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JP6874368B2 - 電子機器 - Google Patents

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Description

本発明は、アンテナ装置、及び、電子機器に関する。
従来より、基板に設けられたGSM(登録商標)帯域に対応するチップ型アンテナである第1のアンテナ、DCS帯域及びPCS帯域に対応するパターンアンテナである第2のアンテナ、UMTS帯域に対応する積層アンテナである第3のアンテナを含むアンテナ装置がある。第2のアンテナは、第1のアンテナと給電ポートから延びた線路を経て設けられ、第2のアンテナは、基板上で第3のアンテナとギャップGを介して配置され、アンテナスイッチを設けることなく容量結合されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2007−281990号公報
ところで、従来のアンテナ装置では、第2のアンテナは、インピーダンス整合を取るために第3のアンテナと容量結合されており、アンテナ装置としての効率(特に放射効率)を改善するために設けられているものではない。
そこで、効率を改善したアンテナ装置、及び、電子機器を提供することを目的とする。
本発明の実施の形態の電子機器は、筐体と、前記筐体に配設されるアンテナ装置とを含み、前記アンテナ装置は、端辺を有するグランドプレーンと、第1給電点を有し、第1周波数で通信するモノポール型の第1アンテナエレメントと、第2給電点を有し、前記端辺から離間する方向に前記第2給電点から伸延し、第2周波数で通信するモノポール型の第2アンテナエレメントと、前記第2アンテナエレメントの途中から分岐する分岐エレメントとを含み、前記第2アンテナエレメントと前記分岐エレメントとは、T字型に分岐したT字型アンテナエレメントであり、前記第2アンテナエレメント及び前記分岐エレメントは、前記筐体の内壁に取り付けられており、前記第1アンテナエレメントは、前記第2アンテナエレメント及び前記分岐エレメントよりも前記グランドプレーンの近くに設けられており、前記第1アンテナエレメントの先端は、前記第2アンテナエレメントの先端よりも前記グランドプレーンの近くに配置され、前記第1給電点と前記第2給電点との間隔は、前記第1周波数における第1波長の電気長の0.25倍から0.7倍の長さであり、前記第2アンテナエレメントの長さは、前記第1波長の電気長の0.15倍から0.55倍の長さである。

効率を改善したアンテナ装置、及び、電子機器を提供することができる。
実施の形態のアンテナ装置を含むタブレットコンピュータ500の正面側を示す斜視図である。 タブレットコンピュータ500の配線基板505を示す図である。 実施の形態のアンテナ装置100を示す平面図である。 図3におけるA−A矢視断面を示す図である。 シミュレーションモデル100Aを示す図である。 放射素子110と放射素子120との距離Xに対する、放射素子110の放射効率の特性を示す図である。 シミュレーションモデル100B及び100Cを示す図である。 シミュレーションモデル100B及び100Cを示す図である。 シミュレーションモデル100B及び100Cにおける、放射素子110と放射素子120との距離Xに対する、放射素子110の放射効率の特性を示す図である。 図5に示すシミュレーションモデル100Aにおいて放射素子120の長さを変化させた場合の放射効率の増加分の変化を示す図である。 シミュレーションモデル100Aの電流密度のシミュレーション結果を示す図である。
以下、本発明のアンテナ装置、及び、電子機器を適用した実施の形態について説明する。
<実施の形態>
図1は、実施の形態のアンテナ装置を含むタブレットコンピュータ500の正面側を示す斜視図である。タブレットコンピュータ500は、実施の形態のアンテナ装置を含む電子機器の一例である。
タブレットコンピュータ500の筐体500Aには、正面側にタッチパネル501及びディスプレイパネル502が配設され、タッチパネル501の下側には、ホームボタン503とスイッチ504が配設される。タッチパネル501は、ディスプレイパネル502の表面側に設けられている。
なお、実施の形態のアンテナ装置を含む電子機器は、タブレットコンピュータ500に限られず、スマートフォン端末機、携帯電話端末機、又はゲーム機等であってもよい。
図2は、タブレットコンピュータ500の配線基板505を示す図である。
配線基板505は、筐体500A(図1参照)の内部に配設される。配線基板505には、DUP(Duplexer)510、LNA(Low Noise Amplifier)/PA(Power Amplifier)520、変調/復調器530、及びCPU(Central Processing Unit:中央演算処理装置)チップ540が実装される。
また、配線基板505のDUP510、LNA/PA520、変調/復調器530、及びCPUチップ540が実装される面とは反対側の面には、実施の形態のアンテナ装置100が配設される。アンテナ装置100の詳細な構成については後述するため、図2では、アンテナ装置100の位置を破線で示す。
DUP510、LNA/PA520、変調/復調器530、及びCPUチップ540は、配線565を介して接続されている。
DUP510は、配線560と図示しないビアとを介してアンテナ装置100に接続されており、送信又は受信の切り替えを行う。DUP510は、フィルタとしての機能を有するため、アンテナ装置100が複数の周波数の信号を受信した場合に、それぞれの周波数の信号を内部で分離することができる。
LNA/PA520は、送信波及び受信波の電力の増幅を行う。変調/復調器530は、送信波の変調と受信波の復調を行う。CPUチップ540は、タブレットコンピュータ500の通信処理を行う通信用プロセッサとしての機能と、アプリケーションプログラムを実行するアプリケーションプロセッサとしての機能とを有する。なお、CPUチップ540は、送信するデータ又は受信したデータ等を格納する内部メモリを有する。
なお、配線560、565は、例えば、配線基板505の表面の銅箔をパターニングすることによって形成される。また、図2では図示を省くが、アンテナ装置100とDUP510との間には、インピーダンス特性を調整するための整合回路が設けられる。
図3は、実施の形態のアンテナ装置100を示す平面図である。図4は、図3におけるA−A矢視断面を示す図である。アンテナ装置100は、例えば、タブレットコンピュータ500(図1参照)のスイッチ504の近くに位置するように配設される。
アンテナ装置100は、グランドプレーン20、放射素子110、及び放射素子120を含む。以下では、直交座標系であるXYZ座標系を用いて説明する。
アンテナ装置100は、一例として、タブレットコンピュータ500(図2参照)の筐体500Aの内部に含まれる金属板10に取り付けられている。
金属板10は、グランドプレーン20よりも厚い金属板であり、接地電位に保持される。金属板10は、例えば、タブレットコンピュータ500のディスプレイパネル502(図1参照)の表示面とは反対側に設けられる板金である。この場合、金属板10は、ディスプレイパネル502を補強するために設けられている。金属板10は、図2に示す配線基板505の裏側に設けられている。
金属板10には、電子機器の機能を実現するために必要なCPU(Central Processing Unit)チップ、メモリ、又はその他の電子部品が接続されていてもよい。なお、金属板10は、このようなものに限られず、上述したような電子機器に含まれている金属板であればよい。電子機器は、ディスプレイパネルを含まなくてもよい。
グランドプレーン20は、金属板10のX軸に平行な辺L1に接続される金属層であり、接地電位に保持される。グランドプレーン20は、頂点21、22、23、24を有する矩形状のグランド部20Aと、頂点22と頂点23を結ぶ辺L2からY軸正方向にL字型に突出するグランド部20Bとを有する金属層である。
グランド部20Bは、辺L2からY軸正方向に突出し、折り曲げ部25でX軸負方向に折り曲げられ、先端26まで伸延している。なお、グランドプレーン20は、頂点21及び22よりもさらにX軸負方向に伸延していてもよく、頂点23及び24よりもさらにX軸正方向に伸延していてもよい。
頂点21と頂点24を結ぶ辺L1と、頂点22と頂点23を結ぶ辺L2とは、ともにX軸に平行である。頂点21と頂点22を結ぶ辺と、頂点24と頂点23を結ぶ辺とは、ともにY軸に平行である。辺L2は、辺L1の対辺であり、グランドプレーン20の端辺である。
グランドプレーン20は、アンテナ装置100のグランドプレーンとして機能する。グランドプレーン20は、例えば、筐体500Aの内側の面に形成されるめっき層である。めっき層は、例えば、銅めっき又はその他の金属製のめっきで作製することができる。また、グランドプレーン20は、配線基板505の表面に貼り付けられる金属箔によって実現されてもよい。
放射素子110は、グランドプレーン20のグランド部20AのZ軸正方向側に、樹脂製のスペーサ30を介して搭載されている。放射素子110は、給電点111と先端112とを有する直線状の金属導体であり、グランドプレーン20と同様に、銅めっき又はその他の金属製のめっきで作製することができる。また、放射素子110は、線状の銅箔であってもよい。
放射素子110は、モノポール型の第1アンテナエレメントの一例である。放射素子110は、平面視で辺L2に沿って伸延しており、両端に給電点111と先端112を有する。先端112は、平面視で頂点21と同じ位置にある。なお、給電点111は、第1給電点の一例である。
放射素子110の給電点111から先端112までのグランドプレーン20に対する高さ(Z軸方向の距離)は一定である。放射素子110は、一例として、給電点111が同軸ケーブルの芯線に接続され、平面視で給電点111の真下(Z軸負方向側)にあるグランドプレーン20の点(給電点111に対応するグランドプレーン20の点)が同軸ケーブルのシールド線に接続されることによって給電される。
放射素子110の通信周波数はf1であり、放射素子110の長さ(給電点111から先端112までの長さ)は、通信周波数f1における波長λの電気長の四半波長(λ/4)に設定される。このため、放射素子110は、グランドプレーン20と共同してモノポールアンテナとして機能する。
放射素子110は、放射素子120よりもグランドプレーン20に近接して配置されている。給電点111は、放射素子120の給電点121よりもグランドプレーン20の近くに配置される。また、先端112は、放射素子120の先端122よりもグランドプレーン20の近くに配置される。なお、給電点121は、第2給電点の一例である。
放射素子110は、放射素子120に比べてグランドプレーン20に近いため、放射素子120よりもグランドプレーン20との結合が強く、単独での放射効率が低いが、放射素子110自身が放射することに加えて、放射素子120を介して放射することにより、通信周波数f1での放射効率を確保する。このような放射素子110の原理については後述する。
スペーサ30は、平面視で放射素子110と略等しいサイズを有する薄板状の樹脂製の部材であり、放射素子110を配置するために設けられている。スペーサ30は、例えば筐体500Aと同様の材料で作製することができ、グランドプレーン20のグランド部20AのZ軸正方向側に貼り付けられ、スペーサ30のZ軸正方向側には放射素子110が配設される。
なお、ここでは、スペーサ30を用いて放射素子110をグランドプレーン20のZ軸正方向側に配置する形態について説明するが、スペーサ30を用いずに、筐体500Aの内壁からZ軸負方向に突出する突出部を設け、突出部の先端に放射素子110を設けてもよい。
放射素子120は、筐体500Aの内壁に取り付けられている。放射素子120は、給電点121、先端122、及び分岐端123を有するT字型の放射素子であり、グランドプレーン20、放射素子110と同様に、銅めっき又はその他の金属製のめっきで作製することができる。また、放射素子110は、T字型の銅箔であってもよく、この場合は筐体500Aの内壁に貼り付ければよい。
給電点121は、平面視で、グランドプレーン20の先端26と同じ位置に配置される。給電部121は、平面視で先端26のY軸方向の幅方向における略中央に位置する。
放射素子120は、給電点121からY軸正方向に伸延し、折り曲げ部124でX軸負方向に折り曲げられ、先端122まで伸延している。放射素子120のうち給電点121から折り曲げ部124を経て先端122まで伸延する部分(以下、放射部120Aと称す)は、モノポール型の第2アンテナエレメントの一例である。
また、放射素子120は、折り曲げ部124からX軸正方向に分岐し、分岐端123まで伸延する区間を有する。この区間は、分岐エレメントの一例である。放射素子120のうち給電点121から折り曲げ部124を経て分岐端123まで伸延する部分を放射部120Bと称す。
放射素子120の給電点121から先端122までの区間のグランドプレーン20に対する高さ(Z軸方向の距離)と、折り曲げ部124から分岐端123までの区間のグランドプレーン20に対する高さ(Z軸方向の距離)とは一定であり、放射素子110よりも高い位置に配置されている。
放射素子120は、一例として、給電点121が同軸ケーブルの芯線に接続され、平面視で給電点121の真下(Z軸負方向側)にあるグランドプレーン20の点(給電点121に対応するグランドプレーン20の点であり、先端26のY軸方向の幅方向における略中央の点)が同軸ケーブルのシールド線に接続されることによって給電される。
放射部120Aの通信周波数はf2であり、放射部120Aの長さ(給電点121から先端122までの長さ)は、通信周波数f2における波長λの電気長の四半波長(λ/4)に設定される。このため、放射部120Aは、グランドプレーン20と共同してモノポールアンテナとして機能する。放射部120Aの長さは放射素子110の長さよりも長いため、通信周波数f2は通信周波数f1よりも低い。
また、放射部120Bの通信周波数はf3であり、放射部120Bの長さ(給電点121から分岐端123までの長さ)は、通信周波数f3における波長λ3の電気長の四半波長に設定される。このため、放射部120Bは、グランドプレーン20と共同してモノポールアンテナとして機能する。放射部120Bの長さは放射素子110及び放射部120Aの長さよりも長いため、通信周波数f3は通信周波数f1及びf2よりも低い。
放射素子120は、放射素子110よりもグランドプレーン20から離間して配置されている。給電点121は、放射素子110の給電点111よりもグランドプレーン20から離れた位置(遠く)に配置される。また、先端122は、放射素子110の先端112よりもグランドプレーン20から離れた位置(遠く)に配置され、分岐端123は、放射素子110の先端112よりもグランドプレーン20から離れた位置(遠く)に配置される。
放射素子120は、放射素子110よりもグランドプレーン20から離れているため、放射素子110よりもグランドプレーン20との結合が弱く、単独での放射効率が高い。放射素子120は、通信周波数f2及びf3で自身が放射することに加えて、放射素子110の放射を補助する。このような放射素子120の原理については後述する。
図5は、シミュレーションモデル100Aを示す図である。シミュレーションモデル100Aは、図3及び図4に示すアンテナ装置100のシミュレーションモデルである。
シミュレーションモデル100Aは、グランドプレーン20のグランド部20B(図3参照)を無くして、給電点121を辺L2上に位置させるとともに、放射素子120をY軸正方向に伸延する直線状のアンテナエレメントにしたものである。シミュレーションモデル100Aでは、放射素子120は、給電点121と先端122とを両端とする、電気長がλ/4のモノポール型のエレメントである。
給電点111及び121のグランドプレーン20との位置関係は、図3及び図4に示すものと同様である。なお、グランドプレーン20は、放射素子110の先端112よりもX軸負方向にさらに伸延している。
このようなシミュレーションモデル100Aにおいて、放射素子110をX軸方向に移動させて放射素子120に対する放射素子110の位置を変化させながら、放射素子110のみに給電を行ったところ、図6に示す結果を得た。なお、放射素子120の給電点121は、50Ω抵抗器で終端した。
図6は、放射素子110と放射素子120との距離Xに対する、放射素子110の放射効率の特性を示す図である。距離Xは、より具体的には、放射素子110の給電点111と放射素子120の給電点121との間の距離である。
図6において、横軸は、距離Xを波長λで規格化(除算)した数値を表す。例えば、横軸の値が0.3である場合には、距離Xは0.3×λ(0.3λ)である。また、縦軸は、放射素子110のみに給電を行った場合の放射素子110の放射効率(dB)を示す。
図6において、距離Xが0.07λの場合は、放射素子110の給電点111と放射素子120の給電点121とが最も近い場合であり、距離Xが0.66λの場合は、放射素子110の給電点111と放射素子120の給電点121とが最も離れている場合である。
距離Xを大きくして行くと、放射効率は約−10.5dBから上昇し、距離Xが0.33λのときに最大値である約−6.5dBになり、さらに距離Xが増大すると、距離Xが約0.6λ以上では放射効率は、−7.5dBで略一定になった。また、図6には、距離Xが0.66λよりも長いときの放射効率を示さないが、距離Xが0.60λから0.66λのときと同様の傾向を確認することができた。
このように、放射素子110と放射素子120が近いと、放射素子110の放射効率は低くなり、放射素子110と放射素子120を離して行くと、放射素子110の放射効率は増大し、距離Xが約0.3λ〜約0.4λのときに放射効率が高くなることが分かった。
放射素子110と放射素子120が近いときに放射素子110の放射効率が低くなるのは、給電されている放射素子110の近くに、金属(放射素子120)が配置され、放射素子110と放射素子120の結合が強すぎたからと考えられる。
また、距離Xが0.66λ以上の場合に放射効率が略一定になっているのは、距離Xが0.66λ以上では、放射素子110と放射素子120の結合は無視できる程度になり、放射素子110の放射に放射素子120が影響しなくなるからと考えられる。換言すれば、距離Xが0.66λ以上の場合には、放射素子120が存在せずに、放射素子110が単独で存在して放射していることと等価であると考えられる。
ところで、距離Xが約0.25λのときの放射効率は、距離Xが0.66λ以上の場合の放射効率と略同一の値であり、距離Xが約0.25λから約0.66λまでの場合の放射効率は、距離Xが0.66λ以上の場合の放射効率以上の値を示している。
これは、放射素子110と放射素子120が適度に結合した状態で、放射素子110が放射する電波が放射素子120によって再放射されているためと考えられる。
ここで、放射素子120が存在せずに、放射素子110が単独で存在して放射している場合のトータル効率E1は、次式(1)で求められる。放射素子110が単独で存在している場合には、トータル効率は、放射素子110の放射効率から反射損を減算して求められる。
トータル効率E1=放射効率−反射損 (1)
これを具体的に求めると、トータル効率E1=−7.27138−0.19871=−7.47009dBとなる。
また、放射素子110及び120の2本が存在し、距離Xが0.33λである場合のトータル効率E2は、次式(2)で求められる。放射素子110及び120の2本が存在し、放射素子110のみが放射している場合には、トータル効率E2は、放射素子110の放射効率から反射損と結合損を減算して求められる。結合損は、放射素子110及び120が電磁界結合することによって生じる損失である。
トータル効率E2=放射効率−反射損−結合損 (2)
これを具体的に求めると、トータル効率E2=−6.75103−0.18304−0.08131=−7.01538dBとなる。これは、トータル効率E1(−7.47009dB)よりも低く、約0.4dBほど良好な値である。なお、距離Xを0.33λに設定した場合には、給電点111にインダクタを直列に挿入(装荷)し、コンデンサを並列に接続(装荷)している。
ここで、放射素子110が単独で存在して放射している場合の反射損は0.19871であり、放射素子110及び120の2本が存在して放射素子110のみが放射している場合の反射損は0.18304である。これは、放射素子110から見ると、放射素子120が存在しても存在しなくても、インピーダンスの値が殆ど変わらないことを意味する。インピーダンスが整合されていれば、反射損はもっと低下するはずである。
そして、放射素子110に加えて放射素子120が存在することにより、放射素子110を単独で用いる場合よりも放射効率が−7.27138から−6.75103に上昇している。
このように、放射素子120を用いても反射損が同様の値であり、放射効率が改善されていることから、放射素子110が放射する電波が放射素子120によって再放射されていると考えられる。距離Xが約0.25λから約0.66λまでの場合の放射効率は、距離Xが0.66λ以上の場合の放射効率以上の値を示しており、放射素子110の放射を放射素子120が補助していると考えられる。
図7及び図8は、シミュレーションモデル100B及び100Cを示す図である。
図7に示すシミュレーションモデル100Bは、図5に示すシミュレーションモデル100Aの放射素子110の先端112のX軸負方向側に、グランドプレーン20の端辺L2に接続される直方体状の金属部材27を追加したシミュレーションモデルである。このようなシミュレーションモデル100Bにおいて、距離Xを図7(A)、(B)に示すように変化させる。
また、図8に示すシミュレーションモデル100Cは、図5に示すシミュレーションモデル100Aの放射素子110の先端112のX軸負方向側に、グランドプレーン20の端辺L2に接続されるグランドエレメント28を追加したシミュレーションモデルである。
グランドエレメント28は、グランドプレーン20と等しい厚さ(Z軸方向の長さ)を有し、グランドプレーン20と一体的に形成されている。換言すれば、放射素子110及び120が存在する部分だけ、グランドプレーンが矩形状に切り欠かれている構成である。
このようなシミュレーションモデル100Cにおいて、距離Xを図8(A)、(B)に示すように変化させる。
図9は、シミュレーションモデル100B及び100Cにおける、放射素子110と放射素子120との距離Xに対する、放射素子110の放射効率の特性を示す図である。
図9に示すように、シミュレーションモデル100B及び100Cにおいて距離Xを0.1λから増大させて行くと、放射素子110の放射効率は増大し、シミュレーションモデル100Bの放射素子110の放射効率は距離Xが約0.43λのときに最大値(約−6.2dB)を取り、距離Xが約0.7λ以上において放射効率は略飽和した。
また、シミュレーションモデル100Cの放射素子110の放射効率は距離Xが約0.4λのときに最大値(約−6.6dB)を取り、距離Xが約0.7λ以上において放射効率は略飽和した。
以上のように、金属部材27を追加したシミュレーションモデル100Bと、グランドエレメント28を追加したシミュレーションモデル100Cとでは、最大値を得る距離Xは多少異なり、最大値も多少異なるが、図6に示す特性と同様の傾向が得られた。
具体的には、シミュレーションモデル100Bでは、距離Xが約0.32λから約0.75λまでの場合の放射効率は、距離Xが約0.75λより長い場合の放射効率以上の値が得られた。また、シミュレーションモデル100Cでは、距離Xが約0.25λから約0.63λまでの場合の放射効率は、距離Xが約0.63λより長い場合の放射効率以上の値が得られた。距離Xが約0.75λより長い場合と、距離Xが約0.63λより長い場合とは、放射素子110を単独で用いる場合と等価である。
以上、図6及び図9の結果から、距離Xが約0.25λから約0.7λまでの場合の放射効率は、放射素子110を単独で用いる場合の放射効率以上の値が得られると言える。
図10は、図5に示すシミュレーションモデル100Aにおいて放射素子120の長さを変化させた場合の放射効率の増加分の変化を示す図である。図10は、放射素子120は給電せず50Ω抵抗器で終端とし、放射素子110のみに給電した場合のシミュレーション結果である。
ここで、図10の横軸に示す放射素子120の長さとは、図5に示す放射素子120の給電点121から先端112までの長さである。ここでは、長さY2と称す。なお、長さY2は、波長λで規格化(除算)した数値で表す。また、縦軸は、放射素子110のみに給電を行った場合の放射素子110の放射効率(dB)を増加分として示す。増加分とは、放射素子110を単独で(放射素子120が存在しない状態で)放射させた場合の放射効率に対して増加する分である。
図10に示すように、長さY2が0.15λ未満では増加分はマイナスの値であるが、長さY2が0.15λから0.55λまでは増加分はプラスの値になっている。また、長さY2が0.6λ以上では、増加分はマイナスの値である。
以上より、放射素子120の長さを通信周波数f1の波長λの0.15倍から0.55倍になるように設定すれば、放射素子110の放射は放射素子120によって補助され、放射素子110の放射効率が改善されることが分かった。
図11は、シミュレーションモデル100Aの電流密度のシミュレーション結果を示す図である。図11のシミュレーション結果は、電磁界シミュレーションにおいて、放射素子110のみに給電を行い、放射素子120の給電点121を50Ω抵抗器で終端した状態で得たものである。図11において、電流密度(A/m)が高いところほど黒く(濃く)示し、電流密度が低いところほど白く(薄く)示す。
図11に示すように、放射素子110のみに給電を行った状態で、放射素子110及びその周辺のみならず、放射素子120にも電流が流れていることが分かる。特に、放射素子120の給電点121の色は濃くなっており、モノポールアンテナとして機能する放射素子120の給電点121における電流密度が高く、放射素子110のみに給電を行っている状態で、放射素子120も放射していることが分かる。
すなわち、放射素子110と放射素子120が適度に結合した状態で、放射素子110が放射する電波が放射素子120によって再放射されていることを確認することができた。
以上より、放射素子110と放射素子120が次のような条件を満たすと、放射素子110が放射する電波を放射素子120が再放射することにより、放射素子110を単独で用いる場合に比べて、トータル効率を増大させることができる。
まず、前提条件として、放射素子110の先端112は、放射素子120の先端122よりもグランドプレーン20の近くに配置される。すなわち、放射素子110とグランドプレーン20の結合は、放射素子120とグランドプレーン20の結合よりも強い。
そして、放射素子110の給電点111と放射素子120の給電点121との間の距離Xは、0.25λ〜約0.7λである。この条件は、図6及び図9から導き出されるものである。
さらに、放射素子120の長さY2は、0.15λ〜約0.55λである。この条件は、図10から導き出されるものである。
このような条件を満たす場合に、図11で確認できるように、放射素子110が放射する電波を放射素子120が再放射することにより、放射素子110を単独で用いる場合に比べて、トータル効率を増大させることができる。
従って、実施の形態によれば、効率を改善したアンテナ装置100、及び、電子機器500を提供することができる。図3及び図4に示すアンテナ装置100は、3つの通信周波数f1、f2、f3で通信可能なマルチバンドタイプのアンテナ装置である。なお、通信周波数f1、f2、f3は、例えば、f1が2.4GHz、f2が2GHz、f3が800MHzである。
アンテナ装置100では、放射素子120を用いても放射素子110を単独で用いる場合と反射損が同様の値であり、かつ、放射効率が改善されることから、トータル効率を改善することができる。
また、放射素子110は、グランドプレーン20の近傍でグランドプレーン20の表面に沿って超低姿勢で配置されているので、小型化が可能である。
また、以上では、放射素子110よりも放射部120Aの長さが長く、通信周波数f2がf1よりも低い形態について説明したが、この逆であってもよい。同様に、放射部120Aの長さは、放射部120Bの長さよりも長くてもよく、この場合には、通信周波数f2は、f3よりも低くなる。
また、図3には、放射素子120がT字型である形態を示したが、放射素子120は、図5に示すように分岐していない線状のアンテナエレメントであってもよく、図5に示す放射素子120を折り曲げたアンテナエレメントであってもよい。また、放射素子120には、複数の分岐エレメントが接続されていてもよい。このような場合には、通信周波数の数を4つ以上に増やすことが可能である。また、放射素子120が筐体500Aの内側にある形態を示したが、筐体500Aの外側にあってもよい。
また、放射素子110に分岐エレメントが接続されていてもよい。このような場合には、放射素子110の方で、通信周波数の数を増やすことができる。
また、以上では、給電点111が放射素子110の一端にあり、グランドプレーン20の近傍に位置する形態について説明したが、給電点111は放射素子110の端部に位置していなくてもよく、グランドプレーン20の近傍に位置していなくてもよい。例えば、放射素子110が逆U字型に折り曲げられた形状を有し、給電点111が折り曲げ部に位置し、両端が放射素子120の先端よりもグランドプレーン20に近い位置に配置されていてもよい。この場合には、放射素子110は、グランドプレーン20の端辺L2に沿って配置されないことになる。
また、以上では、給電点121が放射素子120の一端にあり、グランドプレーン20の近傍に位置する形態について説明したが、給電点121は放射素子120の端部に位置していなくてもよく、グランドプレーン20の近傍に位置していなくてもよい。放射素子120は、先端122が放射素子110の先端112よりもグランドプレーン20の遠くに位置していればよい。
また、給電点111にインダクタを直列に挿入(装荷)し、コンデンサを並列に接続(装荷)することに加えて、もしくは、この代わりに、給電点121にインダクタを直列に挿入(装荷)し、コンデンサを並列に接続(装荷)してもよい。装荷するのは、インダクタ又はコンデンサの一方のみであってもよい。
また、放射素子110は、波長λの電気長の四半波長(λ/4)よりも短くてもよい。例えば、給電点111にインダクタを直列に挿入(装荷)し、コンデンサを並列に接続(装荷)することにより、λ/4よりも短く(例えばλ/10程度に)することができる。このような場合には、放射素子110をさらに小型化することができる。
また、放射素子110及び120は、メアンダ形状やスパイラル形状のように折り曲げた形状であってもよい。
以上、本発明の例示的な実施の形態のアンテナ装置、及び、電子機器について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
以上の実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
(付記1)
端辺を有するグランドプレーンと、
第1給電点を有し、第1周波数で通信するモノポール型の第1アンテナエレメントと、
第2給電点を有し、前記端辺から離間する方向に前記第2給電点から伸延し、第2周波数で通信するモノポール型の第2アンテナエレメントと
を含み、
前記第1アンテナエレメントの先端は、前記第2アンテナエレメントの先端よりも前記グランドプレーンの近くに配置され、
前記第1給電点と前記第2給電点との間隔は、前記第1周波数における第1波長の電気長の0.25倍から0.7倍の長さであり、
前記第2アンテナエレメントの長さは、前記第1波長の電気長の0.15倍から0.55倍の長さである、アンテナ装置。
(付記2)
前記第2アンテナエレメントの先端と前記グランドプレーンとの間の間隔は、前記第1アンテナエレメントの先端と前記グランドプレーンとの間の間隔よりも広い、付記1記載のアンテナ装置。
(付記3)
前記第2給電点と前記グランドプレーンとの間の間隔は、前記第1給電点と前記グランドプレーンとの間の間隔よりも広い、付記1又は2記載のアンテナ装置。
(付記4)
前記第2アンテナエレメントの途中から分岐する分岐エレメントをさらに含み、
前記第2アンテナエレメントと前記分岐エレメントとは、T字型に分岐したT字型アンテナエレメントである、付記1乃至3のいずれか一項記載のアンテナ装置。
(付記5)
前記グランドプレーンは基板に設けられており、前記第2アンテナエレメントは、前記基板を含む筐体によって保持される、付記1乃至4のいずれか一項記載のアンテナ装置。
(付記6)
前記第1給電点又は前記第2給電点に装荷され、前記第1アンテナエレメント又は前記第2アンテナエレメントのインピーダンス整合を取る、インダクタ又はコンデンサをさらに含む、付記1乃至5のいずれか一項記載のアンテナ装置。
(付記7)
筐体と、
前記筐体の内部に配設されるアンテナ装置と
を含み、
前記アンテナ装置は、
端辺を有するグランドプレーンと、
前記端辺の近傍に位置する第1給電点を有し、前記端辺に沿って配置され、第1周波数で通信するモノポール型の第1アンテナエレメントと、
前記端辺の近傍に位置する第2給電点を有し、前記端辺から離間する方向に前記第2給電点から伸延し、第2周波数で通信するモノポール型の第2アンテナエレメントと
を含み、
前記第1給電点と前記第2給電点との間隔は、前記第1周波数における第1波長の電気長の0.25倍から0.7倍の長さであり、
前記第2アンテナエレメントの長さは、前記第1波長の電気長の0.15倍から0.55倍の長さである、電子機器。
10 金属板
20 グランドプレーン
20A、20B グランド部
30 スペーサ
100 アンテナ装置
100A シミュレーションモデル
110 放射素子
111 給電点
112 先端
120 放射素子
120A、120B 放射部
121 給電点
122 先端
123 分岐端
124 折り曲げ部

Claims (4)

  1. 筐体と、
    前記筐体に配設されるアンテナ装置と
    を含み、
    前記アンテナ装置は、
    端辺を有するグランドプレーンと、
    第1給電点を有し、第1周波数で通信するモノポール型の第1アンテナエレメントと、
    第2給電点を有し、前記端辺から離間する方向に前記第2給電点から伸延し、第2周波数で通信するモノポール型の第2アンテナエレメントと
    前記第2アンテナエレメントの途中から分岐し、第3周波数で通信する分岐エレメントと
    を含み、
    前記第2アンテナエレメントと前記分岐エレメントとは、T字型に分岐したT字型アンテナエレメントであり、
    前記第2アンテナエレメント及び前記分岐エレメントは、前記筐体の内壁に取り付けられており、
    前記第1アンテナエレメントは、前記第2アンテナエレメント及び前記分岐エレメントよりも前記グランドプレーンの近くに設けられており、
    前記第1アンテナエレメントの先端は、前記第2アンテナエレメントの先端よりも前記グランドプレーンの近くに配置され、
    前記第1給電点と前記第2給電点との間隔は、前記第1周波数における第1波長の電気長の0.25倍から0.7倍の長さであり、
    前記第2アンテナエレメントの長さは、前記第1波長の電気長の0.15倍から0.55倍の長さである、電子機器。
  2. 前記第2アンテナエレメントの先端と前記グランドプレーンとの間の間隔は、前記第1アンテナエレメントの先端と前記グランドプレーンとの間の間隔よりも広い、請求項1記載の電子機器
  3. 前記第2給電点と前記グランドプレーンとの間の間隔は、前記第1給電点と前記グランドプレーンとの間の間隔よりも広い、請求項1又は2記載の電子機器
  4. 前記グランドプレーンは基板に設けられており、前記第2アンテナエレメントは、前記基板を含む筐体によって保持される、請求項1乃至のいずれか一項記載の電子機器
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