾性波のエネルギーは圧電膜１２２及び低音速膜１２１の全体に分布し、高音速膜１２０の低音速膜１２１側の一部にも分布し、支持基板１１には分布しないことになる。高音速膜１２０により弾性波を閉じ込めるメカニズムは、非漏洩なＳＨ波であるラブ波型の表面波の場合と同様のメカニズムであり、例えば、文献「弾性表面波デバイスシミュレーション技術入門」、橋本研也、リアライズ社、ｐ．２６−２８に記載されている。上記メカニズムは、音響多層膜によるブラッグ反射器を用いて弾性波を閉じ込めるメカニズムとは異なる。

高音速膜１２０の材料は、例えば、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、圧電体（リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、又は水晶）、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料である。高音速膜１２０の材料は、上述したいずれかの材料を主成分とする材料、又は、上述したいずれかの材料を含む混合物を主成分とする材料であってもよい。

弾性波を圧電膜１２２及び低音速膜１２１に閉じ込める機能を高音速膜１２０が有するため、高音速膜１２０の厚さは厚いほど望ましい。高音速膜１２０の厚さを０．３λ以上にすることで、共振点でのエネルギー集中度を１００％とすることができる。さらに、高音速膜１２０の厚さを０．５λ以上とすることにより、反共振点でのエネルギー集中度も１００％とすることができ、さらに良好なデバイス特性を得ることができる。

実施形態３に係る電子部品モジュール１００ｂでは、実施形態１に係る電子部品モジュール１００と同様、弾性波装置１ｂの支持基板１１に空洞部１１４が形成されている。そのため、例えば、支持基板１１の線膨張係数と実装基板２の線膨張係数とが異なっており、支持基板１１に熱応力が発生した場合には、支持基板１１における空洞部１１４よりも第１主面１１１側の部位に熱応力が集中することになる。これにより、支持基板１１の中央部分にかかる熱応力を低減することができ、この熱応力による支持基板１１の中央部分の応力歪みを低減することができる。その結果、支持基板１１の中央部分に積層されている圧電膜１２２の変形を低減することができ、応力歪みによる弾性波装置１ｂの特性（ここでは圧電特性）の劣化を抑制することができる。

なお、実施形態１の変形例に係るいずれかの構成を、実施形態３に係る電子部品モジュール１００ｂに組み合わせてもよい。

（実施形態４）
実施形態４に係る電子部品モジュール１００ｃでは、図５に示すように、弾性波装置１ｃにおける機能層１２が、圧電膜１２２である。圧電膜１２２は、支持基板１１上に直接的に形成されている。実施形態４に係る電子部品モジュール１００ｃに関し、実施形態１に係る電子部品モジュール１００（図１参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

実施形態４に係る弾性波装置１ｃでは、支持基板１１は、高音速支持基板を構成している。高音速支持基板は、圧電膜１２２を伝搬する弾性波の音速よりも、高音速支持基板を伝搬するバルク波の音速が高速である。機能層１２は、圧電膜１２２以外の他の膜として、例えば、圧電膜１２２における支持基板１１側に設けられた密着層又は誘電体膜等を有していてもよい。また、機能層１２は、圧電膜１２２におけるＩＤＴ電極１３側に設けられた誘電体膜等を有していてもよい。

ここで、実施形態４に係る弾性波装置１ｃの特性について説明する。以下の説明では、圧電膜１２２の材料をリチウムタンタレートとし、圧電膜１２２の厚さを６００ｎｍとする。また、支持基板１１の材料をケイ素とし、支持基板１１の厚さを１００μｍとする。

上述の条件で製造された弾性波装置１ｃを、例えば１００℃の環境下に置く。この場合において、スペーサ層１７及びカバー部材１８の線膨張係数と支持基板１１の線膨張係数とが異なっていることから、線膨張係数差による熱応力が支持基板１１に発生する。実施形態４に係る弾性波装置１ｃでは、支持基板１１に空洞部１１４が形成されており、支持基板１１に発生した熱応力は、支持基板１１における空洞部１１４よりも第１主面１１１側の部位に集中することになる。その結果、支持基板１１に空洞部１１４が形成されていない場合に比べて、支持基板１１の中央部分、すなわち圧電膜１２２が積層されている部分にかかる熱応力を低減することができる。具体的には、支持基板１１に空洞部１１４が形成されていない場合の熱応力が、例えば１１ＭＰａであるのに対して、支持基板１１に空洞部１１４が形成されている場合の熱応力は、例えば７ＭＰａである。

このように、支持基板１１に空洞部１１４を形成することによって、圧電膜１２２が積層されている、支持基板１１の中央部分にかかる熱応力を低減することができ、熱応力による支持基板１１の中央部分の応力歪みを低減することができる。その結果、支持基板１１の中央部分に積層されている圧電膜１２２の変形を低減することができ、応力歪みによる弾性波装置１ｃの特性（ここでは圧電特性）の劣化を抑制することができる。

ところで、支持基板１１と圧電膜１２２とが一体に形成されていてもよい。つまり、支持基板１１が圧電基板であってもよい。この場合においても、支持基板１１に空洞部１１４が形成されていれば、支持基板１１に発生する熱応力は、支持基板１１における空洞部１１４よりも第１主面１１１側の部位に集中することになる。その結果、支持基板１１に空洞部１１４が形成されていない場合に比べて、支持基板１１の中央部分にかかる熱応力を低減することができる。具体的には、支持基板１１に空洞部１１４が形成されていない場合の熱応力が、例えば４ＭＰａであるのに対して、支持基板１１に空洞部１１４が形成されている場合の熱応力は、例えば２ＭＰａである。

このように、支持基板１１に空洞部１１４を形成することによって、支持基板１１の中央部分にかかる熱応力を低減することができ、熱応力による支持基板１１の中央部分の応力歪みを低減することができる。その結果、応力歪みによる弾性波装置の特性（ここでは圧電特性）の劣化を抑制することができる。

なお、実施形態１の変形例に係るいずれかの構成を、実施形態４に係る電子部品モジュール１００ｃに組み合わせてもよい。

（まとめ）
以上説明した実施形態等から以下の態様が開示されている。

第１の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）は、実装基板（２）に実装される弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）である。弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）は、支持基板（２）と、圧電体層（１２２）と、ＩＤＴ電極（１３）と、外部接続電極（１４２）と、を備える。圧電体層（１２２）は、支持基板（２）上に形成されている。ＩＤＴ電極（１３）は、圧電体層（１２２）上に形成されている。外部接続電極（１４２）は、ＩＤＴ電極（１３）に電気的に接続されている。外部接続電極（１４２）は、支持基板（１１）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、圧電体層（１２２）と重なっていない。支持基板（２）は、空洞部（１１４）を有している。空洞部（１１４）は、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、支持基板（１１）の少なくとも端部に形成されている。

この態様によれば、弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）の特性の劣化を抑制することができる。

第２の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、第１の態様において、空洞部（１１４）は、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、支持基板（１１）の上記端部から少なくとも外部接続電極（１４２）と重なる位置まで延びている。

この態様によれば、弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）の特性の劣化を抑制することができる。

第３の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）は、第１又は２の態様において、スペーサ層（１７）と、カバー部材（１８）と、を更に備える。スペーサ層（１７）は、支持基板（１１）上に形成されている。カバー部材（１８）は、スペーサ層（１７）上に形成されている。外部接続電極（１４２）は、カバー部材（１８）上に形成されている。空洞部（１１４）は、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、支持基板（１１）の上記端部からスペーサ層（１７）と重なる位置まで延びている。

この態様によれば、弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）の特性の劣化を抑制することができる。

第４の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、第１〜３の態様のいずれか１つにおいて、支持基板（１１）は、シリコン基板である。支持基板（１１）における圧電体層（１２２）側の面（第１主面１１１）は、｛１１１｝面である。

第５の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、第１〜４の態様のいずれか１つにおいて、支持基板（１１）は、圧電体層（１２２）側の第１主面（１１１）と、第１主面（１１１）と背向する第２主面（１１２）と、を有している。空洞部（１１４）は、厚さ方向（Ｄ１）において、第２主面（１１２）よりも第１主面（１１１）側に設けられている。

この態様によれば、支持基板（１１）における空洞部（１１４）よりも第１主面（１１１）側の部位が変形しやすくなり、その結果、支持基板（１１）における中央部分の変形を抑制することができる。

第６の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）は、第１〜５の態様のいずれか１つにおいて、低音速膜（１２１）を更に備える。低音速膜（１２１）は、支持基板（１１）と圧電体層（１２２）との間に設けられている。低音速膜（１２１）では、圧電体層（１２２）を伝搬するバルク波の音速よりも、低音速膜（１２１）を伝搬するバルク波の音速が低速である。支持基板（１１）は、高音速支持基板である。高音速支持基板では、圧電体層（１２２）を伝搬する弾性波の音速よりも、高音速支持基板を伝搬するバルク波の音速が高速である。

この態様によれば、弾性波装置（１；１ａ）のＱ値を高めることができる。

第７の態様に係る弾性波装置（１ｂ）は、第１〜５の態様のいずれか１つにおいて、高音速膜（１２０）と、低音速膜（１２１）と、を更に備える。高音速膜（１２０）は、支持基板（１１）上に形成されている。高音速膜（１２０）では、圧電体層（１２２）を伝搬する弾性波の音速よりも、高音速膜（１２０）を伝搬するバルク波の音速が高速である。低音速膜（１２１）は、高音速膜（１２０）と圧電体層（１２２）との間に設けられている。低音速膜（１２１）では、圧電体層（１２２）を伝搬するバルク波の音速よりも、低音速膜（１２１）を伝搬するバルク波の音速が低速である。

この態様によれば、弾性波装置（１ｂ）のＱ値を高めることができる。

第８の態様に係る電子部品モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）は、第１〜７の態様のいずれか１つに係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）と、弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）が実装される実装基板（２）と、を備える。

この態様によれば、弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）の特性の劣化を抑制することができる。

１，１ａ，１ｂ，１ｃ 弾性波装置
１１ 支持基板
１１１ 第１主面
１１２ 第２主面
１１４ 空洞部
１２０ 高音速膜
１２１ 低音速膜
１２２ 圧電体層
１３ ＩＤＴ電極
１４２ 外部接続電極
１７ スペーサ層
１８ カバー部材
２ 実装基板
１００，１００ａ，１００ｂ，１００ｃ 電子部品モジュール
Ｄ１ 厚さ方向

Claims (8)

1. 実装基板に実装される弾性波装置であって、
   支持基板と、
   前記支持基板上に形成されている圧電体層と、
   前記圧電体層上に形成されているＩＤＴ電極と、
   前記ＩＤＴ電極に電気的に接続されている外部接続電極と、を備え、
   前記外部接続電極は、前記支持基板の厚さ方向からの平面視において、前記圧電体層と重なっておらず、
   前記支持基板は、前記厚さ方向からの平面視において、前記支持基板の少なくとも端部に形成されている空洞部を有しており、
   前記空洞部は、前記厚さ方向からの平面視において、前記ＩＤＴ電極と重なる位置には延伸されていない、
   弾性波装置。
2. 前記空洞部は、前記厚さ方向からの平面視において、前記支持基板の前記端部から少なくとも前記外部接続電極と重なる位置まで延びている、
   請求項１に記載の弾性波装置。
3. 前記支持基板上に形成されているスペーサ層と、
   前記スペーサ層上に形成されているカバー部材と、を更に備え、
   前記外部接続電極は、前記カバー部材上に形成されており、
   前記空洞部は、前記厚さ方向からの平面視において、前記支持基板の前記端部から前記スペーサ層と重なる位置まで延びている、
   請求項１又は２に記載の弾性波装置。
4. 前記支持基板は、シリコン基板であり、
   前記支持基板における前記圧電体層側の面は、｛１１１｝面である、
   請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
5. 前記支持基板は、
   前記圧電体層側の第１主面と、
   前記第１主面と背向する第２主面と、を有しており、
   前記空洞部は、前記厚さ方向において、前記第２主面よりも前記第１主面側に設けられている、
   請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
6. 前記支持基板と前記圧電体層との間に設けられており、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜を更に備え、
   前記支持基板は、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速支持基板である、
   請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
7. 前記支持基板上に形成されており、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速膜と、
   前記高音速膜と前記圧電体層との間に設けられており、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜と、を更に備える、
   請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性波装置と、
   前記弾性波装置が実装される前記実装基板と、を備える、
   電子部品モジュール。

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