JP6361970B2 - Inspection method of structure for nanoimprint and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
本発明は、ナノインプリント用構造体の検査方法およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a method for inspecting a structure for nanoimprint and a method for producing the same.
従来より、半導体装置、磁気記録媒装置、光学素子等を製造するために、ナノインプリント用モールドが用いられている。 Conventionally, a mold for nanoimprinting is used to manufacture a semiconductor device, a magnetic recording medium device, an optical element, and the like.
このようなナノインプリント用モールドとしては、パターンが形成される第1面と、この第1面に対向する第2面とを有し、第2面に凹部が形成されたナノインプリント用構造体が知られている(特許文献1参照)。 As such a nanoimprint mold, there is known a nanoimprint structure having a first surface on which a pattern is formed and a second surface opposite to the first surface, and a recess formed on the second surface. (See Patent Document 1).
ところでナノインプリント用モールドの第1面はパターンが形成される面であるから一般に平坦性が保たれているが、第2面に設けられた凹部の形状はバラツキが生じることがある。第2面に形成された凹部はその形状によってナノインプリント作用に影響を及ぼすことがあるが、この凹部の形状を正確に把握する技術は開発されていない。 By the way, although the 1st surface of the mold for nanoimprint is a surface where a pattern is formed, generally flatness is maintained, However, The shape of the recessed part provided in the 2nd surface may vary. Although the concave portion formed on the second surface may affect the nanoimprinting action depending on its shape, a technique for accurately grasping the shape of the concave portion has not been developed.
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、第2面に形成された凹部の形状を精度良く検出することができるナノインプリント用構造体の検査方法およびその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of such points, and provides a method for inspecting a structure for nanoimprinting and a method for manufacturing the same that can accurately detect the shape of a recess formed on a second surface. With the goal.
本発明は、パターンが形成される第1面と、この第1面に対向する第2面とを有し、この第2面に凹部が形成されたナノインプリント用構造体を準備する工程と、前記ナノインプリント用構造体に対して光を照射して、前記ナノインプリント用構造体からの反射光に基づいて、前記第1面の高さ情報および前記第2面の高さ情報を取得する工程と、前記第1面の高さ情報と前記第2面の高さ情報に基づいて、前記第1面を基準面として前記凹部の形状を検出する工程と、を備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の検査方法である。 The present invention includes a step of preparing a nanoimprint structure having a first surface on which a pattern is formed and a second surface opposite to the first surface, and a recess formed on the second surface; Irradiating light to the nanoimprint structure, and obtaining height information of the first surface and height information of the second surface based on reflected light from the nanoimprint structure; And a step of detecting the shape of the recess using the first surface as a reference surface based on the height information of the first surface and the height information of the second surface. This is an inspection method.
本発明は、前記第1面の高さ情報に基づいて、前記第2面の高さ情報を補正する工程を更に備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の検査方法である。 The present invention is the nanoimprint structure inspection method further comprising the step of correcting the height information of the second surface based on the height information of the first surface.
本発明は、パターンが形成される第1面と、この第1面に対向する第2面とを有し、この第2面に凹部が形成されたナノインプリント用構造体を準備する工程と、前記ナノインプリント用構造体に対して光を照射して、前記ナノインプリント用構造体からの反射光に基づいて、前記第1面と前記第2面との間の厚み情報を取得する工程と、前記厚み情報に基づいて、前記第1面を基準面として前記凹部の形状を検出する工程と、を備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の検査方法である。 The present invention includes a step of preparing a nanoimprint structure having a first surface on which a pattern is formed and a second surface opposite to the first surface, and a recess formed on the second surface; Irradiating the nanoimprint structure with light, obtaining thickness information between the first surface and the second surface based on the reflected light from the nanoimprint structure, and the thickness information And a step of detecting the shape of the recess using the first surface as a reference surface. A method for inspecting a structure for nanoimprinting, comprising:
本発明は、パターンが形成される第1面と、この第1面に対向する第2面とを有し、この第2面に凹部が形成されたナノインプリント用構造体を作製する工程と、前記ナノインプリント用構造体に対して光を照射して、前記ナノインプリント用構造体からの反射光に基づいて、前記第1面の高さ情報および前記第2面の高さ情報を取得する工程と、前記第1面の高さ情報と前記第2面の高さ情報に基づいて、前記第1面を基準面として前記凹部の形状を検出する工程と、を備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の製造方法である。 The present invention includes a step of producing a nanoimprint structure having a first surface on which a pattern is formed and a second surface facing the first surface, and a recess formed on the second surface; Irradiating light to the nanoimprint structure, and obtaining height information of the first surface and height information of the second surface based on reflected light from the nanoimprint structure; And a step of detecting the shape of the recess using the first surface as a reference surface based on the height information of the first surface and the height information of the second surface. It is a manufacturing method.
本発明は、前記第1面の高さ情報に基づいて、前記第2面の高さ情報を補正する工程を更に備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の製造方法である。 The present invention is the method for manufacturing a nanoimprint structure, further comprising a step of correcting the height information of the second surface based on the height information of the first surface.
本発明は、パターンが形成される第1面と、この第1面に対向する第2面とを有し、この第2面に凹部が形成されたナノインプリント用構造体を作製する工程と、前記ナノインプリント用構造体に対して光を照射して、前記ナノインプリント用構造体からの反射光に基づいて、前記第1面と前記第2面との間の厚み情報を取得する工程と、前記厚み情報に基づいて、前記第1面を基準面として前記凹部の形状を検出する工程と、を備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の製造方法である。 The present invention includes a step of producing a nanoimprint structure having a first surface on which a pattern is formed and a second surface facing the first surface, and a recess formed on the second surface; Irradiating the nanoimprint structure with light, obtaining thickness information between the first surface and the second surface based on the reflected light from the nanoimprint structure, and the thickness information And a step of detecting the shape of the recess using the first surface as a reference surface. A method for manufacturing a nanoimprint structure, comprising:
以上のように本発明によれば、ナノインプリント用構造体の第2面に形成された凹部の形状を精度良く検出することができる。 As described above, according to the present invention, the shape of the recess formed in the second surface of the nanoimprint structure can be detected with high accuracy.
<第1の実施の形態>
以下、図面を参照して本発明の第1の実施の形態について説明する。
<First Embodiment>
The first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
ここで図1乃至図8は、本発明の第1の実施の形態を示す図である。 1 to 8 are diagrams showing a first embodiment of the present invention.
まず、本発明の第1の実施形態に係るナノインプリント用構造体の検査方法について説明する。本発明の第1の実施形態に係るナノインプリント用構造体は、ナノインプリント用モールドに必要とされるパターン(例えば、凹凸パターン)が形成される前のナノインプリント用基板や、当該パターンが形成された後のナノインプリント用モールドを含む。以下では、ナノインプリント用構造体として、ナノインプリント用基板を例に採り、図1により説明する。 First, the inspection method for the nanoimprint structure according to the first embodiment of the present invention will be described. The nanoimprint structure according to the first embodiment of the present invention includes a nanoimprint substrate before a pattern (for example, an uneven pattern) required for a nanoimprint mold is formed, or after the pattern is formed. Includes molds for nanoimprinting. Hereinafter, as a nanoimprint structure, a nanoimprint substrate will be taken as an example and described with reference to FIG.
ナノインプリント用基板1は、パターンが形成される第1面2aと第1面に対向する第2面2bとを有する薄板2からなり、薄板2の第2面2bに凹部3が形成されている。この薄板2は、力が印可されると、第1面2a側または第2面2b側に撓むように構成されている。
The substrate for
薄板2には、特に制限はなく、例えば、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラス類、シリコン、炭化シリコン等の半導体類、更にはポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル、ポリプロピレン等の樹脂等から選択される。例えば、ナノインプリント用基板1が光ナノインプリントに使用される場合、少なくとも薄板2は上記の中の透明材料から選択され、典型的には薄板2は石英ガラスより構成される。
The
薄板2の第1面2aには、後述のように凹凸パターン4が形成され、薄板2の第1面2aに凹凸パターン4を形成することによりナノインプリント用モールド1Aが構成される。なお、図示しないが、ナノインプリント用基板1としての薄板2の第1面2aには、1以上の材料層が形成されていてもよい。
An
またこのような構成からなるナノインプリント用基板1の第1面2aに、エッチング等によって凹凸パターン4が形成されて、ナノインプリント用モールド1Aが得られる。
Moreover, the uneven |
ナノインプリント用モールド1Aは、図8に示すように例えば被転写体8の基板8a上に塗布されたレジスト膜(UV硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂)8bに接触され、レジスト膜を硬化させた後にナノインプリント用モールド1Aを引き剥がすことにより、ナノインプリント用モールド1Aの凹凸パターン4がレジスト膜8b上に転写される。この場合、枠体3の内周側に位置する薄板2は下方(第2面2b側)へ撓み、被転写体8に対して接触する。
After the
次に図2乃至図7によりナノインプリント用構造体の検査方法について述べる。 Next, a method for inspecting a nanoimprint structure will be described with reference to FIGS.
ここではナノインプリント用構造体としてナノインプリント用基板1を用いて検査する。
Here, inspection is performed using the
まずナノインプリント用基板1の第1面2aは凹凸パターン4の形成面となるため、平坦性を維持している。また第2面2bには凹部3が形成される。この場合、凹部3の境界から外れた領域3Aでは、凹部3の形状を探針等を用いて検出することは可能であるが、凹部3の境界近傍の領域3Bでは凹部の形状を探針等を用いて検出することはむずかしい(図2参照)。
First, since the
また、ナノインプリント用基板1の第1面2aは平坦性を維持しているが、第2面2b側は凹部3が形成される面であり、平坦性は第1面2aに比べると望めない(図3参照)。
Further, the
本実施の形態は、ナノインプリント用基板1のこのような特性を利用して凹部の形状を検出する。
In the present embodiment, the shape of the recess is detected by utilizing such characteristics of the
以下、ナノインプリント用基板の検査方法について図4乃至図7(a)(b)により説明する。 Hereinafter, a method for inspecting a nanoimprint substrate will be described with reference to FIGS. 4 to 7A and 7B.
まず図4および図5(a)(b)によりナノインプリント用構造体の検査装置について説明する。 First, a nanoimprint structure inspection apparatus will be described with reference to FIGS. 4 and 5A and 5B.
ナノインプリント用構造体の検査装置10は、ナノインプリント用基板1を保持するとともにXY方向に移動可能なXYステージ12と、ナノインプリント用基板1に対して例えばレーザ光を照射する投光部13aと、ナノインプリント用基板1から反射する反射光を受光する受光部13bと、受光部13bからの信号に基づいて第1面2aの高さ情報および第2面の高さ情報を取得する高さ情報取得部15aと、高さ情報取得部15aで取得した第1面2aの高さ情報および第2面2bの高さ情報に基づいて第1面2aを基準面として凹部3の形状を検出する凹部形状検出部15bとを備えている。
The nanoimprint
このうち、高さ情報取得部15aと凹部形状検出部15bは、制御部15内に組込まれている。またXYステージ12は制御部15によりXY方向(水平方向)に駆動制御され、XYステージ12からのXY方向データは制御部15に送られる。また投光器13aおよび受光器13bは、制御部15によりZ方向(高さ方向)に駆動制御される。この場合、投光器13aから対物レンズを介して照射されたレーザ光がナノインプリント用基板1で反射して受光器13bにより受光されるが計測表面に焦点が合うように投光器13aおよび受光器13bが制御部15によりZ方向に駆動制御される。このとき投光器13aおよび受光器13bの高さデータは制御部15に送られる。
Among these, the height
次にこのようなナノインプリント用構造体の検査方法について説明する。 Next, a method for inspecting such a nanoimprint structure will be described.
まず第1面2aと第2面2bとを有し、第2面2bに凹部3が形成されたナノインプリント用基板1を作製する。この場合、第1面2aはパターンが形成される基準面となる。
First, the
ナノインプリント用基板1をXYステージ12上に載置する。
The
次に投光部13aから例えばレーザ光をナノインプリント用基板1に対して照射する。投光部13aから照射された光は薄板2の第1面2aおよび第2面2bで各々で反射し、第1面2aおよび第2面2bで各々反射した反射光は受光部13bにより受光される。
Next, for example, laser light is irradiated to the
次に受光部13bからの信号が検出部15に送られ、この検出部15の高さ情報取得手段15aにおいてナノインプリント用基板1の第1面2aおよび第2面2bの高さ位置が求められる。
Next, a signal from the
具体的には投光器13aおよび受光器13bから反射光のXY方向位置データが制御部15に送られ、同時に計測表面に焦点が合った場合の投光器13aおよび受光器13bの高さ方向位置データが制御部15に送られる。
Specifically, the XY direction position data of the reflected light is sent from the
制御部15の高さ情報取得手段15aは、反射光のXY方向位置データと投光器13aおよび受光器13bの高さ方向位置データとに基づいて、当該XY方向位置における第1面2aと第2面2bの高さ情報を取得する。
The height information acquisition means 15a of the control unit 15 is based on the XY direction position data of the reflected light and the height direction position data of the
次に制御部15によりXYステージ12をX方向およびY方向に移動させ、反射光のXY方向位置データおよび投光器13aおよび受光器13bの高さ方向位置データに基づいて、ナノインプリント用基板1の全域に渡って第1面2aおよび第2面2bの高さ位置を求めることができる。
Next, the control unit 15 moves the
次に高さ情報取得部15aで取得したナノインプリント用基板1の第1面2aおよび第2面2bの高さ位置に基づいて、凹部形状検出部15bにより、第1面2aを基準面として第2面2bの高さ位置により凹部3の形状を求める。図5(a)(b)に示すように、ナノインプリント用基板1のうち第2面2bに形成された凹部3の境界近傍は、探針等を用いて測定することが困難な領域3Bであるが、第1面2aを基準面として第2面2aの高さ位置を用いることにより、容易かつ確実に凹部3の形状、とりわけ凹部3の境界近傍の領域3Bの形状を求めることができる。このとき高さ位置はナノインプリント用基板1を透過した光によって求めているのだから、ナノインプリント用基板1の屈折率によって光路長を求めることで、第1面2aを基準とした時の第2面2bの高さを得ることができる。
Next, based on the height positions of the
なお、高さ情報取得部15aで取得した第1面2aと第2面2bの高さ位置に基づいて、第2面2bの高さ位置を補正部15cにより補正してもよい。また投光器13aおよび受光器13bは複数個有していても良く、一度に複数個所を同時に計測しても良い。更に高さ情報を正確にするために、計測対象物の屈折率を求める機能を有していても良い。
The height position of the
例えば図6(a)(b)(c)に示すように、XYステージ12の表面が傾斜している場合、第1面2aの高さ位置はわずかに傾斜して示される(図6(a)(b)参照)。このとき、補正部15cにおいて、基準面としての第1面2aの高さ位置に対応してXYステージ12の表面が傾斜しているものと判断し、第2面2bの高さ位置を第1面2aの高さ位置に基づいて補正することができる(図6(c)参照)。
For example, as shown in FIGS. 6A, 6B, and 6C, when the surface of the
次に補正部15cからの情報に基づいて、凹部形状検出部15bにより、第1面2aを基準面として第2面2bの高さ位置により凹部3の形状を求めることができる。
Next, based on the information from the
この場合、補正部15cにおいて、ナノインプリント用基板1の全域に渡って第1面2aの高さ位置が傾斜しているものと判断して、第2面2bの高さ位置を第1面2aの高さ位置に基づいて補正してもよく(図7(a)参照)、ナノインプリント用基板1のある領域において第1面2aの高さ位置が傾斜しているものと判断して第2面2bの高さ位置を第1面2aの高さ位置に基づいて補正してもよい(図7(b)参照)。
In this case, the
とりわけ第1面2aに凹凸パターン4が形成される場合、凹凸パターン4の境界の内側と外側の両方の領域において、第2面2bの高さ位置を第1面2aの高さ位置に基づいて補正することができる。このことにより、第1面2aに凹凸パターン4が形成されていても、凹凸パターン4の境界近傍において第2面2bの高さ位置を精度良く求めて、この第2面2bの高さ位置に基づいて凹部3の形状を正確に検出することができる。
In particular, when the concavo-
あるいはまた、凹部3の境界近傍の領域3Bを正確に計測するためナノインプリント用基板1をわずかに傾斜することも考えられるが、この場合は、上述のようにナノインプリント用基板1の全域に渡って第1面2aの高さ位置が傾斜するため、補正部15cにおいて第2面2bの高さ位置を第1面2aの高さ位置に基づいて補正することができる。
Alternatively, it is conceivable that the
以上のようにして、検査されたナノインプリント用基板1は、例えば、良品として判断された場合に、薄板2の第2面2bに凹凸パターン4が形成され、ナノインプリント用モールド1Aが作製される。
As described above, when the inspected
<第2の実施の形態>
次に図9乃至図12により第2の実施の形態について説明する。
<Second Embodiment>
Next, a second embodiment will be described with reference to FIGS.
図9乃至図12に示す第2の実施の形態は、光の干渉を利用してナノインプリント用基板1の第1面2aと第2面2bとの間の厚みを求め、この厚みに基づいて第1面2aを基準面として凹部3の形状を検出するものである。
In the second embodiment shown in FIG. 9 to FIG. 12, the thickness between the
すなわち、図9に示すように、投光器13aからのレーザ光が、駆動部25により駆動される可動走査手段21により走査され、このレーザ光はコリメータレンズ22を通ってナノインプリント用基板1に照射される。ナノインプリント用基板1に照射されたレーザ光は、第1面2aおよび第2面2bで反射しスクリーン23を透過した後、受光部13bに入る。受光器13bにより受光された反射光は、フリンジ26を介して制御部30の厚み情報取得部30aに送られる。
That is, as shown in FIG. 9, the laser light from the
次にこの厚み情報取得部30aにおいて、第1面2aからの反射光と第2面2bからの反射光の光が干渉して干渉稿を生じさせ、この干渉稿によって第1面2aと第2面2bとの間の厚みを求める(図11参照)。
Next, in the thickness
次に制御部30の凹部形状検出部30bにおいて、厚み情報取得部30aにより取得された第1面2aと第2面2bとの間の厚みに基づいて、第1面2aを基準面として凹部3の形状を求めることができる。
Next, in the recessed portion
なお、図9において、投光器13aからナノインプリント用基板1に対して斜め方向からレーザ光が照射されているが、図10に示すように、ナノインプリント用基板1に対して投光器13aから直交する方向にレーザ光を照射してもよい。図10において、投光器13aからのレーザ光はビームスプリッタ2aおよびコリメータ22を経てナノインプリント用基板1に達する。ナノインプリント用基板1からの反射光はコリメータ22およびビームスプリッタ29を経て受光器13bに送られ、さらに受光器13bへ送られた反射光は制御部30へ送られる。
In FIG. 9, laser light is irradiated from the
また図9において、ナノインプリント用基板1の第1面2aと第2面2bの厚みを求める前に、ナノインプリント用基板1上にプリズム31を配置し、プリズム31からの反射光と第1面2aからの反射光を受光器13bにより受光し、プリズム31からの反射光と第1面1aからの反射光の干渉を利用して厚み情報取得部30aにおいて、プリズム31と第1面2aとの間の隙間を求め、このプリズム31と第1面2aとの隙間に基づいて、基準面としての第1面2aの平坦度を予め求めておいてもよい。この第2の実施の形態の場合も、屈折率による補正や、屈折率を求めるための機能を有していても良い。
In FIG. 9, before determining the thickness of the
1 ナノインプリント用基板
1A ナノインプリント用モールド
2 薄板
2a 第1面
2b 第2面
3 凹部
4 凹凸パターン
8 被転写体
10 ナノインプリント用接合体の検査装置
12 XYステージ
13a 投光部
13b 受光部
15 制御部
15a 高さ情報取得部
15b 凹部形状検出部
21 可動走査手段
22 コリメータレンズ
30 制御部
30a 厚み情報取得部
30b 凹部形状検出部
31 プリズム
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記ナノインプリント用構造体に対して光を照射して、前記ナノインプリント用構造体からの反射光に基づいて、前記第1面の高さ情報および前記第2面の高さ情報を取得する工程と、
前記第1面の高さ情報と前記第2面の高さ情報に基づいて、前記第1面を基準面として前記凹部の形状を検出する工程と、
を備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の検査方法。 Preparing a structure for nanoimprinting having a first surface on which a pattern is formed and a second surface facing the first surface, and a recess formed on the second surface;
Irradiating the nanoimprint structure with light to obtain height information of the first surface and height information of the second surface based on reflected light from the nanoimprint structure;
Detecting the shape of the concave portion using the first surface as a reference surface based on the height information of the first surface and the height information of the second surface;
A method for inspecting a structure for nanoimprinting, comprising:
前記ナノインプリント用構造体に対して光を照射して、前記ナノインプリント用構造体からの反射光に基づいて、前記第1面と前記第2面との間の厚み情報を取得する工程と、
前記厚み情報に基づいて、前記第1面を基準面として前記凹部の形状を検出する工程と、
を備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の検査方法。 Preparing a structure for nanoimprinting having a first surface on which a pattern is formed and a second surface facing the first surface, and a recess formed on the second surface;
Irradiating the nanoimprint structure with light, and obtaining thickness information between the first surface and the second surface based on reflected light from the nanoimprint structure;
Detecting the shape of the recess using the first surface as a reference surface based on the thickness information;
A method for inspecting a structure for nanoimprinting, comprising:
前記ナノインプリント用構造体に対して光を照射して、前記ナノインプリント用構造体からの反射光に基づいて、前記第1面の高さ情報および前記第2面の高さ情報を取得する工程と、
前記第1面の高さ情報と前記第2面の高さ情報に基づいて、前記第1面を基準面として前記凹部の形状を検出する工程と、
を備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の製造方法。 Producing a nanoimprint structure having a first surface on which a pattern is formed and a second surface opposite to the first surface, and a recess formed on the second surface;
Irradiating the nanoimprint structure with light to obtain height information of the first surface and height information of the second surface based on reflected light from the nanoimprint structure;
Detecting the shape of the concave portion using the first surface as a reference surface based on the height information of the first surface and the height information of the second surface;
A method for producing a structure for nanoimprinting, comprising:
前記ナノインプリント用構造体に対して光を照射して、前記ナノインプリント用構造体からの反射光に基づいて、前記第1面と前記第2面との間の厚み情報を取得する工程と、
前記厚み情報に基づいて、前記第1面を基準面として前記凹部の形状を検出する工程と、
を備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の製造方法。 Producing a nanoimprint structure having a first surface on which a pattern is formed and a second surface opposite to the first surface, and a recess formed on the second surface;
Irradiating the nanoimprint structure with light, and obtaining thickness information between the first surface and the second surface based on reflected light from the nanoimprint structure;
Detecting the shape of the recess using the first surface as a reference surface based on the thickness information;
A method for producing a structure for nanoimprinting, comprising:
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JP3881125B2 (en) * | 1999-02-17 | 2007-02-14 | レーザーテック株式会社 | Level difference measuring apparatus and etching monitor apparatus and etching method using the level difference measuring apparatus |
US20080160129A1 (en) * | 2006-05-11 | 2008-07-03 | Molecular Imprints, Inc. | Template Having a Varying Thickness to Facilitate Expelling a Gas Positioned Between a Substrate and the Template |
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JP5587672B2 (en) * | 2010-05-31 | 2014-09-10 | Hoya株式会社 | Mask blank substrate manufacturing method, imprint mold mask blank manufacturing method, and imprint mold manufacturing method |
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