JP6486410B2 - 基板処理システム及び基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板処理システム及び基板処理方法に関し、より詳細には、基板に対するマスク部材（mask member）の配置高さを調整して様々な構造の封止膜（encapsulation layer）を形成することのできる基板処理システム及び基板処理方法に関する。

ディスプレイ製造工程又は半導体製造工程における封止工程とは、大気中の酸素や水分から素子（element）の有機層及び電極を保護し、外部から加わる機械的、物理的衝撃から素子を保護するために封止膜を形成する工程を意味する。

特に、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）素子に用いられる有機材料は空気中の酸素や水分にさらされると寿命が急激に短縮されるので、有機材料の外部接触を防止するための封止膜が必ず必要である。

一般的に、封止膜は、封止基板とＴＦＴ基板間に有機物を充填する充填封止方式、レーザにより溶融したガラス原料（フリット（frit））を用いて接着するフリット封止方式、多層の有機・無機複合膜により素子を外部から保護するフィルム（film）封止方式などで形成することができる。

このうち、フィルム封止方式の封止膜は、異なる２種類以上の膜（例えば、有機膜及び無機膜）を交互に積層することにより形成することができる。

従来の封止膜の製造方式の１つとして、第１チャンバの内部で素子が形成された基板の上面に第１マスクを配置して第１マスクを用いた蒸着工程で素子を覆うように第１封止膜を形成し、その後、第２チャンバの内部で基板の上面に第１マスクとは異なる（例えば、第１マスクとは異なるサイズ又は開口部を有する）第２マスクを配置して第２マスクを用いた蒸着工程で第１封止膜を覆うように第２封止膜を形成し、その後、第３チャンバの内部で基板の上面に第２マスクとは異なる第３マスクを配置して第３マスクを用いた蒸着工程で第２封止膜を覆うように第３封止膜を形成することにより封止膜を形成する方式が提示されている。

しかし、従来は、第１〜第３封止膜からなる封止膜を形成するために、異なるサイズ及びレイヤ（layer）特性が考慮された異なる種類の第１〜第３マスクをそれぞれ製作して用いなければならないので、マスクの製作及びメンテナンスに多大なコストと時間がかかり、経済的でないという問題があった。

また、従来は、第１〜第３マスクを異なるチャンバの内部に配置するために、マスクをチャンバの内部に配置するための装置（例えば、マスク支持装置又は整列装置）もマスクの種類及び仕様に応じてそれぞれ製作しなければならないので、製造工程が複雑であり、生産面で効率的でなく、製造コストが上昇するという問題があった。

さらに、従来は、マスクが固定された状態で蒸着が行われるように構成されることにより、封止膜の構造（例えば、封止膜の蒸着面積（deposition area））を変更するためには、封止膜の構造に応じて異なるサイズ及びレイヤ特性が考慮された異なるマスクをそれぞれ個別に設けなければならないので、マスクの製作コストが上昇し、封止膜の構造及び製造工程が複雑になるという問題があった。

よって、近年、封止膜の構造及び製造工程を簡素化して工程の効率を向上させるための様々な検討がなされているが、未だ不十分であり、その開発が求められている。

本発明は、封止膜の構造及び製造工程を簡素化して工程の効率を向上させることのできる基板処理システム及び基板処理方法を提供することを目的とする。

特に、本発明は、基板に対するマスク部材の配置高さを調整して様々な構造の封止膜を形成できるようにすることを目的とする。

また、本発明は、単一種類（single kind）のマスク部材を用いて様々な構造の封止膜を形成できるようにすることを目的とする。

さらに、本発明は、封止膜の構造及び製造工程を簡素化して収率を向上させることを目的とする。

さらに、本発明は、酸素や水分などの浸透を防止して安定性を向上させることを目的とする。

さらに、本発明は、マスク部材を規格化（standardization）してマスク部材の製作及びメンテナンスに要する費用と時間を削減できるようにすることを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の好ましい実施形態によれば、基板処理方法は、チャンバの内部に基板を配置（disposing）する基板配置段階と、チャンバの内部で基板の上面にマスク部材を配置するマスク部材配置段階と、基板に対するマスク部材の配置高さを調整し、基板に形成された素子を覆う（covering）封止膜を形成する封止膜形成段階とを含み、封止膜の蒸着面積が調整されるように封止膜形成段階中に基板に対するマスク部材の配置高さを徐々に変化させる高さ調整段階を少なくとも１回含む。

これは、封止膜を形成する上で、様々な構造の封止膜を形成するために異なる種類のマスク部材を個別に設ける必要がなく、単一種類のマスク部材を用いて様々な構造の封止膜を形成できるようにし、封止膜の構造及び製造工程を簡素化して工程の効率を向上させるためのものである。

すなわち、本発明においては、チャンバ内で基板に対するマスク部材の配置高さを調整して様々な構造の封止膜を形成できるようにすることにより、封止膜の種類に応じて異なるサイズ及びレイヤ特性が考慮された異なるマスク部材をそれぞれ個別に設けなければならない煩雑さがなくなるので、マスク部材の製作コストを削減できるという効果があり、封止膜の構造及び製造工程を簡素化できることは言うまでもなく、様々な構造の封止膜を形成できるという有利な効果がある。

何よりも、本発明においては、基板に対するマスク部材の配置高さを異なる高さに設定してマスク部材による蒸着面積を調整することにより、単一種類のマスク部材を用いて異なる構造の封止膜（different structured encapsulation layers）を形成できるという有利な効果がある。

また、本発明においては、単一種類のマスク部材を用いて封止膜を形成することにより、単一種類のマスク部材をチャンバ内に出入りさせればよいので、マスク部材の移送工程及び保管工程をより簡素化できるという有利な効果がある。

つまり、異なる複数のマスク部材を用いて異なる構造の封止膜を形成することもできるが、この場合、異なる複数のマスク部材の製作及びメンテナンスに多大なコストと時間がかかり、経済的でないという問題がある。それだけでなく、封止膜の構造に応じて異なるマスク部材をチャンバ内に出入りさせなければならず、使用済みのマスク部材は予め定められた順序でそれぞれ別途の保管スペースに保管しなければならないので、全体的な処理工程が複雑であり、工程の効率が低下するという問題がある。しかし、本発明においては、単一種類のマスク部材を用いて異なる構造の封止膜を形成することにより、異なる種類のマスク部材を定められた順序でチャンバ内に出入りさせる煩雑さがなくなるだけでなく、使用済みの異なるマスク部材を予め定められた順序でそれぞれ別途の保管スペースに保管する必要がなくなるので、マスク部材の移送工程及び保管工程を簡素化でき、チャンバの内部にマスク部材を配置するのに要する時間（蒸着工程が停止する時間）を著しく短縮できるという有利な効果がある。

さらに、マスク部材が基板の上面から離隔して配置された状態で封止膜の蒸着工程を行うことにより、マスク部材のマスクパターンによる蒸着面積を大きくすることができるので、すなわち、マスク部材のマスクパターンの領域よりも大きい領域で蒸着を行うことができるので、封止膜は素子（device）の上面に加えて素子の縁部（edge portion）の周辺も覆うように広く形成することができる。こうすることにより、封止膜の縁部を上部から下部に下向きに傾斜するようにテーパ状に形成することができる。それにより、封止膜の縁部での水分の浸透を効果的に防止し、水分の浸透による収率の低下及びダークスポット（dark spot, block spot）の発生率を下げることができるという有利な効果がある。

より具体的には、封止膜形成段階は、マスク部材を基板の上面に対して第１高さに配置する第１配置段階と、第１高さに配置されたマスク部材を用いて第１封止膜を形成する第１封止膜形成段階と、マスク部材を基板に対して第１高さとは異なる第２高さに配置する第２配置段階と、第２高さに配置されたマスク部材を用いて第１封止膜を覆う第２封止膜を形成する第２封止膜形成段階とを含み、第１封止膜形成段階及び第２封止膜形成段階のうち少なくとも１つは高さ調整段階を含む。

このように、第１封止膜と共に第２封止膜を形成することにより、被封止体をより安定して封止することができるという効果がある。

ここで、第１高さのマスク部材は、基板の上面に密着するようにしてもよく、基板の上面から離隔するようにしてもよい。また、第２高さのマスク部材は、基板の上面から離隔することが好ましい。

また、マスク部材は、第１高さに配置される第１マスク部材と、第２高さに配置される第２マスク部材とを含み、第１マスク部材と第２マスク部材とに同じマスクパターンが形成されてもよい。

ここで、第１マスク部材と第２マスク部材とに同じマスクパターンが形成されるとは、第１マスク部材と第２マスク部材とが同じサイズ及びレイヤ特性を有し、第１マスク部材と第２マスク部材とに同じ大きさ及び形状のマスクパターンが形成されることを意味する。例えば、第１マスク部材及び第２マスク部材としては、規格化（又は標準化）された単一種類のマスク部材を用いてもよい。すなわち、同じ規格を有するように同一に形成された２つのマスク部材のいずれか一方は第１マスク部材として用いられ、他方は第２マスク部材として用いられるようにしてもよい。

あるいは、マスク部材は、第１高さに配置される第１マスク部材と、第２高さに配置される第２マスク部材とを含み、第２マスク部材が第２高さに配置された第１マスク部材であってもよい。すなわち、第１マスク部材及び第２マスク部材として単一の共用マスク部材が用いられ、共用マスク部材が第１高さに配置されると第１マスク部材として用いられ、共用マスク部材が第２高さに配置されると第２マスク部材として用いられるようにしてもよい。

ここで、第２マスク部材は、第２高さで基板の上面から離隔して配置されることが好ましい。

さらに、基板処理方法は、封止膜形成段階でマスク部材による蒸着面積が調整されるように基板に対するマスク部材の配置高さを調整する高さ調整段階を含んでもよい。

このように、高さ調整段階においては、マスク部材による蒸着工程中に基板に対するマスク部材の配置高さを調整することにより、単一素材からなる封止膜を多層構造（蒸着面積が異なる封止膜が連続的に積層された構造）に形成できるという有利な効果がある。特に、本発明においては、単一種類のマスク部材のみで多層構造の封止膜を形成することができるので、マスク部材の製作コストを削減できるという効果があり、封止膜の構造及び製造工程を簡素化できることは言うまでもなく、様々な構造の封止膜を形成できるという有利な効果がある。

高さ調整段階においては、マスク部材の配置高さを高くしていくことが好ましく、マスク部材の配置高さを徐々に高くすることがより好ましい。こうすることにより、封止膜の縁部を上部から下部に下向きに傾斜するようにテーパ状に形成することができる。場合によっては、高さ調整段階において、封止膜の形成中にマスク部材の配置高さを徐々に低くするようにしてもよい。

一方、本発明の好ましい実施形態によれば、基板処理システムは、チャンバと、チャンバの内部に配置され、基板が載置されるサセプタと、基板の上方に配置されるマスク部材と、基板に対するマスク部材の配置高さを調整する制御部とを含み、制御部により高さ調整されたマスク部材を用いて基板に形成された素子を覆う封止膜を形成し、封止膜の蒸着面積が調整されるように封止膜の形成中に基板に対するマスク部材の配置高さを徐々に変化させる。

このように、本発明は、制御部によりチャンバ内で基板に対するマスク部材の配置高さを調整して様々な構造の封止膜を形成できるようにすることにより、封止膜の種類毎に異なるサイズ及びレイヤ特性が考慮された異なるマスク部材をそれぞれ個別に設けなければならない煩雑さがなくなるので、マスク部材の製作コストを削減できるという効果があり、封止膜の構造及び製造工程を簡素化できることは言うまでもなく、様々な構造の封止膜を形成できるという有利な効果がある。

より具体的には、制御部は、マスク部材を基板の上面に対して第１高さに配置するか又は基板に対して第１高さとは異なる第２高さに配置し、マスク部材が第１高さに配置されると、素子を覆う第１封止膜が形成され、マスク部材が第２高さに配置されると、第１封止膜を覆う第２封止膜が形成される。このように、制御部は、マスク部材を異なる高さに配置して第１封止膜と第２封止膜を形成することにより、被封止体をより安定して封止することができるという効果がある。

ここで、第１高さのマスク部材は、基板の上面に密着するようにしてもよく、基板の上面から離隔するようにしてもよい。また、第２高さのマスク部材は、基板の上面から離隔することが好ましい。

また、マスク部材は、第１高さに配置される第１マスク部材と、第２高さに配置される第２マスク部材とを含み、第１マスク部材と第２マスク部材とに同じマスクパターンが形成されてもよい。

ここで、第１マスク部材と第２マスク部材とに同じマスクパターンが形成されるとは、第１マスク部材と第２マスク部材とが同じサイズ及びレイヤ特性を有し、第１マスク部材と第２マスク部材とに同じ大きさ及び形状のマスクパターンが形成されることを意味する。例えば、第１マスク部材及び第２マスク部材としては、規格化（又は標準化）された単一種類のマスク部材を用いてもよい。すなわち、同じ規格を有するように同一に形成された２つのマスク部材のいずれか一方は第１マスク部材として用いられ、他方は第２マスク部材として用いられるようにしてもよい。

あるいは、マスク部材は、第１高さに配置される第１マスク部材と、第２高さに配置される第２マスク部材とを含み、第２マスク部材が第２高さに配置された第１マスク部材であってもよい。すなわち、第１マスク部材及び第２マスク部材として単一の共用マスク部材が用いられ、共用マスク部材が第１高さに配置されると第１マスク部材として用いられ、共用マスク部材が第２高さに配置されると第２マスク部材として用いられるようにしてもよい。

また、制御部は、基板に対するマスク部材の配置高さを調整してマスク部材による蒸着面積を調整する。

このように、制御部は、マスク部材による蒸着工程中に基板に対するマスク部材の配置高さを調整することにより、単一素材からなる封止膜を多層構造（蒸着面積が異なる封止膜が連続的に積層された構造）に形成できるという有利な効果がある。特に、本発明においては、単一種類のマスク部材のみで多層構造の封止膜を形成することができるので、マスク部材の製作コストを削減できるという効果があり、封止膜の構造及び製造工程を簡素化できることは言うまでもなく、様々な構造の封止膜を形成できるという有利な効果がある。

制御部は、基板に対するマスク部材の配置高さを高くしていくことが好ましく、基板に対するマスク部材の配置高さを徐々に高くすることがより好ましい。こうすることにより、封止膜の縁部を上部から下部に下向きに傾斜するようにテーパ状に形成することができる。

一方、本発明の他の実施形態によれば、基板処理システムは、第１チャンバと、第１チャンバの内部に配置され、第１チャンバで基板の上面に形成された素子を覆うように第１封止膜を形成する第１マスク部材と、第１チャンバとは独立して備えられ、第１封止膜の上面に第２封止膜が形成される第２チャンバと、第２チャンバとは独立して備えられる第３チャンバと、第１マスク部材と同じマスクパターンが形成され、第３チャンバの内部に配置され、第３チャンバで第２封止膜の上面に第３封止膜を形成する第２マスク部材とを含み、第３封止膜の蒸着面積が調整されるように第３封止膜の形成中に基板に対する第２マスク部材の配置高さを徐々に変化させる。

このように、本発明は、同じマスクパターンが形成された単一種類のマスク部材（第１マスク部材及び第２マスク部材）を用いて複数の封止膜を含む多層封止膜（multilayer encapsulation thin layer）を形成することにより、複数の封止膜に応じて異なるサイズ及びレイヤ特性を考慮して複数のマスク部材をそれぞれ個別に製作しなければならない煩雑さがなくなるので、多層封止膜の構造及び製造工程を簡素化して収率を向上させることができるという有利な効果がある。

いくつかの実施形態では、第１マスク部材は、第１チャンバの内部で基板の上面に対して第１高さに配置され、第２マスク部材は、第３チャンバの内部で第１高さより高い第２高さに配置されることが好ましい。ここで、第１マスク部材は、第１高さで基板の上面に密着するか又は基板の上面から離隔して配置され、第２マスク部材は、第２高さで基板の上面に密着するか又は基板の上面から離隔して配置されるようにしてもよい。第１マスク部材は、第１高さで基板の上面に密着し、第２マスク部材は、第２高さで基板の上面から離隔することが好ましい。

このように、第２マスク部材が基板の上面から離隔して配置された状態で第３封止膜の蒸着工程を行うことにより、第２マスク部材のマスクパターンによる蒸着面積を大きくすることができるので、第３封止膜が素子の上面に加えて素子の縁部の周辺も覆うように、第３封止膜を広く形成することができる。こうすることにより、複数の封止膜からなる多層封止膜の縁部を、上部から下部に下向きに傾斜するようにテーパ状に形成することができる。それにより、多層封止膜の縁部での水分の浸透を効果的に防止し、水分の浸透による収率の低下及びダークスポットの発生率を下げることができるという有利な効果がある。

また、第１封止膜は無機膜からなり、第２封止膜は有機膜からなり、第３封止膜は無機膜からなることが好ましい。なお、無機膜は所定の厚さ以上に形成することが困難であるので、第１封止膜と第３封止膜間にバッファ層の役割を果たす有機膜からなる第２封止膜を形成することにより、多層封止膜に酸素や水分などが浸透する浸透時間をより長くすることができるという有利な効果がある。

また、第３チャンバ及び第１チャンバとしては、単一のチャンバを共用（すなわち、第３チャンバと第１チャンバが同じもの）で使用するようにしてもよい。すなわち、第３チャンバとして第１チャンバを使用し、第２封止膜が形成された後に第１チャンバに戻ってきた基板の上面に第３封止膜が形成されるようにしてもよい。

このように、第１チャンバ及び第３チャンバとして単一のチャンバを共用で使用し、単一のチャンバで第１封止膜と第３封止膜を形成することにより、設備を簡素化して設備の装着に必要な空間を減少させることができるという効果と、製造コストを削減することができるという効果がある。

一方、本発明の他の実施形態によれば、基板処理方法は、第１チャンバの内部で第１マスク部材を用いて基板の上面に形成された素子を覆うように第１封止膜を形成する第１封止膜形成段階と、第２チャンバの内部で第１封止膜の上面に第２封止膜を形成する第２封止膜形成段階と、第３チャンバの内部で第１マスク部材と同じマスクパターンが形成された第２マスク部材を用いて第２封止膜の上面に第３封止膜を形成する第３封止膜形成段階とを含み、第３封止膜の蒸着面積が調整されるように第３封止膜形成段階中に基板に対する第２マスク部材の配置高さを徐々に変化させる高さ調整段階を少なくとも１回含む。

第１封止膜形成段階においては、第１マスク部材を基板の上面に対して第１高さに配置し、第３封止膜形成段階においては、第２マスク部材を第１高さより高い第２高さに配置することが好ましい。こうすることにより、基板に対するマスク部材の配置高さに応じてマスク部材のマスクパターンによる封止膜の蒸着面積を調整できるようになり、規格化された単一種類のマスク部材を用いて異なる複数の封止膜を形成できるという有利な効果がある。

ここで、第１マスク部材は、第１高さで基板の上面に密着するか又は基板の上面から離隔して配置され、第２マスク部材は、第２高さで基板の上面に密着するか又は基板の上面から離隔して配置されるようにしてもよい。第１マスク部材は、第１高さで基板の上面に密着し、第２マスク部材は、第２高さで基板の上面から離隔することが好ましい。

また、第２マスク部材が基板の上面から離隔して配置された状態で第３封止膜の蒸着工程を行うことにより、第２マスク部材のマスクパターンによる蒸着面積を大きくすることができるので、すなわち、第２マスク部材のマスクパターンの領域よりも大きい領域で蒸着を行うことができるので、第３封止膜は素子の上面に加えて素子の縁部の周辺も覆うように広く形成することができる。こうすることにより、複数の封止膜からなる多層封止膜の縁部を、上部から下部に下向きに傾斜するようにテーパ状に形成することができる。それにより、多層封止膜の縁部での水分の浸透を効果的に防止し、水分の浸透による収率の低下及びダークスポットの発生率を下げることができるという有利な効果がある。

また、第１封止膜形成段階における第１封止膜は無機膜からなり、第２封止膜形成段階における第２封止膜は有機膜からなり、第３封止膜形成段階における第３封止膜は無機膜からなることが好ましい。なお、無機膜は所定の厚さ以上に形成することが困難であるので、第１封止膜と第３封止膜間にバッファ層の役割を果たす有機膜からなる第２封止膜を形成することにより、多層封止膜に酸素や水分などが浸透する浸透時間をより長くすることができるという有利な効果がある。

また、第３封止膜形成段階で使用される第３チャンバ及び第１封止膜形成段階で使用される第１チャンバとしては、それぞれ別途のチャンバを独立して提供してもよいが、場合によっては、第３チャンバ及び第１チャンバとして単一のチャンバを共用（第３チャンバ＝第１チャンバ）で使用するようにしてもよい。すなわち、第３封止膜形成段階においては、第３チャンバとして第１チャンバを使用し、第２封止膜が形成された後に第１チャンバに戻ってきた基板の上面に第３封止膜を形成するようにしてもよい。

このように、第１チャンバ及び第３チャンバとして単一のチャンバを共用で使用し、単一のチャンバで第１封止膜と第３封止膜を形成することにより、設備を簡素化して設備の装着に必要な空間を減少させることができるという効果と、製造コストを削減することができるという効果がある。

本明細書及び特許請求の範囲に記載の「規格化されたマスク部材」又はそれに類似する用語は、複数の封止膜を形成するために用いられるマスク部材に同じマスクパターンが形成されており、各マスク部材が同じ大きさ及び形状を有するものと定義する。

本明細書及び特許請求の範囲に記載の「多層封止膜」又はそれに類似する用語は、少なくとも２つの封止膜が積層されて形成された積層膜（laminated layer）と定義する。

本明細書及び特許請求の範囲に記載の「基板に形成された素子」又はそれに類似する用語は、基板の上面に形成されて多層封止膜により封止される被封止体を意味する。例えば、基板の上面には有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が形成されていてもよい。

前述したように、本発明によれば、封止膜の構造及び製造工程を簡素化して工程の効率を向上させることができるという効果がある。

特に、本発明によれば、チャンバ内で基板に対するマスク部材の配置高さを調整して様々な構造の封止膜を形成できるようにすることにより、封止膜の種類毎に異なるサイズ及びレイヤ特性が考慮された異なるマスク部材をそれぞれ個別に設けなければならない煩雑さがなくなるので、マスク部材の製作コストを削減することができるという効果があり、封止膜の構造及び製造工程を簡素化することは言うまでもなく、様々な構造の封止膜を形成することができるという有利な効果がある。

何よりも、本発明によれば、基板に対するマスク部材の配置高さを異なる高さに設定してマスク部材による蒸着面積を調整することにより、単一種類のマスク部材を用いて異なる構造の封止膜を形成することができるという有利な効果がある。

また、本発明によれば、単一種類のマスク部材を用いて封止膜を形成することにより、単一種類のマスク部材をチャンバ内に出入りさせればよいので、マスク部材の移送工程及び保管工程をより簡素化することができるという有利な効果がある。

つまり、異なる複数のマスク部材を用いて異なる構造の封止膜を形成することもできるが、この場合、異なる複数のマスク部材の製作及びメンテナンスに多大なコストと時間がかかり、経済的でないという問題がある。それだけでなく、封止膜の構造に応じて異なるマスク部材をチャンバ内に出入りさせなければならず、使用済みのマスク部材は予め定められた順序でそれぞれ別途の保管スペースに保管しなければならないので、全体的な処理工程が複雑であり、工程の効率が低下するという問題がある。しかし、本発明によれば、単一種類のマスク部材を用いて異なる構造の封止膜を形成することにより、異なる種類のマスク部材を定められた順序でチャンバ内に出入りさせる煩雑さがなくなるだけでなく、使用済みの異なるマスク部材を予め定められた順序でそれぞれ別途の保管スペースに保管する必要がなくなるので、マスク部材の移送工程及び保管工程を簡素化することができ、チャンバの内部にマスク部材を配置するのに要する時間（蒸着工程が停止する時間）を著しく短縮することができるという有利な効果がある。

さらに、本発明によれば、マスク部材を規格化することにより、マスク部材の製作及びメンテナンスに要する費用と時間を削減し、マスク部材の交換周期をより効率的に管理することができるという有利な効果がある。

さらに、本発明によれば、単一種類のマスク部材を用いて封止膜を形成することにより、マスク部材の製作誤差及び工程誤差を最小限に抑え、誤差による封止膜の不良率を最小限に抑えることができるという有利な効果がある。

さらに、本発明によれば、第１チャンバ及び第３チャンバとして単一のチャンバを共用で使用し、単一のチャンバで第１封止膜と第３封止膜を形成することにより、設備を簡素化して設備の装着に必要な空間を減少させることができるという効果と、製造コストを削減することができるという有利な効果がある。

さらに、本発明によれば、要求される条件に応じて基板とマスク部材を非接触で（離隔して）配置した状態で様々な構造の多層封止膜を形成することができるという有利な効果がある。

本発明による基板処理システムの第１チャンバを説明するための図である。 図１の基板処理システムによる第１封止膜の形成過程を説明するための図である。 図２の第１封止膜の上部に第２封止膜を形成する過程を説明するための図である。 図１の基板処理システムによる第３封止膜の形成過程を説明するための図である。 図１の基板処理システムにより形成された封止膜の厚さ分布を示すグラフである。 図１の基板処理システムによる封止膜の形成過程の他の例を説明するための図である。 図１の基板処理システムによる封止膜の形成過程の他の例を説明するための図である。 図１の基板処理システムによる封止膜の形成過程の他の例を説明するための図である。 図１の基板処理システムによる封止膜の形成過程のさらに他の例を説明するための図である。 図１の基板処理システムの第３チャンバを説明するための図である。 図１０の第３チャンバによる第３封止膜の形成過程を説明するための図である。 本発明による基板処理方法を説明するためのブロック図である。 本発明の他の実施形態による基板処理方法を説明するためのブロック図である。 本発明のさらに他の実施形態による基板処理方法を説明するためのブロック図である。 本発明のさらに他の実施形態による基板処理方法を説明するためのブロック図である。 本発明のさらに他の実施形態による基板処理方法を説明するためのブロック図である。

以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施形態について詳細に説明するが、本発明が実施形態により制限又は限定されるものではない。なお、本明細書において同一の符号は実質的に同一の構成要素を示し、この規則下で、他の図面に示す内容を引用して説明することもあり、当業者にとって自明であると判断された内容や繰り返される内容は省略することもある。

添付図面を参照すると、本発明の一実施形態による基板処理システム１０は、第１チャンバ１１０と、第１チャンバ１１０の内部に配置され、基板２００が載置されるサセプタ１２０と、基板２００の上方に配置されるマスク部材３１０、３３０と、基板２００に対するマスク部材３１０、３３０の配置高さを調整する制御部４００とを含み、制御部４００により高さ調整されたマスク部材３１０、３３０を用いて基板２００に形成された素子２１０を覆う封止膜２２１、２２３を形成する。

第１チャンバ１１０は、内部を真空処理空間にしてもよく、側壁の少なくとも一側には基板２００及び第１マスク部材３１０の出入りのための出入部を設けても良い。

第１チャンバ１１０のサイズ及び構造は、要求される条件及び設計仕様に応じて適宜変更することができ、第１チャンバ１１０の特性に本発明が制限又は限定されるものではない。

第１チャンバ１１０の上部には、第１チャンバ１１０の内部にプロセスガス及びＲＦエネルギーを供給するためのシャワーヘッド１３０を設けても良い。

シャワーヘッド１３０は、要求される条件及び設計仕様に応じて様々な構造を採用することができ、シャワーヘッド１３０の構造及び特性に本発明が制限又は限定されるものではない。一例として、シャワーヘッド１３０は、上部から下部の方向に配置されるトッププレート、ミッドプレート及びエンドプレートを含んでもよく、トッププレートとミッドプレートとの間の空間に供給されたプロセスガスは、ミッドプレートの貫通孔を経てミッドプレートとエンドプレート間に拡散し、その後エンドプレートの排出孔から第１チャンバ１１０の内部空間に噴射されるようにしてもよい。

サセプタ１２０は、第１チャンバ１１０の内部に上下方向に昇降可能に備えられ、サセプタ１２０の上面には、基板２００が載置される。サセプタ１２０のシャフトは、モータなどの通常の駆動手段により上下方向に移動するようにしてもよい。

第１マスク部材３１０は、基板２００の上面に対して予め設定された第１高さ（Ｈ１）で離隔又は密着するように第１チャンバ１１０の内部に配置され、第１チャンバ１１０で基板２００の上面に形成された素子２１０を覆うように第１封止膜２２１を形成するために備えられる。

なお、本発明において、素子２１０とは、基板２００の上面に形成されて第１封止膜２２１により封止される被封止体を意味する。一例として、基板２００の上面に有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が形成され、有機発光ダイオードが空気中の酸素や水分などにさらされることによる性能や寿命の低下を防止するために、有機発光ダイオードを覆うように第１封止膜２２１が形成される。

第１マスク部材３１０により形成される第１封止膜２２１の材質及び特性は、要求される条件及び設計仕様に応じて様々に変更することができる。第１封止膜２２１は、酸素や水分などの浸透を効果的に防止できる無機膜素材で形成されることが好ましい。

第１マスク部材３１０には第１封止膜２２１を形成するためのマスクパターン３１２が形成され、マスクパターン３１２の領域により蒸着が行われて第１封止膜２２１が形成される。一例として、第１マスク部材は、マスクプレートと、マスクプレートに貼り付けられるマスクシートとを含み、マスクシート上にマスクパターンが形成されるようにしてもよい。場合によっては、別途のマスクシートを含まず、マスクプレートに直接マスクパターンが形成されるようにしてもよい。

制御部４００は、基板２００に対するマスク部材３１０、３３０の配置高さを調整することにより、基板２００に形成された素子２１０を覆う封止膜２２１、２２３が様々な構造に形成されるようにする。

すなわち、制御部４００は、マスク部材３１０、３３０による蒸着面積が調整されるように基板２００に対するマスク部材３１０、３３０の配置高さを調整することにより、異なる構造の封止膜２２１、２２３が形成されるようにする。

また、本発明においては、基板２００の上面から第１高さ（Ｈ１）だけ離隔した第１マスク部材３１０を用いて第１封止膜２２１を形成することにより、単一種類の第１マスク部材３１０により様々な構造の封止膜を形成できるという有利な効果がある。

すなわち、従来は、封止膜の構造（例えば、封止膜の蒸着面積）を変更するためには、要求される蒸着面積に応じてそれぞれ別途のマスク部材を用いて異なる蒸着面積の封止膜を形成しなければならなかったが、本発明においては、単一種類の第１マスク部材３１０のみを用いても、基板２００に対する第１マスク部材３１０の第１高さ（Ｈ１）を調整することにより、異なる構造（異なる蒸着面積）の封止膜を形成することができる。

例えば、基板２００と第１マスク部材３１０との離隔間隔（第１高さ）が大きくなると（基板に対する第１マスク部材の配置高さが高くなると）、第１マスク部材３１０のマスクパターン３１２により蒸着される第１封止膜２２１の蒸着面積が大きくなり（広く蒸着され）、逆に基板２００と第１マスク部材３１０との離隔間隔が小さくなると、第１マスク部材３１０のマスクパターン３１２により蒸着される第１封止膜２２１の蒸着面積が小さくなる。

ここで、基板２００に対する第１マスク部材３１０の配置高さ（第１高さ）は、要求される条件及び蒸着環境に応じて様々に変更することができ、第１高さ（Ｈ１）に本発明が制限又は限定されるものではない。ここで、第１マスク部材３１０は、第１高さ（Ｈ１）で基板２００の上面に密着するか又は基板２００の上面から離隔して配置される。

また、第１マスク部材３１０を基板２００に対して離隔させて配置した状態で第１封止膜２２１が形成されるようにすることにより、第１封止膜２２１の縁部は、上部から下部に下向きに傾斜するように、すなわち上部から下部に行くほど広い幅（図５のＷ１＜Ｗ２を参照）を有するように、テーパ状に形成することができる。

このように、第１マスク部材３１０を基板２００の上面から離隔させて配置することにより、第１マスク部材３１０のマスクパターン３１２による蒸着面積を大きくすることができるので、すなわち、第１マスク部材３１０のマスクパターン３１２の領域よりも大きい領域で蒸着を行うことができるので、第１封止膜２２１は素子２１０の上面に加えて素子２１０の縁部の周辺も覆うように広く形成することができる。

なお、第１封止膜２２１の縁部が垂直に形成された場合（縁部の上部と下部の幅が同じ直角構造）は、第１封止膜２２１の縁部から水分が容易に浸透して収率が低下し、ダークスポットの発生率が高くなるという問題があった。それに対して、本発明のように、第１封止膜２２１の縁部がテーパ状に形成された場合は、第１封止膜２２１の縁部での水分の浸透を防止することができるので、水分の浸透による収率の低下及びダークスポットの発生率を下げることができるという有利な効果がある。

一方、基板処理システム１０は、封止膜２２０が形成される前に基板２００に対する第１マスク部材３１０の整列（又は第１マスク部材に対する基板の整列）を行う整列部１４０を含む。

整列部１４０は、第１チャンバ１１０の内部に第１マスク部材３１０が入った後、基板２００に対する第１マスク部材３１０の整列（align）を行うようにしてもよい。なお、整列部１４０は、第１チャンバ１１０の内部に基板２００が入った後、最初に１回だけ基板２００に対する第１マスク部材３１０の整列工程を行うようにしてもよいが、場合によっては、２回以上整列工程を行うようにしてもよい。

一例として、整列部１４０は、基板２００に形成されたターゲットマーク（又はオブジェクトマーク）及び第１マスク部材３１０に形成されたオブジェクトマーク（又はターゲットマーク）を撮影する撮影部と、撮影部で撮影されたターゲットマークとオブジェクトマークの距離及び方向の誤差分だけ第１マスク部材３１０を移動させるマスク部材移動部とを含む。場合によっては、整列部が基板に対するマスク部材の整列を行える他の構造を有するようにしてもよく、整列部の構造に本発明が制限又は限定されるものではない。

撮影部は、ターゲットマーク及びオブジェクトマークを撮影するために備えられる。一例として、撮影部としては、ビジョンカメラなどの通常のカメラを用いることができる。

マスク部材移動部は、第１マスク部材３１０の底面を支持するマスク部材支持棒３０２を通常の駆動手段により３軸方向（例えば、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、又はＲ軸、θ軸、Ｚ軸）に移動させるように構成される。

一方、素子を覆うように形成される封止膜は、単一膜（例えば、第１封止膜）で構成されてもよく、多層膜（例えば、第１封止膜、第２封止膜、第３封止膜）で構成されてもよい（図４の符号２２０を参照）。

図３を参照すると、第１封止膜２２１が形成された基板２００の上部には、第２封止膜２２２が形成されてもよい。例えば、基板２００は第１チャンバ１１０を経て第２チャンバ１１０’に移送され、第２チャンバ１１０’で基板２００の上面（第１封止膜２２１の上面）に第２封止膜２２２が形成される。第２封止膜２２２は、有機膜からなり、第１封止膜２２１の上面を部分的に又は全体的に覆うように形成されることが好ましい。

第２チャンバ１１０’の内部には、第１封止膜２２１の上面に第２封止膜２２２を形成する第２封止膜形成手段が備えられ、第２封止膜形成手段としては、要求される条件及び設計仕様に応じて様々な封止膜形成手段を用いることができる。

第２チャンバ１１０’の内部には、第２封止膜形成手段として、第２封止膜２２２をインクジェットプリントするインクジェットプリンタ３２０’が備えられることが好ましい。このように、第２チャンバ１１０’の内部でインクジェットプリンタ３２０’を用いて第２封止膜２２２を形成することにより、構造を簡素化し、かつ第２封止膜２２２の形成工程を短縮することができるという有利な効果がある。特に、インクジェットプリンタ３２０’は、大気圧状態で第２封止膜２２２を形成することができ、作業工程が非常に簡単で速いので収率を向上させることができる。場合によっては、第２チャンバの内部で真空状態にして第２封止膜を蒸着形成するようにしてもよい。また、別途の第２封止膜を形成するのではなく、第１封止膜のみにより素子が封止されるように構成してもよい。

図４を参照すると、本発明による基板処理システムは、基板２００に対して第１高さ（Ｈ１）とは異なる第２高さ（Ｈ２）に配置される第２マスク部材３３０を含み、第２マスク部材３３０により素子を覆う第３封止膜２２３が形成されるようにしてもよい。第３封止膜２２３は、無機膜からなり、第２封止膜２２２の上面を全体的に覆うように形成されることが好ましい。

第２マスク部材３３０には、第１マスク部材３１０と同じマスクパターン３３２が形成され、第２マスク部材３３０は、第１封止膜２２１が形成された第１チャンバ１１０で第３封止膜２２３を形成するために備えられる。

ここで、第２マスク部材３３０に第１マスク部材３１０と同じマスクパターン３３２が形成されるとは、第２マスク部材３３０と第１マスク部材３１０とが同じサイズ及びレイヤ特性を有し、第２マスク部材３３０と第１マスク部材３１０とに同じ大きさ及び形状のマスクパターン３１２、３３２が形成されることを意味する。すなわち、第１マスク部材３１０及び第２マスク部材３３０として規格化（又は標準化）された単一種類のマスク部材が用いられるものと理解できる。

一例として、第１マスク部材３１０及び第２マスク部材３３０としては、規格化（又は標準化）された単一種類のマスク部材が用いられてもよい。すなわち、同じ規格を有するように同一に形成された２つのマスク部材のいずれか一方が第１マスク部材３１０として用いられ、他方が第２マスク部材３３０として用いられるようにしてもよい。

他の例として、第２マスク部材３３０は、第２高さに配置された第１マスク部材３１０であってもよい。すなわち、第１マスク部材３１０及び第２マスク部材３３０として単一の共用マスク部材が用いられ、共用マスク部材が第１高さ（Ｈ１）に配置されると第１マスク部材３１０として用いられ、共用マスク部材が第２高さ（Ｈ２）に配置されると第２マスク部材３３０として用いられるようにしてもよい。

第２マスク部材３３０は、第２高さで基板２００の上面に密着するか又は基板２００の上面から離隔して配置されるようにしてもよい。以下、第２マスク部材３３０が第２高さ（Ｈ２）で基板２００の上面から離隔して配置され、第２高さ（Ｈ２）が第１高さ（Ｈ１）より大きい値（Ｈ２＞Ｈ１）に設定された場合を例に挙げて説明する。場合によっては、第２マスク部材が第２高さで第１高さより低い位置に配置されるようにしてもよい。

また、第１封止膜２２１は無機膜からなり、第２封止膜２２２は有機膜からなり、第３封止膜２２３は無機膜からなる。なお、無機膜は所定の厚さ以上に形成することが困難であるので、第１封止膜２２１と第３封止膜２２３間にバッファ層の役割を果たす有機膜からなる第２封止膜２２２を形成することにより、第１封止膜２２１、第２封止膜２２２、第３封止膜２２３からなる封止膜２２０に酸素や水分などが浸透する浸透時間をより長くすることができるという有利な効果がある。場合によっては、第３封止膜が無機膜ではなく他の素材で形成されるようにしてもよい。

さらに、基板２００に対して第２マスク部材３３０を離隔（第２高さ）させて配置した状態で第３封止膜２２３が形成されるようにすることにより、第３封止膜２２３の縁部は、上部から下部に下向きに傾斜するように、すなわち上部から下部に行くほど広い幅（Ｗ１＜Ｗ２）を有するように、テーパ状に形成することができる。

このように、第２マスク部材３３０を基板２００の上面から離隔させて配置することにより、第２マスク部材３３０のマスクパターン３３２による蒸着面積を大きくすることができるので、すなわち、第２マスク部材３３０のマスクパターン３３２の領域よりも大きい領域で蒸着を行うことができるので、第３封止膜２２３は素子２１０の上面に加えて素子２１０の縁部の周辺も覆うように広く形成することができる。従って、第３封止膜２２３の縁部での水分の浸透を防止することができるので、水分の浸透による収率の低下及びダークスポットの発生率を下げることができるという有利な効果がある。

以上、図２〜図４を参照して、第１マスク部材３１０を基板２００から離隔させて配置した状態で第１封止膜２２１を形成し、その後第２マスク部材３３０を基板２００から離隔させて配置した状態で第３封止膜２２３を形成する例を説明したが、他の例として、図６及び図８に示すように、第１マスク部材３１０を基板２００に密着させて配置した状態で第１封止膜２２１を形成し、その後第２マスク部材３３０を基板２００から離隔させて配置した状態で第３封止膜２２３を形成するようにしてもよい。また、図７に示すように、第１封止膜２２１と第３封止膜２２３間に第２封止膜２２２を形成するようにしてもよい。

一方、図９を参照すると、本発明の他の実施形態による基板処理システム１０は、第１チャンバ１１０と、第１チャンバ１１０の内部に配置され、基板２００が載置されるサセプタ１２０と、基板２００の上方に配置される第１マスク部材３１０と、第１封止膜２２１’の形成中に第１マスク部材３１０による蒸着面積が調整されるように、基板２００に対する第１マスク部材３１０の配置高さを調整する制御部４００とを含む。

ここで、第１封止膜２２１’の形成中とは、第１チャンバ１１０の内部にプロセスガスが供給されて第１マスク部材３１０による蒸着工程が行われている途中を意味する。

制御部４００は、第１マスク部材３１０による蒸着工程中に基板２００に対する第１マスク部材３１０の配置高さを調整することにより、第１マスク部材３１０による第１封止膜２２１’の蒸着面積を連続的に調整することができる。

このように、本発明は、第１マスク部材３１０による蒸着工程中に基板２００に対する第１マスク部材３１０の配置高さを調整することにより、単一素材からなる第１封止膜２２１’を多層構造（蒸着面積が異なる封止膜が連続的に積層された構造）に形成できるという有利な効果がある。特に、従来は、固定配置される１つのマスク部材により封止膜を形成するため、１つのマスク部材によっては多層構造の封止膜を形成することができず、多層構造の封止膜を形成するためには異なるマスクパターンが形成された複数種類のマスク部材を用いなければならないので、製造工程が煩雑であり、製造時間及びコストが増加するという問題があった。しかし、本発明においては、単一種類の第１マスク部材３１０のみで多層構造の第１封止膜２２１’を形成することができるので、マスク部材の製作コストを削減できるという効果があり、封止膜の構造及び製造工程を簡素化できることは言うまでもなく、様々な構造の封止膜を形成できるという有利な効果がある。

制御部４００は、第１封止膜２２１’の形成中に第１マスク部材３１０の配置高さを徐々に高くすることにより、第１封止膜２２１’の縁部を上部から下部に下向きに傾斜するようにテーパ状に形成することが好ましい。場合によっては、制御部は、第１封止膜の形成中に第１マスク部材の配置高さを徐々に低くするようにしてもよい。

一方、図１０を参照すると、本発明のさらに他の実施形態による基板処理システム１０は、第１チャンバ１１０と、第１チャンバ１１０の内部に配置され、第１チャンバ１１０で基板２００の上面に形成された素子２１０を覆うように第１封止膜２２１を形成する第１マスク部材３１０と、第１チャンバ１１０とは独立して備えられ、第１封止膜２２１の上面に第２封止膜２２２が形成される第２チャンバ１１０’と、第２チャンバ１１０’とは独立して備えられる第３チャンバ１１０’’と、第１マスク部材３１０と同じマスクパターン３３２が形成され、第３チャンバ１１０’’の内部に配置され、第３チャンバ１１０’’で第２封止膜２２２の上面に第３封止膜２２３を形成する第２マスク部材３３０とを含んでもよい。

すなわち、本発明のさらに他の実施形態は、第３チャンバ１１０’’が第１チャンバ１１０及び第２チャンバ１１０’とは独立して備えられることに特徴がある。ここで、第３チャンバ１１０’’は前述した第１チャンバ１１０と同一又は類似に構成されるので、第１チャンバ１１０及び第３チャンバ１１０’’の具体的な構成についての説明は省略する。

第１マスク部材３１０は、第１チャンバ１１０の内部に配置され、第１チャンバ１１０で基板２００の上面に形成された素子２１０を覆うように第１封止膜２２１を形成するために備えられる。

また、第１マスク部材３１０は、高さ調整部３２０により、基板２００に対する配置高さが調整される。一例として、第１マスク部材３１０は、高さ調整部３２０により、第１チャンバ１１０の内部で基板２００の上面に対して第１高さに配置される。ここで、第１マスク部材３１０は、第１高さで基板２００の上面に密着するか又は基板２００の上面から離隔して配置されるようにしてもよい。以下、第１マスク部材３１０が第１高さで基板２００の上面に密着して配置された場合を例に挙げて説明する。

また、第１チャンバ１１０の内部には、第１封止膜２２１が形成される前に基板２００に対する第１マスク部材３１０の整列（又は第１マスク部材に対する基板の整列）を行う第１整列部１４０が備えられる。

第２チャンバ１１０’は、第１チャンバ１１０とは独立して備えられ、第２チャンバ１１０’では第１封止膜２２１の上面に第２封止膜２２２が形成される（図７参照）。

基板２００は第１チャンバ１１０を経て第２チャンバ１１０’に移送され、第２チャンバ１１０’で基板２００の上面（第１封止膜２２１の上面）に第２封止膜２２２が形成される。第２封止膜２２２は、有機膜からなり、第１封止膜２２１の上面を部分的に覆うように形成されることが好ましい。

第２チャンバ１１０’の内部には、第１封止膜２２１の上面に第２封止膜２２２を形成する第２封止膜形成手段が備えられ、第２封止膜形成手段としては、要求される条件及び設計仕様に応じて様々な封止膜形成手段を用いることができる。

第２チャンバ１１０’の内部には、第２封止膜形成手段として、第２封止膜２２２をインクジェットプリントするインクジェットプリンタ３２０’が備えられることが好ましい。このように、第２チャンバ１１０’の内部でインクジェットプリンタ３２０’を用いて第２封止膜２２２を形成することにより、構造を簡素化し、かつ第２封止膜２２２の形成工程を短縮することができるという有利な効果がある。特に、インクジェットプリンタ３２０’は、大気圧状態で第２封止膜２２２を形成することができ、作業工程が非常に簡単で速いので収率を向上させることができる。場合によっては、第２チャンバの内部で真空状態にして第２封止膜を蒸着形成するようにしてもよい。

図１０及び図１１を参照すると、第３チャンバ１１０’’は、内部に真空処理空間を有し、側壁の少なくとも一側には基板２００及び第２マスク部材３３０の出入りのための出入部が設けられる。

第３チャンバ１１０’’のサイズ及び構造は、要求される条件及び設計仕様に応じて適宜変更することができ、第３チャンバ１１０’’の特性に本発明が制限又は限定されるものではない。

第３チャンバ１１０’’の上部には、第３チャンバ１１０’’の内部にプロセスガス及びＲＦエネルギーを供給するためのシャワーヘッド１３０が設けられる。

シャワーヘッド１３０は、要求される条件及び設計仕様に応じて様々な構造を採用することができ、シャワーヘッド１３０の構造及び特性に本発明が制限又は限定されるものではない。

第３チャンバ１１０’’の内部には、サセプタ１２０が上下方向に昇降可能に備えられ、サセプタ１２０の上面には、基板２００が載置される。サセプタ１２０のシャフトは、モータなどの通常の駆動手段により上下方向に移動するようにしてもよい。

一方、第３チャンバ１１０’’及び第１チャンバ１１０としては、それぞれ別途のチャンバを独立して提供してもよいが、場合によっては、第３チャンバ１１０’’及び第１チャンバ１１０として単一のチャンバを共用（第３チャンバ＝第１チャンバ）で使用するようにしてもよい。

すなわち、第３チャンバ１１０’’として第１チャンバ１１０を使用し、第２封止膜２２２が形成された後に第１チャンバ１１０に戻ってきた基板２００の上面に第３封止膜２２３が形成されるようにしてもよい。

ここで、基板２００が第１チャンバ１１０に戻ってくるとは、基板２００が第１チャンバ１１０と第２チャンバ１１０’を経て再び第１チャンバ１１０（第３チャンバの役割）に戻ってくることを意味する。

このように、第１チャンバ１１０及び第３チャンバ１１０’’として単一のチャンバを共用で使用することにより、設備を簡素化して設備の装着に必要な空間を減少させることができるという効果と、製造コストを削減することができるという効果がある。

第２マスク部材３３０には、第１マスク部材３１０と同じマスクパターン３３２が形成され、第２マスク部材３３０は、第３チャンバ１１０’’の内部に配置され、第３チャンバ１１０’’で第２封止膜２２２を覆うように第３封止膜２２３を形成するために備えられる。

ここで、第２マスク部材３３０に第１マスク部材３１０と同じマスクパターン３３２が形成されるとは、第２マスク部材３３０と第１マスク部材３１０とが同じサイズ及びレイヤ特性を有し、第２マスク部材３３０と第１マスク部材３１０とに同じ大きさ及び形状のマスクパターン３１２、３３２が形成されることを意味する。すなわち、第１マスク部材３１０及び第２マスク部材３３０として規格化（又は標準化）された単一種類のマスク部材が用いられるものと理解できる。

第２マスク部材３３０には第３封止膜２２３を形成するためのマスクパターン３３２が形成され、マスクパターン３３２の領域により蒸着が行われて第３封止膜２２３が形成される。一例として、第２マスク部材は、マスクプレートと、マスクプレートに貼り付けられるマスクシートとを含み、マスクシート上にマスクパターンが形成されるようにしてもよい。場合によっては、別途のマスクシートを含まず、マスクプレートに直接マスクパターンが形成されるようにしてもよい。

また、第２マスク部材３３０は、高さ調整部３２０により、基板２００に対する配置高さが調整される。一例として、第２マスク部材３３０は、高さ調整部３２０により、第３チャンバ１１０’’の内部で第１高さより高い第２高さ（Ｈ２）に配置される。ここで、第２マスク部材３３０は、第２高さ（Ｈ２）で基板２００の上面に密着するか又は基板２００の上面から離隔して配置されるようにしてもよい。以下、第２マスク部材３３０が第２高さ（Ｈ２）で基板２００の上面から離隔して配置された場合を例に挙げて説明する。場合によっては、第２マスク部材が第３チャンバの内部で第１高さより低い第３高さに配置されるようにしてもよい。

また、高さ調整部３２０により基板２００に対する第２マスク部材３３０の配置高さを調整することにより、第２マスク部材３３０のマスクパターン３３２による封止膜の蒸着面積を調整することができる。例えば、基板２００と第２マスク部材３３０との離隔間隔が大きくなると（基板に対する第２マスク部材の配置高さが高くなると）、第２マスク部材３３０のマスクパターン３３２により蒸着される第３封止膜２２３の蒸着面積が大きくなり（広く蒸着され）、逆に基板２００と第２マスク部材３３０との離隔間隔が小さくなると、第２マスク部材３３０のマスクパターン３３２により蒸着される第３封止膜２２３の蒸着面積が小さくなる。

また、第３チャンバ１１０’’の内部には、第３封止膜２２３が形成される前に基板２００に対する第２マスク部材３３０の整列（又は第２マスク部材に対する基板の整列）を行う第２整列部１４０’’が備えられる。

第２整列部１４０’’は、第３チャンバ１１０’’の内部に第２マスク部材３３０が入った後、基板２００に対する第２マスク部材３３０の整列を行うようにしてもよい。一例として、第２整列部１４０’’は、基板２００に形成されたターゲットマーク（又はオブジェクトマーク）及び第２マスク部材３３０に形成されたオブジェクトマーク（又はターゲットマーク）を撮影する撮影部と、撮影部で撮影されたターゲットマークとオブジェクトマークの距離及び方向の誤差分だけ第２マスク部材３３０を移動させるマスク部材移動部とを含む。場合によっては、第２整列部が基板２００に対する第２マスク部材３３０の整列を行える他の構造を有するようにしてもよく、第２整列部１４０’’の構造に本発明が制限又は限定されるものではない。

撮影部は、ターゲットマーク及びオブジェクトマークを撮影するために備えられる。一例として、撮影部としては、ビジョンカメラなどの通常のカメラを用いることができる。

マスク部材移動部は、第２マスク部材３３０の底面を支持するマスク部材支持棒３０２を通常の駆動手段により３軸方向（例えば、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、又はＲ軸、θ軸、Ｚ軸）に移動させるように構成される。

また、高さ調整部３２０は、基板２００に対する第２マスク部材３３０の上下高さを調整する役割と共に、基板２００に対する第２マスク部材３３０の整列を行うマスク部材移動部の役割を行うようにしてもよい。場合によっては、高さ調整部とマスク部材移動部が別途設けられるようにしてもよい。

一方、基板２００が第１チャンバ１１０、第２チャンバ１１０’及び第３チャンバ１１０’’を順次経て処理される間、基板２００の上面には第１封止膜２２１、第２封止膜２２２及び第３封止膜２２３が順次積層されて多層封止膜２２０を形成する。

また、第１封止膜２２１は無機膜からなり、第２封止膜２２２は有機膜からなり、第３封止膜２２３は無機膜からなるようにしてもよい。なお、無機膜は所定の厚さ以上に形成することが困難であるので、第１封止膜２２１と第３封止膜２２３間にバッファ層の役割を果たす有機膜からなる第２封止膜２２２を形成することにより、多層封止膜２２０に酸素や水分などが浸透する浸透時間をより長くすることができるという有利な効果がある。

さらに、基板２００に対して第２マスク部材３３０を離隔（第２高さ）させて配置した状態で第３封止膜２２３が形成されるようにすることにより、多層封止膜２２０の縁部は、上部から下部に下向きに傾斜するように、すなわち上部から下部に行くほど広い幅（Ｗ１＜Ｗ２）を有するように、テーパ状に形成することができる。

このように、第２マスク部材３３０を基板２００の上面から離隔させて配置することにより、第２マスク部材３３０のマスクパターン３３２による蒸着面積を大きくすることができるので、すなわち、第２マスク部材３３０のマスクパターン３３２の領域よりも大きい領域で蒸着を行うことができるので、第３封止膜２２３は素子２１０の上面に加えて素子２１０の縁部の周辺も覆うように広く形成することができる。

一方、図１２は本発明による基板処理方法を説明するためのブロック図である。また、図１３〜図１６は本発明の他の実施形態による基板処理方法を説明するためのブロック図である。なお、前述した構成と同一又は類似の構成には同一又は類似の符号を付し、その詳細な説明は省略する。

図１２を参照すると、本発明による基板処理方法は、第１チャンバ１１０の内部に基板２００を配置する基板配置ステップ（Ｓ１０）と、第１チャンバ１１０の内部で基板２００の上面にマスク部材３１０、３３０を配置するマスク部材配置ステップ（Ｓ２０）と、基板２００に対するマスク部材３１０、３３０の配置高さ（Ｈ１、Ｈ２）を調整し、基板２００に形成された素子２１０を覆う封止膜２２１、２２３を形成する封止膜形成ステップ（Ｓ３０）とを含む。

（ステップ１−１）
まず、第１チャンバ１１０の内部に基板２００を配置する（Ｓ１０）。

基板配置ステップ（Ｓ１０）において、基板２００は、第１チャンバ１１０の側壁に形成された出入部から第１チャンバ１１０の内部に入り、第１チャンバ１１０の内部に入った基板２００は、基板支持台２０２に支持され、その後サセプタ１２０の上面に配置されるようにしてもよい（図１参照）。

（ステップ１−２）
次に、第１チャンバ１１０の内部で基板２００の上面にマスク部材３１０、３３０を配置する（Ｓ２０）。

マスク部材配置ステップ（Ｓ２０）において、マスク部材３１０、３３０は、第１チャンバ１１０の側壁に形成された出入部から第１チャンバ１１０の内部に入り、第１チャンバ１１０の内部に入ったマスク部材３１０、３３０は、マスク部材支持棒３０２に支持されるようにしてもよい。

マスク部材３１０、３３０には封止膜２２１、２２３を形成するためのマスクパターン３１２、３３２が形成され、マスクパターン３１２、３３２の領域により蒸着が行われて封止膜２２１、２２３が形成される。一例として、マスク部材は、マスクプレートと、マスクプレートに貼り付けられるマスクシートとを含み、マスクシート上にマスクパターンが形成されるようにしてもよい。場合によっては、別途のマスクシートを含まず、マスクプレートに直接マスクパターンが形成されるようにしてもよい。

（ステップ１−３）
次に、基板２００に対するマスク部材３１０、３３０の配置高さ（Ｈ１、Ｈ２）を調整し、基板２００に形成された素子２１０を覆う封止膜２２１、２２３を形成する（Ｓ３０）。

ここで、基板２００に形成された素子２１０とは、基板２００の上面に形成されて封止膜２２１、２２３により封止される被封止体を意味する。一例として、基板２００の上面に有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が形成され、有機発光ダイオードが空気中の酸素や水分などにさらされることによる性能や寿命の低下を防止するために、有機発光ダイオードを覆うように封止膜２２１、２２３が形成されてもよい。

封止膜形成ステップ（Ｓ３０）においては、基板２００から離隔（又は密着）して配置されたマスク部材３１０、３３０により封止膜２２１、２２３が形成される。

ここで、封止膜２２１、２２３は、マスク部材配置ステップ（Ｓ２０）で決定されたマスク部材３１０、３３０の配置高さ（Ｈ１、Ｈ２）によって蒸着面積が調整される。より具体的には、基板２００とマスク部材３１０、３３０との離隔間隔が大きくなると（基板に対するマスク部材の配置高さが高くなると）、マスク部材３１０、３３０のマスクパターン３１２、３３２により蒸着される封止膜２２１、２２３の蒸着面積が大きくなり（広く蒸着され）、逆に基板２００とマスク部材３１０、３３０との離隔間隔が小さくなると、マスク部材３１０、３３０のマスクパターン３１２、３３２により蒸着される封止膜２２１、２２３の蒸着面積が小さくなる。

封止膜形成ステップ（Ｓ３０）において、封止膜２２１、２２３は、無機膜からなることが好ましい。場合によっては、無機膜の代わりに他の素材で封止膜を形成してもよい。

封止膜形成ステップ（Ｓ３０）において、封止膜２２１、２２３の縁部は、上部から下部に行くほど広い幅を有するようにテーパ状に形成することがより好ましい。

すなわち、封止膜形成ステップ（Ｓ３０）においては、マスク部材３１０、３３０を基板２００に対して離隔させて配置した状態で封止膜２２１、２２３が形成されるようにすることにより、封止膜２２１、２２３の縁部は、上部から下部に下向きに傾斜するように、すなわち上部から下部に行くほど広い幅（Ｗ１＜Ｗ２）を有するようにテーパ状に形成することができる（図４及び図５参照）。

このように、マスク部材３１０、３３０を基板２００の上面から離隔させて配置することにより、マスク部材３１０、３３０のマスクパターン３１２、３３２による蒸着面積を大きくすることができるので、すなわち、マスク部材３１０、３３０のマスクパターン３１２、３３２の領域よりも大きい領域で蒸着を行うことができるので、封止膜２２１、２２３は素子２１０の上面に加えて素子２１０の縁部の周辺も覆うように広く形成することができる。

なお、封止膜の縁部が垂直に形成された場合（縁部の上部と下部の幅が同じ直角構造）は、封止膜の縁部から水分が容易に浸透して収率が低下し、ダークスポットの発生率が高くなるという問題があった。それに対して、本発明のように、封止膜２２１、２２３の縁部がテーパ状に形成された場合は、封止膜２２１、２２３の縁部での水分の浸透を防止することができるので、水分の浸透による収率の低下及びダークスポットの発生率を下げることができるという有利な効果がある。

また、図１３及び図１４を参照すると、本発明の他の実施形態による基板処理方法は、第１チャンバ１１０の内部に基板２００を配置する基板配置ステップ（Ｓ１０）と、第１チャンバ１１０の内部に第１マスク部材３１０を配置するステップであって、基板２００の上面から予め設定された第１高さ（Ｈ１）だけ離隔するように第１マスク部材３１０を配置する第１マスク部材配置ステップ（Ｓ２０）と、第１マスク部材３１０を用いて基板２００に形成された素子を覆う第１封止膜２２１を形成する第１封止膜形成ステップ（Ｓ３０）と、基板２００に対して第１高さ（Ｈ１）とは異なる第２高さに第２マスク部材３３０を配置する第２マスク部材配置ステップ（Ｓ４０）と、第２マスク部材３３０を用いて基板２００に形成された素子を覆う第３封止膜２２３を形成する第３封止膜形成ステップ（Ｓ５０）とを含む。

（ステップ２−１）
まず、第１チャンバ１１０の内部に基板２００を配置する（Ｓ１０）。

基板配置ステップ（Ｓ１０）において、基板２００は、第１チャンバ１１０の側壁に形成された出入部から第１チャンバ１１０の内部に入り、第１チャンバ１１０の内部に入った基板２００は、基板支持台２０２に支持され、その後サセプタ１２０の上面に配置されるようにしてもよい（図１参照）。

（ステップ２−２）
次に、基板２００の上面に対して予め設定された第１高さ（Ｈ１）に配置されるように、第１チャンバ１１０の内部に第１マスク部材３１０を配置する（Ｓ２０）。

第１マスク部材配置ステップ（Ｓ２０）において、第１マスク部材３１０は、第１チャンバ１１０の側壁に形成された出入部から第１チャンバ１１０の内部に入り、第１チャンバ１１０の内部に入った第１マスク部材３１０は、マスク部材支持棒３０２に支持されるようにしてもよい。

第１マスク部材３１０には第１封止膜２２１を形成するためのマスクパターン３１２が形成され、マスクパターン３１２の領域により蒸着が行われて第１封止膜２２１が形成される。一例として、マスク部材は、マスクプレートと、マスクプレートに貼り付けられるマスクシートとを含み、マスクシート上にマスクパターンが形成されるようにしてもよい。場合によっては、別途のマスクシートを含まず、マスクプレートに直接マスクパターンが形成されるようにしてもよい。

第１マスク部材配置ステップ（Ｓ２０）において、第１マスク部材３１０の配置高さ（第１高さ）は、要求される条件及び蒸着環境に応じて様々に変更することができ、第１高さ（Ｈ１）に本発明が制限又は限定されるものではない。

（ステップ２−３）
次に、第１マスク部材３１０を用いて基板２００に形成された素子を覆う第１封止膜２２１を形成する（Ｓ３０）。

ここで、基板２００に形成された素子２１０とは、基板２００の上面に形成されて第１封止膜２２１により封止される被封止体を意味する。一例として、基板２００の上面に有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が形成され、有機発光ダイオードが空気中の酸素や水分などにさらされることによる性能や寿命の低下を防止するために、有機発光ダイオードを覆うように第１封止膜２２１が形成されてもよい。

第１封止膜形成ステップ（Ｓ３０）においては、基板２００から離隔した第１高さ（Ｈ１）に配置された第１マスク部材３１０により第１封止膜２２１が形成される（図２参照）。

ここで、第１封止膜２２１は、第１マスク部材配置ステップ（Ｓ２０）で決定された第１マスク部材３１０の第１高さ（Ｈ１）によって蒸着面積が調整される。より具体的には、基板２００と第１マスク部材３１０との離隔間隔（第１高さ）が大きくなると（基板に対する第１マスク部材の配置高さが高くなると）、第１マスク部材３１０のマスクパターン３１２により蒸着される第１封止膜２２１の蒸着面積が大きくなり（広く蒸着され）、逆に基板２００と第１マスク部材３１０との離隔間隔が小さくなると、第１マスク部材３１０のマスクパターン３１２により蒸着される第１封止膜２２１の蒸着面積が小さくなる。

第１封止膜形成ステップ（Ｓ３０）において、第１封止膜２２１は、無機膜からなることが好ましい。場合によっては、無機膜の代わりに他の素材で第１封止膜を形成してもよい。

一方、本発明の他の実施形態による基板処理方法は、第１封止膜２２１が形成された基板２００の上部に第２封止膜２２２（図３参照）を形成するステップ（Ｓ３５）を含んでもよい。

第２封止膜２２２を形成するステップ（Ｓ３５）において、基板２００は第２チャンバ１１０’に移送され、第２チャンバ１１０’で基板２００の上面（第１封止膜２２１の上面）に第２封止膜２２２が形成されるようにしてもよい。第２封止膜２２２は、有機膜からなり、第１封止膜２２１の上面を部分的に覆うように形成されることが好ましい。

第２封止膜２２２を形成するステップ（Ｓ３５）においては、要求される条件及び設計仕様に応じて様々な方式で第２封止膜２２２を形成することができる。

一例として、第２チャンバ１１０’の内部には、第２封止膜２２２をインクジェットプリントするインクジェットプリンタ３２０’が備えられ、第２封止膜２２２を形成するステップ（Ｓ３５）において、第２封止膜２２２は、インクジェットプリントにより形成されるようにしてもよい（図３参照）。場合によっては、第２チャンバの内部で真空状態にして第２封止膜を蒸着形成するようにしてもよい。

（ステップ２−４）
次に、基板２００に対して第１高さ（Ｈ１）とは異なる第２高さに配置されるように、第１チャンバ１１０の内部に第２マスク部材３３０を配置する（Ｓ４０）。

第２マスク部材配置ステップ（Ｓ４０）において、第２マスク部材３３０は、第１チャンバ１１０の側壁に形成された出入部から第１チャンバ１１０の内部に入り、第１チャンバ１１０の内部に入った第２マスク部材３３０は、マスク部材支持棒３０２に支持されるようにしてもよい。

第２マスク部材３３０には、第１マスク部材３１０と同じマスクパターン３３２が形成される。ここで、第２マスク部材３３０に第１マスク部材３１０と同じマスクパターン（３１２＝３３２）が形成されるとは、第２マスク部材３３０と第１マスク部材３１０とが同じサイズ及びレイヤ特性を有し、第２マスク部材３３０と第１マスク部材３１０とに同じ大きさ及び形状のマスクパターン３１２、３３２が形成されることを意味する。すなわち、第１マスク部材３１０及び第２マスク部材３３０として規格化（又は標準化）された単一種類のマスク部材が用いられるものと理解できる。

一例として、第１マスク部材３１０及び第２マスク部材３３０としては、規格化（又は標準化）された単一種類のマスク部材を用いてもよい。すなわち、同じ規格を有するように同一に形成された２つのマスク部材のいずれか一方を第１マスク部材配置ステップ（Ｓ２０）で第１マスク部材３１０として用い、他方を第２マスク部材配置ステップ（Ｓ４０）で第２マスク部材３３０として用いるようにしてもよい。

他の例として、第２マスク部材配置ステップ（Ｓ４０）において、第２マスク部材３３０は、第２高さに配置された第１マスク部材３１０であってもよい。すなわち、第１マスク部材３１０及び第２マスク部材３３０として単一の共用マスク部材が用いられ、共用マスク部材が第１高さ（Ｈ１）に配置されると第１マスク部材３１０として用いられ、第２マスク部材配置ステップ（Ｓ４０）で共用マスク部材が第２高さ（Ｈ２）に配置されると第２マスク部材３３０として用いられるようにしてもよい。

第２マスク部材配置ステップ（Ｓ４０）において、第２マスク部材３３０は、第２高さで基板２００の上面に密着するか又は基板２００の上面から離隔して配置されるようにしてもよい。一例として、第２マスク部材配置ステップ（Ｓ４０）において、第２マスク部材３３０は、第２高さ（Ｈ２）で基板２００の上面から離隔して配置され、第２高さ（Ｈ２）（図４参照）が第１高さ（Ｈ１）（図２参照）より大きい値（Ｈ２＞Ｈ１）に設定されるようにしてもよい。場合によっては、第２マスク部材が第２高さで第１高さ（Ｈ１）より低い位置に配置されるようにしてもよい。

（ステップ２−５）
次に、第２マスク部材３３０を用いて基板２００に形成された素子を覆う第３封止膜２２３を形成する（Ｓ５０）。

第３封止膜形成ステップ（Ｓ５０）においては、基板２００から離隔した第２高さに配置された第２マスク部材３３０により第３封止膜２２３が形成される（図４参照）。

ここで、第３封止膜２２３は、第２マスク部材配置ステップ（Ｓ４０）で決定された第２マスク部材３３０の第２高さによって蒸着面積が調整される。より具体的には、基板２００と第２マスク部材３３０との離隔間隔が大きくなると（基板に対する第２マスク部材の配置高さが高くなると）、第２マスク部材３３０のマスクパターン３３２により蒸着される第３封止膜２２３の蒸着面積が大きくなり（広く蒸着され）、逆に基板２００と第２マスク部材３３０との離隔間隔が小さくなると、第２マスク部材３３０のマスクパターン３３２により蒸着される第３封止膜２２３の蒸着面積が小さくなる。

第３封止膜形成ステップ（Ｓ５０）において、第３封止膜２２３は、無機膜からなることが好ましい。場合によっては、無機膜の代わりに他の素材で第３封止膜を形成してもよい。

一方、図１３においては、第１マスク部材３１０を基板２００から離隔させて配置した状態で第１封止膜２２１を形成し、その後第２マスク部材３３０を基板２００から離隔させて配置した状態で第３封止膜２２３を形成する例を示すが、他の例として、図１４に示すように、第１マスク部材３１０を基板２００に密着させて配置した状態で第１封止膜２２１を形成し、その後第２マスク部材３３０を基板２００から離隔させて配置した状態で第３封止膜２２３を形成するようにしてもよい。また、図１４に示すように、第１封止膜２２１を形成するステップ（Ｓ３０’）と第３封止膜２２３を形成するステップ（Ｓ５０’）との間に、第２封止膜２２２を形成するステップ（Ｓ３５’）を追加してもよい。

また、図１５を参照すると、本発明のさらに他の実施形態による基板処理方法は、第１チャンバ１１０の内部に基板２００を配置する基板配置ステップ（Ｓ１０）と、第１チャンバ１１０の内部で基板２００の上方に第１マスク部材３１０を配置する第１マスク部材配置ステップ（Ｓ２０）と、第１マスク部材３１０を用いて基板２００に形成された素子を覆う第１封止膜２２１’を形成する第１封止膜形成ステップ（Ｓ３０）と、第１封止膜２２１’の形成中に第１マスク部材３１０による蒸着面積が調整されるように、基板２００に対する第１マスク部材３１０の配置高さを調整する高さ調整ステップ（Ｓ４０）とを含む。

（ステップ３−１）
まず、第１チャンバ１１０の内部に基板２００を配置する（Ｓ１０）。

基板配置ステップ（Ｓ１０）において、基板２００は、第１チャンバ１１０の側壁に形成された出入部から第１チャンバ１１０の内部に入り、第１チャンバ１１０の内部に入った基板２００は、基板支持台２０２に支持され、その後サセプタ１２０の上面に配置されるようにしてもよい（図１参照）。

（ステップ３−２）
次に、第１チャンバ１１０の内部で基板２００の上方に第１マスク部材３１０を配置する（Ｓ２０）。

第１マスク部材配置ステップ（Ｓ２０）において、第１マスク部材３１０は、第１チャンバ１１０の側壁に形成された出入部から第１チャンバ１１０の内部に入り、第１チャンバ１１０の内部に入った第１マスク部材３１０は、マスク部材支持棒３０２に支持されるようにしてもよい。

第１マスク部材３１０には封止膜を形成するためのマスクパターン３１２が形成され、マスクパターン３１２の領域により蒸着が行われて第１封止膜２２１’が形成される。第１マスク部材配置ステップ（Ｓ２０）において、第１マスク部材３１０の配置高さ（第１高さ）は、要求される条件及び蒸着環境に応じて様々に変更することができ、第１高さ（Ｈ１）に本発明が制限又は限定されるものではない。

また、第１マスク部材配置ステップ（Ｓ２０）において、第１マスク部材３１０は、基板２００の上面に対して予め設定された第１高さ（Ｈ１）に配置される。ここで、第１マスク部材３１０は、第１高さ（Ｈ１）で基板２００の上面に密着するか又は基板２００の上面から離隔して配置されるようにしてもよい。

（ステップ３−３）
次に、第１マスク部材３１０を用いて基板２００に形成された素子を覆う第１封止膜２２１’（図９参照）を形成する（Ｓ３０）。

第１封止膜形成ステップ（Ｓ３０）においては、基板２００に対して第１高さ（Ｈ１）に配置（例えば、離隔して配置）された第１マスク部材３１０により第１封止膜２２１’が形成される。

第１封止膜形成ステップ（Ｓ３０）において、第１封止膜２２１’は、無機膜からなることが好ましい。場合によっては、無機膜の代わりに他の素材で第１封止膜を形成してもよい。

（ステップ３−４）
次に、第１封止膜２２１’の形成中に第１マスク部材３１０による蒸着面積が調整されるように、基板２００に対する第１マスク部材３１０の配置高さを調整する（Ｓ４０）。

高さ調整ステップ（Ｓ４０）においては、基板２００に対する第１マスク部材３１０の配置高さを調整することにより、第１封止膜２２１’の形成中に（チャンバの内部にプロセスガスが供給されて第１マスク部材による蒸着工程が行われている途中で）、第１マスク部材３１０による第１封止膜２２１’の蒸着面積が連続的に調整される。

このように、高さ調整ステップ（Ｓ４０）においては、第１マスク部材３１０による蒸着工程中に基板２００に対する第１マスク部材３１０の配置高さを調整することにより、単一素材からなる第１封止膜２２１’を多層構造（蒸着面積が異なる封止膜が連続的に積層された構造）に形成できるという有利な効果がある。特に、本発明においては、単一種類の第１マスク部材３１０のみで多層構造の第１封止膜２２１’を形成することができるので、マスク部材の製作コストを削減できるという効果があり、封止膜の構造及び製造工程を簡素化できることは言うまでもなく、様々な構造の封止膜を形成できるという有利な効果がある。

高さ調整ステップ（Ｓ４０）においては、第１封止膜２２１’の形成中に第１マスク部材３１０の配置高さを徐々に高くすることにより、第１封止膜２２１’の縁部を上部から下部に下向きに傾斜するようにテーパ状に形成することが好ましい。場合によっては、高さ調整ステップにおいて、第１封止膜の形成中に第１マスク部材の配置高さを徐々に低くするようにしてもよい。

場合によっては、第１高さに固定配置された第１マスク部材を用いて素子を覆う第１封止膜を形成し、その後基板に対する第２マスク部材の配置高さを徐々に調整することにより、第１封止膜の上部に多層構造の第３封止膜を形成するようにしてもよい。

一方、図１６を参照すると、本発明のさらに他の実施形態による基板処理方法は、第１チャンバ１１０の内部で第１マスク部材３１０を用いて基板２００の上面に形成された素子２１０を覆うように第１封止膜２２１を形成する第１封止膜形成ステップ（Ｓ１０）と、第２チャンバ１１０’の内部で第１封止膜２２１の上面に第２封止膜２２２を形成する第２封止膜形成ステップ（Ｓ２０）と、第３チャンバ１１０’’の内部で第１マスク部材３１０と同じマスクパターン３３２が形成された第２マスク部材３３０を用いて第２封止膜２２２の上面に第３封止膜２２３を形成する第３封止膜形成ステップ（Ｓ３０）とを含む。

（ステップ４−１）
まず、第１チャンバ１１０の内部で第１マスク部材３１０を用いて基板２００の上面に形成された素子２１０を覆うように第１封止膜２２１を形成する（Ｓ１０）。

基板２００は、第１チャンバ１１０の側壁に形成された出入部から第１チャンバ１１０の内部に入り、第１チャンバ１１０の内部に入った基板２００は、基板支持台２０２に支持され、その後サセプタ１２０の上面に配置されるようにしてもよい（図１参照）。

第１封止膜形成ステップ（Ｓ１０）において、第１マスク部材３１０は、第１チャンバ１１０の内部で基板２００の上面に対して第１高さに配置され、第１マスク部材３１０が基板２００の上面に対して第１高さに配置された状態で第１マスク部材３１０のマスクパターン３１２の領域により蒸着が行われることにより、基板２００に形成された素子２１０を覆うように第１封止膜２２１が形成される。

ここで、第１マスク部材３１０は、第１高さで基板２００の上面に密着するか又は基板２００の上面から離隔して配置されるようにしてもよい。以下、第１封止膜形成ステップ（Ｓ１０）において第１マスク部材３１０が第１高さで基板２００の上面に密着して配置される場合を例に挙げて説明する。

ここで、基板２００に形成された素子２１０とは、基板２００の上面に形成されて第１封止膜２２１により封止される被封止体を意味する。一例として、基板２００の上面に有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が形成され、有機発光ダイオードが空気中の酸素や水分などにさらされることによる性能や寿命の低下を防止するために、有機発光ダイオードを覆うように第１封止膜２２１が形成されてもよい。第１封止膜２２１は、無機膜からなることが好ましい。

（ステップ４−２）
次に、第２チャンバ１１０’の内部で第１封止膜２２１の上面に第２封止膜２２２を形成する（Ｓ２０）。

第１封止膜形成ステップ（Ｓ１０）で第１封止膜２２１が形成された基板２００は第２チャンバ１１０’に移送され、基板２００が第２チャンバ１１０’の内部に配置された状態で第１封止膜２２１の上面に第２封止膜２２２が形成される。

第２封止膜形成ステップ（Ｓ２０）において、第２封止膜２２２は、有機膜からなり、第１封止膜２２１の上面を部分的に覆うように形成されることが好ましい。

第２封止膜形成ステップ（Ｓ２０）においては、要求される条件及び設計仕様に応じて様々な方式で第２封止膜２２２を形成することができる。

一例として、第２チャンバ１１０’の内部には、第２封止膜２２２をインクジェットプリントするインクジェットプリンタ３２０’が備えられ、第２封止膜形成ステップ（Ｓ２０）において、第２封止膜２２２は、インクジェットプリントにより形成されるようにしてもよい（図７参照）。このように、第２チャンバ１１０’の内部でインクジェットプリンタ３２０’を用いて第２封止膜２２２を形成することにより、構造を簡素化し、かつ第２封止膜２２２の形成工程を短縮することができるという有利な効果がある。特に、インクジェットプリンタ３２０’は、大気圧状態で第２封止膜２２２を形成することができ、作業工程が非常に簡単で速いので収率を向上させることができる。場合によっては、第２チャンバの内部で真空状態にして第２封止膜を蒸着形成するようにしてもよい。

（ステップ４−３）
次に、第３チャンバ１１０’’の内部で第１マスク部材３１０と同じマスクパターン３３２が形成された第２マスク部材３３０を用いて第２封止膜２２２の上面に第３封止膜２２３を形成する（Ｓ３０）。

第３封止膜形成ステップ（Ｓ３０）においては、第２封止膜形成ステップ（Ｓ２０）で第２封止膜２２２が形成された基板２００が第３チャンバ１１０’’に移送される。基板２００は、第３チャンバ１１０’’の側壁に形成された出入部から第３チャンバ１１０’’の内部に入り、第３チャンバ１１０’’の内部に入った基板２００は、基板支持台２０２に支持され、その後サセプタ１２０の上面に配置されるようにしてもよい（図１０参照）。

第３封止膜形成ステップ（Ｓ３０）において、第２マスク部材３３０は、第３チャンバ１１０’’の内部で第１高さより高い第２高さに配置され、第２マスク部材３３０が基板２００の上方に配置された状態で第２マスク部材３３０のマスクパターン３３２の領域により蒸着が行われることにより、基板２００に形成された素子２１０を覆うように第３封止膜２２３が形成される（図１１参照）。

ここで、第２マスク部材３３０は、第２高さで基板２００の上面に密着するか又は基板２００の上面から離隔して配置されるようにしてもよい。以下、第３封止膜形成ステップ（Ｓ３０）において第２マスク部材３３０が第２高さで基板２００の上面から離隔して配置される場合を例に挙げて説明する。

なお、第３封止膜形成ステップ（Ｓ３０）においては、第１マスク部材３１０と同じマスクパターン３３２が形成された第２マスク部材３３０が用いられる。ここで、第２マスク部材３３０に第１マスク部材３１０と同じマスクパターン３３２が形成されるとは、第２マスク部材３３０と第１マスク部材３１０とが同じサイズ及びレイヤ特性を有し、第２マスク部材３３０と第１マスク部材３１０とに同じ大きさ及び形状のマスクパターン３１２、３３２が形成されることを意味する。すなわち、第１マスク部材３１０及び第２マスク部材３３０として規格化（又は標準化）された単一種類のマスク部材が用いられるものと理解できる。

第３封止膜形成ステップ（Ｓ３０）において、第３封止膜２２３は、無機膜からなり、第２封止膜２２２の上面を全体的に覆うように形成されることが好ましい。

このように、基板２００の上面には第１封止膜２２１、第２封止膜２２２及び第３封止膜２２３が順次積層されて多層封止膜２２０を形成する。

無機膜は所定の厚さ以上に形成することが困難であるので、第１封止膜２２１と第３封止膜２２３間にバッファ層の役割を果たす有機膜からなる第２封止膜２２２を形成することにより、多層封止膜２２０に酸素や水分などが浸透する浸透時間をより長くすることができるという有利な効果がある。

また、第３封止膜形成ステップ（Ｓ３０）においては、基板２００に対して第２マスク部材３３０を離隔（第２高さ）させて配置した状態で第３封止膜２２３が形成されるようにすることにより、多層封止膜２２０の縁部は、上部から下部に下向きに傾斜するように、すなわち上部から下部に行くほど広い幅（Ｗ１＜Ｗ２）を有するように、テーパ状に形成することができる。

このように、第３封止膜形成ステップ（Ｓ３０）において、第２マスク部材３３０を基板２００の上面から離隔させて配置することにより、第２マスク部材３３０のマスクパターン３３２による蒸着面積を大きくすることができるので、すなわち、第２マスク部材３３０のマスクパターン３３２の領域よりも大きい領域で蒸着を行うことができるので、第３封止膜２２３は素子２１０の上面に加えて素子２１０の縁部の周辺も覆うように広く形成することができる。

なお、多層封止膜の縁部が垂直に形成された場合（縁部の上部と下部の幅が同じ直角構造）は、多層封止膜の縁部から水分が容易に浸透して収率が低下し、ダークスポットの発生率が高くなるという問題があった。それに対して、本発明のように、多層封止膜２２０の縁部がテーパ状に形成された場合は、多層封止膜２２０の縁部での水分の浸透を防止することができるので、水分の浸透による収率の低下及びダークスポットの発生率を下げることができるという有利な効果がある。

一方、第３封止膜形成ステップ（Ｓ３０）においては、第３チャンバ１１０’’及び第１チャンバ１１０として単一のチャンバを共用で使用（第３チャンバとして第１チャンバを使用）し、第１チャンバ１１０に戻ってきた基板２００の上面に第３封止膜２２３を形成するようにしてもよい。

すなわち、第３封止膜形成ステップ（Ｓ３０）においては、第３チャンバ１１０’’及び第１チャンバ１１０として単一のチャンバを共用で使用し、第２封止膜２２２が形成された後に第１チャンバ１１０に戻ってきた基板２００の上面に第３封止膜２２３を形成するようにしてもよい。

ここで、基板２００が第１チャンバ１１０に戻ってくるとは、基板２００が第１チャンバ１１０と第２チャンバ１１０’を経て再び第１チャンバ１１０（第３チャンバの役割）に戻ってくることを意味する。

このように、第１チャンバ１１０及び第３チャンバ１１０’’として単一のチャンバを共用で使用することにより、設備を簡素化して設備の装着に必要な空間を減少させることができるという効果と、製造コストを削減することができるという効果がある。場合によっては、第３封止膜形成ステップ（Ｓ３０）で使用される第３チャンバとして、第１チャンバとは独立した別途のチャンバを提供するようにしてもよい。

以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、添付の特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない限り様々な修正及び変更が可能であることを理解するであろう。

１１０ 第１チャンバ
１１０’ 第２チャンバ
１１０’’ 第３チャンバ
１２０ サセプタ
１３０ シャワーヘッド
１４０ 整列部
２００ 基板
２１０ 素子
２２０ 封止膜
２２１ 第１封止膜
２２２ 第２封止膜
２２３ 第３封止膜
３１０ 第１マスク部材
３１２ マスクパターン
３２０ 高さ調整部
３２０’ インクジェットプリンタ
３３０ 第２マスク部材
３３２ マスクパターン
４００ 制御部

Claims (25)

1. 基板処理方法において、
   チャンバの内部に基板を配置する基板配置段階と、
   前記チャンバの内部で前記基板の上面にマスク部材を配置するマスク部材配置段階と、
   前記基板に対する前記マスク部材の配置高さを調整し、前記基板に形成された素子を覆う封止膜を形成する封止膜形成段階とを含み、
   前記封止膜の蒸着面積が調整されるように前記封止膜形成段階中に前記基板に対する前記マスク部材の配置高さを徐々に変化させる高さ調整段階を少なくとも１回含むことを特徴とする基板処理方法。
2. 前記封止膜形成段階は、
   前記マスク部材を前記基板の上面に対して第１高さに配置する第１配置段階と、
   前記第１高さに配置された前記マスク部材を用いて第１封止膜を形成する第１封止膜形成段階と、
   前記マスク部材を前記基板に対して前記第１高さとは異なる第２高さに配置する第２配置段階と、
   前記第２高さに配置された前記マスク部材を用いて前記第１封止膜を覆う第２封止膜を形成する第２封止膜形成段階とを含み、
   前記第１封止膜形成段階及び前記第２封止膜形成段階のうち少なくとも１つは前記高さ調整段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
3. 前記マスク部材は、前記第１高さに配置される第１マスク部材と、前記第２高さに配置される第２マスク部材とを含み、
   前記第２マスク部材は、前記第２高さに配置された前記第１マスク部材であることを特徴とする請求項２に記載の基板処理方法。
4. 前記高さ調整段階においては、前記基板に対する前記マスク部材の配置高さを徐々に高くすることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
5. 前記高さ調整段階においては、前記基板に対する前記マスク部材の配置高さを徐々に低くすることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
6. 基板処理システムにおいて、
   チャンバと、
   前記チャンバの内部に配置され、基板が載置されるサセプタと、
   前記基板の上方に配置されるマスク部材と、
   前記基板に対する前記マスク部材の配置高さを調整する制御部とを含み、
   前記制御部により高さ調整された前記マスク部材を用いて前記基板に形成された素子を覆う封止膜を形成すること及び前記封止膜の蒸着面積が調整されるように前記封止膜の形成中に前記基板に対する前記マスク部材の配置高さを徐々に変化させることを特徴とする基板処理システム。
7. 前記制御部は、前記マスク部材を前記基板の上面に対して第１高さに配置するか又は前記基板に対して前記第１高さとは異なる第２高さに配置し、
   前記マスク部材が前記第１高さに配置されたとき、前記素子を覆う第１封止膜が形成され、
   前記マスク部材が前記第２高さに配置されたとき、前記第１封止膜を覆う第２封止膜が形成されることを特徴とする請求項６に記載の基板処理システム。
8. 前記制御部は、前記第１高さで前記マスク部材を前記基板の上面に密着させることを特徴とする請求項７に記載の基板処理システム。
9. 前記制御部は、前記第１高さで前記マスク部材を前記基板の上面から離隔させることを特徴とする請求項７に記載の基板処理システム。
10. 前記マスク部材は、前記第１高さに配置される第１マスク部材と、前記第２高さに配置される第２マスク部材とを含み、
    前記第２マスク部材は、前記第２高さに配置された前記第１マスク部材であることを特徴とする請求項７に記載の基板処理システム。
11. 前記制御部は、前記封止膜の蒸着面積が調整されるように前記基板に対する前記マスク部材の配置高さを徐々に高くすることを特徴とする請求項６から１０のいずれか１項に記載の基板処理システム。
12. 前記制御部は、前記封止膜の蒸着面積が調整されるように前記基板に対する前記マスク部材の配置高さを徐々に低くすることを特徴とする請求項６から１０のいずれか１項に記載の基板処理システム。
13. 基板処理システムにおいて、
    第１チャンバと、
    前記第１チャンバの内部に配置され、前記第１チャンバで基板の上面に形成された素子を覆うように第１封止膜を形成する第１マスク部材と、
    前記第１チャンバとは独立して備えられ、前記第１封止膜の上面に第２封止膜が形成される第２チャンバと、
    前記第２チャンバとは独立して備えられる第３チャンバと、
    前記第１マスク部材と同じマスクパターンが形成され、前記第３チャンバの内部に配置され、前記第３チャンバで前記第２封止膜の上面に第３封止膜を形成する第２マスク部材と、を含み、
    前記第３封止膜の蒸着面積が調整されるように前記第３封止膜の形成中に前記基板に対する前記第２マスク部材の配置高さを徐々に変化させることを特徴とする基板処理システム。
14. 前記第１マスク部材は、前記第１チャンバの内部で前記基板の上面に対して第１高さに配置され、
    前記第２マスク部材は、前記第３チャンバの内部で前記第１高さより高い第２高さに配置されることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理システム。
15. 前記素子は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、
    前記第１封止膜は無機膜からなり、前記第２封止膜は有機膜からなり、前記第３封止膜は無機膜からなることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理システム。
16. 前記第３チャンバとして前記第１チャンバを使用し、
    前記第２封止膜が形成された後に前記第１チャンバに戻ってきた前記基板の上面に前記第３封止膜が形成されることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理システム。
17. 前記第３封止膜の形成中に前記基板に対する前記第２マスク部材の配置高さを徐々に高くすることを特徴とする請求項１３から１６のいずれか１項に記載の基板処理システム。
18. 前記第３封止膜の形成中に前記基板に対する前記第２マスク部材の配置高さを徐々に低くすることを特徴とする請求項１３から１６のいずれか１項に記載の基板処理システム。
19. 基板処理方法において、
    第１チャンバの内部で第１マスク部材を用いて基板の上面に形成された素子を覆うように第１封止膜を形成する第１封止膜形成段階と、
    第２チャンバの内部で前記第１封止膜の上面に第２封止膜を形成する第２封止膜形成段階と、
    第３チャンバの内部で前記第１マスク部材と同じマスクパターンが形成された第２マスク部材を用いて前記第２封止膜の上面に第３封止膜を形成する第３封止膜形成段階とを含み、
    前記第３封止膜の蒸着面積が調整されるように前記第３封止膜形成段階中に前記基板に対する前記第２マスク部材の配置高さを徐々に変化させる高さ調整段階を少なくとも１回含むことを特徴とする基板処理方法。
20. 前記第１封止膜形成段階においては、前記第１マスク部材を前記基板の上面に対して第１高さに配置し、
    前記第３封止膜形成段階においては、前記第２マスク部材を前記第１高さより高い第２高さに配置することを特徴とする請求項１９に記載の基板処理方法。
21. 前記第１封止膜形成段階においては、前記第１封止膜が前記素子を全体的に覆うように形成され、
    前記第２封止膜形成段階においては、前記第２封止膜が前記第１封止膜の上面を部分的に覆うように形成され、
    前記第３封止膜形成段階においては、前記第３封止膜が前記第２封止膜を全体的に覆うように形成されることを特徴とする請求項１９に記載の基板処理方法。
22. 前記素子は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、
    前記第１封止膜は無機膜からなり、前記第２封止膜は有機膜からなり、前記第３封止膜は無機膜からなることを特徴とする請求項２１に記載の基板処理方法。
23. 前記第３封止膜形成段階においては、前記第３チャンバとして前記第１チャンバを使用し、前記第１チャンバに戻ってきた前記基板の上面に前記第３封止膜を形成することを特徴とする請求項１９に記載の基板処理方法。
24. 前記高さ調整段階においては、前記基板に対する前記第２マスク部材の配置高さを徐々に高くすることを特徴とする請求項１９から２３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
25. 前記高さ調整段階においては、前記基板に対する前記第２マスク部材の配置高さを徐々に低くすることを特徴とする請求項１９から２３のいずれか１項に記載の基板処理方法。

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