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JP6519820B2 - トンネル誘電体層を伴う太陽電池の製造方法 - Google Patents

トンネル誘電体層を伴う太陽電池の製造方法 Download PDF

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Description

本発明の実施形態は、再生可能エネルギーの分野に関し、特にトンネル誘電体層を伴う太陽電池の製造方法に関する。
[連邦政府による資金提供を受けた研究開発の記載]
本発明は、米国エネルギー省より付託された契約番号DE−FC36−07GO17043の下、連邦政府の支援を受けてなされた発明であり、政府は本発明について一定の権利を有する。
太陽電池として一般に知られている光起電力電池は、太陽放射を電気エネルギーへと直接的に変換する装置として周知である。一般に、太陽電池は、半導体処理加工技術を用いて半導体ウェハ又は基板上に製造され、基板の表面近くにp−n接合を形成する。基板の表面に衝突した太陽放射は、基板本体に電子正孔対を作り出し、電子正孔対が基板のp−ドープするべき領域及びn−ドープするべき領域に移動し、これによって、ドープされた領域間で電位差が発生する。ドープ領域が、太陽電池上の金属接点に接続され、電流が電池から連結された外部回路へと流れる。
効率は、太陽電池の重要な特性であるが、それは、電力が発生するための太陽電池の容量に直接関連するからである。したがって、太陽電池の効率を増大させるための技術が通常望ましい。本発明の実施形態は、太陽電池構造を製造するための新規なプロセスを提供することによって、太陽電池効率の増大を可能にする。
本発明の一実施形態に係る太陽電池のトンネル誘電体層を製造する際の低減されたサーマルバジェットと、従来のプロセスによるサーマルバジェットのモデルとを比較して示した図である。 本発明の一実施形態に係るトンネル誘電体層を伴う太陽電池の製造方法における工程を表すフローチャートフローチャートである。 本発明の一実施形態に係るトンネル誘電体層を含む太陽電池の製造における工程の断面図である。 本発明の一実施形態に係る、図2のフローチャートフローチャートの工程202及び図4のフローチャートフローチャートの工程402に対応する、トンネル誘電体層を含む太陽電池の製造の工程を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る、図2のフローチャートの工程204及び図4のフローチャートの工程404に対応する、トンネル誘電体層を含む太陽電池の製造における工程の断面図である。 本発明の一実施形態による、トンネル誘電体層を伴う太陽電池の製造方法における工程を表すフローチャートである。 本発明の一実施形態による、湿式成長及び熱成長処理を組み合わせた後のトンネル酸化物厚さのプロットである。 本発明の一実施形態による、湿式成長及び熱成長処理を組み合わせた後の酸化物厚さの標準偏差のプロットである。 本発明の一実施形態に係る、トンネル誘電体層の水性薄膜成分の厚さに応じた少数キャリアの寿命のプロットである。 本発明の一実施形態に係る、湿式及び熱処理加工の組み合わせからの酸化物形成を施すウェハの寿命の光ルミネセンス測定結果を示す。
トンネル誘電体層を伴う太陽電池の製造方法が本明細書で記載されている。以下の説明では、本発明の完全な理解を提供するために、特定の処理過程フロー操作などの数多くの特定の詳細が記載される。これらの特定の詳細を使用することなく、本発明の実施形態を実践することができる点が、当業者には明らかとなるであろう。また、本発明の実施形態を不必要に不明瞭にしないために、リソグラフィ及びエッチング技術などの周知の製造技術は詳細に説明されない。更には、図に示される様々な実施形態は、例示的な表示であって、必ずしも一定の尺度で描写されていない。
本明細書に開示されるのは、トンネル誘電体層を伴う太陽電池の製造方法である。一実施形態では、太陽電池の製造方法は、太陽電池の基板の表面に酸化物層を設けるべく、基板の表面を湿式化学溶液に晒す工程を備える。次いで、太陽電池のトンネル誘電体層へと変換するべく、酸化物層を略摂氏900度以上の温度で乾燥雰囲気中で加熱する。一実施形態では、太陽電池の製造方法は、熱酸化によって、摂氏600度未満の温度で、太陽電池の基板の表面上に酸化物層を形成する工程を含む。次いで、酸化物層を太陽電池のトンネル誘電体層に変換するべく、この酸化物層を略摂氏900度以上の温度で乾燥雰囲気中で加熱する。
更に、太陽電池が本明細書で開示される。一実施形態では、太陽電池は基板を含む。トンネル誘電体層は基板上に配設されるが、このトンネル誘電体層は、酸化物層を略摂氏900度以上で1回だけ加熱することによって形成される。
本発明の一実施形態によると、多結晶シリコン/トンネル酸化物プロセスにおけるサーマルバジェット(熱履歴)が軽減される。例えば、従来のプロセスでは、トンネル酸化物は、比較的低い圧力で略摂氏900度で成長し得る。しかしながら、一実施形態では、このような方法は、サーマルバジェットが高く、効率を最適化するには不向きであることが見出された。サーマルバジェットが高いと、サイクル時間及び機器の摩耗を不利に増加させる可能性があり、いずれも総生産コストを増加させ得る因子となる。1つの特定の実施形態では、従来の方法は、多結晶シリコン堆積処理に関して高いサイクル時間をもたらすことが確認された。
本発明の一実施形態によると、トンネル誘電体層は、少数キャリアをブロックするために太陽電池内に設けられる。一実施形態では、このトンネル誘電体層の厚さは、約15オングストロームである。しかしながら、このようなトンネル誘電体層を形成するために通常必要とされるサーマルバジェットは、例えば、バックコンタクト型太陽電池のバルク基板の基板のような太陽電池の他の部分における欠陥の形成を促進し得る。したがって、従来の方法を適用する場合、トンネル誘電体層を設ける利点と、トンネル誘電体層の製造によるサーマルバジェットの増加による損傷の影響との間のトレードオフが存在する。そこで、本発明の一実施形態では、本明細書で提供される方法は、高効率太陽電池設計で使用され、サーマルバジェットが軽減された状態でのトンネル誘電体層の製造を可能にする。一実施形態では、サーマルバジェットを軽減することによって、より熱に晒された場合に悪化する可能性のある欠陥が低減される又は緩和される。1つの特定の実施形態では、トンネル誘電体層を形成するのに用いられる製造プロセスは略摂氏700度未満の温度で実施されるものに限定され、略摂氏900度以上の温度での処理の適用はプロセス全体を通じて1回に限られる1つの特定の実施形態では、この方法によれば、全体のサイクル時間も減らすことができ、太陽電池のインライン製造の効率を増大させる。
一実施形態では、太陽電池の製造において、多結晶シリコン接点を有する構造内のトンネルを構成する層の二酸化シリコン(SiO)を含む薄い酸化シリコンの成長が改善される。例えば、改善とは、以下に列挙する膜の特性の1つ以上を挙げることができる:高性能且つ薄いトンネル誘電体膜、制御された厚さ、制御された品質、短い処理サイクル時間、及び、軽減された処理サーマルバジェットである。一実施形態では、本明細書に記載される方法の1つ以上を適用することによって、基板の広範な範囲にわたって良好な厚さ制御を備える非常に薄い酸化シリコン(例えばSiO)トンネル酸化物が、比較的低温(例えば軽減されたサーマルバジェット)及び比較的短いサイクル時間で得られる。一実施形態では、略摂氏565度のピーク温度が用いられ、サイクル時間は、処理炉内で約1.5時間にまで低減される。一実施形態では、湿式の酸化物の形成により、ウェハは汚染しにくくなる。上記実施形態は、略500mTorrの圧力で、略摂氏900度での成長行う従来の方法と対比される。
本発明の一実施形態によると、湿式及び熱酸化物成長の組み合わせが、薄いが高品質の酸化物膜を得るために用いられる。一実施形態では、酸化物膜の厚さは、略1〜2ナノメートルの範囲である。一実施形態では、処理過程の湿式成長部分中に、酸化物の成長速度を増大させ且つ厚みの均一性を改善するために、酸化物質、溶液化学及び照射の組み合わせが用いられる。一実施形態では、次いで、形成された酸化物に、低温熱処理が行われて膜厚を更に大きくするが、この低温熱処理の間に酸化物の湿式成長部分の品質が改善される。一実施形態では、高品質トンネル誘電体層を提供するべく、湿式及び熱成長技術を組み合わせて低温熱酸化物成長処理(例えば、サーマルバジェットの軽減)が実施される。
本発明の一態様によれば、トンネル誘電体層の製造における従来の方法と比較して、サーマルバジェットが軽減される。例えば、図1は、本発明の一実施形態に係る太陽電池のトンネル誘電体層を製造する際の低減されたサーマルバジェットと、従来のプロセスによるサーマルバジェットのモデルとを比較して示した図である。
図1には、モデルサーマルバジェットのプロット100が、摂氏の単位の温度で分単位の経過時間の関数として示されており、また、従来のプロセス102及び本発明の一実施形態によるサーマルバジェットが軽減されたプロセス104についてついても示されている。一実施形態では、従来のプロセス102では、トンネル誘電体層の製造において、略摂氏900度以上とする加熱を一回以上行っている。これとは対照的に、一実施形態では、図1に示されるように、サーマルバジェットが軽減されたプロセス104は、トンネル誘電体層の製造において、略摂氏900度以上とする加熱を一回だけ伴う。
太陽電池は、トンネル誘電体層を含むように製造され得る。例えば、図2は、本発明の一実施形態による、トンネル誘電体層を伴う太陽電池の製造方法における工程を表すフローチャート200を示す。図3A〜3Cは、本発明の一実施形態による、フローチャート200の工程に対応する、トンネル誘電体層を含む太陽電池の製造における様々なステージの断面図を示す。
図3Aを参照すると、太陽電池製造のための基板302が提供されている。本発明の一実施形態によると、基板302は、バルクシリコン基板からなる。一実施形態では、このバルクシリコン基板は、N型ドーパントでドープされている。一実施形態では、基板302は、図3Aに示されるように、テクスチャ化された表面を有する。
フローチャート200の工程202及び対応する図3Bを参照すると、太陽電池の製造方法は、基板302の表面に酸化物層304を設けるべく、基板302の表面を湿式化学溶液に晒す工程を含む。本発明の一実施形態によると、湿式化学溶液としては、オゾン(O)又は過酸化水素(H)などの酸化剤が挙げられるが、これらに限定されない。一実施形態では、湿式化学溶液及び基板の表面は、酸化物成長の間に可視光放射に露出される。一実施形態では、基板302はバルクシリコン基板であり、酸化物層304は酸化シリコン層である。
フローチャート200の工程204及び対応する図3Cを参照すると、太陽電池の製造方法は、酸化物層304を太陽電池のトンネル誘電体層306に変換するべく、略摂氏900度以上の温度で乾燥雰囲気中で酸化物層304を加熱する工程を更に含む。本発明の一実施形態によると、酸化物層304は、製造中に1回だけ略摂氏900度以上の温度に晒される。一実施形態では、晒す工程202の後であって、加熱する工程204の前に、酸化物層304を、摂氏500度未満の温度から略摂氏565度の温度に加熱し、次いで摂氏500度未満の温度に戻すよう冷却する。
本発明の一実施形態によると、太陽電池の製造方法は、加熱する工程204の前に、酸化物層304の上に材料層308を形成する工程を更に含む。一実施形態では、材料層308は、アモルファスシリコン層であって、このアモルファスシリコン層は、工程204の加熱する工程の間に多結晶シリコンへと結晶化される。1つの特定の実施形態では、太陽電池の製造方法は、図3Cに示されるように、多結晶シリコン層308の上に金属接点312を形成する工程を更に含む。
図3Cを再び参照し、本発明の一実施形態によれば、太陽電池は、基板302を含む。トンネル誘電体層306が基板302上に設けられるが、このトンネル誘電体層は、酸化物層(図3Bの304)を、略摂氏900度以上で1回だけ加熱することによって形成される。一実施形態では、この太陽電池は、トンネル誘電体層306の上に設けられた多結晶シリコン層308を更に含む。1つの特定の実施形態では、この太陽電池は、多結晶シリコン層308の上に配設された金属接点312を更に含む。一実施形態では、基板302はバルクシリコン基板であり、トンネル誘電体層306は酸化シリコン層である。
一実施形態では、この太陽電池は、バックコンタクト型太陽電池である。この実施形態では、バックコンタクト型太陽電池は、基板302内にP型及びN型活性領域を含む。接点312などの導電性接点は、活性領域と連結され、誘電性材料で形成される分離領域310などの分離領域によって互いに分離される。一実施形態では、この太陽電池はバックコンタクト型太陽電池であって、抗反射コート層が、図3A〜3Cに示されるランダムにテクスチャ化された表面などの受光面上に設けられている。一実施形態では、この抗反射コート層は、略70〜80ナノメートルの範囲の厚さの窒化シリコン層である。
本発明の別の態様では、太陽電池は、水性処理を用いることなくトンネル誘電体層を含むことによって製造され得る。例えば、図4は、本発明の一実施形態による、トンネル誘電体層を伴う太陽電子の製造方法における工程を表すフローチャート400を示す。図3A〜3Cは、本発明の一実施形態による、フローチャート400の操作に対応する、トンネル誘電体層を含む太陽電池の製造における様々な工程の断面図を示す。
図3Aを参照すると、太陽電池製造用の基板302が提供されている。本発明の一実施形態によると、基板302は、バルクシリコン基板からなる。一実施形態では、このバルクシリコン基板は、N型ドーパントでドープされている。一実施形態では、基板302は、図3Aに示されているようにテクスチャ化された表面を有する。
フローチャート400の工程402及び対応する図3Bを参照すると、太陽電池の製造方法は、熱酸化によって、摂氏600度未満の温度で、酸化物層304を太陽電池の基板の表面上に形成する工程を含む。本発明の一実施形態によると、酸化物層304は、低圧熱酸化処理によって形成される。一実施形態では、この低圧熱酸化処理は、酸素(O)を含む雰囲気中で、略摂氏500〜580度の範囲の温度で実施される。一実施形態では、基板302はバルクシリコン基板であり、酸化物層304は酸化シリコン層である。
フローチャート400の工程404及び対応する図3Cを参照すると、太陽電池の製造方法は、酸化物層304を太陽電池のトンネル誘電体層306に変換するべく、略摂氏900度以上の温度で乾燥雰囲気中で酸化物層304を加熱する工程を更に含む。本発明の一実施形態によると、酸化物層304は、製造中に1回だけ略摂氏900度以上の温度に晒される。一実施形態では、形成する工程402の後であって、加熱する工程404の前に、酸化物層304を、摂氏500度未満の温度から略摂氏565度の温度に加熱し、次いで摂氏500度未満の温度に戻すよう冷却する。
本発明の一実施形態によると、太陽電池の製造方法は、加熱する工程404の前に、酸化物層304の上に材料層308を形成する工程を更に含む。一実施形態では、材料層308はアモルファスシリコン層であって、このアモルファスシリコン層は、加熱する工程404の間に多結晶シリコン層へと結晶化される。1つの特定の実施形態では、太陽電池の製造方法は、図3Cに示されるように、金属接点312を多結晶シリコン層308の上に形成する工程を更に含む。
上述したように、本発明の一態様では、トンネル誘電体層(例えば、トンネル酸化物層)は、基板の湿式処理及び熱処理の組み合わせによって製造されてもよい。図5A〜5Bは、本発明の一実施形態による、湿式処理及び熱成長処理の組み合わせ後の、トンネル酸化物厚さ及び酸化物厚さの標準偏差のプロット500A及び500Bをそれぞれ示す。プロット500A及び500Bを参照すると、湿式成長時間、溶液区域濃度及び温度が変化した。実施された熱酸化は、全ての場合で同一であった。図6Aは、本発明の一実施形態による、トンネル誘電体層の湿式薄膜成分の厚みの関数として表した少数キャリア寿命のプロット600Aを示す。図6Bは、本発明の一実施形態による、質式処理及び熱処理の組み合わせを使用して酸化物を形成したウェハの寿命の光ルミネセンス測定の結果を600Bを示す。上記プロットで示される製造された種々の薄膜のタイプから証明されるように、本発明の一実施形態により、成長プロセスの湿式処理部分を調整することによって、トンネル誘電体薄膜の特定の望ましい特性が調整され得る。
上述したように、本発明の別の態様では、トンネル誘電体層(例えば、トンネル酸化物層)は、酸化物層を、製造中に1回だけ略摂氏900度を超える温度に晒すことによって製造され得る。一実施形態では、熱酸化は、次の製造工程に望ましい温度又はそれと実質的に同じ温度で実施される。そのような工程は、トンネル酸化物層の上にシリコン層を形成する工程であり得る。一実施形態では、熱酸化は、略摂氏575度のみで実施される。
このように、トンネル誘電体層を伴う太陽電池の製造方法が開示されてきた。本発明の一実施形態によると、太陽電池の製造方法は、太陽電池の基板の表面に酸化物層を設けるべく、基板の表面を湿式化学溶液に晒す工程を含む。この方法はまた、酸化物層を太陽電池のトンネル誘電体層へ変換するべく、酸化物層を略摂氏900度以上の温度で乾燥雰囲気中で加熱する工程も含む。一実施形態では、この酸化物層は、製造中に1回だけ略摂氏900度以上の温度に晒される。本発明の別の実施形態によると、太陽電池の製造方法は、熱酸化によって、摂氏600度未満の温度で、太陽電池の基板の表面上に酸化物層を形成する工程を含む。この方法はまた、酸化物層を太陽電池のトンネル誘電体層に変換するべく、酸化物層を略摂氏900度以上の温度で乾燥雰囲気中で加熱する工程も含む。一実施形態では、この酸化物層は、製造中に1回だけ略摂氏900度以上の温度に晒される。
[項目1]
太陽電池の基板の表面に酸化物層を設けるべく、前記基板の前記表面を湿式化学溶液に晒す工程と、
前記酸化物層を前記太陽電池のトンネル誘電体層へと変換するべく、前記酸化物層を略摂氏900度以上の温度で乾燥雰囲気中で加熱する工程とを備える太陽電池の製造方法。
[項目2]
前記酸化物層が、前記製造中に1回だけ略摂氏900度以上の温度に晒される、項目1に記載の太陽電池の製造方法。
[項目3]
前記湿式化学溶液が、オゾン(O3)及び過酸化水素(H2O2)からなる群から選択される酸化剤を含む、項目1または2に記載の太陽電池の製造方法。
[項目4]
前記湿式化学溶液及び前記基板の前記表面が、前記基板の前記表面を湿式化学溶液に晒す工程の間に、可視光放射に露出される項目1から3の何れか一項に記載の太陽電池の製造方法。
[項目5]
前記湿式化学溶液に晒す工程の後であって、前記加熱する工程の前に、前記酸化物層を、摂氏500度未満の温度から略摂氏565度の温度に加熱し、次いで摂氏500度未満の温度に戻すよう冷却する工程を更に備える項目1から4の何れか一項に記載の太陽電池の製造方法。
[項目6]
前記加熱する工程の前に、前記酸化物層の上に材料層を形成する工程を更に備える項目1から5の何れか一項に記載の太陽電池の製造方法。
[項目7]
前記材料層が、アモルファスシリコン層であって、前記アモルファスシリコン層が、前記加熱する工程の間に多結晶シリコン層へと結晶化される項目6に記載の太陽電池の製造方法。
[項目8]
前記多結晶シリコン層の上に金属接点を形成する工程を更に備える項目7に記載の太陽電池の製造方法。
[項目9]
前記基板がバルクシリコン基板であって、前記酸化物層が酸化シリコン層である、項目1から8の何れか一項に記載の太陽電池の製造方法。
[項目10]
熱酸化によって、摂氏600度未満の温度で、太陽電池の基板の表面上に酸化物層を形成する工程と、
前記酸化物層を前記太陽電池のトンネル誘電体層に変換するべく、前記酸化物層を略摂氏900度以上の温度で乾燥雰囲気中で加熱する工程とを備える太陽電池の製造方法。
[項目11]
前記酸化物層が、前記製造中に1回だけ略摂氏900度以上の温度に晒される項目10に記載の太陽電池の製造方法。
[項目12]
前記酸化物層が、低圧熱酸化処理によって形成される項目10または11に記載の太陽電池の製造方法。
[項目13]
前記低圧熱酸化処理が、酸素(O2)を含有する雰囲気中で、略摂氏500〜580度の範囲の温度で実施される項目12に記載の太陽電池の製造方法。
[項目14]
前記加熱する工程の前に、前記酸化物層の上に材料層を形成する工程を更に備える項目10から13の何れか一項に記載の太陽電池の製造方法。
[項目15]
前記材料層が、アモルファスシリコン層であって、前記アモルファスシリコン層が、前記加熱する工程の間に多結晶シリコン層へと結晶化される項目14に記載の太陽電池の製造方法。
[項目16]
前記多結晶シリコン層の上に金属接点を形成することを更に含む項目15に記載の太陽電池の製造方法。
[項目17]
前記基板がバルクシリコン基板であって、前記酸化物層が酸化シリコン層である項目10から16の何れか一項に記載の太陽電池の製造方法。
[項目18]
前記酸化物層を形成する工程の後であって、前記加熱する工程の前に、前記酸化物層を摂氏500度未満の温度から略摂氏565度の温度に加熱し、次いで摂氏500度未満の温度に戻すよう冷却する工程を更に備える項目10から17の何れか一項に記載の太陽電池の製造方法。
[項目19]
基板と、
基板上に配設されたトンネル誘電体層とを備え、
前記トンネル誘電体層が、酸化物層を略摂氏900度以上で1回だけ加熱することによって形成される太陽電池。
[項目20]
前記トンネル誘電体層の上に設けられた多結晶シリコン層を更に備える項目19に記載の太陽電池。
[項目21]
前記多結晶シリコン層の上に設けられた金属接点を更に備える項目20に記載の太陽電池。
[項目22]
前記基板がバルクシリコン基板であって、前記トンネル誘電体層が酸化シリコン層である項目19から21の何れか一項に記載の太陽電池。

Claims (6)

  1. 熱酸化によって、第1の温度で、基板の表面酸化物層を形成する工程と
    前記表面酸化物層の上にアモルファスシリコン層を形成する工程と、
    記表面酸化物層を、摂氏500度未満の温度から摂氏500度以上の第2の温度に加熱する工程と
    え、
    前記第1の温度と前記第2の温度は同じである
    陽電池の製造方法。
  2. 熱酸化によって、第1の温度で、基板の表面酸化物層を形成する工程と、
    前記表面酸化物層の上にアモルファスシリコン層を形成する工程と、
    前記表面酸化物層を、摂氏500度未満の温度から摂氏500度以上の第2の温度に加熱する工程と
    前記表面酸化物層を摂氏900度以上の温度で乾燥雰囲気中で加熱する工程と、
    え、
    前記表面酸化物層を摂氏900度以上の温度で乾燥雰囲気中で加熱する前記工程の間に、前記表面酸化物層はトンネル誘電体層に変換され、かつ、前記アモルファスシリコン層は多結晶シリコン層へと結晶化される、
    陽電池の製造方法。
  3. 前記表面酸化物層を前記第2の温度に加熱する工程の後、摂氏500度未満の温度に戻すように冷却する工程をさらに備える、請求項1または2に記載の太陽電池の製造方法。
  4. 前記第1の温度及び前記第2の温度は、摂氏565度である、請求項1から3のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
  5. 前記表面酸化物層は、低圧熱酸化処理によって形成される、請求項1から4のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
  6. 前記低圧熱酸化処理は、酸素(O)を含有する雰囲気中で実施される、請求項5に記載の太陽電池の製造方法。
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8334161B2 (en) 2010-07-02 2012-12-18 Sunpower Corporation Method of fabricating a solar cell with a tunnel dielectric layer
US11309441B2 (en) 2013-04-03 2022-04-19 Lg Electronics Inc. Solar cell
KR102132740B1 (ko) * 2013-10-21 2020-07-10 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR101661948B1 (ko) 2014-04-08 2016-10-04 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR101613846B1 (ko) 2014-06-10 2016-04-20 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR102219804B1 (ko) 2014-11-04 2021-02-24 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그의 제조 방법
US9722104B2 (en) 2014-11-28 2017-08-01 Lg Electronics Inc. Solar cell and method for manufacturing the same
KR102272433B1 (ko) 2015-06-30 2021-07-05 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
CN106784069A (zh) * 2015-11-20 2017-05-31 上海神舟新能源发展有限公司 背表面隧道氧化钝化交指式背结背接触电池制作方法
CN107026218B (zh) 2016-01-29 2019-05-10 Lg电子株式会社 制造太阳能电池的方法
US10367115B2 (en) * 2016-01-29 2019-07-30 Lg Electronics Inc. Method of manufacturing solar cell
NL2017290B1 (en) 2016-08-04 2018-02-14 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Passivated Emitter and Rear Contact Solar Cell
USD822890S1 (en) 2016-09-07 2018-07-10 Felxtronics Ap, Llc Lighting apparatus
DE102016222175A1 (de) 2016-11-11 2018-05-17 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Aufbringen von Ladungsträger-selektiven Kontakten auf Solarzellen
KR101846443B1 (ko) 2017-02-23 2018-04-06 엘지전자 주식회사 태양전지를 위한 산화막 형성 방법
US10775030B2 (en) 2017-05-05 2020-09-15 Flex Ltd. Light fixture device including rotatable light modules
USD846793S1 (en) 2017-08-09 2019-04-23 Flex Ltd. Lighting module locking mechanism
USD862777S1 (en) 2017-08-09 2019-10-08 Flex Ltd. Lighting module wide distribution lens
USD833061S1 (en) 2017-08-09 2018-11-06 Flex Ltd. Lighting module locking endcap
USD832494S1 (en) 2017-08-09 2018-10-30 Flex Ltd. Lighting module heatsink
USD872319S1 (en) 2017-08-09 2020-01-07 Flex Ltd. Lighting module LED light board
USD877964S1 (en) 2017-08-09 2020-03-10 Flex Ltd. Lighting module
USD832495S1 (en) 2017-08-18 2018-10-30 Flex Ltd. Lighting module locking mechanism
USD862778S1 (en) 2017-08-22 2019-10-08 Flex Ltd Lighting module lens
CN107546281A (zh) * 2017-08-29 2018-01-05 浙江晶科能源有限公司 一种实现p型perc电池正面钝化接触的方法
USD888323S1 (en) 2017-09-07 2020-06-23 Flex Ltd Lighting module wire guard
FR3071358B1 (fr) * 2017-09-15 2019-09-13 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication d'une cellule photovoltaique a homojonction
CN117276356A (zh) * 2023-06-02 2023-12-22 天合光能股份有限公司 太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4393095A (en) * 1982-02-01 1983-07-12 Ppg Industries, Inc. Chemical vapor deposition of vanadium oxide coatings
JP2811723B2 (ja) * 1989-03-20 1998-10-15 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
US5057439A (en) * 1990-02-12 1991-10-15 Electric Power Research Institute Method of fabricating polysilicon emitters for solar cells
US5057463A (en) 1990-02-28 1991-10-15 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Thin oxide structure and method
JPH04226084A (ja) * 1990-05-23 1992-08-14 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池およびその製造方法
JP2858920B2 (ja) * 1990-06-22 1999-02-17 三洋電機株式会社 光起電力素子の製造方法
JP2855903B2 (ja) * 1990-08-30 1999-02-10 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JPH0529293A (ja) * 1991-07-18 1993-02-05 Fujitsu Ltd 半導体基板の前処理方法
JP3006396B2 (ja) * 1993-03-02 2000-02-07 日本電気株式会社 半導体薄膜の形成方法
JPH0794431A (ja) * 1993-04-23 1995-04-07 Canon Inc アモルファス半導体用基板、該基板を有するアモルファス半導体基板、及び該アモルファス半導体基板の製造方法
JP3094730B2 (ja) * 1993-04-27 2000-10-03 トヨタ自動車株式会社 太陽電池素子
JPH0786271A (ja) 1993-09-17 1995-03-31 Fujitsu Ltd シリコン酸化膜の作製方法
US5828080A (en) * 1994-08-17 1998-10-27 Tdk Corporation Oxide thin film, electronic device substrate and electronic device
US5516730A (en) * 1994-08-26 1996-05-14 Memc Electronic Materials, Inc. Pre-thermal treatment cleaning process of wafers
JP3096640B2 (ja) * 1995-08-04 2000-10-10 三洋電機株式会社 半導体装置及び表示装置
TW466772B (en) 1997-12-26 2001-12-01 Seiko Epson Corp Method for producing silicon oxide film, method for making semiconductor device, semiconductor device, display, and infrared irradiating device
JPH11340483A (ja) * 1998-05-26 1999-12-10 Hiroshi Komiyama 太陽電池用薄膜の製造方法
WO2001026161A1 (fr) * 1999-10-05 2001-04-12 Matsushita Battery Industrial Co., Ltd. Pile solaire a compose semiconducteur et procede de fabrication
JP2002064093A (ja) * 2000-08-21 2002-02-28 Japan Science & Technology Corp 半導体基板表面の酸化膜形成方法および半導体装置の製造方法
CN1144272C (zh) * 2000-09-04 2004-03-31 中国科学院半导体研究所 采用teos源pecvd生长氧化硅厚膜的方法
CN1190828C (zh) * 2001-11-07 2005-02-23 旺宏电子股份有限公司 隧道氧化层的制造方法
JP2003152205A (ja) * 2001-11-12 2003-05-23 Sharp Corp 光電変換素子及びその製造方法
US6916717B2 (en) * 2002-05-03 2005-07-12 Motorola, Inc. Method for growing a monocrystalline oxide layer and for fabricating a semiconductor device on a monocrystalline substrate
JP3604018B2 (ja) * 2002-05-24 2004-12-22 独立行政法人科学技術振興機構 シリコン基材表面の二酸化シリコン膜形成方法、半導体基材表面の酸化膜形成方法、及び半導体装置の製造方法
JP2004056057A (ja) * 2002-07-24 2004-02-19 Sharp Corp 太陽電池の製造方法
US7176528B2 (en) * 2003-02-18 2007-02-13 Corning Incorporated Glass-based SOI structures
JP4832727B2 (ja) * 2004-05-31 2011-12-07 信越半導体株式会社 太陽電池の製造方法及び太陽電池
US7323423B2 (en) * 2004-06-30 2008-01-29 Intel Corporation Forming high-k dielectric layers on smooth substrates
DE102004050269A1 (de) 2004-10-14 2006-04-20 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Verfahren zur Kontakttrennung elektrisch leitfähiger Schichten auf rückkontaktierten Solarzellen und Solarzelle
JP4586585B2 (ja) * 2005-03-15 2010-11-24 日立電線株式会社 薄膜半導体装置の製造方法
NL1029647C2 (nl) * 2005-07-29 2007-01-30 Otb Group Bv Werkwijze voor het passiveren van ten minste een deel van een substraatoppervlak.
US7468485B1 (en) * 2005-08-11 2008-12-23 Sunpower Corporation Back side contact solar cell with doped polysilicon regions
US7718888B2 (en) 2005-12-30 2010-05-18 Sunpower Corporation Solar cell having polymer heterojunction contacts
CN101060166A (zh) * 2006-04-20 2007-10-24 北京大学 一种透光电极及其制备方法
US7737357B2 (en) 2006-05-04 2010-06-15 Sunpower Corporation Solar cell having doped semiconductor heterojunction contacts
NL2000248C2 (nl) * 2006-09-25 2008-03-26 Ecn Energieonderzoek Ct Nederl Werkwijze voor het vervaardigen van kristallijn-silicium zonnecellen met een verbeterde oppervlaktepassivering.
US7705237B2 (en) 2006-11-27 2010-04-27 Sunpower Corporation Solar cell having silicon nano-particle emitter
US8222516B2 (en) * 2008-02-20 2012-07-17 Sunpower Corporation Front contact solar cell with formed emitter
US7799670B2 (en) * 2008-03-31 2010-09-21 Cypress Semiconductor Corporation Plasma oxidation of a memory layer to form a blocking layer in non-volatile charge trap memory devices
CN101999176A (zh) * 2008-04-09 2011-03-30 应用材料股份有限公司 太阳能电池的氮化势垒层
CN101999175A (zh) * 2008-04-09 2011-03-30 应用材料股份有限公司 用于多晶硅发射极太阳能电池的简化背触点
DE102008055515A1 (de) * 2008-12-12 2010-07-15 Schott Solar Ag Verfahren zum Ausbilden eines Dotierstoffprofils
US8334161B2 (en) * 2010-07-02 2012-12-18 Sunpower Corporation Method of fabricating a solar cell with a tunnel dielectric layer
JP2012049156A (ja) * 2010-08-24 2012-03-08 Osaka Univ 太陽電池およびその製造方法

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