JP6252396B2 - 蛍光体およびそれを用いた発光装置ならびに蛍光体の製造方法 - Google Patents
蛍光体およびそれを用いた発光装置ならびに蛍光体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6252396B2 JP6252396B2 JP2014155739A JP2014155739A JP6252396B2 JP 6252396 B2 JP6252396 B2 JP 6252396B2 JP 2014155739 A JP2014155739 A JP 2014155739A JP 2014155739 A JP2014155739 A JP 2014155739A JP 6252396 B2 JP6252396 B2 JP 6252396B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- light
- light emitting
- raw material
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 162
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 58
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 28
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 18
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 13
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 10
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 9
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims description 6
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 4
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 15
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 12
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 10
- QCLQZCOGUCNIOC-UHFFFAOYSA-N azanylidynelanthanum Chemical compound [La]#N QCLQZCOGUCNIOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 239000000047 product Substances 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- -1 cerium activated yttrium Chemical class 0.000 description 8
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 6
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 6
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 5
- QCCDYNYSHILRDG-UHFFFAOYSA-K cerium(3+);trifluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[Ce+3] QCCDYNYSHILRDG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 2
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018250 LaSi Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012856 weighed raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018251 LaSi 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017639 MgSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100476480 Mus musculus S100a8 gene Proteins 0.000 description 1
- RLMMPAFGVXFLEB-UHFFFAOYSA-N O[Si](O)(O)Cl.P Chemical compound O[Si](O)(O)Cl.P RLMMPAFGVXFLEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007320 Pinus strobus Species 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 238000010908 decantation Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000011085 pressure filtration Methods 0.000 description 1
- 239000013014 purified material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000000967 suction filtration Methods 0.000 description 1
- XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N sulfur monoxide Chemical class S=O XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
Eu含有量が80ppm以下である、La、CeおよびSiの単体、酸化物、窒化物、炭酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩またはハロゲン化物を、前記蛍光体の組成の化学量論比となるように秤量し、粉砕および混合することにより原料混合物を得る工程と、
前記原料混合物を還元雰囲気下で焼成して焼成物を得る工程と、
前記焼成物を粉砕し、粉末状の蛍光体を得る工程と
を含む、方法が提供される。
本実施形態に係る蛍光体は、一般式LaxCeySi6N8+x+y(式中、2.0≦x≦3.5、0<y≦1.0)で表され、Euの含有量が50ppm以下である。Euの含有量が50ppm以下であることにより、輝度の向上が顕著となる。Euの含有量は、好ましくは30ppm以下であり、より好ましくは20ppm以下である。Euの含有量が低いほど、蛍光体の輝度が向上する。なお、本明細書において、「ppm」は重量比を意味する。
以下に、本実施形態に係る蛍光体の製造方法の一例について説明する。本実施形態に係る蛍光体の製造方法は、Eu含有量が80ppm以下である、La、CeおよびSiの単体、酸化物、窒化物、炭酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩またはハロゲン化物を、目的とする蛍光体の組成の化学量論比となるように秤量し、粉砕および混合することにより原料混合物を得る工程と、原料混合物を還元雰囲気下で焼成して焼成物を得る工程と、焼成物を粉砕し、粉末状の蛍光体を得る工程とを含む。
以下に、本実施形態に係る蛍光体を搭載した発光装置の一例について説明する。本実施形態に係る発光装置は、紫外領域から青色領域の光を発する励起光源と、本発明に係る蛍光体とを備える。本実施形態に係る発光装置において、蛍光体および励起光源は、励起光源が発する光の一部を蛍光体が吸収して発光し、かつ励起光源からの光および蛍光体からの光を発光装置から取り出し得るように配置されていればよく、蛍光体および励起光源の配置は特定の形態に限定されるものではない。発光装置としては、例えば、蛍光ランプ等の照明器具、ディスプレイおよびレーダー等の表示装置、液晶用バックライト等が挙げられる。また、励起光源としては、近紫外から可視光の短波長領域の光を発する発光素子、例えばLEDを用いることが好ましい。特に、半導体発光素子は、小型で電力効率が良く、鮮やかな色の発光をするので好ましい。他の励起光源として、既存の蛍光灯に使用される水銀灯等を適宜利用することができる。
発光素子10は、紫外線領域から可視光領域までの光を発することができる。発光素子10が発する光のピーク波長は、240nm〜520nmであることが好ましく、420nm〜470nmであることがより好ましい。発光素子10としては、例えば、窒化物半導体素子(InXAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)を用いることができる。発光素子10として窒化物半導体素子を用いることにより、機械的衝撃に強い安定した発光装置を得ることができる。
発光装置100において、封止部材50は、パッケージ40に形成された凹部内に載置された発光素子10を覆うように充填される。封止部材50としては、透光性の樹脂やガラスを用いることができる。製造のしやすさを考慮すると、封止部材50は、透光性樹脂であることが好ましい。透光性樹脂としては、シリコーン樹脂組成物を用いることが好ましいが、エポキシ樹脂組成物、アクリル樹脂組成物等の絶縁性樹脂組成物を用いることもできる。封止部材50は、蛍光体70を含む。封止部材50は更に、添加部材を適宜含むこともできる。例えば、封止部材50が光拡散材を含むことにより、発光素子10からの指向性を緩和させ、視野角を増大させることができる。
本実施形態における蛍光体70は、上述の本発明に係る蛍光体を含む。蛍光体70は、励起光源(発光素子10)が発する光の一部を吸収して発光する。図1に示す発光装置100において、蛍光体70は、封止部材50中で部分的に偏在するよう配合されている。封止部材50は、発光素子10や蛍光体70を外部環境から保護するための部材としてのみならず、波長変換部材としても機能する。図1に示すように蛍光体70を発光素子10に接近して載置することにより、発光素子10からの光を効率よく波長変換することができ、発光装置100の発光効率をより一層向上させることができる。なお、蛍光体70を含む波長変換部材と発光素子10との配置は、これらを互いに接近して配置する形態に限定されるものではなく、発光素子10が発する熱が蛍光体70に与える影響を考慮して、発光素子10と蛍光体70を含む波長変換部材との間隔を空けて配置することもできる。また、蛍光体70を封止部材50中にほぼ均一に分散して存在させることにより、色むらの小さい光を発する発光装置を得ることもできる。
Laの原料として窒化ランタン(LaN)、Siの原料として窒化ケイ素(Si3N4)、Ceの原料としてフッ化セリウム(CeF3)をそれぞれ用いた。各原料におけるEuの含有量を、ICP分析により測定した。結果を表1に示す。なお、表1における符号「<」は、Eu含有量が示される数値よりも小さいことを意味する。実施例1においては、Eu含有量が1ppm未満であるLaNをLaの原料として用いた。各元素のモル比がLa:Si:Ce=3:6:0.15となるように、各原料を秤量した。具体的には、LaNを5.97g、Si3N4を3.65g、CeF3を0.38g秤量した。
Eu含有量が4ppmであるLaNをLaの原料として用いた以外は実施例1と同様の手順で、実施例2の蛍光体を合成した。
Eu含有量が21ppmであるLaNをLaの原料として用いた以外は実施例1と同様の手順で、実施例3の蛍光体を合成した。
Eu含有量が30ppmであるLaNをLaの原料として用いた以外は実施例1と同様の手順で、実施例4の蛍光体を合成した。
Eu含有量が400ppmであるLaNをLaの原料として用いた以外は実施例1と同様の手順で、比較例1の蛍光体を合成した。
10 発光素子
20、30 リード電極
40 パッケージ
50 封止部材
60 導電性ワイヤ
70 蛍光体
Claims (3)
- 一般式LaxCeySi6N8+x+y(式中、2.0≦x≦3.5、0<y≦1.0)で表される蛍光体であって、Euの含有量が30ppm以下であり、平均粒径が2μm〜30μmである、蛍光体。
- 紫外領域から青色領域の光を発する励起光源と、請求項1に記載の蛍光体とを備える発光装置。
- 一般式LaxCeySi6N8+x+y(式中、2.0≦x≦3.5、0<y≦1.0)で表される蛍光体の製造方法であって、
Eu含有量が50ppm以下である、La、CeおよびSiの単体、酸化物、窒化物、炭酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩またはハロゲン化物を、前記蛍光体の組成の化学量論比となるように秤量し、粉砕および混合することにより原料混合物を得る工程と、
前記原料混合物を還元雰囲気下で焼成して焼成物を得る工程と、
前記焼成物を粉砕し、粉末状の蛍光体を得る工程と
を含む、方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014155739A JP6252396B2 (ja) | 2014-07-31 | 2014-07-31 | 蛍光体およびそれを用いた発光装置ならびに蛍光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014155739A JP6252396B2 (ja) | 2014-07-31 | 2014-07-31 | 蛍光体およびそれを用いた発光装置ならびに蛍光体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016033177A JP2016033177A (ja) | 2016-03-10 |
JP6252396B2 true JP6252396B2 (ja) | 2017-12-27 |
Family
ID=55452223
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014155739A Active JP6252396B2 (ja) | 2014-07-31 | 2014-07-31 | 蛍光体およびそれを用いた発光装置ならびに蛍光体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6252396B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018235495A1 (ja) * | 2017-06-19 | 2018-12-27 | Ntn株式会社 | ストレージ蛍光体、ストレージ蛍光体の製造方法、放射線検出素子、個人被曝線量計及びイメージングプレート |
JP2022013967A (ja) * | 2018-11-12 | 2022-01-19 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 蛍光体粒子、波長変換部材、発光装置及び蛍光体粒子の製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10147040A1 (de) * | 2001-09-25 | 2003-04-24 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
JP4834827B2 (ja) * | 2003-10-03 | 2011-12-14 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 酸窒化物蛍光体 |
JP2006213910A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸窒化物蛍光体及び発光装置 |
JP2006060244A (ja) * | 2005-09-05 | 2006-03-02 | Kasei Optonix Co Ltd | 白色発光素子 |
JP4459941B2 (ja) * | 2006-10-04 | 2010-04-28 | 三菱化学株式会社 | 蛍光体及びその製造方法、並びに、蛍光体含有組成物、発光装置、画像表示装置及び照明装置 |
JP5389333B2 (ja) * | 2007-03-13 | 2014-01-15 | パナソニック株式会社 | 蛍光体及びそれを用いた光源 |
JP4466758B2 (ja) * | 2008-04-03 | 2010-05-26 | 三菱化学株式会社 | 蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置並びに画像表示装置 |
WO2011014010A2 (ko) * | 2009-07-28 | 2011-02-03 | 성균관대학교산학협력단 | 산질화물계 형광체 분말, 질화물계 형광체 분말, 및 이들의 제조 방법 |
KR20130098322A (ko) * | 2010-08-04 | 2013-09-04 | 우베 고산 가부시키가이샤 | 규질화물 형광체용 질화규소 분말 그리고 그것을 이용한 CaAlSiN3계 형광체, Sr2Si5N8계 형광체, (Sr, Ca)AlSiN3계 형광체 및 La3Si6N11계 형광체, 및 그 제조 방법 |
-
2014
- 2014-07-31 JP JP2014155739A patent/JP6252396B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016033177A (ja) | 2016-03-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6406109B2 (ja) | 蛍光体およびそれを用いた発光装置ならびに蛍光体の製造方法 | |
JP6361549B2 (ja) | 蛍光体およびそれを用いた発光装置ならびに蛍光体の製造方法 | |
JP6102763B2 (ja) | 蛍光体及びそれを用いた発光装置並びに蛍光体の製造方法 | |
JP6167913B2 (ja) | 蛍光体及びそれを用いた発光装置 | |
TWI648375B (zh) | Phosphor and illuminating device | |
JP6528418B2 (ja) | 蛍光体及びこれを用いた発光装置 | |
JP5391946B2 (ja) | 蛍光体及びそれを用いた発光装置並びに蛍光体の製造方法 | |
JP6997611B2 (ja) | β型サイアロン蛍光体の製造方法 | |
JP2016154205A (ja) | 発光装置 | |
JP5523676B2 (ja) | 蛍光体及びこれを用いた発光装置 | |
JP6520553B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5532769B2 (ja) | 蛍光体及びそれを用いた発光装置並びに蛍光体の製造方法 | |
JP6252396B2 (ja) | 蛍光体およびそれを用いた発光装置ならびに蛍光体の製造方法 | |
JP5446493B2 (ja) | 蛍光体及びこれを用いた発光装置 | |
JP6288343B2 (ja) | 蛍光体及びそれを用いた発光装置 | |
JP6008017B2 (ja) | 蛍光体及びこれを用いた発光装置 | |
JP2013144794A (ja) | 酸窒化物系蛍光体およびこれを用いた発光装置 | |
JP5768846B2 (ja) | 蛍光体及びこれを用いた発光装置 | |
JP2014055217A (ja) | 蛍光体及びこれを用いた発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20160215 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170118 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170620 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170704 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170825 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171031 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171113 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6252396 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |