JP6134566B2 - 金属錯体及び該金属錯体を含む発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、金属錯体並びに該金属錯体を含む発光素子に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「発光素子」ということがある。）の発光層に用いる発光材料として、三重項励起状態からの発光（燐光発光）を示す金属錯体が知られており、該金属錯体は、一重項励起状態からの発光を示す蛍光材料よりも高発光効率が期待できる。三重項励起状態からの発光（燐光発光）を示す青色発光金属錯体としては、例えば、金属原子としてイリジウム原子を有する金属錯体であるＦＩｒｐｉｃ（特許文献１）及びトリアゾール環を含む配位子を有する金属錯体（特許文献２及び３）が知られている。

国際公開第２００２／１５６４５号 国際公開第２００４／１０１７０７号 国際公開第２０１２／０７０５９６号

しかし、金属錯体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子への実用化には、赤色・緑色・青色の三原色において、発光素子の製造に有用な金属錯体の開発が望まれており、赤色や緑色と比較して、特に青色領域において、発光効率に優れた発光素子の製造に有用な金属錯体の開発が望まれている。そこで、本発明は、特に青色領域において、発光効率に優れた発光素子の製造に有用な金属錯体を提供することを目的とする。また、本発明は、当該金属錯体を用いた発光素子を提供することを目的とする。

本発明は第一に、下記式（１）で表される金属錯体を提供する。

［式中、
Ｍは、ルテニウム原子、ロジウム原子、パラジウム原子、オスミウム原子、イリジウム原子又は白金原子である。
Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。Ｒ^Ｐ１とＲ^Ｐ２は結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環構造を形成していてもよく、Ｒ^Ｐ２とＲ^Ｐ３は結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環構造を形成していてもよく、Ｒ^Ｐ３とＲ^Ｐ４は結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環構造を形成していてもよい。ただし、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３及びＲ^Ｐ４の少なくとも一つはデンドロンであり、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６の少なくとも一つは、アリール基又は１価の複素環基である。
ｍは１〜３の整数であり、ｎは０〜２の整数であり、ｍ＋ｎは２又は３である。
下記式（２）で表される部分は、２座配位子を表す。

［式中、Ｒ^ｘ及びＲ^ｙは、金属原子Ｍに結合する原子であり、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表す。］］
本発明は第二に、前記金属錯体と、電荷輸送材料と、を含む組成物を提供する。
本発明は第三に、前記金属錯体と、溶媒又は分散媒と、を含む組成物を提供する。
本発明は第四に、前記金属錯体を含む膜を提供する。
本発明は第五に、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられた、前記金属錯体を含む層と、を備える発光素子を提供する。
本発明は第六に、前記発光素子を備える面状光源及び照明を提供する。

本発明によれば、特に青色領域において発光効率に優れた発光素子の製造に有用な金属錯体を提供することができる。また、本発明の好ましい実施形態によれば、特に青色領域において輝度寿命に優れた発光素子の製造に有用な金属錯体を提供することができる。さらに、本発明によれば、当該金属錯体を用いた発光素子を提供することができる。

以下、本発明を詳細に説明する。

本明細書において、Ｍｅはメチル基を表し、Ｅｔはエチル基を表し、ｎ−Ｐｒはｎ−プロピル基を表し、ｉ−Ｐｒはｉｓｏ−プロピル基を表し、ｎ−Ｂｕはｎ−ブチル基を表し、ｔＢｕ、ｔ−Ｂｕおよびｔ−ブチル基はｔｅｒｔ−ブチル基を表し、ｔ−ｏｃｔｙｌは下記式で表される基を表す。また、本明細書において、水素原子は重水素原子であってもよい。

＜金属錯体＞
まず、本発明の金属錯体について説明する。
本発明の金属錯体は、ベンゼン環及びトリアゾール環から構成されるｍ個の配位子を有する金属錯体であり、具体的には前記式（１）で表されるものである。

前記式（１）で表される金属錯体は、添え字ｍでその数を定義されている配位子と、添え字ｎでその数を定義されている前記式（２）で表される２座配位子から構成されている。なお、以下において、単に「配位子」という場合には、添え字ｍでその数を定義されている配位子と、添え字ｎでその数を定義されている２座配位子の両方を意味する。

前記式（１）中、ｍは１〜３の整数であり、ｎは０〜２の整数であり、ｍ＋ｎは２又は３であり、好ましくはｎは０又は１であり、より好ましくはｎは０である。ただし、金属原子Ｍに結合できる配位子の合計数であるｍ＋ｎは、金属原子Ｍの価数を満たすものとする。例えば、金属原子がイリジウム原子の場合、ｍは１、２又は３であり、ｎは０、１又は２であり、かつ、ｍ＋ｎは３である。好ましくは、ｍ＝３かつｎ＝０、又は、ｍ＝２かつｎ＝１であり、より好ましくは、ｍ＝３かつｎ＝０である。なお、金属原子Ｍは、トリアゾール環の窒素原子と配位結合が可能であり、かつ、ベンゼン環の炭素原子と共有結合が可能であり、Ｍから伸びている実線は、このような結合を示す（以下同様。）。

前記式（１）で表される金属錯体は、好ましくは、下記式（３）で表される金属錯体（即ち、ｎ＝０）である。

［式中、Ｍ、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５、Ｒ^Ｐ６及びｍは、前記と同じ意味を表す。］

本発明の金属錯体において、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。Ｒ^Ｐ１とＲ^Ｐ２は結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環構造を形成していてもよく、Ｒ^Ｐ２とＲ^Ｐ３は結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環構造を形成していてもよく、Ｒ^Ｐ３とＲ^Ｐ４が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環構造を形成していてもよい。ただし、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３及びＲ^Ｐ４の少なくとも一つは後述のデンドロンであり、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６の少なくとも一つは、アリール基又は１価の複素環基である。

Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６は、好ましくは水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基又は１価の複素環基である。

Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６の少なくとも一つは、アリール基又は１価の複素環基であり、好ましくは、Ｒ^Ｐ５がアリール基又は１価の複素環基である。１価の複素環基としては、１価の芳香族複素環基が好ましい。Ｒ^Ｐ５は、より好ましくはアリール基であり、さらにより好ましくは置換基を有していてもよいフェニル基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルキルオキシ基を置換基として有するフェニル基または炭素数１〜１２のアルキル基を置換基として有するフェニル基である。Ｒ^Ｐ５がアリール基又は１価の複素環基である場合、Ｒ^Ｐ６はアルキル基であることが好ましい。

本発明の金属錯体は、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３及びＲ^Ｐ４の少なくとも一つは、有機溶媒に対する溶解性、塗布成膜性を向上させるため、又は／及び、更なる機能性（例えば、電荷輸送性）を導入するため、デンドロンである。

本発明では、デンドロンとは、原子又は環を分岐点とする規則的な樹枝状分岐構造（デンドリマー構造）を有する基である。本発明の金属錯体は、当該原子又は環が、式（１）中のベンゼン環を構成する炭素原子に直接的に結合しているものであり、当該環が、式（１）中のベンゼン環を構成する炭素原子に直接結合していることが好ましい。デンドロンを有する高度に枝分かれした巨大分子はデンドリマーと呼ばれることがあり、例えば、ＷＯ０２／０６６５７５、ＷＯ０２／０６６５５２、ＷＯ０２／０６７３４３等において紹介されており、種々の機能を付与することを目的として設計及び合成がされている。このようなデンドロンとしては、例えば、下記式（Ｄ−ａ）で表される単位構造を有する基、および下記式（Ｄ−ｂ）で表される単位構造を有する基が挙げられる。好ましくは、デンドロンは、下記式（Ｄ−ａ）で表される単位構造を有する基である。

［式中、＊、＊＊及び＊＊＊は結合手を表し、Ｘは３価の原子又は３価の環を表し、Ｘは３価の環であることが好ましい。］

［式中、＊、＊＊、＊＊＊及び＊＊＊＊は結合手を表し、Ｋは４価の原子又は４価の環を表し、Ｋは４価の環であることが好ましい。］

上述したとおり、本発明の金属錯体は、デンドロンを構成するＸで表される３価の原子又は３価の環、あるいはＫで表される４価の原子又は４価の環が、結合手＊を介して、式（１）中のベンゼン環を構成する炭素原子に直接的に結合することを特徴とする。したがって、Ｘで表される３価の原子又は３価の環、あるいはＫで表される４価の原子又は４価の環が、結合手＊を介して、式（１）中のフェニル環を構成する炭素原子に直接的に結合していない構造、例えば、下記式（Ｄ−ａ’）で表される単位構造や、下記式（Ｄ−ｂ’）で表される単位構造が結合手＊を介して、式（１）中のベンゼン環を構成する炭素原子に直接的に結合を有する構造は、本発明の金属錯体に該当しない。

［式中、＊、＊＊及び＊＊＊は結合手を表し、Ｘは３価の原子又は３価の環を表し、Ｌは２価の原子又は２価の環を表す。］

［式中、＊、＊＊、＊＊＊及び＊＊＊＊は結合手を表し、Ｋは４価の原子又は４価の環を表し、Ｌは２価の原子又は２価の環を表す。］

前記式（Ｄ−ａ）中、Ｘで表される原子は、３価の原子であり、例えば、窒素原子、リン原子、１個の水素原子と結合した炭素原子、及び１個の水素原子と結合した珪素原子が挙げられる。
Ｘで表される環は、３価の環であり、例えば、３価の非芳香族炭化水素基、３価の芳香族炭化水素基、及び３価の複素環基が挙げられる。３価の非芳香族炭化水素基は、例えば、３価のシクロアルカン基であってもよい。３価のシクロアルカン基は、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６について後述する環状のアルキル基から２個の水素原子を除いたものと同様であり、例及び好ましい例もまた、そのような環状のアルキル基に準ずる。３価の芳香族炭化水素基は、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６について後述するアリール基から２個の水素原子を除いたものと同様であり、例及び好ましい例もまた、そのようなアリール基に準ずる。３価の複素環基は、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６について後述する１価の複素環基から２個の水素原子を除いたものと同様であり、例及び好ましい例もまた、そのような１価の複素環基に準ずる。Ｘで表される原子又は環は、好ましくは３価の芳香族炭化水素基又は３価の複素環基であり、より好ましくは３価の芳香族炭化水素基又は３価の芳香族複素環基であり、さらにより好ましくは３価の芳香族炭化水素基であり、特に好ましくはベンゼン環の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子３個を除いた３価の基である。

前記式（Ｄ−ｂ）中、Ｋで表される原子は、４価の原子であり、例えば、炭素原子及び珪素原子が挙げられる。Ｋで表される環は、４価の環であり、例えば、４価の非芳香族炭化水素基、４価の芳香族炭化水素基、及び４価の複素環基が挙げられる。４価の非芳香族炭化水素基は、例えば、４価のシクロアルカン基であってもよい。４価のシクロアルカン基は、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６について後述する環状のアルキル基から３個の水素原子を除いたものと同様であり、例及び好ましい例もまた、そのような環状のアルキル基に準ずる。４価の芳香族炭化水素基は、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６について後述するアリール基から３個の水素原子を除いたものと同様であり、例及び好ましい例もまた、そのようなアリール基に準ずる。４価の複素環基は、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６について後述する１価の複素環基から３個の水素原子を除いたものと同様であり、例及び好ましい例もまた、そのような１価の複素環基に準ずる。Ｘで表される原子又は環は、好ましくは４価の芳香族炭化水素基又は４価の複素環基であり、より好ましくは４価の芳香族炭化水素基又は４価の芳香族複素環基であり、さらにより好ましくは４価の芳香族炭化水素基であり、特に好ましくはベンゼン環の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子４個を除いた４価の基である。

デンドリマー構造の分岐の次数は、「世代」と呼ばれる。デンドロンは、１以上の世代であるデンドリマー構造を有する限り特に限定されないが、世代数は、例えば１〜４であり、好ましくは１〜３であり、より好ましくは１又は２であり、さらに好ましくは１である。例えば、第１世代のデンドリマー構造を有するデンドロンは、下記式（Ｄ−ａ−ｇ１）又は下記式（Ｄ−ｂ−ｇ１）で表され、第２世代のデンドリマー構造を有するデンドロンは、下記式（Ｄ−ａ−ｇ２）又は下記式（Ｄ−ｂ−ｇ２）で表される。

［式中、＊は結合手を表す。Ｘは３価の原子又は３価の環を表し、３価の環であることが好ましい。２つのＧ^１ａは、１価の基を表し、互いに同一でも異なっていてもよい。］

［式中、＊は結合手を表す。Ｋは４価の原子又は４価の環を表し、４価の環であることが好ましい。３つのＧ^１ｂは、１価の基を表し、互いに同一でも異なっていてもよい。］

［式中、＊は結合手を表す。Ｘは３価の原子又は３価の環を表し、３価の環であることが好ましい。３つのＧ^１ａは、１価の基を表し、互いに同一でも異なっていてもよい。］

［式中、＊は結合手を表す。Ｋは４価の原子又は４価の環を表し、４価の環であることが好ましい。９つのＧ^１ｂは、１価の基を表し、互いに同一でも異なっていてもよい。］

前記式（Ｄ−ａ−ｇ１）及び（Ｄ−ａ−ｇ２）中、Ｘで表される３価の原子及び３価の環の定義、例及び好ましい例は、前記式（Ｄ−ａ）中のＸで表されるものと同様である。前記式（Ｄ−ｂ−ｇ１）及び（Ｄ−ｂ−ｇ２）中、Ｋで表される４価の原子及び４価の環の定義、例及び好ましい例は、前記式（Ｄ−ｂ）中のＫで表されるものと同様である。

前記式（Ｄ−ａ−ｇ１）、（Ｄ−ａ−ｇ２）、（Ｄ−ｂ−ｇ１）及び（Ｄ−ｂ−ｇ２）中、Ｇ^１ａ又はＧ^１ｂで表される１価の基は、アリール基又は１価の複素環基である。Ｇ^１ａ又はＧ^１ｂで表されるこれらの基の定義、例及び好ましい例は、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６について後述するこれらの基と同様である。Ｇ^１ａ又はＧ^１ｂで表される１価の基は、好ましくはアリール基又は１価の芳香族複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、さらに好ましくはフェニル基である。Ｇ^１ａ又はＧ^１ｂで表される１価の基はさらに、１〜５個の置換基により置換されていてもよい。このような置換基としては、例えば、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で後述する、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、及びシアノ基が挙げられ、好ましくはアルキル基又はアルキルオキシ基であり、より好ましくはアルキル基である。
前記式（Ｄ−ａ−ｇ１）及び（Ｄ−ａ−ｇ２）中、複数個存在するＧ^１ａは同一であっても異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。前記式（Ｄ−ａ−ｇ１）及び（Ｄ−ａ−ｇ２）で表されるデンドロンは、結合手＊からＸに伸びる軸を中心として回転した場合に対称的な基であってもよい。
前記式（Ｄ−ｂ−ｇ１）及び（Ｄ−ｂ−ｇ２）中、複数個存在するＧ^１ｂは同一であっても異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。

好ましくは、デンドロンは、下記式（Ｄ−１）又は（Ｄ−２）で表されるデンドロンであり、より好ましくは、下記式（Ｄ−１）で表されるデンドロンである。

［式中、
＊は結合手を表す。
Ｒ^１は、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。Ｒ^１が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
ｎ’は、０〜５の整数である。複数個存在するｎ’は、同一であっても異なっていてもよい。］

前記式（Ｄ−１）及び（Ｄ−２）中、Ｒ^１で表されるハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基及び置換カルボキシル基の定義、例及び好ましい例は、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６について後述した基のものと同様であり、好ましくはアルキル基又はアルキルオキシ基であり、より好ましくはアルキル基である。Ｒ^１が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。

前記式（Ｄ−１）及び（Ｄ−２）中、ｎ’は、０〜５の整数であり、好ましくは０〜３であり、より好ましくは０〜２であり、さらに好ましくは０又は１である。

本発明の金属錯体においては、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３及びＲ^Ｐ４の少なくとも一つがデンドロンである。配位子のベンゼン環におけるデンドロンの置換位置については、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３及びＲ^Ｐ４のいずれであってもよいが、Ｒ^Ｐ２又はＲ^Ｐ３の位置であることが好ましく、Ｒ^Ｐ３の位置がさらに好ましい。
配位子のトリアゾール環にデンドロンが導入されていてもよい。デンドロンの置換位置は、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６のいずれであってもよいが、好ましくはＲ^Ｐ５の位置である。

本発明の金属錯体の金属原子となる金属原子Ｍは、ルテニウム原子、ロジウム原子、パラジウム原子、オスミウム原子、イリジウム原子又は白金原子である。これらの金属原子は、金属錯体にスピン−軌道相互作用を及ぼし、一重項状態と三重項状態間の系間交差を起こし得るものである。金属原子Ｍは、好ましくはオスミウム原子、イリジウム原子又は白金原子であり、さらに好ましくはイリジウム原子又は白金原子であり、特に好ましくはイリジウム原子である。

以下、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表される基を説明する。

Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表されるハロゲン原子の例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子であることが好ましい。

Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表されるアルキル基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよい。直鎖状のアルキル基の炭素数は、通常１〜１２であり、好ましくは３〜１０である。また、分岐状及び環状のアルキル基における炭素数は、通常３〜１２であり、好ましくは３〜１０である。なお、アルキル基は、置換基を有していてもよいが、置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
このようなアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基等が挙げられ、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。

Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表されるアルキルオキシ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよい。直鎖状のアルキルオキシ基の炭素数は、通常１〜１２であり、好ましくは３〜１０である。また、分岐状及び環状のアルキルオキシ基の炭素数は、通常３〜１２であり、好ましくは３〜１０である。アルキルオキシ基は、置換基を有していてもよいが、置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
このようなアルキルオキシ基の例としては、メチルオキシ基、エチルオキシ基、プロピルオキシ基、ｉｓｏ−プロピルオキシ基、ブチルオキシ基、ｉｓｏ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメチルオキシ基、ペンタフルオロエチルオキシ基、パーフルオロブチルオキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基、メチルオキシメチルオキシ基、２−メチルオキシエチルオキシ基等が挙げられ、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。

Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表されるアルキルチオ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよい。直鎖状のアルキルチオ基の炭素数は、通常１〜１２であり、好ましくは３〜１０である。また、分岐状及び環状のアルキルチオ基の炭素数は、通常３〜１２であり、好ましくは３〜１０である。アルキルチオ基は、置換基を有していてもよいが、置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
このようなアルキルチオ基の例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ｉｓｏ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、ｉｓｏ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等が挙げられ、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。

Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表されるアリール基は、炭素数が、通常６〜６０であり、好ましくは６〜４８である。アリール基は、置換基を有していてもよいが、置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
このようなアリール基の例としては、フェニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニル基（「Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシ」は、アルキルオキシ部分の炭素数が１〜１２であることを意味する。以下、同様である。）、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル基（「Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル」は、アルキル部分の炭素数が１〜１２であることを意味する。以下、同様である。）、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基等が挙げられ、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル基が好ましい。ここで、アリール基とは、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた原子団である。この芳香族炭化水素としては、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環及び又は縮合環から選ばれる２個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものが含まれる。

上述のＣ_１〜Ｃ_１２アルキルは、炭素数１〜１２のアルキルであり、前記アルキル基で説明し、例示したものと同様である。したがって、例えば、前記基におけるＣ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシとしては、メチルオキシ、エチルオキシ、プロピルオキシ、ｉｓｏ−プロピルオキシ、ブチルオキシ、ｉｓｏ−ブチルオキシ、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシ等が挙げられる。また、前記基におけるＣ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニルとしては、メチルフェニル、エチルフェニル、ジメチルフェニル、プロピルフェニル、メシチル、メチルエチルフェニル、ｉｓｏ−プロピルフェニル、ブチルフェニル、ｉｓｏ−ブチルフェニル、ｔｅｒｔ−ブチルフェニル、ペンチルフェニル、イソアミルフェニル、ヘキシルフェニル、ヘプチルフェニル、オクチルフェニル、ノニルフェニル、デシルフェニル、ドデシルフェニル等が挙げられる。以下同様である。

Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表されるアリールオキシ基は、炭素数が、通常６〜６０であり、好ましくは７〜４８である。アリールオキシ基は、置換基を有していてもよいが、置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
このようなアリールオキシ基の例としては、フェニルオキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニルオキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基等が挙げられ、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニルオキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニルオキシ基が好ましい。

Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表されるアリールチオ基は、炭素数が、通常６〜６０であり、好ましくは７〜４８である。アリールチオ基は、置換基を有していてもよいが、置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
このようなアリールチオ基の例としては、フェニルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基等が挙げられ、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニルチオ基が好ましい。

Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表されるアリールアルキル基は、炭素数が、通常７〜６０であり、好ましくは７〜４８である。アリールアルキル基は、置換基を有していてもよいが、置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
このようなアリールアルキル基の例としては、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基等が挙げられ、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基が好ましい。

Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表されるアリールアルキルオキシ基は、炭素数が、通常７〜６０であり、好ましくは７〜４８である。アリールアルキルオキシ基は、置換基を有していてもよいが、置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
このようなアリールアルキルオキシ基の例としては、フェニルメチルオキシ基、フェニルエチルオキシ基、フェニルブチルオキシ基、フェニルペンチルオキシ基、フェニルヘキシルオキシ基、フェニルヘプチルオキシ基、フェニルオクチルオキシ基等のフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシ基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシ基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシ基等が挙げられ、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシ基が好ましい。

Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表されるアリールアルキルチオ基は、炭素数が、通常７〜６０であり、好ましくは７〜４８である。アリールアルキルチオ基は、置換基を有していてもよいが、置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
このようなアリールアルキルチオ基の例としては、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基等が挙げられ、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基が好ましい。

Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表されるアシル基は、炭素数が、通常２〜２０であり、好ましくは２〜１８である。アシル基は、置換基を有していてもよいが、置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
このようなアシル基の例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基等が挙げられる。

Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表されるアシルオキシ基は、炭素数が、通常２〜２０であり、好ましくは２〜１８である。アシルオキシ基は、置換基を有していてもよいが、置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
このようなアシルオキシ基の例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基等が挙げられる。

Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表されるカルバモイル基は、置換基を有していてもよく、置換基の炭素数を含めた炭素数が、通常１〜２０であり、好ましくは２〜１８である（即ち、一般式：ＮＲ^ａＲ^ｂ−ＣＯ−で表され、Ｒ^ａ及びＲ^ｂは、それぞれ独立に、水素原子または後述する置換基を表す。）。
このようなカルバモイル基の例としては、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノカルボニル基等が挙げられる。

Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表されるアミド基は、置換基を有していてもよく、置換基の炭素数を含めた炭素数が、通常１〜２０であり、好ましくは２〜１８である（即ち、一般式：Ｒ^ｃ−ＣＯ−ＮＲ^ｄ−で表され、Ｒ^ｃ及びＲ^ｄは、それぞれ独立に、水素原子または後述する置換基を表す）。
このようなアミド基の例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基等が挙げられる。

Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表される酸イミド基とは、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を１個除いて得られる１価の残基を意味する。この酸イミド基は、炭素数が、通常２〜６０であり、好ましくは２〜４８である。酸イミド基は、置換基を有していてもよいが、置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
このような酸イミド基の例としては、以下の構造式で示される基等が挙げられる。

［式中、窒素原子から延びた線は結合手を表し、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、ｎ−Ｐｒはｎ−プロピル基を表す。以下、同様である。］

Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表されるイミン残基とは、イミン化合物（即ち、分子内に−Ｎ＝Ｃ−を持つ有機化合物である。その例としては、アルジミン、ケチミン、及び、これらの分子中の窒素原子に結合した水素原子が、アルキル基等で置換された化合物等が挙げられる。）から水素原子１個を除いた１価の残基を意味する。このイミン残基は、炭素数が、通常２〜２０であり、好ましくは２〜１８である。イミン残基は、置換基を有していてもよいが、置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
このようなイミン残基の例としては、以下の構造式で示される基等が挙げられる。

［式中、ｉ−Ｐｒはｉｓｏ−プロピル基、ｎ−Ｂｕはｎ−ブチル基、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表す。波線で示した結合は、「楔形で表される結合」及び／又は「破線で表される結合」であることを意味する。ここで、「楔形で表される結合」とは、紙面からこちら側に向かって出ている結合を意味し、「破線で表される結合」とは、紙面の向こう側に出ている結合を意味する。］

Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表される置換アミノ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選ばれる１個又は２個の基で置換されたアミノ基を意味する。アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基は、置換基を有していてもよいが、該置換基の炭素数は、置換アミノ基の炭素数に含まれない。置換アミノ基の炭素数は、通常１〜６０であり、好ましくは２〜４８である。
このような置換アミノ基の例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ｉｓｏ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｉｓｏ−ブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基等が挙げられる。

Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表される置換シリル基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリル基を意味する。アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基は置換基を有していてもよいが、該置換基の炭素数は、置換シリル基の炭素数に含まれない。置換シリル基の炭素数は、通常１〜６０であり、好ましくは３〜４８である。
このような置換シリル基の例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−ｉｓｏ−プロピルシリル基、ジメチル−ｉｓｏ−プロピルシリル基、ジエチル−ｉｓｏ−プロピルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基等が挙げられる。

Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表される置換シリルオキシ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリルオキシ基を意味する。置換シリルオキシ基は、炭素数が、通常１〜６０であり、好ましくは３〜４８である。アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基は置換基を有していてもよいが、該置換基の炭素数は、置換シリルオキシ基の炭素数に含まれない。
このような置換シリルオキシ基の例としては、トリメチルシリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ基、トリプロピルシリルオキシ基、トリ−ｉｓｏ−プロピルシリルオキシ基、ジメチル−ｉｓｏ−プロピルシリルオキシ基、ジエチル−ｉｓｏ−プロピルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルシリルジメチルシリルオキシ基、ペンチルジメチルシリルオキシ基、ヘキシルジメチルシリルオキシ基、ヘプチルジメチルシリルオキシ基、オクチルジメチルシリルオキシ基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリルオキシ基、ノニルジメチルシリルオキシ基、デシルジメチルシリルオキシ基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリルオキシ基、ラウリルジメチルシリルオキシ基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリルオキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリルオキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリルオキシ基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリルオキシ基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリルオキシ基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルジメチルシリルオキシ基、トリフェニルシリルオキシ基、トリ−ｐ−キシリルシリルオキシ基、トリベンジルシリルオキシ基、ジフェニルメチルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基、ジメチルフェニルシリルオキシ基等が挙げられる。

Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表される置換シリルチオ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリルチオ基を意味する。置換シリルチオ基は、炭素数が、通常１〜６０であり、好ましくは３〜４８である。アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基は置換基を有していてもよいが、該置換基の炭素数は、置換シリルチオ基の炭素数に含まれない。
このような置換シリルチオ基の例としては、トリメチルシリルチオ基、トリエチルシリルチオ基、トリプロピルシリルチオ基、トリ−ｉｓｏ−プロピルシリルチオ基、ジメチル−ｉｓｏ−プロピルシリルチオ基、ジエチル−ｉｓｏ−プロピルシリルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルシリルジメチルシリルチオ基、ペンチルジメチルシリルチオ基、ヘキシルジメチルシリルチオ基、ヘプチルジメチルシリルチオ基、オクチルジメチルシリルチオ基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリルチオ基、ノニルジメチルシリルチオ基、デシルジメチルシリルチオ基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリルチオ基、ラウリルジメチルシリルチオ基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリルチオ基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリルチオ基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリルチオ基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルジメチルシリルチオ基、トリフェニルシリルチオ基、トリ−ｐ−キシリルシリルチオ基、トリベンジルシリルチオ基、ジフェニルメチルシリルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルチオ基、ジメチルフェニルシリルチオ基等が挙げられる。

Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表される置換シリルアミノ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリルアミノ基を意味する。置換シリルアミノ基の炭素数は、通常、１〜６０程度であり、好ましくは３〜４８である。該アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アリールアルキルアミノ基又は１価の複素環アミノ基は置換基を有していてもよいが、該置換基の炭素数は、置換シリルアミノ基の炭素数に含まれない。
このような置換シリルアミノ基の例としては、トリメチルシリルアミノ基、トリエチルシリルアミノ基、トリプロピルシリルアミノ基、トリ−ｉｓｏ−プロピルシリルアミノ基、ジメチル−ｉｓｏ−プロピルシリルアミノ基、ジエチル−ｉｓｏ−プロピルシリルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルシリルジメチルシリルアミノ基、ペンチルジメチルシリルアミノ基、ヘキシルジメチルシリルアミノ基、ヘプチルジメチルシリルアミノ基、オクチルジメチルシリルアミノ基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリルアミノ基、ノニルジメチルシリルアミノ基、デシルジメチルシリルアミノ基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリルアミノ基、ラウリルジメチルシリルアミノ基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリルアミノ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリルアミノ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリルアミノ基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリルアミノ基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルジメチルシリルアミノ基、トリフェニルシリルアミノ基、トリ−ｐ−キシリルシリルアミノ基、トリベンジルシリルアミノ基、ジフェニルメチルシリルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルオアミノ基、ジメチルフェニルシリルアミノ基等が挙げられる。

Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表される１価の複素環基とは、複素環式化合物から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。１価の複素環基の炭素数は、通常４〜６０であり、好ましくは４〜２０である。１価の複素環基は、置換基を有していてもよいが、置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。ここで、複素環式化合物とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、燐原子、硼素原子等のヘテロ原子を含むものをいう。
このような１価の複素環基の例としては、チエニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基等の１価の芳香族複素環基、およびピロリジニル、ピペリジニル、ピペラジニル、ピラニル、テトラヒドロピラニル等の一価の非芳香族複素環基が挙げられるが、１価の芳香族複素環基が好ましい。１価の芳香族複素環基としては、上述した基のなかでも、チエニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルピリジル基が好ましい。

Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表されるヘテロアリールオキシ基は、炭素数が、通常６〜６０であり、好ましくは７〜４８である。ヘテロアリールオキシ基は、置換基を有していてもよいが、置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
このようなヘテロアリールオキシ基の例としては、チエニルオキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシチエニルオキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチエニルオキシ基、ピリジルオキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシピリジルオキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルピリジルオキシ基、イソキノリルオキシ基等が挙げられ、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシピリジルオキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルピリジルオキシ基が好ましい。

上述のＣ_１〜Ｃ_１２アルキルピリジルオキシ基としては、メチルピリジルオキシ基、エチルピリジルオキシ基、ジメチルピリジルオキシ基、プロピルピリジルオキシ基、１，３，５−トリメチルピリジルオキシ基、メチルエチルピリジルオキシ基、ｉｓｏ−プロピルピリジルオキシ基、ブチルピリジルオキシ基、ｉｓｏ−ブチルピリジルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルピリジルオキシ基、ペンチルピリジルオキシ基、イソアミルピリジルオキシ基、ヘキシルピリジルオキシ基、ヘプチルピリジルオキシ基、オクチルピリジルオキシ基、ノニルピリジルオキシ基、デシルピリジルオキシ基、ドデシルピリジルオキシ基等が挙げられる。

Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表されるヘテロアリールチオ基は、炭素数が、通常６〜６０程度であり、好ましくは７〜４８である。ヘテロアリールチオ基は、置換基を有していてもよいが、置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
このようなヘテロアリールチオ基の例としては、ピリジルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシピリジルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルピリジルチオ基、イソキノリルチオ基等が挙げられ、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシピリジルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルピリジルチオ基が好ましい。

Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表されるアリールアルケニル基は、炭素数が、通常７〜６０であり、好ましくは７〜４８である。アリールアルケニル基は、置換基を有していてもよいが、置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
このようなアリールアルケニル基の例としては、フェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルケニル基（「Ｃ_２〜Ｃ_１２アルケニル」は、アルケニル部分の炭素数が２〜１２であることを意味する。以下、同様である。）、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルケニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルケニル基等が挙げられ、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルケニル基、Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルケニル基が好ましい。

上述のＣ_２〜Ｃ_１２アルケニルの例としては、エテニル、１−プロペニル、２−プロペニル、２−メチル−１−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、３−メチル−２−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、４−メチル−３−ペンテニル、１−ヘキセニル、３−ヘキセニル、５−ヘキセニル等が挙げられる。

Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表されるアリールアルキニル基は、炭素数が、通常７〜６０であり、好ましくは７〜４８である。アリールアルキニル基は、置換基を有していてもよいが、置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
このようなアリールアルキニル基の例としては、フェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル基（「Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル」は、アルキニル部分の炭素数が２〜１２であることを意味する。以下、同様である。）、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル基等が挙げられ、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル基が好ましい。

上述のＣ_２〜Ｃ_１２アルキニルの例としては、エチニル、１−プロピニル、２−プロピニル、１−ブチニル、２−ブチニル、３−ブチニル、１−ペンチニル、２−ペンチニル、３−ペンチニル、４−ペンチニル、１−ヘキシニル、２−ヘキシニル、３−ヘキシニル、４−ヘキシニル、５−ヘキシニル、１−ヘプチニル、１−オクチニル等が挙げられる。

Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表される置換カルボキシル基（一般式：Ｒ^ｅ−Ｏ−ＣＯ−で表され、Ｒ^ｅはアルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表す。）は、炭素数が、通常１〜６０であり、好ましくは２〜４８であり、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基で置換されたカルボキシル基を意味する。該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は、置換基を有していてもよいが、置換基の炭素数は上記炭素数には含まれない。
このような置換カルボキシル基の例としては、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、プロピルオキシカルボニル基、ｉｓｏ−プロピルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、ｉｓｏ−ブチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシルオキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメチルオキシカルボニル基、ペンタフルオロエチルオキシカルボニル基、パーフルオロブチルオキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基等が挙げられる。

上述した基が置換基を有する場合、置換基の例としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基又はシアノ基が挙げられる。これらの基の詳細は、上記で説明し、例示したものと同様である。置換基として好ましくは、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアルキル基、アリール基又は１価の複素環基である。上述した基が置換基を有する場合、置換基の個数は、通常、１〜３個であり、好ましくは１〜２個であり、より好ましくは１個である。

本発明の金属錯体は、前記Ｒ^Ｐ１〜Ｒ^Ｐ４のいずれかが、電子吸引性の性質を有する置換基であってもよく、例えば、フッ素原子又はフッ素原子を含有する置換基であってもよい。本発明におけるフッ素原子又はフッ素原子を含有する置換基は、Ｃ_ｐＦ_ｑＨ_ｒＯ_ｓで示される１価の基を表す。ここで、ｐは１〜１０から選ばれる整数を表し、ｑは１〜（２ｐ＋１）から選ばれる整数を表し、ｒは０〜（２ｐ＋１）から選ばれる整数を表し、ｓは０又は１であり、下記式（Ｆ１）〜（Ｆ１４）及び下記式（Ｆ２４）〜（Ｆ３２）で示される基を例示することができる。

本発明の金属錯体の化学的安定性の観点から、上記のＣ_ｐＦ_ｑＨ_ｒＯ_ｓで示される１価の基において、ｓは０であることが好ましく、上記式（Ｆ１）〜（Ｆ１４）で示される基であることが好ましい。

前記式（２）で表される部分である２座配位子としては、２座の配位子であれば特に限定されないが、本発明の金属錯体が中性であるようにモノアニオン性であることが好ましい。例えば、以下の構造が挙げられる。

好ましい実施形態では、本発明の金属錯体は、下記式（１ａ）又は（１ｂ）で表されるＲ^Ｐ２又はＲ^Ｐ３がデンドロンである構造を有する金属錯体である。より好ましくは、本発明の金属錯体は、下記式（１ｃ）に表されるＲ^Ｐ３がデンドロンであり、かつＲ^Ｐ５がアリール基である金属錯体である。

［式中、Ｍ、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ６、Ｒ^ｘ、Ｒ^ｙ、ｍ及びｎは、前記と同じ意味を表す。ＤＥＮＤは、デンドロンを表す。］

［式中、Ｍ、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ６、Ｒ^ｘ、Ｒ^ｙ、ｍ、ｎ及びＤＥＮＤは、前記と同じ意味を表す。Ａｒ^５は、アリール基を表す。］

本発明の金属錯体の発光スペクトルのピーク波長は、特に限定されないが、好ましくは４３０ｎｍ〜６３０ｎｍである。より好ましくは、４３０ｎｍ〜５８０ｎｍであり、さらに好ましくは、４３０ｎｍ〜５３０ｎｍであり、特に好ましくは４３０ｎｍ〜４９０ｎｍである。

本発明の金属錯体の発光スペクトルのピーク波長は、例えば、該金属錯体を、キシレン、トルエン、クロロホルム、テトラヒドロフラン等の有機溶媒に溶解させ、希薄溶液（溶液中の金属錯体の濃度は、例えば、１×１０^−６〜１×１０^−７ｍｏｌ／Ｌの範囲）を調製し、該希薄溶液のＰＬスペクトルを測定することで、評価し得る。

本発明の金属錯体の具体例としては、下記式で表されるような構造が挙げられる。

−錯体の製造方法−
次に、本発明の金属錯体の合成方法を説明する。
本発明の金属錯体は、例えば、配位子となる化合物と金属化合物とを溶液中で反応させることにより合成することができる。必要に応じて、反応系中に塩基、塩化銀化合物等が存在していてもよい。また、５−フェニル−１，２，４−トリアゾール誘導体を配位子に有する金属錯体と芳香族複素環式化合物とのカップリング反応により、本発明の金属錯体を合成することもできる。

錯体化の方法（即ち、配位子となる化合物と金属化合物とを溶液中で反応させる方法）としては、イリジウム原子を有する錯体の場合、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９８４，１０６，６６４７；Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９１，３０，１６８５；Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９４，３３，５４５；Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２００１，４０，１７０４；Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．，２００３，３２，２５２等に記載の方法が挙げられ、白金原子を有する錯体の場合、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１９８４，２３，４２４９；Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１９９９，１１，３７０９；Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，１９９９，１８，１８０１等に記載の方法が挙げられ、パラジウム原子を有する錯体の場合、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１９８７，５２，７３等に記載の方法が挙げられる。

錯体化の反応温度は、特に限定されないが、通常、溶媒の融点から沸点の間で反応させることができ、−７８℃〜溶媒の沸点が好ましい。反応時間は特に限定されないが、通常、３０分間から３０時間程度である。錯体化反応においてマイクロウェーブ反応装置を使用する場合、溶媒の沸点以上で反応させることもでき、反応時間は特に限定されないが、数分から数時間程度である。

前記配位子となる化合物は、例えば、５−フェニル−１，２，４−トリアゾールと芳香族複素環式化合物とのＳｕｚｕｋｉカップリング、Ｇｒｉｇｎａｒｄカップリング、Ｓｔｉｌｌｅカップリング等により合成することができる。必要に応じて有機溶媒に溶解し、例えば、塩基、適切な触媒等を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で反応させることにより合成することができる。この合成には、例えば、“オルガニック シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ）”、コレクティブ第６巻（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ Ｖｏｌｕｍｅ ＶＩ）、４０７−４１１頁、ジョンワイリー アンド サンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．）、１９８８年；ケミカル レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）、第１０６巻、２６５１頁（２００６年）；ケミカル レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）、第１０２巻、１３５９頁（２００２年）；ケミカル レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）、第９５巻、２４５７頁（１９９５年）；ジャーナル オブ オルガノメタリック ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．）、第５７６巻、１４７頁（１９９９年）等に記載の方法を用いることができる。

前記芳香族複素環式化合物は、“ＨＯＵＢＥＮ−ＷＥＹＬ ＭＥＴＨＯＤＳ ＯＦ ＯＲＧＡＮＩＣ ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ ４^ＴＨ ＥＤＩＴＩＯＮ”，第Ｅ９ｂ巻、１頁、ＧＥＯＲＧ ＴＨＩＥＭＥ ＶＥＲＬＡＧ ＳＴＵＴＴＧＡＲＴ；ＨＯＵＢＥＮ−ＷＥＹＬ ＭＥＴＨＯＤＳ ＯＦ ＯＲＧＡＮＩＣ ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ ４^ＴＨ ＥＤＩＴＩＯＮ，第Ｅ９ｃ巻、６６７頁、ＧＥＯＲＧ ＴＨＩＥＭＥ ＶＥＲＬＡＧ ＳＴＵＴＴＧＡＲＴ等に記載の方法で合成することができる。

得られた化合物の同定・分析は、ＣＨＮ元素分析、ＮＭＲ分析、ＭＳ分析及びＸ線結晶構造解析により行うことができる。

＜組成物＞
本発明の組成物は、本発明の金属錯体と電荷輸送材料を含むものであり、発光材料を更に含んでいてもよい。

前記電荷輸送材料は、正孔輸送材料と電子輸送材料に分類され、具体的には有機化合物（低分子有機化合物及び／又は高分子有機化合物）を用いることができる。

前記正孔輸送材料としては、芳香族アミン、カルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体等、有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送材料として公知のものが挙げられる。前記電子輸送材料としては、有機エレクトロルミネッセンス素子に電子輸送材料として公知のもの、例えば、オキサジアゾール誘導体アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体が挙げられる。前記電荷輸送材料の低分子有機化合物とは、低分子有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられるホスト化合物、電荷輸送化合物を意味し、具体的には、例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（時任静士、安達千波矢、村田英幸共著、オーム社）１０７頁、月刊ティスプレイ（ｖｏｌ９、Ｎｏ９、２００３年２６−３０頁）、特開２００４−２４４４００号公報、特開２００４−２７７３７７号公報等に記載の化合物が挙げられる。これら電荷輸送材料の種類にもよるが、一般的には、金属錯体からの良好な発光を得るためには、これら電荷輸送材料の最低三重項励起エネルギーが、金属錯体の最低三重項励起エネルギーよりも大きいことが好ましい。

前記電荷輸送材料の低分子有機化合物としては、具体的には、下記化合物を挙げることができる。

前記電荷輸送材料の高分子有機化合物としては、非共役系高分子化合物、共役系高分子化合物が挙げられる。非共役系高分子化合物としては、ポリビニルカルバゾール等が挙げられる。共役系高分子化合物としては、主鎖に芳香環を含む高分子化合物が例として挙げられ、例えば、置換基を有していてもよいフェニレン基、置換基を有していてもよいフルオレンジイル基、置換基を有していてもよいジベンゾチオフェンジイル基、置換基を有していてもよいジベンゾフランジイル基、置換基を有していてもよいジベンゾシロールジイル基等を繰り返し単位として主鎖に含むものや、これらの基同士の共重合体が挙げられる。具体的には、置換基を有していてもよいベンゼン環を繰り返し単位の部分構造として有することを特徴とする高分子化合物が挙げられる。さらに具体的には、例えば、特開２００３−２３１７４１号公報、特開２００４−０５９８９９号公報、特開２００４−００２６５４号公報、特開２００４−２９２５４６号公報、ＵＳ５７０８１３０、ＷＯ９９／５４３８５、ＷＯ００／４６３２１、ＷＯ０２／０７７０６０、「有機ＥＬディスプレイ」（時任静士、安達千波矢、村田英幸 共著、オーム社）１１１頁、月刊ディスプレイ（ｖｏｌ．９、Ｎｏ．９、２００２年）４７−５１頁等に記載の高分子化合物が挙げられる。

前記電荷輸送材料の高分子有機化合物としては、下記式（Ｉ）で表される基を含むものが好ましい。
−Ａｒ− （Ｉ）
（式中、Ａｒは、アリーレン基、２価の複素環基又は２価の芳香族アミン基を表す。これらの基は、置換基を有していてもよい。）

前記式（Ｉ）中、Ａｒで表されるアリーレン基としては、例えば、置換基を有していてもよいフェニレン基、置換基を有していてもよいナフチレン基又は下記式（４ａ）で表される２価の基が挙げられる。

（式中、
Ｐ環及びＱ環は、それぞれ独立に、芳香環を示すが、Ｐ環は存在してもしなくてもよい。２本の結合手は、Ｐ環が存在する場合には、Ｐ環上若しくはＱ環上に２本存在するか、又は、Ｐ環上及びＱ環上に１本ずつ存在し、Ｐ環が存在しない場合には、Ｙ^１を含む５員環上若しくはＱ環上に２本存在するか、又は、Ｙ^１を含む５員環上およびＱ環上に１本ずつ存在する。Ｐ環、Ｑ環及びＹ^１を含む５員環は、それぞれ独立に、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、カルバモイル基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる少なくとも一種の置換基を有していてもよい。
Ｙ^１は、−Ｃ（Ｒ^１１）（Ｒ^１２）−、−Ｃ（Ｒ^１４）（Ｒ^１５）−Ｃ（Ｒ^１６）（Ｒ^１７）−、−Ｃ（Ｒ^３２）＝Ｃ（Ｒ^３３）−を表す。Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１４〜Ｒ^１７、Ｒ^３２及びＲ^３３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表す。）

前記式（Ｉ）中、Ｐ環、Ｑ環、及びＹ^１を含む５員環が有していてもよい置換基であるアルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、カルバモイル基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基は、前記Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表される基として説明し例示したものと同じである。

前記式（Ｉ）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１４〜Ｒ^１７、Ｒ^３２及びＲ^３３で表されるアルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基及びハロゲン原子は、前記Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表される基として説明し例示したものと同じである。

前記式（Ｉ）中、Ａｒで表される２価の複素環基とは、複素環式化合物から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、該基は置換基を有していてもよい。複素環式化合物とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素原子、窒素原子、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、リン原子、ホウ素原子、硫黄原子、セレン原子及びテルル原子からなる群から選ばれる原子を一種以上有するものをいう。２価の複素環基の中では、２価の芳香族複素環基が好ましい。２価の複素環基の置換基を除いた部分の炭素数は、通常３〜６０である。２価の複素環基の置換基を含めた全炭素数は、通常３〜１００である。

前記式（Ｉ）中、Ａｒで表されるアリーレン基としてはまた、下記式（５）で表される２価の基が挙げられる。

ここで、ｐは０、１、２、３、又は４であり、好ましくは１又は２である。Ｒ^５ａは、置換基を表し、例えばＣ_１−２０のアルキル基、置換基を有していても良いフェニル基が挙げられる。Ｒ^５ａが複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
式（５）で表される基は、１，４結合、１，２結合、又は１，３結合のいずれであっても良い。好ましい例としては、前記式（５）で表される基が、１，３結合であり、ｐが０、１、２又は３である基が挙げられ、より好ましい例としては、下記式（５ａ）で表される構造である場合が挙げられる。

前記電荷輸送性材料は、正孔輸送性材料と電子輸送性材料に分類される。電子輸送性材料としては、下記式（７）で表される基を有する材料が挙げられる。

ここで、Ａｒ^４及びＡｒ^５は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、Ａｒ^６は、アリール基又は１価の複素環基を表し、ｚは、０、１、２又は３を表し、Ｙは、窒素原子又は−Ｃ（Ｒ^７ａ）＝を表す。ここで、Ｒ^７ａは水素原子又は置換基を表す。該置換基の好ましい例としては、Ｃ_１−１０アルキル基が挙げられる。

Ａｒ^４及びＡｒ^５は、置換基を有していてもよいフェニレン基であることが好ましい。Ａｒ^６は、置換基を有していてもよいフェニル基であることが好ましく、Ｃ_１−２０アルキル基を置換基として有するフェニル基であることが好ましい。

Ｙは、３つのＹがすべて窒素原子である場合が好ましい。３つのＹがすべて−Ｃ（Ｒ^７ａ）＝である場合、Ａｒ^４、Ａｒ^５及びＡｒ^６の少なくとも一つが窒素原子を含有する複素環基であることが好ましい。

Ａｒ^４、Ａｒ^５及びＡｒ^６は、置換基を有していてもよい。該置換基としては、Ｃ_１−２０アルキル基及びＣ_１−２０アルコキシ基が挙げられる。

電荷輸送性基（以下、「ＣＴ」と表すこともある。）は、重合時の繰り返し単位であってもよく、また一つ以上のＣＴを含むより大きな繰り返し単位であってもよい。該一つ以上のＣＴを含むより大きな繰り返し単位としては、下記式（８）で表される基が挙げられる。

ここで、ＣＴは電荷輸送性基を表し、Ａｒ^３はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい１価の複素環基を表し、ｑは１以上の整数を表し、２個存在するｑは、互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｓｐは、Ａｒ^３とＣＴの間の共役を切断するようなスペーサとなる基を表す。

Ｓｐは、好ましくは分岐、直鎖又は環状のＣ_１−２０アルキレン基であり、より好ましくは直鎖のＣ_１−２０アルキレン基である。

ＣＴで表される基としては、前記式（７）で表される基が挙げられる。

Ａｒ^３は、好ましくは、置換基を有していてもよいアリール基であり、より好ましくは、置換基を有していてもよいフェニル又はフルオレンである。Ａｒ^３における置換基としては、Ｃ_１−２０アルキル基が挙げられる。

ｑは、好ましくは１である。

前記式（Ｉ）中、Ａｒで表される２価の複素環基としては、下記式（４ｂ）で表される２価の基が挙げられる。

（式中、
Ｐ’環及びＱ’環は、それぞれ独立に、芳香環を示すが、Ｐ’環は存在してもしなくてもよい。２本の結合手は、Ｐ’環が存在する場合には、Ｐ’環上若しくはＱ’環上に２本存在するか、又は、Ｐ’環上およびＱ環上に１本ずつ存在し、Ｐ’環が存在しない場合には、Ｙ^２を含む５員環上若しくはＱ’環上に２本存在するか、又は、Ｙ^２を含む５員環上及びＱ’環上に１本ずつ存在する。Ｐ’環、Ｑ’環及びＹ^２を含む５員環は、それぞれ独立に、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、カルバモイル基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる少なくとも一種の置換基を有していてもよい。
Ｙ^２は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−、−Ｂ（Ｒ^６）−、−Ｓｉ（Ｒ^７）（Ｒ^８）−、−Ｐ（Ｒ^９）−、−ＰＲ^１０（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ^１３）−、−Ｏ−Ｃ（Ｒ^１８）（Ｒ^１９）−、−Ｓ−Ｃ（Ｒ^２０）（Ｒ^２１）−、−Ｎ−Ｃ（Ｒ^２２）（Ｒ^２３）−、−Ｓｉ（Ｒ^２４）（Ｒ^２５）−Ｃ（Ｒ^２６）（Ｒ^２７）−、−Ｓｉ（Ｒ^２８）（Ｒ^２９）−Ｓｉ（Ｒ^３０）（Ｒ^３１）−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒ^３４）−又は−Ｓｉ（Ｒ^３５）＝Ｃ（Ｒ^３６）−を表す。Ｒ^６〜Ｒ^１０、Ｒ^１３、Ｒ^１８〜Ｒ^３１及びＲ^３４〜Ｒ^３６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表す。）

前記式中、Ｐ’環、Ｑ’環及びＹ^２を含む５員環が有してもよい置換基であるアルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、カルバモイル基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基は、前記Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表される基として説明し例示したものと同じである。

前記式中、Ｒ^６〜Ｒ^１０、Ｒ^１３、Ｒ^１８〜Ｒ^３１及びＲ^３４〜Ｒ^３６で表されるアルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基及びハロゲン原子は、前記Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表される基として説明し例示したものと同じである。

前記式（Ｉ）中、Ａｒで表される２価の芳香族アミン基とは、芳香族アミンから水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。２価の芳香族アミン基の炭素数は、通常、５〜１００程度であり、好ましくは１５〜６０である。なお、２価の芳香族アミン基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。

前記式（Ｉ）中、Ａｒで表される２価の芳香族アミン基としては、下記式（６）で表される２価の基が挙げられる。

［式中、
Ａｒ_６、Ａｒ_７、Ａｒ_８及びＡｒ_９は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表す。Ａｒ_１０、Ａｒ_１１及びＡｒ_１２は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表す。Ａｒ_６〜Ａｒ_１２は置換基を有していてもよい。
ｘ及びｙは、それぞれ独立に、０又は１である。］

前記式（６）中、Ａｒ_６〜Ａｒ_９で表されるアリーレン基は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた原子団であり、縮合環を持つもの、独立したベンゼン環及び縮合環から選ばれる２個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。該アリーレン基は置換基を有していてもよい。アリーレン基における置換基を除いた部分の炭素数は、通常６〜６０であり、好ましくは６〜２０である。アリーレン基の置換基を含めた全炭素数は、通常６〜１００程度である。

前記式（６）中、Ａｒ_６〜Ａｒ_９で表される２価の複素環基は、前記Ａｒで表される２価の複素環基として説明し例示したものと同じである。

前記式（６）中、Ａｒ_１０〜Ａｒ_１２で表されるアリール基及び１価の複素環基は、前記Ｒで表されるアリール基及び１価の複素環基として説明し例示したものと同じである。

前記式（６）中、アリーレン基、２価の複素環基、アリール基及び１価の複素環基が有してもよい置換基としては、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、カルバモイル基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基及びニトロ基が挙げられる。これらの置換基は、前記Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６で表される基として説明し例示したものと同じである。

前記式（４ａ）及び前記式（４ｂ）で表される基としては、
下記式（４−１）、下記式（４−２）又は下記式（４−３）で表される基、

〔式中、
Ａ環、Ｂ環及びＣ環は、それぞれ独立に、芳香環を表す。
Ｙは、前記Ｙ^１と同じ意味を表すか、又は、前記Ｙ^２と同じ意味を表す。
Ａ環、Ｂ環、Ｃ環およびＹを含む５員環は、それぞれ独立に、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、カルバモイル基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１個以上の置換基を有していてもよい。〕
下記式（４−４）又は下記式（４−５）で表される基、

〔式中、
Ｄ環、Ｅ環、Ｆ環及びＧ環は、それぞれ独立に、芳香環を表す。
Ｙは、前記Ｙ^１と同じ意味を表すか、又は、前記Ｙ^２と同じ意味を表す。
Ｄ環、Ｅ環、Ｆ環、Ｇ環およびＹを含む５員環は、それぞれ独立に、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、カルバモイル基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１個以上の置換基を有していてもよい。〕
が挙げられ、これらの中でも、式（４−４）又は前記式（４−５）で表される基であることが好ましい。

前記式（４−１）〜式（４−５）中、Ｙは、−Ｓ−、−Ｏ−、−Ｃ（Ｒ^１１）（Ｒ^１２）−又は−Ｎ（Ｒ^１３）−であることが、本発明の組成物を用いて製造される発光素子の発光効率の観点から好ましく、さらに好ましくは−Ｓ−、−Ｏ−又は−Ｎ（Ｒ^１３）−である。

前記式（４−１）〜（４−５）における芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、フェナントレン環等の芳香環；ピリジン環、ビピリジン環、フェナントロリン環、キノリン環、イソキノリン環、チオフェン環、フラン環、ピロール環等の芳香族複素環が挙げられる。

前記式（４−１）〜（４−５）で表される基が有してもよい置換基としては、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシルオキシ基、イミン残基、カルバモイル基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基又は置換カルボキシル基が好ましく、アルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、又は１価の複素環基がより好ましい。

前記電荷輸送材料の高分子有機化合物としては、例えば、下記の基（即ち、下記の例示において、括弧を除いたもの）を含むもの、特に、下記の構造を繰り返し単位として含むものが好ましい。

前記電荷輸送材料の低分子有機化合物又は高分子有機化合物の最低三重項励起エネルギー（ＴＨ）と、本発明の金属錯体の最低三重項励起エネルギー（ＴＭ）とは、
ＴＨ＞ＴＭ−０．１（ｅＶ）
の関係を満たすことが好ましく、
ＴＨ＞ＴＭ
の関係を満たすことがより好ましく、
ＴＨ＞ＴＭ＋０．１（ｅＶ）
の関係を満たすことがさらに好ましい。

前記電荷輸送材料の高分子有機化合物を用いる場合、該高分子有機化合物のポリスチレン換算の数平均分子量は、好ましくは１０^３〜１０^８、さらに好ましくは１０^４〜１０^６である。また、該高分子のポリスチレン換算の重量平均分子量は、好ましくは１０^３〜１０^８であり、さらに好ましくは５×１０^４〜５×１０^６である。

前記発光材料としては、公知のものが使用でき、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系等の色素類、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体等の低分子発光材料等が挙げられる。

本発明の組成物における本発明の金属錯体の含有量は、本発明の組成物の全体量を１００重量部としたとき、通常０．１〜８０重量部であり、好ましくは０．１〜６０重量部、より好ましくは０．１〜４０重量部である。本発明の金属錯体は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

＜液状組成物＞
本発明の組成物は、溶媒又は分散媒をさらに含有してなる組成物（以下、「液状組成物」ということがある。）であってもよい。本発明の液状組成物に用いられる溶媒、分散媒としては、薄膜の成分を均一に溶解又は分散し安定なものを公知の溶媒から適宜選択して使用できる。このような溶媒としては、塩素系溶媒（クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等）、エーテル系溶媒（テトラヒドロフラン、ジオキサン等）、芳香族炭化水素系溶媒（ベンゼン、トルエン、キシレン等）、脂肪族炭化水素系溶媒（シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等）、ケトン系溶媒（アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等）、エステル系溶媒（酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等）、多価アルコール及びその誘導体（エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジ（メチルオキシ）エタン、プロピレングリコール、ジ（エチルオキシ）メタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等）、アルコール系溶媒（メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等）、スルホキシド系溶媒（ジメチルスルホキシド等）、アミド系溶媒（Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等）等が挙げられる。これらの溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

前記液状組成物をインクジェット印刷法に適用する場合には、該液状組成物の吐出性及びその再現性を良好にするために、該液状組成物は公知の添加剤を含有していてもよい。この公知の添加剤としては、ノズルからの蒸発を押さえるために高沸点の溶媒（アニソール、ビシクロヘキシルベンゼン等）等が挙げられる。そして、この公知の添加剤を含有してなる液状組成物は、２５℃における粘度が１〜１００ｍＰａ・ｓであることが好ましい。

＜発光素子＞
本発明の発光素子は、陽極と陰極からなる一対の電極と、該電極間に少なくとも発光層を有する一層（単層型）又は複数層（多層型）からなる薄膜が挟持されているものである。該薄膜層の少なくとも１層は、本発明の金属錯体を含有する。前記薄膜中の本発明の金属錯体の含有量は、発光層全体の重量に対して、通常０．１〜１００重量％であり、０．１〜８０重量％であることが好ましく、０．１〜６０重量％であることがより好ましく、０．１〜４０重量％であることがさらに好ましい。本発明の発光素子は、前記発光層が、本発明の金属錯体を発光材料として含有することが好ましい。

本発明の発光素子が前記単層型である場合には、前記薄膜が発光層であり、この発光層が本発明の金属錯体を含有する。また、本発明の発光素子が多層型である場合には、例えば、以下の層構成をとる。
（ａ）陽極／発光層／陰極
（ｂ）陽極／正孔注入層（正孔輸送層）／発光層／陰極
（ｃ）陽極／発光層／電子注入層（電子輸送層）／陰極
（ｄ）陽極／正孔注入層（正孔輸送層）／発光層／電子注入層（電子輸送層）／陰極
ここで、正孔注入層（正孔輸送層）は、正孔注入層又は正孔輸送層を意味し、電子注入層（電子輸送層）は、電子注入層又は電子輸送層を意味する。

本発明の発光素子の陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層等に正孔を供給するものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。陽極の材料には、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物等を用いることができる。具体的には、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの導電性金属酸化物と金属との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質、ポリアニリン類、ポリチオフェン類（ＰＥＤＯＴ等）、ポリピロール等の有機導電性材料、これらとＩＴＯとの積層物等が挙げられる。

本発明の発光素子の陰極は、電子注入層、電子輸送層、発光層等に電子を供給するものである。陰極の材料としては、金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物又はこれらの混合物を用いることができる。陰極の材料の具体例としては、アルカリ金属（リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等）並びにそのフッ化物及び酸化物、アルカリ土類金属（マグネシウム、カルシウム、バリウム等）並びにそのフッ化物及び酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、合金及び混合金属類（ナトリウム−カリウム合金、ナトリウム−カリウム混合金属、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−アルミニウム混合金属、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−銀混合金属等）、希土類金属（インジウム、イッテルビウム等）等が挙げられる。

本発明の発光素子の正孔注入層及び正孔輸送層は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有しているものであればよい。これらの層の材料には、公知の材料を適宜選択して使用できるが、具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、有機シラン誘導体、本発明の金属錯体等、これらを含む重合体等が挙げられる。その他にも、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマーが挙げられる。これらの材料は１成分単独であっても複数の成分が併用されていてもよい。また、前記正孔注入層及び前記正孔輸送層は、前記材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

本発明の発光素子の電子注入層及び電子輸送層は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれかを有しているものであればよい。公知の材料を適宜選択して使用できるが、具体例としてはトリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、本発明の金属錯体化合物等が挙げられる。また、前記電子注入層及び前記電子輸送層は、前記材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

また、本発明の発光素子において、電子注入層、電子輸送層の材料としては、絶縁体又は半導体の無機化合物も使用することもできる。電子注入層、電子輸送層が絶縁体や半導体で構成されていれば、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選ばれる少なくとも一つの金属化合物を使用できる。好ましいアルカリ金属カルコゲニドの具体例としては、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＣａＳｅが挙げられる。また、電子注入層、電子輸送層を構成する半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎからなる群から選ばれる少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等が挙げられる。これら酸化物、窒化物及び酸化窒化物は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

本発明において、陰極と接する薄膜との界面領域に還元性ドーパントが添加されていてもよい。還元性ドーパントとしては、アルカリ金属、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体及び希土類金属錯体からなる群から選ばれる少なくとも一つの化合物が好ましい。

本発明の発光素子の発光層は、電界印加時に陽極、正孔注入層又は正孔輸送層より正孔を注入することができ、陰極、電子注入層又は電子輸送層より電子を注入することができる機能、注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能、電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能を有するものである。本発明の発光素子の発光層は、本発明の金属錯体を含有することが好ましく、該金属錯体をゲスト材料とするホスト材料を含有させてもよい。ホスト材料としては、上述の電荷輸送材料等が挙げられる。また、前記ホスト材料と前記金属錯体等の発光材料とを混合して塗布するか、或いは共蒸着等することによって、前記発光材料が前記ホスト材料にドープされた発光層を形成することができる。

本発明の発光素子では、前記各層の形成方法は特に限定されず公知の方法を使用できる。具体的には、真空蒸着法（抵抗加熱蒸着法、電子ビーム法等）、スパッタリング法、ＬＢ法、分子積層法、塗布法（キャスティング法、スピンコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法等）等が挙げられる。これらの中では、製造プロセスを簡略化できる点で、塗布法で成膜することが好ましい。前記塗布法では、本発明の金属錯体を溶媒に溶解して塗布液を調製し、該塗布液を所望の層（又は電極）上に、塗布・乾燥することによって形成することができる。該塗布液中には、ホスト材料及び／又はバインダーとして樹脂を含有させてもよく、該樹脂は溶媒に溶解状態とすることも、分散状態とすることもできる。前記樹脂としては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェニルオキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等から目的に応じて選択できる。溶液は目的に応じて、任意成分として、酸化防止剤、粘度調整剤等を含有してもよい。

本発明の発光素子の各層の好ましい膜厚は、材料の種類や層構成によって異なり特に限定されないが、一般的には膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり発光効率が悪くなるため、通常、数ｎｍ〜１μｍが好ましい。

本発明の発光素子の用途としては、特に制限されないが、面状光源、照明用光源（あるいは、光源）、サイン用光源、バックライト用光源、ディスプレイ装置、プリンターヘッド等が挙げられる。前記ディスプレイ装置としては、公知の駆動技術、駆動回路等を用い、セグンメント型、ドットマトリクス型等の構成を選択することができる。

＜光電素子＞
本発明の金属錯体は、光電素子の製造に用いることもできる。

光電素子としては、例えば、光電変換素子があり、具体的には、少なくとも一方が透明又は半透明な二個の電極間に、本発明の金属錯体を含む層が設けられた素子や、基板上に成膜した本発明の金属錯体を含む層上に形成した櫛型電極を有する素子等が挙げられる。特性を向上するために、フラーレンやカーボンナノチューブ等を混合してもよい。

光電変換素子の製造方法としては、特許第３１４６２９６号公報に記載の方法が挙げられる。具体的には、第一の電極を有する基板上に本発明の金属錯体を含む層（薄膜）を形成し、その上に第二の電極を形成する方法、基板上に形成した一組の櫛型電極の上に本発明の金属錯体を含む層（薄膜）を形成する方法が挙げられる。第一又は第二の電極のうち一方が透明又は半透明である。

本発明の金属錯体を含む層（薄膜）の形成方法やフラーレンやカーボンナノチューブを混合する方法については特に制限はないが、発光素子で例示したものが好適に利用できる。

＜その他の用途＞
本発明の金属錯体は、発光素子の作製に有用であるだけではなく、例えば、有機半導体材料等の半導体材料、発光材料、光学材料、導電性材料（例えば、ドーピングにより適用する）等としても用いることもできる。したがって、該金属錯体を用いて、発光性膜、導電性膜、有機半導体膜等の膜（即ち、前記金属錯体を含む膜）を作製することができる。

本発明の金属錯体は、前記発光素子の発光層に用いられる発光性膜の作製方法と同様の方法で、導電性薄膜及び半導体薄膜を成膜することができる。半導体薄膜は、電子移動度又は正孔移動度のいずれか大きいほうが、１０^−５ｃｍ^２／Ｖ／秒以上であることが好ましい。該有機半導体膜は、有機太陽電池、有機トランジスタ等に好適に用いることができる。

以下、本発明をより詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

＜比較例１：化合物（ＭＣ−Ｃ１）の合成＞

＜ｓｔａｇｅ１＞
反応容器内において、塩化ベンゾイル３ｍＬ（２６ｍｍｏｌ）とブチルイミド酸エチル塩酸塩３．９ｇ（２６ｍｍｏｌ）を秤量し、クロロホルム３００ｍＬに溶解させて窒素ガス雰囲気下に置いた。その後、そこへトリエチルアミン７．２ｍＬ（５２ｍｍｏｌ）のクロロホルム溶液２５ｍＬを滴下し、室温、窒素ガス雰囲気下で撹拌した。１５時間後、溶媒のクロロホルムを濃縮してから水２００ｍＬに懸濁させて、これをジクロロメタンで抽出した。得られた溶液を減圧濃縮し、淡黄色の液体として化合物（ＭＣ−Ｃ１ａ）５．３ｇ（２４ｍｍｏｌ）を得た。

＜ｓｔａｇｅ２＞
反応容器内において、化合物（ＭＣ−Ｃ１ａ）５．３ｇ（２４ｍｍｏｌ）をクロロホルム２００ｍＬに溶解させて窒素ガス雰囲気下に置いた。その後、そこへメチルヒドラジン１．２ｍＬ（２６ｍｍｏｌ）と水０．５ｍＬを含むクロロホルム溶液２５ｍＬを室温、窒素ガス雰囲気下で滴下した。滴下後、室温、窒素ガス雰囲気下で１５時間撹拌し、水１００ｍＬを加えて反応を止めた。その後、分液ロートに反応溶液を移し、水洗後、得られた油層を回収して濃縮した。シリカゲルカラムに粗生成物を通し、ジクロロメタン−酢酸エチルの混合溶媒で精製した。得られた溶離液を濃縮し無色の液体として化合物（ＭＣ−Ｃ１ｂ）を２．９ｇ、収率６０％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．７５（ｍ，３Ｈ）、７．６６（ｍ，２Ｈ）、３．９３（ｓ，３Ｈ）、２．７３（ｔ，２Ｈ）、１．８２（ｈｅｘ，２Ｈ）、１．０２（ｔ，３Ｈ）．

＜ｓｔａｇｅ３＞
反応容器内において、塩化イリジウム３５０ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）と化合物（ＭＣ−Ｃ１ｂ）４４０ｍｇ（２．２ｍｍｏｌ）を秤量し、２−エチルオキシエタノール１０ｍＬと水５ｍＬを加えてから窒素ガス雰囲気下に置き、１５時間加熱還流した。放冷後、反応溶媒を濃縮し、得られた残渣に水とジクロロメタンを加えて油層を水洗した。得られた油層を回収し、濃縮乾燥後、黄色油状物質として化合物（ＭＣ−Ｃ１ｃ）を６６０ｍｇ得た。

＜ｓｔａｇｅ４＞
反応容器内において、化合物（ＭＣ−Ｃ１ｃ）６２５ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）と化合物（ＭＣ−Ｃ１ｂ）１．０ｇ（５．０ｍｍｏｌ）を秤量し、トリフルオロメタンスルホン酸銀２６０ｍｇを加えた後、アルゴンガス雰囲気下に置いた。その後、１６５℃で１５時間加熱反応させてから放冷し、ジクロロメタン１５ｍＬを注いだ。得られた懸濁液を吸引ろ過してから、シリカゲルカラムに通してジクロロメタン−酢酸エチルの混合溶媒で分離精製し、黄色粉末として化合物（ＭＣ−Ｃ１）[ｆａｃ−トリス（１−メチル−３−プロピル−５−フェニル−１Ｈ−［１，２，４］−トリアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）]６３０ｍｇを収率８０％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．５０（ｄ，３Ｈ）、６．８８（ｔ，３Ｈ）、６．８０（ｔ，３Ｈ）、６．６３（ｄ，３Ｈ）、４．１１（ｓ，９Ｈ）、２．１８（ｈｅｐ，３Ｈ）、１．８７（ｈｅｐ，３Ｈ）、１．３８−１．３０（ｍ，３Ｈ）、１．１８−１．１０（ｍ，３Ｈ）、０．６８（ｔ，９Ｈ）．

＜比較例２：化合物（ＭＣ−Ｃ２）の合成＞

＜ｓｔａｇｅ１＞
反応容器内において、塩化３−ブロモベンゾイル６．９２ｇ（３１．５ｍｍｏｌ）とブチルイミド酸エチル塩酸塩４．９５ｇ（３２．６ｍｍｏｌ）を秤量し、クロロホルム１５０ｍＬを加えて窒素ガス雰囲気下に置いた。その後、そこへトリエチルアミン８．０ｍＬ（６０ｍｍｏｌ）を含むクロロホルム溶液２０ｍＬを滴下し、窒素ガス雰囲気下にて１５時間室温撹拌した。得られた溶液を濃縮してからジクロロメタンに懸濁させて分液ロートに取り入れ洗浄した。得られた油層を濃縮、乾燥し、無色の液体として化合物（ＭＣ−Ｃ２ａ）を９．４７ｇ得た。^１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝８．１４（ｔ，１Ｈ）、７．９３（ｄｄ，１Ｈ）、７．６５−７．６３（ｍ，１Ｈ）、７．３１（ｔ，１Ｈ）、４．２９（ｑ，２Ｈ）、２．３６（ｔ，２Ｈ）、１．６０（ｔｄ，２Ｈ）、１．３７（ｔ，３Ｈ）０．８８（ｔ，３Ｈ）．

＜ｓｔａｇｅ２＞
反応容器内において、化合物（ＭＣ−Ｃ２ａ）９．０ｇ（３０ｍｍｏｌ）をクロロホルム１００ｍＬに溶解させ窒素ガス雰囲気下に置いた。その後、そこへメチルヒドラジン１．５２ｇ（３３ｍｍｏｌ）と水０．６ｍＬを含むクロロホルム溶液１５ｍＬを滴下し、窒素ガス雰囲気下で７時間室温撹拌した。得られた反応溶液に水１００ｍＬを注ぎ分液ロートにあけて洗浄した。得られた油層を回収、濃縮し、シリカゲルへ通した。ジクロロメタン−酢酸エチルの混合溶媒を用いて分離精製し、薄黄色液体として化合物（ＭＣ−Ｃ２ｂ）を５．８ｇ（２１ｍｍｏｌ）、収率６９％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．８５（ｄ，１Ｈ）、７．６０（ｍ，２Ｈ）、７．３７（ｄｄ，１Ｈ）、３．９３（ｓ，３Ｈ）、２．７２（ｔ，２Ｈ）、１．８１（ｍ，２Ｈ）、１．０１（ｔ，３Ｈ）．

＜ｓｔａｇｅ３＞
反応容器内において、化合物（ＭＣ−Ｃ２ｂ）１．３ｇ（４．６ｍｍｏｌ）と３，５−ジ（４−ターシャリブチルフェニル）フェニルボロン酸ピナコールエステル２２００ｍｇ（４．７ｍｍｏｌ）と炭酸ナトリウム１２５０ｍｇ（１１．６ｍｍｏｌ）を秤量し、エタノール５ｍＬ、水１０ｍＬ及びトルエン１０ｍＬを加えた後、窒素ガス雰囲気下に置いた。その後、そこへテトラキストリフェニルホスフィノパラジウム（０）２６０ｍｇ（０．２３ｍｍｏｌ）を加えて、再び窒素ガス雰囲気下に置いた。得られた反応混合物を８０℃で１５時間加熱した。放冷後、水、トルエンを注ぎ洗浄した。得られた油層を回収した後、濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムに通して、ジクロロメタン−酢酸エチルの混合溶媒で分離精製し、白色粉末として化合物（ＭＣ−Ｃ２ｃ）を２．１８ｇ（４．０ｍｍｏｌ）、収率８８％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／（ＣＤ_３）_２ＣＯ）：δ（ｐｐｍ）＝８．１９（ｔ，１Ｈ）、７．９８（ｄｔ，１Ｈ）、７．９３（ｄ，２Ｈ）、７．９１（ｔ，１Ｈ）、７．８０（ｔ，１Ｈ）、７．７７（ｄｔ，４Ｈ）、７．６６（ｔ，１Ｈ）、７．５４（ｄｔ，４Ｈ）、４．０１（ｓ，３Ｈ）、２．６３（ｔ，２Ｈ）、１．７６（ｔｄ，２Ｈ）、１．３６（ｓ，１８Ｈ）、０．９８（ｔ，３Ｈ）．

＜ｓｔａｇｅ４＞
反応容器内において、塩化イリジウム２２６ｍｇ（０．６４ｍｍｏｌ）と化合物（ＭＣ−Ｃ２ｃ）７６０ｍｇ（１．４ｍｍｏｌ）を秤量し、水２ｍＬと２−ブトキシエタノール６ｍＬを加えた後、窒素ガス雰囲気下に置き１７時間加熱還流した。放冷後、水、ジクロロメタンを注ぎ油層を洗浄した。得られた油層を濃縮、乾燥し、黄褐色の飴色固体として８４０ｍｇ得た。
別の反応容器内において、この黄褐色の飴色固体８４０ｍｇと化合物（ＭＣ−Ｃ２ｃ）１３００ｍｇ（２．４ｍｍｏｌ）を秤量し、アルゴンガス雰囲気下とした後、トリフルオロメタンスルホン酸銀１６５ｍｇ（０．６４ｍｍｏｌ）を加えた。その後、そこへジエチレングリコールジメチルエステル１．２５ｍＬを添加し、アルゴンガス雰囲気下で１５時間加熱還流した。放冷後、ジクロロメタンを注ぎ懸濁液を吸引ろ過した。得られたろ液を分液ロートにあけて洗浄し、得られた油層を回収後、濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムに通じてジクロロメタンと酢酸エチルの混合溶媒で分離精製した。得られた黄色固体をジクロロメタン−メタノールの混合溶媒から再結晶し、次いで、ジクロロメタン−ヘキサンの混合溶媒から再結晶し、黄色粉末として化合物（ＭＣ−Ｃ２）[ｆａｃ−トリス（１−メチル−３−プロピル−５−（５−（３，５−ジ（４−ターシャリブチルフェニル）フェニル）フェニル）−１Ｈ−［１，２，４］−トリアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）]を８５０ｍｇ（０．４８ｍｍｏｌ）、収率７３％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．８２（ｄ，３Ｈ）、７．７５（ｄ，６Ｈ）、７．７２（ｄ，３Ｈ）、７．６２（ｄ，１２Ｈ）、７．４８（ｄ，１２Ｈ）、７．２０（ｄｄ，３Ｈ）、６．８７（ｄ，３Ｈ）、４．２７（ｓ，９Ｈ）、２．２６（ｄｄｄ，３Ｈ）、１．９６（ｄｄｄ，３Ｈ）、１．３７（ｓ，５４Ｈ）、１．０５（ｍ，６Ｈ）、０．７３（ｔ，９Ｈ）．

＜比較例３：化合物（ＭＣ−Ｃ３）の合成＞
化合物（ＭＣ−Ｃ３）を、下記に示す方法で合成した。

＜ｓｔａｇｅ１＞化合物（Ｃ３−１ｂ）の合成

反応容器内において、塩化イリジウム２３．１ｇと化合物（ＭＣ−Ｃ３ａ）５０ｇを秤量し、２−エトキシエタノール５００ｍＬおよび水１７０ｍＬの混合溶媒に懸濁させた。得られた反応混合物に窒素ガスを１時間通気した後、１２５℃に予熱したオイルバスにて１４時間加熱攪拌した。放冷後、水を加えてから吸引ろ過し、水、メタノールで洗浄した。ろ取された黄緑色固体を真空乾燥し、５６ｇの目的の化合物（ＭＣ−Ｃ３ｂ）を得た。収率は９２％であった。

＜ｓｔａｇｅ２＞化合物（ＭＣ−Ｃ３）の合成

反応容器内において、化合物（ＭＣ−Ｃ３ｂ）２５ｇと化合物（ＭＣ−Ｃ３ａ）１１．８ｇとをジエチレングリコールジメチルエーテル中に懸濁させた。得られた反応混合物に窒素ガスを１時間通気した後、トリフルオロメタンスルホン酸銀７．２ｇを加えてから、遮光下において１５０℃で２２時間反応させた。薄層クロマトグラフィーにて反応が完全に進行していることを確認した後、加熱を止めて放冷した。得られた反応混合物を吸引ろ過して銀化合物を除去した後、減圧蒸留し、反応溶媒を除去した。得られた残渣の粗生成物をカラムクロマトグラフィーにかけて、酢酸エチル−ヘキサンの混合溶媒にて溶離した。その後、ジクロロメタンとメタノールの混合溶媒から再結晶を行い、収率４４％で、１４．６ｇの目的の化合物（ＭＣ−Ｃ３）を得た。さらなる精製には分取ＨＰＬＣを用い、テトラヒドロフランとアセトニトリルの混合溶媒にて精製した。^１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．８３（３Ｈ，ｄ），７．７６（６Ｈ，ｓ），７．７３（３Ｈ，ｓ），７．６３（１２Ｈ，ｄ），７．４９（１２Ｈ，ｄ），７．２１（３Ｈ，ｄｄ），６．８８（３Ｈ，ｄ），４．２８（９Ｈ，ｓ），２．２５（３Ｈ，ｍ），１．９８（３Ｈ，ｍ），１．４−１．５（５７Ｈ，ｍ），１．２３（３Ｈ，ｍ），０．７４（９Ｈ，ｔ）

＜実施例１：化合物（ＭＣ−１）の合成＞
化合物（ＭＣ−１）を、下記の方法で合成した。

＜ｓｔａｇｅ１＞化合物（１−１）の合成

反応容器内において、化合物（ＭＣ−Ｃ３）１０ｇを秤量し、窒素ガス雰囲気下とした後、ジクロロメタン１５０ｍＬ溶解させた。その後、そこへＮ−ブロモコハク酸イミドを４．１ｇ加え、遮光下において室温で２４時間攪拌した。その後、ＨＰＬＣ分析にて７５％の目的物と２５％のジブロモ中間体を確認した。得られた反応混合物にＮ−ブロモコハク酸イミド３５０ｍｇを加えてさらに１６時間攪拌した。その後、ＨＰＬＣ分析にて９７％の目的物と約０．５％のジブロモ中間体を確認した。得られた反応混合物にＮ−ブロモコハク酸イミド６ｍｇを加えてさらに４時間攪拌した。その後、そこに温水を加えて１０分攪拌を行った後に分液操作を行い、油層部分を回収した。得られた油層をセライトろ過して不溶物を除去した後、ジクロロメタンで洗浄した。得られたろ液を約３０ｍＬまで濃縮し、メタノールを加えて沈殿を析出させた。得られた沈殿物を吸引ろ過して、１１．２ｇの目的の化合物（１−１）を収率９６％、ＨＰＬＣ純度約９８％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．０８（３Ｈ，ｓ），７．０４（３Ｈ，ｓ），６．７５（３Ｈ，ｄｄ），６．４１（３Ｈ，ｄ），６．３７（３Ｈ，ｄ），２．６５（６Ｈ，ｔ），２．１３（９Ｈ，ｓ），２．０６（９Ｈ，ｓ），１．７７（９Ｈ，ｓ），１．６３−１．６７（６Ｈ，ｍ），１．３１−１．３６（１８Ｈ，ｍ），０．８９（９Ｈ，ｔ）

＜ｓｔａｇｅ２＞化合物（ＭＣ−１）の合成

反応容器内において、化合物（１−１）１１ｇと３，５−ビス（４−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル）フェニルボロン酸ピナコールエステル１７．４ｇを秤量し、トルエン２９０ｍＬに溶解させた。得られた溶液に窒素ガスを１時間通気した後、そこへ別途準備した２−ジシクロへキシルホスフィノ−２’，６’ジメトキシビフェニル１３５ｍｇとトリス（ジベンジリデン）ジパラジウム１５０ｍｇを溶解させた窒素ガス通気済みのトルエン溶液を加えた。得られた反応混合物に２０％のテトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液５７ｍＬを加えた後、１０５℃に予熱したオイルバスにて１８時間加熱した。薄層クロマトグラフィーにて反応が完全に進行していることを確認した後、加熱を止めて放冷した。分液ロートに得られた反応溶液を移し変えてから水層をトルエンで抽出した。得られた油層部分を硫酸マグネシウムで乾燥してから濃縮した。得られた橙色の粗生成物をカラムクロマトグラフィーにかけて酢酸エチル−ヘキサンの混合溶媒にて分離精製した。その後、さらに、ジクロロメタンとメタノールの混合溶媒から再結晶を行い、１１．２ｇの目的の化合物（ＭＣ−１）を収率５８％、ＨＰＬＣ純度９９％以上で得た。^１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．６６（３Ｈ，ｓ），７．５３（１２Ｈ，ｄ），７．４２−７．４６（１８Ｈ，ｍ），７．１２（３Ｈ，ｄｄ），７．０９（３Ｈ，ｓ），７．０２（３Ｈ，ｓ），６．９０（３Ｈ，ｓ），６．７６（３Ｈ，ｄ），２．４２（６Ｈ，ｔ），２．５６（９Ｈ，ｓ），２．２１（９Ｈ，ｓ），１．９２（９Ｈ，ｓ），１．７９（１２Ｈ，ｓ），１．４８（６Ｈ，ｍ），１．４３（３６Ｈ，ｓ），１．２３（１８Ｈ，ｍ），０．８５（９Ｈ，ｔ），０．７６（５４Ｈ，ｓ）

＜実施例２：化合物（ＭＣ−２）の合成＞
化合物（ＭＣ−２）を、下記の方法で合成した。

＜ｓｔａｇｅ１＞化合物（２−１）の合成

化合物（２−１）は化合物（ＭＣ−Ｃ３）の合成と同様の合成方法を用いて得た。すなわち、１−（４’（４’’−ヘキシルフェニル）−２’，６’−ジメチルフェニル）−３−メチル−５−フェニル−１，２，４トリアゾール１５．９ｇと塩化イリジウム水和物６ｇから、２−エトキシエタノール２２０ｍＬと水７５ｍＬを反応溶媒として合成し、化合物（２−１）を１７．６ｇ得た。収率は９７％であった。

＜ｓｔａｇｅ２＞化合物（２−２）の合成

化合物（２−２）は化合物（ＭＣ３−Ｃ３２）の合成と同様の合成方法を用いて得た。すなわち、上記化合物（２−１）１５．６ｇと１−（４’（４’’−ヘキシルフェニル）−２’，６’−ジメチルフェニル）−３−メチル−５−フェニル−１，２，４トリアゾール８．６ｇとを２５０ｍＬのジエチレングリコールジメチルエーテルに懸濁させてトリフルオロメタンスルホン酸銀３．９ｇを加えて反応させた。粗生成物はカラムクロマトグラフィーにかけて酢酸エチル−ヘキサンを溶媒として分離精製した。その後、ジクロロメタンとメタノールの混合溶媒から再結晶を行い、３．５ｇの目的の化合物（２−２）を９８％以上のＨＰＬＣ純度で得た。収率は１６％であった。^１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．５９（６Ｈ，ｄ），７．４９（３Ｈ，ｓ），７．４３（３Ｈ，ｓ），７．２９（６Ｈ，ｄ），６．６７−６．７０（３Ｈ，ｍ），６．５８−６．６１（６Ｈ，ｍ），６．５４（３Ｈ，ｄ），２．６７（６Ｈ，ｔ），２．２６（９Ｈ，ｓ），２．１４（９Ｈ，ｓ），１．９０（９Ｈ，ｓ），１．６４−１．６９（６Ｈ，ｍ），１．３１−１．３９（１８Ｈ，ｍ），０．９０（９Ｈ，ｔ）

＜ｓｔａｇｅ３＞化合物（２−３）の合成

化合物（２−３）は化合物（Ｃ３−３）の合成方法を用いて得た。すなわち反応容器内において、化合物（２−２）２．３ｇを秤量し、ジクロロメタン３０ｍＬ、Ｎ−ブロモコハク酸イミド２．５ｇから合成し、９８％以上のＨＰＬＣ純度で目的の化合物（２−３）を２．８５ｇ得た。収率は９６％であった。

＜ｓｔａｇｅ４＞化合物（ＭＣ−２）の合成

化合物（ＭＣ−２）は化合物（ＭＣ−１）の合成方法を用いて得た。すなわち、反応容器内において、化合物（２−３）２．８ｇと３，５−ビス（４−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル）フェニルボロン酸ピナコールエステル３．９ｇとトルエン７０ｍＬを用いて、２−ジシクロへキシルホスフィノ−２’，６’ジメトキシビフェニル２７ｍｇとトリス（ジベンジリデン）ジパラジウム３０ｍｇ、２０ｗｔ％のテトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液１５ｍＬをそれぞれ触媒、塩基として用い反応させた。粗生成物はカラムクロマトグラフィーにかけて酢酸エチル、ヘキサンとトルエンの混合溶媒を用いて分離精製した。ジクロロメタンとアセトニトリルの混合溶媒から再結晶を行い目的の化合物（ＭＣ−２）を９９％以上のＨＰＬＣ純度で得た。更なる精製方法として、分取ＨＰＬＣを用いてテトラヒドロフランとアセトニトリルを溶媒とし、収率７３％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．５６（６Ｈ，ｄ），７．５２（６Ｈ，ｄ），７．４９（３Ｈ，ｓ），７．４３（６Ｈ，ｓ），７．３８（１２Ｈ，ｄ），７．２５（６Ｈ，ｓ），７．１５−７．１８（１８Ｈ，ｍ），６．８０（３Ｈ，ｄ），２．６５（６Ｈ，ｔ），２．３４（９Ｈ，ｓ），２．２５（９Ｈ，ｓ），２．０２（９Ｈ，ｓ），１．７１（１２Ｈ，ｓ），１．６３−１．６８（６Ｈ，ｍ），１．３３−１．３９（５４Ｈ，ｍ），０．９０（０Ｈ，ｔ），０．７１（５４Ｈ，ｓ）

＜実施例３＞ｆａｃ−トリス−（１−（４−（３，５−ジ（４−ターシャリブチルフェニル）フェニル）−２，６−ジメチル）フェニル−３−プロピル−５−（３−（３，５−ジ（４−ターシャリブチルフェニル）フェニル）フェニル）−１Ｈ−［１，２，４］−トリアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（ＭＣ−３）の合成

＜ｓｔａｇｅ１＞
反応容器内において、亜硝酸ナトリウム１．３８ｇ（２０ｍｍｏｌ）を秤量し、窒素ガス雰囲気下において、０℃の水１１ｍＬに溶解させた。その後、４−ブロモ２，６−ジメチルアニリン４．０ｇ（２０ｍｍｏｌ）を３３ｍＬの濃塩酸に懸濁させて、５℃を超えないよう範囲で亜硝酸水溶液に滴下した。その後、０℃で１５分撹拌し、塩化スズ（ＩＩ）５．３１ｇ（２８ｍｍｏｌ）の濃塩酸溶液１５ｍＬを得られた反応溶液に加え、室温に戻し６時間撹拌した。得られた懸濁液を吸引ろ過し、濃塩酸と冷水で洗浄し真空乾燥し、乳白色の固体として４−ブロモ−２，６−ジメチルフェニルヒドラジン塩酸塩を４．９８ｇ得た。

＜ｓｔａｇｅ２＞
反応容器内において、塩化３−ブロモベンゾイル６．９２ｇ（３１．５ｍｍｏｌ）とブチルイミド酸エチル塩酸塩４．９５ｇ（３２．６ｍｍｏｌ）を秤量し、クロロホルム１５０ｍＬを加えた後、窒素ガス雰囲気下に置いた。その後、そこへトリエチルアミン８．０ｍＬ（６０ｍｍｏｌ）を含むクロロホルム溶液２０ｍＬを滴下し、窒素ガス雰囲気下にて１５時間室温撹拌した。得られた溶液を濃縮してからジクロロメタンに懸濁させて、分液ロートに取り入れ水洗した。得られた油層を濃縮、乾燥し無色の液体としてＮ−（３−ブロモベンゾイル）ブチルイミド酸エチルを９．４７ｇ得た。^１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝８．１４（ｔ，１Ｈ）、７．９３（ｄｄ，１Ｈ）、７．６５−７．６３（ｍ，１Ｈ）、７．３１（ｔ，１Ｈ）、４．２９（ｑ，２Ｈ）、２．３６（ｔ，２Ｈ）、１．６０（ｔｄ，２Ｈ）、１．３７（ｔ，３Ｈ）０．８８（ｔ，３Ｈ）．

＜ｓｔａｇｅ３＞
反応容器内において、４−ブロモ−２，６−ジメチルフェニルヒドラジン塩酸塩１．２６ｇ（５．０ｍｍｏｌ）とＮ−（３−ブロモベンゾイル）ブチルイミド酸エチル１．１９ｇ（４．０ｍｍｏｌ）と酢酸ナトリウム４１０ｍｇ（５．０ｍｍｏｌ）を秤量し、酢酸とジオキサンを８ｍＬずつ加えた後、窒素ガス雰囲気下に置いた。得られた反応混合物を９０℃で１５時間加熱した後、放冷した。その後、そこへトルエンを加えてから、吸引ろ過してろ液を濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムに通し、ヘキサン−酢酸エチルの混合溶媒を用いて分離精製し、淡黄色液体として１−（４−ブロモ−２，６−ジメチルフェニル）−３−プロピル−５−（３−ブロモフェニル）−１Ｈ−［１，２，４］−トリアゾールを１．０ｇ（２．２ｍｍｏｌ）、収率５６％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／（ＣＤ_３）_２ＣＯ）：δ（ｐｐｍ）＝７．６０（ｄｔ，１Ｈ）、７．４９（ｓ，２Ｈ）、７．３４−７．２７（ｍ，３Ｈ）、２．７４（ｔ，２Ｈ）、１．９５（ｓ，６Ｈ）、１．８３（ｑ，２Ｈ）、０．９９（ｔ，３Ｈ）．

＜ｓｔａｇｅ４＞
反応容器内において、１−（４−ブロモ−２，６−ジメチルフェニル）−３−プロピル−５−（３−ブロモフェニル）−１Ｈ−［１，２，４］−トリアゾール９９０ｍｇ（２．２ｍｍｏｌ）と３，５−ジ（４−ターシャリブチルフェニル）フェニルボロン酸ピナコールエステル２．２ｇ（４．７ｍｍｏｌ）と炭酸ナトリウム１．４ｇ（１３ｍｍｏｌ）を秤量し、水５ｍＬとジオキサン１５ｍＬを加えた後、窒素ガス雰囲気下において、６時間加熱還流した。放冷後、そこへトルエンを加えて吸引ろ過して、ろ液を濃縮した。その後、水、トルエンを加えて水洗し、得られた油層を回収後濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムに通してクロロホルム−酢酸エチルの混合溶媒を用いて分離精製した。得られた溶離液を濃縮し、ヘキサンより再結晶することで、１−（４−（３，５−ジ（４−ターシャリブチルフェニル）フェニル）−２，６−ジメチル）フェニル−３−プロピル−５−（３−（３，５−ジ（４−ターシャリブチルフェニル）フェニル）フェニル）−１Ｈ−［１，２，４］−トリアゾールを白色個体として、２．０ｇ（２．１ｍｍｏｌ）、収率９４％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤ_３Ｃｌ）：δ（ｐｐｍ）＝７．９７（ｓ，１Ｈ）、７．８２（ｓ，１Ｈ）、７．７５−７．７０（ｍ，４Ｈ）、７．６２−７．５４（ｍ，１１Ｈ）、７．４９−７．４６（ｍ，６Ｈ）、７．４２（ｄ，１Ｈ）、７．３７（ｄ，４Ｈ）、２．８８（ｔ，２Ｈ）、２．１０（ｓ，６Ｈ）、１．９２（ｔｄ，２Ｈ）、１．３７（ｓ，１８Ｈ）、１．３１（ｓ，１８Ｈ）、１．０６（ｔ，３Ｈ）．

＜ｓｔａｇｅ５＞
反応容器内において、塩化イリジウム９１ｍｇ（０．２６ｍｍｏｌ）と１−（４−（３，５−ジ（４−ターシャリブチルフェニル）フェニル）−２，６−ジメチル）フェニル−３−プロピル−５−（３−（３，５−ジ（４−ターシャリブチルフェニル）フェニル）フェニル）−１Ｈ−［１，２，４］−トリアゾール５００ｍｇ（０．５２ｍｍｏｌ）を秤量し、水１０ｍＬと２−ブトキシエタノール１０ｍＬを加えた後、アルゴンガス雰囲気下で１８時間加熱還流した。放冷後、そこへ水とメタノールを注ぎ、析出した沈殿物を吸引ろ過した。得られたろ取物を乾燥し、黄褐色個体として５００ｍｇ得た。
別の反応容器内において、この褐色個体５００ｍｇ、１−（４−（３，５−ジ（４−ターシャリブチルフェニル）フェニル）−２，６−ジメチル）フェニル−３−プロピル−５−（３−（３，５−ジ（４−ターシャリブチルフェニル）フェニル）フェニル）−１Ｈ−［１，２，４］−トリアゾール１．２３ｇ（１．２７ｍｍｏｌ）とトリフルオロメタンスルホン酸銀６７ｍｇ（０．２６ｍｍｏｌ）を秤量し、ジエチレングリコールジメチルエステル１０ｍＬを加えた後、アルゴンガス雰囲気下において１１時間加熱還流した。放冷後、そこへトルエンを注ぎ、吸引ろ過した。得られたろ液を濃縮してからシリカゲルカラムに通し、トルエン−ヘキサンの混合溶媒を用いて分離精製した。得られた溶離液を濃縮し、トルエン−ヘキサンの混合溶媒より再結晶し、粉末状黄色固体として、ｆａｃ−トリス（１−（４−（３，５−ジ（４−ターシャリブチルフェニル）フェニル）−２，６−ジメチル）フェニル−３−プロピル−５−（３−（３，５−ジ（４−ターシャリブチルフェニル）フェニル）フェニル）−１Ｈ−［１，２，４］−トリアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）を４２０ｍｇ（０．１４ｍｍｏｌ）、収率５２％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．８５−７．８２（ｍ，９Ｈ）、７．６４（ｓ，３Ｈ）、７．７０（ｓ，３Ｈ）、７．５８−７．５２（ｍ，１５Ｈ）、７．３９−７．４６（ｍ，３０Ｈ）、７．２３−７．１３（ｍ，１８Ｈ）、６．８２（ｄ，３Ｈ）、２．５５（ｍ，６Ｈ）、２．４１（ｓ，９Ｈ）、２．０５（ｓ，９Ｈ）、１．８６−１．７３（ｍ，６Ｈ）、１．３６（ｓ，５４Ｈ）、１．１９（ｓ，５４Ｈ）、０．８８（ｔ，９Ｈ）．

＜発光素子の作製例１＞
下記構造を有する発光素子を作製した。
陽極／ＨＩＬ／ＨＴＬ／ＬＥＰ／陰極
上記において、陽極はＩＴＯ（酸化インジウムスズ、４５ｎｍ）；ＨＩＬは正孔注入層（３５ｎｍ）；ＨＴＬは正孔輸送層（２２ｎｍ）；ＬＥＰは発光層（７５ｎｍ）；そして陰極は発光層に接するフッ化ナトリウムの層（２ｎｍ）、フッ化ナトリウム上に形成されたアルミニウムの層（１００ｎｍ）、および、アルミニウム上に形成された銀の層（１００ｎｍ）を意味する。
ＩＴＯ（４５ｎｍ）が成膜された基板を、ＵＶオゾンを用いて洗浄した。正孔注入層はプレクトロニクス社製の正孔注入材料の水性製剤（ＡＱ−１２００）をスピンコートすることによって３５ｎｍの膜厚になるように成膜し、大気雰囲気中で１７０℃で１５分間加熱することによって形成した。正孔輸送層は後述の正孔輸送性ポリマーをキシレンに０．６重量％となるように溶解させた溶液をスピンコートすることによって２２ｎｍの膜厚になるように成膜し、窒素ガス雰囲気中で１８０℃で６０分間加熱し、正孔輸送性ポリマーを架橋することによって形成した。発光層は、金属錯体と後述のホストポリマーとの組成物（金属錯体／ホストポリマー＝６４重量％／３６重量％）をキシレンに１．７重量％となるように溶解させた溶液をスピンコートすることによって７５ｎｍの膜厚となるように成膜し、窒素ガス雰囲気中で８０℃で１０分間加熱することによって形成した。陰極は、真空蒸着法により、第１層としてフッ化ナトリウムを厚さ２ｎｍとなるように成膜後、第２層であるアルミニウムを厚さ１００ｎｍとなるように成膜し、さらに付加的に第３層として銀を厚さ１００ｎｍとなるように成膜した。

正孔輸送性ポリマーは、下記のモノマーを用いてＷＯ００／５３６５６に記載の鈴木重合法によって重合することによって得た。

ゲルパーミションクロマトグラフィーにより求めた正孔輸送性ポリマーのポリスチレン換算の数平均分子量Ｍｎ及び重量平均分子量Ｍｗは、Ｍｎ＝４２，０００、Ｍｐ＝３５０，０００であった。

ホストポリマーは、ＷＯ２０１１／１４１７１４に記載されており、下記に記載のモノマーをＷＯ００／５３６５６に記載の鈴木重合法を用いることによって重合した。

ゲルパーミションクロマトグラフィーにより求めたホストポリマーのポリスチレン換算の数平均分子量Ｍｎ及び重量平均分子量Ｍｗは、Ｍｎ＝１７，６００、Ｍｐ＝２３５，０００であった。

＜発光素子の試験例１＞
発光素子の評価結果を表１にまとめる。（ｉ）デンドロンを置換基として有するフェニル環及び（ｉｉ）アリール基を有するトリアゾール環、の双方を有する金属錯体を用いた発光素子は、これらの置換基の双方を有さないフェニル環およびトリアゾール環を有する金属錯体を用いた発光素子に対して、高い外部量子収率（ＥＱＥ）、発光効率（ｃｄ／Ａおよびｌｍ／Ｗ）の値を示した。

＜発光素子の試験例２＞
発光素子素子の作製例１で作製した発光素子を用いて、素子特性のさらなる評価を行った。結果を表２に示す。

＜発光素子の試験例３＞
発光素子の作製例１で作製した発光素子（実施例１〜３のいずれかで合成した金属錯体を用いた発光素子）を用いて、初期輝度が４００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させることで輝度半減寿命（ＬＴ５０）を測定した。その結果、本発明の実施例で得られた金属錯体を用いた発光素子は、優れた輝度半減寿命を示した（表３）。

Claims (12)

1. 下記式（１）で表される金属錯体。
   

   

   ［式中、
   Ｍは、ルテニウム原子、ロジウム原子、パラジウム原子、オスミウム原子、イリジウム原子又は白金原子を表す。
   Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３ 及びＲ^Ｐ４ は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよく、該置換基はハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、又は１価の複素環基である。Ｒ ^Ｐ５ は、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよく、該置換基はハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、又は１価の複素環基である。Ｒ ^Ｐ６ は、アルキル基、アリール基、又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよく、該置換基はハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、又は１価の複素環基である。Ｒ^Ｐ１とＲ^Ｐ２は結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環構造を形成していてもよく、Ｒ^Ｐ２とＲ^Ｐ３は結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環構造を形成していてもよく、Ｒ^Ｐ３とＲ^Ｐ４は結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環構造を形成していてもよい。ただし、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３及びＲ^Ｐ４の少なくとも一つは下記式（Ｄ−１）又は（Ｄ−２）で表されるデンドロンである。
   

   

   

   ［式中、
   ＊は結合手を表す。
   Ｒ ^１ は、アルキル基を表す。Ｒ ^１ が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
   ｎ’は、０〜３の整数である。複数個存在するｎ’は、同一であっても異なっていてもよい。］
   ｍは１〜３の整数であり、ｎは０〜２の整数であり、ｍ＋ｎは２又は３である。
   下記式（２）で表される部分は、２座配位子を表す。
   

   

   ［式中、Ｒ^ｘ及びＲ^ｙは、金属原子Ｍに結合する原子であり、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表す。］］
2. 式（１）で表される金属錯体が下記式（１ａ）又は（１ｂ）で表される金属錯体である、請求項１に記載の金属錯体。
   

   

   ［式中、
   Ｍ、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５、Ｒ^Ｐ６、式（２）で表される部分、Ｒ^ｘ、Ｒ^ｙ、ｍ及びｎは、前記と同じ意味を表す。
   ＤＥＮＤは、前記式（Ｄ−１）又は（Ｄ−２）で表されるデンドロンを表す。］
3. Ｒ^Ｐ５が、置換基を有していてもよいアリール基であって、該置換基はハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、又は１価の複素環基である、請求項１又は２に記載の金属錯体。
4. Ｒ^Ｐ５が炭素数１〜１２のアルキルオキシ基を置換基として有するフェニル基または炭素数１〜１２のアルキル基を置換基として有するフェニル基である、請求項３に記載の金属錯体。
5. ｎが０である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の金属錯体。
6. Ｍがイリジウム原子又は白金原子である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の金属錯体。
7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の金属錯体と、電荷輸送材料と、を含む組成物。
8. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の金属錯体と、溶媒又は分散媒と、を含む組成物。
9. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の金属錯体を含む膜。
10. 陽極及び陰極からなる電極と、
    該電極間に設けられた、請求項１〜６のいずれか一項に記載の金属錯体を含む層と、を備える発光素子。
11. 請求項１０に記載の発光素子を備える面状光源。
12. 請求項１０に記載の発光素子を備える照明。