JP6536627B2 - 固体撮像装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
さらに、第1の光電変換素子と第2の光電変換素子とが、画素の第1の行に配置され、第3の光電変換素子と第4の光電変換素子とが、画素の第2の行に配置され、リセットトランジスタと増幅トランジスタと選択トランジスタとが、画素の第3の行に配置され、第2の行が第1の行と第3の行との間に配置される。
第1の転送ゲート、第2の転送ゲート、第3の転送ゲート、及び、第4の転送ゲートは、それぞれ第1の辺、第2の辺、第3の辺、及び、第4の辺を有する。第1の転送ゲートの第1の辺、第2の転送ゲートの第1の辺、第3の転送ゲートの第1の辺、及び、第4の転送ゲートの第1の辺は、それぞれフローティングディフュージョン領域に面して形成される。第1の転送ゲートの第2の辺、第2の転送ゲートの第2の辺、第3の転送ゲートの第2の辺、及び、第4の転送ゲートの第2の辺は、それぞれ第1の光電変換素子、第2の光電変換素子、第3の光電変換素子、及び、第4の光電変換素子に面して形成される。第1の転送ゲート、第2の転送ゲート、第3の転送ゲート、及び、第4の転送ゲートは、第1の辺が、第2の辺、第3の辺、及び、第4の辺よりも短く形成され、第2の辺が、第1の辺、第3の辺、及び、第4の辺よりも長く形成されている。
なお、図示しないが、選択トランジスタTr4を省略した3トランジスタとフォトダイオードPDで画素を構成することも可能である。
その他、第1実施形態の構成で説明したと同様の効果を奏する。
Claims (16)
- 光電変換素子と画素トランジスタからなる画素が複数配列され、
前記光電変換素子として、第1の光電変換素子と、第2の光電変換素子と、第3の光電変換素子と、第4の光電変換素子と、
前記第1の光電変換素子、前記第2の光電変換素子、前記第3の光電変換素子、及び、前記第4の光電変換素子のそれぞれに対応する、第1の転送ゲート、第2の転送ゲート、第3の転送ゲート、及び、第4の転送ゲートと、を有し、
前記画素トランジスタとして、第1の転送トランジスタと、第2の転送トランジスタと、第3の転送トランジスタと、第4の転送トランジスタと、リセットトランジスタと、増幅トランジスタと、選択トランジスタとを有し、
前記第1の光電変換素子、前記第2の光電変換素子、前記第3の光電変換素子、及び、前記第4の光電変換素子に囲まれた位置に、少なくとも一部のフローティングディフュージョン領域が配置され、
前記第1の転送トランジスタ、前記第2の転送トランジスタ、前記第3の転送トランジスタ、及び、前記第4の転送トランジスタが、前記フローティングディフュージョン領域と、前記リセットトランジスタと、前記増幅トランジスタと、前記選択トランジスタとに接続され、
前記第1の光電変換素子と前記第2の光電変換素子とが、前記画素の第1の行に配置され、
前記第3の光電変換素子と前記第4の光電変換素子とが、前記画素の第2の行に配置され、
前記リセットトランジスタと前記増幅トランジスタと前記選択トランジスタとが、前記画素の第3の行に配置され、
前記第2の行が前記第1の行と前記第3の行との間に配置され、
前記第1の転送ゲート、前記第2の転送ゲート、前記第3の転送ゲート、及び、前記第4の転送ゲートは、それぞれ第1の辺、第2の辺、第3の辺、及び、第4の辺を有し、
前記第1の転送ゲートの第1の辺、前記第2の転送ゲートの第1の辺、前記第3の転送ゲートの第1の辺、及び、前記第4の転送ゲートの第1の辺は、それぞれ前記フローティングディフュージョン領域に面して形成され、
前記第1の転送ゲートの第2の辺、前記第2の転送ゲートの第2の辺、前記第3の転送ゲートの第2の辺、及び、前記第4の転送ゲートの第2の辺は、それぞれ前記第1の光電変換素子、前記第2の光電変換素子、前記第3の光電変換素子、及び、前記第4の光電変換素子に面して形成され、
前記第1の転送ゲート、前記第2の転送ゲート、前記第3の転送ゲート、及び、前記第4の転送ゲートは、前記第1の辺が、前記第2の辺、前記第3の辺、及び、前記第4の辺よりも短く形成され、前記第2の辺が、前記第1の辺、前記第3の辺、及び、前記第4の辺よりも長く形成されている
固体撮像装置。 - 前記第1の転送ゲートの第3の辺、前記第2の転送ゲートの第3の辺、前記第3の転送ゲートの第3の辺、及び、前記第4の転送ゲートの第3の辺は、それぞれ前記第1の行と平行な方向に形成され、
前記第1の転送ゲートの第4の辺、前記第2の転送ゲートの第4の辺、前記第3の転送ゲートの第4の辺、及び、前記第4の転送ゲートの第4の辺は、それぞれ前記第1の行と垂直な方向に形成された
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の転送ゲート、前記第2の転送ゲート、前記第3の転送ゲート、及び、前記第4の転送ゲートは、前記第3の辺が、前記第4の辺と同じ長さに形成されている
請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記リセットトランジスタと前記増幅トランジスタと前記選択トランジスタは、前記第1の光電変換素子から前記第2の光電変換素子の方向に、前記リセットトランジスタ、前記増幅トランジスタ、前記選択トランジスタの順に配置された
請求項1から3のいずれかに記載の固体撮像装置。 - 前記第1の転送ゲート、前記第2の転送ゲート、前記第3の転送ゲート、及び、前記第4の転送ゲートは、それぞれ略台形状である
請求項1から4のいずれかに記載の固体撮像装置。 - 前記フローティングディフュージョン領域の一部に高濃度領域が形成された
請求項1から5のいずれかに記載の固体撮像装置。 - 前記フローティングディフュージョン領域は、前記高濃度領域を囲うように、前記高濃度領域の不純物濃度より低い低濃度領域が形成された
請求項6に記載の固体撮像装置。 - 前記フローティングディフュージョン領域の前記高濃度領域が、前記画素トランジスタと接続するコンタクト領域を共用するよう形成された
請求項6または7に記載の固体撮像装置。 - 前記選択トランジスタと接続された垂直信号線を有する
請求項1から8のいずれかに記載の固体撮像装置。 - 前記垂直信号線は、水平転送部の増幅器またはアナログ/デジタル変換器に接続された
請求項9に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の光電変換素子、前記第2の光電変換素子、前記第3の光電変換素子、及び、前記第4の光電変換素子をそれぞれ分離するよう素子分離領域が形成された
請求項1から10のいずれかに記載の固体撮像装置。 - 前記素子分離領域は、前記フローティングディフュージョン領域を取り囲むよう形成された
請求項11に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の転送ゲート、前記第2の転送ゲート、前記第3の転送ゲート、及び、前記第4の転送ゲートは、前記第1の辺と前記第3の辺と前記第4の辺とにおいて前記フローティングディフュージョンに接する長さが、前記第2の辺において前記光電変換素子に接する長さよりも大きい
請求項1から12のいずれかに記載の固体撮像装置。 - 固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の光電変換素子に入射光を導く光学系と、
前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路と、
を備え、
前記固体撮像装置は、
光電変換素子と画素トランジスタからなる画素が複数配列され、
前記光電変換素子として、第1の光電変換素子と、第2の光電変換素子と、第3の光電変換素子と、第4の光電変換素子と、
前記第1の光電変換素子、前記第2の光電変換素子、前記第3の光電変換素子、及び、前記第4の光電変換素子のそれぞれに対応する、第1の転送ゲート、第2の転送ゲート、第3の転送ゲート、及び、第4の転送ゲートと、を有し、
前記画素トランジスタとして、第1の転送トランジスタと、第2の転送トランジスタと、第3の転送トランジスタと、第4の転送トランジスタと、リセットトランジスタと、増幅トランジスタと、選択トランジスタとを有し、
前記第1の光電変換素子、前記第2の光電変換素子、前記第3の光電変換素子、及び、前記第4の光電変換素子に囲まれた位置に、少なくとも一部のフローティングディフュージョン領域が配置され、
前記第1の転送トランジスタ、前記第2の転送トランジスタ、前記第3の転送トランジスタ、及び、前記第4の転送トランジスタが、前記フローティングディフュージョン領域と、前記リセットトランジスタと、前記増幅トランジスタと、前記選択トランジスタとに接続され、
前記フローティングディフュージョン領域は、前記第1の光電変換素子、前記第2の光電変換素子、前記第3の光電変換素子、及び、前記第4の光電変換素子に囲まれた位置に配置され、
前記第1の光電変換素子と前記第2の光電変換素子とが、前記画素の第1の行に配置され、
前記第3の光電変換素子と前記第4の光電変換素子とが、前記画素の第2の行に配置され、
前記リセットトランジスタと前記増幅トランジスタと前記選択トランジスタとが、前記画素の第3の行に配置され、
前記第2の行が前記第1の行と前記第3の行との間に配置され、
前記第1の転送ゲート、前記第2の転送ゲート、前記第3の転送ゲート、及び、前記第4の転送ゲートは、それぞれ第1の辺、第2の辺、第3の辺、及び、第4の辺を有し、
前記第1の転送ゲートの第1の辺、前記第2の転送ゲートの第1の辺、前記第3の転送ゲートの第1の辺、及び、前記第4の転送ゲートの第1の辺は、それぞれ前記フローティングディフュージョン領域に面して形成され、
前記第1の転送ゲートの第2の辺、前記第2の転送ゲートの第2の辺、前記第3の転送ゲートの第2の辺、及び、前記第4の転送ゲートの第2の辺は、それぞれ前記第1の光電変換素子、前記第2の光電変換素子、前記第3の光電変換素子、及び、前記第4の光電変換素子に面して形成され、
前記第1の転送ゲート、前記第2の転送ゲート、前記第3の転送ゲート、及び、前記第4の転送ゲートは、前記第1の辺が、前記第2の辺、前記第3の辺、及び、前記第4の辺よりも短く形成され、前記第2の辺が、前記第1の辺、前記第3の辺、及び、前記第4の辺よりも長く形成されている
電子機器。 - 前記第1の転送ゲートの第3の辺の一部、前記第2の転送ゲートの第3の辺の一部、前記第3の転送ゲートの第3の辺の一部、及び、前記第4の転送ゲートの第3の辺の一部、並びに、前記第1の転送ゲートの第4の辺の一部、前記第2の転送ゲートの第4の辺の一部、前記第3の転送ゲートの第4の辺の一部、及び、前記第4の転送ゲートの第4の辺の一部が、それぞれ前記フローティングディフュージョン領域に面して形成されている
請求項1から13のいずれかに記載の固体撮像装置。 - 前記第1の転送ゲートの第3の辺の一部、前記第2の転送ゲートの第3の辺の一部、前記第3の転送ゲートの第3の辺の一部、及び、前記第4の転送ゲートの第3の辺の一部、並びに、前記第1の転送ゲートの第4の辺の一部、前記第2の転送ゲートの第4の辺の一部、前記第3の転送ゲートの第4の辺の一部、及び、前記第4の転送ゲートの第4の辺の一部が、それぞれ前記フローティングディフュージョン領域に面して形成されている
請求項14に記載の電子機器。
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