JP6455314B2 - 回転検出装置 - Google Patents

Description

本発明は、回転体の回転角度を検出する回転検出装置に関する。

従来より、磁界の変化に応じて検出信号を出力する磁気抵抗素子を備えた回転検出装置が、例えば特許文献１で提案されている。磁気抵抗素子は、基板の表面に薄膜の線状パターンとして形成されていると共に磁界の変化に応じて抵抗値が変化する磁気検知部を有している。また、磁気抵抗素子は、被検出体である回転体の外周部に対して一定の距離を持って配置される。さらに、磁気抵抗素子は、回転体の回転方向に配置された一対の磁極の中央に配置される。

特開平１０−２２７８０７号公報

ここで、回転体の回転に伴って磁気検知部の抵抗値が大きく変化するように、磁気抵抗素子は基板の表面が一対の磁極によって形成される磁界の向きに対して平行に配置されることが望ましい。逆に、基板の表面が磁極によって形成される磁界の向きに対して垂直に配置された場合、磁気検知部において十分な抵抗値の変化が得られなくなってしまう。

したがって、基板の表面が磁極によって形成される磁界の向きに対して垂直に配置されないように、回転体に対して回転検出装置を搭載しなければならない。このように、磁気検知部において抵抗値の変化が十分得られるようにするためには、回転体に対する基板の表面の向き、すなわち回転検出装置の搭載角度が制限されてしまうという問題がある。

本発明は上記点に鑑み、回転体に対する搭載角度の制約を無くすことができる回転検出装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、第１磁極（２２１）と、第１磁極（２２１）から一定の間隔を持って配置されていると共に第１磁極（２２１）とは逆の磁性の第２磁極（２２３）と、を有し、回転体（１００）の外周部（１１０）から離間して配置されるバイアス磁石（２２０）を備えている。

また、一面（２４１）と、一面（２４１）に形成されていると共に回転体（１００）の回転に伴って変化する磁界に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗素子（２５０）と、を有するセンサチップ（２３０）を備えている。

さらに、一方向に延びる収容部（２１１）を有し、収容部（２１１）にバイアス磁石（２２０）及びセンサチップ（２３０）を収容したケース（２１０）を備えている。

そして、収容部（２１１）の一方向に平行な軸を収容軸（２１２）と定義すると共に、収容軸（２１２）に垂直な直線を仮想直線（２１３）と定義すると、第１磁極（２２１）及び第２磁極（２２３）は仮想直線（２１３）が通過するように配置されている。

さらに、仮想直線（２１３）に垂直な面を垂直面（２１４）と定義すると、センサチップ（２３０）の一面（２４１）が垂直面（２１４）に対して傾けられており、かつ、仮想直線（２１３）に垂直な垂直方向において一面（２４１）の中心位置（２４２）が仮想直線（２１３）のうち第１磁極（２２１）と第２磁極（２２３）との中央位置から第１磁極（２２１）及び第２磁極（２２３）のうちのいずれか一方に近づいて配置されていることを特徴とする。

センサチップ（２３０）の一面（２４１）が垂直面（２１４）に対して傾けられていることで、回転体（１００）の回転に伴う磁束向きの変化の仮想直線（２１３）と収容軸（２１２）を含む面内の成分を検出することができる。よって、磁束の向きの変化が収容軸（２１２）に対称となり磁束が常に垂直面（２１４）を垂直に貫く条件であって、磁束の向きの変化が検出できる。また、センサチップ（２３０）の一面（２４１）の中心位置（２４２）が各磁極（２２１、２２３）に近づいて配置されているので、回転体（１００）の回転に伴う磁束の方向が大きく変化する位置にセンサチップ（２３０）が配置される。つまり、仮想直線（２１３）を基準とした磁束の傾きの最大値と最小値との差が大きくなるので、センサチップ（２３０）の一面（２４１）が垂直面（２１４）に対して傾けられていても、抵抗値の充分な変化を検出することができる。このため、収容軸（２１２）を中心に収容部（２１１）がどの角度に回転させられても、回転体（１００）の回転を検出することができる。したがって、回転体（１００）に対する回転検出装置の搭載角度の制約を無くすことができる。

なお、この欄及び特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

本発明の第１実施形態に係る回転検出装置と回転体との配置関係を示した図である。 図１に示された回転検出装置の構成を示した図である。 （ａ）は磁気抵抗素子の平面図であり、（ｂ）は（ａ）の等価回路図である。 収容軸、仮想直線、及び垂直面を説明するための図である。 （ａ）は回転体の溝部に対応した位置におけるバイアス磁石の磁界を示した図であり、（ｂ）は回転体の突起部に対応した位置におけるバイアス磁石の磁界を示した図である。 本発明の第２実施形態に係るバイアス磁石を示した図である。 本発明の第３実施形態に係るバイアス磁石を示した図である。 本発明の第４実施形態に係るバイアス磁石を示した図である。 本発明の第５実施形態に係るバイアス磁石を示した図である。 本発明の第６実施形態に係る回転検出装置の構成を示した図である。 （ａ）は相対角度θが９０度未満の場合の各センサチップの出力信号の波形を示した図であり、（ｂ）は（ａ）の差動信号を示した図である。 （ａ）は相対角度θが９０度の場合の各センサチップの出力信号の波形を示した図であり、（ｂ）は（ａ）の差動信号を示した図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。本発明に係る回転検出装置は、例えば車両のトランスミッションを構成する動力伝達用歯車の回転数を検出するために用いられるものである。

図１に示されるように、車両のトランスミッションに設けられた回転体１００の外周部１１０に対向するように回転検出装置２００が配置されている。回転体１００は例えば磁性体ロータである。また、回転体１００は歯車型に構成されており、突起部１２０と溝部１３０とが所定角度毎に外周部１１０に交互に設けられている。突起部１２０が歯に該当する。

回転検出装置２００は回転体１００の外周部１１０から離間して配置されるケース２１０を有している。図２に示されるように、ケース２１０は、回転体１００の回転態様を検出する構成を収容するための収容部２１１を有している。収容部２１１は、回転体１００の外周部１１０側である一方向に延びるように構成されている。

また、回転検出装置２００は、バイアス磁石２２０及びセンサチップ２３０を有している。バイアス磁石２２０は、センサチップ２３０に対してバイアス磁界を付与するものであり、回転体１００の外周部１１０から離間して配置されている。本実施形態では、バイアス磁石２２０は、第１磁極２２１を有する第１棒磁石２２２と、第１磁極２２１とは逆の磁性の第２磁極２２３を有する第２棒磁石２２４と、を有して構成されている。

各棒磁石２２２、２２４は四角柱状に形成されている。また、各棒磁石２２２、２２４は収容部２１１の一方向に沿って並べられている。そして、第１磁極２２１と第２磁極２２３とは一定の間隔を持って配置されている。本実施形態では、第１磁極２２１をＮ極とし、第２磁極２２３をＳ極とする。

センサチップ２３０は、回転体１００の回転に伴って外周部１１０の位置すなわち回転角度に応じた検出信号を出力するセンシング手段である。センサチップ２３０は、基板２４０、磁気抵抗素子２５０、電源端子２６０、グランド端子２６１、及び出力端子２６２を有している。

基板２４０は、例えばシリコン基板等の板状の半導体基板の上にＳｉＯ₂等の図示しない絶縁膜が形成されたものである。この絶縁膜の表面が基板２４０の一面２４１に対応する。

磁気抵抗素子２５０は、回転体１００の回転に伴って変化する磁界に応じて抵抗値が変化するものである。磁気抵抗素子２５０は、基板２４０の一面２４１に形成された磁気抵抗薄膜が所定のパターンにレイアウトされることで構成されている。

本実施形態では、図３（ａ）に示されるように、磁気抵抗素子２５０は２領域で構成されている。具体的には、磁気抵抗素子２５０は、一方向に沿って延びる直線部が蛇行状に繋げられた第１磁気抵抗薄膜２５１と、一面２４１において一方向に対して直角の方向に延びる直線部が蛇行状に繋げられた第２磁気抵抗薄膜２５２と、を有している。つまり、各磁気抵抗薄膜２５１、２５２によって１つの磁気抵抗素子対が構成されている。各磁気抵抗薄膜２５１、２５２は、Ｎｉ−ＣｏやＮｉ−Ｆｅ等の磁性体材料から形成されている。

また、図３（ｂ）に示されるように、各磁気抵抗薄膜２５１、２５２は直列接続されている。そして、例えば第１磁気抵抗薄膜２５１が図２に示された電源端子２６０に接続され、第２磁気抵抗薄膜２５２がグランド端子２６１に接続され、各磁気抵抗薄膜２５１、２５２の接続点が出力端子２６２に接続されている。すなわち、磁気抵抗素子２５０はハーフブリッジ回路を構成しており、当該ハーフブリッジ回路の中間電位を検出するように構成されている。

電源端子２６０及びグランド端子２６１は回転検出装置２００の外部の直流電源３００から電源供給を受ける。また、出力端子２６２の電位は回転検出装置２００の外部の電圧計３１０によって測定される。これら直流電源３００及び電圧計３１０は図示しない電子制御装置（ＥＣＵ）に設けられている。

上記のバイアス磁石２２０及びセンサチップ２３０は、ケース２１０の収容部２１１に収容されている。なお、ケース２１０には図示しないコネクタ部が設けられており、配線を介して電子制御装置に電気的に接続される。以上が、本実施形態に係る回転検出装置２００の構成である。

次に、ケース２１０の内部においてバイアス磁石２２０に対するセンサチップ２３０の姿勢と位置について説明する。まず、図４に示されるように、収容部２１１の一方向に平行な軸を収容軸２１２と定義する。ここで、収容軸２１２は、回転体１００の径方向に平行に配置される。また、収容軸２１２は回転検出装置２００の長手方向の中心軸に相当する軸である。さらに、収容軸２１２に垂直な直線を仮想直線２１３と定義し、仮想直線２１３に垂直な面を垂直面２１４と定義する。

このような定義のもと、各棒磁石２２２、２２４の各磁極２２１、２２３は、仮想直線２１３が通過するように平行に配置されている。本実施形態では、収容軸２１２の軸方向において回転体１００側の各磁極２２１、２２３の端面の位置は同じになっている。

そして、図３（ａ）に示されたセンサチップ２３０の一面２４１が垂直面２１４に対して傾けられている。本実施形態では、センサチップ２３０の一面２４１は垂直面２１４に対して垂直に傾けられている。言い換えると、センサチップ２３０の一面２４１は収容軸２１２と仮想直線２１３とを軸として形成される平面に対して平行になっている。

これにより、回転体１００が回転しても磁束がセンサチップ２３０の一面２４１を常に垂直に横切ることで抵抗値の変化が小さくなるという条件を回避することができる。本実施形態では、センサチップ２３０の一面２４１は垂直面２１４に対して垂直、すなわち磁束の向きにほぼ平行に配置されるので、センサチップ２３０の一面２４１に形成された磁気抵抗素子２５０を通過する磁束の成分が最大になるようにすることができる。磁束の成分とは、仮想直線２１３に平行な方向の成分と、収容軸２１２に平行な方向の成分と、の２成分である。

さらに、図５に示されるように、仮想直線２１３に垂直な垂直方向においてセンサチップ２３０の一面２４１の中心位置２４２が仮想直線２１３のうち第１磁極２２１と第２磁極２２３との中央位置から第１磁極２２１に近づいて配置されている。

また、センサチップ２３０の一面２４１の中心位置２４２を第１磁極２２１に近づけている。これは、図５（ａ）に示されるように回転体１００の溝部１３０に対応する位置では仮想直線２１３を基準とした磁束の傾きは小さいが、図５（ｂ）に示されるように回転体１００の突起部１２０に対応する位置では当該磁束の傾きは大きくなるからである。すなわち、突起部１２０の位置と溝部１３０の位置とで磁束の方向（傾き）が大きく変化する。したがって、バイアス磁石２２０に対するセンサチップ２３０の位置を規定することで、回転体１００の回転に伴って仮想直線２１３を基準とした磁束の傾きの最大値と最小値との差を大きくすることができる。

そして、磁気抵抗素子２５０がバイアス磁石２２０に近接して配置されるので、磁気抵抗素子２５０の飽和磁束密度を満足しやすくなる。このため、バイアス磁石２２０として磁力の弱いフェライト磁石の採用が可能になるというメリットもある。

以上のことから、センサチップ２３０の一面２４１が垂直面２１４に対して傾けられていても、磁気抵抗素子２５０の抵抗値の充分な変化を検出することができる。つまり、回転検出装置２００が収容軸２１２を回転軸として収容部２１１がどの角度に回転させられても、回転体１００の回転を検出することができる。したがって、回転体１００に対する回転検出装置２００の搭載角度の制約を無くすことができる。

ここで、本実施形態では、バイアス磁石２２０として２本の棒磁石２２２、２２４が採用されている。これによると、第１磁極２２１と第２磁極２２３との間隔を自由に設定できると共に、各棒磁石２２２、２２４の長さを自由に設定できる。各磁極２２１、２２３の間隔と、各棒磁石２２２、２２４の長さと、はそれぞれセンサチップ２３０の検出特性に影響するが、当該間隔と当該長さとをそれぞれ独立して設定することができる。

（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について説明する。図６に示されるように、第１棒磁石２２２のうちの第１磁極２２１とは反対側の第１端部２２５が、第１磁極２２１よりも太く形成されている。同様に、第２棒磁石２２４のうちの第２磁極２２３とは反対側の第２端部２２６が、第２磁極２２３よりも太く形成されている。

そして、第１棒磁石２２２の第１端部２２５と第２棒磁石２２４の第２端部２２６とが接触している。これにより、バイアス磁石２２０のうち回転検出に関係の無い各端部２２５、２２６から発生する磁界を低減することができる。

（第３実施形態）
本実施形態では、第２実施形態と異なる部分について説明する。図７に示されるように、第１棒磁石２２２のうちの第１磁極２２１から第２磁極２２３までの仮想直線２１３に平行な長さを第１長さ（Ｌ１）と定義する。また、第１棒磁石２２２のうちの第１磁極２２１とは反対側の第１端部２２５から第２棒磁石２２４のうちの第２磁極２２３とは反対側の第２端部２２６までの仮想直線２１３に平行な長さを第２長さ（Ｌ２）と定義する。

そして、本実施形態では、第１棒磁石２２２及び第２棒磁石２２４は、第２長さが第１長さよりも短くなるように構成されている。つまり、Ｌ１＞Ｌ２の条件を満たすように各棒磁石２２２、２２４が構成されている。このように、各端部２２５、２２６が接触していなくても各端部２２５、２２６から発生する磁界を低減することもできる。

（第４実施形態）
本実施形態では、第１〜第３実施形態と異なる部分について説明する。図８に示されるように、バイアス磁石２２０は、Ｕ字型磁石として構成されている。すなわち、第１磁極２２１が一方の端部として構成されていると共に、第２磁極２２３が他方の端部として構成されている。

これにより、バイアス磁石２２０を構成する部品点数を削減することができる。また、バイアス磁石２２０の全長を長くすることができるので、バイアス磁石２２０として磁力を得やすくすることができる。

（第５実施形態）
本実施形態では、第１〜第４実施形態と異なる部分について説明する。図９に示されるように、本実施形態では、バイアス磁石２２０は、第２磁極２２３が第１磁極２２１よりも回転体１００の外周部１１０側に位置するように構成されている。なお、このような各磁極２２１、２２３の位置関係は、上記各実施形態で示されたどのタイプのバイアス磁石２２０でも言える。

これによると、上記各実施形態に対して各磁極２２１、２２３から延びる磁束の変曲点の位置が移動する。このため、センサチップ２３０の検出信号の信号値のオフセットを調整することができる。また、バイアス磁石２２０に対するセンサチップ２３０の位置を調整することにより、センサチップ２３０の検出信号の振幅を得やすくすることもできる。
（第６実施形態）
本実施形態では、上記各実施形態と異なる部分について説明する。図１０に示されるように、センサチップ２３０は、第１センサチップ２３１と第２センサチップ２３２とを有している。第１センサチップ２３１は第１磁気抵抗素子２５３を有し、第２センサチップ２３２は第２磁気抵抗素子２５４を有している。

そして、第１磁気抵抗素子２５３及び第１磁極２２１は、収容軸２１２を中心として第２磁気抵抗素子２５４及び第２磁極２２３に対して線対称に配置されている。すなわち、各磁気抵抗素子２５３、２５４を結ぶ線分が収容軸２１２と直交する。同様に、各磁極２２１、２２３を結ぶ線分が収容軸２１２と直交する。なお、各磁気抵抗素子２５３、２５４を構成する磁気抵抗薄膜についても線対称に配置されている。

したがって、収容軸２１２から第１磁気抵抗素子２５３までの距離と、収容軸２１２から第２磁気抵抗素子２５４までの距離と、が同じである。また、収容軸２１２から第１棒磁石２２２の第１磁極２２１までの距離と、収容軸２１２から第２棒磁石２２４の第２磁極２２３までの距離と、が同じである。

そして、電源端子２６０及びグランド端子２６１は各センサチップ２３１、２３２で共通とされる。一方、出力端子については、第１センサチップ２３１に対応した第１出力端子２６３と、第２センサチップ２３２に対応した第２出力端子２６４と、が設けられている。そして、第１出力端子２６３に第１電圧計３１１が接続され、第２出力端子２６４に第２電圧計３１２が接続される。

このような構成によると、収容軸２１２に対する各磁気抵抗素子２５１、２５２の位置ずれを解消することが可能になる。具体的には、まず、回転体１００の任意の溝部１３０の中心を０度とし、この溝部１３０の隣の突起部１２０の中心を１８０度とし、この突起部１２０の隣の溝部１３０の中心を３６０度と定義する。つまり、谷（溝部１３０）から次の谷（溝部１３０）までを３６０度と定義する。さらに、回転体１００の端面を基準として、収容軸２１２を中心にセンサチップ２３０の一面２４１が回転したときの回転体１００の端面に対するセンサチップ２３０の一面２４１の相対角度をθとする。なお、「回転体１００の端面」とは回転体の回転軸に垂直な面に平行な面である。

図１１（ａ）に示されるように、相対角度θが９０度未満の場合の各センサチップ２３１、２３２の出力信号の波形（Ｖ）は、回転体１００が時計回りの場合、Ｌを第１センサチップ２３１の出力波形とし、Ｒを第２センサチップ２３２の出力波形とすると、１８０度を基準として出力波形Ｌは遅れ、出力波形Ｒは進んでいる。すなわち、収容軸２１２に対するずれが反映されている。一方、図１２（ａ）に示されるように、相対角度θが９０度の場合の各センサチップ２３１、２３２の出力信号の波形（Ｖ）は、出力波形Ｌと出力波形Ｒとで位相差はない。

そして、図１１（ｂ）に示されるように、相対角度θが９０度未満の場合の各センサチップ２３１、２３２の出力信号の差動信号（Ｌ−Ｒ）の波形は、上述の線対称配置により、１８０度がピークとなる。また、図１２（ｂ）に示されるように、相対角度θが９０度の場合の各センサチップ２３１、２３２の出力信号の差動信号（Ｌ−Ｒ）の波形も１８０度がピークとなる。つまり、差動信号を取得することで相対角度θに関わらず突起部１２０の中心がピークとなる波形を得ることができる。したがって、差動信号に対して適切な閾値が設定されることで高精度な２値化信号を得ることができ、ひいては高精度の角度情報を得ることができる。

なお、差動信号の演算は、回転検出装置２００に設けられた回路チップの演算回路部で行っても良いし、回転検出装置２００から各センサチップ２３１、２３２の出力信号を受け取った電子制御装置が行っても良い。

（他の実施形態）
上記各実施形態で示された回転検出装置２００の構成は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、各磁極２２１、２２３は仮想直線２１３が通過するように配置されていれば良いので、収容軸２１２に平行に配置されている必要は無い。各磁極２２１、２２３が収容軸２１２に対して傾けられていても良い。

第１〜第５実施形態では、仮想直線２１３に垂直な垂直方向においてセンサチップ２３０の一面２４１の中心位置２４２が仮想直線２１３のうち第１磁極２２１と第２磁極２２３との中央位置から第２磁極２２３に近づいて配置されていても良い。

第２実施形態では、各端部２２５、２２６を接触させる方法として各端部２２５、２２６を太くしていたが、これは一例である。例えば、各棒磁石２２２、２２４を非平行に配置しても良いし、各棒磁石２２２、２２４のうちの各端部２２５、２２６側を曲げても良い。このような方法は、第３実施形態のように各端部２２５、２２６を近づけて配置する場合にも採用することができる。

第５実施形態では、バイアス磁石２２０は第２磁極２２３が第１磁極２２１よりも回転体１００の外周部１１０側に位置するように配置されていたが、第１磁極２２１が第２磁極２２３よりも回転体１００の外周部１１０側に位置するように配置されていても良い。

さらに、回転体１００は歯車型に限られず、着磁ロータのように凹凸構造が設けられていないものを測定対象としても良い。そして、回転体１００に対する回転検出装置２００の配置位置は、図１に示されるように回転体１００の側面に対向するように位置に限られず、回転体１００の端面の外縁部に対向する位置でも良い。

２１１ 収容部
２１２ 収容軸
２１３ 仮想直線
２１４ 垂直面
２２０ バイアス磁石
２２１、２２３ 磁極
２３０ センサチップ
２４１ 一面
２４２ 中心位置
２５０ 磁気抵抗素子

Claims (7)

1. 第１磁極（２２１）と、前記第１磁極（２２１）から一定の間隔を持って配置されていると共に前記第１磁極（２２１）とは逆の磁性の第２磁極（２２３）と、を有し、回転体（１００）の外周部（１１０）から離間して配置されるバイアス磁石（２２０）と、
   一面（２４１）と、前記一面（２４１）に形成されていると共に前記回転体（１００）の回転に伴って変化する磁界に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗素子（２５０）と、を有するセンサチップ（２３０）と、
   一方向に延びる収容部（２１１）を有し、前記収容部（２１１）に前記バイアス磁石（２２０）及び前記センサチップ（２３０）を収容したケース（２１０）と、
   を備え、
   前記収容部（２１１）の前記一方向に平行な軸を収容軸（２１２）と定義すると共に、前記収容軸（２１２）に垂直な直線を仮想直線（２１３）と定義すると、前記第１磁極（２２１）及び前記第２磁極（２２３）は前記仮想直線（２１３）が通過するように配置されており、
   前記仮想直線（２１３）に垂直な面を垂直面（２１４）と定義すると、前記センサチップ（２３０）の前記一面（２４１）が前記垂直面（２１４）に対して傾けられており、かつ、前記仮想直線（２１３）に垂直な垂直方向において前記一面（２４１）の中心位置（２４２）が前記仮想直線（２１３）のうち前記第１磁極（２２１）と前記第２磁極（２２３）との中央位置から前記第１磁極（２２１）及び前記第２磁極（２２３）のうちのいずれか一方に近づいて配置されていることを特徴とする回転検出装置。
2. 前記バイアス磁石（２２０）は、前記第１磁極（２２１）を有する第１棒磁石（２２２）と、前記第２磁極（２２３）を有する第２棒磁石（２２４）と、を有して構成されていることを特徴とする請求項１に記載の回転検出装置。
3. 前記第１棒磁石（２２２）のうちの前記第１磁極（２２１）とは反対側の第１端部（２２５）と、前記第２棒磁石（２２４）のうちの前記第２磁極（２２３）とは反対側の第２端部（２２６）と、が接触していることを特徴とする請求項２に記載の回転検出装置。
4. 前記第１棒磁石（２２２）のうちの前記第１磁極（２２１）から前記第２磁極（２２３）までの前記仮想直線（２１３）に平行な長さを第１長さと定義し、
   前記第１棒磁石（２２２）のうちの前記第１磁極（２２１）とは反対側の第１端部（２２５）から前記第２棒磁石（２２４）のうちの前記第２磁極（２２３）とは反対側の第２端部（２２６）までの前記仮想直線（２１３）に平行な長さを第２長さと定義すると、
   前記第１棒磁石（２２２）及び前記第２棒磁石（２２４）は、前記第２長さが前記第１長さよりも短くなるように構成されていることを特徴とする請求項２に記載の回転検出装置。
5. 前記バイアス磁石（２２０）は、前記第１磁極（２２１）が一方の端部として構成されていると共に、前記第２磁極（２２３）が他方の端部として構成されたＵ字型磁石であることを特徴とする請求項１に記載の回転検出装置。
6. 前記バイアス磁石（２２０）は、前記第１磁極（２２１）及び前記第２磁極（２２３）のうちいずれか一方が他方よりも前記回転体（１００）の前記外周部（１１０）側に位置するように構成されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つの記載の回転検出装置。
7. 前記センサチップ（２３０）は、第１磁気抵抗素子（２５３）が形成された第１センサチップ（２３１）と、第２磁気抵抗素子（２５４）が形成された第２センサチップ（２３２）とを有しており、
   前記第１磁気抵抗素子（２５３）及び前記第１磁極（２２１）は、前記収容軸（２１２）を中心として前記第２磁気抵抗素子（２５４）及び前記第２磁極（２２３）に対して線対称に配置されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の回転検出装置。

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