JP6213356B2 - 電源装置 - Google Patents

Description

本発明は、トランスを備えた電源装置に関する。

ＤＣ−ＤＣコンバータ等の電源装置として、トランスと、該トランスの一次コイルに接続した一次側半導体部品と、トランスの二次コイルに接続した二次側半導体部品と、チョークコイルと、これらの部品を搭載する金属製のベースプレートとを備えたものが知られている（下記特許文献１参照）。また、この電源装置は、上記一次側半導体部品のスイッチング動作を制御する制御回路基板を備える。

上記電源装置を稼働すると、トランス等の各部品に電流が流れ、抵抗熱が発生する。上述したように、個々の部品はベースプレートに搭載されているため、発生した熱はベースプレートに伝わり、各部品は冷却される。このように、上記電源装置は、ベースプレートを用いて、該ベースプレートに搭載した各部品を冷却するよう構成されている。

特開２０００−３２４８３９号公報

しかしながら、上記電源装置は、各部品の冷却効率を充分に高めることができないという問題があった。すなわち、上記電源装置は、トランスやチョークコイル等から発生した熱が、全てベースプレートに伝わるよう構成されている。そのため、ベースプレートの温度が高くなりやすい構造になっている。それゆえ、ベースプレートに搭載した各部品の冷却効率を充分に高めることができなかった。

また、上記電源装置を稼働すると、各部品から放射ノイズが発生する。この放射ノイズが制御回路基板に伝わると、制御回路基板の動作に影響が出るおそれが考えられる。そのため、制御回路基板に伝わる放射ノイズの量を低減でき、制御回路基板の動作に与える影響をより低減できる電源装置が望まれている。

本発明は、かかる背景に鑑みてなされたもので、ベースプレートに搭載された個々の部品の冷却効率を高めることができ、かつ放射ノイズが制御回路基板に与える影響をより低減できる電源装置を提供しようとするものである。

本発明の第１の態様は、一次コイルと二次コイルとを有するトランスと、
該トランスの上記一次コイル側に接続された一次側回路を構成する一次側半導体部品と、
上記トランスの上記二次コイル側に接続された二次側回路を構成する二次側半導体部品と、
該二次側半導体部品に接続されたチョークコイルと、
上記トランスと、上記一次側半導体部品と、上記二次側半導体部品と、上記チョークコイルとからなる部品群を搭載したベースプレートと、
上記一次側半導体部品のスイッチング動作を制御する制御回路基板と、
上記トランスと上記制御回路基板との間に介在し、グランドに接続した金属プレートとを備え、
上記二次コイルから引き出された複数の引出端子のうち、グランドに接続されるグランド端子が、上記金属プレートに直接、接続していることを特徴とする電源装置にある。
また、本発明の第２の態様は、一次コイルと二次コイルとを有するトランスと、
該トランスの上記一次コイル側に接続された一次側回路を構成する一次側半導体部品と、
上記トランスの上記二次コイル側に接続された二次側回路を構成する二次側半導体部品と、
該二次側半導体部品に接続されたチョークコイルと、
上記トランスと、上記一次側半導体部品と、上記二次側半導体部品と、上記チョークコイルとからなる部品群を搭載したベースプレートと、
上記一次側半導体部品のスイッチング動作を制御する制御回路基板と、
上記トランスと上記制御回路基板との間に介在し、グランドに接続した金属プレートとを備え、
上記二次コイルから引き出された複数の引出端子のうち、グランドに接続されるグランド端子が、上記金属プレートに接続しており、
上記トランスと、上記部品群を構成する他の部品とを、上記ベースプレートの法線方向に積層してあり、
上記グランド端子は、上記法線方向から見たときに、上記トランスに積層された上記部品とは重ならない位置に配されていることを特徴とする電源装置にある。
また、本発明の第３の態様は、一次コイルと二次コイルとを有するトランスと、
該トランスの上記一次コイル側に接続された一次側回路を構成する一次側半導体部品と、
上記トランスの上記二次コイル側に接続された二次側回路を構成する二次側半導体部品と、
該二次側半導体部品に接続されたチョークコイルと、
上記トランスと、上記一次側半導体部品と、上記二次側半導体部品と、上記チョークコイルとからなる部品群を搭載したベースプレートと、
上記一次側半導体部品のスイッチング動作を制御する制御回路基板と、
上記トランスと上記制御回路基板との間に介在し、グランドに接続した金属プレートとを備え、
上記二次コイルから引き出された複数の引出端子のうち、グランドに接続されるグランド端子が、上記金属プレートに接続しており、
上記トランスと、上記部品群を構成する他の部品とを、上記ベースプレートの法線方向に積層してあり、
上記グランド端子は、上記法線方向に直交する方向から見たときに、上記トランスに積層された上記部品とは重ならない位置に配されていることを特徴とする電源装置にある。

上記電源装置においては、トランスの二次コイルに設けた上記グランド端子が、ベースプレートとは別の金属プレートに接続されている。それゆえ、二次コイルの熱の多くを、ベースプレートとは異なる金属プレートに放熱することができる。そのため、一次側半導体部品、二次側半導体部品、チョークコイル等の、他の部品の放熱経路とは異なる放熱経路にて、二次コイルの熱を放熱することができる。その結果、二次コイルの放熱を効率的に行うことができると共に、他の部品についても効率的に放熱することができる。
すなわち、上記グランド端子を金属プレートに接続することにより、トランスを含めた複数の部品の放熱経路を分散させることができ、これにより、ベースプレートにのみ熱が伝わって該ベースプレートの温度が上昇しやすくなる不具合を抑制できる。そのため、ベースプレートに搭載した個々の部品を、全体として効率的に冷却することが可能となる。

また、仮に、二次コイルのグランド端子をベースプレートに接続したとすると、二次コイルの電流がベースプレートを流れ、この電流に起因してベースプレート自体が発熱することになるが、上述のようにグランド端子を金属プレートに接続すれば、二次コイルの電流がベースプレートを流れることを抑制でき、ベースプレート自体が発熱することを抑制できる。そのため、ベースプレートに搭載された各部品の冷却効率を高めることが可能になる。

また、上記電源装置においては、制御回路基板と上記部品群との間に金属プレートが介在している。そのため、各部品から発生する放射ノイズを金属プレートによって遮蔽できる。したがって、放射ノイズが制御回路基板に伝わりにくくなり、制御回路基板の動作に与える影響を低減することが可能となる。

以上のごとく、本発明によれば、ベースプレートに搭載された個々の部品の冷却効率を高めることができ、かつ放射ノイズが制御回路基板に与える影響をより低減できる電源装置を提供することができる。

実施例１における、電源装置の断面図であって、図２のI-I断面図。 図１のII-II断面図。 実施例１における、電源装置の回路図。 実施例１における、電源装置の回路図であって、二次側半導体部品をＭＯＳモジュールにしたもの。 実施例１における、電源装置の回路図であって、二次側半導体部品の接続方法を変更したもの。 実施例２における、電源装置の断面図。 実施例３における、電源装置の断面図。 実施例４における、電源装置の断面図。 実施例５における、電源装置の断面図。 実施例６における、電源装置の断面図。 実施例６における、電源装置の斜視図。 実施例６における、電源装置の斜視図であって、カバー部材の側壁に開口部を形成したもの。 実施例７における、電源装置の断面図。 実施例８における、電源装置の断面図。

上記電源装置は、例えば、高圧直流電源の直流電圧を降圧するＤＣ−ＤＣコンバータとすることができる。また、上記電源装置は、例えば電気自動車やハイブリッド自動車に搭載するものとすることができる。

（実施例１）
上記電源装置に係る実施例について、図１〜図５を用いて説明する。図１、図２に示すごとく、本例の電源装置１は、トランス２と、一次側半導体部品３と、二次側半導体部品４と、チョークコイル５と、ベースプレート６と、制御回路基板８と、金属プレート７とを備える。

トランス２は、一次コイル２１と二次コイル２２とを有する。一次側半導体部品３は、トランス２の一次コイル２１側に接続された一次側回路１１（図３参照）を構成している。また、二次側半導体部品４は、トランス２の二次コイル２２側に接続された二次側回路１２（図３参照）を構成している。

チョークコイル５は、二次側半導体部品４に接続している。ベースプレート６に、トランス２と、一次側半導体部品３と、二次側半導体部品４と、チョークコイル５とからなる部品群１０を搭載してある。また、制御回路基板８は、一次側半導体部品３のスイッチング動作を制御する。

金属プレート７は、部品群１０と制御回路基板８との間に介在し、グランドに接続している。また、二次コイル２２から引き出された複数の引出端子２３のうちグランドに接続されるグランド端子２３ｃが、金属プレート７に接続している。

本例の電源装置１は、高圧直流電源１８（図３参照）の直流電圧を降圧して低圧直流電源１９を充電するためのＤＣ−ＤＣコンバータである。また、本例の電源装置１は、電気自動車やハイブリッド車等の車両に搭載するための、車載用電源装置である。

図３に示すごとく、一次側半導体部品３には複数個のスイッチング素子１１０（ＭＯＳＦＥＴ）が内蔵されている。これらのスイッチング素子１１０によってＨブリッジ回路を構成してある。一次側半導体部品３の出力端子３１は、トランスの一次コイル２１に接続している。制御回路基板８によって、スイッチング素子１１０のスイッチング動作を制御することにより、高圧直流電源１８の直流電圧を交流電圧に変換し、一次コイル２１に印加するよう構成されている。

また、二次コイル２２は、第１部分２２１と第２部分２２２との、２つの部分を備える。二次コイル２２の引出端子２３には、二次側半導体部品４に接続するための出力端子２３ａ，２３ｂと、グランドに接続するためのグランド端子２３ｃとがある。グランド端子２３ｃは、第１部分２２１と第２部分２２２との間に接続している。このグランド端子２３ｃを、上記金属プレート７に接続してある。

二次側半導体部品４の出力端子１２２は、チョークコイル５に接続している。本例では、二次側半導体部品４に内蔵されたダイオード４０を用いて、二次コイル２２の出力電流を整流し、チョークコイル５を用いて、整流された出力電流を平滑化している。また、チョークコイル５の出力端子５１とグランドとの間には、コンデンサ１７が設けられている。このコンデンサ１７を用いて、二次側半導体部品４の出力電圧を平滑化するよう構成されている。

図１に示すごとく、本例では、トランス２と、一次側半導体部品３と、二次側半導体部品４と、チョークコイル５とを全てベースプレート６に接触させてある。これにより、一次側半導体部品３、二次側半導体部品４、チョークコイル５から発生した熱をベースプレート６に伝え、これら一次側半導体部品３等を冷却するよう構成されている。ベースプレート６は、アルミニウムやステンレス等の金属によって形成されている。また、ベースプレート６には、各部品を搭載した搭載面６０と、部品を搭載していない非搭載面６１とがある。この非搭載面６１に、図示しない冷却器を接触させてある。

ベースプレート６には、複数本の支柱６２が形成されている。支柱６２は、上記搭載面６０から、該搭載面６０の法線方向（Ｚ方向）に突出している。この支柱６２に、金属プレート７が取り付けられている。金属プレート７は、例えばステンレス鋼、冷鍛鋼板、鋼材等からなる。

金属プレート７には、接続孔７０が貫通形成されている。この接続孔７０に、二次コイル２２のグランド端子２３ｃを接続してある。これにより、グランド端子２３ｃを、金属プレート７を介してグランドに接続すると共に、二次コイル２２から発生した熱を、グランド端子２３ｃを介して金属プレート７に伝えるよう構成されている。
なお、本例では、グランド端子２３ｃを接続孔７０に挿入してあるが、接続孔７０を設けず、グランド端子２３ｃを金属プレート７にはんだ付けしたり、溶接したりしてもよい。また、接続孔７０は、貫通形成しなくても、凹状に形成してもよい。

グランド端子２３ｃは、トランス２からベースプレート６及び金属プレート７と略平行に引き出され、金属プレート７へ向かって屈曲している。そして、グランド端子２３ｃの先端が、上記接続孔７０に挿入されている。

また、金属プレート７は、複数の基板用支柱７２を備える。基板用支柱７２は、金属プレート７からＺ方向に突出している。この基板用支柱７２に、制御回路基板８を取り付けてある。制御回路基板８は、一次側半導体部品３の制御端子３２（図２参照）に接続されている。
なお、本例では、支柱６２と基板用支柱７２を別部材として構成したが、これらを一部品として構成してもよい。

本例では、ベースプレート６と、部品群１０と、金属プレート７と、制御回路基板８とを、Ｚ方向においてこの順に並ぶように配してある。部品群１０は、Ｚ方向において金属プレート７とベースプレート６との間に介在している。また、金属プレート７は、Ｚ方向において部品群１０と制御回路基板８との間に介在している。

図１に示すごとく、トランス２は、上述した一次コイル２１及び二次コイル２２と、軟磁性体からなるトランス用コア２４とを備える。トランス用コア２４内に、一次コイル２１及び二次コイル２２が配されている。トランス用コア２４は、ベースプレート６に接触している。

また、チョークコイル５１は、バスバーからなるコイル部５１と、軟磁性体からなるコイル用コア５４とを備える。コイル用コア５４内に、コイル部５１が配されている。コイル用コア５４は、ベースプレート６に接触している。

本例の作用効果について説明する。本例においては、トランス２の二次コイル２２に設けたグランド端子２３ｃを、ベースプレート６とは別の金属プレート７に接続してある。それゆえ、二次コイル２２の熱の多くを、ベースプレート６とは異なる金属プレート７に放熱することができる。そのため、一次側半導体部品３、二次側半導体部品４、チョークコイル５等の、他の部品の放熱経路とは異なる放熱経路にて、二次コイル２２の熱を放熱することができる。その結果、二次コイル２２の放熱を効率的に行うことができると共に、他の部品についても効率的に放熱することができる。
すなわち、本例のように、グランド端子２３ｃを金属プレート７に接続することにより、トランス２を含めた複数の部品の放熱経路を分散させることができ、これにより、ベースプレート６にのみ熱が伝わって該ベースプレート６の温度が上昇しやすくなる不具合を抑制できる。そのため、ベースプレート６に搭載した個々の部品を、全体として効率的に冷却することが可能となる。

特に本例の電源装置は、二次コイル２２の方が、一次コイル２１よりも多くの電流が流れるため、二次コイル２２の温度は高くなりやすい。そのため、グランド端子２３ｃを金属プレート７にし、二次コイルの熱２２の多くを金属プレート７に伝えるようにしたことによる効果は大きい。

また、仮に、二次コイル２２のグランド端子２３ｃをベースプレート６に接続したとすると、二次コイル２２の電流がベースプレート６を流れ、この電流に起因してベースプレート６自体が発熱することになるが、上述のようにグランド端子２３ｃを金属プレート７に接続すれば、二次コイル２２の電流がベースプレート６を流れることを抑制でき、ベースプレート６自体が発熱することを抑制できる。そのため、ベースプレート６に搭載された各部品の冷却効率を高めることが可能になる。

また、本例の電源装置１においては、制御回路基板８と部品群１０との間に金属プレート７が介在している。そのため、各部品から発生する放射ノイズを金属プレート７によって遮蔽できる。したがって、放射ノイズが制御回路基板８に伝わりにくくなり、制御回路基板８の動作に与える影響を低減することが可能となる。

以上のごとく、本例によれば、ベースプレートに搭載された個々の部品の冷却効率を高めることができ、かつ放射ノイズが制御回路基板に与える影響をより低減できる電源装置を提供することができる。

なお、本例では、図３に示すごとく、ＭＯＳＦＥＴを用いて一次側半導体部品３を形成したが、本発明はこれに限るものではない。例えば、ＩＧＢＴ素子を用いて一次側半導体部品３を形成してもよい。また、一次側半導体部品３は必ずしも半導体モジュールである必要はなく、例えば、ディスクリートの半導体部品であってもよい。

また、本例では、ダイオード４０を用いて二次側半導体部品４を形成したが、本発明はこれに限るものではない。例えば図４に示すごとく、ＭＯＳＦＥＴ４９を用いて二次側半導体部品４を形成してもよい。この場合、制御回路基板８を用いてＭＯＳＦＥＴ４９の動作制御を行うことにより、二次コイル２２の出力電流を整流する、いわゆる同期整流を行うことになる。また、二次側半導体部品４はディスクリートの半導体部品であってもよい。

また、本例では、二次コイル２２のグランド端子２３ｃを金属プレート７に直接、接続したが、本発明はこれに限るものではない。例えば図５に示すごとく、グランド端子２３ｃに二次側半導体部品４を接続し、この二次側半導体部品４を介して、グランド端子２３ｃを金属プレート７に接続してもよい。
このように、本発明においてグランド端子２３ｃを「グランドに接続する」とは、グランド、すなわち金属プレート７に直接接続する場合だけでなく、二次側半導体部品４を介して間接的に接続する場合も含まれる。

（実施例２）
以下の実施例においては、図面に用いた符号のうち、実施例１において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、実施例１と同様の構成要素等を表す。

本例は、ベースプレート６に搭載した部品を、金属プレート７に接触させた例である。図６に示すごとく、本例では、チョークコイル５とトランス２とをそれぞれ金属プレート７に接触させている。また、部品群１０を構成する各部品は、それぞれベースプレート６に接触している。

本例の作用効果について説明する。本例では、チョークコイル５から発生した熱を、金属プレート７とベースプレート６とにそれぞれ分散させることができる。また、二次コイル２２から発生した熱を、グランド端子２３ｃを介して金属プレート７に伝えるだけでなく、トランス用コア２４を介して、金属プレート７に伝えることが可能となる。そのため、各部品から発生した熱の伝導経路をより分散しやすくなり、部品群１０全体の冷却効率をより高めることが可能になる。
その他、実施例１と同様の構成および作用効果を有する。

なお、本例では、チョークコイル５とトランス２とを金属プレート７に接触させたが、本発明はこれに限るものではない。すなわち、トランス２と一次側半導体部品３と二次側半導体部品４とチョークコイル５とのうち、少なくとも１個を、金属プレート７に接触させることができる。これにより、各部品から発生する熱を、ベースプレート６と金属プレート７とに、より分散させやすくなり、各部品の冷却効率をより高めることが可能となる。

（実施例３）
本例は、部品の配置位置を変更した例である。図７に示すごとく、本例では、実施例１と同様に、Ｚ方向において、ベースプレート６と部品群１０と金属プレート７と制御回路基板８とをこの順に配してある。また、本例では、二次側半導体部品４にチョークコイル５を積層して積層体１６を形成している。チョークコイル５は、二次側半導体部品４よりも金属プレート７に近い位置に配されている。

本例の作用効果について説明する。上記構成にすると、二次側半導体部品４から発生する放射ノイズを、チョークコイル５によって遮蔽することができる。これにより、制御回路基板８に伝わる放射ノイズをより低減することができ、制御回路基板８の動作に与える影響をより低減することができる。特に、本例のチョークコイル５は、軟磁性体からなるコイル用コア５４を備えため、このコイル用コア５４によって、二次側半導体部品４から発生した放射ノイズを効率的に遮蔽することができる。

また、二次側半導体部品４とチョークコイル５とを積層すると、各部品の配列方向（Ｘ方向）における、ベースプレート６の長さを短くすることができる。そのため、電源装置１を小型化することができる。
その他、実施例１と同様の構成及び作用効果を備える。

なお、本例では、二次側半導体部品４上にチョークコイル５を積層したが、本発明はこれに限るものではない。例えば、二次側半導体部品４上にトランス２を積層して積層体１６を構成してもよい。トランス２はトランス用コア２４を備えるため、このトランス用コア２４によって、二次側半導体部品４から発生した放射ノイズを効率的に遮蔽することができる。
また、本例では、チョークコイル５を、二次側半導体部品４よりも金属プレート７に近い位置に配したが、本発明はこれに限るものではなく、チョークコイル５と二次側半導体部品４との位置を逆にしてもよい。この場合には、チョークコイル５から発生した放射ノイズを、二次側半導体部品４によって遮蔽することができる。

また、図示しないが、一次側半導体部品３に、トランス２又はチョークコイル５を積層して積層体１６を形成してもよい。この場合も、一次側半導体部品３とトランス２又はチョークコイル５の、Ｚ方向における位置関係は特に限定されない。
以上説明したように、一次側半導体部品３と二次側半導体部品４との少なくとも一方に、トランス２又はチョークコイル５をＺ方向に積層して積層体１６を構成することが好ましい。

（実施例４）
本例は、積層体１６を構成しつつ、該積層体１６を構成する部品（チョークコイル５）を金属プレート７に接触させた例である。図８に示すごとく、本例では、二次側半導体部品４上にチョークコイル５を積層して積層体１６を構成してある。そして、この積層体１６を構成するチョークコイル５を金属プレート７に接触させている。

このようにすると、二次側半導体部品４から発生する放射ノイズを、チョークコイル５によって遮蔽できると共に、チョークコイル５から発生する熱を金属プレート７に伝えることが可能になる。そのため、制御回路基板８に伝わる放射ノイズの量を低減できると共に、チョークコイル５の冷却効率を高めることができる。
その他、実施例１と同様の構成および作用効果を備える。

なお、本例では、二次側半導体部品４上にチョークコイル５を積層したが、本発明はこれに限るものではない。すなわち、二次側半導体部品４上にトランス２を積層して積層体１６を構成し、このトランス２を金属プレート７に接触させてもよい。また、一次側半導体部品３上にチョークコイル５又はトランス２を積層して積層体１６を構成し、このチョークコイル５又はトランス２を金属プレート７に接触させてもよい。この場合には、一次側半導体部品３から発生する放射ノイズを、チョークコイル５又はトランス２によって遮蔽でき、かつ、チョークコイル５又はトランス２の冷却効率を高めることができる。

また、本例では、チョークコイル５を二次側半導体部品４よりも金属プレート７に近い位置に配したが、これらの位置は逆にしてもよい。この際、二次側半導体部品４を金属プレート７に接触させることが好ましい。また、一次側半導体部品３を用いて積層体１６を構成する場合は、一次側半導体部品３を金属プレート７に近い位置に配してもよい。この際、一次側半導体部品３を金属プレート７に接触させることが好ましい。
以上説明したように、部品群１０に含まれる部品（一次側半導体部品３、二次側半導体部品４、チョークコイル５、トランス２）であって上記積層体１６を構成する２つの部品のうち、Ｚ方向において金属プレート７に近い位置に配された部品を、金属プレート７に接触させることが好ましい。

（実施例５）
本例は、部品の位置を変更した例である。図９に示すごとく、本例では、一次側半導体部品３とトランス２とを積層して第１の積層体１６ａを形成すると共に、二次側半導体部品４とチョークコイル５とを積層して第２の積層体１６ｂを形成してある。トランス２は一次側半導体部品３よりも金属プレート７に近い位置に配されている。同様に、チョークコイル５は、二次側半導体部品４よりも金属プレート７に近い位置に配されている。また、トランス２及びチョークコイル５は、金属プレート７に接触している。

上記構成にすると、一次側半導体部品３から発生した放射ノイズを、トランス２によって遮蔽できると共に、二次側半導体部品４から発生した放射ノイズを、チョークコイル５によって遮蔽できる。そのため、制御回路基板８に伝わる放射ノイズの量を、より低減することができる。また、トランス２及びチョークコイル５は、それぞれ金属プレート７に接触している。そのため、トランス２及びチョークコイル５から発生した熱を、金属プレート７に、より伝えやすくなる。これにより、各部品から発生した熱の伝導経路をより分散させやすくなり、電源装置１全体としての冷却効率をより高めることができる。
その他、実施例１と同様の構成及び作用効果を有する。

なお、本例では、一次側半導体部品３上にトランス２を積層し、二次側半導体部品４上にチョークコイル５を積層したが、本発明はこれに限るものではない。すなわち、一次側半導体部品３上にチョークコイル５を積層し、二次側半導体部品４上にトランス２を積層してもよい。また、一次側半導体部品３とトランス２の位置は逆にしてもよく、さらに、二次側半導体部品４とチョークコイル５との位置を逆にしてもよい。この場合、一次側半導体部品３又は二次側半導体部品４を金属プレート７に接触させることが好ましい。
以上説明したように、部品群１０に含まれる部品（一次側半導体部品３、二次側半導体部品４、チョークコイル５、トランス２）であって積層体１６ａ，１６ｂをそれぞれ構成する２つの部品のうち、Ｚ方向において金属プレート７に近い位置に配された部品を、金属プレート７に接触させることが好ましい。

（実施例６）
本例は、金属プレート７の構造を変更した例である。図１０、図１１に示すごとく、本例の金属プレート７は、ベースプレート６と共に電源装置１の筐体１４を構成するカバー部材１５の一部を構成している。

金属プレート７から側壁部７１が、Ｚ方向に突出している。この金属プレート７と、側壁部７１とによって、部品群１０を覆うカバー部材１５を構成してある。そして、カバー部材１５とベースプレート６とによって、電源装置１の筐体１４を構成している。

本例の作用効果について説明する。上記電源装置１は側壁部７１を備えるため、トランス２や一次側半導体部品３等から発生した放射ノイズが、金属プレート７とベースプレート６との間から漏洩する不具合を抑制することができる。そのため、電源装置１の周囲に配された他の機器への影響を、より低減することができる。
その他、実施例１と同様の構成及び作用効果を備える。

なお、本例では、金属プレート７から側壁部７１を突出させたが、ベースプレート６から側壁部７１を突出させてもよい。この場合、金属プレート７自身が、カバー部材１５となる。

また、図１２に示すごとく、側壁部７１に開口部７１０を形成してもよい。そして、この開口部７１０にバスバー（図示しない）等を差し込み、このバスバーを用いて、電源装置１内の部品と外部機器とを接続するよう構成してもよい。

（実施例７）
本例は、制御回路基板８の形状を変更した例である。図１３に示すごとく、本例の制御回路基板８は、金属プレート７に平行な第１部分８１と、該第１部分８１からＺ方向に延出し側壁部７１に平行な第２部分８２とを備える。第１部分８１は金属プレート７に接触しており、第２部分８２は側壁部７１に接触している。

上記構成にすると、制御回路基板８全体の面積を大きくしつつ、制御回路基板８のＸ方向長さを短くすることができる。そのため、電源装置１を小型化することが可能になる。
その他、実施例１と同様の構成および作用効果を有する。

（実施例８）
本例は、制御回路基板８の配置位置を変更した例である。図１４に示すごとく、本例では、制御回路基板８をベースプレート６に搭載してある。また、本例では実施例１と同様に、トランス２等からなる部品群１０を、ベースプレート６に搭載してある。そして、制御回路基板８と部品群１０との間に、金属プレート７を介在させてある。金属プレート７は、ベースプレート６に接続している。金属プレート７は、ベースプレート６からＺ方向に延出している。この金属プレート７を用いて、部品群１０から発生する放射ノイズを遮蔽している。また、トランス２の二次コイル２２からグランド端子２３ｃが引き出されている。グランド端子２３ｃは、実施例１と同様に、金属プレート７に接続している。
その他、実施例１と同様の構成および作用効果を有する。

１ 電源装置
１１ 一次側回路
１２ 二次側回路
１０ 部品群
２ トランス
２１ 一次コイル
２２ 二次コイル
２３ 引出端子
２３ｃ グランド端子
３ 一次側半導体部品
４ 二次側半導体部品
５ チョークコイル
６ ベースプレート
７ 金属プレート
８ 制御回路基板

Claims (7)

1. 一次コイル（２１）と二次コイル（２２）とを有するトランス（２）と、
   該トランス（２）の上記一次コイル（２１）側に接続された一次側回路（１１）を構成する一次側半導体部品（３）と、
   上記トランス（２）の上記二次コイル（２２）側に接続された二次側回路（１２）を構成する二次側半導体部品（４）と、
   該二次側半導体部品（４）に接続されたチョークコイル（５）と、
   上記トランス（２）と、上記一次側半導体部品（３）と、上記二次側半導体部品（４）と、上記チョークコイル（５）とからなる部品群（１０）を搭載したベースプレート（６）と、
   上記一次側半導体部品（３）のスイッチング動作を制御する制御回路基板（８）と、
   上記トランス（２）と上記制御回路基板（８）との間に介在し、グランドに接続した金属プレート（７）とを備え、
   上記二次コイル（２２）から引き出された複数の引出端子（２３）のうち、グランドに接続されるグランド端子（２３ｃ）が、上記金属プレート（７）に直接、接続していることを特徴とする電源装置（１）。
2. 一次コイル（２１）と二次コイル（２２）とを有するトランス（２）と、
   該トランス（２）の上記一次コイル（２１）側に接続された一次側回路（１１）を構成する一次側半導体部品（３）と、
   上記トランス（２）の上記二次コイル（２２）側に接続された二次側回路（１２）を構成する二次側半導体部品（４）と、
   該二次側半導体部品（４）に接続されたチョークコイル（５）と、
   上記トランス（２）と、上記一次側半導体部品（３）と、上記二次側半導体部品（４）と、上記チョークコイル（５）とからなる部品群（１０）を搭載したベースプレート（６）と、
   上記一次側半導体部品（３）のスイッチング動作を制御する制御回路基板（８）と、
   上記トランス（２）と上記制御回路基板（８）との間に介在し、グランドに接続した金属プレート（７）とを備え、
   上記二次コイル（２２）から引き出された複数の引出端子（２３）のうち、グランドに接続されるグランド端子（２３ｃ）が、上記金属プレート（７）に接続しており、
   上記トランス（２）と、上記部品群（１０）を構成する他の部品とを、上記ベースプレート（６）の法線方向に積層してあり、
   上記グランド端子（２３ｃ）は、上記法線方向から見たときに、上記トランスに積層された上記部品とは重ならない位置に配されていることを特徴とする電源装置（１）。
3. 一次コイル（２１）と二次コイル（２２）とを有するトランス（２）と、
   該トランス（２）の上記一次コイル（２１）側に接続された一次側回路（１１）を構成する一次側半導体部品（３）と、
   上記トランス（２）の上記二次コイル（２２）側に接続された二次側回路（１２）を構成する二次側半導体部品（４）と、
   該二次側半導体部品（４）に接続されたチョークコイル（５）と、
   上記トランス（２）と、上記一次側半導体部品（３）と、上記二次側半導体部品（４）と、上記チョークコイル（５）とからなる部品群（１０）を搭載したベースプレート（６）と、
   上記一次側半導体部品（３）のスイッチング動作を制御する制御回路基板（８）と、
   上記トランス（２）と上記制御回路基板（８）との間に介在し、グランドに接続した金属プレート（７）とを備え、
   上記二次コイル（２２）から引き出された複数の引出端子（２３）のうち、グランドに接続されるグランド端子（２３ｃ）が、上記金属プレート（７）に接続しており、
   上記トランス（２）と、上記部品群（１０）を構成する他の部品とを、上記ベースプレート（６）の法線方向に積層してあり、
   上記グランド端子（２３ｃ）は、上記法線方向に直交する方向から見たときに、上記トランスに積層された上記部品とは重ならない位置に配されていることを特徴とする電源装置（１）。
4. 上記トランス（２）と、上記一次側半導体部品（３）と、上記二次側半導体部品（４）と、上記チョークコイル（５）とのうち少なくとも一つが、上記金属プレート（７）に接触していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電源装置（１）。
5. 上記ベースプレート（６）の法線方向において、該ベースプレート（６）と上記部品群（１０）と上記金属プレート（７）と上記制御回路基板（８）とがこの順に配されており、上記一次側半導体部品（３）と上記二次側半導体部品（４）との少なくとも一方に、上記トランス（２）又は上記チョークコイル（５）を上記法線方向に積層して積層体（１６）を構成してあることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電源装置（１）。
6. 上記部品群（１０）に含まれる部品であって上記積層体（１６）を構成する２つの部品のうち、上記法線方向において上記金属プレート（７）に近い位置に配された部品が上記金属プレート（７）に接触していることを特徴とする請求項５に記載の電源装置（１）。
7. 上記金属プレート（７）は、上記ベースプレート（６）と共に上記電源装置（１）の筐体（１４）を構成するカバー部材（１５）の一部を構成していることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の電源装置（１）。

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