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JP6123200B2 - Lead frame for optical semiconductor device, lead frame for optical semiconductor device with resin, multi-sided body of lead frame, multi-sided body of lead frame with resin, optical semiconductor device, multi-sided body of optical semiconductor device - Google Patents

Lead frame for optical semiconductor device, lead frame for optical semiconductor device with resin, multi-sided body of lead frame, multi-sided body of lead frame with resin, optical semiconductor device, multi-sided body of optical semiconductor device Download PDF

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Description

本発明は、光半導体素子を実装する光半導体装置の光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体に関するものである。   The present invention relates to an optical semiconductor device lead frame of an optical semiconductor device on which an optical semiconductor element is mounted, a lead frame for an optical semiconductor device with resin, a multi-sided body of a lead frame, a multi-sided body of a lead frame with resin, an optical semiconductor device, The present invention relates to a multifaceted body of an optical semiconductor device.

従来、ＬＥＤ素子等の光半導体素子は、電気的に絶縁され樹脂層で覆われた２つの端子部を有するリードフレームに固定され、その周囲を透明樹脂層によって覆い、光半導体装置として照明装置等の基板に実装されていた（例えば、特許文献１）。
しかし、このような光半導体装置は、ＬＥＤ素子の発光や、実装した基板の熱によって、樹脂層及びリードフレームがそれぞれ伸びてしまう場合があった。ここで、リードフレームの端子部は、銅等の導電材料から形成され、樹脂層は、熱可塑性樹脂等から形成されているので、両者の線膨張係数の差によって、樹脂層がリードフレームの端子部から剥離してしまう場合があった。
また、特許文献１に記載の光半導体装置と相違して、リードフレームを覆う樹脂層が、リードフレームの厚みとほぼ一致するように形成され、その樹脂層が形成されたリードフレーム上に透明樹脂層が形成される、いわゆるフラットタイプの光半導体素子装置も存在するが、このような装置においては、樹脂層とリードフレームの端子部との接触面積がさらに狭くなるため、上記剥離の発生が顕著になる場合があった。 2. Description of the Related Art Conventionally, an optical semiconductor element such as an LED element is fixed to a lead frame having two terminal portions that are electrically insulated and covered with a resin layer, and its periphery is covered with a transparent resin layer. (For example, Patent Document 1).
However, in such an optical semiconductor device, the resin layer and the lead frame may be stretched due to light emission of the LED element and heat of the mounted substrate. Here, since the terminal portion of the lead frame is formed of a conductive material such as copper and the resin layer is formed of a thermoplastic resin or the like, the resin layer is a terminal of the lead frame due to the difference in linear expansion coefficient between the two. There was a case where it peeled off from the part.
Unlike the optical semiconductor device described in Patent Document 1, a resin layer covering the lead frame is formed so as to substantially match the thickness of the lead frame, and a transparent resin is formed on the lead frame on which the resin layer is formed. There is also a so-called flat type optical semiconductor element device in which a layer is formed. However, in such a device, the contact area between the resin layer and the terminal portion of the lead frame is further narrowed, so that the occurrence of the above-described peeling is remarkable. There was a case.

特開２０１１−１５１０６９号公報JP 2011-151069 A

本発明の課題は、樹脂層と端子部との剥離を抑制することができる光半導体素子用リードフレーム、樹脂付き光半導体素子用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体を提供することである。   The subject of this invention is the lead frame for optical semiconductor elements which can suppress peeling with a resin layer and a terminal part, the lead frame for optical semiconductor elements with resin, the multi-sided body of a lead frame, the multi-sided attachment of the lead frame with resin Body, optical semiconductor device, and multifaceted body of optical semiconductor device.

本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。また、符号を付して説明した構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。   The present invention solves the above problems by the following means. In addition, in order to make an understanding easy, although the code | symbol corresponding to embodiment of this invention is attached | subjected and demonstrated, it is not limited to this. In addition, the configuration described with reference numerals may be improved as appropriate, or at least a part thereof may be replaced with another configuration.

第１の発明は、複数の端子部（１１、１２）を有し、前記端子部のうち少なくとも一つが光半導体素子（２）と接続される光半導体装置（１）に用いられる光半導体用リードフレーム（１０）において、前記端子部は、その周縁部に、表面から窪んだ第１凹部（Ｍ１）と、裏面から窪んだ第２凹部（Ｍ２）とが複数形成され、前記第１凹部及び前記第２凹部は、それぞれの底面（ｍ１、ｍ２）が前記端子部の外周につながっていること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第２の発明は、第１の発明の光半導体装置用リードフレーム（１０）において、前記端子部（１１、１２）は、前記第１凹部（Ｍ１）と前記第２凹部（Ｍ２）との間の少なくとも１つに、前記端子部の表面と前記第１凹部の底面（ｍ１）とをつなぐ第１傾斜面（ｎ１）と、前記端子部の裏面と前記第２凹部の底面（ｍ２）とをつなぐ第２傾斜面（ｎ２）とを備える傾斜部（Ｎ）を有すること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第３の発明は、第２の発明の光半導体装置用リードフレーム（１０）において、前記傾斜部（Ｎ）は、前記第１傾斜面（ｎ１）と前記端子部（１１、１２）の表面との境界（Ｌ１）が、前記端子部の厚み方向（Ｚ）において、前記第２傾斜面（ｎ２）と前記端子部の裏面との境界（Ｌ２）と対向する位置に形成されること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第４の発明は、第２の発明の光半導体装置用リードフレーム（２１０）において、前記傾斜部（Ｎ）は、前記第１傾斜面（ｎ１）と前記第１凹部（Ｍ１）の底面（ｍ１）との境界（Ｌ３）が、前記端子部（２１１、２１２）の厚み方向（Ｚ）において、前記第２傾斜面（ｎ２）と前記端子部の裏面との境界（Ｌ４）と対向する位置に形成され、前記第１傾斜面と前記端子部の表面との境界（Ｌ５）は、前記端子部の厚み方向において、前記第２傾斜面と前記第２凹部の底面との境界（Ｌ６）と対向する位置に形成されること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第５の発明は、第１の発明の光半導体装置用リードフレーム（３１０）において、前記端子部（３１１、３１２）は、前記第１凹部（Ｍ１）と前記第２凹部（Ｍ２）との間の少なくとも１つに、切り欠き部（Ｐ）を有すること、を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
である。
第６の発明は、第１の発明の光半導体装置用リードフレーム（４１０）において、前記端子部（４１１、４１２）は、前記第１凹部（Ｍ１）が、前記第２凹部（Ｍ２）に対して所定の間隔（Ｑ）を設けて形成されること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第７の発明は、第１の発明の光半導体装置用リードフレーム（５１０）において、前記端子部（５１１、５１２）の表面と前記第１凹部（Ｍ１）の底面（ｍ１）との境界（Ｌ７）は、前記端子部の厚み方向（Ｚ）において、前記端子部の裏面と前記第２凹部（Ｍ２）の低面（ｍ２）との境界（Ｌ８）と対向する位置に形成されること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第８の発明は、第１の発明から第７の発明までのいずれかの光半導体装置用リードフレーム（１０）において、前記端子部（１１、１２）は、互いに電気的に独立して配置される一対の端子部から構成されること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。 The first invention has a plurality of terminal portions (11, 12), and at least one of the terminal portions is an optical semiconductor lead used in the optical semiconductor device (1) connected to the optical semiconductor element (2). In the frame (10), the terminal portion includes a plurality of first recesses (M1) recessed from the front surface and second recesses (M2) recessed from the back surface at the peripheral edge thereof. The second recess is a lead frame for an optical semiconductor device, characterized in that each bottom surface (m1, m2) is connected to the outer periphery of the terminal portion.
According to a second invention, in the lead frame (10) for an optical semiconductor device according to the first invention, the terminal portions (11, 12) are located between the first recess (M1) and the second recess (M2). At least one of the first inclined surface (n1) connecting the surface of the terminal portion and the bottom surface (m1) of the first recess, the back surface of the terminal portion and the bottom surface (m2) of the second recess. An optical semiconductor device lead frame comprising an inclined portion (N) having a second inclined surface (n2) to be connected.
According to a third invention, in the lead frame (10) for an optical semiconductor device according to the second invention, the inclined portion (N) includes the first inclined surface (n1) and the surface of the terminal portion (11, 12). The boundary (L1) is formed at a position facing the boundary (L2) between the second inclined surface (n2) and the back surface of the terminal portion in the thickness direction (Z) of the terminal portion. An optical semiconductor device lead frame.
According to a fourth invention, in the lead frame (210) for an optical semiconductor device according to the second invention, the inclined portion (N) includes the first inclined surface (n1) and the bottom surface (m1) of the first recessed portion (M1). ) In the thickness direction (Z) of the terminal portions (211 and 212) at a position facing the boundary (L4) between the second inclined surface (n2) and the back surface of the terminal portion. The boundary (L5) formed between the first inclined surface and the surface of the terminal portion is opposed to the boundary (L6) between the second inclined surface and the bottom surface of the second recess in the thickness direction of the terminal portion. It is the lead frame for optical semiconductor devices characterized by being formed in the position which carries out.
According to a fifth aspect of the invention, in the lead frame (310) for the optical semiconductor device according to the first aspect, the terminal portions (311 and 312) are located between the first concave portion (M1) and the second concave portion (M2). A lead frame for an optical semiconductor device, characterized in that at least one of them has a notch (P).
It is.
According to a sixth aspect of the present invention, in the lead frame (410) for an optical semiconductor device according to the first aspect, the terminal portions (411, 412) are arranged such that the first concave portion (M1) is in relation to the second concave portion (M2). The lead frame for an optical semiconductor device is characterized by being formed with a predetermined interval (Q).
According to a seventh invention, in the lead frame (510) for the optical semiconductor device according to the first invention, the boundary (L7) between the surface of the terminal portion (511, 512) and the bottom surface (m1) of the first recess (M1). ) Is formed at a position facing the boundary (L8) between the back surface of the terminal portion and the lower surface (m2) of the second recess (M2) in the thickness direction (Z) of the terminal portion. A lead frame for an optical semiconductor device.
According to an eighth invention, in the lead frame (10) for an optical semiconductor device according to any one of the first invention to the seventh invention, the terminal portions (11, 12) are arranged electrically independently from each other. An optical semiconductor device lead frame characterized by comprising a pair of terminal portions.

第９の発明は、第１の発明から第８の発明までのいずれかの光半導体装置用リードフレーム（１０）と、前記光半導体装置用リードフレームと同等の厚みを有し、前記端子部（１１、１２）の外周、前記第１凹部（Ｍ１）、及び、前記第２凹部（Ｍ２）に形成される樹脂層（２０）とを備えること、を特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレームである。   A ninth invention has a lead frame (10) for an optical semiconductor device according to any one of the first to eighth inventions and a thickness equivalent to that of the lead frame for an optical semiconductor device, and the terminal portion ( 11. A lead frame for an optical semiconductor device with a resin, comprising: an outer periphery of 11, 12), a resin layer (20) formed in the first recess (M1), and the second recess (M2). It is.

第１０の発明は、第１の発明から第８の発明までのいずれかの光半導体装置用リードフレーム（１０）が枠体に多面付けされていること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。   A tenth aspect of the present invention is the lead frame multi-faced body characterized in that any one of the lead frames for optical semiconductor devices (10) from the first aspect to the eighth aspect of the invention is multi-faced to the frame. It is.

第１１の発明は、第９の発明の樹脂付き光半導体装置用リードフレームが多面付けされていること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。   An eleventh aspect of the invention is a multi-sided body of a resin-attached lead frame characterized in that the lead frame for an optical semiconductor device with resin of the ninth aspect is multi-sided.

第１２の発明は、第９の発明の樹脂付き光半導体装置用リードフレームと、前記樹脂付き光半導体装置用リードフレームの前記端子部（１１、１２）のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子（２）と、前記樹脂付き光半導体装置用リードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層（３０）とを備えること、を特徴とする光半導体装置である。   The twelfth invention is an optical semiconductor connected to at least one of the lead frame for an optical semiconductor device with resin of the ninth invention and the terminal portion (11, 12) of the lead frame for an optical semiconductor device with resin. An element (2) and a transparent resin layer (30) formed on a surface of the lead frame for an optical semiconductor device with resin connected to the optical semiconductor element and covering the optical semiconductor element, This is an optical semiconductor device.

第１３の発明は、第１２の発明の光半導体装置（１）が多面付けされていること、
を特徴とする光半導体装置の多面付け体である。 The thirteenth invention is that the optical semiconductor device (1) of the twelfth invention is multifaceted,
A multi-faced body of an optical semiconductor device characterized by the following.

本発明によれば、光半導体素子用リードフレーム、樹脂付き光半導体素子用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体は、樹脂層と端子部との剥離を抑制することができる。   According to the present invention, a lead frame for an optical semiconductor element, a lead frame for an optical semiconductor element with resin, a multifaceted body of a leadframe, a multifaceted body of a leadframe with resin, an optical semiconductor device, and a multifaceted body of an optical semiconductor device are: Further, peeling between the resin layer and the terminal portion can be suppressed.

第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。1 is a diagram illustrating an overall configuration of an optical semiconductor device 1 according to a first embodiment. 第１実施形態のリードフレーム１０の詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the lead frame 10 of 1st Embodiment. 第１実施形態の光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the lead frame 10 in which the light reflection resin layer 20 of 1st Embodiment was formed. 第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing process of the lead frame 10 of 1st Embodiment. 第１実施形態の多面付けされたリードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置１を示す図である。1 is a diagram illustrating a multi-sided lead frame, a lead frame with resin, and an optical semiconductor device 1 according to a first embodiment. 第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing process of the optical semiconductor device 1 of 1st Embodiment. 第２実施形態のリードフレーム２１０及び光反射樹脂層２２０が形成されたリードフレーム２１０を説明する図である。It is a figure explaining the lead frame 210 in which the lead frame 210 and the light reflection resin layer 220 of 2nd Embodiment were formed. 第３実施形態のリードフレーム３１０及び光反射樹脂層３２０が形成されたリードフレーム３１０を説明する図である。It is a figure explaining the lead frame 310 in which the lead frame 310 of 3rd Embodiment and the light reflection resin layer 320 were formed. 第４実施形態のリードフレーム４１０及び光反射樹脂層４２０が形成されたリードフレーム４１０を説明する図である。It is a figure explaining the lead frame 410 in which the lead frame 410 and the light reflection resin layer 420 of 4th Embodiment were formed. 第５実施形態のリードフレーム５１０及び光反射樹脂層５２０が形成されたリードフレーム５１０を説明する図である。It is a figure explaining the lead frame 510 in which the lead frame 510 of 5th Embodiment and the light reflection resin layer 520 were formed. 変形形態の光半導体装置６０１の全体構成を示す図である。It is a figure which shows the whole structure of the optical semiconductor device 601 of a deformation | transformation form.

（第１実施形態）
以下、図面等を参照して、本発明の実施形態について説明する。
図１は、第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。
図１（ａ）、図１（ｂ）は、それぞれ、光半導体装置１の平面図、下面図を示し、図１（ｃ）、図１（ｄ）は、それぞれ、図１（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
図２は、第１実施形態のリードフレーム１０の詳細を説明する図である。
図２（ａ）、図２（ｂ）は、それぞれ、リードフレーム１０の平面図、下面図を示し、図２（ｃ）、図２（ｄ）は、それぞれ、図２（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
図３は、第１実施形態の光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の詳細を説明する図である。
図３（ａ）、図３（ｂ）は、それぞれ、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の平面図、下面図を示し、図３（ｃ）、図３（ｄ）は、それぞれ、図３（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
各図において、光半導体装置１の平面図における長手方向を左右方向Ｘ、短手方向を上下方向Ｙ、表面及び裏面の方向を厚み方向Ｚとする。 (First embodiment)
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of an optical semiconductor device 1 according to the first embodiment.
1A and 1B are a plan view and a bottom view, respectively, of the optical semiconductor device 1, and FIGS. 1C and 1D are respectively c in FIG. 1A. -C sectional drawing, dd sectional drawing are shown.
FIG. 2 is a diagram for explaining the details of the lead frame 10 of the first embodiment.
2A and 2B are a plan view and a bottom view, respectively, of the lead frame 10, and FIGS. 2C and 2D are respectively c-- in FIG. 2A. c sectional drawing and dd sectional drawing are shown.
FIG. 3 is a diagram for explaining the details of the lead frame 10 on which the light reflecting resin layer 20 of the first embodiment is formed.
3A and 3B are a plan view and a bottom view, respectively, of the lead frame 10 on which the light reflecting resin layer 20 is formed, and FIGS. 3C and 3D are respectively shown in FIG. FIG. 3 shows a cc cross-sectional view and a dd cross-sectional view of FIG.
In each figure, the longitudinal direction in the plan view of the optical semiconductor device 1 is the left-right direction X, the short direction is the up-down direction Y, and the front and back directions are the thickness direction Z.

光半導体装置１は、外部機器等の基板に取り付けられることによって、実装したＬＥＤ素子２が発光する照明装置である。光半導体装置１は、図１に示すように、ＬＥＤ素子２（光半導体素子）、リードフレーム１０、光反射樹脂層２０（樹脂層）、透明樹脂層３０を備える。
光半導体装置１は、リードフレーム１０に光反射樹脂層２０を形成し、ＬＥＤ素子２を電気的に接続し、透明樹脂層３０を形成することによって製造される（詳細は後述する）。
ＬＥＤ素子２は、発光層として一般に用いられるＬＥＤ（発光ダイオード）の素子であり、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、又は、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。 The optical semiconductor device 1 is an illumination device in which the mounted LED element 2 emits light when attached to a substrate such as an external device. As shown in FIG. 1, the optical semiconductor device 1 includes an LED element 2 (optical semiconductor element), a lead frame 10, a light reflecting resin layer 20 (resin layer), and a transparent resin layer 30.
The optical semiconductor device 1 is manufactured by forming a light reflecting resin layer 20 on the lead frame 10, electrically connecting the LED elements 2, and forming a transparent resin layer 30 (details will be described later).
The LED element 2 is an LED (light emitting diode) element generally used as a light emitting layer. For example, a compound semiconductor single crystal such as GaP, GaAs, GaAlAs, GaAsP, and AlInGaP, or various GaN compound semiconductor single elements such as InGaN are used. By appropriately selecting a material made of crystals, an emission wavelength ranging from ultraviolet light to infrared light can be selected.

リードフレーム１０は、一対の端子部、すなわち、ＬＥＤ素子２が載置、接続される端子部１１と、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２に接続される端子部１２とから構成される。
端子部１１、１２は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から、銅合金から形成されている。
端子部１１、１２は、それぞれ離れて配置されており、互いに電気的に独立している。端子部１１、１２は、１枚の金属基板（銅版）をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。 The lead frame 10 includes a pair of terminal portions, that is, a terminal portion 11 on which the LED element 2 is placed and connected, and a terminal portion 12 connected to the LED element 2 through a bonding wire 2a.
Each of the terminal portions 11 and 12 is formed of a conductive material, for example, copper, a copper alloy, 42 alloy (Ni 40.5% to 43% Fe alloy), etc. In this embodiment, heat conduction and From the viewpoint of strength, it is formed from a copper alloy.
The terminal portions 11 and 12 are arranged apart from each other and are electrically independent from each other. Since the terminal portions 11 and 12 are formed by pressing or etching a single metal substrate (copper plate), the thicknesses of both are the same.

端子部１１は、図１に示すように、その表面にＬＥＤ素子２が載置、接続されるＬＥＤ端子面１１ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１１ｂが形成される、いわゆるダイパッドを構成する。端子部１１は、ＬＥＤ素子２が載置されるため、端子部１２に比べ、その外形が大きく形成されている。
端子部１２は、その表面にＬＥＤ素子２のボンディングワイヤ２ａが接続されるＬＥＤ端子面１２ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１２ｂが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部１１、１２は、その表面及び裏面にめっき層Ｓが形成されており（図４（ｅ）参照）、表面側のめっき層Ｓは、ＬＥＤ素子２の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Ｓは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。 As shown in FIG. 1, the terminal portion 11 has an LED terminal surface 11a on which the LED element 2 is mounted and connected on the surface thereof, and an external terminal surface 11b mounted on an external device on the back surface. The so-called die pad is formed. Since the LED element 2 is placed on the terminal portion 11, the outer shape of the terminal portion 11 is larger than that of the terminal portion 12.
The terminal portion 12 has an LED terminal surface 12a connected to the bonding wire 2a of the LED element 2 formed on the surface thereof, and an external terminal surface 12b mounted on an external device formed on the back surface of the terminal portion 12 so-called lead side. Configure the terminal part.
As for the terminal parts 11 and 12, the plating layer S is formed in the surface and the back surface (refer FIG.4 (e)), and the plating layer S of the surface side serves as a reflection layer which reflects the light which LED element 2 emits. The plating layer S on the back surface side has a function to improve the soldering property when mounted on an external device.

端子部１１、１２は、図２に示すように、それぞれの周縁部に、表面（ＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａ）から窪んだ凹部Ｍ１（第１凹部）と、裏面（外部端子面１１ｂ、１２ｂ）から窪んだ凹部Ｍ２（第２凹部）とが複数形成されている。
また、端子部１１、１２には、図２（ｄ）に示すように、それぞれの周縁部において、凹部Ｍ１及び凹部Ｍ２間に傾斜部Ｎが形成されている。この傾斜部Ｎは、表面と、凹部Ｍ１の底面ｍ１とをつなぐ傾斜面ｎ１（第１傾斜面）と、裏面と、凹部Ｍ２の底面ｍ２とをつなぐ傾斜面ｎ２（第２傾斜面）とから構成されている。
さらに、端子部１１、１２は、ＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａを囲むようにして、凹部Ｍ１、Ｍ２の底面ｍ１、ｍ２とＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａとをつなぐ傾斜面ｎ３が形成されている。 As shown in FIG. 2, the terminal portions 11 and 12 have a recess M1 (first recess) recessed from the front surface (LED terminal surfaces 11a and 12a) and a back surface (external terminal surfaces 11b and 12b) at the respective peripheral portions. A plurality of recessed portions M2 (second recessed portions) recessed from the surface are formed.
Moreover, as shown in FIG.2 (d), the inclined part N is formed in the terminal parts 11 and 12 between the recessed part M1 and the recessed part M2 in each peripheral part. The inclined portion N includes an inclined surface n1 (first inclined surface) that connects the surface and the bottom surface m1 of the recess M1, and an inclined surface n2 (second inclined surface) that connects the back surface and the bottom surface m2 of the recess M2. It is configured.
Further, the terminal portions 11 and 12 are formed with inclined surfaces n3 that connect the bottom surfaces m1 and m2 of the recesses M1 and M2 and the LED terminal surfaces 11a and 12a so as to surround the LED terminal surfaces 11a and 12a.

凹部Ｍ１は、リードフレーム１０の表面側から見て、矩形状に形成された窪みであり、その底面の厚みは、端子部１１、１２の厚みのほぼ半分よりも若干薄く形成されている。
凹部Ｍ２は、リードフレーム１０の裏面側から見て、矩形状に形成された窪みであり、その底面の厚みは、端子部１１、１２の厚みの１／３〜２／３程度に形成されている。
また、凹部Ｍ１、Ｍ２の底面ｍ１、ｍ２は、各端子部１１、１２の外周につながっている。
傾斜部Ｎは、図２（ｄ）に示すように、傾斜面ｎ１と、各端子部１１、１２の表面との境界Ｌ１が、端子部の厚み方向Ｚにおいて、傾斜面ｎ２と、各端子部１１、１２の裏面との境界Ｌ２と対向する位置に形成される。これにより、各端子部１１、１２は、傾斜部Ｎの厚みが、凹部Ｍ１、凹部Ｍ２が形成される部分の厚みよりも厚くなるため、リードフレーム１０の強度を向上させることができる。
また、傾斜部Ｎは、傾斜面ｎ１、ｎ２が各端子部１１、１２の外周につながっている。 The recess M1 is a recess formed in a rectangular shape when viewed from the front surface side of the lead frame 10, and the thickness of the bottom surface thereof is slightly thinner than approximately half the thickness of the terminal portions 11 and 12.
The recess M2 is a recess formed in a rectangular shape when viewed from the back surface side of the lead frame 10, and the bottom surface has a thickness of about 1/3 to 2/3 of the thickness of the terminal portions 11 and 12. Yes.
Further, the bottom surfaces m1 and m2 of the recesses M1 and M2 are connected to the outer peripheries of the terminal portions 11 and 12, respectively.
As shown in FIG. 2 (d), the inclined portion N has a boundary L1 between the inclined surface n1 and the surfaces of the terminal portions 11 and 12 in the thickness direction Z of the terminal portion. 11 and 12 are formed at positions facing the boundary L2 with the back surface. Thereby, since the thickness of the inclination part N becomes thicker than the thickness of the part in which the recessed part M1 and the recessed part M2 are formed, each terminal part 11 and 12 can improve the intensity | strength of the lead frame 10. FIG.
Further, the inclined portion N has inclined surfaces n1 and n2 connected to the outer peripheries of the terminal portions 11 and 12, respectively.

リードフレーム１０は、端子部１１、１２の周囲や、端子部１１、１２間に、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填される場合に、図３に示すように、凹部Ｍ１、Ｍ２、傾斜部Ｎ上にも樹脂が充填され、表面及び裏面から光反射樹脂層２０によって挟み込まれる形態を取る。これにより、光反射樹脂層２０が、厚み方向（Ｚ方向）だけでなく、平面方向（ＸＹ方向）においても、リードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、各端子部１１、１２は、凹部Ｍ１、Ｍ２間に傾斜部Ｎを備え、ＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａと、凹部Ｍ１、Ｍ２の底面ｍ１、ｍ２との間に傾斜面ｎ３を備えているので、リードフレーム１０を平坦な金型で表裏から抑える又は表裏にテープを貼付け、側面から樹脂を注入する方法により、光反射性樹脂を充填する場合、樹脂の流動を妨げることなく、各凹部Ｍ１、Ｍ２内に樹脂を容易に充填することができる。
さらに、ＬＥＤ素子を基板、特にリジッド基板に半田を用いて接合する工程の冷却の過程において、端子部の大きさが同じでなかったり、端子部に搭載されている素子への熱伝達により、各端子部の実質的な熱容量が異なっていたりする場合に、半田が冷え固まるのに端子部間で時間差が発生する場合がある。この場合、冷え固まった一方の半田側の端子部は固定され、もう一方の冷え固まっていない半田側は、半田の表面張力により引っ張りの力が働くため、ＬＥＤ素子がＸ方向に引き離される強い応力がかかり、端子部間に間隙が発生しやすくなる問題があるが、本実施形態のリードフレーム７１０は、これを抑制することができる。 When the lead frame 10 is filled with the resin that forms the light reflecting resin layer 20 around the terminal portions 11 and 12 or between the terminal portions 11 and 12, as shown in FIG. The inclined portion N is also filled with resin and is sandwiched by the light reflecting resin layer 20 from the front and back surfaces. Thereby, it can suppress that the light reflection resin layer 20 peels from the lead frame 10 not only in the thickness direction (Z direction) but also in the plane direction (XY direction).
Moreover, each terminal part 11 and 12 is provided with the inclination part N between the recessed parts M1 and M2, and is provided with the inclined surface n3 between LED terminal surface 11a and 12a and the bottom surfaces m1 and m2 of the recessed parts M1 and M2. Therefore, when filling the light-reflective resin by a method of holding the lead frame 10 from the front and back with a flat mold or sticking a tape to the front and back and injecting resin from the side surface, each recess M1 does not hinder the flow of the resin. M2 can be easily filled with resin.
Further, in the cooling process of the step of joining the LED element to the substrate, particularly the rigid substrate using solder, the size of the terminal portion is not the same or due to heat transfer to the element mounted on the terminal portion, When the substantial heat capacities of the terminal portions are different, a time difference may occur between the terminal portions as the solder cools and hardens. In this case, the terminal part on one solder side that has cooled and hardened is fixed, and the other solder side that has not cooled and hardened has a tensile force due to the surface tension of the solder, so that the LED element is pulled away in the X direction. However, the lead frame 710 of the present embodiment can suppress this problem.

光反射樹脂層２０は、図３に示すように、各端子部１１、１２の外周（リードフレーム１０の外周及び各端子部１１、１２間の隙間）と、各端子部１１、１２に設けられた凹部Ｍ１、Ｍ２、傾斜部Ｎ上とに充填された樹脂の層である。光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０の厚みとほぼ同一の厚みに形成されている。
光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０に載置されるＬＥＤ素子２の発する光を反射させるために、光反射特性を有する熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂が用いられる。
光反射樹脂層２０を形成する樹脂は、凹み部分への樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、凹み部分での接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート等を用いることができる。 As shown in FIG. 3, the light reflecting resin layer 20 is provided on the outer periphery of each terminal portion 11, 12 (the outer periphery of the lead frame 10 and the gap between each terminal portion 11, 12) and on each terminal portion 11, 12. This is a resin layer filled in the concave portions M1 and M2 and the inclined portion N. The light reflecting resin layer 20 is formed to have substantially the same thickness as the lead frame 10.
The light reflecting resin layer 20 is made of a thermoplastic resin having a light reflecting property or a thermosetting resin in order to reflect light emitted from the LED element 2 placed on the lead frame 10.
The resin forming the light reflecting resin layer 20 has high fluidity when the resin is formed with respect to the resin filling in the recessed portion, and the adhesiveness at the recessed portion is easy to introduce a reactive group into the molecule. A thermosetting resin is desirable because it is necessary to obtain chemical adhesion to the frame.
For example, as the thermoplastic resin, polyamide, polyphthalamide, polyphenylene sulfide, liquid crystal polymer, polyether sulfone, polybutylene terephthalate, or the like can be used.

また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらに、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。 As the thermosetting resin, silicone, epoxy, polyetherimide, polyurethane, polybutylene acrylate, or the like can be used.
Furthermore, the reflectance of light can be increased by adding any of titanium dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, aluminum nitride, and boron nitride as a light reflecting material to these resins.

透明樹脂層３０は、図１に示すように、リードフレーム１０上に接続されたＬＥＤ素子２を保護するとともに、発光したＬＥＤ素子２の光を外部に透過させるために設けられた透明又は略透明に形成された樹脂層である。
透明樹脂層３０は、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤ素子２の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、ＬＥＤ素子２に高輝度ＬＥＤ素子を用いる場合、透明樹脂層３０は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよい。 As shown in FIG. 1, the transparent resin layer 30 is transparent or substantially transparent provided to protect the LED element 2 connected on the lead frame 10 and to transmit the emitted light of the LED element 2 to the outside. It is the resin layer formed in this.
For the transparent resin layer 30, it is desirable to select a material having a high light transmittance and a high refractive index at the emission wavelength of the LED element 2 in order to improve the light extraction efficiency. For example, an epoxy resin or a silicone resin can be selected as a resin that satisfies the properties of high heat resistance, light resistance, and mechanical strength. In particular, when a high-brightness LED element is used for the LED element 2, the transparent resin layer 30 is preferably made of a silicone resin having high light resistance because it is exposed to strong light. Moreover, you may use the fluorescent substance for wavelength conversion.

次に、リードフレーム１０の製造方法について説明する。
銅板の加工は、プレス加工でも良いが、薄肉部を形成しやすいエッチング処理が望ましい。
図４は、第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。
図５は、多面付けされたリードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置１を示す図である。
図４（ａ）は、レジストパターンを形成した金属基板１００を示す平面図と、ａ−ａ断面図とを示す。図４（ｂ）は、エッチング加工されている金属基板１００を示す図である。図４（ｃ）は、エッチング加工後の金属基板１００を示す図である。図４（ｄ）は、レジストパターンが除去された金属基板１００を示す図である。図４（ｅ）は、めっき処理が施された金属基板１００を示す図である。
なお、図４においては、１枚のリードフレーム１０の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００から複数のリードフレーム１０が製造されるものとする。 Next, a method for manufacturing the lead frame 10 will be described.
The copper plate may be processed by pressing, but an etching process that easily forms a thin portion is desirable.
FIG. 4 is a view for explaining the manufacturing process of the lead frame 10 of the first embodiment.
FIG. 5 is a diagram showing a multi-sided lead frame, a lead frame with resin, and the optical semiconductor device 1.
FIG. 4A shows a plan view showing a metal substrate 100 on which a resist pattern is formed, and an aa sectional view. FIG. 4B shows the metal substrate 100 that has been etched. FIG. 4C shows the metal substrate 100 after the etching process. FIG. 4D is a view showing the metal substrate 100 from which the resist pattern has been removed. FIG. 4E is a diagram showing the metal substrate 100 that has been plated.
In FIG. 4, the manufacturing process of one lead frame 10 is illustrated, but actually, a plurality of lead frames 10 are manufactured from one metal substrate 100.

金属基板１００をエッチング加工することによって、多面付けされたリードフレーム１０が、複数形成される。
まず、平板状の金属基板１００を用意し、図４（ａ）に示すように、その表面及び裏面のエッチング加工を施さない部分にレジストパターン４０ａ、４０ｂを形成する。なお、レジストパターン４０ａ、４０ｂの材料及び形成方法は、エッチング用レジストとして従来公知の技術を用いる。
次に、図４（ｂ）に示すように、レジストパターン４０ａ、４０ｂを耐エッチング膜として、金属基板１００に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板１００の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板１００として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板１００の両面からスプレーエッチングすることができる。 By etching the metal substrate 100, a plurality of multi-faced lead frames 10 are formed.
First, a flat metal substrate 100 is prepared, and as shown in FIG. 4A, resist patterns 40a and 40b are formed on portions of the front and back surfaces that are not etched. The material and the formation method of the resist patterns 40a and 40b use a conventionally known technique as an etching resist.
Next, as shown in FIG. 4B, the metal substrate 100 is etched with a corrosive solution using the resist patterns 40a and 40b as etching resistant films. The corrosive liquid can be appropriately selected according to the material of the metal substrate 100 to be used. In this embodiment, since a copper plate is used as the metal substrate 100, an aqueous ferric chloride solution can be used and spray etching can be performed from both surfaces of the metal substrate 100.

ここで、リードフレーム１０には、端子部１１、１２の外周部や、各端子部１１、１２間のように貫通した空間と、凹部Ｍ１、Ｍ２や、傾斜部Ｎのように、貫通せずに厚みが薄くなった窪んだ空間とが存在する（図２参照）。本実施形態では、金属基板１００の板厚の半分程度までをエッチング加工する、いわゆるハーフエッチング処理を行い、貫通した空間に対しては、金属基板１００の両面にレジストパターンを形成しないようにし、金属基板１００の両面からエッチング加工して、貫通した空間を形成する。また、窪んだ空間に対しては、厚みが薄くなる側とは反対側の面にのみレジストパターンを形成して、レジストパターンがない面のみをエッチング加工して、窪んだ空間を形成する。
エッチング処理により金属基板１００には、図４（ｃ）に示すように、凹部Ｍ１、Ｍ２や、傾斜部Ｎが形成された端子部１１、１２が形成され、金属基板１００上にリードフレーム１０が形成される。 Here, the lead frame 10 does not penetrate like the outer peripheral portions of the terminal portions 11 and 12, the space penetrating between the terminal portions 11 and 12, the concave portions M 1 and M 2, and the inclined portion N. And a depressed space having a reduced thickness (see FIG. 2). In the present embodiment, a so-called half-etching process that etches up to about half the plate thickness of the metal substrate 100 is performed, and a resist pattern is not formed on both surfaces of the metal substrate 100 in the penetrating space. Etching is performed from both sides of the substrate 100 to form a penetrating space. For the recessed space, a resist pattern is formed only on the surface opposite to the side where the thickness is reduced, and only the surface without the resist pattern is etched to form a recessed space.
As shown in FIG. 4C, the metal substrate 100 is formed with the recesses M1 and M2 and the terminal portions 11 and 12 with the inclined portions N formed on the metal substrate 100, and the lead frame 10 is formed on the metal substrate 100. It is formed.

次に、図４（ｄ）に示すように、金属基板１００（リードフレーム１０）からレジストパターン４０を除去する。
そして、図４（ｅ）に示すように、リードフレーム１０が形成された金属基板１００にめっき処理を行い、端子部１１、１２にめっき層Ｓを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Ｓを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Ｓを形成してもよい。
以上により、リードフレーム１０は、図５（ａ）に示すように、枠体Ｆに多面付けされた状態で製造される。 Next, as shown in FIG. 4D, the resist pattern 40 is removed from the metal substrate 100 (lead frame 10).
Then, as shown in FIG. 4 (e), the metal substrate 100 on which the lead frame 10 is formed is subjected to plating, and the plating layer S is formed on the terminal portions 11 and 12. The plating process is performed, for example, by performing electroplating using a silver plating solution containing silver cyanide as a main component.
In addition, before forming the plating layer S, for example, an electrolytic degreasing process, a pickling process, and a copper strike process may be selected as appropriate, and then the plating layer S may be formed through an electrolytic plating process.
As described above, the lead frame 10 is manufactured in a state of being multifaceted to the frame F as shown in FIG.

次に、光半導体装置１の製造方法について説明する。
図６は、第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。
図６（ａ）は、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の平面図であり、図６（ｂ）、図６（ｃ）は、図６（ａ）のｂ−ｂ断面図、ｃ−ｃ断面図である。
図６（ｄ）は、ＬＥＤ素子２が電気的に接続されたリードフレーム１０の断面図を示す。図６（ｅ）は、透明樹脂層３０が形成されたリードフレーム１０の断面図を示す。図６（ｆ）は、ダイシングにより小片化され、光半導体装置１を形成したリードフレーム１０の断面図を示す。
なお、図６においては、１台の光半導体装置１の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００から複数の光半導体装置１が製造されるものとする。また、図６（ｄ）〜（ｆ）は、それぞれ図６（ｃ）の断面図に基づくものである。 Next, a method for manufacturing the optical semiconductor device 1 will be described.
FIG. 6 is a diagram illustrating a manufacturing process of the optical semiconductor device 1 according to the first embodiment.
6A is a plan view of the lead frame 10 on which the light reflecting resin layer 20 is formed, and FIGS. 6B and 6C are cross-sectional views taken along line bb in FIG. 6A. It is cc sectional drawing.
FIG. 6D is a cross-sectional view of the lead frame 10 to which the LED element 2 is electrically connected. FIG. 6E shows a cross-sectional view of the lead frame 10 on which the transparent resin layer 30 is formed. FIG. 6F shows a cross-sectional view of the lead frame 10 that has been diced by dicing to form the optical semiconductor device 1.
In FIG. 6, the manufacturing process of one optical semiconductor device 1 is illustrated, but actually, a plurality of optical semiconductor devices 1 are manufactured from one metal substrate 100. FIGS. 6D to 6F are based on the cross-sectional view of FIG.

図６（ａ）〜図６（ｃ）に示すように、金属基板１００上にエッチング加工により形成されたリードフレーム１０の外周等に上述の光反射特性を有する樹脂を充填し、光反射樹脂層２０を形成する。光反射樹脂層２０は、例えば、射出成形やトランスファ成形のように、樹脂成形金型にリードフレーム１０（金属基板１００）をインサートし、樹脂を注入する方法や、リードフレーム１０上に樹脂をスクリーン印刷する方法等によって形成される。このとき、凹部Ｍ１、Ｍ２は底面ｍ１、ｍ２が、傾斜部Ｎは傾斜面ｎ１、ｎ２が、それぞれ端子部１１、１２の外周につながっているので、樹脂は、各端子部１１、１２の外周側から凹部Ｍ１、Ｍ２、傾斜部Ｎへと流れ込み、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０とを接合している。
また、光反射樹脂層２０は、端子部１１、１２とほぼ同等の厚みに形成され、光反射樹脂層２０の表面及び裏面には、各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａと、外部端子面１１ｂ、１２ｂとが表出する（図３（ａ）、図３（ｂ）参照）。以上により、図６（ｂ）に示すように、樹脂付きのリードフレーム１０が多面付けで形成される。 As shown in FIGS. 6A to 6C, the outer periphery of the lead frame 10 formed on the metal substrate 100 by etching is filled with the resin having the above-described light reflection characteristics, and a light reflection resin layer is formed. 20 is formed. The light reflecting resin layer 20 is formed by inserting a lead frame 10 (metal substrate 100) into a resin molding die and injecting the resin, such as injection molding or transfer molding, or by screening the resin on the lead frame 10. It is formed by a printing method or the like. At this time, since the bottom surfaces m1 and m2 of the recesses M1 and M2 and the inclined surfaces n1 and n2 of the inclined portion N are connected to the outer periphery of the terminal portions 11 and 12, respectively, the resin is the outer periphery of the terminal portions 11 and 12. The lead frame 10 and the light-reflecting resin layer 20 are joined by flowing from the side into the recesses M1 and M2 and the inclined portion N.
The light reflecting resin layer 20 is formed to have a thickness substantially equal to that of the terminal portions 11 and 12, and the LED terminal surfaces 11 a and 12 a of the terminal portions 11 and 12 are formed on the front and back surfaces of the light reflecting resin layer 20, respectively. External terminal surfaces 11b and 12b are exposed (see FIGS. 3A and 3B). As described above, as shown in FIG. 6B, the lead frame 10 with resin is formed with multiple faces.

次に、図６（ｄ）に示すように、端子部１１のＬＥＤ端子面１１ａに、ダイアタッチペーストや半田等の放熱性接着剤を介してＬＥＤ素子２を載置し、また、端子部１２のＬＥＤ端子面１２ａに、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２を電気的に接続する。ＬＥＤ素子とボンディングワイヤは複数あってもよく、一つのＬＥＤ素子に複数のボンディングワイヤが接続されてもよく、ボンディングワイヤをダイパッドに接続させてもよい。ＬＥＤ素子を載置面で電気的に接続してもよい。ここで、ボンディングワイヤ２ａは、例えば、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の導電性の良い材料からなる。
そして、図６（ｅ）に示すように、リードフレーム１０と、それに接合した光反射樹脂層２０の表面に、ＬＥＤ素子２を覆うようにして透明樹脂層３０を形成する。
透明樹脂層は平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。以上により、図６（ｃ）に示すように、多面付けされた光半導体装置１が形成される。
最後に、図６（ｆ）に示すように、光半導体装置１の外形に合わせて、光反射樹脂層２０及び透明樹脂層３０とともに、リードフレーム１０の不図示の連結部を切断（ダイシング）して、１パッケージに分離（小片化）された光半導体装置１を得る。 Next, as shown in FIG. 6 (d), the LED element 2 is placed on the LED terminal surface 11 a of the terminal portion 11 via a heat-dissipating adhesive such as die attach paste or solder, and the terminal portion 12. The LED element 2 is electrically connected to the LED terminal surface 12a via the bonding wire 2a. There may be a plurality of LED elements and bonding wires, a plurality of bonding wires may be connected to one LED element, or the bonding wires may be connected to a die pad. The LED elements may be electrically connected on the mounting surface. Here, the bonding wire 2a is made of a material having good conductivity such as gold (Au), copper (Cu), silver (Ag), and the like.
Then, as shown in FIG. 6E, a transparent resin layer 30 is formed on the lead frame 10 and the surface of the light reflecting resin layer 20 bonded thereto so as to cover the LED element 2.
The transparent resin layer may have an optical function such as a lens shape and a refractive index gradient in addition to a flat shape. Thus, as shown in FIG. 6C, a multifaceted optical semiconductor device 1 is formed.
Finally, as shown in FIG. 6 (f), the connecting portion (not shown) of the lead frame 10 is cut (diced) together with the light reflecting resin layer 20 and the transparent resin layer 30 in accordance with the outer shape of the optical semiconductor device 1. Thus, the optical semiconductor device 1 separated (divided) into one package is obtained.

本実施形態の発明には、以下のような効果がある。
（１）リードフレーム１０は、各端子部１１、１２の周縁部に凹部Ｍ１、Ｍ２が複数形成され、凹部Ｍ１、Ｍ２の各底面ｍ１、ｍ２が端子部１１、１２の外周につながっている。これにより、各端子部１１、１２の外周（リードフレーム１０の外周及び端子部間）に樹脂を流し込んで光反射樹脂層２０を形成する場合に、樹脂が凹部Ｍ１、Ｍ２、傾斜部Ｎにも流れ込んで、光反射樹脂層２０が、平面方向（Ｘ方向、Ｙ方向）及び厚み方向（Ｚ方向）において、リードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。 The invention of this embodiment has the following effects.
(1) In the lead frame 10, a plurality of recesses M 1 and M 2 are formed on the periphery of the terminal portions 11 and 12, and the bottom surfaces m 1 and m 2 of the recesses M 1 and M 2 are connected to the outer periphery of the terminal portions 11 and 12. As a result, when the resin is poured into the outer periphery of each terminal portion 11, 12 (between the outer periphery of the lead frame 10 and the terminal portion) to form the light reflecting resin layer 20, the resin also enters the recesses M 1, M 2 and the inclined portion N. It is possible to prevent the light reflecting resin layer 20 from being peeled off from the lead frame 10 in the planar direction (X direction, Y direction) and the thickness direction (Z direction).

（２）各端子部１１、１２は、凹部Ｍ１及び凹部Ｍ２間に傾斜部Ｎを有するので、樹脂が傾斜部Ｎの傾斜面ｎ１、ｎ２を流れることによって、より容易に凹部Ｍ１、Ｍ２内へ樹脂を充填させることができる。
（３）第１傾斜面ｎ１と各端子部１１、１２の表面との境界Ｌ１は、端子部の厚み方向において、第２傾斜面ｎ２と各端子部１１、１２の裏面との境界Ｌ２と対向する位置に形成されるので、樹脂の充填を容易にしつつ、各端子部１１、１２の裏面の外部端子面１１ｂ、１２ｂの表出面積を広くすることができる。
また、各端子部１１、１２の傾斜部Ｎにおける厚みを、凹部Ｍ１、Ｍ２における厚みよりも厚くすることができるので、リードフレーム１０の強度を向上させることができる。 (2) Since each terminal part 11 and 12 has the inclined part N between the recessed part M1 and the recessed part M2, when resin flows into the inclined surfaces n1 and n2 of the inclined part N, it will enter into recessed part M1 and M2 more easily. Resin can be filled.
(3) The boundary L1 between the first inclined surface n1 and the surfaces of the terminal portions 11 and 12 is opposed to the boundary L2 between the second inclined surface n2 and the back surfaces of the terminal portions 11 and 12 in the thickness direction of the terminal portions. Therefore, it is possible to increase the exposed area of the external terminal surfaces 11b and 12b on the back surfaces of the terminal portions 11 and 12 while facilitating resin filling.
Moreover, since the thickness in the inclined part N of each terminal part 11 and 12 can be made thicker than the thickness in the recessed parts M1 and M2, the intensity | strength of the lead frame 10 can be improved.

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図７は、第２実施形態のリードフレーム２１０及び光反射樹脂層２２０が形成されたリードフレーム２１０の詳細を説明する図である。
図７（ａ）は、リードフレーム２１０の断面図（図２（ｄ）に相当）であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）のリードフレーム２１０に光反射樹脂層が形成された断面図（図３（ｄ）に相当）である。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。 (Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 7 is a diagram illustrating details of the lead frame 210 and the lead frame 210 on which the light reflecting resin layer 220 is formed according to the second embodiment.
7A is a cross-sectional view of the lead frame 210 (corresponding to FIG. 2D), and FIG. 7B shows a light reflecting resin layer formed on the lead frame 210 of FIG. 7A. It is sectional drawing (equivalent to FIG.3 (d)).
Note that, in the following description and drawings, the same reference numerals or the same reference numerals are given to the portions that perform the same functions as those in the first embodiment described above, and overlapping descriptions will be omitted as appropriate.

第２実施形態のリードフレーム２１０は、傾斜部Ｎの形状が第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
傾斜部Ｎは、図７に示すように、傾斜面ｎ１と凹部Ｍ１の底面ｍ１との境界Ｌ３が、端子部の厚み方向Ｚにおいて、傾斜面ｎ２と端子部の裏面との境界Ｌ４と対向する位置に形成される。また、傾斜面ｎ１と端子部の表面との境界Ｌ５は、端子部の厚み方向Ｚにおいて、傾斜面ｎ２と凹部Ｍ２の底面ｍ２との境界Ｌ６と対向する位置に形成される。 The lead frame 210 of the second embodiment is different from the lead frame 10 of the first embodiment in the shape of the inclined portion N.
As shown in FIG. 7, in the inclined portion N, the boundary L3 between the inclined surface n1 and the bottom surface m1 of the recess M1 faces the boundary L4 between the inclined surface n2 and the back surface of the terminal portion in the thickness direction Z of the terminal portion. Formed in position. The boundary L5 between the inclined surface n1 and the surface of the terminal portion is formed at a position facing the boundary L6 between the inclined surface n2 and the bottom surface m2 of the recess M2 in the thickness direction Z of the terminal portion.

以上より、本実施形態の発明は、第１実施形態の発明と同様、光反射樹脂層２２０を形成する樹脂が凹部Ｍ１、Ｍ２、傾斜部Ｎにも充填されるので、光反射樹脂層２２０がリードフレーム２１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、各端子部１１、１２は、凹部Ｍ１及び凹部Ｍ２間に傾斜部Ｎを有するので、リードフレーム１０の凹部Ｍ１、Ｍ２への樹脂の充填をより容易にすることができる。
さらに、傾斜面ｎ１と凹部Ｍ１の底面ｍ１との境界Ｌ３が、端子部の厚み方向Ｚにおいて、傾斜面ｎ２と端子部の裏面との境界Ｌ４に対向する位置に形成され、傾斜面ｎ１と端子部の表面との境界Ｌ５が、端子部の厚み方向Ｚにおいて、傾斜面ｎ２と凹部Ｍ２の底面ｍ２との境界Ｌ６に対向する位置に形成されるので、各端子部１１、１２の凹部Ｍ１、Ｍ２における厚みを、傾斜部Ｎの厚みから薄くすることができる。
また、本実施形態では、傾斜部Ｎがあるために樹脂の充填が容易であることに加え、金属に比べ比重の低い樹脂の充填量を増加させることができるため軽量化が可能である。 As described above, in the invention of this embodiment, the resin that forms the light reflecting resin layer 220 is filled in the concave portions M1, M2 and the inclined portion N as well as the invention of the first embodiment. The peeling from the lead frame 210 can be suppressed.
Moreover, since each terminal part 11 and 12 has the inclination part N between the recessed part M1 and the recessed part M2, the filling of the resin to the recessed parts M1 and M2 of the lead frame 10 can be made easier.
Further, the boundary L3 between the inclined surface n1 and the bottom surface m1 of the recess M1 is formed at a position facing the boundary L4 between the inclined surface n2 and the back surface of the terminal portion in the thickness direction Z of the terminal portion, and the inclined surface n1 and the terminal Since the boundary L5 with the surface of the portion is formed at a position facing the boundary L6 between the inclined surface n2 and the bottom surface m2 of the concave portion M2 in the thickness direction Z of the terminal portion, the concave portions M1, The thickness at M2 can be reduced from the thickness of the inclined portion N.
Further, in the present embodiment, since the inclined portion N is present, the resin can be easily filled, and the amount of the resin having a specific gravity lower than that of the metal can be increased, so that the weight can be reduced.

（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
図８は、第３実施形態のリードフレーム３１０の詳細を説明する図である。
図８（ａ）は、リードフレーム３１０の平面図を示し、図８（ｂ）は、図８（ａ）のｂ−ｂ断面図を示し、図８（ｃ）は、図８（ａ）のｃ−ｃ断面図を示し、図８（ｄ）は、図８（ａ）のリードフレーム３１０に光反射樹脂層３２０が形成された断面図（図８（ｃ）に相当）である。 (Third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 8 is a diagram for explaining the details of the lead frame 310 of the third embodiment.
8A is a plan view of the lead frame 310, FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line bb in FIG. 8A, and FIG. 8C is a cross-sectional view in FIG. FIG. 8D is a cross-sectional view (corresponding to FIG. 8C) in which the light reflecting resin layer 320 is formed on the lead frame 310 of FIG. 8A.

第３実施形態のリードフレーム３１０は、傾斜部Ｎを備えていない点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
端子部３１１、３１２は、図８に示すように、凹部Ｍ１及び凹部Ｍ２間に切り欠き部Ｐが設けられている。
光反射樹脂層３２０は、図８（ｄ）に示すように、リードフレーム３１０の外周と、各端子部１１、１２間の隙間と、各端子部１１、１２に設けられた凹部Ｍ１、Ｍ２上と、切り欠き部Ｐとに充填された樹脂の層である。光反射樹脂層３２０は、リードフレーム３１０の厚みとほぼ同一の厚みに形成されている。 The lead frame 310 of the third embodiment is different from the lead frame 10 of the first embodiment in that the inclined portion N is not provided.
As shown in FIG. 8, each of the terminal portions 311 and 312 has a notch P between the recess M1 and the recess M2.
As shown in FIG. 8D, the light reflecting resin layer 320 is formed on the outer periphery of the lead frame 310, the gap between the terminal portions 11 and 12, and the recesses M1 and M2 provided in the terminal portions 11 and 12, respectively. And a resin layer filled in the notch P. The light reflecting resin layer 320 is formed to have substantially the same thickness as the lead frame 310.

以上より、本実施形態の発明は、第１実施形態の発明と同様、光反射樹脂層３２０を形成する樹脂が凹部Ｍ１、Ｍ２、切り欠き部Ｐにも充填されるので、光反射樹脂層３２０がリードフレーム３１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、各端子部１１、１２は、凹部Ｍ１及び凹部Ｍ２間に切り欠き部Ｐを有するので、リードフレーム３１０と光反射樹脂層３２０とをより強固に接合することができる。特に、切り欠き部Ｐに樹脂が充填されることによって、リードフレーム３１０のＸＹ平面方向への剥離抑制効果を向上させることができる。 As described above, in the invention of this embodiment, the resin that forms the light reflecting resin layer 320 is also filled in the recesses M1 and M2 and the cutout portion P, similarly to the invention of the first embodiment. Can be prevented from peeling from the lead frame 310.
Moreover, since each terminal part 11 and 12 has the notch part P between the recessed part M1 and the recessed part M2, the lead frame 310 and the light reflection resin layer 320 can be joined more firmly. In particular, by filling the notch P with resin, the effect of suppressing the peeling of the lead frame 310 in the XY plane direction can be improved.

（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
図９は、第４実施形態のリードフレーム４１０及び光反射樹脂層４２０が形成されたリードフレーム４１０の詳細を説明する図である。
図９（ａ）は、リードフレーム４１０の断面図（図２（ｄ）に相当）であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）のリードフレーム４１０に光反射樹脂層４２０が形成された断面図（図３（ｄ）に相当）である。 (Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 9 is a diagram illustrating details of the lead frame 410 and the lead frame 410 on which the light reflecting resin layer 420 is formed according to the fourth embodiment.
FIG. 9A is a cross-sectional view of the lead frame 410 (corresponding to FIG. 2D), and FIG. 9B shows a light reflecting resin layer 420 formed on the lead frame 410 of FIG. 9A. It is sectional drawing (equivalent to FIG.3 (d)).

第４実施形態のリードフレーム４１０は、傾斜部Ｎを備えていない点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
端子部４１１、４１２は、図９（ａ）に示すように、凹部Ｍ１及び凹部Ｍ２間に所定の間隔Ｑが設けられている。この間隔Ｑは、凹部Ｍ１、Ｍ２等の窪んだ空間が形成されていない部分であり、その厚みは、端子部４１１、４１２の厚みと同等である。
光反射樹脂層４２０は、図９（ｂ）に示すように、リードフレーム４１０の外周と、各端子部１１、１２間の隙間と、各端子部１１、１２に設けられた凹部Ｍ１、Ｍ２とに充填された樹脂の層である。光反射樹脂層４２０は、リードフレーム４１０の厚みとほぼ同一の厚みに形成されている。 The lead frame 410 of the fourth embodiment is different from the lead frame 10 of the first embodiment in that the inclined portion N is not provided.
As shown in FIG. 9A, the terminal portions 411 and 412 are provided with a predetermined interval Q between the concave portion M1 and the concave portion M2. The interval Q is a portion where a recessed space such as the recesses M1 and M2 is not formed, and the thickness thereof is equal to the thickness of the terminal portions 411 and 412.
As shown in FIG. 9B, the light reflecting resin layer 420 includes an outer periphery of the lead frame 410, a gap between the terminal portions 11 and 12, and recesses M1 and M2 provided in the terminal portions 11 and 12, respectively. It is a resin layer filled in. The light reflecting resin layer 420 is formed to have substantially the same thickness as the lead frame 410.

以上より、本実施形態の発明は、第１実施形態の発明と同様、光反射樹脂層４２０を形成する樹脂が凹部Ｍ１、Ｍ２にも充填されるので、光反射樹脂層４２０がリードフレーム４１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、各端子部１１、１２は、凹部Ｍ１及び凹部Ｍ２間に所定の間隔Ｑを設けることによって、リードフレーム４１０の強度を向上させることができる。 As described above, in the invention of this embodiment, the resin that forms the light reflecting resin layer 420 is also filled in the recesses M1 and M2, as in the case of the invention of the first embodiment. It can suppress peeling.
Further, the terminal portions 11 and 12 can improve the strength of the lead frame 410 by providing a predetermined interval Q between the concave portion M1 and the concave portion M2.

（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態について説明する。
図１０は、第５実施形態のリードフレーム５１０及び光反射樹脂層５２０が形成されたリードフレーム５１０の詳細を説明する図である。
図１０（ａ）は、リードフレーム５１０の断面図（図２（ｄ）に相当）であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のリードフレーム５１０に光反射樹脂層５２０が形成された断面図（図３（ｄ）に相当）である。 (Fifth embodiment)
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 10 is a diagram illustrating details of the lead frame 510 and the lead frame 510 on which the light reflecting resin layer 520 is formed according to the fifth embodiment.
FIG. 10A is a cross-sectional view of the lead frame 510 (corresponding to FIG. 2D), and FIG. 10B shows a light reflecting resin layer 520 formed on the lead frame 510 of FIG. It is sectional drawing (equivalent to FIG.3 (d)).

第５実施形態のリードフレーム５１０は、傾斜部Ｎを備えていない点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
端子部５１１、５１２は、図１０（ａ）に示すように、その表面及び裏面の外周縁に凹部Ｍ１及び凹部Ｍ２が、交互に形成されている。
凹部Ｍ１、Ｍ２は、凹部Ｍ１の底面ｍ１と、各端子部１１、１２の表面との境界Ｌ７が、端子部の厚み方向Ｚにおいて、凹部Ｍ２の底面ｍ２と、各端子部１１、１２の裏面との境界Ｌ８と対向するように形成される。凹部Ｍ１、Ｍ２は、その内周側面と、隣り合う凹部Ｍ２、Ｍ１の内周側面とつなぐ貫通部Ｒが形成されている。
光反射樹脂層５２０は、図１０（ｂ）に示すように、リードフレーム５１０の外周と、各端子部１１、１２間の隙間と、各端子部１１、１２に設けられた凹部Ｍ１、Ｍ２と、貫通部Ｒとに充填された樹脂の層である。光反射樹脂層５２０は、リードフレーム５１０の厚みとほぼ同一の厚みに形成されている。 The lead frame 510 of the fifth embodiment is different from the lead frame 10 of the first embodiment in that the inclined portion N is not provided.
As shown in FIG. 10A, the terminal portions 511 and 512 have recesses M1 and recesses M2 formed alternately on the outer peripheral edges of the front and back surfaces.
The recesses M1 and M2 are such that the boundary L7 between the bottom surface m1 of the recess M1 and the surfaces of the terminal portions 11 and 12 is the bottom surface m2 of the recess M2 and the back surfaces of the terminal portions 11 and 12 in the thickness direction Z of the terminal portions. Is formed to face the boundary L8. The recesses M1 and M2 are formed with penetrating portions R that connect the inner peripheral side surfaces thereof to the inner peripheral side surfaces of the adjacent concave portions M2 and M1.
As shown in FIG. 10B, the light reflecting resin layer 520 includes an outer periphery of the lead frame 510, a gap between the terminal portions 11 and 12, and recesses M1 and M2 provided in the terminal portions 11 and 12. , A resin layer filled in the through portion R. The light reflecting resin layer 520 is formed to have substantially the same thickness as the lead frame 510.

以上より、本実施形態の発明は、第１実施形態の発明と同様、光反射樹脂層５２０を形成する樹脂が凹部Ｍ１、Ｍ２にも充填されるので、光反射樹脂層５２０がリードフレーム５１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、各端子部１１、１２は、その裏面の外周縁に、凹部Ｍ１、Ｍ２の底面ｍ１、ｍ２を広く取ることができるので、リードフレーム５１０と光反射樹脂層５２０との接合面積を広くすることができ、剥離抑制効果を向上させることができる。
さらに、凹部Ｍ１、Ｍ２に充填された樹脂が貫通部Ｒでつながるため、光反射樹脂層５２０とリードフレーム５１０との剥離防止効果を向上させることができる。 As described above, in the invention of this embodiment, the resin that forms the light reflecting resin layer 520 is also filled in the recesses M1 and M2, similarly to the invention of the first embodiment, so that the light reflecting resin layer 520 is removed from the lead frame 510. It can suppress peeling.
In addition, since the terminal portions 11 and 12 can have the bottom surfaces m1 and m2 of the recesses M1 and M2 wide on the outer peripheral edge of the back surface, the bonding area between the lead frame 510 and the light reflecting resin layer 520 is widened. It is possible to improve the peeling suppression effect.
Furthermore, since the resin filled in the recesses M1 and M2 is connected by the through portion R, the effect of preventing the light reflecting resin layer 520 and the lead frame 510 from being peeled can be improved.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、後述する変形形態のように種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。また、実施形態に記載した効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載したものに限定されない。なお、前述した実施形態及び後述する変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。   Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and changes can be made as in the modifications described later, and these are also included in the present invention. Within the technical scope. In addition, the effects described in the embodiments are merely a list of the most preferable effects resulting from the present invention, and the effects of the present invention are not limited to those described in the embodiments. It should be noted that the above-described embodiment and modifications described later can be used in appropriate combination, but detailed description thereof is omitted.

図１１は、本発明の変形形態を示す図である。
（変形形態）
（１）各実施形態において、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２を載置、接続するダイパッドとなる端子部１１と、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａを介して接続されるリード側端子部となる端子部１２とから構成する例を説明したが、これに限定されない。例えば、図１１に示すように、ＬＥＤ素子２が２つの端子部６１１、６１２を跨ぐようにして載置、接続されるようにしてもよい。なお、この場合、端子部６１１、６１２は、それぞれ同等の外形としてもよい。
（２）各実施形態においては、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２等の光半導体素子を接続する光半導体装置１に使用する例を示したが、光半導体素子以外の半導体素子を用いた半導体装置にも使用することができる。 FIG. 11 is a diagram showing a modification of the present invention.
(Deformation)
(1) In each embodiment, the lead frame 10 is a terminal portion 11 that serves as a die pad on which the LED element 2 is placed and connected, and a terminal that serves as a lead-side terminal portion connected to the LED element 2 via a bonding wire 2a. Although the example comprised from the part 12 was demonstrated, it is not limited to this. For example, as shown in FIG. 11, the LED element 2 may be placed and connected so as to straddle the two terminal portions 611 and 612. In this case, the terminal portions 611 and 612 may have the same outer shape.
(2) In each embodiment, although the lead frame 10 showed the example used for the optical semiconductor device 1 which connects optical semiconductor elements, such as the LED element 2, the semiconductor device using semiconductor elements other than an optical semiconductor element was shown. Can also be used.

１、２０１、３０１、４０１、５０１ 光半導体装置
２ ＬＥＤ素子
１０、２１０、３１０、４１０、５１０ リードフレーム
１１、２１１、３１１、４１１、５１１ 端子部
１２、２１２、３１２、４１２、５１２ 端子部
２０、２２０、３２０、４２０、５２０ 光反射樹脂層
３０、２３０、３３０、４３０、５３０ 透明樹脂層
Ｍ 凹部
Ｎ 傾斜部
Ｐ 切り欠き部 1, 201, 301, 401, 501 Optical semiconductor device 2 LED element 10, 210, 310, 410, 510 Lead frame 11, 211, 311, 411, 511 terminal portion 12, 212, 312, 412, 512 terminal portion 20, 220, 320, 420, 520 Light reflecting resin layer 30, 230, 330, 430, 530 Transparent resin layer M Recessed portion N Inclined portion P Notched portion

Claims (13)

複数の端子部を有し、前記端子部のうち少なくとも一つが光半導体素子と接続される光半導体装置に用いられる光半導体用リードフレームにおいて、
前記端子部は、厚み方向から見た形状が矩形状に形成されており、その周縁部の各辺に、表面から窪んだ第１凹部と、裏面から窪んだ第２凹部とが形成され、
前記第１凹部及び前記第２凹部は、それぞれの底面が前記端子部の外周につながっていること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In an optical semiconductor lead frame used for an optical semiconductor device having a plurality of terminal portions, at least one of the terminal portions being connected to an optical semiconductor element,
Before Symbol pin section shape viewed from the thickness direction is formed in a rectangular shape, each side of the peripheral portion, a first recess recessed from the surface, and a second recess which is recessed from the back surface is formed ,
Each of the first recess and the second recess has a bottom surface connected to the outer periphery of the terminal portion,
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項１に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記端子部は、前記第１凹部と前記第２凹部との間の少なくとも１つに、前記端子部の表面と前記第１凹部の底面とをつなぐ第１傾斜面と、前記端子部の裏面と前記第２凹部の底面とをつなぐ第２傾斜面とを備える傾斜部を有すること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In the lead frame for optical semiconductor devices according to claim 1,
The terminal portion includes at least one between the first concave portion and the second concave portion, a first inclined surface that connects a surface of the terminal portion and a bottom surface of the first concave portion, and a back surface of the terminal portion. Having an inclined portion comprising a second inclined surface connecting the bottom surface of the second concave portion;
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項２に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記傾斜部は、前記第１傾斜面と前記端子部の表面との境界が、前記端子部の厚み方向において、前記第２傾斜面と前記端子部の裏面との境界と対向する位置に形成されること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In the lead frame for optical semiconductor devices according to claim 2,
The inclined portion is formed at a position where the boundary between the first inclined surface and the surface of the terminal portion faces the boundary between the second inclined surface and the back surface of the terminal portion in the thickness direction of the terminal portion. That
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項２に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記傾斜部は、前記第１傾斜面と前記第１凹部の底面との境界が、前記端子部の厚み方向において、前記第２傾斜面と前記端子部の裏面との境界と対向する位置に形成され、
前記第１傾斜面と前記端子部の表面との境界は、前記端子部の厚み方向において、前記第２傾斜面と前記第２凹部の底面との境界と対向する位置に形成されること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In the lead frame for optical semiconductor devices according to claim 2,
The inclined portion is formed at a position where the boundary between the first inclined surface and the bottom surface of the first recess faces the boundary between the second inclined surface and the back surface of the terminal portion in the thickness direction of the terminal portion. And
The boundary between the first inclined surface and the surface of the terminal portion is formed at a position facing the boundary between the second inclined surface and the bottom surface of the second recess in the thickness direction of the terminal portion;
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項１に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記端子部は、前記第１凹部と前記第２凹部との間の少なくとも１つに、切り欠き部を有すること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In the lead frame for optical semiconductor devices according to claim 1,
The terminal portion has a notch in at least one of the first recess and the second recess;
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項１に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記端子部は、前記第１凹部が、前記第２凹部に対して所定の間隔を設けて形成されること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In the lead frame for optical semiconductor devices according to claim 1,
In the terminal portion, the first recess is formed with a predetermined interval with respect to the second recess,
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項１に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記端子部の表面と前記第１凹部の底面との境界は、前記端子部の厚み方向において、前記端子部の裏面と前記第２凹部の低面との境界と対向する位置に形成されること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In the lead frame for optical semiconductor devices according to claim 1,
The boundary between the surface of the terminal portion and the bottom surface of the first recess is formed at a position facing the boundary between the back surface of the terminal portion and the lower surface of the second recess in the thickness direction of the terminal portion. ,
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項１から請求項７までのいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記端子部は、
互いに電気的に独立して配置される一対の端子部から構成されること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In the lead frame for optical semiconductor devices according to any one of claims 1 to 7,
The terminal portion is
Composed of a pair of terminal portions arranged electrically independent from each other;
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項１から請求項８までのいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームと、
前記光半導体装置用リードフレームと同等の厚みを有し、前記端子部の外周、前記第１凹部、及び、前記第２凹部に形成される樹脂層とを備えること、
を特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレーム。 The lead frame for optical semiconductor devices according to any one of claims 1 to 8,
Having a thickness equivalent to that of the lead frame for an optical semiconductor device, comprising an outer periphery of the terminal portion, the first recess, and a resin layer formed in the second recess,
A lead frame for an optical semiconductor device with a resin. 請求項１から請求項８までのいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームが枠体に多面付けされていること、
を特徴とするリードフレームの多面付け体。 The lead frame for an optical semiconductor device according to any one of claims 1 to 8, wherein the frame is multifaceted,
Multi-faceted body of lead frame characterized by 請求項９に記載の樹脂付き光半導体装置用リードフレームが多面付けされていること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 The resin-attached optical semiconductor device lead frame according to claim 9 is multifaceted.
Multi-faceted body of resin-attached lead frame characterized by 請求項９に記載の樹脂付き光半導体装置用リードフレームと、
前記樹脂付き光半導体装置用リードフレームの前記端子部のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子と、
前記樹脂付き光半導体装置用リードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層とを備えること、
を特徴とする光半導体装置。 A lead frame for an optical semiconductor device with a resin according to claim 9,
An optical semiconductor element connected to at least one of the terminal portions of the resin-coated optical semiconductor device lead frame;
A transparent resin layer formed on a surface of the lead frame for an optical semiconductor device with resin to which the optical semiconductor element is connected, and covering the optical semiconductor element;
An optical semiconductor device. 請求項１２に記載の光半導体装置が多面付けされていること、
を特徴とする光半導体装置の多面付け体。 The optical semiconductor device according to claim 12 is multifaceted,
A multifaceted body of an optical semiconductor device characterized by the above.
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