JP5943505B2 - 高電圧コイル - Google Patents
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Description
(1)−O−Ar1−CO−
(2)−CO−Ar2−CO−
(3)−X−Ar3−Y−
(Ar1は、フェニレン基、ナフチレン基又はビフェニリレン基を表す。Ar2及びAr3は、それぞれ独立に、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基又は下記式(4)で表される基を表す。X及びYは、それぞれ独立に、酸素原子又はイミノ基(−NH−)を表す。Ar1、Ar2又はAr3で表される前記基にある水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数1〜10のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基で置換されていてもよい。)
(4)−Ar4−Z−Ar5−
(Ar4及びAr5は、それぞれ独立に、フェニレン基又はナフチレン基を表す。Zは、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基又はアルキリデン基を表す。)
(1)−O−Ar1−CO−
(2)−CO−Ar2−CO−
(3)−X−Ar3−Y−
(Ar1は、フェニレン基、ナフチレン基又はビフェニリレン基を表す。Ar2及びAr3は、それぞれ独立に、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基又は下記式(4)で表される基を表す。X及びYは、それぞれ独立に、酸素原子又はイミノ基(−NH−)を表す。Ar1、Ar2又はAr3で表される前記基にある水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数1〜10のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基で置換されていてもよい。)
(4)−Ar4−Z−Ar5−
(Ar4及びAr5は、それぞれ独立に、フェニレン基又はナフチレン基を表す。Zは、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基又はアルキリデン基を表す。)
図1は、本実施形態の高電圧コイルを有するリレーの概略断面図である。本実施形態のリレー1は、接点封止部10と駆動部20とを有する、いわゆるプランジャー形のリレーである。
以上のようにしてリレー1では、接点の開閉を行っている。
本実施形態の高電圧コイル100を構成する封止剤は、溶融状態で液晶性を示す液晶ポリエステルであり、450℃以下の温度で溶融するものであることが好ましい。なお、液晶ポリエステルは、液晶ポリエステルアミドであってもよいし、液晶ポリエステルエーテルであってもよいし、液晶ポリエステルカーボネートであってもよいし、液晶ポリエステルイミドであってもよい。液晶ポリエステルは、原料モノマーとして芳香族化合物のみを用いてなる全芳香族液晶ポリエステルであることが好ましい。
(1)−O−Ar1−CO−
(2)−CO−Ar2−CO−
(3)−X−Ar3−Y−
(Ar1は、フェニレン基、ナフチレン基又はビフェニリレン基を表す。Ar2及びAr3は、それぞれ独立に、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基又は下記式(4)で表される基を表す。X及びYは、それぞれ独立に、酸素原子又はイミノ基(−NH−)を表す。Ar1、Ar2又はAr3で表される前記基にある水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数1〜10のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基で置換されていてもよい。)
(4)−Ar4−Z−Ar5−
(Ar4及びAr5は、それぞれ独立に、フェニレン基又はナフチレン基を表す。Zは、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基又はアルキリデン基を表す。)
m−フェニレン基を有する繰返し単位の含有量は、全繰返し単位の合計量に対して、好ましくは6モル%以下、より好ましくは4モル%以下、さらに好ましくは3モル%以下である。また、m−フェニレン基を有する繰返し単位の含有量が少ないほど、封止剤の絶縁性が向上し易いが、あまり少ないと、液晶ポリエステルが成形し難くなるため、m−フェニレン基を有する繰返し単位の含有量は、全繰返し単位の合計量に対して、1モル%以上であることが好ましい。
液晶ポリエステルの流動開始温度は、フローテスター((株)島津製作所の「CFT−500型」)を用いて測定した。液晶ポリエステル約2gを、内径1mm及び長さ10mmのノズルを有するダイを取り付けたフローテスターのシリンダーに充填し、9.8MPa(100kg/cm2)の荷重下において、昇温速度4℃/分で液晶ポリエステルを溶融させ、ノズルから押し出しながら溶融粘度を測定し、4800Pa・s(48000ポイズ)の粘度を示す温度を流動開始温度とした。
攪拌装置、トルクメータ、窒素ガス導入管、温度計及び還流冷却器を備えた反応器に、p−ヒドロキシ安息香酸828.8g(6.0モル)、テレフタル酸473.4g(2.85モル)、イソフタル酸24.9g(0.15モル)、4,4’−ジヒドロキシビフェニル558.6g(3.0モル)及び無水酢酸1347.6g(13.2モル)を入れ、窒素ガス気流下、攪拌しながら、室温から150℃まで15分かけて昇温し、150℃で3時間還流させた。
攪拌装置、トルクメータ、窒素ガス導入管、温度計及び環流冷却器を備えた反応器に、p−ヒドロキシ安息香酸994.5g(7.2モル)、テレフタル酸358.8g(2.16モル)、イソフタル酸39.9g(0.24モル)、4,4’−ジヒドロキシビフェニル446.9g(2.4モル)及び無水酢酸1347.6g(13.2モル)及び1−メチルイミダゾール0.20gを入れ、窒素ガス気流下、攪拌しながら、室温から150℃まで30分かけて昇温し、150℃で60分還流させた。
攪拌装置、トルクメータ、窒素ガス導入管、温度計及び還流冷却器を備えた反応器に、p−ヒドロキシ安息香酸994.5g(7.2モル)、テレフタル酸299.0g(1.8モル)、イソフタル酸99.7g(0.6モル)、4,4’−ジヒドロキシビフェニル446.9g(2.4モル)、無水酢酸1347.6g(13.2モル)及び1−メチルイミダゾール0.18gを入れ、窒素ガス気流下、攪拌しながら、室温から150℃まで30分かけて昇温し、150℃で30分還流させた。
攪拌装置、トルクメータ、窒素ガス導入管、温度計及び還流冷却器を備えた反応器に、p−ヒドロキシ安息香酸994.5g(7.2モル)、テレフタル酸239.2g(1.44モル)、イソフタル酸159.5g(0.96モル)、4,4’−ジヒドロキシビフェニル446.9g(2.4モル)、無水酢酸1347.6g(13.2モル)及び1−メチルイミダゾール0.18gを入れ、窒素ガス気流下、攪拌しながら、室温から150℃まで30分かけて昇温し、150℃で30分還流させた。
ガラス繊維として、次のものを用いた。
ガラス繊維(1):日本板硝子(株)の「REV8」(数平均繊維径13μm、数平均繊維長70μm)
ガラス繊維(2):セントラルガラス(株)の「EFH75−01」(数平均繊維径11μm、数平均繊維長75μm)
液晶ポリエステル(1)100質量部と、ガラス繊維(1)67質量部とを混合し、2軸押出機(池貝鉄工(株)の「PCM−30」)を用いて、シリンダー温度390℃で造粒して、ペレット状の液晶ポリエステル組成物を得た。得られた液晶ポリエステル組成物を射出成形して、64mm×64mm×厚さ0.5、1.0および1.6mmの成形体を得た。得られた成形体について、次の方法にて絶縁破壊電圧および成形体の反りを測定した。
得られた成形体について、JIS C2110に従い、短時間破壊試験法にて室温、100℃および200℃の絶縁破壊電圧を測定した。測定に用いた電極は、上部電極が直径20mmの球状電極であり、下部電極が、直径25mmの円板状電極である。
成形体の反りは、得られた厚み0.5mmの成形体を用いて、窒素雰囲気下250℃で5000時間加熱した後、成形体の四隅の頂点のうち、一点を指で押さえた時の対角側にある頂点について、成形体を載置した面からの浮き上がりを測定して求めた。1枚の成形体について、それぞれの頂点について測定することで得られた4つの値を平均し、成形体の反りの値とした。
液晶ポリエステル(2)100質量部と、ガラス繊維(2)67質量部とを混合し、ペレット加工時のシリンダー温度を360℃としたこと以外は、実施例1と同様にして成形体を得た。得られた成形体について、実施例1と同様にして絶縁破壊電圧および成形体の反りを測定した。
液晶ポリエステル(3)100質量部と、ガラス繊維(2)67質量部とを混合し、ペレット加工時のシリンダー温度を340℃としたこと以外は、実施例1と同様にして成形体を得た。得られた成形体について、実施例1と同様にして絶縁破壊電圧および成形体の反りを測定した。
液晶ポリエステル(4)100質量部と、ガラス繊維(2)67質量部とを混合し、ペレット加工時のシリンダー温度を300℃としたこと以外は、実施例1と同様にして成形体を得た。得られた成形体について、実施例1と同様にして絶縁破壊電圧および成形体の反りを測定した。
Claims (8)
- ボビンと、前記ボビンの巻回部に巻回された導線と、前記ボビンとの間に前記導線を封止する封止剤と、を有し、
前記封止剤が、下記式(1)、下記式(2)及び下記式(3)で表される繰返し単位を有する液晶ポリエステルを形成材料として含み、前記液晶ポリエステル中のm−フェニレン基を有する繰返し単位の含有量が、全繰返し単位の合計量に対して、0モル%以上6.5モル%以下である高電圧コイル。
(1)−O−Ar1−CO−
(2)−CO−Ar2−CO−
(3)−X−Ar3−Y−
(Ar1は、フェニレン基、ナフチレン基又はビフェニリレン基を表す。Ar2及びAr3は、それぞれ独立に、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基又は下記式(4)で表される基を表す。X及びYは、それぞれ独立に、酸素原子又はイミノ基(−NH−)を表す。Ar1、Ar2又はAr3で表される前記基にある水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数1〜10のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基で置換されていてもよい。)
(4)−Ar4−Z−Ar5−
(Ar4及びAr5は、それぞれ独立に、フェニレン基又はナフチレン基を表す。Zは、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基又はアルキリデン基を表す。) - 前記Ar1が、p−フェニレン基または2,6−ナフチレン基であり、前記Ar2が、p−フェニレン基、m−フェニレン基または2,6−ナフチレン基であり、前記Ar3が、p−フェニレン基または4,4’−ビフェニリレン基であり、前記Xおよび前記Yが、酸素原子である請求項1に記載の高電圧コイル。
- 前記液晶ポリエステルが、全繰返し単位の合計量に対して、前記式(1)で表される繰返し単位を30モル%以上80モル%以下、前記式(2)で表される繰返し単位を10モル%以上35モル%以下、前記式(3)で表される繰返し単位を10モル%以上35モル%以下有する請求項1又は2に記載の高電圧コイル。
- 前記液晶ポリエステルとガラス繊維とを含む組成物を形成材料とする請求項1から3のいずれかに記載の高電圧コイル。
- 前記ガラス繊維の含有量が、前記液晶ポリエステル100質量部に対して、10質量部以上100質量部以下である請求項4に記載の高電圧コイル。
- 前記ボビンが、前記液晶ポリエステルを形成材料として含む請求項1から5のいずれか1項に記載の高電圧コイル。
- 前記ボビンが、前記液晶ポリエステルとガラス繊維とを含む組成物を形成材料とする請求項6に記載の高電圧コイル。
- 前記ボビンが、前記封止剤と同じ形成材料を用いて形成されている請求項6または7に記載の高電圧コイル。
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