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JP6578759B2 - Break device - Google Patents

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JP6578759B2 JP2015129600A JP2015129600A JP6578759B2 JP 6578759 B2 JP6578759 B2 JP 6578759B2 JP 2015129600 A JP2015129600 A JP 2015129600A JP 2015129600 A JP2015129600 A JP 2015129600A JP 6578759 B2 JP6578759 B2 JP 6578759B2
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Description

本発明は、ガラス、シリコン、セラミック等の脆性材料からなる半導体基板のブレイク装置に関する。特に本発明は、半導体基板を、その表面に加工されたスクライブラインに沿って分断してチップ等の単位製品を切り出すブレイク装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor substrate breaker made of a brittle material such as glass, silicon, or ceramic. In particular, the present invention relates to a breaking device that cuts a semiconductor substrate along a scribe line processed on the surface thereof to cut out a unit product such as a chip.

一般に、マザー基板となる半導体基板からチップを切り出す工程では、まず、半導体基板の表面にカッターホイールやレーザをスクライブ予定ラインに沿ってスクライブすることにより、互いに直交するX方向並びにY方向のスクライブライン(亀裂)を形成する。その後、ブレイク装置でスクライブラインの反対側の面からブレイクバーを押し付けて基板を撓ませることにより、半導体基板を四角形のチップに分断する(特許文献1並びに特許文献2参照)。   In general, in the step of cutting a chip from a semiconductor substrate to be a mother substrate, first, a cutter wheel or a laser is scribed along a planned scribe line on the surface of the semiconductor substrate to thereby scribe lines in the X and Y directions perpendicular to each other ( Cracks). Then, the semiconductor substrate is divided into square chips by pressing the break bar from the opposite surface of the scribe line with a break device to bend the substrate (see Patent Document 1 and Patent Document 2).

ブレイク装置で分断される半導体基板は、多くの場合、図1(a)に示すように、円形のダイシングフレーム1に貼設された樹脂製のダイシングテープ2に保持されている。半導体基板Wの上面又は裏面には、先行するスクライブ工程において互いに直交するスクライブラインSが加工されている。また、図1(b)は、スクライブラインSが半導体基板Wの上面に設けられている場合であって、半導体基板Wの上面側に保護フィルム3が貼り付けられている。また、図1(c)はスクライブラインSが半導体基板Wの下面に設けられている場合であって、半導体基板Wの上面側に保護フィルム3が貼り付けられるようにしている。   In many cases, the semiconductor substrate cut by the breaker is held by a resin dicing tape 2 attached to a circular dicing frame 1 as shown in FIG. On the upper surface or back surface of the semiconductor substrate W, scribe lines S that are orthogonal to each other are processed in the preceding scribe process. FIG. 1B shows a case where the scribe line S is provided on the upper surface of the semiconductor substrate W, and the protective film 3 is attached to the upper surface side of the semiconductor substrate W. FIG. 1C shows a case where the scribe line S is provided on the lower surface of the semiconductor substrate W, and the protective film 3 is attached to the upper surface side of the semiconductor substrate W.

ブレイクに際し、図1(b)の半導体基板Wは、図7に示すように、スクライブラインSを加工した面が下向きになるように反転させて、スクライブラインSがテーブル4の中間に設けた左右一対の受刃6、6の間に位置するようにしてテーブル4に載置される。
また、図1(c)の半導体基板Wは、図8に示すように、そのままの姿勢でスクライブラインSが左右の受刃6、6の間に位置するようにしてテーブル4に配置される。
この後、上方からブレイクバー7’をスクライブラインSに向かって押し下げることにより、基板Wを受刃6、6の間で三点曲げにより撓ませて、スクライブラインSのクラックを基板厚み方向に浸透させて分断する。上記した保護フィルム3は、分断時に半導体基板Wが直接ブレイクバー7’や受刃6に接触して傷付くことを防ぐためのものである。
At the time of the break, the semiconductor substrate W of FIG. 1B is reversed so that the processed surface of the scribe line S faces downward, as shown in FIG. It is placed on the table 4 so as to be positioned between the pair of receiving blades 6 and 6.
Further, as shown in FIG. 8, the semiconductor substrate W of FIG. 1C is arranged on the table 4 so that the scribe line S is positioned between the left and right receiving blades 6 and 6 in the same posture.
Thereafter, the break bar 7 ′ is pushed downward from the upper side toward the scribe line S to bend the substrate W by the three-point bending between the receiving blades 6, 6 and penetrate the cracks in the scribe line S in the thickness direction of the substrate. Let me divide. The protective film 3 described above is for preventing the semiconductor substrate W from coming into direct contact with the break bar 7 ′ or the receiving blade 6 when being cut.

特開2015−70135号公報JP-A-2015-70135 特開2004−39931号公報JP 2004-39931 A

ブレイクバーによる分断では、基板に対する押し込み量が大きいと、基板の撓みが大きくなって分断端縁同士が接触するなどして分断端面に欠けが生じたり、保護フィルムが破れて基板表面を傷付けたりすることがある。また逆に押し込み量が少ないと、基板の撓み不足により分断されない部分が発生する等の不都合が生じるため、ブレイクバーの適正な押し込み量を確保する必要がある。
しかし、上記押し込み量の適正レンジは狭く、例えば、厚さ1mmの半導体基板Wでは200〜300μmであり、しかも当該数値が微細であるため調整に手間を要する。また、半導体基板Wやダイシングテープ2、保護フィルム3の厚みが、規定の厚みに対してばらついている場合、ブレイクバー7’の押し込み開始位置がダイシングテープ2や保護フィルム3の表面に接触した位置と異なることにより、半導体基板Wに対する押し込み量が不必要に増減し、きれいに分断することができない。
When cutting with a break bar, if the amount of pushing into the board is large, the board will bend and the cutting edges will come into contact with each other, leading to chipping on the cutting edges, or the protective film may be broken and scratch the board surface. There are things to do. On the other hand, if the pushing amount is small, inconveniences such as occurrence of a part that is not divided due to insufficient bending of the substrate occur, and therefore it is necessary to ensure an appropriate pushing amount of the break bar.
However, the appropriate range of the push-in amount is narrow, for example, 200 to 300 μm in a semiconductor substrate W having a thickness of 1 mm, and the numerical value is fine, and adjustment is required. In addition, when the thickness of the semiconductor substrate W, the dicing tape 2 and the protective film 3 varies with respect to the specified thickness, the position where the pushing start position of the break bar 7 ′ is in contact with the surface of the dicing tape 2 or the protective film 3 Therefore, the amount of pushing into the semiconductor substrate W increases and decreases unnecessarily, and it cannot be divided cleanly.

そこで本発明は、上記の従来課題に鑑み、半導体基板や保護フィルム、ダイシングテープの厚みのバラツキに影響されることなく、適正なブレイクバーの押し込み量を維持することができるブレイク装置を提供することを目的とする。   Therefore, in view of the above-described conventional problems, the present invention provides a break device that can maintain an appropriate push amount of a break bar without being affected by variations in the thickness of a semiconductor substrate, a protective film, and a dicing tape. With the goal.

上記目的を達成するために本発明では次のような技術的手段を講じた。すなわち本発明は、表面にスクライブラインが形成された半導体基板の何れか一方の面が保護フィルムで被覆され、反対側の面がダイシングテープに貼り付けられた半導体基板をブレイクバーで押し付けて撓ませることにより、前記半導体基板を前記スクライブラインに沿って分断するブレイク装置であって、前記半導体基板を保護フィルム及びダイシングテープと共に載置するテーブルと、前記テーブル上に載置された前記半導体基板の上面側にある保護フィルム又はダイシングテープの表面高さを測定する光学系の変位計と、前記変位計によって得られた測定数値を分析処理して、その測定数値が前記ブレイクバーの押し込み開始位置に対してブレがある場合、そのブレ量だけ前記ブレイクバーの予め設定された規定押し込み量を加減して、当該ブレイクバーを昇降動作させるコンピュータの制御部とからなるブレイク装置を特徴とする。   In order to achieve the above object, the present invention takes the following technical means. That is, according to the present invention, any one surface of a semiconductor substrate having a scribe line formed on its surface is covered with a protective film, and the other surface is bonded to a dicing tape, and the semiconductor substrate is bent by pressing with a break bar. A breaker that divides the semiconductor substrate along the scribe line, a table on which the semiconductor substrate is placed together with a protective film and a dicing tape, and an upper surface of the semiconductor substrate placed on the table The optical displacement meter that measures the surface height of the protective film or dicing tape on the side, and the measured numerical value obtained by the displacement meter are analyzed, and the measured numerical value is relative to the indentation start position of the break bar. If there is blurring, adjust the preset push-in amount of the breakbar by the blurring amount. , And wherein the breaking apparatus comprising a control unit of a computer for vertical movement of the break bar.

上記発明において、前記変位計の測定基準値となるゼロ点を前記ブレイクバーの押し込み開始位置に設定し、測定により得られた前記ゼロ点からのブレ量を前記ブレイクバーの規定押し込み量に加減するのがよい。   In the above invention, the zero point that is the measurement reference value of the displacement meter is set as the push start position of the break bar, and the blur amount from the zero point obtained by measurement is adjusted to the prescribed push amount of the break bar. It is good.

本発明によれば、変位計によって得られた測定数値を分析処理し、その測定数値がブレイクバーの押し込み開始位置に対してブレがある場合、予め設定されたブレイクバーの規定押し込み量からそのブレ量だけ加減して、ブレイクバーを押し込むようにしたものであるから、半導体基板や保護フィルム、ダイシングテープの厚みにバラツキがあっても、これらに影響されることなく適正な押し込み量で半導体基板を分断することができる。これにより、ブレイクバーの過大な押し込みによる基板分断面の欠けや損傷、あるいは押し込み不足による未分断の発生をなくして確実かつ効率的に分断することができる。   According to the present invention, when the measured numerical value obtained by the displacement meter is analyzed, and the measured numerical value has blurring with respect to the break bar pushing start position, the blurring value is determined based on the preset prescribed pushing amount of the break bar. Since the break bar is pushed in by adjusting the amount, even if there are variations in the thickness of the semiconductor substrate, protective film, and dicing tape, the semiconductor substrate can be pushed in with an appropriate push amount without being affected by these. Can be divided. Thereby, it is possible to divide the substrate reliably and efficiently without the occurrence of chipping or damage in the cross section of the substrate due to excessive pressing of the break bar, or undivided due to insufficient pressing.

上記発明において、前記変位計が、上側にある保護フィルムを透過して前記半導体基板の表面を測定するのがよい。
これにより、半導体基板の上面と保護フィルムとの間にミクロレベルで不揃いな半田バンプ等の凸状の構造物が設けられている場合でも、これに影響されることなく適正な押し込み量で基板を分断することができる。
In the above invention, it is preferable that the displacement meter measures the surface of the semiconductor substrate through a protective film on the upper side.
As a result, even when convex structures such as solder bumps that are uneven at the micro level are provided between the upper surface of the semiconductor substrate and the protective film, the substrate can be inserted with an appropriate amount of pushing without being affected by this. Can be divided.

本発明における加工対象物となる半導体基板を示す斜視図と断面図。The perspective view and sectional drawing which show the semiconductor substrate used as the process target object in this invention. 本発明に係るブレイク装置のブレイク機構部分を示す概略的断面図。The schematic sectional drawing which shows the break mechanism part of the break apparatus which concerns on this invention. 本発明での変位計のゼロ点とブレイクバーの押し込み開始位置の設定方法を示す説明図。Explanatory drawing which shows the setting method of the zero point of the displacement meter in this invention, and the pushing start position of a break bar. 本発明のブレイク装置におけるコンピュータを示すブロック図。The block diagram which shows the computer in the break apparatus of this invention. 別の半導体基板をブレイクする際の説明図。Explanatory drawing at the time of breaking another semiconductor substrate. さらに別の半導体基板をブレイクする際の説明図。Explanatory drawing at the time of breaking another semiconductor substrate. 従来のブレイク手段の一例を示す断面図。Sectional drawing which shows an example of the conventional break means. 従来のブレイク手段の他の一例を示す断面図。Sectional drawing which shows another example of the conventional break means.

以下、本発明の詳細を図に示した実施形態に基づき説明する。本実施例において加工対象とする半導体基板Wは、主としてイメージセンサ用半導体基板であって、その形態は先に述べた図1に示したものと同じである。以下においては、図1(c)の半導体基板Wのブレイクについて説明する。   Hereinafter, the details of the present invention will be described based on the embodiments shown in the drawings. The semiconductor substrate W to be processed in this embodiment is mainly an image sensor semiconductor substrate, and its form is the same as that shown in FIG. Below, the break of the semiconductor substrate W of FIG.1 (c) is demonstrated.

図2は本発明に係るブレイク装置Aのブレイク機構部分を示す説明図であって、半導体基板Wをダイシングフレーム1と共に載置するテーブル4を備えている。テーブル4の中間には空間5が設けられており、この空間5内に左右一対の受刃6、6が配置されている。受刃6、6の間に形成される空隙6aは図2の前後方向(X方向)に延びており、この空隙6aの中心ラインの上方に、X方向に延びる長尺板状のブレイクバー7が設けられている。   FIG. 2 is an explanatory view showing a breaking mechanism portion of the breaking device A according to the present invention, and includes a table 4 on which the semiconductor substrate W is placed together with the dicing frame 1. A space 5 is provided in the middle of the table 4, and a pair of left and right receiving blades 6, 6 are arranged in the space 5. The gap 6a formed between the receiving blades 6 and 6 extends in the front-rear direction (X direction) in FIG. 2, and is a long plate-like break bar 7 extending in the X direction above the center line of the gap 6a. Is provided.

ブレイクバー7はモータを駆動源とするガイド等の昇降機構(図示外)を内蔵する保持部材8により装置のフレーム9に保持され、受刃6に向かって昇降できるように形成されており、このブレイクバー7と受刃6とがセットとなってブレイク機構を構成する。そして、このブレイク機構と半導体基板Wを載置したテーブル4とが相対的に移動することによって、半導体基板Wに設けられた複数のスクライブラインSをブレイク機構により順次分断することができるように形成されている。本実施例では、ブレイクバー7と受刃6とからなるブレイク機構を定置し、テーブル4がY方向に移動するように形成されている。なお、当然のことながら、テーブル4を定置しておいて、ブレイク機構をY方向に移動するようにしてもよい。   The break bar 7 is held by the frame 9 of the apparatus by a holding member 8 incorporating a lifting mechanism (not shown) such as a guide using a motor as a drive source, and is formed so as to be lifted and lowered toward the receiving blade 6. The break bar 7 and the receiving blade 6 together constitute a break mechanism. The break mechanism and the table 4 on which the semiconductor substrate W is placed are moved relative to each other so that a plurality of scribe lines S provided on the semiconductor substrate W can be sequentially separated by the break mechanism. Has been. In the present embodiment, a break mechanism composed of a break bar 7 and a receiving blade 6 is fixed so that the table 4 moves in the Y direction. As a matter of course, the table 4 may be stationary and the break mechanism may be moved in the Y direction.

さらに、テーブル4の上方には、分断すべき半導体基板Wの保護フィルム3の表面高さを計測する非接触の変位計10が設置されている。この変位計10としては、反射光を利用した光学系の変位計が用いられる。   Further, a non-contact displacement meter 10 for measuring the surface height of the protective film 3 of the semiconductor substrate W to be divided is installed above the table 4. As the displacement meter 10, an optical displacement meter using reflected light is used.

また、変位計10によって計測された数値データを解析処理し、その結果に基づいてブレイクバー7の規定押し込み量を加減する制御部11がブレイク装置Aに付設されたコンピュータCに設けられている。
コンピュータCは、図4のブロック図に示すように、上記した制御部11に加え、入力部12と、表示部13を備えている。制御部11は、CPU、RAM、ROM等のコンピュータハードウエアにより構成され、上記した変位計10による測定データの解析処理の他に、テーブル4の移動やブレイクバー7によるブレイク動作等、各部機構の動作全般の制御を行う。入力部12は、オペレータがブレイク装置Aに対してブレイクバー7の規定押し込み量の設定や種々のデータ及び操作指示等を入力するためのものであり、表示部13は処理メニューや動作状況を表示するためのものである。
A computer 11 attached to the breaker A is provided with a control unit 11 that analyzes the numerical data measured by the displacement meter 10 and adjusts the prescribed push-in amount of the break bar 7 based on the analysis result.
As shown in the block diagram of FIG. 4, the computer C includes an input unit 12 and a display unit 13 in addition to the control unit 11 described above. The control unit 11 is configured by computer hardware such as a CPU, a RAM, and a ROM, and in addition to the analysis processing of the measurement data by the displacement meter 10 described above, the movement of the table 4 and the break operation by the break bar 7, etc. Controls overall operations. The input unit 12 is used by the operator to input the setting of the specified pushing amount of the break bar 7 and various data and operation instructions to the break device A, and the display unit 13 displays a processing menu and an operation state. Is to do.

次に、本発明に係るブレイク装置の動作について説明する。
まず、図2に示すように半導体基板Wをダイシングフレーム1と共にテーブル4上へ載置する。この際、半導体基板WのスクライブラインSの何れかが受刃6、6間の中心にくるようにする。そしてブレイクバー7を降下させて基板表面を押し込み、半導体基板Wを撓ませることによりスクライブラインSを分断する。
Next, the operation of the break device according to the present invention will be described.
First, as shown in FIG. 2, the semiconductor substrate W is placed on the table 4 together with the dicing frame 1. At this time, any one of the scribe lines S of the semiconductor substrate W is set at the center between the receiving blades 6 and 6. Then, the scribe line S is divided by lowering the break bar 7 to push the substrate surface and bending the semiconductor substrate W.

ブレイクバー7が半導体基板W表面の保護フィルム3に接触して半導体基板Wへの押し込みを開始してから、半導体基板Wが撓んでスクライブラインSが分断されるまでのブレイクバー7の規定押し込み量は、予めコンピュータCに入力されている。例えば、半導体基板Wの厚みが1mm、保護フィルム3の厚みが0.03mm、ダイシングテープ2の厚みが0.1mmの場合には、250μmが規定押し込み量として設定されている。しかし、半導体基板Wやダイシングテープ2、保護フィルム3の厚みは製品ロット毎に変化することがあり、厚みが変化すると最適な押し込み量を得ることができない。
本発明では、半導体基板Wをテーブル4に載置して分断する前に、変位計10で半導体基板Wに貼り付けた保護フィルム3の表面高さを測定し、その高さがブレイクバー7の押し込み開始位置(変位計のゼロ点)に対してブレ(差)があれば、コンピュータCの制御部11によってそのブレ量だけ規定押し込み量が加減される。これにより、常に最適の押し込み量でブレイクすることができる。
The specified push amount of the break bar 7 from when the break bar 7 contacts the protective film 3 on the surface of the semiconductor substrate W and starts to be pushed into the semiconductor substrate W until the semiconductor substrate W is bent and the scribe line S is divided. Is previously input to the computer C. For example, when the thickness of the semiconductor substrate W is 1 mm, the thickness of the protective film 3 is 0.03 mm, and the thickness of the dicing tape 2 is 0.1 mm, 250 μm is set as the specified pushing amount. However, the thickness of the semiconductor substrate W, the dicing tape 2 and the protective film 3 may vary from product lot to product lot, and if the thickness changes, an optimal push-in amount cannot be obtained.
In the present invention, before the semiconductor substrate W is placed on the table 4 and divided, the surface height of the protective film 3 attached to the semiconductor substrate W is measured by the displacement meter 10, and the height of the protective film 3 is determined by the break bar 7. If there is a shake (difference) with respect to the push start position (the zero point of the displacement meter), the control unit 11 of the computer C adjusts the specified push amount by the shake amount. As a result, the break can always be made with the optimum pushing amount.

ブレイクバー7の押し込み開始位置並びに変位計10のゼロ点は、例えば以下の方法によって設定することができる。
図3(a)に示すように、ブレイクバー7が保護フィルム3の表面に接触して押し込みが開始される位置と同じ高さとしたタッチセンサ14をテーブル4上に設置し、変位計10の光線をタッチセンサ14の頂面14aに照射して変位計10のゼロ点を設定する。次いで図3(b)に示すように、ブレイクバー7の先端をタッチセンサ14の頂面14aに接触させてブレイクバー7の押し込み開始位置を決める。つまり、ブレイクバー7の保護フィルム3表面での押し込み開始位置が変位計10のゼロ点となる。また、ブレイクバー7の実質的な昇降量は、上方に待機した位置から押し込み開始位置までの距離L1に規定押し込み量L2を加算した値となる。
The pushing start position of the break bar 7 and the zero point of the displacement meter 10 can be set by the following method, for example.
As shown in FIG. 3A, a touch sensor 14 having the same height as the position at which the break bar 7 comes into contact with the surface of the protective film 3 and starts to be pushed in is installed on the table 4, and the light beam of the displacement meter 10. Is applied to the top surface 14 a of the touch sensor 14 to set the zero point of the displacement meter 10. Next, as shown in FIG. 3B, the tip of the break bar 7 is brought into contact with the top surface 14 a of the touch sensor 14 to determine the push start position of the break bar 7. That is, the pushing start position of the break bar 7 on the surface of the protective film 3 becomes the zero point of the displacement meter 10. Further, the substantial lifting amount of the break bar 7 is a value obtained by adding the specified pushing amount L2 to the distance L1 from the position waiting upward to the pushing start position.

図5は、図1(b)で示した半導体基板Wを分断する場合であって、本実施例では、ダイシングフレーム1を反転させてスクライブラインS並びに保護フィルム3を下側にした状態で受刃6及びテーブル4に載置することになるため、ダイシングテープ2が上側になる。
したがって変位計10は、ダイシングテープ2の表面を計測することになり、変位計10のゼロ点並びにブレイクバー7の押し込み開始位置は、ダイシングテープ2の表面高さに設定される。
FIG. 5 shows a case where the semiconductor substrate W shown in FIG. 1B is divided. In this embodiment, the dicing frame 1 is inverted and the scribe line S and the protective film 3 are placed on the lower side. Since it is mounted on the blade 6 and the table 4, the dicing tape 2 is on the upper side.
Accordingly, the displacement meter 10 measures the surface of the dicing tape 2, and the zero point of the displacement meter 10 and the pushing start position of the break bar 7 are set to the surface height of the dicing tape 2.

図6はブレイク対象となる半導体基板の別の一例を示す。この半導体基板Wは、上面に半田バンプ等の凸状の構造物15が設けられており、その表面が保護フィルム3で被覆されている。半田バンプ等の構造物15はミクロレベルでは不揃いであり、その高さにバラツキがある。このバラツキは保護フィルム3の表面にも影響する。したがって、この場合は、保護フィルム3の表面で変位計10の計測を行うのでなく、保護フィルム3を透過させて半導体基板Wの表面で高さを計測する。これにより、変位計10のゼロ点並びにブレイクバー7の押し込み開始位置は、半導体基板Wの表面高さに設定される。また、保護フィルム3は変位計10の光線を透過する透明な材料で作製されることとなり、計測時に保護フィルム3の光屈折率が変位計の測定値に影響されるため、その屈折率を予め計算して測定値を補正する必要がある。
この場合も、先の実施例と同じように、計測により変位計10のゼロ点にブレがあれば、そのブレ量だけブレイクバー7の規定押し込み量を加減することによって、保護フィルム3の表面高さのバラツキに関係なく、最適の押し込み量を得ることができる。
FIG. 6 shows another example of a semiconductor substrate to be broken. The semiconductor substrate W is provided with a convex structure 15 such as a solder bump on the upper surface, and the surface thereof is covered with the protective film 3. The structures 15 such as solder bumps are uneven at the micro level, and the height varies. This variation also affects the surface of the protective film 3. Therefore, in this case, the displacement meter 10 is not measured on the surface of the protective film 3, but the height is measured on the surface of the semiconductor substrate W through the protective film 3. Thereby, the zero point of the displacement meter 10 and the pushing start position of the break bar 7 are set to the surface height of the semiconductor substrate W. Further, the protective film 3 is made of a transparent material that transmits the light beam of the displacement meter 10, and the optical refractive index of the protective film 3 is affected by the measured value of the displacement meter at the time of measurement. It is necessary to calculate and correct the measured value.
Also in this case, as in the previous embodiment, if there is a blur at the zero point of the displacement meter 10 by measurement, the surface height of the protective film 3 is increased or decreased by adjusting the specified pushing amount of the break bar 7 by the blur amount. Regardless of the variation in thickness, the optimum amount of pushing can be obtained.

以上、本発明の代表的な実施例について説明したが、本発明は必ずしも上記の実施形態に特定されるものでなく、その目的を達成し、請求の範囲を逸脱しない範囲内で適宜修正、変更することが可能である。   While typical examples of the present invention have been described above, the present invention is not necessarily limited to the above-described embodiments, and can be appropriately modified and changed within the scope of achieving the object and not departing from the scope of the claims. Is possible.

本発明は、一方の面に保護フィルムを備え、他方の面がダイシングテープに貼り付けられた半導体基板をブレイクバーで分断するブレイク装置に利用される。   INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is used in a breaking device that includes a protective film on one surface and divides a semiconductor substrate having the other surface attached to a dicing tape with a break bar.

A ブレイク装置
C コンピュータ
S スクライブライン
W 半導体基板
1 ダイシングフレーム
2 ダイシングテープ
3 保護フィルム
4 テーブル
6 受刃
7 ブレイクバー
10 変位計
11 制御部
A break device C computer S scribe line W semiconductor substrate 1 dicing frame 2 dicing tape 3 protective film 4 table 6 receiving blade 7 break bar 10 displacement meter 11 control unit

Claims (3)

表面にスクライブラインが形成された半導体基板の何れか一方の面が保護フィルムで被覆され、反対側の面がダイシングテープに貼り付けられた半導体基板をブレイクバーで押し付けて撓ませることにより、前記半導体基板を前記スクライブラインに沿って分断するブレイク装置であって、
前記半導体基板を保護フィルム及びダイシングテープと共に載置するテーブルと、
前記テーブル上に載置された前記半導体基板の上面側にある保護フィルム又はダイシングテープの表面高さを測定する光学系の変位計と、
前記変位計によって得られた測定数値を分析処理して、その測定数値が前記ブレイクバーの押し込み開始位置に対してブレがある場合、そのブレ量だけ前記ブレイクバーの予め設定された規定押し込み量を加減して、当該ブレイクバーを昇降動作させるコンピュータの制御部とからなるブレイク装置。
Any one surface of the semiconductor substrate having a scribe line formed on the surface thereof is covered with a protective film, and the semiconductor substrate having the opposite surface attached to the dicing tape is bent by pressing with a break bar. A breaking device for dividing a substrate along the scribe line,
A table for placing the semiconductor substrate together with a protective film and a dicing tape;
A displacement meter of an optical system for measuring a surface height of a protective film or a dicing tape on the upper surface side of the semiconductor substrate placed on the table;
When the measured numerical value obtained by the displacement meter is analyzed, and the measured numerical value is blurred with respect to the pushing start position of the break bar, the predetermined specified pushing amount of the break bar is set by the amount of the shaking. A break device comprising a control unit of a computer that adjusts and moves the break bar up and down.
前記変位計の測定基準値となるゼロ点を前記ブレイクバーの押し込み開始位置に設定し、測定により得られた前記ゼロ点からのブレ量を前記ブレイクバーの規定押し込み量に加減するようにした請求項1に記載のブレイク装置。   A zero point that is a measurement reference value of the displacement meter is set as a push start position of the break bar, and a blur amount from the zero point obtained by measurement is adjusted to a specified push amount of the break bar. Item 4. The break device according to Item 1. 前記変位計が、上側にある保護フィルムを透過して前記半導体基板の表面を測定するようにした請求項1又は請求項2に記載のブレイク装置。   The break device according to claim 1, wherein the displacement meter measures the surface of the semiconductor substrate through a protective film on the upper side.
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