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JP6212256B2 - Ad変換処理装置 - Google Patents

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JP6212256B2 JP2012281381A JP2012281381A JP6212256B2 JP 6212256 B2 JP6212256 B2 JP 6212256B2 JP 2012281381 A JP2012281381 A JP 2012281381A JP 2012281381 A JP2012281381 A JP 2012281381A JP 6212256 B2 JP6212256 B2 JP 6212256B2
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Description

本発明は、AD変換処理装置に関し、特に、近似関数を用いた離散化処理に関する。
近年、AD変換器及びこれに類する装置は、ハードウェアの電気的信号を読み取る機能を担い、演算装置または制御装置にとって必須の要素回路と位置付けられている。また、AD変換によって定まる分解能は、各種ハードウェアの出力結果に影響を及ぼす為、これを高分解能にさせる様々な取組が行われている。
実開平03−101047号公報
しかしながら、高分解能が要求される場合、従来のAD変換器では、回路構成の複雑化や高コスト化を招いてしまう。例えば、逐次比較型AD変換回路(特許文献1)では、分解能の高さと変換速度とがトレードオフの関係を免れないので、分解能の低下または変換速度の低下といった許容事項の選択を迫られる。ここで、高分解能を選択し且つ変換速度を高速化させようとすると、DSP(Digital Signal Processor)といったデバイスが必要となり、回路構成の複雑化及び高コスト化を招いてしまう。
また、このような不具合は、逐次比較型AD変換回路に限られるものでなく、例えば、フラッシュ型のコンバータでは、コンパレータを複数設けなければならず、回路規模の大型化を招いてしまう。
一方、ヒステリシスコンパレータの出力パルスによって入力電圧を検出する場合、時定数によって変化する基準電圧と入力電圧とが比較され、ヒステリシスコンパレータの出力パルスに基づいて入力電圧の離散値が求められる。しかし、基準電圧を積分回路で生成させている場合、出力パルスのエッジ間隔(時間)と入力電圧とは指数関数によって関係付けられる為、入力電圧(若しくは、入力電圧に相当する離散値)の算出処理が非常に煩雑となる。
また、入力電圧をVinとし、ヒステリシスコンパレータのHigh値出力期間をtxとすると、
Vin=(α・tx)+β ,・・・(α及びβは、抵抗値等により定まる定数)
のように、直線回帰させた近似式を用いて入力電圧Vinを算出させることも考えられる。しかし、この方法によれば、時定数の設定如何によっては、大きな近似誤差を与えてしまい、検出精度を低下させてしまうとの問題が生じる。
加えて、市販品のAD変換ICを用いることで、部品コストを低下させることも考えられる。しかし、市販品のAD変換ICでは、内蔵される電気的素子を変更できないので、コンパレータの出力値におけるヒステリシス特性及び周波数を自由に設定することが困難となる。このため、ノイズ除去のための好ましい設定やエイリアスを回避させる周波数設定といった対策が執れなくなる。
本発明は上記課題に鑑み、簡素な回路構成を用いて高精度の離散処理を実現させ得るAD変換処理装置の提供を目的とする。
上記課題を解決するため、本発明では次のようなAD変換処理装置の構成とする。即ち、入力電圧に比例する検出値入力電圧が積分回路型基準値入力電圧よりも大きい期間に相当する出力電圧の検出パルス期間を前記入力電圧の値に応じて変化させるヒステリシスコンパレータと、級数的関数へ展開した数式の近似結果である線形関数に基づいて前記検出パルス期間の逆数値と前記入力電圧を現す離散値との関係を特定する線形関数情報が記録された情報記録装置と、前記線形関数情報を用いて前記離散値を算出する演算装置と、を備えることとする。
好ましくは、前記検出パルス期間の逆数値を「1/tc」とし、前記入力電圧を「Vin」とし、且つ、前記入力電圧「Vin」に関するマクローリン展開によって得られた近似関数のうち、定数項をbとし、前記入力電圧「Vin」の一次項の係数をaとすると、前記AD変換回路部に構成される電気的素子は、「1/tc=(a・Vin)+b」の関係を満足させていることとする。
好ましくは、前記演算装置は、前記検出パルス期間を測定する検出パルス期間算出処理と、前記検出パルス期間の逆数値を算出する逆数値算出処理と、前記検出パルス期間の逆数値及び前記線形関数情報を用いて前記離散値を算出するデジタル値設定処理と、を機能させることとする。
好ましくは、前記線形関数情報は、検査用の入力電圧を複数種類与えて当該検査用の入力電圧に対応する前記検出パルス期間の逆数値を各々算出する検査処理と、前記検査用の入力電圧とこれに対応する前記検出パルス期間の逆数値との関係を複数用いて前記線形関数を特定する線形関数特定処理と、前記線形関数に基づいて前記線形関数情報を作成する関数情報作成処理と、によって作成されることとする。
本発明に係るAD変換処理装置によると、ヒステリシスコンパレータによってAD変換回路部が構成されるので、当該回路部の構成が極めて簡素なものとされる。また、入力電圧と検出パルス期間の逆数値との線形的関係に基づいてアナログ値の量子化が実施されるので、検出された入力電圧は、近似誤差の少ない関数によって離散値が設定されることになり、高い精度でAD変換されることとなる。
本実施の形態に係るAD変換処理装置の回路構成を示す図。 一般的なヒステリシスコンパレータを説明する図。 ヒステリシスコンパレータの各端子の電位状態を示すタイムチャート。 基準値入力電圧の動作を示すタイムチャート。 入力電圧と検出パルス期間の逆数値との線形的関係を示す図。 デジタル値演算ルーチン及び関数作成ルーチンを説明する図。 本実施の形態に係るAD変換処理装置の変形例を示す図(其の1)。 本実施の形態に係るAD変換処理装置の変形例を示す図(其の2)。
以下、本発明に係る実施の形態につき図面を参照して具体的に説明する。図1は、本実施の形態に係るAD変換処理装置の構成が説明されている。図示の如く、AD変換処理装置1は、AD変換回路部10と情報記録装置30と演算装置40とから構成され、各々がCPUバス20を介してデータ通信可能に接続されている。かかるCPUバス20は、コントロールバス,アドレスバス,データバスを束ねた信号ラインであり、このうち、データバスは、検出パルス期間を現す情報Dp等(例えば、カウント値情報)を伝送させる。
AD変換処理装置10は、分圧抵抗11とコンパレータ12と抵抗R3とデータ生成回路13と積分回路14とから構成される。分圧抵抗11は、検出する入力電圧Vinが其の一端に印加され、内部電流がグランドGNDへ抜けるよう回路構成されている。従って、分圧抵抗11の接点t1(抵抗R1と抵抗R2の接点)は、入力電圧Vinに比例する電圧を出力させる。
コンパレータ12は、非反転入力端子(+)と反転入力端子(−)と出力端子とを備え、非反転入力端子(+)は、信号ラインを介して接点t1に接続されている。このため、非反転入力端子(+)には、入力電圧Vinに比例する電圧Vin+が印加される。以下、この電圧Vin+を、検出値入力電圧Vin+と呼ぶこととする。
非反転入力端子(+)と出力端子との間には、接点t1及びt3を介して抵抗R3が接続されている。また、反転入力端子(−)と出力端子との間には、接点t4及び接点t3を介して抵抗R4が接続されている。当該抵抗R4は、直列接続させたコンデンサC1を伴って、積分回路14を構成している。以下、反転入力端子(−)に入力される電圧を、基準値入力電圧Vin−と呼ぶ。
本実施の形態に係るAD変換処理装置1によると、後述するようなヒステリシスコンパレータによってAD変換回路部10が構成されるので、当該回路部の構成が極めて簡素なものとされる。また、本実施の形態では、基準電圧発生回路として積分回路14が用いられるため、入力電圧Vinに重畳されるノイズ成分を吸収させるメリットも生じる。
ここで、図2を参照して、一般的なヒステリシスコンパレータについて説明する。尚、コンパレータ12の出力電圧Voutは、High状態のとき電源電圧Vccの電圧値となり、Low状態のとき零(V)となる。
図2(a)に示す如く、ヒステリシスコンパレータでは、抵抗R1に流れる電流I1と、抵抗R2に流れる電流I2と、抵抗R3に流れる電流I3との関係が、「I1=I2+I3」の関係を満たすこととなる。従って、抵抗値及び電圧値を用いて各々の電流値I1〜I3を算出し、これを「I1=I2+I3」の関係式へ代入させると、検出値入力電圧Vin+は、次の式で表される。
Figure 0006212256
先に説明したように、出力電圧VoutはHigh状態及びLow状態へ切換えられる。ここで、「Vout=Vcc(High)」のときの検出値入力電圧Vin+をVtlとし、「Vout=0(Low)」のときの検出値入力電圧Vin+をVthとすると、これら電圧Vtl及びVthは、次の式で表される。
Figure 0006212256
図2(b)では、この電圧Vtl及びVthが示されている。即ち、検出値入力電圧Vtl及びVthは、電源電圧Vccと零(V)との間に設定され、「数2」からも明らかなように「Vtl>Vth」の関係を形成する。
図2(a)における基準電圧生成回路Xは、印加電圧V(t)を周期的に増加及び減少させるように機能する。ここでは、基準電圧生成回路Xは、図2(a)に示す如く、印加電圧V(t)が電圧Vthまで低下した時点(t=0,t2)で印加電圧V(t)の増加を開始させ、印加電圧V(t)が電圧Vtlまで上昇した時点(t=t1,t3)で印加電圧V(t)の減少を開始させる。
ここで、期間(0〜t1,t2〜t3)のとき、コンパレータ12は、「Vin+ > Vin−」となるので、出力電圧VoutをHigh状態とさせる。一方、期間(t1〜t2)のとき、コンパレータ12は、「Vin+ < Vin−」となるので、出力電圧VoutをLow状態とさせる(図2c参照)。このように、ヒステリシスコンパレータは、基準値入力電圧Vin−の変化動作に応じて、出力電圧Voutを周期的に切換える。
本実施の形態では、図1に示す如く、積分回路14によって基準電圧生成回路が構成されている。ここで、積分回路14におけるコンデンサC1の両端電圧をVc(t)とおき、「t=0」のときにVc(t)の増加が開始することとすると、Vc(t)は、次の式で表される。
Figure 0006212256
図4(a)は、コンデンサC1における充電動作のタイムチャートが示されている。「数3」の式により、充電時の両端電圧Vc(t)は、Vc(0)=Vthから、時間経過に応じて増加していくことが解る。但し、Vc(t)がVtlに達する時刻taでは、コンパレータ12の出力電圧VoutがHigh状態(VoH)からLow状態(VoL)に切換る。即ち、期間(0〜ta)にあっては、両端電圧Vc(t)の充電期間とされ、以下、これを検出パルス期間tcと呼ぶこととする。
上述の如く、t=0のとき、Vc(0)=Vth,となる。また、t=taのとき、Vc(ta)=Vtl,となる。これと、「数3」を用いることにより、以下の如く、期間tcの関係式を導き出すことができる。
Figure 0006212256
また、「数4」へ「数2」のVtl及びVthを代入すると、以下の式が導き出される。
Figure 0006212256
即ち、検出パルス期間tcは、入力電圧Vinの増加に応じて増大し、入力電圧Vinの減少に応じて低下することが解る。
一方、コンデンサC1が放電するとき、其の放電開始時刻を零とすると、Vc(t)は以下の式で表される。
Figure 0006212256
また、先と同様、期間tdについて解くと、非検出期間tdは以下のように表現される。
Figure 0006212256
図4(b)は、コンデンサC1における放電動作のタイムチャートが示されている。「数6」の式により、放電時の両端電圧Vc(t)は、Vc(0)=Vtlとなり、時間経過に応じて減少していくことが解る。但し、Vc(t)がVthに達する時刻tbでは、先とは逆に、コンパレータ12の出力電圧VoutがLow状態(VoL)からHigh状態(VoH)に切換る。ここでの期間(0〜tb)にあっては、非検出期間tdと呼ぶこととする。
図4(c)に示す如く、コンデンサC1の両端電圧Vc(t)は、出力電圧Voutの切換り動作に応じて充放電を繰り返すものであるから、反転入力電圧Vtl〜Vthの間を反復するよう変動する。また、この両端電圧Vc(t)は、周期T(T=tc+td)によって其の動作を繰り返すこととなる。ここで、入力電圧Vinが変動し、これに応じて、入力電圧Vinが図3のように変動したとする(実際は、緩慢に変動する)。この場合、基準値入力電圧Vin−の増加速度は入力電圧Vinに応じて変動する為、両端電圧Vc(t)の充放電周期Tは、入力電圧Vinが大きければ其の周期を増大させ、入力電圧Vinが小さくなれば其の周期を低下させる。
ここで、検出パルス期間tcのみについても、かかる傾向が現れるのは明らかである。即ち、上述したヒステリシスコンパレータは、検出パルス期間tcを入力電圧Vinの値に応じて変化させる。従って、本実施の形態では、検出パルス期間tcについてのみ観測を行い、この期間tcの長短に応じて入力電圧Vinをデジタル値として把握することとする。
図1に戻り、AD変換回路部10の残りの構成について説明する。データ生成回路13は、制御ロジック131とゲート回路132とカウンタ133とを備えている。制御ロジック131では、パルス信号の周波数やカウンタ133のサンプルタイミング等を規定する。ゲート回路132は、パルス信号と出力電圧Voutが各々入力され、出力電圧VoutがHigh状態の場合に限り、パルス信号を通過させる。即ち、図3に示されるパルス信号PLSは、ゲート回路132の出力を示す波形である。カウンタ133は、検出パルス期間tcについてのカウント動作を行うよう、適宜のタイミングでリセット動作を行う。そして、カウンタ133では、パルス信号PLSが入力されると、パルス信号PLSのパルス数を計数し、そのカウント値(図3のCOUNTERを参照)のデジタルデータをデータレジスタへ作成させる。その後、カウンタ133は、後述する演算処理40からの指令に従い、パルス信号PLSのカウント情報を演算処理40へ出力する。このカウント情報は、パルス数の計数結果であるところ、検出パルス期間tcを現す情報であり、これは、入力電圧Vinの大きさを現す情報を意味する。
本実施の形態に係るAD変換回路部10は、時間に関する情報を検出しているので、入力電圧の電圧値に係る量子化誤差は最小限に抑えられる。そして、入力電圧の量子化については、後述する近似誤差の小さい関数を用いるので、精度の高いAD変換の結果値が得られることとなる。
情報記録装置30は、本実施の形態では不揮発性メモリ31(Read Only Memory)とEEPROM32(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)と揮発性メモリ(Random Access Memory)とから構成される。このうち、不揮発性メモリ31には様々な制御プログラムが記録され、揮発性メモリでは演算中の情報が随時記録される。また、EEPROM32の記憶領域には、例えば、後述する線形関数情報等が記録されている。この線形関数情報は、必要に応じて書換えられる情報であるため、イレーサブルなメモリ回路へ格納されている。
演算装置40は、CPU(Central Processing Unit)であって、データレジスタ41、コントロールレジスタ42、アドレスレジスタ43、其の他、クロック回路等が配備されている。データレジスタ41は、演算結果等を一時的に保持させたり、情報記録装置30から得た数値情報等を保持する。また、データレジスタ41は、四則演算といった平易な演算処理を実行する。コントロールレジスタ42は、制御プログラムから所定アドレスの指令情報をフェッチし、これに従い処理を実行させる。アドレスレジスタ43は、制御レジスタの現アドレス値をカウントアップさせ、次のフェッチ動作に備える。このように、演算装置40は、シーケンス順に従って、処理を順次実行させていく。即ち、演算装置40は、情報記録装置30に格納された制御プログラム・各種パラメータと協働して、適宜の処理装置を構築させる。かかる処理動作については、追って詳述することとする。
「発明が解決しようとする課題」で指摘したように、入力電圧Vinとパルス期間txとを「Vin=(α・tx)+β」のように近似させてしまうと、近似誤差が大きくなるとの不具合が生じる。このため、本実施の形態では、検出パルス期間tcを一次関数の変数としてそのまま用いるのではなく、検出パルス期間の逆数値「1/tc」を近似関数(一次関数)の変数として利用することを試みた。これを具体的に説明すると、「数5」の式について、対数関数をf(Vin)へ置換し、「1/tc」について解く。そうすると、検出パルス期間の逆数値「1/tc」は、以下のように表現される。
Figure 0006212256
ここで、上式における対数関数f(Vin)は、「Vin=0」について、連続であり且つ微分係数を有するよう、パラメータp,qが設定されていることとする。この場合、対数関数f(Vin)についてマクローリン展開を行うと、「1/tc」は、以下のように表現される。
Figure 0006212256
ここで、上式のVinの高次多項式について、二次項の係数は、分母と分子の次数を比較すれば、其れが十分に小さいことが解る。また、同様の理由で、更に高次項の係数についても、これに対応する係数は十分に小さくなる。従って、検出パルス期間の逆数値「1/tc」を現す右辺は、二次項以上の項を無視しても、近似誤差が殆ど生じないことが理解できる。以下の式は、マクローリン展開後の右辺高次項を消去したものであり、上述の理由から、入力電圧Vinがどのような値であっても、この式による誤差が十分に小さなものとされる。
Figure 0006212256
これによれば、検出パルス期間tcが冗長される場合であっても、検出パルス期間の逆数値「1/tc」が正しく測定されれば、入力電圧Vinを精度よく求めることが可能となる。
尚、本実施の形態では、非検出期間tdの逆数に基づく近似関数をモデルとすることはない。何故なら、「数7」の右辺Vinについてマクローリン展開を行ったとしても、これによって得られる展開式は、高次項の係数を無視できない値となるからである。即ち、本実施の形態によると、近似式を設定するに相応しい「1/tc」なる変数を用いることにより、近似関数を一次関数という平易な関数とし、AD変換回路部の電気的素子の設定を容易化させている。
ここで、「数10」の式における傾き及び定数項について、パラメータa及びbを設定すると、以下のように表現される。
Figure 0006212256
このパラメータa及びbは、何れも、抵抗R1〜R4,電気容量C1,電源電圧Vccによって算出可能なパラメータである。このうち、電源電圧Vccは一定値に制御されるものであるから、パラメータa及びbは、AD変換回路部10の素子構成に応じて定まることを意味する。
図5(a)は、検出パルス期間の逆数値「1/tc」と入力電圧Vinとの関係が、上記の近似直線に基づいて作成されたものである。同図では、入力電圧Vinが0(v)のとき逆数値F(0)が検出され、入力電圧Vinが5(v)のとき逆数値F(5)が検出される、といったパラメータa,bが設定されている。即ち、このような特性が現れるように、AD変換回路部10の電気的素子(抵抗、電気容量)が選択されている。
EEPROM32に記録されている線形関数情報は、図5(b)に示す如く、演算装置等で利用される離散値BITと、検出パルス期間の逆数値「1/tc」と、を所定の関数に基づいて関係付けたものである。尚、図5(b)では、検出パルス期間の逆数値「1/tc」が8ビットデータへ離散化処理されるものとする。即ち、LSB=0,MSB=255,とされている。
図5(b)に示す如く、離散値BITは、逆数値F(0)のとき「BIT=BIT(0)=0」とされ、逆数値F(5)のとき「BIT=BIT(5)=255」とされる。そして、F(0)〜F(5)の間の検出値については1/256に等分割され、離散値BITの各値に対応付けられる。このように、同図にあっては、1BITに相当する検出値の分解能は、「Δ(1/tc)/256」となる。
下の式「数12」は、離散値BITと検出パルス期間の逆数値「1/tc」との関係を現す線形関数が示されている。
Figure 0006212256
(尚、右辺の[ ]はガウス記号を指す。)
本実施の形態では、「数12」の線形関数に基づいて特定された線形関数情報が、EEPROM32の記憶領域に記録されている。例えば、この線形関数情報は、右辺第1項目の定数項と、右辺第2項目の係数と、から成る情報としても良い。また、線形関数情報は、この線形関数に基づいて予め作成されたマップ情報としても良い。
先に説明したように、算出された離散値BITは検出パルス期間の逆数値「1/tc」に対応するものであり(図5b参照)、この逆数値「1/tc」は入力電圧Vinに対応するものである(図5a参照)。このことは、入力電圧Vinと離散値BITとの対応関係が形成されていることを意味し、離散値BITの算出結果によって入力電圧Vinが特定されたことになる。
これについて具体的に説明すると、AD変換回路部10では、上述の如く、入力電圧Vinが与えられると、検出パルス期間tcに対応する情報(カウント値)を演算装置40へ出力させる。演算装置40では、これを受けて演算ルーチンを起動させ(図6a参照)、先ず、検出パルス期間算出処理S11を実行させる。この処理S11では、カウント値にパルス信号PLSのパルス周期を乗算する等して、検出パルス期間tcを算出測定する。
其の後、逆数値算出処理S12では、逆数の演算処理を構築させ、これに処理S11での結果値「1/tc」を代入する。これにより、処理S12では、検出パルス期間の逆数値「1/tc」が算出される。
其の後、デジタル値設定処理S13では、検出パルス期間の逆数値「1/tc」及び線形関数情報を用いて離散値BITを算出する。例えば、関数演算によって離散値BITを算出させる場合、「数12」の線形関数の定数項及び係数を記憶装置からデータレジスタ41に読出し、これを用いて線形関数の演算処理機能を構築させ、これに「1/tc」の検出値を代入することで離散値BITを算出する。演算処理ルーチンは、処理S13の完了後これを終了させ、次回のカウント値が演算装置40で確認された後、起動再開されることとなる。
本実施の形態に係るAD変換処理装置1によると、入力電圧Vinと逆数値「1/tc」との線形的関係に基づいてアナログ値の量子化が実施されるので、上述したマクローリン展開を用いた近似関数に非常に近い(若しくは、同等の)関数を用いることとなる。このため、検出された入力電圧は、近似誤差の少ない関数によって離散値が設定されることになり、高い精度でAD変換が行われることとなる。
そして、上述した近似関数に基づくAD変換を実現させるには、パラメータa及びbを満足するような電気的素子を選択すれば良いことになる。即ち、従来技術のように回路構成を複雑化せずとも、AD変換回路部の抵抗値等の変更によって、精度の高いAD変換を構成させることが可能となる。
また、検出パルス期間の逆数値「1/tc」は、パラメータa及びbに依存するところ、AD変換回路部10を構成する電気的素子の設定変更によって適宜な調整が可能である。従って、CPUといった演算回路40の読込速度が劣るようなシステムであっても、上述電気的素子を選択することで逆数値「1/tc」を低下させ、精度の低下を招くことなくAD変換を行うことが可能となる。
一方、本実施の形態によれば、演算回路側のスペックに余裕がある場合、AD変換回路部10の電気的素子を適宜に選択して、検出パルス期間の逆数値「1/tc」を高くし、変換動作の高速化を図ることも可能である。かかる設定についても、上述同様、AD変換回路部10の電気的素子の適宜な選択といった簡素な手段によって、これが実現される。
また、本実施の形態によれば、AD変換回路部10の素子設定が適宜に行われることにより、検出パルス期間tcを自由に規定できるので、エイリアス等といった回路上の不具合対策を平易に行うことが可能となる。
以下の式(数13)は、上述した「数12」に「数11」を代入して得られたものである。
Figure 0006212256
(尚、右辺の[ ]はガウス記号を指す。)
ここで、入力電圧Vinの変動範囲が想定されているとすると、計測結果を設定ビット数の範囲内に収めるには「η・a」を調整すれば良く、「ξ」によってオフセット量を調整すれば良い。これら「η・a」及び「ξ」はパラメータa,bの関数であるところ、入力電圧Vinを所望のビット範囲に収めるには、パラメータa及びbの適宜な設定が重要となる。本実施の形態では、このような問題解決にあっても、AD変換回路部10の電気的素子の適宜な選択によって容易に為され、このことは、設定ビット数の有効利用を実現させ、AD変換における精度向上に寄与することとなる。
この他、本実施の形態では、図6(b)に示す「線形関数情報の作成ルーチン」によって、上述した線形関数情報を作成・修正することが可能である。当該ルーチンは、AD変換処理装置の製造工程や修理操作で与えられるイベント情報によって起動する。
そして、検査処理S21では、検査用の入力電圧が複数種類与えられて、当該検査用の入力電圧に対応する逆数値「1/tc」を各々算出する。即ち、この処理S21によって、逆数値「1/tc」に係る複数点の計測結果が取得される。
其の後、線形関数特定処理S22では、検査用の入力電圧とこれに対応する逆数値との関係を複数用いて、「数11」に係るパラメータa,bを算出し、線形関数を特定する。このように、「線形関数情報の作成ルーチン」では、検査結果を用いて、パラメータa,bを逆算させる処理を行う。
其の後、関数情報作成処理S23では、処理S22で特定された線形関数に基づいて、線形関数情報を記憶装置へ記録させる。この線形関数情報は、「傾き」及び「定数項」に相当する情報であっても良く、入力電圧Vinを具体的に与えて得られるマップ情報であっても良い。
このように、情報記録装置30に線形関数情報が記録されていなくても、「線形関数情報の作成ルーチン」を起動させることにより、線形関数情報を作成することが可能である。また、抵抗素子又はコンデンサの電気的性質に変化が現れたような場合、「線形関数情報の作成ルーチン」を用いて、線形入力情報のチューニングを行うことも可能となる。
また、「線形関数情報の作成ルーチン」によって特定される線形情報についても、入力電圧Vinと逆数値「1/tc」との線形的関係に基づいてアナログ値の量子化が実施されるので、上述したマクローリン展開を用いた近似関数に非常に近い(若しくは、同等の)関数を用いることとなる。このため、検出された入力電圧は、近似誤差の少ない関数によって離散値が設定されることになり、高い精度でAD変換が行われることとなる。
尚、本実施の形態では、AD変換回路部10の全ての電気的素子(抵抗,コンデンサ)を所望の素子とすることができるように、AD変換回路部がカスタム品であるとされている。しかし、AD変換ICによっては、上述した特性を決定する電気的素子の全部又は一部を外部から接続させるものもあり、このようなICについては其の変更が許される範囲で本発明を適用させることが可能である。
上述したハードウェアは、特許請求の範囲における技術思想の一形態に過ぎず、その形態を以下のように様々変更させることが可能である。
例えば、図7のAD変換回路部10では、コンパレータ12の出力側へ時定数回路25を接続させ、カウンタ値をD/A変換させる基準電圧生成回路24が設けられている。このような構成であっても、上述した実施の形態で説明されたソフトウェアが設けられていれば、精度良くAD変換を実施させることができる。
また、図8のAD変換処理装置3は、CPUバス20にFPGA(Field-Programmable Gate array)が接続されている。かかるFPGA50は、コンフィギュレートROM51と論理ブロック領域52とを備え、コンフィギュレートROM51に記録された情報によって論理ブロック領域52を適宜の処理装置に機能構築させる。即ち、同図において、コンフィギュレートROM51が情報記録装置とされ、論理ブロック領域52が演算装置に相当する。また、FPGA20を用いる替りに、PLD(Programmable Logic Device)といった書換可能なロジックデバイスを用いても良い。
この他、DMAC(Direct Memory Access Controller)を追加構成させて、逆数値「1/tc」若しくはこれに対応する離散値BITをDMACで算出してから、この結果値をCPU(若しくは、メモリ回路)へ転送させるようにしても良い。
1 AD変換処理装置, 10 AD変換回路部, 12 ヒステリシスコンパレータ, 20 CPUバス, 30 情報記録装置, 40 中央演算処理装置(演算装置), Vin 入力電圧, Vin+ 検出値入力電圧, Vin− 基準値入力電圧, Vout 出力電圧, tc 検出パルス期間, 1/tc 検出パルス期間の逆数値, S11 検出パルス期間算出処理, S12 逆数値算出処理, S13 デジタル値設定処理, S21 検査処理, S22 線形関数特定処理, S23 関数情報作成処理。

Claims (4)

  1. 入力電圧に比例する検出値入力電圧が積分回路型基準値入力電圧よりも大きい期間に相当する出力電圧の検出パルス期間を前記入力電圧の値に応じて変化させるヒステリシスコンパレータと、級数的関数へ展開した数式の近似結果である線形関数に基づいて前記検出パルス期間の逆数値と前記入力電圧を現す離散値との関係を特定する線形関数情報が記録された情報記録装置と、前記線形関数情報を用いて前記離散値を算出する演算装置と、を備えることを特徴とするAD変換処理装置。
  2. 前記検出パルス期間の逆数値を「1/tc」とし、前記入力電圧を「Vin」とし、且つ、前記入力電圧「Vin」に関するマクローリン展開によって得られた近似関数のうち、定数項をbとし、前記入力電圧「Vin」の一次項の係数をaとすると、
    前記AD変換回路部に構成される電気的素子は、「1/tc=(a・Vin)+b」の関係を満足させていることを特徴とする請求項1に記載のAD変換処理装置。
  3. 前記演算装置は、前記検出パルス期間を測定する検出パルス期間算出処理と、前記検出パルス期間の逆数値を算出する逆数値算出処理と、前記検出パルス期間の逆数値及び前記線形関数情報を用いて前記離散値を算出するデジタル値設定処理と、を機能させることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のAD変換処理装置。
  4. 前記線形関数情報は、検査用の入力電圧を複数種類与えて当該検査用の入力電圧に対応する前記検出パルス期間の逆数値を各々算出する検査処理と、前記検査用の入力電圧とこれに対応する前記検出パルス期間の逆数値との関係を複数用いて前記線形関数を特定する線形関数特定処理と、前記線形関数に基づいて前記線形関数情報を作成する関数情報作成処理と、によって作成されることを特徴とする請求項1乃至請求項の何れか一項に記載のAD変換処理装置。
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