JP6927690B2 - 半導体デバイス検査装置及び半導体デバイス検査方法 - Google Patents
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Claims (13)
- 被検査体である半導体デバイスに対するテストパターン信号の入力に応じて出力される結果信号に基づいて当該半導体デバイスを検査する半導体デバイス検査装置であって、
前記半導体デバイスに対向して配置され、超音波を発生する超音波振動子と、
前記半導体デバイスと前記超音波振動子との相対位置を移動させるステージと、
前記半導体デバイスに与えられる前記超音波による刺激の条件を制御する刺激条件制御部と、
前記テストパターン信号が入力された前記半導体デバイスから出力されたテスト信号に基づいて生成されたPass/Fail情報を示す前記結果信号、及び、前記半導体デバイスと前記超音波振動子との相対位置に基づく前記超音波の照射位置、に基づいて、前記照射位置に対応させて前記結果信号がマッピングされた測定画像を生成する解析部と、を含み、
前記刺激条件制御部は、前記ステージの移動を制御するステージ制御部を含み、
前記ステージ制御部は、1ピクセルにおける前記ステージの停止時間を制御することにより、前記半導体デバイスに与えられる前記超音波の刺激を制御する、半導体デバイス検査装置。 - 前記刺激条件制御部は、前記超音波振動子を駆動させる駆動信号を当該超音波振動子に出力する信号生成部を含む、請求項1に記載の半導体デバイス検査装置。
- 前記信号生成部は、前記駆動信号を制御することによって、前記超音波の周波数、パルス数、パルス間隔及びパルス強度のうち少なくとも一つを制御する、請求項2に記載の半導体デバイス検査装置。
- 前記ステージ制御部は、前記ステージの移動速度、移動間隔及び移動距離のうち少なくとも一つを制御する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体デバイス検査装置。
- 前記半導体デバイスで反射された前記超音波の反射波を検出する反射波検出部を更に備え、
前記解析部は、前記反射波検出部からの検出信号に基づいて反射画像を生成する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体デバイス検査装置。 - 前記解析部は、前記測定画像と前記反射画像とを重畳した重畳画像を生成する、請求項5に記載の半導体デバイス検査装置。
- 前記超音波振動子はアレイ振動子を含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体デバイス検査装置。
- 被検査体である半導体デバイスの検査を行う半導体デバイス検査方法であって、
前記半導体デバイスに対してテストパターン信号を入力する入力ステップと、
前記半導体デバイスに与えられる超音波による刺激の条件を制御する刺激条件制御ステップと、
前記条件に基づいて前記超音波を発生して、前記半導体デバイスに前記超音波を走査する超音波走査ステップと、
前記テストパターン信号の入力に応じて前記半導体デバイスから出力されたテスト信号に基づいて生成されたPass/Fail情報を示す結果信号、及び、前記超音波走査ステップにおけると前記超音波の照射位置、に基づいて、前記照射位置に対応させて前記結果信号がマッピングされた測定画像を生成する測定画像生成ステップと、を含む、
前記刺激条件制御ステップは、前記半導体デバイスに対する前記超音波の照射位置の移動を制御する移動制御ステップを含み、
前記移動制御ステップは、1ピクセルにおける前記超音波の照射位置の停止時間を制御することにより、前記半導体デバイスに与えられる前記超音波の刺激を制御する、半導体デバイス検査方法。 - 前記刺激条件制御ステップは、前記超音波を発生する超音波振動子を駆動制御するための駆動信号を生成する信号生成ステップを含む、請求項8に記載の半導体デバイス検査方法。
- 前記信号生成ステップでは、前記駆動信号を制御することによって、前記超音波の周波数、パルス数、パルス間隔及びパルス強度のうち少なくとも一つを制御する、請求項9に記載の半導体デバイス検査方法。
- 前記移動制御ステップでは、前記半導体デバイスに対する前記超音波の照射位置の移動速度、移動間隔及び移動距離のうち少なくとも一つを制御する、請求項8〜10のいずれか一項に記載の半導体デバイス検査方法。
- 前記半導体デバイスで反射された前記超音波の反射波を検出して検出信号を生成し、当該検出信号に基づいて反射画像を生成する反射画像生成ステップを更に有する、請求項8〜11のいずれか一項に記載の半導体デバイス検査方法。
- 前記測定画像と前記反射画像とを重畳した重畳画像を生成する重畳画像生成ステップを更に有する、請求項12に記載の半導体デバイス検査方法。
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