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JP6947966B2 - 発光装置 - Google Patents

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Description

本願は発光装置に関する。
近年、液晶表示装置などの表示装置に用いられるバックライトとして、半導体発光素子を用いた直下型の面発光装置が提案されている。機能性、デザイン性等の観点から表示装置は薄型であることが求められる場合があり、バックライトもより薄型であることが求められている。また、一般照明用の発光装置においても、機能性、デザイン性等の観点から薄型が求められる場合がある。
このような用途の発光装置を薄型化すると、一般に、発光面における輝度ムラが生じやすくなる。特許文献1は、面発光装置の輝度ムラを抑制するために、光源を封止する樹脂体の表面に部分的に拡散部材を配置し、光源から出射する光の均一性を高める技術を開示している。
国際公開第2012/099145号
特許文献1によれば、個々の光源に拡散部材を配置する必要がある。かかる事情に鑑み、本開示は簡単な構成で、輝度ムラが抑制された発光装置を提供する。
本開示の発光装置は、上面を有する基体と、前記基体の上面に配置された複数の光源と、前記複数の光源を挟んで前記基体と対向するように配置された第1レンチキュラーレンズシートと、前記第1レンチキュラーレンズシートの上面側に位置しているハーフミラーと、前記ハーフミラーの上面側に位置しており、前記第1レンチキュラーレンズシートの複数の溝の伸びる方向と交差する方向に伸びる複数の溝を有する第2レンチキュラーレンズシートとを備える。
本開示の発光装置によれば、2つのレンチキュラーレンズシートとの間にハーフミラーを配置することによって、輝度ムラを抑制することができる。
図1は、本開示の一実施形態の発光装置を示す断面図である。 図2Aは、図1に示す発光装置の光源近傍を拡大して示す平面図である。 図2Bは、図1に示す発光装置の光源近傍を拡大して示す断面図である。 図3Aは、本開示の他の形態の発光装置の光源近傍を拡大して示す平面図である。 図3Bは、本開示の他の形態の発光装置の光源近傍を拡大して示す断面図である。 実施形態の被覆部材の配光特性の一例を示す図である。 実施形態のハーフミラーの波長帯域と発光素子の発光波長との関係の一例を示す図である。 図6Aは、実施例の発光装置の発光面を示す。 図6Bは、実施例の発光装置の発光面のy方向の輝度プロファイルを示す。 図6Cは、実施例の発光装置の発光面のx方向の輝度プロファイルを示す。 図7Aは、比較例1の発光装置の発光面を示す。 図7Bは、比較例1の発光装置の発光面のy方向の輝度プロファイルを示す。 図7Cは、比較例1の発光装置の発光面のx方向の輝度プロファイルを示す。 図8Aは、比較例2の発光装置の発光面を示す。 図8Bは、比較例2の発光装置の発光面のy方向の輝度プロファイルを示す。 図8Cは、比較例2の発光装置の発光面のx方向の輝度プロファイルを示す。
以下、図面を参照しながら本開示の発光装置の実施形態を説明する。以下に説明する発光装置は、実施形態の一例であって、以下に説明する発光装置において種々の改変が可能である。以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略する。さらに、各構成要素は、複数の要素を同一の部材で構成して一の部材で複数の要素を兼用する態様としてもよいし、逆に一の部材の機能を複数の部材で分担して実現することもできる。
本開示の発光装置は2つのレンチキュラーレンズシートとの間にハーフミラーを配置した透光積層体を備え、光源から出射した光がこの透光積層体を透過することにより、光源から透光積層体までの距離が小さくても(間隔が短くても)輝度ムラを抑制することができる。
図1は、本開示の発光装置の一例による断面を示す模式図である。発光装置100は、基体10と、複数の光源20と、第1レンチキュラーレンズシート51と、第2レンチキュラーレンズシート52と、ハーフミラー53とを備える。以下、各構成要素を詳細に説明する。
(基体10)
基体10は、上面を有し、複数の光源20を支持する。また、複数の光源20に電力を供給する。基体10は、例えば、基板11と、導電層12とを含む。さらに絶縁層13を備えていてもよい。
基板11は、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、BTレジン、ポリフタルアミド(PPA)、ポリエチレンテレフタレート(PET)等の樹脂、セラミックス等によって構成される。なかでも、低コストと、成型容易性の点から、絶縁性を有する樹脂を選択することが好ましい。あるいは、耐熱性及び耐光性に優れた発光装置を実現するため、セラミックスを基板11の材料として選択してもよい。セラミックスとしては、例えば、アルミナ、ムライト、フォルステライト、ガラスセラミックス、窒化物系(例えば、AlN)、炭化物系(例えば、SiC)等が挙げられる。なかでも、アルミナからなる又はアルミナを主成分とするセラミックスが好ましい。
また、基板11を構成する材料に樹脂を用いる場合、ガラス繊維、SiO、TiO、Al等の無機フィラーを樹脂に混合し、機械的強度の向上、熱膨張率の低減、光反射率の向上等を図ることもできる。また、基板11は、金属板に絶縁層が形成された複合板であってもよい。
導電層12は、所定の配線パターンを有する。導電層12は、光源20の電極と電気的に接続され、外部からの電力を光源20へ供給する。配線パターンは、光源20の正極と接続される正極配線と光源20の負極と接続される負極配線とを含む。導電層12は、光源20の載置面となる、基板11の少なくとも上面に形成される。導電層12の材料は、導電性材料の中から基板11の材料、基板11の製造方法等によって適宜選択することができる。例えば、基板11の材料としてセラミックスを用いる場合、導電層12の材料は、セラミックスシートの焼成温度にも耐え得る高融点を有する材料であることが好ましく、例えば、タングステン、モリブデンのような高融点の金属を用いるのが好ましい。前述の高融点金属からなる配線パターン上にメッキ、スパッタリング、蒸着などにより、ニッケル、金、銀など他の金属材料の層をさらに備えていてもよい。
基板11の材料として樹脂を用いる場合、導電層12の材料は、加工し易い材料が好ましい。また、射出成形された樹脂を用いる場合には、導電層12の材料は、打ち抜き加工、エッチング加工、屈曲加工等の加工が容易であり、かつ、比較的大きい機械的強度を有する材料であることが好ましい。具体的には、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属、または、鉄−ニッケル合金、りん青銅、鉄入り銅、モリブデン等の金属層やリードフレーム等によって導電層12が形成されていることが好ましい。また、導電層12は、これらの金属による配線パターンの表面上に他の金属材料の層をさらに備えていてもよい。この材料は特に限定されないが、例えば、銀のみ、あるいは、銀と、銅、金、アルミニウム、ロジウム等との合金からなる層、または、これら、銀や各合金を用いた多層を用いることができる。他の金属材料による層は、メッキ、スパッタリング、蒸着などにより形成することができる。
(絶縁層13)
基体10は、絶縁層13を備えていてもよい。絶縁層13は、基体10において、導体層12のうち、光源20等が接続される部分を覆って基板11上に設けられている。つまり、絶縁層13は電気絶縁性を有し、導体層12の少なくとも一部を覆う。好ましくは、絶縁層13は光反射性を有している。絶縁層13が光反射性を有することによって、光源20から基体10側へ出射する光を反射し、光の取り出し効率を向上させることができる。また、絶縁層13が光反射性を有することによって、光源から出射して透光積層体に当たる光のうち、反射した光も反射し、光の取り出し効率を向上させることができる。これらの基体で反射した光も透光積層体を透過することで、より輝度ムラを抑制することができる。
絶縁層13の材料は、光源20から出射する光の吸収が少なく、絶縁性を有する材料であれば、特に制限はない。例えば、エポキシ、シリコーン、変性シリコーン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル、ポリカーボネイト、ポリイミド等の樹脂材料を用いることができる。絶縁層13に光反射性を付与する場合には、絶縁層13は、上述した樹脂材料に、後述するアンダーフィル材料に添加する白色系のフィラーを含有させることができる。白色系のフィラーは以下において詳述する。
(光源20)
本開示において、「光源」とは光を発する部分のことをいう。発光素子、発光素子と波長変換部材とを組み合わせた構造、発光素子を内蔵するパッケージ品、例えばSMDの発光装置、パッケージ型白色LEDと呼ばれる素子等が挙げられ、形状や構造に特に制限はない。
図2Aおよび図2Bは、本実施形態の発光装置100における光源20近傍の構造を拡大して示す平面図および断面図である。光源20は発光素子21を含む。本実施形態では、光源20は、波長変換部材22をさらに含む。複数の光源20は、基体10上において1次元または2次元に配置されている。
発光素子21は、本実施形態では、発光ダイオードである。発光素子21が出射する光の波長は、任意に選択できる。例えば、青色、緑色の発光素子としては、窒化物系半導体(InAlGa1−x−yN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)、ZnSeおよびGaP等の半導体を用いた発光素子を用いることができる。また、赤色の発光素子としては、GaAlAs、AlInGaP等の半導体を用いた発光素子を用いることができる。また、これ以外の材料からなる半導体発光素子を用いることもできる。用いる発光素子の組成や発光色、大きさや、個数などは目的に応じて適宜選択することができる。
光源20が、発光素子21と波長変換部材22とを含む場合には、発光素子21は、波長変換部材22に含まれる波長変換材料を効率良く励起できる短波長の光を出射する窒化物半導体(InAlGa1−x−yN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)を用いることが好ましい。半導体層の材料および混晶度によって発光波長を種々選択することができる。発光素子21は、同一面側に正極および負極を有していてもよいし、異なる面に正極および負極を有していてもよい。
発光素子21は、例えば、成長用基板と、成長用基板の上に積層された半導体層を有する。半導体層はn型半導体層とp型半導体層とこれらに挟まれた活性層を含む。n型半導体層およびp型半導体層にそれぞれ負極および正極が電気的に接続されている。成長用基板には、例えば、透光性のサファイア基板等を用いることができる。
発光素子21のn側電極およびp側電極は、図2Bに示すように、接続部材23を介して基体10にフリップチップ実装されている。発光素子21のn側電極およびp側電極が形成された面と反対側の面、すなわち透光性のサファイア基板の主面である上面21aから発光素子21は主として光を出射する。具体的には、発光素子21の正極および負極は接続部材23によって基体10の導体層12に含まれる正極配線および負極配線と接続されている。
(接続部材23)
接続部材23は、導電性の材料によって形成されている。具体的には接続部材23の材料は、Au含有合金、Ag含有合金、Pd含有合金、In含有合金、Pb−Pd含有合金、Au−Ga含有合金、Au−Sn含有合金、Sn含有合金、Sn−Cu含有合金、Sn−Cu−Ag含有合金、Au−Ge含有合金、Au−Si含有合金、Al含有合金、Cu−In含有合金、金属とフラックスの混合物等である。
接続部材23としては、液状、ペースト状、固体状(シート状、ブロック状、粉末状、ワイヤー状)のものを用いることができ、組成や支持体の形状等に応じて、適宜選択することができる。また、これらの接続部材23は、単一部材で形成してもよく、あるいは、数種のものを組み合わせて用いてもよい。
(アンダーフィル部材24)
図2Bに示すように、発光素子21と基体10との間にアンダーフィル部材24が配置されていることが好ましい。アンダーフィル部材24は、発光素子21からの光を効率よく反射できるようにすること、熱膨張率を発光素子21に近づけること等を目的として、アンダーフィル部材24はフィラーを含有している。アンダーフィル部材24は、図2Bに示すように、発光素子21の側面も覆っていてもよいし、側面は覆っていなくてもよい。
アンダーフィル部材24は、マトリックスとして発光素子からの光の吸収が少ない材料を含む。例えば、エポキシ、シリコーン、変性シリコーン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル、ポリカーボネイト、ポリイミド等を用いることができる。
アンダーフィル部材24のフィラーとしては、白色系のフィラーであれば、光がより反射され易くなり、光の取り出し効率の向上を図ることができる。また、フィラーとしては、無機化合物を用いることが好ましい。ここでの白色とは、フィラー自体が透明であった場合でもフィラーの周りの材料と屈折率差がある場合に散乱で白色に見えるものも含む。
フィラーの反射率は、発光素子21の発光波長の光に対して50%以上であることが好ましく、70%以上であることがより好ましい。これにより、発光装置100の光の取り出し効率を向上させることができる。また、フィラーの粒径は、1nm以上10μm以下が好ましい。フィラーの粒径をこの範囲にすることで、アンダーフィル材料としての樹脂流動性が良くなり、狭い隙間でも良好にアンダーフィル部材24となる材料を充填することができる。なお、フィラーの粒径は、好ましくは、100nm以上5μm以下、さらに好ましくは200nm以上2μm以下である。また、フィラーの形状は、球形でも鱗片形状でもよい。
フィラー材料としては、具体的には、SiO、Al、Al(OH)、MgCO、TiO、ZrO、ZnO、Nb、MgO、Mg(OH)、SrO、In、TaO、HfO、SeO、Yなどの酸化物、SiN、AlN、AlONなどの窒化物、MgFのようなフッ化物などが挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、混合して用いてもよい。
(波長変換部材22)
波長変換部材22は、発光素子21から出射する光の少なくとも一部を吸収し、異なる波長の光に変換して放射する。波長変換部材22は、発光素子21の上面21aを少なくとも覆う。本実施形態では、波長変換部材22は、発光素子21の側面に設けられたアンダーフィル部材24も覆っている。波長変換部材22は、例えば、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)系蛍光体、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット(LAG)、ユウロピウム及び/又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム(CaO−Al−SiO)系蛍光体、ユウロピウムで賦活されたシリケート((Sr,Ba)SiO)系蛍光体、βサイアロン蛍光体、CASN系又はSCASN系蛍光体等の窒化物系蛍光体、KSF系蛍光体(KSiF:Mn)、硫化物系蛍光体などを含む。これらの蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、作用、効果を有する蛍光体も使用することができる。
また、波長変換部材22は、例えば、いわゆるナノクリスタル、量子ドットと称される発光物質を含んでいてもよい。これらの材料としては、半導体材料を用いることができ、例えばII−VI族、III−V族、IV−VI族半導体、具体的には、CdSe、コアシェル型のCdSSe1−x/ZnS、GaP等のナノサイズの高分散粒子が挙げられる。
波長変換部材22の光軸L方向の高さは、後述する被覆部材30の最大幅の4/5以下であることが好ましい。これにより被覆部材30のレンズ効果を有効に発揮させることができる。
(被覆部材30)
被覆部材30は、光源20を外部環境から保護するとともに、光源20から出力される光の配光特性を光学的に制御する。つまり、主として被覆部材30の外面における光の屈折によって光の出射方向を調節する。被覆部材30は、光源20を覆って基体10上に配置される。
被覆部材30の材料としては、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂あるいはそれらを混合させた樹脂などの透光性樹脂や、ガラスなどを用いることができる。これらのうち、耐光性および成形のしやすさの観点では、シリコーン樹脂を選択することが好ましい。
被覆部材30は、波長変換材料、光源20からの光を拡散させるための拡散剤を含んでいてもよい。また、発光素子の発光色に対応させて、着色剤を含んでいてもよい。これら波長変換材料、拡散材料、着色剤等は、被覆部材30の外形によって、配光が制御できる程度の量で被覆部材30に含まれていることが好ましい。
図2Bに示すように、被覆部材30は、光源20の直上に凹部30dを有する形状を備えている。直上とは、発光素子21の光源が出射する上面21aの上方であることを意味し、凹部30dの少なくとも一部が上面21aの上方に位置している。本実施形態では、被覆部材30はドーム形状を有し、ドーム形状における光源20の直上に凹部30dが位置している。
あるいは、被覆部材30は、光源20の直上に貫通孔を有する形状を備えていてもよい。図3Aおよび図3Bは、貫通孔31dを有する被覆部材31の一例を示している。被覆部材30は貫通孔31dを有する環形状を有している。
被覆部材30において、底面の幅Wは、被覆部材30の最大幅Wよりも小さい。また、被覆部材30の光軸高さHがその最大幅Wよりも小さい。被覆部材30から出射する光の、光軸Lに垂直な平面における均一性を高めるためには、被覆部材30は光軸Lに対して回転対称である外形を有していることが好ましい。
このような外形を被覆部材30が有していることによって、被覆部材30から出射する光は、光軸Lを含む平面において、バットウイング型の配光特性を有することができる。これにより光源20の真上方向に出射される光量を抑制して、各々の光源20の配光を広げることで、輝度ムラを改善することができる。
本開示においてバットウイング型の配光特性とは、広義には、光軸Lを0°として、0°よりも配光角の絶対値が大きい角度において発光強度が強い発光強度分布で定義される。特に、狭義では、45°〜90°付近において、発光強度が最も強くなる発光強度分布で定義される。つまり、バットウイング型の配光特性では、中心部が外周部よりも暗い。図4にバットウイング型の配光特性の一例を示す。
被覆部材30は、例えば、特開2016−171227号公報に開示されているように、光源20を被覆するように圧縮成型や射出成型によって形成することができる。また、被覆部材30の材料の粘度を最適化して、光源20の上に滴下もしくは描画して、材料自体の表面張力を利用することによって、所定の形状を有する被覆部材30を得ることができる。
(透光積層体50)
光源20を覆う被覆部材30から出射する光は透光積層体50を透過する。透光積層体50は、第1レンチキュラーレンズシート51と、第2レンチキュラーレンズシート52と、第1レンチキュラーレンズシート51および第2レンチキュラーレンズシート52の間に位置するハーフミラー53とを含む。透光積層体50を透過することによって、被覆部材30から出射する光の輝度ムラが低減される。
第1レンチキュラーレンズシート51は、複数の光源20を挟んで基体10と対向するように配置され、ハーフミラー53は、第1レンチキュラーレンズシートの上面側に位置している。また、第2レンチキュラーレンズシートは、ハーフミラー53の上面側に位置している。
第1レンチキュラーレンズシート51と基体10との間隔ODは複数の光源20のうち隣接する光源20におけるピッチ(間隔)Pの0.25倍以下であることが好ましい。つまり、OD≦0.25Pを満たしていることが好ましい。好ましくは、ODはPの0.18倍以上、0.25倍以下である。なお、ピッチは40mm以下が好ましい。上述したように、第1レンチキュラーレンズシート51、第2レンチキュラーレンズシート52およびハーフミラー53を配置することによって、第1レンチキュラーレンズシート51と基体10との間隔ODを小さくしても輝度ムラ抑制の効果が得られる。この範囲に間隔ODを設定することにより、輝度ムラを抑制しつつ、発光装置の薄型化を図ることができる。
(第1レンチキュラーレンズシート51と、第2レンチキュラーレンズシート52)
第1レンチキュラーレンズシート51および第2レンチキュラーレンズシート52はそれぞれ、シリンドリカルレンズが複数配列された透光性シートである。シリンドリカルレンズ間に形成された溝の間隔、つまり、各シリンドリカルレンズの幅は、例えば、150μm〜550μmであり、200μm〜450μmが好ましく、250μm〜350μmがより好ましい。第1レンチキュラーレンズシート51および第2レンチキュラーレンズシート52として、バックライト、照明等の光学部品用の市販されているレンチキュラーレンズシートを用いることができる。第1レンチキュラーレンズシートの複数の溝の伸びる方向と第2レンチキュラーレンズシート52の複数の溝の伸びる方向とが互いに交差するように第1レンチキュラーレンズシート51および第2レンチキュラーレンズシート52は配置されている。好ましくは、第1レンチキュラーレンズシート51の複数の溝の伸びる方向と第2レンチキュラーレンズシート52の複数の溝の伸びる方向とは、85°以上95°以下の角度をなしている。
第1レンチキュラーレンズシート51および第2レンチキュラーレンズシート52は、それぞれ、複数の溝が設けられていない面、つまり、平坦な面が基体10と対向するように配置されていることが好ましい。
(ハーフミラー53)
ハーフミラー53は一方の主面から入射する光の一部を反射し、残りの光を透過させる。垂直入射時におけるハーフミラー53の反射率は、光源20の発光波長帯域に対して30〜75%であることが好ましい。反射率が30%よりも低いと第1レンチキュラーレンズシート51側へ反射する光の量が少なくなり、輝度ムラ抑制の効果が低減する。また、反射率が75%より高いと光の取り出し効率が低下する。
ハーフミラー53の垂直方向の反射率特性において、光源20の発光ピーク波長より長波長側の帯域は、短波長側の帯域よりも広いことが好ましい。図5に、光源20から出射する光の発光スペクトルと、ハーフミラー53の反射率特性との一例を示す。横軸は波長を示し、縦軸は、反射率または相対発光強度を示す。反射率は、ハーフミラー53の主面に垂直な方向における値を示す。図5に示す例では、光源20の発光ピーク波長は約450nmである。ハーフミラー53の、例えば、40%以上の反射率を有する帯域は、450nmよりも短波長側では、400〜450nmの50nmの帯域であるのに対し、450nmよりも長波長側では、450〜570nmの120nmの帯域である。
一般に、ハーフミラーの反射波長帯域は、光が垂直に入射する場合に比べ、斜め入射する場合に光路長が長くなることにより、短波長側へシフトする。例えば、ある波長λの光が垂直方向からハーフミラーに入射した場合に、所定の反射率で光を反射させる特性を有していても、ハーフミラーに対して斜めから入射させると、反射波長帯域が短波長側へδだけシフトする。このため、反射波長帯域のシフト量δに対応した分だけ波長λよりも短い波長の光は同じ反射率で反射するが、波長λの光に対する反射率は低下する。
このような場合に、上述したように、ハーフミラー53の垂直方向の反射率特性において、光源20の発光ピーク波長より長波長側の帯域が、短波長側の帯域よりも広くなるように、反射率特性を設計することにより、斜めに入射する光にして反射波長帯域が短波長側へδだけシフトしたとしても、長波長側の帯域が広いことによって、同じ反射率を維持し得る。例えば、上述した配光角の絶対値が約40°以下の範囲において、ハーフミラー53に斜めに光が入射しても、反射率が低下し、光源20の光軸Lに対して少し斜めに入射する光が多く透過することにより、輝度ムラが強調されるのを抑制することができる。
ハーフミラー53は、透光性の基材に屈折率の異なる絶縁膜を積層した誘電体多層膜構造であることが好ましい。絶縁膜の具体的な材料としては、金属酸化膜、金属窒化膜、金属フッ化膜や有機材料など、光源20から放射される波長域において光吸収が少ない材料であることが好ましい。
誘電体多層膜を用いることで、光吸収の少ない反射膜を得ることができる。加えて、膜の設計により反射率を任意に調整することができ、角度によって反射率を制御することも可能となる。特に、垂直入射よりも斜め入射の方が、反射率が低くなるように設定することで、光取り出し面に垂直方向(光軸)の反射率を上げ、光軸に対して角度が大きくなるところで反射率を下げることができる。
(光拡散板54)
透光積層体50は、さらに、光拡散板54を有していてもよい。この場合、光拡散板54は第2レンチキュラーレンズシート52の上面に配置される。光拡散板54は、入射する光を拡散させて透過する。光拡散板54は、たとえば、ポリカーボネイト樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂等、可視光に対して光吸収の少ない材料によって構成されている。光を拡散させる構造は、光拡散板54の表面に凹凸を設けたり、光拡散板54中に屈折率の異なる材料を分散させたりすることによって、光拡散板54に設けられている。光拡散板は、光拡散シート、ディフューザーフィルム等の名称で市販されているものを利用してもよい。
(発光装置100の効果)
発光装置100によれば、光源20から出射した光は、第1レンチキュラーレンズシート51と第2レンチキュラーレンズシート52との間にハーフミラー53が配置された透光積層体50を透過することによって、輝度ムラが抑制される。特に、バットウイング型の配光特性を有するレンズである被覆部材30と透光積層体50とを組み合わせることによって、例えば、第1レンチキュラーレンズシート51と基体10との間隔ODが光源20のピッチ(間隔)Pの0.25倍以下であっても、輝度ムラがほとんど目立たない発光装置を実現することができる。したがって、本開示の発光装置100によれば、薄型で輝度ムラが低減された面発光装置を実現することができる。
以下の実施例で説明するように、輝度ムラの抑制には、第1レンチキュラーレンズシート51および第2レンチキュラーレンズシート52に対するハーフミラー53の位置が特に重要である。ハーフミラー53を第1レンチキュラーレンズシート51の下面、あるいは、第2レンチキュラーレンズシート52の上面に配置した場合、輝度ムラ低減の効果は十分には得られない。
バックライト等において、レンチキュラーレンズシートが出射方向への集光効果を得るために用いられることは知られている。しかし、この場合、集光効果を均一に得るため、2枚のレンチキュラーレンズシートはできるだけ同じ光学的条件で配置される。したがって、本開示の発光装置のように、2枚のレンチキュラーレンズシートの間に、レンチキュラーレンズシートとはまったく機能が異なるハーフミラーを配置することは一般的に行われていないし、このような配置によれば、むしろ輝度ムラが生じやすくなるとも考えられる。この点で、本開示の発光装置における2枚のレンチキュラーレンズシートおよびハーフミラーの配置は、単なる配置の選択ではなく、本願発明者の知見に基づく新規な構造である。
また、発光装置100によれば、光源20および光源20を載置した基体10側の構造には大きな変更を加える必要はなく、透光積層体50に用いるシート状の光学部材の適切な選択および配置によって、輝度ムラの改善効果を高めることができる。したがって、比較的簡単な構造、つまり、低コストで発光装置における輝度ムラの改善効果を得ることが可能である。
(実施例)
1.試料の作製
本開示の発光装置における輝度ムラ改善の効果を確認するため、図1に示す構造の発光装置を作製し、輝度ムラを測定した結果を説明する。
図2Aおよび図2Bに示す構造の光源20および被覆部材30を用意し、32mmピッチで、2次元配列でx方向に6個、y方向に4個の合計24個を、基体10上に配置した。
溝のピッチが0.5mmである2枚のレンチキュラーレンズシート、および、反射率が70%のハーフミラーを用意し、ODを10mmに設定し、実施例の発光装置を作製した。第1レンチキュラーレンズシート51の溝はx方向と平行であり、第2レンチキュラーレンズシート52の溝はy方向と平行である。
比較のため、ハーフミラー53が第2レンチキュラーレンズシート52の上面に配置されていることを除いて実施例1と同じ構造を備えた比較例1の発光装置、および、ハーフミラー53が第1レンチキュラーレンズシート51の下面に配置されていることを除いて実施例1と同じ構造を備えた比較例2の発光装置を作製した。
2.測定
実施例、比較例1および比較例2の発光装置の発光面を同じ条件で撮影した。結果をそれぞれ図6A、図7Aおよび図8Aに示す。
また、発光面上の所定の1点におけるx方向の輝度プロファイルおよびy方向の輝度プロファイルを測定した。また、この点における輝度を測定した。輝度を表1に示す。実施例、比較例1および比較例2の発光装置のy方向の輝度プロファイルを図6B、図7Bおよび図8Bに示す。横軸は、発光面におけるy方向の位置を示し、縦軸は相対輝度を示す。また、実施例、比較例1および比較例2の発光装置のx方向の輝度プロファイルを図6C、図7Cおよび図8Cに示す。横軸は、発光面におけるx方向の位置を示し、縦軸は相対輝度を示す。
3.結果および考察
Figure 0006947966
表1に示すように、実施例の輝度が一番高く、比較例1、2の輝度は、実施例よりも低い。特に、比較例1の輝度が大きく低下している。これは、比較例1の発光装置では、最も出射面側にハーフミラー53が配置されているため、最終的な光取り出し効率が、ハーフミラーの反射率によって制限されるからであると考えられる。
図6A、図7Aおよび図8Aを比較すると、実施例では、輝度ムラがほとんど目立たないのに対し、比較例1および比較例2では、光源20での位置の輝度が周囲よりも高く、ドット状の輝度ムラがみられる。これは、図6B、図6C、図7B、図7Cおよび図8B、図8Cに示される、y方向の輝度プロファイルおよびx方向の輝度プロファイルに現れている。図6Bおよび図6Cに示されるように、実施例のx方向およびy方向の輝度プロファイルはなめらかな曲線であり、光源の位置における曲線の凹凸はほとんど見られない。これに対し、図7Bおよび図7C並びに図8Bおよび図8Cに示されるように、比較例1および比較例2のx方向およびy方向の輝度プロファイルには、矢印で示す位置に凸部が生じており、光源の位置での輝度が周囲に比べて高いことが示されている。
このように、ハーフミラーの位置によって有意に輝度ムラが変化すること、および、実施例の発光装置によれば輝度ムラが抑制されることが分かる。
本開示の発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具などに好適に利用することができる。
10 基体
11 基板
12 導電層
13 絶縁層
20 光源
21 発光素子
21a 上面
22 波長変換部材
23 接続部材
24 アンダーフィル部材
30、31 被覆部材
30d、31d 凹部
50 透光積層体
51 第1レンチキュラーレンズシート
52 第2レンチキュラーレンズシート
53 ハーフミラー
54 光拡散板
100 発光装置

Claims (10)

  1. 上面を有する基体と、
    前記基体の上面に配置された複数の光源と、
    前記複数の光源を挟んで前記基体と対向するように配置された第1レンチキュラーレンズシートと、
    前記第1レンチキュラーレンズシートの上面側に位置しているハーフミラーと、
    前記ハーフミラーの上面側に位置しており、前記第1レンチキュラーレンズシートの複数の溝の伸びる方向と交差する方向に伸びる複数の溝を有する第2レンチキュラーレンズシートと、
    を備え
    前記第2レンチキュラーレンズシートの上面側および前記第1レンチキュラーレンズシートの下面側にハーフミラーを備えていない、発光装置。
  2. 前記第1レンチキュラーレンズシートの前記複数の溝の伸びる方向と前記第2レンチキュラーレンズシートの前記複数の溝の伸びる方向とは、85°以上95°以下の角度をなしている、請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記基体の前記上面は光反射性を有する、請求項1または2に記載の発光装置。
  4. 前記第2レンチキュラーレンズシートの上面側に位置する光拡散板をさらに備える、請求項1から3のいずれかに記載の発光装置。
  5. 前記ハーフミラーは誘電体多層膜を含む、請求項1から4のいずれかに記載の発光装置。
  6. 前記ハーフミラーの垂直方向の反射率特性において、前記光源の発光ピーク波長より長波長側の帯域は、短波長側の帯域よりも広い、請求項に記載の発光装置。
  7. 前記複数の光源のそれぞれを被覆する複数の被覆部材を更に備え、
    前記被覆部材は前記光源の直上に凹部または貫通孔を有しており、
    前記被覆部材の底面の幅が、前記被覆部材の最大幅よりも小さい、請求項1から6のいずれかに記載の発光装置。
  8. 前記被覆部材は、光軸高さが前記最大幅よりも小さい請求項7に記載の発光装置。
  9. 前記複数の光源のそれぞれは、
    少なくとも1つの発光素子と、
    前記発光素子を被覆する波長変換部材と、
    を有する請求項1から8のいずれかに記載の発光装置。
  10. 前記第1レンチキュラーレンズシートと前記基体との間隔は前記複数の光源のうち隣接する光源におけるピッチの0.25倍以下である請求項1から9のいずれかに記載の発光装置。
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