JP6534250B2 - 遅延蛍光体用ホスト材料、有機発光素子および化合物 - Google Patents
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Description
また、特許文献2には、4,4’−ビス(N−カルバゾリル)ビフェニル(CBP)と遅延蛍光体からなる発光層を有する有機EL素子を製造して例が記載されている。
一般式(1)
(Tr)n−Z
[一般式(1)中、Trは置換もしくは無置換のトリフェニレニル基を表し、一般式(1)中に存在する複数のTrは互いに同一であっても異なっていてもよい。Zはカルボニル基または置換もしくは無置換のn価の芳香族炭化水素基を表す。nは2〜6のいずれかの整数を表すが、Zがカルボニル基の場合は2である。]
[2] Zが置換もしくは無置換のn価の芳香族炭化水素基であることを特徴とする[1]に記載の遅延蛍光体用ホスト材料。
[3] Zがn価のベンゼン残基であることを特徴とする[2]に記載の遅延蛍光体用ホスト材料。
[4] 前記ベンゼン残基の少なくとも1位と3位にTrが結合していることを特徴とする[3]に記載の遅延蛍光体用ホスト材料。
[5] Zがn価のビフェニル残基であることを特徴とする[2]に記載の遅延蛍光体用ホスト材料。
[6] Zが置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換のアリール基で置換されたn価の芳香族炭化水素基であることを特徴とする[2]に記載の遅延蛍光体用ホスト材料。
[7] Zがカルボニル基であることを特徴とする[1]に記載の遅延蛍光体用ホスト材料。
[8] 少なくとも1つのTrが、下記一般式(2)で表される置換基を有することを特徴とする[7]に記載の遅延蛍光体用ホスト材料。
一般式(2)
Tr4−CO−
[一般式(2)中、Tr4は置換もしくは無置換のトリフェニレニル基を表す。]
[9] 2つのTrが、前記一般式(2)で表される置換基を合計1〜5個有することを特徴とする[8]に記載の遅延蛍光体用ホスト材料。
[10] トリフェニレン環の2位、3位、6位、7位、10位または11位にカルボニル基が結合した部分構造を分子内に含むことを特徴とする[7]〜[9]のいずれか1項に記載の遅延蛍光体用ホスト材料。
[11] 分子内に存在するトリフェニレン環に結合している全てのカルボニル基が、トリフェニレン環の2位、3位、6位、7位、10位または11位に結合していることを特徴とする[10]に記載の遅延蛍光体用ホスト材料。
[12] 前記一般式(1)のTrの少なくとも一つが、置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換のアリール基で置換されたトリフェニレニル基であることを特徴とする[1]〜[11]のいずれか1項に記載の遅延蛍光体用ホスト材料。
[13] [1]〜[12]のいずれか1項に記載のホスト材料と遅延蛍光体を含む層を有することを特徴とする有機発光素子。
[14] [1]〜[12]のいずれか1項に記載のホスト材料とそれ以外のホスト材料と遅延蛍光体を含む層を有することを特徴とする[13]に記載の有機発光素子。
[15] 有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする[13]または[14]に記載の有機発光素子。
一般式(3)
Tr1−CO−Tr2
[一般式(3)中、Tr1およびTr2は各々独立に置換もしくは無置換のトリフェニレニル基を表し、Tr1およびTr2は互いに同一であっても異なっていてもよい。]
[17] 下記一般式(4)で表される化合物。
一般式(4)
(Tr3)n1−Z1
[一般式(4)中、Tr3は置換もしくは無置換のトリフェニレニル基を表し、一般式(4)中に存在する複数のTr3は互いに同一であっても異なっていてもよい。Z1は置換もしくは無置換のn価の芳香族炭化水素基を表す。n1は2〜6のいずれかの整数を表す。Tr3およびZ1の少なくとも1つは、置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換のアリール基で置換されている。Tr3が無置換であるとき、Z1はフェニル基またはメチル基で置換されたベンゼン環残基であって少なくとも1位と3位でTr3に結合しているか、フェニル基で置換されたビフェニル残基である。]
本発明の遅延蛍光体用ホスト材料は、下記一般式(1)で表される化合物からなることを特徴とする。
一般式(1)
(Tr)n−Z
一般式(1)において、Zはカルボニル基または置換もしくは無置換のn価の芳香族炭化水素基を表す。
Zが芳香族炭化水素基であるとき、nは2〜6であり、2〜3であることが好ましい。芳香族炭化水素基におけるTrの結合位置は特に限定されないが、ベンゼン残基である場合には、少なくとも1位と3位にTrが結合していることが好ましい。芳香族炭化水素基のTrが結合していないメチン基やメチレン基は、水素原子が置換基で置換されていてもよいし、置換されていなくてもよい。芳香族炭化水素基に置換しうる置換基として、下記の置換基群から選択される置換基を挙げることができ、このうち置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換のアリール基であることが好ましい。これにより、一般式(1)で表される化合物の安定性が高くなる傾向がある。アルキル基は、炭素数が1〜18のアルキル基であることが好ましく、メチル基であることがより好ましい。アリール基を構成する芳香環の説明と好ましい範囲については、Zがとりうる芳香族炭化水素基の芳香環の説明と好ましい範囲を参照することができる。このうち芳香族炭化水素基に置換しうるアリール基は、ビフェニル残基、ベンゼン残基(フェニル基)であることが好ましく、フェニル基であることがより好ましい。
トリフェニレニル基に置換しうる置換基として、下記の置換基群から選択される置換基を挙げることができる。ここで、Trの少なくとも1つは、置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換のアリール基で置換されていることが好ましい。これにより、一般式(1)で表される化合物の安定性が高くなる傾向がある。アルキル基は、炭素数が1〜18のアルキル基であることが好ましく、メチル基であることがより好ましい。アリール基を構成する芳香環の説明と好ましい範囲については、Zがとりうる芳香族炭化水素基の芳香環の説明と好ましい範囲を参照することができる。このうち、トリフェニレニル基に置換しうるアリール基は、ビフェニル残基、ベンゼン残基(フェニル基)であることが好ましく、フェニル基であることがより好ましい。
一般式(2)
Tr4−CO−
一般式(2)において、Tr4は置換もしくは無置換のトリフェニレニル基を表す。トリフェニレニル基におけるカルボニル基(−CO−)への結合位置は特に限定されないが、2位であることが好ましい。トリフェニレニル基のカルボニル基と結合していないメチン基は、水素原子が置換基で置換されていてもよいし、置換されていなくてもよい。トリフェニレニル基に置換しうる置換基の説明と好ましい範囲については、Trのトリフェニレニル基に置換しうる置換基の説明と好ましい範囲を参照することができる。
また、一般式(1)で表される化合物は、カルボニル基を1〜6個含むことが好ましく、1〜3個含むことがより好ましい。さらに、一般式(1)で表される化合物は、トリフェニレン環の2位、3位、6位、7位、10位または11位にカルボニル基が結合した部分構造を分子内に含むことが好ましく、分子内に存在するトリフェニレン環に結合している全てのカルボニル基が、トリフェニレン環の2位、3位、6位、7位、10位または11位に結合していることがより好ましい。
置換基を表し、複数のRは互いに同一であっても、異なっていてもよい。
一般式(1)で表される化合物は、分子量にかかわらず塗布法で成膜してもよい。塗布法を用いれば、分子量が比較的大きな化合物であっても成膜することが可能である。
例えば、一般式(1)で表される構造中にあらかじめ重合性基を存在させておいて、その重合性基を重合させることによって得られる重合体を、遅延蛍光体用ホスト材料として用いることが考えられる。具体的には、一般式(1)のTrおよびZのいずれかに重合性官能基を含むモノマーを用意して、これを単独で重合させるか、他のモノマーとともに共重合させることにより、繰り返し単位を有する重合体を得て、その重合体を遅延蛍光体用ホスト材料として用いることが考えられる。あるいは、一般式(1)で表される構造を有する化合物どうしをカップリングさせることにより、二量体や三量体を得て、それらを遅延蛍光体用ホスト材料として用いることも考えられる。
一般式(5)または(6)において、R101、R102、R103およびR104は、各々独立に置換基を表す。好ましくは、炭素数1〜6の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数1〜6の置換もしくは無置換のアルコキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは炭素数1〜3の無置換のアルキル基、炭素数1〜3の無置換のアルコキシ基、フッ素原子、塩素原子であり、さらに好ましくは炭素数1〜3の無置換のアルキル基、炭素数1〜3の無置換のアルコキシ基である。
L1およびL2で表される連結基は、Qを構成する一般式(1)の構造のTrおよびZのいずれか、または一般式(2)のTr4に結合することができる。1つのQに対して連結基が2つ以上連結して架橋構造や網目構造を形成していてもよい。
一般式(1)で表される化合物のうち、下記一般式(3)で表される化合物は新規化合物である。
一般式(3)におけるTr1およびTr2の説明と好ましい範囲については、一般式(1)のTrの説明を参照することができる。
一般式(3)で表される化合物は、既知の反応を組み合わせることによって合成することができる。例えば、一般式(3)のTr1およびTr2が無置換のトリフェニレニル基である化合物は、下記式で示す反応により合成することが可能である。
上記の反応の詳細については、後述の合成例を参考にすることができる。また、一般式(3)で表される化合物は、その他の公知の合成反応を組み合わせることによっても合成することができる。
一般式(1)で表される化合物のうち、下記一般式(4)で表される化合物も新規化合物である。
一般式(4)
(Tr3)n1−Z1
一般式(4)において、Tr3は置換もしくは無置換のトリフェニレニル基を表し、一般式(4)中に存在する複数のTr3は互いに同一であっても異なっていてもよい。Z1は置換もしくは無置換のn価の芳香族炭化水素基を表す。n1は2〜6のいずれかの整数を表す。一般式(4)におけるTr3、Z1、n1の説明と好ましい範囲については、一般式(1)のTr、Z、nの説明を参照することができる。ただし、Tr3およびZ1の少なくとも1つは、置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換のアリール基で置換されている。Tr3およびZ1のうち置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換のアリール基で置換されているのは、Tr3のうちの1つまたは2つ以上であってもよいし、Z1のみであってもよいし、Tr3のうちの1つまたは2つ以上と、Z1であってもよい。ここで、Tr3の全てが無置換であるとき、Z1はフェニル基またはメチル基で置換されたベンゼン環残基であって少なくとも1位と3位でTr3に結合しているか、フェニル基で置換されたビフェニル残基である。
一般式(4)で表される化合物は、既知の反応を組み合わせることによって合成することができる。例えば、一般式(4)のTr3が無置換のトリフェニレニル基であり、Z1が5位にメチル基が置換したベンゼン残基であり、Z1が1位と3位でTr3に結合した化合物は、下記式で示す反応により合成することができる。
上記の反応の詳細については、後述の合成例を参考にすることができる。また、一般式(4)で表される化合物は、その他の公知の合成反応を組み合わせることによっても合成することができる。
本発明の一般式(1)で表される化合物は、有機発光素子の遅延蛍光体用ホスト材料として有用である。このため、本発明の一般式(1)で表される化合物は、遅延蛍光体を発光材料に用いる有機発光素子のホスト材料として効果的に用いることができる。例えば、一般式(1)で表される化合物からなるホスト材料と遅延蛍光体を含む発光層を有する有機発光素子は、一般式(1)で表される化合物の分子内で生じたエネルギーが効率よく遅延蛍光体に受け渡されるものと推測され、これにより該遅延蛍光体が遅延蛍光を効率よく放射する。このため、駆動電圧が低く、高い発光効率を得ることができる。さらに、この有機発光素子は、稼働時間の経過に伴う輝度の低下が生じ難く、長寿命を得ることができる。これは、一般式(1)で表される化合物が、CBPのようなカルバゾール環を有するホスト材料に比べて安定性が高いことによるものと推測される。
ここで、有機発光素子が高い発光効率を発現するためには、本発明の一般式(1)で表される化合物と組み合わせて、遅延蛍光体を発光材料として用いることが重要である。遅延蛍光体により高い発光効率が得られる原理を、有機エレクトロルミネッセンス素子を例にとって説明すると以下のようになる。
以下において、有機エレクトロルミネッセンス素子の各部材および各層について説明する。なお、基板と発光層の説明は有機フォトルミネッセンス素子の基板と発光層にも該当する。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板に支持されていることが好ましい。この基板については、特に制限はなく、従来から有機エレクトロルミネッセンス素子に慣用されているものであればよく、例えば、ガラス、透明プラスチック、石英、シリコンなどからなるものを用いることができる。
有機エレクトロルミネッセンス素子における陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極材料とするものが好ましく用いられる。このような電極材料の具体例としてはAu等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXO(In2O3−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極材料を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極材料の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な材料を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常10〜1000nm、好ましくは10〜200nmの範囲で選ばれる。
一方、陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極材料とするものが用いられる。このような電極材料の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性および酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜5μm、好ましくは50〜200nmの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
また、陽極の説明で挙げた導電性透明材料を陰極に用いることで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
発光層は、陽極および陰極のそれぞれから注入された正孔および電子が再結合することにより励起子が生成した後、発光する層であり、遅延蛍光体と遅延蛍光体用ホスト材料を含む。遅延蛍光体用ホスト材料としては、一般式(1)で表される本発明の化合物群から選ばれる1種または2種以上を用いることができる。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子および有機フォトルミネッセンス素子が高い発光効率を発現するためには、遅延蛍光体に生成した一重項励起子および三重項励起子を、遅延蛍光体中に閉じ込めることが重要である。従って、遅延蛍光体用ホスト材料としては、一般式(1)で表される化合物のうち、励起一重項エネルギー、励起三重項エネルギーの少なくとも何れか一方が、遅延蛍光体よりも高い値を有するものを選択することが好ましい。これにより、遅延蛍光体に生成した一重項励起子および三重項励起子を、遅延蛍光体の分子中に閉じ込めることが可能となり、その発光効率を十分に引き出すことが可能となる。
発光層における遅延蛍光体の含有量は、0.1〜50質量%であることが好ましく、0.1〜20質量%であることがより好ましく、0.5〜5質量%であることがさらに好ましい。
本発明の遅延蛍光体用ホスト材料と、その他のホスト材料を併用する場合、その質量比率は任意の比率を取ることができるが、90:10〜10:90であることが好ましく、75:25〜25:75であることがより好ましく、66:33〜33:66であることがさらに好ましい。
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、正孔注入層と電子注入層があり、陽極と発光層または正孔輸送層の間、および陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。注入層は必要に応じて設けることができる。
阻止層は、発光層中に存在する電荷(電子もしくは正孔)および/または励起子の発光層外への拡散を阻止することができる層である。電子阻止層は、発光層および正孔輸送層の間に配置されることができ、電子が正孔輸送層の方に向かって発光層を通過することを阻止する。同様に、正孔阻止層は発光層および電子輸送層の間に配置されることができ、正孔が電子輸送層の方に向かって発光層を通過することを阻止する。阻止層はまた、励起子が発光層の外側に拡散することを阻止するために用いることができる。すなわち電子阻止層、正孔阻止層はそれぞれ励起子阻止層としての機能も兼ね備えることができる。本明細書でいう電子阻止層または励起子阻止層は、一つの層で電子阻止層および励起子阻止層の機能を有する層を含む意味で使用される。
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有する。正孔阻止層は電子を輸送しつつ、正孔が電子輸送層へ到達することを阻止する役割があり、これにより発光層中での電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。正孔阻止層の材料としては、後述する電子輸送層の材料を必要に応じて用いることができる。
電子阻止層とは、広い意味では正孔を輸送する機能を有する。電子阻止層は正孔を輸送しつつ、電子が正孔輸送層へ到達することを阻止する役割があり、これにより発光層中での電子と正孔が再結合する確率を向上させることができる。
励起子阻止層とは、発光層内で正孔と電子が再結合することにより生じた励起子が電荷輸送層に拡散することを阻止するための層であり、本層の挿入により励起子を効率的に発光層内に閉じ込めることが可能となり、素子の発光効率を向上させることができる。励起子阻止層は発光層に隣接して陽極側、陰極側のいずれにも挿入することができ、両方同時に挿入することも可能である。すなわち、励起子阻止層を陽極側に有する場合、正孔輸送層と発光層の間に、発光層に隣接して該層を挿入することができ、陰極側に挿入する場合、発光層と陰極との間に、発光層に隣接して該層を挿入することができる。また、陽極と、発光層の陽極側に隣接する励起子阻止層との間には、正孔注入層や電子阻止層などを有することができ、陰極と、発光層の陰極側に隣接する励起子阻止層との間には、電子注入層、電子輸送層、正孔阻止層などを有することができる。阻止層を配置する場合、阻止層として用いる材料の励起一重項エネルギーおよび励起三重項エネルギーの少なくともいずれか一方は、遅延蛍光体の励起一重項エネルギーおよび励起三重項エネルギーよりも高いことが好ましい。
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。使用できる公知の正孔輸送材料としては例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物およびスチリルアミン化合物を用いることが好ましく、芳香族第3級アミン化合物を用いることがより好ましい。
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる場合もある)としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。使用できる電子輸送層としては例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタンおよびアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
<A> R25およびR26は一緒になって単結合を形成する。
<B> R27およびR28は一緒になって置換もしくは無置換のベンゼン環を形成するのに必要な原子団を表す。]
[1] 下記一般式(131)で表される化合物。
[2] 前記一般式(132)で表される基が、下記一般式(133)〜(138)のいずれかで表される基であることを特徴とする[1]に記載の化合物。
[一般式(133)〜(138)において、R21〜R24、R27〜R38、R41〜R48、R51〜R58、R61〜R65、R71〜R79、R81〜R90は、各々独立に水素原子または置換基を表す。R21とR22、R22とR23、R23とR24、R27とR28、R28とR29、R29とR30、R31とR32、R32とR33、R33とR34、R35とR36、R36とR37、R37とR38、R41とR42、R42とR43、R43とR44、R45とR46、R46とR47、R47とR48、R51とR52、R52とR53、R53とR54、R55とR56、R56とR57、R57とR58、R61とR62、R62とR63、R63とR64、R64とR65、R54とR61、R55とR65、R71とR72、R72とR73、R73とR74、R74とR75、R76とR77、R77とR78、R78とR79、R81とR82、R82とR83、R83とR84、R85とR86、R86とR87、R87とR88、R89とR90は互いに結合して環状構造を形成していてもよい。L13〜L18は、各々独立に置換もしくは無置換のアリーレン基、または、置換もしくは無置換のヘテロアリーレン基を表す。]
[3] 一般式(131)のR3が、シアノ基であることを特徴とする[1]または[2]に記載の化合物。
[4] 一般式(131)のR1とR4が前記一般式(132)で表される基であることを特徴とする[1]〜[3]のいずれか1項に記載の化合物。
[5] 前記一般式(132)のL12が、フェニレン基であることを特徴とする[1]〜[4]のいずれか1項に記載の化合物。
[6] 前記一般式(132)で表される基が、前記一般式(133)で表される基であることを特徴とする[1]〜[5]のいずれか1項に記載の化合物。
[7] 前記一般式(133)のL13が、1,3−フェニレン基であることを特徴とする[6]に記載の化合物。
[8] 前記一般式(132)で表される基が、前記一般式(134)で表される基であることを特徴とする[1]〜[5]のいずれか1項に記載の化合物。
[9] 前記一般式(134)のL14が、1,4−フェニレン基であることを特徴とする[8]に記載の化合物。
[10] 前記一般式(132)で表される基が、前記一般式(138)で表される基であることを特徴とする[1]〜[5]のいずれか1項に記載の化合物。
[11] 前記一般式(132)のL18が、1,4−フェニレン基である[10]に記載の化合物。
[1] 下記一般式(191)で表される化合物。
[2] 一般式(191)のR1〜R4の少なくとも1つが置換もしくは無置換のジアリールアミノ基であって、R5〜R8の少なくとも1つが置換もしくは無置換のジアリールアミノ基であることを特徴とする[1]に記載の化合物。
[3] 一般式(191)のR3およびR6が置換もしくは無置換のジアリールアミノ基であることを特徴とする[2]に記載の化合物。
[4] 一般式(191)のR1〜R8の少なくとも1つが置換もしくは無置換のジフェニルアミノ基であることを特徴とする[1]〜[3]のいずれか1項に記載の化合物。
[5] 一般式(191)のAr2およびAr3が各々独立に置換もしくは無置換のフェニル基であることを特徴とする[1]〜[4]のいずれか1項に記載の化合物。
[6] 一般式(191)のAr1が各々独立に置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフチレン基、または置換もしくは無置換のアントラセニレン基であることを特徴とする[1]〜[5]のいずれか1項に記載の化合物。
[7] 下記一般式(192)で表される構造を有することを特徴とする[1]に記載の化合物。
[8] 一般式(192)のR1〜R4の少なくとも1つが置換もしくは無置換のジアリールアミノ基であって、R5〜R8の少なくとも1つが置換もしくは無置換のジアリールアミノ基であることを特徴とする[7]に記載の化合物。
[9] 一般式(192)のR3およびR6が置換もしくは無置換のジアリールアミノ基であることを特徴とする[8]に記載の化合物。
[1]下記一般式(201)で表される化合物。
[2]前記一般式(201)のR3およびR6の少なくとも一つが置換もしくは無置換のカルバゾリル基である[1]の化合物。
[3]前記カルバゾリル基が、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基または4−カルバゾリル基である[1]または[2]に記載の化合物。
[4]前記カルバゾリル基が、カルバゾール環構造中の窒素原子に置換基を有する[1]〜[3]のいずれか一つの化合物。。
[5]前記一般式(201)のAr1、Ar2およびAr3の少なくとも一つが、ベンゼン環またはナフタレン環である[1]〜[4]のいずれか一つの化合物。
[7]前記一般式(201)のAr1、Ar2およびAr3がベンゼン環である[1]〜[6]のいずれか一つの化合物。
[一般式(212)において、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5およびAr6は、各々独立に置換もしくは無置換のアリール基を表す。]
一方、リン光については、本発明の化合物のような通常の有機化合物では、励起三重項エネルギーは不安定で熱等に変換され、寿命が短く直ちに失活するため、室温では殆ど観測できない。通常の有機化合物の励起三重項エネルギーを測定するためには、極低温の条件での発光を観測することにより測定可能である。
MS(70eV,EI)m/z=544(M+)。
チルホルムアミド120mlに溶解し、リン酸三カリウム(7.64g,36mmol)、PdCl2(PPh3)2(0.11g,0.2mmol)、トリフェニレニルボロン酸(3.27g,12mmol)を加え、室温で24時間撹拌した後、80℃で24時間反応させた。反応溶液を放冷し、水240mlを加えてろ過した後、アセトン200mlで洗浄し、さらに水100mlとメタノール200mlで洗浄することにより、化合物9を収量2.45g、収率77%で得た。この反応生成物を減圧昇華により精製した。
MS(MALDI)m/z=1059(M+1)
MS(70eV,EI)m/z=482(M+)
膜厚100nmのインジウム・スズ酸化物(ITO)からなる陽極が形成されたガラス基板上に、各薄膜を真空蒸着法にて、真空度5.0×10-4Paで積層した。まず、ITO上にHAT−CNを10nmの厚さに形成し、Tris−PCZを30nmの厚さに形成した。次に、HK13と化合物1を異なる蒸着源から共蒸着し、30nmの厚さの層を形成して発光層とした。この時、HK13の濃度は6.0重量%とした。次に、T2Tを10nmの厚さに形成し、Bpy−TP2を40nmの厚さに形成し、さらにフッ化リチウム(LiF)を0.8nm真空蒸着し、次いでアルミニウム(Al)を100nmの厚さに蒸着することにより陰極を形成し、有機エレクトロルミネッセンス素子とした。製造した有機エレクトロルミネッセンス素子について、初期輝度1000Cd/m2、電流密度54.5mA/cm2で測定した寿命特性を図2に示す。
化合物1の代わりにCBPを用いて発光層を形成したこと以外は実施例1と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。製造した有機エレクトロルミネッセンス素子について、初期電流密度1000Cd/m2、電流密度54.5mA/cm2で測定した寿命特性を図2に示す。
比較化合物Aを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子はLT50寿命が12日であるのに対して、化合物1を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子はLT50寿命が277日であり、遥かに長寿命であった。
HK13と化合物10とCBPを異なる蒸着源から共蒸着して厚さ30nmの発光層を形成し、発光層におけるHK13の濃度を1重量%としたこと以外は、実施例1と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
作製した有機エレクトロルミネッセンス素子について、電圧−電流密度特性を図3に示し、電流密度−外部量子効率特性を図4に示し、寿命特性を図5に示し、1000Cd/m2で測定した特性値を表22に示す。
化合物1の代わりにCBPを用いて発光層を形成し、発光層におけるHK13の濃度を1重量%としたこと以外は、実施例1と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
作製した有機エレクトロルミネッセンス素子について、電圧−電流密度特性を図3に示し、電流密度−外部量子効率特性を図4に示し、寿命特性を図5に示し、1000Cd/m2で測定した特性値を表22に示す。
HK13と比較化合物BとCBPを異なる蒸着源から共蒸着して厚さ30nmの発光層を形成し、発光層におけるHK13の濃度を1重量%としたこと以外は、実施例1と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
作製した有機エレクトロルミネッセンス素子について、電圧−電流密度特性を図3に示し、電流密度−外部量子効率特性を図4に示し、1000Cd/m2で測定した特性値を表22に示す。実施例2と同様に寿命特性を測定したところ、LT50は585時間であった。
HK13の代わりにYH016を用いたこと以外は、実施例2と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
作製した有機エレクトロルミネッセンス素子について、1000Cd/m2で測定した特性値を表22に示す。
2 陽極
3 正孔注入層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 電子輸送層
7 陰極
Claims (16)
- 下記一般式(1)で表される化合物の遅延蛍光体用ホスト材料としての用途。
一般式(1)
(Tr)n−Z
[一般式(1)中、Trは下記置換基群Aの少なくとも1つの置換基で置換されていてもよいトリフェニレニル基を表し、一般式(1)中に存在する複数のTrは互いに同一であっても異なっていてもよい。Zは下記置換基群Aの少なくとも1つの置換基で置換されていてもよいn価の芳香族炭化水素基を表す。nは2〜6のいずれかの整数を表す。ただし、下記の2つの条件の少なくとも一方を満たす。
・Trの少なくとも1つが、下記置換基群Aの少なくとも1つの置換基で置換されたトリフェニレニル基である。
・Zが、下記置換基群Aの少なくとも1つの置換基で置換された芳香族炭化水素基である。]
<置換基群A>
ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数1〜20のアルキルチオ基、炭素数1〜20のアルキル置換アミノ基、炭素数2〜20のアシル基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数3〜40のヘテロアリール基、炭素数2〜10のアルケニル基、炭素数2〜10のアルキニル基、炭素数2〜10のアルコキシカルボニル基、炭素数1〜10のアルキルスルホニル基、炭素数1〜10のハロアルキル基、アミド基、炭素数2〜10のアルキルアミド基、炭素数3〜20のトリアルキルシリル基、炭素数4〜20のトリアルキルシリルアルキル基、炭素数5〜20のトリアルキルシリルアルケニル基、炭素数5〜20のトリアルキルシリルアルキニル基、ニトロ基、および下記一般式(2)で表される置換基で置換されたトリフェニレニル基(なお、置換基群Aの中のアルキル基とアリール基は、それぞれ置換基群Aの少なくとも1つの置換基でさらに置換されていてもよい。)
一般式(2)
Tr4−CO−
[一般式(2)において、Tr 4 は上記置換基群Aの少なくとも1つの置換基で置換されていてもよいトリフェニレニル基を表す。] - Zがn価のベンゼン残基であることを特徴とする請求項1に記載の遅延蛍光体用ホスト材料としての用途。
- Trの少なくとも1つが、前記置換基群Aの少なくとも1つの置換基で置換されたトリフェニレニル基であることを特徴とする請求項1または2に記載の遅延蛍光体用ホスト材料としての用途。
- Zが、前記置換基群Aの少なくとも1つの置換基で置換されたn価の芳香族炭化水素基であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の遅延蛍光体用ホスト材料としての用途。
- Zが、前記置換基群Aの少なくとも1つの置換基で置換されていてもよいアルキル基または前記置換基群Aの少なくとも1つの置換基で置換されていてもよいアリール基で置換されたn価の芳香族炭化水素基であることを特徴とする請求項1に記載の遅延蛍光体用ホスト材料としての用途。
- 下記一般式(1)で表される化合物の遅延蛍光体用ホスト材料としての用途。
一般式(1)
(Tr)n−Z
一般式(1)中、Trは下記置換基群Aの少なくとも1つの置換基で置換されていてもよいトリフェニレニル基を表し、一般式(1)中に存在する複数のTrは互いに同一であっても異なっていてもよい。Zはカルボニル基を表す。nは2である。
<置換基群A>
ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数1〜20のアルキルチオ基、炭素数1〜20のアルキル置換アミノ基、炭素数2〜20のアシル基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数3〜40のヘテロアリール基、炭素数2〜10のアルケニル基、炭素数2〜10のアルキニル基、炭素数2〜10のアルコキシカルボニル基、炭素数1〜10のアルキルスルホニル基、炭素数1〜10のハロアルキル基、アミド基、炭素数2〜10のアルキルアミド基、炭素数3〜20のトリアルキルシリル基、炭素数4〜20のトリアルキルシリルアルキル基、炭素数5〜20のトリアルキルシリルアルケニル基、炭素数5〜20のトリアルキルシリルアルキニル基、ニトロ基、および下記一般式(2)で表される置換基で置換されたトリフェニレニル基(なお、置換基群Aの中のアルキル基とアリール基は、それぞれ置換基群Aの少なくとも1つの置換基でさらに置換されていてもよい。)
一般式(2)
Tr4−CO−
[一般式(2)において、Tr 4 は上記置換基群Aの少なくとも1つの置換基で置換されていてもよいトリフェニレニル基を表す。] - 少なくとも1つのTrが、前記一般式(2)で表される置換基を有することを特徴とする請求項6に記載の遅延蛍光体用ホスト材料としての用途。
- 2つのTrが、前記一般式(2)で表される置換基を合計1〜5個有することを特徴とする請求項7に記載の遅延蛍光体用ホスト材料としての用途。
- 少なくとも1つのTrがトリフェニレン環の2位、3位、6位、7位、10位または11位にカルボニル基が結合した部分構造を含むことを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載の遅延蛍光体用ホスト材料としての用途。
- 少なくとも1つのTrが、そのTrのトリフェニレン環に結合している全てのカルボニル基が、トリフェニレン環の2位、3位、6位、7位、10位または11位に結合していることを特徴とする請求項9に記載の遅延蛍光体用ホスト材料としての用途。
- 前記一般式(1)のTrの少なくとも1つが、前記置換基群Aの少なくとも1つの置換基で置換されていてもよいアルキル基または前記置換基群Aの少なくとも1つの置換基で置換されていてもよいアリール基で置換されたトリフェニレニル基であることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の遅延蛍光体用ホスト材料としての用途。
- 請求項1〜11のいずれか1項に記載のホスト材料と遅延蛍光体を含む層を有することを特徴とする有機発光素子。
- 下記一般式(1)で表される化合物からなるホスト材料とそれ以外のホスト材料と遅延蛍光体を含む層を有することを特徴とする有機発光素子。
一般式(1)
(Tr)n−Z
[一般式(1)中、Trは下記置換基群Aの少なくとも1つの置換基で置換されていてもよいトリフェニレニル基を表し、一般式(1)中に存在する複数のTrは互いに同一であっても異なっていてもよい。Zはカルボニル基または下記置換基群Aの少なくとも1つの置換基で置換されていてもよいn価の芳香族炭化水素基を表す。nは2〜6のいずれかの整数を表すが、Zがカルボニル基の場合は2である。]
<置換基群A>
ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数1〜20のアルキルチオ基、炭素数1〜20のアルキル置換アミノ基、炭素数2〜20のアシル基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数3〜40のヘテロアリール基、炭素数2〜10のアルケニル基、炭素数2〜10のアルキニル基、炭素数2〜10のアルコキシカルボニル基、炭素数1〜10のアルキルスルホニル基、炭素数1〜10のハロアルキル基、アミド基、炭素数2〜10のアルキルアミド基、炭素数3〜20のトリアルキルシリル基、炭素数4〜20のトリアルキルシリルアルキル基、炭素数5〜20のトリアルキルシリルアルケニル基、炭素数5〜20のトリアルキルシリルアルキニル基、ニトロ基、および下記一般式(2)で表される置換基で置換されたトリフェニレニル基(なお、置換基群Aの中のアルキル基とアリール基は、それぞれ置換基群Aの少なくとも1つの置換基でさらに置換されていてもよい。)
一般式(2)
Tr4−CO−
[一般式(2)において、Tr 4 は上記置換基群Aの少なくとも1つの置換基で置換されていてもよいトリフェニレニル基を表す。] - 有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項12または13に記載の有機発光素子。
- 下記一般式(3)で表される化合物。
一般式(3)
Tr1−CO−Tr2
[一般式(3)中、Tr1およびTr2は各々独立に下記置換基群Aの少なくとも1つの置換基で置換されていてもよいトリフェニレニル基を表し、Tr1およびTr2は互いに同一であっても異なっていてもよい。]
<置換基群A>
ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数1〜20のアルキルチオ基、炭素数1〜20のアルキル置換アミノ基、炭素数2〜20のアシル基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数3〜40のヘテロアリール基、炭素数2〜10のアルケニル基、炭素数2〜10のアルキニル基、炭素数2〜10のアルコキシカルボニル基、炭素数1〜10のアルキルスルホニル基、炭素数1〜10のハロアルキル基、アミド基、炭素数2〜10のアルキルアミド基、炭素数3〜20のトリアルキルシリル基、炭素数4〜20のトリアルキルシリルアルキル基、炭素数5〜20のトリアルキルシリルアルケニル基、炭素数5〜20のトリアルキルシリルアルキニル基、ニトロ基、および下記一般式(2)で表される置換基で置換されたトリフェニレニル基(なお、置換基群Aの中のアルキル基とアリール基は、それぞれ置換基群Aの少なくとも1つの置換基でさらに置換されていてもよい。)
一般式(2)
Tr4−CO−
[一般式(2)において、Tr 4 は上記置換基群Aの少なくとも1つの置換基で置換されていてもよいトリフェニレニル基を表す。] - 下記一般式(4)で表される化合物。
一般式(4)
(Tr3)n1−Z1
[一般式(4)中、Tr3は下記置換基群Aの少なくとも1つの置換基で置換されていてもよいトリフェニレニル基を表し、一般式(4)中に存在する複数のTr3は互いに同一であっても異なっていてもよい。Z1は下記置換基群Aの少なくとも1つの置換基で置換されていてもよいベンゼン残基、または下記置換基群Aの少なくとも1つの置換基で置換されていてもよいビフェニル残基を表す。n1は2〜6のいずれかの整数を表す。Tr3およびZ1の少なくとも1つは、下記置換基群Aの少なくとも1つの置換基で置換されていてもよいアルキル基または下記置換基群Aの少なくとも1つの置換基で置換されていてもよいアリール基で置換されている。Tr3が無置換であるとき、Z1はフェニル基またはメチル基で置換されたベンゼン環残基であって少なくとも1位と3位でTr3に結合しているか、フェニル基で置換されたビフェニル残基である。Tr3が置換基で置換されているときの置換位置は、6位、7位、10位および11位の少なくとも1つである。]
<置換基群A>
ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数1〜20のアルキルチオ基、炭素数1〜20のアルキル置換アミノ基、炭素数2〜20のアシル基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数3〜40のヘテロアリール基、炭素数2〜10のアルケニル基、炭素数2〜10のアルキニル基、炭素数2〜10のアルコキシカルボニル基、炭素数1〜10のアルキルスルホニル基、炭素数1〜10のハロアルキル基、アミド基、炭素数2〜10のアルキルアミド基、炭素数3〜20のトリアルキルシリル基、炭素数4〜20のトリアルキルシリルアルキル基、炭素数5〜20のトリアルキルシリルアルケニル基、炭素数5〜20のトリアルキルシリルアルキニル基、ニトロ基、および下記一般式(2)で表される置換基で置換されたトリフェニレニル基(なお、置換基群Aの中のアルキル基とアリール基は、それぞれ置換基群Aの少なくとも1つの置換基でさらに置換されていてもよい。)
一般式(2)
Tr4−CO−
[一般式(2)において、Tr 4 は上記置換基群Aの少なくとも1つの置換基で置換されていてもよいトリフェニレニル基を表す。]
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