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JP6516117B1 - 絶縁電線、コイル - Google Patents

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Abstract

【課題】絶縁電線をコイル状に加工したときに低下する導体の導電率を低温度で回復させる技術を提供する。【解決手段】銅材料から形成される導体と導体の外周に設けられる絶縁層と、を備え、導体がコイル状に加工されたときの導電率を加工前の導電率に回復させるための回復温度TBが130℃以下である、絶縁電線である。【選択図】図1

Description

本発明は、絶縁電線、コイルおよびその製造方法に関する。
回転電機(モータ)や変圧器などの電気機器にはコイルが組み込まれている。コイルは、導体の外周上に絶縁層が形成された絶縁電線を用いて形成されている。絶縁電線は、樹脂成分を有機溶媒に溶解させた絶縁塗料を導体の外周上に塗布・焼付する方法や、溶融させた樹脂を導体の外周上に押し出す方法、またはこれらの方法を併用することにより、導体の外周上に絶縁層を形成して作製される。
絶縁電線のコイルへの加工は、絶縁電線に対してエッジワイズに曲げ加工、捻り加工など様々な加工を施すことで行われる。近年、コイルの小型化の要求から、絶縁電線に対してはより過酷な加工が施されるようになっている(例えば、特許文献1を参照)。
特開2002−203438号公報
絶縁電線を用いてコイルを形成する際、絶縁電線に曲げ加工や捩り加工などの加工が施されることによってコイル状に加工される。このとき、導体には曲げ加工や捩り加工などの加工によって加工歪が導入されることになる。コイル状に加工された絶縁電線では、導体に加工歪が導入されると、導体の導電率が低下するため、コイル状に加工された絶縁電線を用いて形成されたコイルでは、電気特性が低下することがある。そのため、コイルに加熱処理を施して、低下した導電率を回復させることが望ましい。
これまでの絶縁電線では、導体の導電率を回復させる場合に、例えば200℃以上の温度からなる熱を絶縁電線に加えることによって加熱処理されていた。そのため、導体を被覆する絶縁層には、絶縁電線への加熱処理で絶縁層が劣化しない所望の耐熱性が求められる。絶縁層を形成する樹脂としては、例えばPEEK樹脂(ポリエーテルエーテルケトン樹脂)などの耐熱性に優れるものが使用されることがある。
一方、耐熱性の低い樹脂で絶縁層が形成されている場合では、絶縁層がコイル加工後の加熱処理で溶融変形してしまうおそれがある。
このようにコイルに使用される絶縁電線においては、導電率を回復させるために加熱処理を施すことを考慮すると、絶縁層を形成する樹脂の種類が耐熱性の高い樹脂に制限されてしまう。このことから、絶縁層に適用される樹脂の選択の幅を広げる観点から、導体の導電率を回復させるのに要する加熱温度を低くすることが望ましい。
本発明は、絶縁電線をコイル状に加工したときに低下する導体の導電率を低温度で回復させる技術を提供することを一目的とする。
本発明の第1の態様によれば、
チタン濃度が4mass ppm以上55mass ppm以下、硫黄濃度が2mass ppm以上12mass ppm以下、酸素濃度が2mass ppm以上30mass ppm以下、残部が銅と不可避不純物からなり、前記酸素濃度に対する前記チタン濃度の比率が2.0以上4.0以下である化学組成を有し、熱間圧延するときの最終圧延ロールの熱間圧延温度が500℃〜550℃で熱間圧延時間が10秒以上である熱間圧延加工が施されてなる荒引き線から形成される導体と前記導体の外周に設けられる絶縁層と、を備え、
前記導体は、前記導体がコイル状に加工されたときの導電率を加工前の導電率に回復させるための回復温度TBが130℃以下で前記導体の半軟化温度TAよりも低い、
絶縁電線が提供される。
本発明の第2の態様によれば、
チタン濃度が4mass ppm以上55mass ppm以下、硫黄濃度が2mass ppm以上12mass ppm以下、酸素濃度が2mass ppm以上30mass ppm以下、残部が銅と不可避不純物からなり、前記酸素濃度に対する前記チタン濃度の比率が2.0以上4.0以下である化学組成を有し、熱間圧延するときの最終圧延ロールの熱間圧延温度が500℃〜550℃で熱間圧延時間が10秒以上である熱間圧延加工が施されてなる荒引き線から形成される導体と前記導体の外周に設けられる絶縁層とを備える絶縁電線をコイル状に加工して形成され、
前記導体がコイル状に加工されたときの導電率を加工前の導電率に回復させるための回復温度TBが130℃以下で前記導体の半軟化温度TAよりも低い、
コイルが提供される。
本発明によれば、絶縁電線をコイル状に加工したときに低下する導体の導電率を低温度で回復させることができる。
図1は、本発明の一実施形態にかかる絶縁電線の長手方向に垂直な断面図である。
絶縁電線は、長尺のままステータのコアに巻き付けられることや、短尺にした後に曲げや捩りを加えてセグメントコイルに成形されることなどによってコイル状に加工されると、当該加工によって導体に加工歪が導入されて導電率が低下することがある。上述した加工により導体に導入された加工歪を緩和したり、加工歪により低下した導体の導電率を回復させたりするために、コイル状に加工した後の絶縁電線に対して加熱処理が施される。一般的に、導体の加工歪の緩和に必要な加熱温度(いわゆる導体の半軟化温度)よりも、導電率の回復に必要な加熱温度(以下、回復温度ともいう)が高いことから、これまで、加工した絶縁電線を、回復温度以上の高い温度で加熱する必要があると考えられていた。
しかし、本発明者らの検討によると、導体の金属組成や製造条件によっては、導体の回復温度が半軟化温度よりも低くなることがあり、このような導体をコイル状に加工したときに半軟化温度よりも低い温度で導体を加熱することにより、導体をコイル状に加工して低下した導電率を、コイル状に加工する前の導電率まで短時間に回復させることができることが見出された。つまり、導体の金属組成や製造条件を調整することで、回復温度を半軟化温度よりも低くでき、かつ導電率を回復させるまでにかかる時間も半軟化温度よりも高い温度で加熱処理するときの時間よりも短くできることが見出された。このような回復温度が半軟化温度よりも低い導体によれば、加工歪の緩和や導電率の回復に要する加熱温度を低くできるので、PEEK樹脂などの耐熱性の高い樹脂だけでなく、耐熱性の低い樹脂を絶縁層に使用することが可能となる。本発明は、上記知見に基づいて成されたものである。
<一実施形態>
以下、本発明の一実施形態にかかる絶縁電線について図面を用いて説明をする。図1は、本発明の一実施形態にかかる絶縁電線の長手方向に垂直な断面図である。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
(絶縁電線)
図1に示すように、本実施形態の絶縁電線1は、例えばエッジワイズに曲げ加工、捻り加工など様々な加工を施すことによりコイル状に加工されるものであり、導体11と、絶縁層12とを備えて構成される。
導体11は、銅材料から形成されている。本実施形態の導体11は、半軟化温度TAに対する回復温度TBの比率である半軟化温度比TB/TAが1.0未満である。つまり、本実施形態の導体11は、回復温度TBが半軟化温度TAよりも低く、比較的低い加熱温度で導電率が回復するように構成されている。なお、本実施形態の導体11は、回復温度TBが130℃以下である。
ここで、半軟化温度TAとは、加工歪が蓄積された銅材料(導体11)についての、加熱温度と引張強さとの関係を示す加熱軟化曲線において、加熱前の引張強さと、加熱後であって完全に焼鈍されたときの引張強さとの中間の引張強さに対応するときの加熱(焼鈍)温度を示す。本実施形態の半軟化温度TAは以下のように求められる。まず、導体11について、加工度90%の伸線加工を施し、焼鈍を行っていない状態で引張強さを測定する。次に400℃1時間などの焼鈍を行い、完全に再結晶させた状態で引張強さを測定する。そして、焼鈍を行っていない状態での引張強さと完全に再結晶させた状態の引張強さとから平均引張強さを求める。次に200℃、150℃などの温度で1時間の熱処理を行い、各温度で熱処理した後の引張強さを測定し、先程求めた平均引張強さに一致する熱処理温度を求める。この熱処理温度が半軟化温度TAとなる。また、ここでいう伸び率とは、引張強さを測定する際に、引張試験前の元の試験片長さをL0、引張試験後の試験片長さをL1とすると、(L1−L0)/L0×100で与えられ、破断後の永久伸びを原評点距離に対して百分率で表した値(%)として定義される。
すなわち、半軟化温度TAは、加工歪が蓄積された導体11の引張強さが加熱によって半分に低下するときの加熱温度を示す。半軟化温度TAによれば、導体11に蓄積した加工歪を除去して引張強さが半分に軟化するために必要な焼鈍温度を把握することができる。
回復温度TBは、導体11について、絶縁電線1をコイル状に加工したときに導体11へ加工歪が導入されたことにより低下した導体11の導電率を、加工歪が導入される前の導体11の導電率に1時間の焼鈍で回復させるために必要な焼鈍温度(加熱温度)を示す。具体的には、絶縁電線1に対してコイル状に加工を施すことを模擬した30%伸長加工を施したときに低下する導体11の導電率を、伸長加工前の導体11の導電率(例えば、100%IACS)に対して変化量が0.5%IACS以内(例えば、95%IACS以上100%IACS以下)の範囲となるまで1時間の焼鈍で回復させるのに必要な焼鈍温度を示す。
半軟化温度比TB/TAは1.0未満であれば特に限定されないが、加熱時間を短縮させる観点からは0.9以下となることが好ましく、0.8以下となることがより好ましい。なお、半軟化温度比の下限値は、おおむね0.6程度となる。
導体11の半軟化温度TAは、コイル状に加工した絶縁電線1の加熱温度を低くする観点からは低いほどよく、例えば125℃〜138℃であることが好ましい。
導体11の回復温度TBは、130℃以下であり、導体11の導電率の回復に要する加熱時間を短縮させる観点からは、半軟化温度TAよりも低いとよく、75℃〜124℃であることが好ましい。
導体11を形成する銅材料は、回復温度TBを半軟化温度TAよりも低くして半軟化温度比TB/TAを1.0未満に調整する観点からは、チタン濃度が4〜55mass ppm、硫黄濃度が2〜12mass ppm、酸素濃度が2〜30mass ppm、残部が銅と不可避不純物からなり、酸素濃度に対するチタン濃度の比率が2.0〜4.0である化学組成を有することが好ましい。このような組成によれば、半軟化温度比を1.0未満に調整できるだけでなく、半軟化温度TAを例えば125℃〜138℃の範囲まで低くすることができ、コイルに加工した後の加熱温度をより低くすることができる。
本発明者らの検討によると、導体11を形成する銅材料において、硫黄(S)および酸素(O)の濃度を低くするとともに、チタン(Ti)を微量配合してO濃度に対するTi濃度の比率を所定範囲とすることで、半軟化温度比を1.0未満に調整しやすくなることが見出された。この理由は、溶湯を鋳造して導体11を形成するための銅材料を作製するときに、TiとSや不可避不純物との間でTiSやTi−α(不可避不純物)などの析出物を形成することで、母相(Cu)の純度を向上できるためと推測される。
また、銅材料において、導体11の導電率を高める観点からは、Ti濃度を37mass ppm以下とすることが好ましく、25mass ppm以下とすることがより好ましい。また、本実施形態では、導体11の半軟化温度TAを低くする観点から導体11にOを含有させているが、半軟化温度TA、回復温度TBおよび半軟化温度比TB/TAをより低くする観点からはO濃度を5〜15mass ppmとすることが好ましい。また、O濃度に対するTi濃度の比率が2.0〜3.0であることがより好ましい。このような組成によれば、半軟化温度比を低くできるとともに、導体11の導電率、及びコイルに加工した後に加熱して得られる導体11の伸び率を向上させることができる。
導体11には、析出物としてTiSやTi−αなどのTi化合物が微細に分散して分布している。これらの析出物の大きさ(粒子径)は、導体11中に微細に分散させる観点からは、例えば20nm〜300nmであるとよい。
なお、後述するように、SおよびOは、銅原料に由来する不純物であり、Tiは、導体11を鋳造するときに溶湯に添加する元素である。
導体11の断面形状は、円形状や矩形状など特に限定されないが、絶縁電線1をコイルに加工したときに占積率を向上させる観点からは、図1に示すように矩形状であることが好ましい。導体11の厚さや幅は、絶縁電線1の用途に応じて適宜変更するとよく、例えば厚さは0.5mm〜1.0mm、幅は5mm〜25mmとするとよい。
導体11の外周には、絶縁層12が設けられている。上述したように、本実施形態では、導体11の導電率を130℃以下という低い温度の加熱により回復できるので、絶縁層12を形成する樹脂としては、PEEK樹脂などの高い耐熱性を有する樹脂に限定されず、PEEK樹脂よりも耐熱性の低い樹脂を使用することができる。例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂およびエステルイミド樹脂の少なくとも1つの熱硬化性樹脂を用いることができる。なお、絶縁層12は、上述した熱硬化性樹脂を含む絶縁塗料を導体11の外周に塗布して焼き付けることで形成される。また、絶縁層12の厚さは、コイルに要求される電気特性に応じて適宜変更するとよい。絶縁層12は、イミド基濃度を低くして(例えば、イミド基濃度が36%未満)、部分放電開始電圧の高い(例えば、ピーク電圧が1000Vp以上である)ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂またはエステルイミド樹脂で構成されていてもよい。また、絶縁層12は、低誘電率化のために、気孔を有していてもよい。また、絶縁層12は、シリカやアルミナなどの無機微粒子を含み、部分放電に対する耐性(耐部分放電性)を高くした樹脂で構成されていてもよい。さらに、絶縁層12を構成する樹脂は、上述した熱可塑性樹脂とPEEK(ポリエーテルエーテルケトン)樹脂、PPS(ポリフェニレンサルファイド)樹脂などの熱可塑性樹脂とからなる樹脂で構成されていてもよい。
(絶縁電線の製造方法)
続いて、上述した絶縁電線1の製造方法について説明する。
まず、半軟化温度比TB/TAが1.0未満となる導体11を作製する。
具体的には、Cu原料およびTi原料、必要に応じて、その他の金属原料を混合し、加熱により溶融させることで、溶湯を調製する。このとき、溶湯の化学組成において、Ti濃度が4〜55mass ppm、S濃度が2〜12mass ppm、O濃度が2〜30mass ppm、残部がCuと不可避不純物からなり、O濃度に対するTi濃度の比率が2.0〜4.0となるように、各原料を選択し混合する。
Tiを添加する理由は、溶湯中でTiとSやOとを反応させるためである。Tiは、SやOと反応することで、析出物として、TiSやTi−α(αは不可避不純物)などのTi化合物を形成する。Ti−αとしては、例えばTiO、TiO2、TiS、Ti−O−S粒子などがある。析出物の形成により、母相(Cu)に含まれるOやSを低減して純度を高めることができる。また、Ti濃度をO濃度に対して2.0〜4.0とする理由は、Oに対してTiを過剰量添加することでTiとOとを十分に反応させるとともに、Tiを固溶させて、後述の熱間圧延工程でSとの析出を促進させるためである。
なお、溶湯は、例えば一酸化炭素などの還元性ガス雰囲気下に置いて、外部からのOの混入を抑制するとよい。これにより、O濃度を所定範囲に制御しやすくなる。
続いて、溶湯を鋳造して鋳造材を形成する。鋳造材においては、TiとSやOとが析出物を形成する一方、反応しきれなかったTiやSが母相中に固溶している。
続いて、鋳造材に熱間圧延加工を施し、さらに熱間圧延加工によって得られる圧延材の表面を酸化還元反応させて清浄化する処理を行うことによって、荒引き線を形成する。例えば、熱間圧延加工は、複数個の圧延ロールを有する圧延機を用いて鋳造材を複数回にわたって熱間圧延することにより、鋳造材の断面積を段階的に減面するとよい。熱間圧延するときの温度(熱間圧延温度)は、複数個の圧延ロールにおいて、上流側の圧延ロールから下流側の圧延ロールにかけて段階的に下げるとよい。例えば、熱間圧延加工は、上流側の粗圧延加工と下流側の仕上圧延加工で構成され、500℃〜880℃の範囲で熱間圧延温度を徐々に低くして複数回にわたって段階的に圧延加工を施すとよい。本実施形態では、このようにして鋳造材を熱間圧延加工することによって圧延材が得られる。特に、本実施形態では、段階的に熱間圧延加工を施す上述の鋳造材に対して、最終の圧延ロールにおける熱間圧延温度が500℃〜550℃の範囲である熱間圧延加工を施すことが好ましい。また、本実施形態では、複数個の圧延ロールにて熱間圧延加工を行う場合において、最初(1番目)の圧延ロールでの熱間圧延加工から最終の圧延ロールでの熱間圧延加工までにかかる時間(熱間圧延時間)を10秒以上とすることが好ましい。このような条件で熱間圧延加工を行うことで、溶湯中で反応しきれずにCu相に固溶するTiおよびSを反応により析出させることができる。この結果、得られる荒引き線における母相の純度をさらに向上させて、荒引き線を加工して得られる導体11の回復温度TBを130℃以下することができるとともに、導体11の半軟化温度比TB/TAを1.0未満に調整することができる。なお、鋳造材において、Ti、SおよびOを上記組成とするとともに、O濃度に対してTi濃度が所定の比率となるように調整することで、鋳造材の伸び性を高めることができるため、熱間圧延温度を低くして圧延加工を施すことができる。なお、荒引き線の外径としては、特に限定されないが、例えば6mm〜20mmとするとよい。
続いて、荒引き線に例えば冷間伸線加工などの加工および熱処理を施すことにより、断面が矩形状の線材からなる導体11を形成する。導体11は、例えば厚さは0.5mm〜1.0mm、幅は5mm〜25mmとするとよい。
次に、導体11の外周に、例えば上述した熱硬化性樹脂を含む絶縁塗料を塗布し焼付ける(熱硬化性樹脂を硬化させる)ことにより絶縁層12を形成する。例えば、絶縁塗料の塗布・焼付を絶縁層12が所望の厚さとなるまで繰り返すとよい。なお、絶縁塗料を焼付ける場合には、例えば、絶縁塗料を塗布した導体11に対して近赤外線を照射することによって絶縁塗料中に含まれる溶媒のみを蒸発させた後、絶縁塗料中に含まれる熱硬化性樹脂を硬化させることにより、絶縁層12を形成することでもよい。
以上により、本実施形態の絶縁電線1、すなわち、銅材料から形成される導体11の外周に設けられる絶縁層12と、を備え、導体11の回復温度TBが130℃以下である絶縁電線(エナメル線)1が得られる。
(コイルおよびその製造方法)
次に、上述の絶縁電線1を用いたコイルおよびその製造方法について説明する。
まず、上述の絶縁電線1を巻回してコイル状に加工する。例えば、絶縁電線1を幅方向(図1では紙面左右方向)に曲げてエッジワイズに曲げ加工することで、絶縁電線1をコイル状に加工する。コイル状に加工した複数の絶縁電線1の夫々を接続することによってコイルを形成する。絶縁電線1がコイル状に加工されたとき、絶縁電線1の導体11には加工歪が蓄積し、導体11の導電率が低下することになる。なお、絶縁電線1は、上述したような巻回してコイル状に加工される以外に、上述の絶縁電線1が任意の長さに切断され、切断後の短尺の絶縁電線1に曲げや捩りなどの加工が施されてセグメントコイルに成形されることにより、コイル状に加工されることでもよい。この場合では、複数のセグメントコイルの端末部同士がTIG溶接などによって接続されることによってコイルが形成される。
続いて、導体11の導電率を回復させるとともに導体11に蓄積する加工歪を緩和させるために、コイル状に加工した絶縁電線1を加熱する。本実施形態では、導体11の回復温度TBが130℃以下であり、また、半軟化温度比TB/TAが1.0未満であるため、絶縁電線1を半軟化温度TAよりも低い温度でかつ短い加熱時間で加熱することで、導電率を回復させつつ、加工歪を緩和させることができる。なお、絶縁電線1の加熱時間は、加熱後の導電率を、加工前の導電率に対して0.5%IACS以内の範囲となるように回復させればよく、適宜設定するとよい。例えば、加熱時間を0.5時間(30分)以上1時間(60分)以下とするとよい。なお、コイル状に加工した絶縁電線1の加熱は、コイル状に加工した複数の絶縁電線1を接続する前でも接続した後でもよい。例えば、コイル状に加工された絶縁電線1の加熱は、コイル状に加工した複数の絶縁電線1の各々を接続してコイルを形成した後に、コイルの表面に施すワニス処理の際の熱を利用して行うことができる。
以上により、本実施形態のコイルが得られる。
なお、本実施形態では、絶縁電線1として矩形状の導体11を有する平角線の場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、導体11が丸型であって丸線形状の絶縁電線1とすることもできる。また、絶縁電線1の加工は、コイル加工に限定されず、曲げ加工、ねじり加工、つぶし加工など他の加工であってもよい。他の加工を施した場合であっても、絶縁電線1を回復温度TBで加熱することにより導電率を回復させることができる。
<本実施形態にかかる効果>
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果を奏する。
本実施形態の絶縁電線1は、回復温度TBが130℃以下であり、また、半軟化温度比TB/TAが1.0未満である導体11を備えて構成されている。このような導体11によれば、回復温度TBが半軟化温度TAより低いので、絶縁電線1をコイル状に加工した後に半軟化温度TAよりも低い回復温度TBで加熱することにより、コイルに加工したときに低下した導電率をコイルに加工する前の導電率まで回復させることができる。つまり、半軟化温度TAまで加熱する必要がなく、低温度の加熱により導電率を回復させることができる。
また、導体11の半軟化温度TAが125℃〜138℃、導体11の回復温度TBが75℃〜124℃であることが好ましい。このような導体11によれば、絶縁電線1を加熱する温度をより低くすることができる。そのため、絶縁層を形成する樹脂の種類が耐熱性の高い樹脂に制限されてしまうことを防止し、絶縁層に適用される樹脂の選択の幅を広げることができる。しかも、導体11では、回復温度TBを低くしつつも、導電率の回復までの時間を短縮することができる。そのため、コイル状に加工した後に導体11の導電率を回復させるための熱を絶縁電線1に加えた際、絶縁層12が加熱によって劣化しにくい。
導体11を形成する銅材料は、Ti濃度が4〜55mass ppm、S濃度が2〜12mass ppm、O濃度が2〜30mass ppm、残部がCuと不可避不純物からなり、O濃度に対するTi濃度の比率が2.0〜4.0である化学組成を有することが好ましい。このような銅材料では、TiとSやOとの析出によりCuの純度を高めることができるので、回復温度TBを半軟化温度TAよりも低くして、半軟化温度比TB/TAを1.0未満とすることができる。
また、導体11を形成する銅材料は、析出物としてTi化合物を含み、Ti化合物の粒子径が20nm〜300nmであることが好ましい。粒子径の小さなTi化合物は導体11中に微細に分散することで、導体11を加熱したときに、導体11を構成する金属結晶組織を微細に維持することができる。これにより、導体11の伸び率を高くすることができる。
また、本実施形態では、鋳造材に複数回の熱間圧延加工を施して荒引き線を製造するときに、最終の圧延ロールで熱間圧延加工を行うときの温度を500℃〜550℃とすることが好ましい。また、複数個の圧延ロールにて熱間圧延加工を行う場合において、最初(1番目)の圧延ロールでの熱間圧延加工から最終の圧延ロールでの熱間圧延加工までにかかる時間(熱間圧延時間)を10秒以上とすることが好ましい。このような条件で熱間圧延を行うことにより、鋳造材においてCu相に固溶するTiおよびSをさらに析出させることができ、導体11におけるCuの純度を向上させて、導体11の回復温度TBを130℃以下にし、また、導体11の半軟化温度比を1.0未満に調整させることができる。
本実施形態のコイルは、回復温度TBが130℃以下であり、また、半軟化温度比TB/TAが1.0未満である導体11を備える絶縁電線1をコイル状に加工して形成され、絶縁層12がポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂およびポリエステルイミド樹脂の少なくとも1つの熱硬化性樹脂から形成されている。導体11の半軟化温度比TB/TAが1.0未満であって、絶縁電線1を加熱する温度を130℃以下とし、半軟化温度TA未満の範囲に低くできるため、例えばポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂およびポリエステルイミド樹脂などの熱硬化性樹脂を絶縁層12に対して使用することができる。すなわち、本実施形態では、コイル用の絶縁電線として適用される樹脂を選択するときに、耐熱性の高い樹脂だけではなく耐熱性の低い樹脂も選択することが可能となる。しかも、絶縁電線1を加熱することにより、導体11の導電率を、加工前の導電率と同程度の水準にまで回復させることで、コイルにおいて高い電気特性を維持することができる。
次に、本発明について実施例に基づき、さらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。本実施例では、導体を作製して、導体の半軟化温度と回復温度をそれぞれ測定した。
(実施例1)
まず、銅材料から形成される導体を作製した。具体的には、所定のCu原料およびTi原料を準備し、これらを混合して加熱により溶融させることで、表1に示すように、Ti濃度が24mass ppm、S濃度が4mass ppm、O濃度が12mass ppm、残部がCuと不可避不純物からなり、O濃度に対するTi濃度の比率が2.0となるような化学組成を有する溶湯を調製した。続いて、溶湯を鋳造して鋳造材を形成し、鋳造材に熱間圧延加工を施し、さらに熱間圧延加工後の圧延材の表面を酸化還元反応させて清浄化する処理を行うことで、外径が8mmの荒引き線を形成した。熱間圧延加工では、1番目の圧延ロールでの温度を850℃、最終の圧延ロールでの温度を500℃、1番目の圧延ロールでの熱間圧延加工から最終の圧延ロールでの熱間圧延加工までにかかる時間(熱間圧延時間)を15秒とした。次に、荒引き線に冷間伸線加工と冷間圧延加工、必要に応じて熱処理を施すことで、幅が6.5mm、厚さが0.8mmの平角状の導体を作製した。なお、導体の断面を電子顕微鏡で観察したところ、析出物としてのTi化合物が微細に分散しており、Ti化合物の粒子径が100nm程度であることが観察された。
続いて、導体の外周に、ポリイミド樹脂を含む絶縁塗料を塗布し焼付けることにより絶縁層を形成し、実施例1の絶縁電線を作製した。
Figure 0006516117
(実施例2〜5、比較例1〜5)
実施例2〜5、比較例1〜4では、銅材料の組成や圧延加工の条件を表1に示すように適宜変更した以外は、実施例1と同様に絶縁電線を作製した。比較例5では、鋳造材の製法を熱間圧延加工から熱間押出に変更した以外は、実施例1と同様に絶縁電線を作製した。なお、比較例5では、熱間圧延加工を行っていないため、圧延条件を表1には記載していない。
(評価)
各絶縁電線について導体の半軟化温度TAおよび回復温度TBを以下の方法により測定した。
半軟化温度TAは、熱間圧延した荒引き線φ8mmを冷問加工してφ2.6mm硬銅線を作製し、100〜400℃のソルトバス中で1時間の熱処理を行ない常温で引張強さを測定し、熱処理前の硬銅線の引張強さと400℃で完全焼鈍した引張強さの1/2(半分)まで引張強さが低下する熱処理温度を半軟化温度TAとした。
回復温度TBは、以下のように求めた。まず、絶縁電線に対して30%伸長加工を施す前後で導体の導電率を測定する。このとき、30%伸長による加工ひずみが付加されて導電率は低下する。この30%伸長加工した絶縁電線に対して1時間の加熱処理を行い、加熱後の導体の導電率を、伸長加工前の導体の導電率に対する変化量が0.5%IACS以内となるまで回復させるのに必要な温度を回復温度TBとして求めた。
(評価結果)
実施例1の絶縁電線について半軟化温度TAおよび回復温度TBを測定したところ、半軟化温度TAが125℃、回復温度TBが88℃であって、半軟化温度比TB/TAが0.70で1.0未満であることが確認された。つまり、実施例1の絶縁電線は、回復温度TBが130℃以下であり、半軟化温度TAよりも低い温度での加熱によって導体の導電率を加工前の水準まで回復できることが確認された。また、実施例2〜5は、実施例1と同様に、半軟化温度TAよりも低い130℃以下の温度での加熱により導電率を回復できることが確認された。
また、実施例1と実施例2、もしくは実施例4と実施例5を比較すると、最終の熱間圧延温度を低くするほど、半軟化温度TA、回復温度TBを低くして、半軟化温度比TB/TAを小さくできることが確認された。また、実施例1と実施例4、もしくは実施例2と実施例5を比較すると、熱間圧延時間を長くするほど、半軟化温度TA、回復温度TBを低くして、半軟化温度比TB/TAを小さくできることが確認された。これは、熱間圧延において、比較的低い温度で長く圧延することで、荒引き線に固溶していたTiおよびSを析出させることができ、母相の純度をより高めることができたためと推測される。
一方、比較例1,2の絶縁電線では、回復温度TBが130℃よりも高く、半軟化温度TAよりも高く、半軟化温度比TB/TAが1.0以上となることが確認された。つまり、比較例1,2の絶縁電線は、加工後に導電率を回復させるのに、半軟化温度TAよりも高い温度(130℃よりも高い温度)で加熱する必要があることが確認された。これは、導体において、O濃度に対するTi濃度の比率が2未満であり、TiによりSを十分に析出できず、母相の純度を低くできなかったためと推測される。
また、比較例3の絶縁電線では、実施例1と同様の化学組成としたが、熱間圧延時間を7秒と短くしたため、TiおよびSの析出が十分に進まず、回復温度TBが196℃となり、半軟化温度比TB/TAが1以上となることが確認された。
また、比較例4,5の絶縁電線では、比較例1〜3よりも半軟化温度TAおよび回復温度TBが高くなり、半軟化温度比TB/TAが1以上となることが確認された。これは、導体にTiを添加しないことで、Sの析出が進まずに、母相の純度が高くならなかったためと考えられる。
以上により、回復温度TBが130℃以下であり、また、半軟化温度比TB/TAが1未満である導体を絶縁電線に使用することで、絶縁電線をコイル状に加工したときに低下する導体の導電率を低温度で回復できることが分かった。
<本発明の好ましい態様>
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
[付記1]
本発明の一態様によれば、
銅材料から形成される導体と前記導体の外周に設けられる絶縁層と、を備え、
前記導体は、前記導体がコイル状に加工されたときの導電率を加工前の導電率に回復させるための回復温度TBが130℃以下である、
絶縁電線が提供される。
[付記2]
付記1の絶縁電線において、好ましくは、
前記導体は、前記回復温度TBが前記導体の半軟化温度TAよりも低い。
[付記3]
付記2の絶縁電線において、好ましくは、
前記導体は、前記半軟化温度TAに対する前記回復温度TBの比である半軟化温度比TB/TAが1.0未満である。
[付記4]
付記2又は3の絶縁電線において、好ましくは、
前記導体の前記半軟化温度TAが125℃以上138℃以下である。
[付記5]
付記1〜3のいずれか1つの絶縁電線において、好ましくは、
前記導体の前記回復温度TBが75℃以上124℃以下である。
[付記6]
付記1〜5のいずれか1つの絶縁電線において、好ましくは、
前記銅材料は、チタン濃度が4mass ppm以上55mass ppm以下、硫黄濃度が2mass ppm以上12mass ppm以下、酸素濃度が2mass ppm以上30mass ppm以下、残部が銅と不可避不純物からなり、前記酸素濃度に対する前記チタン濃度の比率が2.0以上4.0以下である化学組成を有する。
[付記7]
付記1〜6のいずれか1つの絶縁電線において、好ましくは、
前記導体を形成する前記銅材料は、Ti化合物を含み、Ti化合物の粒子径が20nm〜300nmである。
[付記8]
付記1〜7のいずれか1つの絶縁電線において、好ましくは、
前記絶縁層が、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂およびポリエステルイミド樹脂の少なくとも1つの熱硬化性樹脂から形成されている。
[付記9]
本発明の他の態様によれば、
銅材料から形成される導体と前記導体の外周に設けられる絶縁層とを備える絶縁電線をコイル状に加工して形成され、
前記導体がコイル状に加工されたときの導電率を加工前の導電率に回復させるための回復温度TBが130℃以下である、
コイルが提供される。
[付記10]
本発明のさらに他の態様によれば、
銅材料から形成される導体と前記導体の外周に設けられる絶縁層とを備える絶縁電線をコイル状に加工する加工工程と、
前記コイル状に加工した前記絶縁電線を加熱することで導電率を回復させる加熱工程と、を有し、
前記加熱工程では、前記導体に前記加工が施されたときの導電率を130℃以下の回復温度TBで加熱することによって加工前の導電率に回復させる、
コイルの製造方法が提供される。
[付記11]
付記10のコイルの製造方法において、好ましくは、
前記銅材料は、チタン濃度が4mass ppm以上55mass ppm以下、硫黄濃度が2mass ppm以上12mass ppm以下、酸素濃度が2mass ppm以上30mass ppm以下、残部が銅と不可避不純物からなり、前記酸素濃度に対する前記チタン濃度の比率が2.0以上4.0以下である化学組成を有する。
1 絶縁電線
11 導体
12 絶縁層

Claims (6)

  1. チタン濃度が4mass ppm以上55mass ppm以下、硫黄濃度が2mass ppm以上12mass ppm以下、酸素濃度が2mass ppm以上30mass ppm以下、残部が銅と不可避不純物からなり、前記酸素濃度に対する前記チタン濃度の比率が2.0以上4.0以下である化学組成を有し、熱間圧延するときの最終圧延ロールの熱間圧延温度が500℃〜550℃で熱間圧延時間が10秒以上である熱間圧延加工が施されてなる荒引き線から形成される導体と前記導体の外周に設けられる絶縁層と、を備え、
    前記導体は、前記導体がコイル状に加工されたときの導電率を加工前の導電率に回復させるための回復温度TBが130℃以下で前記導体の半軟化温度TAよりも低い、
    絶縁電線。
  2. 前記導体は、前記半軟化温度TAに対する前記回復温度TBの比である半軟化温度比TB/TAが1.0未満である、
    請求項に記載の絶縁電線。
  3. 前記導体の前記半軟化温度TAが125℃以上138℃以下である、
    請求項1又は2に記載の絶縁電線。
  4. 前記導体の前記回復温度TBが75℃以上124℃以下である、
    請求項1〜3のいずれか1項に記載の絶縁電線。
  5. 前記絶縁層が、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂およびポリエステルイミド樹脂の少なくとも1つの熱硬化性樹脂から形成されている、
    請求項1〜のいずれか1項に記載の絶縁電線。
  6. チタン濃度が4mass ppm以上55mass ppm以下、硫黄濃度が2mass ppm以上12mass ppm以下、酸素濃度が2mass ppm以上30mass ppm以下、残部が銅と不可避不純物からなり、前記酸素濃度に対する前記チタン濃度の比率が2.0以上4.0以下である化学組成を有し、熱間圧延するときの最終圧延ロールの熱間圧延温度が500℃〜550℃で熱間圧延時間が10秒以上である熱間圧延加工が施されてなる荒引き線から形成される導体と前記導体の外周に設けられる絶縁層とを備える絶縁電線をコイル状に加工して形成され、
    前記導体がコイル状に加工されたときの導電率を加工前の導電率に回復させるための回復温度TBが130℃以下で前記導体の半軟化温度TAよりも低い、
    コイル。
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