JP6447830B2 - 光記録媒体用透過型記録層、および光記録媒体 - Google Patents
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Description
本技術は、光記録媒体用透過型記録層、および光記録媒体に関する。詳しくは、金属酸化物を含む光記録媒体用透過型記録層およびそれを備える光記録媒体に関する。
近年では、光記録媒体においては、記録容量をさらに増大させるために、記録層を多層化する技術が広く採用されている。多層光記録媒体では、媒体表面から最も奥側の記録層に十分な光を到達させるために、それよりも手前側にある記録層としては、記録再生に用いられるレーザ光を透過可能な記録層（以下「透過型記録層」と適宜称する。）が用いられる。
透過型記録層の材料として、タングステン（Ｗ）およびＭｏ（モリブデン）からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物と、Ｃｕ（銅）、Ｍｎ（マンガン）、Ｎｉ（ニッケル）およびＡｇ（銀）からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物とを含むものが提案されている（例えば特許文献１参照）。
近年では、透過型記録層の材料として、高透過率、高記録感度および高Ｓ／Ｎ（高変調度）を実現できるものが望まれている。
したがって、本技術の目的は、高透過率、高記録感度および高Ｓ／Ｎ（高変調度）を実現できる光記録媒体用透過型記録層、およびそれを備える光記録媒体を提供することにある。
上述の課題を解決するために、第1の技術は、
金属ＭAの酸化物と、金属ＭBの酸化物と、金属ＭCの酸化物とを含む透過型記録層を備え、
金属ＭAは、ＭｎおよびＮｉからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
金属ＭBは、ＷおよびＭｏからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
金属ＭCは、Ｚｒであり、
金属ＭBに対する金属ＭAの原子比（ＭA／ＭB）は、０．３７以上１．３１以下であり、
透過型記録層中における金属ＭCの含有量は、０．９原子％以上２７．５原子％以下である光記録媒体である。
金属ＭAの酸化物と、金属ＭBの酸化物と、金属ＭCの酸化物とを含む透過型記録層を備え、
金属ＭAは、ＭｎおよびＮｉからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
金属ＭBは、ＷおよびＭｏからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
金属ＭCは、Ｚｒであり、
金属ＭBに対する金属ＭAの原子比（ＭA／ＭB）は、０．３７以上１．３１以下であり、
透過型記録層中における金属ＭCの含有量は、０．９原子％以上２７．５原子％以下である光記録媒体である。
第２の技術は、
金属ＭAの酸化物と、金属ＭBの酸化物と、金属ＭCの酸化物とを含み、
金属ＭAは、ＭｎおよびＮｉからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
金属ＭBは、ＷおよびＭｏからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
金属ＭCは、Ｚｒであり、
金属ＭBに対する金属ＭAの原子比（ＭA／ＭB）は、０．３７以上１．３１以下であり、
金属ＭCの含有量は、０．９原子％以上２７．５原子％以下である光記録媒体用透過型記録層である。
金属ＭAの酸化物と、金属ＭBの酸化物と、金属ＭCの酸化物とを含み、
金属ＭAは、ＭｎおよびＮｉからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
金属ＭBは、ＷおよびＭｏからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
金属ＭCは、Ｚｒであり、
金属ＭBに対する金属ＭAの原子比（ＭA／ＭB）は、０．３７以上１．３１以下であり、
金属ＭCの含有量は、０．９原子％以上２７．５原子％以下である光記録媒体用透過型記録層である。
以上説明したように、本技術によれば、高透過率、高記録感度および高Ｓ／Ｎ（高変調度）を実現できる。
本技術では、１層または複数層の透過型記録層が基板上に設けられ、その透過型記録層上にカバー層が設けられていることが好ましい。このカバー層の厚さは特に限定されるものではなく、カバー層には、基板、シート、コーティング層などが含まれる。高密度の光記録媒体では、高ＮＡの対物レンズが用いられるため、カバー層としてシート、コーティング層などの薄い光透過層を採用し、この光透過層の側から光を照射することにより情報信号の記録および再生を行うことが好ましい。この場合、基板としては、不透明性を有するものを採用することも可能である。情報信号を記録または再生するための光の入射面は、光記録媒体のフォーマットに応じてカバー層側および基板側の表面の少なくとも一方に適宜設定される。
本技術において、保存信頼性向上の観点からすると、透過型記録層の少なくとも一方の表面に誘電体層をさらに備えることが好ましく、透過型記録層の両方の表面に誘電体層をさらに備えることがより好ましい。層構成や製造設備の簡略化の観点からすると、透過型記録層のいずれの表面にも誘電体層を設けずに、透過型記録層を単独で用いることが好ましい。
本技術において、透過型記録層の層数が２層以上である場合、生産性の観点からすると、それらの透過型記録層がすべて、同一種の材料を含むもの、すなわち金属ＭAの酸化物と、金属ＭBの酸化物と、金属ＭCの酸化物とを含むものであることが好ましく、それらの金属ＭA、ＭB、ＭCの組成比が同一であるものがより好ましい。
透過型記録層の層数が２層である場合、透過型記録層中における金属ＭCの含有量は、０．９原子％以上２７．５原子％以下であることが好ましい。また、透過型記録層の層数が３層である場合、透過型記録層中における金属ＭCの含有量は、０．９原子％以上８．５原子％以下であることが好ましい。
本技術の実施形態について以下の順序で説明する。
１ 光記録媒体の構成
２ 光記録媒体の製造方法
３ 効果
４ 変形例
１ 光記録媒体の構成
２ 光記録媒体の製造方法
３ 効果
４ 変形例
［１ 光記録媒体の構成］
図１Ａに示すように、本技術の一実施形態に係る光記録媒体１０は、中央に開口（以下「センターホール」と称する。）が設けられた円盤形状を有する。なお、光記録媒体１０の形状はこの例に限定されるものではなく、カード状などとすることも可能である。
図１Ａに示すように、本技術の一実施形態に係る光記録媒体１０は、中央に開口（以下「センターホール」と称する。）が設けられた円盤形状を有する。なお、光記録媒体１０の形状はこの例に限定されるものではなく、カード状などとすることも可能である。
図１Ｂに示すように、光記録媒体１０は、いわゆる多層の追記型光記録媒体であり、情報信号層Ｌ０、中間層Ｓ１、情報信号層Ｌ１、・・・、中間層Ｓｎ、情報信号層Ｌｎ、カバー層である光透過層１２がこの順序で基板１１の一主面に積層された構成を有する。但し、ｎは、例えば２以上の整数、好ましくは３以上または４以上の整数である。情報信号層Ｌ０が表面Ｃを基準として最も奥に位置し、その手前に情報信号層Ｌ１〜Ｌｎが位置している。このため、情報信号層Ｌ１〜Ｌｎは、記録または再生に用いられるレーザ光を透過可能に構成されている。
この一実施形態に係る光記録媒体１０では、光透過層１２側の表面Ｃからレーザ光を各情報信号層Ｌ０〜Ｌｎに照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。例えば、４００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の範囲の波長を有するレーザ光を、０．８４以上０．８６以下の範囲の開口数を有する対物レンズにより集光し、光透過層１２の側から各情報信号層Ｌ０〜Ｌｎに照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。情報信号層Ｌ０〜Ｌｎは、例えば、波長４０５ｎｍ、集光レンズの開口数ＮＡ０．８５に対して２５ＧＢ以上の記録容量を有する。このような光記録媒体１０としては、例えば多層のブルーレイディスク（ＢＤ：Blu-ray Disc（登録商標））が挙げられる。以下では、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎに情報信号を記録または再生するためのレーザ光が照射される表面Ｃを光照射面Ｃと称する。
以下、光記録媒体１０を構成する基板１１、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎ、中間層Ｓ１〜Ｓｎ、および光透過層１２について順次説明する。
（基板）
基板１１は、例えば、中央にセンターホールが設けられた円盤形状を有する。この基板１１の一主面は、例えば、凹凸面となっており、この凹凸面上に情報信号層Ｌ０が成膜される。以下では、凹凸面のうち凹部をイングルーブＧin、凸部をオングルーブＧonと称する。
基板１１は、例えば、中央にセンターホールが設けられた円盤形状を有する。この基板１１の一主面は、例えば、凹凸面となっており、この凹凸面上に情報信号層Ｌ０が成膜される。以下では、凹凸面のうち凹部をイングルーブＧin、凸部をオングルーブＧonと称する。
このイングルーブＧinおよびオングルーブＧonの形状としては、例えば、スパイラル状、同心円状などの各種形状が挙げられる。また、イングルーブＧinおよび／またはオングルーブＧonが、例えば、線速度の安定化やアドレス情報付加などのためにウォブル（蛇行）されている。
基板１１の径（直径）は、例えば１２０ｍｍに選ばれる。基板１１の厚さは、剛性を考慮して選ばれ、好ましくは０．３ｍｍ以上１．３ｍｍ以下、より好ましくは０．６ｍｍ以上１．３ｍｍ以下、例えば１．１ｍｍに選ばれる。また、センターホールの径（直径）は、例えば１５ｍｍに選ばれる。
基板１１の材料としては、例えば、プラスチック材料またはガラスを用いることができ、コストの観点から、プラスチック材料を用いることが好ましい。プラスチック材料としては、例えば、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂などを用いることができる。
（情報信号層）
図２に示すように、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎは、例えば、上面（第１の主面）および下面（第２の主面）を有する記録層２１と、記録層２１の上面に隣接して設けられた誘電体層２２と、記録層２１の下面に隣接して設けられた誘電体層２３とを備える。このような構成とすることで、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎの保存信頼性を向上することができる。ここで、上面とは、記録層２１の両主面のうち、情報信号を記録または再生するためのレーザ光が照射される側の主面をいい、下面とは、上述のレーザ光が照射される側とは反対側の主面、すなわち基板側の主面をいう。
図２に示すように、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎは、例えば、上面（第１の主面）および下面（第２の主面）を有する記録層２１と、記録層２１の上面に隣接して設けられた誘電体層２２と、記録層２１の下面に隣接して設けられた誘電体層２３とを備える。このような構成とすることで、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎの保存信頼性を向上することができる。ここで、上面とは、記録層２１の両主面のうち、情報信号を記録または再生するためのレーザ光が照射される側の主面をいい、下面とは、上述のレーザ光が照射される側とは反対側の主面、すなわち基板側の主面をいう。
（情報信号層Ｌ１〜Ｌｎの記録層）
情報信号層Ｌ１〜Ｌｎの記録層２１は、光照射面Ｃから見て、さらに奥側の記録層２１に対する記録または再生が可能なように、情報信号の記録または再生を行うためのレーザ光を透過可能に構成された透過型記録層である。
情報信号層Ｌ１〜Ｌｎの記録層２１は、光照射面Ｃから見て、さらに奥側の記録層２１に対する記録または再生が可能なように、情報信号の記録または再生を行うためのレーザ光を透過可能に構成された透過型記録層である。
情報信号層Ｌ１〜Ｌｎのうちの少なくとも１層の記録層２１は、金属ＭAの酸化物と、金属ＭBの酸化物と、金属ＭCの酸化物とを含む無機記録層である。情報信号層Ｌ１〜Ｌｎの全ての記録層２１として、金属ＭAの酸化物と、金属ＭBの酸化物と、金属ＭCの酸化物とを含む同一の材料を用いてもよいし、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎの記録層２１ごとに求められる特性（例えば光学特性や耐久性など）に応じて異なる材料を用いてもよい。生産性の観点からすると、情報信号層Ｌ１〜Ｌｎの全ての記録層２１として、同一の材料を用いることが好ましい。このように同一の材料を用いることで、光記録媒体１０の生産性を向上することができる。このような効果は、情報信号層Ｌ１〜Ｌｎの層数が多い媒体ほど、顕著となる。
金属ＭAとしては、酸化物となった場合にある程度の吸収係数を有し、かつ、酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値が金属ＭBのそれよりも小さい材料が用いられる。このような材料を用いることで、記録層２１がレーザ光を吸収して熱に変換し、酸素が放出されて膨らむことができる。したがって、レーザ光の照射により情報信号の記録が可能となる。上述した特性を有する金属ＭAとして、マンガン（Ｍｎ）およびニッケル（Ｎｉ）からなる群より選ばれる少なくとも１種が用いられる。
パワーマージン改善の観点からすると、金属ＭAとして、ＭｎおよびＮｉの両方が用いられることが好ましい。この場合、Ｎｉに対するＭｎの原子比（Ｍｎ／Ｎｉ）は、０．４以上２．６以下であることが好ましい。原子比（Ｍｎ／Ｎｉ）がこの範囲であると、パワーマージンを特に改善することができるからである。長期保存後においてレーザパワーに対する感度の劣化を抑制する観点からすると、金属ＭAとして、Ｎｉが用いられることが好ましい。
金属ＭBとしては、酸化物となった場合にほぼ透明であり、その酸化物の消衰係数ｋが０または０に近い材料が用いられる。上述した特性を有するＭBとして、タングステン（Ｗ）およびモリブデン（Ｍｏ）からなる群より選ばれる少なくとも１種が用いられる。
パワーマージン改善の観点からすると、金属ＭBとして、ＷおよびＭｏの両方またはＭｏが用いられることが好ましい。この場合、Ｍｏに対するＷの原子比（Ｗ／Ｍｏ）は、２．０以下であることが好ましい。原子比（Ｗ／Ｍｏ）がこの範囲であると、パワーマージンを特に改善することができるからである。
金属ＭBに対する金属ＭAの原子比（ＭA／ＭB）が、好ましくは０．３７以上１．３１以下、より好ましくは０．５４以上０．７８以下である。記録層２１における金属ＭCの含有量が０．９原子％以上２７．５原子％以下の範囲である場合において、原子比（ＭA／ＭB）を上記数値範囲にすることが特に好ましい。０．３７以上であると、記録層２１の変調度を４０．０％以上にすることができ、０．５４以上であると、記録層２１の変調度を４５．０％以上にすることができる。一方、１．３１以下であると、記録層２１の透過率を６０．０％以上にすることができ、０．７８以下であると、記録層２１の透過率を７０．０％以上にすることができる。
変調度が４０．０以上であると、既存の民生用ドライブを用いて情報信号を再生することができる。また、変調度が４５．０以上であると、摂動による変調度の劣化が生じた場合にも、既存の民生用ドライブを用いて情報信号を再生することができる。
光照射面Ｃに最も近い情報信号層Ｌｎ（但し、ｎは３以上の整数、好ましくは３である。）に含まれる記録層２１の透過率が６０．０％以上であると、光照射面Ｃからみて情報信号層Ｌｎよりも１層奥側に配置された情報信号層Ｌｎ−１に、十分な光量のレーザ光を到達させることができる。例えば、既存の民生用ドライブの記録パワーの上限値を３８．０ｍＷと想定すると、情報信号層Ｌｎ−１に記録パワー２２．８ｍＷのレーザ光を照射することができる。
情報信号層Ｌｎ、Ｌｎ−１（但し、ｎは４以上の整数、好ましくは４である。）に含まれる記録層２１の透過率が７０．０％以上であると、光照射面Ｃからみて情報信号層Ｌｎよりも２層奥側に配置された情報信号層Ｌｎ−２に、十分な光量のレーザ光を到達させることができる。例えば、既存の民生用ドライブの記録パワーの上限値を３８．０ｍＷと想定すると、情報信号層Ｌｎ−２に記録パワー１８．６２ｍＷのレーザ光を照射することができる。
パワーマージンを改善し、かつ長期保存後においてレーザパワーに対する感度の劣化を抑制する観点からすると、金属ＭAとして、ＭｎおよびＮｉの両方が用いられ、かつ金属ＭBとして、ＷおよびＭｏの両方が用いられることが好ましい。
金属ＭCは、Ｚｒである。記録層２１が金属ＭCの酸化物を含むことで、記録層２１の透過率および変調度を向上することができる。記録層２１における金属ＭCの含有量は、好ましくは０．９原子％以上２７．５原子％以下、より好ましくは０．９原子％以上８．５原子％以下、さらに好ましくは５．５原子％以上８．５原子％以下である。金属ＭBに対する金属ＭAの原子比（ＭA／ＭB）が０．３７以上１．３１以下の範囲である場合において、金属ＭCの含有量を上記数値範囲にすることが特に好ましい。
金属ＭCの含有量が０．９原子％以上であると、変調度を４０．０以上にすることができ、金属ＭCの含有量が５．５原子％以上であると、変調度を４５．０以上にすることができる。変調度を４０．０以上または４５．０以上にすることで得られる利点は、上述した通りである。
一方、金属ＭCの含有量が２７．５原子％以下であると、記録パワーを２２．８ｍＷ以下にすることができ、金属ＭCの含有量が８．５原子％以下であると、記録パワーを１８．６２ｍＷ以下にすることができる。記録パワーが２２．８ｍＷ以下であると、既存の民生用ドライブを用いて、情報信号層Ｌｎ−１の記録層２１に対して情報信号を記録することができる。これは以下の理由による。すなわち、既存の民生用ドライブの記録パワーの上限値を３８．０ｍＷと想定するとともに、光照射面Ｃに最も近い情報信号層Ｌｎの記録層２１の透過率を６０％以上と設定した場合、情報信号層Ｌｎ−１に照射されるレーザ光の記録パワーは２２．８ｍＷ以下となる。したがって、情報信号層Ｌｎ−１に対して情報信号を記録するためのレーザ光の記録パワーは、２２．８ｍＷ以下に設定することが好ましい。なお、記録パワー３８．０ｍＷは、半導体レーザの記録パワーではなく、光記録媒体１０の光照射面Ｃまたは情報信号層Ｌｎに入射するレーザ光の記録パワーを意味する。
記録パワーが１８．６２ｍＷ以下であると、既存の民生用ドライブを用いて、情報信号層Ｌｎ−２の記録層２１に対して情報信号の記録することができる。これは以下の理由による。すなわち、既存の民生用ドライブの記録パワーの上限値を３８．０ｍＷと想定するとともに、情報信号層Ｌｎ、Ｌｎ−１の両方の記録層２１の透過率を７０％以上と設定した場合、情報信号層Ｌｎ−２の記録層２１に照射されるレーザ光の記録パワーは１８．６２ｍＷ以下となる。したがって、情報信号層Ｌｎ−２の記録層２１に対して情報信号の記録するためのレーザ光の記録パワーは、１８．６２ｍＷ以下に設定することが好ましい。
記録層２１は、金属ＭDの酸化物をさらに含んでいてもよい。金属ＭDは、銅（Ｃｕ）および亜鉛（Ｚｎ）からなる群より選ばれる少なくとも１種である。金属ＭDの酸化物を含むことで、金属ＭAの酸化物の含有量を低減し、光記録媒体１０を低廉化することができる。
記録層２１は、金属ＭEの酸化物をさらに含んでいてもよい。金属ＭEは、マグネシウム（Ｍｇ）である。金属ＭEの酸化物を含むことで、記録層２１の屈折率を低減し、記録層２１の上面に隣接して設けられた誘電体層２２の厚さを薄くすることができる。したがって、光記録媒体１０を低廉化することができる。記録層２１中におけるＭｇの含有量は、好ましくは６．６原子％以上４３．０原子％以下、より好ましくは７．５７原子％以上４３．０原子％以下、さらに好ましくは２０．１原子％以上４３．０原子％以下である。Ｍｇの含有量が６．６原子％以上であると、記録層２１の屈折率を２．２４以下にすることができる。屈折率が２．２４以下であると、記録層２１の上面に隣接して設けられた誘電体層２２の厚さを２６ｎｍ以下に薄くした状態で、４％以下の反射率を確保することができる。このように反射率を低減すると、情報信号層Ｌ１〜Ｌｎの各層の反射率を揃えやすくなる。一方、Ｍｇの含有量が４３．０原子％以下であると、記録層２１の屈折率が１．９７以上となり、誘電体層２２の厚さが６ｎｍ以上の状態でも反射率を３．３％以上にすることができる。反射率が３．３％以上であると、既存の民生用ドライブを用いた情報信号層Ｌｎ−１の記録層２１の再生に対して高Ｓ／Ｎを確保できる。これは以下の理由による。すなわち、既存の民生用ドライブにて再生に十分なＳ／Ｎを確保するには、２％以上の反射率が必要であり、光照射面Ｃに最も近い情報信号層Ｌｎの記録層２１の透過率を６０％以上と設定した場合、情報信号層Ｌｎ−１の反射率としては３．３％以上の反射率が必要となる。したがって、情報信号層Ｌｎ−１の反射率については３．３％以上を確保することが好ましい。
記録層２１は、金属ＭFをさらに含んでいてもよい。金属ＭFとしては、スズ（Ｓｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、ガリウム（Ｇａ）、Ｔｅ（テルル）、Ｖ（バナジウム）、ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、クロム（Ｃｒ）、およびテルビウム（Ｔｂ）からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることができる。
（情報信号層Ｌ０の記録層）
光照射面Ｃから見て最も奥側となる情報信号層Ｌ０の記録層２１としては、公知の記録層を用いることができる。公知の記録層としては、例えば、ＷおよびＭｏからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物と、Ｃｕ、Ｍｎ、ＮｉおよびＡｇからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物とを含む記録層、Ｐｄの酸化物を含む記録層などを用いることができる。また、情報信号層Ｌ１〜Ｌｎの記録層２１と同様に、金属ＭAの酸化物と、金属ＭBの酸化物と、金属ＭCの酸化物とを含む記録層を用いてもよい。
光照射面Ｃから見て最も奥側となる情報信号層Ｌ０の記録層２１としては、公知の記録層を用いることができる。公知の記録層としては、例えば、ＷおよびＭｏからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物と、Ｃｕ、Ｍｎ、ＮｉおよびＡｇからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物とを含む記録層、Ｐｄの酸化物を含む記録層などを用いることができる。また、情報信号層Ｌ１〜Ｌｎの記録層２１と同様に、金属ＭAの酸化物と、金属ＭBの酸化物と、金属ＭCの酸化物とを含む記録層を用いてもよい。
（誘電体層）
誘電体層２２、２３がガスバリア層として機能することで、記録層２１の耐久性を向上することができる。また、記録層２１の酸素の逃避やＨ2Ｏの侵入を抑制することで、記録層２１の膜質の変化（主に反射率の低下として検出）を抑制し、記録層２１として必要な膜質を確保することができる。
誘電体層２２、２３がガスバリア層として機能することで、記録層２１の耐久性を向上することができる。また、記録層２１の酸素の逃避やＨ2Ｏの侵入を抑制することで、記録層２１の膜質の変化（主に反射率の低下として検出）を抑制し、記録層２１として必要な膜質を確保することができる。
誘電体層２２、２３の材料としては、例えば、酸化物、窒化物、硫化物、炭化物およびフッ化物からなる群より選ばれる少なくとも１種以上を含んでいる。誘電体層２２、２３の材料としては、互いに同一または異なる材料を用いることができる。酸化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｒ、ＢｉおよびＭｇからなる群から選ばれる１種以上の元素の酸化物が挙げられる。窒化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＴａおよびＺｎからなる群から選ばれる１種以上の元素の窒化物、好ましくはＳｉ、ＧｅおよびＴｉからなる群から選ばれる１種以上の元素の窒化物が挙げられる。硫化物としては、例えば、Ｚｎ硫化物が挙げられる。炭化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＴａおよびＷからなる群より選ばれる１種以上の元素の炭化物、好ましくはＳｉ、Ｔｉ、およびＷからなる群より選ばれる１種以上の元素の炭化物が挙げられる。フッ化物としては、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、ＣａおよびＬａからなる群より選ばれる１種以上の元素のフッ化物が挙げられる。これらの混合物としては、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2（ＳＩＺ）、ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＺｒＯ2（ＳＣＺ）、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2（ＩＴＯ）、Ｉｎ2Ｏ3−ＣｅＯ2（ＩＣＯ）、Ｉｎ2Ｏ3−Ｇａ2Ｏ3（ＩＧＯ）、Ｉｎ2Ｏ3−Ｇａ2Ｏ3−ＺｎＯ（ＩＧＺＯ）、Ｓｎ2Ｏ3−Ｔａ2Ｏ5（ＴＴＯ）、ＴｉＯ2−ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3−ＺｎＯ、Ａｌ2Ｏ3−ＢａＯなどが挙げられる。
（中間層）
中間層Ｓ１〜Ｓｎは、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎを物理的および光学的に十分な距離をもって離間させる役割を果たし、その表面には凹凸面が設けられている。その凹凸面は、例えば、同心円状または螺旋状のグルーブ（イングルーブＧinおよびオングルーブＧon）を形成している。中間層Ｓ１〜Ｓｎの厚みは、９μｍ〜５０μｍに設定することが好ましい。中間層Ｓ１〜Ｓｎの材料は特に限定されるものではないが、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。また、中間層Ｓ１〜Ｓｎは、奥側の層への情報信号の記録または再生のためのレーザ光の光路となることから、十分に高い光透過性を有していることが好ましい。
中間層Ｓ１〜Ｓｎは、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎを物理的および光学的に十分な距離をもって離間させる役割を果たし、その表面には凹凸面が設けられている。その凹凸面は、例えば、同心円状または螺旋状のグルーブ（イングルーブＧinおよびオングルーブＧon）を形成している。中間層Ｓ１〜Ｓｎの厚みは、９μｍ〜５０μｍに設定することが好ましい。中間層Ｓ１〜Ｓｎの材料は特に限定されるものではないが、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。また、中間層Ｓ１〜Ｓｎは、奥側の層への情報信号の記録または再生のためのレーザ光の光路となることから、十分に高い光透過性を有していることが好ましい。
（光透過層）
光透過層１２は、例えば、紫外線硬化樹脂などの感光性樹脂を硬化してなる樹脂層である。この樹脂層の材料としては、例えば、紫外線硬化型のアクリル系樹脂が挙げられる。また、円環形状を有する光透過性シートと、この光透過性シートを基板１１に対して貼り合わせるための接着層とから光透過層１２を構成するようにしてもよい。光透過性シートは、記録および再生に用いられるレーザ光に対して、吸収能が低い材料からなることが好ましく、具体的には透過率９０パーセント以上の材料からなることが好ましい。光透過性シートの材料としては、例えば、ポリカーボネート樹脂材料、ポリオレフィン系樹脂（例えばゼオネックス（登録商標））などを用いることができる。接着層の材料としては、例えば、紫外線硬化樹脂、感圧性粘着剤（ＰＳＡ：Pressure Sensitive Adhesive）などを用いることができる。
光透過層１２は、例えば、紫外線硬化樹脂などの感光性樹脂を硬化してなる樹脂層である。この樹脂層の材料としては、例えば、紫外線硬化型のアクリル系樹脂が挙げられる。また、円環形状を有する光透過性シートと、この光透過性シートを基板１１に対して貼り合わせるための接着層とから光透過層１２を構成するようにしてもよい。光透過性シートは、記録および再生に用いられるレーザ光に対して、吸収能が低い材料からなることが好ましく、具体的には透過率９０パーセント以上の材料からなることが好ましい。光透過性シートの材料としては、例えば、ポリカーボネート樹脂材料、ポリオレフィン系樹脂（例えばゼオネックス（登録商標））などを用いることができる。接着層の材料としては、例えば、紫外線硬化樹脂、感圧性粘着剤（ＰＳＡ：Pressure Sensitive Adhesive）などを用いることができる。
光透過層１２の厚さは、好ましくは１０μｍ以上１７７μｍ以下の範囲内から選ばれ、例えば１００μｍに選ばれる。このような薄い光透過層１２と、例えば０．８５程度の高ＮＡ(numerical aperture)化された対物レンズとを組み合わせることによって、高密度記録を実現することができる。
（ハードコート層）
なお、図示しないが、光透過層１２の表面（光照射面Ｃ）に、例えば機械的な衝撃や傷に対する保護、また利用者の取り扱い時の塵埃や指紋の付着などから、情報信号の記録再生品質を保護するためのハードコート層をさらに設けてもよい。ハードコート層には、機械的強度を向上させるためにシリカゲルの微粉末を混入したものや、溶剤タイプ、無溶剤タイプなどの紫外線硬化樹脂を用いることができる。機械的強度を有し、撥水性や撥油性を持たせるには、厚さを１μｍから数μｍ程度とすることが好ましい。
なお、図示しないが、光透過層１２の表面（光照射面Ｃ）に、例えば機械的な衝撃や傷に対する保護、また利用者の取り扱い時の塵埃や指紋の付着などから、情報信号の記録再生品質を保護するためのハードコート層をさらに設けてもよい。ハードコート層には、機械的強度を向上させるためにシリカゲルの微粉末を混入したものや、溶剤タイプ、無溶剤タイプなどの紫外線硬化樹脂を用いることができる。機械的強度を有し、撥水性や撥油性を持たせるには、厚さを１μｍから数μｍ程度とすることが好ましい。
［２ 光記録媒体の製造方法］
次に、本技術の一実施形態に係る光記録媒体の製造方法の一例について説明する。
次に、本技術の一実施形態に係る光記録媒体の製造方法の一例について説明する。
（基板の成形工程）
まず、一主面に凹凸面が形成された基板１１を成形する。基板１１の成形の方法としては、例えば、射出成形（インジェクション）法、フォトポリマー法（２Ｐ法：Photo Polymerization）などを用いることができる。
まず、一主面に凹凸面が形成された基板１１を成形する。基板１１の成形の方法としては、例えば、射出成形（インジェクション）法、フォトポリマー法（２Ｐ法：Photo Polymerization）などを用いることができる。
（情報信号層Ｌ０の形成工程）
次に、例えばスパッタ法により、基板１１上に、誘電体層２３、記録層２１、および誘電体層２２を順次積層することにより、情報信号層Ｌ０を形成する。
次に、例えばスパッタ法により、基板１１上に、誘電体層２３、記録層２１、および誘電体層２２を順次積層することにより、情報信号層Ｌ０を形成する。
（中間層の形成工程）
次に、例えばスピンコート法により紫外線硬化樹脂を情報信号層Ｌ０上に均一に塗布する。その後、情報信号層Ｌ０上に均一に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させた後、スタンパを剥離する。これにより、スタンパの凹凸パターンが紫外線硬化樹脂に転写され、例えばイングルーブＧinおよびオングルーブＧonが設けられた中間層Ｓ１が情報信号層Ｌ０上に形成される。
次に、例えばスピンコート法により紫外線硬化樹脂を情報信号層Ｌ０上に均一に塗布する。その後、情報信号層Ｌ０上に均一に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させた後、スタンパを剥離する。これにより、スタンパの凹凸パターンが紫外線硬化樹脂に転写され、例えばイングルーブＧinおよびオングルーブＧonが設けられた中間層Ｓ１が情報信号層Ｌ０上に形成される。
（情報信号層Ｌ１の形成工程）
次に、例えばスパッタ法により、中間層Ｓ１上に、誘電体層２３、記録層２１、および誘電体層２２を順次積層することにより、情報信号層Ｌ１を形成する。以下に、情報信号層Ｌ１の各層の形成工程について具体的に説明する。
次に、例えばスパッタ法により、中間層Ｓ１上に、誘電体層２３、記録層２１、および誘電体層２２を順次積層することにより、情報信号層Ｌ１を形成する。以下に、情報信号層Ｌ１の各層の形成工程について具体的に説明する。
まず、基板１１を、誘電体層形成用のターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ2ガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタして、基板１１上に誘電体層２３を成膜する。スパッタ法としては、例えば高周波（ＲＦ）スパッタ法、直流（ＤＣ）スパッタ法を用いることができるが、特に直流スパッタ法が好ましい。直流スパッタ法は高周波スパッタ法に比して装置が安く且つ成膜レートが高いため、製造コストを下げ生産性を向上することができるからである。
次に、基板１１を、記録層成膜用のターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ2ガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタして、誘電体層２３上に記録層２１を成膜する。
記録層成膜用のターゲットとしては、金属ＭAと、金属ＭBと、金属ＭCとを含む金属ターゲット、金属ＭAの酸化物と、金属ＭBの酸化物と、金属ＭCの酸化物とを含む金属酸化物ターゲットを用いることができ、直流スパッタ法により成膜可能である観点からすると、上記金属ターゲットを用いることが好ましい。直流スパッタ法は高周波スパッタ法に比して成膜レートが高いため、生産性を向上することができる。上記金属ターゲットおよび金属酸化物ターゲット中において、金属ＭBに対する金属ＭAの原子比（ＭA／ＭB）は、好ましくは０．３７以上１．３１以下、より好ましくは０．５４以上０．７８以下である。上記金属ターゲットおよび金属酸化物ターゲット中において、金属ＭC（＝Ｚｒ）の含有量は、好ましくは０．９原子％以上２７．５原子％以下、より好ましくは０．９原子％以上８．５原子％以下、さらに好ましくは５．５原子％以上８．５原子％以下である。
上記金属ターゲットが、金属ＭDおよび金属ＭEからなるからなる群より選ばれる少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。また、上記金属酸化物ターゲットが、金属ＭDの酸化物および金属ＭEの酸化物からなるからなる群より選ばれる少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。上記金属ターゲットおよび金属酸化物ターゲット中における金属ＭE（＝Ｍｇ）の含有量は、好ましくは６．６原子％以上４３．０原子％以下、より好ましくは７．５７原子％以上４３．０原子％以下、さらに好ましくは２０．１原子％以上４３．０原子％以下である。上記金属ターゲットが、金属ＭFをさらに含んでいてもよい。また、上記金属酸化物ターゲットが、金属ＭFの酸化物をさらに含んでいてもよい。
次に、基板１１を、誘電体層形成用のターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ2ガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタして、記録層２１上に誘電体層２２を成膜する。スパッタ法としては、例えば高周波（ＲＦ）スパッタ法、直流（ＤＣ）スパッタ法を用いることができるが、特に直流スパッタ法が好ましい。直流スパッタ法は高周波スパッタ法に比して成膜レートが高いため、生産性を向上することができるからである。以上により、中間層Ｓ１上に情報信号層Ｌ１が形成される。
（中間層の形成工程）
次に、例えばスピンコート法により紫外線硬化樹脂を情報信号層Ｌ１上に均一に塗布する。その後、情報信号層Ｌ１上に均一に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させた後、スタンパを剥離する。これにより、スタンパの凹凸パターンが紫外線硬化樹脂に転写され、例えばイングルーブＧinおよびオングルーブＧonが設けられた中間層Ｓ２が情報信号層Ｌ１上に形成される。
次に、例えばスピンコート法により紫外線硬化樹脂を情報信号層Ｌ１上に均一に塗布する。その後、情報信号層Ｌ１上に均一に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させた後、スタンパを剥離する。これにより、スタンパの凹凸パターンが紫外線硬化樹脂に転写され、例えばイングルーブＧinおよびオングルーブＧonが設けられた中間層Ｓ２が情報信号層Ｌ１上に形成される。
（情報信号層Ｌ２〜Ｌｎおよび中間層Ｓ３〜Ｓｎの形成工程）
次に、上述の情報信号層Ｌ１および中間層Ｓ２の形成工程と同様にして、中間層Ｓ２上に、情報信号層Ｌ２、中間層Ｓ２、情報信号層Ｌ３、・・・、中間層Ｓｎ、情報信号層Ｌｎをこの順序で中間層Ｓ２上に積層する。
次に、上述の情報信号層Ｌ１および中間層Ｓ２の形成工程と同様にして、中間層Ｓ２上に、情報信号層Ｌ２、中間層Ｓ２、情報信号層Ｌ３、・・・、中間層Ｓｎ、情報信号層Ｌｎをこの順序で中間層Ｓ２上に積層する。
（光透過層の形成工程）
次に、例えばスピンコート法により、紫外線硬化樹脂（ＵＶレジン）などの感光性樹脂を情報信号層Ｌｎ上にスピンコートした後、紫外線などの光を感光性樹脂に照射し、硬化する。これにより、情報信号層Ｌｎ上に光透過層１２が形成される。
以上の工程により、目的とする光記録媒体１０が得られる。
次に、例えばスピンコート法により、紫外線硬化樹脂（ＵＶレジン）などの感光性樹脂を情報信号層Ｌｎ上にスピンコートした後、紫外線などの光を感光性樹脂に照射し、硬化する。これにより、情報信号層Ｌｎ上に光透過層１２が形成される。
以上の工程により、目的とする光記録媒体１０が得られる。
［３ 効果］
本実施形態によれば、情報信号層Ｌ１〜Ｌｎ層のうちの少なくとも１層の記録層２１は、金属ＭAの酸化物と、金属ＭBの酸化物と、金属ＭCの酸化物とを含んでいる。記録層２１中における金属ＭBに対する金属ＭAの原子比（ＭA／ＭB）は、０．３７以上１．３１以下であり、かつ、記録層２１中における金属ＭCの含有量は、０．９原子％以上２７．５原子％以下の範囲内である。これにより、高透過率、高記録感度および高変調度（すなわち高Ｓ／Ｎ）を実現できる。
本実施形態によれば、情報信号層Ｌ１〜Ｌｎ層のうちの少なくとも１層の記録層２１は、金属ＭAの酸化物と、金属ＭBの酸化物と、金属ＭCの酸化物とを含んでいる。記録層２１中における金属ＭBに対する金属ＭAの原子比（ＭA／ＭB）は、０．３７以上１．３１以下であり、かつ、記録層２１中における金属ＭCの含有量は、０．９原子％以上２７．５原子％以下の範囲内である。これにより、高透過率、高記録感度および高変調度（すなわち高Ｓ／Ｎ）を実現できる。
［４ 変形例］
上述の実施形態では、多層の情報信号層がすべて、同一の層構成を有する場合について説明したが、情報信号層ごとに求められる特性（例えば光学特性や耐久性など）に応じて層構成を変えるようにしてもよい。但し、生産性の観点からすると、全ての情報信号層を同一の層構成とすることが好ましい。
上述の実施形態では、多層の情報信号層がすべて、同一の層構成を有する場合について説明したが、情報信号層ごとに求められる特性（例えば光学特性や耐久性など）に応じて層構成を変えるようにしてもよい。但し、生産性の観点からすると、全ての情報信号層を同一の層構成とすることが好ましい。
また、上述の実施形態では、情報信号層が、記録層と、記録層の上面に隣接して設けられた誘電体層と、記録層の下面に隣接して設けられた誘電体層とを備える構成について説明したが、情報信号層の構成はこれに限定されるものではない。例えば、記録層の上面および下面のいずれか一方にのみ誘電体層を設けるようにしてもよい。また、情報信号層を記録層単層のみから構成するようにしてもよい。このような単純な構成とすることで、光記録媒体を低廉化し、かつ、その生産性を向上することができる。この効果は、情報信号層の層数が多い媒体ほど、顕著となる。
また、上述の実施形態では、基板１１上に複数層の情報信号層、光透過層がこの順序で積層された構成を有し、この光透過層側からレーザ光を複数層の情報信号層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光記録媒体に対して本技術を適用した場合を例として説明したが、本技術はこの例に限定されるものではない。例えば、基板上に複数層の情報信号層、保護層がこの順序で積層された構成を有し、基板側からレーザ光を複数層の情報信号層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光記録媒体、または２枚の基板の間に複数層の情報信号層が設けられた構成を有し、少なくとも一方の基板の側からレーザ光を複数層の情報信号層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光記録媒体に対しても本技術は適用可能である。
また、上述の実施形態では、複数層の情報信号層のすべてが、追記型の記録層である場合を例として説明したが、複数層の情報信号層が、追記型の記録層に加えて、追記型以外の記録層をさらに備えていてもよい。
以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
（実施例１〜５、比較例１〜３）
まず、射出成形により、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板を成形した。なお、このポリカーボネート基板上には、イングルーブおよびオングルーブを有する凹凸面を形成した。次に、スパッタ法によりポリカーボネート基板の凹凸面上に誘電体層（基板側）、記録層、誘電体層（光透過層側）を順次積層することにより、第１情報信号層（以下「Ｌ０層」と称する。）を形成した。
まず、射出成形により、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板を成形した。なお、このポリカーボネート基板上には、イングルーブおよびオングルーブを有する凹凸面を形成した。次に、スパッタ法によりポリカーボネート基板の凹凸面上に誘電体層（基板側）、記録層、誘電体層（光透過層側）を順次積層することにより、第１情報信号層（以下「Ｌ０層」と称する。）を形成した。
以下に、Ｌ０層の各層の構成を示す。
誘電体層（基板側）
材料：ＩＴＯ
厚さ：１０ｎｍ
記録層
材料：Ｐｄ−Ｗ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｏ
厚さ：３５ｎｍ
誘電体層（光透過層側）
材料：ＩＴＯ
厚さ：１０ｎｍ
誘電体層（基板側）
材料：ＩＴＯ
厚さ：１０ｎｍ
記録層
材料：Ｐｄ−Ｗ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｏ
厚さ：３５ｎｍ
誘電体層（光透過層側）
材料：ＩＴＯ
厚さ：１０ｎｍ
次に、スピンコート法により紫外線硬化樹脂をＬ０層上に均一に塗布した。その後、Ｌ０層上に均一に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させた後、スタンパを剥離した。これらにより、イングルーブおよびオングルーブを有する、厚さ１５μｍの中間層が形成された。
次に、中間層上に誘電体層（基板側）、記録層、誘電体層（光透過層側）を順次積層することにより、第２情報信号層（以下「Ｌ１層」と称する。）を形成した。
以下に、Ｌ１層の各層の構成を示す。
誘電体層（基板側）
材料：ＩＴＯ
厚さ：１０ｎｍ
記録層
材料：Ｍｎ−Ｗ−Ｚｒ−Ｏ
厚さ：３５ｎｍ
誘電体層（光透過層側）
材料：ＩＴＯ
厚さ：１０ｎｍ
以下に、Ｌ１層の各層の構成を示す。
誘電体層（基板側）
材料：ＩＴＯ
厚さ：１０ｎｍ
記録層
材料：Ｍｎ−Ｗ−Ｚｒ−Ｏ
厚さ：３５ｎｍ
誘電体層（光透過層側）
材料：ＩＴＯ
厚さ：１０ｎｍ
記録層は、以下のようにして成膜した。ＡｒガスとＯ2ガスとの混合ガス雰囲気下にて、Ｍｎターゲット、Ｗターゲット、Ｚｒターゲットをコスパッタすることにより成膜した。この記録層の形成に際しては、記録層中のＭｎ、Ｗの原子比ａ／ｂ、Ｚｒの含有量ｃが、表１に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。ここで、ａは、記録層中における金属ＭA（＝Ｍｎ）の含有量を示し、ｂは、記録層中における金属ＭB（＝Ｗ）の含有量を示す。また、酸素濃度が高い混合ガス雰囲気となるように、ＡｒガスとＯ2ガスとの流量比を調整した。
以下に、具体的な記録層の成膜条件を示す。
Ａｒガス流量：１０〜１５ｓｃｃｍ
Ｏ2ガス流量：１５〜２４ｓｃｃｍ
投入電力：１００〜２００Ｗ
以下に、具体的な記録層の成膜条件を示す。
Ａｒガス流量：１０〜１５ｓｃｃｍ
Ｏ2ガス流量：１５〜２４ｓｃｃｍ
投入電力：１００〜２００Ｗ
次に、スピンコート法により、紫外線硬化樹脂をＬ１層上に均一塗布し、これに紫外線を照射して硬化させることにより、厚さ８５μｍを有する光透過層を形成した。
以上により、目的とする光記録媒体を得た。
以上により、目的とする光記録媒体を得た。
（実施例６〜１０、比較例４、５）
記録層中のＭｎ、Ｗの原子比ａ／ｂ、Ｚｒの含有量ｃが、表２に示す値となるように、各ターゲットの投入電力を調整して、Ｌ１層の記録層を形成する以外は実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
記録層中のＭｎ、Ｗの原子比ａ／ｂ、Ｚｒの含有量ｃが、表２に示す値となるように、各ターゲットの投入電力を調整して、Ｌ１層の記録層を形成する以外は実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
（実施例１１、１２）
Ｎｉターゲット、ＷターゲットおよびＺｒターゲットを用いて、Ｎｉ−Ｗ−Ｚｒ−ＯによりＬ１層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中のＮｉ、Ｗの原子比ａ／ｂ、Ｚｒの含有量ｃが、表３に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
Ｎｉターゲット、ＷターゲットおよびＺｒターゲットを用いて、Ｎｉ−Ｗ−Ｚｒ−ＯによりＬ１層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中のＮｉ、Ｗの原子比ａ／ｂ、Ｚｒの含有量ｃが、表３に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
（比較例６）
Ａｇターゲット、ＷターゲットおよびＺｒターゲットを用いて、Ａｇ−Ｗ−Ｚｒ−ＯによりＬ１層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中のＡｇ、Ｗの原子比ａ／ｂ、Ｚｒの含有量ｃが、表３に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
Ａｇターゲット、ＷターゲットおよびＺｒターゲットを用いて、Ａｇ−Ｗ−Ｚｒ−ＯによりＬ１層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中のＡｇ、Ｗの原子比ａ／ｂ、Ｚｒの含有量ｃが、表３に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
（比較例７）
Ｃｏターゲット、ＷターゲットおよびＺｒターゲットを用いて、Ｃｏ−Ｗ−Ｚｒ−ＯによりＬ１層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中のＣｏ、Ｗの原子比ａ／ｂ、Ｚｒの含有量ｃが、表３に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
Ｃｏターゲット、ＷターゲットおよびＺｒターゲットを用いて、Ｃｏ−Ｗ−Ｚｒ−ＯによりＬ１層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中のＣｏ、Ｗの原子比ａ／ｂ、Ｚｒの含有量ｃが、表３に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
（実施例１１、１２）
Ｍｎターゲット、ＭｏターゲットおよびＺｒターゲットを用いて、Ｍｎ−Ｍｏ−Ｚｒ−ＯによりＬ１層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中のＭｎ、Ｍｏの原子比ａ／ｂ、Ｚｒの含有量ｃが、表３に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
Ｍｎターゲット、ＭｏターゲットおよびＺｒターゲットを用いて、Ｍｎ−Ｍｏ−Ｚｒ−ＯによりＬ１層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中のＭｎ、Ｍｏの原子比ａ／ｂ、Ｚｒの含有量ｃが、表３に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
（比較例８）
Ｍｎターゲット、ＴａターゲットおよびＺｒターゲットを用いて、Ｍｎ−Ｔａ−Ｚｒ−ＯによりＬ１層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中のＭｎ、Ｔａの原子比ａ／ｂ、Ｚｒの含有量ｃが、表３に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
Ｍｎターゲット、ＴａターゲットおよびＺｒターゲットを用いて、Ｍｎ−Ｔａ−Ｚｒ−ＯによりＬ１層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中のＭｎ、Ｔａの原子比ａ／ｂ、Ｚｒの含有量ｃが、表３に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
（比較例９）
Ｍｎターゲット、ＶターゲットおよびＺｒターゲットを用いて、Ｍｎ−Ｖ−Ｚｒ−ＯによりＬ１層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中のＭｎ、Ｖの原子比ａ／ｂ、Ｚｒの含有量ｃが、表３に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
Ｍｎターゲット、ＶターゲットおよびＺｒターゲットを用いて、Ｍｎ−Ｖ−Ｚｒ−ＯによりＬ１層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中のＭｎ、Ｖの原子比ａ／ｂ、Ｚｒの含有量ｃが、表３に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
（実施例１５）
Ｍｎターゲット、Ｗターゲット、Ｚｒターゲット、ＣｕターゲットおよびＺｎターゲットを用いて、Ｍｎ−Ｗ−Ｚｒ−Ｃｕ−Ｚｎ−ＯによりＬ１層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中のＭｎ、Ｗの原子比ａ／ｂ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｚｎの含有量ｃ、ｄ（ｄ1、ｄ2）が、表４に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
Ｍｎターゲット、Ｗターゲット、Ｚｒターゲット、ＣｕターゲットおよびＺｎターゲットを用いて、Ｍｎ−Ｗ−Ｚｒ−Ｃｕ−Ｚｎ−ＯによりＬ１層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中のＭｎ、Ｗの原子比ａ／ｂ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｚｎの含有量ｃ、ｄ（ｄ1、ｄ2）が、表４に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
（実施例１６〜２０）
Ｍｎターゲット、Ｗターゲット、Ｚｒターゲット、Ｃｕターゲット、ＺｎターゲットおよびＭｇターゲットを用いて、Ｍｎ−Ｗ−Ｚｒ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇ−ＯによりＬ１層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中のＭｎ、Ｗの原子比ａ／ｂ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｇの含有量ｃ、ｄ（ｄ1、ｄ2）、ｅが、表４に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
Ｍｎターゲット、Ｗターゲット、Ｚｒターゲット、Ｃｕターゲット、ＺｎターゲットおよびＭｇターゲットを用いて、Ｍｎ−Ｗ−Ｚｒ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇ−ＯによりＬ１層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中のＭｎ、Ｗの原子比ａ／ｂ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｇの含有量ｃ、ｄ（ｄ1、ｄ2）、ｅが、表４に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
（評価）
上述のようにして得られた実施例１〜２０、比較例１〜９の光記録媒体のＬ１層に対して以下の評価を行った。
上述のようにして得られた実施例１〜２０、比較例１〜９の光記録媒体のＬ１層に対して以下の評価を行った。
（透過率）
分光高度計（日本分光（株）製、商品名：Ｖ−５３０）を用いて、記録波長４０５ｎｍに対するＬ１層の透過率を測定した。
分光高度計（日本分光（株）製、商品名：Ｖ−５３０）を用いて、記録波長４０５ｎｍに対するＬ１層の透過率を測定した。
（記録パワー）
ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、記録波長４０５ｎｍ、記録線速７．６９ｍ／ｓで１層あたり３２ＧＢ密度の１−７変調データを記録再生して、ｉ−ＭＬＳＥを求めた。このｉ−ＭＬＳＥを記録パワーに対し求め、１４％を超える記録パワーの低い側をＰｗｌ、高い側をＰｗｈとし、ＰｗｌとＰｗｈとの中間値を記録パワー（最適記録パワー）Ｐｗｏとした。ここで、ｉ−ＭＬＳＥ１４％はエラー補正が破綻しないｉ−ＭＬＳＥの上限値であり、これを超えると再生データに欠陥が発生して信号品質が著しく悪いと言われている。また、記録パワーは、半導体レーザの記録パワーではなく、Ｌ１層に入射するレーザ光の記録パワーを意味する。
ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、記録波長４０５ｎｍ、記録線速７．６９ｍ／ｓで１層あたり３２ＧＢ密度の１−７変調データを記録再生して、ｉ−ＭＬＳＥを求めた。このｉ−ＭＬＳＥを記録パワーに対し求め、１４％を超える記録パワーの低い側をＰｗｌ、高い側をＰｗｈとし、ＰｗｌとＰｗｈとの中間値を記録パワー（最適記録パワー）Ｐｗｏとした。ここで、ｉ−ＭＬＳＥ１４％はエラー補正が破綻しないｉ−ＭＬＳＥの上限値であり、これを超えると再生データに欠陥が発生して信号品質が著しく悪いと言われている。また、記録パワーは、半導体レーザの記録パワーではなく、Ｌ１層に入射するレーザ光の記録パワーを意味する。
（変調度）
ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、記録波長４０５ｎｍ、記録線速７．６９ｍ／ｓで１層あたり３２ＧＢ密度の１−７変調データを記録再生して、変調度（信号振幅比）を求めた。
ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、記録波長４０５ｎｍ、記録線速７．６９ｍ／ｓで１層あたり３２ＧＢ密度の１−７変調データを記録再生して、変調度（信号振幅比）を求めた。
（屈折率）
記録層の屈折率を以下のようにして求めた。まず、スパッタリング法により、Ｓｉウェハ上に、Ｌ１層に含まれる記録層と同様の組成を有する薄膜を製膜して評価サンプルを作製した。次に、分光エリプソメータ（J.A.woollam co.製、商品名：VASE series Ellipsometers (HS-190 monochromator)）を用いて、波長４０５ｎｍのレーザ光を評価サンプルの薄膜の膜面に対して垂直入射させたときの屈折率ｎを測定した。
記録層の屈折率を以下のようにして求めた。まず、スパッタリング法により、Ｓｉウェハ上に、Ｌ１層に含まれる記録層と同様の組成を有する薄膜を製膜して評価サンプルを作製した。次に、分光エリプソメータ（J.A.woollam co.製、商品名：VASE series Ellipsometers (HS-190 monochromator)）を用いて、波長４０５ｎｍのレーザ光を評価サンプルの薄膜の膜面に対して垂直入射させたときの屈折率ｎを測定した。
（総合評価）
上述の透過率、記録パワーおよび変調度の評価結果を用いて、実施例１〜１４、比較例１〜９の光記録媒体のＬ１層を以下の基準で評価した。
◎：７０．０％≦Ｔ、Ｐｗｏ≦１８．６２ｍＷ、４５．０≦Ｍ
○：６０．０％≦Ｔ＜７０．０％、１８．６２ｍＷ＜Ｐｗｏ≦２２．８ｍＷ、４０．０≦Ｍ＜４５．０
×：Ｔ＜６０．０％、２２．８ｍＷ＜Ｐｗｏ、Ｍ＜４０．０
但し、Ｔ：透過率、Ｐｗｏ：記録パワー、Ｍ：変調度である。
上述の透過率、記録パワーおよび変調度の評価結果を用いて、実施例１〜１４、比較例１〜９の光記録媒体のＬ１層を以下の基準で評価した。
◎：７０．０％≦Ｔ、Ｐｗｏ≦１８．６２ｍＷ、４５．０≦Ｍ
○：６０．０％≦Ｔ＜７０．０％、１８．６２ｍＷ＜Ｐｗｏ≦２２．８ｍＷ、４０．０≦Ｍ＜４５．０
×：Ｔ＜６０．０％、２２．８ｍＷ＜Ｐｗｏ、Ｍ＜４０．０
但し、Ｔ：透過率、Ｐｗｏ：記録パワー、Ｍ：変調度である。
（総合評価）
上述の透過率、記録パワーおよび変調度の評価結果を用いて、実施例１５〜２０の光記録媒体のＬ１層を以下の基準で評価した。
◎+：７０．０％≦Ｔ、Ｐｗｏ≦２２．８ｍＷ、４５．０≦Ｍ、１．９７０≦ｎ≦２．２４０
◎-：７０．０％≦Ｔ、Ｐｗｏ≦２２．８ｍＷ、４５．０≦Ｍ、ｎ＜１．９７０、２．２４０＜ｎ
上述の透過率、記録パワーおよび変調度の評価結果を用いて、実施例１５〜２０の光記録媒体のＬ１層を以下の基準で評価した。
◎+：７０．０％≦Ｔ、Ｐｗｏ≦２２．８ｍＷ、４５．０≦Ｍ、１．９７０≦ｎ≦２．２４０
◎-：７０．０％≦Ｔ、Ｐｗｏ≦２２．８ｍＷ、４５．０≦Ｍ、ｎ＜１．９７０、２．２４０＜ｎ
表１は、実施例１〜５、比較例１〜３の光記録媒体のＬ１層に含まれる記録層の組成およびＬ１層の評価結果を示す。
図３は、実施例１〜５、比較例１〜３の光記録媒体のＬ１層の透過率および変調度を示す。なお、図３に示した近似直線Ｔ、Ｍは、最小二乗法による線形近似から求めた。
表２は、実施例６〜１０、比較例４、５の光記録媒体のＬ１層に含まれる記録層の組成およびＬ１層の評価結果を示す。
図４Ａは、実施例６〜１０、比較例４、５の光記録媒体のＬ１層の透過率および変調度を示す。図４Ｂは、実施例６〜１０、比較例４、５の光記録媒体のＬ１層に含まれる記録層の記録パワーを示す。なお、図４Ａ、図４Ｂに示した近似直線Ｔ、Ｍ、ＰWOは、最小二乗法による線形近似から求めた。
表３は、実施例１１〜１４、比較例６〜９の光記録媒体のＬ１層に含まれる記録層の組成および評価結果を示す。
表４は、実施例１５〜２０の光記録媒体のＬ１層に含まれる記録層の組成を示す。
表５は、実施例１５〜２０の光記録媒体のＬ１層の評価結果を示す。
図５は、実施例１５〜２０の光記録媒体のＬ１層に含まれる記録層の屈折率を示す。なお、図５に示した近似直線ｎは、最小二乗法による線形近似から求めた。
なお、表１〜表４中、記号ａ、ｂ、ｄ、ｅは、以下の内容を示している。
ａ／ｂ：記録層中にける金属ＭBに対する金属ＭAの比率（原子比）
ｃ：記録層中にける金属ＭCの含有量（原子％）（但し、表１〜表３中では、ｃは、金属ＭA、ＭBおよびＭCの合計量に対する金属ＭCの原子比率（原子％）も意味する。）
ｄ：記録層中にける金属ＭDの含有量（原子％）（具体的には、ｄ1：記録層中におけるＣｕの含有量（原子％）、ｄ2：記録層中におけるＺｎの含有量（原子％））
ｅ：記録層中にける金属ＭEの含有量（原子％）
ａ／ｂ：記録層中にける金属ＭBに対する金属ＭAの比率（原子比）
ｃ：記録層中にける金属ＭCの含有量（原子％）（但し、表１〜表３中では、ｃは、金属ＭA、ＭBおよびＭCの合計量に対する金属ＭCの原子比率（原子％）も意味する。）
ｄ：記録層中にける金属ＭDの含有量（原子％）（具体的には、ｄ1：記録層中におけるＣｕの含有量（原子％）、ｄ2：記録層中におけるＺｎの含有量（原子％））
ｅ：記録層中にける金属ＭEの含有量（原子％）
金属ＭA、ＭBに関しては、記録層中における金属ＭA、ＭBの含有量ではなく、金属ＭBに対する金属ＭAの比率（原子比）が媒体の特性にとって重要であるため、表１〜表４には金属ＭBに対する金属ＭAの比率（原子比）を記載している。これに対して、金属ＭA、ＭB以外の金属ＭC、ＭD、ＭEについては、記録層中における金属ＭC、ＭD、ＭEの含有量が媒体の特性にとって重要であるため、表１〜表４にはそれらの含有量を記載している。
図３に示した近似直線Ｔから、６０．０％≦Ｔにするためにはａ／ｂ≦１．３１にすることが好ましく、７０．０％≦Ｔにするためにはａ／ｂ≦０．７８にすることが好ましいことがわかる。
図３に示した近似直線Ｍから、４０．０≦Ｍにするためには０．３７≦ａ／ｂにすることが好ましく、４５≦Ｍにするためには０．５４≦ａ／ｂにすることが好ましいことがわかる。
以上により、透過率Ｔ、変調度Ｍをそれぞれ６０．０％≦Ｔ、４０．０≦Ｍにするためには、０．３７≦ａ／ｂ≦１．３１とすることが好ましく、透過率Ｔ、変調度Ｍをそれぞれ７０．０％≦Ｔ、４５．０≦Ｍにするためには、０．５４≦ａ／ｂ≦０．７８とすることが好ましい。
図３に示した近似直線Ｍから、４０．０≦Ｍにするためには０．３７≦ａ／ｂにすることが好ましく、４５≦Ｍにするためには０．５４≦ａ／ｂにすることが好ましいことがわかる。
以上により、透過率Ｔ、変調度Ｍをそれぞれ６０．０％≦Ｔ、４０．０≦Ｍにするためには、０．３７≦ａ／ｂ≦１．３１とすることが好ましく、透過率Ｔ、変調度Ｍをそれぞれ７０．０％≦Ｔ、４５．０≦Ｍにするためには、０．５４≦ａ／ｂ≦０．７８とすることが好ましい。
図４Ａに示した近似直線Ｍから、４０．０≦Ｍにするためには記録層中におけるＺｒの含有量ｃを０．９原子％≦ｃにすることが好ましく、４５．０≦Ｍにするためには記録層中におけるＺｒの含有量ｃを５．５原子％≦ｃにすることが好ましいことがわかる。
図４Ｂに示した近似直線ＰWOから、ＰWO≦２２．８ｍＷにするためには記録層中におけるＺｒの含有量ｃをｃ≦２７．５原子％にすることが好ましく、ＰWO≦１８．６２ｍＷにするためには記録層中におけるＺｒの含有量ｃをｃ≦８．５原子％にすることが好ましいことがわかる。
以上により、変調度Ｍ、記録パワーＰWOをそれぞれ４０．０≦Ｍ、ＰWO≦２２．８ｍＷにするためには、記録層中におけるＺｒの含有量ｃを０．９原子％≦ｃ≦２７．５原子％にすることが好ましく、変調度Ｍ、記録パワーＰWOをそれぞれ４５≦Ｍ、ＰWO≦１８．６２ｍＷにするためには、記録層中におけるＺｒの含有量ｃを５．５原子％≦ｃ≦８．５原子％とすることが好ましい。
図４Ｂに示した近似直線ＰWOから、ＰWO≦２２．８ｍＷにするためには記録層中におけるＺｒの含有量ｃをｃ≦２７．５原子％にすることが好ましく、ＰWO≦１８．６２ｍＷにするためには記録層中におけるＺｒの含有量ｃをｃ≦８．５原子％にすることが好ましいことがわかる。
以上により、変調度Ｍ、記録パワーＰWOをそれぞれ４０．０≦Ｍ、ＰWO≦２２．８ｍＷにするためには、記録層中におけるＺｒの含有量ｃを０．９原子％≦ｃ≦２７．５原子％にすることが好ましく、変調度Ｍ、記録パワーＰWOをそれぞれ４５≦Ｍ、ＰWO≦１８．６２ｍＷにするためには、記録層中におけるＺｒの含有量ｃを５．５原子％≦ｃ≦８．５原子％とすることが好ましい。
表３に示した実施例１１、１２の評価結果から、金属ＭAとしてＭｎに代えてＮｉを用いた場合にも、透過率Ｔ、記録パワーＰWO、変調度Ｍをそれぞれ６０％≦Ｔ、ＰWO≦２２．８ｍＷ、４０．０≦Ｍとすることができることがわかる。
表３に示した比較例６、７の評価結果から、金属ＭAとしてＭｎに代えてＡｇ、Ｃｏを用いた場合には、透過率Ｔ、記録パワーＰWOをそれぞれ６０．０％≦Ｔ、ＰWO≦２２．８ｍＷとすることはできるが、変調度Ｍを４０．０≦Ｍとすることが困難であることがわかる。
表３に示した実施例１３、１４の評価結果から、金属ＭBとしてＷに代えてＭｏを用いた場合にも、透過率Ｔ、記録パワーＰWO、変調度Ｍをそれぞれ６０％≦Ｔ、ＰWO≦２２．８ｍＷ、４０．０≦Ｍとすることができることがわかる。
表３に示した比較例８、９の評価結果から、金属ＭBとしてＷに代えてＴａ、Ｖを用いた場合には、透過率Ｔ、記録パワーＰWOをそれぞれ６０．０％≦Ｔ、ＰWO≦２２．８ｍＷとすることはできるが、変調度Ｍを４０．０≦Ｍとすることが困難であることがわかる。
表３に示した比較例６、７の評価結果から、金属ＭAとしてＭｎに代えてＡｇ、Ｃｏを用いた場合には、透過率Ｔ、記録パワーＰWOをそれぞれ６０．０％≦Ｔ、ＰWO≦２２．８ｍＷとすることはできるが、変調度Ｍを４０．０≦Ｍとすることが困難であることがわかる。
表３に示した実施例１３、１４の評価結果から、金属ＭBとしてＷに代えてＭｏを用いた場合にも、透過率Ｔ、記録パワーＰWO、変調度Ｍをそれぞれ６０％≦Ｔ、ＰWO≦２２．８ｍＷ、４０．０≦Ｍとすることができることがわかる。
表３に示した比較例８、９の評価結果から、金属ＭBとしてＷに代えてＴａ、Ｖを用いた場合には、透過率Ｔ、記録パワーＰWOをそれぞれ６０．０％≦Ｔ、ＰWO≦２２．８ｍＷとすることはできるが、変調度Ｍを４０．０≦Ｍとすることが困難であることがわかる。
表１、４にそれぞれ示した実施例４、１５の評価結果から、金属ＭDとしてＣｕ、Ｚｎをさらに記録層に添加しても、透過率Ｔ、記録パワーＰWOおよび変調度Ｍの特性にほとんど影響がないことがわかる。
表４に示した実施例１５〜２０の評価結果から、金属ＭEとしてＭｇをさらに記録層に添加すると、記録層の屈折率が低下することがわかる。また、記録層中におけるＭｇの添加量が増加するに従って、記録層の屈折率が低下する傾向があることがわかる。
図５に示した近似直線ｎから、屈折率を２．２４０以下にするためには、記録層中におけるＭｇの含有量ｅを６．６原子％以上にすることが好ましく、屈折率を２．１４０以下にするためには、記録層中におけるＭｇの含有量ｅを２０．１原子％以上にすることが好ましいことがわかる。また、屈折率を１．９７以下にするためには、記録層中におけるＭｇの含有量ｅを４３．０原子％以上にすることが好ましいことがわかる。
表４に示した実施例１５〜２０の評価結果から、金属ＭEとしてＭｇをさらに記録層に添加すると、記録層の屈折率が低下することがわかる。また、記録層中におけるＭｇの添加量が増加するに従って、記録層の屈折率が低下する傾向があることがわかる。
図５に示した近似直線ｎから、屈折率を２．２４０以下にするためには、記録層中におけるＭｇの含有量ｅを６．６原子％以上にすることが好ましく、屈折率を２．１４０以下にするためには、記録層中におけるＭｇの含有量ｅを２０．１原子％以上にすることが好ましいことがわかる。また、屈折率を１．９７以下にするためには、記録層中におけるＭｇの含有量ｅを４３．０原子％以上にすることが好ましいことがわかる。
（実施例２１）
記録層中におけるＷに対するＭｎの原子比ａ１／ｂ１、Ｚｒの含有量ｃが、表６に示す値となるように、各ターゲットの投入電力を調整して、Ｌ１層の記録層を形成する以外は実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
記録層中におけるＷに対するＭｎの原子比ａ１／ｂ１、Ｚｒの含有量ｃが、表６に示す値となるように、各ターゲットの投入電力を調整して、Ｌ１層の記録層を形成する以外は実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
（実施例２２〜２４）
Ｍｎターゲット、Ｎｉターゲット、ＷターゲットおよびＺｒターゲットを用いて、Ｍｎ−Ｎｉ−Ｗ−Ｚｒ−ＯによりＬ１層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中におけるＷに対するＭｎおよびＮｉの合計量の原子比（ａ１＋ａ２）／ｂ１、Ｚｒの含有量ｃが、表６に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例２１と同様にして光記録媒体を得た。
Ｍｎターゲット、Ｎｉターゲット、ＷターゲットおよびＺｒターゲットを用いて、Ｍｎ−Ｎｉ−Ｗ−Ｚｒ−ＯによりＬ１層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中におけるＷに対するＭｎおよびＮｉの合計量の原子比（ａ１＋ａ２）／ｂ１、Ｚｒの含有量ｃが、表６に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例２１と同様にして光記録媒体を得た。
（実施例２５）
Ｎｉターゲット、ＷターゲットおよびＺｒターゲットを用いて、Ｎｉ−Ｗ−Ｚｒ−ＯによりＬ１層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中におけるＷに対するＮｉの原子比ａ２／ｂ１、Ｚｒの含有量ｃが、表６に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例２１と同様にして光記録媒体を得た。
Ｎｉターゲット、ＷターゲットおよびＺｒターゲットを用いて、Ｎｉ−Ｗ−Ｚｒ−ＯによりＬ１層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中におけるＷに対するＮｉの原子比ａ２／ｂ１、Ｚｒの含有量ｃが、表６に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例２１と同様にして光記録媒体を得た。
（実施例２６、２７）
Ｍｎターゲット、Ｎｉターゲット、ＷターゲットおよびＺｒターゲットを用いて、Ｍｎ−Ｎｉ−Ｗ−Ｚｒ−ＯによりＬ１層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中におけるＷに対するＭｎおよびＮｉの合計量の原子比（ａ１＋ａ２）／ｂ１、Ｚｒの含有量ｃが、表６に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例４と同様にして光記録媒体を得た。
Ｍｎターゲット、Ｎｉターゲット、ＷターゲットおよびＺｒターゲットを用いて、Ｍｎ−Ｎｉ−Ｗ−Ｚｒ−ＯによりＬ１層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中におけるＷに対するＭｎおよびＮｉの合計量の原子比（ａ１＋ａ２）／ｂ１、Ｚｒの含有量ｃが、表６に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例４と同様にして光記録媒体を得た。
なお、表６に示した実施２１〜２５では、金属ＭAの含有量ａ（＝ａ1＋ａ2）がすべて同一量に維持されるよう成膜条件を調整にした。また、表６に示した実施例４、１２、２６、２７では、金属ＭAの含有量ａ（＝ａ1＋ａ2）がすべて同一量に維持されるように成膜条件を調整した。
（実施例２８）
記録層中におけるＷに対するＭｎの原子比ａ1／ｂ1、Ｚｒの含有量ｃが、表８に示す値となるように、各ターゲットの投入電力を調整して、Ｌ１層の記録層を形成する以外は実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
記録層中におけるＷに対するＭｎの原子比ａ1／ｂ1、Ｚｒの含有量ｃが、表８に示す値となるように、各ターゲットの投入電力を調整して、Ｌ１層の記録層を形成する以外は実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
（実施例２９、３０）
Ｍｎターゲット、Ｗターゲット、ＭｏターゲットおよびＺｒターゲットを用いて、Ｍｎ−Ｗ−Ｍｏ−Ｚｒ−ＯによりＬ１層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中におけるＷおよびＭｏの合計量に対するＭｎの原子比ａ1／（ｂ1＋ｂ2）、Ｚｒの含有量ｃが、表８に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例２８と同様にして光記録媒体を得た。
Ｍｎターゲット、Ｗターゲット、ＭｏターゲットおよびＺｒターゲットを用いて、Ｍｎ−Ｗ−Ｍｏ−Ｚｒ−ＯによりＬ１層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中におけるＷおよびＭｏの合計量に対するＭｎの原子比ａ1／（ｂ1＋ｂ2）、Ｚｒの含有量ｃが、表８に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例２８と同様にして光記録媒体を得た。
（実施例３１、３２）
Ｍｎターゲット、Ｗターゲット、ＭｏターゲットおよびＺｒターゲットを用いて、Ｍｎ−Ｗ−Ｍｏ−Ｚｒ−ＯによりＬ１層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中のＷおよびＭｏの合計量に対するＭｎの原子比ａ1／（ｂ1＋ｂ2）、Ｚｒの含有量ｃが、表８に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例４と同様にして光記録媒体を得た。
Ｍｎターゲット、Ｗターゲット、ＭｏターゲットおよびＺｒターゲットを用いて、Ｍｎ−Ｗ−Ｍｏ−Ｚｒ−ＯによりＬ１層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中のＷおよびＭｏの合計量に対するＭｎの原子比ａ1／（ｂ1＋ｂ2）、Ｚｒの含有量ｃが、表８に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例４と同様にして光記録媒体を得た。
なお、表８に示した実施例４、１３、１４、２８〜３２では、金属ＭBの含有量ｂ（＝ｂ1＋ｂ2）がすべて同一量に維持されるように成膜条件を調整した。
（実施例３３、３４）
Ｍｎターゲット、Ｎｉターゲット、Ｗターゲット、ＭｏターゲットおよびＺｒターゲットを用いて、Ｍｎ−Ｎｉ−Ｗ−Ｍｏ−Ｚｒ−ＯによりＬ１層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中におけるＷおよびＭｏの合計量に対するＭｎおよびＮｉの合計量の原子比（ａ1＋ａ2）／（ｂ1＋ｂ2）、Ｚｒの含有量ｃが、表１０に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例２１と同様にして光記録媒体を得た。
Ｍｎターゲット、Ｎｉターゲット、Ｗターゲット、ＭｏターゲットおよびＺｒターゲットを用いて、Ｍｎ−Ｎｉ−Ｗ−Ｍｏ−Ｚｒ−ＯによりＬ１層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中におけるＷおよびＭｏの合計量に対するＭｎおよびＮｉの合計量の原子比（ａ1＋ａ2）／（ｂ1＋ｂ2）、Ｚｒの含有量ｃが、表１０に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例２１と同様にして光記録媒体を得た。
（評価）
上述のようにして得られた実施例４、１２〜１４、２１〜３４の光記録媒体のＬ１層に対して以下の評価を行った。
上述のようにして得られた実施例４、１２〜１４、２１〜３４の光記録媒体のＬ１層に対して以下の評価を行った。
（透過率）
実施例１と同様にしてＬ１層の透過率Ｔを測定した。次に、測定した透過率Ｔを用いて、実施例４、１２〜１４、２１〜３４の光記録媒体のＬ１層を以下の基準で評価した。
◎：７０．０％≦Ｔ
○：６０．０％≦Ｔ＜７０．０％
×：Ｔ＜６０．０％
実施例１と同様にしてＬ１層の透過率Ｔを測定した。次に、測定した透過率Ｔを用いて、実施例４、１２〜１４、２１〜３４の光記録媒体のＬ１層を以下の基準で評価した。
◎：７０．０％≦Ｔ
○：６０．０％≦Ｔ＜７０．０％
×：Ｔ＜６０．０％
（記録パワー）
実施例１と同様にしてＬ１層の記録パワー（最適記録パワー）Ｐｗｏを求めた。次に、求めた記録パワーＰｗｏを用いて、実施例４、１２〜１４、２１〜３４の光記録媒体のＬ１層を以下の基準で評価した。
◎：Ｐｗｏ≦１８．６２ｍＷ
○：１８．６２ｍＷ＜Ｐｗｏ≦２２．８ｍＷ
×：２２．８ｍＷ＜Ｐｗｏ
実施例１と同様にしてＬ１層の記録パワー（最適記録パワー）Ｐｗｏを求めた。次に、求めた記録パワーＰｗｏを用いて、実施例４、１２〜１４、２１〜３４の光記録媒体のＬ１層を以下の基準で評価した。
◎：Ｐｗｏ≦１８．６２ｍＷ
○：１８．６２ｍＷ＜Ｐｗｏ≦２２．８ｍＷ
×：２２．８ｍＷ＜Ｐｗｏ
（変調度）
実施例１と同様にしてＬ１層の変調度（信号振幅比）Ｍを求めた。次に、求めた記録パワーＰｗｏを用いて、実施例４、１２〜１４、２１〜３４の光記録媒体のＬ１層を以下の基準で評価した。
◎：４５．０≦Ｍ
○：４０．０≦Ｍ＜４５．０
×：Ｍ＜４０．０
実施例１と同様にしてＬ１層の変調度（信号振幅比）Ｍを求めた。次に、求めた記録パワーＰｗｏを用いて、実施例４、１２〜１４、２１〜３４の光記録媒体のＬ１層を以下の基準で評価した。
◎：４５．０≦Ｍ
○：４０．０≦Ｍ＜４５．０
×：Ｍ＜４０．０
（パワーマージン）
光記録媒体のランダムシンボルエラーレート（ＳＥＲ）に対するパワーマージンＰＭを以下のようにして求めた。まず、ＳＥＲを記録パワーに対し求め、４×１０-3を超える記録パワーの低い側をＰｗｌ、高い側をＰｗｈとした。次に、求めた記録パワーＰｗｌ、Ｐｗｈ、最適記録パワーＰｗｏを下記の式に代入してＳＥＲに対するパワーマージンＰＭを求めた。
ＰＭ［％］＝（（Ｐｗｈ−Ｐｗｌ）／Ｐｗｏ）×１００
光記録媒体のランダムシンボルエラーレート（ＳＥＲ）に対するパワーマージンＰＭを以下のようにして求めた。まず、ＳＥＲを記録パワーに対し求め、４×１０-3を超える記録パワーの低い側をＰｗｌ、高い側をＰｗｈとした。次に、求めた記録パワーＰｗｌ、Ｐｗｈ、最適記録パワーＰｗｏを下記の式に代入してＳＥＲに対するパワーマージンＰＭを求めた。
ＰＭ［％］＝（（Ｐｗｈ−Ｐｗｌ）／Ｐｗｏ）×１００
次に、求めたパワーマージンＰＭを用いて、実施例４、１２〜１４、２１〜３４の光記録媒体のＬ１層を以下の基準で評価した。
◎：２８％≦ＰＭ
○：２０％≦ＰＭ＜２８％
×：ＰＭ＜２０％
◎：２８％≦ＰＭ
○：２０％≦ＰＭ＜２８％
×：ＰＭ＜２０％
（感度）
まず、加速試験前におけるＬ１層の記録パワー（最適記録パワー）ＰｗｏＡを求めた。次に、光記録媒体に対して以下の条件で加速試験を行った。
温度：８０℃
相対湿度（Relative Humidity：ＲＨ）：８５％、
加速時間：２００ｈ
まず、加速試験前におけるＬ１層の記録パワー（最適記録パワー）ＰｗｏＡを求めた。次に、光記録媒体に対して以下の条件で加速試験を行った。
温度：８０℃
相対湿度（Relative Humidity：ＲＨ）：８５％、
加速時間：２００ｈ
次に、加速試験後におけるＬ１層の記録パワー（最適記録パワー）ＰｗｏＢを求めた。次に、以下の式から感度劣化を求めた。
感度劣化［％］＝［（（ＰｗｏＡ）−（ＰｗｏＢ））／（ＰｗｏＡ）］×１００
感度劣化［％］＝［（（ＰｗｏＡ）−（ＰｗｏＢ））／（ＰｗｏＡ）］×１００
次に、求めた感度劣化を用いて、実施例４、１２〜１４、２１〜３４の光記録媒体のＬ１層を以下の基準で評価した。
◎：感度劣化が１０％以下である。
○：感度劣化が１０％を超え２０％以下である。
×：感度劣化が２０％を超える。
◎：感度劣化が１０％以下である。
○：感度劣化が１０％を超え２０％以下である。
×：感度劣化が２０％を超える。
表６は、実施例４、１２、２１〜２７の光記録媒体のＬ１層に含まれる記録層の組成を示す。
表７は、実施例４、１２、２１〜２７の光記録媒体のＬ１層の評価結果を示す。
表８は、実施例４、１３、１４、２８〜３２の光記録媒体のＬ１層に含まれる記録層の組成を示す。
表９は、実施例４、１３、１４、２８〜３２の光記録媒体のＬ１層の評価結果を示す。
表１０は、実施例３３、３４の光記録媒体のＬ１層に含まれる記録層の組成を示す。
表１１は、実施例３３、３４の光記録媒体のＬ１層の評価結果を示す。
なお、表６、表８、表１０中、記号ａ１、ａ２、ｂ１、ｂ２、ｃは、以下の内容を示している。
ａ１：記録層中におけるＭｎ（金属ＭA1）の含有量
ａ２：記録層中におけるＮｉ（金属ＭA2）の含有量
ｂ１：記録層中におけるＷ（金属ＭB1）の含有量
ｂ２：記録層中におけるＭｏ（金属ＭB2）の含有量
ｃ：記録層中にけるＭCの含有量（原子％）
ａ１：記録層中におけるＭｎ（金属ＭA1）の含有量
ａ２：記録層中におけるＮｉ（金属ＭA2）の含有量
ｂ１：記録層中におけるＷ（金属ＭB1）の含有量
ｂ２：記録層中におけるＭｏ（金属ＭB2）の含有量
ｃ：記録層中にけるＭCの含有量（原子％）
表６、表７から以下のことがわかる。金属ＭAとしてＭｎおよびＮｉの両方を用いると、パワーマージンを特に改善できる。Ｎｉに対するＭｎの原子比（Ｍｎ／Ｎｉ）が０．４以上２．６以下の範囲において、パワーマージンが特に改善される。金属ＭAとしてＮｉを用いると、金属ＭAとしてＭｎおよびＮｉの両方またはＭｎを用いた場合に比べて、加速試験前後における感度劣化を抑制できる。
表８、表９から以下のことがわかる。金属ＭBとしてＷおよびＭｏの両方を用いると、パワーマージンを特に改善できる。Ｍｏに対するＷの原子比（Ｗ／Ｍｏ）が２．０以下の範囲において、パワーマージンが特に改善される。金属ＭBとしてＭｏを用いると、金属ＭBとしてＷを用いた場合に比べて、パワーマージンを改善できる。
表９、表１０から以下のことがわかる。金属ＭAとしてＭｎおよびＮｉの両方を用い、かつ金属ＭBとしてＷおよびＭｏの両方を用いると、パワーマージンを改善し、かつ加速試験前後における感度劣化を抑制できる。
以上、本技術の実施形態および実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態および実施例に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施形態および実施例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。
また、上述の実施形態および実施例の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
金属ＭAの酸化物と、金属ＭBの酸化物と、金属ＭCの酸化物とを含む透過型記録層を備え、
上記金属ＭAは、ＭｎおよびＮｉからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
上記金属ＭBは、ＷおよびＭｏからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
上記金属ＭCは、Ｚｒであり、
上記金属ＭBに対する上記金属ＭAの原子比（ＭA／ＭB）は、０．３７以上１．３１以下であり、
上記透過型記録層中における上記金属ＭCの含有量は、０．９原子％以上２７．５原子％以下である光記録媒体。
（２）
上記透過型記録層は、金属ＭEの酸化物をさらに含み、
上記金属ＭEは、Ｍｇである（１）に記載の光記録媒体。
（３）
上記透過型記録層中における上記金属ＭEの含有量は、６．６原子％以上４３．０原子％以下である（２）に記載の光記録媒体。
（４）
上記透過型記録層の層数が、２層である（１）から（３）のいずれかに記載の光記録媒体。
（５）
上記透過型記録層中における上記金属ＭCの含有量は、０．９原子％以上８．５原子％以下である（１）から（３）のいずれかに記載の光記録媒体。
（６）
上記透過型記録層の層数が、３層である（５）に記載の光記録媒体。
（７）
上記金属ＭBに対する上記金属ＭAの原子比（ＭA／ＭB）は、０．５４以上０．７８以下である（１）から（６）のいずれかに記載の光記録媒体。
（８）
上記透過型記録層は、金属ＭDの酸化物をさらに含み、
上記金属ＭDは、ＣｕおよびＺｎからなる群より選ばれる少なくとも１種である（１）から（７）のいずれかに記載の光記録媒体。
（９）
上記金属ＭAは、ＭｎおよびＮｉの両方である（１）から（８）のいずれかに記載の光記録媒体。
（１０）
上記金属ＭBは、ＷおよびＭｏの両方である（１）から（８）のいずれかに記載の光記録媒体。
（１１）
上記金属ＭAは、ＭｎおよびＮｉの両方であり、
上記金属ＭBは、ＷおよびＭｏの両方である（１）から（８）のいずれかに記載の光記録媒体。
（１２）
上記透過型記録層の少なくとも一方の面に設けられた誘電体層をさらに備える（１）から（１１）のいずれかに記載の光記録媒体。
（１３）
上記透過型記録層の両方の面に設けられた誘電体層をさらに備える（１）から（１１）のいずれかに記載の光記録媒体。
（１４）
金属ＭAの酸化物と、金属ＭBの酸化物と、金属ＭCの酸化物とを含み、
上記金属ＭAは、ＭｎおよびＮｉからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
上記金属ＭBは、ＷおよびＭｏからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
上記金属ＭCは、Ｚｒであり、
上記金属ＭBに対する上記金属ＭAの原子比（ＭA／ＭB）は、０．３７以上１．３１以下であり、
上記透過型記録層中における上記金属ＭCの含有量は、０．９原子％以上２７．５原子％以下である光記録媒体用記録層。
（１）
金属ＭAの酸化物と、金属ＭBの酸化物と、金属ＭCの酸化物とを含む透過型記録層を備え、
上記金属ＭAは、ＭｎおよびＮｉからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
上記金属ＭBは、ＷおよびＭｏからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
上記金属ＭCは、Ｚｒであり、
上記金属ＭBに対する上記金属ＭAの原子比（ＭA／ＭB）は、０．３７以上１．３１以下であり、
上記透過型記録層中における上記金属ＭCの含有量は、０．９原子％以上２７．５原子％以下である光記録媒体。
（２）
上記透過型記録層は、金属ＭEの酸化物をさらに含み、
上記金属ＭEは、Ｍｇである（１）に記載の光記録媒体。
（３）
上記透過型記録層中における上記金属ＭEの含有量は、６．６原子％以上４３．０原子％以下である（２）に記載の光記録媒体。
（４）
上記透過型記録層の層数が、２層である（１）から（３）のいずれかに記載の光記録媒体。
（５）
上記透過型記録層中における上記金属ＭCの含有量は、０．９原子％以上８．５原子％以下である（１）から（３）のいずれかに記載の光記録媒体。
（６）
上記透過型記録層の層数が、３層である（５）に記載の光記録媒体。
（７）
上記金属ＭBに対する上記金属ＭAの原子比（ＭA／ＭB）は、０．５４以上０．７８以下である（１）から（６）のいずれかに記載の光記録媒体。
（８）
上記透過型記録層は、金属ＭDの酸化物をさらに含み、
上記金属ＭDは、ＣｕおよびＺｎからなる群より選ばれる少なくとも１種である（１）から（７）のいずれかに記載の光記録媒体。
（９）
上記金属ＭAは、ＭｎおよびＮｉの両方である（１）から（８）のいずれかに記載の光記録媒体。
（１０）
上記金属ＭBは、ＷおよびＭｏの両方である（１）から（８）のいずれかに記載の光記録媒体。
（１１）
上記金属ＭAは、ＭｎおよびＮｉの両方であり、
上記金属ＭBは、ＷおよびＭｏの両方である（１）から（８）のいずれかに記載の光記録媒体。
（１２）
上記透過型記録層の少なくとも一方の面に設けられた誘電体層をさらに備える（１）から（１１）のいずれかに記載の光記録媒体。
（１３）
上記透過型記録層の両方の面に設けられた誘電体層をさらに備える（１）から（１１）のいずれかに記載の光記録媒体。
（１４）
金属ＭAの酸化物と、金属ＭBの酸化物と、金属ＭCの酸化物とを含み、
上記金属ＭAは、ＭｎおよびＮｉからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
上記金属ＭBは、ＷおよびＭｏからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
上記金属ＭCは、Ｚｒであり、
上記金属ＭBに対する上記金属ＭAの原子比（ＭA／ＭB）は、０．３７以上１．３１以下であり、
上記透過型記録層中における上記金属ＭCの含有量は、０．９原子％以上２７．５原子％以下である光記録媒体用記録層。
１１ 基板
１２ 光透過層
１０ 光記録媒体
２１ 記録層
２２、２３ 誘電体層
Ｌ０〜Ｌｎ 情報信号層
Ｓ１〜Ｓｎ 中間層
Ｇin イングルーブ
Ｇon オングルーブ
Ｃ 光照射面
１２ 光透過層
１０ 光記録媒体
２１ 記録層
２２、２３ 誘電体層
Ｌ０〜Ｌｎ 情報信号層
Ｓ１〜Ｓｎ 中間層
Ｇin イングルーブ
Ｇon オングルーブ
Ｃ 光照射面
Claims (14)
- 金属ＭAの酸化物と、金属ＭBの酸化物と、金属ＭCの酸化物とを含む透過型記録層を備え、
上記金属ＭAは、ＭｎおよびＮｉからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
上記金属ＭBは、ＷおよびＭｏからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
上記金属ＭCは、Ｚｒであり、
上記金属ＭBに対する上記金属ＭAの原子比（ＭA／ＭB）は、０．３７以上１．３１以下であり、
上記透過型記録層中における上記金属ＭCの含有量は、０．９原子％以上２７．５原子％以下である光記録媒体。 - 上記透過型記録層は、金属ＭEの酸化物をさらに含み、
上記金属ＭEは、Ｍｇである請求項１に記載の光記録媒体。 - 上記透過型記録層中における上記金属ＭEの含有量は、６．６原子％以上４３．０原子％以下である請求項２に記載の光記録媒体。
- 上記透過型記録層の層数が、２層である請求項１に記載の光記録媒体。
- 上記透過型記録層中における上記金属ＭCの含有量は、０．９原子％以上８．５原子％以下である請求項１に記載の光記録媒体。
- 上記透過型記録層の層数が、３層である請求項５に記載の光記録媒体。
- 上記金属ＭBに対する上記金属ＭAの原子比（ＭA／ＭB）は、０．５４以上０．７８以下である請求項１に記載の光記録媒体。
- 上記透過型記録層は、金属ＭDの酸化物をさらに含み、
上記金属ＭDは、ＣｕおよびＺｎからなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項１に記載の光記録媒体。 - 上記金属ＭAは、ＭｎおよびＮｉの両方である請求項１に記載の光記録媒体。
- 上記金属ＭBは、ＷおよびＭｏの両方である請求項１に記載の光記録媒体。
- 上記金属ＭAは、ＭｎおよびＮｉの両方であり、
上記金属ＭBは、ＷおよびＭｏの両方である請求項１に記載の光記録媒体。 - 上記透過型記録層の少なくとも一方の面に設けられた誘電体層をさらに備える請求項１に記載の光記録媒体。
- 上記透過型記録層の両方の面に設けられた誘電体層をさらに備える請求項１に記載の光記録媒体。
- 金属ＭAの酸化物と、金属ＭBの酸化物と、金属ＭCの酸化物とを含み、
上記金属ＭAは、ＭｎおよびＮｉからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
上記金属ＭBは、ＷおよびＭｏからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
上記金属ＭCは、Ｚｒであり、
上記金属ＭBに対する上記金属ＭAの原子比（ＭA／ＭB）は、０．３７以上１．３１以下の関係を満たし、
上記金属ＭCの含有量は、０．９原子％以上２７．５原子％以下である光記録媒体用透過型記録層。
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