JP6994558B2 - タッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、タッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置及びその製造方法に関する。

情報化社会が発展するにつれて、様々な形態の表示装置が開発されている。最近では、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ；ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ；ＰＤＰ）、有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ；ＯＬＥＤ）などの様々な表示装置が活用されている。

有機発光表示装置を構成する有機発光素子は、自己発光型であって、別の光源を必要としないため、表示装置の厚さと重さを減らすことができる。有機発光表示装置は、低消費電力、高輝度及び高反応速度などの高品位特性を示す。

一方、有機発光表示装置は、ユーザーからタッチ基盤の入力方式の提供を受けることができるように実現されたタッチ表示装置を含むことができる。このようなタッチ表示装置は、タッチ電極に形成されるキャパシタンスの変化に基づいてタッチ入力を感知することにより、ユーザーの入力を検出する容量性タッチセンシング方式が広く使われている。

本発明が解決しようとする技術的課題は、発光素子上にタッチ電極及びカラーフィルターを実装した有機発光ダイオード表示装置を提供することである。
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、発光素子上にタッチ電極及びカラーフィルターを実装した有機発光ダイオード表示装置の製造方法を提供することである。
本発明の技術的課題は、上述した技術的課題に限定されず、上述していない別の技術的課題は、以降の記載から当業者に明確に理解されるだろう。

上記の技術的課題を解決するための本発明の幾つかの実施形態に係るタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置は、複数の発光領域が定義された基板と、前記基板上における前記複数の発光領域に設けられた複数の発光素子と、前記複数の発光素子を覆う第１封止膜と、前記複数の発光領域とそれぞれ対応するように前記第１封止膜上に設けられた複数のカラーフィルターと、前記第１封止膜上における前記複数のカラーフィルター同士の間に設けられた複数のブリッジ電極と、前記第１封止膜上に、前記ブリッジ電極を覆い且つ前記複数のカラーフィルターを取り囲むように設けられたバンク絶縁膜と、前記バンク絶縁膜上に、前記ブリッジ電極とオーバーラップして設けられた複数のタッチ電極と、前記複数のカラーフィルターとバンク絶縁膜を覆い、前記複数のタッチ電極を露出させる平坦化膜と、を含み、前記複数のタッチ電極の少なくとも一つは、前記平坦化膜の側面に沿って設けられたタッチラインに接続される。

本発明の幾つかの実施形態において、前記バンク絶縁膜を貫通して、前記複数のタッチ電極及び前記複数のブリッジ電極のうち、互いに垂直にオーバーラップするタッチ電極とブリッジ電極とを接続する、コンタクトをさらに含んでもよい。
本発明の幾つかの実施形態において、前記コンタクトと前記タッチ電極とは一体に設けられてもよい。
本発明の幾つかの実施形態において、前記タッチ電極の少なくとも一部は、前記平坦化膜上に突出してもよい。
本発明の幾つかの実施形態において、前記タッチ電極の一部は、前記カラーフィルターと垂直にオーバーラップするように前記平坦化膜上に延びてもよい。
本発明の幾つかの実施形態において、前記ブリッジ電極と前記カラーフィルターは、同一平面上に設けられてもよい。
本発明の幾つかの実施形態において、前記カラーフィルターと、前記ブリッジ電極の一部とは接触してもよい。
本発明の幾つかの実施形態において、前記第１封止膜は、前記複数の発光素子上に順に設けられた第１無機膜、有機膜及び第２無機膜を含んでもよい。

上記の技術的課題を解決するための本発明の幾つかの実施形態に係るタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置の製造方法は、基板上の複数の発光領域内に複数の発光素子を形成するステップと、前記複数の発光素子を覆う第１封止膜を形成するステップと、前記第１封止膜上にブリッジ電極を形成するステップと、前記第１封止膜上に、前記複数の発光領域に対応する前記第１封止膜の一部、及び前記ブリッジ電極を露出させるバンク絶縁膜を形成するステップと、前記バンク絶縁膜によって露出された前記第１封止膜上にそれぞれ複数のカラーフィルターを形成するステップと、前記複数のカラーフィルターと前記バンク絶縁膜を覆うように平坦化膜を形成するステップと、前記バンク絶縁膜上に、前記ブリッジ電極と垂直にオーバーラップするようにタッチ電極を形成するステップと、前記タッチ電極及び前記平坦化膜を覆う第２封止膜を形成するステップと、を含み、前記タッチ電極を形成するステップは、前記平坦化膜の側面に沿ってタッチラインを一緒に形成することを含む。

本発明の幾つかの実施形態において、前記タッチ電極を形成するステップは、前記バンク絶縁膜によって露出されたブリッジ電極上にコンタクトを形成し、前記バンク絶縁膜上にタッチ電極を形成して前記ブリッジ電極と前記タッチ電極とを接続させることを含んでもよい。
本発明の幾つかの実施形態において、前記複数のカラーフィルターを形成するステップは、前記バンク絶縁膜によって露出された前記第１封止膜上に顔料を注入して、前記バンク絶縁膜によって取り囲まれた複数のカラーフィルターを形成することを含んでもよい。
本発明の幾つかの実施形態において、前記平坦化膜を形成するステップは、前記タッチ電極が形成される領域を除いて、前記バンク絶縁膜と前記カラーフィルターを覆うように透明な有機物質をインクジェット方式で塗布することを含んでもよい。
本発明の幾つかの実施形態において、前記第１封止膜を形成するステップは、前記複数の発光素子上に順次、第１無機膜、有機膜及び第２無機膜を形成することを含んでもよい。

本発明の実施形態に係るタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置は、ＣｏＥ（Ｃｏｌｏｒ ｆｉｌｔｅｒ ｏｎ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）及びＴｏＥ（Ｔｏｕｃｈ ｏｎ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）構造において複数のタッチ電極間を接続するブリッジ電極がカラーフィルターと同一平面上に形成される。したがって、ブリッジ電極及びタッチ電極の全てがカラーフィルター上に形成される構造よりも厚さが減少する可能性があり、これにより全体表示装置の厚さが減少する効果を得ることができる。
また、タッチ電極とブリッジ電極が発光領域同士の間に配置されることにより、タッチ電極とブリッジ電極は一種のブラックマトリックスとして機能することができる。
本発明の効果は、上述した効果に限定されず、上述していない別の効果は、請求の範囲の記載から当業者に明確に理解されるだろう。

本発明の幾つかの実施形態に係るタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置の斜視図である。 本発明の幾つかの実施形態に係るタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置のブロック図である。 図２に示された画素の幾つかの実施形態を示す回路図である。 本発明の幾つかの実施形態に係るタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置のタッチセンサーを示す平面図である。 図４のII－II’を切断して示した本発明の幾つかの実施形態に係るタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置の画素構造である。 図４のII－II’を切断して示した本発明の他の幾つかの実施形態に係るタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置の画素構造である。 図４のII－II’を切断して示した本発明の別の幾つかの実施形態に係るタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置の画素構造である。 本発明の幾つかの実施形態に係るタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための中間ステップ図である。 本発明の幾つかの実施形態に係るタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための中間ステップ図である。 本発明の幾つかの実施形態に係るタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための中間ステップ図である。 本発明の幾つかの実施形態に係るタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための中間ステップ図である。 本発明の幾つかの実施形態に係るタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための中間ステップ図である。

以下、添付図面を参照して様々な実施形態を説明する。本明細書において、ある構成要素（又は領域、層、部分など）が他の構成要素の「上にある」、「接続される」、又は「結合される」と記載される場合、それは他の構成要素の上に直接連結／結合されることも、それらの間に第３の構成要素が配置されることもあることを意味する。

同じ図面符号は同じ構成要素を指す。また、図面において、構成要素の厚さ、割合及び寸法は、技術的内容の効果的な説明のために誇張されている。「及び／又は」は、関連する構成が定義することができる一つ以上の組み合わせを全て含む。

第１、第２などの用語は、多様な構成要素を説明するために使用できるが、これらの構成要素は、これらの用語によって限定されない。これらの用語は、一つの構造要素を他の構成要素から区別する目的にのみ使用される。例えば、様々な実施形態の権利範囲を逸脱することなく、第１の構成要素は第２の構成要素と命名されることもあり、同様に第２の構成要素も第１の構成要素と命名されることもある。単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味を有しない限り、複数の表現を含む。

また、「下に」、「下側に」、「上に」、「上側に」などの用語は、図面に示した構成の連関関係を説明するために使用される。これらの用語は、相対的な概念であって、図面に示した方向を基準に説明される。
「含む」又は「有する」などの用語は、本明細書上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品又はこれらの組み合わせが存在することを指定するためのものであって、一つ又はそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部品又はこれらの組み合わせの存在又は付加可能性を予め排除しないものと理解されるべきである。

図１は本発明の幾つかの実施形態に係るタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置の斜視図、図２は本発明の幾つかの実施形態に係るタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置のブロック図である。

図１及び図２を参照すると、本発明の幾つかの実施形態に係るタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置は、タイミング制御部１０、ゲート駆動部２０、データ駆動部３０、電源供給部４０、表示パネル５０、及びタッチ回路部８０を含むことができる。

タイミング制御部１０は、外部から画像信号ＲＧＢ及び制御信号ＣＳを受信することができる。画像信号ＲＧＢは、複数の階調データを含むことができる。制御信号ＣＳは、例えば、水平同期信号、垂直同期信号及びメインクロック信号を含むことができる。

タイミング制御部１０は、画像信号ＲＧＢ及び制御信号ＣＳを表示パネル５０の動作条件に適合するように処理することにより、画像データＤＡＴＡ、ゲート駆動制御信号ＣＯＮＴ１、データ駆動制御信号ＣＯＮＴ２などを生成及び出力することができる。

ゲート駆動部２０は、複数のゲートラインＧＬ１～ＧＬｎを介して表示パネル５０の画素ＰＸに接続できる。ゲート駆動部２０は、タイミング制御部１０から出力されるゲート駆動制御信号ＣＯＮＴ１に基づいて、ゲート信号を生成することができる。ゲート駆動部２０は、生成されたゲート信号を複数のゲートラインＧＬ１～ＧＬｎを介して画素ＰＸに提供することができる。

データ駆動部３０は、複数のデータラインＤＬ１～ＤＬｍを介して表示パネル５０の画素ＰＸに接続できる。データ駆動部３０は、タイミング制御部１０から出力される画像データＤＡＴＡ及びデータ駆動制御信号ＣＯＮＴ２に基づいて、データ信号を生成することができる。データ駆動部３０は、生成されたデータ信号を複数のデータラインＤＬ１～ＤＬｍを介して画素ＰＸに提供することができる。

タイミング制御部１０、ゲート駆動部２０、データ駆動部３０及び電源供給部４０は、それぞれ別個の集積回路（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ；ＩＣ）で構成されるか、或いは少なくとも一部が統合された集積回路で構成され得る。例えば、データ駆動部３０及び電源供給部４０の少なくとも一つが、タイミング制御部１０と統合された集積回路で構成できる。

表示パネル５０は、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡを含む。表示領域ＤＡは、画素ＰＸが配置される領域であって、活性領域（Ａｃｔｉｖｅ Ａｒｅａ）と命名できる。非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡの周辺に配置できる。例えば、非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡの縁部に沿って配置できる。非表示領域ＮＤＡは、表示パネル５０上における、表示領域ＤＡを除いた残りの領域を包括的に意味することができ、非活性領域（Ｎｏｎ－Ａｃｔｉｖｅ Ａｒｅａ）と命名できる。

非表示領域ＮＤＡには、画素ＰＸを駆動するための駆動部として例えばゲート駆動部２０が設けられ得る。ゲート駆動部２０は、非表示領域ＮＤＡにおいて、表示領域ＤＡの一側又は両側に隣接して配置できる。ゲート駆動部２０は、図１に示すように、表示パネル５０の非表示領域ＮＤＡにゲートインパネル方式で形成できる。しかし、他の実施形態において、ゲート駆動部２０は、駆動チップで製作されて軟性フィルムなどに実装され、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式で非表示領域ＮＤＡに付着できる。

非表示領域ＮＤＡにはパッド領域ＰＡが定義できる。パッド領域ＰＡには、複数のパッド（図示せず）が設けられ得る。パッドは、絶縁層によって覆われずに表示パネル５０の外部に露出され、データ駆動部３０及び回路ボード７０などと電気的に接続できる。

表示パネル５０は、画素ＰＸへ電気信号を供給するための配線を含むことができる。配線は、例えば、ゲートラインＧＬ１～ＧＬｎ、データラインＤＬ１～ＤＬｍ及び電源ラインＰＬ１、ＰＬ２を含むことができる。

表示パネル５０には、複数の画素ＰＸ（又は、サブ画素と命名される）が配置される。画素ＰＸは、例えば、表示パネル５０上にマトリックス状に配列できる。

それぞれの画素ＰＸは、対応するゲートライン及びデータラインに電気的に接続できる。これらの画素ＰＸは、ゲートラインＧＬ１～ＧＬｎ及びデータラインＤＬ１～ＤＬｍを介して供給されるゲート信号及びデータ信号に対応する輝度で発光することができる。

それぞれの画素ＰＸは、第１色乃至第３色のうちのいずれか１色を表示することができる。一実施形態において、それぞれの画素ＰＸは、赤色、緑色及び青色のうちのいずれかの色を表示することができる。他の実施形態において、それぞれの画素ＰＸは、シアン、マゼンタ及び黄色のうちのいずれかを表示することができる。様々な実施形態において、画素ＰＸは、４つ以上の色のうちのいずれか１色を表示するように構成できる。例えば、それぞれの画素ＰＸは、赤色、緑色、青色及び白色のうちのいずれか１色を表示することもできる。

表示パネル５０には第１及び第２タッチ電極が形成できる。第１タッチ電極は、第２タッチ電極と交差するように形成できる。第１タッチ電極と第２タッチ電極との交差部のそれぞれにタッチセンサーが形成できる。以下、本発明の実施形態に実現されたタッチセンサーは、相互容量（ｍｕｔｕａｌ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）方式で実現されたものと説明したが、これは例示的なものに過ぎず、本発明がこれに限定されるものではない。第１及び第２タッチ電極についての詳細な説明は、図４を用いて後述する。

軟性フィルム６０は、一端が表示パネル５０のパッド領域ＰＡに付着し、他端が回路ボード７０に付着することにより、表示パネル５０と回路ボード７０とを電気的に接続することができる。軟性フィルム６０は、パッド領域ＰＡに形成されたパッドと回路ボード７０の配線とを電気的に接続するための複数の配線を含むことができる。一実施形態において、軟性フィルム６０は、異方性導電フィルム（ａｎｔｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｆｉｌｍ；ＡＣＦ）を介してパッド上に付着することができる。

データ駆動部３０が駆動チップで製作される場合、データ駆動部３０は、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）又はＣＯＰ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｐｌａｓｔｉｃ）方式で軟性フィルム６０に実装できる。データ駆動部３０は、タイミング制御部１０から受信される画像データＤＡＴＡ及びデータ駆動制御信号ＣＯＮＴ２に基づいてデータ信号を生成し、該データ信号を接続されたパッドを介してデータラインＤＬ１～ＤＬｍへ出力することができる。

回路ボード７０には、駆動チップで実現された多数の回路が実装できる。回路ボード７０は、プリント回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）又はフレキシブルプリント回路基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）であり得るが、回路ボード７０の種類がこれに限定されない。

回路ボード７０は、集積回路の形で実装されたタイミング制御部１０及び電源供給部４０を含むことができる。図３では、タイミング制御部１０と電源供給部４０が別個の構成要素であることを示しているが、本実施形態はこれに限定されない。つまり、様々な実施形態において、電源供給部４０は、タイミング制御部１０と一体に形成されるか、或いはタイミング制御部１０が電源供給部４０の機能を行うように構成され得る。

タッチ回路部８０は、タッチ駆動部８１とタッチ制御部８２を含むことができる。タッチ回路部８０は、表示パネル５０のタッチ動作を実現するために、表示パネル５０に接続されたタッチラインを介してタッチ信号のスキャンのための駆動パルスを表示パネル５０に供給し、タッチセンサーのそれぞれのチャージ変化量を検知してタッチ有無及び／又はタッチ座標を検知することができる。

具体的には、タッチ駆動部８１は、タッチ信号のスキャンのための駆動パルスを表示パネル５０に供給し、タッチセンサーのそれぞれのチャージ変化量を検知することができる。

タッチ制御部８２は、タッチ駆動部８１から駆動パルスが出力されるとき、チャージ変化量を受信するためのタッチライン選択信号を生成することができる。タッチ制御部８２は、タッチ駆動部８１の動作タイミングを制御するためのタイミング制御信号を生成することができる。また、タッチ制御部８２は、タッチ駆動部８１からタッチセンサーのチャージ変化量を受信してタッチ座標を算出し、タッチ座標の情報をホストシステムに提供することができる。

タッチ回路部８０は、一つ又は二つ以上の部品、例えば集積回路で実現でき、表示装置１の駆動回路とは別に実現されてもよい。又は、タッチ回路部８０の全部又は一部は、表示装置１の駆動回路及びその内部回路のうちの一つ以上と統合されてもよい。

図３は図２に示された画素ＰＸの幾つかの実施形態を示す回路図である。図３はｉ番目のゲートラインＧＬ_ｉとｊ番目のデータラインＤＬ_ｊに接続される画素ＰＸ_ｉｊを例として示す。

図３を参照すると、画素ＰＸ_ｉｊは、スイッチングトランジスタＳＴ、駆動トランジスタＤＴ、ストレージキャパシタＣｓｔ及び発光素子ＬＤを含む。

スイッチングトランジスタＳＴの第１電極（例えば、ソース電極）は、ｊ番目のデータラインＤＬ_ｊに電気的に接続され、第２電極（例えば、ドレイン電極）は、第１ノードＮ１に電気的に接続される。スイッチングトランジスタＳＴのゲート電極は、ｉ番目のゲートラインＧＬ_ｉに電気的に接続される。スイッチングトランジスタＳＴは、ｉ番目のゲートラインＧＬ_ｉにゲートオンレベルのゲート信号が印加されるとオンになり、ｊ番目のデータラインＤＬ_ｊに印加されるデータ信号を第１ノードＮ１に伝達する。

ストレージキャパシタＣｓｔの第１電極は第１ノードＮ１に電気的に接続され、第２電極は発光素子ＬＤのアノード電極に接続され得る。ストレージキャパシタＣｓｔに蓄積されたデータ電圧に応じて、駆動トランジスタＤＴは、高電位駆動電圧ＥＬＶＤＤと低電位駆動電圧ＥＬＶＳＳとの間に駆動電流が流れるように動作する。

駆動トランジスタＤＴの第１電極（例えば、ソース電極）は、高電位駆動電圧ＥＬＶＤＤの提供を受けるように構成され、第２電極（例えば、ドレイン電極）は、発光素子ＬＤの第１電極（例えば、アノード電極）に電気的に接続される。駆動トランジスタＤＴのゲート電極は、第１ノードＮ１に電気的に接続される。駆動トランジスタＤＴは、第１ノードＮ１を介してゲートオンレベルの電圧が印加されるとオンになり、ゲート電極に提供される電圧に応じて、発光素子ＬＤを流れる駆動電流の量を制御することができる。

発光素子ＬＤは、駆動電流に対応する光を出力する。発光素子ＬＤは、赤色、緑色及び青色のうちのいずれかに対応する光を出力することができる。発光素子ＬＤは、有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ；ＯＬＥＤ）、又はマイクロ乃至ナノスケールの範囲の大きさを持つ超小型無機発光ダイオードであり得るが、本発明はこれに限定されない。以下では、発光素子ＬＤが有機発光ダイオードで構成される実施形態を説明する。

本発明の様々な実施形態において、画素ＰＸ_ｉｊの構造は、図３に示されたものに限定されない。実施形態によって、画素ＰＸ_ｉｊは、駆動トランジスタＤＴのしきい電圧を補償するか、或いは駆動トランジスタＤＴのゲート電極の電圧及び／又は発光素子ＬＤのアノード電極の電圧を初期化するための少なくとも一つの素子をさらに含んでもよい。

図３ではスイッチングトランジスタＳＴ及び駆動トランジスタＤＴがＮＭＯＳトランジスタである例を示しているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、それぞれの画素ＰＸ_ｉｊを構成するトランジスタのうちの少なくとも一部又は全部は、ＰＭＯＳトランジスタで構成できる。

本発明の幾つかの実施形態において、スイッチングトランジスタＳＴ及び駆動トランジスタＤＴのそれぞれは、低温多結晶（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙ Ｓｉｌｉｃｏｎ；ＬＴＰＳ）薄膜トランジスタ、酸化物薄膜トランジスタ又は低温多結晶酸化物（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ；ＬＴＰＯ）薄膜トランジスタで実現できる。

図４は本発明の幾つかの実施形態に係るタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置のタッチセンサーを示す平面図である。
図４を参照すると、本発明の幾つかの実施形態に係るタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置が、第１方向Ｙに並べて配列された第１タッチ電極ＴＥと、第２方向Ｘに並べて配置された第２タッチ電極ＲＥと、を含むことができる。
第１タッチ電極ＴＥと第２タッチ電極ＲＥとの交差地点には、タッチセンサーに該当する相互容量が形成できる。

第１方向Ｙに互いに接続された第１タッチ電極ＴＥのうち、縁部に配置された第１タッチ電極ＴＥは、第１タッチラインＴＬに接続できる。第１タッチラインＴＬは、非表示領域ＮＤＡに位置したパッドＰＡＤを介してタッチ駆動部８１に接続され、第１タッチ電極ＴＥは、第１タッチラインＴＬを介してタッチ駆動部８１から駆動パルスの入力を受けることができる。

第２方向Ｘに互いに接続された第２タッチ電極ＲＥのうち、縁部に配置された第２タッチ電極ＲＥは、第２タッチラインＲＬに接続できる。第２タッチラインＲＬは、パッドＰＡＤを介してタッチ駆動部８１に接続され、第２タッチ電極ＲＥは、第１タッチラインＴＬを介してタッチ駆動部８１から駆動パルスの入力を受けることができる。

第１方向Ｙに並べて配列された第１タッチ電極ＴＥは、ブリッジ電極ＢＥを介して互いに接続できる。さらに具体的には、第１タッチ電極ＴＥはコンタクトホールＣＨを介してブリッジ電極ＢＥに接続できる。

図５は図４のII－II’を切断して示した本発明の幾つかの実施形態に係るタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置の画素構造である。
図５を参照すると、本発明の幾つかの実施形態に係るタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置は、基板１００、トランジスタ１１０、ゲート絶縁膜１２０、パッシベーション膜１３０、オーバーコート膜１４０、発光素子１５０、第１バンク絶縁膜１５５、第１封止膜１６０、平坦化膜１７０、第２バンク絶縁膜１８０、カラーフィルター１９０及び第２封止膜２２０を含むことができる。

基板１００は、表示パネル５０のベース基材であって、透光性基板であり得る。基板１００は、ガラス又は強化ガラスを含むリジッド基板（ｒｉｇｉｄ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）又はプラスチック材質のフレキシブル基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）であり得る。例えば、基板１００は、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ；ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ；ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ；ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ；ＰＣ）などのプラスチック材料で形成できるが、本発明はこれに限定されるものではない。

回路素子層は、基板１００上に形成され、画素ＰＸを構成する回路素子（例えば、トランジスタ１１０及びキャパシタなど）及び配線を含むことができる。
図示してはいないが、幾つかの実施形態において、基板１００とトランジスタ１１０との間には、外部光を遮断する光遮断層や、基板から不純物及び水分を遮断するバッファ層がさらに形成されてもよい。

基板１００上にトランジスタ１１０が形成できる。トランジスタ１１０は、ゲート電極１１１、アクティブパターン１１２、ソース電極１１３及びドレイン電極１１４を含むことができる。

ゲート電極１１１は、アクティブパターン１１２のチャンネルが形成される部分に対応するように配置できる。ゲート電極１１１は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）よりなる群から選択されたいずれか一つ、又はこれらの合金で形成される。また、ゲート電極１１１は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）よりなる群で選択されたいずれか一つ又はこれらの合金からなる多重層であり得る。例えば、ゲート電極１１１は、モリブデン／アルミニウム－ネオジム又はモリブデン／アルミニウムの２重層であり得る。

アクティブパターン１１２は、シリコン系半導体物質又は酸化物系半導体物質で形成できる。シリコン系半導体物質としては、非晶質シリコン（Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｓｉｌｉｃｏｎ）又は多結晶シリコン（Ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｓｉｌｉｃｏｎ）が使用できる。酸化物系半導体物質としては、４元系金属酸化物であるインジウムスズガリウム亜鉛酸化物（ＩｎＳｎＧａＺｎＯ）、３元系金属酸化物であるインジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩｎＧａＺｎＯ）、インジウムスズ亜鉛酸化物（ＩｎＳｎＺｎＯ）、インジウムアルミニウム亜鉛酸化物（ＩｎＡｌＺｎＯ）、スズガリウム亜鉛酸化物（ＳｎＧａＺｎＯ）、アルミニウムガリウム亜鉛酸化物（ＡｌＧａＺｎＯ）、スズアルミニウム亜鉛酸化物（ＳｎＡｌＺｎＯ）、２元系金属酸化物であるインジウム亜鉛酸化物（ＩｎＺｎＯ）、スズ亜鉛酸化物（ＳｎＺｎＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡｌＺｎＯ）、亜鉛マグネシウム酸化物（ＺｎＭｇＯ）、スズマグネシウム酸化物（ＳｎＭｇＯ）、インジウムマグネシウム酸化物（ＩｎＭｇＯ）、インジウムガリウム酸化物（ＩｎＧａＯ）、インジウム酸化物（ＩｎＯ）、スズ酸化物（ＳｎＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）などが使用できる。

ゲート電極１１１とアクティブパターン１１２との間にゲート絶縁膜１２０が形成できる。ゲート絶縁膜１２０は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）又はこれらの多重層であり得る。図５に示されているのとは異なり、ゲート絶縁膜１２０は、基板１００の全面を覆わず、ゲート電極１１１とアクティブパターン１１２との重畳領域にのみ形成されてもよい。

ゲート絶縁膜１２０上には層間絶縁膜１１５が形成できる。層間絶縁膜１１５は、ゲート絶縁膜１２０、アクティブパターン１１２及びゲート電極１１１などを覆うように形成できる。層間絶縁膜１１５は、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）又はこれらの多重層であり得る。

様々な実施形態において、層間絶縁膜１１５は、多重膜で構成でき、多重膜の層間絶縁膜１１５同士の間に導電膜がさらに形成できる。層間絶縁膜ＩＬＤ同士の間に形成される導電膜は、例えば、トランジスタ１１０の補助ゲート電極、ストレージキャパシタＣｓｔの上部電極などの回路素子の電極及び駆動ラインをさらに含んでもよい。

アクティブパターン１１２に接続されるようにソース電極１１３とドレイン電極１１４が形成できる。ソース電極１１３及びドレイン電極１１４は、層間絶縁膜１１５上に所定間隔離隔して配置される。ソース電極１１３及びドレイン電極１１４は、層間絶縁膜１１５を貫通するコンタクトホールを介してアクティブパターン１１２のソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続できる。

ソース電極１１３及びドレイン電極１１４は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）のうちのいずれか一つ、又はこれらの合金よりなる単一膜又は多重膜で形成できる。ソース電極１１３及びドレイン電極１１４が多重膜である場合には、モリブデン／アルミニウム－ネオジムの二重膜、チタン／アルミニウム／チタン、モリブデン／アルミニウム／モリブデン又はモリブデン／アルミニウム－ネオジム／モリブデンの三重膜から構成できる。

ソース電極１１３、ドレイン電極１１４、ゲート電極１１１、及びこれらに対応するアクティブパターン１１２は、トランジスタ１１０を構成することができる。トランジスタ１１０は、例えば、駆動トランジスタＤＴ又はスイッチングトランジスタＳＴであり得る。図５では、ドレイン電極１１４が発光素子１５０の第１電極１５１に接続される駆動トランジスタＤＴが例として示されている。

パッシベーション膜１３０は、層間絶縁膜１１５上に形成できる。パッシベーション膜１３０は、層間絶縁膜１１５、ソース電極１１３及びドレイン電極１１４を覆うように形成できる。

パッシベーション膜１３０は、トランジスタ１１０を保護するための絶縁膜であり得る。パッシベーション膜１３０は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）又はこれらの多重膜であり得るが、本発明はこれに限定されるものではない。

パッシベーション膜１３０上にオーバーコート膜１４０が形成できる。オーバーコート膜１４０は、特に、トランジスタ１１０などによる下部構造の段差を緩和させるための平坦化膜であり得る。オーバーコート膜１４０は、例えばポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ベンゾシクロブテン系樹脂（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ ｓｅｒｉｅｓ ｒｅｓｉｎ）、アクリレート（ａｃｒｙｌａｔｅ）などの有機物で構成できるが、本発明がこれに限定されるものではない。

第１バンク絶縁膜１５５は、オーバーコート膜１４０上に形成できる。第１バンク絶縁膜１５５は、画素ＰＸの発光領域ＥＡを定義する画素定義膜であり得る。図４に示されているように、第１バンク絶縁膜１５５は、基板１００上に形成された複数の第１電極１５１を露出させる複数の発光領域ＥＡを定義することができる。

第１バンク絶縁膜１５５は、第１電極１５１の一部の領域、例えば中心部を露出するが、残りの領域、例えば縁部をカバーするように形成できる。露出された第１電極１５１の面積は、十分な開口率を確保することができるように、できる限り最大値に設計することが好ましい。第１バンク絶縁膜１５５によってカバーされていない第１電極１５１の露出領域が画素ＰＸの発光領域ＥＡと定義できる。発光領域ＥＡにおける第１電極１５１、発光層１５２及び第２電極１５３は、直接接触するように積層できる。

第１バンク絶縁膜１５５は、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）などの有機膜で形成できる。

オーバーコート膜１４０上に発光素子１５０が形成できる。発光素子１５０は、第１電極１５１、発光層１５２及び第２電極１５３を含むことができる。本発明の幾つかの実施形態において、第１電極１５１はアノード電極であり、第２電極１５３はカソード電極であり得る。

第１電極１５１及び第２電極１５３のうち、少なくとも一つは透過型電極であり、少なくとも他の一つは反射型電極であり得る。例えば、図５に示すように、発光素子１５０が上面発光型である場合、第１電極１５１は反射型電極であり、第２電極１５３は透過型電極であり得る。

第１電極１５１はオーバーコート膜１４０上に形成できる。第１電極１５１は、オーバーコート膜１４０とパッシベーション膜１３０を貫通するビアホールを介してトランジスタ１１０のドレイン電極１１４に接続できる。

第１電極１５１は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）又はＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電物質で構成できる。第１電極１５１が反射型電極であるとき、第１電極１５１は反射層を含むことができる。反射層は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）又はこれらの合金からなり得る。一実施形態において、反射層はＡＰＣ（銀／パラジウム／銅合金）で構成できる。

第１電極１５１と第２電極１５３との間には発光層１５２が形成できる。具体的には、発光層１５２は、第１バンク絶縁膜１５５が、発光領域ＥＡ内に形成したトレンチを埋めるように形成できる。

発光層１５２は、光生成層を含む多層薄膜構造を持つことができる。例えば、発光層１５２は、正孔輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ；ＨＴＬ）、有機発光層、及び電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ；ＥＴＬ）を含むことができる。正孔輸送層は、第１電極１５１から注入された正孔を有機発光層に円滑に伝達する役割を果たす。有機発光層は、燐光又は蛍光物質を含む有機物質で形成できる。電子輸送層は、第２電極１５３から注入された電子を有機発光層に円滑に伝達する役割を果たす。発光層１５２は、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層に加えて、正孔注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ；ＨＩＬ）、正孔阻止層（Ｈｏｌｅ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ Ｌａｙｅｒ；ＨＢＬ）、電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ；ＥＩＬ）、及び電子阻止層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ Ｌａｙｅｒ；ＥＢＬ）をさらに含んでもよい。

発光層１５２は、２スタック（ｓｔａｃｋ）以上のタンデム構造（ｔａｎｄｅｍ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）で形成できる。この場合、スタックのそれぞれが正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層を含むことができる。発光層１５２が２スタック以上のタンデム構造で形成される場合、スタック同士の間には電荷生成層が形成できる。電荷生成層は、下部スタックに隣接して位置するｎ型電荷生成層と、ｎ型電荷生成層上に形成され、上部スタックに隣接して位置するｐ型電荷生成層と、を含むことができる。ｎ型電荷生成層は、下部スタックに電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）を注入し、ｐ型電荷生成層は、上部スタックに正孔（ｈｏｌｅ）を注入する。ｎ型電荷生成層は、電子輸送能力のある有機ホスト物質にリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）又はセシウム（Ｃｓ）などのアルカリ金属、又はマグネシウム（Ｍｇ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）又はラジウム（Ｒａ）などのアルカリ土類金属がドープされた有機層であり得る。ｐ型電荷生成層は、正孔輸送能力のある有機ホスト物質にドーパントがドープされた有機層であり得る。

光生成層で生成される光の色相は白色であり得るが、本発明はこれに限定されものではない。例えば、発光層１５２の光生成層で生成される光の色相は、赤色、緑色、マゼンタ、シアン及び黄色のうちのいずれか一つであってもよい。

本発明の幾つかの実施形態において、発光層１５２は、発光領域ＥＡ内に形成されることに止まらず、第１バンク絶縁膜１５５の上面及びオーバーコート層ＯＣの上面を覆うように延びてもよい。

第２電極１５３は、発光層１５２上に形成される。第２電極１５３は、発光層１５２をカバーするように形成できる。第２電極１５３は、光を透過させることができる透明な金属物質（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ；ＴＣＯ）、又はモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）及びこれらの合金などの半透過金属物質（Ｓｅｍｉ－ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｖｅ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ）で形成できる。第２電極１５３が半透過金属物質で形成される場合、マイクロキャビティ（ｍｉｃｒｏ ｃａｖｉｔｙ）によって出光効率が高くなることがある。

第２電極１５３上に第１封止膜１６０が形成できる。第１封止膜１６０は、発光素子１５０に酸素又は水分が浸透することを防止することができる。本発明の幾つかの実施形態において、第１封止膜１６０は、少なくとも一つの無機膜を含むことができる。さらに具体的には、第１封止膜１６０は、シリコン窒化物、アルミニウム窒化物、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物及びチタン酸化物のうちの少なくとも一つで形成できる。

第１封止膜１６０は、第１バンク絶縁膜１５５とオーバーコート膜１４０の側面を覆い、パッシベーション膜１３０とダム２１０の上面を覆うように延びることができる。

第１封止膜１６０上にブリッジ電極ＢＥ、コンタクトホールＣＨ、タッチ電極ＴＥ、第２バンク絶縁膜１８０及びカラーフィルター１９０が形成できる。

カラーフィルター１９０は、第１封止膜１６０上に発光素子１５０と対応して形成できる。したがって、カラーフィルター１９０は、基板１００上に定義された発光領域ＥＡに対応するように、第１封止膜１６０上に複数形成できる。カラーフィルター１９０は、第２バンク絶縁膜１８０によって取り囲まれ得る。

カラーフィルター１９０は、発光素子１５０から出射された光を透過させ、例えば赤色光、緑色光及び青色光のうちのいずれか一つを選択的に透過させることができる。

カラーフィルター１９０は、第２バンク絶縁膜１８０の側壁と第１封止膜１６０の上面によって定義されたトレンチに顔料を埋めることにより形成できる。

具体的には、カラーフィルター１９０は、前記トレンチに例えば赤色、緑色及び青色のいずれか一つの顔料をインクジェット方式で埋め、これを硬化させることにより形成できる。又は、カラーフィルター１９０は、白色のサブピクセルを形成するために、前記トレンチに透明な有機物質をインクジェット方式で埋め、これを硬化させることにより形成されたものであり得る。図５に示されている、隣り合う複数のカラーフィルター１９０、１９１は、同じインクジェット方式で形成されたものであり得る。

第１封止膜１６０上にブリッジ電極ＢＥが形成できる。ブリッジ電極ＢＥは、第１封止膜１６０上における、複数のカラーフィルター１９０、１９１の間に形成できる。ブリッジ電極ＢＥとカラーフィルター１９０は同一平面上に形成できる。ブリッジ電極ＢＥは、第１方向（図４のＹ）に並べて配列されたタッチ電極ＴＥ同士の間を接続することができる。

ブリッジ電極ＢＥは、例えばＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明導電膜を含むことができるが、本発明はこれに限定されるものではない。又は、ブリッジ電極ＢＥは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｏ、ＭｏＴｉ、Ｃｕ及びＴａのうちの少なくとも一つの物質を含むことができる。

図５に示されているように、ブリッジ電極ＢＥは、発光領域ＥＡとオーバーラップしなくてもよい。つまり、ブリッジ電極ＢＥは、発光素子１５０と垂直にオーバーラップしなくてもよい。したがって、発光素子１５０は、ブリッジ電極ＢＥによって開口率が影響を受けない可能性がある。

コンタクトホールＣＨは、ブリッジ電極ＢＥとタッチ電極ＴＥとを接続することができる。コンタクトホールＣＨは、第２バンク絶縁膜１８０を貫通して形成されてもよい。後述するように、コンタクトホールＣＨは、タッチ電極ＴＥと一体に形成されてもよい。

第２バンク絶縁膜１８０は、カラーフィルター１９０を取り囲むように第１封止膜１６０上に形成できる。つまり、第２バンク絶縁膜１８０は、第１封止膜１６０上に形成された複数のカラーフィルター１９０を区画するように形成できる。つまり、第２バンク絶縁膜１８０によって取り囲まれるトレンチが形成され、そのトレンチ内にカラーフィルターＣＦが形成できる。第２バンク絶縁膜１８０によって形成されるトレンチは、発光領域ＥＡと整列されて垂直に重畳できる。

第２バンク絶縁膜１８０は、ブリッジ電極ＢＥの上面の一部を露出させることができる。第２バンク絶縁膜１８０によって露出されたブリッジ電極ＢＥの上面は、コンタクトホールＣＨと接触することができる。

また、第２バンク絶縁膜１８０は、ブリッジ電極ＢＥとコンタクトホールＣＨの周囲を取り囲むことができる。つまり、第２バンク絶縁膜１８０によって、隣り合う複数の電極ＢＥ又は複数のコンタクトＣＴ同士の間が絶縁できる。

第２バンク絶縁膜１８０は、例えば、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）などの有機膜で形成できるが、本発明はこれに限定されるものではない。

図５に示されているように、第２バンク絶縁膜１８０とカラーフィルター１９０との接触面は、テーパー（ｔａｐｅｒｅｄ）形状を有することができる。ただし、本発明はこれに限定されるものではなく、前記接触面は長方形又は逆テーパー形状を有してもよい。

第２バンク絶縁膜１８０を覆うように平坦化膜１７０が形成できる。平坦化膜１７０は、第２バンク絶縁膜１８０の上面だけでなく、第１封止膜１６０の側面まで覆うことができる。平坦化膜１７０は、パッシベーション膜１３０上に形成されたダム２１０によってパッドＰＡＤ領域を覆わないように遮断できる。

平坦化膜１７０は、発光素子１５０が形成された発光領域ＥＡを覆うことができる。したがって、平坦化膜１７０は、光を透過させることができるように透過率の高い透明有機物又は透明無機物を含むことができる。

平坦化膜１７０を形成する工程において、平坦化膜１７０は、第２バンク絶縁膜１８０上に液状の有機物質又は無機物質をインクジェット方式で塗布して形成できる。このとき、コンタクトホールＣＨ及びタッチ電極が形成できるように、平坦化膜１７０はブリッジ電極ＢＥの上面の一部を露出させるように形成できる。

図５において、ダム２１０が単一ダム構造を有するものと図示されているが、本発明がこれに限定されるものではない。ダム２１０は、パッシベーション膜１３０上に所定間隔離隔して形成された２つ以上の構造物を含んでもよい。

第２バンク絶縁膜１８０上に第１タッチ電極ＴＥが形成できる。第１タッチ電極ＴＥは、ブリッジ電極ＢＥと垂直にオーバーラップするように形成できる。第１タッチ電極ＴＥは、ブリッジ電極ＢＥとコンタクトホールＣＨを介して接続できる。後述するように、第１タッチ電極ＴＥは、コンタクトホールＣＨと一体に形成されてもよい。つまり、第１タッチ電極ＴＥは、コンタクトホールＣＨと同じ工程で形成できる。

第１タッチ電極ＴＥは平坦化膜１７０上に延びることができる。つまり、第１タッチ電極ＴＥの少なくとも一部は平坦化膜１７０上に突出して形成できる。

また、第１タッチ電極ＴＥは、ブリッジ電極ＢＥと一緒に、複数のカラーフィルター１９０、１９１同士の間に配置できる。つまり、第１タッチ電極ＴＥとブリッジ電極ＢＥは、基板１００に定義された発光領域ＥＡの間に配置できる。

上述したようにカラーフィルター１９０がインクジェット方式で形成される場合、カラーフィルター１９０は、約２乃至３μｍの厚さを持ってサブピクセル間の混色を効果的に防止する必要がある。本発明の実施形態に係る表示装置において、第１タッチ電極ＴＥとブリッジ電極ＢＥが発光領域ＥＡ同士の間に配置されることにより、第１タッチ電極ＴＥとブリッジ電極ＢＥは一種のブラックマトリックスとして機能することができる。

第１タッチ電極ＴＥは、第１封止膜１６０の側面を覆っている平坦化膜１７０上に延びてもよい。つまり、第１タッチ電極ＴＥは、平坦化膜１７０の側面上に延びてもよい。平坦化膜１７０の側面に延びた第１タッチ電極ＴＥは、タッチラインＴＬを形成することができる。タッチラインＴＬは、ダム２１０を超えて非表示領域ＮＤＡ上に延びてパッドＰＡＤに接続できる。

タッチ電極ＴＥと平坦化膜１７０を覆うように第２封止膜２２０が形成できる。図５に示されている実施形態において、第２封止膜２２０は無機膜２２１と有機膜２２２を含むことができる。

無機膜２２１は、例えば、シリコン窒化物、アルミニウム窒化物、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物、及びチタン酸化物のうちの少なくとも一つを含むことができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

有機膜２２２は、例えば、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）などを含むことができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

図５に示されているように、第２封止膜２２０がパッドＰＡＤ及びタッチラインＴＬの一部を露出させることができる。ただし、これは例示的なものであり、第２封止膜２２０がパッドＰＡＤを覆うように形成されてもよい。

図５に示されてはいないが、第２封止膜２２０上に偏光膜及びＯＴＦ（ＯＬＥＤ Ｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌａｂｌｅ Ｆｉｌｍ：輝度向上フィルム）などがさらに形成されてもよい。

本発明の実施形態に係るタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置は、第１封止膜１６０上にカラーフィルター１９０及びタッチ電極ＴＥが形成されたＣｏＥ（Ｃｏｌｏｒ ｆｉｌｔｅｒ ｏｎ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）及びＴｏＥ（Ｔｏｕｃｈ ｏｎ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）構造を持つ。

ＴｏＥ構造において、複数のタッチ電極同士を接続するブリッジ電極ＢＥは、カラーフィルター１９０と第１封止膜１６０上の同一平面上に形成される。したがって、ブリッジ電極及びタッチ電極の全てが、カラーフィルター上に形成される構造よりも厚さが減少することができ、これにより全体表示装置の厚さが減少する効果を得ることができる。

図６は図４のII－II’を切断して示した本発明の他の幾つかの実施形態に係るタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置の画素構造である。上述した実施形態に類似している点の説明は省略し、異なる点を中心に記述する。

図６には、先立って図５を用いて説明した表示装置とは第１タッチ電極ＴＥ及びブリッジ電極ＢＥの形状が異なる実施形態が示されている。

本実施形態において、ブリッジ電極ＢＥは、カラーフィルター１９０と接触するように第１封止膜１６０上で延びることができる。また、第１タッチ電極ＴＥの一部はカラーフィルター１９０と垂直にオーバーラップすることができる。したがって、ブリッジ電極ＢＥと第１タッチ電極ＴＥの一部は発光領域ＥＡ内に延びることができる。

上述したように、第１タッチ電極ＴＥとブリッジ電極ＢＥは、発光領域ＥＡ同士の間に配置され、サブピクセル間の混色を防止するブラックマトリックスとして機能する。したがって、第１タッチ電極ＴＥとブリッジ電極ＢＥが発光領域ＥＡ内に延びる場合、カラーフィルター１９０、１９１の間のブラックマトリックスの大きさが大きくなり、サブピクセル間の混色をさらに効果的に防止することができる。

図７は図４のII－II’を切断して示した本発明の別の幾つかの実施形態に係るタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置の画素構造である。
図７を参照すると、本発明の別の実施形態に係る実施形態に係る表示装置は、第１封止膜３２０と第２封止膜３３０の形態が、先立って説明した実施形態のそれとは異なる。
具体的には、第１封止膜３２０は、第１無機膜３２１、有機膜３２２及び第２無機膜３２３の複数の膜を含むことができる。

第１封止膜３２０は、第２電極１５３上に形成できる。第１封止膜３２０は、第１バンク絶縁膜１５５とオーバーコート膜１４０の側面を覆い、パッシベーション膜１３０とダム２１０の上面を覆うように延びることができる。

図７の実施形態において、第１封止膜３２０は、第１無機膜３２１、有機膜３２２及び第２無機膜３２３の３重構造を含むことにより、発光素子１５０に酸素又は水分が浸透することを防止する。ただし、本発明はこれに限定されるものではなく、第１封止膜３２０は、二つ以上の有機膜が無機膜と交互に積層される多層膜の構造を持つこともできる。

一方、第１封止膜３２０が二つ以上の無機膜を介して発光素子１５０上に形成されることにより、第２封止膜３３０は、付加的な無機膜を含まなくてもよい。したがって、第２封止膜３３０は、平坦化膜１７０とその下部の構造を包み込むオーバーコートの構造を持ってもよい。

図７において、第２封止膜３３０は、ダム２１０まで延びるものと図示されたが、本発明はこれに限定されるものではなく、第２封止膜３３０は、パッドＰＡＤとこれに連結されたタッチラインＴＬを覆うように形成されてもよい。

図８乃至図１２は本発明の幾つかの実施形態に係るタッチセンサーを含む有機発光ダイオード装置の製造方法を説明するための中間ステップ図である。
図８を参照すると、基板１００上にトランジスタ１１０、パッシベーション膜１３０及びオーバーコート膜１４０を順次形成する。

具体的には、基板１００上にはアクティブパターン１１２が形成され、アクティブパターン１１２にｐ型又はｎ型の不純物がドーピングされてソース領域及びドレイン領域が形成され、ソース領域とドレイン領域にそれぞれソース電極１１３とドレイン電極１１４が接続できる。
アクティブパターン１１２上にはゲート絶縁膜１２０が形成できる。ゲート絶縁膜１２０は、ゲート電極１１１とアクティブパターン１１２との間に配置できる。ゲート絶縁膜１２０上にゲート電極１１１と層間絶縁膜１１５が形成できる。ゲート絶縁膜１２０と層間絶縁膜１１５を貫通するようにソース電極１１３とドレイン電極１１４が形成されてアクティブパターン１１２に接続できる。

パッシベーション膜１３０を覆うようにオーバーコート膜１４０が形成できる。オーバーコート膜１４０は、例えば、有機物を蒸着して形成でき、具体的には、スピンコーティングなどを用いて有機物質を蒸着し、ベーキングすることにより形成できるが、本発明はこれに限定されるものではない。

次に、ドレイン電極１１４を露出させるようにオーバーコート膜１４０を貫通するトレンチを形成する。

図９を参照すると、オーバーコート膜１４０上に発光素子１５０を形成する。
発光素子を形成することは、オーバーコート膜１４０上に第１電極１５１を形成し、発光領域ＥＡを取り囲む第１バンク絶縁膜１５５を形成し、発光層１５２と第２電極１５３を順次形成することを含むことができる。

本発明の幾つかの実施形態において、発光層１５２の一部は、インクジェット方式で発光物質を塗布して形成することを含むことができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

図１０を参照すると、第２電極１５３上に第１封止膜１６０とブリッジ電極ＢＥを順次形成する。第１封止膜１６０は、第１バンク絶縁膜１５５とオーバーコート膜１４０の側面を覆い、パッシベーション膜１３０とダム２１０の上面を覆うように延びることができる。

第１封止膜１６０は、例えば、シリコン窒化物、アルミニウム窒化物、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物、及びチタン酸化物のうちの少なくとも一つの物質を蒸着することにより形成できる。

第１封止膜１６０上にブリッジ電極ＢＥを形成する。ブリッジ電極ＢＥは、発光素子１５０が形成された発光領域ＥＡ同士の間に形成できる。

図１１を参照すると、ブリッジ電極ＢＥ上に第２バンク絶縁膜１８０を形成する。第２バンク絶縁膜１８０を形成することは、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）などの有機物質を蒸着することを含むことができる。

その後、第２バンク絶縁膜１８０の一部を除去して発光領域ＥＡ内の第１封止膜１６０の上面とブリッジ電極ＢＥの上面を露出させる。

図１２を参照すると、発光領域内にカラーフィルター１９０を形成し、カラーフィルター１９０と第２バンク絶縁膜１８０を覆うように平坦化膜１７０を形成する。

カラーフィルター１９０は、発光領域ＥＡの第２バンク絶縁膜１８０によって定義されたトレンチ内に赤色、緑色及び青色のうちのいずれか一つの顔料をインクジェット方式で埋め、これを硬化させることにより形成できる。又は、白色サブピクセルを形成しようとする場合、前記トレンチに透明な有機物質をインクジェット方式で埋め、これを硬化させることもできる。

また、平坦化膜１７０も、カラーフィルター１９０と第２バンク絶縁膜１８０上に透明な有機物質をインクジェット方式で塗布することにより形成できる。平坦化膜１７０は、第２バンク絶縁膜１８０と第１封止膜１６０の側面を覆い、パッドＰＡＤには至らないようにダム２１０によって遮断できる。

図１３を参照すると、第１タッチ電極ＴＥとコンタクトホールＣＨを形成する。本発明の幾つかの実施形態において、第１タッチ電極ＴＥとコンタクトホールＣＨとは一体に形成できる。第２バンク絶縁膜１８０によって定義されたトレンチに金属物質を蒸着してコンタクトホールＣＨを形成し、蒸着を行い続けてコンタクトホールＣＨの上面を覆い、平坦化膜１７０上に突出する第１タッチ電極ＴＥを形成することができる。

第１タッチ電極ＴＥは、平坦化膜１７０の側面に延びるように形成され、パッドＰＡＤに接続されるタッチラインＴＬを構成することができる。つまり、タッチラインＴＬと第１タッチ電極ＴＥとは一体に形成できる。

次に、再び図５を参照すると、第１タッチ電極ＴＥと平坦化膜１７０を覆うように第２封止膜２２０が形成できる。

本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者は、本発明がその技術的思想や必須の特徴を変更することなく他の具体的な形態で実施できることを理解することができるだろう。よって、上述した実施形態は、あらゆる面で例示的なもので、限定的なものではないと理解すべきである。本発明の範囲は、上記の詳細な説明よりは、後述する特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲の意味及び範囲、そしてその均等概念から導き出されるすべての変更又は変形形態が本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。

１００ 基板
１１０ トランジスタ
１２０ ゲート絶縁膜
１３０ パッシベーション膜
１４０ オーバーコート膜
１５０ 発光素子
１６０ 第１封止膜
１７０ 平坦化膜
１８０ バンク絶縁膜
１９０ カラーフィルター
ＴＥ タッチ電極
ＣＴ コンタクト
ＢＥ ブリッジ電極

Claims (16)

1. 複数の発光領域が定義された基板と、
   前記基板上における前記複数の発光領域に設けられた複数の発光素子と、
   前記複数の発光素子を覆う第１封止膜と、
   前記複数の発光領域とそれぞれ対応するように前記第１封止膜上に設けられた複数のカラーフィルターと、
   前記第１封止膜上における前記複数のカラーフィルター同士の間に設けられた複数のブリッジ電極と、
   前記第１封止膜上に、前記ブリッジ電極を覆い且つ前記複数のカラーフィルターを取り囲むように設けられたバンク絶縁膜と、
   前記バンク絶縁膜上に前記ブリッジ電極とオーバーラップして設けられた複数のタッチ電極と、
   前記複数のカラーフィルターとバンク絶縁膜を覆い、前記複数のタッチ電極を露出させる平坦化膜と、を含み、
   前記複数のタッチ電極の少なくとも一つは、前記平坦化膜の側面に沿って設けられたタッチラインに接続される、タッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置。
2. 前記バンク絶縁膜を貫通して、前記複数のタッチ電極及び前記複数のブリッジ電極のうち、互いに垂直にオーバーラップするタッチ電極とブリッジ電極とを接続する、コンタクトをさらに含む、請求項１に記載のタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置。
3. 前記コンタクトと前記タッチ電極とは一体に設けられる、請求項２に記載のタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置。
4. 前記タッチ電極の少なくとも一部は前記平坦化膜上に突出する、請求項１に記載のタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置。
5. 前記タッチ電極の一部は、前記カラーフィルターと垂直にオーバーラップするように前記平坦化膜上に延びる、請求項２に記載のタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置。
6. 前記ブリッジ電極と前記カラーフィルターとは同一平面上に設けられる、請求項１に記載のタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置。
7. 前記カラーフィルターと、前記ブリッジ電極の一部とは接触する、請求項１に記載のタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置。
8. 前記第１封止膜は、
   前記複数の発光素子上に順に設けられた第１無機膜、有機膜及び第２無機膜を含む、請求項１に記載のタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置。
9. 基板上の複数の発光領域内に複数の発光素子を形成するステップと、
   前記複数の発光素子を覆う第１封止膜を形成するステップと、
   前記第１封止膜上にブリッジ電極を形成するステップと、
   前記第１封止膜上に、前記複数の発光領域に対応する前記第１封止膜の一部、及び前記ブリッジ電極を露出させるバンク絶縁膜を形成するステップと、
   前記バンク絶縁膜によって露出された前記第１封止膜上にそれぞれ複数のカラーフィルターを形成するステップと、
   前記複数のカラーフィルターと前記バンク絶縁膜を覆うように平坦化膜を形成するステップと、
   前記バンク絶縁膜上に、前記ブリッジ電極と垂直にオーバーラップするようにタッチ電極を形成するステップと、
   前記タッチ電極及び前記平坦化膜を覆う第２封止膜を形成するステップと、を含み、
   前記タッチ電極を形成するステップは、前記平坦化膜の側面に沿ってタッチラインを一緒に形成することを含む、タッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
10. 前記タッチ電極を形成するステップは、
    前記バンク絶縁膜によって露出されたブリッジ電極上にコンタクトを形成し、
    前記バンク絶縁膜上にタッチ電極を形成して前記ブリッジ電極と前記タッチ電極とを接続させることを含む、請求項９に記載のタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
11. 前記コンタクトと前記タッチ電極とは一体に形成される、請求項１０に記載のタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
12. 前記複数のカラーフィルターを形成するステップは、
    前記バンク絶縁膜によって露出された前記第１封止膜上に顔料を注入して、前記バンク絶縁膜によって取り囲まれた複数のカラーフィルターを形成することを含む、請求項９に記載のタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
13. 前記平坦化膜を形成するステップは、
    前記タッチ電極が形成される領域を除いて、前記バンク絶縁膜と前記カラーフィルターを覆うように透明な有機物質をインクジェット方式で塗布することを含む、請求項１２に記載のタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
14. 前記ブリッジ電極と前記カラーフィルターとは同一平面上に形成される、請求項９に記載のタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
15. 前記カラーフィルターと、前記ブリッジ電極の一部とは接触する、請求項１４に記載のタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
16. 前記第１封止膜を形成するステップは、前記複数の発光素子上に順次、第１無機膜、有機膜及び第２無機膜を形成することを含む、請求項９に記載のタッチセンサーを含む有機発光ダイオード表示装置の製造方法。

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