JP6298393B2 - Support separation method - Google Patents
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Description
本発明は、支持体分離方法に関する。 The present invention relates to a support separating method.
近年、ICカード、携帯電話等の電子機器の薄型化、小型化、軽量化等が要求されている。これらの要求を満たすためには、組み込まれる半導体チップについても薄型の半導体チップを使用しなければならない。このため、半導体チップの基となるウエハ基板の厚さ(膜厚)は現状では125μm〜150μmであるが、次世代のチップ用には25μm〜50μmにしなければならないといわれている。従って、上記の膜厚のウエハ基板を得るためには、ウエハ基板の薄板化工程が必要不可欠である。 In recent years, electronic devices such as IC cards and mobile phones have been required to be thinner, smaller and lighter. In order to satisfy these requirements, a thin semiconductor chip must be used as a semiconductor chip to be incorporated. For this reason, the thickness (film thickness) of the wafer substrate on which the semiconductor chip is based is currently 125 μm to 150 μm, but it is said that it must be 25 μm to 50 μm for the next generation chip. Therefore, in order to obtain a wafer substrate having the above film thickness, a wafer substrate thinning process is indispensable.
ウエハ基板は、薄板化により強度が低下するので、薄板化したウエハ基板の破損を防ぐために、製造プロセス中は、ウエハ基板にサポートプレートを貼り合わされた状態で自動搬送しながら、ウエハ基板上に回路等の構造物を実装する。そして、製造プロセス後に、ウエハ基板をサポートプレートから分離する。そこで、これまでに、ウエハから支持体を剥離する様々な方法が用いられている。 Since the strength of the wafer substrate is reduced due to the thin plate, in order to prevent damage to the thinned wafer substrate, a circuit is placed on the wafer substrate while automatically supporting the support plate on the wafer substrate during the manufacturing process. Etc. are mounted. Then, after the manufacturing process, the wafer substrate is separated from the support plate. So far, various methods for peeling the support from the wafer have been used.
半導体ウエハに支持体を貼り合わせ、半導体ウエハを処理した後、支持体を分離するような半導体チップの製造方法として、特許文献1に記載のような方法が知られている。特許文献1に記載の方法においては、光透過性の支持体と半導体ウエハとを、支持体側に設けられた光熱変換層と接着層とを介して貼り合わせ、半導体ウエハを処理した後、支持体側から放射エネルギーを照射することによって光熱変換層を分解して、支持体から半導体ウエハを分離する。 As a method for manufacturing a semiconductor chip in which a support is bonded to a semiconductor wafer, the semiconductor wafer is processed, and then the support is separated, a method described in Patent Document 1 is known. In the method described in Patent Document 1, a light-transmitting support and a semiconductor wafer are bonded together via a photothermal conversion layer and an adhesive layer provided on the support, and after the semiconductor wafer is processed, the support side The photothermal conversion layer is decomposed by irradiating radiant energy from the substrate to separate the semiconductor wafer from the support.
しかしながら、特許文献1に記載の技術では、積層体の分離層における支持体と対向する面の全面に光を照射する。このため、分離層への光の照射後、支持体分離装置が積層体から支持体を分離する前に、支持体が積層体から脱離し、位置ずれを生じることがあるという問題がある。 However, in the technique described in Patent Document 1, light is irradiated to the entire surface of the separation layer of the laminate that faces the support. For this reason, after irradiation of the light to the separation layer, before the support separation device separates the support from the laminate, there is a problem that the support may be detached from the laminate and cause a positional shift.
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、分離層への光の照射後、支持体分離装置が積層体から支持体を分離する前に、支持体が位置ずれを生じることを防止することができる支持体分離方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and the object of the present invention is to displace the support after the light is applied to the separation layer and before the support separation device separates the support from the laminate. It is an object of the present invention to provide a method for separating a support capable of preventing the occurrence of the problem.
上記の課題を解決するために、本発明に係る支持体分離方法は、基板と、光を透過する材質からなり、上記基板を支持する支持体との間に、接着層と、光を吸収することによって変質する分離層とを積層されてなる積層体から支持体を分離する支持体分離方法であって、上記分離層における上記支持体と対向する面に、当該面の0.5%以上、65%以下の面積を占める光の未照射の領域が生じるように、上記支持体を介して上記分離層に光を照射することで当該分離層を変質させる第1予備分離工程を包含することを特徴としている。 In order to solve the above problems, a support separating method according to the present invention comprises a substrate and a material that transmits light, and absorbs an adhesive layer between the support that supports the substrate. A support separating method for separating a support from a laminate formed by laminating a separation layer that is altered by the method, wherein the surface of the separation layer facing the support is 0.5% or more of the surface, Including a first preliminary separation step of altering the separation layer by irradiating the separation layer with light through the support so that an unirradiated region occupying an area of 65% or less is generated. It is a feature.
本発明によれば、分離層への光の照射後、支持体分離装置が積層体から支持体を分離する前に、支持体が位置ずれを生じることを防止することができるという効果を奏する。 According to the present invention, it is possible to prevent the support from being displaced after the light is applied to the separation layer and before the support separation device separates the support from the laminated body.
<第1の実施形態>
図1、3、4及び5を用いて一実施形態(第1の実施形態)に係る支持体分離方法についてより詳細に説明する。
<First Embodiment>
The support separating method according to one embodiment (first embodiment) will be described in more detail with reference to FIGS.
図1の(a)に示すように、本実施形態に係る支持体分離方法では、基板と、光を透過する材質からなり、上記基板を支持する支持体との間に、接着層と、光を吸収することによって変質する分離層とを積層されてなる積層体10を分離する。
As shown in FIG. 1 (a), in the support separating method according to this embodiment, an adhesive layer and a light are formed between a substrate and a support that supports the substrate. The laminated
また、本実施形態に係る支持体分離方法は、分離層14におけるサポートプレート12と対向する面に、当該面の0.5%以上、65%以下の面積を占める光の未照射の領域14aが生じるように、サポートプレート12を介して分離層14に光を照射することで分離層14を変質させる予備分離工程(図1の(b)及び(c))と、予備分離工程の後、基板11を固定し、サポートプレート12に力を加えることで積層体10からサポートプレート12を分離する分離工程を包含する分離工程(図1の(d)及び(e))とを包含している。
Further, in the support separating method according to the present embodiment, the light-irradiated
なお、本明細書において、分離層14が「変質する」とは、分離層14をわずかな外力を受けて破壊され得る状態、又は分離層14と接する層との接着力が低下した状態にさせる現象を意味する。また、分離層14の変質は、吸収した光のエネルギーによる(発熱性又は非発熱性の)分解、架橋、立体配置の変化又は官能基の解離(そして、これらにともなう分離層14の硬化、脱ガス、収縮又は膨張)等であり得る。このように、分離層14を変質させることによって、分離層14の接着力を低下させる。
In the present specification, the phrase “deterioration” of the
図4の(a)に示すように、第1予備分離工程では、光の未照射の領域14aが生じるようにして分離層14に光Lを照射することで、分離層14における領域14b1及び14b2を変質させ、接着力を低下させる。つまり、第1予備分離工程では、光Lが照射された領域14b1及び14b2において分離層14の接着力を十分に低下させつつ、光Lの未照射の領域14aにおいて接着力を維持することができるように、積層体10に予備分離を行なう。これにより、支持体分離装置が積層体10からサポートプレート12を分離する前に、サポートプレート12が積層体10から脱離し、位置ずれを生じることを防止することができる。
As shown in FIG. 4A, in the first pre-separation step, the regions 14b1 and 14b2 in the
このため、支持体分離装置は、積層体10に第1予備分離工程を行った後、積層体10のサポートプレート12の位置ずれによる影響を受けることなく、例えば、図1の(e)に示す分離プレート30のベローズパッド31のような保持手段によって好適に積層体10のサポートプレート12を捉えることができる。
For this reason, after performing a 1st pre-separation process to the laminated
また、第1予備分離工程において、積層体10の分離層14において光Lが照射された領域14b1及び14b2の接着力を十分に低下しているため、分離工程において、積層体10における基板11を固定し、サポートプレート12にわずかな力を加えることで、基板11とサポートプレート12とを好適に分離することができる。
In the first preliminary separation step, the adhesive strength of the regions 14b1 and 14b2 irradiated with the light L in the
従って、本実施形態に係る支持体分離方法によれば、積層体10の分離層14への光Lの照射から、サポートプレート12を積層体10から分離するまでの一連の工程を自動化して首尾よく行なうことができる。
Therefore, according to the support separating method according to the present embodiment, a series of steps from the irradiation of the light L to the
〔第1予備分離工程〕
図1の(b)に示すように、第1予備分離工程では、レーザ照射手段(不図示)によって積層体10におけるサポートプレート12を介して光Lを照射する。これによって分離層14を変質させ、分離層14の接着力を低下させる。ここで、積層体10とレーザ照射手段とを相対的に移動させつつ、レーザ照射手段により積層体10の分離層14に光を照射することで、分離層14に光Lの未照射の領域14aを生じさせる(図1の(c))。
[First preliminary separation step]
As shown in FIG. 1B, in the first preliminary separation step, the light L is irradiated through the
本実施形態に係る支持体分離方法が包含する第1予備分離工程では、図3の(a)に示すように、2つの実線の矢印に沿った軌跡を形成するように、レーザ照射手段(不図示)を走査させ、分離層14に光Lを照射する。これによって、第1予備分離工程では、分離層14におけるサポートプレート12と対向する面に、互いに重ならない軌跡を形成するように、直線状に光を走査する。従って、光Lのビームスポットが重複することを防止することができ、基板11が、光Lによってダメージを受けることを防止することができる。
In the first preliminary separation step included in the support separation method according to the present embodiment, as shown in FIG. 3A, the laser irradiation means (not shown) is formed so as to form a locus along two solid arrows. The
また、2つの実線の矢印に沿った軌跡を形成するように、レーザ照射手段(不図示)を走査させることによって、図4の(a)に示すように、レーザ照射手段を分離層14におけるサポートプレート12と対向する面の外周の任意の2点と、サポートプレート12と対向する面の重心とを通過する直線を長さ方向とする帯状に、未照射の領域14aを生じさせる。ここで、図4の(a)に示す光の未照射の領域14aの幅Wは、2mm以上、150mm以下、より好ましくは、2mm以上、80mm以下であり、最も好ましくは2mm以上、10mm以下である。
Also, the laser irradiation means (not shown) is scanned so as to form a locus along two solid arrows, thereby supporting the laser irradiation means in the
また、別の観点から、第1予備分離工程では、光の未照射の領域14aの面積が、分離層14におけるサポートプレート12と対向する面の0.5%以上、65%以下、より好ましくは、0.5%以上、35%以下であり、最も好ましくは、0.5%以上、3%以下の面積を占めるように、レーザ照射を行なうとよい。光の未照射の領域14aの面積が、サポートプレート12と対向する面に対して0.5%以上であれば、第1予備分離工程の後、分離工程の前に、積層体10からサポートプレート12が脱離し、位置ずれを生じることを好適に防止することができる。また、光の未照射の領域の面積がサポートプレート12と対向する面に対して65%以下であれば、後の分離工程において、わずかな力を加えることにより、積層体10からサポートプレート12を好適に分離することができる。
From another viewpoint, in the first preliminary separation step, the area of the
分離層14に照射する光を発射するレーザの例としては、YAGレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、YVO4レーザ、LDレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、CO2レーザ、エキシマレーザ、Arレーザ、He−Neレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光等が挙げられる。分離層14に照射する光を発射するレーザは、分離層14を構成している材料に応じて適宜選択することが可能であり、分離層14を構成する材料を変質させ得る波長の光を照射するレーザを選択すればよい。
Examples of lasers that emit light to irradiate the
第1予備分離工程における、レーザ光照射条件は、分離層の種類によって適宜調整すればよく、限定されないが、レーザ光の平均出力値は、1.0W以上、5.0W以下の範囲であることが好ましく、3.0W以上、4.0W以下の範囲であることがより好ましい。また、レーザ光の繰り返し周波数は、20kHz以上、60kHz以下の範囲であることが好ましく、30kHz以上、50kHz以下の範囲であることがより好ましい。また、レーザ光の波長は、300nm以上、700nm以下であることが好ましく、450nm以上、650nm以下の範囲であることがより好ましい。このような条件によれば、分離層14に照射するパルス光のエネルギーを、分離層14を変質させるための適切な条件にすることができる。このため、基板11がレーザ光によってダメージを受けることを防止することができる。
The laser beam irradiation conditions in the first preliminary separation step may be appropriately adjusted depending on the type of the separation layer, and are not limited, but the average output value of the laser beam is in the range of 1.0 W or more and 5.0 W or less. Is preferable, and the range of 3.0 W or more and 4.0 W or less is more preferable. The repetition frequency of the laser light is preferably in the range of 20 kHz to 60 kHz, and more preferably in the range of 30 kHz to 50 kHz. The wavelength of the laser light is preferably 300 nm or more and 700 nm or less, and more preferably 450 nm or more and 650 nm or less. According to such conditions, the energy of the pulsed light applied to the
また、第1予備分離工程に使用されるパルス光のビームスポット径は、100μm以上、250μm以下であることが好ましく、120μm以上、230μm以下であることがより好ましい。 Further, the beam spot diameter of the pulsed light used in the first preliminary separation step is preferably 100 μm or more and 250 μm or less, and more preferably 120 μm or more and 230 μm or less.
また、パルス光の照射ピッチは、隣接するビームスポットが重ならず、かつ分離層14を変質させることが可能なピッチであればよいが、110μm以上、250μm以下であることが好ましく、160μm以上、220μm以下であることがより好ましい。これにより、分離層14に対して光が重複して照射されることを防止することができる。また、光が重複して照射されることによって、基板11がレーザ光の照射によりダメージを受けることを防止することができる。また、分離層14に形成するビームスポットが互いに重ならないようにすることで、ビームスポットの間に光の未照射の領域を形成し、分離層14の接着力を調整してもよい。
Further, the irradiation pitch of the pulsed light may be any pitch as long as adjacent beam spots do not overlap and can change the
〔分離工程〕
本実施形態に係る支持体分離方法が包含する分離工程では、基板11の一部を固定し、サポートプレート12により力を加える(図1の(d))。これによって、基板11とサポートプレート12とを分離する(図1の(e))。また、本実施形態に係る支持体分離方法は、分離工程の前に、サポートプレート12が位置ずれすることを好適に防止することができるため、支持体分離装置がサポートプレート12を保持し損ね、エラーを生じることを防止することができる。従って、基板11とサポートプレート12との分離を自動的に首尾よく行なうことができる。
[Separation process]
In the separation step included in the support separation method according to the present embodiment, a part of the
(支持体分離装置50)
本実施形態に係る支持体分離方法では、図5に示す支持体分離装置50を用いて、基板11とサポートプレート12とを分離する。また、図5に示すように、積層体10の基板11側を、ダイシングフレーム21を備えたダイシングテープ20に貼り付け、基板11側を底面として、ステージ27の上に載置するとよい。
(Support Separator 50)
In the support separating method according to this embodiment, the
図5に示すように支持体分離装置50は、ポーラス部26、ステージ27、分離プレート30、ベローズパッド(保持手段)31、フローティングジョイント32、ストッパー33及び昇降部35を備えている。
As shown in FIG. 5, the
ポーラス部26は、積層体10を載置するステージ27に設けられており、減圧手段(不図示)によって吸引することで積層体10をステージ27に固定するステージ27する。
The
分離プレート30は、減圧手段(不図示)によってサポートプレート12を吸着して保持するベローズパッド31を備えている。また、分離プレート30は、ベローズパッド31が設けられた面の反対側にフローティングジョイント32が設けられている。
The
フローティングジョイント32は、積層体10の平面に対して平行な円状の軌道、及び、積層体10の平面に対して垂直な弧状の軌跡をとるように可動であり、これによって分離プレート30を自在に傾けることができる。なお、ストッパー33を分離プレート30に接触させることによって、フローティングジョイント32が分離プレート30を過度に傾けることを防止することができる。昇降部35は、フローティングジョイント32を介して、分離プレート30を上下に移動させる。
The floating joint 32 is movable so as to have a circular orbit parallel to the plane of the stacked
フローティングジョイント32を介して分離プレート30は、積層体10の平面に対して垂直方向に向かって上にサポートプレート12を持ち上げる。ここで、フローティングジョイント32は分離プレート30を傾け、梃の原理を活用することによって、分離層14における光の未照射の領域14aの特に弱い部分に力を集中させる。これにより、積層体10からサポートプレート12が位置ずれするのに要する力よりも、少ない力を分離層14における光の未照射の領域14aに加えることによって、積層体10からサポートプレート12を分離することができる。従って、基板11及びサポートプレート12に過度な負担をかけることなく、好適に基板11とサポートプレート12とを分離することができる。
The
図1の(e)に示すように、分離工程において、基板11とサポートプレート12とを分離すれば、その後、基板11の表面に残る接着層13及び分離層14の残渣を洗浄によって除去し、基板11に所望の処理を行なえばよい。ここで、図5に示すように、積層体10の基板11側を、ダイシングフレーム21を備えたダイシングテープ20に接着しておけば、サポートプレート12を分離した後、基板11を洗浄し、ダイシングにより基板11から半導体チップを製造する工程を連続的に行なうことができる。
As shown in FIG. 1E, if the
なお、分離工程において用いられる支持体分装置は、ベローズパッド31が設けられた分離プレート30に限定されない。支持体分離装置は、基板11とサポートプレート12との何れか一方を固定し、他方に力を加えることにより、基板11とサポートプレート12とを分離する装置であればよい。
In addition, the support body dividing device used in the separation step is not limited to the
〔積層体10〕
本実施形態に係る支持体分離方法において用いられる積層体10について、より詳細に説明する。図1の(a)に示すように、本実施形態に係る支持体分離方法では、基板11と、接着層13と、光を吸収することによって変質する分離層14と、光を透過する材質からなり、基板11を支持するサポートプレート(支持体)12とがこの順に積層されてなる。
[Laminate 10]
The laminate 10 used in the support separating method according to this embodiment will be described in more detail. As shown to (a) of FIG. 1, in the support body separation method which concerns on this embodiment, from the material which permeate | transmits the board |
〔基板11〕
基板11は、接着層13を介して分離層14を設けられたサポートプレート12に貼り付けられる。そして、基板11は、サポートプレート12に支持された状態で、薄化、実装等のプロセスに供され得る。基板11としては、シリコンウエハ基板に限定されず、セラミックス基板、薄いフィルム基板、フレキシブル基板、モールド基板等の任意の基板を使用することができる。
[Substrate 11]
The
〔サポートプレート12〕
サポートプレート(支持体)12は、基板11を支持する支持体であり、接着層13を介して、基板11に貼り付けられる。そのため、サポートプレート12としては、基板11の薄化、搬送、実装等のプロセス時に、基板11の破損又は変形を防ぐために必要な強度を有していればよい。また、分離層を変質させるための光を透過させるものであればよい。以上の観点から、サポートプレート12としては、ガラス、シリコン、アクリル系樹脂からなるもの等が挙げられる。
[Support plate 12]
The support plate (support body) 12 is a support body that supports the
〔接着層13〕
接着層13は、基板11とサポートプレート12とを貼り付けるために用いられる接着剤によって形成される層である。
[Adhesive layer 13]
The
接着剤として、例えばアクリル系、ノボラック系、ナフトキノン系、炭化水素系、ポリイミド系、エラストマー等の、当該分野において公知の種々の接着剤が、本発明に係る接着層13を構成する接着剤として使用可能である。以下、本実施の形態における接着層13が含有する樹脂の組成について説明する。
As the adhesive, for example, various adhesives known in the art such as acrylic, novolak, naphthoquinone, hydrocarbon, polyimide, and elastomer are used as the adhesive constituting the
接着層13が含有する樹脂としては、接着性を備えたものであればよく、例えば、炭化水素樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー樹脂等、又はこれらを組み合わせたもの等が挙げられる。
As the resin contained in the
(炭化水素樹脂)
炭化水素樹脂は、炭化水素骨格を有し、単量体組成物を重合してなる樹脂である。炭化水素樹脂として、シクロオレフィン系ポリマー(以下、「樹脂(A)」ということがある)、並びに、テルペン樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂(以下、「樹脂(B)」ということがある)等が挙げられるが、これに限定されない。
(Hydrocarbon resin)
The hydrocarbon resin is a resin that has a hydrocarbon skeleton and is obtained by polymerizing a monomer composition. As the hydrocarbon resin, cycloolefin polymer (hereinafter sometimes referred to as “resin (A)”), and at least one resin selected from the group consisting of terpene resin, rosin resin and petroleum resin (hereinafter referred to as “resin (A)”). Resin (B) ”), and the like, but is not limited thereto.
樹脂(A)としては、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を重合してなる樹脂であってもよい。具体的には、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分の開環(共)重合体、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を付加(共)重合させた樹脂等が挙げられる。 The resin (A) may be a resin obtained by polymerizing a monomer component containing a cycloolefin monomer. Specific examples include a ring-opening (co) polymer of a monomer component containing a cycloolefin monomer, and a resin obtained by addition (co) polymerization of a monomer component containing a cycloolefin monomer.
樹脂(A)を構成する単量体成分に含まれる前記シクロオレフィン系モノマーとしては、例えば、ノルボルネン、ノルボルナジエン等の二環体、ジシクロペンタジエン、ヒドロキシジシクロペンタジエン等の三環体、テトラシクロドデセン等の四環体、シクロペンタジエン三量体等の五環体、テトラシクロペンタジエン等の七環体、又はこれら多環体のアルキル(メチル、エチル、プロピル、ブチル等)置換体、アルケニル(ビニル等)置換体、アルキリデン(エチリデン等)置換体、アリール(フェニル、トリル、ナフチル等)置換体等が挙げられる。これらの中でも特に、ノルボルネン、テトラシクロドデセン、又はこれらのアルキル置換体からなる群より選ばれるノルボルネン系モノマーが好ましい。 Examples of the cycloolefin monomer contained in the monomer component constituting the resin (A) include bicyclic compounds such as norbornene and norbornadiene, tricyclic compounds such as dicyclopentadiene and hydroxydicyclopentadiene, and tetracyclodone. Tetracycles such as decene, pentacycles such as cyclopentadiene trimer, heptacycles such as tetracyclopentadiene, or alkyl (methyl, ethyl, propyl, butyl, etc.) substitutes of these polycycles, alkenyl (vinyl) Etc.) Substitutes, alkylidene (ethylidene, etc.) substitutes, aryl (phenyl, tolyl, naphthyl, etc.) substitutes and the like. Among these, norbornene-based monomers selected from the group consisting of norbornene, tetracyclododecene, and alkyl-substituted products thereof are particularly preferable.
樹脂(A)を構成する単量体成分は、上述したシクロオレフィン系モノマーと共重合可能な他のモノマーを含有していてもよく、例えば、アルケンモノマーを含有することが好ましい。アルケンモノマーとしては、例えば、エチレン、プロピレン、1−ブテン、イソブテン、1−ヘキセン、α−オレフィン等が挙げられる。アルケンモノマーは、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよい。 The monomer component constituting the resin (A) may contain another monomer copolymerizable with the above-described cycloolefin-based monomer, and preferably contains, for example, an alkene monomer. Examples of the alkene monomer include ethylene, propylene, 1-butene, isobutene, 1-hexene, α-olefin and the like. The alkene monomer may be linear or branched.
また、樹脂(A)を構成する単量体成分として、シクロオレフィンモノマーを含有することが、高耐熱性(低い熱分解、熱重量減少性)の観点から好ましい。樹脂(A)を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、5モル%以上であることが好ましく、10モル%以上であることがより好ましく、20モル%以上であることがさらに好ましい。また、樹脂(A)を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、特に限定されないが、溶解性及び溶液での経時安定性の観点からは80モル%以下であることが好ましく、70モル%以下であることがより好ましい。 Moreover, it is preferable from a viewpoint of high heat resistance (low thermal decomposition and thermal weight reduction property) to contain a cycloolefin monomer as a monomer component which comprises resin (A). The ratio of the cycloolefin monomer to the whole monomer component constituting the resin (A) is preferably 5 mol% or more, more preferably 10 mol% or more, and further preferably 20 mol% or more. preferable. Further, the ratio of the cycloolefin monomer to the whole monomer component constituting the resin (A) is not particularly limited, but is preferably 80 mol% or less from the viewpoint of solubility and stability over time in a solution, More preferably, it is 70 mol% or less.
また、樹脂(A)を構成する単量体成分として、直鎖状又は分岐鎖状のアルケンモノマーを含有してもよい。樹脂(A)を構成する単量体成分全体に対するアルケンモノマーの割合は、溶解性及び柔軟性の観点からは10〜90モル%であることが好ましく、20〜85モル%であることがより好ましく、30〜80モル%であることがさらに好ましい。 Moreover, you may contain a linear or branched alkene monomer as a monomer component which comprises resin (A). The ratio of the alkene monomer to the whole monomer component constituting the resin (A) is preferably 10 to 90 mol%, more preferably 20 to 85 mol% from the viewpoint of solubility and flexibility. 30 to 80 mol% is more preferable.
なお、樹脂(A)は、例えば、シクロオレフィン系モノマーとアルケンモノマーとからなる単量体成分を重合させてなる樹脂のように、極性基を有していない樹脂であることが、高温下でのガスの発生を抑制する上で好ましい。 The resin (A) is a resin having no polar group, such as a resin obtained by polymerizing a monomer component composed of a cycloolefin monomer and an alkene monomer, at high temperatures. It is preferable for suppressing generation of gas.
単量体成分を重合するときの重合方法や重合条件等については、特に制限はなく、常法に従い適宜設定すればよい。 The polymerization method and polymerization conditions for polymerizing the monomer components are not particularly limited, and may be set as appropriate according to conventional methods.
樹脂(A)として用いることのできる市販品としては、例えば、ポリプラスチックス株式会社製の「TOPAS」、三井化学株式会社製の「APEL」、日本ゼオン株式会社製の「ZEONOR」及び「ZEONEX」、JSR株式会社製の「ARTON」等が挙げられる。 Examples of commercially available products that can be used as the resin (A) include “TOPAS” manufactured by Polyplastics Co., Ltd., “APEL” manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., “ZEONOR” and “ZEONEX” manufactured by Zeon Corporation. And “ARTON” manufactured by JSR Corporation.
樹脂(A)のガラス転移温度(Tg)は、60℃以上であることが好ましく、70℃以上であることが特に好ましい。樹脂(A)のガラス転移温度が60℃以上であると、積層体が高温環境に曝されたときに接着層13の軟化をさらに抑制することができる。
The glass transition temperature (Tg) of the resin (A) is preferably 60 ° C. or higher, and particularly preferably 70 ° C. or higher. When the glass transition temperature of the resin (A) is 60 ° C. or higher, softening of the
樹脂(B)は、テルペン系樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂である。具体的には、テルペン系樹脂としては、例えば、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂等が挙げられる。ロジン系樹脂としては、例えば、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン等が挙げられる。石油樹脂としては、例えば、脂肪族又は芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン・インデン石油樹脂等が挙げられる。これらの中でも、水添テルペン樹脂、水添石油樹脂がより好ましい。 The resin (B) is at least one resin selected from the group consisting of terpene resins, rosin resins and petroleum resins. Specifically, examples of the terpene resin include terpene resins, terpene phenol resins, modified terpene resins, hydrogenated terpene resins, hydrogenated terpene phenol resins, and the like. Examples of the rosin resin include rosin, rosin ester, hydrogenated rosin, hydrogenated rosin ester, polymerized rosin, polymerized rosin ester, and modified rosin. Examples of petroleum resins include aliphatic or aromatic petroleum resins, hydrogenated petroleum resins, modified petroleum resins, alicyclic petroleum resins, coumarone-indene petroleum resins, and the like. Among these, hydrogenated terpene resins and hydrogenated petroleum resins are more preferable.
樹脂(B)の軟化点は特に限定されないが、80〜160℃であることが好ましい。樹脂(B)の軟化点が80〜160℃であると、積層体が高温環境に曝されたときに軟化することを抑制することができ、接着不良を生じない。 Although the softening point of resin (B) is not specifically limited, It is preferable that it is 80-160 degreeC. When the softening point of the resin (B) is 80 to 160 ° C., the laminate can be prevented from being softened when exposed to a high-temperature environment, and adhesion failure does not occur.
樹脂(B)の重量平均分子量は特に限定されないが、300〜3,000であることが好ましい。樹脂(B)の重量平均分子量が300以上であると、耐熱性が十分なものとなり、高温環境下において脱ガス量が少なくなる。一方、樹脂(B)の重量平均分子量が3,000以下であると、炭化水素系溶剤への接着層の溶解速度が良好なものとなる。このため、支持体を分離した後の基板上の接着層の残渣を迅速に溶解し、除去することができる。なお、本実施形態における樹脂(B)の重量平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)で測定されるポリスチレン換算の分子量を意味するものである。 Although the weight average molecular weight of resin (B) is not specifically limited, It is preferable that it is 300-3,000. When the weight average molecular weight of the resin (B) is 300 or more, the heat resistance is sufficient, and the degassing amount is reduced in a high temperature environment. On the other hand, when the weight average molecular weight of the resin (B) is 3,000 or less, the dissolution rate of the adhesive layer in the hydrocarbon solvent is good. For this reason, the residue of the adhesive layer on the substrate after separating the support can be quickly dissolved and removed. In addition, the weight average molecular weight of resin (B) in this embodiment means the molecular weight of polystyrene conversion measured by gel permeation chromatography (GPC).
なお、樹脂として、樹脂(A)と樹脂(B)とを混合したものを用いてもよい。混合することにより、耐熱性が良好なものとなる。例えば、樹脂(A)と樹脂(B)との混合割合としては、(A):(B)=80:20〜55:45(質量比)であることが、高温環境時の熱耐性、及び柔軟性に優れるので好ましい。 In addition, you may use what mixed resin (A) and resin (B) as resin. By mixing, heat resistance becomes good. For example, the mixing ratio of the resin (A) and the resin (B) is (A) :( B) = 80: 20 to 55:45 (mass ratio), and heat resistance in a high temperature environment, and It is preferable because of its excellent flexibility.
(アクリル−スチレン系樹脂)
アクリル−スチレン系樹脂としては、例えば、スチレン又はスチレンの誘導体と、(メタ)アクリル酸エステル等とを単量体として用いて重合した樹脂が挙げられる。
(Acrylic-styrene resin)
Examples of the acrylic-styrene resin include a resin obtained by polymerization using styrene or a styrene derivative and (meth) acrylic acid ester as monomers.
(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、鎖式構造からなる(メタ)アクリル酸アルキルエステル、脂肪族環を有する(メタ)アクリル酸エステル、芳香族環を有する(メタ)アクリル酸エステルが挙げられる。鎖式構造からなる(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、炭素数15〜20のアルキル基を有するアクリル系長鎖アルキルエステル、炭素数1〜14のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステル等が挙げられる。アクリル系長鎖アルキルエステルとしては、アルキル基がn−ペンタデシル基、n−ヘキサデシル基、n−ヘプタデシル基、n−オクタデシル基、n−ノナデシル基、n−エイコシル基等であるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。なお、当該アルキル基は、分岐鎖状であってもよい。 Examples of the (meth) acrylic acid ester include a (meth) acrylic acid alkyl ester having a chain structure, a (meth) acrylic acid ester having an aliphatic ring, and a (meth) acrylic acid ester having an aromatic ring. . Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester having a chain structure include an acrylic long-chain alkyl ester having an alkyl group having 15 to 20 carbon atoms and an acrylic alkyl ester having an alkyl group having 1 to 14 carbon atoms. . As acrylic long-chain alkyl esters, acrylic or methacrylic acid whose alkyl group is n-pentadecyl group, n-hexadecyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group, n-nonadecyl group, n-eicosyl group, etc. Examples include alkyl esters. The alkyl group may be branched.
炭素数1〜14のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステルとしては、既存のアクリル系接着剤に用いられている公知のアクリル系アルキルエステルが挙げられる。例えば、アルキル基が、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、2−エチルヘキシル基、イソオクチル基、イソノニル基、イソデシル基、ドデシル基、ラウリル基、トリデシル基等からなるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。 Examples of the acrylic alkyl ester having an alkyl group having 1 to 14 carbon atoms include known acrylic alkyl esters used in existing acrylic adhesives. For example, an alkyl group of acrylic acid or methacrylic acid in which the alkyl group is a methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, 2-ethylhexyl group, isooctyl group, isononyl group, isodecyl group, dodecyl group, lauryl group, tridecyl group, etc. Examples include esters.
脂肪族環を有する(メタ)アクリル酸エステルとしては、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、シクロペンチル(メタ)アクリレート、1−アダマンチル(メタ)アクリレート、ノルボルニル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、トリシクロデカニル(メタ)アクリレート、テトラシクロドデカニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート等が挙げられるが、イソボルニルメタアクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレートがより好ましい。 Examples of (meth) acrylic acid ester having an aliphatic ring include cyclohexyl (meth) acrylate, cyclopentyl (meth) acrylate, 1-adamantyl (meth) acrylate, norbornyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, and tricyclodecanyl. (Meth) acrylate, tetracyclododecanyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate and the like can be mentioned, and isobornyl methacrylate and dicyclopentanyl (meth) acrylate are more preferable.
芳香族環を有する(メタ)アクリル酸エステルとしては、特に限定されるものではないが、芳香族環としては、例えばフェニル基、ベンジル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェノキシメチル基、フェノキシエチル基等が挙げられる。また、芳香族環は、炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を有していてもよい。具体的には、フェノキシエチルアクリレートが好ましい。 The (meth) acrylic acid ester having an aromatic ring is not particularly limited. Examples of the aromatic ring include a phenyl group, a benzyl group, a tolyl group, a xylyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, and an anthracenyl group. A phenoxymethyl group, a phenoxyethyl group, and the like. The aromatic ring may have a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Specifically, phenoxyethyl acrylate is preferable.
(マレイミド系樹脂)
マレイミド系樹脂としては、例えば、単量体として、N−メチルマレイミド、N−エチルマレイミド、N−n−プロピルマレイミド、N−イソプロピルマレイミド、N−n−ブチルマレイミド、N−イソブチルマレイミド、N−sec−ブチルマレイミド、N−tert−ブチルマレイミド、N−n−ペンチルマレイミド、N−n−ヘキシルマレイミド、N−n−へプチルマレイミド、N−n−オクチルマレイミド、N−ラウリルマレイミド、N−ステアリルマレイミド等のアルキル基を有するマレイミド、N−シクロプロピルマレイミド、N−シクロブチルマレイミド、N−シクロペンチルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、N−シクロヘプチルマレイミド、N−シクロオクチルマレイミド等の脂肪族炭化水素基を有するマレイミド、N−フェニルマレイミド、N−m−メチルフェニルマレイミド、N−o−メチルフェニルマレイミド、N−p−メチルフェニルマレイミド等のアリール基を有する芳香族マレイミド等を重合して得られた樹脂が挙げられる。
(Maleimide resin)
Examples of maleimide resins include N-methylmaleimide, N-ethylmaleimide, Nn-propylmaleimide, N-isopropylmaleimide, Nn-butylmaleimide, N-isobutylmaleimide, N-sec as monomers. -Butylmaleimide, N-tert-butylmaleimide, Nn-pentylmaleimide, Nn-hexylmaleimide, Nn-heptylmaleimide, Nn-octylmaleimide, N-laurylmaleimide, N-stearylmaleimide, etc. Male having an aliphatic hydrocarbon group such as maleimide having an alkyl group, N-cyclopropylmaleimide, N-cyclobutylmaleimide, N-cyclopentylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-cycloheptylmaleimide, N-cyclooctylmaleimide A resin obtained by polymerizing an aromatic maleimide having an aryl group such as N, N-phenylmaleimide, Nm-methylphenylmaleimide, N-o-methylphenylmaleimide, and Np-methylphenylmaleimide. It is done.
例えば、下記化学式(1)で表される繰り返し単位及び下記化学式(2)で表される繰り返し単位の共重合体であるシクロオレフィンコポリマーを接着成分の樹脂として用いることができる。 For example, a cycloolefin copolymer that is a copolymer of a repeating unit represented by the following chemical formula (1) and a repeating unit represented by the following chemical formula (2) can be used as the resin of the adhesive component.
(化学式(2)中、nは0又は1〜3の整数である。)
このようなシクロオレフィンコポリマーとしては、APL 8008T、APL 8009T、及びAPL 6013T(全て三井化学株式会社製)等を使用することができる。
(In chemical formula (2), n is 0 or an integer of 1 to 3)
As such cycloolefin copolymer, APL 8008T, APL 8009T, APL 6013T (all manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) and the like can be used.
(エラストマー)
エラストマーは、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいることが好ましく、当該「スチレン単位」は置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のアルコキシ基、炭素数1〜5のアルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基等が挙げられる。また、当該スチレン単位の含有量が14重量%以上、50重量%以下の範囲内であることがより好ましい。さらに、エラストマーは、重量平均分子量が10,000以上、200,000以下の範囲内であることが好ましい。
(Elastomer)
The elastomer preferably contains a styrene unit as a constituent unit of the main chain, and the “styrene unit” may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxyalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an acetoxy group, and a carboxyl group. Further, the content of the styrene unit is more preferably in the range of 14 wt% or more and 50 wt% or less. Furthermore, the elastomer preferably has a weight average molecular weight in the range of 10,000 to 200,000.
スチレン単位の含有量が14重量%以上、50重量%以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が10,000以上、200,000以下の範囲内であれば、後述する炭化水素系の溶剤に容易に溶解するので、より容易且つ迅速に接着層を除去することができる。また、スチレン単位の含有量及び重量平均分子量が上記の範囲内であることにより、ウエハがレジストリソグラフィー工程に供されるときに曝されるレジスト溶剤(例えばPGMEA、PGME等)、酸(フッ化水素酸等)、アルカリ(TMAH等)に対して優れた耐性を発揮する。 If the content of the styrene unit is in the range of 14% by weight or more and 50% by weight or less, and the weight average molecular weight of the elastomer is in the range of 10,000 or more and 200,000 or less, the hydrocarbon solvent described later Therefore, the adhesive layer can be removed more easily and quickly. Further, since the content of the styrene unit and the weight average molecular weight are within the above ranges, a resist solvent (eg, PGMEA, PGME, etc.), acid (hydrogen fluoride) exposed when the wafer is subjected to a resist lithography process. Acid, etc.) and alkali (TMAH etc.).
なお、エラストマーには、上述した(メタ)アクリル酸エステルをさらに混合してもよい。 In addition, you may further mix the (meth) acrylic acid ester mentioned above with the elastomer.
また、スチレン単位の含有量は、より好ましくは17重量%以上であり、また、より好ましくは40重量%以下である。 Further, the content of styrene units is more preferably 17% by weight or more, and more preferably 40% by weight or less.
重量平均分子量のより好ましい範囲は20,000以上であり、また、より好ましい範囲は150,000以下である。 A more preferable range of the weight average molecular weight is 20,000 or more, and a more preferable range is 150,000 or less.
エラストマーとしては、スチレン単位の含有量が14重量%以上、50重量%以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が10,000以上、200,000以下の範囲内であれば、種々のエラストマーを用いることができる。例えば、ポリスチレン−ポリ(エチレン/プロピレン)ブロックコポリマー(SEP)、スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー(SIS)、スチレン−ブタジエン−スチレンブロックコポリマー(SBS)、スチレン−ブタジエン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー(SBBS)、及び、これらの水添物、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー(SEBS)、スチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー(スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー)(SEPS)、スチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー(SEEPS)、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー(SeptonV9461(株式会社クラレ製)、SeptonV9475(株式会社クラレ製))、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー(反応性のポリスチレン系ハードブロックを有する、SeptonV9827(株式会社クラレ製))、ポリスチレン−ポリ(エチレン−エチレン/プロピレン)ブロック−ポリスチレンブロックコポリマー(SEEPS−OH:末端水酸基変性)等が挙げられる。エラストマーのスチレン単位の含有量及び重量平均分子量が上述の範囲内であるものを用いることができる。 As the elastomer, various elastomers can be used as long as the content of styrene units is in the range of 14% by weight to 50% by weight and the weight average molecular weight of the elastomer is in the range of 10,000 to 200,000. Can be used. For example, polystyrene-poly (ethylene / propylene) block copolymer (SEP), styrene-isoprene-styrene block copolymer (SIS), styrene-butadiene-styrene block copolymer (SBS), styrene-butadiene-butylene-styrene block copolymer (SBBS). And hydrogenated products thereof, styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer (SEBS), styrene-ethylene-propylene-styrene block copolymer (styrene-isoprene-styrene block copolymer) (SEPS), styrene-ethylene-ethylene- Propylene-styrene block copolymer (SEEPS), styrene-ethylene-ethylene-propylene-styrene block copolypropylene in which styrene block is reactively crosslinked -(Septon V9461 (manufactured by Kuraray Co., Ltd.), Septon V9475 (manufactured by Kuraray Co., Ltd.)), Septon V9827 (manufactured by Kuraray Co., Ltd.), styrene block having reactive cross-linked styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer (reactive polystyrene hard block) Kuraray)), polystyrene-poly (ethylene-ethylene / propylene) block-polystyrene block copolymer (SEEPS-OH: terminal hydroxyl group modification), and the like. What has content and weight average molecular weight of the styrene unit of an elastomer in the above-mentioned range can be used.
また、エラストマーの中でも水添物がより好ましい。水添物であれば熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、炭化水素系溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。 Of the elastomers, hydrogenated products are more preferable. If it is a hydrogenated product, the stability to heat is improved, and degradation such as decomposition and polymerization hardly occurs. Moreover, it is more preferable from the viewpoint of solubility in hydrocarbon solvents and resistance to resist solvents.
また、エラストマーの中でも両端がスチレンのブロック重合体であるものがより好ましい。熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示すからである。 Further, among elastomers, those having both ends of a styrene block polymer are more preferable. This is because styrene having high thermal stability is blocked at both ends, thereby exhibiting higher heat resistance.
より具体的には、エラストマーは、スチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物であることがより好ましい。熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示す。さらに、炭化水素系溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。 More specifically, the elastomer is more preferably a hydrogenated product of a block copolymer of styrene and conjugated diene. Stability against heat is improved, and degradation such as decomposition and polymerization hardly occurs. Moreover, higher heat resistance is exhibited by blocking styrene having high thermal stability at both ends. Furthermore, it is more preferable from the viewpoint of solubility in hydrocarbon solvents and resistance to resist solvents.
接着層13を構成する接着剤に含まれるエラストマーとして用いられ得る市販品としては、例えば、株式会社クラレ製「セプトン(商品名)」、株式会社クラレ製「ハイブラー(商品名)」、旭化成株式会社製「タフテック(商品名)」、JSR株式会社製「ダイナロン(商品名)」等が挙げられる。
Examples of commercially available products that can be used as an elastomer included in the adhesive that constitutes the
接着層13を構成する接着剤に含まれるエラストマーの含有量としては、例えば、接着剤組成物全量を100重量部として、50重量部以上、99重量部以下の範囲内が好ましく、60重量部以上、99重量部以下の範囲内がより好ましく、70重量部以上、95重量部以下の範囲内が最も好ましい。これら範囲内にすることにより、耐熱性を維持しつつ、ウエハと支持体とを好適に貼り合わせることができる。
The content of the elastomer contained in the adhesive constituting the
また、エラストマーは、複数の種類を混合してもよい。つまり、接着層13を構成する接着剤は複数の種類のエラストマーを含んでいてもよい。複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいればよい。また、複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、スチレン単位の含有量が14重量%以上、50重量%以下の範囲内である、又は、重量平均分子量が10,000以上、200,000以下の範囲内であれば、本発明の範疇である。また、接着層13を構成する接着剤において、複数の種類のエラストマーを含む場合、混合した結果、スチレン単位の含有量が上記の範囲内となるように調整してもよい。例えば、スチレン単位の含有量が30重量%である株式会社クラレ製のセプトン(商品名)のSepton4033と、スチレン単位の含有量が13重量%であるセプトン(商品名)のSepton2063とを重量比1対1で混合すると、接着剤に含まれるエラストマー全体に対するスチレン含有量は21〜22重量%となり、従って14重量%以上となる。また、例えば、スチレン単位が10重量%のものと60重量%のものとを重量比1対1で混合すると35重量%となり、上記の範囲内となる。本発明はこのような形態でもよい。また、接着層13を構成する接着剤に含まれる複数の種類のエラストマーは、全て上記の範囲内でスチレン単位を含み、且つ、上記の範囲内の重量平均分子量であることが最も好ましい。
A plurality of types of elastomers may be mixed. That is, the adhesive constituting the
なお、光硬化性樹脂(例えば、UV硬化性樹脂)以外の樹脂を用いて接着層13を形成することが好ましい。光硬化性樹脂以外の樹脂を用いることで、接着層13の剥離又は除去の後に、被支持基板の微小な凹凸の周辺に残渣が残ることを防ぐことができる。特に、接着層13を構成する接着剤としては、あらゆる溶剤に溶解するものではなく、特定の溶剤に溶解するものが好ましい。これは、基板11に物理的な力を加えることなく、接着層13を溶剤に溶解させることによって除去可能なためである。接着層13の除去に際して、強度が低下した基板11からでさえ、基板11を破損させたり、変形させたりせずに、容易に接着層13を除去することができる。
Note that the
(希釈溶剤)
接着層13を形成するときに使用する希釈溶剤としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素、炭素数4から15の分岐鎖状の炭化水素、例えば、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン、テトラヒドロナフタレン等の環状炭化水素、p−メンタン、o−メンタン、m−メンタン、ジフェニルメンタン、1,4−テルピン、1,8−テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、テルピネン−1−オール、テルピネン−4−オール、ジヒドロターピニルアセテート、1,4−シネオール、1,8−シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー、d−リモネン、l−リモネン、ジペンテン等のテルペン系溶剤;γ−ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン(CH)、メチル−n−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2−ヘプタノン等のケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類又は前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体(これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)が好ましい);ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシブチルアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。
(Diluted solvent)
Examples of the diluting solvent used when forming the
(その他の成分)
接着層13を構成する接着剤は、本質的な特性を損なわない範囲において、混和性のある他の物質をさらに含んでいてもよい。例えば、接着剤の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、熱重合禁止剤及び界面活性剤等、慣用されている各種添加剤をさらに用いることができる。
(Other ingredients)
The adhesive constituting the
〔分離層14〕
次に、分離層14とは、サポートプレート12を介して照射される光を吸収することによって変質する材料から形成されている層である。
[Separation layer 14]
Next, the
分離層14に照射する光を発射するレーザは、分離層14を構成している材料に応じて適宜選択することが可能であり、分離層14を構成する材料を変質させ得る波長の光を照射するレーザを選択すればよい。
The laser that emits light to irradiate the
分離層14は、サポートプレート12における、接着層13を介して基板11が貼り合わされる側の表面に設けられる。
The
分離層14の厚さは、例えば、0.05μm以上、50μm以下の範囲内であることがより好ましく、0.3μm以上、1μm以下の範囲内であることがさらに好ましい。分離層14の厚さが0.05μm以上、50μm以下の範囲に収まっていれば、短時間の光の照射及び低エネルギーの光の照射によって、分離層14に所望の変質を生じさせることができる。また、分離層14の厚さは、生産性の観点から1μm以下の範囲に収まっていることが特に好ましい。
For example, the thickness of the
なお、積層体10において、分離層14とサポートプレート12との間に他の層がさらに形成されていてもよい。この場合、他の層は光を透過する材料から構成されていればよい。これによって、分離層14への光の入射を妨げることなく、積層体10に好ましい性質等を付与する層を、適宜追加することができる。分離層14を構成している材料の種類によって、用い得る光の波長が異なる。よって、他の層を構成する材料は、すべての光を透過させる必要はなく、分離層14を構成する材料を変質させ得る波長の光を透過させることができる材料から適宜選択し得る。
In the laminate 10, another layer may be further formed between the
また、分離層14は、光を吸収する構造を有する材料のみから形成されていることが好ましいが、本発明における本質的な特性を損なわない範囲において、光を吸収する構造を有していない材料を添加して、分離層14を形成してもよい。また、分離層14における接着層13に対向する側の面が平坦である(凹凸が形成されていない)ことが好ましく、これにより、分離層14の形成が容易に行なえ、且つ貼り付けにおいても均一に貼り付けることが可能となる。
In addition, the
(フルオロカーボン)
分離層14は、フルオロカーボンからなっていてもよい。分離層14は、フルオロカーボンによって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、サポートプレート12を持ち上げる等)ことによって、分離層14が破壊されて、サポートプレート12と基板11とを分離し易くすることができる。分離層14を構成するフルオロカーボンは、プラズマCVD(化学気相堆積)法によって好適に成膜することができる。
(Fluorocarbon)
The
フルオロカーボンは、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層14に用いたフルオロカーボンが吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、フルオロカーボンを好適に変質させ得る。なお、分離層14における光の吸収率は80%以上であることが好ましい。
The fluorocarbon absorbs light having a wavelength in a specific range depending on the type. By irradiating the separation layer with light having a wavelength within a range that is absorbed by the fluorocarbon used in the
分離層14に照射する光としては、フルオロカーボンが吸収可能な波長に応じて、例えば、YAGレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、YVO4レーザ、LDレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、CO2レーザ、エキシマレーザ、Arレーザ、He−Neレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。フルオロカーボンを変質させ得る波長としては、これに限定されるものではないが、例えば、600nm以下の範囲のものを用いることができる。
As light to irradiate the
(光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体)
分離層14は、光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体を含有していてもよい。該重合体は、光の照射を受けて変質する。該重合体の変質は、上記構造が照射された光を吸収することによって生じる。分離層14は、重合体の変質の結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える(例えば、サポートプレート12を持ち上げる等)ことによって、分離層14が破壊されて、サポートプレート12と基板11とを分離し易くすることができる。
(Polymer containing light-absorbing structure in its repeating unit)
The
光吸収性を有している上記構造は、光を吸収して、繰り返し単位として該構造を含んでいる重合体を変質させる化学構造である。該構造は、例えば、置換若しくは非置換のベンゼン環、縮合環又は複素環からなる共役π電子系を含んでいる原子団である。より詳細には、該構造は、カルド構造、又は上記重合体の側鎖に存在するベンゾフェノン構造、ジフェニルスルフォキシド構造、ジフェニルスルホン構造(ビスフェニルスルホン構造)、ジフェニル構造若しくはジフェニルアミン構造であり得る。 The above-mentioned structure having light absorptivity is a chemical structure that absorbs light and alters a polymer containing the structure as a repeating unit. The structure is, for example, an atomic group including a conjugated π electron system composed of a substituted or unsubstituted benzene ring, condensed ring, or heterocyclic ring. More specifically, the structure may be a cardo structure, or a benzophenone structure, a diphenyl sulfoxide structure, a diphenyl sulfone structure (bisphenyl sulfone structure), a diphenyl structure or a diphenylamine structure present in the side chain of the polymer.
上記構造が上記重合体の側鎖に存在する場合、該構造は以下の式によって表され得る。 When the structure is present in the side chain of the polymer, the structure can be represented by the following formula:
(式中、Rはそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基、ハロゲン、水酸基、ケトン基、スルホキシド基、スルホン基又はN(R1)(R2)であり(ここで、R1及びR2はそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数1〜5のアルキル基である)、Zは、存在しないか、又はCO−、−SO2−、−SO−若しくは−NH−であり、nは0又は1〜5の整数である。)
また、上記重合体は、例えば、以下の式のうち、(a)〜(d)の何れかによって表される繰り返し単位を含んでいるか、(e)によって表されるか、又は(f)の構造をその主鎖に含んでいる。
(In the formula, each R is independently an alkyl group, an aryl group, a halogen, a hydroxyl group, a ketone group, a sulfoxide group, a sulfone group, or N (R 1 ) (R 2 ) (where R 1 and R 2 Each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms), Z is absent or is CO—, —SO 2 —, —SO— or —NH—, and n is 0 Or an integer of 1 to 5.)
In addition, the polymer includes, for example, a repeating unit represented by any one of (a) to (d) among the following formulas, is represented by (e), or (f) Contains structure in its main chain.
(式中、lは1以上の整数であり、mは0又は1〜2の整数であり、Xは、(a)〜(e)において上記の“化2”に示した式のいずれかであり、(f)において上記の“化2”に示した式のいずれかであるか、又は存在せず、Y1及びY2はそれぞれ独立して、−CO−又はSO2−である。lは好ましくは10以下の整数である。)
上記の“化2”に示されるベンゼン環、縮合環及び複素環の例としては、フェニル、置換フェニル、ベンジル、置換ベンジル、ナフタレン、置換ナフタレン、アントラセン、置換アントラセン、アントラキノン、置換アントラキノン、アクリジン、置換アクリジン、アゾベンゼン、置換アゾベンゼン、フルオリム、置換フルオリム、フルオリモン、置換フルオリモン、カルバゾール、置換カルバゾール、N−アルキルカルバゾール、ジベンゾフラン、置換ジベンゾフラン、フェナントレン、置換フェナントレン、ピレン及び置換ピレンが挙げられる。例示した置換基がさらに置換基を有している場合、その置換基は、例えば、アルキル、アリール、ハロゲン原子、アルコキシ、ニトロ、アルデヒド、シアノ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボン酸、カルボン酸エステル、スルホン酸、スルホン酸エステル、アルキルアミノ及びアリールアミノから選択される。
(In the formula, l is an integer of 1 or more, m is 0 or an integer of 1 to 2, and X is any one of the formulas shown in the above “
Examples of the benzene ring, condensed ring and heterocyclic ring shown in the above “
上記の“化2”に示される置換基のうち、フェニル基を2つ有している5番目の置換基であって、Zが−SO2−である場合の例としては、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3,4−ジヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3,5−ジヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3,6−ジヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(2−ヒドロキシフェニル)スルホン、及びビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)スルホン等が挙げられる。
Of the substituents represented by “
上記の“化2”に示される置換基のうち、フェニル基を2つ有している5番目の置換基であって、Zが−SO−である場合の例としては、ビス(2,3−ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(5−クロロ−2,3−ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,4−ジヒドロキシ−6−メチルフェニル)スルホキシド、ビス(5−クロロ−2,4−ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,5−ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(3,4−ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(3,5−ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,3,4−トリヒドロキシ−6−メチルフェニル)スルホキシド、ビス(5−クロロ−2,3,4−トリヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,4,6−トリヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(5−クロロ−2,4,6−トリヒドロキシフェニル)スルホキシド等が挙げられる。
Of the substituents represented by “
上記の“化2”に示される置換基のうち、フェニル基を2つ有している5番目の置換基であって、Zが−C(=O)−である場合の例としては、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,5,6’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−オクトキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−ドデシルオキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、2,6−ジヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4,4’−ジメトキシベンゾフェノン、4−アミノ−2’−ヒドロキシベンゾフェノン、4−ジメチルアミノ−2’−ヒドロキシベンゾフェノン、4−ジエチルアミノ−2’−ヒドロキシベンゾフェノン、4−ジメチルアミノ−4’−メトキシ−2’−ヒドロキシベンゾフェノン、4−ジメチルアミノ−2’,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、及び4−ジメチルアミノ−3’,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。
Of the substituents represented by the above “
上記構造が上記重合体の側鎖に存在している場合、上記構造を含んでいる繰り返し単位の、上記重合体に占める割合は、分離層14の光の透過率が0.001%以上、10%以下になる範囲内にある。該割合がこのような範囲に収まるように重合体が調製されていれば、分離層14が十分に光を吸収して、確実かつ迅速に変質し得る。すなわち、積層体10からのサポートプレート12の除去が容易であり、該除去に必要な光の照射時間を短縮させることができる。
When the structure is present in the side chain of the polymer, the ratio of the repeating unit containing the structure to the polymer is such that the light transmittance of the
上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している光を吸収することができる。例えば、上記構造が吸収可能な光の波長は、100nm以上、2,000nm以下の範囲内であることがより好ましい。この範囲内のうち、上記構造が吸収可能な光の波長は、より短波長側であり、例えば、100nm以上、500nm以下の範囲内である。例えば、上記構造は、好ましくはおよそ300nm以上、370nm以下の範囲内の波長を有している紫外光を吸収することによって、該構造を含んでいる重合体を変質させ得る。 The said structure can absorb the light which has a wavelength of a desired range by selection of the kind. For example, the wavelength of light that can be absorbed by the above structure is more preferably in the range of 100 nm to 2,000 nm. Within this range, the wavelength of light that can be absorbed by the structure is on the shorter wavelength side, for example, in the range of 100 nm to 500 nm. For example, the structure can alter the polymer containing the structure by absorbing ultraviolet light, preferably having a wavelength in the range of about 300 nm to 370 nm.
上記構造が吸収可能な光は、例えば、高圧水銀ランプ(波長:254nm以上、436nm以下)、KrFエキシマレーザ(波長:248nm)、ArFエキシマレーザ(波長:193nm)、F2エキシマレーザ(波長:157nm)、XeClレーザ(波長:308nm)、XeFレーザ(波長:351nm)若しくは固体UVレーザ(波長:355nm)から発せられる光、又はg線(波長:436nm)、h線(波長:405nm)若しくはi線(波長:365nm)等である。 The light that can be absorbed by the above structure is, for example, a high-pressure mercury lamp (wavelength: 254 nm or more, 436 nm or less), KrF excimer laser (wavelength: 248 nm), ArF excimer laser (wavelength: 193 nm), F2 excimer laser (wavelength: 157 nm). , Light emitted from a XeCl laser (wavelength: 308 nm), XeF laser (wavelength: 351 nm) or solid-state UV laser (wavelength: 355 nm), or g-line (wavelength: 436 nm), h-line (wavelength: 405 nm) or i-line ( Wavelength: 365 nm).
上述した分離層14は、繰り返し単位として上記構造を含んでいる重合体を含有しているが、分離層14はさらに、上記重合体以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、及びサポートプレート12の剥離性を向上し得る成分等が挙げられる。これらの成分は、上記構造による光の吸収、及び重合体の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。
Although the
(無機物)
分離層14は、無機物からなっていてもよい。分離層14は、無機物によって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、サポートプレート12を持ち上げる等)ことによって、分離層14が破壊されて、サポートプレート12と基板11とを分離し易くすることができる。
(Inorganic)
The
上記無機物は、光を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、金属、金属化合物及びカーボンからなる群より選択される1種類以上の無機物を好適に用いることができる。金属化合物とは、金属原子を含む化合物を指し、例えば、金属酸化物、金属窒化物であり得る。このような無機物の例示としては、これに限定されるものではないが、金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、SiO2、SiN、Si3N4、TiN、及びカーボンからなる群より選ばれる1種類以上の無機物が挙げられる。なお、カーボンとは炭素の同素体も含まれ得る概念であり、例えば、ダイヤモンド、フラーレン、ダイヤモンドライクカーボン、カーボンナノチューブ等であり得る。 The said inorganic substance should just be the structure which changes in quality by absorbing light, for example, 1 or more types of inorganic substances selected from the group which consists of a metal, a metal compound, and carbon can be used conveniently. The metal compound refers to a compound containing a metal atom, and can be, for example, a metal oxide or a metal nitride. Examples of such inorganic materials include, but are not limited to, gold, silver, copper, iron, nickel, aluminum, titanium, chromium, SiO 2 , SiN, Si 3 N 4 , TiN, and carbon. One or more inorganic substances selected from the group consisting of: Carbon is a concept that may include an allotrope of carbon, for example, diamond, fullerene, diamond-like carbon, carbon nanotube, and the like.
上記無機物は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層14に用いた無機物が吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、上記無機物を好適に変質させ得る。
The inorganic material absorbs light having a wavelength in a specific range depending on the type. By irradiating the separation layer with light having a wavelength within a range that the inorganic material used for the
無機物からなる分離層14に照射する光としては、上記無機物が吸収可能な波長に応じて、例えば、YAGレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、YVO4レーザ、LDレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、CO2レーザ、エキシマレーザ、Arレーザ、He−Neレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。
The light applied to the
無機物からなる分離層14は、例えばスパッタ、化学蒸着(CVD)、メッキ、プラズマCVD、スピンコート等の公知の技術により、サポートプレート12上に形成され得る。無機物からなる分離層14の厚さは特に限定されず、使用する光を十分に吸収し得る膜厚であればよいが、例えば、0.05μm以上、10μm以下の範囲内の膜厚とすることがより好ましい。また、分離層14を構成する無機物からなる無機膜(例えば、金属膜)の両面又は片面に予め接着剤を塗布し、サポートプレート12及び基板11に貼り付けてもよい。
The
なお、分離層14として金属膜を使用する場合には、分離層14の膜質、レーザ光源の種類、レーザ出力等の条件によっては、レーザの反射や膜への帯電等が起こり得る。そのため、反射防止膜や帯電防止膜を分離層14の上下又はどちらか一方に設けることで、それらの対策を図ることが好ましい。
When a metal film is used as the
(赤外線吸収性の構造を有する化合物)
分離層14は、赤外線吸収性の構造を有する化合物によって形成されていてもよい。該化合物は、赤外線を吸収することにより変質する。分離層14は、化合物の変質の結果として、赤外線の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体を持ち上げる等)ことによって、分離層14が破壊されて、サポートプレート12と基板11とを分離し易くすることができる。
(Compound having infrared absorbing structure)
The
赤外線吸収性を有している構造、又は赤外線吸収性を有している構造を含む化合物としては、例えば、アルカン、アルケン(ビニル、トランス、シス、ビニリデン、三置換、四置換、共役、クムレン、環式)、アルキン(一置換、二置換)、単環式芳香族(ベンゼン、一置換、二置換、三置換)、アルコール及びフェノール類(自由OH、分子内水素結合、分子間水素結合、飽和第二級、飽和第三級、不飽和第二級、不飽和第三級)、アセタール、ケタール、脂肪族エーテル、芳香族エーテル、ビニルエーテル、オキシラン環エーテル、過酸化物エーテル、ケトン、ジアルキルカルボニル、芳香族カルボニル、1,3−ジケトンのエノール、o−ヒドロキシアリールケトン、ジアルキルアルデヒド、芳香族アルデヒド、カルボン酸(二量体、カルボン酸アニオン)、ギ酸エステル、酢酸エステル、共役エステル、非共役エステル、芳香族エステル、ラクトン(β−、γ−、δ−)、脂肪族酸塩化物、芳香族酸塩化物、酸無水物(共役、非共役、環式、非環式)、第一級アミド、第二級アミド、ラクタム、第一級アミン(脂肪族、芳香族)、第二級アミン(脂肪族、芳香族)、第三級アミン(脂肪族、芳香族)、第一級アミン塩、第二級アミン塩、第三級アミン塩、アンモニウムイオン、脂肪族ニトリル、芳香族ニトリル、カルボジイミド、脂肪族イソニトリル、芳香族イソニトリル、イソシアン酸エステル、チオシアン酸エステル、脂肪族イソチオシアン酸エステル、芳香族イソチオシアン酸エステル、脂肪族ニトロ化合物、芳香族ニトロ化合物、ニトロアミン、ニトロソアミン、硝酸エステル、亜硝酸エステル、ニトロソ結合(脂肪族、芳香族、単量体、二量体)、メルカプタン及びチオフェノール及びチオール酸等の硫黄化合物、チオカルボニル基、スルホキシド、スルホン、塩化スルホニル、第一級スルホンアミド、第二級スルホンアミド、硫酸エステル、炭素−ハロゲン結合、Si−A1結合(A1は、H、C、O又はハロゲン)、P−A2結合(A2は、H、C又はO)、又はTi−O結合であり得る。 Examples of the compound having an infrared absorptive structure or a compound having an infrared absorptive structure include alkanes, alkenes (vinyl, trans, cis, vinylidene, trisubstituted, tetrasubstituted, conjugated, cumulene, Cyclic), alkyne (monosubstituted, disubstituted), monocyclic aromatic (benzene, monosubstituted, disubstituted, trisubstituted), alcohol and phenol (free OH, intramolecular hydrogen bond, intermolecular hydrogen bond, saturation) Secondary, saturated tertiary, unsaturated secondary, unsaturated tertiary), acetal, ketal, aliphatic ether, aromatic ether, vinyl ether, oxirane ring ether, peroxide ether, ketone, dialkylcarbonyl, Aromatic carbonyl, 1,3-diketone enol, o-hydroxy aryl ketone, dialkyl aldehyde, aromatic aldehyde, carboxylic acid (dimer, Rubonic acid anion), formate ester, acetate ester, conjugated ester, non-conjugated ester, aromatic ester, lactone (β-, γ-, δ-), aliphatic acid chloride, aromatic acid chloride, acid anhydride ( Conjugated, non-conjugated, cyclic, acyclic), primary amide, secondary amide, lactam, primary amine (aliphatic, aromatic), secondary amine (aliphatic, aromatic), secondary Tertiary amine (aliphatic, aromatic), primary amine salt, secondary amine salt, tertiary amine salt, ammonium ion, aliphatic nitrile, aromatic nitrile, carbodiimide, aliphatic isonitrile, aromatic isonitrile, Isocyanate ester, thiocyanate ester, aliphatic isothiocyanate ester, aromatic isothiocyanate ester, aliphatic nitro compound, aromatic nitro compound, nitroamine, nitrosamine, glass Esters, nitrites, nitroso bonds (aliphatic, aromatic, monomer, dimer), sulfur compounds such as mercaptans and thiophenol and thiolic acid, thiocarbonyl groups, sulfoxides, sulfones, sulfonyl chlorides, primary Sulfonamide, secondary sulfonamide, sulfate ester, carbon-halogen bond, Si-A 1 bond (A 1 is H, C, O or halogen), PA 2 bond (A 2 is H, C or O), or Ti—O bonds.
上記炭素−ハロゲン結合を含む構造としては、例えば、−CH2Cl、−CH2Br、−CH2I、−CF2−、−CF3、−CH=CF2、−CF=CF2、フッ化アリール、及び塩化アリール等が挙げられる。
As a structure containing halogen bond, for example, -CH 2 Cl, -CH 2 Br , -CH 2 I, -CF 2 - - the carbon, - CF 3, -CH = CF 2, -CF =
上記Si−A1結合を含む構造としては、SiH、SiH2、SiH3、Si−CH3、Si−CH2−、Si−C6H5、SiO−脂肪族、Si−OCH3、Si−OCH2CH3、Si−OC6H5、Si−O−Si、Si−OH、SiF、SiF2、及びSiF3等が挙げられる。Si−A1結合を含む構造としては、特に、シロキサン骨格及びシルセスキオキサン骨格を形成していることが好ましい。
Examples of the structure containing the Si—A 1 bond include SiH, SiH 2 , SiH 3 , Si—CH 3 , Si—CH 2 —, Si—C 6 H 5 , SiO-aliphatic, Si—OCH 3 , Si— OCH 2 CH 3, Si-OC 6
上記P−A2結合を含む構造としては、PH、PH2、P−CH3、P−CH2−、P−C6H5、A3 3−P−O(A3は脂肪族又は芳香族)、(A4O)3−P−O(A4はアルキル)、P−OCH3、P−OCH2CH3、P−OC6H5、P−O−P、P−OH、及びO=P−OH等が挙げられる。
Examples of the structure containing the P—A 2 bond include PH, PH 2 , P—CH 3 , P—CH 2 —, P—C 6 H 5 , A 3 3 —PO— (A 3 is aliphatic or aromatic. family), (A 4 O) 3 -P-O (A 4 alkyl), P-OCH 3, P -
上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している赤外線を吸収することができる。具体的には、上記構造が吸収可能な赤外線の波長は、例えば1μm以上、20μm以下の範囲内であり、2μm以上、15μm以下の範囲内をより好適に吸収することができる。さらに、上記構造がSi−O結合、Si−C結合及びTi−O結合である場合には、9μm以上、11μm以下の範囲内であり得る。なお、各構造が吸収できる赤外線の波長は当業者であれば容易に理解することができる。例えば、各構造における吸収帯として、非特許文献:SILVERSTEIN・BASSLER・MORRILL著「有機化合物のスペクトルによる同定法(第5版)−MS、IR、NMR、UVの併用−」(1992年発行)第146頁〜第151頁の記載を参照することができる。 The said structure can absorb the infrared rays which have the wavelength of a desired range by selection of the kind. Specifically, the wavelength of infrared rays that can be absorbed by the above structure is, for example, in the range of 1 μm or more and 20 μm or less, and more preferably in the range of 2 μm or more and 15 μm or less. Furthermore, in the case where the structure is a Si—O bond, a Si—C bond, or a Ti—O bond, it may be in the range of 9 μm or more and 11 μm or less. In addition, those skilled in the art can easily understand the infrared wavelength that can be absorbed by each structure. For example, as an absorption band in each structure, Non-Patent Document: SILVERSTEIN / BASSLER / MORRILL, “Identification method by spectrum of organic compound (5th edition) —Combination of MS, IR, NMR and UV” (published in 1992) The description on page 146 to page 151 can be referred to.
分離層14の形成に用いられる、赤外線吸収性の構造を有する化合物としては、上述のような構造を有している化合物のうち、塗布のために溶媒に溶解することができ、固化されて固層を形成することができるものであれば、特に限定されるものではない。しかしながら、分離層14における化合物を効果的に変質させ、サポートプレート12と基板11との分離を容易にするには、分離層14における赤外線の吸収が大きいこと、すなわち、分離層14に赤外線を照射したときの赤外線の透過率が低いことが好ましい。具体的には、分離層14における赤外線の透過率が90%より低いことが好ましく、赤外線の透過率が80%より低いことがより好ましい。
As the compound having an infrared-absorbing structure used for forming the
一例を挙げて説明すれば、シロキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記化学式(3)で表される繰り返し単位及び下記化学式(4)で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂、あるいは下記化学式(3)で表される繰り返し単位及びアクリル系化合物由来の繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。 For example, as the compound having a siloxane skeleton, for example, a resin that is a copolymer of a repeating unit represented by the following chemical formula (3) and a repeating unit represented by the following chemical formula (4), or A resin that is a copolymer of a repeating unit represented by the following chemical formula (3) and a repeating unit derived from an acrylic compound can be used.
(化学式(4)中、R3は、水素、炭素数10以下のアルキル基、又は炭素数10以下のアルコキシ基である。)
中でも、シロキサン骨格を有する化合物としては、上記化学式(3)で表される繰り返し単位及び下記化学式(5)で表される繰り返し単位の共重合体であるt−ブチルスチレン(TBST)−ジメチルシロキサン共重合体がより好ましく、上記式(3)で表される繰り返し単位及び下記化学式(5)で表される繰り返し単位を1:1で含む、TBST−ジメチルシロキサン共重合体がさらに好ましい。
(In the chemical formula (4), R 3 is hydrogen, an alkyl group having 10 or less carbon atoms, or an alkoxy group having 10 or less carbon atoms.)
Among them, as a compound having a siloxane skeleton, a t-butylstyrene (TBST) -dimethylsiloxane copolymer which is a copolymer of a repeating unit represented by the above chemical formula (3) and a repeating unit represented by the following chemical formula (5) is used. A polymer is more preferable, and a TBST-dimethylsiloxane copolymer containing a repeating unit represented by the above formula (3) and a repeating unit represented by the following chemical formula (5) in a ratio of 1: 1 is further preferable.
また、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記化学式(6)で表される繰り返し単位及び下記化学式(7)で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。 Moreover, as the compound having a silsesquioxane skeleton, for example, a resin that is a copolymer of a repeating unit represented by the following chemical formula (6) and a repeating unit represented by the following chemical formula (7) can be used. .
(化学式(6)中、R4は、水素又は炭素数1以上、10以下のアルキル基であり、化学式(7)中、R5は、炭素数1以上、10以下のアルキル基、又はフェニル基である。)
シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、このほかにも、特開2007−258663号公報(2007年10月4日公開)、特開2010−120901号公報(2010年6月3日公開)、特開2009−263316号公報(2009年11月12日公開)及び特開2009−263596号公報(2009年11月12日公開)において開示されている各シルセスキオキサン樹脂を好適に利用することができる。
(In chemical formula (6), R 4 is hydrogen or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and in chemical formula (7), R 5 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a phenyl group. .)
Other compounds having a silsesquioxane skeleton include JP 2007-258663 A (published on October 4, 2007), JP 2010-120901 A (published on June 3, 2010), Each silsesquioxane resin disclosed in JP 2009-263316 A (published on November 12, 2009) and JP 2009-263596 A (published on November 12, 2009) is preferably used. Can do.
中でも、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、下記化学式(8)で表される繰り返し単位及び下記化学式(9)で表される繰り返し単位の共重合体がより好ましく、下記化学式(8)で表される繰り返し単位及び下記化学式(9)で表される繰り返し単位を7:3で含む共重合体がさらに好ましい。 Among these, as the compound having a silsesquioxane skeleton, a repeating unit represented by the following chemical formula (8) and a copolymer of a repeating unit represented by the following chemical formula (9) are more preferable. A copolymer containing the repeating unit represented by the formula (9) and the repeating unit represented by the following chemical formula (9) at a ratio of 7: 3 is more preferable.
シルセスキオキサン骨格を有する重合体としては、ランダム構造、ラダー構造、及び籠型構造があり得るが、何れの構造であってもよい。 The polymer having a silsesquioxane skeleton may have a random structure, a ladder structure, and a cage structure, and any structure may be used.
また、Ti−O結合を含む化合物としては、例えば、(i)テトラ−i−プロポキシチタン、テトラ−n−ブトキシチタン、テトラキス(2−エチルヘキシルオキシ)チタン、及びチタニウム−i−プロポキシオクチレングリコレート等のアルコキシチタン;(ii)ジ−i−プロポキシ・ビス(アセチルアセトナト)チタン、及びプロパンジオキシチタンビス(エチルアセトアセテート)等のキレートチタン;(iii)i−C3H7O−[−Ti(O−i−C3H7)2−O−]n−i−C3H7、及びn−C4H9O−[−Ti(O−n−C4H9)2−O−]n−n−C4H9等のチタンポリマー;(iv)トリ−n−ブトキシチタンモノステアレート、チタニウムステアレート、ジ−i−プロポキシチタンジイソステアレート、及び(2−n−ブトキシカルボニルベンゾイルオキシ)トリブトキシチタン等のアシレートチタン;(v)ジ−n−ブトキシ・ビス(トリエタノールアミナト)チタン等の水溶性チタン化合物等が挙げられる。 Examples of the compound containing a Ti-O bond include (i) tetra-i-propoxytitanium, tetra-n-butoxytitanium, tetrakis (2-ethylhexyloxy) titanium, and titanium-i-propoxyoctylene glycolate. (ii) di -i- propoxy bis (acetylacetonato) titanium, and propane di oxytitanium bis (ethylacetoacetate) chelate titanium such as; alkoxy titanium etc. (iii) i-C 3 H 7 O - [- Ti (O-i-C 3 H 7) 2 -O-] n -i-C 3 H 7, and n-C 4 H 9 O - [- Ti (O-n-C 4 H 9) 2 -O -] n -n-C 4 titanium polymers such as H 9; (iv) tri -n- butoxy titanium monostearate, titanium stearate, di -i- propoxytitanium di- Examples include isostearate and acylate titanium such as (2-n-butoxycarbonylbenzoyloxy) tributoxytitanium; (v) water-soluble titanium compounds such as di-n-butoxy-bis (triethanolaminato) titanium and the like. It is done.
中でも、Ti−O結合を含む化合物としては、ジ−n−ブトキシ・ビス(トリエタノールアミナト)チタン(Ti(OC4H9)2[OC2H4N(C2H4OH)2]2)が好ましい。 Among them, as a compound containing a Ti—O bond, di-n-butoxy bis (triethanolaminato) titanium (Ti (OC 4 H 9 ) 2 [OC 2 H 4 N (C 2 H 4 OH) 2 ] 2 ) is preferred.
上述した分離層14は、赤外線吸収性の構造を有する化合物を含有しているが、分離層14はさらに、上記化合物以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、及びサポートプレート12の剥離性を向上し得る成分等が挙げられる。これらの成分は、上記構造による赤外線の吸収、及び化合物の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。
Although the
(赤外線吸収物質)
分離層14は、赤外線吸収物質を含有していてもよい。分離層14は、赤外線吸収物質を含有して構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、サポートプレート12を持ち上げる等)ことによって、分離層14が破壊されて、サポートプレート12と基板11とを分離し易くすることができる。
(Infrared absorbing material)
The
赤外線吸収物質は、赤外線を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、カーボンブラック、鉄粒子、又はアルミニウム粒子を好適に用いることができる。赤外線吸収物質は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層14に用いた赤外線吸収物質が吸収する範囲の波長の光を分離層14に照射することにより、赤外線吸収物質を好適に変質させ得る。
The infrared absorbing material only needs to have a structure that is altered by absorbing infrared rays. For example, carbon black, iron particles, or aluminum particles can be suitably used. The infrared absorbing material absorbs light having a wavelength in a specific range depending on the type. By irradiating the
〔一変形例に係る積層体〕
本発明の一実施形態に係る支持体分離方法において用いられる積層体は、上記第1の実施形態に用いられるものに限定されない。例えば、一変形例に係る支持体分離方法において用いられる積層体は、基板11と、光を吸収することによって変質する分離層14と、接着層13と、光を透過する材質からなり、基板11を支持するサポートプレート(支持体)12とがこの順に積層されてなる。
[Laminated body according to one modification]
The laminate used in the support separating method according to one embodiment of the present invention is not limited to that used in the first embodiment. For example, the laminated body used in the support separating method according to the modification includes the
上記構成であっても、一実施形態に係る支持体分離方法を好適に実施することができる。また、本変形例に係る積層体は、例えば、基板としてモールド基板を用いた積層体において好適に用いることができる。 Even if it is the said structure, the support body separation method which concerns on one Embodiment can be implemented suitably. Moreover, the laminated body which concerns on this modification can be used suitably in the laminated body which used the mold substrate as a board | substrate, for example.
<第2の実施形態に係る支持体分離方法>
本発明に係る支持体分離方法は、上記第1の実施形態に限定されない。例えば、一実施形態(第2の実施形態)に係る支持体分離方法では、分離工程の前に、分離層14における光の未照射の領域14aに、サポートプレート12を介して光を照射することで分離層14における領域14aを変質させる第2予備分離工程を包含する構成であってもよい(図2の(c))。
<Support Separating Method According to Second Embodiment>
The support separating method according to the present invention is not limited to the first embodiment. For example, in the support separating method according to one embodiment (second embodiment), light is irradiated to the
なお、第1予備分離工程(図2の(a)〜(c))、及び分離工程(図2の(e)及び(f))については、第1の実施形態と同様であるため、その説明を省略する。 Since the first preliminary separation step ((a) to (c) in FIG. 2) and the separation step ((e) and (f) in FIG. 2) are the same as those in the first embodiment, Description is omitted.
〔第2予備分離工程〕
図2の(d)に示すように、本実施形態に係る支持体分離方法では、サポートプレート12を介して光Lを照射することで分離層14の領域14aを変質させる。例えば、第1の実施形態において、図3の(a)に示すように形成された分離層14の領域14aに光の照射を行なう。
[Second preliminary separation step]
As shown in FIG. 2D, in the support separating method according to the present embodiment, the
これによって、分離層14における領域14aの接着力を調整することができる。従って、第2予備分離工程の後、分離工程の前に、積層体10からサポートプレート12が脱離し、サポートプレート12が位置ずれを生じることを好適に防止することができる。また、分離層14における領域14aの接着力を好適に調整することができるため、分離工程において、積層体10からサポートプレート12をより好適に分離することができる。
Thereby, the adhesive force of the
第2予備分離工程において使用されるパルス光のビームスポット径は、100μm以上、250μm以下であることが好ましく、120μm以上、230μm以下であることがより好ましい。 The beam spot diameter of the pulsed light used in the second preliminary separation step is preferably 100 μm or more and 250 μm or less, and more preferably 120 μm or more and 230 μm or less.
上記第2予備分離工程において、光の照射ピッチは、パルス光のスポット径に対して120%以上であることが好ましい。光の照射ピッチが、パルス光のスポット径に対して120%以上であれば、第2予備分離工程において、積層体10からサポートプレート12が脱離することを好適に防止しつつ、分離層14における領域14aの接着力を好適に調整することができる。従って、後の分離工程において、わずかな力を加えることによって積層体10からサポートプレート12を好適に分離することができる。なお、第2予備分離工程では、分離層14における領域14aに光を照射することによって、分離層14における領域14aの接着力を調整することができればよく、光の照射ピッチについて上限を設ける必要はない。
In the second preliminary separation step, the light irradiation pitch is preferably 120% or more with respect to the spot diameter of the pulsed light. When the light irradiation pitch is 120% or more with respect to the spot diameter of the pulsed light, the
また、第2予備分離工程におけるレーザの種類及びレーザ光照射条件については、第1予備分離工程と同様であるため、その説明を省略する。 The laser type and laser light irradiation conditions in the second pre-separation step are the same as those in the first pre-separation step, and a description thereof is omitted.
<別の実施形態に係る支持体分離方法>
本発明に係る支持体分離方法は、上記第1の実施形態及び第2の実施形態に限定されない。例えば、一実施形態に係る支持体分離方法では、第1予備分離工程において、図3の(b)に示す複数の実線の矢印の軌跡に従い、分離層14における領域14b’にレーザ光を照射することによって光の未照射の領域14a’を生じさせる。これによって、図4の(b)に示すように、分離層14におけるサポートプレート12と対向する面の重心を含む部分に、領域14a’を生じさせてもよい。
<Support Separating Method According to Another Embodiment>
The support separating method according to the present invention is not limited to the first and second embodiments. For example, in the support separation method according to the embodiment, in the first preliminary separation step, the
上記構成によれば、分離層14における領域14a’が積層体10の重心付近において、サポートプレート12の脱離を防止することができる、このため、より好適に積層体10からサポートプレート12が脱離することを防止することができる。また、積層体10の平面に対して垂直方向に向かって上に、サポートプレート12を持ちあげることによって、いずれの方向に分離プレート30が傾いても、領域14aに力を集中させ、基板11とサポートプレート12とを分離することができる。
According to the above configuration, the
また、さらに別の実施形態においては、図4の(c)に示すように、分離層14における領域14b”に光を照射することによって光の未照射の領域14a”を設けてもよい。上記構成によっても、本発明に係る支持体分離方法を好適に実施することができる。
In still another embodiment, as shown in FIG. 4C, a
本発明に係る支持体分離方法では、分離層14におけるサポートプレート12と対向する面に、当該面の0.5%以上、65%以下の面積を占める光の未照射の領域を生じさせれば、光の未照射の領域は種々の形状を採用することができる。従って、分離層14におけるサポートプレート12と対向する面の外周の任意の2点を結ぶ線分を長さ方向とする帯状に、光の未照射の領域を生じさせることによっても、本発明に係る支持体分離方法を好適に実施することができる。
In the support separating method according to the present invention, an unirradiated region of light that occupies an area of 0.5% or more and 65% or less of the surface of the
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible within the scope shown in the claims, and embodiments obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. Is also included in the technical scope of the present invention.
〔光照射パターンの評価〕
実施例1、実施例2、及び比較例1について、それぞれ異なる照射パターンによって、積層体の分離層にレーザ光を照射し、分離層におけるレーザスポットの状態を評価した。
[Evaluation of light irradiation pattern]
For Example 1, Example 2, and Comparative Example 1, the separation layer of the laminate was irradiated with laser light with different irradiation patterns, and the state of the laser spot in the separation layer was evaluated.
(積層体の作製)
まず、実施例1、実施例2及び比較例1において用いる積層体を以下の手順に従って作製した。
(Production of laminate)
First, the laminated body used in Example 1, Example 2, and Comparative Example 1 was produced according to the following procedures.
半導体ウエハ基板(12インチ、シリコン)にTZNR(登録商標)−A4017(東京応化工業株式会社製)をスピン塗布し、90℃、160℃、220℃の温度で各4分間ベークし、接着層を形成した(膜厚50μm)。その後、接着層を形成した半導体ウエハ基板を1,500rpmで回転させつつ、EBRノズルによって、TZNR(登録商標)−HCシンナー(東京応化工業株式会社製)を10cc/分の供給量で5〜15分間、供給することによって、半導体ウエハ基板の外周部分に形成された接着層の外周部分を、ウエハ基板の端部を基準にして内側に向かって1.2mmまで接着層を除去した。
TZNR (registered trademark) -A4017 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is spin-coated on a semiconductor wafer substrate (12 inches of silicon), and baked at 90 ° C., 160 ° C., and 220 ° C. for 4 minutes each to form an adhesive layer. Formed (
次いで、支持体として、ベアガラス支持体(12インチ、厚さ700μm)を用い、フルオロカーボンを用いたプラズマCVD法により支持体の上に分離層を形成した。分離層形成の条件としては、流量400sccm、圧力700mTorr、高周波電力2500W及び成膜温度240℃の条件下において、反応ガスとしてC4F8を使用した。CVD法を行なうことによって、分離層であるフルオロカーボン膜(厚さ1μm)を支持体上に形成した。 Next, a bare glass support (12 inches, thickness 700 μm) was used as a support, and a separation layer was formed on the support by a plasma CVD method using fluorocarbon. As the conditions for forming the separation layer, C 4 F 8 was used as a reaction gas under the conditions of a flow rate of 400 sccm, a pressure of 700 mTorr, a high-frequency power of 2500 W, and a film formation temperature of 240 ° C. By performing the CVD method, a fluorocarbon film (thickness: 1 μm) as a separation layer was formed on the support.
次に、ウエハ基板、接着層、分離層及びガラス支持体がこの順になるように重ね合わせ、真空下、215℃で、180秒間予熱し、その後、2000kgfの貼付圧力で360秒間押圧することでガラス支持体とウエハ基板とを貼り付けた。これによって、実施例1、実施例2及び比較例1に用いる積層体を作製した。 Next, the wafer substrate, the adhesive layer, the separation layer, and the glass support are superposed in this order, preheated at 215 ° C. for 180 seconds under vacuum, and then pressed for 360 seconds with an application pressure of 2000 kgf. The support and the wafer substrate were attached. Thereby, the laminated body used for Example 1, Example 2, and Comparative Example 1 was produced.
(レーザ光の照射)
次に、図3の(a)に示すレーザ光の照射パターン(実施例1)、図3の(b)に示すレーザ光の照射パターン(実施例2)及び図3の(c)に示すレーザ光の照射パターン(比較例1)によって、積層体の分離層にレーザ光を照射し、レーザスポットの状態を評価した。
(Laser irradiation)
Next, the laser beam irradiation pattern (Example 1) shown in FIG. 3A, the laser beam irradiation pattern (Example 2) shown in FIG. 3B, and the laser shown in FIG. 3C. With the light irradiation pattern (Comparative Example 1), the separation layer of the laminate was irradiated with laser light, and the state of the laser spot was evaluated.
なお、実施例1、実施例2及び比較例1におけるレーザ照射の条件は、以下に示す通りである。 In addition, the conditions of laser irradiation in Example 1, Example 2, and Comparative Example 1 are as shown below.
また、分離層へのレーザ光照射の条件は、波長532nm、繰り返し周波数40kHz、レーザ走査速度6500mm/秒、レーザスポットのピッチ180μmの条件であった。 Further, the conditions for laser beam irradiation to the separation layer were a wavelength of 532 nm, a repetition frequency of 40 kHz, a laser scanning speed of 6500 mm / second, and a laser spot pitch of 180 μm.
(レーザ光の照射パターンの評価)
レーザ光の照射パターンが異なる実施例1、実施例2、及び比較例1について、図3の(a)〜(c)に示す測定点(1)〜(5)におけるレーザスポットの状態を評価した。レーザスポットの状態の評価基準としては、レーザスポットに重なりがないものを(A)、レーザスポットに若干の重なりがあるもののウエハ基板にダメージを与える程度ではないものを(B)、ウエハ基板にダメージを与える虞があるものを(C)として評価を行なった。
(Evaluation of laser light irradiation pattern)
Regarding Example 1, Example 2, and Comparative Example 1 having different laser light irradiation patterns, the state of the laser spot at the measurement points (1) to (5) shown in (a) to (c) of FIG. 3 was evaluated. . The evaluation criteria for the state of the laser spot are those in which the laser spots do not overlap (A), those in which the laser spots slightly overlap but do not damage the wafer substrate (B), and damage the wafer substrate. Evaluation was made as (C).
表1に示すように、実施例1では、比較例1と同様に、レーザスポットの重なりは認められなかった。このことから、実施例1の照射パターンによれば、レーザ光の未照射の領域を設けない比較例1と同様に、レーザスポットの重なりを生じることなく、分離層にレーザ光の未照射の領域を設けることができることを確認できた。また、実施例2では、分離層上において、一度レーザ光の照射を停止させる位置にあたる測定点4において、レーザスポットに若干の重なりがあるものの、基板にダメージを与える程度ではなかった(B)。従って、実施例2の照射パターンによれば、基板にダメージを与えることを回避しつつ、分離層の外周より内側に光の未照射の領域を設けることができることを確認できた。
As shown in Table 1, in Example 1, as in Comparative Example 1, no overlap of laser spots was observed. From this, according to the irradiation pattern of Example 1, similarly to Comparative Example 1 in which the region not irradiated with the laser beam is not provided, the laser beam is not irradiated on the separation layer without causing overlapping of the laser spot. It has been confirmed that can be provided. In Example 2, the laser spot was slightly overlapped at the
〔支持体の分離性の評価(第1の実施形態)〕
次に、実施例2、実施例3、比較例3及び比較例4として、第1予備分離工程を行なうことにより、支持体の分離性の評価を行なった。支持体の分離性の評価は、光照射パターンの評価に用いた積層体、及び、接着層の厚さを50μmから70μmに変更した以外は光照射パターンの評価に用いた積層体と同じ条件で作製した積層体を用い、以下に示すレーザ光照射条件にて行なった。
[Evaluation of Separability of Support (First Embodiment)]
Next, as Example 2, Example 3, Comparative Example 3, and Comparative Example 4, the separation performance of the support was evaluated by performing the first preliminary separation step. The separation of the support was evaluated under the same conditions as the laminate used for the evaluation of the light irradiation pattern and the laminate used for the evaluation of the light irradiation pattern except that the thickness of the adhesive layer was changed from 50 μm to 70 μm. The produced laminate was used under the laser light irradiation conditions shown below.
第1予備分離工程におけるレーザ光照射では、実施例1の照射パターンを採用し、図4の(a)に示す分離層の領域14aを形成した。ここで、図4の(a)に示す領域14aの幅Wが異なる実施例3、実施例4、比較例2及び比較例3の積層体を作製した。第1予備分離工程におけるレーザ光照射条件は、波長532nm、繰り返し周波数40kHz、レーザ走査速度4800mm/秒、レーザスポットのピッチ120μmであった。
In the laser beam irradiation in the first preliminary separation step, the irradiation pattern of Example 1 was adopted to form the
その後、図5に示すX方向における引張り強度と、Y方向における引張り強度の評価を行なった。なお、引張り強度の評価は、支持体分離装置(東京応化工業株式会社製)を用い、分離プレートには、吸着部3mmのインサイドパットを採用した。以下の表2に支持体の分離性の評価結果示す。 Thereafter, the tensile strength in the X direction and the tensile strength in the Y direction shown in FIG. 5 were evaluated. In addition, evaluation of tensile strength used the support body separation apparatus (made by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.), and employ | adopted the inside pad of the adsorption part 3mm for the separation plate. Table 2 below shows the evaluation results of the separation of the support.
表2に示すように、領域14aの幅Wが2mmである実施例3及び3mmである実施例4では、図5に示すX方向への引張り強度は、5kgf以上であり、図5に示すY方向への引張り強度は、0.7kgf以下であった。これに対して、比較例2及び比較例3の積層体では、Y方向の引張り強度が低いのみならず、X方向の引張り強度も低い結果となった。このことから、X方向においてより高い引張り強度を示す実施例3及び実施例4の積層体は、比較例2及び比較例3の積層体よりもX方向において支持体が脱離しにくく、位置ずれを生じ難いことを確認できた。
As shown in Table 2, in Example 3 where the width W of the
また、実施例3及び実施例4の積層体は、Y方向においては、低い力を加えることで支持体とウエハ基板とを好適に分離することができることを確認できた。 Moreover, the laminated body of Example 3 and Example 4 has confirmed that a support body and a wafer substrate could be suitably isolate | separated by applying a low force in the Y direction.
〔支持体の分離性の評価(第2予備分離工程の評価)〕
次に、実施例5〜8として、第1予備分離工程を行なった積層体にレーザの照射ピッチを変更して第2予備分離工程を行ない、支持体の分離性の評価を行なった。
[Evaluation of Separability of Support (Evaluation of Second Preliminary Separation Process)]
Next, as Examples 5 to 8, the laminated body subjected to the first preliminary separation step was subjected to the second preliminary separation step by changing the laser irradiation pitch, and the separation property of the support was evaluated.
まず、接着層の厚さ50μmの積層体、及び接着層の厚さ70μmの積層体に対して、領域14aの幅Wが4mmになるように第1予備分離工程を行なった。第1予備分離工程におけるレーザ光照射条件には、実施例3と同じ条件を採用した。
First, the first preliminary separation step was performed on the laminated body having the adhesive layer thickness of 50 μm and the laminated body having the adhesive layer thickness of 70 μm so that the width W of the
次に、第1予備分離工程を行なった積層体の領域14aに対して、第2予備分離工程を行なった。第2予備分離工程におけるレーザ光照射条件は、波長532nm、繰り返し周波数40kHz、レーザ走査速度4800mm/秒である。レーザスポットの照射ピッチは、以下に示す表3の通りである。また、支持体の分離性の評価は、実施例3と同様の条件で行なった。評価結果を以下の表3に示す。
Next, a second preliminary separation step was performed on the
表3に示すように、第2予備分離工程を行なった実施例5〜8の積層体においてもX方向における引張り強度は高く、実施例5〜8の積層体はX方向において支持体の位置ずれを生じにくいことを確認できた。また、実施例5及び実施例6の積層体では、Y方向に力を加えることによって、ウエハ基板と支持体とを好適に分離することができることを確認できた。 As shown in Table 3, the tensile strength in the X direction was high in the laminates of Examples 5 to 8 in which the second preliminary separation step was performed, and the laminates of Examples 5 to 8 were misaligned with the support in the X direction. We were able to confirm that it was hard to produce. Moreover, in the laminated body of Example 5 and Example 6, it has confirmed that a wafer substrate and a support body were suitably separable by applying force to a Y direction.
本発明に係る支持体分離方法は、例えば、微細化された半導体装置の製造工程において好適に利用することができる。 The support separating method according to the present invention can be suitably used, for example, in a manufacturing process of a miniaturized semiconductor device.
10 積層体
11 基板
12 サポートプレート(支持体)
13 接着層
14 分離層
14a 領域(分離層)
14a’ 領域(分離層)
14a” 領域(分離層)
L 光
10
13
14a 'region (separation layer)
14a "region (separation layer)
L light
Claims (10)
上記分離層における上記支持体と対向する面に、当該面の0.5%以上、65%以下の面積を占める光の未照射の領域が生じるように、上記支持体を介して上記分離層に光を照射することで当該分離層を変質させる第1予備分離工程を包含することを特徴とする支持体分離方法。 The support is separated from the laminate formed by laminating an adhesive layer and a separation layer that changes in quality by absorbing light between the substrate and a support that supports the substrate. A support separating method that comprises:
In the surface of the separation layer facing the support, an unirradiated region of light occupying an area of 0.5% or more and 65% or less of the surface is formed on the separation layer via the support. A support separation method comprising a first preliminary separation step of altering the separation layer by irradiating light.
上記第2予備分離工程において、光の照射ピッチは、上記光のスポット径に対して120%以上であることを特徴とする請求項8に記載の支持体分離方法。 Before the separation step, including a second preliminary separation step of altering the separation layer by irradiating light to the unirradiated region of the light in the separation layer through the support,
9. The support separation method according to claim 8, wherein, in the second preliminary separation step, a light irradiation pitch is 120% or more with respect to the spot diameter of the light.
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