JP6379318B1 - 成膜装置及び成膜方法並びに太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】複数の基板保持器を用いる通過型の成膜装置において、基板の両面に良質な透明導電酸化物層を効率良く形成するとともに、装置の小型化及び構成の簡素化を達成しうるヘテロ接合型太陽電池の製造技術を提供する。
【解決手段】単一の真空雰囲気が形成される真空槽2内に、基板保持器11に保持された基板10の第1面上に第1の透明導電酸化物層の成膜を行うスパッタ手段4Tを有する第1の成膜領域4と、基板保持器11に保持された基板10の第2面上に第2の透明導電酸化物層の成膜を行う反応性プラズマ蒸着手段5Rを有する第2の成膜領域5とを設ける。鉛直面に対する投影形状が一連の環状となるように形成された搬送経路に沿って複数の基板保持器11を搬送して第1及び第2の成膜領域4、5を通過させ、基板10の両面上に透明導電酸化物層を形成する。
【選択図】 図1
Description
ヘテロ接合型太陽電池は、単結晶シリコン太陽電池と比較して変換効率が高く、また、アモルファスシリコン層を用いているため、シリコンの使用量を減らすことができる等の利点がある。
このような構造のヘテロ接合型太陽電池セルを製造するには、基板の両面に透明導電酸化物層を形成しなければならない。
その結果、このような従来技術では成膜装置の大型化及び複雑化が避けられないという問題がある。
本発明は、前記基板保持器が、前記基板の第2面上にマスクを介して成膜を行うように構成されている成膜装置である。
本発明は、前記マスクが磁性体からなる部分を有するとともに、前記第2の成膜領域の反応性プラズマ蒸着手段に、成膜位置において前記搬送経路に対して前記基板の第1面側の近傍に前記マスクを吸着するマスク吸着手段が設けられている成膜装置である。
本発明は、前記基板保持器は、前記搬送経路に対して直交する方向に複数の基板を並べて保持するように構成されている成膜装置である。
本発明は、前記基板保持器は、前記基板の第1面側の部分に回転移動によって開閉可能な成膜用のマスクを有し、当該マスクは、基板搬入搬出室の蓋部の回転移動による開閉動作と連動するマスク開閉機構と連動して動作し、かつ、前記蓋部及び前記マスクが開いた状態において当該基板を搬入搬出可能な空間が形成されるように構成されている成膜装置である。
本発明は、上記いずれか記載の成膜装置を用いた成膜方法であって、前記搬送経路の第1の搬送部によって前記基板保持器を前記第1の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って第1の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された基板の第1面上にスパッタリングによって第1の透明導電酸化物層を形成する工程と、前記搬送経路の第2の搬送部によって前記基板保持器を前記第2の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第1の搬送部の搬送方向と反対の第2の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第2面上に反応性プラズマ蒸着によって第2の透明導電酸化物層を形成する工程とを有する成膜方法である。
本発明は、上記いずれか記載の成膜装置を用いた太陽電池の製造方法であって、n型結晶シリコン基板の一方の面上に、i型アモルファスシリコン層及びp型アモルファスシリコン層が順次設けられるとともに、前記n型結晶シリコン基板の他方の面上に、i型アモルファスシリコン層及びn型アモルファスシリコン層が順次設けられた基板を用意し、前記搬送経路の第1の搬送部によって前記基板保持器を前記第1の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って第1の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された基板の一方の面上にスパッタリングによって第1の透明導電酸化物層を形成する工程と、前記搬送経路の第2の搬送部によって前記基板保持器を前記第2の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第1の搬送部の搬送方向と反対の第2の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の他方の面上に反応性プラズマ蒸着によって第2の透明導電酸化物層を形成する工程とを有する太陽電池の製造方法である。
図1は、本発明に係る成膜装置の実施の形態の全体を示す概略構成図である。
また、図2(a)(b)は、本実施の形態における基板保持器搬送機構及び方向転換機構の基本構成を示すもので、図2(a)は平面図、図2(b)は正面図である。
さらにまた、図4は、本実施の形態における方向転換機構の構成を示す正面図である。
真空槽2の内部には、後述する基板保持器11を搬送経路に沿って搬送する基板保持器搬送機構3が設けられている。
ここで、基板保持器搬送機構3は、例えばスプロケット等からなり駆動機構(図示せず)から回転駆動力が伝達されて動作する同一径の円形の第1及び第2の駆動輪31、32を有し、これら第1及び第2の駆動輪31、32が、それぞれの回転軸線を平行にした状態で所定距離をおいて配置されている。
さらに、これら第1及び第2の駆動輪31、32に搬送駆動部材33が架け渡された構造体が所定の距離をおいて平行に配置され(図2(a)参照)、これら一対の搬送駆動部材33により鉛直面に対して一連の環状となる搬送経路が形成されている。
ここで、搬送折り返し部30Bの近傍には、後述する方向転換機構40が設けられている。
本実施の形態では、真空槽2内において、基板保持器搬送機構3の例えば上部に、スパッタ手段4Tを有する第1の成膜領域4が設けられ、基板保持器搬送機構3の例えば下部に、後述する反応性プラズマ蒸着手段5Rを有する第2の成膜領域5が設けられている。
この基板搬入搬出室2Aは、例えば上述した基板搬入搬出機構6の支持部62の上方の位置に連通口2Bを介して設けられており、例えば基板搬入搬出室2Aの上部には、開閉可能な蓋部2aが設けられている。
基板保持器支持機構18は、例えば複数のローラ等の回転可能な部材からなるもので、それぞれ搬送駆動部材33の近傍に設けられている。
図2(a)及び図3(a)に示すように、本実施の形態の基板保持器11は、例えば長尺矩形の平板状に形成され、その長手方向即ち第1及び第2の搬送方向P1、P2に対して直交する方向に例えば矩形状の複数の基板10を一列に並べてそれぞれ保持する複数の保持部14が設けられている。
これら各載置部17は、凹部の底面が例えば基板保持器11の上面と平行な平面状に形成され、成膜の際に各基板10を水平に保持するように構成されている。
ただし、処理効率を向上させる観点からは、搬送方向に対して直交する方向に複数の基板10を複数列に並べることも可能である。
本実施の形態のマスク19は、例えば複数の直線状のマスク部材19aから構成されている。
この場合、マスク部材19aそのものが磁性材料からなるもののほか、磁性材料からなる部材と非磁性材料からなる部材とを組み合わせたものや、樹脂等の母材中に磁性材料を含有させたもの等が含まれる。さらに、マスク部材19aとしては、剛性を有するもののみならず、例えば箔体のようにそれ自体の変形によって溝部17a内において載置部17に対して垂直方向に移動可能なものも含まれる。
これら第1及び第2の被駆動軸12、13は、それぞれ基板保持器11の長手方向に延びる回転軸線を中心として断面円形状に形成されている。
具体的には、図2(a)に示すように、基板保持器11を基板保持器搬送機構3に配置した場合に基板保持器11の両側部の第1の被駆動軸12が基板保持器搬送機構3の第1の駆動部36と接触し、かつ、基板保持器11を後述する方向転換機構40に配置した場合に第2の被駆動軸13が後述する第2の駆動部46と接触するように第1及び第2の被駆動軸12、13の寸法が定められている。
本実施の形態の場合、一対の方向転換機構40は、それぞれ第1及び第2の搬送方向P1、P2に関して一対の搬送駆動部材33の外側の位置に配置されている。
また、これら一対の方向転換機構40は、それぞれ第1の搬送方向P1の上流側の部分が各搬送駆動部材33の第1の搬送方向P1の下流側の部分と若干重なるように設けられている。
ここで、第1のガイド部材41の第1の搬送方向P1の下流側の部分は、第1の搬送方向P1の下流側に向って凸となる曲面形状に形成され、また、第2のガイド部材42の第1の搬送方向P1の上流側の部分は、第1の搬送方向P1の下流側に向って凹となる曲面形状に形成されている。
さらに、本実施の形態では、第1及び第2の方向転換経路51、52の各部分の水平方向についての距離が、基板保持器11の第1及び第2の被駆動軸12、13の間の距離と同等となるようにその寸法が定められている。
また、搬送駆動部材45の上側の部分が第1の搬送方向P1に移動し、下側の部分が第2の搬送方向P2に移動するように駆動される。
第2の駆動部46は、搬送駆動部材45の外方側の部分に凹部が形成され、この凹部の縁部が基板保持器11の第2の被駆動軸13と接触して当該基板保持器11を第2の方向転換経路52に沿って支持駆動するように構成されている。
また、図6(a)(b)は、マスク吸着手段の作用を示す説明図である。
この成膜室20は、必要に応じて図示しない真空排気装置に接続されるとともに、例えば酸素ガスのような反応ガスが導入されるように構成されている(図示せず)。
このマスク吸着手段7は、上述した基板保持器11のマスク19(マスク部材19a)を吸着する磁石を有し、例えば搬送経路と平行に設けられている。
このハース22は、基板10の第2面上に第2の透明導電酸化物層を形成するためのもので、接地されている。
このプラズマガン24は、成膜室20の側部に設けたプラズマ導入口20cの近傍に設けられ、例えばアルゴン(Ar)ガスを電離して成膜室20内に導入するものである。
さらに、第2の空心コイル28と成膜室20との間には、プラズマ収束用のマグネットコイル29が設けられている。
さらに、イオン化した成膜材料21aがアルゴンのプラズマ50を通過する際に加速され、ハース22の上方でマスク吸着手段7の下方近傍を通過する基板保持器11に向って直線的に飛翔し、その結果、基板10の第2面に成膜材料21の膜が形成される。
その結果、本実施の形態によれば、マスク19を介して基板10の第2面上に形成される膜の平坦性を向上させることができる。
図7(a)〜(c)は、本実施の形態における透明導電酸化物層の形成方法を示す断面工程図である。
その後、図示しない搬送ロボットを用いて処理前の基板10aを基板搬入搬出機構6の支持部62の搬送ロボット64上の基板保持器11に装着して保持させる。
この状態で、図11(b)に示すように、基板保持器搬送機構3の搬送駆動部材33の往路側搬送部33aを第1の搬送方向P1に移動させる。
本実施の形態では、上述した成膜工程の後、基板保持器搬送機構3の第1の駆動部36を第1の搬送方向P1に移動させることにより、図12(a)に示すように、基板保持器搬送機構3の搬送折り返し部30Bに到達した基板保持器11を更に第1の搬送方向P1に移動させ、基板保持器11の第2の被駆動軸13を方向転換機構40の第2の方向転換経路52の進入口の位置に配置する。
そして、基板保持器搬送機構3の搬送駆動部材33を駆動して第1の駆動部36を第1の搬送方向P1に移動させるとともに、方向転換機構40の搬送駆動部材45を駆動して第2の駆動部46を第1の搬送方向P1に移動させる。この場合、第1の駆動部36と第2の駆動部46の動作が同期するように制御する。
なお、受け渡し部材47は、この過程の後に図示しない弾性部材の付勢力によって元の位置に戻る。
その後、図8に示す状態に戻り、上述した動作を繰り返すことにより、複数の成膜前の基板10aに対してそれぞれ両面上に上述した成膜を行う。
図19〜図23は、本実施の形態の変形例を示すもので、以下、上記実施の形態と対応する部分には同一の符号を付しその詳細な説明を省略する。
図19に示す本変形例の成膜装置1Aは、後述するように、開閉可能なマスク8を有する基板保持器11Aを用いるもので、このマスク8が基板搬入搬出室2Aの蓋部2aの動作と連動して開閉可能に構成されている。
図20(a)〜(c)は、本変形例に用いる基板保持器の構成を示すもので、図20(a)は平面図、図20(b)は図20(a)のB−B線断面図、図20(c)は正面図である。
さらに、図21(a)(b)〜図23は、本変形例の動作を示す説明図である。
すなわち、本変形例に用いる基板保持器11Aの保持部14は、基板保持器11Aの上面側に、各基板10と同等の大きさ及び形状で各基板10の第1面(本変形例では上面)に対して成膜を行うための矩形状等の開口部15が設けられるとともに、基板保持器11Aの下面側に、上記各開口部15とそれぞれ連通し各基板10の第2面(本変形例では下面)に成膜を行うための矩形状等の開口部16が設けられている。
そして、各保持部14の開口部15、16の間の連続する部分に、各基板10を載置可能な矩形枠状の凹部からなる載置部17がそれぞれ設けられている。
これら各載置部17は、凹部の底面が例えば基板保持器11Aの上面と平行な平面状に形成され、成膜の際に各基板10を水平に保持するように構成されている。
本変形例では、基板保持器11Aの上部、すなわち、基板10の第1面側に成膜用のマスク8が設けられている。
このマスク8は、保持部14の上部側に設けられた二つの開口部15を覆う大きさで例えば矩形状に形成され、各開口部15に対応する位置に、保持部14の下部側に設けられた一対の開口部16より若干小さな例えば矩形状の一対の開口部8aが設けられている。
本変形例のマスク8は、搬送方向外方側の両側の側部で且つ第1の搬送方向P1側の端部に、マスク8を開閉するための開閉機構80がそれぞれ設けられている。
これら開閉機構80は、搬送方向に対して直交する方向に延びる支軸8cがマスク8に固定され、各支軸8cが、基板保持器11Aの上面に固定された支持部材8dに、搬送方向に対して直交する方向に延びる回転軸を中心として回転可能に支持されている。
これら引き上げピン8bは、搬送方向に対して直交する方向に延びる直線を通るように設けられ、それぞれの搬送方向外方側の端部が基板保持器11Aの本体部11aの搬送方向外方側の端縁部から搬送方向外方側にはみ出すように設けられている。
そして、後述する一対のマスク開閉部材9によって各引き上げピン8bを引き上げると、マスク8が開閉機構80の支軸8cの回転軸を中心として回転移動し、その第2の搬送方向P2側の端部が上昇して開き、基板保持器11Aの各開口部15、16並びに載置部17が露出するようになっている。
このマスク開閉機構90は、後述するように、基板搬入搬出室2Aの蓋部2aと連動するように構成され、マスク8の第2の搬送方向P2側の端部を引き上げ且つ下降させて開閉させる一対の同一構成を有するマスク開閉部材9を備えている。
これら一対のマスク開閉部材9は、図示しない連結部材によって連結され、同期して動作するように構成されている。
そして、マスク開閉部材9の引っ掛け部9bと反対側の端部が、基板搬入搬出室2Aの蓋部2aの下面の第2の搬送方向P2側の部分に設けられた支軸9dに取り付けられ、この支軸9dを中心として回転可能になっている。
なお、本変形例の蓋部2aは、その第1の搬送方向P1側の端部に設けられた支軸2bを中心として、搬送方向に向けられた鉛直面と平行な平面内を回転するように構成されている。
一方、基板搬入搬出室2A内の第2の搬送方向P2側の壁部には、上述したマスク開閉部材9の角度規制部9cと共にマスク開閉部材9の鉛直方向に対する角度を規制する角度規制部材9eが設けられている。
このような構成を有する本変形例では、蓋部2aが閉じている状態において、マスク開閉部材9の角度規制部9cが真空槽2内の壁部に設けられた角度規制部材9eに当接し、その本体部9aが第1の搬送方向P1側に若干傾斜した状態になっている。
これにより、マスク8の引き上げピン8bが、マスク開閉部材9の引っ掛け部9bに接触することなくその上方に配置される。
これによりマスク開閉部材9の角度規制部9cの角度規制部材9eに対する当接が外れ、マスク開閉部材9の引っ掛け部9bが第2の搬送方向P2に移動するようにマスク開閉部材9が回転し、その引っ掛け部9bがマスク8の引き上げピン8bの下方に位置する。
その結果、図23に示すように、図示しない搬送ロボットを用い、この空間を介して、処理前の基板10aを基板搬入搬出室2A内の基板保持器11Aに保持させ、また処理済の基板10bを基板保持器11Aから基板搬入搬出室2Aの外部へ排出することができる。
以上述べた本変形例においては、基板保持器11Aが、基板10の第1面側であるその上部に成膜用のマスク8を有していることから、基板10の第1面に対してマスク成膜を行うことができる。
この場合、基板保持器11Aに上記実施の形態のマスク19を設ければ、基板10の両面にマスク成膜を行うことができる。
例えば上記実施の形態においては、搬送駆動部材33のうち上側の部分を第1の搬送部である往路側搬送部33aとするとともに、搬送駆動部材33のうち下側の部分を第2の搬送部である復路側搬送部33cとするようにしたが、本発明はこれに限られず、これらの上下関係を逆にすることもできる。
さらにまた、上記実施の形態では、ヘテロ接合型太陽電池用の基板の両面上に透明導電酸化物層を形成する場合を例にとって説明したが、本発明はこれに限られず、種々の基板の両面上に種々の膜を形成する場合に適用することができる。
さらに、基板保持器支持機構18については、ローラではなくベルトやレールを用いて構成することもできる。
2…真空槽
3…基板保持器搬送機構
4…第1の成膜領域
4T…スパッタ手段
5…第2の成膜領域
5R…反応性プラズマ蒸着手段
6…基板搬入搬出機構
7…マスク吸着手段
10…基板
11…基板保持器
12…第1の被駆動軸(第1の被駆動部)
13…第2の被駆動軸(第2の被駆動部)
14…保持部
15、16…開口部
17…載置部
17a…溝部
18…基板保持器支持機構
19…マスク
19a…マスク部材
30A…基板保持器導入部
30B…搬送折り返し部
30C…基板保持器排出部
33…搬送駆動部材(搬送経路)
33a…往路側搬送部(第1の搬送部)
33b…折り返し部
33c…復路側搬送部(第2の搬送部)
36…第1の駆動部
40…方向転換機構
41…第1のガイド部材
42…第2のガイド部材
43…第3のガイド部材
45…搬送駆動部材
46…第2の駆動部
51…第1の方向転換経路
52…第2の方向転換経路
Claims (7)
- 単一の真空雰囲気が形成される真空槽と、
前記真空槽内に設けられ、基板保持器に保持された基板の第1面上に第1の透明導電酸化物層の成膜を行うスパッタ手段を有する第1の成膜領域と、
前記真空槽内に設けられ、前記基板保持器に保持された前記基板の第2面上に第2の透明導電酸化物層の成膜を行う反応性プラズマ蒸着手段を有する第2の成膜領域と、
鉛直面に対する投影形状が一連の環状となるように形成され、前記基板保持器を搬送する搬送経路と、
第1及び第2の被駆動部を有する複数の前記基板保持器を前記搬送経路に沿って搬送する基板保持器搬送機構とを備え、
前記搬送経路は、導入された前記基板保持器を水平にした状態で前記搬送経路に沿って第1の搬送方向に搬送する第1の搬送部と、前記基板保持器を水平にした状態で前記搬送経路に沿って前記第1の搬送方向と反対方向の第2の搬送方向に搬送して排出する第2の搬送部と、前記基板保持器を前記第1の搬送部から前記第2の搬送部に向って折り返して搬送する搬送折り返し部とを有し、前記第1の搬送部が、前記第1及び第2の成膜領域のうち一方を通過し、かつ、前記第2の搬送部が、前記第1及び第2の成膜領域のうち他方を通過するように構成され、
前記基板保持器搬送機構は、前記基板保持器の第1の被駆動部と接触して当該基板保持器を前記搬送経路に沿って駆動する複数の第1の駆動部を有し、
前記搬送経路の搬送折り返し部の近傍に、前記基板保持器の第2の被駆動部と接触して当該基板保持器を前記第1及び第2の搬送方向にそれぞれ駆動する複数の第2の駆動部と、前記基板保持器の第1及び第2の被駆動部を当該基板保持器を前記第1の搬送方向から前記第2の搬送方向へ方向転換するようにそれぞれ案内して搬送するための第1及び第2の方向転換経路とを有する方向転換機構が設けられ、
前記基板保持器搬送機構の第1の駆動部と前記方向転換機構の第2の駆動部とを同期して動作させ、前記基板保持器の第1及び第2の被駆動部を前記方向転換機構の第1及び第2の方向転換経路に沿ってそれぞれ案内して搬送することにより、前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記搬送経路の第1の搬送部から第2の搬送部に受け渡すように構成されている成膜装置。 - 前記基板保持器が、前記基板の第2面上にマスクを介して成膜を行うように構成されている請求項1記載の成膜装置。
- 前記マスクが磁性体からなる部分を有するとともに、前記第2の成膜領域の反応性プラズマ蒸着手段に、成膜位置において前記搬送経路に対して前記基板の第1面側の近傍に前記マスクを吸着するマスク吸着手段が設けられている請求項2記載の成膜装置。
- 前記基板保持器は、前記搬送経路に対して直交する方向に複数の基板を並べて保持するように構成されている請求項1乃至3のいずれか1項記載の成膜装置。
- 前記基板保持器は、前記基板の第1面側の部分に回転移動によって開閉可能な成膜用のマスクを有し、当該マスクは、基板搬入搬出室の蓋部の回転移動による開閉動作と連動するマスク開閉機構と連動して動作し、かつ、前記蓋部及び前記マスクが開いた状態において当該基板を搬入搬出可能な空間が形成されるように構成されている請求項1乃至4のいずれか1項記載の成膜装置。
- 請求項1乃至5のいずれか1項記載の成膜装置を用いた成膜方法であって、
前記搬送経路の第1の搬送部によって前記基板保持器を前記第1の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って第1の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された基板の第1面上にスパッタリングによって第1の透明導電酸化物層を形成する工程と、
前記搬送経路の第2の搬送部によって前記基板保持器を前記第2の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第1の搬送部の搬送方向と反対の第2の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第2面上に反応性プラズマ蒸着によって第2の透明導電酸化物層を形成する工程とを有する成膜方法。 - 請求項1乃至5のいずれか1項記載の成膜装置を用いた太陽電池の製造方法であって、
n型結晶シリコン基板の一方の面上に、i型アモルファスシリコン層及びp型アモルファスシリコン層が順次設けられるとともに、前記n型結晶シリコン基板の他方の面上に、i型アモルファスシリコン層及びn型アモルファスシリコン層が順次設けられた基板を用意し、
前記搬送経路の第1の搬送部によって前記基板保持器を前記第1の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って第1の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された基板の一方の面上にスパッタリングによって第1の透明導電酸化物層を形成する工程と、
前記搬送経路の第2の搬送部によって前記基板保持器を前記第2の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第1の搬送部の搬送方向と反対の第2の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の他方の面上に反応性プラズマ蒸着によって第2の透明導電酸化物層を形成する工程とを有する太陽電池の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115747710A (zh) * | 2022-11-01 | 2023-03-07 | 浙江合特光电有限公司 | 一种光伏组件的薄膜沉积工艺 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210112326A (ko) * | 2019-01-08 | 2021-09-14 | 가부시키가이샤 아루박 | 진공 처리장치 |
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CN113571606A (zh) * | 2021-07-23 | 2021-10-29 | 陕西众森电能科技有限公司 | 一种制备异质结太阳电池电极的方法和装置 |
CN114551639B (zh) * | 2022-01-27 | 2023-06-06 | 泰州中来光电科技有限公司 | 一种局域钝化接触的选择性发射极结构的制备方法及应用方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08274142A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-10-18 | Anelva Corp | インライン式成膜装置 |
WO2007123032A1 (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Ulvac, Inc. | 縦型基板搬送装置および成膜装置 |
JP2008138268A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Asahi Kasei Chemicals Corp | 薄膜を有する基板の製造方法 |
WO2014054587A1 (ja) * | 2012-10-01 | 2014-04-10 | 日産自動車株式会社 | インライン式コーティング装置、インライン式コーティング方法、およびセパレータ |
JP2015089962A (ja) * | 2013-11-07 | 2015-05-11 | 昭和電工株式会社 | インライン式成膜装置及びそれを用いた磁気記録媒体の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4864586B2 (ja) * | 2006-08-01 | 2012-02-01 | 新明和工業株式会社 | 真空成膜装置および真空成膜方法 |
CN101545090A (zh) * | 2008-03-25 | 2009-09-30 | 北儒精密股份有限公司 | 双线式真空装置 |
JP5959099B2 (ja) * | 2011-07-29 | 2016-08-02 | 日東電工株式会社 | 積層体の製造方法 |
KR20150047686A (ko) * | 2013-10-24 | 2015-05-06 | 주식회사 석원 | 양면 스퍼터링 진공 증착 장치 및 방법 |
JP6533511B2 (ja) * | 2015-06-17 | 2019-06-19 | 株式会社シンクロン | 成膜方法及び成膜装置 |
CN205420540U (zh) * | 2015-11-30 | 2016-08-03 | 广东腾胜真空技术工程有限公司 | 多辊多室卷绕镀膜装置 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08274142A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-10-18 | Anelva Corp | インライン式成膜装置 |
WO2007123032A1 (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Ulvac, Inc. | 縦型基板搬送装置および成膜装置 |
JP2008138268A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Asahi Kasei Chemicals Corp | 薄膜を有する基板の製造方法 |
WO2014054587A1 (ja) * | 2012-10-01 | 2014-04-10 | 日産自動車株式会社 | インライン式コーティング装置、インライン式コーティング方法、およびセパレータ |
JP2015089962A (ja) * | 2013-11-07 | 2015-05-11 | 昭和電工株式会社 | インライン式成膜装置及びそれを用いた磁気記録媒体の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115747710A (zh) * | 2022-11-01 | 2023-03-07 | 浙江合特光电有限公司 | 一种光伏组件的薄膜沉积工艺 |
Also Published As
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