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JP5902998B2 - 半導体集積回路およびその動作方法 - Google Patents

半導体集積回路およびその動作方法 Download PDF

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Description

本発明は、半導体集積回路およびその動作方法に関し、特に複数の電源から使用電源を自動選択するための電子回路をインプリメントするのに有効な技術に関するものである。
例えば、下記特許文献１や下記特許文献２に記載されているように、ＩＣカードに半導体集積回路とアンテナコイルとを搭載して、このＩＣカードの電源供給はカードリーダー・カードライターと呼ばれる読み出し・書き込み装置からのＲＦ信号をアンテナコイルによる受信と整流回路による整流で行われるものである。このようにカード側に電源を持たないＩＣカードは自動改札システム、電子マネー、物流管理等で普及しつつある。このようにこのＩＣカードはＲＦ給電される一方、ユニークな識別情報(ＩＤ情報)が内蔵不揮発性メモリに格納されているので、ＲＦＩＤカードと呼ばれる。
一方、スマートフォン等の携帯機器に電源ケーブルを接続することなく、携帯機器を専用の充電テーブルに置くだけで携帯機器の充電が可能な「置くだけ充電」と呼ばれるワイヤレス給電システムが普及している。このワイヤレス給電システムは、スマートフォンと呼ばれる携帯電話の電池の消耗が大きいことに対応するものである。すなわち、スマートフォンは、インターネットとの親和性が高く、パーソナルコンピュータの機能をベースとした多機能携帯電話もしくは電話・メールにＰＤＡ機能が付加された多機能携帯電話であり、「スマフォ」、「スマホ」と略されることもある。ワイヤレス給電システムは業界団体のWireless Power Consortium (ＷＰＣ)によって策定されたＱｉ(チー)と呼ばれる国際標準規格に基づくもので、送信側機器と受信側機器の両者がそれぞれコイルを持つことで、電磁誘導方式により送信側機器から受信側機器への給電を可能とするものである。このワイヤレス給電システムの利点は、充電のために電源コネクターを抜き差しする必要が無く、特に携帯機器の電源コネクターのコネクターカバーを開け閉めする作業を省略することが可能となる。
更に下記特許文献３には、２種類以上の電源と選択的に接続されることによりバッテリーを充電する電子機器において、電力供給を受けている電源との接続が解除されると速やかに他の電源と接続してバッテリーの充電を開始するコントローラを使用することが記載されている。すなわち、コントローラによる制御は、ＡＣ電源からＡＣ接続部へ電流が供給されている間ではＡＣ電源によってバッテリーを充電して、ＡＣ電源からＡＣ接続部へ電流が供給されず外部機器から外部機器接続部へ電流が供給されている間では外部機器の電源でバッテリーを充電する。特にコントローラは、バッテリーがＡＣ電源によって充電されている間に、外部機器接続部が外部機器に接続された場合に、外部機器と初期通信を行って外部機器を介してバッテリーを充電するために必要な充電設定を行うものである。外部機器接続部は具体的にはＵＳＢ接続部であり、ＩＥＥＥ１３９４等の他の規格のインターフェースも採用可能であるとされている。電子機器がＡＣ電源と外部機器の両者と接続されている場合には、ＡＣ電源からの電流が外部機器からの電流よりも大きいので、コントローラはＡＣ電源によりバッテリーを充電するものである。
特開２００９−４９４９号 公報 特開２０１０−９３５３号 公報 特開２０１１−１５５８３０号 公報
本発明者は本発明に先立って、ＡＣ電源からのＡＣ電源電圧の整流・平滑によって生成されるＡＣ−ＤＣ電源電圧とＵＳＢ接続からのＵＳＢ電源電圧と上述したワイヤレス給電システムのワイヤレス給電による電源電圧の複数の電源電圧により動作することが可能なバッテリー充電制御のための半導体集積回路の開発に従事した。
この開発の過程では、本発明者は上記特許文献３に記載された複数の電源によるバッテリーの充電方法を検討したが、複数の電源の給電の有無に従って使用電源を自動的に選択するための実現方法が上記特許文献３に記載されていないと言う問題が、本発明者による検討によって明らかとされた。すなわち、上述した複数の電源電圧によって動作することが可能なバッテリー充電制御のための半導体集積回路では、複数の電源から使用電源の自動選択する電子回路をインプリメントすることが必要とされるものである。
このような課題を解決するための手段等を以下に説明するが、その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される代表的な実施の形態の概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、代表的な実施の形態による半導体集積回路(２１２)は、第１の電源電圧が供給可能な第１供給端子(Ｔ１)と、第２の電源電圧が供給可能な第２供給端子(Ｔ２)と、入力電圧選択回路(２１２４)と、第１電源スイッチ(ＳＷ１、ＳＷ２)と、第２電源スイッチ(ＳＷ３)とを具備する(図２参照)。
入力電圧選択回路(２１２４)は、パワーオンリセット回路(２１２４４)と、入力電圧検出回路(２１２４８)と、制御回路(２１２４５、２１２４６)とを含む(図４参照)。
第１または第２の電源電圧の第１または第２の供給端子のいずか一方への供給がパワーオンリセット回路のパワーオンリセット動作終了時の入力電圧検出回路で検出される場合には、その検出に応答した制御回路によって、第１と第２の電源スイッチの一方と他方とはそれぞれオン状態とオフ状態に制御される。
第１および第２の電源電圧の両者の第１および第２の供給端子の両者への供給がパワーオンリセット回路のパワーオンリセット動作終了時の入力電圧検出回路で検出される場合には、事前に設定された優先順序に従って制御回路によって第１と第２の電源スイッチの一方と他方とはそれぞれオン状態とオフ状態とに制御されるものである。
本願において開示される実施の形態のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
すなわち、本半導体集積回路(２１２)によれば、複数の電源から使用電源を自動選択するための電子回路をインプリメントすることができる。
図１は、実施の形態１によるバッテリー充電制御のための半導体集積回路２１２が搭載された多機能携帯電話の構成を示す図である。 図２は、図１に示した実施の形態１によるバッテリー充電制御のための半導体集積回路２１２の構成を示す図である。 図３は、図２に示した実施の形態１によるバッテリー充電制御のための半導体集積回路２１２の外部端子の機能を示す図である。 図４は、図２に示した実施の形態１による半導体集積回路２１２の起動時の動作モード選択のための入力電圧検出回路２１２４の構成を示す図である。 図５は、図２と図４とに示した実施の形態１による半導体集積回路２１２による複数の電源から使用電源を自動選択する動作を示す図である。 図６は、図２と図４とに示す実施の形態２による半導体集積回路２１２による複数の電源から使用電源を自動選択する動作を示す図である。 図７は、図６に示した実施の形態２による複数の電源から使用電源を自動選択する動作におけるステップＳ５０６とステップＳ５０７とステップＳ６０２とステップＳ６０３における図２と図４に示す実施の形態２による半導体集積回路２１２の各部の波形を示す図である。 図８は、図２と図４とに示す実施の形態３による半導体集積回路２１２による複数の電源から使用電源を自動選択する動作を示す図である。
１．実施の形態の概要
まず、本願において開示される代表的な実施の形態についてその概要を説明する。代表的な実施の形態の概要説明で括弧を付して参照する図面の参照符号は、それが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。
〔１〕代表的な実施の形態による半導体集積回路(２１２)は、第１の電源電圧が供給可能である第１供給端子(Ｔ１)と、第２の電源電圧が供給可能である第２供給端子(Ｔ２)と、前記第１供給端子と前記第２供給端子とに接続された入力電圧選択回路(２１２４)と、第１電源スイッチ(ＳＷ１、ＳＷ２)と、第２電源スイッチ(ＳＷ３)とを具備する(図２参照)。
前記入力電圧選択回路(２１２４)は、パワーオンリセット回路(２１２４４)と、入力電圧検出回路(２１２４８)と、制御回路(２１２４５、２１２４６)とを含む(図４参照)。
前記第１供給端子(Ｔ１)への前記第１の電源電圧の供給と前記第２供給端子(Ｔ２)への前記第２の電源電圧の供給とに応答して、前記パワーオンリセット回路(２１２４４)は、パワーオンリセット信号(ＰＯＲ)を生成する。
前記入力電圧検出回路(２１２４８)は前記第１供給端子(Ｔ１)への前記第１の電源電圧の前記供給に応答して第１電圧検出出力信号(Ｖｄｅｔ１)を生成して、前記入力電圧検出回路(２１２４８)は前記第２供給端子(Ｔ２)への前記第２の電源電圧の前記供給に応答して第２電圧検出出力信号(Ｖｄｅｔ２)を生成する。
前記制御回路(２１２４５、２１２４６)は、前記パワーオンリセット信号(ＰＯＲ)と前記第１電圧検出出力信号(Ｖｄｅｔ１)と前記第２電圧検出出力信号(Ｖｄｅｔ２)とに応答して、前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとを制御する。
前記パワーオンリセット回路(２１２４４)のパワーオンリセット動作終了に応答する前記パワーオンリセット信号(ＰＯＲ)のレベル変化のタイミングにて、前記入力電圧検出回路(２１２４８)は前記第１供給端子(Ｔ１)への前記第１の電源電圧の前記供給と前記第２供給端子(Ｔ２)への前記第２の電源電圧の前記供給とを検出する。
前記レベル変化の前記タイミングにて、前記入力電圧検出回路が前記第１供給端子への前記第１の電源電圧の前記供給を検出するが前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の前記供給を検出しない第１の場合には、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記制御回路は前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとをそれぞれオン状態とオフ状態に制御する(図５：Ｓ５０４〜Ｓ５０５)。
前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとがそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御されることにより、前記オン状態に制御された前記第１電源スイッチは前記第１供給端子に供給される前記第１の電源電圧を負荷(３、２６)に供給する(図５：Ｓ５０５)。
前記レベル変化の前記タイミングにて、前記入力電圧検出回路が前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の前記供給を検出するが前記第１供給端子への前記第１の電源電圧の前記供給を検出しない第２の場合には、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記制御回路は前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとをそれぞれオフ状態とオン状態に制御する(図５：Ｓ５０６〜Ｓ５０７)。
前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとがそれぞれ前記オフ状態と前記オン状態に制御されることにより、前記オン状態に制御された前記第２電源スイッチは前記第２供給端子に供給される前記第２の電源電圧を前記負荷(３、２６)に供給する(図５：Ｓ５０７)。
前記レベル変化の前記タイミングにて、前記入力電圧検出回路が前記第１供給端子への前記第１の電源電圧の前記供給と前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の前記供給とを検出する第３の場合には、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記制御回路は前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチの一方と他方をそれぞれオン状態とオフ状態に制御する(図５：Ｓ５０８〜Ｓ５０９)。
前記第３の場合に、前記制御回路に事前に設定された優先順序に従って、前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチの前記一方と前記他方とがそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御される。
前記オン状態に制御された前記一方は、前記第１供給端子または前記第２供給端子に供給される前記第１の電源電圧または前記第２の電源電圧を前記負荷(３、２６)に供給することを特徴とするものである(図５：Ｓ５０５)。
前記実施の形態によれば、複数の電源から使用電源を自動選択するための電子回路をインプリメントすることができる。
好適な実施の形態による半導体集積回路(２１２)は、前記負荷としての第１外部負荷(３)と第２外部負荷(２６)とに前記第１の電源電圧または前記第２の電源電圧をそれぞれ供給する第１外部出力端子(Ｔ４)と第２外部出力端子(Ｔ３)を更に具備する。
前記半導体集積回路(２１２)は、前記第１外部出力端子と前記第２外部出力端子との間に接続された出力ＰチャネルＭＯＳトランジスタ(Ｍｐ０)を更に具備する。
前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチのいずれかがオン状態に制御される場合には、前記制御回路(２１２４５、２１２４６)により前記出力ＰチャネルＭＯＳトランジスタ(Ｍｐ０)がオン状態に制御される。
前記出力ＰチャネルＭＯＳトランジスタが前記オン状態に制御されることによって、前記第２外部負荷に前記第１の電源電圧または前記第２の電源電圧が前記出力ＰチャネルＭＯＳトランジスタと前記第２外部出力端子(Ｔ３)とを介して供給可能とされたことを特徴とするものである(図２、図４参照)。
他の好適な実施の形態では、前記第１外部出力端子(Ｔ４)は、能動デバイスとしての他の半導体集積回路である前記第１外部負荷(３)に前記第１の電源電圧または前記第２の電源電圧を供給することが可能なように構成されたものである。
前記出力ＰチャネルＭＯＳトランジスタと前記第２外部出力端子とは、バッテリーである前記第２外部負荷(２６)に前記第１の電源電圧または前記第２の電源電圧を供給することが可能なように構成されたことを特徴とするものである(図２参照)。
更に他の好適な実施の形態では、前記入力電圧選択回路(２１２４)は、入力電圧選択スイッチ(２１２４２)と、ゲート駆動回路(２１２４９)とを更に含む。
前記入力電圧選択スイッチは第１入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタ(Ｍｐ１)と第２入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタ(Ｍｐ２)を含み、前記第１入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタのソースが前記第１供給端子と接続され、前記第２入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタのソースが前記第２供給端子と接続される。
前記パワーオンリセット回路(２１２４４)のパワーオンリセット期間において、前記ゲート駆動回路(２１２４９)は、前記入力電圧選択スイッチの前記第１入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタと前記第２入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタとの両者をオン状態に制御する。
前記パワーオンリセット期間において、前記第１入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタのドレインもしくは前記第２入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタのドレインから、前記パワーオンリセット回路に供給される動作電圧(Ｖｃｃ)が生成されることを特徴とするものである(図４参照)。
より好適な実施の形態では、前記第１の場合には、前記ゲート駆動回路は、前記入力電圧選択スイッチの前記第１入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタと前記第２入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタとをオン状態とオフ状態とにそれぞれ制御する。
前記第２の場合には、前記ゲート駆動回路は、前記入力電圧選択スイッチの前記第１入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタと前記第２入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタとをオン状態とオフ状態とにそれぞれ制御する。
前記第３の場合には、前記制御回路に事前に設定された前記優先順序に従って、前記ゲート駆動回路は、前記入力電圧選択スイッチの前記第１入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタと前記第２入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタの一方と他方とをオン状態とオフ状態とにそれぞれ制御することを特徴とする(図４参照)。
他のより好適な実施の形態では、前記入力電圧選択回路(２１２４)は、第１入力端子(Ｎｏｄｅ１)と第２入力端子(Ｎｏｄｅ２)と出力端子を持つ電圧比較・選択回路(２１２４３)を更に含む。
前記電圧比較・選択回路の前記第１入力端子(Ｎｏｄｅ１)は、前記入力電圧選択スイッチの前記第１入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタの前記ドレインに接続される。
前記電圧比較・選択回路の前記第２入力端子(Ｎｏｄｅ２)は、前記入力電圧選択スイッチの前記第２入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタの前記ドレインに接続される。
前記電圧比較・選択回路の前記出力端子から、前記パワーオンリセット回路に供給される前記動作電圧が生成される。
前記電圧比較・選択回路は前記第１入力端子の電圧と前記第２入力端子の電圧を比較して高い電圧を選択することにより、当該高い電圧を前記出力端子から前記パワーオンリセット回路に供給される前記動作電圧として出力することを特徴とするものである(図４参照)。
更に他のより好適な実施の形態では、前記第１の場合の発生により、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとがそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御された後に(図６：Ｓ５０５)、前記入力電圧検出回路(２１２４)が前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の供給を検出する第４の場合が発生する(図６：Ｓ６００)。
前記第４の場合の発生に応答して、前記第３の場合と同様に前記制御回路は、前記制御回路に事前に設定された前記優先順序に従って前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチの前記一方と前記他方とをそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御する(図６：Ｓ６０１)。
前記第２の場合の発生により、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとがそれぞれ前記オフ状態と前記オン状態に制御された後に(図６：Ｓ５０７)、前記入力電圧検出回路(２１２４)が前記第１供給端子への前記第１の電源電圧の供給を検出する第５の場合が発生する(図６：Ｓ６０２)。
前記第５の場合の発生に応答して、前記第３の場合と同様に前記制御回路は、前記制御回路に事前に設定された前記優先順序に従って前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチの前記一方と前記他方とをそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御する(図６：Ｓ６０３)。
前記第３の場合の発生により、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチの前記一方と前記他方とがそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御された後に(図６：Ｓ５０９)、前記入力電圧検出回路(２１２４)が前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の供給を検出する第６の場合が発生する(図６：Ｓ６０４)。
前記第６の場合の発生に応答して、前記第３の場合と同様に前記制御回路は、前記制御回路に事前に設定された前記優先順序に従って前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチの前記一方と前記他方とをそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御することを特徴とするものである(図６：Ｓ６０５)。
別のより好適な実施の形態では、前記第１の場合の発生により、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとがそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御された後に(図８：Ｓ５０５)、前記入力電圧検出回路(２１２４)が前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の供給を検出する第４の場合が発生する(図８：Ｓ６００)。
前記第４の場合の発生に応答して、前記半導体集積回路は前記第１外部負荷としての前記他の半導体集積回路に前記第４の場合の発生を通知することが可能とされる(図８：Ｓ８００)。
前記第４の場合の前記発生の第１の通知に応答して、前記他の半導体集積回路から前記半導体集積回路に供給される第１の指示に従って、前記制御回路は前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとを制御するものである(図８：Ｓ８０１−８０２)。
前記第１の指示に従って、前記制御回路は、前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとをそれぞれオン状態とオフ状態に制御するか(図８：Ｓ５０５)、もしくは前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとをそれぞれオフ状態とオン状態に制御する(図８：Ｓ８０２)。
前記第２の場合の発生により、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとがそれぞれ前記オフ状態と前記オン状態に制御された後に(図８：Ｓ５０７)、前記入力電圧検出回路(２１２４)が前記第１供給端子への前記第１の電源電圧の供給を検出する第５の場合が発生する(図８：Ｓ６０２)。
前記第５の場合の発生に応答して、前記半導体集積回路は前記第１外部負荷としての前記他の半導体集積回路に前記第５の場合の発生を通知することが可能とされる(図８：Ｓ８０３)。
前記第５の場合の前記発生の第２の通知に応答して、前記他の半導体集積回路から前記半導体集積回路に供給される第２の指示に従って、前記制御回路は前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとを制御するものである(図８：Ｓ８０４−８０５)。
前記第２の指示に従って、前記制御回路は、前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとをそれぞれオフ状態とオン状態とに制御するか(図８：Ｓ５０７)、もしくは前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとをそれぞれオン状態とオフ状態に制御する(図８：Ｓ８０５)。
前記第３の場合の発生により、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチの前記一方と前記他方とがそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態とに制御された後に(図８：Ｓ５０９)、前記入力電圧検出回路(２１２４)が前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の供給を検出する第６の場合が発生する(図８：Ｓ６０４)。
前記第６の場合の発生に応答して、前記半導体集積回路は前記第１外部負荷としての前記他の半導体集積回路に前記第６の場合の発生を通知することが可能とされる(図８：Ｓ８０６)。
前記第６の場合の前記発生の第３の通知に応答して、前記他の半導体集積回路から前記半導体集積回路に供給される第３の指示に従って、前記制御回路は前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとを制御するものである(図８：Ｓ８０７−８０８)。
前記第３の指示に従って、前記制御回路は、前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとをそれぞれオン状態とオフ状態とに制御するか(図８：Ｓ５０９)、もしくは前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとをそれぞれオフ状態とオン状態に制御することを特徴とするものである(図８：Ｓ８０８)。
具体的な実施の形態による半導体集積回路(２１２)は、前記第１供給端子(Ｔ１)と前記第１電源スイッチ(ＳＷ１、ＳＷ２)との間に並列接続された降圧ＤＣ−ＤＣコンバータ(２１２１)とリニア・レギュレータ(２１２２)を更に具備する。
前記リニア・レギュレータは、前記第１供給端子への前記第１の電源電圧の前記供給による電源投入直後に即座動作するシリーズレギュレータとして動作するものである。
前記降圧ＤＣ−ＤＣコンバータ２１２１は、前記リニア・レギュレータよりも高い電力効率を有するスイッチングレギュレータとして動作することを特徴とするものである(図２参照)。
最も具体的な実施の形態は、前記第１供給端子(Ｔ１)に第１ショットキーダイオード(Ｄ１)を介してワイヤレス給電の電源電圧と第２ショットキーダイオード(Ｄ２)を介してＡＣ電源接続インターフェース(２４)のＡＣ−ＤＣ変換電源電圧とが供給可能なように、前記第１供給端子(Ｔ１)が構成されたものである。
前記第２供給端子(Ｔ２)にＵＳＢ接続インターフェース(２３)のＵＳＢ電源電圧が供給可能なように、前記第２供給端子(Ｔ２)が構成されたことを特徴とするものである(図２参照)。
〔２〕別の観点の代表的な実施の形態は、第１の電源電圧が供給可能である第１供給端子(Ｔ１)と、第２の電源電圧が供給可能である第２供給端子(Ｔ２)と、前記第１供給端子と前記第２供給端子とに接続された入力電圧選択回路(２１２４)と、第１電源スイッチ(ＳＷ１、ＳＷ２)と、第２電源スイッチ(ＳＷ３)とを具備する半導体集積回路(２１２)の動作方法である(図２参照)。
前記入力電圧選択回路(２１２４)は、パワーオンリセット回路(２１２４４)と、入力電圧検出回路(２１２４８)と、制御回路(２１２４５、２１２４６)とを含む(図４参照)。
前記第１供給端子(Ｔ１)への前記第１の電源電圧の供給と前記第２供給端子(Ｔ２)への前記第２の電源電圧の供給とに応答して、前記パワーオンリセット回路(２１２４４)は、パワーオンリセット信号(ＰＯＲ)を生成する。
前記入力電圧検出回路(２１２４８)は前記第１供給端子(Ｔ１)への前記第１の電源電圧の前記供給に応答して第１電圧検出出力信号(Ｖｄｅｔ１)を生成して、前記入力電圧検出回路(２１２４８)は前記第２供給端子(Ｔ２)への前記第２の電源電圧の前記供給に応答して第２電圧検出出力信号(Ｖｄｅｔ２)を生成する。
前記制御回路(２１２４５、２１２４６)は、前記パワーオンリセット信号(ＰＯＲ)と前記第１電圧検出出力信号(Ｖｄｅｔ１)と前記第２電圧検出出力信号(Ｖｄｅｔ２)とに応答して、前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとを制御する。
前記パワーオンリセット回路(２１２４４)のパワーオンリセット動作終了に応答する前記パワーオンリセット信号(ＰＯＲ)のレベル変化のタイミングにて、前記入力電圧検出回路(２１２４８)は前記第１供給端子(Ｔ１)への前記第１の電源電圧の前記供給と前記第２供給端子(Ｔ２)への前記第２の電源電圧の前記供給とを検出する。
前記レベル変化の前記タイミングにて、前記入力電圧検出回路が前記第１供給端子への前記第１の電源電圧の前記供給を検出するが前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の前記供給を検出しない第１の場合には、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記制御回路は前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとをそれぞれオン状態とオフ状態に制御する(図５：Ｓ５０４〜Ｓ５０５)。
前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとがそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御されることにより、前記オン状態に制御された前記第１電源スイッチは前記第１供給端子に供給される前記第１の電源電圧を負荷(３、２６)に供給する(図５：Ｓ５０５)。
前記レベル変化の前記タイミングにて、前記入力電圧検出回路が前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の前記供給を検出するが前記第１供給端子への前記第１の電源電圧の前記供給を検出しない第２の場合には、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記制御回路は前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとをそれぞれオフ状態とオン状態に制御する(図５：Ｓ５０６〜Ｓ５０７)。
前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとがそれぞれ前記オフ状態と前記オン状態に制御されることにより、前記オン状態に制御された前記第２電源スイッチは前記第２供給端子に供給される前記第２の電源電圧を前記負荷(３、２６)に供給する(図５：Ｓ５０７)。
前記レベル変化の前記タイミングにて、前記入力電圧検出回路が前記第１供給端子への前記第１の電源電圧の前記供給と前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の前記供給とを検出する第３の場合には、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記制御回路は前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチの一方と他方をそれぞれオン状態とオフ状態に制御する(図５：Ｓ５０８〜Ｓ５０９)。
前記第３の場合に、前記制御回路に事前に設定された優先順序に従って、前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチの前記一方と前記他方とがそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御される。
前記オン状態に制御された前記一方は、前記第１供給端子または前記第２供給端子に供給される前記第１の電源電圧または前記第２の電源電圧を前記負荷(３、２６)に供給することを特徴とするものである(図５：Ｓ５０５)。
前記実施の形態によれば、複数の電源から使用電源を自動選択するための電子回路をインプリメントすることができる。
２．実施の形態の詳細
次に、実施の形態について更に詳述する。尚、発明を実施するための最良の形態を説明するための全図において、前記の図と同一の機能を有する部品には同一の符号を付して、その繰り返しの説明は省略する。
［実施の形態１］
《多機能携帯電話の構成》
図１は、実施の形態１によるバッテリー充電制御のための半導体集積回路２１２が搭載された多機能携帯電話の構成を示す図である。
図１に示した多機能携帯電話は、送電回路１と受電回路２と受電側システム３とによって構成されている。特に図１に示した多機能携帯電話では、送電側アンテナコイル１３からのＲＦ信号が受信側アンテナコイル２５によって受信されることにより２次電池２６の充電と受電側システム３への電源供給とが実行される。
《送信側の送電回路》
図１に示したように、ワイヤレス電力伝送システムの送信側の送電回路１にはＡＣアダプタ１０を介してＡＣ電源が供給される。送電回路１は、マイクロコントローラユニット(ＭＣＵ)１１と送電制御回路１２とによって構成され、マイクロコントローラユニット(ＭＣＵ)１１は認証処理機能１１１と暗号処理機能１１２とを有し、送電制御回路１２は整流回路１２１とＲＦドライバ１２２を含み、ＲＦドライバ１２２は送電側アンテナコイル１３と接続される。
ＡＣアダプタ１０を介して供給されるＡＣ電源が整流回路１２１によって整流・平滑されることによって生成されるＤＣ電源電圧が、送電回路１のマイクロコントローラユニット(ＭＣＵ)１１とＲＦドライバ１２２等とに供給される。送電回路１のマイクロコントローラユニット(ＭＣＵ)１１の認証処理機能１１１と暗号処理機能１１２とは、受電回路２である多機能携帯電話のユーザーが正当な使用権利を有するユーザーか否か等を判断するための相互認証処理と通信データの改竄を防止するための暗号処理とをそれぞれ実行するものである。すなわち、送電回路１のマイクロコントローラユニット(ＭＣＵ)１１は、受電回路２に含まれるマイクロコントローラユニット(ＭＣＵ)２２の認証処理機能２２１と暗号処理機能２２２との間の通信プロトコルに関する暗号鍵の生成と保持と更新と削除等に関係する鍵管理動作を実行するものである。
その結果、送電回路１のマイクロコントローラユニット(ＭＣＵ)１１によって受電回路２である多機能携帯電話のユーザーが正当な使用権利を有するユーザーであることが判定されると、ＲＦドライバ１２２は図示しないＲＦ発振器から生成されるＲＦ発振出力信号に応答して送電側アンテナコイル１３に供給されるＲＦ駆動信号を生成する。更に、送電回路１のマイクロコントローラユニット(ＭＣＵ)１１からの認証処理と暗号処理との通信データは、ＲＦドライバ１２２と送電側アンテナコイル１３と受電側アンテナコイル２５を介して受電回路２に供給される。
《受信側の受電回路》
図１に示したように、ワイヤレス電力伝送システムの受信側の受電回路２は受電制御回路２１とマイクロコントローラユニット(ＭＣＵ)２２とによって構成され、マイクロコントローラユニット(ＭＣＵ)２２は認証処理機能２２１と暗号処理機能２２２を有し、受電制御回路２１は整流回路２１１とバッテリー充電制御のための半導体集積回路２１２とを含むものである。
図１に示したワイヤレス電力伝送システムでは、最初に送電回路１のマイクロコントローラユニット(ＭＣＵ)１１と受電回路２のマイクロコントローラユニット(ＭＣＵ)２２との間で上述した通信プロトコルに従った通信が、送電側アンテナコイル１３と受電側アンテナコイル２５とを介して実行される。この通信のために、受電回路２では、受電制御回路２１とマイクロコントローラユニット(ＭＣＵ)２２との間でシリアル通信と電源供給等が可能とされたものである。送電回路１のマイクロコントローラユニット(ＭＣＵ)１１によって受電回路２である多機能携帯電話のユーザーが正当な使用権利を有するユーザーであることが判定されると、ＲＦドライバ１２２から生成されるＲＦ駆動信号が受電回路２に送電側アンテナコイル１３と受電側アンテナコイル２５とを介して供給される。
送電側アンテナコイル１３と受電側アンテナコイル２５とを介して供給されるＲＦ駆動信号が整流回路２１１によって整流・平滑されることによって生成されるＤＣ電源電圧が、半導体集積回路２１２とマイクロコントローラユニット(ＭＣＵ)２２とに供給される。整流回路２１１から半導体集積回路２１２に供給されるＤＣ電源電圧は、２次電池２６の充電に使用されるとともに受電側システム３への電源供給にも使用される。
ワイヤレス電力伝送システムの受信側が多機能携帯電話である場合には、受電側システム３はアプリケーションプロセッサやベースバンドプロセッサや液晶表示ドライバＩＣやＲＦ信号処理半導体集積回路(ＲＦＩＣ)やメインメモリやフラッシュメモリ等の不揮発性メモリ等を含むものである。
また、ワイヤレス電力伝送システムの受信側がタブレットＰＣのような携帯型パーソナルコンピュータである場合には、受電側システム３は中央処理ユニット(ＣＰＵ)とハードディスク置き換えの大規模記憶容量のフラッシュメモリストレージを更に含むものである。
更にバッテリー充電制御とシステム電源供給のための半導体集積回路２１２には、整流回路２１１により生成されるＤＣ電源電圧以外にも、ＵＳＢ接続インターフェース２３からのＵＳＢ電源電圧とＡＣ電源接続インターフェース２４からのＡＣ電源電圧の整流・平滑により生成されるＡＣ−ＤＣ変換電源電圧とが供給可能とされる。従って、バッテリー充電制御とシステム電源供給とのための半導体集積回路２１２は、整流回路２１１のＤＣ電源電圧とＵＳＢ接続インターフェース２３のＵＳＢ電源電圧とＡＣ電源接続インターフェース２４のＡＣ−ＤＣ変換電源電圧の複数の電源電圧からバッテリー充電制御とシステム電源供給のための電源電圧を自動選択する機能を有するものである。尚、ＵＳＢは、Universal Serial Busの略である。
《バッテリー充電制御のための半導体集積回路の構成》
図２は、図１に示した実施の形態１によるバッテリー充電制御のための半導体集積回路２１２の構成を示す図である。
図２に示すように、バッテリー充電制御とシステム電源供給のための半導体集積回路２１２は、降圧ＤＣ−ＤＣコンバータ２１２１とリニア・レギュレータ２１２２とＵＳＢ種別検出回路２１２３と入力電圧検出回路２１２４と外部インターフェース２１２５と内蔵レギュレータ２１２６とゲート駆動制御回路２１２７とを含んでいる。更に、バッテリー充電制御とシステム電源供給のための半導体集積回路２１２は、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ０とスイッチＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４とを含んでいる。
第１入力電圧１の供給端子Ｔ１には第１ショットキーダイオードＤ１を介して送電回路１のワイヤレス給電の電源電圧と第２ショットキーダイオードＤ２を介してＡＣ電源接続インターフェース２４のＡＣ−ＤＣ変換電源電圧とが供給され、第２入力電圧２の供給端子Ｔ２にはＵＳＢ接続インターフェース２３のＵＳＢ電源電圧が供給される。ショットキーダイオードＤ１、Ｄ２は、送電回路１のワイヤレス給電の電源電圧とＡＣ電源接続インターフェース２４のＡＣ−ＤＣ変換電源電圧との間で逆流防止素子として機能する一方、ＰＮ接合ダイオードと比較して低い順方向電圧で電源電圧を伝達する電圧伝達素子として機能する。尚、送電回路１のワイヤレス給電の電源電圧は５．５ボルトから２０ボルトの電圧であり、ＡＣ電源接続インターフェース２４のＡＣ−ＤＣ変換電源電圧は略７ボルトの電圧であり、ＵＳＢ接続インターフェース２３のＵＳＢ電源電圧は５ボルトの電圧である。
降圧ＤＣ−ＤＣコンバータ２１２１には、外部端子ＤＤＯＵＴ１(Ｔ５)、ＤＤＯＵＴ２(Ｔ６)を介してインダクターＬ１と容量Ｃ１とが接続されている。従って、降圧ＤＣ−ＤＣコンバータ２１２１はリニア・レギュレータ２１２２よりも電源投入時の起動が遅いが、リニア・レギュレータ２１２２よりも高い電力効率を有するスイッチングレギュレータとして動作する。一方、リニア・レギュレータ２１２２は、電源投入の直後に即座に動作するシリーズレギュレータとして動作するものである。
すなわち、降圧ＤＣ−ＤＣコンバータ２１２１とリニア・レギュレータ２１２２は、５．５ボルトから２０ボルトの送電回路１のワイヤレス給電の電源電圧もしくは略７ボルトのＡＣ電源接続インターフェース２４のＡＣ−ＤＣ変換電源電圧から３．５ボルトから５ボルトのシステム供給電圧を生成する。従って、降圧ＤＣ−ＤＣコンバータ２１２１とリニア・レギュレータ２１２２からの５ボルトのシステム供給電圧は、スイッチＳＷ２、ＳＷ４と外部端子ＳＹＳ(Ｔ４)とを介して受電側システム３に供給される一方、５ボルトのＵＳＢ接続インターフェース２３のＵＳＢ電源電圧は、スイッチＳＷ３と外部端子ＳＹＳ(Ｔ４)とを介して受電側システム３に供給される。
ＵＳＢ種別検出回路２１２３は、ＵＳＢ接続インターフェース２３の差動データ信号Ｄ＋、Ｄ−のビットレートもしくは第２入力電圧２の供給端子Ｔ２の給電能力からＵＳＢ接続インターフェース２３がＵＳＢ１．１またはＵＳＢ１．０とＵＳＢ２．０とＵＳＢ３．０とのいずれの種別であるかを検出する。
入力電圧検出回路２１２４は起動時の動作モード選択のために第１入力電圧１の供給端子Ｔ１の電圧検出と第２入力電圧２の供給端子Ｔ２の供給端子の電圧検出とを実行して、更にスイッチＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４のオンオフ制御と降圧ＤＣ−ＤＣコンバータ２１２１、内蔵レギュレータ２１２６、ゲート駆動制御回路２１２７の制御とを実行する。更に入力電圧検出回路２１２４は、ＵＳＢ種別検出回路２１２３の制御を実行するとともに外部インターフェース２１２５を介してＵＳＢ種別検出回路２１２３によるＵＳＢ種別検出データをマイクロコントローラユニット(ＭＣＵ)２２と受電側システム３とに供給する機能を有するものである。
従って、外部インターフェース２１２５は、受電側システム３およびマイクロコントローラユニット(ＭＣＵ)２２とクロックおよびシリアルデータの双方向通信を実行する。
内蔵レギュレータ２１２６には、降圧ＤＣ−ＤＣコンバータ２１２１またはリニア・レギュレータ２１２２を介して送電回路１のワイヤレス給電の電源電圧またはＡＣ電源接続インターフェース２４のＡＣ−ＤＣ変換電源電圧が供給されるか、もしくはＵＳＢ接続インターフェース２３のＵＳＢ電源電圧が供給される。その結果、内蔵レギュレータ２１２６から１．８ボルトの動作電圧ＶＤＤ１８と３．０ボルトの動作電圧ＶＤＤ３０とが生成され、マイクロコントローラユニット(ＭＣＵ)２２に供給される。
ＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ０は入力電圧検出回路２１２４およびゲート駆動制御回路２１２７によってオン状態に駆動制御されることによって、外部端子ＳＹＳ(Ｔ４)の３．５ボルト〜５ボルトのシステム供給電圧を外部端子ＢＡＴ(Ｔ３)を介して２次電池２６に供給することで、２次電池２６の充電が実行される。例えば、２次電池２６は多機能携帯電話等に内蔵されるリチウムイオン電池であって、その充電電流は略０．５Ａ〜１．０の比較的大きな電流となる。
更にゲート駆動制御回路２１２７は、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ０が外部端子ＳＹＳ(Ｔ４)と外部端子ＢＡＴ(Ｔ３)との間で双方向に導通するようにＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ０のゲートを駆動する出力信号を生成する。従って、２次電池２６の充電が実行される期間では外部端子ＳＹＳ(Ｔ４)から外部端子ＢＡＴ(Ｔ３)へ２次電池２６の充電電流が流される一方、それと反対に２次電池２６の放電によるバッテリー動作期間では外部端子ＢＡＴ(Ｔ３)から外部端子ＳＹＳ(Ｔ４)へ２次電池２６の放電電流が流されるものである。また更にゲート駆動制御回路２１２７は、２次電池２６の充電動作と放電動作との間に充電電流と放電電流との電流制御を実行することよって過充電と過放電とを防止する機能を有するものである。
《半導体集積回路の外部端子の機能》
図３は、図２に示した実施の形態１によるバッテリー充電制御のための半導体集積回路２１２の外部端子の機能を示す図である。
図３に示すように、第１入力電圧１の外部供給端子は、第１ショットキーダイオードＤ１または第２ショットキーダイオードＤ２を介して送電回路１のワイヤレス給電の電源電圧またはＡＣ電源接続インターフェース２４のＡＣ−ＤＣ変換電源電圧を供給する機能を有するものである。
更に、第２入力電圧２の外部供給端子は、ＵＳＢ接続インターフェース２３のＵＳＢ電源電圧を供給する機能を有している。
差動データ信号Ｄ＋の外部供給端子は、ＵＳＢ接続インターフェース２３の差動データの非反転入力信号Ｄ＋を供給する機能を有する。
更に、差動データ信号Ｄ−の外部供給端子は、ＵＳＢ接続インターフェース２３の差動データの反転入力信号Ｄ−を供給する機能を有する。
クロックの外部入出力端子は、外部インターフェース２１２５のクロックの双方向通信を実行する機能を有する。
更にシリアルデータの外部入出力端子は、外部インターフェース２１２５のシリアルデータの双方向通信を実行する機能を有する。
外部端子ＤＤＯＵＴ１は、降圧ＤＣ−ＤＣコンバータ２１２１でのスイッチングレギュレータ動作によるスイッチング出力信号を出力する機能を有する。
更に、外部端子ＤＤＯＵＴ２は、インダクターＬ１と容量Ｃ１とから構成されるローパスフィルタを通過した降圧ＤＣ−ＤＣコンバータ２１２１の出力電圧を出力する機能を有する。
外部端子ＳＹＳは、受電側システム３へ電源電圧を出力する機能を有する。
外部端子ＢＡＴは、２次電池２６を接続する機能を有する。
外部端子ＶＤＤ１８は、１．８ボルトの動作電圧ＶＤＤ１８をマイクロコントローラユニット(ＭＣＵ)２２に出力する機能を有する。
外部端子ＶＤＤ３０は、３．０ボルトの動作電圧ＶＤＤ３０をマイクロコントローラユニット(ＭＣＵ)２２に出力する機能を有する。
《半導体集積回路の入力電圧検出回路の構成》
図４は、図２に示した実施の形態１による半導体集積回路２１２の起動時の動作モード選択のための入力電圧検出回路２１２４の構成を示す図である。
図４に示すように、入力電圧検出回路２１２４は、リニア・レギュレータ２１２４１と入力電圧選択スイッチ２１２４２と電圧比較・選択回路２１２４３と第１基準電圧発生回路Ｒｅｆ＿Ｇｅｎ１と第１バッファ回路ＢＡ１と第２バッファ回路ＢＡ２とパワーオンリセット回路２１２４４とを含んでいる。更に入力電圧検出回路２１２４は、制御ロジック回路２１２４５と入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路２１２４６とクロック発生回路２１２４７と入力電圧検出回路２１２４８とゲート駆動回路２１２４９とを含んでいる。
図４の左上部に示したように、第１入力電圧１の供給端子Ｔ１には送電回路１のワイヤレス給電の電源電圧とＡＣ電源接続インターフェース２４のＡＣ−ＤＣ変換電源電圧とが供給され、第２入力電圧２の供給端子Ｔ２にはＵＳＢ接続インターフェース２３のＵＳＢ電源電圧が供給される。
第１入力電圧１の供給端子Ｔ１の５．５ボルトから２０ボルトの電圧を有するワイヤレス給電の電源電圧またはＡＣ−ＤＣ変換電源電圧はリニア・レギュレータ２１２４１によって略５ボルトの出力電源電圧Ｖｏｕｔに変換され、略５ボルトの出力電源電圧Ｖｏｕｔは入力電圧選択スイッチ２１２４２のＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ１のソースとゲート駆動回路２１２４９とに供給される。
第２入力電圧２の供給端子Ｔ２に供給される５ボルトの電圧を有するＵＳＢ接続インターフェース２３のＵＳＢ電源電圧は、入力電圧選択スイッチ２１２４２のＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ２のソースに供給される。
入力電圧選択スイッチ２１２４２のＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ１のゲートはゲート駆動回路２１２４９の第１ゲート駆動出力信号Ｍｐ１＿Ｇによって駆動され、入力電圧選択スイッチ２１２４２のＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ２のゲートはゲート駆動回路２１２４９の第２ゲート駆動出力信号Ｍｐ２＿Ｇによって駆動される。電源投入時の以下に詳述するパワーオンリセット期間ではゲート駆動回路２１２４９の第１ゲート駆動出力信号Ｍｐ１＿Ｇと第２ゲート駆動出力信号Ｍｐ２＿Ｇとはともにローレベルに設定されるので、入力電圧選択スイッチ２１２４２のＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ１とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ２とはともにオン状態に制御される。
電圧比較・選択回路２１２４３はＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ３とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ４と差動増幅器ＤＡ１とによって構成されることによって、第１ノードＮｏｄｅ１の電圧と第２ノードＮｏｄｅ２の電圧を比較して、第１ノードＮｏｄｅ１の電圧と第２ノードＮｏｄｅ２の電圧との高い電圧を選択して出力電圧Ｖｃｃとして生成する。第１ノードＮｏｄｅ１はＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ３のソースと差動増幅器ＤＡ１の反転入力端子−とに接続され、第２ノードＮｏｄｅ２はＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ４のソースと差動増幅器ＤＡ１の非反転入力端子＋とに接続される。差動増幅器ＤＡ１の非反転出力端子＋と反転出力端子−とはＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ３のゲートとＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ４のゲートとそれぞれ接続されて、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ３のドレインとＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ４のドレインとは共通接続され出力電圧Ｖｃｃを生成する。
電圧比較・選択回路２１２４３の出力電圧Ｖｃｃは、差動増幅器ＤＡ１と第１基準電圧発生回路Ｒｅｆ＿Ｇｅｎ１と第１バッファ回路ＢＡ１と第２バッファ回路ＢＡ２とに動作電源電圧として供給される。
第１基準電圧発生回路Ｒｅｆ＿Ｇｅｎ１は、電圧比較・選択回路２１２４３からの出力電圧Ｖｃｃを動作電源電圧として動作することによって、基準電圧ＶＲＥＦを生成する。
第１バッファ回路ＢＡ１と第２バッファ回路ＢＡ２は、第１基準電圧発生回路Ｒｅｆ＿Ｇｅｎ１から生成される基準電圧ＶＲＥＦに応答して、基準電圧ＶＲＥＦの電圧レベルに比例したアナログ回路電源電圧ＡＶＤＤとデジタル回路電源電圧ＤＶＤＤとをそれぞれ生成する。
パワーオンリセット回路２１２４４は、第２基準電圧発生回路Ｒｅｆ＿Ｇｅｎ２と差動増幅器ＤＡ２と抵抗Ｒｐと容量Ｃｐと第３バッファ回路ＢＡ３とによって構成される。パワーオンリセット回路２１２４４の第２基準電圧発生回路Ｒｅｆ＿Ｇｅｎ２と差動増幅器ＤＡ２には第２バッファ回路ＢＡ２により生成されるデジタル回路電源電圧ＤＶＤＤが供給され、差動増幅器ＤＡ２の非反転入力端子＋と反転入力端子−とにデジタル回路電源電圧ＤＶＤＤと第２基準電圧発生回路Ｒｅｆ＿Ｇｅｎ２から生成される基準電圧ＶＢＢとがそれぞれ供給される。
パワーオンリセット回路２１２４４の差動増幅器ＤＡ２の出力電圧は抵抗Ｒｐの一端に供給されて、抵抗Ｒｐの他端は容量Ｃｐの一端と第３バッファ回路ＢＡ３の入力端子とに接続されて、容量Ｃｐの他端は接地電位に接続される。パワーオンリセット期間に第３バッファ回路ＢＡ３から生成されるローレベルのパワーオンリセット信号ＰＯＲは、制御ロジック回路２１２４５の反転リセット入力端子／Ｒｅｓｅｔと入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路２１２４６の反転リセット入力端子／Ｒｅｓｅｔとに供給される。
電圧比較・選択回路２１２４３からの出力電圧Ｖｃｃと第２バッファ回路ＢＡ２からのデジタル回路電源電圧ＤＶＤＤとが供給されるクロック発生回路２１２４７から生成されるクロック信号は、制御ロジック回路２１２４５のクロック入力端子ＣＬＫと入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路２１２４６のクロック入力端子ＣＬＫとに供給される。
入力電圧検出回路２１２４の制御ロジック回路２１２４５は、図２の実施の形態１による半導体集積回路２１２の全体の動作を制御する。すなわち、図４に示す入力電圧検出回路２１２４に接続されたアナログ回路２１２８は、図２に示した半導体集積回路２１２の降圧ＤＣ−ＤＣコンバータ２１２１とリニア・レギュレータ２１２２とＵＳＢ種別検出回路２１２３と内蔵レギュレータ２１２６とゲート駆動制御回路２１２７とのアナログ回路を含んだものである。従って、これらのアナログ回路の動作は、全て図４に示した入力電圧検出回路２１２４の制御ロジック回路２１２４５によって制御される。尚、アナログ回路２１２８には、電圧比較・選択回路２１２４３からの出力電圧Ｖｃｃと第１バッファ回路ＢＡ１からのアナログ回路電源電圧ＡＶＤＤとが供給される。
更に入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路２１２４６の動作も、同様に図４に示した入力電圧検出回路２１２４の制御ロジック回路２１２４５によって制御される。
また更に、図２に示したスイッチＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４と内蔵レギュレータ２１２６とゲート駆動制御回路２１２７の動作も、同様に図４に示した入力電圧検出回路２１２４の制御ロジック回路２１２４５によって制御される。
入力電圧検出回路２１２４８には、電圧比較・選択回路２１２４３からの出力電圧Ｖｃｃと第１バッファ回路ＢＡ１からのアナログ回路電源電圧ＡＶＤＤとが供給される。パワーオンリセット期間の経過後において入力電圧検出回路２１２４８は、第１入力電圧１の供給端子Ｔ１のワイヤレス給電またはＡＣ−ＤＣ変換の電源電圧の電圧レベルと第２入力電圧２の供給端子Ｔ２のＵＳＢ電源電圧の電圧レベルを検出する。その結果、入力電圧検出回路２１２４８からの２ビットの電圧検出出力信号Ｖｄｅｔ１、Ｖｄｅｔ２は、制御ロジック回路２１２４５と入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路２１２４６とに供給される。すなわち、電圧検出出力信号Ｖｄｅｔ１は第１入力電圧１の供給端子Ｔ１へのワイヤレス給電またはＡＣ−ＤＣ変換の電源電圧の供給有無を検出したものであり、また電圧検出出力信号Ｖｄｅｔ２は第２入力電圧２の供給端子Ｔ２へのＵＳＢ電源電圧の供給有無を検出したものである。
パワーオンリセット期間の経過後に、２ビットの電圧検出出力信号Ｖｄｅｔ１、Ｖｄｅｔ２に応答した入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路２１２４６の出力信号によってゲート駆動回路２１２４９の第１ゲート駆動出力信号Ｍｐ１＿Ｇと第２ゲート駆動出力信号Ｍｐ２＿Ｇとの一方と他方とがそれぞれローレベルとハイレベルに設定され、使用電源の自動選択が実行される。
ハイレベルの電圧検出出力信号Ｖｄｅｔ１によって第１入力電圧１の供給端子Ｔ１への電源電圧の供給が検出され、ローレベルの電圧検出出力信号Ｖｄｅｔ２によって第２入力電圧２の供給端子Ｔ２への電源電圧の非供給が検出された場合を想定する。この場合には、レベルの相違する電圧検出出力信号Ｖｄｅｔ１、Ｖｄｅｔ２に応答して制御ロジック回路２１２４５は、図２に示した実施の形態１による半導体集積回路２１２の内部のスイッチＳＷ２をオン状態に制御する一方、スイッチＳＷ３をオフ状態に制御する。その結果、第１入力電圧１の供給端子Ｔ１からの供給電圧が、降圧ＤＣ−ＤＣコンバータ２１２１とスイッチＳＷ２とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ０とを介して２次電池２６の充電に使用されるとともに受電側システム３への電源供給に使用される。更にこの場合には、ゲート駆動回路２１２４９は、第１ゲート駆動出力信号Ｍｐ１＿Ｇと第２ゲート駆動出力信号Ｍｐ２＿Ｇとをそれぞれローレベルとハイレベルとに設定する。更に電圧比較・選択回路２１２４３は第１ノードＮｏｄｅ１の電圧が第２ノードＮｏｄｅ２よりも高いことを検出して、第１ノードＮｏｄｅ１の第１入力電圧１の供給端子Ｔ１の供給電圧が電圧比較・選択回路２１２４３の出力電圧Ｖｃｃとして生成される。
ローレベルの電圧検出出力信号Ｖｄｅｔ１によって第１入力電圧１の供給端子Ｔ１への電源電圧の非供給が検出され、ハイレベルの電圧検出出力信号Ｖｄｅｔ２によって第２入力電圧２の供給端子Ｔ２への電源電圧の供給が検出された場合を想定する。この場合には、レベルの相違する電圧検出出力信号Ｖｄｅｔ１、Ｖｄｅｔ２に応答して制御ロジック回路２１２４５は、図２に示した実施の形態１による半導体集積回路２１２の内部のスイッチＳＷ２をオフ状態に制御する一方、スイッチＳＷ３をオン状態に制御する。その結果、第２入力電圧２の供給端子Ｔ２からの供給電圧が、スイッチＳＷ３とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ０とを介して２次電池２６の充電に使用されるとともに受電側システム３への電源供給に使用される。更にこの場合には、ゲート駆動回路２１２４９は、第１ゲート駆動出力信号Ｍｐ１＿Ｇと第２ゲート駆動出力信号Ｍｐ２＿Ｇとをそれぞれハイレベルとローレベルとに設定する。更に電圧比較・選択回路２１２４３は第２ノードＮｏｄｅ２の電圧が第１ノードＮｏｄｅ１よりも高いことを検出して、第２ノードＮｏｄｅ２の第２入力電圧２の供給端子Ｔ２の供給電圧が電圧比較・選択回路２１２４３の出力電圧Ｖｃｃとして生成される。
入力電圧検出回路２１２４８の２ビットの電圧検出出力信号Ｖｄｅｔ１、Ｖｄｅｔ２により第１入力電圧１の供給端子Ｔ１へのワイヤレス給電またはＡＣ−ＤＣ変換の電源電圧の供給と第２入力電圧２の供給端子Ｔ２へのＵＳＢ電源電圧の供給とが同時に検出された場合を、想定する。この場合には、ともにハイレベルである電圧検出出力信号Ｖｄｅｔ１、Ｖｄｅｔ２に応答して制御ロジック回路２１２４５は、リニア・レギュレータ２１２４１の略５ボルトの出力電源電圧Ｖｏｕｔの電圧レベルを調整する。
すなわち、同時に検出された第１入力電圧１の供給端子Ｔ１の供給電圧が第２入力電圧２の供給端子Ｔ２の供給電圧より優先される場合には、リニア・レギュレータ２１２４１の略５ボルトの出力電源電圧Ｖｏｕｔを第２入力電圧２の供給端子Ｔ２に供給される５ボルトの電圧を有するＵＳＢ接続インターフェース２３のＵＳＢ電源電圧よりも高い例えば５．２ボルトに設定する。更に、制御ロジック回路２１２４５によって制御されるゲート駆動回路２１２４９の第１ゲート駆動出力信号Ｍｐ１＿Ｇと第２ゲート駆動出力信号Ｍｐ２＿Ｇとはローレベルとハイレベルとにそれぞれ設定される。その結果、電圧比較・選択回路２１２４３は第１ノードＮｏｄｅ１の電圧が第２ノードＮｏｄｅ２よりも高いことを検出して、第１ノードＮｏｄｅ１の第１入力電圧１の供給端子Ｔ１の供給電圧が電圧比較・選択回路２１２４３の出力電圧Ｖｃｃとして生成される。更に制御ロジック回路２１２４５は、図２に示した実施の形態１による半導体集積回路２１２の内部のスイッチＳＷ２をオン状態に制御する一方、スイッチＳＷ３をオフ状態に制御する。その結果、第１入力電圧１の供給端子Ｔ１からの供給電圧が、降圧ＤＣ−ＤＣコンバータ２１２１とスイッチＳＷ２とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ０とを介して２次電池２６の充電に使用されるとともに受電側システム３への電源供給に使用される。
それと反対に、同時に検出された第１入力電圧１の供給端子Ｔ１の供給電圧よりも第２入力電圧２の供給端子Ｔ２の供給電圧が優先される場合には、リニア・レギュレータ２１２４１の略５ボルトの出力電源電圧Ｖｏｕｔを第２入力電圧２の供給端子Ｔ２に供給される５ボルトの電圧を有するＵＳＢ接続インターフェース２３のＵＳＢ電源電圧よりも低い例えば４．８ボルトに設定する。更に、制御ロジック回路２１２４５によって制御されるゲート駆動回路２１２４９の第１ゲート駆動出力信号Ｍｐ１＿Ｇと第２ゲート駆動出力信号Ｍｐ２＿Ｇとはハイレベルとローレベルとにそれぞれ設定される。その結果、電圧比較・選択回路２１２４３は第２ノードＮｏｄｅ２の電圧が第１ノードＮｏｄｅ１よりも高いことを検出して、第２ノードＮｏｄｅ２の第２入力電圧２の供給端子Ｔ２の供給電圧が電圧比較・選択回路２１２４３の出力電圧Ｖｃｃとして生成される。更に制御ロジック回路２１２４５は、図２に示した実施の形態１による半導体集積回路２１２の内部のスイッチＳＷ２をオフ状態に制御する一方、スイッチＳＷ３をオン状態に制御する。その結果、第２入力電圧２の供給端子Ｔ２からの供給電圧が、スイッチＳＷ３とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ０とを介して２次電池２６の充電に使用されるとともに受電側システム３への電源供給に使用される。
一方、パワーオンリセット期間の経過以前では、ローレベルのパワーオンリセット信号ＰＯＲに応答した入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路２１２４６の出力信号によって、ゲート駆動回路２１２４９の第１ゲート駆動出力信号Ｍｐ１＿Ｇと第２ゲート駆動出力信号Ｍｐ２＿Ｇとはともにローレベルに設定される。その結果、入力電圧選択スイッチ２１２４２に含まれたＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ１とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ２とは、ともにオン状態に制御される。
《使用電圧の自動選択動作》
図５は、図２と図４とに示した実施の形態１による半導体集積回路２１２による複数の電源から使用電源を自動選択する動作を示す図である。
図５のステップＳ５００に示すように、第１入力電圧１の供給端子Ｔ１と第２入力電圧２の供給端子Ｔ２とに電源電圧が供給される以前の初期設定状態では、ゲート駆動回路２１２４９の第１ゲート駆動出力信号Ｍｐ１＿Ｇと第２ゲート駆動出力信号Ｍｐ２＿Ｇとはともにローレベルに設定される。その結果、入力電圧選択スイッチ２１２４２のＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ１とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ２とは、ともにオン状態に制御される。
次のステップＳ５０１では、第１入力電圧１の供給端子Ｔ１と第２入力電圧２の供給端子Ｔ２との少なくともいずれか一方に電源電圧が供給される。すなわち、第１入力電圧１の供給端子Ｔ１に送電回路１のワイヤレス給電の電源電圧とＡＣ電源接続インターフェース２４のＡＣ−ＤＣ変換電源電圧とが供給されるか、または第２入力電圧２の供給端子Ｔ２にはＵＳＢ接続インターフェース２３のＵＳＢ電源電圧が供給される。
次のステップＳ５０２では、ステップＳ５０１での電源供給に応答して、デジタル回路電源電圧ＤＶＤＤが立ち上がるので、パワーオンリセット回路２１２４４によるパワーオンリセット動作が実行される。
ステップＳ５０２でのパワーオンリセット動作が終了すると、次のステップＳ５０３において複数の電源電圧の電圧検出が実行される。すなわち、ステップＳ５０３では、入力電圧検出回路２１２４８は第１入力電圧１の供給端子Ｔ１のワイヤレス給電またはＡＣ−ＤＣ変換の電源電圧の電圧レベルと第２入力電圧２の供給端子Ｔ２のＵＳＢ電源電圧の電圧レベルを検出する。その結果、入力電圧検出回路２１２４８から２ビットの電圧検出出力信号Ｖｄｅｔ１、Ｖｄｅｔ２が生成され、電圧検出出力信号Ｖｄｅｔ１は第１入力電圧１の供給端子Ｔ１へのワイヤレス給電またはＡＣ−ＤＣ変換の電源電圧の供給有無の検出結果を示し、また電圧検出出力信号Ｖｄｅｔ２は第２入力電圧２の供給端子Ｔ２へのＵＳＢ電源電圧の供給有無の検出結果を示すものである。
上述したステップＳ５０３の複数の電源電圧の電圧検出において、第１入力電圧１の供給端子Ｔ１の電源電圧の供給のみが検出されて、第２入力電圧２の供給端子Ｔ２の電源電圧の供給が検出されない場合には、ステップＳ５０４に移行する。
すなわち、ステップＳ５０４のワイヤレス給電のみの検出に応答して、その次のステップＳ５０５では、ゲート駆動回路２１２４９は、第１ゲート駆動出力信号Ｍｐ１＿Ｇと第２ゲート駆動出力信号Ｍｐ２＿Ｇとをそれぞれローレベルとハイレベルとに設定する。従って、入力電圧選択スイッチ２１２４２のＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ１とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ２とは、それぞれオン状態とオフ状態とに制御されるので、ワイヤレス給電の初期動作が開始される。更にこのステップＳ５０５では、制御ロジック回路２１２４５は、図２に示した実施の形態１による半導体集積回路２１２の内部のスイッチＳＷ２をオン状態に制御する一方、スイッチＳＷ３をオフ状態に制御する。従って、第１入力電圧１の供給端子Ｔ１からのワイヤレス給電の供給電圧が、降圧ＤＣ−ＤＣコンバータ２１２１とスイッチＳＷ２とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ０とを介して２次電池２６の充電に使用されるとともに受電側システム３への電源供給に使用される。
上述したステップＳ５０３の複数の電源電圧の電圧検出において、第２入力電圧２の供給端子Ｔ２の電源電圧の供給のみが検出されて、第１入力電圧１の供給端子Ｔ１の電源電圧の供給が検出されない場合には、ステップＳ５０６に移行する。
すなわち、ステップＳ５０６のＵＳＢ給電のみの検出に応答して、その次のステップＳ５０７では、ゲート駆動回路２１２４９は、第１ゲート駆動出力信号Ｍｐ１＿Ｇと第２ゲート駆動出力信号Ｍｐ２＿Ｇとをそれぞれハイレベルとローレベルとに設定する。従って、入力電圧選択スイッチ２１２４２のＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ１とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ２とは、それぞれオフ状態とオン状態とに制御されるので、ＵＳＢ給電の初期動作が開始される。更にこのステップＳ５０７では、制御ロジック回路２１２４５は、図２に示した実施の形態１による半導体集積回路２１２の内部のスイッチＳＷ２をオフ状態に制御する一方、スイッチＳＷ３をオン状態に制御する。従って、第２入力電圧２の供給端子Ｔ２からのＵＳＢ給電の供給電圧が、スイッチＳＷ３とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ０とを介して２次電池２６の充電に使用されるとともに受電側システム３への電源供給に使用される。
上述したステップＳ５０３の複数の電源電圧の電圧検出において、第１入力電圧１の供給端子Ｔ１の電源電圧の供給と第２入力電圧２の供給端子Ｔ２の電源電圧の供給との両者が検出された場合には、ステップＳ５０８に移行する。
すなわち、ステップＳ５０８のワイヤレス給電とＵＳＢ給電の両者の検出に応答して、その次のステップＳ５０９では、ゲート駆動回路２１２４９はＵＳＢ給電よりもワイヤレス給電を優先するために第１ゲート駆動出力信号Ｍｐ１＿Ｇと第２ゲート駆動出力信号Ｍｐ２＿Ｇをそれぞれローレベルとハイレベルとに設定する。従って、入力電圧選択スイッチ２１２４２のＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ１とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ２とは、それぞれオン状態とオフ状態とに制御されるので、ワイヤレス給電の初期動作が開始される。更にこのステップＳ５０９では、制御ロジック回路２１２４５は、図２に示した実施の形態１による半導体集積回路２１２の内部のスイッチＳＷ２をオン状態に制御する一方、スイッチＳＷ３をオフ状態に制御する。従って、第１入力電圧１の供給端子Ｔ１からのワイヤレス給電の供給電圧が、降圧ＤＣ−ＤＣコンバータ２１２１とスイッチＳＷ２とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ０とを介して２次電池２６の充電に使用されるとともに受電側システム３への電源供給に使用される。このように、ステップＳ５０９においてＵＳＢ給電よりもワイヤレス給電を優先する理由は、図１に示した送電側アンテナコイル１３と受電側アンテナコイル２５とを介しての受電回路２からのワイヤレス給電の電流駆動能力の方が、一般的にはＵＳＢ接続インターフェース２３の電流駆動能力よりも高いためのである。
［実施の形態２］
《使用電圧の他の自動選択動作》
図６は、図２と図４とに示す実施の形態２による半導体集積回路２１２による複数の電源から使用電源を自動選択する動作を示す図である。
図２と図４とに示した実施の形態１による半導体集積回路２１２は、図５に示したように複数の電源から使用電源を最初に自動選択する初期動作を実行するものであった。
次に説明する図２と図４とに示す実施の形態２による半導体集積回路２１２は、図６に示すように複数の電源から使用電源を最初に自動選択する初期動作を実行するとともにその後の電源電圧の追加供給に際しても使用電圧を更に自動選択する後続動作を実行する可能なものである。
実施の形態２による図６に示すステップＳ５００乃至ステップＳ５０９の各ステップの動作内容は、実施の形態１による図５で説明したステップＳ５００乃至ステップＳ５０９の各ステップの動作内容と全く同一であるので、その説明を省略する。
図６に示すステップＳ５０５でのワイヤレス給電の初期動作の後に、次のステップＳ６００において第２入力電圧２の供給端子Ｔ２へのＵＳＢ接続インターフェース２３のＵＳＢ電源電圧が供給される。その結果、このステップＳ６００においてワイヤレス給電の検出の後にＵＳＢ給電の検出が追加されるものである。
ステップＳ６００のＵＳＢ給電の追加検出の後の次のステップＳ６０１では、実施の形態１による図５のステップＳ５０９と全く同様に、ゲート駆動回路２１２４９はＵＳＢ給電よりもワイヤレス給電を優先するために第１ゲート駆動出力信号Ｍｐ１＿Ｇと第２ゲート駆動出力信号Ｍｐ２＿Ｇとをそれぞれローレベルとハイレベルとに設定する。従って、ステップＳ６０１では、入力電圧選択スイッチ２１２４２のＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ１とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ２とは、それぞれオン状態とオフ状態とに制御されるので、ワイヤレス給電の継続動作が開始される。更にこのステップＳ６０１では、制御ロジック回路２１２４５は、図２に示した実施の形態１による半導体集積回路２１２の内部のスイッチＳＷ２をオン状態に維持する一方、スイッチＳＷ３をオフ状態に維持する。従って、第１入力電圧１の供給端子Ｔ１からのワイヤレス給電の供給電圧が、降圧ＤＣ−ＤＣコンバータ２１２１とスイッチＳＷ２とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ０とを介して２次電池２６の充電に使用されるとともに受電側システム３への電源供給に使用される。このようにステップＳ６０１においてもＵＳＢ給電よりもワイヤレス給電を優先する理由は、図１に示した送電側アンテナコイル１３と受電側アンテナコイル２５とを介しての受電回路２からのワイヤレス給電の電流駆動能力の方が、一般的にはＵＳＢ接続インターフェース２３の電流駆動能力よりも高いためのである。
図６に示すステップＳ５０７でのＵＳＢ給電の初期動作の後に、次のステップＳ６０２において第１入力電圧１の供給端子Ｔ１への送電回路１のワイヤレス給電の電源電圧が供給される。その結果、このステップＳ６０２においてＵＳＢ給電の検出の後にワイヤレス給電の検出が追加されるものである。
ステップＳ６０２のワイヤレス給電の追加検出の後の次のステップＳ６０３では、ゲート駆動回路２１２４９はＵＳＢ給電よりもワイヤレス給電を優先するために第１ゲート駆動出力信号Ｍｐ１＿Ｇをハイレベルからローレベルに変更して第２ゲート駆動出力信号Ｍｐ２＿Ｇをローレベルからハイレベルに変更する。その結果、ステップＳ６０３では、ＵＳＢ給電からワイヤレス給電への切り替え動作が実行される。このステップＳ６０３では、制御ロジック回路２１２４５は、図２に示した実施の形態１による半導体集積回路２１２の内部のスイッチＳＷ２をオフ状態からオン状態に変更する一方、スイッチＳＷ３をオン状態からオフ状態に変更する。その結果、第１入力電圧１の供給端子Ｔ１からのワイヤレス給電の供給電圧が、降圧ＤＣ−ＤＣコンバータ２１２１とスイッチＳＷ２とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ０とを介して２次電池２６の充電に使用されるとともに受電側システム３への電源供給に使用されるようになる。このようにステップＳ６０３でもＵＳＢ給電よりもワイヤレス給電を優先する理由は、図１に示した送電側アンテナコイル１３と受電側アンテナコイル２５とを介しての受電回路２からのワイヤレス給電の電流駆動能力の方が、一般的にはＵＳＢ接続インターフェース２３の電流駆動能力よりも高いためのである。
図６に示すステップＳ５０９でのワイヤレス給電の初期動作の後に、次のステップＳ６０４において第２入力電圧２の供給端子Ｔ２へのＵＳＢ接続インターフェース２３のＵＳＢ電源電圧が供給される。その結果、このステップＳ６０４においてワイヤレス給電の検出の後にＵＳＢ給電の再検出が追加されるものである。
ステップＳ６０４でのＵＳＢ給電の再検出の後の次のステップＳ６０５では、実施の形態１による図５のステップＳ５０９と全く同様に、ゲート駆動回路２１２４９はＵＳＢ給電よりもワイヤレス給電を優先するために第１ゲート駆動出力信号Ｍｐ１＿Ｇと第２ゲート駆動出力信号Ｍｐ２＿Ｇとをそれぞれローレベルとハイレベルとに設定する。従って、ステップＳ６０５では、入力電圧選択スイッチ２１２４２のＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ１とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ２とは、それぞれオン状態とオフ状態とに制御されるので、ワイヤレス給電の継続動作が開始される。更にこのステップＳ６０５では、制御ロジック回路２１２４５は、図２に示した実施の形態１による半導体集積回路２１２の内部のスイッチＳＷ２をオン状態に維持する一方、スイッチＳＷ３をオフ状態に維持する。従って、第１入力電圧１の供給端子Ｔ１からのワイヤレス給電の供給電圧が、降圧ＤＣ−ＤＣコンバータ２１２１とスイッチＳＷ２とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ０とを介して２次電池２６の充電に使用されるとともに受電側システム３への電源供給に使用される。このようにステップＳ６０１においてもＵＳＢ給電よりもワイヤレス給電を優先する理由は、図１に示した送電側アンテナコイル１３と受電側アンテナコイル２５とを介しての受電回路２からのワイヤレス給電の電流駆動能力の方が、一般的にはＵＳＢ接続インターフェース２３の電流駆動能力よりも高いためのである。
《半導体集積回路の各部の波形図》
図７は、図６に示した実施の形態２による複数の電源から使用電源を自動選択する動作におけるステップＳ５０６とステップＳ５０７とステップＳ６０２とステップＳ６０３における図２と図４に示す実施の形態２による半導体集積回路２１２の各部の波形を示す図である。
図７に示すように、ステップＳ５０６での第２入力電圧２の供給端子Ｔ２の電源電圧の供給によって第２入力電圧２の供給端子Ｔ２のＵＳＢ電源電圧の上昇が開始され、ＵＳＢ電源電圧の上昇が第２検出しきい値電圧に到達すると入力電圧検出回路２１２４８の電圧検出出力信号Ｖｄｅｔ２がローレベルからハイレベルに変化する。
ＵＳＢ電源電圧の上昇に応答して、電圧比較・選択回路２１２４３の出力電圧Ｖｃｃの上昇が開始される。更に電圧比較・選択回路２１２４３の出力電圧Ｖｃｃの上昇に応答して、第２バッファ回路ＢＡ２から生成されるデジタル回路電源電圧ＤＶＤＤの上昇が開始される。このデジタル回路電源電圧ＤＶＤＤが第２基準電圧発生回路Ｒｅｆ＿Ｇｅｎ２の基準電圧ＶＢＢに対応する第３検出しきい値電圧に到達すると、パワーオンリセット回路２１２４４の差動増幅器ＤＡ２の出力がローレベルからハイレベルに変化して、時定数回路の抵抗Ｒｐと容量Ｃｐの充電によるパワーオンリセット期間が開始される。時定数回路の容量Ｃｐの端子電圧Ｖｃが第３バッファ回路ＢＡ３のしきい値電圧に対応する第４検出しきい値電圧に到達すると、パワーオンリセット信号ＰＯＲがローレベルからハイレベルに変化して、制御ロジック回路２１２４５と入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路２１２４６のパワーオンリセット動作が終了される。
パワーオンリセット動作の終了によって、入力電圧検出回路２１２４８は入力電圧検出回路２１２４８のローレベルの電圧検出出力信号Ｖｄｅｔ１とハイレベルの電圧検出出力信号Ｖｄｅｔ２とに応答するものである。従って、入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路２１２４６とゲート駆動回路２１２４９による制御によって、第１ゲート駆動出力信号Ｍｐ１＿Ｇと第２ゲート駆動出力信号Ｍｐ２＿Ｇとはハイレベルとローレベルにそれぞれ設定される。従って、入力電圧選択スイッチ２１２４２のＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ１とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ２とはオフ状態とオン状態とにそれぞれ制御されるので、ワイヤレス給電はオフ状態に制御され、ＵＳＢ給電はオン状態に制御され、使用電源の自動選択が実行される。
この状態で、図６のステップＳ６０２での第１入力電圧１の供給端子Ｔ１の電源電圧の供給によって第１入力電圧１の供給端子Ｔ１のワイヤレス給電の電源電圧の上昇が開始されて、ワイヤレス給電の電源電圧の上昇が第１検出しきい値電圧に到達すると、入力電圧検出回路２１２４８の電圧検出出力信号Ｖｄｅｔ１がローレベルからハイレベルに変化する。
入力電圧検出回路２１２４８のハイレベルの両方の電圧検出出力信号Ｖｄｅｔ１、Ｖｄｅｔ２に応答して、制御ロジック回路２１２４５から入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路２１２４６に供給される入力電圧切替指示信号がローレベルからハイレベルに変化する。入力電圧切替指示信号のローレベルからハイレベルへの変化に応答する入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路２１２４６とゲート駆動回路２１２４９による制御により、第１ゲート駆動出力信号Ｍｐ１＿Ｇはハイレベルからローレベルに変化する一方、第２ゲート駆動出力信号Ｍｐ２＿Ｇはローレベルからハイレベルに変化する。その結果、入力電圧選択スイッチ２１２４２では、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ１はオフ状態からオン状態に変更される一方、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ２はオン状態からオフ状態に変更される。更に半導体集積回路２１２の内部のスイッチＳＷ２はオン状態とされて、スイッチＳＷ３はオフ状態とされるので、優先度の低いＵＳＢ給電はオフ状態に制御され、優先度の高いワイヤレス給電はオン状態に制御される。
［実施の形態３］
《使用電圧のその他の自動選択動作》
図８は、図２と図４とに示す実施の形態３による半導体集積回路２１２による複数の電源から使用電源を自動選択する動作を示す図である。
図６に示した実施の形態２による複数の電源からの使用電源の自動選択動作は、図２と図４に示した実施の形態２による半導体集積回路２１２の内部で略完全に実行可能であると言う利点を有する一方、自動選択の自由度が低いと言う問題を有するものであった。すなわち、多機能携帯電話やダブレットＰＣ等のバッテリー動作の携帯電子機器は、使用者の種々の趣向に対応するために、複数の電源からの使用電源の自動選択動作の自由度を向上することが必要とされたものである。
図８に示す実施の形態３による複数の電源からの使用電源の自動選択動作は、図２と図４とに示した実施の形態３による半導体集積回路２１２に接続される受電側システム３の不揮発性メモリ等へのプログラムにより自由度の向上を可能とするものである。すなわち、受電側システム３のアプリケーションプロセッサやベースバンドプロセッサにはフラッシュメモリ等の不揮発性メモリが接続されるので、この不揮発性メモリを使用して複数の電源からの使用電源の自動選択動作の自由度を向上するが可能となる。
実施の形態３による図８に示すステップＳ５００乃至ステップＳ６０４の各ステップの動作内容は、実施の形態２による図６で説明したステップＳ５００乃至ステップＳ６０４の各ステップの動作内容と全く同一であるので、その説明を省略する。
図８に示したステップＳ６００のＵＳＢ給電の追加検出の後に、次のステップＳ８００においてこのステップＳ６００のＵＳＢ給電の追加検出の情報が半導体集積回路２１２から外部インターフェース２１２５を介して受電側システム３のアプリケーションプロセッサやベースバンドプロセッサに通知される。
ステップＳ８００の受電側システム３への通知の後に、次のステップＳ８０１において受電側システム３のアプリケーションプロセッサやベースバンドプロセッサ等からＵＳＢ給電とワイヤレス給電との間の切り替えの有無を示す指示情報が出力される。
ステップＳ８０１でワイヤレス給電からＵＳＢ給電への切り替えを示す指示情報が出力された場合には、次のステップＳ８０２においてゲート駆動回路２１２４９は第１ゲート駆動出力信号Ｍｐ１＿Ｇと第２ゲート駆動出力信号Ｍｐ２＿Ｇとをそれぞれハイレベルとローレベルとに設定する。従って、入力電圧選択スイッチ２１２４２のＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ１とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ２とは、それぞれオフ状態とオン状態とに制御されるので、ワイヤレス給電からＵＳＢ給電への切替動作が実行される。更にこのステップＳ８０２では、制御ロジック回路２１２４５は、図２に示した実施の形態３による半導体集積回路２１２の内部のスイッチＳＷ２をオン状態からオフ状態に変更する一方、スイッチＳＷ３をオフ状態からオン状態に変更する。従って、第２入力電圧２の供給端子Ｔ２からのＵＳＢ給電の供給電圧が、降圧ＤＣ−ＤＣコンバータ２１２１とスイッチＳＷ２とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ０を介して２次電池２６の充電に使用されるとともに受電側システム３への電源供給に使用される。
一方、ステップＳ８０１にてワイヤレス給電からＵＳＢ給電への非切り替えを示す非切り替え指示情報が出力された場合には、処理はステップＳ５０５に戻されてゲート駆動回路２１２４９は第１ゲート駆動出力信号Ｍｐ１＿Ｇと第２ゲート駆動出力信号Ｍｐ２＿Ｇとをそれぞれローレベルとハイレベルとに維持する。従って、入力電圧選択スイッチ２１２４２のＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ１とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ２とはそれぞれオン状態とオフ状態とに維持されるので、ワイヤレス給電の初期動作が維持される。更にこのステップＳ５０５では、制御ロジック回路２１２４５は図２に示した実施の形態３による半導体集積回路２１２の内部のスイッチＳＷ２をオン状態に維持する一方、スイッチＳＷ３をオフ状態に維持する。従って、第１入力電圧１の供給端子Ｔ１からのワイヤレス給電の供給電圧が、降圧ＤＣ−ＤＣコンバータ２１２１とスイッチＳＷ２とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ０とを介して２次電池２６の充電に使用されるとともに受電側システム３への電源供給に使用される。
図８に示したステップＳ６０２のワイヤレス給電の追加検出の後に、次のステップＳ８０３においてこのステップＳ６０２のワイヤレス給電の追加検出の情報が半導体集積回路２１２から外部インターフェース２１２５を介して受電側システム３のアプリケーションプロセッサやベースバンドプロセッサに通知される。
ステップＳ８０３の受電側システム３への通知の後に、次のステップＳ８０４において受電側システム３のアプリケーションプロセッサやベースバンドプロセッサ等からＵＳＢ給電とワイヤレス給電との間の切り替えの有無を示す指示情報が出力される。
ステップＳ８０４でＵＳＢ給電からワイヤレス給電への切り替えを示す指示情報が出力された場合には、次のステップＳ８０５においてゲート駆動回路２１２４９は第１ゲート駆動出力信号Ｍｐ１＿Ｇと第２ゲート駆動出力信号Ｍｐ２＿Ｇとをそれぞれローレベルとハイレベルとに設定する。従って、入力電圧選択スイッチ２１２４２のＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ１とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ２とは、それぞれオン状態とオフ状態とに制御されるので、ＵＳＢ給電からワイヤレス給電への切替動作が実行される。更にこのステップＳ８０５では、制御ロジック回路２１２４５は、図２に示した実施の形態３による半導体集積回路２１２の内部のスイッチＳＷ２をオフ状態からオン状態に変更する一方、スイッチＳＷ３をオン状態からオフ状態に変更する。従って、第１入力電圧１の供給端子Ｔ１からのワイヤレス給電の供給電圧が、降圧ＤＣ−ＤＣコンバータ２１２１とスイッチＳＷ２とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ０を介して２次電池２６の充電に使用されるとともに受電側システム３への電源供給に使用される。
一方、ステップＳ８０４にてＵＳＢ給電からワイヤレス給電への非切り替えを示す非切り替え指示情報が出力された場合には、処理はステップＳ５０７に戻されてゲート駆動回路２１２４９は第１ゲート駆動出力信号Ｍｐ１＿Ｇと第２ゲート駆動出力信号Ｍｐ２＿Ｇとをそれぞれハイレベルとローレベルとに維持する。従って、入力電圧選択スイッチ２１２４２のＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ１とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ２とはそれぞれオフ状態とオン状態とに維持されるので、ＵＳＢ給電の初期動作が維持される。更にこのステップＳ５０７では、制御ロジック回路２１２４５は図２に示した実施の形態３による半導体集積回路２１２の内部のスイッチＳＷ２をオフ状態に維持する一方、スイッチＳＷ３をオン状態に維持する。従って、第２入力電圧２の供給端子Ｔ２からのＵＳＢ給電の供給電圧が、降圧ＤＣ−ＤＣコンバータ２１２１とスイッチＳＷ２とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ０とを介して２次電池２６の充電に使用されるとともに受電側システム３への電源供給に使用される。
図８に示したステップＳ６０４のＵＳＢ給電の追加検出の後に、次のステップＳ８０６においてこのステップＳ６０４のＵＳＢ給電の追加検出の情報が半導体集積回路２１２から外部インターフェース２１２５を介して受電側システム３のアプリケーションプロセッサやベースバンドプロセッサに通知される。
ステップＳ８０６の受電側システム３への通知の後に、次のステップＳ８０７において受電側システム３のアプリケーションプロセッサやベースバンドプロセッサ等からＵＳＢ給電とワイヤレス給電との間の切り替えの有無を示す指示情報が出力される。
ステップＳ８０７でワイヤレス給電からＵＳＢ給電への切り替えを示す指示情報が出力された場合には、次のステップＳ８０８においてゲート駆動回路２１２４９は第１ゲート駆動出力信号Ｍｐ１＿Ｇと第２ゲート駆動出力信号Ｍｐ２＿Ｇとをそれぞれハイレベルとローレベルとに設定する。従って、入力電圧選択スイッチ２１２４２のＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ１とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ２とは、それぞれオフ状態とオン状態に制御されるので、ワイヤレス給電からＵＳＢ給電への切替動作が実行される。更にこのステップＳ８０８では、制御ロジック回路２１２４５は、図２に示した実施の形態３による半導体集積回路２１２の内部のスイッチＳＷ２をオン状態からオフ状態に変更する一方、スイッチＳＷ３をオフ状態からオン状態に変更する。従って、第２入力電圧２の供給端子Ｔ２からのＵＳＢ給電の供給電圧が、降圧ＤＣ−ＤＣコンバータ２１２１とスイッチＳＷ２とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ０を介して２次電池２６の充電に使用されるとともに受電側システム３への電源供給に使用される。
一方、ステップＳ８０７にてワイヤレス給電からＵＳＢ給電への非切り替えを示す非切り替え指示情報が出力された場合には、処理はステップＳ５０９に戻されてゲート駆動回路２１２４９は第１ゲート駆動出力信号Ｍｐ１＿Ｇと第２ゲート駆動出力信号Ｍｐ２＿Ｇとをそれぞれローレベルとハイレベルとに維持する。従って、入力電圧選択スイッチ２１２４２のＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ１とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ２とはそれぞれオン状態とオフ状態とに維持されるので、ワイヤレス給電の初期動作が維持される。更にこのステップＳ５０９では、制御ロジック回路２１２４５は図２に示した実施の形態３による半導体集積回路２１２の内部のスイッチＳＷ２をオン状態に維持する一方、スイッチＳＷ３をオフ状態に維持する。従って、第１入力電圧１の供給端子Ｔ１からのワイヤレス給電の供給電圧が、降圧ＤＣ−ＤＣコンバータ２１２１とスイッチＳＷ２とＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐ０とを介して２次電池２６の充電に使用されるとともに受電側システム３への電源供給に使用される。
以上、本発明者によってなされた発明を種々の実施の形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
例えば、本半導体集積回路が搭載される電子機器は、多機能携帯電話やタブレットＰＣ等のような携帯型パーソナルコンピュータに限定されるものではなく、デジタルビデオカメラやデジタルスチルカメラや携帯音楽プレイヤーや携帯ＤＶＤプレイヤー等に適用することが可能である。
更に、本半導体集積回路が搭載される電子機器は、ＲＦＩＤカードを内蔵することで自動改札システム、電子マネー等の機能を有する携帯電話に適用することが可能である。
１…送電回路
２…受電回路
３…受電側システム
１０…ＡＣアダプタ
１１…マイクロコントローラユニット(ＭＣＵ)
１１１…認証処理機能
１１２…暗号処理機能
１２…送電制御回路
１２１…整流回路
１２２…ＲＦドライバ１２２
１３…送電側アンテナコイル
２１…受電制御回路
２１１…整流回路
２２…マイクロコントローラユニット(ＭＣＵ)
２２１…認証処理機能
２２２…暗号処理機能
２３…ＵＳＢ接続インターフェース
２４…ＡＣ電源接続インターフェース２４
２５…受電側アンテナコイル
２６…２次電池
２１２…半導体集積回路
Ｔ１〜Ｔ１０…端子
Ｄ１、Ｄ２…ショットキーダイオード
２１２１…降圧ＤＣ−ＤＣコンバータ
２１２２…リニア・レギュレータ
２１２３…ＵＳＢ種別検出回路
２１２４…入力電圧検出回路
２１２５…外部インターフェース
２１２６…内蔵レギュレータ
２１２７…ゲート駆動制御回路
Ｍｐ０…ＰチャネルＭＯＳトランジスタ
ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４…スイッチ
Ｌ１…インダクター
Ｃ１…容量
２１２４１…リニア・レギュレータ
２１２４２…入力電圧選択スイッチ
２１２４３…電圧比較・選択回路
Ｒｅｆ＿Ｇｅｎ１…第１基準電圧発生回路
ＢＡ１…第１バッファ回路
ＢＡ２…第２バッファ回路
２１２４４…パワーオンリセット回路
２１２４５…制御ロジック回路
２１２４６…入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路
２１２４７…クロック発生回路
２１２４８…入力電圧検出回路
２１２４９…ゲート駆動回路
２１２８…アナログ回路

Claims (20)

  1. 半導体集積回路は、第１の電源電圧が供給可能である第１供給端子と、第２の電源電圧が供給可能である第２供給端子と、前記第１供給端子と前記第２供給端子とに接続された入力電圧選択回路と、第１電源スイッチと、第２電源スイッチとを具備して、
    前記入力電圧選択回路は、パワーオンリセット回路と、入力電圧検出回路と、制御回路とを含み、
    前記第１供給端子への前記第１の電源電圧の供給と前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の供給とに応答して、前記パワーオンリセット回路は、パワーオンリセット信号を生成して、
    前記入力電圧検出回路は前記第１供給端子への前記第１の電源電圧の前記供給に応答して第１電圧検出出力信号を生成して、前記入力電圧検出回路は前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の前記供給に応答して第２電圧検出出力信号を生成して、
    前記制御回路は、前記パワーオンリセット信号と前記第１電圧検出出力信号と前記第２電圧検出出力信号とに応答して、前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとを制御して、
    前記パワーオンリセット回路のパワーオンリセット動作終了に応答する前記パワーオンリセット信号のレベル変化のタイミングにて、前記入力電圧検出回路は前記第１供給端子への前記第１の電源電圧の前記供給と前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の前記供給とを検出して、
    前記レベル変化の前記タイミングにて、前記入力電圧検出回路が前記第１供給端子への前記第１の電源電圧の前記供給を検出するが前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の前記供給を検出しない第１の場合には、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記制御回路は前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとをそれぞれオン状態とオフ状態に制御して、
    前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとがそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御されることにより、前記オン状態に制御された前記第１電源スイッチは前記第１供給端子に供給される前記第１の電源電圧を負荷に供給して、
    前記レベル変化の前記タイミングにて、前記入力電圧検出回路が前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の前記供給を検出するが前記第１供給端子への前記第１の電源電圧の前記供給を検出しない第２の場合には、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記制御回路は前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとをそれぞれオフ状態とオン状態に制御して、
    前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとがそれぞれ前記オフ状態と前記オン状態に制御されることにより、前記オン状態に制御された前記第２電源スイッチは前記第２供給端子に供給される前記第２の電源電圧を前記負荷に供給して、
    前記レベル変化の前記タイミングにて、前記入力電圧検出回路が前記第１供給端子への前記第１の電源電圧の前記供給と前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の前記供給とを検出する第３の場合には、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記制御回路は前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチの一方と他方をそれぞれオン状態とオフ状態に制御して、
    前記第３の場合に、前記制御回路に事前に設定された優先順序に従って、前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチの前記一方と前記他方とがそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御され、
    前記オン状態に制御された前記一方は、前記第１供給端子または前記第２供給端子に供給される前記第１の電源電圧または前記第２の電源電圧を前記負荷に供給する
    半導体集積回路。
  2. 請求項１において、
    前記半導体集積回路は、前記負荷としての第１外部負荷と第２外部負荷とに前記第１の電源電圧または前記第２の電源電圧をそれぞれ供給する第１外部出力端子と第２外部出力端子を更に具備して、
    前記半導体集積回路は、前記第１外部出力端子と前記第２外部出力端子との間に接続された出力ＰチャネルＭＯＳトランジスタを更に具備して、
    前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチのいずれかがオン状態に制御される場合には、前記制御回路により前記出力ＰチャネルＭＯＳトランジスタがオン状態に制御され、
    前記出力ＰチャネルＭＯＳトランジスタが前記オン状態に制御されることによって、前記第２外部負荷に前記第１の電源電圧または前記第２の電源電圧が前記出力ＰチャネルＭＯＳトランジスタと前記第２外部出力端子とを介して供給可能とされた
    半導体集積回路。
  3. 請求項２において、
    前記第１外部出力端子は、能動デバイスとしての他の半導体集積回路である前記第１外部負荷に前記第１の電源電圧または前記第２の電源電圧を供給することが可能なように構成されたものであり、
    前記出力ＰチャネルＭＯＳトランジスタと前記第２外部出力端子とは、バッテリーである前記第２外部負荷に前記第１の電源電圧または前記第２の電源電圧を供給することが可能なように構成された
    半導体集積回路。
  4. 請求項３において、
    前記入力電圧選択回路は、入力電圧選択スイッチと、ゲート駆動回路とを更に含み、
    前記入力電圧選択スイッチは第１入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタと第２入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタを含み、前記第１入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタのソースが前記第１供給端子と接続され、前記第２入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタのソースが前記第２供給端子と接続され、
    前記パワーオンリセット回路のパワーオンリセット期間において、前記ゲート駆動回路は、前記入力電圧選択スイッチの前記第１入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタと前記第２入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタとの両者をオン状態に制御して、
    前記パワーオンリセット期間において、前記第１入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタのドレインもしくは前記第２入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタのドレインから、前記パワーオンリセット回路に供給される動作電圧が生成される
    半導体集積回路。
  5. 請求項４において、
    前記第１の場合には、前記ゲート駆動回路は、前記入力電圧選択スイッチの前記第１入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタと前記第２入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタとをオン状態とオフ状態とにそれぞれ制御して、
    前記第２の場合には、前記ゲート駆動回路は、前記入力電圧選択スイッチの前記第１入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタと前記第２入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタとをオフ状態とオン状態とにそれぞれ制御して、
    前記第３の場合には、前記制御回路に事前に設定された前記優先順序に従って、前記ゲート駆動回路は、前記入力電圧選択スイッチの前記第１入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタと前記第２入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタの一方と他方とをオン状態とオフ状態とにそれぞれ制御する
    半導体集積回路。
  6. 請求項５において、
    前記入力電圧選択回路は、第１入力端子と第２入力端子と出力端子を持つ電圧比較・選択回路を更に含み、
    前記電圧比較・選択回路の前記第１入力端子は、前記入力電圧選択スイッチの前記第１入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタの前記ドレインに接続され、
    前記電圧比較・選択回路の前記第２入力端子は、前記入力電圧選択スイッチの前記第２入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタの前記ドレインに接続され、
    前記電圧比較・選択回路の前記出力端子から、前記パワーオンリセット回路に供給される前記動作電圧が生成され、
    前記電圧比較・選択回路は前記第１入力端子の電圧と前記第２入力端子の電圧を比較して高い電圧を選択することにより、当該高い電圧を前記出力端子から前記パワーオンリセット回路に供給される前記動作電圧として出力する
    半導体集積回路。
  7. 請求項３において、
    前記第１の場合の発生により、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとがそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御された後に、前記入力電圧検出回路が前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の供給を検出する第４の場合が発生して、
    前記第４の場合の発生に応答して、前記第３の場合と同様に前記制御回路は、前記制御回路に事前に設定された前記優先順序に従って前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチの前記一方と前記他方とをそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御して、
    前記第２の場合の発生により、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとがそれぞれ前記オフ状態と前記オン状態に制御された後に、前記入力電圧検出回路が前記第１供給端子への前記第１の電源電圧の供給を検出する第５の場合が発生して、
    前記第５の場合の発生に応答して、前記第３の場合と同様に前記制御回路は、前記制御回路に事前に設定された前記優先順序に従って前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチの前記一方と前記他方とをそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御して、
    前記第３の場合の発生により、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチの前記一方と前記他方とがそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御された後に、前記入力電圧検出回路が前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の供給を検出する第６の場合が発生して、
    前記第６の場合の発生に応答して、前記第３の場合と同様に前記制御回路は、前記制御回路に事前に設定された前記優先順序に従って前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチの前記一方と前記他方とをそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御する
    半導体集積回路。
  8. 請求項３において、
    前記第１の場合の発生により、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとがそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御された後に、前記入力電圧検出回路が前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の供給を検出する第４の場合が発生して、
    前記第４の場合の発生に応答して、前記半導体集積回路は前記第１外部負荷としての前記他の半導体集積回路に前記第４の場合の発生を通知することが可能とされ、
    前記第４の場合の前記発生の第１の通知に応答して、前記他の半導体集積回路から前記半導体集積回路に供給される第１の指示に従って、前記制御回路は前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとを制御するものであり、
    前記第１の指示に従って、前記制御回路は、前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとをそれぞれオン状態とオフ状態に制御するか、もしくは前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとをそれぞれオフ状態とオン状態に制御して、
    前記第２の場合の発生により、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとがそれぞれ前記オフ状態と前記オン状態に制御された後に、前記入力電圧検出回路が前記第１供給端子への前記第１の電源電圧の供給を検出する第５の場合が発生して、
    前記第５の場合の発生に応答して、前記半導体集積回路は前記第１外部負荷としての前記他の半導体集積回路に前記第５の場合の発生を通知することが可能とされ、
    前記第５の場合の前記発生の第２の通知に応答して、前記他の半導体集積回路から前記半導体集積回路に供給される第２の指示に従って、前記制御回路は前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとを制御するものであり、
    前記第２の指示に従って、前記制御回路は、前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとをそれぞれオフ状態とオン状態とに制御するか、もしくは前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとをそれぞれオン状態とオフ状態に制御して、
    前記第３の場合の発生により、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチの前記一方と前記他方とがそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態とに制御された後に、前記入力電圧検出回路が前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の供給を検出する第６の場合が発生して、
    前記第６の場合の発生に応答して、前記半導体集積回路は前記第１外部負荷としての前記他の半導体集積回路に前記第６の場合の発生を通知することが可能とされ、
    前記第６の場合の前記発生の第３の通知に応答して、前記他の半導体集積回路から前記半導体集積回路に供給される第３の指示に従って、前記制御回路は前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとを制御するものであり、
    前記第３の指示に従って、前記制御回路は、前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとをそれぞれオン状態とオフ状態とに制御するか、もしくは前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとをそれぞれオフ状態とオン状態に制御する
    半導体集積回路。
  9. 請求項３において、
    前記半導体集積回路は、前記第１供給端子と前記第１電源スイッチとの間に並列接続された降圧ＤＣ−ＤＣコンバータとリニア・レギュレータを更に具備して、
    前記リニア・レギュレータは、前記第１供給端子への前記第１の電源電圧の前記供給による電源投入直後に即座動作するシリーズレギュレータとして動作するものであり、
    前記降圧ＤＣ−ＤＣコンバータは、前記リニア・レギュレータよりも高い電力効率を有するスイッチングレギュレータとして動作する
    半導体集積回路。
  10. 請求項９において、
    前記第１供給端子に第１ショットキーダイオードを介してワイヤレス給電の電源電圧と第２ショットキーダイオードを介してＡＣ電源接続インターフェースのＡＣ−ＤＣ変換電源電圧とが供給可能なように、前記第１供給端子が構成されたものであり、
    前記第２供給端子にＵＳＢ接続インターフェースのＵＳＢ電源電圧が供給可能なように、前記第２供給端子が構成された
    半導体集積回路。
  11. 第１の電源電圧が供給可能である第１供給端子と、第２の電源電圧が供給可能である第２供給端子と、前記第１供給端子と前記第２供給端子とに接続された入力電圧選択回路と、第１電源スイッチと、第２電源スイッチとを具備する半導体集積回路の動作方法において、
    前記入力電圧選択回路は、パワーオンリセット回路と、入力電圧検出回路と、制御回路とを含み、
    前記第１供給端子への前記第１の電源電圧の供給と前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の供給とに応答して、前記パワーオンリセット回路は、パワーオンリセット信号を生成して、
    前記入力電圧検出回路は前記第１供給端子への前記第１の電源電圧の前記供給に応答して第１電圧検出出力信号を生成して、前記入力電圧検出回路は前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の前記供給に応答して第２電圧検出出力信号を生成して、
    前記制御回路は、前記パワーオンリセット信号と前記第１電圧検出出力信号と前記第２電圧検出出力信号とに応答して、前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとを制御して、
    前記パワーオンリセット回路のパワーオンリセット動作終了に応答する前記パワーオンリセット信号のレベル変化のタイミングにて、前記入力電圧検出回路は前記第１供給端子への前記第１の電源電圧の前記供給と前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の前記供給とを検出して、
    前記レベル変化の前記タイミングにて、前記入力電圧検出回路が前記第１供給端子への前記第１の電源電圧の前記供給を検出するが前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の前記供給を検出しない第１の場合には、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記制御回路は前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとをそれぞれオン状態とオフ状態に制御して、
    前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとがそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御されることにより、前記オン状態に制御された前記第１電源スイッチは前記第１供給端子に供給される前記第１の電源電圧を負荷に供給して、
    前記レベル変化の前記タイミングにて、前記入力電圧検出回路が前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の前記供給を検出するが前記第１供給端子への前記第１の電源電圧の前記供給を検出しない第２の場合には、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記制御回路は前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとをそれぞれオフ状態とオン状態に制御して、
    前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとがそれぞれ前記オフ状態と前記オン状態に制御されることにより、前記オン状態に制御された前記第２電源スイッチは前記第２供給端子に供給される前記第２の電源電圧を前記負荷に供給して、
    前記レベル変化の前記タイミングにて、前記入力電圧検出回路が前記第１供給端子への前記第１の電源電圧の前記供給と前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の前記供給とを検出する第３の場合には、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記制御回路は前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチの一方と他方をそれぞれオン状態とオフ状態に制御して、
    前記第３の場合に、前記制御回路に事前に設定された優先順序に従って、前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチの前記一方と前記他方とがそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御され、
    前記オン状態に制御された前記一方は、前記第１供給端子または前記第２供給端子に供給される前記第１の電源電圧または前記第２の電源電圧を前記負荷に供給する
    半導体集積回路の動作方法。
  12. 請求項１１において、
    前記半導体集積回路は、前記負荷としての第１外部負荷と第２外部負荷とに前記第１の電源電圧または前記第２の電源電圧をそれぞれ供給する第１外部出力端子と第２外部出力端子を更に具備して、
    前記半導体集積回路は、前記第１外部出力端子と前記第２外部出力端子との間に接続された出力ＰチャネルＭＯＳトランジスタを更に具備して、
    前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチのいずれかがオン状態に制御される場合には、前記制御回路により前記出力ＰチャネルＭＯＳトランジスタがオン状態に制御され、
    前記出力ＰチャネルＭＯＳトランジスタが前記オン状態に制御されることによって、前記第２外部負荷に前記第１の電源電圧または前記第２の電源電圧が前記出力ＰチャネルＭＯＳトランジスタと前記第２外部出力端子とを介して供給可能とされた
    半導体集積回路の動作方法。
  13. 請求項１２において、
    前記第１外部出力端子は、能動デバイスとしての他の半導体集積回路である前記第１外部負荷に前記第１の電源電圧または前記第２の電源電圧を供給することが可能なように構成されたものであり、
    前記出力ＰチャネルＭＯＳトランジスタと前記第２外部出力端子とは、バッテリーである前記第２外部負荷に前記第１の電源電圧または前記第２の電源電圧を供給することが可能なように構成された
    ことを特徴とする半導体集積回路の動作方法。
  14. 請求項１３において、
    前記入力電圧選択回路は、入力電圧選択スイッチと、ゲート駆動回路とを更に含み、
    前記入力電圧選択スイッチは第１入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタと第２入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタを含み、前記第１入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタのソースが前記第１供給端子と接続され、前記第２入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタのソースが前記第２供給端子と接続され、
    前記パワーオンリセット回路のパワーオンリセット期間において、前記ゲート駆動回路は、前記入力電圧選択スイッチの前記第１入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタと前記第２入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタとの両者をオン状態に制御して、
    前記パワーオンリセット期間において、前記第１入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタのドレインもしくは前記第２入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタのドレインから、前記パワーオンリセット回路に供給される動作電圧が生成される
    半導体集積回路の動作方法。
  15. 請求項１４において、
    前記第１の場合には、前記ゲート駆動回路は、前記入力電圧選択スイッチの前記第１入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタと前記第２入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタとをオン状態とオフ状態とにそれぞれ制御して、
    前記第２の場合には、前記ゲート駆動回路は、前記入力電圧選択スイッチの前記第１入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタと前記第２入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタとをオフ状態とオン状態とにそれぞれ制御して、
    前記第３の場合には、前記制御回路に事前に設定された前記優先順序に従って、前記ゲート駆動回路は、前記入力電圧選択スイッチの前記第１入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタと前記第２入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタの一方と他方とをオン状態とオフ状態とにそれぞれ制御する
    半導体集積回路の動作方法。
  16. 請求項１５において、
    前記入力電圧選択回路は、第１入力端子と第２入力端子と出力端子を持つ電圧比較・選択回路を更に含み、
    前記電圧比較・選択回路の前記第１入力端子は、前記入力電圧選択スイッチの前記第１入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタの前記ドレインに接続され、
    前記電圧比較・選択回路の前記第２入力端子は、前記入力電圧選択スイッチの前記第２入力ＰチャネルＭＯＳトランジスタの前記ドレインに接続され、
    前記電圧比較・選択回路の前記出力端子から、前記パワーオンリセット回路に供給される前記動作電圧が生成され、
    前記電圧比較・選択回路は前記第１入力端子の電圧と前記第２入力端子の電圧を比較して高い電圧を選択することにより、当該高い電圧を前記出力端子から前記パワーオンリセット回路に供給される前記動作電圧として出力する
    半導体集積回路の動作方法。
  17. 請求項１３において、
    前記第１の場合の発生により、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとがそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御された後に、前記入力電圧検出回路が前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の供給を検出する第４の場合が発生して、
    前記第４の場合の発生に応答して、前記第３の場合と同様に前記制御回路は、前記制御回路に事前に設定された前記優先順序に従って前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチの前記一方と前記他方とをそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御して、
    前記第２の場合の発生により、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとがそれぞれ前記オフ状態と前記オン状態に制御された後に、前記入力電圧検出回路が前記第１供給端子への前記第１の電源電圧の供給を検出する第５の場合が発生して、
    前記第５の場合の発生に応答して、前記第３の場合と同様に前記制御回路は、前記制御回路に事前に設定された前記優先順序に従って前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチの前記一方と前記他方とをそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御して、
    前記第３の場合の発生により、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチの前記一方と前記他方とがそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御された後に、前記入力電圧検出回路が前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の供給を検出する第６の場合が発生して、
    前記第６の場合の発生に応答して、前記第３の場合と同様に前記制御回路は、前記制御回路に事前に設定された前記優先順序に従って前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチの前記一方と前記他方とをそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御する
    半導体集積回路の動作方法。
  18. 請求項１３において、
    前記第１の場合の発生により、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとがそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御された後に、前記入力電圧検出回路が前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の供給を検出する第４の場合が発生して、
    前記第４の場合の発生に応答して、前記半導体集積回路は前記第１外部負荷としての前記他の半導体集積回路に前記第４の場合の発生を通知することが可能とされ、
    前記第４の場合の前記発生の第１の通知に応答して、前記他の半導体集積回路から前記半導体集積回路に供給される第１の指示に従って、前記制御回路は前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとを制御するものであり、
    前記第１の指示に従って、前記制御回路は、前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとをそれぞれオン状態とオフ状態に制御するか、もしくは前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとをそれぞれオフ状態とオン状態に制御して、
    前記第２の場合の発生により、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとがそれぞれ前記オフ状態と前記オン状態に制御された後に、前記入力電圧検出回路が前記第１供給端子への前記第１の電源電圧の供給を検出する第５の場合が発生して、
    前記第５の場合の発生に応答して、前記半導体集積回路は前記第１外部負荷としての前記他の半導体集積回路に前記第５の場合の発生を通知することが可能とされ、
    前記第５の場合の前記発生の第２の通知に応答して、前記他の半導体集積回路から前記半導体集積回路に供給される第２の指示に従って、前記制御回路は前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとを制御するものであり、
    前記第２の指示に従って、前記制御回路は、前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとをそれぞれオフ状態とオン状態とに制御するか、もしくは前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとをそれぞれオン状態とオフ状態に制御して、
    前記第３の場合の発生により、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチの前記一方と前記他方とがそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態とに制御された後に、前記入力電圧検出回路が前記第２供給端子への前記第２の電源電圧の供給を検出する第６の場合が発生して、
    前記第６の場合の発生に応答して、前記半導体集積回路は前記第１外部負荷としての前記他の半導体集積回路に前記第６の場合の発生を通知することが可能とされ、
    前記第６の場合の前記発生の第３の通知に応答して、前記他の半導体集積回路から前記半導体集積回路に供給される第３の指示に従って、前記制御回路は前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとを制御するものであり、
    前記第３の指示に従って、前記制御回路は、前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとをそれぞれオン状態とオフ状態とに制御するか、もしくは前記第１電源スイッチと前記第２電源スイッチとをそれぞれオフ状態とオン状態に制御する
    半導体集積回路の動作方法。
  19. 請求項１３において、
    前記半導体集積回路は、前記第１供給端子と前記第１電源スイッチとの間に並列接続された降圧ＤＣ−ＤＣコンバータとリニア・レギュレータを更に具備して、
    前記リニア・レギュレータは、前記第１供給端子への前記第１の電源電圧の前記供給による電源投入直後に即座動作するシリーズレギュレータとして動作するものであり、
    前記降圧ＤＣ−ＤＣコンバータは、前記リニア・レギュレータよりも高い電力効率を有するスイッチングレギュレータとして動作する
    半導体集積回路の動作方法。
  20. 請求項１９において、
    前記第１供給端子に第１ショットキーダイオードを介してワイヤレス給電の電源電圧と第２ショットキーダイオードを介してＡＣ電源接続インターフェースのＡＣ−ＤＣ変換電源電圧とが供給可能なように、前記第１供給端子が構成されたものであり、
    前記第２供給端子にＵＳＢ接続インターフェースのＵＳＢ電源電圧が供給可能なように、前記第２供給端子が構成された
    半導体集積回路の動作方法。
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