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JP5826113B2 - Piezoelectric vibration element storage package, piezoelectric device, and multi-piece wiring board - Google Patents

Piezoelectric vibration element storage package, piezoelectric device, and multi-piece wiring board Download PDF

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JP5826113B2 JP2012118703A JP2012118703A JP5826113B2 JP 5826113 B2 JP5826113 B2 JP 5826113B2 JP 2012118703 A JP2012118703 A JP 2012118703A JP 2012118703 A JP2012118703 A JP 2012118703A JP 5826113 B2 JP5826113 B2 JP 5826113B2
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  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Description

本発明は、圧電振動素子が気密に収容される圧電振動素子収納用パッケージ、圧電装置、および圧電振動素子収納用パッケージとなる複数の領域が母基板に配列されてなる多数個取り配線基板に関するものである。   The present invention relates to a piezoelectric vibration element housing package in which piezoelectric vibration elements are housed in an airtight manner, a piezoelectric device, and a multi-cavity wiring board in which a plurality of regions to be a piezoelectric vibration element housing package are arranged on a mother board. It is.

従来、圧電振動素子を気密封止するために用いられる圧電振動素子収納用パッケージは、セラミック焼結体等からなる絶縁基板の上面に、圧電振動素子を収容するための凹状の搭載部を有している。   Conventionally, a package for accommodating a piezoelectric vibration element used for hermetically sealing the piezoelectric vibration element has a concave mounting portion for accommodating the piezoelectric vibration element on an upper surface of an insulating substrate made of a ceramic sintered body or the like. ing.

搭載部は、蓋体が絶縁基板上に接合されることによって気密封止される。蓋体は、ガラスまたは金属等からなり、銀ろうや低融点ガラス等の封止材を用いて電気炉等の加熱手段により絶縁基板に接合される。   The mounting portion is hermetically sealed by bonding the lid to the insulating substrate. The lid is made of glass, metal, or the like, and is bonded to the insulating substrate by a heating means such as an electric furnace using a sealing material such as silver solder or low-melting glass.

上記圧電振動素子収納用パッケージにおいては、蓋体が接合されるときに生じるガス等を除去するために、搭載部から絶縁基板の下面にかけて貫通する貫通孔(ガス排出用の孔)が設けられているものがある。   The piezoelectric vibration element storage package is provided with a through-hole (gas exhaust hole) penetrating from the mounting portion to the lower surface of the insulating substrate in order to remove gas or the like generated when the lid is joined. There is something.

搭載部に圧電振動素子が収容された後に蓋体が絶縁基板の上面に接合され、その後、ガス排出用の孔からガスが外部に排出されてから、ろう材等の封止材で孔が塞がれて気密封止が行なわれる。   After the piezoelectric vibration element is accommodated in the mounting portion, the lid is bonded to the upper surface of the insulating substrate, and then the gas is discharged from the gas discharge hole to the outside, and then the hole is closed with a sealing material such as a brazing material. It is peeled off and hermetically sealed.

このような圧電振動素子収納用パッケージは、一般に、それぞれが圧電振動素子収納用パッケージとなる複数の領域が1枚の広面積の母基板に配列されてなる、いわゆる多数個取り配線基板の形態で製作されている。母基板には、あらかじめ上記領域の境界に沿って分割溝が形成され、この分割溝に沿って母基板が分割(破断)されて複数の領域(個々の圧電振動素子収納用パッケージ)が個片に分割される。   Such a piezoelectric vibration element storage package is generally in the form of a so-called multi-cavity wiring board in which a plurality of regions each serving as a piezoelectric vibration element storage package are arranged on a single large-area mother board. It has been produced. Divided grooves are formed in advance on the mother board along the boundaries of the regions, and the mother board is divided (broken) along the divided grooves, so that a plurality of regions (individual piezoelectric vibration element storage packages) are separated into pieces. It is divided into.

近年、圧電装置の小型化にともない、圧電振動素子を収容する圧電振動素子収納用パッケージの外形は小さいものとなってきている。   In recent years, with the miniaturization of piezoelectric devices, the outer shape of a piezoelectric vibration element housing package for accommodating a piezoelectric vibration element has become smaller.

特開2005−229340号公報JP 2005-229340

しかしながら、小型化された圧電振動素子収納用パッケージの絶縁基板にガス排出用の孔を形成した場合、ガス排出用の孔が非常に小さなものとなる。そのため、その孔内に挿入される、ろう材等の封止材の大きさも小さくなる。封止材が小さくなると、孔部分における気密封止の信頼性を高めることが難しくなる傾向がある。つまり、製造工程において封止材のボリュームのばらつきが生じる場合があり、封止材の大きさ、つまり絶対的なボリュームの低下に伴い、相対的なばらつきの度合いが大きくなりやすい。そのため、封止材について、ガス排出用の孔を埋めるだけのボリュームを安定して確保することが難しくなってきている。   However, when the gas discharge hole is formed in the insulating substrate of the miniaturized piezoelectric vibration element storage package, the gas discharge hole is very small. Therefore, the size of a sealing material such as a brazing material inserted into the hole is also reduced. When the sealing material is small, it tends to be difficult to improve the reliability of hermetic sealing in the hole portion. That is, the volume of the sealing material may vary in the manufacturing process, and the degree of relative variation tends to increase with a decrease in the size of the sealing material, that is, the absolute volume. Therefore, it has become difficult for the sealing material to stably secure a volume sufficient to fill the gas discharge holes.

本発明はかかる問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、ガス排出用の孔を有しており、例えば小型化された場合においても、気密封止の信頼性が高い圧電装置を容易に製作することが可能な圧電振動素子収納用パッケージ、および圧電装置、ならびに、その圧電振動素子収納用パッケージとなる複数の領域を有する多数個取り配線基板を提供することである。   The present invention has been devised in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a piezoelectric device having a gas discharge hole and having a high reliability of hermetic sealing even in the case of downsizing, for example. And a piezoelectric device, and a multi-piece wiring board having a plurality of regions to be the piezoelectric vibration element storage package.

本発明の一つの態様の圧電振動素子収納用パッケージは、圧電振動素子が搭載される部分を含む上面を有する平板状の基部と、該基部の前記上面に前記圧電振動素子が搭載される部分を取り囲んで積層された枠部とを備える圧電振動素子収納用パッケージであって、前記基部の側面に、該側面の上端から下端にかけて溝部が設けられているとともに、該溝部の上端の一部が前記枠部の内周よりも内側に位置しており、前記溝部の内側面に第1メタライズ層が設けられているとともに、前記溝部の内側に露出した前記枠部の下面に第2メタライズ層が設けられており、前記第1メタライズ層および前記第2メタライズ層に封止材が接合されて前記溝部が塞がれることを特徴とする。   According to another aspect of the present invention, there is provided a package for housing a piezoelectric vibration element, comprising: a flat base having an upper surface including a portion on which the piezoelectric vibration element is mounted; and a portion on which the piezoelectric vibration element is mounted on the upper surface of the base. A package for housing a piezoelectric vibration element including a frame portion surrounded and stacked, and a groove portion is provided on a side surface of the base portion from an upper end to a lower end of the side surface, and a part of the upper end of the groove portion is A first metallization layer is provided on the inner side of the groove part, and a second metallization layer is provided on the lower surface of the frame part exposed on the inner side of the groove part. The sealing member is bonded to the first metallized layer and the second metallized layer, and the groove is closed.

本発明の一つの態様の圧電装置は、上記の圧電振動素子収納用パッケージと、前記基部の前記上面に搭載された圧電振動素子と、前記枠部上に接合された蓋体と、前記第1メタライズ層および前記第2メタライズ層に接合されて前記溝部を塞いでいる封止材とを備えることを特徴とする。   A piezoelectric device according to one aspect of the present invention includes the above-described piezoelectric vibration element storage package, a piezoelectric vibration element mounted on the upper surface of the base, a lid bonded to the frame, and the first And a sealing material bonded to the metallized layer and the second metallized layer to close the groove.

本発明の一つの態様の多数個取り配線基板は、平板状の下部絶縁層と、複数の開口部を有しているとともに前記下部絶縁層の上面に積層された上部絶縁層とからなる母基板に複数の配線基板領域が配列された多数個取り配線基板であって、前記複数の配線基板領域のそれぞれの境界が前記開口部を取り囲んでおり、前記配線基板領域の境界を跨ぐように前記下部絶縁層に貫通孔が形成されているとともに、該貫通孔の上端の一部が前記開口部の内周よりも内側に位置しており、前記貫通孔の内側面に第1メタライズ層が形成されているとともに、前記貫通孔に露出した前記上部絶縁層の下面に第2メタライズ層が形成されていることを特徴とする。   A multi-cavity wiring board according to one aspect of the present invention is a mother board comprising a flat lower insulating layer and an upper insulating layer having a plurality of openings and stacked on the upper surface of the lower insulating layer. A plurality of wiring substrate regions arranged in a plurality of wiring substrate regions, wherein each of the plurality of wiring substrate regions surrounds the opening, and the lower portion extends across the boundary of the wiring substrate region A through hole is formed in the insulating layer, a part of the upper end of the through hole is located inside the inner periphery of the opening, and a first metallized layer is formed on the inner surface of the through hole. And a second metallized layer is formed on the lower surface of the upper insulating layer exposed in the through hole.

本発明の一つの態様の圧電振動素子収納用パッケージによれば、基部の側面に開口した溝部内の第1メタライズ層および第2メタライズ層に封止材が接合されて溝部が塞がれることから、溝部内への封止材の挿入が容易である。そのため、小型化された配線基板においても封止材のボリュームを確保できる。したがって、気密封止の信頼性が高い圧電装置を製作することが可能な圧電振動素子収納用パッケージを提供することができる。   According to the piezoelectric vibration element housing package of one aspect of the present invention, the sealing material is bonded to the first metallized layer and the second metallized layer in the groove opened on the side surface of the base, and the groove is blocked. The sealing material can be easily inserted into the groove. Therefore, the volume of the sealing material can be secured even in a miniaturized wiring board. Therefore, it is possible to provide a package for accommodating a piezoelectric vibration element capable of manufacturing a piezoelectric device with high hermetic sealing reliability.

本発明の一つの態様の圧電装置によれば、上記構成の圧電振動素子収納用パッケージと、基部の上面に搭載された圧電振動素子と、枠部上に接合された蓋体と、溝部を塞いでいる封止材とを備えることから、溝部を塞ぐ封止材のボリュームを容易に確保できる。したがって、例えば小型化したとしても、気密封止の信頼性が高い圧電装置を提供することができる。   According to the piezoelectric device of one aspect of the present invention, the piezoelectric vibration element storage package having the above configuration, the piezoelectric vibration element mounted on the upper surface of the base, the lid joined on the frame portion, and the groove portion are closed. Therefore, the volume of the sealing material that closes the groove can be easily secured. Therefore, for example, a piezoelectric device with high reliability of hermetic sealing can be provided even if the device is downsized.

本発明の一つの態様の多数個取り配線基板によれば、配線基板領域の境界を跨ぐように下部絶縁層に貫通孔が形成されており、貫通孔の上端の一部が開口部の内周よりも内側に位置しており、貫通孔の内側面に第1メタライズ層が形成されているとともに、貫通孔に露出した上部絶縁層の下面に第2メタライズ層が形成されていることから、境界に沿って分割することによって、上記構成の圧電振動素子収納用パッケージを容易に得ることができる。   According to the multi-cavity wiring board of one aspect of the present invention, the through hole is formed in the lower insulating layer so as to straddle the boundary of the wiring board region, and a part of the upper end of the through hole is the inner periphery of the opening. Since the first metallized layer is formed on the inner side surface of the through hole and the second metallized layer is formed on the lower surface of the upper insulating layer exposed in the through hole, The piezoelectric vibration element storage package having the above-described configuration can be easily obtained by dividing along the line.

(a)は、本発明の実施形態の圧電振動素子収納用パッケージおよび圧電装置の平面図であり、(b)は(a)のA−A’線における断面図である。(A) is a top view of the piezoelectric vibration element accommodation package and piezoelectric device of embodiment of this invention, (b) is sectional drawing in the A-A 'line of (a). 本発明の実施形態の圧電振動素子収納用パッケージを下面側から見た斜視図である。It is the perspective view which looked at the piezoelectric vibration element accommodation package of the embodiment of the present invention from the lower surface side. (a)は、本発明の実施形態の多数個取り配線基板の平面図であり、(b)は(a)のB−B’線における断面図である。(A) is a top view of the multi-piece wiring board of embodiment of this invention, (b) is sectional drawing in the B-B 'line | wire of (a). (a)は、本発明の実施形態の多数個取り配線基板の変形例を示す平面図であり、(b)は(a)のC−C’線における断面図である。(A) is a top view which shows the modification of the multi-piece wiring board of embodiment of this invention, (b) is sectional drawing in the C-C 'line of (a).

本発明の圧電振動素子収納用パッケージおよび圧電装置について、添付の図面を参照して説明する。図1(a)は本発明の実施形態の圧電振動素子収納用パッケージおよび圧電装置を示す平面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A’線における断面図である。また、図2は本発明の実施形態の圧電振動素子収納用パッケージおよび圧電装置を下面側から見た斜視図である。図1および図2において、101は絶縁基体,102は基部,103は枠
部,104は搭載部,105は圧電振動素子,106は溝部,107は第1メタライズ層,108は第2
メタライズ層,109は封止材,110は配線導体,111は枠状メタライズ層,112はキャスタレーション,113は蓋体である。
A piezoelectric vibration element storage package and a piezoelectric device according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1A is a plan view showing a piezoelectric vibration element housing package and a piezoelectric device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. . FIG. 2 is a perspective view of the piezoelectric vibration element storage package and the piezoelectric device according to the embodiment of the present invention as seen from the lower surface side. 1 and 2, reference numeral 101 denotes an insulating substrate, 102 denotes a base, 103 denotes a frame, 104 denotes a mounting portion, 105 denotes a piezoelectric vibration element, 106 denotes a groove, 107 denotes a first metallized layer, and 108 denotes a second layer.
The metallized layer 109 is a sealing material, 110 is a wiring conductor, 111 is a frame-like metallized layer, 112 is a castellation, and 113 is a lid.

絶縁基体101に配線導体110,枠状メタライズ層111,溝部106,および第1メタライズ層107、第2メタライズ層108が配置されて、圧電振動素子収納用パッケージが基本的に構成されている。この圧電振動素子収納用パッケージに圧電振動素子105が気密封止されて圧
電装置が形成される。なお、図1(a)においては見やすくするために蓋体113を省いて
いる。
A wiring conductor 110, a frame-like metallized layer 111, a groove 106, a first metallized layer 107, and a second metallized layer 108 are disposed on the insulating base 101, and thus a piezoelectric vibration element housing package is basically configured. The piezoelectric vibration element 105 is hermetically sealed in the piezoelectric vibration element storage package to form a piezoelectric device. In FIG. 1A, the lid 113 is omitted for easy viewing.

絶縁基体101は、平板状の基部102上に枠部103が積層されて形成されている。枠部103の内側面と、この内側面の内側で露出する基部102の上面とによって、圧電振動素子105を収容し搭載するための凹状の搭載部104が形成されている。   The insulating base 101 is formed by laminating a frame 103 on a flat base 102. A concave mounting portion 104 for accommodating and mounting the piezoelectric vibration element 105 is formed by the inner side surface of the frame portion 103 and the upper surface of the base portion 102 exposed inside the inner side surface.

基部102および枠部103は、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム焼結体,ムライト質焼結体,ガラス−セラミック焼結体等のセラミック材料からなる。例えば、同様のセラミック材料からなる基部102と枠部103とが同時焼成されて絶縁基体101が作製されて
いる。
The base 102 and the frame 103 are made of a ceramic material such as an aluminum oxide sintered body, an aluminum nitride sintered body, a mullite sintered body, or a glass-ceramic sintered body. For example, the base 102 and the frame 103 made of the same ceramic material are simultaneously fired to produce the insulating base 101.

絶縁基体101は、例えば全体の外形が、平面視で一辺の長さが1.6〜10mm程度の長方形状であり、厚みが0.2〜2mm程度の板状である。絶縁基体101は、上面に上記のような凹状の搭載部104を有している。   The insulating base 101 has, for example, a rectangular shape whose one side has a length of about 1.6 to 10 mm and a thickness of about 0.2 to 2 mm in plan view. The insulating base 101 has the concave mounting portion 104 as described above on its upper surface.

このような絶縁基体101は、基部102および枠部103がいずれも酸化アルミニウム質焼結
体からなる場合であれば、酸化アルミニウム,酸化珪素,酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バインダや溶剤,可塑剤等を添加混合して泥漿状にするとともに、これを例えばドクターブレード法やロールカレンダー法等のシート成形法によりシート状となすことにより複数枚のセラミックグリーンシートを得て、次に一部のセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施して枠状に成形するとともに、平板状のセラミックグリーンシート上に枠状のセラミックグリーンシートが位置するように上下に積層し、その積層体を高温で焼成することにより製作される。
Such an insulating base 101 is an organic binder suitable for raw material powders such as aluminum oxide, silicon oxide, magnesium oxide, and calcium oxide if the base 102 and the frame 103 are both made of an aluminum oxide sintered body. In addition, the mixture is mixed with a solvent, a plasticizer, etc. to make a slurry, and this is formed into a sheet by a sheet forming method such as a doctor blade method or a roll calender method, thereby obtaining a plurality of ceramic green sheets. A part of the ceramic green sheet is appropriately punched and formed into a frame shape, and is laminated vertically so that the frame-shaped ceramic green sheet is positioned on the flat ceramic green sheet. Manufactured by firing at high temperature.

絶縁基体101は、それぞれがこのような絶縁基体101となる複数の配線基板領域(図1および図2では図示せず)が母基板に縦横の並びに配列された、いわゆる多数個取り配線基
板(図1および図2では図示せず)として製作し、これを配線基板領域の境界において切断して個片に分割する方法で製作される。
The insulating base 101 is a so-called multi-piece wiring board (FIG. 1) in which a plurality of wiring board regions (not shown in FIGS. 1 and 2), each of which becomes such an insulating base 101, are arranged vertically and horizontally on a mother board. 1 and 2 (not shown in FIG. 2), and this is cut at the boundary of the wiring board region and is divided into individual pieces.

本実施形態において、絶縁基体101(枠部103)の上面に枠状メタライズ層111が形成さ
れている。枠状メタライズ層111は、搭載部104を取り囲んでおり、この枠状メタライズ層111に蓋体113がろう付けされる。ここで、この枠状メタライズ層111に直接蓋体113をろう付けせずに、金属枠体(図示せず)を枠状メタライズ層111にろう付けした後、金属枠体
に蓋体113を接合してもよい。枠状メタライズ層111は、蓋体113や金属枠体を絶縁基体101にろう付け等の手段で接合するためのものである。搭載部104内に圧電振動素子105を収容した後、枠状メタライズ層111の上面に蓋体113を接合することにより、蓋体113と絶縁基
体101とからなる容器内に圧電振動素子105が収容される。その後、後述するように溝部106が塞がれて圧電装置(水晶発振器等)となる。
In the present embodiment, a frame-like metallized layer 111 is formed on the upper surface of the insulating substrate 101 (frame portion 103). The frame-shaped metallized layer 111 surrounds the mounting portion 104, and a lid 113 is brazed to the frame-shaped metallized layer 111. Here, the lid 113 is not brazed directly to the frame-shaped metallized layer 111, but a metal frame (not shown) is brazed to the frame-shaped metallized layer 111, and then the lid 113 is joined to the metal frame. May be. The frame-like metallized layer 111 is for joining the lid body 113 and the metal frame body to the insulating base 101 by means such as brazing. After the piezoelectric vibration element 105 is accommodated in the mounting portion 104, the piezoelectric vibration element 105 is accommodated in a container composed of the lid body 113 and the insulating base 101 by bonding the lid body 113 to the upper surface of the frame-shaped metallized layer 111. Is done. Thereafter, as will be described later, the groove 106 is closed to form a piezoelectric device (a crystal oscillator or the like).

なお、枠状メタライズ層111は、例えばタングステンやモリブデン,マンガン,銅,銀
等の金属材料によって形成されている。枠状メタライズ層111は、例えば、このようなタ
ングステン等の金属材料のペーストを、枠部103を構成する絶縁層となるセラミックグリ
ーンシートの上面に所定パターンに印刷しておき、このセラミックグリーンシートと同時焼成する方法で形成される。この焼成は、枠部103となるセラミックグリーンシートを基
部102となるセラミックグリーンシート上に積層した後に行なってもよい。
The frame-like metallized layer 111 is formed of a metal material such as tungsten, molybdenum, manganese, copper, or silver. The frame-shaped metallized layer 111 is formed by, for example, printing a paste of a metal material such as tungsten in a predetermined pattern on the upper surface of a ceramic green sheet serving as an insulating layer that constitutes the frame portion 103. It is formed by the method of simultaneous firing. This firing may be performed after the ceramic green sheet to be the frame portion 103 is laminated on the ceramic green sheet to be the base portion 102.

なお、枠状メタライズ層111は、酸化腐食の防止やろう材(図示せず)の接合強度の向
上等のためには、露出した表面に1〜20μm程度の厚みのニッケルめっき層(図示せず)と0.1〜2μm程度の厚みの金めっき層(図示せず)とが順次被着されているのがよい。
The frame-like metallized layer 111 is a nickel plating layer (not shown) having a thickness of about 1 to 20 μm on the exposed surface in order to prevent oxidative corrosion and improve the bonding strength of the brazing material (not shown). ) And a gold plating layer (not shown) having a thickness of about 0.1 to 2 μm are preferably sequentially deposited.

蓋体113は、例えば鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属材料から
なり、蓋体113の裏面には銀ろう等のろう材が圧延加工されたものが使用される。この蓋
体113は、例えば、厚みが0.2〜0.8mm程度である。また、蓋体113を枠状メタライズ層111にろう付けする方法としては、例えば、蓋体113の下面に予め20〜50μmの厚みの銀ろう(図示せず)を被着させておき、この銀ろうが被着された下面を枠状メタライズ層111上
に載置して、これらを治具等で仮固定しながらシーム溶接等で局所的に加熱する方法を挙げることができる。この方法により、枠状メタライズ層111に蓋体113を強固にろう付けすることができる。
The lid 113 is made of a metal material such as an iron-nickel alloy or an iron-nickel-cobalt alloy, and the back of the lid 113 is made by rolling a brazing material such as silver brazing. For example, the lid 113 has a thickness of about 0.2 to 0.8 mm. As a method for brazing the lid 113 to the frame-like metallized layer 111, for example, a silver brazing (not shown) with a thickness of 20 to 50 μm is previously applied to the lower surface of the lid 113, and this silver An example is a method in which the lower surface on which the wax is deposited is placed on the frame-like metallized layer 111 and locally heated by seam welding or the like while being temporarily fixed with a jig or the like. By this method, the lid 113 can be firmly brazed to the frame-like metallized layer 111.

なお、蓋体113がセラミック材料や樹脂材料からなる場合は、ろう付け法や溶接法によ
って枠状メタライズ層111に接合できるようにするために、蓋体113の枠状メタライズ層111に対する接合面にメタライズ法やめっき法等の方法により接合用の金属層(図示せず)
が形成される。
When the lid 113 is made of a ceramic material or a resin material, the lid 113 is bonded to the frame-like metallized layer 111 so that the lid 113 can be joined to the frame-like metallized layer 111 by a brazing method or a welding method. Metal layer for bonding (not shown) by methods such as metallization and plating
Is formed.

金属からなる蓋体113を枠状メタライズ層111に接合するためのろう材(図示せず)は、例えば、銀−銅共晶組成をベースとする銀ろう(例えば、71〜73質量%銀−27〜29質量%銅、JIS名称:BAg−8)である。BAg−8の場合、融点は780℃程度である。こ
のようなろう材を使用することにより、800〜850℃程度の熱処理(還元雰囲気)において蓋体113を枠状メタライズ層111にろう付けすることができる。このろう材は、絶縁基体101の大きさや形状,用途等に応じて、濡れ性や溶融温度等の調整のために、錫,亜鉛等の
金属元素が添加されていてもよい。
A brazing material (not shown) for joining the lid 113 made of metal to the frame-like metallized layer 111 is, for example, a silver brazing based on a silver-copper eutectic composition (for example, 71 to 73 mass% silver- 27-29 mass% copper, JIS name: BAg-8). In the case of BAg-8, the melting point is about 780 ° C. By using such a brazing material, the lid body 113 can be brazed to the frame-like metallized layer 111 in a heat treatment (reducing atmosphere) of about 800 to 850 ° C. This brazing material may be added with a metal element such as tin or zinc in order to adjust wettability, melting temperature, etc. according to the size, shape, application, etc. of the insulating base 101.

上記圧電振動素子収納用パッケージおよび圧電装置において、搭載部104内の圧電振動
素子105は、配線導体110と電気的に接続され、配線導体110等を介して外部の電気回路と
電気的に接続される。すなわち、配線導体110は、搭載部104に収容される圧電振動素子105の電極(図示せず)を接続するための導体として機能する。
In the piezoelectric vibration element storage package and the piezoelectric device, the piezoelectric vibration element 105 in the mounting portion 104 is electrically connected to the wiring conductor 110 and is electrically connected to an external electric circuit via the wiring conductor 110 or the like. The That is, the wiring conductor 110 functions as a conductor for connecting an electrode (not shown) of the piezoelectric vibration element 105 housed in the mounting portion 104.

配線導体110は、例えば枠状メタライズ層111と同様の材料を用い、同様の方法で絶縁基体101に形成することができる。すなわち、タングステン等の金属材料がメタライズ法等
の方法で絶縁基体101の基部102等に被着されて、配線導体110が形成されている。配線導
体110にも、枠状メタライズ層111と同様にめっき層(図示せず)が被着されていてもよい。
The wiring conductor 110 can be formed on the insulating base 101 by using the same material as that of the frame-like metallized layer 111, for example, by the same method. That is, a metal material such as tungsten is attached to the base portion 102 of the insulating base 101 by a method such as a metallizing method, and the wiring conductor 110 is formed. Similarly to the frame-like metallized layer 111, a plating layer (not shown) may be attached to the wiring conductor 110.

配線導体110に対する圧電振動素子105の電気的な接続は、導電性の接合材(図示せず)によって行なわれている。接合材は、例えば銀等の導電性材料からなる導電性粒子が添加されてなる導電性接着剤である。   Electrical connection of the piezoelectric vibrating element 105 to the wiring conductor 110 is performed by a conductive bonding material (not shown). The bonding material is a conductive adhesive to which conductive particles made of a conductive material such as silver are added.

絶縁基体101の下面には、電極(図示せず)が設けられていてもよい。電極は、例えば
絶縁基体101の内部に設けられた接続導体(図示せず)を介して配線導体110と電気的に接続されている。圧電装置において、電極は、半田や導電性接着剤等の導電性の接続材を介して外部の電気回路(図示せず)と電気的に接続される。これにより、配線導体110およ
び電極等を介して圧電振動素子105が外部の電気回路と電気的に接続される。
An electrode (not shown) may be provided on the lower surface of the insulating substrate 101. The electrode is electrically connected to the wiring conductor 110 via a connection conductor (not shown) provided inside the insulating base 101, for example. In the piezoelectric device, the electrode is electrically connected to an external electric circuit (not shown) through a conductive connecting material such as solder or a conductive adhesive. Accordingly, the piezoelectric vibration element 105 is electrically connected to an external electric circuit via the wiring conductor 110 and the electrodes.

基部102には、その基部102の下面から上面にかけて貫通する溝部106が形成されている
。溝部106は、蓋体113で搭載部104が塞がれているときに、搭載部104から外部への排気を可能とするためのものである。つまり、この溝部106は、搭載部104に残留するガス排出用の孔として機能する。
The base portion 102 is formed with a groove portion 106 penetrating from the lower surface to the upper surface of the base portion 102. The groove portion 106 is for enabling the exhaust from the mounting portion 104 to the outside when the mounting portion 104 is closed by the lid body 113. That is, the groove 106 functions as a hole for discharging the gas remaining in the mounting portion 104.

圧電振動素子105が収容される搭載部104内は、圧電振動素子105の振動への影響を抑え
るためには真空度が高い方が好ましい。そのため、上記のようにガス排出用の孔として溝部106が形成されている。なお、搭載部104に残留するガスとしては、例えば圧電振動素子105を配線導体110に接続する接合材を硬化させる加熱処理などにより発生するガスや、空気中に含まれる水分が蒸発したガスなどが挙げられる。
In order to suppress the influence on the vibration of the piezoelectric vibration element 105 in the mounting portion 104 in which the piezoelectric vibration element 105 is accommodated, it is preferable that the degree of vacuum is high. Therefore, the groove 106 is formed as a gas discharge hole as described above. Examples of the gas remaining in the mounting portion 104 include, for example, a gas generated by a heat treatment that cures a bonding material that connects the piezoelectric vibration element 105 to the wiring conductor 110, a gas in which moisture contained in the air is evaporated, and the like. Can be mentioned.

前述したように、蓋体113で搭載部104が塞がれた後に、搭載部104内から溝106を介してガスが排気される。その後、封止材109で溝部106が塞がれる。これにより、圧電振動素子105が、高い真空度で搭載部104内に気密封止された圧電装置が製作される。封止材109に
ついては、後で詳しく説明する。
As described above, after the mounting portion 104 is closed by the lid body 113, the gas is exhausted from the mounting portion 104 through the groove 106. Thereafter, the groove 106 is closed with the sealing material 109. Thereby, a piezoelectric device in which the piezoelectric vibration element 105 is hermetically sealed in the mounting portion 104 with a high degree of vacuum is manufactured. The sealing material 109 will be described in detail later.

上記実施形態の圧電振動素子収納用パッケージにおいて、溝部106の上端の一部が枠部103の内周よりも内側に位置している。また、溝部106の内側面に第1メタライズ層107が設けられているとともに、溝部106の内側に露出した枠部103の下面に第2メタライズ層108
が設けられている。そして、第1メタライズ層107と第2メタライズ層108とは、その境界において互いにつながっている。第1メタライズ層107および第2メタライズ層108に封止材109が接合されて溝部106が塞がれる。
In the piezoelectric vibration element housing package of the above embodiment, a part of the upper end of the groove portion 106 is located inside the inner periphery of the frame portion 103. A first metallized layer 107 is provided on the inner surface of the groove 106, and a second metallized layer 108 is formed on the lower surface of the frame 103 exposed inside the groove 106.
Is provided. The first metallized layer 107 and the second metallized layer 108 are connected to each other at the boundary. The sealing material 109 is bonded to the first metallized layer 107 and the second metallized layer 108 to close the groove 106.

第1および第2メタライズ層107、108は、配線導体110と同様の金属材料を用い、同様
の方法で形成することができる。なお、第1および第2メタライズ層107、108の詳しい形成方法については、後の、多数個取り配線基板についての説明において詳しく説明する。
The first and second metallized layers 107 and 108 can be formed by the same method using the same metal material as that of the wiring conductor 110. A detailed method of forming the first and second metallized layers 107 and 108 will be described in detail later in the description of the multi-piece wiring board.

基部102の側面に開口した溝部106内の第1メタライズ層107および第2メタライズ層108に封止材109が接合されて溝部106が塞がれることから、例えば図2に示すように、溝部106内への封止材109の挿入が容易である。基部102の側面に、側面の上端から下端にかけて
溝部106が設けられていることがよくわかる。
Since the sealing material 109 is bonded to the first metallized layer 107 and the second metallized layer 108 in the groove 106 opened on the side surface of the base 102 and the groove 106 is closed, for example, as shown in FIG. It is easy to insert the sealing material 109 therein. It can be seen that a groove 106 is provided on the side surface of the base 102 from the upper end to the lower end of the side surface.

図2からわかるように、配線基板が小型化した場合においても、封止材109が挿入され
る孔が溝部106として形成されていることから、封止材109の挿入が容易である。すなわち、従来技術の圧電振動素子収納用パッケージ(図示せず)における孔の開口部は、基部を貫通する貫通孔の下端のみである。これに対して、上記実施形態の圧電振動素子収納用パッケージでは、溝部106の全長にわたって基部102の側面に開口している。そのため、封止材109が挿入される開口部が従来技術における開口部よりも大きい。したがって、小型化
された配線基板においても封止材109のボリュームを確保できる。なお、溝部106は、その上端の一部が枠部103の内周よりも内側に位置している。つまり、溝部106は上端において搭載部104内に開口している。そのため、封止材109で塞がれる前には、基部102の下面か
ら外周側面にかけて連通した溝部106を介して、搭載部104から外部へのガスの排出ができる。
As can be seen from FIG. 2, even when the wiring board is downsized, since the hole into which the sealing material 109 is inserted is formed as the groove portion 106, the sealing material 109 can be easily inserted. In other words, the opening of the hole in the conventional piezoelectric vibration element storage package (not shown) is only the lower end of the through hole penetrating the base. On the other hand, in the piezoelectric vibration element housing package of the above-described embodiment, the groove 106 is opened on the side surface of the base 102 over the entire length. Therefore, the opening into which the sealing material 109 is inserted is larger than the opening in the prior art. Therefore, the volume of the sealing material 109 can be secured even in a miniaturized wiring board. Note that a part of the upper end of the groove portion 106 is located inside the inner periphery of the frame portion 103. That is, the groove 106 opens into the mounting portion 104 at the upper end. Therefore, before being sealed with the sealing material 109, gas can be discharged from the mounting portion 104 to the outside through the groove portion 106 communicating from the lower surface of the base portion 102 to the outer peripheral side surface.

第1および第2メタライズ層107、108の露出する表面に、配線導体110と同様にニッケ
ル等のめっき層(図示せず)が被着されていてもよい。めっき層が被着されている場合には、第1および第2メタライズ層107、108に対する封止材109の接合性(濡れ性等)が向
上し得る。
Similarly to the wiring conductor 110, a plating layer (not shown) such as nickel may be applied to the exposed surfaces of the first and second metallized layers 107 and 108. When the plating layer is applied, the bonding property (wetting property and the like) of the sealing material 109 to the first and second metallized layers 107 and 108 can be improved.

上記蓋体113および封止材109による封止の方法について、以下に詳しく説明する。まず、圧電振動素子収納用パッケージを上下反転させて絶縁基体101の下面を上向きにして、
溝部106内に封止材109を入れる。封止材109は、例えば半田、銀ろう、Au−SnやAu
−Ge等の低融点金属、すなわちろう材等からなる。溝部106内に挿入する段階において
封止材109は、ボール状(球状等)に成形しておく。ボール状の封止材109を溝部106に入
れ、枠部103の下面で位置決めした後、封止材109にレーザビームを照射する。レーザビームによって封止材109が溶融した際に、基部102の側面に開口した溝部106内の第1メタラ
イズ層107および第2メタライズ層108に封止材109が接合されて溝部106が塞がれる。
A method of sealing with the lid 113 and the sealing material 109 will be described in detail below. First, the piezoelectric vibration element storage package is turned upside down so that the lower surface of the insulating base 101 faces upward.
A sealing material 109 is put in the groove 106. The sealing material 109 is, for example, solder, silver solder, Au—Sn, Au
It is made of a low melting point metal such as Ge, that is, a brazing material. At the stage of insertion into the groove 106, the sealing material 109 is formed into a ball shape (spherical or the like). A ball-shaped sealing material 109 is put into the groove 106 and positioned on the lower surface of the frame 103, and then the sealing material 109 is irradiated with a laser beam. When the sealing material 109 is melted by the laser beam, the sealing material 109 is bonded to the first metallized layer 107 and the second metallized layer 108 in the groove 106 opened on the side surface of the base 102 to close the groove 106. .

なお、溝部106は基部102の外周側面側が開口していることから、絶縁基体101の下面を
上向きにして、溝部106内に封止材109を挿入する際に、上方向または水平方向のどちらからでも挿入が容易である。
Since the groove portion 106 is open on the outer peripheral side surface of the base portion 102, when the sealing material 109 is inserted into the groove portion 106 with the lower surface of the insulating base 101 facing upward, the groove portion 106 can be viewed from either the upward direction or the horizontal direction. But it is easy to insert.

圧電振動素子収納用パッケージの搭載部104の封止は、例えば真空チャンバー内で行な
われる。真空チャンバー内で絶縁基体101の上側に蓋体113が接合される。絶縁基体101と
蓋体113とで形成された空間に圧電振動素子105が収容される。その後、真空チャンバー内に絶縁基体101が上下反転されて収容され、上記のように溝部106の底部にボール状の封止材119が位置決めされる。そして、真空チャンバー内を真空引きすることにより、絶縁基
体101と蓋体113とで形成された搭載部104内から残留するガスが外部に排出される。その
ため、搭載部104内の真空度を高くして気密封止することができる。
The mounting portion 104 of the piezoelectric vibration element storage package is sealed, for example, in a vacuum chamber. A lid 113 is joined to the upper side of the insulating substrate 101 in the vacuum chamber. A piezoelectric vibration element 105 is accommodated in a space formed by the insulating base 101 and the lid 113. Thereafter, the insulating base 101 is accommodated upside down in the vacuum chamber, and the ball-shaped sealing material 119 is positioned at the bottom of the groove 106 as described above. Then, by evacuating the vacuum chamber, the remaining gas is discharged to the outside from the mounting portion 104 formed by the insulating base 101 and the lid 113. Therefore, the degree of vacuum in the mounting portion 104 can be increased and hermetically sealed.

ここで、封止材109の溝部106への位置決めは、基部102の外周側面側が開口しているこ
とから、この開口している側の位置が少し高くなるように絶縁基体101を傾けて封止材109を位置決めしたり、また、絶縁基体101の外形寸法よりも少し大きい凹部が複数形成され
た収納治具に絶縁基体101を配列した後、見かけ上収納治具の内側面と溝部106とで囲まれたくぼんだ領域に封止材109を位置決めした後、封止材109にレーザビームを照射してもよい。このようにすることにより、溝部106が基部102の外周側面側に開口していても、容易に封止材109を位置決めすることができる。収納治具は、例えば、カーボン系の封止材109の融点に耐え、封止材109と反応しにくい耐熱性の材質を用いればよい。
Here, the positioning of the sealing material 109 in the groove portion 106 is performed by inclining the insulating base 101 so that the position of the opening side is slightly higher because the outer peripheral side surface side of the base portion 102 is open. After positioning the material 109 or arranging the insulating base 101 in a storage jig in which a plurality of recesses slightly larger than the outer dimensions of the insulating base 101 are formed, the apparent inner surface of the storage jig and the groove 106 After the sealing material 109 is positioned in the enclosed recessed area, the sealing material 109 may be irradiated with a laser beam. By doing so, the sealing material 109 can be easily positioned even if the groove 106 is open on the outer peripheral side surface side of the base 102. For the storage jig, for example, a heat-resistant material that can withstand the melting point of the carbon-based sealing material 109 and hardly react with the sealing material 109 may be used.

溶融した封止材109は、その表面張力により、また絶縁基体101の材質が封止材109をは
じく性質があることにより、基部102の側面に開口した溝部106内の第1メタライズ層107
および第2メタライズ層108に接合しても他の領域(搭載部104や基部102の外周側面側な
ど)に流れ出ようとすることが抑制される。
The melted sealing material 109 has a property that the insulating base 101 repels the sealing material 109 due to its surface tension, so that the first metallized layer 107 in the groove portion 106 opened to the side surface of the base portion 102.
In addition, even if the second metallized layer 108 is joined, it is possible to suppress the flow out to other regions (such as the mounting portion 104 and the outer peripheral side surface of the base portion 102).

なお、溝部106と枠部103で構成される開口部分は、ボール状の封止材109がこの開口部
分から落下しないような大きさである必要がある。このような構成とするために、例えば、溝部106の奥側から基部102の内側面までの距離が封止材109の直径よりも小さくなるよ
うにすればよい。また、溝部106の奥側から基部102の内側面までの距離が封止材109の半
径よりも大きく、かつ直径よりも小さくなるようにすれば、封止材109の溝部106への位置決めの際に開口部分に封止材109の一部が入りこんで固定されることから、絶縁基体101を傾けて封止材109を位置決めする必要がない。
Note that the opening formed by the groove 106 and the frame 103 needs to have a size that prevents the ball-shaped sealing material 109 from dropping from the opening. In order to achieve such a configuration, for example, the distance from the back side of the groove 106 to the inner surface of the base 102 may be made smaller than the diameter of the sealing material 109. Further, if the distance from the back side of the groove portion 106 to the inner surface of the base portion 102 is larger than the radius of the sealing material 109 and smaller than the diameter, the sealing material 109 can be positioned in the groove portion 106. Since part of the sealing material 109 enters and is fixed to the opening, it is not necessary to position the sealing material 109 by tilting the insulating base 101.

本発明の圧電装置によれば、上記記載の圧電振動素子収納用パッケージと、基部102の
上面に搭載された圧電振動素子105と、枠部103上に接合された蓋体113と、溝部106を塞いでいる封止材109とを備えている。溝部106を塞ぐ封止材109のボリュームを容易に確保で
きる。したがって、例えば小型化したとしても、気密封止の信頼性が高い圧電装置を提供することができる。すなわち、ガス排出用の溝部106により、圧電振動素子収納用パッケ
ージが小型化しても、溝部106の開口部分を基部102の下面から外周側面にかけて連通して形成でき、封止材109を挿入する開口部分を従来よりも大きくすることができる。そのた
め、小型化された配線基板においても封止材109のボリュームを確保できる。
According to the piezoelectric device of the present invention, the piezoelectric vibration element housing package described above, the piezoelectric vibration element 105 mounted on the upper surface of the base portion 102, the lid body 113 bonded on the frame portion 103, and the groove portion 106 are provided. And a sealing material 109 which is closed. The volume of the sealing material 109 that closes the groove 106 can be easily secured. Therefore, for example, a piezoelectric device with high reliability of hermetic sealing can be provided even if the device is downsized. That is, even if the piezoelectric vibration element housing package is downsized by the gas discharge groove portion 106, the opening portion of the groove portion 106 can be formed to communicate from the lower surface of the base portion 102 to the outer peripheral side surface, and the opening for inserting the sealing material 109 can be formed. The part can be made larger than before. Therefore, the volume of the sealing material 109 can be secured even in a miniaturized wiring board.

そして、封止材109で塞ぐ際の封止工程において、レーザビーム等の加熱手段により溶
融した封止材109が基部102の側面に開口した溝部106内の第1メタライズ層107および第2メタライズ層108に接合されて溝部106が塞がれる。そのため、溝部106の開口部分を塞ぐ
ために十分な封止材109のボリュームを確保でき、長期にわたり封止信頼性に優れた周波
数特性が安定した圧電装置を提供できる。
Then, in the sealing step when sealing with the sealing material 109, the first metallized layer 107 and the second metallized layer in the groove portion 106 in which the sealing material 109 melted by heating means such as a laser beam is opened on the side surface of the base 102 is provided. Joined to 108, the groove 106 is closed. Therefore, a sufficient volume of the sealing material 109 for closing the opening of the groove 106 can be ensured, and a piezoelectric device having stable frequency characteristics with excellent sealing reliability over a long period of time can be provided.

以上の説明では、図1、2に示したように溝部106は絶縁基体101の長辺側の中央部に設けたが、絶縁基体101の形状や搭載部104内の配線導体110の配置に応じてその他の場所に
設けてもよく、例えば圧電振動素子105が接合される配線導体110とは逆側の短辺側の中央部に溝部106を設けてもよい。この場合、溝部106により形成される開口部分の上側付近に圧電振動素子105の自由端が位置するため、この開口部分からイオンビーム等を照射する
ことにより圧電振動素子105に形成された励振電極(図示せず)をトリミングして周波数
調整を行うことが可能となる。
In the above description, as shown in FIGS. 1 and 2, the groove 106 is provided in the central portion on the long side of the insulating base 101, but it depends on the shape of the insulating base 101 and the arrangement of the wiring conductors 110 in the mounting portion 104. For example, the groove 106 may be provided in the central portion on the short side opposite to the wiring conductor 110 to which the piezoelectric vibration element 105 is bonded. In this case, since the free end of the piezoelectric vibration element 105 is positioned near the upper side of the opening formed by the groove 106, an excitation electrode (on the piezoelectric vibration element 105 formed by irradiating an ion beam or the like from this opening ( It is possible to perform frequency adjustment by trimming (not shown).

また、このような溝部106は、図1、2では単一の絶縁層からなる基部102に形成したが、絶縁基体101の配線経路の都合に応じて複数の絶縁層からなる基部102として形成してもよい。この場合、溝部106の開口部分が封止材109で塞がれる必要があり、それぞれの溝部106の内側面のうち、少なくとも枠部103、および開口部分に接する溝部106の内側面には
第1メタライズ層107が形成されている。
1 and 2, the groove 106 is formed in the base 102 made of a single insulating layer. However, the groove 106 is formed as a base 102 made of a plurality of insulating layers according to the convenience of the wiring path of the insulating base 101. May be. In this case, the opening portion of the groove portion 106 needs to be closed with the sealing material 109, and at least the frame portion 103 and the inner side surface of the groove portion 106 in contact with the opening portion among the inner side surfaces of each groove portion 106 are the first. A metallized layer 107 is formed.

さらに、溝部106を複数の絶縁層で構成した場合、枠部103側(上側)よりも基部102の
下面側(下側)において溝部106の径を大きくしてもよい。これにより、封止材109の溝部106への挿入が容易となり、さらに溝部106への封止材109の位置決めを安定なものとする
ことができる。
Further, when the groove 106 is composed of a plurality of insulating layers, the diameter of the groove 106 may be larger on the lower surface side (lower side) of the base portion 102 than on the frame 103 side (upper side). As a result, the sealing material 109 can be easily inserted into the groove 106, and the positioning of the sealing material 109 in the groove 106 can be stabilized.

次に、本発明の多数個取り配線基板について、添付の図面を参照して説明する。図3(a)は本発明の実施形態の多数個取り配線基板を示す上面図であり、図3(b)は図3(a)のB−B’線における断面図である。図3において、図1と同様の部位には同様の符号を付している。図3において、201は母基板、202は下部絶縁層、203は上部絶縁層、204は配線基板領域、205は捨て代領域、206は境界、207はめっき導通端子、208はめっき用枠導体、209は分割後に溝部106となる貫通孔である。なお、図3においては、見やすくするために配線導体110の具体的なパターンを省略している。   Next, the multi-piece wiring board of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 3A is a top view showing a multi-piece wiring board according to the embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line B-B ′ of FIG. In FIG. 3, the same reference numerals are assigned to the same parts as in FIG. In FIG. 3, 201 is a mother board, 202 is a lower insulating layer, 203 is an upper insulating layer, 204 is a wiring board area, 205 is a margin area, 206 is a boundary, 207 is a plating conduction terminal, 208 is a frame conductor for plating, Reference numeral 209 denotes a through hole that becomes the groove 106 after the division. In FIG. 3, a specific pattern of the wiring conductor 110 is omitted for easy viewing.

この多数個取り配線基板が配線基板領域204の境界206に沿って分割されて、例えば図1に示すような個片の圧電振動素子収納用パッケージが作製される。   The multi-piece wiring board is divided along the boundary 206 of the wiring board region 204, and for example, a single piezoelectric vibration element housing package as shown in FIG. 1 is manufactured.

個片の圧電振動素子収納用パッケージに収容される電子部品(図示せず)は、上記のように水晶振動素子等の圧電振動素子105等である。また、圧電振動素子105とともに半導体集積回路素子(IC)等の半導体素子,容量素子,インダクタ素子,抵抗素子等の種々の電子部品が収容されて圧電装置が形成されてもよい。圧電振動素子105は、気密封止環境
で動作する。そのために、個片に分割される個々の配線基板領域204の上面は、金属等か
らなる蓋体113等で覆われる構造となる。
An electronic component (not shown) housed in the individual piezoelectric vibration element housing package is the piezoelectric vibration element 105 such as a crystal vibration element as described above. In addition, various electronic components such as a semiconductor element such as a semiconductor integrated circuit element (IC), a capacitive element, an inductor element, and a resistance element may be housed together with the piezoelectric vibration element 105 to form a piezoelectric device. The piezoelectric vibration element 105 operates in an airtight sealed environment. Therefore, the upper surface of each wiring board region 204 divided into individual pieces has a structure covered with a lid 113 made of metal or the like.

母基板201は、平板状の下部絶縁層202と、複数の開口部(例えば四角形状の貫通孔)(符号なし)が配列形成された平板状の上部絶縁層203とによって構成されている。下部絶
縁層202には、圧電振動素子105の搭載部104の底面となる複数の領域が配列されている。
この搭載部104の底面となる領域を上部絶縁層203の開口部が取り囲むようにして、下部絶縁層202の上面に上部絶縁層203が積層されている。下部絶縁層202のうち搭載部104の底面となる領域が上部絶縁層203の開口部で取り囲まれて、圧電振動素子105の搭載部104が形
成されている。それぞれに搭載部104を有する領域が、個片の圧電振動素子収納用パッケ
ージとなる配線基板領域204である。すなわち、母基板201には、上面の中央部に圧電振動素子105の搭載部104を有する四角形状の複数の配線基板領域204が縦横の並びに配列され
ている。
The mother substrate 201 includes a flat lower insulating layer 202 and a flat upper insulating layer 203 in which a plurality of openings (for example, rectangular through holes) (not shown) are arranged. In the lower insulating layer 202, a plurality of regions serving as the bottom surface of the mounting portion 104 of the piezoelectric vibration element 105 are arranged.
The upper insulating layer 203 is laminated on the upper surface of the lower insulating layer 202 so that the opening of the upper insulating layer 203 surrounds the region that becomes the bottom surface of the mounting portion 104. A region serving as a bottom surface of the mounting portion 104 in the lower insulating layer 202 is surrounded by the opening of the upper insulating layer 203, so that the mounting portion 104 of the piezoelectric vibration element 105 is formed. Each region having the mounting portion 104 is a wiring substrate region 204 that serves as an individual piezoelectric vibration element storage package. That is, on the mother board 201, a plurality of rectangular wiring board regions 204 having the mounting portion 104 of the piezoelectric vibration element 105 in the center of the upper surface are arranged vertically and horizontally.

なお、図3に示す例において、母基板201の外周には配列された複数の配線基板領域204を取り囲むように捨て代領域205が設けられている。捨て代領域205は、多数個取り配線基板の取り扱いを容易とすること等のために設けられている。   In the example shown in FIG. 3, a margin area 205 is provided on the outer periphery of the mother board 201 so as to surround a plurality of wiring board areas 204 arranged. The disposal allowance area 205 is provided to facilitate handling of the multi-piece wiring board.

母基板201を構成する下部絶縁層202および上部絶縁層203は、それぞれ、例えば上記の
ように平板状のセラミック焼結体からなる。セラミック焼結体としては、例えば、酸化アルミニウム質焼結体,ガラスセラミック焼結体,窒化アルミニウム質焼結体,炭化珪素質焼結体,窒化珪素質焼結体,ムライト質焼結体等が挙げられる。
The lower insulating layer 202 and the upper insulating layer 203 constituting the mother substrate 201 are each made of, for example, a flat ceramic sintered body as described above. Examples of the ceramic sintered body include an aluminum oxide sintered body, a glass ceramic sintered body, an aluminum nitride sintered body, a silicon carbide sintered body, a silicon nitride sintered body, and a mullite sintered body. Can be mentioned.

下部絶縁層202および上部絶縁層203は、それぞれ複数の絶縁層(図示せず)が積層されてなるものであってもよい。   The lower insulating layer 202 and the upper insulating layer 203 may each be formed by laminating a plurality of insulating layers (not shown).

下部絶縁層202および上部絶縁層203からなる母基板201は、例えば上記のような複数の
絶縁層が積層され一体焼成されて作製されている。すなわち、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の原料粉末に適当な有機溶剤およびバインダを添加してシート状に成形して複数のセラミックグリーンシートを作製し、この一部のものについて打ち抜き加工を施して複数の開口部を有するものとする。その後、打ち抜き加工を施していない平板状のセラミックグリーンシートの上に、開口部を有するセラミックグリーンシートを積層し、このセラミックグリーンシート積層体を一体焼成する。以上により、酸化アルミニウム焼結体等からなる母基板201が作製される。
The mother substrate 201 composed of the lower insulating layer 202 and the upper insulating layer 203 is produced, for example, by laminating a plurality of insulating layers as described above and firing them integrally. That is, a suitable organic solvent and binder are added to raw powders such as aluminum oxide and silicon oxide and formed into a sheet shape to produce a plurality of ceramic green sheets. It shall have an opening. Then, the ceramic green sheet which has an opening part is laminated | stacked on the flat ceramic green sheet which has not performed punching, and this ceramic green sheet laminated body is integrally baked. Thus, the mother substrate 201 made of an aluminum oxide sintered body or the like is manufactured.

母基板201に配列された複数の配線基板領域204には、それぞれ、上記圧電振動素子収納用パッケージと同様に配線導体110が設けられている。配線導体110は、圧電振動素子収納用パッケージと同様に、例えば搭載部104から配線基板領域204(絶縁基体101)の下面等
の、個片における外表面にかけて接続導体(図示せず)を介して電気的に導出されている。接続導体は、母基板201の内部に形成された貫通導体(いわゆるビア導体等、図示せず
)や内部配線層等を含んでいてもよい。また、母基板201(配線基板領域204)の下面に、上記圧電振動素子収納用パッケージと同様に、外部接続用の電極(図示せず)が設けられ
ていてもよい。
Each of the plurality of wiring board regions 204 arranged on the mother board 201 is provided with a wiring conductor 110 as in the case of the piezoelectric vibration element storage package. The wiring conductor 110 is connected to the outer surface of the individual piece, for example, the lower surface of the wiring board region 204 (insulating base 101) via a connecting conductor (not shown), as in the piezoelectric vibration element storage package. It is derived electrically. The connection conductor may include a through conductor (a so-called via conductor or the like, not shown) formed in the mother board 201, an internal wiring layer, or the like. Further, an electrode (not shown) for external connection may be provided on the lower surface of the mother board 201 (wiring board area 204), similarly to the piezoelectric vibration element storage package.

配線導体110は、タングステンやモリブデン,マンガン,銅,銀,パラジウム,金,白
金等の金属材料によって形成されている。各配線導体110は、例えばタングステンからな
る場合であれば、タングステンの粉末を有機溶剤およびバインダ等とともに混練して作製した金属ペーストを、母基板201となるセラミックグリーンシートの所定部位にスクリー
ン印刷法等の方法で被着させておき、同時焼成することによって形成することができる。
The wiring conductor 110 is formed of a metal material such as tungsten, molybdenum, manganese, copper, silver, palladium, gold, or platinum. If each wiring conductor 110 is made of tungsten, for example, a metal paste prepared by kneading tungsten powder together with an organic solvent and a binder is applied to a predetermined portion of the ceramic green sheet to be the mother substrate 201 by a screen printing method or the like. It is possible to form the film by depositing it by the above method and co-firing.

配線導体110は、上記のようにニッケル等のめっき層(図示せず)が被着されていても
よい。このめっき層の被着は、例えば、ニッケル等の電解めっき液中において、母基板201に設けられためっき導通端子207めっき用枠導体208、およびキャスタレーション112、枠状メタライズ層111等を介して各配線基板領域204の配線導体110にめっき用の電流を供給
することによって行なうことができる。
The wiring conductor 110 may be coated with a plating layer (not shown) such as nickel as described above. The plating layer is deposited, for example, in an electroplating solution such as nickel via the plating conduction terminal 207 plating frame conductor 208 provided on the mother board 201, the castellation 112, the frame-like metallization layer 111, etc. This can be done by supplying a plating current to the wiring conductor 110 of each wiring board region 204.

めっき導通端子207およびめっき用枠導体208も、配線導体110と同様の金属材料を用い
、同様の方法で形成することができる。
The plating conduction terminal 207 and the plating frame conductor 208 can also be formed by the same method using the same metal material as the wiring conductor 110.

なお、多数個取り配線基板における枠状メタライズ層111も、上記個片の圧電振動素子
収納用パッケージにおける枠状メタライズ層111と同様の機能を有する。この枠状メタラ
イズ層111も、上記と同様の金属材料からなり、同様の方法で設けられている。また、上
記と同様にめっき層(図示せず)が被着されていてもよい。多数個取り配線基板における枠状メタライズ層111の詳しい説明については省略する。
The frame-like metallized layer 111 in the multi-piece wiring board also has the same function as the frame-like metallized layer 111 in the individual piezoelectric vibration element housing package. The frame-like metallized layer 111 is also made of the same metal material as described above, and is provided by the same method. Moreover, a plating layer (not shown) may be applied in the same manner as described above. A detailed description of the frame-like metallized layer 111 in the multi-cavity wiring board is omitted.

作製される個片の圧電振動素子収納用パッケージは、上記実施形態の圧電振動素子収納用パッケージと同様に、例えば、凹状の搭載部104を有する四角平板状の絶縁基体101を有し、搭載部104に設けられた配線導体110から絶縁基体101の下面にかけて、複数の接続導
体が導出された構造となっている。
The produced piezoelectric vibration element housing package has, for example, a rectangular flat plate-like insulating base 101 having a concave mounting portion 104, and the mounting portion, similarly to the piezoelectric vibration element housing package of the above embodiment. A plurality of connection conductors are led out from the wiring conductor 110 provided in 104 to the lower surface of the insulating base 101.

圧電振動素子105が搭載される複数の配線基板領域204が縦横の並びに配列された母基板201に、配線基板領域204の1つの境界206を跨ぐように下部絶縁層202に貫通孔209が形成
されており、貫通孔209の上端部が開口部につながっており、貫通孔209の内側面に第1メタライズ層107が形成されているとともに、貫通孔209に露出した上部絶縁層203の下面に
第2メタライズ層108が形成されている。
A through-hole 209 is formed in the lower insulating layer 202 so as to straddle one boundary 206 of the wiring substrate region 204 in the mother substrate 201 in which the plurality of wiring substrate regions 204 on which the piezoelectric vibration element 105 is mounted are arranged vertically and horizontally. The upper end portion of the through hole 209 is connected to the opening, the first metallized layer 107 is formed on the inner surface of the through hole 209, and the lower surface of the upper insulating layer 203 exposed to the through hole 209 is Two metallized layers 108 are formed.

母基板201には、配線基板領域204の1つの境界206を跨ぐように下部絶縁層202に貫通孔209が形成されている。この貫通孔209の上端部の一部が開口部の内周よりも内側に位置している。つまり、開口部の上端部が上部絶縁層203の開口部につながっている。母基板201が境界206に沿って分割される時に、この貫通孔209が境界206に沿って縦方向に分割され
る。分割された貫通孔209が、個片の圧電振動素子収納用パッケージの絶縁基体101の側面の溝部106となる。
A through-hole 209 is formed in the lower insulating layer 202 in the mother board 201 so as to straddle one boundary 206 of the wiring board region 204. A part of the upper end portion of the through hole 209 is located inside the inner periphery of the opening. That is, the upper end of the opening is connected to the opening of the upper insulating layer 203. When the mother board 201 is divided along the boundary 206, the through hole 209 is divided along the boundary 206 in the vertical direction. The divided through hole 209 becomes a groove 106 on the side surface of the insulating base 101 of the individual piezoelectric vibration element housing package.

また、貫通孔209の内側面に第1メタライズ層107が形成されているとともに、貫通孔209に露出した上部絶縁層203の下面に第2メタライズ層108が形成されている。   A first metallized layer 107 is formed on the inner surface of the through hole 209, and a second metallized layer 108 is formed on the lower surface of the upper insulating layer 203 exposed in the through hole 209.

このような母基板201を含む多数個取り配線基板を境界206に沿って分割することによって、上記構成の圧電振動素子収納用パッケージ(絶縁基体101)を容易に得ることができ
る。すなわち、配線基板領域204が個片の圧電振動素子収納用パッケージになり、貫通孔209が圧電振動素子収納用パッケージの溝部106になり、溝部106内には第1および第2メタライズ層107、108が設けられている。
By dividing such a multi-piece wiring board including the mother board 201 along the boundary 206, the piezoelectric vibration element housing package (insulating base 101) having the above-described configuration can be easily obtained. That is, the wiring board region 204 is a single piezoelectric vibration element housing package, the through hole 209 is a groove portion 106 of the piezoelectric vibration element housing package, and the first and second metallized layers 107 and 108 are formed in the groove portion 106. Is provided.

境界206に沿った母基板201の分割は、例えばダイシング加工や、あらかじめ境界206に
沿って設けられた分割溝(図示せず)において母基板201を破断させる方法等の方法で行
なわれる。
Dividing the mother substrate 201 along the boundary 206 is performed by, for example, a dicing process or a method of breaking the mother substrate 201 in a dividing groove (not shown) provided in advance along the boundary 206.

また、第1メタライズ層107を形成するためには、例えば、上記配線導体110等の場合と同様の金属材料のペーストを、溝部106となる貫通孔209内に、真空吸引を併用して塗布しておけばよい。さらに、第2メタライズ層108を形成するためには、例えば、枠部103となるセラミックグリーンシート積層体の下面の貫通孔209側に露出する部位に、上記の金属
材料のペーストをスクリーン印刷法等の方法で形成すればよい。このとき、第1メタライズ層107と第2メタライズ層108との間にメタライズ層が形成されない領域が発生しないように、上部絶縁層203の下面に、貫通孔209側に露出する部位よりも若干広くなるように第2メタライズ層108を形成する必要がある。これは、第1メタライズ層107と第2メタライズ層108との間にメタライズ層が形成されない領域が発生した場合、封止材109で溝部106
が塞がれない部分ができてしまい、搭載部104の気密封止ができなくなる可能性があるか
らである。
In order to form the first metallized layer 107, for example, the same metal material paste as in the case of the wiring conductor 110 or the like is applied in the through hole 209 to be the groove portion 106 together with vacuum suction. Just keep it. Furthermore, in order to form the second metallized layer 108, for example, a paste of the above metal material is applied to a portion exposed on the through hole 209 side of the lower surface of the ceramic green sheet laminate that becomes the frame portion 103 by a screen printing method or the like. It may be formed by the method. At this time, the lower surface of the upper insulating layer 203 is slightly wider than the portion exposed to the through hole 209 side so that a region where the metallized layer is not formed is generated between the first metallized layer 107 and the second metallized layer 108. Therefore, it is necessary to form the second metallized layer 108. This is because, when a region where the metallized layer is not formed is generated between the first metallized layer 107 and the second metallized layer 108, the groove portion 106 is formed by the sealing material 109.
This is because there is a possibility that a portion that cannot be closed is formed and the mounting portion 104 cannot be hermetically sealed.

多数個取り配線基板においても、第1および第2メタライズ層107、108の露出する表面にニッケル等のめっき層(図示せず)が被着されて、封止材109の接合性(濡れ性等)が
高められるようにされていてもよい。多数個取り配線基板の状態で、配線導体110、枠状
メタライズ層111、第1メタライズ層107および第2メタライズ層108に一括してめっき層
が被着されていれば、個片の圧電振動素子収納用パッケージの生産性が高められる。
Even in the multi-cavity wiring board, a plating layer (not shown) such as nickel is deposited on the exposed surfaces of the first and second metallized layers 107 and 108, and the bonding property (wetting property, etc.) of the sealing material 109 is applied. ) May be enhanced. If a plating layer is applied to the wiring conductor 110, the frame-like metallized layer 111, the first metallized layer 107, and the second metallized layer 108 in the state of a multi-piece wiring substrate, the piezoelectric vibration element is obtained as a single piece. Productivity of the storage package is increased.

また、貫通孔209が、隣り合う配線基板領域204同士の間で境界206を跨いで形成されて
いる。つまり、例えば境界206の近くに境界206から離れて貫通孔つまり開口部分(図示せず)が設けられているような場合に比べて、母基板201の分割時の割れ等の不具合が発生
しにくい。これは、分割時に不用意な割れの起点となりやすい、境界206と開口部分との
間の距離が小さいような部位が存在しないことによる。もし、境界206の近くに貫通孔が
設けられていると、境界206に沿って母基板201が分割される時の応力によって、境界206
から貫通孔にかけて不要な亀裂が生じやすい。これに対して、実施形態の多数個取り配線基板のように貫通孔209が境界206を跨いでいれば、つまりは、境界206の一部に、すでに
下部絶縁層202が分割された部分である貫通孔209が位置していれば、上記のような応力は生じない。そのため、下部絶縁層202等における不用意な割れ等が生じる可能性を低減で
きる。
A through hole 209 is formed across the boundary 206 between the adjacent wiring board regions 204. That is, for example, compared to a case where a through hole, that is, an opening (not shown) is provided near the boundary 206 and separated from the boundary 206, problems such as cracking when the mother board 201 is divided are less likely to occur. . This is because there is no portion where the distance between the boundary 206 and the opening portion is small, which tends to be an inadvertent crack starting point during division. If a through-hole is provided near the boundary 206, the boundary 206 is caused by stress when the mother board 201 is divided along the boundary 206.
Unnecessary cracks are easily generated from the through hole to the through hole. On the other hand, if the through-hole 209 straddles the boundary 206 as in the multi-cavity wiring board of the embodiment, that is, the portion where the lower insulating layer 202 has already been divided into a part of the boundary 206. If the through hole 209 is located, the above stress does not occur. Therefore, the possibility of inadvertent cracking or the like in the lower insulating layer 202 or the like can be reduced.

なお、実施形態の多数個取り配線基板における母基板201には、例えば配線基板領域204の境界206に沿って上記分割溝が形成されている。   Note that the division groove is formed along the boundary 206 of the wiring board region 204, for example, in the mother board 201 in the multi-cavity wiring board of the embodiment.

分割溝は、例えば、母基板201となるセラミックグリーンシートの積層体の上面および
下面の少なくとも一方に、配線基板領域204の境界206に沿ってカッター刃等を所定の深さで切り込ませることによって形成することができる。分割溝が形成されている部分(配線基板領域204の境界206)で母基板201に応力を加えて母基板201を厚み方向に破断させることによって、母基板201が個片の絶縁基体101に分割される。
The dividing groove is formed by, for example, cutting a cutter blade or the like at a predetermined depth along the boundary 206 of the wiring board region 204 into at least one of the upper surface and the lower surface of the multilayer body of ceramic green sheets to be the mother substrate 201. Can be formed. The mother board 201 is divided into individual insulating bases 101 by applying stress to the mother board 201 at the portion where the dividing groove is formed (border 206 of the wiring board region 204) and breaking the mother board 201 in the thickness direction. Is done.

分割溝のうち母基板201の上面に形成されるものは、枠部103の厚みよりも深く形成されていてもよい。この場合には、母基板201の各個片への分割がより容易となる。また、分
割溝がこの枠部103の厚みよりも浅く形成されていてもよい。この場合には、下面の分割
溝が開くように応力を加えるのではなく、上面の分割溝が開くように応力を加えて母基板201を分割すれば、良好に分割することができる。
Of the dividing grooves, those formed on the upper surface of the mother substrate 201 may be formed deeper than the thickness of the frame portion 103. In this case, the mother board 201 can be more easily divided into individual pieces. Further, the dividing groove may be formed shallower than the thickness of the frame portion 103. In this case, if the mother substrate 201 is divided by applying stress so that the dividing groove on the upper surface is opened, not dividing the lower substrate so as to open the dividing groove on the lower surface, the substrate can be divided satisfactorily.

実施形態の多数個取り配線基板において、貫通孔209は、四角形状(長方形状)の配線
基板領域204の1つの辺の長さ方向の中央部に位置している。言い換えれば、貫通孔204は、配線基板領域204の1つの境界206の長さ方向の中央に位置している。また、隣り合う配線基板領域204は貫通孔209に対して点対称に配列されている。そのため、各配線基板領域204の間にダミー領域を形成せずに効率よく母基板201に各配線基板領域204を配列形成す
ることができ、境界206に沿って分割することによって、上記構成の圧電振動素子収納用
パッケージ(絶縁基体101)を容易に得ることができる。
In the multi-cavity wiring board of the embodiment, the through hole 209 is located at the center in the length direction of one side of the rectangular (rectangular) wiring board region 204. In other words, the through hole 204 is located at the center in the length direction of one boundary 206 of the wiring board region 204. Adjacent wiring board regions 204 are arranged point-symmetrically with respect to the through holes 209. Therefore, the wiring substrate regions 204 can be efficiently arranged on the mother substrate 201 without forming dummy regions between the wiring substrate regions 204, and the piezoelectric substrate having the above-described configuration can be formed by dividing along the boundary 206. The vibration element storage package (insulating base 101) can be easily obtained.

実施形態の多数個取り配線基板おける貫通孔209の形状は平面視(下面視)において楕
円状である。貫通孔209は、長孔状(長方形状または角部が円弧状とされた長方形状等)
であってもよい。
The shape of the through hole 209 in the multi-cavity wiring board of the embodiment is elliptical in plan view (bottom view). The through hole 209 is in the shape of a long hole (rectangular shape or rectangular shape with corners arced, etc.)
It may be.

このような貫通孔209によって設けられる個片の圧電振動素子収納用パッケージの溝部106は、楕円弧状や長方形状等である。この溝部106については、枠部103の内周よりも内側に位置する上端部分(上端側の開口部分)から封止材109が抜けないように形成されてい
る必要がある。貫通孔209が楕円状であれば、貫通孔209の枠部103から最も離間した外周
部分の曲率を封止材109の半径よりも小さくしておけばよい。これにより、溝部106に挿入される封止材109が貫通孔209から搭載部104側に抜けない構造とすることができる。
The groove portion 106 of the individual piezoelectric vibration element storage package provided by the through hole 209 has an elliptical arc shape, a rectangular shape, or the like. The groove 106 needs to be formed so that the sealing material 109 does not come out from the upper end portion (opening portion on the upper end side) located inside the inner periphery of the frame portion 103. If the through hole 209 has an elliptical shape, the curvature of the outer peripheral portion most distant from the frame portion 103 of the through hole 209 may be made smaller than the radius of the sealing material 109. As a result, a structure in which the sealing material 109 inserted into the groove 106 cannot be removed from the through hole 209 toward the mounting portion 104 can be obtained.

このような多数個取り配線基板によれば、配線基板領域204の取り個数の1/2の貫通
孔209の加工で済むため、セラミックグリーンシートを加工する金型等の構造を簡略化す
ることができる。
According to such a multi-cavity wiring board, it is only necessary to process the through holes 209 that are ½ of the number of wiring board regions 204, so that the structure of a mold or the like for processing the ceramic green sheet can be simplified. it can.

例えば、母基板201に配列形成される配線基板領域204が4行×4列の16個取りであった場合に、それぞれの配線基板領域204毎に貫通孔(図示せず)を設けたとすると、貫通孔
を設ける加工が16箇所必要である。これに対して、上記のように境界206を跨いで貫通孔209が設けられていれば、貫通孔209を、互いに隣接し合う2つの配線基板領域204の長辺側に1箇所加工すればよいことになる。
For example, if the wiring board regions 204 arranged and formed on the mother board 201 are 16 pieces of 4 rows × 4 columns, and if a through hole (not shown) is provided for each wiring board region 204, It is necessary to process 16 through holes. On the other hand, if the through hole 209 is provided across the boundary 206 as described above, the through hole 209 may be processed at one place on the long side of the two wiring board regions 204 adjacent to each other. It will be.

また、多数個取り配線基板の状態で各配線基板領域204の搭載部104に圧電振動素子105
を搭載し、全ての配線基板領域204の上面に蓋体113を接合した後、母基板201を上下反転
させてガス排出用の開口部分(貫通孔209と枠部103の内周で構成される開口部分)からガスを外部に排出させてから、ろう材等の封止材109で貫通孔209を塞ぐこともできる。この場合には、全ての配線基板領域204の搭載部104について一括して気密封止を行うことも可能である。この場合、1つの封止材109により隣接する2つの配線基板領域204のそれぞれの貫通孔209の開口部分を同時に塞ぐことができるため、さらに封止工程を簡略化するこ
とが可能である。この場合、母基板201を各個片にするためには、境界206に形成される封止材109が形成されており母基板201の分割性が悪くなる可能性があることから、上記のように分割溝による方法は適さない。スライシング加工による個片化を行えば、貫通孔209
内で境界206に位置する封止材109も同時に切断でき、個片化が容易である。
Further, the piezoelectric vibrating element 105 is mounted on the mounting portion 104 of each wiring board region 204 in the state of a multi-piece wiring board.
After the lid body 113 is joined to the upper surfaces of all the wiring board regions 204, the mother board 201 is turned upside down to constitute the gas discharge opening (the through hole 209 and the inner periphery of the frame part 103). It is also possible to close the through hole 209 with a sealing material 109 such as a brazing material after the gas is discharged to the outside from the opening portion). In this case, it is possible to perform hermetic sealing on the mounting portions 104 of all the wiring board regions 204 in a lump. In this case, since the opening portions of the through holes 209 of the two adjacent wiring board regions 204 can be simultaneously closed by one sealing material 109, the sealing process can be further simplified. In this case, in order to make the mother substrate 201 into individual pieces, the sealing material 109 formed at the boundary 206 is formed, and the splitting property of the mother substrate 201 may be deteriorated. The method using dividing grooves is not suitable. If slicing is performed, the through hole 209
The sealing material 109 located at the boundary 206 can also be cut at the same time, and can be easily separated.

図3に示したように、例えば長方形状の配線基板領域204の長辺側の中央部に貫通孔209が設けられた場合には、次のような点で有利である。すなわち、圧電振動素子105は一般
的に直方体形であり、それにともない絶縁基体101(配線基板領域204)も直方体形で製作される。長辺側の中央部に貫通孔209が設けられていれば、互いに隣接し合う貫通孔209同士の間隔を大きくすることができる。そのため、母基板201(下部絶縁層202)となるセラミックグリーンシートを金型等で打抜き加工する場合に、打ち抜いたセラミックグリーンシートの剛性が局部的に低下することを抑制できる。そのため、上下のセラミックグリーンシート同士の積層ずれを抑制した積層が可能となる。
As shown in FIG. 3, for example, when the through-hole 209 is provided in the central part on the long side of the rectangular wiring board region 204, the following points are advantageous. That is, the piezoelectric vibration element 105 is generally a rectangular parallelepiped, and accordingly, the insulating base 101 (wiring board region 204) is also manufactured in a rectangular parallelepiped. If the through hole 209 is provided in the central part on the long side, the interval between the adjacent through holes 209 can be increased. Therefore, when the ceramic green sheet to be the mother substrate 201 (lower insulating layer 202) is punched with a mold or the like, it is possible to suppress a local decrease in the rigidity of the punched ceramic green sheet. Therefore, it is possible to perform stacking in which stacking deviation between the upper and lower ceramic green sheets is suppressed.

また、図4に示すように、例えば配線基板領域204の短辺側の中央部に貫通孔209を設け
てもよい。なお、図4(a)は、本発明の実施形態の多数個取り配線基板の変形例を示す平面図であり、図4(b)は図4(a)のC−C’線における断面図である。図4において図1および図3と同様の部位には同様の符号を付している。
Further, as shown in FIG. 4, for example, a through hole 209 may be provided in the central portion on the short side of the wiring board region 204. 4A is a plan view showing a modification of the multi-piece wiring board according to the embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of FIG. 4A. It is. 4, parts similar to those in FIGS. 1 and 3 are given the same reference numerals.

この場合、上述したように、1つの貫通孔209の上端側(搭載部104側)の開口部分付近に圧電振動素子105の自由端が位置し得る。そのため、この開口部分からイオンビーム等
を照射することにより圧電振動素子105の励振電極(図示せず)をトリミングして周波数
調整を行うこともできる。この場合には、高精度な、周波数特性に優れた複数の圧電装置を一括して製作することができる。この効果を得るためには、平面視で長方形状の搭載部104において、圧電振動素子105が接続される配線導体110が搭載部104の一方の短辺側に位置するとともに、貫通孔209(上端側の開口部分)が他方の短辺側に位置する必要がある
In this case, as described above, the free end of the piezoelectric vibration element 105 can be positioned near the opening on the upper end side (the mounting portion 104 side) of one through-hole 209. Therefore, the frequency adjustment can be performed by trimming the excitation electrode (not shown) of the piezoelectric vibration element 105 by irradiating an ion beam or the like from the opening. In this case, a plurality of piezoelectric devices with high accuracy and excellent frequency characteristics can be manufactured at once. In order to obtain this effect, in the rectangular mounting portion 104 in plan view, the wiring conductor 110 to which the piezoelectric vibration element 105 is connected is positioned on one short side of the mounting portion 104 and the through hole 209 (upper end) Side opening) must be located on the other short side.

なお、本発明の圧電振動素子収納用パッケージ、圧電装置および多数個取り配線基板は、以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えても何ら差し支えない。例えば、上記実施形態の例では搭載部に圧電振動素子105のみが搭載される例を挙げたが、圧電振動素子105とともに半導体集積回路素子(IC)等の半導体素子,容量素子,インダクタ素子,抵抗素子等の種々の電子部品が搭載される、TCXOやVCO等に使用される圧電振動素子収納用パッケージ、圧電装置および多数個取り配線基板であってもよい。   The piezoelectric vibration element storage package, the piezoelectric device, and the multi-cavity wiring board of the present invention are not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. You can add anything. For example, in the example of the above-described embodiment, an example in which only the piezoelectric vibration element 105 is mounted on the mounting portion has been described. However, together with the piezoelectric vibration element 105, a semiconductor element such as a semiconductor integrated circuit element (IC), a capacitive element, an inductor element, a resistance It may be a piezoelectric vibration element storage package, a piezoelectric device, and a multi-piece wiring board used for TCXO, VCO, etc., on which various electronic components such as elements are mounted.

101・・・絶縁基体
102・・・基部
103・・・枠部
104・・・搭載部
105・・・圧電振動素子
106・・・溝部
107・・・第1メタライズ層
108・・・第2メタライズ層
109・・・封止材
110・・・配線導体
111・・・枠状メタライズ層
112・・・キャスタレーション
113・・・蓋体
201・・・母基板
202・・・下部絶縁層
203・・・上部絶縁層
204・・・配線基板領域
205・・・捨て代領域
206・・・境界
207・・・めっき導通端子
208・・・めっき用枠導体
209・・・貫通孔
101 ... Insulating substrate
102 ... Base
103 ・ ・ ・ Frame part
104 ・ ・ ・ Mounting part
105 ・ ・ ・ Piezoelectric vibration element
106 ・ ・ ・ Groove
107 ... 1st metallization layer
108 ... 2nd metallization layer
109 ・ ・ ・ Sealing material
110 ・ ・ ・ Wiring conductor
111 ・ ・ ・ Frame metallization layer
112 ・ ・ ・ Castellation
113 ・ ・ ・ Cover
201 ... Mother board
202 ... lower insulation layer
203 ... Upper insulating layer
204 ・ ・ ・ Wiring board area
205 ・ ・ ・ Disposal allowance area
206 ... Boundary
207 ... Plating conduction terminal
208 ・ ・ ・ Frame conductor for plating
209 ... Through hole

Claims (4)

圧電振動素子が搭載される部分を含む上面を有する平板状の基部と、
該基部の前記上面に前記圧電振動素子が搭載される部分を取り囲んで積層された枠部とを備える圧電振動素子収納用パッケージであって、
前記基部の側面に、該側面の上端から下端にかけて溝部が設けられているとともに、該溝部の上端の一部が前記枠部の内周よりも内側に位置しており、
前記溝部の内側面に第1メタライズ層が設けられているとともに、前記溝部の内側に露出した前記枠部の下面に第2メタライズ層が設けられており、
前記第1メタライズ層および前記第2メタライズ層に封止材が接合されて前記溝部が塞がれることを特徴とする圧電振動素子収納用パッケージ。
A flat base having an upper surface including a portion on which the piezoelectric vibration element is mounted;
A piezoelectric vibration element storage package comprising: a frame portion that surrounds a portion on which the piezoelectric vibration element is mounted on the upper surface of the base portion;
On the side surface of the base portion, a groove portion is provided from the upper end to the lower end of the side surface, and a part of the upper end of the groove portion is located on the inner side of the inner periphery of the frame portion,
A first metallized layer is provided on the inner side surface of the groove part, and a second metallized layer is provided on the lower surface of the frame part exposed inside the groove part,
A package for accommodating a piezoelectric vibration element, wherein a sealing material is bonded to the first metallized layer and the second metallized layer to close the groove.
請求項1記載の圧電振動素子収納用パッケージと、
前記基部の前記上面に搭載された圧電振動素子と、
前記枠部上に接合された蓋体と、
前記第1メタライズ層および前記第2メタライズ層に接合されて前記溝部を塞いでいる封止材とを備えることを特徴とする圧電装置。
The piezoelectric vibration element storage package according to claim 1;
A piezoelectric vibration element mounted on the upper surface of the base;
A lid joined on the frame;
A piezoelectric device comprising: a sealing material bonded to the first metallized layer and the second metallized layer to close the groove.
平板状の下部絶縁層と、複数の開口部を有しているとともに前記下部絶縁層の上面に積層された上部絶縁層とからなる母基板に複数の配線基板領域が配列された多数個取り配線基板であって、
前記複数の配線基板領域のそれぞれの境界が前記開口部を取り囲んでおり、
前記配線基板領域の境界を跨ぐように前記下部絶縁層に貫通孔が形成されているとともに、該貫通孔の上端の一部が前記開口部の内周よりも内側に位置しており、
前記貫通孔の内側面に第1メタライズ層が形成されているとともに、前記貫通孔に露出した前記上部絶縁層の下面に第2メタライズ層が形成されていることを特徴とする多数個取り配線基板。
A multi-piece wiring in which a plurality of wiring board regions are arranged on a mother board comprising a flat lower insulating layer and a plurality of openings and an upper insulating layer laminated on the upper surface of the lower insulating layer A substrate,
Each boundary of the plurality of wiring board regions surrounds the opening,
A through hole is formed in the lower insulating layer so as to straddle the boundary of the wiring board region, and a part of the upper end of the through hole is located inside the inner periphery of the opening,
The multi-piece wiring board, wherein a first metallized layer is formed on an inner surface of the through hole, and a second metallized layer is formed on a lower surface of the upper insulating layer exposed in the through hole. .
平面視において前記配線基板領域が四角形状であり、
前記貫通孔は、前記配線基板領域の1つの辺の長さ方向の中央部に位置しており、
互いに隣り合う前記配線基板領域が前記貫通孔に対して点対称に配置されていることを特徴とする請求項3に記載の多数個取り配線基板。
In the plan view, the wiring board region has a quadrangular shape,
The through hole is located at a central portion in the length direction of one side of the wiring board region,
4. The multi-piece wiring board according to claim 3, wherein the wiring board regions adjacent to each other are arranged point-symmetrically with respect to the through hole.
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