JP6303748B2 - 電気光学装置、光学ユニット、及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電気光学装置、及び当該電気光学装置を搭載した光学ユニットや電子機器に関する。

電気光学装置として、例えば液晶プロジェクターの光変調手段（ライトバルブ）として用いられるアクティブ駆動型の液晶装置が挙げられる。アクティブ駆動型の液晶装置は、薄膜トランジスター（Thin Film Transistor；以降、ＴＦＴと称す）が設けられた素子基板と、共通電極が設けられた対向基板と、素子基板と対向基板との間に配置された液晶などを有している。素子基板の基材には、走査線、ＴＦＴ、信号線、画素電極などがこの順で設けられている。さらに、素子基板や対向基板に形成された遮光性の構成要素（遮光膜）によって、光を透過する画素開口部が規定される。

液晶プロジェクターでは、液晶装置の光入射側と光射出側とに、クロスニコルに配置された一対の偏光素子が配置されている。光入射側に配置された偏光素子によって偏光された光は、液晶装置（画素開口部）及び光射出側に配置された偏光素子を通過し、所定の画像を表示する画像光となる。

かかる構成の液晶プロジェクターにおいて、画素開口部を規定する遮光膜がアルミニウムなどの光反射性を有する遮光材料で構成され、遮光膜の外縁が偏光素子の偏光方向と交差する方向に配置された場合、画素開口部に入射し当該外縁を通過する光は、本来偏光されるべき方向と異なる方向に偏光され、偏光状態が変化する。さらに、画素開口部に入射した光のうち当該遮光膜の外縁の端面で反射した反射光は、本来偏光されるべき方向と異なる方向に偏光され、偏光状態が変化する。従って、遮光膜の外縁が偏光素子の偏光方向と交差する方向に配置された場合、画素開口部に入射した光の一部は偏光状態が変化し、漏れ光となり表示コントラストが低下した。

このため、特許文献１では、光反射性を有する遮光膜を、当該遮光膜よりも光反射率の低い遮光材料で覆い、遮光膜の外縁の端面における光の反射を小さくし、遮光膜の外縁が偏光方向と交差する方向に配置された場合の表示への悪影響（表示コントラストの低下）を抑制した。
特許文献２では、画素開口部を規定する遮光膜の外縁が偏光素子の偏光方向と交差する方向に配置されないように、偏光素子の偏光方向に沿って延びた走査線及び信号線によって画素開口部を規定した。

特開２０１０−２５０００５号公報 特開２０１０−１６０３０８号公報

特許文献１では、光反射率の低い遮光材料によって光の反射を完全に抑制することが難しく、軽微な光の反射が生じ、表示コントラストの低下を完全に抑制することが難しいという課題があった。

特許文献２では、画素開口部を規定する走査線及び信号線は、基板上においてＴＦＴを挟んで配置されている。つまり、画素開口部を規定する二つの遮光膜は、ＴＦＴを挟んで離れて配置されているので、例えば画素開口部を規定する二つの遮光膜が近くに配置された場合と比べて、遮光性に劣り、光漏れが生じやすいという課題があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、第１の方向に偏光する第１偏光素子と、前記第１の方向と交差する第２の方向に偏光する第２偏光素子との間に配置される電気光学装置であって、基板と、画素電極と、前記基板と前記画素電極との間に配置された画素スイッチング素子と、前記画素スイッチング素子と前記画素電極との間に配置され、前記第１の方向及び前記第２の方向のうちの一方の方向に延びた第１遮光膜と、前記画素スイッチング素子と前記画素電極との間に配置され、前記第１の方向及び前記第２の方向のうちの他方の方向に延びた第２遮光膜と、を含み、画素開口部は、前記第１遮光膜の外縁と前記第２遮光膜の外縁とで規定されることを特徴とする。

画素開口部は、第１の方向及び第２の方向のうち一方の方向に延びた第１遮光膜の外縁と、第１の方向及び第２の方向のうち他方の方向に延びた第２遮光膜の外縁とで規定される。画素開口部を規定する遮光膜の外縁は、第１偏光素子及び第２偏光素子によって偏光される光の偏光方向に沿って配置され、光の偏光方向と交差する方向に配置されていないので、画素開口部を通過する光の偏光状態は変化せず、偏光状態が変化することによる表示コントラストの低下（漏れ光）を抑制することができる。すなわち、公知技術（特開２０１０−２５０００５号公報）の課題である、軽微な漏れ光の発生を抑制することができる。

画素開口部を規定する二つの遮光膜（第１遮光膜、第２遮光膜）は、画素スイッチング素子（ＴＦＴ）と画素電極との間に配置されている。画素スイッチング素子（ＴＦＴ）を挟んで離れて配置された公知技術（特開２０１０−１６０３０８号公報）と比べて、二つの遮光膜（第１遮光膜、第２遮光膜）は近くに配置されるので、遮光性が高められ、光漏れが生じる恐れが小さくなる。
従って、本適用例に係る電気光学装置では、公知技術と比べて表示コントラストの低下が抑制され、高品位の表示を提供することができる。

［適用例２］本適用例に係る電気光学装置は、第１の方向に偏光する第１偏光素子と、前記第１の方向と交差する第２の方向に偏光する第２偏光素子との間に配置される電気光学装置であって、基板と、画素電極と、前記基板と前記画素電極との間に配置された画素スイッチング素子と、前記画素スイッチング素子と前記画素電極との間に配置され、前記第１の方向及び前記第２の方向のうちの一方の方向に延びた第１遮光膜と、前記画素スイッチング素子と前記画素電極との間に配置され、前記第１の方向及び前記第２の方向のうちの他方の方向に延びた第２遮光膜と、前記第１遮光膜と同じ層に設けられた遮光性の第１導電膜と、前記第２遮光膜と同じ層に設けられた遮光性の第２導電膜と、を含み、画素開口部は、前記第１遮光膜の外縁と、前記第２遮光膜の外縁と、前記第１導電膜及び前記第２導電膜の少なくとも一方の外縁とで規定されることを特徴とする。

画素開口部は、第１の方向及び第２の方向のうち一方の方向に延びた第１遮光膜の外縁と、第１の方向及び第２の方向のうち他方の方向に延びた第２遮光膜の外縁と、第１導電膜及び第２導電膜の少なくとも一方の外縁とで規定される。画素開口部を規定する遮光膜の外縁は、第１偏光素子及び第２偏光素子によって偏光される光の偏光方向に沿って配置され、光の偏光方向と交差する方向に配置されていない。さらに、画素開口部を規定する前記第１導電膜及び前記第２導電膜の少なくとも一方の外縁を、光の偏光方向に沿って配置することで、画素開口部を通過する光の偏光状態は変化せず、偏光状態が変化することによる表示コントラストの低下（漏れ光）を抑制することができる。すなわち、公知技術（特開２０１０−２５０００５号公報）の課題である、軽微な漏れ光の発生を抑制することができる。

画素開口部を規定する遮光膜（第１遮光膜、第２遮光膜、第１導電膜、第２導電膜）は、画素スイッチング素子（ＴＦＴ）と画素電極との間に配置されている。画素開口部を規定する遮光膜が画素スイッチング素子（ＴＦＴ）を挟んで離れて配置された公知技術（特開２０１０−１６０３０８号公報）と比べて、画素開口部を規定する遮光膜は近くに配置されるので、遮光性が高められ、光漏れが生じる恐れが小さくなる。
従って、本適用例に係る電気光学装置では、公知技術と比べて表示コントラストの低下が抑制され、高品位の表示を提供することができる。
さらに、第１導電膜及び第２導電膜の少なくとも一方を、複数の層に配置された配線を電気的に接続する中継電極に活用することによって、配線の自由度を高めることができる。

［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置は、前記第１遮光膜及び前記第２遮光膜を構成する材料は、アルミニウムまたはアルミニウムを含む導電材料であることが好ましい。

アルミニウムまたはアルミニウムを含む導電材料は、例えば窒化チタンのような高融点の導電材料と比べ、遮光性に優れ、導電率が小さい。よって、画素開口部を規定する遮光膜（第１遮光膜、第２遮光膜）の遮光性が高められ、遮光膜（第１遮光膜、第２遮光膜）の抵抗を小さくすることができる。

［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置は、前記画素スイッチング素子と前記画素電極との間に、前記第１の方向及び前記第２の方向のうちの一方の方向に延びた信号線を有し、前記第１遮光膜は、前記信号線が形成された層と前記画素電極が形成された層との間の層に配置され、前記第２遮光膜は、前記第１遮光膜が形成された層と前記画素電極が形成された層との間の層に配置されていることが好ましい。

二つの遮光膜（第１遮光膜、第２遮光膜）は、信号線が形成された層と画素電極が形成された層との間に配置されている。画素スイッチング素子（ＴＦＴ）を挟んで離れて配置された公知技術（特開２０１０−１６０３０８号公報）と比べて、二つの遮光膜（第１遮光膜、第２遮光膜）は近くに配置されているので、遮光性が高められ、光漏れが生じる恐れが小さくなる。
さらに、第１遮光膜は、信号線と同じ方向に延び、第２遮光膜よりも信号線に近い側に配置されている。信号線と画素電極との間で、信号線を覆うように第１遮光膜を配置することによって、画素電極に対する信号線の電界の影響を弱めることができる。

［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置は、前記第１遮光膜及び前記第２遮光膜は、固定電位が供給される配線であることが好ましい。

第１遮光膜及び第２遮光膜は固定電位が供給される配線であり、第１遮光膜及び第２遮光膜に固定電位を供給すると、画素電極に対する信号線の電界の影響、すなわち信号線と画素電極とのカップリングを小さくすることができる。従って、信号線の電界による画素電極の電位変動が小さくなり、表示品位を高めることができる。

［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置は、前記画素開口部を規定する前記第１遮光膜の外縁及び前記第２遮光膜の外縁は、直線であることが好ましい。

例えば、画素開口部を規定する遮光膜の外縁が直線でない部分を有している場合、当該直線でない部分の外縁は、光の偏光方向に交差する方向に配置され、画素開口部を通過する光の偏光状態が変化し、表示コントラストが低下する。画素開口部を規定する遮光膜の外縁は、光の偏光方向に沿った直線であるので、画素開口部を通過する光の偏光状態は変化せず、光の偏光状態が変化することによる表示コントラストの低下（漏れ光）を抑制することができる。

［適用例７］本適用例に係る光学ユニットは、第１の方向に偏光する第１偏光素子と、
前記第１の方向と交差する第２の方向に偏光する第２偏光素子と、前記第１偏光素子と前記第２偏光素子との間に配置された上記適用例に係る電気光学装置と、複数の前記電気光学装置から射出された光を合成して射出する光合成光学系と、を含むことを特徴とする。

上記適用例に記載の電気光学装置は、公知技術と比べて表示コントラストの低下が抑制され、高品位の表示が提供される。従って、上記適用例に記載の電気光学装置を含む光学ユニットも高品位の表示が提供される。

［適用例８］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置、または上記適用例に記載の光学ユニットを有していることを特徴とする。

上記適用例に記載の電気光学装置は、公知技術と比べて表示コントラストの低下が抑制され、高品位の表示が提供される。さらに、上記適用例に記載の電気光学装置を含む光学ユニットも高品位の表示が提供される。従って、上記適用例に記載の電気光学装置、または上記適用例に記載の光学ユニットを有する電子機器では、高品位の表示が提供される。

例えば、投写型表示装置、投写型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）、直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、ＰＯＳなどの情報端末機器、及び電子手帳などの電子機器に、上記適用例に記載の電気光学装置を適用させることで、高品位の表示を実現することができる。

例えば、投写型表示装置、投写型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）などの電子機器、上記適用例に記載の光学ユニットを適用させることで、高品位の表示を実現することができる。

液晶装置を備えた投写型表示装置の構成を示す概略図。 液晶装置の構成を示す模式平面図。 図２のＨ−Ｈ’線に沿った液晶装置の模式断面図。 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 素子基板の構成を示す模式平面図。 素子基板の構成を示す模式平面図。 素子基板の構成を示す模式平面図。 素子基板の構成を示す模式平面図。 素子基板の構成を示す模式平面図。 図５乃至図９のＡ−Ａ’線に沿った素子基板の模式断面図。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。

（実施形態）
「投写型表示装置の概要」
最初に、本発明における「電子機器」の一例である投写型表示装置について、図１を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る液晶装置を備えた投写型表示装置の構成を示す概略図である。

図１に示すように、投写型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光学ユニット１２００と、投写光学系（投写レンズ１３００）とで構成される。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

光学ユニット１２００は、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５、３つの透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０、及びクロスダイクロイックプリズム１２０６などを備えている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射された赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射された後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射された緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。

液晶ライトバルブ１２１０は、液晶装置１と、色光（赤色光）の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子１ａ，１ｂとで構成される。液晶装置１は、色光の入射側に配置される偏光素子１ａと、色光の射出側に配置される偏光素子１ｂとの間に隙間（間隙）を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様の構成を有している。
なお、液晶装置１は、本発明における「電気光学装置」の一例である。偏光素子１ａは本発明における「第１偏光素子」の一例であり、偏光素子１ｂは本発明における「第２偏光素子」の一例である。色光の入射側に配置された偏光素子１ａの偏光方向は、本発明における「第１の方向」の一例である。色光の射出側に配置された偏光素子１ｂの偏光方向は、本発明における「第２の方向」の一例である。

クロスダイクロイックプリズム１２０６は、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。
なお、クロスダイクロイックプリズム１２０６は、本発明における「光合成光学系」の一例である。

クロスダイクロイックプリズム１２０６で合成された光（画像光）は、投写光学系である投写レンズ１３００によってスクリーン１４００上に投写され、画像が拡大されて表示される。

「液晶装置の概要」
次に、投写型表示装置１０００における光変調手段としての液晶装置１の概要を説明する。
図２は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図３は、図２のＨ−Ｈ’線に沿った液晶装置の模式断面図である。図４は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。

図２及び図３に示すように、液晶装置１は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する基材としての第１基材１１、及び対向基板２０を構成する基材としての第２基材２１には、例えばガラス基板や石英基板などの透明基板が用いられている。
なお、第１基材１１は、本発明における「基板」の一例である。

上述した液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０（図１参照）では、色光の入射側に配置される偏光素子１ａは対向基板２０の側に配置され、色光の射出側に配置される偏光素子１ｂは素子基板１０の側に配置されている。すなわち、偏光照明装置１１００から射出された光（ダイクロイックミラー１１０４で分離された色光）は、対向基板２０の側に入射し、液晶層１５で変調され、素子基板１０の側から射出される。

素子基板１０は、対向基板２０よりも大きい。両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接着されている。素子基板１０と対向基板２０との間の間隙に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて、液晶層１５が構成されている。シール材１４は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が使用されている。シール材１４には、素子基板１０と対向基板２０との間の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。

シール材１４の内側には、複数の画素Ｐが配列された表示領域Ｅが設けられている。表示領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含んでいてもよい。

素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、信号線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。

対向基板２０には、額縁状のシール材１４の内側に、同じく額縁状の遮光部１８（見切り部）が設けられている。遮光部１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光部１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなる。

信号線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子６１に接続されている。
以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。
なお、Ｘ方向は、色光の入射側に配置された偏光素子１ａ（図１参照）の偏光方向であり、本発明における「第１の方向」の一例である。Ｙ方向は、色光の射出側に配置された偏光素子１ｂ（図１参照）の偏光方向であり、本発明における「第２の方向」の一例である。

図３に示すように、第１基材１１の液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７及びＴＦＴ３０と、信号配線と、これらを覆う第１配向膜２８とが形成されている。つまり、画素電極２７及びＴＦＴ３０は、表示領域Ｅに配置されている。
なお、ＴＦＴ３０は、本発明における「画素スイッチング素子」の一例である。

第２基材２１の液晶層１５側の表面には、遮光部１８と、これを覆うように成膜された平坦化層３３と、平坦化層３３を覆うように設けられた共通電極３１と、共通電極３１を覆う第２配向膜３２とが設けられている。

遮光部１８は、図２に示すように、表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４及び検査回路２５と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。さらに遮光部１８は、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽し、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを実現する。

平坦化層３３は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光部１８を覆うように設けられている。
共通電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層３３を覆うと共に、図２に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続されている。

画素電極２７を覆う第１配向膜２８及び共通電極３１を覆う第２配向膜３２は、液晶装置１の光学設計に基づいて選定される。例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して略水平配向処理が施された有機配向膜や、気相成長法を用いて酸化シリコンなどの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
なお、本実施形態では、第１配向膜２８及び第２配向膜３２として上記無機配向膜が使用されている。

このような液晶装置１は、透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。なお、本実施形態では、ノーマリーブラックモードが採用されている。

図４に示すように、液晶装置１は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３及び複数の信号線４と、信号線４の延在方向に設けられた第１配線６と、走査線３の延在方向に設けられた第２配線７とを有する。走査線３及び第２配線７が延在する方向がＸ方向であり、信号線４及び第１配線６が延在する方向がＹ方向である。
なお、第１配線６は本発明における「第１遮光膜」の一例であり、第２配線７は本発明における「第２遮光膜」の一例である。

走査線３及び信号線４によって区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。

走査線３はＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、信号線４はＴＦＴ３０の信号線側ソースドレイン領域（ソース領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）に電気的に接続されている。

信号線４は、信号線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、信号線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを各画素Ｐに供給する。走査線３は、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。

信号線駆動回路２２から信号線４に供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数の信号線４同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３に対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。

液晶装置１は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間オン状態となったタイミングで、信号線４から供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と共通電極３１との間で一定期間保持される。

容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と第１配線６との間に設けられ、第１配線６には、共通電極３１と同じ電位（ＬＣＣＯＭ電位）が供給されている。つまり、容量素子１６は、画素電極２７と共通電極３１と間に形成される液晶容量に並列接続され、画素電極２７と共通電極３１との間で保持される画像信号Ｄ１〜Ｄｎのリークを抑制している。

第１配線６及び第２配線７は、両配線が交差する部分で電気的に接続され、固定電位（ＬＣＣＯＭ電位）が供給されている。すなわち、第１配線６及び第２配線７は、固定電位が供給される配線である。

ＬＣＣＯＭ電位は、共通電極３１、第１配線６、及び第２配線７に供給されている。つまり、ＬＣＣＯＭ電位が供給される配線は、共通電極３１と第１配線６と第２配線７とで構成されるので、例えば共通電極３１だけで構成する場合と比べて、ＬＣＣＯＭ電位が供給される配線の時定数が小さくなり、ＬＣＣＯＭ電位が供給されている配線の応答性が良くなり、書き込み特性が向上する。書き込み特性の向上によって、例えばクロストークなどが低減し、表示品質が向上する。

「素子基板の概要（平面的な構成）」
図５乃至図９は、素子基板の構成を示す模式平面図である。図１０は、図５乃至図９のＡ−Ａ’線に沿った素子基板の模式断面図である。
図５には、走査線３からゲート電極３０ｇまでの状態が図示されている。図６には、第１容量電極１６ａから第２容量電極１６ｃまでの状態が図示されている。図７には、第３容量電極１６ｅから信号線４までの状態が図示されている。図８には、第１配線６から第２配線７までの状態が図示されている。図９には、画素電極２７の状態が図示されている。
図５乃至図９には、素子基板１０の構成要素の形成位置を分かりやすくするために、半導体層３０ａが図示されている。

さらに、図５乃至図９には、遮光領域Ｖ１が２点鎖線で図示されている。詳細は後述するが、遮光領域Ｖ１は、遮光性の導電材料で構成された素子基板１０の構成要素（走査線３、信号線４、第１配線６、第２配線７、第３容量電極１６ｅ）によって形成されている。すなわち、遮光性の導電材料で構成された素子基板１０の構成要素が平面的に重なった部分が、遮光領域Ｖ１となる。
遮光領域Ｖ１で囲まれた領域が、光を透過する光透過領域Ｖ２となる。このため、光透過領域Ｖ２は、遮光領域Ｖ１の外縁Ｖ１Ａ、外縁Ｖ１Ｂ、外縁Ｖ１Ｃ、外縁Ｖ１Ｄによって規定される。
なお、光透過領域Ｖ２は、本発明における「画素開口部」の一例である。以降、遮光領域Ｖ１の外縁Ｖ１Ａ、外縁Ｖ１Ｂ、外縁Ｖ１Ｃ、外縁Ｖ１Ｄを、辺Ｖ１Ａ、辺Ｖ１Ｂ、辺Ｖ１Ｃ、辺Ｖ１Ｄと称す。
以下、図５乃至図９を参照し、素子基板１０の平面的な構成について説明する。

図５に示すように、走査線３は、Ｘ方向に延在して設けられている。走査線３は、Ｙ方向に張り出した部分を有している。走査線３は、遮光性の導電材料、例えば例えば、チタン、クロム、タングステン、タンタル、モリブデンなどの高融点金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたもので構成され、遮光領域Ｖ１の一部をなす。

走査線３のＹ方向に張り出した部分に沿って、半導体層３０ａが設けられている。半導体層３０ａは、信号線側ソースドレイン領域３０ｓ（高濃度不純物領域）と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（高濃度不純物領域）と、チャネル領域３０ｃとを有している。図示を省略するが、信号線側ソースドレイン領域３０ｓとチャネル領域３０ｃとの間、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとチャネル領域３０ｃとの間には、低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域）が形成されている。

半導体層３０ａを挟んで、走査線３と対向するように、Ｘ方向に延在したゲート電極３０ｇが設けられている。ゲート電極３０ｇは、例えば多結晶シリコンで構成され、平面視で走査線３と重なるように設けられている。ゲート電極３０ｇと平面的に重なった部分の半導体層３０ａが、チャネル領域３０ｃとなる。

ゲート電極３０ｇは、コンタクトホールＣＮＴ５１，ＣＮＴ５２を介して、走査線３に電気的に接続されている。ゲート電極３０ｇは第２の走査線として機能し、走査線３とゲート電極３０ｇとによる冗長構成によって、配線の断線が防止されている。

走査線３を半導体層３０ａよりも幅広に形成することによって、素子基板１０から対向基板２０に向かう方向の光、例えば対向基板２０から素子基板１０に向かう光の反射光が、半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃに入射しにくくなり、ＴＦＴ３０の光誤動作が抑制されている。

上述した走査線３、半導体層３０ａ、及びゲート電極３０ｇは、全て遮光領域Ｖ１の内側に配置され、走査線３の角部、半導体層３０ａの角部、及びゲート電極３０ｇの角部は、全て遮光領域Ｖ１によって隠されている（覆われている）。

図６に示すように、ＴＦＴ３０が形成された部分には、島状の第１容量電極１６ａと、第１誘電体層１６ｂ（図１０参照）と、島状の第２容量電極１６ｃ（第１導電層１６ｃ１、第２導電層１６ｃ２）とが順に積層されている。
第１容量電極１６ａ及び第２容量電極１６ｃは、例えば多結晶シリコン膜で構成されている。

第１容量電極１６ａの外縁は、第２容量電極１６ｃの形成の際のエッチングストッパーとなる第１絶縁膜ＣＡＰＡ４１ａで覆われている（図１０参照）。図６において、第１絶縁膜ＣＡＰＡ４１ａの外縁（輪郭）は破線で示され、破線で囲まれた領域は、第１絶縁膜ＣＡＰＡ４１ａが形成されていない開口領域となる。

符号Ｂが付された矢印で示された部分では、第１容量電極１６ａは、第２容量電極１６ｃから張り出している。当該張り出した部分の第１容量電極１６ａには、正方形の破線で囲まれた第１絶縁膜ＣＡＰＡ４１ａの開口領域が形成されている。この第１絶縁膜ＣＡＰＡ４１ａの開口領域は、後述するコンタクトホールＣＮＴ５４（図７参照）となる。

第２容量電極１６ｃは、第１基材１１の側から順に積層された第１導電層１６ｃ１と第２導電層１６ｃ２とからなる２層構造を有している（図１０参照）。第２容量電極１６ｃのうち第２導電層１６ｃ２は、第１導電層１６ｃ１から張り出し、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄと平面的に重なる領域まで設けられている。当該領域において、第２導電層１６ｃ２は、コンタクトホールＣＮＴ５３を介して半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄに電気的に接続されている。

上述した第１容量電極１６ａ及び第２容量電極１６ｃ（第１導電層１６ｃ１、第２導電層１６ｃ２）は、全て遮光領域Ｖ１の内側に配置され、第１容量電極１６ａの角部、及び第２容量電極１６ｃの角部は、全て遮光領域Ｖ１によって隠されている（覆われている）。

図７に示すように、第２容量電極１６ｃ（図６参照）の上には、第２誘電体層１６ｄ（図１０参照）と、第３容量電極１６ｅとが、順に積層されている。第３容量電極１６ｅは、例えばタングステンシリサイドなどの遮光性の導電材料で構成され、第１容量電極１６ａと略平面的に重なるように島状に設けられ、遮光領域Ｖ１の一部をなす。

さらに、第３容量電極１６ｅの上には、Ｙ方向に延在する信号線４が設けられている。信号線４は、アルミニウムまたはアルミニウムを含む遮光性の導電材料で構成され、遮光領域Ｖ１の一部をなす。信号線４は、半導体層３０ａを覆うように設けられ、コンタクトホールＣＮＴ６０を介して、半導体層３０ａの信号線側ソースドレイン領域３０ｓと電気的に接続されている。

遮光領域Ｖ１のＸ方向に延在した部分に沿って、第１中継電極４２と第２中継電極４３とが、それぞれ島状に設けられている。第１中継電極４２及び第２中継電極４３は、信号線４を挟んで配置され、信号線４と同じ材料で形成されている。つまり、第１中継電極４２及び第２中継電極４３も、遮光領域Ｖ１の一部をなす。

さらに、第１中継電極４２に部分的に重なってコンタクトホールＣＮＴ５４が設けられ、第２中継電極４３に重なってコンタクトホールＣＮＴ５６が設けられている。第２中継電極４３は、コンタクトホールＣＮＴ５６を介して、第２導電層１６ｃ２（第２容量電極１６ｃ）に電気的に接続されている。

上述した第３容量電極１６ｅ、信号線４、第１中継電極４２、及び第２中継電極４３は、全て遮光領域Ｖ１の内側に配置され、第３容量電極１６ｅの角部、第１中継電極４２の角部、及び第２中継電極４３の角部は、全て遮光領域Ｖ１によって隠されている（覆われている）。

図８に示すように、第１配線６は、Ｙ方向に沿って信号線４を覆うように設けられている。第１配線６は、Ｘ方向に張り出した部分を有し、Ｘ方向に張り出した部分にコンタクトホールＣＮＴ５８が設けられている。第１配線６は、コンタクトホールＣＮＴ５８を介して第１中継電極４２に電気的に接続されている。

第１配線６と、隣り合う第１配線６との間には、Ｘ方向に長くなった島状の第３中継電極４４が設けられている。第３中継電極４４は、コンタクトホールＣＮＴ５７を介して、第２中継電極４３に電気的に接続されている。
第１配線６及び第３中継電極４４は、同じ層に設けられ、アルミニウムまたはアルミニウムを含む遮光性の導電材料で構成され、遮光領域Ｖ１の一部をなす。つまり、第１配線６及び第３中継電極４４は、同じ工程で同じ材料で形成されている。
なお、第３中継電極４４は、本発明における「遮光性の第１導電膜」の一例である。

第２配線７は、Ｘ方向に沿って設けられ、第２配線７と第１配線６とが重なった部分にコンタクトホールＣＮＴ６１が設けられている。第２配線７は、コンタクトホールＣＮＴ６１を介して、第１配線６に電気的に接続されている。

第２配線７と対向するように、Ｘ方向に長くなった島状の第４中継電極４５が設けられている。第４中継電極４５と第３中継電極４４とが重なった部分に、コンタクトホールＣＮＴ５９が設けられている。第４中継電極４５は、コンタクトホールＣＮＴ５９を介して、第３中継電極４４に電気的に接続されている。
第２配線７及び第４中継電極４５は、同じ層に設けられ、アルミニウムまたはアルミニウムを含む遮光性の導電材料で構成され、遮光領域Ｖ１の一部をなす。つまり、第２配線７及び第４中継電極４５は、同じ工程で同じ材料で形成されている。
なお、第４中継電極４５は、本発明における「遮光性の第２導電膜」の一例である。

なお、遮光領域Ｖ１において、第１配線６、第２配線７、第３中継電極４４、及び第４中継電極４５で覆われていない部分は、他の遮光膜（走査線３、信号線４、第３容量電極１６ｅ）で覆われている（隠されている）ので、光漏れが生じることはない。

さらに、第１配線６、第２配線７、及び第４中継電極４５は、遮光領域Ｖ１の外縁を形成する。詳しくは、第４中継電極４５のＸ方向に長くなった外縁が、光透過領域Ｖ２を規定する辺Ｖ１Ａとなる。第１配線６のＹ方向に沿った外縁が、光透過領域Ｖ２を規定する辺Ｖ１Ｂ及び辺Ｖ１Ｄとなる。第２配線７のＸ方向に沿った外縁が、光透過領域Ｖ２を規定する辺Ｖ１Ｃとなる。

第１配線６、第２配線７、及び第４中継電極４５によって形成された、遮光領域Ｖ１の辺Ｖ１Ａ，Ｖ１Ｂ，Ｖ１Ｃ，Ｖ１Ｄはいずれも直線をなし、Ｘ方向またはＹ方向に沿って配置されている、つまり偏光素子１ａ（図１参照）の偏光方向または偏光素子１ｂ（図１参照）の偏光方向に沿って配置されている。

光透過領域Ｖ２は、第１配線６のＹ方向に沿った外縁（辺Ｖ１Ｂ、辺Ｖ１Ｄ）、第２配線７のＸ方向に沿った外縁（Ｖ１Ｃ）、及び第４中継電極４５のＸ方向に長くなった外縁（辺Ｖ１Ａ）によって規定される。換言すれば、光透過領域Ｖ２は、色光の入射側に配置された偏光素子１ａの偏光方向に沿った辺Ｖ１Ａ，Ｖ１Ｃ、及び色光の射出側に配置された偏光素子１ｂの偏光方向に沿った辺Ｖ１Ｂ，Ｖ１Ｄによって規定される。よって、光透過領域Ｖ２を規定する遮光領域Ｖ１の辺Ｖ１Ａ，Ｖ１Ｂ，Ｖ１Ｃ，Ｖ１Ｄは、偏光素子１ａの偏光方向及び偏光素子１ｂの偏光方向の双方に交差する部分を含まない。

仮に、光透過領域Ｖ２を規定する遮光領域Ｖ１の辺が、偏光素子１ａの偏光方向及び偏光素子１ｂの偏光方向に交差する部分を含むと、当該偏光方向と交差する部分によって、光透過領域Ｖ２を透過する光の一部は、本来偏光されるべき方向と異なる方向に偏光され、偏光状態が変化し、漏れ光となり表示コントラストが低下するという不具合が生じる。

本実施形態では、光透過領域Ｖ２を規定する遮光領域Ｖ１の辺は、偏光素子１ａの偏光方向及び偏光素子１ｂの偏光方向に交差する部分を含まないので、光透過領域Ｖ２を透過する光の偏光状態は変化せず、表示コントラストが低下するという不具合は抑制される。

また、矢印で示された第１配線６の角部は、第２配線７及び第４中継電極４５で覆われている（隠されている）。さらに、矢印で示された第３中継電極４４の角部は、第２配線７及び第４中継電極４５で覆われている（隠されている）。さらに、矢印で示された第４中継電極４５の角部は、第１配線６で覆われている（隠されている）。

第１配線６の角部、第３中継電極４４の角部、及び第４中継電極４５の角部は、例えば公知技術のスパッタ法でアルミニウムまたはアルミニウムを含む材料を成膜した後、例えば公知技術のフォトリソプロセス法及びドライエッチング法を用いてパターニングすることで形成される。公知技術のフォトリソプロセス法では、直角形状の角部を形成することが難しく、角部にはラウンド（丸み）が形成される。よって、矢印で示された角部は、直角でなく、ラウンド（丸み）を有する。従って、矢印で示された第１配線６の角部、矢印で示された第３中継電極４４の角部、及び矢印で示された第４中継電極４５の角部は、偏光素子１ａの偏光方向及び偏光素子１ｂの偏光方向に交差する部分を含むことになる。

仮に、第１配線６の角部、第３中継電極４４の角部、及び第４中継電極４５の角部が遮光膜で隠されない場合、偏光素子１ａの偏光方向及び偏光素子１ｂの偏光方向に交差する部分が露出し、当該偏光方向に交差する部分によって、光透過領域Ｖ２を透過する光の一部は、本来偏光されるべき方向と異なる方向に偏光され、偏光状態が変化し、漏れ光となり表示コントラストが低下するという不具合が生じる。

本実施形態では、第１配線６の角部、第３中継電極４４の角部、及び第４中継電極４５の角部は、全て遮光領域Ｖ１によって隠されているので、光透過領域Ｖ２を透過する光は偏光状態が変化せず、表示コントラストの低下が抑制される。

上述したように、走査線３の角部、半導体層３０ａの角部、及びゲート電極３０ｇの角部は、全て遮光領域Ｖ１によって隠されている（図５参照）。第１容量電極１６ａの角部、及び第２容量電極１６ｃの角部は、全て遮光領域Ｖ１によって隠されている（図６参照）。第３容量電極１６ｅの角部、第１中継電極４２の角部、及び第２中継電極４３の角部は、全て遮光領域Ｖ１によって隠されている（図７参照））。従って、これら角部が露出した場合に、光透過領域Ｖ２を透過する光の偏光状態が変化し、表示コントラストが低下するという不具合を抑制することができる。

図９に示すように、画素電極２７は、光透過領域Ｖ２を覆うように島状に設けられている。つまり、画素電極２７の周縁部は、遮光領域Ｖ１と平面的に重なるように設けられている。画素電極２７と、遮光領域Ｖ１（第４中継電極４５）とが重なった部分には、コンタクトホールＣＮＴ６２が設けられている。画素電極２７は、コンタクトホールＣＮＴ６２を介して、第４中継電極４５に接続されている。

すなわち、画素電極２７は、コンタクトホールＣＮＴ６２と、第４中継電極４５と、コンタクトホールＣＮＴ５９と、第３中継電極４４と、コンタクトホールＣＮＴ５７と、第２中継電極４３と、コンタクトホールＣＮＴ５６と、第２導電層１６ｃ２（第２容量電極１６ｃ）と、コンタクトホールＣＮＴ５３とを介して、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄに電気的に接続されている。

「素子基板の概要（断面構造）」
次に、図１０を参照して、素子基板１０の断面構造について説明する。
図１０に示すように、第１基材１１の上には、走査線３が設けられている。第１基材１１及び走査線３を覆うように、例えば、酸化シリコンなどからなる下地絶縁層１１ａが設けられている。下地絶縁層１１ａの上には、島状の半導体層３０ａが設けられている。

半導体層３０ａは、例えば多結晶シリコン膜からなり、不純物イオンが注入されてＬＤＤ領域（図示省略）や、信号線側ソースドレイン領域３０ｓ、チャネル領域３０ｃ、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄなどが形成される。

半導体層３０ａ及び下地絶縁層１１ａを覆うように、第１層間絶縁層（ゲート絶縁層）１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂは、例えば酸化シリコンなどで構成される。更に、第１層間絶縁層１１ｂを挟んで半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃに対向する位置にゲート電極３０ｇが設けられている。

ゲート電極３０ｇ及び第１層間絶縁層１１ｂを覆うように、第２層間絶縁層１１ｃが設けられている。第２層間絶縁層１１ｃは、例えば酸化シリコンなどで構成される。第２層間絶縁層１１ｃの上には、第１容量電極１６ａ、第１誘電体層１６ｂ、及び第１導電層１６ｃ１（第２容量電極１６ｃ）が順に積層され、第１容量素子１１６が形成されている。

詳細は後述するが、第１容量電極１６ａは、第１配線６に電気的に接続され、ＬＣＣＯＭ電位（固定電位）が供給されている。

第１誘電体層１６ｂは、例えば酸化シリコン、あるいは窒化シリコンなどからなる単層膜、或いはこれら単層膜を含む多層膜で構成される。第１誘電体層１６ｂの上には、島状の第１導電層１６ｃ１（第２容量電極１６ｃ）が設けられている。

上述したように、第２容量電極１６ｃは、２層の多結晶シリコン膜で構成され、ＴＦＴ３０側にパターニングして形成された第１導電層１６ｃ１と、画素電極２７側にパターニングして形成された第２導電層１６ｃ２とを有する。第２容量電極１６ｃは、コンタクトホールＣＮＴ５３（図６参照）を介して、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄに電気的に接続されている。さらに、第２容量電極１６ｃは、コンタクトホールＣＮＴ５６（図７参照）と、第２中継電極４３と、コンタクトホールＣＮＴ５７（図８参照）と、第３中継電極４４と、コンタクトホールＣＮＴ５９（図８参照）と、第４中継電極４５と、コンタクトホールＣＮＴ６２（図９参照）とを介して、画素電極２７に電気的に接続されている。すなわち、第２容量電極１６ｃは、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極となる。

第１容量電極１６ａの周縁部を覆うように第１絶縁膜ＣＡＰＡ４１ａが形成され、第２容量電極１６ｃの周縁部を覆うように第２絶縁膜ＣＡＰＡ４１ｂが形成されている。すなわち、第１絶縁膜ＣＡＰＡ４１ａは、第１容量電極１６ａと第１誘電体層１６ｂとの間で、第１容量電極１６ａの周縁部を覆って形成されている。第２絶縁膜ＣＡＰＡ４１ｂは、第２導電層１６ｃ２と第２誘電体層１６ｄとの間で、第２導電層１６ｃ２の周縁部を覆って形成されている。

第１絶縁膜ＣＡＰＡ４１ａは、第１容量電極１６ａの端面と第２容量電極１６ｃの端面との間においてそれぞれの電気的な短絡（ショート）を防止し、第２容量電極１６ｃをドライエッチング等により形成する際のエッチングストッパーとなる。第２絶縁膜ＣＡＰＡ４１ｂは、第２容量電極１６ｃの端面と第３容量電極１６ｅの端面との間においてそれぞれの電気的な短絡（ショート）を防止し、第３容量電極１６ｅをドライエッチング等により形成する際のエッチングストッパーとなる。また、第１容量電極１６ａの上に設けられた第１絶縁膜ＣＡＰＡ４１ａの開口部と、第２容量電極１６ｃの上に設けられた第２絶縁膜ＣＡＰＡ４１ｂの開口部とは、平面的に重なり、略同じ形状を有している。

第２容量電極１６ｃの上には、第２誘電体層１６ｄと第３容量電極１６ｅとが順に積層され、第２容量素子２１６が形成されている。第２誘電体層１６ｄは、第１誘電体層１６ｂと同じく、例えば酸化シリコンあるいは窒化シリコンなどからなる単層膜、或いはこれら単層膜を含む多層膜で構成される。

破線で囲まれた領域Ｆにおいて、第１容量電極１６ａの外縁（端面）は第２容量電極１６ｃの外縁（端面）から張り出し、第１容量電極１６ａの外縁（端面）と第２容量電極１６ｃの外縁（端面）との間に、第３容量電極１６ｅの外縁（端面）が配置されている。さらに、第１容量電極１６ａの一部、及び第３容量電極１６ｅの一部を露出するように、第１絶縁膜ＣＡＰＡ４１ａと第２絶縁膜ＣＡＰＡ４１ｂと第３層間絶縁層１１ｄとを貫くコンタクトホールＣＮＴ５４が設けられている。すなわち、第１容量電極１６ａと第３容量電極１６ｅとを露出するコンタクトホールＣＮＴ５４が、領域Ｆに設けられている。

なお、コンタクトホールＣＮＴ５４と第２容量電極１６ｃとの間には、第２絶縁膜ＣＡＰＡ４１ｂが配置されているので、第２容量電極１６ｃは、第１容量電極１６ａ及び第３容量電極１６ｅと電気的に分離されている。

さらに、コンタクトホールＣＮＴ５４は、第１中継電極４２で覆われている。その結果、第１容量電極１６ａ及び第３容量電極１６ｅは、コンタクトホールＣＮＴ５４内で第１中継電極４２に接し、第１中継電極４２によって電気的に接続されている。

上述したように、第１中継電極４２は、コンタクトホールＣＮＴ５８（図８参照）を介して第１配線６に電気的に接続されているので、第１容量電極１６ａ及び第３容量電極１６ｅは、コンタクトホールＣＮＴ５４と、第１中継電極４２と、コンタクトホールＣＮＴ５８（図８参照）とを介して第１配線６に電気的に接続され、第１配線６と同じ電位、つまりＬＣＣＯＭ電位（固定電位）が供給されている。
すなわち、第１容量電極１６ａは第１容量素子１１６における固定電位側容量電極となり、第３容量電極１６ｅは第２容量素子２１６における固定電位側容量電極となる。

このように、本実施形態では、一つのコンタクトホール（コンタクトホールＣＮＴ５４）によって、異なる層に配置された第１容量電極１６ａと第３容量電極１６ｅとが電気的に接続されている。その結果、容量素子１６は、並列接続された第１容量素子１１６と第２容量素子２１６とで構成され、画素Ｐにおける単位面積当たりの容量値を大きくすることができる。容量素子１６の容量値を大きくすることによって、画素電極２７の電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカーの低減といった表示性能の向上が可能になる。

第３容量電極１６ｅの上には、第３層間絶縁層１１ｄが積層されている。第３層間絶縁層１１ｄは、シリコンの酸化物またはシリコンの窒化物あるいはシリコンの酸窒化物のいずれかを含む膜で構成されている。

さらに、第３層間絶縁層１１ｄの上には、信号線４、第１中継電極４２（図７参照）、及び第２中継電極４３などが設けられている。信号線４は、第３層間絶縁層１１ｄと第２絶縁膜ＣＡＰＡ４１ｂと第１絶縁膜ＣＡＰＡ４１ａと第２層間絶縁層１１ｃと第１層間絶縁層１１ｂとを貫くコンタクトホールＣＮＴ６０を介して、半導体層３０ａの信号線側ソースドレイン領域３０ｓに電気的に接続されている。

信号線４、第１中継電極４２、及び第２中継電極４３（図７参照）を覆うように、第４層間絶縁層１１ｅが設けられている。第４層間絶縁層１１ｅは、シリコンの酸化物またはシリコンの窒化物あるいはシリコンの酸窒化物のいずれかを含む膜で構成されている。

第４層間絶縁層１１ｅの上には、第１配線６や第３中継電極４４が設けられている。第１配線６は、信号線４と平面的に重なり、信号線４よりも広く形成されている。

第１配線６や第３中継電極４４を覆うように、第５層間絶縁層１１ｆが設けられている。第５層間絶縁層１１ｆは、シリコンの酸化物またはシリコンの窒化物あるいはシリコンの酸窒化物のいずれかを含む膜で構成されている。

第５層間絶縁層１１ｆの上には、第２配線７及び第４中継電極４５が設けられている。
第２配線７及び第４中継電極４５を覆うように、第６層間絶縁層１１ｇが設けられている。第６層間絶縁層１１ｇは、シリコンの酸化物またはシリコンの窒化物あるいはシリコンの酸窒化物のいずれかを含む膜で構成されている。

第６層間絶縁層１１ｇの上には、ＩＴＯ膜などからなる画素電極２７がパターニングして設けられている。さらに、画素電極２７は、第１配向膜２８で覆われている。

このように、ＴＦＴ３０と画素電極２７との間にＹ方向に延びた信号線４を有し、第１配線６は、信号線４と画素電極２７との間で信号線４に近い側の層に配置され、第２配線７は、信号線４と画素電極２７との間で画素電極２７に近い側の層に配置されている。
つまり、画素電極２７と信号線４との間には、ＬＣＣＯＭ電位（固定電位）が供給された第１配線６及び第２配線７が設けられているので、信号線４の電界の影響、すなわち信号線４と画素電極２７とのカップリングが小さくなり、表示品位を高めることができる。

さらに、第１配線６及び第２配線７は、第５層間絶縁層１１ｆを挟んで配置されている。遮光領域を形成する二つの遮光膜が、ＴＦＴを挟んで離れて配置された公知技術（特開２０１０−１６０３０８号公報）と比べて、遮光領域Ｖ１を形成する二つの遮光膜（第１遮光膜、第２遮光膜）は近くに配置されているので、遮光領域Ｖ１の遮光性が高められ、光漏れが生じる恐れが小さくなる。

以上述べたように、本実施形態では、以下の効果を得ることができる。
（１）ＬＣＣＯＭ電位が供給される配線は、共通電極３１と第１配線６と第２配線７とで構成され、さらに第１配線６及び第２配線７はアルミニウムまたはアルミニウムを含む低抵抗材料（遮光材料）で構成されているので、ＬＣＣＯＭ電位が供給される配線の時定数が小さくなり、当該配線の応答性が良くなり、書き込み特性が向上する。書き込み特性の向上によって、例えばクロストークなどが低減し、表示品質が向上する。

（２）光透過領域Ｖ２を規定する遮光領域Ｖ１の辺Ｖ１Ａ，Ｖ１Ｂ，Ｖ１Ｃ，Ｖ１Ｄは、偏光素子１ａの偏光方向及び偏光素子１ｂの偏光方向に沿って配置され、偏光素子１ａの偏光方向及び偏光素子１ｂの偏光方向の双方に交差する部分を含まないので、光透過領域Ｖ２を透過する光は偏光状態が変化せず、表示コントラストが低下するという不具合は抑制される。

（３）第１配線６の角部、第３中継電極４４の角部、第４中継電極４５の角部、走査線３の角部、半導体層３０ａの角部、ゲート電極３０ｇの角部、第１容量電極１６ａの角部、第２容量電極１６ｃの角部、第３容量電極１６ｅの角部、第１中継電極４２の角部、及び第２中継電極４３の角部は、全て遮光領域Ｖ１によって隠されている。従って、これら角部が露出した場合に、光透過領域Ｖ２を透過する光の偏光状態が変化し、表示コントラストが低下するという不具合を抑制することができる。

（４）画素電極２７と信号線４との間には、ＬＣＣＯＭ電位（固定電位）が供給された第１配線６及び第２配線７が設けられているので、信号線４の電界の影響、すなわち信号線４と画素電極２７とのカップリングが小さくなり、表示品位を高めることができる。

（５）遮光領域を形成する二つの遮光膜がＴＦＴを挟んで離れて配置された公知技術（特開２０１０−１６０３０８号公報）と比べて、遮光領域Ｖ１を形成する二つの遮光膜（第１遮光膜、第２遮光膜）は近くに配置されているので、遮光領域Ｖ１の遮光性が高められ、光漏れが生じる恐れが小さくなる。

本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置、及び当該液晶装置が搭載された光学ユニットや電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれる。
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）
光透過領域Ｖ２を規定する遮光領域Ｖ１の辺Ｖ１Ａ、辺Ｖ１Ｂ、辺Ｖ１Ｃ、及び辺Ｖ１Ｄのうちの少なくとも一つの辺は、部分的に凹部または凸部を含んでいてもよい。光透過領域Ｖ２を規定する遮光領域Ｖ１の辺Ｖ１Ａ、辺Ｖ１Ｂ、辺Ｖ１Ｃ、及び辺Ｖ１Ｄが、実質的に直線と見なすことができる場合、本発明が適用される技術的範囲に含まれる。

（変形例２）
遮光性の導電材料で構成される構成要素（走査線３、第３容量電極１６ｅ、信号線４、第１中継電極４２、第２中継電極４３、第３中継電極４４、第４中継電極４５）の外縁は、遮光領域Ｖ１の辺Ｖ１Ａ、辺Ｖ１Ｂ、辺Ｖ１Ｃ、及び辺Ｖ１Ｄと一致する部分を含んでいてもよい。

例えば、第３中継電極４４の外縁が第４中継電極４５の外縁と一致する場合、第３中継電極４４の外縁及び第４中継電極４５の外縁の両方が、光透過領域Ｖ２を規定する辺Ｖ１Ａとなる。第３中継電極４４の外縁が第２配線７の外縁と一致する場合、第３中継電極４４の外縁及び第２配線７の外縁の両方が、光透過領域Ｖ２を規定する辺Ｖ１Ｃとなる。つまり、光透過領域Ｖ２は、第１配線６、第２配線７、第３中継電極４４、及び第４中継電極４５によって規定されることになる。

（変形例３）
第１配線６の角部、第３中継電極４４の角部、第４中継電極４５の角部、走査線３の角部、半導体層３０ａの角部、ゲート電極３０ｇの角部、第１容量電極１６ａの角部、第２容量電極１６ｃの角部、第３容量電極１６ｅの角部、第１中継電極４２の角部、及び第２中継電極４３の角部のいずれかが、部分的に遮光領域Ｖ１から張り出した構成であってもよい。これら角部が、実質的に遮光領域Ｖ１で隠されていると見なすことができる場合、本発明が適用される技術的範囲に含まれる。

さらに、多結晶シリコンで構成された構成要素（ゲート電極３０ｇ、半導体層３０ａ、第１容量電極１６ａ、第２容量電極１６ｃ）は、光を部分的に透過し、遮光性の導電材料で構成される構成要素（走査線３、第３容量電極１６ｅ、信号線４、第１中継電極４２、第２中継電極４３、第１配線６、第２配線７、第３中継電極４４、第４中継電極４５）と比べて、偏光素子１ａ，１ｂの偏光方向と交差する方向に配置された場合の悪影響（表示コントラストの低下）が小さくなる。従って、多結晶シリコンなどの光を部分的に透過する構成要素は、遮光領域Ｖ１から張り出した部分を有していてもよい。

例えば、多結晶シリコンなどの光を部分的に透過する構成要素（ゲート電極３０ｇ、半導体層３０ａ、第１容量電極１６ａ、第２容量電極１６ｃ）の角部が、実質的に遮光領域Ｖ１で隠されていない場合であっても、遮光性の導電材料で構成された構成要素（走査線３、第３容量電極１６ｅ、信号線４、第１中継電極４２、第２中継電極４３、第１配線６、第２配線７、第３中継電極４４、第４中継電極４５）が実質的に遮光領域Ｖ１で隠されていると見なすことができる場合、本発明が適用される技術的範囲に含まれる。

（変形例４）
液晶装置１が適用される電子機器は、投写型表示装置１０００に限定されない。例えば、投写型表示装置１０００の他に、投写型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）、直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、ＰＯＳなどの情報端末機器、及び電子手帳などの電子機器に、液晶装置１を適用させることができる。

（変形例５）
本発明に係る光学ユニットは、光変調手段としての液晶装置と、液晶装置から射出された光を合成して射出する光合成光学系（クロスダイクロイックプリズム）とを有する構成であればよく、例えば、上述した実施形態におけるダイクロイックミラー１１０４，１１０５、反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８、リレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５が省略された構成であってもよい。
さらに、本発明に係る光学ユニットは、投写型表示装置の他に、投写型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）などの電子機器に適用させることができる。

１…液晶装置、１ａ…色光の入射側に配置された偏光素子、１ｂ…色光の射出側に配置された偏光素子、３…走査線、４…信号線、６…第１配線、７…第２配線、１０…素子基板、１１…第１基材、２１…第２基材、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｃ…第２容量電極、１６ｅ…第３容量電極、１１６…第１容量素子、２１６…第２容量素子、２０…対向基板、２２…信号線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、４２…第１中継電極、４３…第２中継電極、４４…第３中継電極、４５…第４中継電極、ＣＮＴ５１，ＣＮＴ５２，ＣＮＴ５３，ＣＮＴ５４，ＣＮＴ５６，ＣＮＴ５７，ＣＮＴ５８，ＣＮＴ５９，ＣＮＴ６０，ＣＮＴ６１，ＣＮＴ６２…コンタクトホール、Ｅ…表示領域、Ｖ１…遮光領域、Ｖ１Ａ，Ｖ１Ｂ，Ｖ１Ｃ，Ｖ１Ｄ…遮光領域の外縁（辺）、Ｖ２…光透過領域。

Claims (8)

1. 第１の方向に偏光する第１偏光素子と、前記第１の方向と交差する第２の方向に偏光する第２偏光素子との間に配置される電気光学装置であって、
   基板と、
   画素電極と、
   前記基板と前記画素電極との間に配置された画素スイッチング素子と、
   前記画素スイッチング素子と前記画素電極との間に配置され、前記第１の方向及び前記第２の方向のうちの一方の方向に延び、固定電位が供給される第１遮光膜と、
   前記画素スイッチング素子と前記画素電極との間に配置され、前記第１の方向及び前記第２の方向のうちの他方の方向に延び、固定電位が供給される第２遮光膜と、
   を含み、
   画素開口部は、前記第１遮光膜の外縁と前記第２遮光膜の外縁とで規定されることを特徴とする電気光学装置。
2. 第１の方向に偏光する第１偏光素子と、前記第１の方向と交差する第２の方向に偏光する第２偏光素子との間に配置される電気光学装置であって、
   基板と、
   画素電極と、
   前記基板と前記画素電極との間に配置された画素スイッチング素子と、
   前記画素スイッチング素子と前記画素電極との間に配置され、前記第１の方向及び前記第２の方向のうちの一方の方向に延び、固定電位が供給される第１遮光膜と、
   前記画素スイッチング素子と前記画素電極との間に配置され、前記第１の方向及び前記第２の方向のうちの他方の方向に延び、固定電位が供給される第２遮光膜と、
   前記第１遮光膜と同じ層に設けられた遮光性の第１導電膜と、
   前記第２遮光膜と同じ層に設けられた遮光性の第２導電膜と、
   を含み、
   画素開口部は、前記第１遮光膜の外縁と、前記第２遮光膜の外縁と、前記第１導電膜及び前記第２導電膜の少なくとも一方の外縁とで規定されることを特徴とする電気光学装置。
3. 前記第１遮光膜及び前記第２遮光膜を構成する材料は、アルミニウムまたはアルミニウムを含む導電材料であることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
4. 前記画素スイッチング素子と前記画素電極との間に、前記第１の方向及び前記第２の方向のうちの一方の方向に延びた信号線を有し、
   前記第１遮光膜は、前記信号線が形成された層と前記画素電極が形成された層との間の層に配置され、
   前記第２遮光膜は、前記第１遮光膜が形成された層と前記画素電極が形成された層との間の層に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
5. 前記画素開口部を規定する前記第１遮光膜の外縁及び前記第２遮光膜の外縁は、直線であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電気光学装置。
6. 第１の方向に偏光する第１偏光素子と、
   前記第１の方向と交差する第２の方向に偏光する第２偏光素子と、
   前記第１偏光素子と前記第２偏光素子との間に配置された請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の電気光学装置と、
   複数の前記電気光学装置から射出された光を合成して射出する光合成光学系と、
   を含むことを特徴とする光学ユニット。
7. 請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の電気光学装置、または請求項６に記載の光学ユニットを有していることを特徴とする電子機器。
8. 基板と、
   画素電極と、
   前記基板と前記画素電極との間に層に配置された画素スイッチング素子と、
   前記画素スイッチング素子と前記画素電極との間の層に延びた信号線と、
   前記信号線が形成された層と前記画素電極が形成された層との間の層に配置され、前記第１の方向に延びた第１遮光膜と、
   前記第１遮光膜が形成された層と前記画素電極が形成された層との間の層に配置され、前記第１の方向と交差する第２の方向に延びた第２遮光膜と、を含み、
   画素開口部は、前記第１遮光膜の外縁と前記第２遮光膜の外縁とで規定されることを特徴とする電気光学装置。

Images