JP6719272B2 - X-ray inspection device - Google Patents
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Description
本発明は、X線検査装置に関する。 The present invention relates to an X-ray inspection apparatus.
例えば、半導体チップの実装工程では、半導体ウェハから切り出された半導体チップを吸着し、実装基板上に搭載する過程で、半導体チップの裏面に設けられたはんだ材などのバンプを加熱溶融させて実装基板に熱圧着させる。 For example, in a semiconductor chip mounting process, a semiconductor chip cut out from a semiconductor wafer is adsorbed and mounted on a mounting substrate, and a bump such as a solder material provided on the back surface of the semiconductor chip is heated and melted to mount the mounting substrate. Thermocompression bond to.
近年、半導体デバイスの小型化が進むのに伴って、バンプのサイズも非常に小さく、且つ、バンプ間のピッチも非常に狭くなってきている。このため、半導体チップの実装工程では、バンプの代わりに貫通電極(TSV)を使用することで、上述した小サイズ化及び狭ピッチ化を実現している。 In recent years, with the progress of miniaturization of semiconductor devices, the size of bumps has become very small, and the pitch between bumps has also become very narrow. Therefore, in the process of mounting the semiconductor chip, the through electrodes (TSV) are used instead of the bumps to realize the above-described size reduction and pitch reduction.
ところで、貫通電極は、半導体チップに埋め込まれた状態で形成されるため、半導体チップの外観からはその状態を確認することはできない。そこで、X線検査装置を用いて、半導体チップを透過したX線の吸収量から、貫通電極の状態(例えば、欠陥位置など。)を検査している(例えば、特許文献1を参照。)。 By the way, since the through electrode is formed in a state of being embedded in the semiconductor chip, the state cannot be confirmed from the appearance of the semiconductor chip. Therefore, an X-ray inspection apparatus is used to inspect the state of the penetrating electrode (for example, defect position) from the absorption amount of X-rays transmitted through the semiconductor chip (see, for example, Patent Document 1).
具体的に、特許文献1には、ステージを挟んでX線源と対向する面内に複数のX線検出器を周方向に並べて配置し、これら複数のX線検出器を半径方向に移動可能としたX線検査装置が開示されている。 Specifically, in Patent Document 1, a plurality of X-ray detectors are arranged side by side in the circumferential direction in a plane facing the X-ray source with the stage interposed therebetween, and the plurality of X-ray detectors can be moved in the radial direction. The X-ray inspection apparatus is disclosed.
しかしながら、このようなX線検査装置では、X線検出器を半径方向に移動させることによって、被検査物に対する倍率のみを変更する構成のため、1度の撮影で得られる被検査物の画像には自ずと制限があった。また、上述した半導体チップの欠陥位置を特定するのに、複数のX線検出器を用いて繰り返し撮像を行わなければならず、少ない撮影で被検査物の最適な検査位置を特定することが困難であった。 However, in such an X-ray inspection apparatus, since the X-ray detector is moved in the radial direction to change only the magnification with respect to the inspection object, an image of the inspection object obtained by one-time imaging is displayed. He had restrictions. Further, in order to specify the defect position of the semiconductor chip described above, it is necessary to repeatedly perform imaging using a plurality of X-ray detectors, and it is difficult to specify the optimum inspection position of the inspection object with a small number of images. Met.
また、X線は、物体を透過する高いエネルギーを持っているため、半導体デバイスに対して特性劣化などの悪影響を与えることがある。例えば、半導体メモリのような半導体デバイスでは、X線が長時間照射されると、X線の透過により半導体シリコンが電荷を帯びることがある。これにより、半導体メモリの内部に形成されたトランジスタのオン/オフ特性に悪影響を与えることになる。 In addition, since X-rays have high energy that penetrates an object, they may adversely affect the semiconductor device such as characteristic deterioration. For example, in a semiconductor device such as a semiconductor memory, if X-rays are irradiated for a long time, the semiconductor silicon may be charged due to the transmission of X-rays. This adversely affects the on/off characteristics of the transistor formed inside the semiconductor memory.
本発明の一つの態様は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、1度の撮影で被検査物の広視野な画像と高精細な画像とを同時に得ることができ、少ない撮影で被検査物の最適な検査位置を特定することが可能なX線検査装置を提供することを目的の一つとする。 One aspect of the present invention has been proposed in view of such conventional circumstances, and it is possible to obtain a wide-field image and a high-definition image of an object to be inspected at the same time with a single imaging, An object of the present invention is to provide an X-ray inspection apparatus capable of specifying an optimum inspection position of an inspection object with a small number of images.
〔1〕 本発明の一つの態様に係るX線検査装置は、被検査物が載置されるステージと、前記被検査物に対してX線を照射するX線源と、前記被検査物を透過したX線を検出する複数のX線検出器とを備え、前記複数のX線検出器は、前記ステージを挟んで前記X線源と対向する位置の周辺に並んで配置されると共に、それぞれの検出面が前記X線源から照射されるX線の軸線方向に対して斜めに配置され、前記複数のX線検出器のうち少なくとも一のX線検出器と他のX線検出器とを用いて、前記被検査物の検査位置における画像を異なる視野で同時に撮像し、前記一のX線検出器は、相対的に低画素の検出面を含み、前記検査位置に対して相対的に低倍率の位置にて、相対的に広視野の画像を撮像し、前記他のX線検出器は、相対的に高画素の検出面を含み、前記検査位置に対して相対的に高倍率の位置にて、相対的に狭視野の画像を撮像することを特徴とする。 [1] An X-ray inspection apparatus according to one aspect of the present invention includes a stage on which an object to be inspected is placed, an X-ray source for irradiating the object to be inspected with X-rays, and the object to be inspected. A plurality of X-ray detectors for detecting the transmitted X-rays, wherein the plurality of X-ray detectors are arranged side by side around a position facing the X-ray source with the stage interposed therebetween, and respectively. Of the plurality of X-ray detectors are arranged obliquely with respect to the axial direction of the X-rays emitted from the X-ray source, and at least one X-ray detector and another X-ray detector are provided. An image of the inspection position of the inspection object is simultaneously captured in different fields of view, and the one X-ray detector includes a detection surface of relatively low pixels and is relatively low with respect to the inspection position. An image with a relatively wide field of view is captured at a magnification position, and the other X-ray detector includes a detection surface with a relatively high pixel, and a position with a relatively high magnification with respect to the inspection position. In, a relatively narrow-field image is captured .
〔2〕 前記〔1〕に記載のX線検査装置において、前記複数のX線検出器を周方向に回転させる検出器回転機構を備えることを特徴とする。 [ 2 ] The X-ray inspection apparatus according to [1 ] , further comprising a detector rotation mechanism that rotates the plurality of X-ray detectors in the circumferential direction.
〔3〕 前記〔1〕または〔2〕に記載のX線検査装置において、前記X線源は、前記X線を拡散した状態で照射することを特徴とする。 [ 3 ] In the X-ray inspection apparatus according to [1] or [ 2], the X-ray source irradiates the X-ray in a diffused state.
〔4〕 前記〔1〕〜〔3〕の何れか一項に記載のX線検査装置において、前記ステージを面内で移動させるステージ移動機構を備えることを特徴とする。 [ 4 ] The X-ray inspection apparatus according to any one of [1] to [ 3 ], further including a stage moving mechanism that moves the stage in a plane.
〔5〕 前記〔1〕〜〔4〕の何れか一項に記載のX線検査装置において、前記ステージを挟んで前記X線源と対向する位置に配置されると共に、その検出面が前記X線源から照射されるX線の軸線方向に対して垂直に配置されたX線検出器を備えることを特徴とする。 [ 5 ] In the X-ray inspection apparatus according to any one of [1] to [ 4 ], the X-ray inspection apparatus is arranged at a position facing the X-ray source with the stage interposed therebetween, and a detection surface thereof is the X-ray. An X-ray detector arranged perpendicularly to the axial direction of the X-ray emitted from the radiation source is provided.
以上のように、本発明の一つの態様に係るX線検査装置によれば、1度の撮影で被検査物の広視野な画像と高精細な画像とを同時に得ることができ、少ない撮影で被検査物の最適な検査位置を特定することが可能である。 As described above, according to the X-ray inspection apparatus according to one aspect of the present invention, it is possible to simultaneously obtain a wide-field image and a high-definition image of the object to be inspected with one image capturing, and with a small amount of image capturing. It is possible to specify the optimum inspection position of the inspection object.
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明で用いる図面では、各構成要素を見やすくするため、構成要素を模式的に示している場合があり、構成要素によっては寸法の縮尺を異ならせて示すこともある。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
In addition, in the drawings used in the following description, the constituent elements may be schematically illustrated in order to make the constituent elements easy to see, and the scale of the dimensions may be different depending on the constituent elements.
(X線検査装置)
先ず、本発明の一実施形態として、例えば図1(a),(b)に示すX線検査装置1の一構成例について説明する。なお、図1(a)は、X線検査装置1の構成を示す斜視図である。図1(b)は、X線検査装置1の構成を示す平面図である。
(X-ray inspection device)
First, as an embodiment of the present invention, a configuration example of the X-ray inspection apparatus 1 shown in FIGS. 1A and 1B will be described. Note that FIG. 1A is a perspective view showing the configuration of the X-ray inspection apparatus 1. FIG. 1B is a plan view showing the configuration of the X-ray inspection apparatus 1.
また、以下に示す図面では、XYZ直交座標系を設定し、X軸方向をX線検査装置1の左右方向、Y軸方向をX線検査装置1の前後方向、Z軸方向をX線検査装置1の上下方向(軸線方向)として、それぞれ示すものとする。また、Z軸回りをX線検査装置1の回転方向(周方向)として示すものとする。 In the drawings shown below, an XYZ orthogonal coordinate system is set, the X-axis direction is the left-right direction of the X-ray inspection apparatus 1, the Y-axis direction is the front-back direction of the X-ray inspection apparatus 1, and the Z-axis direction is the X-ray inspection apparatus. The vertical direction (axial direction) of 1 is shown respectively. Further, the rotation around the Z axis is shown as the rotation direction (circumferential direction) of the X-ray inspection apparatus 1.
X線検査装置1は、図1に示すように、被検査物Sが載置されるステージ2と、被検査物Sに対してX線を照射するX線源3と、被検査物Sを透過したX線を検出する第1のX線検出器4及び第2のX線検出器5とを備えている。
As shown in FIG. 1, the X-ray inspection apparatus 1 includes a
ステージ2は、被検査物Sが載置される載置面2aを有して、水平方向(X軸方向及びY軸方向)に移動自在に支持されたXYステージである。X線検査装置1では、このステージ2に設けられたアクチュエータなどのステージ移動機構(図示せず。)により、ステージ2を面内で移動させる。これにより、載置面2aに載置された被検査物Sを所定の検査対象位置へと導くことが可能となっている。
The
なお、ステージ2には、X線に対して透過性を有するものを用いている。また、ステージ2は、上述した水平方向(X軸方向及びY軸方向)の他にも、鉛直方向(Z軸方向)に移動可能な構成や、Z軸回り(周方向)に回転可能な構成としてもよい。
As the
X線源3は、載置面2a(ステージ2)の上方に配置されて、X線を円錐状に拡散しながら、載置面2a上の被検査物Sに向けて照射する。なお、X線源3については、特に限定されるものではなく、X線検査において従来より使用されているものを用いることができる。
The
第1のX線検査器4及び第2のX線検査器5は、ステージ2を挟んでX線源3と対向する位置の周辺に所定の角度θ1で周方向に並んで配置されている。また、第1のX線検出器4及び第2のX線検出器5は、それぞれの検出面4a,5aがX線源3から照射されるX線の軸線方向(Z軸方向)に対して所定の角度θ2で斜めとなるように配置されている。さらに、X線検査装置1では、回転モータなどの検出器回転機構(図示せず。)により、第1のX線検出器4及び第2のX線検出器5を周方向に回転させることが可能となっている。
The first
なお、本実施形態において、第1のX線検査器4及び第2のX線検査器5は、ステージ2を挟んでX線源3と対向する位置の周辺に、例えば60°の角度θ1で周方向に並んで配置されている。また、第1のX線検出器4及び第2のX線検出器5は、それぞれの検出面4a,5aがX線源3から照射されるX線の軸線方向(Z軸方向)に対して、例えば60°の角度θ2で斜めとなるように配置されている。
In the present embodiment, the
第1のX線検出器4は、第2のX線検出器5よりも低画素の検出面4aを含む。第1のX線検出器4は、被検査物Sの検査位置に対して第2のX線検出器5よりも低倍率(遠い焦点距離)の位置に配置されている。これにより、第1のX線検出器4では、第2のX線検出器5よりも広視野な画像を撮像することができる。
The
第2のX線検出器5は、第2のX線検出器5よりも高画素の検出面5aを含む。第2のX線検出器5は、被検査物Sの検査位置に対して第1のX線検出器4よりも高倍率(近い焦点距離)の位置に配置されている。これにより、第2のX線検出器5では、第1のX線検出器4よりも高精細な画像を撮像することができる。
The second X-ray detector 5 includes a
なお、第1のX線検出器4及び第2のX線検出器5については、特に限定されるものではなく、X線検査において従来より使用されているものを用いることができる。その中でも、フォトカウント型のX線検出器を用いた場合には、少ない線量でフォトン数を数えることができるため、高感度の画像を得ることできる。
The
また、X線検出器の材質にSi、CdTe、GaSなどを用いることにより、広いエネルギー帯域での分別が可能となる。また、X線源3のエネルギー帯域と合わせることにより、X線源3から遠い距離に配置できるため、高倍率の撮影が可能となる。
Further, by using Si, CdTe, GaS, or the like as the material of the X-ray detector, it is possible to sort in a wide energy band. Further, since it can be arranged at a distance from the
また、第1のX線検出器4及び第2のX線検出器5には、同じものを用いることができるが、異なるものを用いてもよい。これにより、感度差がある被検査物Sでも検出可能となる。
Moreover, although the same thing can be used for the
(X線検査)
次に、上記X線検査装置1を用いたX線検査について、被検査物Sとして、例えば図2(a),(b)に示すような半導体デバイスを検査する場合を例に挙げて説明する。なお、図2(a)は、第1のX線検出器により得られた被検査物Sの広視野な画像P1を示す模式図、図2(b)は、第2のX線検出器により得られた被検査物Sの高精細な画像P2を示す模式図である。
(X-ray inspection)
Next, an X-ray inspection using the X-ray inspection apparatus 1 will be described by taking an example of inspecting a semiconductor device as the inspection object S as shown in FIGS. 2A and 2B. .. 2A is a schematic diagram showing a wide-field image P1 of the inspection object S obtained by the first X-ray detector, and FIG. 2B is a schematic diagram by the second X-ray detector. It is a schematic diagram which shows the high-definition image P2 of the to-be-inspected object S obtained.
本実施形態のX線検査装置1では、第1のX線検出器4及び第2のX線検出器5を用いた斜視撮影により、被検査物Sの立体(3D)画像を得ることができる。具体的に、この斜視撮影では、被検査物Sを面内で移動操作しながら、その検査位置にX線を斜め照射しながら、第1のX線検出器4及び第2のX線検出器5による1回目の撮像を行う。また、1回目の撮像を終了した後は、第1のX線検出器4及び第2の検出器5の周方向の位置をずらし2回目の撮像を行い、被検査物Sの全周に亘って、このような撮像を繰り返す。その後、得られた複数の画像を元にして、被検査物Sの立体(3D)画像を作成する。そして、この立体(3D)画像から被検査物Sの検査(CT検査)を行うことができる。
In the X-ray inspection apparatus 1 of the present embodiment, a stereoscopic (3D) image of the inspection object S can be obtained by perspective imaging using the
本実施形態のX線検査装置1では、第1のX線検出器4により図2(a)に示す被検査物Sの広視野な画像P1と、第2のX線検出器5により図2(b)に示す高精細な画像P2とを1度の撮影で同時に得ることができる。これにより、被検査物Sの最適な検査位置(例えば、欠陥位置など。)を特定した後、更に精密なX線検査を行うことが可能である。
In the X-ray inspection apparatus 1 of the present embodiment, the wide field image P1 of the inspection object S shown in FIG. 2A by the
また、本実施形態のX線検査装置1では、少ない撮影で被検査物Sの最適な検査位置(例えば、欠陥位置など。)を特定できるため、作業の効率化及び作業時間の短縮化を図ることが可能である。さらに、X線の被爆量を大幅に減らすことができるため、被検査物SのX線の影響による特性劣化を抑えることが可能である。 Further, in the X-ray inspection apparatus 1 of the present embodiment, the optimum inspection position (for example, the defect position) of the inspection object S can be specified with a small number of images, so that the efficiency of the work and the work time can be shortened. It is possible. Further, since the amount of X-ray exposure can be greatly reduced, it is possible to suppress the characteristic deterioration of the inspection object S due to the influence of X-rays.
なお、本発明は、上記実施形態のものに必ずしも限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
具体的に、上記X線検査装置1の検査対象となる被検査物Sについては、上述した半導体デバイスに限らず、X線検査が可能なものであればよく、特に限定されるものではない。
It should be noted that the present invention is not necessarily limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
Specifically, the inspection object S to be inspected by the X-ray inspection apparatus 1 is not limited to the above-described semiconductor device, and may be any one that can perform X-ray inspection, and is not particularly limited.
また、上記X線検査装置1では、第1のX線検査器4及び第2のX線検査器5の周方向の角度θ1を任意に変更することが可能である。また、第1のX線検査器4及び第2のX線検査器5の傾斜する角度θ2を0〜90°の範囲で任意に変更することが可能である。
Further, in the X-ray inspection apparatus 1, the circumferential angle θ 1 of the first
このうち、0°の角度θ2で配置されたX線検出器4は、ステージ2を挟んでX線源3と対向する位置(直下)に配置される。また、このX線検出器の検出面は、X線源3から照射されるX線の軸線方向(Z軸方向)に対して垂直となる。
Of these, the
この場合、直視撮影により被検査物Sの垂直(2D)画像を得ることができる。具体的に、この直視撮影では、被検査物Sの検査位置にX線を垂直照射しながら撮像を行い、得られた垂直(2D)画像から被検査物Sの検査を行うことができる。 In this case, a vertical (2D) image of the inspection object S can be obtained by direct-view imaging. Specifically, in this direct-view imaging, it is possible to perform imaging while vertically irradiating the inspection position of the inspection object S with X-rays, and inspect the inspection object S from the obtained vertical (2D) image.
なお、上記X線検査装置1では、2つのX線検出器4,5が配置された構成となっているが、X線検出器の配置数については、上述した2つに限定されるものではなく、3つ以上とすることも可能である。その中で、被検査物Sの検査位置における画像を異なる視野で同時に撮像することが可能である。
Although the X-ray inspection apparatus 1 has a configuration in which two
1…X線検査装置 2…ステージ 2a…載置面 3…X線源 4…第1のX線検出器(一のX線検出器) 4a…検出面 5…第2のX線検出器(他のX線検出器) 5a…検出面 S…被検査物 P1…広視野な画像 P2…高精細な画像
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...
Claims (5)
前記被検査物に対してX線を照射するX線源と、
前記被検査物を透過したX線を検出する複数のX線検出器とを備え、
前記複数のX線検出器は、前記ステージを挟んで前記X線源と対向する位置の周辺に並んで配置されると共に、それぞれの検出面が前記X線源から照射されるX線の軸線方向に対して斜めに配置され、
前記複数のX線検出器のうち少なくとも一のX線検出器と他のX線検出器とを用いて、前記被検査物の検査位置における画像を異なる視野で同時に撮像し、
前記一のX線検出器は、相対的に低画素の検出面を含み、前記検査位置に対して相対的に低倍率の位置にて、相対的に広視野の画像を撮像し、
前記他のX線検出器は、相対的に高画素の検出面を含み、前記検査位置に対して相対的に高倍率の位置にて、相対的に狭視野の画像を撮像することを特徴とするX線検査装置。 A stage on which the object to be inspected is placed,
An X-ray source for irradiating the inspection object with X-rays;
A plurality of X-ray detectors for detecting X-rays transmitted through the inspection object;
The plurality of X-ray detectors are arranged side by side around a position facing the X-ray source with the stage interposed therebetween, and each detection surface is in the axial direction of X-rays emitted from the X-ray source. Placed diagonally to
Using at least one X-ray detector and another X-ray detector among the plurality of X-ray detectors, images at the inspection position of the inspection object are simultaneously captured in different fields of view ,
The one X-ray detector includes a detection surface of relatively low pixels, and captures an image of a relatively wide field of view at a position of relatively low magnification with respect to the inspection position,
The other X-ray detector includes a detection surface of relatively high pixels, and captures an image of a relatively narrow field of view at a position of relatively high magnification with respect to the inspection position. X-ray inspection device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016097254A JP6719272B2 (en) | 2016-05-13 | 2016-05-13 | X-ray inspection device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016097254A JP6719272B2 (en) | 2016-05-13 | 2016-05-13 | X-ray inspection device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2017203752A JP2017203752A (en) | 2017-11-16 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016097254A Active JP6719272B2 (en) | 2016-05-13 | 2016-05-13 | X-ray inspection device |
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Country | Link |
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JP (1) | JP6719272B2 (en) |
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JP2019191025A (en) * | 2018-04-26 | 2019-10-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | X-ray inspection device |
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