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JP6742399B2 - 冷却装置及び熱処理装置 - Google Patents

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Description

本開示は、冷却装置及び熱処理装置に関する。
本願は、2016年3月23日に、日本に出願された特願2016−058930号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
例えば、特許文献1には、焼入れ装置として、所定温度に加熱された部品にミスト状の冷却材を吹き付けて冷却するに際して、部品の温度がマルテンサイト変態温度を超える前に雰囲気圧力を低下させて上記冷却材の沸点を低下させることが記載されている。このような焼入れ装置によれば、冷却材の沸点を低下させることにより部品の表面と冷却材の液滴との間に発生する蒸気膜を維持することにより、部品の歪みや変形を抑制することが可能であるとされている。
日本国特開2013−181226号公報
上記焼入れ装置では蒸気膜を維持することによって部品の歪みや変形を抑制するとされている。しかしながら、蒸気膜の維持には被処理物である部品の形状等、複雑な要因が関係しているので、冷却開始からマルテンサイト変態温度を超えるまでの被処理物の冷却期間において、冷却材の沸点を低下させることのみによって蒸気膜を安定的に維持することは困難である。すなわち、部品の歪みや変形を抑制するために蒸気膜を維持する手法は、必ずしも現実的ではなく、被処理物の歪みや変形を確実に抑制することが困難である。
本開示は、上述した事情に鑑みてなされ、ミスト状冷却液による被処理物の冷却に際して被処理物の変形を従来よりも確実に抑制することを目的とする。
上記目的を達成するために、本開示では、冷却装置に係る第1の解決手段として、ミスト状冷却液を用いて被処理物を冷却する冷却装置であって、被処理物の冷却の途中でミスト状冷却液の熱伝達率を比較的低い状態から比較的高い状態に切り換える熱伝達率切換手段を備える。
本開示によれば、被処理物の冷却の途中でミスト状冷却液の熱伝達率を比較的低い状態から比較的高い状態に切り換える手法を用いるので、被処理物の変形を従来よりも確実に抑制することができる。
本開示の一実施形態に係る冷却装置及び多室型熱処理装置の全体構成を示す第1の縦断面図である。 本開示の一実施形態に係る冷却装置及び多室型熱処理装置の全体構成を示す第2の縦断面図である。 図2におけるA−A線断面図である。 図2におけるB−B線断面図である。 本開示の一実施形態における冷却処理の温度変化を示すグラフである。 本開示の一実施形態における冷却処理におけるミスト状冷却液のミスト粒径の変化を示すグラフである。 各冷却媒体の熱伝導率を示すグラフである。 本開示の実験結果におけるノズル毎の噴量と熱伝達率の関係を示すグラフである。
以下、図面を参照して、本開示の一実施形態に係る冷却装置R及び多室型熱処理装置Mについて説明する。
多室型熱処理装置Mは、図1に示すように、冷却装置R、中間搬送装置H及び3つの加熱装置を一体化させた熱処理装置である。なお、図1では中間搬送装置Hの水平方向の中心位置における縦断面図を示しているので、図1には3つの加熱装置の中の2つの加熱装置、つまり加熱装置K1及び加熱装置K2のみが描かれている。
この多室型熱処理装置Mは、被処理物Xに対して焼入れ処理を行うための熱処理装置である。被処理物Xは、各種の金属部品であり、ダイス鋼(SKD材)やハイス鋼(SKH材)等の鋼材からなる部品である。
冷却装置Rは、被処理物Xを冷却処理する装置であり、図1〜図4に示すように、冷却チャンバー1、複数の第1、第2冷却ノズル2a、2b(第1、第2噴射ノズル)、複数のミストヘッダー3、冷却ポンプ4、熱交換器5、冷却排水管6、冷却水槽7、第1、第2制御弁8a、8b及び冷却制御部9等を備えている。
複数のミストヘッダー3、冷却ポンプ4、熱交換器5、冷却水槽7、第1、第2制御弁8a、8b及び冷却制御部9が、本開示における冷却液供給装置を構成する。また、このような冷却液供給装置と複数の第1、第2冷却ノズル2a、2bが、本開示における熱伝達率切換手段を構成する。
冷却チャンバー1は、被処理物Xを収容する縦型円筒形の容器(中心軸線が鉛直方向となる容器)であり、内部空間が冷却室RSである。この冷却チャンバー1の上には中間搬送装置Hが設けられている。冷却チャンバー1には冷却室RSを中間搬送装置Hの内部空間(搬送室HS)に連通させる開口が形成されている。冷却室RSには、この開口を介して被処理物Xが搬入あるいは搬出される。
複数の第1、第2冷却ノズル2a、2bは、ミストヘッダー3及び熱交換器5を介して冷却ポンプ4から供給される所定の冷却液を、ミスト状の冷却液(ミスト状冷却液)に変換して被処理物Xに噴射する第1、第2噴射ノズルである。第1冷却ノズル2aは、噴射孔の孔径(第1孔径)が比較的小さい第1噴射ノズルであり、第2冷却ノズル2bは、噴射孔の孔径(第2孔径)が第1冷却ノズル2aよりも大きい第2噴射ノズルである。すなわち、第1冷却ノズル2aから噴射されるミスト状冷却液の粒径(第1ミスト粒径)は、第2冷却ノズル2bから噴射されるミスト状冷却液の粒径(第2ミスト粒径)よりも小さい。そして、冷却液の供給先を第1噴射ノズル(第1冷却ノズル2a)から第2噴射ノズル(第2冷却ノズル2b)に切り換えることにより、ミスト状冷却液のミスト粒径を第1ミスト粒径から第2ミスト粒径に調節する。また、熱伝達率切換手段は、ミスト状冷却液のミスト粒径を比較的小さい粒径から比較的大きい粒径に調節することによりミスト状冷却液の熱伝達率を切り換える。
このような複数の第1、第2冷却ノズル2a、2bは、図1〜図4に示されているように、冷却室RS内に収容された被処理物Xの周囲に分散配置されている。より具体的には、複数の第1、第2冷却ノズル2a、2bは、被処理物Xの周囲において、鉛直方向に多段(具体的には5段)かつ冷却チャンバー1(冷却室RS)の周方向に一定間隔を隔てた状態で、被処理物Xを全体として取り囲むように、かつ、被処理物Xとの距離が極力等距離となるように分散配置されている。
また、複数の第1、第2冷却ノズル2a、2bは、所定数にグループ分けされている。すなわち、複数の第1、第2冷却ノズル2a、2bは、冷却室RSの鉛直方向における段毎にグループ化され、また冷却チャンバー1(冷却室RS)の周方向においても複数にグループ分けされている。このような複数のグループ(ノズルグループ)には、図3及び図4に示すように、ミストヘッダー3が個別に設けられている。
より具体的には、図1に示すようにミストヘッダー3は、上下方向において5段に配置されており、最上段には図3に示すように2つのミストヘッダー3が被処理物Xの周囲を取り囲むように円弧状に設けられている。また、上から2段目〜最下段の4段については図4に示すように3つのミストヘッダー3が被処理物Xの周囲を取り囲むように円弧状に設けられている。このような5段構成のミストヘッダー3のうち、上記複数の第2冷却ノズル2bは最上段、上から3段目及び最下段のミストヘッダー3に設けられ、また複数の第1冷却ノズル2aは上から2段目及び4段目のミストヘッダー3に設けられている。このような複数の第1、第2冷却ノズル2a、2bは、ノズル軸の向きが被処理物Xの方向を向くように調節されており、ミストヘッダー3を介してポンプ4から供給された冷却液を被処理物Xに向けて噴射する。
また、最上段に属する複数の第2冷却ノズル2bは、図1に示すように、鉛直方向において被処理物Xの上端よりも高い位置に配置されている。一方、最下段に属する複数の第2冷却ノズル2bは、被処理物Xの下端と略同等な高さに配置されている。さらには、最上段に属する複数の第2冷却ノズル2bは、他の段の第1、第2冷却ノズル2a、2bよりも内側、つまり他の段の第1、第2冷却ノズル2a、2bよりも冷却室RSの内面から離れて配置される。
ここで、上記冷却液は、熱処理の冷却用に一般的に用いられる冷却油よりも粘性が低い液体であり、例えば水である。上記複数の第1、第2冷却ノズル2a、2bの噴射孔は、水等の冷却液が所定の噴射角で均一かつ一定粒径の液滴となるように形状設定されている。また、複数の第1、第2冷却ノズル2a、2bの噴射角及び互いに隣り合う第1、第2冷却ノズル2a、2bの間隔は、図1〜図4に示されているように、第1、第2冷却ノズル2a、2bから噴き出た液滴のうち、外周側に位置する液滴が隣接する第1、第2冷却ノズル2a、2bから噴き出た外周側の液滴と交差あるいは衝突するように設定されている。
また、このような複数の第1、第2冷却ノズル2a、2bは、被処理物Xを冷却液の液滴の集合体つまりミスト状冷却液で全体的に包囲するようにミスト状冷却液を被処理物Xに向けて噴射する。上記ミスト状冷却液における液滴の粒径は、例えば20〜700μmである。複数の第1、第2冷却ノズル2a、2bの位置や角度は、被処理物Xの周囲のミスト状冷却液が均一な粒径かつ均一な密度となるように適宜設定される。
本実施形態の冷却装置Rは、上記ミスト状冷却液を用いて被処理物Xを冷却する装置、つまり被処理物Xをミスト冷却する装置である。なお、この冷却装置Rにおける冷却温度や冷却時間等の冷却条件は、被処理物Xにおける熱処理の目的や被処理物Xの材質等に応じて適宜設定される。
上述した複数のミストヘッダー3は、複数の第1、第2冷却ノズル2a、2bに連通する円弧状の配管であり、供給口から取り込んだ冷却液を複数の第1、第2冷却ノズル2a、2bに分配する。これらミストヘッダー3は、圧損が複数の第1、第2冷却ノズル2a、2bについて略均等となるように供給口の位置が設定されており、冷却液を複数の第1、第2冷却ノズル2a、2bに対して略均一に分配する。
ここで、複数の第1、第2冷却ノズル2a、2bから被処理物Xに向けて噴射されるミスト状冷却液の熱伝達率は、上記ミスト状冷却液の粒径(ミスト粒径)に依存する。また、このミスト粒径は、第1、第2冷却ノズル2a、2bの噴射孔の孔径(第1、第2孔径)によって決定される。すなわち、第1孔径の第1冷却ノズル2aから噴射される第1ミスト粒径のミスト状冷却液は、ミスト粒径が比較的小さいので熱伝達率(第1熱伝達率)が比較的低く、これに対して第2孔径の第2冷却ノズル2bから噴射される第2ミスト粒径のミスト状冷却液は、ミスト粒径が第1ミスト粒径よりも大きいので上記第1熱伝達率よりも高い熱伝達率(第2熱伝達率)を有する。
冷却ポンプ4は、冷却水槽7の冷却液をミストヘッダー3に圧送する。熱交換器5は、冷却制御部9から入力される温度指示に基づいて、冷却ポンプ4からミストヘッダー3に供給される冷却液の温度を所定温度に調節(維持)する温度調節器である。すなわち、冷却ポンプ4からミストヘッダー3に供給される冷却液は、温度が冷却制御部9によって管理される。
冷却排水管6は、冷却チャンバー1の下部と冷却水槽7とを連通させる配管であり、途中部位に排水弁(図示略)が設けられている。冷却水槽7は、上記冷却排水管6あるいは冷却循環管(図示略)を介して冷却チャンバー1から排水された冷却液を貯留する液体容器である。なお、上記冷却循環管は、浸漬冷却時において冷却チャンバー1からオーバーフローした冷却液を冷却水槽7に戻すために、冷却チャンバー1の上部と冷却水槽7の上部とを連通させる配管である。
第1、第2制御弁8a、8bは、複数のミストヘッダー3と熱交換器5との間に設けられた開閉弁である。第1、第2制御弁8a、8bのうち、第2制御弁8bは、第2冷却ノズル2bが設けられた最上段、上から3段目及び最下段のミストヘッダー3と熱交換器5との間に設けられ、第1制御弁8aは、第1冷却ノズル2aが設けられた上から2段目及び4段目のミストヘッダー3と熱交換器5との間に設けられている。すなわち、第1制御弁8aは、冷却制御部8から入力される第1開閉信号に基づいて複数の第1冷却ノズル2aへの冷却液の供給/非供給を切り換える。一方、第2制御弁8bは、冷却制御部8から入力される第2開閉信号に基づいて複数の第2冷却ノズル2bへの冷却液の供給/非供給を切り換える。
冷却制御部9は、上述した熱交換器5、第1、第2制御弁8a、8b及び排水弁等を作動させることにより冷却装置Rの全体動作を制御する。この冷却制御部9は、冷却装置Rの制御の一環として、第1、第2制御弁8a、8bを制御して複数の第1、第2冷却ノズル2a,2bへの冷却液の供給/非供給を切り換える。したがって、被処理物Xの冷却の途中でミスト状冷却液の熱伝達率を比較的低い状態から比較的高い状態に切り換える。なお、冷却制御部9によるミスト状冷却液の熱伝達率の切換処理については詳細を後述する。
中間搬送装置Hは、搬送チャンバー10、搬送室載置台11、冷却室昇降台12、冷却室昇降シリンダー13、一対の搬送レール14、一対のプッシャーシリンダー(プッシャーシリンダー15及びプッシャーシリンダー16)、加熱室昇降台17及び加熱室昇降シリンダー18等々を備えている。搬送チャンバー10は、冷却装置Rと、加熱装置K1及び加熱装置K2を含む3つの加熱装置との間に設けられた容器であり、内部空間が搬送室HSである。被処理物Xは、バスケット等の容器内に収容された状態で、外部の搬送装置によって搬入/搬出口(図示略)から搬送チャンバー10内に搬入される。
搬送室載置台11は、冷却装置Rで被処理物Xを冷却する際に冷却チャンバー1と搬送チャンバー10との受渡口を塞ぐ支持台であり、他の被処理物Xを載置可能とされている。冷却室昇降台12は、冷却装置Rで被処理物Xを冷却する際に被処理物Xを載せる支持台であり、被処理物Xの底部が極力広く露出するように被処理物Xを支持する。この冷却室昇降台12は、冷却室昇降シリンダー13の可動ロッドの先端に固定されている。
冷却室昇降シリンダー13は、上記冷却室昇降台12を上下動(昇降)させるアクチュエータである。すなわち、冷却室昇降シリンダー13及び上記冷却室昇降台12は、冷却装置Rの専用搬送装置であり、冷却室昇降台12上に載置された被処理物Xを搬送領域HSから冷却室RSに搬送すると共に冷却室RSから搬送室HSに被処理物Xを搬送する。
一対の搬送レール14は、搬送チャンバー10内の床部に水平方向に延びるように敷設されている。これら搬送レール14は、冷却装置Rと加熱装置K1との間で被処理物Xを搬送させる際のガイド部材である。プッシャーシリンダー15は、搬送チャンバー10内の被処理物Xを加熱装置K1に向けて搬送する際に、被処理物Xを押圧するアクチュエータである。プッシャーシリンダー16は、被処理物Xを加熱装置K1から冷却装置Rに搬送する際に、被処理物Xを押圧するアクチュエータである。
すなわち、一対の搬送レール14、プッシャーシリンダー15及びプッシャーシリンダー16は、被処理物Xを加熱装置K1と冷却装置Rとの間に搬送する専用搬送装置である。なお、図1には一対の搬送レール14、プッシャーシリンダー15及びプッシャーシリンダー16が示されているが、実際の中間搬送装置Hは、合計三対の搬送レール14、プッシャーシリンダー15及びプッシャーシリンダー16を備えている。すなわち、搬送レール14、プッシャーシリンダー15及びプッシャーシリンダー16は、加熱装置K1用だけではなく、他の2つの加熱装置用にも設けられている。
加熱室昇降台17は、被処理物Xを中間搬送装置Hから加熱装置K1に搬送する際に被処理物Xが載置される支持台である。すなわち、被処理物Xは、上記プッシャーシリンダー15によって図1の右方向に押圧されることにより、加熱室昇降台17の直上に搬送される。加熱室昇降シリンダー18は、上記加熱室昇降台17上の被処理物Xを上下動(昇降)させるアクチュエータである。すなわち、加熱室昇降台17及び加熱室昇降シリンダー18は、加熱装置K1の専用搬送装置であり、加熱室昇降台17上に載置された被処理物Xを搬送室HSから加熱装置K1の内部(加熱室KS)に搬送すると共に被処理物Xを加熱室KSから搬送室HSに搬送する。
3つの加熱装置は基本的に同一構成を有するので、以下では代表して加熱装置K1の構成について説明する。加熱装置K1は、加熱チャンバー20、断熱容器21、複数の加熱ヒータ22、真空排気管23、真空ポンプ24、攪拌翼25及び攪拌モータ26等々を備えている。
加熱チャンバー20は、搬送チャンバー10上に設けられた容器であり、内部空間が加熱室KSである。この加熱チャンバー20は、上述した冷却チャンバー1と同様に縦型円筒形の容器(中心軸線が鉛直方向となる容器)であるが、冷却チャンバー1よりも小型に形成されている。断熱容器21は、上記加熱チャンバー20内に設けられた縦型円筒形の容器であり、所定の断熱性能を有する断熱材から形成されている。
複数の加熱ヒータ22は、棒状の発熱体であり、垂直姿勢で断熱容器21の内側かつ周方向に所定間隔で設けられている。これら複数の加熱ヒータ22は、加熱室KS内に収容された被処理物Xを所望温度(加熱温度)まで加熱する。なお、この加熱温度や加熱時間等の加熱条件は、被処理物Xに関する熱処理の目的や被処理物Xの材質等に応じて適宜設定される。
ここで、上記加熱条件には加熱室KSの真空度(圧力)が含まれる。真空排気管23は、加熱室KSに連通する配管であり、一端が断熱容器21の上部に接続され、他端が真空ポンプ24に接続されている。真空ポンプ24は、このような真空排気管23を介して加熱室KS内の空気を吸引する排気ポンプである。加熱室KS内の真空度は、真空ポンプ24による空気の排気量によって決定される。
攪拌翼25は、断熱容器21内の上部に、回転軸の方向が鉛直方向(上下方向)となる姿勢で設けられた回転翼である。この攪拌翼25は、攪拌モータ26によって駆動されることによって、加熱室KS内の空気を攪拌する。攪拌モータ26は、出力軸が鉛直方向(上下方向)となるように加熱チャンバー20上に設けられた回転駆動源である。加熱チャンバー20上に位置する攪拌モータ26の出力軸は、加熱チャンバー20内に位置する攪拌翼25の回転軸に対して、加熱チャンバー20の気密性(シール性)を損なわないように結合している。
なお、本実施形態に係る多室型熱処理装置Mは、不図示の制御盤を備えている。この制御盤は、ユーザが熱処理における各種条件を設定入力する操作部と、上記操作部から入力される各種条件及び内部に予め記憶された制御プログラムに基づいて冷却装置R、中間搬送装置H及び3つの加熱装置を連携して作動させる制御部とを備えている。すなわち、この多室型熱処理装置Mは、制御盤によって冷却装置R、中間搬送装置H及び3つの加熱装置が自動制御されることによって被処理物Xに焼入れ処理を行う。
ここで、上述した冷却制御部8は、上記制御盤の制御機能のうち、冷却装置Rによる被処理物Xの冷却制御を担う機能構成要素である。すなわち、制御盤は、冷却装置Rによる被処理物Xの冷却制御の他に、中間搬送装置Hによる被処理物Xの搬送制御、3つの加熱装置による被処理物Xの加熱制御を行う。
次に、本実施形態に係る多室型熱処理装置Mの動作(焼入れ処理)について、図5A、図5Bをも参照して詳しく説明する。
多室型熱処理装置Mによる焼入れ処理は、被処理物Xを所定の温度T1(加熱温度)に加熱した後に温度T2(冷却温度)まで一次冷却(急速冷却)した後にマルテンサイト変態点の温度まで二次冷却することにより行われる。このような被処理物Xの焼入れ処理に際して、被処理物Xは、作業者によって搬入/搬出口から中間搬送装置H内に収容される。そして、上記搬入/搬出口が作業者によって閉じられて搬送室HS内が密閉空間となると、中間搬送装置Hは、プッシャ―シリンダー15を作動させて被処理物Xを加熱室昇降台17上に移動させる。さらに、中間搬送装置Hは、加熱室昇降シリンダー18を作動させて被処理物Xを加熱装置K1の加熱室KS内に収容させる。
そして、加熱装置K1は、被処理物Xが加熱室KS内に収容されると、加熱ヒータ22を作動させて被処理物Xを温度T1に加熱する。そして、中間搬送装置Hは、上記加熱が完了すると、加熱室昇降シリンダー18及びプッシャーシリンダー16を作動させることによって被処理物Xを冷却室昇降台12上に移動させる。また、中間搬送装置Hは、冷却室昇降シリンダー13を作動させることによって被処理物Xを冷却室RSに移動させ、さらに搬送室載置台11によって搬送チャンバー10と冷却チャンバー1との受渡口を塞ぐ。そして、冷却装置Rは、冷却ポンプ4を作動させることによってミスト状冷却液を複数の第1、第2冷却ノズル2a、2bから被処理物Xに向けて噴射させる。この結果、被処理物Xは、温度T1から温度T2まで一次冷却(ミスト冷却)される。
この一次冷却(ミスト冷却)では、図5Aに示すように温度T1の被処理物Xつまりオーステナイト組織を有する被処理物Xがパーライト組織への変態点Ps(所謂パーライトノーズ)を避けて温度T2に至るように急冷される。すなわち、被処理物Xは、図5Aの時刻t1〜時刻t2の間において、複数の第1、第2冷却ノズル2a、2bからのミスト状冷却液の噴射によって温度T1から温度T2まで急冷される。なお、図5Aでは、被処理物Xの表面温度履歴を実線で示し、被処理物Xの内部温度履歴を破線で示している。
ここで、本実施形態における一次冷却(ミスト冷却)では、時刻t1〜時刻t2の途中時刻である時刻taにおいてミスト状冷却液の熱伝達率が比較的低い状態から比較的高い状態への切り替え動作が1度行われる。すなわち、冷却制御部9は、時刻t1〜時刻taに亘る期間(前期冷却期間S1)では、第1制御弁8aを開状態かつ第2制御弁8bを閉状態に設定することにより、図5Bに示すように、第1冷却ノズル2aから第1ミスト粒径C1のミスト状冷却液を被処理物Xに向けて噴射させる。すなわち、この前期冷却期間S1では、第1熱伝達率のミスト状冷却液によって被処理物Xが冷却される。
そして、冷却制御部8は、時刻ta〜時刻t2に亘る期間(後期冷却期間S2)では、第1制御弁8aを閉状態かつ第2制御弁8bを開状態に設定することにより、つまり冷却液の供給先を第1冷却ノズル2aから第2冷却ノズル2bに切り換えることにより、図5Bに示すように、第2冷却ノズル2bから第2ミスト粒径C2のミスト状冷却液を被処理物Xに向けて噴射させる。すなわち、この後期冷却期間S2では、前期冷却期間S1の第1熱伝達率よりも高い第2熱伝達率のミスト状冷却液によって被処理物Xが冷却される。
ここで、前期冷却期間S1におけるミスト状冷却液の第1熱伝達率つまり第1ミスト粒径C1は、一次冷却(ミスト冷却)に起因する被処理物Xの変形を最大限に抑制し得るように設定されている。すなわち、第1ミスト粒径C1は、予め行われる実験等によって被処理物Xの材質や形状毎に決定される。また、前期冷却期間S1つまり時刻taについても、予め行われる実験等によって被処理物Xの材質や形状毎に決定される。
背景技術でも説明したように、ミスト冷却では蒸気膜を維持することができないために部品(被処理物)に変形が発生する。しかしながら、本実施形態では、蒸気膜を維持するのではなく、被処理物Xに変形が発生し得る被処理物Xの高温期間つまり前期冷却期間S1に第1ミスト粒径C1を設定することによって、ミスト状冷却液の熱伝達率を低下させる。そして、この結果として被処理物Xの冷却能率を抑制することによって被処理物Xの変形を抑制する。
このような前期冷却期間S1における被処理物Xのミスト冷却は被処理物Xの温度低下が比較的緩やかになる。したがって、仮に後期冷却期間S2においても前期冷却期間S1と同様に第1ミスト粒径C1のミスト状冷却液でミスト冷却を行った場合には、一次冷却においてパーライト組織への変態点Psを避けることができない可能性がある。そこで、本実施形態では、第1ミスト粒径C1よりも粒径が大きい第2ミスト粒径C2のミスト状冷却液で後期冷却期間S2におけるミスト冷却を行う。よって、後期冷却期間S2における冷却能率を前期冷却期間S1における冷却能率よりも向上させ、以ってパーライト組織への変態点Psを避けた一次冷却を実現している。
ここで、図6に示すように、代表的な冷却剤である水道水、油(JIS 日本工業規格 C 2320−1999 1種2号油)、窒素(10bar 15m/s)中の焼入れした銀円柱試片(10mm径、30mm長)の冷却曲線のデータから、集中熱容量法によって算出された各々の冷却剤の表面熱伝達特性曲線が知られている。
図6によると、銀円柱試片の表面温度が約600℃以上の高温領域において、30℃の水道水は80℃の上記油に対して、表面熱伝達率が大きいことがわかる。
そこで、上記実施形態を模擬した、例えば以下のような冷却装置を用いて、試験体(被処理物)のミスト状冷却液として水を使用したミスト冷却実験を行った。
冷却装置は、水タンク、所定の配管及びノズルから成る。
水タンクは容量60Lであり、冷却に使用する水が貯留されている。また、上記水タンクは窒素ガスで加圧されており、所定の配管と接続されている。
ノズルには、水のみを噴射する一流体ノズルと、ガスを使用して水を微細化させて噴射する二流体ノズルの2種類のノズルを採用した。より詳細には、一流体ノズル1−1には、いけうち社製 1/4M JJXP 060 HTPVC、一流体ノズル1−3には、エバーロイ社製 1/4KSFHS 0865、一流体ノズル1−4には、新倉工業社製 M1/4 EX438、二流体ノズル2−2には、エバーロイ社製 1/4 KSAMF 1875−1/4 A24 1/4 W20をそれぞれ使用した。尚、上記ノズルは、所定の配管の、水タンクが取り付けられている端部とは反対側の端部に設けられている。また、ノズルの先端は、試験体表面から200mm離間した位置に設置される。
試験体としては、厚さ50mm、直径100mmの円盤形状のステンレス鋼(JIS 日本工業規格 SUS304)を使用した。試験体は、電気炉に挿入され、1000℃まで加熱される。
水タンクに貯留された水は、窒素ガスで加圧され、加圧された水がノズルから、1000℃まで加熱された試験体に対して噴射される。また、各ノズルからは、噴射液圧が0.03〜0.5MPaになるように、水が噴射される。
次に、温度測定方法について説明する。
熱電対は、試験体の中心位置において、表面から深さ方向に2mm、6mm、10mm、25mmの4箇所、及び、試験体の側面に上端から25mm及び表面から2mmの位置に互いに周方向に180°ずらした2箇所の合計6箇所に設置される。
そして、1000℃まで加熱された試験体がミスト冷却されて常温になるまでの温度変化が測定される。
上記ミスト冷却試験を行い、試験体に挿入した熱電対の温度の時間変化から、平均熱伝達率を算出した結果を図7に示す。尚、図7には、試験体の表面温度が600〜1000℃の範囲に対応する場合の平均熱伝達率が示されている。
図7の点線が、油冷却をした場合の値を示しており、一流体ノズルである1−3や、二流体ノズルである2−2のノズルを使用すると、水を使用したミスト冷却であっても油冷却とほぼ同様の熱伝達率を実現できた。つまり、本ミスト冷却を使用した冷却装置によれば、ミスト状冷却液の熱伝達率を油冷却と略同等に低下させることができる。そして、被処理物Xの冷却能率を抑制することによって被処理物Xの変形を抑制することができる。
以上説明したように、本実施形態における冷却装置Rによれば、被処理物Xが比較的高温な期間つまり前期冷却期間S1と被処理物Xが比較的低温な期間つまり後期冷却期間S2とでミスト状冷却液のミスト粒径を第1ミスト粒径C1から第2ミスト粒径C2に調節するので、一次冷却において被処理物Xの変形を抑制し、かつパーライト組織への変態点Psを避けることが可能である。
なお、本開示は上記実施形態に限定されず、例えば以下のような変形例が考えられる。
(1)上記実施形態では、図5Bに示すように、ミスト状冷却液のミスト粒径を第2ミスト粒径C1から第1ミスト粒径C2に調節することによりミスト状冷却液の熱伝達率を第1熱伝達率から第2熱伝達率に切り換えたが、本開示はこれに限定されない。ミスト状冷却液の密度(ミスト密度)を切り替えることにより熱伝導率を第1熱伝達率から第2熱伝達率に切り換えてもよい。例えば、ミスト状冷却液の密度を比較的低い密度から比較的高い密度に調節することにより、ミスト状冷却液の熱伝達率を切り換えてもよい。
例えば冷却液と所定のガスとの気液二相流をミスト状冷却液として噴射ノズルから被処理物Xに噴射し、かつ冷却液に対するガスの混合比を調節してミスト密度を第1ミスト密度から第2ミスト密度に調節することにより、熱伝達率を第1熱伝達率から第2熱伝達率に切り換える。なお、このようなミスト密度の調節に代えて、噴射ノズルに供給する冷却液の流量を調節することによりミスト密度を切り換えてもよい。
(2)上記実施形態では、図5Bに示すように時刻taにおいて、第1ミスト粒径C1と第2ミスト粒径C2とを切り替えたが、本開示はこれに限定されない。例えば時刻taから所定期間(オーバーラップ期間)に亘って第1ミスト粒径C1のミスト状冷却液と第2ミスト粒径C2のミスト状冷却液とを第1、第2冷却ノズル2a,2bから噴射し、上記オーバーラップ期間の経過後に第2ミスト粒径C2のミスト状冷却液のみを第2冷却ノズル2bから噴射してもよい。
つまり、ミスト状冷却液のミスト粒径を、第1ミスト粒径のミスト状冷却液と第2ミスト粒径のミスト状冷却液とが混在する状態を経て第1ミスト粒径から第2ミスト粒径に調節してもよい。
上記オーバーラップ期間は、第1ミスト粒径C1のミスト状冷却液と第2ミスト粒径C2のミスト状冷却液とが混在する期間である。つまり、第1熱伝達率と第2熱伝達率との中間に位置する熱伝達率を有するミスト状冷却液が存在する期間である。このようなオーバーラップ期間を経てミスト状冷却液のミスト粒径を第1ミスト粒径C1から第2ミスト粒径C2に調節することにより、第1熱伝達率から第2熱伝達率への切換を緩やかにすることが可能である。よって、上記構成によれば、被処理物X内の熱応力の蓄積を抑制することができる。
(3)上記実施形態では、前期冷却期間S1において第1ミスト粒径C1のミスト状冷却液を噴射し、後期冷却期間S2において第2ミスト粒径C2のミスト状冷却液を噴射したが、本開示はこれに限定されない。後期冷却期間S2において第2ミスト粒径C2のミスト状冷却液に加えて第1ミスト粒径C1のミスト状冷却液を噴射してもよい。この場合には、ミスト粒径が大きくなって熱伝達率が上昇するだけではなく、ミスト密度を上昇させることができるので、熱伝達率をさらに上昇させることができる。
(4)上記実施形態では、は、図1に示すように、冷却装置R、中間搬送装置H及び3つの加熱装置を一体化させた多室型熱処理装置M(熱処理装置)について説明したが、本開示はこれに限定されない。熱処理装置の必要最小構成要素は加熱装置及び冷却装置であり、被処理物を加熱する加熱装置と、加熱装置で加熱された被処理物を冷却する冷却装置とを備える熱処理装置であればよく、中間搬送装置Hのような搬送装置については別体としてもよい。
本開示における冷却装置及び熱処理装置によれば、被処理物の冷却の途中でミスト状冷却液の熱伝達率を比較的低い状態から比較的高い状態に切り換える手法を用いるので、被処理物の変形を従来よりも確実に抑制することができる。
K1、K2 加熱装置
M 多室型熱処理装置
R 冷却装置
X 被処理物
1 冷却チャンバー
2a、2b 第1、第2冷却ノズル(第1、第2噴射ノズル)
3 ミストヘッダー
4 冷却ポンプ
5 熱交換器
6 冷却排水管
7 冷却水槽
8a、8b 第1、第2制御弁
9 冷却制御部

Claims (6)

  1. ミスト状冷却液を用いて被処理物を冷却する冷却装置であって、
    前記ミスト状冷却液の熱伝達率が比較的低い状態と比較的高い状態との間の状態を経るように、前記被処理物の冷却の途中で前記熱伝達率を前記比較的低い状態から前記比較的高い状態に切り換える熱伝達率切換手段を備え
    前記熱伝達率切換手段は、前記ミスト状冷却液のミスト粒径を比較的小さい第1ミスト粒径から比較的大きい第2ミスト粒径に調節することにより前記ミスト状冷却液の熱伝達率を切り換える冷却装置。
  2. 前記熱伝達率切換手段は、
    第1孔径の噴射孔を備え、前記第1ミスト粒径の前記ミスト状冷却液を噴射する第1噴射ノズルと、
    前記第1孔径よりも大きな第2孔径の噴射孔を備え、前記第2ミスト粒径の前記ミスト状冷却液を噴射する第2噴射ノズルと、
    前記第1噴射ノズル及び前記第2噴射ノズルに冷却液を供給する冷却液供給装置とを備え、
    前記冷却液の供給先を第1噴射ノズルから第2噴射ノズルに切り換えることにより、前記ミスト状冷却液のミスト粒径を前記第1ミスト粒径から前記第2ミスト粒径に調節する請求項1記載の冷却装置。
  3. 前記熱伝達率切換手段は、前記第1ミスト粒径の前記ミスト状冷却液と前記第2ミスト粒径の前記ミスト状冷却液とを混在させることによって前記比較的低い状態と前記比較的高い状態との間の状態を作り出す請求項1記載の冷却装置。
  4. 前記熱伝達率切換手段は、前記第1ミスト粒径の前記ミスト状冷却液と前記第2ミスト粒径の前記ミスト状冷却液とを混在させることによって前記比較的低い状態と前記比較的高い状態との間の状態を作り出す請求項2記載の冷却装置。
  5. 前記熱伝達率切換手段は、前記ミスト状冷却液のミスト粒径を比較的小さい第1ミスト粒径から比較的大きい第2ミスト粒径に調節することに加えて、前記ミスト状冷却液の密度を比較的低い密度から比較的高い密度に調節することにより前記ミスト状冷却液の熱伝達率を切り換える請求項1記載の冷却装置。
  6. 前記被処理物を加熱する加熱装置と、
    該加熱装置で加熱された前記被処理物を冷却する請求項1〜5のいずれか一項に記載の冷却装置と
    を備える熱処理装置。
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